JP2004090021A - 硬化性フラックス - Google Patents
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- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract 1
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 imidazole compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(O)C=CC=C1O AKEUNCKRJATALU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- USZZLTVYRPLBMB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=C(O)C=C21 USZZLTVYRPLBMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082044 2,3-dihydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- CZAZXHQSSWRBHT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)-3,4,5,6-tetramethylphenol Chemical compound OC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C1=CC=CC=C1O CZAZXHQSSWRBHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YELLAPKUWRTITI-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC(O)=C2C=C(O)C(C(=O)O)=CC2=C1 YELLAPKUWRTITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N Diphenolic acid Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(CCC(O)=O)(C)C1=CC=C(O)C=C1 VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N Phenolphthalin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940114055 beta-resorcylic acid Drugs 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
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- Epoxy Resins (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】硬化性フラックスを用いて、半田ボール・半導体チップ・半導体パッケージなどを、リフロー半田接合により実装する工程において、高い半田接合信頼性を提供する。
【解決手段】半田接合及び半田接合部の補強の際に使用する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、該硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上で５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下である硬化性フラックスで、好ましくは該硬化性フラックスが、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基及び１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する硬化剤とを含む硬化性フラックス。
【解決手段】半田接合及び半田接合部の補強の際に使用する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、該硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上で５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下である硬化性フラックスで、好ましくは該硬化性フラックスが、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基及び１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する硬化剤とを含む硬化性フラックス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ・半導体パッケージに半田ボールを半田接合により実装する際、さらには、半導体搭載用基板に半導体チップ・半導体パッケージを半田接合により実装する際の硬化性フラックスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の高密度集積化の進行に伴い、半導体パッケージの小型化かつ多ピン化が必要不可欠となっている。この半導体パッケージの小型化かつ多ピン化に対して、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といった表面実装用エリアアレイ型のパッケージが開発されている。ＢＧＡやＣＳＰの回路基板への実装には、半田ボールで形成されたバンプによる、半田接合が採用されている。
【０００３】
一般に、半田接合のためには、半田表面と対する電極の酸化膜を除去する必要があり、半田付け用フラックスが使用される。この半田付け用フラックスには、熱可塑性フラックスと酸化膜を除去するための活性剤が含まれている。
【０００４】
しかし、半田接合後にこのフラックスが残存していると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂の溶融、活性剤中の活性イオンの遊離が起こり、電気絶縁性の低下などの問題が発生する。そのため現在では、半田接合後、残存フラックスの洗浄除去を行う必要がある。
【０００５】
近年の半導体パッケージの小型化かつ多ピン化は、バンプの微細化を促している。そのため、残存フラックスを完全に洗浄除去することは、非常に困難な作業である。さらには、バンプ接続部分の信頼性が低下する可能性がある。
【０００６】
