JP2004023074A - Circuit board device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波用のセラミックス基板を樹脂基板上に設けることにより、セラミックス基板を小型化し、マザーボードへの搭載状態を安定させる。
【解決手段】樹脂基板2には、例えば5〜6GHz程度の自己共振周波数を有する電子部品7〜9を半田実装する。また、セラミックス基板13には、この自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する半導体素子17をワイヤボンディング等によって実装し、この基板13を樹脂基板2に搭載する。これにより、樹脂基板2を樹脂製のマザーボード19等に安定的に搭載でき、またセラミックス基板13側の部品点数を抑えて基板13を小型化することができる。また、半導体素子17を電子部品7〜9、基板13と別工程で実装でき、半田10,16中のフラックス等によるワイヤ17Aの接続不良等を防止することができる。
【選択図】 図2By providing a ceramic substrate for high frequency on a resin substrate, the size of the ceramic substrate is reduced, and the mounting state on a motherboard is stabilized.
An electronic component having a self-resonant frequency of, for example, about 5 to 6 GHz is solder-mounted on a resin substrate. A semiconductor element 17 for processing a signal having a frequency higher than the self-resonant frequency is mounted on the ceramic substrate 13 by wire bonding or the like, and the substrate 13 is mounted on the resin substrate 2. Thereby, the resin substrate 2 can be stably mounted on the resin-made motherboard 19 and the like, and the number of components on the ceramic substrate 13 side can be suppressed to reduce the size of the substrate 13. In addition, the semiconductor element 17 can be mounted in a separate step from the electronic components 7 to 9 and the substrate 13, thereby preventing poor connection of the wire 17 </ b> A due to flux in the solders 10 and 16.
[Selection] Fig. 2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば高周波信号を処理する各種の部品を基板に実装してパッケージ化するのに好適に用いられる回路基板装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、回路基板装置としては、例えば高周波回路用の半導体素子を基板に実装し、これらをパッケージ化してマザーボードに搭載する構成としたものが知られている(例えば、特開2001−77244号公報等)。
【0003】
そして、この種の従来技術による回路基板装置は、例えばセラミックス材料等により形成された基板に半導体素子が実装されている。また、例えば無線通信用の回路基板装置等においては、半導体素子と他の電子部品とを基板に対して一緒に実装したものがある。
【0004】
この場合、半導体素子としては、例えばガリウム砒素等の半導体基板に高周波用の集積回路を設けたマイクロ波集積回路(MIC=Microwave Integrated Circuit)、電界効果トランジスタ(FET)等が用いられ、これらはワイヤボンディング、バンプ実装等の手段によって基板と接続されている。そして、半導体素子は、例えば5〜6GHz程度の周波数よりも高い周波数(無線信号のキャリア周波数等)の信号処理を行うものである。
【0005】
また、他の電子部品は、例えば抵抗、コンデンサ、コイル等の汎用的なチップ部品からなり、これらは半田等を用いて基板に接続されると共に、半導体素子と比較して低い周波数(例えば5GHz以下)の信号処理を行う周辺回路を構成している。
【0006】
そして、回路基板装置は、これらの半導体素子と電子部品とを基板に実装した状態で、例えば樹脂材料等により形成されたマザーボードに半田付け等の手段を用いて搭載されるものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、例えばセラミックス材料により形成された基板に半導体素子を実装する構成としている。しかし、例えば無線通信用の回路基板装置のように、半導体素子と他の電子部品とを基板に実装する場合には、比較的大きな基板が必要となるため、セラミックス材料製の大きな基板を樹脂材料製のマザーボードに搭載すると、これらの熱膨張率の差等によって両者間の半田に亀裂、剥離等が生じ易くなり、耐久性、信頼性が低下するという問題がある。
【0008】
また、半導体素子は、例えば静電気によって絶縁破壊等の損傷が生じ易いため、回路基板装置の組立時には、例えば半導体素子を実装する前に他の電子部品を予め半田付けしておくことにより、半田付け工程での半導体素子の絶縁破壊を防止したり、素子を保護するための煩雑な工程管理等を避ける必要がある。
【0009】
しかし、半導体素子を実装する前に他の電子部品を半田付けすると、半田に含まれるフラックス等の成分が揮発して基板に設けられた部品接続用のランド等に付着することがある。このため、電子部品の半田付け後に、半導体素子をワイヤボンディング、バンプ実装等の手段によってランドに接続するときには、これらがフラックス等の付着物によって接続不良となる虞れがある。
【0010】
一方、例えばMIC等の半導体素子を製造するときに、その集積回路の一部として他の電子部品を一緒に形成する方法も考えられる。しかし、この場合には、汎用的な電子部品を高価な集積回路の一部として形成することになり、コストアップを招くという問題がある。
