JP2004006310A - 微細電気機械的スイッチ（ｍｅｍｓ）およびその製造方法 - Google Patents
微細電気機械的スイッチ（ｍｅｍｓ）およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006310A JP2004006310A JP2003109122A JP2003109122A JP2004006310A JP 2004006310 A JP2004006310 A JP 2004006310A JP 2003109122 A JP2003109122 A JP 2003109122A JP 2003109122 A JP2003109122 A JP 2003109122A JP 2004006310 A JP2004006310 A JP 2004006310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- dielectric layer
- metal
- self
- trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 28
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 49
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 241000132007 Bahia Species 0.000 description 1
- 229930194845 Bahia Natural products 0.000 description 1
- 235000017858 Laurus nobilis Nutrition 0.000 description 1
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/01—Switches
- B81B2201/012—Switches characterised by the shape
- B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0072—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with stoppers or protrusions for maintaining a gap, reducing the contact area or for preventing stiction between the movable and the fixed electrode in the attracted position
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】自己整合スペーサまたはバンプを備える微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）デバイスの構造および製造方法を提供する。
【解決手段】それらがスイッチについての抑止機構として機能してスティクションによって生じる問題を最小にするように、最適のサイズを有し配置されるスペーサを設計する。スペーサは、典型的にはＣＭＯＳデバイスの製造に用いられる標準の半導体技術を用いて製造される。これらのスペーサを製造する本方法は、追加の付着，余分なリソグラフィ工程，および追加のエッチングを必要としない。
【選択図】 図１１
【解決手段】それらがスイッチについての抑止機構として機能してスティクションによって生じる問題を最小にするように、最適のサイズを有し配置されるスペーサを設計する。スペーサは、典型的にはＣＭＯＳデバイスの製造に用いられる標準の半導体技術を用いて製造される。これらのスペーサを製造する本方法は、追加の付着，余分なリソグラフィ工程，および追加のエッチングを必要としない。
【選択図】 図１１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には、現在の最新式の半導体製造プロセスへ完全に統合可能な微細電気機械的スイッチング（ＭＥＭＳ）デバイスの製造に関し、特に、可動ビームと電極との間のスティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）を低減する自己整合スペーサもしくはストップを含むＭＥＭＳデバイスの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スイッチング動作は、多くの電気的，機械的，および電気機械的アプリケーションの基礎要素である。ＭＥＭスイッチは、最近の数年間にわたって多くの利益を生み出してきた。ＭＥＭＳ技術を用いた製品が、バイオメディカル・システム，航空宇宙システム，および通信システムにおいて普及した。
【０００３】
従来のＭＥＭＳは、例えばＭｃＭｉｌｌａｎ等の米国特許第６，１６０，２３０号公報，Ｆｅｎｇ等の米国特許第６，１４３，９９７号公報，Ｃａｒｌｅｙ等の米国特許第５，９７０，３１５号公報，およびＴｈａｍ等の米国特許第５，８８０，９２１号公報に開示されるように、カンチレバー（ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）・スイッチ，薄膜（ｍｅｍｂｒａｎｅ）スイッチ，およびチューナブル・キャパシタ構造を典型的に用いる。ＭＥＭＳデバイスは、微細電気機械的技術を用いて製造され、電気的，機械的あるいは光学的信号フローを制御するために用いられる。しかしながら、このようなデバイスは、自身の構造および固有の材料特性が、従来の半導体処理、特にＣＭＯＳから分離した製造ラインでデバイスを製造することを要求するので、多くの問題を生じさせる。これは、両立せず、したがって、標準の半導体製造プロセスに統合できない異なる材料と異なるプロセスとに一般的に帰因する。
【０００４】
例えば金のようなＭＥＭＳの製造に典型的に用いられる材料は、オンチップ・アプリケーションへデバイスを直接集積することに対して明らかな問題を有する。文献において広く見られるポリシリコンの使用でさえ、従来の製造設備に対して問題を有する。１つの問題は、ポリシリコンの付着プロセスが、金属の溶融点よりも高い温度サイクルを必要とするということである。他の問題は、ポリシリコンの付着ツールが、典型的には、相互接続金属を処理するラインの後工程（ＢＥＯＬ）においての使用に利用できないということである。この問題は、主に、実際の半導体デバイスが製造されるラインの前工程（ＦＥＯＬ）用のツール・セットが、ラインの後工程（ＢＥＯＬ）用の全てのツール・セットから分離されるという理由で生じる。この２つのツール・セットは、アクティブ・デバイスの金属汚染を防ぐために、一方から他方へのプロセス・クロスオーバを許容しない。
【０００５】
したがって、従来のＢＥＯＬもしくは相互接続レベルへのアドオン・モジュールと共に、あるいはこのようなアドオン・モジュールとしてデバイスを製造できるように完全に統合可能な処理と結び付いた所定のＢＥＯＬ材料を用いてＭＥＭＳデバイスを提供できるプロセスの必要性が存在する。
【０００６】
本発明のより良い理解を得るために、変形可能なビーム１の両端部が誘電体４に固定されたＭＥＭスイッチの断面図を示す図１を参照して、従来のＭＥＭスイッチを説明する。最下位のレベルは誘電体材料１５から構成され、誘電体材料１５は、デバイスの様々な電気的部分を接続し形成するために続いて使用される導体素子２，２ａおよび３を含む。数字２および２ａによって参照される導体は、ビームを変形させる動作電位を与える。電気信号を伝える導体３は、同様に、ビームの動作時にビームへ接続される。
【０００７】
典型的な実装において、変形可能なビーム１を、誘電体４例えばＳｉＯ２の上にポリシリコンを付着することによって形成する。周囲の材料をエッチングして、突起構造、すなわち事前に形成された導体の上に浮くビームであり、つまりそれ自身はポリシリコンより成る構造を残す。続いて、デバイスを、ポリシリコンへ付着する一般的には金で無電解メッキし、導体素子１，２，２ａおよび３を形成する。スイッチは、ビームと電極２および２ａとの間に電位差を与えることによって動作する。この電圧は、ビーム１を動かして電極３と接触させる静電引力を発生させ、スイッチを閉じる。
【０００８】
図２は、ビーム１の一方の端部のみが誘電体４に固定されるということを除いて、図１に示すデバイスと同種の他の従来のＭＥＭデバイスの断面図である。ここでは、制御電極が数字２によって参照され、スイッチング電極が数字３によって参照される。このデバイスは、前述したデバイスと同様に構成され動作する。
【０００９】
ＭＥＭＳデバイスを製造するとき、可動部品が一定の表面と接触するのを阻止するために一定の制限またはストップを導入することが望ましい。一定のスイッチング要素またはこれらの少なくとも一部の動きを妨げるあるいは制限することが必要とされることもある。これは、ストップを用いてＲＦ容量性スイッチを製造する方法を示す添付図面において説明するケースである。本発明は、以下に説明するように、これらの問題を詳細に検討する。
【００１０】
現在の微細電気機械的コンタクト・スイッチを悩ます他の重要な問題は、コンタクト時に互いに付着し、スイッチをオフにするためにそれらを分離させるのを困難にする電極の傾向にある。“スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）”として知られるこの現象は、２つの表面上の原子および分子間での微視的レベルにおける引力によって生じる。１つの解決法は、一方のコンタクト極板がたわんでスイッチを閉じるとき、自然にコンタクトを分離しようとするばね状の復原力をこのたわみが生み出すことを確保することである。十分に大きい場合には、このような力がスティクションを克服できる。しかしながら、コンタクト極板をたわませてデバイスを閉じるために大きな力を生み出さなければならないということも、当の力は意味する。たわみが静電気であるスイッチにおいて、これは、一般的に、例えばモバイル・ハンドセットで必要とされる最大５Ｖを越える高制御電圧の必要性を意味する。
【００１１】
スティクション問題は新しいものではなく、その一定の態様が本技術分野において開示されている。例として、Ｒｅｅｄ等の米国特許第５，７７２，９０２号公報は、製造時に相互に付着する微細電気機械的構造の付着を阻止する方法を開示する。ここで開示される構造は、微細電気機械的システムへ適合するが、スイッチの動作時に発生するスティクションに適合しない。特に、この特許は、部品を製造してリリースするときにスティクションを回避するように部品を成形する方法を開示する。
【００１２】
微細電気機械的スイッチの復原力を変える他の解決法が例えばＣａｂｕｚ等の米国特許第５，９０１，９３９号公報のような特許文献に開示されている。ここでは、強い復原力を生み出す複数の制御電極および特殊形状のビームの使用が開示される。しかしながら、ここで開示される手法は、２相構成で複数の電極対を駆動することを必要とし、このようなスイッチを用いるシステムのコストと複雑さとを増加させる。加えて、ビームのたわみを用いるというよりは、このスイッチは、金属ラインの湾曲領域をラインの一方の端部または他方の端部の方へ移すことに依存し、ラインの大きな湾曲を生じさせ、長期的な信頼性の問題を引き起こす手法に依存する。
【００１３】
オン状態からオフ状態へのスイッチの遷移の際のスティクションによって生じる問題は、それが製造プロセス時にのみ発生するときに、このような作用を研究することによって主に検討されており、製造後のスイッチ動作時については検討されていない。さらに、大部分の解決法は、それらの全てがほぼ同相の電圧で作動する簡単な単一制御電極または複数電極を継続して使用しない点で十分でない。さらに、既存の解決法は、製造が困難であり、たわみよりむしろ湾曲によって一般に電気的に接続される（こうして信頼性の含みを有する高い物質応力を導入する）新しいタイプのビームを用いるのではなく簡単な電極コーティングによってたわみビームに追加の復原力を導入することができない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、ＭＥＭＳアクチュエータに対する抑止（ｄｅｔｅｎｔ）機構として機能するような自己整合スペーサまたはバンプを提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、自己整合スペーサを適切なサイズにし、さらにはそれらを適所に配置することによって自己整合スペーサを製造することである。
【００１６】
