JP2004084017A - 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 - Google Patents
酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004084017A JP2004084017A JP2002247586A JP2002247586A JP2004084017A JP 2004084017 A JP2004084017 A JP 2004084017A JP 2002247586 A JP2002247586 A JP 2002247586A JP 2002247586 A JP2002247586 A JP 2002247586A JP 2004084017 A JP2004084017 A JP 2004084017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnesium oxide
- oxide powder
- vapor deposition
- range
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 title claims abstract description 77
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 77
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 32
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 3
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBYSTTGVDIFUAY-UHFFFAOYSA-N vanadium monoxide Chemical compound [V]=O IBYSTTGVDIFUAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】純度が99.98質量%より高く、比表面積が5〜10m2/gの範囲にあり、一次粒子の形状が立方体である酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム蒸着法によりAC型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として機能する酸化マグネシウム膜を成膜する際に用いる酸化マグネシウム蒸着材の製造原料となる酸化マグネシウム粉末に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
AC型プラズマディスプレイパネル(AC型PDP)の誘電体層の表面には、一般に保護層として酸化マグネシウム膜が形成されている。この酸化マグネシウム膜の成膜には、電子ビーム蒸着法(EB法)が広く利用されている。
【0003】
電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を成膜するための蒸着材として、従来より酸化マグネシウムの単結晶体が多用されている。また、最近では、酸化マグネシウム粉末を焼結させて得た酸化マグネシウムの多結晶焼結体ペレットの使用も検討されている。
【0004】
特開平10−291854号公報には、高純度の多結晶焼結体ペレットを蒸着材として用いることによって、電子ビーム蒸着法により、AC型プラズマディスプレイパネルの酸化マグネシウム膜を効率的に成膜できるとの記載がある。なお、この公報の実施例では、純度99.9%の酸化マグネシウム粉末を用いて純度99.9%の酸化マグネシウム焼結体ペレットが製造されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
AC型プラズマディスプレイパネルでは、誘電体層の保護膜として機能する酸化マグネシウム膜の膜厚などが不均一になると、プラズマディスプレイパネルの放電開始電圧や駆動電圧が高くなる傾向にあるため、均質性の高い酸化マグネシウム膜を成膜できる蒸着材の開発が望まれている。特に最近では、AC型プラズマディスプレイパネルの大画面化が図られており、これに伴い広い面積にわたって均質性の高い酸化マグネシウム膜を短時間で成膜できる蒸着材の開発が望まれている。
【0006】
本発明者は、種々の酸化マグネシウム粉末を用いて多結晶焼結体ペレットを製造し、その多結晶焼結体ペレット表面の状態を観察したところ、高純度かつ一次粒子がある特定の形状をもつ酸化マグネシウム粉末を用いて製造した焼結体ペレットには、表面に先端が丸味を帯びた突起が多数形成される傾向にあることを見い出した。さらに本発明者は研究を進めたところ、そのような突起が形成された多結晶焼結体ペレットを蒸着材に用いると、表面が平坦な多結晶焼結体ペレットを用いた場合と比べて、広範囲にわたって均質性の高い酸化マグネシウム膜を短時間で成膜することができることが判明した。
従って、本発明の課題は、特に大画面のAC型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜を形成する際に有利に用いることができる酸化マグネシウム蒸着材の製造原料となる酸化マグネシウム粉末を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、純度が99.98質量%より高く、比表面積が5〜10m2/gの範囲にあり、一次粒子の形状が立方体であることを特徴とする電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を成膜するための酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末にある。
【0008】
本発明の好ましい態様は、次の通りである。
(1)純度が99.985質量%以上にある。
(2)比表面積が7〜9m2/gの範囲にある。
