JP2004072113A - 熱的に強化された集積回路パッケージ - Google Patents
熱的に強化された集積回路パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004072113A JP2004072113A JP2003286694A JP2003286694A JP2004072113A JP 2004072113 A JP2004072113 A JP 2004072113A JP 2003286694 A JP2003286694 A JP 2003286694A JP 2003286694 A JP2003286694 A JP 2003286694A JP 2004072113 A JP2004072113 A JP 2004072113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- integrated circuit
- grid
- chip
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- H10W40/228—
-
- H10W40/778—
-
- H10W70/65—
-
- H10W72/07353—
-
- H10W72/075—
-
- H10W72/334—
-
- H10W72/5449—
-
- H10W72/551—
-
- H10W72/884—
-
- H10W72/931—
-
- H10W72/932—
-
- H10W72/951—
-
- H10W74/00—
-
- H10W90/734—
-
- H10W90/754—
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】高密度ICパッケージの放熱のために、ヒートシンクまたは熱的ハンダ・ボールを使用することによる高コストと複雑性を避ける新しい解決法を得る。
【解決手段】基板の上面を覆うメタル・グリッド570、580を含む基板520、および前記グリッドを覆って基板に装着される集積回路チップ500を含むパッケージされた集積回路。このメタル・グリッドは、集積回路から電気的に絶縁されてもよいし、それは、たとえば、電気的接地を通じて集積回路へ電気的に接続されてもよい。
【選択図】図5
【解決手段】基板の上面を覆うメタル・グリッド570、580を含む基板520、および前記グリッドを覆って基板に装着される集積回路チップ500を含むパッケージされた集積回路。このメタル・グリッドは、集積回路から電気的に絶縁されてもよいし、それは、たとえば、電気的接地を通じて集積回路へ電気的に接続されてもよい。
【選択図】図5
Description
本発明は、集積回路パッケージおよびパッケージング方法の分野内にある。
電子部品のサイズの減少および複雑性と性能の増加への需要は、この業界を駆り立てて、より小型でより複雑な集積回路(IC)を生産するようにさせてきた。これらと同じ傾向が、小さな設置面積、多数のリード線、よりよい電気的および熱的性能を有するICパッケージの開発を強制してきた。同時に、これらICパッケージは、受入れられた産業規格を満たすことを要求されている。高性能ICはより多くの熱エネルギーを生み出し、今日のより小さなパッケージが、このエネルギーを消散するためのオプションを僅かしか設計者に許容しないので、パワーの消散は特別なチャレンジである。ICパッケージに添付されるヒートシンクやヒートスラッグは過剰な熱に対する共通な解決であるが、その結果は比較的に大きく、高価で、製造が複雑なパッケージになる。ヒートシンクの使用は、チップ・スケール・プラスティック・ボール・グリッド・アレイにおいて、特に困難である。ヒートシンクの使用に代わるものを提供するパッケージ設計が必要である。
図1は、集積回路チップ100を有するモールデッド・チップ・スケール・パッケージの切取り図であって、この集積回路チップ100は、フレキシブル・テープ基板120へワイヤ115で接着されたそのアクティブな面110上に、ボンド・パッド105により位置決めされる。このフレキシブル・テープ基板は、第1面すなわちチップ側の面135に、ボンディング・ランド125と導電トレース130を有する。チップ100は、ダイ・アタッチ接着剤140によりフレキシブル・テープ基板120へ固定されている。基板を貫通するビア145が、第1面135上の導電トレース130を、基板120の対向面すなわち第2面上のハンダ・ボール150へ、接続できるようにする。ビア・キャップ・メタル155がベースを供給し、このベースへハンダ・ボール150がハンダ・ペーストにより付けられる。ハンダ・ボール150は、それによりチップ・パッケージがプリント回路板に取り付けられる手段である。エポキシ・モールディング化合物160が、チップの上部と側面とともにボンディング・ワイヤを、カプセルに入れる。エンカプセラント160が、プラスティック・パッケージの形成要素とともに、ICの環境的および機械的な保護を供給する。
図2は、図1に示したパッケージの断面図である。基板220を貫通してビア145が形成されている。ビア・キャップ・メタル155が基板上に形成されて、ハンダ・ボール150を付けるベースを供給する。チップ100は、ダイ・アタッチ接着剤140により基板120へ付けられる。エンカプセラント160が、チップ100とこの組立体の残りのものを共にカバーする。