本発明の他の目的は、標準の半導体技術、特にＣＭＯＳデバイスの製造のために典型的に用いられる製造方法によってスペーサを製造することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、スペーサの製造が、追加の付着，余分なリソグラフィ工程，および追加のエッチングを必要としないことを保証することである。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、ＭＥＭＳデバイスのスティクションによって生じる問題を最小にすることである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
これらのおよび他の目的を実現するために、そしてその目的にかんがみて、本発明は、追加のプロセスを必要とすることなしに、ＭＥＭＳデバイスを製造する過程で生成される自己整合ストップまたはスペーサを提供する。これは、その後にこれらのストップの符合した形成を開始するようなトポグラフィの事前形成に基づく。
【００２０】
本発明の一態様において、自己整合スペーサを形成するプロセスをさらに提供する。好ましくは銅で形成され、ＭＥＭＳデバイス（すなわちスイッチ）の下部機能レベルとして使用されることが予定される金属ダマシン層を最初に付着する。この層は、ＴａＮ／Ｔａのような適切なライナ／バリア材料とＣｕのシード層との付着によって形成される。次に、Ｃｕメッキによってフィーチャを充填し、Ｃｕおよびライナを平坦化する。次に、銅をエッチング液にさらす。水，酢酸および過酸化水素から成るウェットエッチングを有益に用いる。フィーチャの外辺部近傍の銅は、バルク・メッキ領域よりも速くエッチングする。これは、全金属フィーチャの周囲にディファレンシャル（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）・トポグラフィを生じさせる。エッチングの量は、最終的なスペーサがどの程度大きくなるかに関して役割を果たす。コンフォーマル誘電体材料（例えばＳｉＯ２）の次の層を付着するとき、リセスされた外辺部のトポグラフィが上部表面へ転写される。バイアを作成するとき、トレンチが金属で充填される。ＭＥＭＳデバイスを得るための開口のエッチングは、自己整合金属充填トレンチによって影響される。エッチングの少なくとも一部について、自己整合金属充填トレンチが真下の対応する領域をマスクすることとなる。これは、誘電体材料の少なくとも一部が残留することを可能にし、このようにして自己整合スペーサを形成する。
【００２１】
本発明の他の態様においては、微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）を形成する方法を提供する。この方法は、ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する第一の誘電体層を基板上に付着する工程と、ｂ）金属をウェットエッチングして導電相互接続ラインの境界上にトレンチを形成する工程と、ｃ）層中を貫通し、複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つとコンタクトする導電バイアが形成される第二の誘電体層を付着し、トレンチのトポグラフィを第二の誘電体層の上部表面に複写し、複写されたトレンチ・トポグラフィを金属で充填する工程と、ｄ）第二の誘電体層をエッチングして開口を形成し、同時に金属で充填されたトレンチ・トポグラフィに、金属トレンチ・トポグラフィの真下の誘電体のエッチングを選択的に抑制させて自己整合スペーサを形成する工程と、ｅ）開口を犠牲材料で充填し、犠牲材料を平坦化する工程と、ｆ）第三の誘電体層を付着して導電バイアがコンタクトする導電ビームを形成する工程とを含む。
【００２２】
スペーサは、ＭＥＭチューナブル・キャパシタにおいて極板の短絡を阻止するために用いることもできる。この例においては、誘電体バンプは、可動極板が固定極板とコンタクトするのを阻止して、キャパシタのチューナブル範囲を大きく拡大する。光学ＭＥＭＳについては、ミラーまたは他の薄膜の傾く（ｔｉｌｔｉｎｇ）動きを制限するためにスペーサを用いることもできる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
全ての図において、同じ数字が同じ要素を指示する図面を参照して本発明を説明する。これらの図面は、限定ではなくて例示であることが意図され、本発明のプロセスの説明を容易にする。
【００２４】
本発明は、ＭＥＭＳアクチュエータの抑止機構として機能する一連の自己整合スペーサまたはバンプを提供する。その代表例は、本発明の主要部分において以下に述べるように、ＭＥＭＳ構造にスペーサまたはストップを導入することによる。一方、ストップを適切なサイズにし、これらを適所に配置しようとするときに、これらのストップの製造に関して問題が存在する。これらの双方は、非常に高価で難しい付着，リソグラフィ，およびエッチングを用いて実現できる。本発明の方法の主な利点は、それが追加の付着，余分なリソグラフィ，および追加のエッチングを必要としないということである。さらに、スペーサもしくはストップの有用性は、一部のデバイスにおけるスティクションの確率を大いに低減する。
【００２５】
ＣＭＯＳデバイスの製造に好ましくは適合した半導体製造ラインにプロセスを統合する方法の理解を促進するために、２００１年１１月７日に出願された“Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ｏｎ ＣＭＯＳ Ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”と称される米国特許出願Ｓ／Ｎ１０／０１４，６６０を明細書の内容として引用する。
【００２６】
本発明の好適な実施の形態は、半導体ＣＭＯＳ製造設備においてＭＥＭＳデバイス内に自己整合スペーサを作成する方法を説明する。
【００２７】
図３を参照して説明される開始時の構造は、銅ダマシン相互接続層として当業者によって理解できる。この層の下に、他の相互接続層もしくはバイア層、あるいはＦＥＴ，ＮＰＮトランジスタもしくはＨＢＴのようなデバイス、抵抗等を、シリコン基板上あるいは代わりに水晶のような低損失基板上に直接配置してもよい。誘電体２０に埋め込まれたダマシン金属４０は、好ましくは、ＳｉＯ２のような適切な誘電体材料に埋め込まれた銅配線で形成される。金属の厚さは典型的には約３０００Åから５０００Åまでであるが、この範囲に限定されない。
【００２８】
図４は、ウェットエッチング（他の手段も適切であるが）を用いてエッジ５においてリセスされた銅を示す。リセスの量は、要求される最終的な構造に依存する。好適な方法において、ウェットエッチングは、酢酸と過酸化水素との希薄溶液から成る。銅は約８００Åの深さまでエッチングされる。
【００２９】
シード層とメッキされた銅との間の粒界構成（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ ｓｅｔｕｐ）にかんがみれば、構造の外辺部の周囲から銅を積極的に除去することによってリセスの主なフィーチャを実現することは価値がない。これは、図１４を参照して後述するように、主形状内の形状の周囲にも生じる。
【００３０】
図５は、コンフォーマル誘電体層１００を付着し、下方に作られたトポグラフィが上部表面６へ転写された後の構造を示す。誘電体層１００の厚さは必要な開口の深さに依存する。本実施形態において、好ましい範囲は８００Åから５０００Åまで変化する。この例で使用される誘電体はＳｉＯ２であるが、当業者は、同等の結果に関して、コンフォーマルである多数の入手可能な誘電体を使用できることを容易に理解できる。
【００３１】
図６は、フォトレジスト８によるバイア７のパターニングおよびエッチングを説明する。これは、標準のリソグラフィおよびＲＩＥプロセスである。バイアは、様々な金属層間に相互接続を設定する。
【００３２】
図７において、標準のＣＭＯＳ処理手法、好ましくはシングル・ダマシン銅プロセスを用いて金属で充填されたバイアを示す。この構造を、化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスを用いて今度は平坦化し、先に形成されたリセス内に金属９すなわちライナを残す。好ましいライナ材料はＴａＮ／Ｔａであるが、それらが以下に用いられるエッチングをマスクする限りは、Ｔｉ，ＴｉＮまたはタングステンのような他のライナ材料を用いることができる。重要なのは、平坦化プロセスが適切に、すなわち必要以上の誘電体が除去されるのを回避することにより行われた後に、リセスが依然として金属で充填されたままであることである。
【００３３】
図８は、フォトレジスト８ａを用いる誘電体１００に形成される開口のパターニングを示す。自己整合金属マスキング９は、自己整合スペーサが製造されるべき領域に露出する。
【００３４】
図９は、金属マスキング（図８の９）によって形成された自己整合スペーサを有するエッチングされた開口１２０を説明する。金属９は、エッチングの少なくとも一部について誘電体のＲＩＥを阻み、対応する誘電体スペーサ１０を金属９の真下に形成する。スペーサの高さは、誘電体の厚さとそのエッチング時間とに依存する。それは、また、それらの全てがスペーサの所望のサイズに適応した金属マスキングの厚さにも依存する。例として、金属のエッジが約７００Å〜約９００Åだけリセスされ、誘電体１００が厚さ約１２００Åの開口を定める場合には、スペーサは、６００Åとほぼ等しい高さに達する。
【００３５】
図１０は、開口に渡って伸びる可動ビーム１６０を備える完成した構造を示す。このような構造を製造する方法の詳細は、明細書の内容として引用される２００１年１１月７日出願の“Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ｏｎ ＣＭＯＳ Ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”と称される前述の米国特許出願Ｓ／Ｎ１０／０１４，６６０において詳細に説明される。図２に示すように、ＳＰＳＴ（単極単投）スイッチ，ＤＰＤＴ（二極双投）スイッチ，および他の複数のビーム構成のような他のＭＥＭスイッチ構成が可能である。
【００３６】
図１１は、静電気でアクティベートされ、自己整合ストップまたはスペーサとコンタクトする点へ曲がったビームを説明する。当業者は、スペーサを有益に用いることができることを十分に理解でき、さらにＭＥＭＳアクチュエータの曲がりを制限して可動ビームと金属電極との間のコンタクトを最小にできることを十分に理解できる。このようにすることによって、スティクションの問題が著しく最小化される。
【００３７】
図１２は、ビームの一方の端部のみが固定されたＭＥＭＳデバイスを示し、図１３は、スイッチが前述したようにアクティベートされるとき自己整合スペーサがどのように動作するかを説明する。
【００３８】
図１４は、特に、このような構造のエッジ間に間隔を与える大規模ＭＥＭＳ構造において、追加の自己整合スペーサが主形状内に組み込まれたＭＥＭＳ構成を説明する。最後に、図１５は、同じ構造の斜視断面を示す。単一の好適な実施形態の点から本発明を述べたが、特許請求の範囲の趣旨および範囲に含まれる置換および変更によって本発明を実行できることを当業者は理解できる。
【００３９】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する第一の誘電体層を基板上に付着する工程と、ｂ）金属をウェットエッチングして前記導電相互接続ラインの境界上にトレンチを形成する工程と、ｃ）層中を貫通し、前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つとコンタクトする導電バイアが形成される第二の誘電体層を付着し、前記トレンチのトポグラフィを前記第二の誘電体層の上部表面に複写し、前記複写されたトレンチ・トポグラフィを金属で充填する工程と、ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして開口を形成し、同時に前記金属トレンチ・トポグラフィに、前記金属トレンチ・トポグラフィの真下の誘電体のエッチングを選択的に抑制させて自己整合スペーサを形成する工程と、ｅ）前記開口を犠牲材料で充填し、前記犠牲材料を平坦化する工程と、ｆ）第三の誘電体層を付着して前記導電バイアがコンタクトする導電ビームを形成する工程と、を含む微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）を形成する方法。
（２）前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす上記（１）に記載の方法。
（３）前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある上記（１）に記載の方法。
（４）前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される上記（１）に記載の方法。
（５）前記金属トレンチ・トポグラフィは、銅あるいは他のメッキ導電材料で形成される上記（１）に記載の方法。
