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JP2004095580A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Publication number
JP2004095580A
JP2004095580A JP2002250621A JP2002250621A JP2004095580A JP 2004095580 A JP2004095580 A JP 2004095580A JP 2002250621 A JP2002250621 A JP 2002250621A JP 2002250621 A JP2002250621 A JP 2002250621A JP 2004095580 A JP2004095580 A JP 2004095580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing
resin
semiconductor device
sealing body
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002250621A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironori Tsuchiya
土屋 裕紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2002250621A priority Critical patent/JP2004095580A/en
Publication of JP2004095580A publication Critical patent/JP2004095580A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W90/754

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】半導体素子を封止する樹脂封止体を所定の形状に精度よく成形できると共に、製造コストや工数の掛からない半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】発光素子24を基板22に実装する実装工程と、前記実装した発光素子24を樹脂材で封止する封止工程とを備えた樹脂封止型の発光ダイオード21の製造方法において、前記封止工程によって樹脂成形された封止体26をX軸、Y軸及びZ軸方向の走査制御が可能なブレード29によって所定の形状に成形する。
【選択図】   図3
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can accurately mold a resin sealing body for sealing a semiconductor element into a predetermined shape and does not require manufacturing costs or man-hours.
A method for manufacturing a resin-sealed light emitting diode, comprising: a mounting step of mounting a light emitting element on a substrate; and a sealing step of sealing the mounted light emitting element with a resin material. The sealing body 26 formed by the resin molding in the sealing step is formed into a predetermined shape by a blade 29 capable of scanning control in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions.
[Selection diagram] FIG.

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に半導体装置(半導体チップ1)は、図6に示すように、回路パターンや電極2が形成されたガラスエポキシ等のチップ基板3上にシリコン等の半導体素子4をダイボンドあるいはワイヤボンド5によって実装し、その上を樹脂材6で封止して形成されている。前記半導体チップ1の中でも発光ダイオードのような光デバイスは、半導体素子4に発光素子が使用され、この発光素子で発した光を拡散させるために、前記樹脂材6には透明なものが使用される。
【0003】
前記半導体チップ1の製造は、従来、チップ基板3上に半導体素子4を実装する実装工程と、前記実装された半導体素子4を樹脂封止する封止工程によって行われている。図7は前記実装工程によって実装された半導体素子4を樹脂封止する工程を示したものである。先ず、所定の成形型11が形成された金型12を用意しておき、前記成形型11内に樹脂材6を充填する(a)。そして、前記充填された樹脂材6が硬化しないうちにチップ基板3を下降し、半導体素子4を前記樹脂材6の中に埋設させながら金型12をチップ基板3面に装着する(b)。この状態で前記樹脂材6が固化するのを待って、前記金型12をチップ基板3面から取り除く(c)。このような工程を経ることで、図6に示したような形状の樹脂封止体7を備えた半導体チップ1が形成される。
【0004】