上記問題点を解決するために、半田接合の際、フラックスとして作用し、半田接合後、さらに加熱をすることで熱硬化して、半田接合部の補強材となる硬化性フラックスが検討されている（特願２０００−１９３４６号）。しかし、この硬化性フラックスによるリフロー半田接合において、半田接合の信頼性にばらつきが生じる問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、硬化性フラックスによるリフロー半田接合において、半田接合の高信頼性を与える硬化性フラックスを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）半田接合及び半田接合部の補強の際に使用する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、該硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上で５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下である硬化性フラックス、
（２）該硬化性フラックスが、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、及び硬化剤を含む第（１）項記載の硬化性フラックス、
（３）該硬化性フラックスが、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基及び１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する硬化剤を含む第（１）又は（２）項記載の硬化性フラックス、
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明について詳細に説明する。
本発明で記載した樹脂粘度は、レオメトリー分析装置（例えばＲｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｉｎｃ． Ｍｏｄｅｌ：Ａｒｅｓ−２ＫＳＴＤ−ＦＣＯ−ＳＴＤ）を用いて、測定を行う。測定条件は、プレートとカップを用いて、サンプル量０．１〜０．５ｍｌ、ギャップ０．３〜０．７ｍｍ、歪み１〜６０％、振動数１〜１００ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度１〜１００℃／ｍｉｎであり、３０℃から２５０℃付近まで測定を行う。
【００１０】
サンプル量が０．１ｍｌ未満、またはギャップが０．７ｍｍを超えると、サンプルがプレート全面に拡がらず、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。また、サンプル量が０．５ｍｌを超える場合、またはギャップが０．３ｍｍ未満であると、サンプルがプレート側面に溢れ出て、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
歪みが１％未満、または振動数が１ｒａｄ／ｓｅｃ未満であると、被測定物に伝わる力を感知できない恐れがあり好ましくない。また、歪みが６０％を超える場合、または振動数が１００ｒａｄ／ｓｅｃを超えると、必要以上に外力が加わり、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
昇温速度について、１００℃／ｍｉｎを超えて昇温すると被測定物が急激に加熱され、被測定物の温度に対する応答性が悪くなり、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
【００１１】
本発明は、半田接合時、半田接合のフラックスとして作用し、同時に半田接合部周辺にフィレットを形成して、該半田接合部に補強材として機能する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、樹脂粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下であることが必要である。より好ましくは、１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上２．５×１０２Ｐａ・ｓ以下である。
【００１２】
これは、半田接合の際、硬化性フラックスが加熱され、樹脂粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満になると、硬化性フラックスが半田接合部から濡れ拡がり、半田接合部には半田接合に必要な硬化性フラックスの量が不足して、半田接合が困難となるためである。また、５．０×１０２Ｐａ・ｓを超えると、半田表面と対する金属が接触できなくなり、半田接続が困難となるためである。
【００１３】
本発明において、硬化性フラックスのより好ましい形態は、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と硬化剤を含むことである。
【００１４】
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定しないが、既存のビスフェノール系ジグリシジルエーテル類、また、それらの水素添加反応により芳香環を飽和炭化水素化したもの、フェノールノボラックとエピクロールヒドリンとの反応で得られるグリシジルエーテルで、常温で液状のもの等、または、それらを混合したものが挙げられる。また、これらの液状樹脂にジヒドロキシナフタレンのジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジグリシジルエーテル等、結晶性のエポキシ樹脂を混合し、液状にしたものを使用することもできる。また、用途によっては、高信頼性付与の為、絶縁フィラーを添加する場合もある。
【００１５】
次に、本発明で用いる硬化剤は、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する化合物が好ましい。例として、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。この硬化剤としての１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する化合物は、フラックス作用を示す。これらの化合物は、単独または複数添加して用いることができる。
【００１６】
ここで、フラックス作用とは、通常用いられているような半田付け用フラックスと同様、金属酸化膜を還元し、その酸化膜を除去しうる性質を示す。
【００１７】
硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂に対して２０重量％以上８０重量％以下が好ましい。２０重量％未満であると、半田および金属表面の酸化物を除去する能力が低下し、半田接合が困難となり好ましくない。また、８０重量％を超えると、良好な硬化物が得られず、接合接合部の補強効果と信頼性が低下する可能性があり好ましくない。
【００１８】
上記、エポキシ樹脂と硬化剤に硬化促進剤を加えてもよい。一般的にエポキシ樹脂の硬化促進剤として、用いられるものであり、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、ジアザ化合物、第三級アミン等を挙げることができる。
【００１９】
【実施例】
＜実施例１−５、比較例１−４＞
表１の処方に従って秤量し、ミキサーにて混練し、真空脱泡機、液状樹脂組成物を作製した。次に特性を把握するために以下の代用特性を評価した。
【００２０】
（１）動的粘度：レオメトリー分析装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｉｎｃ． Ｍｏｄｅｌ：Ａｒｅｓ−２ＫＳＴＤ−ＦＣＯ−ＳＴＤ）を用いて、測定を行った。測定条件は、プレートとカップを用いて、サンプル量０．３ｍｌ、ギャップ０．５ｍｍ、歪み３０％、振動数５０ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度６０℃／ｍｉｎであり、３０℃から２５０℃付近まで測定を行った。
（２）半田接合試験：厚さ０．２５ｍｍのベア銅フレームに作製した硬化性フラックスを滴下し、その上に直径０．５０ｍｍのＳｎ−３．５Ａｇ−０．７５Ｃｕ半田ボール（半田融点：２１７〜２１９℃）を静置した。それを、ピーク温度２４０℃のリフロー炉に導入し、半田ボールの接合性を、テスターを用いた導通評価により確認し、全試験数中、導通の見られないものを不良としてカウントした。
【００２１】
上記の測定結果を表１に示す。
実施例に用いた原材料の内容は下記の通りである。
・ビスＦ型エポキシ樹脂：粘度２０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）。
・ジアリルビスＡ型エポキシ樹脂：粘度３４００ｍＰａ・ｓ（２５℃）。
・多官能エポキシ樹脂：主成分２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］エチル］プロパンの３官能エポキシ樹脂を用いた（日本化薬社製ＮＣ−６０００）。
・フェノール系硬化剤：２，５−ジヒドロキシ安息香酸、又はフェノールフタリンを用いた。
・硬化促進剤：イミダゾール化合物を２種類（硬化促進剤Ａと硬化促進剤Ｂ）用いた。
【００２２】
【表１】
【００２３】
表１に示したように、実施例１−５では、半田接合性に関して良好な結果を示している。これは、半田接合温度までの動的粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上であり、半田接合部からの硬化性フラックスの濡れ拡がりによる、硬化性フラックスの供給量不足が抑制できるためであると推測される。また、半田接合温度までの動的粘度が５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下であり、半田表面と対する金属の接触が良好に起こるためであると推測される。
一方、比較例１−４では、半田接合温度までの動的粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満であるためか、半田接合性に関して不良が発生する結果が得られている。これは、硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満になることで、硬化性フラックスは半田接合部に留まることができなくなり、流れ出してしまうため、酸化膜の除去に必要なフラックスの量を半田接合部に供給できなくなり、半田接合に不利な状態になったためであると推測される。
【００２４】
【発明の効果】
本発明の硬化性フラックスを用いることにより、リフロー半田接合において、半田接合の信頼性が高く、また、実装プロセスの短縮化を達成することができ、その工業的メリットは大きい。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ・半導体パッケージに半田ボールを半田接合により実装する際、さらには、半導体搭載用基板に半導体チップ・半導体パッケージを半田接合により実装する際の硬化性フラックスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の高密度集積化の進行に伴い、半導体パッケージの小型化かつ多ピン化が必要不可欠となっている。この半導体パッケージの小型化かつ多ピン化に対して、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といった表面実装用エリアアレイ型のパッケージが開発されている。ＢＧＡやＣＳＰの回路基板への実装には、半田ボールで形成されたバンプによる、半田接合が採用されている。
【０００３】
一般に、半田接合のためには、半田表面と対する電極の酸化膜を除去する必要があり、半田付け用フラックスが使用される。この半田付け用フラックスには、熱可塑性フラックスと酸化膜を除去するための活性剤が含まれている。
【０００４】
しかし、半田接合後にこのフラックスが残存していると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂の溶融、活性剤中の活性イオンの遊離が起こり、電気絶縁性の低下などの問題が発生する。そのため現在では、半田接合後、残存フラックスの洗浄除去を行う必要がある。
【０００５】
近年の半導体パッケージの小型化かつ多ピン化は、バンプの微細化を促している。そのため、残存フラックスを完全に洗浄除去することは、非常に困難な作業である。さらには、バンプ接続部分の信頼性が低下する可能性がある。
【０００６】
上記問題点を解決するために、半田接合の際、フラックスとして作用し、半田接合後、さらに加熱をすることで熱硬化して、半田接合部の補強材となる硬化性フラックスが検討されている（特願２０００−１９３４６号）。しかし、この硬化性フラックスによるリフロー半田接合において、半田接合の信頼性にばらつきが生じる問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、硬化性フラックスによるリフロー半田接合において、半田接合の高信頼性を与える硬化性フラックスを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）半田接合及び半田接合部の補強の際に使用する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、該硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上で５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下である硬化性フラックス、
