JP2004030997A - Electron gun for electron beam machining - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蒸着や溶解などの電子ビーム加工において用いられる電子ビーム加工用電子銃に関する。具体的には、真空槽内において電子ビームを射出することにより発生するイオン流によるフィラメントの損耗・断線および高電圧電源の出力電圧の不安定化を防止することができるとともに、イオン流に対処するための消耗品を必要としない電子ビーム加工用電子銃を提供せんとするものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より用いられている電子ビーム加工用電子銃の構成を、図6に示し説明する(従来例1)。ここで、図6は、この従来例1の構成を概略的に示す断面図であり、以下では、蒸着装置に用いる場合を例として説明する。
【0003】
図6において、61は、電流が流れることにより加熱されて熱電子を放出するフィラメントである。このフィラメント61は、ここから放出された熱電子を射出するための円形の開口部63を有する、筒状のビーム形成電極62の内部に配置されている。また、ビーム形成電極62の開口部63よりは若干大きい孔部65が設けられた平板状のアノード64が、ビーム形成電極62に対向するようにして配置されている。
【0004】
ここにおけるビーム形成電極62にはマイナスの高電圧が印加され、アノード64は接地されてグランド電位に保たれるか、あるいはプラスの電圧が印加される。これにより、フィラメント61から放出された熱電子を加速して電子ビームを生成する電界が形成される。
【0005】
以上の構成要素からなる電子銃は、図示されてはいない密閉された真空槽内に配設され、真空槽内は、蒸着装置を作動する場合は、一旦真空にした後、アルゴン・ガスなどの不活性ガスあるいは酸素などの反応性ガスが導入されることもある。
【0006】
そこで、このように構成された電子銃を作動させると、電子銃より射出された電子ビームEBは、破線で示すように、磁界により、例えば270度回転するように偏向されて、所定位置に配置されたハース内に収容された蒸着材料に照射される。その結果、蒸着材料は、電子ビームEBのエネルギーにより加熱・昇華され、発生した蒸着粒子は、ハースの上方に配置された被蒸着物に向けて上昇し、これに付着することにより薄膜が形成されることになる。
【0007】
しかし、電子銃より電子ビームEBが射出されると、電子ビームEBによって電離した雰囲気ガスのプラス・イオンが、ビーム形成電極62のマイナス電位に引き寄せられる。すなわち、電子ビームEBの流れに逆流するようにして、イオン流Iがフィラメント61に向けて流れる。
【0008】
このイオン流Iは、ビーム形成電極62およびアノード64の形状がそれぞれ対称形の場合は、集束してアノード64の孔部65およびビーム形成電極62の開口部63を通ってフィラメント61に衝突する。イオン流Iがフィラメント61に衝突すると、イオン・スパッタリングによりフィラメント61に損耗が生じ、さらには断線を起こしてしまう。
【0009】
フィラメント61が損耗し断線すれば、電子ビームEBの射出が停止してしまい、蒸着作業が中断することになる。また、ビーム形成電極62その他の部材に印加するマイナスの高電圧を出力する高電圧電源からの高電圧を受けている部材に、イオン流Iが衝突すると、イオンによる放電が発生するため、高電圧電源からの出力電圧が不安定となってしまう。
【0010】
そこで、他の従来例では、つぎのような構成を用いており、その概略を図7に示し説明する(従来例2:United States Patent Number 6,064,686 参照)。
【0011】
図7(断面図)において、フィラメント71を包むようにして配置されたビーム形成電極72は、筒状に形成されている。そして、フィラメント71からの熱電子を放出するための開口部74を挟む部分の一方を、断面く字状に形成された屈曲部73により構成している。同様に、アノード75も、孔部78を挟む部分の一方を、断面S字状に形成された屈曲部76により構成している。
【0012】
また、アノード75の屈曲部76には、孔77が穿設されており、この孔77を介してモリブデンなどの高融点金属を用いた、イオン流Iが衝突するイオン・ターゲット100が、アノード75の屈曲部76に接しないようにしてビーム形成電極72の屈曲部73に装着される。
【0013】
そこで、以上のように構成された電子銃を作動させた場合は、ビーム形成電極72とアノード75とにより形成される電界は対称的であるが、イオンは電子よりも質量が大きくその流れは曲げにくいため、イオン流Iはフィラメント71に衝突することはなく、イオン・ターゲット100に衝突することになる。
【0014】
このように、この従来例2では、ビーム形成電極72とアノード75とにより形成される電界は対称的であるが、イオン流Iがフィラメント71に衝突しないようになっている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
図6に示した従来例1によると、既に述べたように、イオン流Iがフィラメント61に衝突するため、フィラメント61に損耗・断線が生じてしまう。その結果、電子ビームEBの射出が停止してしまい、蒸着作業が中断するという解決すべき課題があった。
【0016】
また、ビーム形成電極62に印加するマイナスの高電圧を出力する高電圧電源からの高電圧を受けている部材に、イオン流Iが衝突して放電が発生するため、マイナスの高電圧が不安定となってしまうという未解決の課題もあった。
【0017】