【0011】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、高周波回路用の半導体素子と他の電子部品とを簡単な作業で確実に実装でき、マザーボードに安定的に搭載できると共に、低コストな構造で耐久性、信頼性を向上できるようにした回路基板装置及びその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項1の発明に係る回路基板装置は、樹脂材料により形成されマザーボードに搭載される樹脂基板と、該樹脂基板に実装された電子部品と、セラミックス材料により形成され該電子部品と異なる位置で前記樹脂基板に搭載された1個または複数個のセラミックス基板と、高周波信号を処理するため該セラミックス基板に実装され前記電子部品と接続される半導体素子とからなる構成を採用している。
【0013】
このように構成することにより、樹脂基板には、例えば比較的低い周波数の信号を処理する電子部品を実装できるから、セラミックス基板に実装する高周波用の部品点数を必要最低限に抑えることができ、セラミックス基板を小型化することができる。また、マザーボードは樹脂材料等により形成されることが多いので、回路基板装置をマザーボードに搭載したときには、マザーボードと樹脂基板との間に熱膨張率の差等による応力が加わるのを防止でき、その搭載状態を温度変化等に対して安定させることができる。
【0014】
また、セラミックス基板は、高周波信号に対する誘電正接(tanδ)を樹脂基板よりも大きく形成でき、このセラミックス基板に半導体素子、共振器、フィルタ等の高周波回路部品を実装することができる。また、回路基板装置の製造時には、半導体素子をセラミックス基板に実装した後に、このセラミックス基板と電子部品とを樹脂基板に搭載することができる。
【0015】
また、請求項2の発明によると、半導体素子は金属材料からなるワイヤまたはバンプを用いてセラミックス基板と接続し、前記セラミックス基板は半田を用いて樹脂基板と接続する構成としている。
【0016】
これにより、回路基板装置の製造時には、半導体素子をワイヤボンディング、バンプ実装等によってセラミックス基板に実装した後に、セラミックス基板を半田によって樹脂基板に搭載することができる。
【0017】
また、請求項3の発明によると、半導体素子は電子部品の自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する構成としている。これにより、回路基板装置は、電子部品の自己共振周波数よりも低い周波数の信号を樹脂基板上の電子部品によって処理でき、電子部品の自己共振周波数よりも高い周波数の信号をセラミックス基板上の半導体素子によって処理することができる。
【0018】
また、請求項4の発明によると、セラミックス基板は樹脂基板に複数個設け、電子部品は前記複数個のセラミックス基板に実装された半導体素子を外部のノイズから保護する保護回路を構成している。
【0019】
これにより、例えば樹脂基板に搭載された複数個のセラミックス基板に対して保護回路を並列に接続でき、この保護回路によって各セラミックス基板の半導体素子を一括して保護することができる。
【0020】
また、請求項5の発明によると、樹脂基板には電子部品、セラミックス基板及び半導体素子を覆う金属カバーを設ける構成としている。これにより、金属カバーは、電子部品、セラミックス基板及び半導体素子を外部のノイズ等からシールドでき、これらの動作を安定させることができる。
【0021】
また、請求項6の発明では、セラミックス基板は樹脂基板に複数個設け、前記複数個のセラミックス基板は金属カバーによって個別に覆う構成としている。これにより、例えばノイズを発生し易い回路を備えた複数個のセラミックス基板を樹脂基板に搭載する場合でも、これらのセラミックス基板を各金属カバーによって個別にシールドでき、各セラミックス基板の半導体素子がノイズ等によって互いに干渉するのを防止することができる。
【0022】
さらに、請求項7の発明による回路基板装置の製造方法は、セラミックス材料により形成したセラミックス基板に半導体素子を実装し、樹脂材料により形成した樹脂基板に該セラミックス基板と電子部品とを搭載する構成としている。
【0023】
これにより、回路基板装置の製造時には、セラミックス基板に半導体素子を実装してこれらをサブアッセンブリ化でき、このセラミックス基板と電子部品とを樹脂基板に搭載することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による回路基板装置及びその製造方法を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0025】
ここで、図1ないし図4は第1の実施の形態を示し、本実施の形態では、無線通信回路に用いられる回路基板装置を例に挙げて述べる。
【0026】
1は後述のマザーボード19に搭載される回路基板装置、2は該回路基板装置1の本体部分を構成する樹脂基板で、該樹脂基板2は、図1、図2に示す如く、例えば絶縁性の樹脂材料等により四角形の平板状に形成されている。また、樹脂基板2には、後述の導体パターン3、端面電極5等が設けられている。
【0027】
3は樹脂基板2に設けられた導体パターンで、該導体パターン3は、例えば樹脂基板2の表面側、裏面側等に設けられた複数個の金属膜3Aからなり、該各金属膜3Aのうち一部の金属膜は、例えばマイクロ波、ミリ波等の高周波信号を伝送する伝送線路として構成されている。この場合、樹脂基板2の伝送線路は、後述するセラミックス基板13側の伝送線路やマザーボード19側に設けられた無線通信回路のアンテナ(図示せず)等に接続されるものである。
【0028】
また、導体パターン3のうち伝送線路を除いた他の金属膜3Aは、後述の電子回路11に比較的低い周波数の信号を通電する信号線として構成されている。また、樹脂基板2には、表面側と裏面側の金属膜3Aを必要に応じた位置で接続するビアホール4が設けられている。
【0029】
5は樹脂基板2の四辺の端面に信号の入出力端子として設けられた複数の端面電極で、該各端面電極5は、樹脂基板2の端面に形成した凹溝を金属膜等で覆うことにより形成され、導体パターン3と接続されている。そして、樹脂基板2は、各端面電極5が半田6を用いて後述するマザーボード19の配線パターン19Aと接続されることにより、マザーボード19に搭載されるものである。
【0030】
7,8,9は例えば半田付け等の手段によって樹脂基板2の表面側に実装された複数の電子部品で、該電子部品7,8,9は、図1、図2に示す如く、例えば5〜6GHz程度の一定の自己共振周波数を有する抵抗、コンデンサ、コイル、ダイオード等の汎用的なチップ部品によって構成されている。そして、電子部品7〜9は半田10を用いて導体パターン3の信号線等と接続され、後述する半導体素子17用の駆動回路、制御回路等を含む電子回路11を構成している。