このような金型12を使用して樹脂封止体7を製造する方法は、前記金型12を繰り返して使用することができるので、同一形状の樹脂封止体を備えた半導体チップの大量生産が可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のような金型12を使用して樹脂封止体7を形成する方法では、図8(a)のようなきれいな樹脂封止体7に形成されず、(b)に示すように、金型12から樹脂材6を剥離する際に樹脂封止体7の一部が欠けてしまったり、(c)に示すように、金型12の装着位置がずれたりすると、半導体素子4が樹脂封止体7の中心に揃わない場合がある。特に、樹脂封止体7の形状によって、発光効果を得るような発光ダイオードのような光デバイスの場合は、金型12に形成される成形型11の形状が複雑であるため、金型12内から取り出す際の欠損率が高くなり、製品歩留りの低下を招いていた。また、前記金型12からの離型性を高めるために金型12の内部表面を鏡面状に加工する場合があるが、このような金型12を用いて製造された光デバイスにあっては、受発光面が平坦で単調な発光効果しか得られない。
【0006】
また、様々な形状の樹脂封止体7を備えた半導体製品を製造する場合は、その製品ごとに金型12を製作しなければならないので、製造初期に掛かるコストや製造工数が多い。このため、従来のような、金型12を使用して樹脂成形する製法では、少量多品種の製品には不向きであった。
【0007】
そこで、本発明の目的は、半導体素子を封止する樹脂封止体を所定の形状に精度よく成形できると共に、製造コストや工数の掛からない半導体装置の製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子を基板に実装する実装工程と、前記実装した半導体素子を樹脂材で封止する封止工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記封止工程によって形成された樹脂封止体の表面を切削して、所定形状に成形することを特徴とする。
【0009】
この発明によれば、封止工程によって大まかに形成された樹脂封止体の表面を切削することで、所定の形状に精度よく樹脂封止体を成形することができる。
【0010】
前記切削は、樹脂封止体に対して水平方向や垂直方向に走査可能な切削本体部に備えるブレードによって行われるので、所定の形状に容易に成形することができる。
【0011】
また、前記ブレードは、刃の形状及びサイズの異なったものを複数本揃え、前記切削本体部に交換可能に取り付けることで、樹脂封止体を様々な形状に成形することができると共に、切削面の表面粗さを微妙に変化させることができるので、成形物が光デバイスの封止体である場合は、光の散乱効果を得ることができる。また、前記ブレードによる切削面には、密着性の高いメッキを施すことができるので、前記光デバイスの封止体の一部をメッキでマスクするなどといった発光効果を得ることができる。
【0012】
また、前記ブレードは、X軸及びY軸を方向制御することによって、平面形状に切削形成すると共に、Z軸の方向制御で任意の立体形状に切削形成が可能である。
【0013】
前記切削本体部及び樹脂封止体が形成された半導体装置の少なくとも一方の水平方向及び垂直方向の移動量を予め設定された手順で自動制御することによって、樹脂封止体を所定の形状に精度よく切削成形することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態を詳細に説明する。本実施形態では、半導体装置として表面実装型の発光ダイオードを取り上げた。図1は本発明の半導体装置の製造方法によって製造される発光ダイオードの斜視図、図2は前記発光ダイオードの製造工程を示す工程図、図3は樹脂封止体の成形例を示す斜視図である。
【0015】
図1に示すように、本発明の半導体装置の製造方法によって製造される発光ダイオード21は、ガラスエポキシやBTレジン(Bismaleimide Triazine Resin)などからなる基板22と、この基板22上に載置される発光素子24と、該発光素子24を基板22上に封止する封止体26とで構成されている。前記基板22には、発光素子24との導通及びマザーボード等の外部基板に実装するための電極23a,23bが設けられている。発光素子24は、一対の素子電極部(アノード電極,カソード電極)を上下面に備えた微小な四角形状のシリコンチップであり、下面が前記基板22に設けられた一方の電極23a上に導電性接着剤を介して固定され、また、上面の素子電極部が基板22に設けられた他方の電極23bにボンディングワイヤ25で接続されている。
【0016】
封止体26は、発光素子24、ボンディングワイヤ25及び基板22上に露出している一対の電極23a,23bの上方を覆う透明な樹脂材であり、後述する製造方法によって所定の形状に形成される。この封止体26の形状は、ピラミッド型をしており、発光素子24から発せられた光を中心部に向けて集光するレンズ作用を備えている。また、発光したときに光の散乱効果を出すために、段差を持たせて形成されている。
【0017】
前記封止体26は、発光素子24から発せられる光をそのまま透過させる場合は、着色のない透明なプラスチックやガラス等の基材が使用されるが、発光色や輝度を変化させたい場合は、前記基材の内部に微粒状のYAG等の蛍光材や各色の着色材を適量混入させて形成される。前記蛍光材を混入した場合は、白色発光し、着色材を混入した場合は、所望の色の発光が得られる。また、封止体26の表面にSiOやTiOのような有機膜を形成した場合は、特定の波長を選択的に通過させるといったフィルタ効果を得ることができる。
【0018】
次に、前記構造の発光ダイオード21の製造方法を図2に基づいて説明する。この製造方法は、発光素子24を基板22に実装する実装工程と、前記発光素子24の上に樹脂材を充填する封止工程と、前記充填した樹脂材を所定の形状に成形する成形工程とを備えている。
【0019】
前記実装工程は、図2(a)に示されるように、予め回路パターン及び電極(図示せず)が形成された基板22の上に発光素子24の一方の素子電極部をダイボンドし、他方の電極部と基板22に形成された電極とをワイヤ25でボンディングして実装される。前記発光素子24のダイボンドは、チップマウンタを用い、また、ワイヤボンディングは、ボンディングマシンを用いて一括且つ自動で行われる。
【0020】