これに対して、図7に示した従来例2によると、イオン流Iはフィラメント71に衝突することはないことから、フィラメント71の損耗・断線を防止することができ、したがって、電子ビームEBの射出の停止による蒸着作業の中断といった問題は生じない。
【0018】
しかし、ビーム形成電極72およびアノード75のそれぞれに屈曲部73,76を設けるという複雑な構成を用いているため、コスト増を招くという問題点がある。また、イオン・スパッタリングによるフィラメント71の損耗・断線は回避することはできても、マイナスの高電圧が印加されたビーム形成電極72の屈曲部73に装着されたイオン・ターゲット100には、加速されたイオンが衝突するので、そのエネルギーによりイオン・ターゲット100は損耗する。イオン・ターゲット100が損耗して使用に耐えられなくなれば、新たなイオン・ターゲット100を装着し直さなければならない。すなわち、装置のランニング・コスト要因となるとともに、その都度イオン・ターゲット100を装着し直さなければならないという煩わしさを伴う。
【0019】
このように、図7に示した従来例2によると、フィラメント71の損耗・断線は回避することはできても、製造コストおよび装置のランニング・コストの双方においてコスト増を招いてしまうという解決すべき課題があった。
【0020】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するために、本発明はなされたものである。そのために、本発明では、フィラメントより放出された熱電子を加速して電子ビームを生成する電界を形成するための構成を非対称形、すなわち電子ビームを偏向するデフレクション部を、開口部よりも電子ビームが射出する側に突出するようにビーム形成電極に設ける。ビーム形成電極とともに電子ビームを生成する電界を形成する、グランド電位またはプラス電位に保たれるアノードを配置する。そして、電子ビームにより電離したイオンの主なる流れの進路方向において、接地された導体からなる部材を配置する。以上のような手段を用いるようにした。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の1つの実施の形態を図1に示し説明する。ここで、図1は、本発明による電子ビーム加工用電子銃の構成を概略的に示す断面図である。
【0022】
図1において、10は、電子ビームEBを射出する電子ビーム射出部である。この電子ビーム射出部10には、フィラメント11より放出された熱電子を加速して電子ビームEBを生成する電界を形成するための角筒状のビーム形成電極12と、断面L字状に形成された板状のアノード15が配置されている。
【0023】
前者のビーム形成電極12にはマイナスの高電圧が印加され、その形状は、図2(斜視図)に示すように、二点鎖線で示す、横断面方向に沿う面Aに関して非対称に形成されている。すなわち、ビーム形成電極12の下部は、開口部14よりも前方(電子ビームEBが射出する側)に突出しており、この突出した部分が、射出された電子ビームEBを偏向するためのデフレクション部13を構成している。
【0024】
他方、アノード15は、図1に示すように、接地されてグランド電位に保たれるとともに、その前縁部がビーム形成電極12のデフレクション部13と対向するように、ビーム形成電極12の上方に所定の間隔をおいて配置されている。
【0025】
このように、本発明による電子銃では、ビーム形成電極12の形状が非対称に形成されている。したがって、ビーム形成電極12とアノード15とにより形成される、フィラメント11より放出された熱電子を加速して電子ビームを生成する電界は、非対称のものとなる。その結果、イオン流Iは、図示するように、フィラメント11に衝突することはなく、方向を変えて流れることになる。
【0026】
この方向を変えて流れるイオン流Iは、図7の従来例2では、イオン・ターゲット100に衝突させる構成を用いるものであった。しかし、本発明による電子銃では、イオン・ターゲット100は用いずに、接地された接地金属板16を配設し、これによりイオン流Iを受ける構成を用いている。その結果、イオンは減速され、大きなエネルギーを持つことなく、その主なる流れが接地金属板16に到達して当接し、これを介してグランドに流れることになる。したがって、イオン・スパッタリングにより接地金属板16が損耗することはない。
【0027】
ここで、図1では、電子ビーム射出部10を支持するための構成の図示は省略されており、その構成の詳細は、図3(a)に示されている。
【0028】
図3(a)(斜視図)において、電子ビーム射出部10は、2つの円柱状の支柱21a,21bにより支えられ、各支柱21a,21bは、板状の各高電圧給電部材22a,22bにより支持されている。そして、各高電圧給電部材22a,22bは、基台24に立設された、セラミクスなどを用いた各がいし23a〜23により支持されている。
【0029】
すなわち、電子ビーム射出部10は、各高電圧給電部材22a,22b間に橋架されるようにして支持され、電子ビーム射出部10と基台24との間に空隙部が生ずるように、電子ビーム射出部10は配設されている。イオン流Iは、この空隙部内を流れて接地金属板16に到達することになる。
【0030】
このように、電子ビーム射出部10の支持は、イオン流Iの進路を妨げないような構成とすればよいので、例えば、図3(b)(斜視図)に示すように、側方から各高電圧給電部材31a,31bにより電子ビーム射出部10を支持するようにしてもよい。
【0031】
なお、図1では、アノード15を接地してグランド電位に保つ構成を示したが、アノード15にプラスの電圧を印加するようにしてもよい。また、イオン流Iを受ける部材として、断面L字状の金属板を示した。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、導体からなる部材であれば、その形状は任意のものであってよい。