【0031】
ここで、電子部品7〜9は、自己共振周波数程度の高い周波数の信号が加わると、その抵抗成分、容量成分、インダクタンス成分等が分布定数的に影響することによって想定外の共振状態となり易い。このため、電子回路11は、電子部品7〜9の自己共振周波数よりも低い周波数の信号に対して所定の信号処理を行う集中定数回路として予め設計されているものである。
【0032】
そして、回路基板装置1は、電子部品7〜9の自己共振周波数よりも低い周波数の信号を樹脂基板2上の電子回路11によって処理し、電子部品7〜9の自己共振周波数よりも高い周波数の信号をセラミックス基板13上の半導体素子17によって処理する構成となっている。
【0033】
12は電子回路11の一部として構成された保護回路で、該保護回路12は、例えば抵抗、コンデンサ、ツェナダイオード、バリスタ等の電子部品からなり、静電気、サージ電圧等の外部ノイズがセラミックス基板13に伝わるのを遮断して半導体素子17をノイズから保護するものである。
【0034】
13は電子回路11と異なる位置で樹脂基板2に搭載されたセラミックス基板で、該セラミックス基板13は、例えばセラミックス材料等からなり、樹脂基板2よりも小さな四角形状の積層基板として形成され、例えば2層の積層部13A,13Bを有している。そして、セラミックス基板13の表面側、裏面側及び積層部13A,13B間には、樹脂基板2とほぼ同様に、複数個の金属膜等からなる導体パターン(図示せず)が設けられている。
【0035】
この場合、導体パターンの一部の部位は、半導体素子17により信号処理される高周波信号用の伝送線路として構成され、他の部位は、半導体素子17に低い周波数の信号を通電する信号線として構成されている。また、セラミックス基板13には、複数のビアホール14と端面電極15とが設けられ、各端面電極15は半田16を用いて樹脂基板2の導体パターン3と接続されている。
【0036】
17は例えばワイヤボンディング等の手段によりセラミックス基板13に実装された高周波回路部品としての2個の半導体素子で、該各半導体素子17は、例えばFET、バイポーラトランジスタ、半導体IC等の汎用的な能動素子からなり、その個々の電極は、ワイヤ17Aを介してセラミックス基板13の伝送線路と信号線とにそれぞれ接続されている。
【0037】
また、セラミックス基板13には、例えば抵抗、コンデンサ、コイル等の部品(図示せず)が薄膜プロセスまたは厚膜プロセス(印刷)等の手段によって設けられ、これらの部品は半導体素子17と協働して例えば無線通信回路の混合器、増幅回路等の高周波回路を構成している。
【0038】
そして、半導体素子17は、電子部品7〜9の自己共振周波数よりも高い周波数の信号に対して信号処理を行うものである。この場合、セラミックス基板13は、高周波信号に対する誘電正接(tanδ)が樹脂基板2よりも小さくなっている。このため、半導体素子17は、セラミックス基板13上で高い周波数の信号処理を行うことにより、信号伝送時の伝送ロスを小さく抑えることができる。
【0039】
18は樹脂基板2の表面側に設けられた金属カバーで、該金属カバー18は、例えば基板2側が開口した略箱形状の金属ケースからなり、導体パターン3を介してグランド側に接地されている。そして、金属カバー18は、電子回路11、セラミックス基板13及び半導体素子17を覆って配置され、これらの部位を外部のノイズ等からシールドするものである。
【0040】
19は例えば無線通信回路等の一部を構成するマザーボードで、該マザーボード19は、例えば樹脂材料等により形成され、その表面側には、回路基板装置1と接続される複数の配線パターン19Aが設けられている。
【0041】
本実施の形態による回路基板装置1は上述の如き構成を有するもので、次に図3及び図4を参照しつつ、その製造方法について説明する。
【0042】
まず、図3に示すセラミックス基板側実装工程では、セラミックス基板13の表面側に各半導体素子17をワイヤボンディング等によって実装し、これらをサブアッセンブリ状態で組立てる。
【0043】
次に、図4に示す樹脂基板側搭載工程では、例えば半導体素子17が実装されたセラミックス基板13と、電子部品7〜9とを半田材料と一緒に樹脂基板2の表面側に配置し、リフロー処理等を行う。
【0044】
これにより、セラミックス基板13と電子部品7〜9とを半田10,16によって樹脂基板2に搭載することができる。そして、このように製造された回路基板装置1を他の部品や装置と一緒に半田付け等によってマザーボード19に搭載することができる。
【0045】
かくして、本実施の形態では、樹脂基板2に電子部品7〜9を実装し、その表面側に搭載するセラミックス基板13には、半導体素子17を実装する構成としたので、例えば安価で汎用的な電子部品7〜9を用いて低い周波数の信号を処理する電子回路11を樹脂基板2に容易に実装することができる。
【0046】
そして、例えば樹脂材料等により形成されることが多いマザーボード19に回路基板装置1を搭載するときには、比較的熱膨張率が近い樹脂基板2とマザーボード19との間を半田6によって安定的に接続することができる。この結果、樹脂基板2とマザーボード19との間に熱膨張率の差等によって応力が加わり、半田6に亀裂、剥離等が生じるのを防止でき、温度変化等に対して回路基板装置1を含めた装置全体の耐久性、信頼性を向上させることができる。
【0047】
また、セラミックス基板13には、電子部品7〜9の自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する半導体素子17等の高周波回路部品を実装でき、比較的高価なセラミックス基板13に実装する部品点数を必要最低限に抑えることができるから、基板13の小型化や装置全体のコストダウンを図ることができる。
【0048】
しかも、半導体素子17を、樹脂基板2よりも誘電正接(tanδ)が大きなセラミックス基板13に搭載することにより、セラミックス基板13上における高周波信号の伝送ロスを小さく抑えることができ、回路基板装置1の性能を高めることができる。
【0049】
また、樹脂基板2には、電子部品7〜9、セラミックス基板13及び半導体素子17を覆う金属カバー18を設けたので、これらの部品を外部のノイズ等から確実にシールドでき、回路基板装置1の動作を安定させることができる。
【0050】
また、回路基板装置1の製造時には、例えばワイヤボンディング等の手段を用いるセラミックス基板側実装工程と、半田実装等の手段を用いる樹脂基板側搭載工程とを別個に行うことができる。
【0051】
これにより、セラミックス基板側実装工程では、例えば電子部品7〜9や基板13用の半田10,16に含まれるフラックス等の成分がセラミックス基板13の伝送線路等に付着して半導体素子17が接続不良となるのを防止でき、これらをワイヤ17Aによって確実に接続することができる。