（６）前記工程ａ）は、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する工程をさらに含む上記（１）に記載の方法。
（７）前記導電相互接続ラインの表面上の金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する上記（１）に記載の方法。
（８）前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る上記（７）に記載の方法。
（９）前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される上記（１）に記載の方法。
（１０）前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである上記（１）に記載の方法。
（１１）ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する基板上の第一の誘電体層と、ｂ）前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチと、ｃ）導電バイアが形成される第二の誘電体層であって、前記導電バイアは前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つと接触し、さらに、層上面にトレンチ・トポグラフィが転写され、該トレンチ・トポグラフィは金属で充填されている、前記第二の誘電体層と、ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして得られる開口であって、そのエッチングの際に、前記金属で充填されたトレンチ・トポグラフィが当該トレンチ・トポグラフィ下の誘電体のエッチングを選択的に制限することにより形成される自己整合スペーサを含み、さらに犠牲材料で充填され平坦化される前記開口と、ｅ）層中に形成され前記導電バイアとコンタクトする導電ビームを含む第三の誘電体層と、を備える微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）。
（１２）前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１３）前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１４）前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１５）前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチは、銅あるいは他のメッキ導電材料で充填される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１６）前記ａ）は、さらに、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１７）前記金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１８）前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る上記（１７）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１９）前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（２０）前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
【図面の簡単な説明】
【図１】ビームの長手方向に沿って見た、ビームの両端部が固定されている従来のＭＥＭスイッチの断面図である。
【図２】ビームの一方の端部のみが固定されている従来のＭＥＭスイッチの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図４】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図５】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図６】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図７】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図８】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図９】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図１０】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図１１】自己整合スペーサがＭＥＭスイッチの動作にどのように作用するか説明する図である。
【図１２】ビームの一方の端部のみが固定されているＭＥＭＳデバイスを示す図である。
【図１３】スイッチがアクティベートされるとき、自己整合スペーサがどのように動作するか説明する図である。
【図１４】追加の自己整合スペーサが主形状内部に組み込まれたＭＥＭＳ構成を説明する図である。
【図１５】図１４の構造の斜視断面を示す図である。
【符号の説明】
１ ビーム
２，２ａ，３ 導体
４ 誘電体
５ エッジ
６ 上部表面
７ バイア
８，８ａ フォトレジスト
９ 自己整合金属マスキング
１０ 誘電体スペーサ
１５，２０ 誘電体
４０ ダマシン金属
１００ コンフォーマル誘電体層
１２０ 開口
１６０ 可動ビーム
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には、現在の最新式の半導体製造プロセスへ完全に統合可能な微細電気機械的スイッチング（ＭＥＭＳ）デバイスの製造に関し、特に、可動ビームと電極との間のスティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）を低減する自己整合スペーサもしくはストップを含むＭＥＭＳデバイスの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スイッチング動作は、多くの電気的，機械的，および電気機械的アプリケーションの基礎要素である。ＭＥＭスイッチは、最近の数年間にわたって多くの利益を生み出してきた。ＭＥＭＳ技術を用いた製品が、バイオメディカル・システム，航空宇宙システム，および通信システムにおいて普及した。
【０００３】
従来のＭＥＭＳは、例えばＭｃＭｉｌｌａｎ等の米国特許第６，１６０，２３０号公報，Ｆｅｎｇ等の米国特許第６，１４３，９９７号公報，Ｃａｒｌｅｙ等の米国特許第５，９７０，３１５号公報，およびＴｈａｍ等の米国特許第５，８８０，９２１号公報に開示されるように、カンチレバー（ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）・スイッチ，薄膜（ｍｅｍｂｒａｎｅ）スイッチ，およびチューナブル・キャパシタ構造を典型的に用いる。ＭＥＭＳデバイスは、微細電気機械的技術を用いて製造され、電気的，機械的あるいは光学的信号フローを制御するために用いられる。しかしながら、このようなデバイスは、自身の構造および固有の材料特性が、従来の半導体処理、特にＣＭＯＳから分離した製造ラインでデバイスを製造することを要求するので、多くの問題を生じさせる。これは、両立せず、したがって、標準の半導体製造プロセスに統合できない異なる材料と異なるプロセスとに一般的に帰因する。
【０００４】
例えば金のようなＭＥＭＳの製造に典型的に用いられる材料は、オンチップ・アプリケーションへデバイスを直接集積することに対して明らかな問題を有する。文献において広く見られるポリシリコンの使用でさえ、従来の製造設備に対して問題を有する。１つの問題は、ポリシリコンの付着プロセスが、金属の溶融点よりも高い温度サイクルを必要とするということである。他の問題は、ポリシリコンの付着ツールが、典型的には、相互接続金属を処理するラインの後工程（ＢＥＯＬ）においての使用に利用できないということである。この問題は、主に、実際の半導体デバイスが製造されるラインの前工程（ＦＥＯＬ）用のツール・セットが、ラインの後工程（ＢＥＯＬ）用の全てのツール・セットから分離されるという理由で生じる。この２つのツール・セットは、アクティブ・デバイスの金属汚染を防ぐために、一方から他方へのプロセス・クロスオーバを許容しない。
【０００５】
したがって、従来のＢＥＯＬもしくは相互接続レベルへのアドオン・モジュールと共に、あるいはこのようなアドオン・モジュールとしてデバイスを製造できるように完全に統合可能な処理と結び付いた所定のＢＥＯＬ材料を用いてＭＥＭＳデバイスを提供できるプロセスの必要性が存在する。
【０００６】
本発明のより良い理解を得るために、変形可能なビーム１の両端部が誘電体４に固定されたＭＥＭスイッチの断面図を示す図１を参照して、従来のＭＥＭスイッチを説明する。最下位のレベルは誘電体材料１５から構成され、誘電体材料１５は、デバイスの様々な電気的部分を接続し形成するために続いて使用される導体素子２，２ａおよび３を含む。数字２および２ａによって参照される導体は、ビームを変形させる動作電位を与える。電気信号を伝える導体３は、同様に、ビームの動作時にビームへ接続される。
【０００７】
典型的な実装において、変形可能なビーム１を、誘電体４例えばＳｉＯ２の上にポリシリコンを付着することによって形成する。周囲の材料をエッチングして、突起構造、すなわち事前に形成された導体の上に浮くビームであり、つまりそれ自身はポリシリコンより成る構造を残す。続いて、デバイスを、ポリシリコンへ付着する一般的には金で無電解メッキし、導体素子１，２，２ａおよび３を形成する。スイッチは、ビームと電極２および２ａとの間に電位差を与えることによって動作する。この電圧は、ビーム１を動かして電極３と接触させる静電引力を発生させ、スイッチを閉じる。
【０００８】
図２は、ビーム１の一方の端部のみが誘電体４に固定されるということを除いて、図１に示すデバイスと同種の他の従来のＭＥＭデバイスの断面図である。ここでは、制御電極が数字２によって参照され、スイッチング電極が数字３によって参照される。このデバイスは、前述したデバイスと同様に構成され動作する。
【０００９】
ＭＥＭＳデバイスを製造するとき、可動部品が一定の表面と接触するのを阻止するために一定の制限またはストップを導入することが望ましい。一定のスイッチング要素またはこれらの少なくとも一部の動きを妨げるあるいは制限することが必要とされることもある。これは、ストップを用いてＲＦ容量性スイッチを製造する方法を示す添付図面において説明するケースである。本発明は、以下に説明するように、これらの問題を詳細に検討する。
【００１０】
現在の微細電気機械的コンタクト・スイッチを悩ます他の重要な問題は、コンタクト時に互いに付着し、スイッチをオフにするためにそれらを分離させるのを困難にする電極の傾向にある。“スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）”として知られるこの現象は、２つの表面上の原子および分子間での微視的レベルにおける引力によって生じる。１つの解決法は、一方のコンタクト極板がたわんでスイッチを閉じるとき、自然にコンタクトを分離しようとするばね状の復原力をこのたわみが生み出すことを確保することである。十分に大きい場合には、このような力がスティクションを克服できる。しかしながら、コンタクト極板をたわませてデバイスを閉じるために大きな力を生み出さなければならないということも、当の力は意味する。たわみが静電気であるスイッチにおいて、これは、一般的に、例えばモバイル・ハンドセットで必要とされる最大５Ｖを越える高制御電圧の必要性を意味する。
【００１１】
スティクション問題は新しいものではなく、その一定の態様が本技術分野において開示されている。例として、Ｒｅｅｄ等の米国特許第５，７７２，９０２号公報は、製造時に相互に付着する微細電気機械的構造の付着を阻止する方法を開示する。ここで開示される構造は、微細電気機械的システムへ適合するが、スイッチの動作時に発生するスティクションに適合しない。特に、この特許は、部品を製造してリリースするときにスティクションを回避するように部品を成形する方法を開示する。
【００１２】
微細電気機械的スイッチの復原力を変える他の解決法が例えばＣａｂｕｚ等の米国特許第５，９０１，９３９号公報のような特許文献に開示されている。ここでは、強い復原力を生み出す複数の制御電極および特殊形状のビームの使用が開示される。しかしながら、ここで開示される手法は、２相構成で複数の電極対を駆動することを必要とし、このようなスイッチを用いるシステムのコストと複雑さとを増加させる。加えて、ビームのたわみを用いるというよりは、このスイッチは、金属ラインの湾曲領域をラインの一方の端部または他方の端部の方へ移すことに依存し、ラインの大きな湾曲を生じさせ、長期的な信頼性の問題を引き起こす手法に依存する。