前記封止工程は、図2(b)に示されるように、最初に前記基板22に実装した発光素子24を個別に仕切る仕切壁27を一定間隔ごとに装着する。次に、図2(c)に示すように、前記仕切壁27で区切られた空間内に樹脂材6を充填して硬化させる。この樹脂材6の充填は、発光素子24及びワイヤ25が完全に埋設するようにして行われる。しばらくして、前記樹脂材6が完全に硬化したら、図2(d)に示すように、仕切壁27を取り除いて封止体26を露出させる。
【0021】
前記成形工程は、図2(e)に示すように、ブレード29を前記露出させた封止体26の表面に沿って移動させて切削する。図1に示したような段差のあるピラミッド状に形成する場合は、封止体26の外周部から中心部に向かってブレード29を移動させながら切削していく。
【0022】
図3は、前記成形工程におけるブレード29の走査例を示したものである。図に示されるように、封止工程で樹脂材による封止体26が形成された発光ダイオード21を基板22ごと加工台32に固定して位置決めを行う。そして、この位置決めされた発光ダイオード21の端部上方に切削本体部28にセットされたブレード29の先を合わせる。そして、このブレード29を下降させて樹脂封止体26の表面に押圧力を掛けた状態を維持しつつ切削本体部28をX方向及びY方向に沿って移動させながら表面を切削していく。前記ブレード29は、Aを基点としてA−B−C−D−Aの順に走査させることによって、樹脂体26の外周部を均一に切削することができる。なお、前記ブレード29のX方向及びY方向の水平走査に加えてZ方向の垂直走査を加えることで、前記図1に示したような階段状のピラミッド型に樹脂成形される。
【0023】
前記ブレードは、切削面の形状やサイズの異なったものが数種類用意されており、前記切削本体部28に着脱可能となっている。例えば、図4に示すような封止体36を備えた発光ダイオード31を成形する場合は、図中に示したような幅広のブレード39を切削本体部28に選択して装着することで、切削回数が少なく短時間で所定の形状に成形することができる。
【0024】
前記図3に示したように、封止体26を細かく複雑な形状に成形する場合は、幅の狭いブレード29を使用して切削回数を重ねることで精密な加工が可能となり、図4に示した封止体36のように、それほど精密な加工精度を必要としない場合は、幅の広いブレード39を使用することで、短時間で加工することができる。
【0025】
また、図5に示すような階段状の封止体46を備えた発光ダイオード41を形成する場合は、ブレード29のZ方向(切削深さ)の位置を定め、X方向(A−B間)に沿って走査して切削する。次に、前記ブレード29を1ステップY方向にスライド移動させ、Z方向の位置を設定した後、X方向(C−D間)に沿って走査して切削する。このような走査を繰り返すことで、多段形状の封止体46が形成される。
【0026】
前記ブレード29,39の走査は、切削本体部28を支持する図示しない駆動制御部によって制御される。この駆動制御部にはブレード29,39のX方向、Y方向及びZ方向の移動量や速度を調整するための調整機構が備えられており、手動あるいは自動で操作できるようになっている。
【0027】
上記説明した三例の製造方法は、半導体装置を加工台32に固定した状態で、ブレード29,39を支持する切削本体部28を制御可能にした構成としたが、ブレード29,39側を固定しておいて、加工台32側を駆動制御する構成にしたり、ブレード29,39側及び加工台32側の双方を駆動制御するような構成にすることも可能である。
【0028】
なお、上記説明した製造方法は、封止体26,36,46の形状によって様々な発光効果が得られる発光ダイオード21,31,41を例にとって説明したが、このような発光ダイオードに限らず、受光デバイスのような他の光デバイス全般についても本発明の製造方法を適用するメリットがある。また、前記光デバイス以外の半導体装置についても本発明の製造方法で製造することで、一定品質の半導体装置を提供することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の樹脂封止体を所定の形状に精度よく成形することができるので、各種半導体デバイスの加工が容易となり、特に光デバイスにおいては様々な受発光効果を得ることができる。
【0030】
また、従来のように封止体を成形する場合に専用の金型が不要となるので、初期の製造コストを大幅に削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法によって形成される半導体装置の斜視図である。
【図2】上記半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図3】上記製造方法における封止体の第1の成形方法を示す説明図である。
【図4】上記製造方法における封止体の第2の成形方法を示す説明図である。
【図5】上記製造方法における封止体の第3の成形方法を示す説明図である。
【図6】樹脂封止型の半導体装置(発光ダイオード)の構造を示す断面図である。
【図7】上記従来の半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図8】上記従来の製造方法によって形成された半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
21,31,41 発光ダイオード(半導体装置)
22 基板
24 発光素子
26,36,46 封止体
28 切削本体部
29,39 ブレード
32 加工台
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