【0052】
また、この工程によりセラミックス基板13と半導体素子17とを容易にサブアッセンブリ化できるから、樹脂基板側搭載工程では、半導体素子17を予め実装したセラミックス基板13と電子部品7〜9とを樹脂基板2に効率よく半田接続でき、このときセラミックス基板13に対する静電気対策等の工程管理を容易に実施できると共に、回路基板装置1の製造効率を高めることができる。
【0053】
次に、図5及び図6は本発明による第2の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、樹脂基板に2個のセラミックス基板を搭載する構成としたことにある。
【0054】
21は例えば無線通信回路等に用いられる回路基板装置、22は該回路基板装置21の本体部分を構成する樹脂基板で、該樹脂基板22は、図5、図6に示す如く、例えば絶縁性の樹脂材料等により四角形状の積層基板として形成され、例えば2層の積層部22A,22Bを有している。
【0055】
23は例えば複数個の金属膜等を用いて樹脂基板22に設けられた導体パターンで、該導体パターン23は、第1の実施の形態とほぼ同様に、樹脂基板22に設けられた複数個の金属膜23Aによって構成されている。そして、各金属膜23Aのうち一部の金属膜は高周波信号用の伝送線路となり、他の金属膜23Aは、比較的低い周波数用の信号線となっている。
【0056】
また、導体パターン23の各金属膜23Aは、樹脂基板22の表面側、裏面側だけでなく、例えば積層部22A,22Bの間や下側の積層部22A内にも設けられている。また、樹脂基板22には、各金属膜23Aを必要に応じた位置で接続するビアホール24が設けられている。
【0057】
25は樹脂基板22の端面に設けられた複数の端面電極で、該各端面電極25は、第1の実施の形態とほぼ同様に、導体パターン23と接続されると共に、半田26を用いて後述するマザーボード40の配線パターン40Aと接続されるものである。
【0058】
27,28,29は例えば半田付け等の手段によって樹脂基板22の表面側に実装された複数の電子部品で、該電子部品27,28,29は、第1の実施の形態とほぼ同様に、例えば5〜6GHz程度の自己共振周波数を有する汎用的なチップ部品からなり、半田30を用いて導体パターン23の信号線等と接続されると共に、電子回路31を構成している。
【0059】
そして、回路基板装置21は、電子部品27〜29の自己共振周波数よりも低い周波数の信号を電子回路31によって処理し、この自己共振周波数よりも高い周波数の信号を後述するセラミックス基板33,33上の半導体素子38によって処理する構成となっている。
【0060】
32は電子回路31の一部として構成された保護回路で、該保護回路32は、第1の実施の形態とほぼ同様に、静電気、サージ電圧等の外部ノイズから半導体素子38を保護するものである。この場合、本実施の形態による保護回路32は、例えば2個のセラミックス基板33に対して並列に接続され、これらの両方をノイズから遮断する構成となっている。
【0061】
33は電子回路31と異なる位置で樹脂基板22に搭載された例えば2個のセラミックス基板で、該各セラミックス基板33は、例えば一方の基板33が無線信号の送信回路等に用いられ、他方の基板33が受信回路に用いられるものである。また、各セラミックス基板33は、樹脂基板22よりも小さな誘電正接(tanδ)を有するセラミックス材料等からなり、例えば2層の積層部33A,33Bを備えた四角形状の積層基板として形成されている。
【0062】
そして、セラミックス基板33の表面側、裏面側、積層部33A,33B間、積層部33A内等には、複数個の金属膜34A(一部のみ図示)からなる導体パターン34が設けられ、該導体パターン34は、高周波用の伝送線路や低い周波数用の信号線を構成している。また、セラミックス基板33には、第1の実施の形態とほぼ同様に、ビアホール35と端面電極36とが設けられ、端面電極36は半田37を用いて樹脂基板22の導体パターン23と接続されている。
【0063】
38は例えばワイヤボンディング等の手段により各セラミックス基板33に2個ずつ面実装された半導体素子で、該各半導体素子38は、第1の実施の形態とほぼ同様の能動素子からなり、ワイヤ38Aを介してセラミックス基板33の導体パターン34と接続されている。そして、半導体素子38は、例えば電子部品27〜29の自己共振周波数よりも高い周波数の信号に対して信号処理を行うものである。
【0064】
39は樹脂基板22の表面側に設けられた金属カバーで、該金属カバー39は、第1の実施の形態とほぼ同様に、電子回路31、セラミックス基板33及び半導体素子38を覆って配置され、外部ノイズのシールドを行うものである。
【0065】
40は回路基板装置21が搭載されるマザーボードで、該マザーボード40には複数の配線パターン40Aが設けられている。
【0066】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第1の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、樹脂基板22に2個のセラミックス基板33を搭載したので、例えば各セラミック基板33により高周波用の送信回路と受信回路とを分離した状態で樹脂基板22に容易に搭載でき、送信回路から発生する熱が受信回路側に伝わるのを防止できると共に、これらの設計自由度を高めることができる。
【0067】
また、ノイズ対策用の保護回路32を各セラミックス基板33に対して並列に接続したので、この保護回路32によって各セラミックス基板33の半導体素子38を一括して保護でき、回路全体の構造を簡略化することができる。
【0068】
次に、図7は本発明による第3の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、2個のセラミックス基板に個別の金属カバーを設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第2の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0069】
41は例えば無線通信回路等に用いられる回路基板装置で、該回路基板装置41は、第2の実施の形態とほぼ同様に、樹脂基板22、電子部品27〜29、各セラミックス基板33、半導体素子38等を含んで構成されている。
【0070】
しかし、本実施の形態では、例えば2個の金属カバー42が樹脂基板22の表面側に設けられ、これらの金属カバー42は、各セラミックス基板33と半導体素子38とを基板33毎に個別に覆っている。これにより、金属カバー42は、例えば各セラミックス基板33のうち無線信号の送信回路等に用いられる一方の基板33と、受信回路に用いられる他方の基板33とを個別にシールドするものである。