図3は、図1に示した基板120の平面図である。ランド125は、トレース130によりビア・キャップ・メタル155へ接続されているのが示されている。ビア145がこの図に示されているが、ビアがビア・キャップ・メタルの下にあって、この図では基板の種々な構成要素の関係を理解しやすくするために示されているだけであることを、当業者は理解するであろう。
図1、図2および図3から、回路の電気的経路選択が下記の通りであることが理解される:チップ回路は、薄膜ウェハ処理技術によってチップ周辺近くのボンド・パッド105へ経路選択され、ワイヤ115がボンド・パッド105を基板周辺上のランド125へ接続し、ボンド・ワイヤ・ランド125から接続された導体130が基板の第1表面135上で、ビア・キャップ・メタル155によりキャップされたビア145へ経路選択され、次にビアが、基板の第2面すなわち底面137に装着されるハンダ・ボール150のアレイへ接続を供給する。パッケージは明らかに小さく、それが収納するICよりも僅かに大きいだけで、ハンダ・ボール150およびトレース130を通じて以外にIC100が発生する熱を消散させる手段は少ししかない。しかしながら、基板は典型的に電気的とともに熱的に絶縁的であるので、基板を通してチップからハンダ・ボールへ出る熱の通路は非常に非効率的である。ヒートシンクを追加することは助けになるが、複雑になって、さもなくとも非常に小さくてコストを惹きつけるこのパッケージの費用を劇的に増加させる。
そうした小さくて安価なパッケージの熱的な短所を克服する努力において、1つの先行技術の解決法は、ICの下に電気的に接続されてないハンダ・ボールを置くことであった。これら熱的なハンダ・ボールは、電気的な役割りは何もしないが、パッケージから熱を除去して、後にパッケージがハンダ付けされるプリント回路板へ熱を移転させる追加手段である。図4は、この解決法を実施するパッケージの切取り図である。熱的ハンダ・ボールを付けるビア・キャップ・メタル455が、導体によりいずれの他のランドへも非接続にされている。それらの目的は、パッケージおよびパッケージが最終的に結合されるプリント回路板へむけて、IC100から発生される熱の消失の追加的な熱的経路を供給することだけである。プリント回路板はまた、これらの熱的ボールを接続して、熱を消失できるための経路を供給するように設計されなければならない。この解決法は有効であるが、実施に高価であって、特に、所与の基板が典型的に多様なICを収容するように設計され、あるICはこの追加的熱除去能力を必要とし、あるICは必要としないので、実施に高価なものになる。熱的ハンダ・ボールを追加することはパッケージに対して不釣合いのコストを追加し、デバイスの歩留まりを低下させる可能性を大きくするので、熱除去を追加する必要のないパッケージで熱的ハンダ・ボールを使用することを製造者は避けるべきである。熱的ボールを使用するために印刷回路板を設計するのに含まれるコストも、包括されなければならない。したがって、製造者は理想的には2つの異なった基板設計、1つは熱的ビアとボールを含み、もう1つは含まない基板設計の間で、選択できることが望ましい。この設計のフレキシビリティは、製造者が少なくとも2つのパンチ・ツール(またはビア形成のための類似の手段)を要し、その1つは熱的ハンダ・ボールのためのビアを含む基板内のビア・パターンをパンチし、もう1つはそうしないことを意味する。そうしたパンチ・ツールのコストは非常に高く、多くのIC設計において経済的条件を正当化できない。したがって、ヒートシンクのみでなく、同様に熱的ハンダ・ボールの使用の高コストと複雑性を避ける新しい解決法のための需要が業界に存在する。
本発明の1つの実施例において、パッケージされた集積回路が開示される。このパッケージされたICは、基板の上面を覆うメタル・グリッドを含む基板と、グリッドを覆って基板上に装着された集積回路チップを含む。メタル・グリッドは集積回路から電気的に絶縁されていてもよく、またはたとえば電気的接地を通じて集積回路と電気的に接続されていてもよい。
本発明のもう1つの実施例において、もう1つの集積回路が開示される。このパッケージされた集積回路は、中心部と周辺部を有する基盤を含み、基板の周辺部においてビアを含むが、中心部にはビアが全然ない。周辺部におけるビアは、基板の片側において、金属層で形成されたメタル・キャップに覆われている。基板はまた、その中心部でメタル・グリッドを含み、メタル・グリッドは金属層で形成される。この実施例において、メタル・グリッドは相互接続されたビア・キャップ・パターンで作られている。集積回路チップは、グリッドを覆って基板上に装着されている。
本発明の更にもう1つの実施例において、パッケージされた集積回路を製作する方法が開示される。この方法は、基板を供給するステップと、基板の中心部にメタル・グリッドを形成するステップと、メタルグリップを覆って集積回路チップを装着するステップを含む。この方法はまた、集積回路からメタル・グリッドを電気的に絶縁するステップを含む。または、その代わりに、この方法はたとえば電気的接地を通じて、集積回路へメタル・グリッドを電気的に接続するステップを含むことができる。
