JP2004075448A - 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 - Google Patents
圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004075448A JP2004075448A JP2002236986A JP2002236986A JP2004075448A JP 2004075448 A JP2004075448 A JP 2004075448A JP 2002236986 A JP2002236986 A JP 2002236986A JP 2002236986 A JP2002236986 A JP 2002236986A JP 2004075448 A JP2004075448 A JP 2004075448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric ceramic
- general formula
- piezoelectric
- ceramic composition
- calcining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007908 dry granulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】この発明は、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とする圧電磁器組成物において、該一般式中のBの一部を3価又は4価の元素Mによって置換させ、好ましくは該置換の割合xを0.04≦x≦0.30とすることにより上記課題を解決した。
【選択図】 なし
Description
【発明が属する技術分野】
この発明は、圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品に関し、特にたとえば、圧電発音体、圧電センサ、圧電アクチュエータ、圧電トランス、圧電超音波モータなどの圧電セラミック部品などの材料として有用な無鉛圧電磁器組成物、無鉛圧電磁器組成物の製造方法およびこの無鉛圧電磁器組成物を用いた圧電セラミック部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
圧電磁器組成物としては、二成分系で構成されるPZT(PbTiO3−PbZrO3)系磁器組成物や三成分で構成されるPCM[PbTiO3−PbZrO3−Pb(Mg0.5Nb0.5)TiO3]系磁器組成物が主に用いられてきた。
【0003】
しかし、これらの磁器組成物は、いずれも鉛を主成分とするもので、焼成時に揮発する酸化鉛などの鉛成分による環境面への影響が問題となる。
【0004】
従来から、この代替として、(A1)2(A2)B5O15タングステンブロンズ構造を有するSr2NaNb5O15、Ba2NaNb5O15、Ba2Bi1/3Nb5O15、(Sr1−xCax)2NaNb5O15、(Ba1−xSrx)2NaNb5O15、およびこれらの固溶体、さらにこれらに特性改善のために、La2O3などの希土類酸化物やMnO2などの金属酸化物を添加した無鉛圧電磁器組成物が提案されている。
【0005】
例えば、特開平10−297969(特許第3228175)、特開平11−240759、特開平11−278932、特開平11−292627、特開2000−169229、特開2000−191373、特開2000−281443には種々の無鉛圧電磁器組成物が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらのタングステンブロンズ構造を有する無鉛圧電磁器組成物は難集結性材料であるため、焼成時にBサイトリッチの低融点相が先に液相として生成し、異常粒成長が起こり、100μmを越えるような結晶粒や、数μmの結晶粒が混在した不均一な組織になるので、内部応力が増加し、歪みがたまる。そのため、マイクロクラックが発生し、緻密で均一な組織を有する焼結体を得るのが難しい。
【0007】
MnOを添加すれば焼結性は改善されるが、Mnとタングステンブロンズの構成元素との反応により二次相が生じ、圧電特性が下がってしまうという問題がある。
【0008】
この発明は、鉛を含まない化合物からなる、圧電特性の良い圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る圧電磁器組成物は、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とするものである。
【0010】
この発明に係る圧電磁器組成物の製造方法は、原料化合物を仮焼する仮焼工程と、該仮焼工程で得られた仮焼粉を成形する成形工程と、該成形工程で得られた成形体を焼成する焼成工程とを備え、前記原料化合物が、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とするものである。
【0011】
この発明に係る圧電セラミック部品は、1又は2以上の圧電体と該圧電体を挟持する2以上の電極とを備え、該圧電体が、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とするものである。
【0012】
ここで、前記一般式中のA1は、例えばSr,Ba,Ca,Mgの少なくとも1種、前記一般式中のA2はNa,K,Li,(Bi)1/3の少なくとも1種、前記一般式中のBは例えばNb、Ta,Vの少なくとも1種、前記3価又は4価の元素Mとしては、遷移金属、例えばMn,Cr,Fe,Co,Ti又はZrとすることができる。
【0013】
また、前記一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されている置換の割合xは0.04≦x≦0.30が好ましい。置換の割合xの範囲を0.04≦x≦0.30としたのは、xが0.04未満になると粒径分布が不均一で、ポアが残り、xが0.30を越えると二次相が多くなり、分極不可になるが、0.04≦x≦0.30の範囲ではこのような不都合がなく、圧電特性(Qm,kr,d31)の良い、緻密な組成物が得られるからである。
【0014】
また、上記タングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とするとは、上記圧電磁器組成物の特性を害さない範囲で不純物元素を含んでいても良いという趣旨である。
【0015】
また、圧電磁器組成物の製造方法において、仮焼粉の成形には、仮焼粉をプレスして成形する場合だけでなく、仮焼粉のスラリーを用いてシートを成形する場合や、仮焼粉のスラリーの塗布と電極の塗布を交互に行って積層体を形成する場合も含む。