In general, as shown in FIG. 6, a semiconductor device (semiconductor chip 1) is formed by mounting a semiconductor element 4 such as silicon by die bonding or wire bonding 5 on a chip substrate 3 such as glass epoxy on which a circuit pattern and electrodes 2 are formed. , And the upper portion thereof is sealed with a resin material 6. Among the semiconductor chips 1, an optical device such as a light emitting diode uses a light emitting element as the semiconductor element 4, and a transparent material is used as the resin material 6 in order to diffuse light emitted from the light emitting element. You.
[0003]
Conventionally, the semiconductor chip 1 is manufactured by a mounting step of mounting the semiconductor element 4 on the chip substrate 3 and a sealing step of sealing the mounted semiconductor element 4 with a resin. FIG. 7 shows a step of resin-sealing the semiconductor element 4 mounted in the mounting step. First, a mold 12 on which a predetermined molding die 11 is formed is prepared, and the resin material 6 is filled in the molding die 11 (a). Then, the chip substrate 3 is lowered before the filled resin material 6 is cured, and the mold 12 is mounted on the surface of the chip substrate 3 while the semiconductor element 4 is embedded in the resin material 6 (b). In this state, after the resin material 6 is solidified, the mold 12 is removed from the surface of the chip substrate 3 (c). Through these steps, the semiconductor chip 1 including the resin sealing body 7 having the shape as shown in FIG. 6 is formed.
[0004]
In the method of manufacturing the resin sealing body 7 using such a mold 12, since the mold 12 can be used repeatedly, mass production of semiconductor chips having the same shape of the resin sealing body can be performed. Is possible.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional method of forming the resin sealing body 7 using the mold 12 does not form a clean resin sealing body 7 as shown in FIG. When the resin material 6 is peeled off from the mold 12, a part of the resin sealing body 7 is chipped or the mounting position of the mold 12 is shifted as shown in FIG. It may not be aligned with the center of the resin sealing body 7. In particular, in the case of an optical device such as a light emitting diode that obtains a light emitting effect depending on the shape of the resin sealing body 7, the shape of the mold 11 formed on the mold 12 is complicated. The defect rate at the time of taking out from the product has increased, leading to a decrease in product yield. Further, in order to enhance the releasability from the mold 12, the inner surface of the mold 12 may be processed into a mirror-like shape. However, in an optical device manufactured using such a mold 12, In addition, only a monotonous light emitting effect can be obtained with a flat light receiving / emitting surface.