【００１３】
オン状態からオフ状態へのスイッチの遷移の際のスティクションによって生じる問題は、それが製造プロセス時にのみ発生するときに、このような作用を研究することによって主に検討されており、製造後のスイッチ動作時については検討されていない。さらに、大部分の解決法は、それらの全てがほぼ同相の電圧で作動する簡単な単一制御電極または複数電極を継続して使用しない点で十分でない。さらに、既存の解決法は、製造が困難であり、たわみよりむしろ湾曲によって一般に電気的に接続される（こうして信頼性の含みを有する高い物質応力を導入する）新しいタイプのビームを用いるのではなく簡単な電極コーティングによってたわみビームに追加の復原力を導入することができない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、ＭＥＭＳアクチュエータに対する抑止（ｄｅｔｅｎｔ）機構として機能するような自己整合スペーサまたはバンプを提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、自己整合スペーサを適切なサイズにし、さらにはそれらを適所に配置することによって自己整合スペーサを製造することである。
【００１６】
本発明の他の目的は、標準の半導体技術、特にＣＭＯＳデバイスの製造のために典型的に用いられる製造方法によってスペーサを製造することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、スペーサの製造が、追加の付着，余分なリソグラフィ工程，および追加のエッチングを必要としないことを保証することである。
【００１８】
本発明のさらなる目的は、ＭＥＭＳデバイスのスティクションによって生じる問題を最小にすることである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
これらのおよび他の目的を実現するために、そしてその目的にかんがみて、本発明は、追加のプロセスを必要とすることなしに、ＭＥＭＳデバイスを製造する過程で生成される自己整合ストップまたはスペーサを提供する。これは、その後にこれらのストップの符合した形成を開始するようなトポグラフィの事前形成に基づく。
【００２０】
本発明の一態様において、自己整合スペーサを形成するプロセスをさらに提供する。好ましくは銅で形成され、ＭＥＭＳデバイス（すなわちスイッチ）の下部機能レベルとして使用されることが予定される金属ダマシン層を最初に付着する。この層は、ＴａＮ／Ｔａのような適切なライナ／バリア材料とＣｕのシード層との付着によって形成される。次に、Ｃｕメッキによってフィーチャを充填し、Ｃｕおよびライナを平坦化する。次に、銅をエッチング液にさらす。水，酢酸および過酸化水素から成るウェットエッチングを有益に用いる。フィーチャの外辺部近傍の銅は、バルク・メッキ領域よりも速くエッチングする。これは、全金属フィーチャの周囲にディファレンシャル（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）・トポグラフィを生じさせる。エッチングの量は、最終的なスペーサがどの程度大きくなるかに関して役割を果たす。コンフォーマル誘電体材料（例えばＳｉＯ２）の次の層を付着するとき、リセスされた外辺部のトポグラフィが上部表面へ転写される。バイアを作成するとき、トレンチが金属で充填される。ＭＥＭＳデバイスを得るための開口のエッチングは、自己整合金属充填トレンチによって影響される。エッチングの少なくとも一部について、自己整合金属充填トレンチが真下の対応する領域をマスクすることとなる。これは、誘電体材料の少なくとも一部が残留することを可能にし、このようにして自己整合スペーサを形成する。
【００２１】
本発明の他の態様においては、微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）を形成する方法を提供する。この方法は、ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する第一の誘電体層を基板上に付着する工程と、ｂ）金属をウェットエッチングして導電相互接続ラインの境界上にトレンチを形成する工程と、ｃ）層中を貫通し、複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つとコンタクトする導電バイアが形成される第二の誘電体層を付着し、トレンチのトポグラフィを第二の誘電体層の上部表面に複写し、複写されたトレンチ・トポグラフィを金属で充填する工程と、ｄ）第二の誘電体層をエッチングして開口を形成し、同時に金属で充填されたトレンチ・トポグラフィに、金属トレンチ・トポグラフィの真下の誘電体のエッチングを選択的に抑制させて自己整合スペーサを形成する工程と、ｅ）開口を犠牲材料で充填し、犠牲材料を平坦化する工程と、ｆ）第三の誘電体層を付着して導電バイアがコンタクトする導電ビームを形成する工程とを含む。
【００２２】
スペーサは、ＭＥＭチューナブル・キャパシタにおいて極板の短絡を阻止するために用いることもできる。この例においては、誘電体バンプは、可動極板が固定極板とコンタクトするのを阻止して、キャパシタのチューナブル範囲を大きく拡大する。光学ＭＥＭＳについては、ミラーまたは他の薄膜の傾く（ｔｉｌｔｉｎｇ）動きを制限するためにスペーサを用いることもできる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
全ての図において、同じ数字が同じ要素を指示する図面を参照して本発明を説明する。これらの図面は、限定ではなくて例示であることが意図され、本発明のプロセスの説明を容易にする。
【００２４】
本発明は、ＭＥＭＳアクチュエータの抑止機構として機能する一連の自己整合スペーサまたはバンプを提供する。その代表例は、本発明の主要部分において以下に述べるように、ＭＥＭＳ構造にスペーサまたはストップを導入することによる。一方、ストップを適切なサイズにし、これらを適所に配置しようとするときに、これらのストップの製造に関して問題が存在する。これらの双方は、非常に高価で難しい付着，リソグラフィ，およびエッチングを用いて実現できる。本発明の方法の主な利点は、それが追加の付着，余分なリソグラフィ，および追加のエッチングを必要としないということである。さらに、スペーサもしくはストップの有用性は、一部のデバイスにおけるスティクションの確率を大いに低減する。
【００２５】
ＣＭＯＳデバイスの製造に好ましくは適合した半導体製造ラインにプロセスを統合する方法の理解を促進するために、２００１年１１月７日に出願された“Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ｏｎ ＣＭＯＳ Ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”と称される米国特許出願Ｓ／Ｎ１０／０１４，６６０を明細書の内容として引用する。
【００２６】
本発明の好適な実施の形態は、半導体ＣＭＯＳ製造設備においてＭＥＭＳデバイス内に自己整合スペーサを作成する方法を説明する。
【００２７】
図３を参照して説明される開始時の構造は、銅ダマシン相互接続層として当業者によって理解できる。この層の下に、他の相互接続層もしくはバイア層、あるいはＦＥＴ，ＮＰＮトランジスタもしくはＨＢＴのようなデバイス、抵抗等を、シリコン基板上あるいは代わりに水晶のような低損失基板上に直接配置してもよい。誘電体２０に埋め込まれたダマシン金属４０は、好ましくは、ＳｉＯ２のような適切な誘電体材料に埋め込まれた銅配線で形成される。金属の厚さは典型的には約３０００Åから５０００Åまでであるが、この範囲に限定されない。
【００２８】
図４は、ウェットエッチング（他の手段も適切であるが）を用いてエッジ５においてリセスされた銅を示す。リセスの量は、要求される最終的な構造に依存する。好適な方法において、ウェットエッチングは、酢酸と過酸化水素との希薄溶液から成る。銅は約８００Åの深さまでエッチングされる。
【００２９】
シード層とメッキされた銅との間の粒界構成（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ ｓｅｔｕｐ）にかんがみれば、構造の外辺部の周囲から銅を積極的に除去することによってリセスの主なフィーチャを実現することは価値がない。これは、図１４を参照して後述するように、主形状内の形状の周囲にも生じる。
【００３０】
図５は、コンフォーマル誘電体層１００を付着し、下方に作られたトポグラフィが上部表面６へ転写された後の構造を示す。誘電体層１００の厚さは必要な開口の深さに依存する。本実施形態において、好ましい範囲は８００Åから５０００Åまで変化する。この例で使用される誘電体はＳｉＯ２であるが、当業者は、同等の結果に関して、コンフォーマルである多数の入手可能な誘電体を使用できることを容易に理解できる。
【００３１】
図６は、フォトレジスト８によるバイア７のパターニングおよびエッチングを説明する。これは、標準のリソグラフィおよびＲＩＥプロセスである。バイアは、様々な金属層間に相互接続を設定する。
【００３２】
図７において、標準のＣＭＯＳ処理手法、好ましくはシングル・ダマシン銅プロセスを用いて金属で充填されたバイアを示す。この構造を、化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスを用いて今度は平坦化し、先に形成されたリセス内に金属９すなわちライナを残す。好ましいライナ材料はＴａＮ／Ｔａであるが、それらが以下に用いられるエッチングをマスクする限りは、Ｔｉ，ＴｉＮまたはタングステンのような他のライナ材料を用いることができる。重要なのは、平坦化プロセスが適切に、すなわち必要以上の誘電体が除去されるのを回避することにより行われた後に、リセスが依然として金属で充填されたままであることである。
【００３３】
図８は、フォトレジスト８ａを用いる誘電体１００に形成される開口のパターニングを示す。自己整合金属マスキング９は、自己整合スペーサが製造されるべき領域に露出する。
【００３４】
図９は、金属マスキング（図８の９）によって形成された自己整合スペーサを有するエッチングされた開口１２０を説明する。金属９は、エッチングの少なくとも一部について誘電体のＲＩＥを阻み、対応する誘電体スペーサ１０を金属９の真下に形成する。スペーサの高さは、誘電体の厚さとそのエッチング時間とに依存する。それは、また、それらの全てがスペーサの所望のサイズに適応した金属マスキングの厚さにも依存する。例として、金属のエッジが約７００Å〜約９００Åだけリセスされ、誘電体１００が厚さ約１２００Åの開口を定める場合には、スペーサは、６００Åとほぼ等しい高さに達する。
【００３５】
図１０は、開口に渡って伸びる可動ビーム１６０を備える完成した構造を示す。このような構造を製造する方法の詳細は、明細書の内容として引用される２００１年１１月７日出願の“Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ｏｎ ＣＭＯＳ Ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”と称される前述の米国特許出願Ｓ／Ｎ１０／０１４，６６０において詳細に説明される。図２に示すように、ＳＰＳＴ（単極単投）スイッチ，ＤＰＤＴ（二極双投）スイッチ，および他の複数のビーム構成のような他のＭＥＭスイッチ構成が可能である。
【００３６】
図１１は、静電気でアクティベートされ、自己整合ストップまたはスペーサとコンタクトする点へ曲がったビームを説明する。当業者は、スペーサを有益に用いることができることを十分に理解でき、さらにＭＥＭＳアクチュエータの曲がりを制限して可動ビームと金属電極との間のコンタクトを最小にできることを十分に理解できる。このようにすることによって、スティクションの問題が著しく最小化される。
【００３７】
図１２は、ビームの一方の端部のみが固定されたＭＥＭＳデバイスを示し、図１３は、スイッチが前述したようにアクティベートされるとき自己整合スペーサがどのように動作するかを説明する。
【００３８】
図１４は、特に、このような構造のエッジ間に間隔を与える大規模ＭＥＭＳ構造において、追加の自己整合スペーサが主形状内に組み込まれたＭＥＭＳ構成を説明する。最後に、図１５は、同じ構造の斜視断面を示す。単一の好適な実施形態の点から本発明を述べたが、特許請求の範囲の趣旨および範囲に含まれる置換および変更によって本発明を実行できることを当業者は理解できる。