【0032】
また、ビーム形成電極12は、非対称形すなわちデフレクション部13が開口部14(図2)より電子ビームEBが射出する側に突出した形状であれば、図2に示した形状に限られるものではない。用いるフィラメント11の形状などに応じて、例えば、図4(a)(斜視図)に示すように、A−A線に沿う断面形状を、図2のビーム形成電極12のようにL字状に形成することなく平板状にして、ビーム形成電極12Bの開口部14Bが、より大きなものとなるようにしてもよい。
【0033】
あるいは、図4(b)(斜視図)に示すように、ビーム形成電極12Cを筒状ではなく断面L字状の扁平な板材として形成してもよい。その場合、アノード15Bは、図1のアノード15のように断面L字状に形成することなく、破線で示すように平板状のものを用い、これをデフレクション部13に対して垂直となるように配置してもよい。
【0034】
さらに、アノード15も、図1に示した形状に限定されるものではない。図4(b)に示した形状以外に、例えば、図5(断面図)に示すように、図6の従来例1におけるアノード64と同様の平板状のアノード17を用い、その中央部に設けられた孔部18の中に、破線で示すビーム形成電極12のデフレクション部13が位置するようにしてもよい。その場合は、電子ビームEBを挟んでデフレクション部13と対向する側のアノード17の部分が、電子ビームEBを生成する電界を形成する作用を有し、実質的には、図1に示したアノード15と同じ作用効果を奏することになる。
【0035】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によるならば、フィラメントより放出された熱電子を加速して電子ビームを生成する電界を形成するための構成を、非対称のものとしたので、電子ビームにより電離したイオンは、フィラメントに衝突することはない。したがって、イオン・スパッタリングによるフィラメントの損耗・断線を防止することができる。
【0036】
その結果、用いるフィラメントの長寿命化が可能となり、蒸着装置であれば、電子ビームの射出停止による蒸着作業の中断を回避することができる。すなわち、蒸着工程の作業性を高め、蒸着コストの低減化に寄与することになる。
【0037】
また、マイナスの高電圧を出力する高電圧電源からの高電圧を受けている部材にイオン流が衝突することがないことから、イオンによる放電が発生することもなく、高電圧電源からの安定した高電圧の供給を実現することが可能となる。
【0038】
さらに、従来例2におけるイオン・ターゲットのようなイオン・スパッタリングに対処するための消耗品を用いる必要性がない。装置のランニング・コストの低廉化が可能である。
【0039】
しかも、如上の効果は、簡易な構成すなわち低コストで得ることができる。したがって、電子ビーム加工用電子銃において本発明がもたらす効果は、実用上極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1つの実施の形態を示す断面図である。
【図2】図1に示したビーム形成電極の形状を示す斜視図である。
【図3】図1に示した電子ビーム射出部を支持する構成を示す斜視図である。
【図4】図1に示した電子ビーム射出部を構成するビーム形成電極の他の形状例を示す斜視図である。
【図5】図1に示した電子ビーム射出部を構成するアノードの他の形状例を示す断面図である。
【図6】従来例1の構成を示す断面図である。
【図7】従来例2の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
10 電子ビーム射出部
11 フィラメント
12,12B,12C ビーム形成電極
13 デフレクション部
14,14B 開口部
15,15B アノード
16 接地金属板
17 アノード
18 孔部
21a,21b 支柱
22a,22b 高電圧給電部材
23a〜23d がいし
24 基台
31a,31b 高電圧給電部材
61 フィラメント
62 ビーム形成電極
63 開口部
64 アノード
65 孔部
71 フィラメント
72 ビーム形成電極
73 屈曲部
74 開口部
75 アノード
76 屈曲部
77 孔
78 孔部
100 イオン・ターゲット
EB 電子ビーム
I イオン流[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron gun for electron beam processing used in electron beam processing such as vapor deposition and melting. Specifically, it is possible to prevent the filament from being worn out or broken by the ion current generated by injecting the electron beam in the vacuum chamber, to prevent the output voltage of the high voltage power supply from becoming unstable, and to cope with the ion current. The purpose of the present invention is to provide an electron gun for electron beam processing that does not require consumables for use.