本発明の1つの有利な点は、パッケージされたICから熱を消散させるコスト効率の非常に良い方法を本発明が供給することである。
本書に説明される種々の実施例において、チップがその上に装着される基板の部分に金属パターンが作られる。この金属パターンは、熱エネルギーを導通し放射するその能力において、基板よりも優れている。このパターンは、多様な形式を取ることができ、それにはチップの下にある金属の個体シートのパターンを含む。本書に示される実施例は、基板の形成に使用される既存の設計規則に適合するように有利に設計された金属グリッド・パターンを含む。
本発明の第1の好ましい実施例において、チップの下のビア・キャップ・メタルのグリッドが、チップにより発生される熱を消散させる。これらのビア・キャップの下にはビアまたはハンダ・ボール全く使用されていないので、この事実は、ビアを生成するための特別なパンチ・ツールまたは他の手段の必要をなくし、また追加のハンダ・ボールを配置して付ける費用をなくす。この実施例の解決法は、熱消散のみに専用のチップ下のビアとハンダ・ボールを除去することにより、先行技術による解決法の約3%のコストを結果した。ビア・キャップは好ましくは、互いに結合されていて、チップ下にビア・キャップ・メタルのグリッドまたはメッシュを形成する。発明者による調査で、図1に示すパッケージに比較して、この解決法を使用して5%ないし10%の熱消散の改良が達成されることが示された。さらに、チップ下のビアのグリッドが、パッケージの熱循環の間に起こる基板の曲げを制約する追加的利点を供給する。そうした曲げは、種々なパッケージ構成要素の熱膨張係数(CTE)の差異から結果することが知られている。基板上の追加の金属(たとえば銅)がCTEの不同を釣り合わせるのを助ける。それはまた、基板に接着して付けられていることにより、基板の曲げを物理的に制約する。
図5を参照すると、この実施例のパッケージの切取り図が示されている。基板520はパッケージの基礎である。基板は、ポリアミドなどの物質を含むフレキシブル・テープ、たとえば、ビスマレイミド・トリアジン(BT)またはセラミックなどのポリマー樹脂の比較的剛性のあるラミネートである。この実施例において、基板は厚さ75μmのポリイミド・テープである。孔は、直径約280μmにパンチ、腐食、またはレーザまたは機械的にドリルされて、基板を貫通して、ビア545を形成する。ビア545を覆うビア・キャップ・メタル555は、たとえばハンダ・ペーストで付けられるハンダ・ボール550に台座を提供する。ビア・キャップ・メタル555は約30μmまでビアのエッジに重ね合わさる。この実施例において、ハンダ・ボールは直径約300μmであって、錫/鉛で作られるが、ハンダ・ペーストは錫/銀である。追加のビア・キャップ・パターン570が、チップ500の下の領域で基板520に形成される。ビア・キャップ・パターン570は、クロス・リンク580により接続されている。この実施例において、クロス・リンク580は、ビア・キャップ・パターン570と同一のビア・キャップ・メタルにより形成される。この実施例におけるビア・キャップ・メタルは、厚さ約25μmの銅である。理解すべきは、他の厚さや金属化方式もまた、類似の利点のために採用できることである。ビア・キャップ・メタルの全体の厚さは、たとえば0.5μmのニッケルまたは0.5μmの金であって、パッケージ構成要素が薄い層に裂けるのに至る銅の酸化を防止する。しかしながら、この実施例において、チップ500の下のビア・キャップ・パターン570とクロス・リンク580をめっきするコストを節約することが好ましい。この実施例において、ビア・キャップ・メタルのその部分はハンダ・マスク層に覆われているので(図6に図示されているが、図5には図示されていない)、その部分のめっきを除外することができる。ハンダ・マスクは銅を酸化から保護し、基板520へのチップおよび他の構成要素の接着を強化し、パッケージの湿気感度を減少させる。ハンダ・マスクはめっきのステップに先立って基板につけることができ、こうしてグリッドのめっきを防止するマスクとして作用する。
図6は図5のパッケージの断面図であって、パッケージの他の重要な構成要素に対するビア・キャップ・パターン570およびクロス・リンク580の関係を示す。ビア・キャップ・メタル555は基板520内のビア545を覆う。ハンダ・ボール550は、基板520の第2面、すなわちダイ・アタッチ540を使用してチップ500が装着される面に対向する面から、ビア・キャップ・メタル555へ付けられる。ハンダ・マスク600がビア・キャップ・パターン570とクロス・リンク580を覆う。ハンダ・マスク600はオプションであるが、基板520に対するチップ500の強化接着を供給することが、発明者により知られている。エンカプセラント560は構造全体を覆う。この実施例において、ダイ・アタッチ540はエポキシであって、厚さ約100μmである。ハンダ・マスク600もまたエポキシであって、厚さ約10μmである。エンカプセラント560も同様にエポキシであって、厚さ約800μmである。
