[go: up one dir, main page]

JP2004080993A - パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置 - Google Patents

パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004080993A
JP2004080993A JP2003293380A JP2003293380A JP2004080993A JP 2004080993 A JP2004080993 A JP 2004080993A JP 2003293380 A JP2003293380 A JP 2003293380A JP 2003293380 A JP2003293380 A JP 2003293380A JP 2004080993 A JP2004080993 A JP 2004080993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection
substrate
power semiconductor
conductor
paths
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003293380A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Heinrich Heilbronner
ハインリヒ ハイルブロンナー
Thomas Stockmeier
トーマス シュトックマイアー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Publication of JP2004080993A publication Critical patent/JP2004080993A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H10W44/501
    • H10W90/00
    • H10W72/534
    • H10W72/5363
    • H10W72/5445
    • H10W72/5473
    • H10W72/5475
    • H10W72/926
    • H10W90/753
    • H10W90/756

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
JP2003293380A 2002-08-16 2003-08-14 パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置 Pending JP2004080993A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10237561A DE10237561C1 (de) 2002-08-16 2002-08-16 Induktivitätsarme Schaltungsanordnung bzw. Schaltungsaufbau für Leistungshalbleitermodule

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004080993A true JP2004080993A (ja) 2004-03-11

Family

ID=28051357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003293380A Pending JP2004080993A (ja) 2002-08-16 2003-08-14 パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7227259B2 (de)
EP (1) EP1389820B1 (de)
JP (1) JP2004080993A (de)
DE (1) DE10237561C1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504999A (ja) * 2009-09-16 2013-02-07 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング パワー半導体モジュール、および、パワー半導体回路装置
JP2016523504A (ja) * 2013-06-19 2016-08-08 プロティアン エレクトリック リミテッドProtean Electric Limited 電気モータまたは発電機用インバータ
JP2019021671A (ja) * 2017-07-12 2019-02-07 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP2025509439A (ja) * 2022-03-11 2025-04-11 ヒタチ・エナジー・リミテッド パワーモジュールおよびパワーモジュールを製造するための方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10316356B4 (de) * 2003-04-10 2012-07-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul
JP4081611B2 (ja) * 2003-11-19 2008-04-30 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US7301755B2 (en) * 2003-12-17 2007-11-27 Siemens Vdo Automotive Corporation Architecture for power modules such as power inverters
US7230333B2 (en) 2005-04-21 2007-06-12 International Rectifier Corporation Semiconductor package
US8253179B2 (en) * 2005-05-13 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
DE102005039278A1 (de) * 2005-08-19 2007-02-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Leitungselement
US8069208B2 (en) * 2006-04-21 2011-11-29 Microsoft Corporation Peer-to-peer buddy request and response
WO2007142038A1 (ja) * 2006-06-09 2007-12-13 Honda Motor Co., Ltd. 半導体装置
WO2008099822A1 (ja) 2007-02-14 2008-08-21 Alps Electric Co., Ltd. センサチップ、検出装置および検出装置の製造方法
US7773381B2 (en) * 2007-09-26 2010-08-10 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
DE102008008853B4 (de) * 2008-02-13 2010-05-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Bondverbindung
US8138585B2 (en) * 2008-05-28 2012-03-20 Fairchild Semiconductor Corporation Four mosfet full bridge module
US20100149771A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Cree, Inc. Methods and Apparatus for Flexible Mounting of Light Emitting Devices
CN101453158B (zh) * 2008-12-26 2011-09-21 南京银茂微电子制造有限公司 一种用于小型变频器的功率模块
DE102009024385B4 (de) * 2009-06-09 2011-03-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung
US8076696B2 (en) * 2009-10-30 2011-12-13 General Electric Company Power module assembly with reduced inductance
DE102010002627B4 (de) 2010-03-05 2023-10-05 Infineon Technologies Ag Niederinduktive Leistungshalbleiterbaugruppen
JP5370440B2 (ja) 2011-08-31 2013-12-18 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
US8637964B2 (en) * 2011-10-26 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Low stray inductance power module
JP5763026B2 (ja) * 2012-09-24 2015-08-12 株式会社東芝 半導体装置
US9571086B1 (en) 2012-12-05 2017-02-14 Lockheed Martin Corporation Bi-directional switch
JP6102297B2 (ja) * 2013-02-06 2017-03-29 富士電機株式会社 半導体装置
KR102034717B1 (ko) 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
JP5975177B2 (ja) * 2013-07-16 2016-08-23 三菱電機株式会社 半導体装置
EP3166144B1 (de) 2014-07-03 2019-08-07 Nissan Motor Co., Ltd Halbbrückenleistungshalbleitermodul und herstellungsverfahren dafür
DE102014219998B4 (de) * 2014-10-02 2020-09-24 Vitesco Technologies GmbH Leistungsmodul, Leistungsmodulgruppe, Leistungsendstufe sowie Antriebssystem mit einer Leistungsendstufe
WO2016084241A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 日産自動車株式会社 ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
WO2016129097A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社日産アーク ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
WO2017006809A1 (ja) 2015-07-09 2017-01-12 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
US9972569B2 (en) * 2016-04-12 2018-05-15 General Electric Company Robust low inductance power module package
EP3246945B1 (de) 2016-05-19 2018-10-03 ABB Schweiz AG Leistungsmodul mit niedriger parasitärer induktivität
JP6694589B2 (ja) * 2016-06-02 2020-05-20 株式会社ジェイテクト パワーモジュール
DE102016214741B4 (de) 2016-08-09 2022-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Aufbau für mindestens einen mit elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen bestückten Träger
CN110785842B (zh) * 2017-05-02 2023-10-20 日立能源瑞士股份公司 具有dc端子的同轴布置的半桥模块
CN107342313A (zh) * 2017-08-15 2017-11-10 杭州浙阳电气有限公司 门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块
DE102018109996B4 (de) * 2018-04-25 2020-06-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung
JP7135949B2 (ja) * 2019-03-14 2022-09-13 株式会社デンソー 電力変換装置
WO2023107255A1 (en) 2021-12-08 2023-06-15 Canoo Technologies Inc. Low-inductance dual-full bridge power supply module with integrated sensing
DE102022205514A1 (de) * 2022-05-31 2023-11-30 Vitesco Technologies GmbH Halbbrückenmodul mit parallel geführten Versorgungs-Zuleitungen verbunden mit isolierten Anschlussflächen zwischen zwei Streifenabschnitten sowie mit einem der Streifenabschnitte einer Leiterbahnschicht
IT202200013243A1 (it) * 2022-06-22 2023-12-22 St Microelectronics Srl Modulo di potenza per circuito a semiponte con architettura scalabile e layout perfezionato
US20250080111A1 (en) * 2023-08-29 2025-03-06 Visic Technologies Ltd. Low on-resistance high power switch