(3)気相酸化反応法により製造されたものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の酸化マグネシウム粉末はまず、純度が99.98質量%より高く、好ましくは99.985質量%以上であることに特徴がある。ここで、酸化マグネシウム粉末の純度は差数法により求めた値であり、具体的には酸化マグネシウム粉末中のカルシウム、ケイ素、鉄、マンガン、亜鉛、クロム、アルミニウム、ナトリウム、カリウム、ニッケル、ホウ素、ジルコニウム、モリブテン、そしてバナジウムの含有量をそれぞれ定量し、これらの金属含有量を酸化カルシウム(CaO)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化鉄(Fe2O3)、酸化マンガン(MnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カリウム(K2O)、酸化ニッケル(NiO)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化モリブテン(MoO)、そして酸化バナジウム(VO)の酸化物含有量に換算して、100から差し引いた値である。
【0010】
本発明の酸化マグネシウム粉末はまた、比表面積が5〜10m2/gの範囲、好ましくは7〜9m2/gの範囲にあることにも特徴がある。ここで、酸化マグネシウム粉末の比表面積は、BET法により測定した値である。
【0011】
本発明の酸化マグネシウム粉末はさらに、一次粒子の形状が立方体であることにも特徴がある。
【0012】
上記の純度、比表面積、及び粒子形状を満たす酸化マグネシウム粉末は、例えば、高純度の金属マグネシウム蒸気と酸素とを気相中で反応させる気相酸化反応法によって製造することができる。
【0013】
次に、本発明の酸化マグネシウム粉末を製造原料として用いる多結晶焼結体ペレットの製造方法について説明する。
多結晶焼結体ペレットは、例えば、本発明の酸化マグネシウム粉末を、バインダを含む水性分散媒体に混合分散して酸化マグネシウムスラリを調製し、次いでこの酸化マグネシウムスラリをスプレードライヤにより噴霧乾燥することにより、酸化マグネシウム粉末の造粒物を得て、得られた造粒物をペレット状に成形し、そしてペレット状成形物を焼成して、酸化マグネシウム粉末を焼結させることによって製造することができる。
【0014】
水性分散媒体には、水と水に相溶性を示す有機溶媒の混合物、もしくは水を用いることができる。特に水を用いることが好ましい。有機溶媒の例としては、エタノールなどのアルコール、アセトンなどのケトンを挙げることができる。水と有機溶媒とを混合する場合の有機溶媒の含有量は全体の50質量%未満とすることが好ましい。
【0015】
バインダには、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、及び水溶性アクリル系共重合物などの水溶性ポリマーを用いることができる。水性分散媒体のバインダ濃度は、0.1〜10質量%の範囲にあることが好ましい。また、水性分散媒体には、分散剤を添加してもよい。この分散剤には、ポリカルボン酸塩、特にポリカルボン酸のアンモニウム塩が好ましく用いることができる。水性分散媒体の分散剤濃度は、0.1〜6質量%の範囲にあることが好ましい。
【0016】
酸化マグネシウムスラリ中の酸化マグネシウム粉末の濃度は、30〜75質量%の範囲にあることが好ましい。
【0017】
酸化マグネシウムスラリを調製してからそのスラリをスプレードライヤにより噴霧乾燥するまでの間に、酸化マグネシウム粉末の表面の一部が水和して水酸化マグネシウムが生成することもある。但し、スラリから得られる造粒物の水和率(造粒物中の水酸化マグネシウム量)は50質量%以下(特に、30質量%以下、更に5質量%以下)となるようにすることが好ましい。水和率が50質量%未満の造粒物を得るには、酸化マグネシウムスラリを調製してからスプレードライヤにより噴霧乾燥するまでの時間を短くする、すなわち酸化マグネシウム粉末と水との接触時間を短くするのが簡便かつ有効な方法である。具体的には、酸化マグネシウムスラリを調製してから、2時間以内にそのスラリをスプレードライヤにより噴霧乾燥することが好ましい。また、酸化マグネシウムスラリを調製してからスプレードライヤにより噴霧乾燥するまでの間は、スラリの温度を30℃以下(特に、10〜30℃)に維持することが好ましい。
【0018】
酸化マグネシウムスラリをスプレードライヤにより噴霧乾燥する際の乾燥温度は、200〜280℃の範囲にあることが好ましい。
【0019】
造粒物を成形してペレットを製造する場合には、通常のプレス成形法を用いることができる。成形圧は、0.3〜3トン/cm2の範囲、好ましくは1〜3トン/cm2の範囲にある。
【0020】
ペレット状成形物の焼成は、1400〜1800℃の温度にて行うことが好ましい。焼成時間は、成形物のサイズ(特に、厚さ)や焼成温度などの要件により変わるので一律に定めることはできないが、一般に1〜5時間である。
【0021】
上記のようにして製造される酸化マグネシウムの多結晶焼結体ペレットは、表面に先端が丸味を帯びた突起が多数形成されている。この多結晶焼結体ペレットを用いて酸化マグネシウム膜を成膜すると、表面が平坦な多結晶焼結体ペレットを用いた場合と比べて、広範囲にわたって均質性の高い酸化マグネシウム膜を短時間で成膜することができることの理由は明らかではないが、表面に形成された突起の分だけ電子ビームの照射面積が広くなり、酸化マグネシウム蒸気の生成量が増えるためと考えられる。また、突起の先端が丸味を帯びているので、電子ビームを突起の全体に均一に照射することができる。このため、酸化マグネシウム蒸気の生成量も安定し、突起の先端が欠けにくくなる。
【0022】
本発明の酸化マグネシウム蒸着材の突起の高さは、突起の底部の直径に対して1/5〜4/5の範囲にあることが好ましく、1/5〜3/5の範囲にあることがより好ましい。また、突起底部の平均直径が1〜20μmの範囲にあることが好ましく、1〜10μmの範囲にあることがより好ましい。
【0023】
突起の個数は、100μm×100μm当たり、1〜10000個の範囲にあることが好ましく、25〜1000個の範囲にあることがより好ましい。
【0024】
本発明の酸化マグネシウム蒸着材において、多結晶焼結体ペレットの結晶粒子の大きさは、1〜200μmの範囲にあることが好ましく、1〜100μmの範囲にあることがより好ましい。
【0025】
【実施例】
[実施例1]