図7は、図5に示す本発明の実施例による基板の平面図である。基板520は、周辺部700と中心部710を含む。チップ(図示なし)が、中心部710を覆って装着される。ワイヤ(図示なし)が、チップ上のパッドおよびランド525へ接着される。ランド525が導電性トレース530により、ビア545を覆うビア・キャップ555へ接続される。当業者は、ビア・キャップがビアを覆うこと、したがって基板の上面すなわち第1面の平面図には、ビアが通常は見えないことを理解するであろう。ビア位置はこの図においては、他のパッケージ構成要素に対するそれらの関係を明らかにするために示されている。導電性トレースが基板520のエッジ720まで延伸しているのは、電気めっきすべき金属層の全ての部分へ導体パスを供給するためである。境界730を越えたトレースはパッケージの単一化(singulation)に際して除去される。
図7に、ビア・キャップ・パターン570とクロス・リンク580を、基板の中心部710にグリッドを生成する構成において示す。(基板に比較して)優れたメタル・グリッドの熱伝導性の結果として、チップからの熱の消散が増加する。グリッドはヒート・スプレッダーとして作用し、またパッケージの銅含有量を増加させる。このグリッドの実施に必要なのは、ビア・キャップ・メタル・パターン形成に使用されるマスクへの単純な変更のみなので、比較的簡単である。これにより比較的に安価な方法で、既存の基板設計を改良された熱効率で改造することができる。新しい設計について、強化された熱効率を得るためにこの解決法は、追加のコストを何も呼び起こさない。上記のようにこの単純な技法は、(3図の先行技術に示したような)中央部710に金属化が全くない基板設計よりも熱の消散において、5%ないし10%の改良を結果する。クロス・リンク580で相互接続されたビア・キャップ・パターン570により形成されたグリッドが示されているが、他のグリッド・パターンまたは金属の固いシートさえ代わりに使用できることを、当業者は理解するであろう。しかしながら、本書に示したビア・キャップ・パターンは、既存の基板設計規則に適合する利点を提供する。クロス・リンクは、また導電性金属トレース530について設計規則に適合する。従って、この好ましい実施例は、既存の信頼性規格にそれが適合することを確実にするために何の追加テストも必要としない。基盤の他の場所に使用されるパターンと線からグリッドを形成することにより、この設計が既存の基板設計へ歩留まりまたは信頼性のリスクを導入することは、ありそうもない。
図8は、図7の基板レイアウトの一部分を一層詳細に示す。チップのエッジ(図示なし)は、線800により示される近似的な位置にある。このチップは、ビア・キャップ・パターン570およびクロス・リンク580のグリッドを覆う。ランド525は、チップ・エッジ800の近くに位置し、ボンド・ワイヤー(図示なし)により、チップ上のボンド・パッドへ接続されている。ランド525は、導電性トレース530により、ビア・キャップ555へ接続されている。ここでも、わかりやすくするために、この図の中にビア545が示されている。線810を越えて延伸している導電性トレース530は、カプセル化に続いてパッケージが単独にされるときに除去される。
図9aと図9bに図示する本発明のもう一つの実施例において、このグリッドは、それを電気的に接続されたビア・キャップへ接続することにより修正され、次にこの電気的に接続されたビア・キャップは、プリント回路板などのより高いレベルの相互接続へ付けられたハンダ・ボールへ接続されている。この好ましい接続は、電気的接地へハンダ・ボールを接続することであるが、その理由は、典型的な接地回路が、プリント回路板内の熱エネルギーの消散に適しているからである。代案として、この接続は、チップにより生成される熱エネルギーを消散するのに適切に配置された線であるならば、電源または適当な信号線にさえ接続されるボールに作ることができる。このグリッドは、上記の実施例に説明したように機能するが、しかしこの実施例は付けられたハンダ・ボールを通じてパッケージから熱の出る道を供給する追加の利点を提供する。図9aにおいて、ビア・キャップ・パターン570とクロス・リンク580のグリッドは、図7に示すのと同一に見える。しかしながら、このグリッドはトレース900によりビア・キャップ910へ接続され、ビア・キャップ910は代わりに接地へ接続されたボールへ接続する。図9aに示すグリッドは5つの異なったビア・キャップへ接続されているが、特定のICの熱消散要件によって、より少ないまたはより多くの接地接続を使用できる。たとえば図9bにおいて、このグリッドは、ビア・キャップ910に対してトレース900の20個の接続を有するものとして、示されている。接地ビア・キャップおよびそれらの関連のハンダ・ボールが、チップに対する電気的接地接続を供給する電気的役割を果たしていることに注意されたい。従って、それらは先行技術の解決法に使用されたような熱ハンダ・ボール(すなわち電気的に接続されていないビア・キャップ/ハンダ・ボール)ではない。既存の電気的に接続されたビア・キャップ/ボールを使用することにより、この解決法は、先行技術においてのように専用熱ボールの使用に含まれるコストとリスクを避ける一方で、依然として強化された熱効率を供給する。実際に発明者により実行された調査において、この解決法が図3に示した先行技術の基板設計に比較して、25%ないし30%改良された熱消散を結果することが示された。