【００３９】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する第一の誘電体層を基板上に付着する工程と、ｂ）金属をウェットエッチングして前記導電相互接続ラインの境界上にトレンチを形成する工程と、ｃ）層中を貫通し、前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つとコンタクトする導電バイアが形成される第二の誘電体層を付着し、前記トレンチのトポグラフィを前記第二の誘電体層の上部表面に複写し、前記複写されたトレンチ・トポグラフィを金属で充填する工程と、ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして開口を形成し、同時に前記金属トレンチ・トポグラフィに、前記金属トレンチ・トポグラフィの真下の誘電体のエッチングを選択的に抑制させて自己整合スペーサを形成する工程と、ｅ）前記開口を犠牲材料で充填し、前記犠牲材料を平坦化する工程と、ｆ）第三の誘電体層を付着して前記導電バイアがコンタクトする導電ビームを形成する工程と、を含む微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）を形成する方法。
（２）前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす上記（１）に記載の方法。
（３）前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある上記（１）に記載の方法。
（４）前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される上記（１）に記載の方法。
（５）前記金属トレンチ・トポグラフィは、銅あるいは他のメッキ導電材料で形成される上記（１）に記載の方法。
（６）前記工程ａ）は、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する工程をさらに含む上記（１）に記載の方法。
（７）前記導電相互接続ラインの表面上の金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する上記（１）に記載の方法。
（８）前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る上記（７）に記載の方法。
（９）前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される上記（１）に記載の方法。
（１０）前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである上記（１）に記載の方法。
（１１）ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する基板上の第一の誘電体層と、ｂ）前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチと、ｃ）導電バイアが形成される第二の誘電体層であって、前記導電バイアは前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つと接触し、さらに、層上面にトレンチ・トポグラフィが転写され、該トレンチ・トポグラフィは金属で充填されている、前記第二の誘電体層と、ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして得られる開口であって、そのエッチングの際に、前記金属で充填されたトレンチ・トポグラフィが当該トレンチ・トポグラフィ下の誘電体のエッチングを選択的に制限することにより形成される自己整合スペーサを含み、さらに犠牲材料で充填され平坦化される前記開口と、ｅ）層中に形成され前記導電バイアとコンタクトする導電ビームを含む第三の誘電体層と、を備える微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）。
（１２）前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１３）前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１４）前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１５）前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチは、銅あるいは他のメッキ導電材料で充填される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１６）前記ａ）は、さらに、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１７）前記金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１８）前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る上記（１７）に記載のＭＥＭスイッチ。
（１９）前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
（２０）前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである上記（１１）に記載のＭＥＭスイッチ。
【図面の簡単な説明】
【図１】ビームの長手方向に沿って見た、ビームの両端部が固定されている従来のＭＥＭスイッチの断面図である。
【図２】ビームの一方の端部のみが固定されている従来のＭＥＭスイッチの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図４】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図５】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図６】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図７】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図８】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図９】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図１０】本発明の一実施形態に従って、それらがＭＥＭスイッチング・デバイスに適応するように自己整合スペーサを作成するプロセス・フローを詳述する図である。
【図１１】自己整合スペーサがＭＥＭスイッチの動作にどのように作用するか説明する図である。
【図１２】ビームの一方の端部のみが固定されているＭＥＭＳデバイスを示す図である。
【図１３】スイッチがアクティベートされるとき、自己整合スペーサがどのように動作するか説明する図である。
【図１４】追加の自己整合スペーサが主形状内部に組み込まれたＭＥＭＳ構成を説明する図である。
【図１５】図１４の構造の斜視断面を示す図である。
【符号の説明】
１ ビーム
２，２ａ，３ 導体
４ 誘電体
５ エッジ
６ 上部表面
７ バイア
８，８ａ フォトレジスト
９ 自己整合金属マスキング
１０ 誘電体スペーサ
１５，２０ 誘電体
４０ ダマシン金属
１００ コンフォーマル誘電体層
１２０ 開口
１６０ 可動ビーム
Claims (20)
- ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する第一の誘電体層を基板上に付着する工程と、
ｂ）金属をウェットエッチングして前記導電相互接続ラインの境界上にトレンチを形成する工程と、
ｃ）層中を貫通し、前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つとコンタクトする導電バイアが形成される第二の誘電体層を付着し、前記トレンチのトポグラフィを前記第二の誘電体層の上部表面に複写し、前記複写されたトレンチ・トポグラフィを金属で充填する工程と、
ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして開口を形成し、同時に前記金属トレンチ・トポグラフィに、前記金属トレンチ・トポグラフィの真下の誘電体のエッチングを選択的に抑制させて自己整合スペーサを形成する工程と、
ｅ）前記開口を犠牲材料で充填し、前記犠牲材料を平坦化する工程と、
ｆ）第三の誘電体層を付着して前記導電バイアがコンタクトする導電ビームを形成する工程と、を含む微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）を形成する方法。 - 前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす請求項１に記載の方法。
- 前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある請求項１に記載の方法。
- 前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される請求項１に記載の方法。
- 前記金属トレンチ・トポグラフィは、銅あるいは他のメッキ導電材料で形成される請求項１に記載の方法。
- 前記工程ａ）は、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
- 前記導電相互接続ラインの表面上の金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する請求項１に記載の方法。
- 前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る請求項７に記載の方法。
- 前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される請求項１に記載の方法。
- 前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである請求項１に記載の方法。
- ａ）層中に複数の導電相互接続ラインを有する基板上の第一の誘電体層と、
ｂ）前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチと、
ｃ）導電バイアが形成される第二の誘電体層であって、前記導電バイアは前記複数の導電相互接続ラインの少なくとも１つと接触し、さらに、層上面にトレンチ・トポグラフィが転写され、該トレンチ・トポグラフィは金属で充填されている、前記第二の誘電体層と、
ｄ）前記第二の誘電体層をエッチングして得られる開口であって、そのエッチングの際に、前記金属で充填されたトレンチ・トポグラフィが当該トレンチ・トポグラフィ下の誘電体のエッチングを選択的に制限することにより形成される自己整合スペーサを含み、さらに犠牲材料で充填され平坦化される前記開口と、
ｅ）層中に形成され前記導電バイアとコンタクトする導電ビームを含む第三の誘電体層と、を備える微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）。 - 前記第二の誘電体層は、前記第一の誘電体層および前記導電相互接続ラインに対して共形をなす請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記自己整合スペーサは、幅が２０００Åから１．５μｍの範囲にあり、高さが２０００Åから２μｍの範囲にある請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記自己整合スペーサは、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣＯＨより成るグループから選択された材料で形成される請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記導電相互接続ラインの境界上に形成されたトレンチは、銅あるいは他のメッキ導電材料で充填される請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記ａ）は、さらに、前記導電相互接続ラインの上部表面によって定まる外辺部内に追加のスペーサを配置するために、前記複数の導電ラインを選択的にマスキングして前記導電材料内に形成されたピラーを与え、追加の境界を生成する請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記金属は、ＲＩＥを阻むマスキングとして機能する請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記第二の誘電体層の上部表面上に複写されたトレンチ・トポグラフィ内に金属が残る請求項１７に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記ＭＥＭＳデバイスは容量性スイッチであり、そのキャパシタンスが前記自己整合スペーサの高さによって部分的に決定される請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