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0064856B1 (de) * 1981-05-12 1986-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company Multiphasen-Brückenanordnung
US4907068A (en) 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
US4816984A (en) * 1987-02-06 1989-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Bridge arm with transistors and recovery diodes
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
US5731970A (en) * 1989-12-22 1998-03-24 Hitachi, Ltd. Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device
JP3053298B2 (ja) * 1992-08-19 2000-06-19 株式会社東芝 半導体装置
DE59304797D1 (de) * 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
JP2838625B2 (ja) * 1992-09-08 1998-12-16 株式会社日立製作所 半導体モジュール
US5422440A (en) * 1993-06-08 1995-06-06 Rem Technologies, Inc. Low inductance bus bar arrangement for high power inverters
DE69535775D1 (de) * 1994-10-07 2008-08-07 Hitachi Ltd Halbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen
JPH0969603A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法
JP3013794B2 (ja) * 1996-12-10 2000-02-28 富士電機株式会社 半導体装置
DE19719703C5 (de) 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
JP3521757B2 (ja) * 1998-09-08 2004-04-19 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール電極構造
JP3633432B2 (ja) * 2000-03-30 2005-03-30 株式会社日立製作所 半導体装置及び電力変換装置
DE10037533C1 (de) 2000-08-01 2002-01-31 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
US20020034088A1 (en) * 2000-09-20 2002-03-21 Scott Parkhill Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance
JP4461639B2 (ja) * 2001-05-29 2010-05-12 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US6987670B2 (en) * 2003-05-16 2006-01-17 Ballard Power Systems Corporation Dual power module power system architecture
US6906404B2 (en) * 2003-05-16 2005-06-14 Ballard Power Systems Corporation Power module with voltage overshoot limiting

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504999A (ja) * 2009-09-16 2013-02-07 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング パワー半導体モジュール、および、パワー半導体回路装置
JP2016523504A (ja) * 2013-06-19 2016-08-08 プロティアン エレクトリック リミテッドProtean Electric Limited 電気モータまたは発電機用インバータ
JP2019021671A (ja) * 2017-07-12 2019-02-07 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP2025509439A (ja) * 2022-03-11 2025-04-11 ヒタチ・エナジー・リミテッド パワーモジュールおよびパワーモジュールを製造するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10237561C1 (de) 2003-10-16
EP1389820A3 (de) 2005-03-30
US20050024805A1 (en) 2005-02-03
US7227259B2 (en) 2007-06-05
EP1389820A2 (de) 2004-02-18
EP1389820B1 (de) 2014-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004080993A (ja) パワー半導体モジュールのための低インダクタンスの回路装置
JP6047423B2 (ja) 半導体モジュール
US9196572B2 (en) Power semiconductor module
JP7498814B2 (ja) 半導体モジュール
JP3796529B2 (ja) 低インダクタンスの回路装置
US20190150268A1 (en) Semiconductor device
KR101946074B1 (ko) 3 레벨 컨버터 하프 브리지
US8040707B2 (en) Power converter
US20230197557A1 (en) Double-sided heat dissipation power semiconductor module and method of manufacturing the same
JP3677519B2 (ja) 電力用半導体モジュール
CN112928562B (zh) 电子电路单元
US11817794B2 (en) Electronic circuit module
CN109768694A (zh) 一种具有熔断器的功率模块
US11973065B2 (en) Semiconductor arrangements
CN109560067A (zh) 一种分边连接功率电极组合及功率模块
JP4246040B2 (ja) 半導体装置の実装体
US12334427B2 (en) Semiconductor device
JP2001085612A (ja) 相補型igbtの実装構造
US20240297148A1 (en) Power module with improved semiconductor die arrangement for active clamping
JP2008054495A (ja) 電流印加されたパワー回路のための低インダクタンスのパワー半導体モジュール
JP2025106211A (ja) 電力モジュール、及び静止型電力変換器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090303

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090804