気相酸化反応法により製造された酸化マグネシウム粉末(純度:99.985質量%、比表面積:7.5m2/g、一次粒子の形状:立方体)50質量部を、ポリエチレングリコール濃度6質量%、及びポリカルボン酸アンモニウム塩濃度1質量%の水50質量部に混合分散して、酸化マグネシウム濃度50質量%、ポリエチレングリコール濃度3質量%、及びポリカルボン酸アンモニウム塩濃度0.5質量%の酸化マグネシウムスラリ(温度:25℃)を調製した。調製後スラリ温度を25℃に維持しながら速やかに(約15分後)、この酸化マグネシウムスラリをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥(乾燥温度:230℃)して、酸化マグネシウム粉末の造粒物を得た。得られた造粒物は、平均粒子径が50μm、水和率が約1質量%であった。この造粒物を成形圧2トン/cm2にてペレット状(直径6.0mm、高さ:2.5mm、成形体密度:2.19g/cm3)に成形した。そして最後に、ペレット状成形体を、電気炉を用いて1650℃の温度で2時間焼成して、酸化マグネシウム粉末を焼結させた。
【0026】
得られた酸化マグネシウム焼結体ペレットの純度及び相対密度を測定したところ、純度は99.981質量%、相対密度は96.1%であった。
【0027】
得られた酸化マグネシウム焼結体ペレットの表面(平坦部)を、電子顕微鏡を用いて真上から観察した。その電子顕微鏡により得られた画像を図1に示す。図1に示すように、焼結体ペレットの表面には直径が約1〜10μmの酸化マグネシウム結晶粒子が形成されていることがわかる。
【0028】
得られた酸化マグネシウム焼結体ペレットを図2に示すように、厚さ方向に切断して、焼結体ペレット1の表面2を、電子顕微鏡を用いて表面2に対して角度θ(約45度)にて傾けて切断面3側から観察した。その電子顕微鏡により得られた画像を図3に示す。図3に示すように、焼結体ペレットの表面には、先端が丸味を帯びた突起が多数形成されていることがわかる。また、電子顕微鏡の画像から10個の突起を選び、その突起底部の直径を測定したところ、その平均直径は2.0μmであった。さらに、その突起の高さを測定し、下記の式により補正したところ、補正後の突起の高さは底部の直径に対して1/5〜3/5の範囲にあった。
【0029】
【数1】
突起の高さ=電子顕微鏡画像から測定された突起の高さ×sin(90−θ)
但し、θは、電子顕微鏡画像を得たときの焼結体ペレットの傾き
【0030】
【発明の効果】
本発明の酸化マグネシウム粉末を原料として用いることによって、表面に先端が丸味を帯びた突起が多数形成されている多結晶の焼結体ペレットを製造することができる。そして、その焼結体ペレットは、AC型プラズマディスプレイパネルの酸化マグネシウム膜の成膜用の蒸着材として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1にて製造した酸化マグネシウム焼結体ペレットの表面を、真上から観察した電子顕微鏡の画像である。
【図2】酸化マグネシウム焼結体ペレットを傾けて、その表面を観察する方法を説明するための図である。
【図3】実施例1にて製造した酸化マグネシウム焼結体ペレットを傾けて、その表面を観察した電子顕微鏡の画像である。
【符号の説明】
1 酸化マグネシウム焼結体ペレット
2 表面
3 切断面
Claims (4)
- 純度が99.98質量%より高く、比表面積が5〜10m2/gの範囲にあり、かつ一次粒子の形状が立方体であることを特徴とする電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を成膜するための酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末。
- 純度が99.985質量%以上にあることを特徴とする請求項1に記載の酸化マグネシウム粉末。
- 比表面積が7〜9m2/gの範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の酸化マグネシウム粉末。
- 気相酸化反応法により製造されたものであることを特徴とする請求項1に記載の酸化マグネシウム粉末。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002247586A JP4255256B2 (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 |
| KR1020030059296A KR100850655B1 (ko) | 2002-08-27 | 2003-08-26 | 산화마그네슘 증착재 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002247586A JP4255256B2 (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004084017A true JP2004084017A (ja) | 2004-03-18 |
| JP4255256B2 JP4255256B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=32055193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002247586A Expired - Lifetime JP4255256B2 (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4255256B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005330574A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-12-02 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材 |
| JP2005330589A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-12-02 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 |
| JP2007091525A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 酸化マグネシウム粉末、酸化マグネシウム成形体用前駆体、それらの製造方法および酸化マグネシウム成形体並びに酸化マグネシウム焼結体ペレット |