【0071】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、第1,第2の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、2個の金属カバー42によって各セラミックス基板33を個別に覆う構成としたので、例えばノイズを発生し易い無線用の送信回路と受信回路とを各金属カバー42によって個別にシールドでき、各セラミックス基板33の半導体素子38がノイズ等によって互いに干渉するのを防止することができる。
【0072】
なお、前記各実施の形態では、半導体素子17,38をワイヤボンディング等により実装する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、半導体素子は、例えば金属材料からなる台座状のバンプ等を用いてセラミックス基板にバンプ実装(フリップチップ実装)する構成としてもよい。
【0073】
また、各実施の形態では、2個の半導体素子17,38をセラミックス基板13,33に実装し、1個または2個のセラミックス基板13,33を樹脂基板2,22に搭載する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば1個の半導体素子または3個以上の半導体素子をセラミックス基板に実装してもよく、このセラミックス基板を3個以上の個数だけ樹脂基板に搭載する構成としてもよい。
【0074】
また、本発明は、セラミックス基板13,33に実装する部品を半導体素子17,38に限るものではなく、例えば共振器、フィルタ等を含めた各種の高周波回路部品を半導体素子と一緒にセラミックス基板に実装する構成としてもよい。
【0075】
また、実施の形態では、回路基板装置1,21,41に金属カバー18,39,42を用いる構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば樹脂材料、セラミックス材料等からなるカバーを用いる構成としてもよく、さらには樹脂基板の表面側をカバーの外側から樹脂モールドすることによって回路基板装置を樹脂封止する構成としてもよい。
【0076】
また、本発明は、カバーを備えた回路基板装置に限るものではなく、例えば回路基板装置のカバーを廃止したり、マザーボード側に回路基板装置全体を覆うカバーを取付ける構成としてもよい。これにより、回路基板装置を板厚方向に対して薄肉に形成でき、その小型化を図ることができる。
【0077】
さらに、実施の形態では、回路基板装置を無線通信回路に用いる場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明は無線通信回路に限らず、高周波信号を処理する各種の回路基板装置に適用できるのは勿論である。
【0078】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項1の発明によれば、樹脂基板に電子部品を実装し、セラミックス基板に半導体素子を実装する構成としたので、樹脂基板には、例えば安価で汎用的な電子部品等を用いて低い周波数用の電子回路を容易に形成でき、比較的高価なセラミックス基板に実装する部品点数を抑えて該基板を小型化することができる。また、例えば樹脂製のマザーボードに樹脂基板を安定的に搭載でき、温度変化等に対する装置全体の耐久性、信頼性を向上させることができる。また、半導体素子等を誘電正接が大きなセラミックス基板に実装できるから、高周波信号の伝送ロスを小さく抑えることができ、装置の性能を高めることができる。また、回路基板装置の製造時には、セラミックス基板と半導体素子とを容易にサブアッセンブリ化でき、これらを電子部品と共に樹脂基板に効率よく搭載することができる。
【0079】
また、請求項2の発明によれば、半導体素子は、ワイヤまたはバンプを用いてセラミックス基板と接続し、セラミックス基板は樹脂基板に半田接続する構成としたので、半導体素子の実装後にセラミックス基板を半田接続でき、半導体素子の実装時には、例えば半田に含まれるフラックス等の成分によって半導体素子が接続不良となるのを防止できると共に、信頼性を向上させることができる。
【0080】
また、請求項3の発明によれば、半導体素子は、電子部品の自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する構成としたので、回路基板装置は、この自己共振周波数よりも低い周波数の信号を樹脂基板上の電子部品によって処理でき、電子部品の自己共振周波数よりも高い周波数の信号をセラミックス基板上の半導体素子によって処理することができる。
【0081】
また、請求項4の発明によれば、電子部品は、複数個のセラミックス基板に実装された半導体素子を外部のノイズから保護する保護回路を構成したので、この保護回路によって各セラミックス基板の半導体素子を一括して保護でき、回路全体を簡略化することができる。
【0082】
また、請求項5の発明によれば、樹脂基板には、電子部品、セラミックス基板及び半導体素子を覆う金属カバーを設ける構成としたので、金属カバーは、電子部品、セラミックス基板及び半導体素子を外部のノイズ等からシールドでき、これらの動作を安定させることができる。
【0083】
また、請求項6の発明によれば、複数個のセラミックス基板を金属カバーによって個別に覆う構成としたので、例えばノイズを発生し易い回路を備えた複数個のセラミックス基板を樹脂基板に搭載する場合でも、これらのセラミックス基板を各金属カバーによって個別にシールドでき、各セラミックス基板の半導体素子がノイズ等によって互いに干渉するのを防止することができる。
【0084】
さらに、請求項7の発明によれば、セラミックス基板に半導体素子を実装し、樹脂基板に該セラミックス基板と電子部品とを搭載する構成としたので、回路基板装置の製造時には、セラミックス基板と半導体素子とを容易にサブアッセンブリ化でき、このとき半導体素子が例えば電子部品用の半田等によって接続不良となるのを防止することができる。そして、このセラミックス基板と電子部品とを樹脂基板に効率よく搭載でき、回路基板装置の製造効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図2】図1中の矢示II−II方向からみた回路基板装置の拡大断面図である。
【図3】回路基板装置の製造時にセラミックス基板側実装工程によって半導体素子をセラミックス基板に実装する状態を示す斜視図である。
【図4】樹脂基板側搭載工程によってセラミックス基板と電子部品とを樹脂基板に搭載する状態を示す斜視図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【図6】図5中の矢示VI−VI方向からみた回路基板装置の拡大断面図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態による回路基板装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,21,41 回路基板装置