図10は、図9aのレイアウトの一部分を一層詳細に示す。5つの接続900がビア・キャップ・パターン570およびクロス・リンク580から作られたグリッドの間に示され、ビア・キャップ910は、ビア1000を通じてパッケージからプリント回路板たとえばパッケージが最終的に取り付けられるプリント回路板へ出る熱の経路を供給するハンダ・ボールに結合されている。
図11は、本発明のもう一つの実施例における基板の平面図である。基板1120が、ビア1145を覆うハンダ・キャップ1155と共に示されている。この実施例において、ビア(およびこのように基板の底面に最終的に付けられるハンダ・ボール)が、いわゆる「エリア・アレイ」で、基板を横切って均一に配置されている。チップは、最終的に基板の中央に配置され、したがって、点線1100で示すようにチップの境界は、いくつかのビア1145を覆う。ボンディング・ランド1125が、チップ境界の周辺に配置されて、導電性トレースによりビアをカバーするハンダ・キャップ・メタル1155へ接続する。これらのトレースは、わかりやすくするために図11には、示されていない。このエリア・アレイ基板レイアウトは、図11の中心部に示すように本書に開示された発明的概念を使用できる。ハンダ・キャップ・パターン1170およびクロス・リンク1180は、ビアのアレイにより挿入されて、上に議論した熱消散グリッドを形成する。この場合、4つの内部ビア1190がグリッドに統合されて示されている。この実施例において、これらのビアは、電気的に接地接続されたハンダ・ボールへ接続されている。したがって、それらは図9に示した実施例において、上に説明したような(パッケージから出る電気的接地パスを通じて)外部環境への熱消散グリッドの接続として、働く。
本発明をその好ましい実施例により説明してきたが、もちろんそうした実施例の修正および代替が考えられていて、本発明の長所と利点を獲得するそうした修正および代替は、この明細書およびその図面を参照することにより、当業者に明白になる。たとえば、本書に説明した好ましい実施例は、フェイス・アップ、ワイヤー・ボンドされたボール・グリッド・アレイ・パッケージであった。当業者は、ランド・グリッド・アレイおよびフリップ・チップ・パッケージのような他の形式のパッケージングにも本発明の概念が同様に適用できることを理解するであろう。そうした修正と代替案が特許請求の範囲に請求される本発明の範囲に入るものと考えている。
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
(1) 前記基板の上面を覆うメタル・グリッドを含む基板と、
前記グリッドを覆う前記基板上に装着された集積回路チップを含むパッケージされた集積回路。
前記グリッドを覆う前記基板上に装着された集積回路チップを含むパッケージされた集積回路。
(2) 前記集積回路チップが、その上に回路が形成されるアクティブな上面および底面を有し、前記チップの前記底面が前記グリッドを覆う前記基板に更に付けられている第1項記載のパッケージされた集積回路。
(3) 前記基板が更に、前記基板の前記上面の金属層を、前記基板の底面のハンダ・ボールへ結合するビアを含み、更に前記グリッドが前記金属層内に形成される第1項記載のパッケージされた集積回路。
(4) 中心部と周辺部を有する基盤であって、前記基板は、前記周辺部にビアを含み、前記中心部にビアを全く含まず、前記周辺部の前記ビアが前記基板の片側において、メタル・キャップに覆われ、前記メタル・キャップが金属の単一層に形成される前記基盤と、
前記基板は、更に前記基板の前記中心部内にメタル・グリッドを含み、前記メタル・グリッドが前記金属の単一層内に形成され、更に前記メタル・グリッドが相互接続されたビア・キャップ・パターンを含む前記基板と、
前記グリッドを覆って前記基板上に装着される集積回路チップとを含むパッケージされた集積回路。
前記基板は、更に前記基板の前記中心部内にメタル・グリッドを含み、前記メタル・グリッドが前記金属の単一層内に形成され、更に前記メタル・グリッドが相互接続されたビア・キャップ・パターンを含む前記基板と、
前記グリッドを覆って前記基板上に装着される集積回路チップとを含むパッケージされた集積回路。
(5) 前記メタル・グリッドが、前記集積回路から電気的に絶縁されている第4項記載の集積回路。
(6) 前記メタル・グリッドが、前記集積回路へ電気的に接続されている第4項記載のパッケージされた集積回路。
(7) 前記接続が、電気的接地を通じている第6項記載のパッケージされた集積回路。
(8) 基板を供給するステップと、
前記基板の中心部にメタル・グリッド形成するステップと、
前記メタル・グリッドを覆って集積回路チップを装着するステップとを含むパッケージされた集積回路の製造方法。
前記基板の中心部にメタル・グリッド形成するステップと、
前記メタル・グリッドを覆って集積回路チップを装着するステップとを含むパッケージされた集積回路の製造方法。
(9) 前記集積回路チップを装着する前記ステップが、前記チップの底面を前記メタル・グリッドを覆う前記基板へ付けることを含む第8項記載の方法。