（２）該硬化性フラックスが、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、及び硬化剤を含む第（１）項記載の硬化性フラックス、
（３）該硬化性フラックスが、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基及び１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する硬化剤を含む第（１）又は（２）項記載の硬化性フラックス、
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明について詳細に説明する。
本発明で記載した樹脂粘度は、レオメトリー分析装置（例えばＲｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｉｎｃ． Ｍｏｄｅｌ：Ａｒｅｓ−２ＫＳＴＤ−ＦＣＯ−ＳＴＤ）を用いて、測定を行う。測定条件は、プレートとカップを用いて、サンプル量０．１〜０．５ｍｌ、ギャップ０．３〜０．７ｍｍ、歪み１〜６０％、振動数１〜１００ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度１〜１００℃／ｍｉｎであり、３０℃から２５０℃付近まで測定を行う。
【００１０】
サンプル量が０．１ｍｌ未満、またはギャップが０．７ｍｍを超えると、サンプルがプレート全面に拡がらず、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。また、サンプル量が０．５ｍｌを超える場合、またはギャップが０．３ｍｍ未満であると、サンプルがプレート側面に溢れ出て、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
歪みが１％未満、または振動数が１ｒａｄ／ｓｅｃ未満であると、被測定物に伝わる力を感知できない恐れがあり好ましくない。また、歪みが６０％を超える場合、または振動数が１００ｒａｄ／ｓｅｃを超えると、必要以上に外力が加わり、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
昇温速度について、１００℃／ｍｉｎを超えて昇温すると被測定物が急激に加熱され、被測定物の温度に対する応答性が悪くなり、正確な粘度挙動が測定できない恐れがあり好ましくない。
【００１１】
本発明は、半田接合時、半田接合のフラックスとして作用し、同時に半田接合部周辺にフィレットを形成して、該半田接合部に補強材として機能する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、樹脂粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下であることが必要である。より好ましくは、１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上２．５×１０２Ｐａ・ｓ以下である。
【００１２】
これは、半田接合の際、硬化性フラックスが加熱され、樹脂粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満になると、硬化性フラックスが半田接合部から濡れ拡がり、半田接合部には半田接合に必要な硬化性フラックスの量が不足して、半田接合が困難となるためである。また、５．０×１０２Ｐａ・ｓを超えると、半田表面と対する金属が接触できなくなり、半田接続が困難となるためである。
【００１３】
本発明において、硬化性フラックスのより好ましい形態は、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と硬化剤を含むことである。
【００１４】
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定しないが、既存のビスフェノール系ジグリシジルエーテル類、また、それらの水素添加反応により芳香環を飽和炭化水素化したもの、フェノールノボラックとエピクロールヒドリンとの反応で得られるグリシジルエーテルで、常温で液状のもの等、または、それらを混合したものが挙げられる。また、これらの液状樹脂にジヒドロキシナフタレンのジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジグリシジルエーテル等、結晶性のエポキシ樹脂を混合し、液状にしたものを使用することもできる。また、用途によっては、高信頼性付与の為、絶縁フィラーを添加する場合もある。
【００１５】
次に、本発明で用いる硬化剤は、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する化合物が好ましい。例として、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。この硬化剤としての１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する化合物は、フラックス作用を示す。これらの化合物は、単独または複数添加して用いることができる。
【００１６】
ここで、フラックス作用とは、通常用いられているような半田付け用フラックスと同様、金属酸化膜を還元し、その酸化膜を除去しうる性質を示す。
【００１７】
硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂に対して２０重量％以上８０重量％以下が好ましい。２０重量％未満であると、半田および金属表面の酸化物を除去する能力が低下し、半田接合が困難となり好ましくない。また、８０重量％を超えると、良好な硬化物が得られず、接合接合部の補強効果と信頼性が低下する可能性があり好ましくない。
【００１８】
上記、エポキシ樹脂と硬化剤に硬化促進剤を加えてもよい。一般的にエポキシ樹脂の硬化促進剤として、用いられるものであり、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、ジアザ化合物、第三級アミン等を挙げることができる。
【００１９】
【実施例】
＜実施例１−５、比較例１−４＞
表１の処方に従って秤量し、ミキサーにて混練し、真空脱泡機、液状樹脂組成物を作製した。次に特性を把握するために以下の代用特性を評価した。
【００２０】