2,22 樹脂基板
3,23,34 導体パターン
3A,23A,34A 金属膜
4,14,24,35 ビアホール
5,15,25,36 端面電極
6,10,16,26,30,37 半田
7,8,9,27,28,29 電子部品
11,31 電子回路
12,32 保護回路
13,33 セラミックス基板
13A,13B,22A,22B,33A,33B 積層部
17,38 半導体素子
17A,38A ワイヤ
18,39,42 金属カバー
19,40 マザーボード
19A,40A 配線パターン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a circuit board device suitably used for mounting various components for processing a high-frequency signal on a substrate and packaging the same, for example, and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In general, as a circuit board device, there is known a configuration in which, for example, a semiconductor element for a high-frequency circuit is mounted on a substrate, and these are packaged and mounted on a motherboard (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-77244). ).
[0003]
In this type of conventional circuit board device, a semiconductor element is mounted on a substrate formed of, for example, a ceramic material or the like. For example, in a circuit board device for wireless communication, a semiconductor element and another electronic component are mounted together on a board.
[0004]
In this case, as the semiconductor element, for example, a microwave integrated circuit (MIC) in which a high frequency integrated circuit is provided on a semiconductor substrate such as gallium arsenide, a field effect transistor (FET), or the like is used, and these are wires. It is connected to the substrate by means such as bonding and bump mounting. The semiconductor element performs signal processing at a frequency higher than a frequency of, for example, about 5 to 6 GHz (such as a carrier frequency of a wireless signal).
[0005]
Other electronic components include general-purpose chip components such as resistors, capacitors, and coils. These components are connected to the substrate using solder or the like, and have a lower frequency (for example, 5 GHz or less) than the semiconductor device. ) Constitute a peripheral circuit for performing the signal processing.
[0006]
Then, the circuit board device is mounted on a motherboard formed of, for example, a resin material using a means such as soldering in a state where these semiconductor elements and electronic components are mounted on a substrate.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-described conventional technology, a configuration is adopted in which a semiconductor element is mounted on a substrate formed of, for example, a ceramic material. However, when a semiconductor element and other electronic components are mounted on a substrate, such as a circuit board device for wireless communication, a relatively large substrate is required. When mounted on a motherboard made of the same, there is a problem that cracks, peeling, and the like are likely to occur in the solder between the two due to a difference in thermal expansion coefficient and the like, and durability and reliability are reduced.