【0016】
また、前記圧電セラミック部品は、例えば圧電発音体、圧電センサ、圧電アクチュエータ、圧電トランス又は圧電超音波モータを挙げることができるが、圧電磁器組成物を使用できる電気部品であればこれら以外のものに適用してもよい。
【0017】
【実施例】
実施例その1: まず、原料化合物としてBaCO3、Bi2O3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、を式(1)の複合酸化物が構成される割合で秤量した。
【0018】
Ba2Na0.5Bi0.5/3(Nb5−xMx)O15 ………… 式(1)
【0019】
また、式(1)中のMとなる添加成分として、MnO2、Cr2O3、Fe2O3、Co2O3、TiO2、ZrO2を表1のx欄に示す割合(0.00〜0.40)で各々秤量した。
【0020】
次に、表1の各試料条件で上記各原料化合物及び添加成分をエタノールとともにボールミルに入れ、湿式混合し、得られたスラリーを乾燥させ、これを1000〜1100℃、3hで仮焼した。この仮焼によって各試料条件でのタングステンブロンズ型の複合酸化物が合成される。
【0021】
次に、この仮焼物をエタノールとともにボールミルに入れ、湿式粉砕し、得られたスラリーを乾燥させ、有機バインダ(PVAなど)を加えて乾式造粒した。
【0022】
次に、この造粒物を1軸プレスで10mmφ×0.5mmtの円板に成型し、これを1100〜1350℃、2〜12時間で焼成し、試料を作製した。
【0023】
次に、X線回折装置(XRD)により生成相を同定し、走査型電子顕微鏡(SEM)により微細組織を観察・評価した。結果は、表1に示す通りであった。また、x=0.100の場合の微細組織は図1に示す通り、x=0.000の場合の微細組織は図2に示す通りであった。
【0024】
また、シリコンオイルなどの絶縁油中で50〜250℃で2〜5kV/mmで分極させ、LCRメータにより1kHzでの誘電特性を測定し、インピーダンスアナライザで共振反共振法により圧電特性を測定した。結果は、表1に示す通りであった。
【0025】
【表1】
【0026】
図1に示す通り、この発明の範囲内のものは、この発明の範囲外の従来例のもの(図2参照)と比較して異常粒成長が抑制され、二次相の生成もなく、組織が均一化されていることが確認できた。また、圧電特性(Qm)も従来技術より約3倍に向上したことが確認できた。
【0027】
実施例その2: まず、原料化合物としてSrCO3、CaCO3、Na2CO3、Nb2O5、TiO2、を式(2)の複合酸化物が構成される割合で秤量した。
【0028】
Sr2Na(Nb5−xMx)O15 ………… 式(2)
【0029】
また、式(1)中のMとなる添加成分として、MnO2、Cr2O3、Fe2O3、Co2O3、TiO2、ZrO2を表2のx欄に示す割合(0.00〜0.40)で各々秤量した。
【0030】
次に、表2の各試料条件で上記各原料化合物及び添加成分をエタノールとともにボールミルに入れ、湿式混合し、得られたスラリーを乾燥させ、これを1000〜1200℃、3hで仮焼した。この仮焼によって各試料条件でのタングステンブロンズ型の複合酸化物が合成される。
【0031】
次に、この仮焼物をエタノールとともにボールミルに入れ、湿式粉砕し、得られたスラリーを乾燥させ、有機バインダ(PVAなど)を加えて乾式造粒した。
【0032】
次に、この造粒物を1軸プレスで10mmφ×0.5mmtの円板に成型し、これを1100〜1350℃、2〜12時間で焼成し、試料を作製した。
【0033】
次に、X線回折装置(XRD)により生成相を同定し、走査型電子顕微鏡(SEM)により微細組織を観察・評価した。結果は、表2に示す通りであった。また、x=0.100の場合の微細組織は図3に示す通り、x=0.000の場合の微細組織は図4に示す通りであった。
【0034】
また、シリコンオイルなどの絶縁油中で50〜250℃で2〜5kV/mmで分極させ、LCRメータにより1kHzでの誘電特性を測定し、インピーダンスアナライザで共振反共振法により圧電特性を測定した。結果は、表2に示す通りであった。
【0035】
【表2】
【0036】
図3に示す通り、この発明の範囲内のものは、この発明の範囲外の従来例のもの(図4参照)と比較して異常粒成長が抑制され、二次相の生成もなく、組織が均一化されていることが確認できた。また、圧電特性(Qm)も従来技術より約3倍に向上したことが確認できた。
【0037】
実施例その3: 実施例その2で評価した材料のうち、M=Mn、X=0.10の原料化合物を、エタノールなどの有機溶剤に分散し、PVBなどの有機バインダーを加えてスラリー化し、シート成形後、Ptなどの電極を介して積層し、400〜500℃で脱バインダーの熱処理を施し、前記と同様に焼成して図5のような圧電セラミックトランスを作製した。同図において、10は圧電体磁器、12は電極、14は入力側、16は出力側である。また、矢印は圧電体磁器の分極方向である。
【0038】
そして、この圧電セラミックトランスの昇圧比、変換効率を評価したところ、表3に示す通りであった。比較のために、PZT系の代表的なトランスの特性も表3中に挿入した。
【0039】
【表3】
【0040】
表3に見られる通り、この実施例によれば代表的なPZTと同等の特性をもつトランスが得られることがわかる。
【0041】
【発明の効果】
この発明においては、BサイトのNbが少なくなり、焼成時の低融点の液相生成が抑制される。また、化学量論組成であるので、特性改善のために置換した元素が、Bサイトで固溶するので二次相の生成が抑制される。従って、この発明によれば、焼成時に異常粒成長が生じることがなく、組織が均一に制御されたクラックのない緻密な焼成体が得られる。また、二次相の生成が抑制されるため優れた圧電特性のものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例その1で形成した試料(x=0.100)の微細組織を示す説明図である。
【図2】実施例その1で形成した試料(x=0.000)の微細組織を示す説明図である。
【図3】実施例その2で形成した試料(x=0.100)の微細組織を示す説明図である。
【図4】実施例その2で形成した試料(x=0.000)の微細組織を示す説明図である。
【図5】実施例その3で制作した圧電セラミックトランスの説明図である。
【符号の説明】
10 圧電体磁器
12 電極
14 入力側
16 出力側
Claims (10)
- 一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とする圧電磁器組成物。
- 前記置換の割合xが0.04≦x≦0.30であることを特徴とする請求項1に記載の圧電磁器組成物。
- 前記一般式中のA1がSr,Ba,Caの少なくとも1種、前記一般式中のA2がNa,(Bi)1/3の少なくとも1種、前記一般式中のBがNb,Ta,Vの少なくとも1種、前記元素MがMn,Cr,Fe,Co,Ti又はZrであることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電磁器組成物。
- 原料化合物を仮焼する仮焼工程と、該仮焼工程で得られた仮焼粉を成形する成形工程と、該成形工程で得られた成形体を焼成する焼成工程とを備え、前記原料化合物が、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
- 前記置換の割合xが0.04≦x≦0.30であることを特徴とする請求項4に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
- 前記一般式中のA1がSr,Ba,Caの少なくとも1種、前記一般式中のA2がNa,(Bi)1/3の少なくとも1種、前記一般式中のBがNb,Ta,Vの少なくとも1種、前記元素MがMn,Cr,Fe,Co,Ti又はZrであることを特徴とする請求項4又は5に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
- 1又は2以上の圧電体と該圧電体を挟持する2以上の電極とを備え、該圧電体が、一般式(A1)2(A2)B5O15で表わされるタングステンブロンズ型の複合酸化物を主成分とし、該一般式中のBの一部が3価又は4価の元素Mによって置換されていることを特徴とする圧電セラミック部品。
- 前記置換の割合xが0.04≦x≦0.30であることを特徴とする請求項7に記載の圧電セラミック部品。
- 前記一般式中のA1がSr,Ba,Caの少なくとも1種、前記一般式中のA2がNa,(Bi)1/3の少なくとも1種、前記一般式中のBがNb,Ta,Vの少なくとも1種、前記元素MがMn,Cr,Fe,Co,Ti又はZrであることを特徴とする請求項7又は8に記載の圧電セラミック部品。
- 前記圧電セラミック部品が圧電発音体、圧電センサ、圧電アクチュエータ、圧電トランス又は圧電超音波モータであることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の圧電セラミック部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002236986A JP2004075448A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002236986A JP2004075448A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004075448A true JP2004075448A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32020943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002236986A Withdrawn JP2004075448A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004075448A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032468A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nec Tokin Corp | 酸化物圧電材料の製造方法 |
| WO2006114914A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
| WO2007101737A1 (de) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Bleifreier piezokeramischer werkstoff, verfahren zum herstellen eines piezokeramischen bauteils mit dem werkstoff und verwendung des bauteils |
| WO2010024140A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス及びその製造方法並びに圧電デバイス |
| JP2010053028A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Canon Inc | 金属酸化物および圧電材料 |
| WO2010128647A1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス |
| WO2011040630A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezolectric material comprising tungsten bronze structure metal oxide |
| US8236834B2 (en) | 2007-02-08 | 2012-08-07 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Crystalline forms of thiazolidinedione compound and its manufacturing method |
| JP2013237589A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電セラミックス及びその製造方法 |
| CN104584247A (zh) * | 2012-08-27 | 2015-04-29 | 佳能株式会社 | 压电材料 |
| JP2016064962A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス及びその製造方法 |
| CN106478098A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-03-08 | 陕西科技大学 | 一种微波水热法制备钨青铜型纳米Ba6FeNb9O30粉体的方法 |
| CN116789450A (zh) * | 2022-08-22 | 2023-09-22 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
| CN118879319A (zh) * | 2024-09-27 | 2024-11-01 | 内蒙古大学 | 一种Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉及其制备方法、近红外发光装置 |
-
2002
- 2002-08-15 JP JP2002236986A patent/JP2004075448A/ja not_active Withdrawn
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032468A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nec Tokin Corp | 酸化物圧電材料の製造方法 |
| JPWO2006114914A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2008-12-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
| WO2006114914A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
| US7393803B2 (en) | 2005-04-18 | 2008-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor |
| JP5176543B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2013-04-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2012169635A (ja) * | 2005-04-18 | 2012-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| CN102643093A (zh) * | 2005-04-18 | 2012-08-22 | 株式会社村田制作所 | 电介质陶瓷组成物及层叠陶瓷电容器 |
| WO2007101737A1 (de) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Bleifreier piezokeramischer werkstoff, verfahren zum herstellen eines piezokeramischen bauteils mit dem werkstoff und verwendung des bauteils |
| US8236834B2 (en) | 2007-02-08 | 2012-08-07 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Crystalline forms of thiazolidinedione compound and its manufacturing method |
| US8552038B2 (en) | 2007-02-08 | 2013-10-08 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Crystalline forms of thiazolidinedione compound and its manufacturing method |
| US8518290B2 (en) | 2008-07-30 | 2013-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material |
| JP2010053028A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Canon Inc | 金属酸化物および圧電材料 |
| WO2010024140A1 (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス及びその製造方法並びに圧電デバイス |
| US8487515B2 (en) | 2008-08-29 | 2013-07-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic, process for producing the piezoelectric ceramic, and piezoelectric device |
| WO2010128647A1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス |
| US8471442B2 (en) | 2009-05-08 | 2013-06-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic, method for producing same, and piezoelectric device |
| WO2011040630A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezolectric material comprising tungsten bronze structure metal oxide |
| CN102549790B (zh) * | 2009-09-30 | 2015-07-22 | 佳能株式会社 | 压电材料、压电器件、排液头和超声马达 |
| JP2011093791A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ |
| CN102549790A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-04 | 佳能株式会社 | 包含钨青铜结构金属氧化物的压电材料 |
| US8678562B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material, piezoelectric device, liquid discharge head, and ultrasonic motor |
| KR101378273B1 (ko) | 2009-09-30 | 2014-03-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 텅스텐 브론즈 구조 금속 산화물을 포함하는 압전 재료 |
| JP2013237589A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電セラミックス及びその製造方法 |
| CN104584247A (zh) * | 2012-08-27 | 2015-04-29 | 佳能株式会社 | 压电材料 |
| CN104584247B (zh) * | 2012-08-27 | 2017-04-12 | 佳能株式会社 | 压电材料 |
| US9768375B2 (en) | 2012-08-27 | 2017-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material, piezoelectric element, multilayered piezoelectric element, manufacturing method for multilayered piezoelectric element, liquid discharge head, liquid discharge device, ultrasonic motor, optical device, vibration device, dust removing device, imaging device, and electronic device |
| JP2016064962A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電セラミックス及びその製造方法 |
| CN106478098A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-03-08 | 陕西科技大学 | 一种微波水热法制备钨青铜型纳米Ba6FeNb9O30粉体的方法 |
| CN116789450A (zh) * | 2022-08-22 | 2023-09-22 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
| CN116789450B (zh) * | 2022-08-22 | 2024-04-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 |
| CN118879319A (zh) * | 2024-09-27 | 2024-11-01 | 内蒙古大学 | 一种Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉及其制备方法、近红外发光装置 |
| CN118879319B (zh) * | 2024-09-27 | 2024-11-29 | 内蒙古大学 | 一种Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉及其制备方法、近红外发光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5576365B2 (ja) | 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス | |
| JP4177615B2 (ja) | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 | |
| KR101158444B1 (ko) | 압전 세라믹스 및 그 제조 방법 및 압전 디바이스 | |
| JP5337513B2 (ja) | 圧電/電歪磁器組成物 | |
| US10505101B2 (en) | Ceramic material, method for producing the ceramic material, and electroceramic component comprising the ceramic material | |
| CN101795994B (zh) | 陶瓷材料、其制造方法以及包括这种陶瓷材料的电子陶瓷构件 | |
| US9105845B2 (en) | Piezoelectric ceramic comprising an oxide and piezoelectric device | |
| JP5782457B2 (ja) | 圧電セラミックス、圧電セラミックス部品、及び該圧電セラミックス部品を用いた圧電デバイス | |
| JP2004075448A (ja) | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 | |
| JP5651452B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
| JP2008207999A (ja) | 圧電磁器組成物の製造方法 | |
| JP7758530B2 (ja) | 圧電素子、および圧電素子の製造方法 | |
| JP5597368B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP5462090B2 (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
| JP2011037697A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物 | |
| JP4828570B2 (ja) | 圧電磁器組成物、圧電磁器組成物の製造方法および圧電セラミック部品 | |
| JP5190894B2 (ja) | 圧電体又は誘電体磁器組成物並びに圧電体デバイス及び誘電体デバイス | |
| CN119949075A (zh) | 压电元件、压电陶瓷组合物、压电元件的制造方法及压电陶瓷组合物的制造方法 | |
| JP5894222B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP5662731B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP4390082B2 (ja) | 圧電磁器組成物及び積層型圧電素子 | |
| JP2009114049A (ja) | 圧電/電歪磁器組成物及び圧電/電歪素子 | |
| JP5018602B2 (ja) | 圧電磁器組成物、並びにこれを用いた圧電磁器及び積層型圧電素子 | |
| JP2011144101A (ja) | 圧電/電歪セラミックス焼結体 | |
| JP2004284926A (ja) | 圧電セラミックス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050610 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090401 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090529 |