(10) 基板を供給する前記ステップは、更に、前記基板の前記上面の金属層を前記基板の底面上のハンダ・ボールへ結合するビアを前記基板内に供給するステップを含み、更に前記グリッドを形成する前記ステップが前記金属層内に前記グリッドを形成することを含む第8項記載の方法。
(11) 基板の上面を覆うメタル・グリッド570、580を含む基板520、および前記グリッドを覆って基板に装着される集積回路チップ500を含むパッケージされた集積回路。このメタル・グリッドは、集積回路から電気的に絶縁されてもよいし、それは、たとえば、電気的接地を通じて集積回路へ電気的に接続されてもよい。
500 集積回路チップ
520 基板
530 導電性トレース
545 ビア
550 ハンダ・ボール
555 ビア・キャップ・メタル
570 ビア・キャップ・パターン
580 クロス・リンク
520 基板
530 導電性トレース
545 ビア
550 ハンダ・ボール
555 ビア・キャップ・メタル
570 ビア・キャップ・パターン
580 クロス・リンク
Claims (2)
- 前記基板の上面を覆うメタル・グリッドを含む基板と、
前記グリッドを覆う前記基板上に装着された集積回路チップを含むパッケージされた集積回路。 - 基板を供給するステップと、
前記基板の中心部にメタル・グリッド形成するステップと、
前記メタル・グリッドを覆って集積回路チップを装着するステップとを含むパッケージされた集積回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/212,501 US20040021213A1 (en) | 2002-08-05 | 2002-08-05 | Thermally-enhanced integrated circuit package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004072113A true JP2004072113A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=31187781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003286694A Abandoned JP2004072113A (ja) | 2002-08-05 | 2003-08-05 | 熱的に強化された集積回路パッケージ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040021213A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004072113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098641A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-09 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种高效散热的集成电路封装结构 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521793B2 (en) * | 2005-09-26 | 2009-04-21 | Temic Automotive Of North America, Inc. | Integrated circuit mounting for thermal stress relief useable in a multi-chip module |
| EP1878692B1 (en) * | 2006-07-14 | 2011-04-20 | STMicroelectronics Srl | Semiconductor package for MEMS devices |
| CN106098647B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-12-14 | 绍兴杭铭饰品有限公司 | 一种多芯片叠堆式集成电路封装 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054754A (en) * | 1997-06-06 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Multi-capacitance lead frame decoupling device |
| JPH11233684A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置用基板、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
2002
- 2002-08-05 US US10/212,501 patent/US20040021213A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003286694A patent/JP2004072113A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098641A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-11-09 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种高效散热的集成电路封装结构 |