[0008]
Further, since a semiconductor element is easily damaged by, for example, dielectric breakdown due to static electricity, when assembling a circuit board device, for example, by soldering other electronic components in advance before mounting the semiconductor element, soldering is performed. It is necessary to prevent dielectric breakdown of a semiconductor element in a process and to avoid complicated process management for protecting the element.
[0009]
However, if other electronic components are soldered before mounting the semiconductor element, components such as flux contained in the solder may volatilize and adhere to lands for component connection provided on the substrate. For this reason, when the semiconductor element is connected to the land by means such as wire bonding or bump mounting after soldering of the electronic component, there is a possibility that these may cause a connection failure due to a deposit such as flux.
[0010]
On the other hand, when manufacturing a semiconductor element such as an MIC, for example, a method of forming another electronic component together as a part of the integrated circuit is also conceivable. However, in this case, a general-purpose electronic component is formed as a part of an expensive integrated circuit, and there is a problem that the cost is increased.
[0011]
The present invention has been made in view of the above-described problems of the related art, and an object of the present invention is to reliably mount a semiconductor element for a high-frequency circuit and other electronic components by a simple operation, and to stably mount the semiconductor element on a motherboard. It is another object of the present invention to provide a circuit board device and a method of manufacturing the same, which are capable of improving durability and reliability with a low cost structure.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, a circuit board device according to the first aspect of the present invention includes a resin substrate formed of a resin material and mounted on a motherboard; an electronic component mounted on the resin substrate; A structure comprising one or more ceramic substrates mounted on the resin substrate at a position different from the electronic component, and a semiconductor element mounted on the ceramic substrate for processing a high-frequency signal and connected to the electronic component. Is adopted.
[0013]
With such a configuration, for example, electronic components for processing a signal of a relatively low frequency can be mounted on the resin substrate, so that the number of high-frequency components mounted on the ceramic substrate can be suppressed to a minimum. The size of the ceramic substrate can be reduced. In addition, since the motherboard is often formed of a resin material or the like, when the circuit board device is mounted on the motherboard, it is possible to prevent stress due to a difference in coefficient of thermal expansion between the motherboard and the resin board from being applied. The mounting state can be stabilized against a temperature change or the like.
[0014]
Further, the ceramic substrate can form a dielectric loss tangent (tan δ) for a high-frequency signal larger than that of the resin substrate, and high-frequency circuit components such as a semiconductor element, a resonator, and a filter can be mounted on the ceramic substrate. Further, in manufacturing the circuit board device, after the semiconductor element is mounted on the ceramic substrate, the ceramic substrate and the electronic component can be mounted on the resin substrate.
[0015]
According to the invention of
[0016]
Thus, at the time of manufacturing the circuit board device, after the semiconductor element is mounted on the ceramic substrate by wire bonding, bump mounting, or the like, the ceramic substrate can be mounted on the resin substrate by soldering.
[0017]
According to the third aspect of the present invention, the semiconductor element is configured to process a signal having a frequency higher than the self-resonant frequency of the electronic component. As a result, the circuit board device can process a signal having a frequency lower than the self-resonant frequency of the electronic component by the electronic component on the resin substrate, and can process a signal having a frequency higher than the self-resonant frequency of the electronic component on the semiconductor element on the ceramic substrate Can be processed by
[0018]
According to the invention of
[0019]
Thus, for example, a protection circuit can be connected in parallel to a plurality of ceramic substrates mounted on a resin substrate, and the semiconductor elements on each ceramic substrate can be collectively protected by this protection circuit.
[0020]
According to the invention of
[0021]
Further, in the invention of
[0022]
Further, a method of manufacturing a circuit board device according to the invention of
[0023]
Thereby, at the time of manufacturing the circuit board device, the semiconductor elements can be mounted on the ceramic substrate and subassembled, and the ceramic substrate and the electronic component can be mounted on the resin substrate.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a circuit board device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0025]
Here, FIGS. 1 to 4 show a first embodiment, and in this embodiment, a circuit board device used for a wireless communication circuit will be described as an example.
[0026]
1 is a circuit board device mounted on a
[0027]
[0028]
The
[0029]
[0030]
[0031]
Here, when a signal having a high frequency, such as the self-resonance frequency, is applied to the
[0032]
Then, the
[0033]
[0034]
[0035]
In this case, a part of the conductor pattern is configured as a transmission line for a high-frequency signal processed by the
[0036]
[0037]
In addition, components (not shown) such as a resistor, a capacitor, and a coil are provided on the
[0038]
The
[0039]
[0040]
[0041]
The
[0042]
First, in the ceramic substrate side mounting step shown in FIG. 3, each
[0043]
Next, in the resin substrate side mounting step shown in FIG. 4, for example, the
[0044]
Thus, the
[0045]
Thus, in the present embodiment, the
[0046]
When the
[0047]
Further, on the
[0048]
In addition, since the
[0049]
Further, since the
[0050]
Further, when manufacturing the
[0051]
Accordingly, in the ceramic substrate side mounting process, for example, components such as flux contained in the
[0052]
In addition, since the
[0053]
Next, FIGS. 5 and 6 show a second embodiment according to the present invention. The feature of this embodiment lies in that two resin substrates are mounted on a resin substrate.