[0006]
Further, when manufacturing semiconductor products provided with the resin sealing bodies 7 of various shapes, the die 12 must be manufactured for each of the products, so that the cost and the number of manufacturing steps required in the initial stage of manufacturing are large. For this reason, the conventional manufacturing method of resin molding using the mold 12 is not suitable for small-quantity, multi-product products.
[0007]
Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can accurately mold a resin sealing body for sealing a semiconductor element into a predetermined shape and does not require manufacturing cost or man-hour.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 of the present invention includes a mounting step of mounting a semiconductor element on a substrate, and a sealing step of sealing the mounted semiconductor element with a resin material. In the method for manufacturing a semiconductor device provided with the above, the surface of the resin sealing body formed in the sealing step is cut and formed into a predetermined shape.
[0009]
According to the present invention, by cutting the surface of the resin sealing body roughly formed in the sealing step, the resin sealing body can be accurately formed into a predetermined shape.
[0010]
Since the cutting is performed by a blade provided on a cutting main body that can scan in a horizontal direction or a vertical direction with respect to the resin sealing body, it can be easily formed into a predetermined shape.
[0011]
In addition, the blade has a plurality of blades having different shapes and sizes, and is replaceably attached to the cutting main body, so that the resin sealing body can be formed into various shapes and the cutting surface can be formed. Since the surface roughness of the molded article can be slightly changed, a light scattering effect can be obtained when the molded article is a sealed body of an optical device. Further, since a highly adherent plating can be applied to the surface cut by the blade, a light emitting effect such as masking a part of the sealing body of the optical device by plating can be obtained.
[0012]
The blade can be cut into a planar shape by controlling the directions of the X axis and the Y axis, and can be formed into an arbitrary three-dimensional shape by controlling the direction of the Z axis.
[0013]
By automatically controlling the horizontal and vertical movement amounts of at least one of the semiconductor device on which the cutting body and the resin sealing body are formed, the resin sealing body can be precisely formed into a predetermined shape by a predetermined procedure. Can be cut and formed well.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, a surface-mounted light-emitting diode is used as a semiconductor device. FIG. 1 is a perspective view of a light emitting diode manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, FIG. 2 is a process diagram showing a manufacturing process of the light emitting diode, and FIG. 3 is a perspective view showing a molding example of a resin sealing body. is there.
[0015]
As shown in FIG. 1, a light emitting diode 21 manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is mounted on a substrate 22 made of glass epoxy, BT resin (Bismaleimide Triazine Resin), or the like. The light emitting device 24 includes a light emitting element 24 and a sealing body 26 for sealing the light emitting element 24 on the substrate 22. The substrate 22 is provided with electrodes 23a and 23b for conduction with the light emitting element 24 and mounting on an external substrate such as a motherboard. The light emitting element 24 is a minute square silicon chip having a pair of element electrode portions (anode electrode and cathode electrode) on the upper and lower surfaces, and the lower surface is electrically conductive on one electrode 23 a provided on the substrate 22. It is fixed via an adhesive, and the element electrode portion on the upper surface is connected to the other electrode 23 b provided on the substrate 22 by a bonding wire 25.
[0016]
The sealing body 26 is a transparent resin material that covers above the light emitting element 24, the bonding wires 25, and the pair of electrodes 23a and 23b exposed on the substrate 22, and is formed into a predetermined shape by a manufacturing method described later. You. The shape of the sealing body 26 has a pyramid shape, and has a lens function of condensing light emitted from the light emitting element 24 toward the center. In addition, in order to produce a light scattering effect when emitting light, it is formed with a step.