- 前記容量性ＭＥＭＳデバイスは、カスタマイズ可能ＭＥＭスイッチである請求項１１に記載のＭＥＭスイッチ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/132,743 US6621392B1 (en) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | Micro electromechanical switch having self-aligned spacers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006310A true JP2004006310A (ja) | 2004-01-08 |
| JP3808052B2 JP3808052B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=27804507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003109122A Expired - Fee Related JP3808052B2 (ja) | 2002-04-25 | 2003-04-14 | 微細電気機械的スイッチ（ｍｅｍｓ）の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6621392B1 (ja) |
| JP (1) | JP3808052B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7300813B2 (en) | 2005-09-20 | 2007-11-27 | Dongguk University Indusrty-Academic Cooperation Foundation | Method for manufacturing micro-machined switch using pull-up type contact pad |
| JP2012119426A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 可変キャパシタとその製造方法 |
| US8441773B2 (en) | 2006-09-27 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Electronic element, variable capacitor, micro switch, method for driving micro switch, and MEMS type electronic element |
| JPWO2013183315A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-01-28 | 日立金属株式会社 | シールリングおよびシールリングの製造方法 |
| US11736037B2 (en) * | 2011-07-11 | 2023-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS structure and method of forming same |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| US8617934B1 (en) | 2000-11-28 | 2013-12-31 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages |
| US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7388259B2 (en) * | 2002-11-25 | 2008-06-17 | International Business Machines Corporation | Strained finFET CMOS device structures |
| US20040118621A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-24 | Curtis Marc D. | Live hydraulics for utility vehicles |
| US7501703B2 (en) * | 2003-02-28 | 2009-03-10 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| US7382048B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-06-03 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| FR2857153B1 (fr) * | 2003-07-01 | 2005-08-26 | Commissariat Energie Atomique | Micro-commutateur bistable a faible consommation. |
| US7410846B2 (en) * | 2003-09-09 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Method for reduced N+ diffusion in strained Si on SiGe substrate |
| US6890808B2 (en) * | 2003-09-10 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improved MOSFETs using poly/silicide gate height control |
| US6887751B2 (en) * | 2003-09-12 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | MOSFET performance improvement using deformation in SOI structure |
| US7170126B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Structure of vertical strained silicon devices |
| US7144767B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-12-05 | International Business Machines Corporation | NFETs using gate induced stress modulation |
| US7081647B2 (en) * | 2003-09-29 | 2006-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microelectromechanical system and method for fabricating the same |
| US7119403B2 (en) * | 2003-10-16 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | High performance strained CMOS devices |
| US6930367B2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems |
| US7122849B2 (en) * | 2003-11-14 | 2006-10-17 | International Business Machines Corporation | Stressed semiconductor device structures having granular semiconductor material |
| US7202132B2 (en) | 2004-01-16 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Protecting silicon germanium sidewall with silicon for strained silicon/silicon germanium MOSFETs |
| US7352266B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-01 | Wireless Mems, Inc. | Head electrode region for a reliable metal-to-metal contact micro-relay MEMS switch |
| US7923782B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Hybrid SOI/bulk semiconductor transistors |
| US7205206B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating mobility enhanced CMOS devices |
| US7000473B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-02-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEM structure having reduced spring stiction |
| US7504693B2 (en) * | 2004-04-23 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Dislocation free stressed channels in bulk silicon and SOI CMOS devices by gate stress engineering |
| US7223994B2 (en) * | 2004-06-03 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | Strained Si on multiple materials for bulk or SOI substrates |
| TWI463526B (zh) * | 2004-06-24 | 2014-12-01 | 萬國商業機器公司 | 改良具應力矽之ｃｍｏｓ元件的方法及以該方法製備而成的元件 |
| US7288443B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for manufacturing p-type MOSFET with graded embedded silicon-germanium source-drain and/or extension |
| US7384829B2 (en) | 2004-07-23 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Patterned strained semiconductor substrate and device |
| US7088153B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Data storage latch structure with micro-electromechanical switch |
| FI20041106A7 (fi) * | 2004-08-24 | 2006-02-25 | Zipic Oy | Mikromekaaninen kytkin ja siihen integroitu komponentti |
| US7091765B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-08-15 | International Business Machines Corporation | Circuit power reduction using micro-electromechanical switches |
| US7283030B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-10-16 | Eastman Kodak Company | Doubly-anchored thermal actuator having varying flexural rigidity |