[0002]
[Prior art]
The configuration of a conventionally used electron beam processing electron gun will be described with reference to FIG. 6 (conventional example 1). Here, FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the first conventional example. Hereinafter, a case where the present invention is used for a vapor deposition apparatus will be described as an example.
[0003]
In FIG. 6, reference numeral 61 denotes a filament which is heated by the flow of an electric current and emits thermoelectrons. The filament 61 is disposed inside a cylindrical
[0004]
A negative high voltage is applied to the
[0005]
The electron gun composed of the above-described components is disposed in a sealed vacuum chamber (not shown). A reactive gas such as an inert gas or oxygen may be introduced.
[0006]
Therefore, when the electron gun configured as described above is operated, the electron beam EB emitted from the electron gun is deflected by a magnetic field to rotate, for example, 270 degrees, as shown by a broken line, and is arranged at a predetermined position. Irradiation is performed on the vapor deposition material accommodated in the set hearth. As a result, the vapor deposition material is heated and sublimated by the energy of the electron beam EB, and the generated vapor deposition particles rise toward the material to be deposited disposed above the hearth, and adhere to the material to form a thin film. Will be.
[0007]
However, when the electron beam EB is emitted from the electron gun, the positive ions of the atmospheric gas ionized by the electron beam EB are attracted to the negative potential of the
[0008]
When the shapes of the
[0009]
If the filament 61 is worn out and disconnected, the injection of the electron beam EB stops, and the vapor deposition operation is interrupted. Further, when the ion current I collides with a member receiving a high voltage from a high voltage power supply that outputs a negative high voltage applied to the
[0010]
Therefore, in another conventional example, the following configuration is used, and its outline is shown in FIG. 7 and described (refer to Conventional Example 2: United States Patent Number 6,064,686).
[0011]
In FIG. 7 (cross-sectional view), the
[0012]
A
[0013]
Therefore, when the electron gun configured as described above is operated, the electric field formed by the
[0014]
As described above, in the second conventional example, although the electric field formed by the
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
According to the first conventional example shown in FIG. 6, as described above, the ion flow I collides with the filament 61, so that the filament 61 is worn and disconnected. As a result, there is a problem to be solved that the injection of the electron beam EB is stopped and the vapor deposition operation is interrupted.
[0016]
Further, since the ion current I collides with a member receiving a high voltage from a high voltage power supply that outputs a negative high voltage applied to the
[0017]
On the other hand, according to the conventional example 2 shown in FIG. 7, since the ion current I does not collide with the
[0018]
However, since a complicated configuration is used in which the
[0019]
As described above, according to the conventional example 2 shown in FIG. 7, it is possible to solve the problem that the wear and disconnection of the
[0020]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, the present invention has been made to solve the above problems. Therefore, in the present invention, a configuration for forming an electric field for generating an electron beam by accelerating the thermoelectrons emitted from the filament is asymmetric, that is, a deflection unit for deflecting the electron beam is provided with an electron rather than an opening. It is provided on the beam forming electrode so as to protrude to the side where the beam is emitted. An anode, which is maintained at ground potential or positive potential, forms an electric field for generating an electron beam with the beam forming electrode. Then, a member made of a grounded conductor is arranged in the traveling direction of the main flow of ions ionized by the electron beam. The above means are used.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
One embodiment of the present invention is shown and described in FIG. Here, FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of an electron gun for electron beam processing according to the present invention.
[0022]
In FIG. 1,
[0023]
A negative high voltage is applied to the former
[0024]
On the other hand, as shown in FIG. 1, the
[0025]
Thus, in the electron gun according to the present invention, the shape of the
[0026]
In the conventional example 2 of FIG. 7, the ion flow I flowing while changing the direction uses a configuration in which the ion flow I collides with the ion target 100. However, the electron gun according to the present invention employs a configuration in which the ion target 100 is not used, and the grounded
[0027]
Here, in FIG. 1, illustration of a configuration for supporting the electron
[0028]
In FIG. 3A (perspective view), the electron
[0029]
That is, the electron
[0030]
As described above, since the support of the electron
[0031]
Although FIG. 1 shows a configuration in which the
[0032]
The
[0033]
Alternatively, as shown in FIG. 4B (perspective view), the beam forming electrode 12C may be formed as a flat plate having an L-shaped cross section instead of a cylindrical shape. In this case, the anode 15B is not formed in an L-shaped cross section as in the case of the
[0034]
Further, the
[0035]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the present invention, the configuration for forming an electric field for generating an electron beam by accelerating the thermoelectrons emitted from the filament is made asymmetric, so that the electron beam The ionized ions do not collide with the filament. Therefore, it is possible to prevent the filament from being worn or broken due to ion sputtering.
[0036]
As a result, the life of the filament to be used can be extended, and in the case of a vapor deposition device, the interruption of the vapor deposition operation due to the stop of the injection of the electron beam can be avoided. That is, the workability of the vapor deposition process is improved, and the vapor deposition cost is reduced.
[0037]
Also, since the ion current does not collide with the member receiving the high voltage from the high voltage power supply that outputs a negative high voltage, no discharge due to ions occurs, and the stable flow from the high voltage power supply does not occur. High voltage supply can be realized.
[0038]
Furthermore, there is no need to use consumables for dealing with ion sputtering, such as the ion target in Conventional Example 2. The running cost of the apparatus can be reduced.
[0039]
Moreover, the above effect can be obtained with a simple configuration, that is, at low cost. Therefore, the effect of the present invention in the electron beam processing electron gun is extremely large in practical use.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a shape of a beam forming electrode shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration for supporting the electron beam emitting unit shown in FIG.
FIG. 4 is a perspective view showing another example of the shape of the beam forming electrode constituting the electron beam emitting unit shown in FIG.
5 is a sectional view showing another example of the shape of the anode constituting the electron beam emitting section shown in FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of Conventional Example 1.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of Conventional Example 2.
[Explanation of symbols]
Claims (1)
開口部(14,14B)よりも突出するように設けられた電子ビーム(EB)を偏向するためのデフレクション部(13)を有する、前記フィラメントより放出された前記熱電子を加速して前記電子ビームを生成する電界を形成するための、マイナスの高電圧が印加されるビーム形成電極(12,12B,12C)と、
前記ビーム形成電極とともに前記電子ビームを生成する電界を形成するための、グランド電位およびプラス電位のうちの一方に保たれるアノード(15,17)と、
前記電子ビームにより電離したイオンの主なる流れの進路方向において配置された、接地された導体からなる部材(16)と
を具備した電子ビーム加工用電子銃。A filament (11) that emits thermoelectrons when heated by flowing an electric current;
The thermoelectrons emitted from the filament are accelerated by a deflection section (13) for deflecting an electron beam (EB) provided to protrude from the openings (14, 14B). Beam forming electrodes (12, 12B, 12C) to which a negative high voltage is applied for forming an electric field for generating a beam;
An anode (15, 17) maintained at one of a ground potential and a positive potential for forming an electric field for generating the electron beam with the beam forming electrode;
An electron gun for processing an electron beam, comprising: a member (16) made of a grounded conductor, which is arranged in the direction of travel of the main flow of ions ionized by the electron beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002182327A JP2004030997A (en) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Electron gun for electron beam machining |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002182327A JP2004030997A (en) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Electron gun for electron beam machining |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004030997A true JP2004030997A (en) | 2004-01-29 |
Family
ID=31178866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002182327A Pending JP2004030997A (en) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | Electron gun for electron beam machining |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004030997A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004192903A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Prazmatec:Kk | Electron gun |
| JP2007165160A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Origin Electric Co Ltd | Electron gun and electron beam generator |
| JP2010027402A (en) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Origin Electric Co Ltd | Electron gun and electron beam-generating device |
-
2002
- 2002-06-24 JP JP2002182327A patent/JP2004030997A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004192903A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Prazmatec:Kk | Electron gun |
| JP2007165160A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Origin Electric Co Ltd | Electron gun and electron beam generator |
| JP2010027402A (en) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Origin Electric Co Ltd | Electron gun and electron beam-generating device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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