[0017]
When the sealing body 26 transmits the light emitted from the light emitting element 24 as it is, a base material such as transparent plastic or glass without coloring is used, but when it is desired to change the emission color or luminance, It is formed by mixing an appropriate amount of a fluorescent material such as fine YAG or a coloring material of each color into the inside of the base material. When the fluorescent material is mixed, white light is emitted, and when a coloring material is mixed, light of a desired color is obtained. Further, when an organic film such as SiO 2 or TiO 2 is formed on the surface of the sealing body 26, a filter effect of selectively transmitting a specific wavelength can be obtained.
[0018]
Next, a method of manufacturing the light emitting diode 21 having the above structure will be described with reference to FIG. This manufacturing method includes a mounting step of mounting the light emitting element 24 on the substrate 22, a sealing step of filling a resin material on the light emitting element 24, and a forming step of forming the filled resin material into a predetermined shape. It has.
[0019]
In the mounting step, as shown in FIG. 2A, one element electrode portion of the light emitting element 24 is die-bonded on a substrate 22 on which a circuit pattern and electrodes (not shown) are formed in advance, and the other is formed. The electrode portion and the electrode formed on the substrate 22 are mounted by bonding with a wire 25. The die bonding of the light emitting element 24 is performed using a chip mounter, and the wire bonding is performed collectively and automatically using a bonding machine.
[0020]
In the sealing step, as shown in FIG. 2B, first, partition walls 27 that individually separate the light emitting elements 24 mounted on the substrate 22 are attached at regular intervals. Next, as shown in FIG. 2C, the resin material 6 is filled in the space partitioned by the partition wall 27 and cured. The filling of the resin material 6 is performed such that the light emitting element 24 and the wire 25 are completely embedded. After a while, when the resin material 6 is completely cured, as shown in FIG. 2D, the partition wall 27 is removed, and the sealing body 26 is exposed.
[0021]
In the forming step, as shown in FIG. 2E, the blade 29 is moved along the exposed surface of the sealing body 26 and cut. In the case of forming a pyramid having a step as shown in FIG. 1, cutting is performed while moving the blade 29 from the outer peripheral portion of the sealing body 26 toward the center.
[0022]
FIG. 3 shows an example of scanning of the blade 29 in the molding step. As shown in the figure, the light emitting diode 21 on which the sealing body 26 made of a resin material is formed in the sealing step is fixed to the processing table 32 together with the substrate 22 for positioning. Then, the tip of the blade 29 set in the cutting main body 28 is aligned with the upper end of the positioned light emitting diode 21. Then, the blade 29 is lowered to cut the surface while moving the cutting body 28 along the X direction and the Y direction while maintaining the state where the pressing force is applied to the surface of the resin sealing body 26. The outer periphery of the resin body 26 can be uniformly cut by scanning the blade 29 in the order of ABCDA in the order of A. In addition, by performing vertical scanning in the Z direction in addition to horizontal scanning in the X and Y directions of the blade 29, a resin is formed into a step-like pyramid as shown in FIG.
[0023]
Several types of blades having different shapes and sizes of cutting surfaces are prepared, and are detachable from the cutting body 28. For example, when molding the light emitting diode 31 provided with the sealing body 36 as shown in FIG. 4, the wide blade 39 as shown in FIG. It can be formed into a predetermined shape in a small number of times in a short time.
[0024]
As shown in FIG. 3, when the sealing body 26 is formed into a fine and complicated shape, precise processing can be performed by repeating the number of cuts using a narrow blade 29, as shown in FIG. In the case where a very precise processing accuracy is not required as in the case of the sealed body 36, the processing can be performed in a short time by using the wide blade 39.
[0025]
When forming the light emitting diode 41 having the stepped sealing body 46 as shown in FIG. 5, the position of the blade 29 in the Z direction (cutting depth) is determined, and the X direction (between AB) is determined. Scan along and cut. Next, the blade 29 is slid in the Y direction for one step, the position in the Z direction is set, and scanning is performed along the X direction (between CD) to cut. By repeating such scanning, a multi-stage sealing body 46 is formed.
[0026]
The scanning of the blades 29 and 39 is controlled by a drive control unit (not shown) that supports the cutting body 28. The drive control unit is provided with an adjustment mechanism for adjusting the movement amount and speed of the blades 29 and 39 in the X, Y, and Z directions, and can be operated manually or automatically.
[0027]
In the manufacturing method of the three examples described above, while the semiconductor device is fixed to the processing table 32, the cutting main body 28 supporting the blades 29, 39 can be controlled, but the blades 29, 39 are fixed. In addition, it is also possible to adopt a configuration in which the processing table 32 is driven and controlled, or a configuration in which both the blades 29 and 39 and the processing table 32 are driven and controlled.
[0028]
In the above-described manufacturing method, the light-emitting diodes 21, 31, and 41 in which various light-emitting effects can be obtained depending on the shapes of the sealing bodies 26, 36, and 46 are described as examples. However, the present invention is not limited to such light-emitting diodes. There is also an advantage of applying the manufacturing method of the present invention to other optical devices such as light receiving devices in general. Further, by manufacturing the semiconductor device other than the optical device by the manufacturing method of the present invention, it is possible to provide a semiconductor device of constant quality.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the resin-sealed body of the semiconductor device can be accurately formed into a predetermined shape. In the optical device, various light receiving and emitting effects can be obtained.
[0030]
Further, since a dedicated mold is not required for molding the sealing body as in the conventional case, the initial manufacturing cost can be significantly reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device formed by a manufacturing method of the present invention.
FIG. 2 is a process chart showing a method for manufacturing the semiconductor device.
FIG. 3 is an explanatory view showing a first molding method of a sealing body in the above-mentioned manufacturing method.
FIG. 4 is an explanatory view showing a second molding method of the sealing body in the above production method.
FIG. 5 is an explanatory view showing a third molding method of the sealing body in the above production method.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a resin-sealed semiconductor device (light-emitting diode).
FIG. 7 is a process chart showing a method for manufacturing the conventional semiconductor device.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device formed by the conventional manufacturing method.
[Explanation of symbols]
21,31,41 Light emitting diode (semiconductor device)
22 substrate 24 light emitting element 26, 36, 46 sealing body 28 cutting body 29, 39 blade 32 working table

Claims (5)

半導体素子を基板に実装する実装工程と、前記実装した半導体素子を樹脂材で封止する封止工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記封止工程によって形成された樹脂封止体の表面を切削して、所定形状に成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
In a method of manufacturing a semiconductor device comprising a mounting step of mounting a semiconductor element on a substrate and a sealing step of sealing the mounted semiconductor element with a resin material,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising cutting a surface of a resin sealing body formed in the sealing step to form a predetermined shape.
前記切削は、ブレードを備えた切削本体部を樹脂封止体の水平方向及び垂直方向の少なくとも一方に沿って走査することによって行われる請求項1記載の半導体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the cutting is performed by scanning a cutting main body provided with a blade along at least one of a horizontal direction and a vertical direction of the resin sealing body. 前記ブレードは、樹脂封止体の成形形状に合わせて組み合わせあるいは交換が可能である請求項2記載の半導体装置の製造方法。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the blades can be combined or exchanged according to a molding shape of a resin sealing body. 前記ブレードは、X軸、Y軸、Z軸の方向を制御することによって、前記樹脂封止体を任意の立体形状に切削形成する請求項2又は3記載の半導体装置の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the blade cuts the resin sealing body into an arbitrary three-dimensional shape by controlling directions of an X axis, a Y axis, and a Z axis. 5. 前記樹脂封止体及び切削本体部の少なくとも一方を予め設定された手順にしたがって自動走査することで樹脂封止体の切削成形が行われる請求項2乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。The manufacturing of the semiconductor device according to claim 2, wherein the resin molding is cut and formed by automatically scanning at least one of the resin molding and the cutting body in accordance with a preset procedure. Method.
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