（１）動的粘度：レオメトリー分析装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｉｎｃ． Ｍｏｄｅｌ：Ａｒｅｓ−２ＫＳＴＤ−ＦＣＯ−ＳＴＤ）を用いて、測定を行った。測定条件は、プレートとカップを用いて、サンプル量０．３ｍｌ、ギャップ０．５ｍｍ、歪み３０％、振動数５０ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度６０℃／ｍｉｎであり、３０℃から２５０℃付近まで測定を行った。
（２）半田接合試験：厚さ０．２５ｍｍのベア銅フレームに作製した硬化性フラックスを滴下し、その上に直径０．５０ｍｍのＳｎ−３．５Ａｇ−０．７５Ｃｕ半田ボール（半田融点：２１７〜２１９℃）を静置した。それを、ピーク温度２４０℃のリフロー炉に導入し、半田ボールの接合性を、テスターを用いた導通評価により確認し、全試験数中、導通の見られないものを不良としてカウントした。
【００２１】
上記の測定結果を表１に示す。
実施例に用いた原材料の内容は下記の通りである。
・ビスＦ型エポキシ樹脂：粘度２０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）。
・ジアリルビスＡ型エポキシ樹脂：粘度３４００ｍＰａ・ｓ（２５℃）。
・多官能エポキシ樹脂：主成分２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］エチル］プロパンの３官能エポキシ樹脂を用いた（日本化薬社製ＮＣ−６０００）。
・フェノール系硬化剤：２，５−ジヒドロキシ安息香酸、又はフェノールフタリンを用いた。
・硬化促進剤：イミダゾール化合物を２種類（硬化促進剤Ａと硬化促進剤Ｂ）用いた。
【００２２】
【表１】
表１に示したように、実施例１−５では、半田接合性に関して良好な結果を示している。これは、半田接合温度までの動的粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上であり、半田接合部からの硬化性フラックスの濡れ拡がりによる、硬化性フラックスの供給量不足が抑制できるためであると推測される。また、半田接合温度までの動的粘度が５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下であり、半田表面と対する金属の接触が良好に起こるためであると推測される。
一方、比較例１−４では、半田接合温度までの動的粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満であるためか、半田接合性に関して不良が発生する結果が得られている。これは、硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ未満になることで、硬化性フラックスは半田接合部に留まることができなくなり、流れ出してしまうため、酸化膜の除去に必要なフラックスの量を半田接合部に供給できなくなり、半田接合に不利な状態になったためであると推測される。
【００２４】
【発明の効果】
本発明の硬化性フラックスを用いることにより、リフロー半田接合において、半田接合の信頼性が高く、また、実装プロセスの短縮化を達成することができ、その工業的メリットは大きい。
Claims (3)
- 半田接合及び半田接合部の補強の際に使用する硬化性フラックスにおいて、３０℃から半田融点までの温度範囲内で、該硬化性フラックスの粘度が１．０×１０−２Ｐａ・ｓ以上で５．０×１０２Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする硬化性フラックス。
- 該硬化性フラックスが、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、及び硬化剤を含む請求項１記載の硬化性フラックス。
- 該硬化性フラックスが、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基及び１分子あたり少なくとも１個以上のカルボキシル基を有する硬化剤を含む請求項１又は２記載の硬化性フラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002253364A JP4211328B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 硬化性フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002253364A JP4211328B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 硬化性フラックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004090021A true JP2004090021A (ja) | 2004-03-25 |
| JP4211328B2 JP4211328B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=32059388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4211328B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005213474A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005213475A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2008300443A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2010031275A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物、接着層付き半導体素子、その製造方法および半導体装置 |
| WO2021106588A1 (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Dic株式会社 | プリプレグ用樹脂組成物、プリプレグ及び成形品 |
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| JP2010031275A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物、接着層付き半導体素子、その製造方法および半導体装置 |
| WO2021106588A1 (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Dic株式会社 | プリプレグ用樹脂組成物、プリプレグ及び成形品 |
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