| JP2007254250A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 高純度水酸化マグネシウム粉末及びその製造方法 |
| JP2008239475A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Ube Material Industries Ltd | 塩素含有酸化マグネシウム粉末 |
| US8518536B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-08-27 | Tateho Chemical Industries Co., Ltd. | Magnesium oxide particle aggregate and method for producing the same |
| CN116492942A (zh) * | 2022-01-19 | 2023-07-28 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种具有多孔微球结构的无机功能粉体材料及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011223A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-21 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | 繊維状酸化マグネシウム及びその製法 |
| JPS61122106A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Ube Ind Ltd | 微粉末状マグネシウム酸化物の製造方法 |
| JPH01188459A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Ube Ind Ltd | 高純度マグネシア焼結体及びその製造法 |
| JPH10130827A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-19 | Mitsubishi Materials Corp | MgOターゲット及びその製造方法 |
| JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JPH10297955A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JPH10297956A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JP2000169956A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Japan Energy Corp | スパッタリング用MgOターゲット及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002247586A patent/JP4255256B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011223A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-21 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | 繊維状酸化マグネシウム及びその製法 |
| JPS61122106A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Ube Ind Ltd | 微粉末状マグネシウム酸化物の製造方法 |
| JPH01188459A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Ube Ind Ltd | 高純度マグネシア焼結体及びその製造法 |
| JPH10130827A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-19 | Mitsubishi Materials Corp | MgOターゲット及びその製造方法 |
| JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JPH10297955A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JPH10297956A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
| JP2000169956A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Japan Energy Corp | スパッタリング用MgOターゲット及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 工業材料 1991年3月別冊 '91年版ファインセラミックスデータブック, vol. 第39巻、第4号, JPN6008002619, March 1991 (1991-03-01), pages 27, ISSN: 0000966523 * |
| 西田明生、植木明、増田英典: "気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質", 材料, vol. 第36巻、第410号, JPN6008002621, November 1987 (1987-11-01), pages 1157 - 1161, ISSN: 0000966522 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005330574A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-12-02 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材 |