| US7173312B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method to generate local mechanical gate stress for MOSFET channel mobility modification |
| US7274084B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-09-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced PFET using shear stress |
| US20060160317A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | International Business Machines Corporation | Structure and method to enhance stress in a channel of cmos devices using a thin gate |
| US7224033B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for manufacturing strained FINFET |
| DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| US7339454B1 (en) * | 2005-04-11 | 2008-03-04 | Sandia Corporation | Tensile-stressed microelectromechanical apparatus and microelectromechanical relay formed therefrom |
| US7545004B2 (en) * | 2005-04-12 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Method and structure for forming strained devices |
| US7449355B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-11-11 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same |
| US7544577B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Mobility enhancement in SiGe heterojunction bipolar transistors |
| US7202513B1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Stress engineering using dual pad nitride with selective SOI device architecture |
| US20070099360A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-03 | International Business Machines Corporation | Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making |
| US7655511B2 (en) | 2005-11-03 | 2010-02-02 | International Business Machines Corporation | Gate electrode stress control for finFET performance enhancement |
| US7785950B2 (en) * | 2005-11-10 | 2010-08-31 | International Business Machines Corporation | Dual stress memory technique method and related structure |
| DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
| DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
| US7709317B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Method to increase strain enhancement with spacerless FET and dual liner process |
| US7348638B2 (en) * | 2005-11-14 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Rotational shear stress for charge carrier mobility modification |
| US7564081B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-21 | International Business Machines Corporation | finFET structure with multiply stressed gate electrode |
| US7776695B2 (en) * | 2006-01-09 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device structure having low and high performance devices of same conductive type on same substrate |
| US7635620B2 (en) | 2006-01-10 | 2009-12-22 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device structure having enhanced performance FET device |
| US20070158743A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-12 | International Business Machines Corporation | Thin silicon single diffusion field effect transistor for enhanced drive performance with stress film liners |
| US20070170528A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
| US7691698B2 (en) * | 2006-02-21 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Pseudomorphic Si/SiGe/Si body device with embedded SiGe source/drain |
| US8461009B2 (en) * | 2006-02-28 | 2013-06-11 | International Business Machines Corporation | Spacer and process to enhance the strain in the channel with stress liner |
| US7521307B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | CMOS structures and methods using self-aligned dual stressed layers |
| US7615418B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-11-10 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhance MOSFET and method of manufacture |
| US7608489B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-10-27 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhance MOSFET and method of manufacture |
| US8853746B2 (en) * | 2006-06-29 | 2014-10-07 | International Business Machines Corporation | CMOS devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same |
| KR100803690B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 전기적- 기계적 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법. |
| US7790540B2 (en) | 2006-08-25 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Structure and method to use low k stress liner to reduce parasitic capacitance |
| US7462522B2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-12-09 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving device performance variation in dual stress liner technology |
| US8754446B2 (en) * | 2006-08-30 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure having undercut-gate-oxide gate stack enclosed by protective barrier material |
| KR100781972B1 (ko) * | 2006-09-18 | 2007-12-06 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100842730B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-07-01 | 삼성전자주식회사 | 멀티 비트 전기 기계적 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100868759B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2008-11-17 | 삼성전기주식회사 | 멤스 디바이스 및 이의 제조방법 |
| JP2008238330A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | Ｍｅｍｓ装置およびこのｍｅｍｓ装置を有する携帯通信端末 |
| US8115254B2 (en) | 2007-09-25 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator structures including a trench containing an insulator stressor plug and method of fabricating same |
| US8492846B2 (en) * | 2007-11-15 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition |
| NO333724B1 (no) * | 2009-08-14 | 2013-09-02 | Sintef | En mikromekanisk rekke med optisk reflekterende overflater |