| CN106098641B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-09-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 一种散热的集成电路封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040021213A1 (en) | 2004-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1374305B1 (en) | Enhanced die-down ball grid array and method for making the same | |
| EP1256980B1 (en) | Ball grid array package with a heat spreader and method for making the same | |
| US6657311B1 (en) | Heat dissipating flip-chip ball grid array | |
| US7372151B1 (en) | Ball grid array package and process for manufacturing same | |
| KR100339044B1 (ko) | 볼그리드어레이 반도체패키지 및 그 제조방법 | |
| US6876553B2 (en) | Enhanced die-up ball grid array package with two substrates | |
| US6160705A (en) | Ball grid array package and method using enhanced power and ground distribution circuitry | |
| US5903052A (en) | Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat | |
| US6359341B1 (en) | Ball grid array integrated circuit package structure | |
| US6404049B1 (en) | Semiconductor device, manufacturing method thereof and mounting board | |
| KR100698526B1 (ko) | 방열층을 갖는 배선기판 및 그를 이용한 반도체 패키지 | |
| US7109573B2 (en) | Thermally enhanced component substrate | |
| US6650015B2 (en) | Cavity-down ball grid array package with semiconductor chip solder ball | |
| US7501313B2 (en) | Method of making semiconductor BGA package having a segmented voltage plane | |
| US6819565B2 (en) | Cavity-down ball grid array semiconductor package with heat spreader | |
| CN1437233A (zh) | 封装的半导体器件及其形成方法 | |
| US6710438B2 (en) | Enhanced chip scale package for wire bond dies | |
| JP3312611B2 (ja) | フィルムキャリア型半導体装置 | |
| TWI613771B (zh) | 半導體封裝 | |
| JP2004072113A (ja) | 熱的に強化された集積回路パッケージ | |
| GB2370687A (en) | An integrated circuit package | |
| JP2891426B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR200254077Y1 (ko) | 열방출용 구리랜드를 갖는 윈도우 칩 스케일 패키지용인쇄회로기판 | |
| WO2008021797A1 (en) | Thermally enhanced bga package apparatus and method | |
| KR20030077784A (ko) | 테이프 볼 그리드 어레이 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060807 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20081205 |