| JP2005330589A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-12-02 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 |
| JP2007091525A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 酸化マグネシウム粉末、酸化マグネシウム成形体用前駆体、それらの製造方法および酸化マグネシウム成形体並びに酸化マグネシウム焼結体ペレット |
| JP2007254250A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 高純度水酸化マグネシウム粉末及びその製造方法 |
| JP2008239475A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Ube Material Industries Ltd | 塩素含有酸化マグネシウム粉末 |
| JP2013047176A (ja) * | 2007-03-01 | 2013-03-07 | Ube Material Industries Ltd | 塩素含有酸化マグネシウム粉末 |
| KR101492628B1 (ko) | 2007-03-01 | 2015-02-12 | 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 | 염소 함유 산화마그네슘 분말 |
| US8518536B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-08-27 | Tateho Chemical Industries Co., Ltd. | Magnesium oxide particle aggregate and method for producing the same |
| CN116492942A (zh) * | 2022-01-19 | 2023-07-28 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种具有多孔微球结构的无机功能粉体材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4255256B2 (ja) | 2009-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5071800A (en) | Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof | |
| JP5169888B2 (ja) | 複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法 | |
| EP2181964A1 (en) | Titanic acid compound, process for producing the titanic acid compound, electrode active material containing the titanic acid compound, and storage device using the electrode active material | |
| JP2009203554A (ja) | 酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜 | |
| JP2010132467A (ja) | 酸化物の製造方法 | |
| JP6161467B2 (ja) | 固体酸化物型燃料電池用複合酸化物粉末及びその製造方法 | |
| JP4984204B2 (ja) | 酸化インジウム粉末およびその製造方法 | |
| WO2012127771A1 (ja) | 酸化マグネシウム焼結体の製造方法 | |
| JP4255256B2 (ja) | 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 | |
| JP4255255B2 (ja) | 酸化マグネシウム蒸着材 | |
| KR100997068B1 (ko) | 산화마그네슘 증착재 | |
| KR20040105852A (ko) | 리튬함유 복합산화물 및 그 제조방법 | |
| JP4579488B2 (ja) | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 | |
| JP4575035B2 (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JP3289335B2 (ja) | 酸化インジウム粉末及びito焼結体の製造方法 | |
| TW202239735A (zh) | 釔鋁石榴石粉末及其合成方法 | |
| JP2005330574A (ja) | 酸化マグネシウム蒸着材 | |
| TWI431135B (zh) | ZnO蒸鍍材及其製造方法,與ZnO膜 | |
| JPH10158826A (ja) | MgOターゲット及びその製造方法 | |
| KR100850655B1 (ko) | 산화마그네슘 증착재 | |
| JP4611138B2 (ja) | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 | |
| JP4721660B2 (ja) | 電灯用電極材料及びその製造方法 | |
| JP2006069811A (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JP2004043955A (ja) | MgO蒸着材およびその製造方法、MgO膜の製造方法 | |
| JP2007138198A (ja) | 蒸着材用酸化マグネシウム焼結体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090120 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090127 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4255256 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |