JP2004079022A - 光記録媒体及び光記録方法 - Google Patents

Abstract

【課題】追記型光記録媒体の特徴を備えつつ資源の有効活用や環境保護が達成可能である新たなタイプの光記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられた記録層１４とを備え、レーザビームの照射によって記録層１４の所定の領域に記録マークを形成可能な光記録媒体であって、記録層１４は、レーザビームの照射によって不可逆的な記録マークを形成可能な第１の初期状態及びレーザビームの照射によって可逆的な記録マークを形成可能な第２の初期状態を取り得る。これにより、記録層１４のうち未記録領域を第１の初期状態とすれば追記型の光記録媒体として利用することができ、第２の初期状態とすれば書き換え型の光記録媒体として利用することができるので、追記型光記録媒体として利用した後であっても、書き換え型光記録媒体として再利用することが可能となる。
【選択図】　　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体及び光記録方法に関し、さらに詳細には、データが消失しにくいという追記型光記録媒体の特徴を備えつつ、リサイクルにより資源の有効活用や環境保護が達成可能である新たなタイプの光記録媒体及びこのような光記録媒体に対する光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。追記型光記録媒体は書き換え型光記録媒体とは違い、一旦データを記録した場合これを消去したり書き換えたりすることができないが、このことはデータの改竄ができないことを意味するため、データの改竄防止が求められる用途において重要な役割を果たしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、追記型光記録媒体はデータの改竄ができない点が重要な特徴である一方で、いかなる場合にもデータの書き換えができないとすると、データの消失が十分に防止される限りにおいて改竄をそれほど問題視する必要がない用途、例えば、一般ユーザがデジタルカメラ等で撮影した画像ファイルを保存するような用途においては、記録したデータを消したい場合であってもこれが不可能であるため、この場合には光記録媒体自体を廃棄せざるを得ず、資源の有効活用や環境保護の観点からは問題があった。したがって、このような用途においては通常書き換え型の光記録媒体が使用されるが、書き換え型光記録媒体では記録されたデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）することが可能であるため、重要なデータを誤って消去する可能性がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、データが消失しにくいという追記型光記録媒体の特徴を備えつつ、リサイクルにより資源の有効活用や環境保護が達成可能である新たなタイプの光記録媒体及びこのような光記録媒体に対する光記録方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、データが消失しにくいという追記型光記録媒体の特徴を備えつつ、リサイクルにより資源の有効活用や環境保護が達成可能である新たなタイプの光記録媒体を開発すべく本発明者らが鋭意研究を行った結果なされたものであり、本発明の一側面による光記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた記録層とを備え、レーザビームの照射によって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な光記録媒体であって、前記記録層は、前記レーザビームの照射によって不可逆的な記録マークを形成可能な第１の初期状態及び前記レーザビームの照射によって可逆的な記録マークを形成可能な第２の初期状態を取り得ることを特徴とする。
【０００８】
本発明の上記側面によれば、記録層のうち未記録領域を第１の初期状態とすれば追記型の光記録媒体として利用することができ、第２の初期状態とすれば書き換え型の光記録媒体として利用することができるので、追記型光記録媒体として利用した後であっても、書き換え型光記録媒体として再利用することが可能となる。このため、追記型光記録媒体として利用している光記録媒体内のデータを消したい場合であっても、これを廃棄する必要はないので、資源の有効活用及び環境保護を達成することが可能となる。したがって、本発明による光記録媒体は、データの消失が十分に防止される限りにおいて改竄をそれほど問題視する必要がない用途において好適に利用することができる。
【０００９】
また、前記記録層は、前記レーザビームの照射によって前記第１の初期状態から前記第２の初期状態に不可逆的に変化可能であることが好ましい。この場合、前記第１の初期状態は、前記記録層が少なくとも第１の無機材料を主成分とする第１の反応層と第２の無機材料を主成分とする第２の反応層とが積層された状態であることが好ましく、前記第１の無機材料はＣｕ、Ａｇ又はＺｎであり、前記第２の無機材料はＳｉ又はＧｅであることがさらに好ましい。これによれば、追記型光記録媒体としての特性及び書き換え型光記録媒体としての特性の両方を満足することが可能となる。また、廃棄された場合であっても、環境に与える負荷を小さく抑えることが可能となる。
【００１０】
さらに、前記記録層に含まれる前記第１の無機材料と前記第２の無機材料との原子比が、２０：８０〜８０：２０の範囲内であることが特に好ましい。第１の無機材料と第２の無機材料との原子比をこのように設定すれば、次世代型の光記録媒体用のレーザビーム（波長λ＝約４０５ｎｍ）を用いた場合において、高い記録感度及びＣ／Ｎ比を得ることが可能となる。
【００１１】
また、前記記録層には、前記第１の初期状態である領域と前記第２の初期状態である領域とが混在していても構わない。この場合、一つの光記録媒体のうちある部分を追記型として利用し、他の部分を書き換え型として利用することが可能となる。
【００１２】
また、本発明による光記録媒体は、前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた厚さ１０μｍ〜３００μｍの光透過層をさらに備え、前記レーザビームを前記光透過層側から照射することによって前記記録マークの形成が可能であることが好ましい。このような構成は、次世代型の光記録媒体の構成であり、次世代型の光記録媒体に対する記録／再生システムを用いることにより、ビームスポット径を小さく絞ることができることから、高密度記録及び高データ転送レートを実現することが可能となる。また、このような記録／再生システムを用いた場合、現行の記録／再生システムを用いた場合と比べてビームスポット上におけるエネルギー密度が非常に高くなることから、レーザビームの照射によって記録層を上記第１及び第２の初期状態とすることが容易となる。現行の記録／再生システムにおけるエネルギー密度では、記録層を上記第１及び第２の初期状態とすることは困難である。
【００１３】
また、本発明による光記録媒体は、波長λと開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下であるレーザビーム及びこれを集光するための対物レンズを用いて、前記記録層に消去可能な記録マークを形成可能であることが好ましい。これによれば、ビームスポットのエネルギー密度が十分に高められることから、一般に追記型光記録媒体に用いられる記録層に可逆的な記録マークを形成することが可能となる。
【００１４】
一方、本発明の一側面による光記録方法は、基板と、前記基板上に設けられた記録層とを備える光記録媒体に対し、強度が実質的に固定された直流レーザビームを照射することによって、前記記録層を不可逆的な記録マークの形成が可能な第１の初期状態から可逆的な記録マークの形成が可能な第２の初期状態に変化させることを特徴とする。
【００１５】
本発明の上記側面によれば、未記録領域が第１の初期状態となっている追記型光記録媒体から未記録領域が第２の初期状態となっている書き換え型光記録媒体に変化させることができるので、追記型光記録媒体として利用している光記録媒体内のデータを消したい場合であっても、これを廃棄する必要はなく、資源の有効活用及び環境保護を達成することが可能となる。
【００１６】
ここで、前記記録層に不可逆的な記録マークを形成するためには、強度変調されたレーザビームを前記第１の初期状態となっている前記記録層に照射すればよく、前記記録層に可逆的な記録マークを形成するためには、強度変調されたレーザビームを前記第２の初期状態となっている前記記録層に照射すればよい。
【００１７】
また、前記第１の初期状態は、前記記録層が少なくともＣｕ、Ａｇ又はＺｎを主成分とする第１の反応層とＳｉ又はＧｅを主成分とする第２の反応層とが積層された状態であり、前記不可逆的な記録マークは、前記第１の反応層を構成する材料と前記第２の反応層を構成する材料とが混合された領域であることが好ましい。これによれば、追記型光記録媒体としての特性及び書き換え型光記録媒体としての特性の両方を満足することが可能となり、また、廃棄された場合であっても、環境に与える負荷を小さく抑えることが可能となる。
【００１８】
また、前記レーザビームの波長λと、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下であることが好ましい。これによれば、ビームスポットのエネルギー密度が十分に高められることから、一般に追記型光記録媒体に用いられる記録層に可逆的な記録マークを形成することができるので、書き換え型光記録媒体として利用することが可能となる。さらに、前記レーザビームを前記記録層から見て前記基板とは反対側から照射することが好ましい。
【００１９】
本発明の他の側面による光記録方法は、基板と、光透過層と、前記基板と前記光透過層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎ及びＳｉ又はＧｅの一方を主成分とし他方を副成分とする複数の成分が混合された記録層とを備える光記録媒体に対し、前記光透過層側から強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層に消去可能な記録マークを形成する光記録方法であって、前記レーザビームの波長λと、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）を６４０ｎｍ以下に設定することを特徴とする。
【００２０】
本発明の上記側面によれば、ビームスポットのエネルギー密度が十分に高められることから、一般に追記型光記録媒体に用いられる記録層に消去可能な記録マークを形成することができるので、書き換え型光記録媒体として利用することが可能となる。また、前記記録マークを消去するためには、前記光透過層側から強度が実質的に固定された直流レーザビームを照射すればよい。
【００２１】
尚、本明細書において、「主成分」とは当該層を構成する材料のうち最も含有量の多い元素又は化合物を差し、「副成分」とは、当該層を構成する材料のうち主成分に次いで最も含有量の多い元素又は化合物を差す。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の第１の初期状態（製造直後の未記録状態を指す）における構造を示す断面図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設けられた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体１０の中央部分には孔１７が設けられている。このような構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１６側からレーザビームを照射することによってデータの記録／再生が行われる。
【００２５】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【００２６】
反射層１２は、光透過層１６側から入射されるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料を用いることが好ましい。尚、光記録媒体１０に反射層１２を設けることは必須でないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。また、反射層１２の腐食防止を目的として、基板１１と反射層１２との間に誘電体からなる防湿層を介在させても構わない。
【００２７】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。
【００２８】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であっても構わない。なお、「ＺｎＳ・ＳｉＯ_２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を意味する。
【００２９】
また、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生するおそれがある。
【００３０】
記録層１４は記録マークが形成される層であり、第１の初期状態（製造直後の未記録状態）においては、図２（ａ）に示すように反応層３１及びこれに接して設けられた反応層３２からなる積層構造を有している。反応層３２は基板１１側に配置され、反応層３１は光透過層１６側に配置されている。このように、第１の初期状態においては、図２（ａ）に示すように反応層３１と反応層３２が積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に混合されて第１の記録マークＭ１となる。このとき、記録層１４において第１の記録マークＭ１の形成された混合部分とそれ以外の部分（第１の初期状態となっている部分）とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３１】
ここで、反応層３１及び反応層３２の一方はＣｕ、Ａｇ又はＺｎを主成分とし、他方はＳｉ又はＧｅを主成分とする。また、上記一方の反応層の主成分はＣｕであることが好ましく、上記他方の主成分はＳｉであることが好ましい。また、上記一方の反応層の主成分であるＣｕには、Ａｇが添加されていることがより好ましい。
【００３２】
また、特に限定されるものではないが、一方の反応層の主成分であるＣｕ、Ａｇ又はＺｎと他方の反応層の主成分であるＳｉ又はＧｅとの比（原子比）は、２０：８０〜８０：２０の範囲内であることが好ましく、５０：５０〜７０：３０の範囲内であることがより好ましい。Ｓｉ又はＧｅの原子比が２０％未満であると（Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの原子比が８０％超であると）、次世代型の光記録媒体に対して用いられるレーザビームの波長域（約４０５ｎｍ）において記録層１４の吸収が不十分となるので、記録感度が低くなり過ぎるとともに得られるＣ／Ｎ比も不十分となる。逆に、Ｓｉ又はＧｅの原子比が８０％超であると（Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの原子比が２０％未満であると）、記録の前後における反射率の差が小さくなるので、やはりＣ／Ｎ比が不十分となる。
【００３３】
反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素が混合されてなる第１の記録マークＭ１は、当然ながら元の積層状態に戻すことはできない。したがって、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型光記録媒体として用いることが可能となる。
【００３４】
しかしながら、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、後述する「初期化工程」を経ることによって、一部又は全部のトラックを図３（ａ）に示す「第２の初期状態」とすることができる。第２の初期状態となったトラックは、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって記録層１４内の組成分布及び／又は相状態が変化し、図３（ｂ）に示すように第２の記録マークＭ２が形成される。このとき、記録層１４において第２の記録マークＭ２が形成された混合部分とそれ以外の部分（第２の初期状態となっている部分）とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３５】
しかも、一旦第２の記録マークＭ２を形成したトラックは、上述した初期化工程を経ることによって再び第２の初期状態に戻すことができる。したがって、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、書き換え型光記録媒体としても用いることが可能となる。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型光記録媒体として利用することができる他、書き換え型光記録媒体としても利用することが可能である。
【００３６】
ここで、光記録媒体１０を追記型光記録媒体として利用する場合であっても、その後初期化工程を行うことによって書き換え型光記録媒体として利用可能である必要があることから、第１の記録マークＭ１の形成に際しては、記録層１４や第１及び第２の誘電体層１５、１３の変形を防止する必要がある。また、光記録媒体１０を書き換え型光記録媒体として利用する場合には、当然ながら、第２の記録マークＭ２の形成に際して記録層１４や第１及び第２の誘電体層１５、１３の変形を防止する必要がある。
【００３７】
ここで、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型光記録媒体として用いる場合には対象となるトラックが第１の初期状態である必要があり、書き換え型光記録媒体として用いる場合には対象となるトラックが第２の初期状態である必要があることから、上述した初期化工程を実行しない限り、追記型光記録媒体としての光記録媒体１０に記録したデータを消去・改竄することはできない。後述するように、かかる初期化工程はレーザビームの照射によって行うことが可能であるため、ユーザが使用する光記録装置（ドライブ）において実行可能であるが、通常の記録／再生とは手順が大きく異なるため、初期化工程の実行を想定していない一般的なドライブにおいてはこれを容易に行うことはできず、また、初期化工程には通常の記録／再生に比べて長い時間がかかる。このため、追記型光記録媒体として使用している光記録媒体１０をユーザが誤って初期化する可能性は非常に少なく、また、一般的なドライブを用いて第三者が意図的に初期化することも困難であることから、追記型光記録媒体として求められる特性を実用的なレベルにおいて満たすことが可能となる。
【００３８】
光記録媒体１０に対するデータの記録方法及び初期化工程の実行方法の詳細については後述する。
【００３９】
光透過層１６は、レーザビームの入射面を構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好ましい。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化性樹脂を硬化させてなる膜の代わりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１６を形成してもよい。
【００４０】
次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００４１】
まず、スタンパを用いてグルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する基板１１を射出成形する。次に、基板１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成された側の面に反射層１２を形成する。反射層１２の形成には、例えば反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４２】
次に、反射層１２上に第２の誘電体層１３を形成する。第２の誘電体層１３も、反射層１２と同様にして、第２の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。さらに、第２の誘電体層１３上に記録層１４を構成する反応層３２を形成する。この反応層３２も、第２の誘電体層１３と同様にして、反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。さらに、反応層３２上に反応層３１を形成する。反応層３１も、反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。その後、反応層３１上に第１の誘電体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００４３】
最後に、第１の誘電体層１５上に光透過層１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００４４】
なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００４５】
上述したように、製造直後における光記録媒体１０は第１の初期状態となっている。但し、製造段階において反応層３１、３２の材料を混合した状態で記録層１４を形成しても構わない。この場合、本実施態様にかかる光記録媒体１０は書き換え型光記録媒体として用いられることになる。この場合においても、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎとＳｉ又はＧｅとの比（原子比）は、２０：８０〜８０：２０の範囲内であることが好ましく、５０：５０〜７０：３０の範囲内であることがより好ましい。その理由は、上述の通りである。
【００４６】
次に、上記光記録媒体１０に対する光記録方法及び初期化工程について説明する。
【００４７】
まず、追記型光記録媒体としての光記録媒体１０に対して光記録を行う場合の具体的なパルス列パターンについて説明する。ここで、「パルス列パターン」とは、第１及び第２の記録マークＭ１，Ｍ２を形成するために照射するレーザビームの最適な強度変調方法をいい、「記録ストラテジ」等と呼ばれることもある。
【００４８】
図４は、第１の初期状態となっている記録層１４に第１の記録マークＭ１を形成可能なパルス列パターンの一例を示す図であり、（ａ）は１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は１，７ＲＬＬ変調方式における３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００４９】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の記録マークＭ１を形成するためパルス列パターンにおいては、記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビームのパワーは各分割パルスのピークにおいて記録パワー（Ｐｗ１）、その他の期間において基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。記録パワー（Ｐｗ１）の強度としては、照射によって反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、照射されても、反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素が実質的に混合しないようなレベルに設定される。
【００５０】
ここで、基底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）と同じ強度に設定しても構わないが、第１の記録マークＭ１の幅の広がりを十分に抑制可能である限り、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、基底パワー（Ｐｂ１）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定することが好ましい。基底パワー（Ｐｂ１）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、基底パワー（Ｐｂ１）によって記録パワー（Ｐｗ１）による加熱が補助されることから、第１の記録マークＭ１の形成に必要な記録パワー（Ｐｗ１）のレベルを抑制することが可能となる。
【００５１】
以上により、第１の記録マークＭ１を形成すべき領域においては、反応層３１を構成する元素及び反応層３２を構成する元素が混合することから（図２（ｂ）参照）、第１の記録マークＭ１の形成された領域と未記録領域（第１の初期状態となっている領域）と反射率を十分に異なった値とすることができる。
【００５２】
次に、初期化工程について説明する。
【００５３】
上述の通り、初期化工程とは、追記型光記録媒体として利用している光記録媒体１０を書き換え型光記録媒体として利用するために必要な工程であり、第１の記録マークＭ１が形成されているか否かに関わらず実行可能である。また、初期化工程は、光記録媒体１０の全トラックに対して行っても良いし、一部のトラックに対してのみ行っても良い。一部のトラックに対してのみ初期化工程を施した場合には、初期化工程が施された領域は書き換え型となり、それ以外の領域は追記型となる。したがって、この場合には１枚の光記録媒体内に追記型として用いられる領域と書き換え型として用いられる領域とが混在することになる。
【００５４】
初期化工程においては、レーザビームの強度が消去パワー（Ｐｅ）に設定され、消去すべきトラックに対し１回又は複数回、場合によっては数百回に亘って繰り返し照射される。消去パワー（Ｐｅ）のレベルは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、上述した記録パワー（Ｐｗ１）と基底パワー（Ｐｂ）との間のレベルに設定される。また、Ｃｕ、ＡｇまたはＺｎを主成分とする反応層に添加物が含まれていると、多くの場合、照射すべきレーザビームの回数が少なくて済む。
【００５５】
記録層１４が初期化されると、記録層１４に含まれる元素の深さ方向における組成分布に偏りが生じ、及び／又は、記録層１４に含まれる元素の一部が結晶化された状態となる。
【００５６】
このような初期化工程が行われると、これが施されたトラックは書き換え型となる。したがって、ユーザデータを記録するためのほぼ全トラックに対して初期化工程を施した場合、その後当該光記録媒体１０は書き換え型光記録媒体として用いられることになる。
【００５７】
このように、初期化工程においては、場合によってレーザビームを同一トラックに数回から数百回も照射する必要があることから、通常の記録／再生に比べて時間がかかり、また、一般的なドライブの通常動作とは大きく異なっていることから、ユーザが一般的なドライブを用いてこの初期化工程を行うのは困難である。したがって、初期化工程は、不要品となった光記録媒体１０をメーカが回収し、メーカ側において行うことが好ましい。これによれば、本来廃棄物として処理されるはずであった追記型の光記録媒体１０をメーカ側において書き換え型光記録媒体として再生することができ、資源の有効活用及び自然環境の保護に寄与することが可能となる。
【００５８】
但し、このことは初期化工程をユーザ側において行うべきでないことを意味するものではなく、ドライブにおいて初期化工程の実行が可能であれば、これをユーザ側で実行しても構わない。この場合、ユーザは、光記録媒体１０を追記型光記録媒体として利用した後、記録されたデータが不要となった場合、自ら初期化工程を実行することによりこれを書き換え型光記録媒体として再利用することができるので、上述と同様、資源の有効活用及び自然環境の保護に寄与することが可能となる。
【００５９】
また、光記録媒体１０が廃棄された場合であっても、本実施態様においては記録層１４の材料として上記物質を用いていることから、環境負荷が十分に抑制される。
【００６０】
このように、初期化工程はメーカが回収して実行するか、或いは、これを実行可能なドライブを用いユーザがある程度の時間をかけて行う必要がある。したがって通常の使用環境においては、追記型光記録媒体として利用している光記録媒体１０内のデータが消失する可能性は非常に低く、追記型光記録媒体に求められる特性を実用的なレベルにおいて満たすことが可能となる。
【００６１】
次に、書き換え型光記録媒体としての光記録媒体１０に対して光記録を行う場合の具体的なパルス列パターンについて説明する。
【００６２】
書き換え型光記録媒体としての光記録媒体１０に対して光記録を行う場合、第２の初期状態となっている記録層１４に第２の記録マークＭ２を形成可能なパルス列パターンが用いられ、その基本的なパターンは図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の記録マークＭ１を形成するためのパルス列パターンと同様のパターンを用いることができる。
【００６３】
具体的には、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の記録マークＭ２を形成するためパルス列パターンにおいても、記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビームのパワーは各分割パルスのピークにおいて記録パワー（Ｐｗ２）、その他の期間において基底パワー（Ｐｂ２）に設定される。記録パワー（Ｐｗ２）の強度としては、初期化された記録層１４の組成分布及び／又は相状態が変化し、これによって記録層１４の光学特性が変化するような高いレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ２）の強度としては、照射されても第２の初期状態が実質的に維持されるようなレベルに設定される。
【００６４】
ここで、記録パワー（Ｐｗ２）の強度としては、上述した記録パワー（Ｐｗ１）と同じ強度であっても異なる強度であっても構わない。同様に、基底パワー（Ｐｂ２）の強度についても、上述した基底パワー（Ｐｂ１）と同じ強度であっても異なる強度であっても構わない。
【００６５】
さらに、基底パワー（Ｐｂ２）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）と同じ強度に設定しても構わないが、第２の記録マークＭ２の幅の広がりを十分に抑制可能である限り、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、基底パワー（Ｐｂ２）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定することが好ましい。基底パワー（Ｐｂ２）の強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定すれば、基底パワー（Ｐｂ２）によって記録パワー（Ｐｗ２）による加熱が補助されることから、第２の記録マークＭ２の形成に必要な記録パワー（Ｐｗ２）のレベルを抑制することが可能となる。
【００６６】
以上により、第２の記録マークＭ２を形成すべき領域においては、初期化された記録層１４の組成分布及び／又は相状態が変化することから（図３（ｂ）参照）、第２の記録マークＭ２の形成された領域と未記録領域（第２の初期状態となっている領域）と反射率を十分に異なった値とすることができる。
【００６７】
以上が、本実施態様にかかる具体的なパルス列パターンである。
【００６８】
以上説明したパルス列パターンや初期化方法を特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決定したり初期化工程を実行することが可能となる。
【００６９】
記録条件設定情報としては、パルス列パターンや初期化方法のみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、記録層１４にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することによりパルス列パターンや初期化方法の特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００７０】
さて、光記録媒体１０に対して一度初期化工程を行った後は、書き換え型光記録媒体として利用可能であることから、上述の通り、再び初期化工程を施すことによって既に記録したデータを消去することが可能であるが、この場合に行う初期化工程は、追記型から書き換え型に変化させる際の初期化工程と比べて、消去パワー（Ｐｅ）に設定されたレーザビームの照射回数は少なくても良い。例えば、反応層３１及び反応層３２の一方がＣｕを主成分とする場合には、レーザビームの照射回数を２０回程度とすることができる。
【００７１】
また、製造段階において反応層３１、３２の材料を混合した状態で記録層１４を形成する場合には、記録層１４の材料によって、成膜工程が完了した時点で第２の初期状態となっている場合と、成膜工程が完了した後、さらに初期化工程を行うことによって第２の初期状態とする必要がある場合とに別れる。前者のように、成膜工程が完了した時点で記録層１４が第２の初期状態となるタイプの材料としては、Ｃｕ＋Ｓｉの混合材料、Ｃｕ＋Ａｌ＋Ｚｎ＋Ｓｉの混合材料、Ｃｕ＋Ａｌ＋Ａｕ＋Ｓｉの混合材料が挙げられ、後者のように、別途初期化工程が必要となるタイプの材料としては、Ａｇ＋Ｓｉの混合材料、Ｃｕ＋Ａｇ＋Ｓｉの混合材料が挙げられる。したがって、前者のタイプの材料を用いれば、初期化工程を行うことなく、直ちにデータの記録を行うことが可能となる。
【００７２】
図５は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行い、また、初期化工程を実行するための情報記録装置（ドライブ）５０の主要部を概略的に示す図である。
【００７３】
情報記録装置５０は、図５に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【００７４】
さらに、図５に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００７５】
尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。
【００７６】
また、ヘッド５３に含まれる対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ましく、生成するレーザビームの波長λは２００ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このようにして、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。レーザビームの波長λと対物レンズの開口数（ＮＡ）との関係をこのように設定すれば、ビームスポットのエネルギー密度が十分に高められることから、無機材料からなる記録層１４に可逆的な記録マークを形成することが可能となる。
【００７７】
このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターン等が決定される。また、このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対する初期化工程を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、同一トラックに対する直流レーザビームの強度（Ｐｅのレベル）や照射回数等が決定される。
【００７８】
このように、本実施態様による光記録媒体は、データが消失しにくいという追記型光記録媒体の特徴を備えつつ、初期化を行うことによって書き換え型光記録媒体として再利用することができることから、資源の有効活用や環境保護に寄与することが可能となる。
【００７９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００８０】
例えば、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両方を省略しても構わない。
【００８１】
また、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、記録層１４が積層された２つの反応層によって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、Ｃｕ，ＡｇまたはＺｎを主成分とする反応層とこれに隣接するＳｉまたはＧｅを主成分とする反応層を有するものであれば、３層以上の層から構成された記録層を有するものであってもよい。例えば、Ｃｕを主成分とする２つの反応層と、これら２つの反応層の間に配置されたＳｉを主成分とする反応層とからなる３層構造の記録層を有するものであってもよい。
【００８２】
さらに、上記実施態様にかかる光記録媒体１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が備えられているが、第１及び第２の記録マークＭ１、Ｍ２が形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【００８３】
さらに、上記実施態様においては、ビームスポットのエネルギー密度を十分に高めるために、レーザビームの波長λと対物レンズの開口数（ＮＡ）との関係をλ／ＮＡ≦６４０ｎｍに設定しているが、これはビームスポットのエネルギー密度を高める一つの例にすぎず、無機材料からなる記録層１４に可逆的な記録マークを形成可能な程度にビームスポットのエネルギー密度が高められる限りにおいて、他の方法を用いても構わない。
【００８４】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８５】
［光記録媒体の作製１］
（実施例１）
以下に示す手順により、図１（及び図２（ａ））に示す光記録媒体１０と同様の構成を有する光記録媒体を作製した。
【００８６】
まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板１１をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板１１上に、Ａｇ、Ｐｄ及びＣｕの混合物からなる反射層１２（層厚：１００ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物からなる第２の誘電体層１３（層厚：２８ｎｍ）、Ｃｕからなる反応層３２（層厚：５ｎｍ）、Ｓｉからなる反応層３１（層厚：５ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物からなる第１の誘電体層１５（層厚：２２ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。なお、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３においてＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０となるようにした。
【００８７】
そして、第１の誘電体層１５上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層１６（層厚：１００μｍ）を形成した。
【００８８】
これにより、実施例１の光記録媒体が完成した。作製直後における実施例１の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００８９】
（実施例２）
反応層３２の材料としてＣｕＡｌＺｎからなる合金（Ｃｕ＝７０ａｔｍ％、Ａｌ＝１４ａｔｍ％、Ｚｎ＝１６ａｔｍ％）を用いた以外は、上記実施例１と同様にして実施例２の光記録媒体を作製した。作製直後における実施例２の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９０】
（実施例３）
反応層３２の材料としてＣｕＡｌＡｕからなる合金（Ｃｕ＝６４ａｔｍ％、Ａｌ＝２３ａｔｍ％、Ａｕ＝１３ａｔｍ％）を用いるとともにその層厚を６ｎｍに設定し、反応層３１の層厚を６ｎｍに設定した以外は、上記実施例１と同様にして実施例３の光記録媒体を作製した。この場合、作製直後における実施例３の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９１】
（実施例４）
第２の誘電体層１３の層厚を３５ｎｍに設定し、反応層３２の材料としてＡｇを用い、さらに、第１の誘電体層１５の層厚を２５ｎｍに設定した以外は、上記実施例１と同様にして実施例４の光記録媒体を作製した。作製直後における実施例４の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９２】
（実施例５）
第２の誘電体層１３の層厚を３５ｎｍに設定し、反応層３２の材料としてＣｕＡｇからなる合金（Ｃｕ＝３０ａｔｍ％、Ａｇ＝７０ａｔｍ％）を用い、さらに、第１の誘電体層１５の層厚を２５ｎｍに設定した以外は、上記実施例１と同様にして実施例５の光記録媒体を作製した。作製直後における実施例５の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９３】
（実施例６）
反応層３１の材料としてＧｅを用いた以外は、上記実施例１と同様にして実施例６の光記録媒体を作製した。作製直後における実施例６の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９４】
（実施例７）
反応層３１及び３２の積層体からなる記録層１４の代わりに、ＣｕとＳｉの混合物（Ｃｕ＝６８ａｔｍ％、Ｓｉ＝３２ａｔｍ％）からなる厚さ１０ｎｍの記録層１４を用いた上記実施例１と同様にして実施例７の光記録媒体を作製した。すなわち、実施例７の光記録媒体は、実施例１の光記録媒体における反応層３１及び３２が予め混合状態となった構成を有する。作製直後における実施例７の光記録媒体は、全トラックが第２の初期状態となっている。
【００９５】
（実施例８）
第２の誘電体層１３の層厚を３５ｎｍに設定し、反応層３１及び３２の積層体からなる記録層１４の代わりに、Ｃｕ、Ａｇ及びＳｉの混合物（Ｃｕ＝１６ａｔｍ％、Ａｇ＝３４ａｔｍ％、Ｓｉ＝５０ａｔｍ％）からなる厚さ１０ｎｍの記録層１４を用い、さらに、第１の誘電体層１５の層厚を２５ｎｍに設定した以外は、上記実施例１と同様にして実施例８の光記録媒体を作製した。すなわち、実施例８の光記録媒体は、実施例５の光記録媒体における反応層３１及び３２が予め混合状態となった構成を有する。作製直後における実施例８の光記録媒体は第２の初期状態ではなく、これを第２の初期状態とするためには初期化工程が必要である。
【００９６】
（比較例）
反応層３２の材料としてＡｕを用いた以外は、上記実施例１と同様にして比較例の光記録媒体を作製した。作製直後における比較例の光記録媒体は、全トラックが第１の初期状態となっている。
【００９７】
［光記録試験１（追記型記録）］
次に、このようにして作製した実施例１〜６及び比較例の光記録媒体を光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）に順次セットし、波長λ＝４０５ｎｍのレーザビームをＮＡ（開口数）＝０．８５である対物レンズを用いて光透過層１６側から記録層１４に集光することにより、光記録を行った（レーザビームの波長λ及び対物レンズのＮＡ（開口数）については、以下同様である）。この場合、レーザビームの波長λと対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）は、約４７６ｎｍである。記録条件としては、いずれの光記録媒体に対しても、（１，７）ＲＬＬの変調方式を用い、チャンネルビット長＝０．１２μｍ、記録線速度＝５．３ｍ／ｓ、チャンネルクロック＝６６ＭＨｚに設定し、パルス列パターンとしては図４に示すパターンを用いた。この場合、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓである。記録信号は８Ｔ単一信号とした。
【００９８】
また、レーザビームの記録パワー（Ｐｗ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）は、実施例１〜６及び比較例の光記録媒体に対しそれぞれ表１に示すレベルに設定した。
【００９９】
【表１】

そして、先に述べた光ディスク評価装置を用いて記録したデータを再生し、そのときの再生信号のＣ／Ｎ比の値を測定した。レーザビームの再生パワー（Ｐｒ）は０．３ｍＷに設定した。測定の結果を表２に示す。
【０１００】
【表２】

表２に示すように、実施例１〜６及び比較例のいずれについても、４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られた。
【０１０１】
以上より、実施例１〜６及び比較例の光記録媒体が追記型光記録媒体として利用可能であることが確認された。
【０１０２】
［初期化試験１（追記型→書き換え型）］
次に、実施例１〜６、８及び比較例の光記録媒体に対し、上記光ディスク評価装置を用いて再生パワー（Ｐｒ）＝０．３ｍＷに設定したレーザビームを光透過層１６側から照射し、これによって未記録トラックの反射率を測定した。測定の結果を表３に示す。
【０１０３】
【表３】

次に、実施例１〜６、８及び比較例の光記録媒体に対し、上記光ディスク評価装置を用いて消去パワー（Ｐｅ）に設定したレーザビームを光透過層１６側から照射し、これによってＤＣ消去（直流消去）を行った。この場合も、線速度は５．３ｍ／ｓに設定した。また、レーザビームの消去パワー（Ｐｅ）は、実施例１〜６、８及び比較例の光記録媒体に対しそれぞれ表４に示すレベルに設定した。
【０１０４】
【表４】

その後、上記光ディスク評価装置を用いて、ＤＣ消去を行ったトラックに対し再生パワー（Ｐｒ）＝０．３ｍＷに設定したレーザビームを照射し、その反射率を測定した。
【０１０５】
このようなＤＣ消去及び反射率の測定を反射率が飽和するまで繰り返し実行した。反射率が飽和するのに要したＤＣ消去の回数及び飽和した際の反射率を表５に示す。
【０１０６】
【表５】

表３及び表５に示すように、ＤＣ消去を行うと実施例１〜６、８の光記録媒体においては、ＤＣ消去の前後において反射率が変化した。これにより、実施例１〜６、８の光記録媒体については、ＤＣ消去により第１の初期状態から第２の初期状態に変化したことが確認された。一方、比較例の光記録媒体においては、ＤＣ消去の前後における反射率の変化は確認されなかった。これにより、比較例の光記録媒体については、ＤＣ消去を行っても第１の初期状態から第２の初期状態に変化しないことが確認された。尚、実施例７の光記録媒体は、製造直後において既に第２の初期状態となっていることから、ＤＣ消去による初期化を行う必要はないものの、確認のため、実施例７の光記録媒体についてもＤＣ消去による初期化を行ったが、ＤＣ消去の前後において反射率は変化しなかった。
【０１０７】
［光記録試験２（書き換え型記録１回目）］
次に、実施例１〜８及び比較例の光記録媒体のＤＣ消去による初期化を行ったトラックに対し、上記光ディスク評価装置を用いて光記録を行った。記録条件としては、記録パワー（Ｐｗ２）及び基底パワー（Ｐｂ２）の設定以外は、上述した光記録試験１（追記型記録）と同じ記録条件を用いた。レーザビームの記録パワー（Ｐｗ２）及び基底パワー（Ｐｂ２）については、実施例１〜８及び比較例の光記録媒体に対しそれぞれ表６に示すレベルに設定した。
【０１０８】
【表６】

そして、先に述べた光ディスク評価装置を用いて記録したデータを再生し、そのときの再生信号のＣ／Ｎ比の値を測定した。レーザビームの再生パワー（Ｐｒ）は０．３ｍＷに設定した。測定の結果を表７に示す。
【０１０９】
【表７】

表７に示すように、実施例１〜８の光記録媒体については、いずれもデータの再生が可能なＣ／Ｎ比が得られた。特に、実施例１〜３、５、７、及び８の光記録媒体については４０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られ、実施例１、３及び８の光記録媒体については５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得られた。一方、比較例の光記録媒体については、有効なキャリアの検出ができず、記録不能であることが確認された。
【０１１０】
［初期化試験２（再初期化）］
次に、実施例１〜８の光記録媒体に含まれるトラックのうち、光記録試験２（書き換え型記録１回目）によりデータが記録されたトラックに対して、上記初期化試験１（追記型→書き換え型）と同じ条件でＤＣ消去及び反射率の測定を反射率が飽和するまで繰り返し実行した。反射率が飽和するのに要したＤＣ消去の回数及び飽和した際の反射率を表８に示す。
【０１１１】
【表８】

これにより、当該トラックの再初期化が完了し、再び第２の初期状態となった。
【０１１２】
［光記録試験３（書き換え型記録２回目）］
次に、実施例１〜８の光記録媒体に含まれるトラックのうち、初期化試験２（再初期化）により再び第２の初期状態となったトラックに対し、上記光記録試験２（書き換え型記録１回目）と同じ条件で記録／再生を行い、得られる再生信号のＣ／Ｎ比の値を測定した。測定の結果を表９に示す。
【０１１３】
【表９】

表９に示すように、実施例１〜８のいずれの光記録媒体についても、表７に示した結果とほぼ同等の結果が得られた。
【０１１４】
以上より、実施例１〜８の光記録媒体は、書き換え型光記録媒体として利用可能であることが確認された。
【０１１５】
［繰り返し記録試験］
次に、実施例１及び５の光記録媒体に含まれるトラックのうち、光記録試験３（書き換え型記録２回目）によりデータが記録されたトラックに対し、上記初期化試験２（再初期化）と同様の方法による再初期化及び光記録試験３（書き換え型記録２回目）と同様の方法による記録を繰り返し実行した。そして、所定の繰り返し記録回数ごとに、得られる再生信号のＣ／Ｎ比の値を測定した。測定の結果を表１０に示す。表１０において「記録回数」とは、光記録試験２（書き換え型記録１回目）において行った記録を１回目としてカウントした回数である。
【０１１６】
【表１０】

表１０に示すように、反応層３２がＣｕからなる実施例１の光記録媒体においては、繰り返し記録回数が増えるにしたがってＣ／Ｎ比が大きく低下したが、反応層３２がＣｕＡｇからなる実施例５の光記録媒体においては、繰り返し記録回数の増加に伴うＣ／Ｎ比の低下は僅かであった。
【０１１７】
これにより、一方の反応層の主成分であるＣｕにＡｇを添加すれば、繰り返しの記録に対する特性が向上することが確認された。
【０１１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、データが消失しにくいという追記型光記録媒体の特性を実用レベルで満たしつつ、記録したデータが不要となった場合には、初期化を行うことにより書き換え型光記録媒体として再生することができることから、資源の有効活用及び環境保護を達成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を示す断面図である。
【図２】（ａ）は第１の初期状態における記録層１４の状態を模式的に示す略断面図であり、（ｂ）は第１の記録マークＭ１が形成された状態における記録層１４の状態を模式的に示す略断面図である。
【図３】（ａ）は第２の初期状態における記録層１４の状態を模式的に示す略断面図であり、（ｂ）は第２の記録マークＭ２が形成された状態における記録層１４の状態を模式的に示す略断面図である。
【図４】記録層１４に第１及び第２の記録マークＭ１，Ｍ２を形成可能なパルス列パターンの一例を示す図であり、（ａ）は１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は１，７ＲＬＬ変調方式における３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】光記録媒体１０に対してデータの記録を行い、また、初期化工程を実行するための情報記録装置（ドライブ）５０の主要部を概略的に示す図である。
【符号の説明】
１０　光記録媒体
１１　基板
１１ａ　ランド
１１ｂ　グルーブ
１２　反射層
１３　第２の誘電体層
１４　記録層
１５　第１の誘電体層
１６　光透過層
１７　孔
３１，３２　反応層
５０　情報記録装置
５２　スピンドルモータ
５３　ヘッド
５４　コントローラ
５５　レーザ駆動回路
５６　レンズ駆動回路
５７　フォーカスサーボ追従回路
５８　トラッキングサーボ追従回路
５９　レーザコントロール回路
Ｍ１　第１の記録マーク
Ｍ２　第２の記録マーク

Claims (16)

1. 基板と、前記基板上に設けられた記録層とを備え、レーザビームの照射によって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な光記録媒体であって、前記記録層は、前記レーザビームの照射によって不可逆的な記録マークを形成可能な第１の初期状態及び前記レーザビームの照射によって可逆的な記録マークを形成可能な第２の初期状態を取り得ることを特徴とする光記録媒体。
2. 前記記録層は、前記レーザビームの照射によって前記第１の初期状態から前記第２の初期状態に不可逆的に変化可能であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記第１の初期状態は、前記記録層が少なくとも第１の無機材料を主成分とする第１の反応層と第２の無機材料を主成分とする第２の反応層とが積層された状態であることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
4. 前記第１の無機材料はＣｕ、Ａｇ又はＺｎであり、前記第２の無機材料はＳｉ又はＧｅであることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
5. 前記記録層に含まれる前記第１の無機材料と前記第２の無機材料との原子比が、２０：８０〜８０：２０の範囲内であることを特徴とする請求項３または４に記載の光記録媒体。
6. 前記記録層に、前記第１の初期状態である領域と前記第２の初期状態である領域とが混在していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
7. 前記記録層から見て前記基板とは反対側に設けられた厚さ１０μｍ〜３００μｍの光透過層をさらに備え、前記レーザビームを前記光透過層側から照射することによって前記記録マークの形成が可能であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
8. 波長λと開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下であるレーザビーム及びこれを集光するための対物レンズを用いて、前記記録マークを形成可能であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
9. 基板と、前記基板上に設けられた記録層とを備える光記録媒体に対し、強度が実質的に固定された直流レーザビームを照射することによって、前記記録層を不可逆的な記録マークの形成が可能な第１の初期状態から可逆的な記録マークの形成が可能な第２の初期状態に変化させることを特徴とする光記録方法。
10. 強度変調されたレーザビームを前記第１の初期状態となっている前記記録層に照射することによって、前記記録層に不可逆的な記録マークを形成することを特徴とする請求項９に記載の光記録方法。
11. 強度変調されたレーザビームを前記第２の初期状態となっている前記記録層に照射することによって、前記記録層に可逆的な記録マークを形成することを特徴とする請求項９または１０に記載の光記録方法。
12. 前記第１の初期状態は、前記記録層が少なくともＣｕ、Ａｇ又はＺｎを主成分とする第１の反応層とＳｉ又はＧｅを主成分とする第２の反応層とが積層された状態であり、前記不可逆的な記録マークは、前記第１の反応層を構成する材料と前記第２の反応層を構成する材料とが混合された領域であることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の光記録方法。
13. 前記レーザビームの波長λと、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の光記録方法。
14. 前記レーザビームを前記記録層から見て前記基板とは反対側から照射することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の光記録方法。
15. 基板と、光透過層と、前記基板と前記光透過層との間に設けられ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎ及びＳｉ又はＧｅの一方を主成分とし他方を副成分とする複数の成分が混合された記録層とを備える光記録媒体に対し、前記光透過層側から強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層に消去可能な記録マークを形成する光記録方法であって、前記レーザビームの波長λと、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）を６４０ｎｍ以下に設定することを特徴とする光記録方法。
16. 前記光透過層側から強度が実質的に固定された直流レーザビームを照射することによって、前記記録マークを消去することを特徴とする請求項１５に記載の光記録方法。

Images