[0054]
[0055]
[0056]
Further, each
[0057]
[0058]
[0059]
Then, the
[0060]
[0061]
[0062]
A
[0063]
[0064]
[0065]
[0066]
Thus, also in the present embodiment configured as described above, it is possible to obtain substantially the same operation and effect as in the first embodiment. In particular, in the present embodiment, since two
[0067]
Further, since the
[0068]
Next, FIG. 7 shows a third embodiment according to the present invention. The feature of this embodiment lies in that a separate metal cover is provided on two ceramic substrates. Note that, in the present embodiment, the same components as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0069]
[0070]
However, in the present embodiment, for example, two metal covers 42 are provided on the surface side of the
[0071]
Thus, also in the present embodiment configured as described above, it is possible to obtain substantially the same operation and effects as those of the first and second embodiments. In particular, in the present embodiment, since each
[0072]
In the above embodiments, the
[0073]
In each embodiment, two
[0074]
The present invention is not limited to the components mounted on the
[0075]
In the embodiment, the metal covers 18, 39, 42 are used for the
[0076]
Further, the present invention is not limited to the circuit board device provided with the cover. For example, the cover of the circuit board device may be abolished, or the cover for covering the entire circuit board device may be attached to the motherboard. Thereby, the circuit board device can be formed thin in the plate thickness direction, and the size can be reduced.
[0077]
Further, in the embodiment, the case where the circuit board device is used for a wireless communication circuit has been described as an example. However, the present invention is not limited to a wireless communication circuit, but can be applied to various circuit board devices that process high-frequency signals.
[0078]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the electronic component is mounted on the resin substrate and the semiconductor element is mounted on the ceramic substrate. It is possible to easily form an electronic circuit for a low frequency by using, for example, and to reduce the number of components mounted on a relatively expensive ceramic substrate and to reduce the size of the substrate. In addition, for example, a resin substrate can be stably mounted on a resin-made motherboard, and the durability and reliability of the entire device against temperature changes and the like can be improved. Further, since a semiconductor element or the like can be mounted on a ceramic substrate having a large dielectric loss tangent, transmission loss of a high-frequency signal can be reduced, and the performance of the device can be improved. Further, at the time of manufacturing the circuit board device, the ceramic substrate and the semiconductor element can be easily subassembled, and these can be efficiently mounted on the resin substrate together with the electronic components.
[0079]
According to the second aspect of the present invention, since the semiconductor element is connected to the ceramic substrate using wires or bumps, and the ceramic substrate is connected to the resin substrate by soldering, the ceramic substrate is soldered after the semiconductor element is mounted. Connection can be made, and when the semiconductor element is mounted, it is possible to prevent the semiconductor element from being connected poorly due to components such as flux contained in the solder, for example, and to improve reliability.
[0080]
According to the third aspect of the present invention, the semiconductor device is configured to process a signal having a frequency higher than the self-resonant frequency of the electronic component. Can be processed by the electronic component on the resin substrate, and a signal having a frequency higher than the self-resonant frequency of the electronic component can be processed by the semiconductor element on the ceramic substrate.
[0081]
According to the invention of
[0082]
According to the fifth aspect of the present invention, since the resin substrate is provided with a metal cover for covering the electronic component, the ceramic substrate and the semiconductor element, the metal cover can connect the electronic component, the ceramic substrate and the semiconductor element to an external device. Shielding from noise and the like can be performed, and these operations can be stabilized.
[0083]
According to the sixth aspect of the present invention, since a plurality of ceramic substrates are individually covered with a metal cover, for example, when mounting a plurality of ceramic substrates having a circuit that easily generates noise on a resin substrate, However, these ceramic substrates can be individually shielded by each metal cover, and the semiconductor elements of each ceramic substrate can be prevented from interfering with each other due to noise or the like.
[0084]
Further, according to the invention of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a circuit board device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged sectional view of the circuit board device as viewed from the direction of arrows II-II in FIG. 1;
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor element is mounted on a ceramic substrate by a ceramic substrate side mounting step when the circuit board device is manufactured.
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a ceramic substrate and electronic components are mounted on a resin substrate in a resin substrate side mounting step.
FIG. 5 is a perspective view showing a circuit board device according to a second embodiment of the present invention.
6 is an enlarged cross-sectional view of the circuit board device as viewed from a direction indicated by arrows VI-VI in FIG. 5;
FIG. 7 is a perspective view showing a circuit board device according to a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1,21,41 Circuit board device
2,22 resin substrate
3,23,34 Conductor pattern
3A, 23A, 34A Metal film
4,14,24,35 Via hole
5,15,25,36 End face electrode
6,10,16,26,30,37 Solder
7, 8, 9, 27, 28, 29 Electronic components
11,31 Electronic circuit
12, 32 protection circuit
13,33 Ceramic substrate
13A, 13B, 22A, 22B, 33A, 33B laminated part
17,38 Semiconductor device
17A, 38A wire
18,39,42 Metal cover
19,40 motherboard
19A, 40A Wiring pattern
Claims (7)
Priority Applications (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-06-20 JP JP2002180349A patent/JP2004023074A/en active Pending
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