| US20110063068A1 (en) * | 2009-09-17 | 2011-03-17 | The George Washington University | Thermally actuated rf microelectromechanical systems switch |
| US8598006B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-12-03 | International Business Machines Corporation | Strain preserving ion implantation methods |
| CN103999484B (zh) | 2011-11-04 | 2017-06-30 | 美商楼氏电子有限公司 | 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法 |
| US8940570B2 (en) * | 2012-01-03 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures |
| JP5898556B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2016-04-06 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ及びその製造方法 |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9254998B2 (en) * | 2013-03-11 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS device with a capping substrate |
| DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| US10000373B2 (en) | 2016-01-27 | 2018-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Nano-electromechanical system (NEMS) device structure and method for forming the same |
| US10562763B2 (en) * | 2017-08-28 | 2020-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fence structure to prevent stiction in a MEMS motion sensor |
| DE102021203566A1 (de) | 2021-04-12 | 2022-10-13 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | MEMS Schalter mit eingebettetem Metallkontakt |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374792A (en) * | 1993-01-04 | 1994-12-20 | General Electric Company | Micromechanical moving structures including multiple contact switching system |
| US5658636A (en) | 1995-01-27 | 1997-08-19 | Carnegie Mellon University | Method to prevent adhesion of micromechanical structures |
| US5717631A (en) | 1995-07-21 | 1998-02-10 | Carnegie Mellon University | Microelectromechanical structure and process of making same |
| US5880921A (en) | 1997-04-28 | 1999-03-09 | Rockwell Science Center, Llc | Monolithically integrated switched capacitor bank using micro electro mechanical system (MEMS) technology |
| US5901939A (en) | 1997-10-09 | 1999-05-11 | Honeywell Inc. | Buckled actuator with enhanced restoring force |
| US6160230A (en) | 1999-03-01 | 2000-12-12 | Raytheon Company | Method and apparatus for an improved single pole double throw micro-electrical mechanical switch |
| US6143997A (en) | 1999-06-04 | 2000-11-07 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Low actuation voltage microelectromechanical device and method of manufacture |
| US6534331B2 (en) * | 2001-07-24 | 2003-03-18 | Luxnet Corporation | Method for making a vertical-cavity surface emitting laser with improved current confinement |
-
2002
- 2002-04-25 US US10/132,743 patent/US6621392B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-14 JP JP2003109122A patent/JP3808052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-19 US US10/465,451 patent/US6762667B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7300813B2 (en) | 2005-09-20 | 2007-11-27 | Dongguk University Indusrty-Academic Cooperation Foundation | Method for manufacturing micro-machined switch using pull-up type contact pad |
| US8441773B2 (en) | 2006-09-27 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Electronic element, variable capacitor, micro switch, method for driving micro switch, and MEMS type electronic element |
| US9036327B2 (en) | 2006-09-27 | 2015-05-19 | Nikon Corporation | Electronic element, variable capacitor, micro switch, method for driving micro switch, and MEMS type electronic element |
| JP2012119426A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 可変キャパシタとその製造方法 |
| US11736037B2 (en) * | 2011-07-11 | 2023-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS structure and method of forming same |
| JPWO2013183315A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-01-28 | 日立金属株式会社 | シールリングおよびシールリングの製造方法 |
| US9961791B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-05-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Seal ring and method for manufacturing seal ring |
| US10188010B2 (en) | 2012-06-04 | 2019-01-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Seal ring and method for manufacturing seal ring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6762667B2 (en) | 2004-07-13 |
| US20030210124A1 (en) | 2003-11-13 |
| JP3808052B2 (ja) | 2006-08-09 |
| US6621392B1 (en) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004006310A (ja) | 微細電気機械的スイッチ（ｍｅｍｓ）およびその製造方法 | |
| KR100586771B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 호환 기판 상에 마이크로 전자기계 스위치를제조하는 방법 | |
| US6701779B2 (en) | Perpendicular torsion micro-electromechanical switch | |
| US7657995B2 (en) | Method of fabricating a microelectromechanical system (MEMS) switch | |
| US7256670B2 (en) | Diaphragm activated micro-electromechanical switch | |
| US6798029B2 (en) | Method of fabricating micro-electromechanical switches on CMOS compatible substrates | |
| US6667245B2 (en) | CMOS-compatible MEM switches and method of making | |
| JP4613165B2 (ja) | 微小電気機械システムのスイッチ | |
| US8797127B2 (en) | MEMS switch with reduced dielectric charging effect | |
| JP2006518911A (ja) | バンプ型ｍｅｍｓスイッチ | |
| JP2009009884A (ja) | Ｍｅｍｓスイッチ及びその製造方法 | |
| CN1316531C (zh) | 具有可变形弹性体导电元件的微机电开关 | |
| EP1672661A2 (en) | MEMS switch and method of fabricating the same | |
| KR100773005B1 (ko) | 격벽 작동형 마이크로 전기 기계 스위치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050704 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050707 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060509 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060516 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140526 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |