JP2004071858A - 配線板及び電子装置、ならびに配線板の製造方法及び電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐ。
【解決手段】絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられてなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられた配線板であって、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、フィルム状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている配線板である。
【選択図】 図２
【解決手段】絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられてなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられた配線板であって、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、フィルム状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている配線板である。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板及び電子装置、ならびに配線板の製造方法及び電子装置の製造方法に関し、特に、絶縁基板に設けられた凹部内に半導体チップを実装する配線板および半導体チップが実装された電子装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板に半導体チップなどの電子部品を実装した電子装置には、図１９及び図２０に示すように、前記配線板に凹部ＤＨが設けられており、前記配線板の凹部ＤＨ内に半導体チップ８が実装されている半導体装置（電子装置）がある。ここで、図２０は、図１９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【０００３】
このとき、前記配線板の配線１０２は、例えば、図２０に示したように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅからなる絶縁基板の表面および内部に層状に設けられている。またこのとき、各層の配線１０２は、例えば、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅに埋め込んだ導電性ペーストからなる接続柱１０３、あるいはめっきスルーホールやビアにより電気的に接続されている。
【０００４】
また、前記配線板の配線１０２のうち、前記半導体チップ８の外部電極８０１と接続される端子部分は、図２０に示したように、前記絶縁基板に設けられた凹部ＤＨの底面に露出しており、前記配線の端子部分と前記半導体チップ８の外部電極８０１とは、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９により電気的に接続されている。また、前記配線板と前記半導体チップ８の間は、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）１０で封止されている。
【０００５】
また、前記半導体装置では、前記配線板の配線１０２の、実装基板などの配線（接続端子）と接続される端子部分に、例えば、図２０に示したように、はんだ接合材などを用いた外部接続端子１１が設けられている。また、前記配線板の表面に設けられた配線１０２のうち、前記外部接続端子１１が設けられた部分以外の部分は、ソルダレジストなどの保護膜６により保護されている。
【０００６】
前記電子装置（半導体装置）に用いる配線板の製造方法を簡単に説明すると、例えば、まず、図２１に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅからなる絶縁基板の表面および内部に配線（導体パターン）１０２が形成された積層体を形成する。このとき、前記積層体は、例えば、ビルドアップ法や一括積層法により形成する。
【０００７】
次に、前記積層体の凹部を形成する領域ＤＨＡＲの絶縁体層を削り、図２２に示すように、前記絶縁基板に凹部ＤＨを形成する。このとき、前記凹部ＤＨは、例えば、数値制御されたルータを用いて、前記絶縁基板に設けられた配線１０２のうち、半導体チップの外部電極と接続される部分が、前記凹部ＤＨの底面に露出するように形成する。
【０００８】
また、前記配線板を用いて、図２０に示したような、前記電子装置（半導体装置）を形成するときには、例えば、半導体チップ８の外部電極８０１上に、はんだ接合材を用いたボール状端子９を形成しておき、前記配線板の凹部ＤＨ内に前記半導体チップ８をフリップチップ実装し、前記配線板と前記半導体チップ８の間に、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）１０を流し込む。その後、前記配線板の配線１０２のうち、表面に露出した部分に、例えば、はんだ接合材などを用いた外部接続端子１１を形成する。
【０００９】
また、前記電子装置（半導体装置）に用いる配線板では、層状に設けられた前記配線間の電気的接続に、図２０に示したような接続柱１０３を用いる代わりに、図２３に示すように、めっきスルーホールＰＴＨを用いる場合もある。また、前記配線板に前記半導体チップ８を実装するときには、図２０に示したようなフリップチップ実装に限らず、図２３に示したように、前記配線板の配線１０２と前記半導体チップ８の外部電極８０１をボンディングワイヤ１２で接続するフェースアップ実装をする場合もある。前記半導体チップ８をフェースアップ実装する場合、図２３では省略しているが、前記半導体チップ８の外部電極８０１と前記配線１０２の接続部は、熱硬化性樹脂などの封止材で封止されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、図２１に示したように、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅを形成した後、図２２に示したように、前記積層された絶縁体層の不要な部分をルータで削って前記凹部ＤＨを形成している。このとき、前記ルータで削る量、すなわち、前記絶縁基板の凹部ＤＨの深さは、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄの厚さに基づいて設定するが、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄには、厚さのばらつきがある。そのため、前記絶縁体層をルータで削ったときに、前記凹部ＤＨの底面に露出させる配線を削ってしまう、あるいは、削る量が足りなくて前記凹部ＤＨの底面に配線が正常な状態で露出しないという問題があった。
【００１１】
また、前記ルータを用いて前記配線板の凹部ＤＨを形成する場合、前記凹部ＤＨの底面に露出した配線１０２が削れて形状が変化すると、電気的特性が変化してしまう。そこで、前記配線板の凹部ＤＨの底面に露出した配線の形状の変化による電気的特性の変化を少なくするために、図２０などで示したように、前記凹部ＤＨの底面から異なる層へ配線を引き出し、前記配線板の凹部ＤＨの底面に露出する配線の面積を小さくすることが多い。そのため、前記配線板は、凹部ＤＨの底面部分の薄型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の薄型化が難しいという問題があった。
【００１２】
また、図２０などで示したように、前記配線板の凹部底面の配線１０２を、接続柱１０３により他の層に引き出すためのスペースが必要であるため、前記配線板の配線の高密度化、小型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の小型化が難しいという問題があった。
【００１３】
また、図２３に示したように、配線１０２をめっきスルーホールＰＴＨで接続する場合には、隣り合うめっきスルーホールＰＴＨの間隔を狭くすることが難しいため、前記配線板の高密度化、小型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の小型化が難しいという問題があった。
【００１４】
本発明の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線の高密度化が可能な技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線板の小型化、薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、配線板に設けられた凹部内に半導体チップを実装した電子装置において、電子装置の小型化、薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられてなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられた配線板であって、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている配線板である。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、前記第２配線基板が、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されているため、ルータなどにより絶縁基板を削ることなく、前記配線板に凹部を設けることができる。また、前記絶縁基板を削ることなく前記凹部を設けることができるため、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００２２】
また、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるので、前記配線板の凹部の底面に設ける配線、すなわち、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができる。また、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができるので、前記第２配線基板の厚さ、すなわち、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くすることが容易になる。そのため、前記配線板を薄型化することができる。
【００２３】
また、前記（１）の手段において、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線を、突起状導体で電気的に接続することにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部を微細化（高密度化）することができる。そのため、前記配線板の小型化が容易になる。
【００２４】
またこのとき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に接合材を設けることにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との電気的接続の信頼性が高くなる。
【００２５】
また、前記（１）の手段において、前記第２配線基板の配線を前記第２絶縁基板の両面に設けると、前記第２配線基板の配線をより高密度化することができる。またこのとき、前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線にも前記突起状導体を設けると、前記配線板の凹部内に電子部品を実装して半導体装置（電子装置）を形成したときに、前記前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線に設けられた前記突起状導体を利用して、他の電子装置（半導体装置）に積層することができる。
【００２６】
（２）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた電子部品とからなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられており、前記電子部品が、前記配線板の凹部内に設けられている電子装置であって、前記配線板は、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている電子装置である。
【００２７】
前記（２）の手段によれば、前記配線板は、前記第２配線基板が、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されているため、ルータなどにより絶縁基板を削ることなく、前記配線板に凹部を設けることができる。また、前記絶縁基板を削ることなく前記凹部を設けることができるため、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００２８】
また、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるので、前記配線板の凹部の底面に設ける配線、すなわち、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができる。また、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができるので、前記第２配線基板の厚さ、すなわち、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くすることが容易になる。そのため、前記配線板を薄型化することができ、前記電子装置を薄型化することができる。
【００２９】
また、前記（２）の手段において、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線を、突起状導体で電気的に接続することにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部を微細化（高密度化）することができる。そのため、前記配線板の小型化が容易になり、前記電子装置を小型化することができる。
【００３０】
またこのとき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に接合材を設けることにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との電気的接続の信頼性が高くなる。
【００３１】
また、前記（２）の手段において、前記第２配線基板の配線を前記第２絶縁基板の両面に設けると、前記第２配線基板の配線をより高密度化することができる。またこのとき、前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線にも前記突起状導体を設けると、前記第２配線基板の、前記前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線に設けられた前記突起状導体を利用して、他の電子装置に積層することができる。
【００３２】
（３）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が形成された配線板の製造方法であって、あらかじめ定められた形状の開口部が形成された第１絶縁基板の表面及び内部に配線が形成された第１配線基板を形成する第１配線基板形成工程と、平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が形成された第２配線基板を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着して、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続する配線基板接着工程とを備え、前記配線基板接着工程は、前記第２配線基板を、前記第１配線基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着する配線板の製造方法である。
【００３３】
前記（３）の手段によれば、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記第１配線基板の開口部及び前記第２配線基板による凹部が形成される。このとき、前記第２配線基板の配線の一部が、前記第１配線基板の開口部と重なる領域を通るように形成すれば、前記凹部の底面に配線が露出した配線板を容易に製造することができる。また、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記凹部の底面に形成した配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００３４】
また、前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程において、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成しておき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することにより、前記配線の電気的接続が容易になる。
【００３５】
また、前記（３）の手段において、前記突起状導体を形成するときに、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接着面とは異なる表面の配線にも突起状導体を形成しておくと、前記配線板を用いて電子装置を製造したときに、製造した電子装置を他の電子装置と積層することが容易になる。
【００３６】
（４）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が形成された配線板を形成する配線板形成工程と、前記配線板上に電子部品を実装する電子部品実装工程とを備える電子装置の製造方法であって、前記配線板形成工程は、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面および内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とを接着し、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続する電子装置の製造方法である。
【００３７】
前記（４）の手段によれば、前記配線基板形成工程において、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記第１配線基板の開口部および前記第２配線基板による凹部が形成される。このとき、前記第２配線基板の配線の一部が、前記第１配線基板の開口部と重なる領域を通るように形成しておけば、前記凹部の底面に配線が露出した配線板を容易に製造することができる。また、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記凹部の底面に形成した配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００３８】
また、前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程において、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成しておき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することにより、前記配線の電気的接続が容易になる。
【００３９】
また、前記（４）の手段において、前記突起状導体を形成するときに、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接着面とは異なる表面の配線にも突起状導体を形成しておくと、前記配線板を用いて電子装置を製造したときに、製造した電子装置を他の電子装置と積層することが容易になる。
【００４０】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００４１】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４２】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１乃至図３は、本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線板の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図、図３は図２の部分拡大断面図である。
【００４３】
図１乃至図３において、１は第１配線基板、１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃは絶縁体層、１０２は第１配線基板の配線、２は第２配線基板、２０１は第２絶縁基板、２０２は第２絶縁基板の配線、３は接着材、４は突起状導体、５は接合材である。
【００４４】
本実施例１の配線板は、図１および図２に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなる第１絶縁基板の表面および内部に配線（導体パターン）１０２が設けられた第１配線基板１と、第２絶縁基板２０１の表面に配線（導体パターン）２０２が設けられた第２配線基板２とからなる。
【００４５】
また、前記配線板には、図１および図２に示したように、半導体チップを収容することが可能な大きさの凹部ＤＨが設けられている。本実施例１の配線板では、前記第１配線基板１に設けられた開口部（貫通穴）の一方の開口端を、前記第２配線基板２でふさぐことにより前記凹部ＤＨを設けている。またこのとき、前記第２配線基板２と前記第１配線基板１は、接着材３で接着されている。
【００４６】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２とは、図２に示したように、突起状導体４により電気的に接続されている。またこのとき、前記第１配線基板１の配線１０２及び前記第２配線基板２の配線２０２、ならびに前記突起状導体４の周囲には、図３に示すように、接合材５が設けられており、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２との接続部は、前記接合材５により固定された状態になっている。
【００４７】
また、本実施例１の配線板を用いて電子装置（半導体装置）を製造するときには、一般に、前記第１配線基板１の開口部と前記第２配線基板２により構成される凹部ＤＨ内に半導体チップを収容する。そのため、前記第２配線基板２の配線２０２の一部が、前記第１配線基板１の開口部と平面的に重なる領域、すなわち、前記凹部ＤＨの底面に露出するように設けられている。またこのとき、前記配線２０２には、例えば、前記半導体チップを実装する領域ＡＲ１内に、前記半導体チップの外部電極と接続される端子部２０２Ａが設けられている。
【００４８】
図４乃至図１１は、本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は第１配線基板の断面図、図４（ｂ）は第２配線基板の断面図、図５（ａ）は第１配線基板のコア基板を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は第１配線基板の配線を積層する工程の断面図、図６は第１配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図、図７（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図７（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図、図８は第２配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図、図９は第２配線基板の製造方法を説明するための平面図、図１０は第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の断面図、図１１は第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の部分拡大断面図である。
【００４９】
本実施例１の配線板を製造する工程は、大きく分けると、例えば、図４（ａ）に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなり、あらかじめ定められた領域に開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１絶縁基板の表面および内部に配線１０２が設けられた第１配線基板１を形成する第１配線基板形成工程と、図４（ｂ）に示すように、第２絶縁基板２０１の表面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程とに分けられる。以下、本実施例１の配線板の製造方法を、図５乃至図１１を参照しながら説明する。
【００５０】
なお、以下の配線板の製造方法では、図４（ｂ）に示したように、前記第１配線基板１と前記第２配線基板を接着する接着材３、および前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４を、前記第２配線基板２側に形成する場合について説明する。
【００５１】
前記第１配線基板形成工程は、例えば、まず、図５（ａ）に示すように、絶縁体層１０１Ｂの両表面に配線１０２が設けられたコア基板を形成する。このとき、前記コア基板は、例えば、前記絶縁体層１０１Ｂに貫通穴（図示しない）を形成し、前記貫通穴に導電性ペーストを埋め込んで接続柱１０３を形成した後、前記接続柱１０３が形成された絶縁体層１０１Ｂの両面に銅箔などの導体膜を張り合わせ、前記導体膜の不要な部分をエッチングで除去して前記配線１０２を形成する。また、前記導電性ペーストからなる接続柱１０３の代わりに、前記絶縁体層１０１Ｂの両面の配線をビアやめっきスルーホールで電気的に接続する場合には、あらかじめ導体膜を張り合わせた絶縁体層１０１Ｂを開口して前記ビアやめっきスルーホールを形成した後、前記導体膜の不要な部分を除去して配線１０２を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示したように、前記コア基板の一方の面に、絶縁体層１０１Ａを介在させて配線１０２を形成し、他方の面にも、絶縁体層１０１Ｃを介在させて配線１０２を形成する。このとき、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃを介在させた配線１０２は、例えば、ビルドアップ法を用いて、接続柱１０３が形成された絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃおよび導体膜を張り合わせ、前記導体膜の不要な部分をエッチングで除去して配線１０２を形成する。また、前記配線１０２を前記接続柱１０３の代わりにビアで接続する場合には、前記接続柱１０３を形成していない絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃおよび導体膜を前記コア基板に張り合わせ、前記導体膜および前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃを開口して、例えば、電気銅めっきによりビアを形成した後、前記導体膜の不要な部分を除去して配線１０２を形成する。
【００５３】
またこのとき、前記絶縁体層１０１Ａ上に形成する配線１０２は、例えば、実装基板に実装するときの端子部分１０２Ａを形成する。
【００５４】
また、後の工程で半導体チップを収容する開口部を形成する領域ＤＨＡＲには、前記配線１０２を形成しないでおく。
【００５５】
次に、図６に示したように、例えば、前記絶縁体層１０１Ａの表面に露出した配線１０２の、前記端子部分１０２Ａ以外の部分を保護する保護膜６を形成し、前記端子部分１０２Ａ上、および前記絶縁体層１０１Ｃの表面に露出した配線１０２上に、接合材５を形成する。このとき、前記接合材５は、例えば、錫銀合金めっきで形成する。
【００５６】
その後、図５（ｂ）に示したように、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃが積層された部分のうち、半導体チップを収容する開口部を形成する領域ＤＨＡＲを、例えば、金型を用いた打ち抜き加工、あるいは切削加工などにより開口して、図４（ａ）に示したような開口部（貫通穴）ＤＨ’を形成する。その後、切断線ＳＬで切断して個片化すると、本実施例１の配線板に用いる第１配線基板１が得られる。
【００５７】
また、前記第２配線基板形成工程は、まず、図７（ａ）に示すように、第２絶縁基板２０１の表面に銅箔などの導体膜２０２’を張り合わせた後、前記導体膜２０２’上にめっきレジスト７を形成し、例えば、電気銅めっきにより突起状導体４を形成する。このとき、前記突起状導体４は、例えば、高さが２５μｍ程度になるように形成する。
【００５８】
次に、前記めっきレジスト７を除去し、図７（ｂ）に示すように、前記導体膜２０２’の不要な部分をエッチングで除去して配線２０２を形成する。
【００５９】
次に、図８に示すように、例えば、前記配線２０２の半導体チップの外部端子と接続される端子部分２０２Ａと、前記突起状導体４が形成された部分を除く領域に保護膜６を形成し、前記配線２０２の露出した面及び突起状導体４上に接合材５を形成する。前記接合材５は、例えば、錫銀合金めっきで形成する。またこのとき、図示は省略するが、前記配線２０２の、半導体チップの外部電極と接続される端子部分２０２Ａ上にも前記接合材５を形成する。
【００６０】
その後、前記突起状導体４が形成された領域の周辺、言い換えると、前記第１配線基板１と接着される領域に接着材３を形成すると、図４（ｂ）に示したような第２配線基板２が得られる。
【００６１】
また、前記第２配線基板形成工程では、前記第２絶縁基板２０１は、例えば、図１０に示したように、一方向に長尺なテープ状の基板を用い、リールツーリール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）方式により、前記第２配線基板２として用いる領域ＡＲ２を連続的に形成する。
【００６２】
前記手順に沿って形成した前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程は、図１０に示すように、前記第２配線基板２の前記突起状導体４および前記接着材３が形成された面に、前記手順で形成した第１配線基板１を配置し、例えば、２５０℃に加熱して熱プレスを行う。このとき、２５０℃に加熱することにより、前記接着材３が軟化し、流動性が高くなるので、前記突起状導体４が前記接着材３を押しのけ、図１１に示したように、前記第１配線基板１の配線１０２と前記突起状導体４が接触する。そして、この状態でプレスを行うと、前記第１配線基板１の配線１０２上、及び前記突起状導体４上に形成されたそれぞれの接合材５が溶融して一体になる。そのため、熱プレス後に室温に戻したときに、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部の周囲が、図３に示したように、前記接合材５で固定された状態になり、本実施例１の配線板を得ることができる。
【００６３】
前記手順により配線板を製造する場合、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線は、前記第２配線基板２に形成されているので、従来の配線板の製造方法のように、絶縁基板（絶縁体層）を削らなくてもよい。そのため、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線が削れて形状不良になるのを防ぐことができる。
【００６４】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線、すなわち、前記第２配線基板２の配線２０２は、形状不良を起こしにくいので、微細化が容易である。
そのため、前記第２配線基板２の配線２０２を微細化、高密度化することにより、従来の配線板に比べて小型化することができる。
【００６５】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４は、容易に形成することができるとともに、導電性ペーストを用いた接続柱や、ビア、めっきスルーホールなどに比べて、微細化が容易である。そのため、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くすることが容易であり、前記配線板を小型化することができる。
【００６６】
また、前記第２配線基板２の配線２０２の微細化、高密度化が容易であるため、前記第２配線基板２の薄型化ができ、前記配線板の凹部ＤＨの底面部分の厚さを薄くできるので、配線板を薄型化することができる。
【００６７】
図１２は、本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００６８】
本実施例１の配線板を用いて電子装置を製造するときには、例えば、図１２に示すように、前記配線板の凹部ＤＨ、すなわち、前記第１配線基板１の開口部（貫通穴）ＤＨ’と前記第２配線基板２により形成された凹部ＤＨ内に半導体チップ８を配置し、前記半導体チップ８の外部電極（図示しない）と前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）に設けられた配線の端子部分２０２Ａとを、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９で電気的に接続する。このとき、前記半導体チップ８は複数個あってもよいし、また、前記半導体チップ８以外の、抵抗素子や容量素子などのチップ状の電子部品を実装してもよい。
【００６９】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）と前記半導体チップ８の間は、例えば、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）を流し込んで封止する。また、前記配線板の、前記第１配線基板１の表面の配線の端子部分１０２Ａには、例えば、はんだ接合材からなる外部接続端子１１を形成する。
【００７０】
以上説明したように、本実施例１の配線板によれば、前記開口部ＤＨ’を有する第１配線基板１と、第２配線基板２とを接着して、前記半導体チップ８を収容可能な大きさの凹部ＤＨを設けることにより、前記凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができる。
【００７１】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるため、前記凹部ＤＨの底面に設けられる部分の配線の微細化、高密度化が容易になり、配線板を小型化、薄型化することができる。
【００７２】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を、前記突起状導体４で接続する場合、接続柱やビア、めっきスルーホールに比べて微細化が容易であるので、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くし、配線板を小型化することができる。
【００７３】
また、前記配線板を小型化、薄型化できるため、前記配線板を用いた電子装置を小型化、薄型化することができる。
【００７４】
また、前記実施例１の配線板では、前記接合材５として、錫銀合金などのはんだ接合材を例にあげて説明したが、これに限らず、例えば、前記接合材５として金めっきを形成してもよい。前記接合材５として金めっきを形成した場合、超音波接合により、前記第１配線基板１の配線１０２上の金めっきと前記突起状導体４上の金めっきを接合させる。
【００７５】
また、前記実施例１の配線板では、前記接合材５を用いて、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部を固定する例を示したが、これに限らず、前記接合材５を用いないで接続してもよい。このとき、前記接着材３には、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いる。
【００７６】
また、前記実施例１の配線板では、前記突起状導体４及び前記接着材３を、前記第２配線基板２上に形成したが、これに限らず、前記第１配線基板１の配線１０２上に前記突起状導体４及び前記接着材３を形成してもよい。また、前記突起状導体４と前記接着材３が、それぞれ別の配線基板に形成されていてもよい。
【００７７】
また、前記実施例１では、前記配線板を用いた電子装置として、前記半導体チップ８をフリップチップ実装した電子装置（半導体装置）を例にあげたが、これに限らず、半導体チップをフェースアップ実装して、前記半導体チップの外部電極と前記配線板の配線をボンディングワイヤで電気的に接続する電子装置（半導体装置）に用いることもできる。
【００７８】
（実施例２）
図１３は、本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【００７９】
本実施例２の配線板は、図１３に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなる第１絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）１０２が設けられた第１配線基板１と、第２絶縁基板２０１の表面に配線（導体パターン）２０２が設けられた第２配線基板２とからなる。
【００８０】
また、前記配線板には、図１３に示したように、半導体チップを収容することが可能な大きさの凹部ＤＨが設けられている。本実施例１の配線板では、前記第１配線基板１に設けられた開口部（貫通穴）の一方の開口端を、前記第２配線基板２でふさぐことにより前記凹部ＤＨを設けている。このとき、前記第２配線基板２と前記第１配線基板１は、接着材３で接着されている。
【００８１】
また、前記第２配線基板２の配線２０２は、前記第１配線基板１が接着された面およびその裏面の両面に設けられており、各面の配線２０２は、例えば、前記第２絶縁基板２０１に設けられた接続柱２０３により電気的に接続されている。
【００８２】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２とは、図１３に示したように、突起状導体４により電気的に接続されている。またこのとき、図示は省略するが、前記第１配線基板１の配線１０２及び前記第２配線基板２の配線２０２、ならびに前記突起状導体４の周囲には、前記実施例１で説明したように、接合材５が設けられており、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２との接続部は、前記接合材５により固定された状態になっている。
【００８３】
また、本実施例２の配線板では、前記第２配線基板２の、前記第１配線基板１が接着された面の裏面の配線２０２上にも、前記突起状導体４が設けられている。またこのとき、図示は省略するが、前記前記第１配線基板１が接着された面の裏面の配線２０２上の突起状導体４の表面にも接合材５が設けられているとする。
【００８４】
図１４及び図１５は、本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図、図１５は第２配線基板上に接着材を形成する工程の断面図である。
【００８５】
本実施例２の配線板を製造する工程も、大きく分けると、図４（ａ）に示したような、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなり、あらかじめ定められた位置に開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線１０２が設けられた第１配線基板１を形成する第１配線基板形成工程と、第２絶縁基板２０１の表面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程とに分けられる。以下、本実施例２の配線板の製造方法を、図１４および図１５を参照しながら説明する。
【００８６】
前記第１配線基板形成工程は、前記実施例１で説明した手順と同様の手順であるため、説明は省略する。
【００８７】
前記第２配線基板形成工程は、まず、例えば、図１４（ａ）に示したように、接続柱２０３が形成された第２絶縁基板２の両面に、銅箔などの導体膜２０２’を張り合わせ、前記導体膜２０２’上にめっきレジスト７を形成して、例えば、電気銅めっきにより突起状導体４を形成する。
【００８８】
次に、前記めっきレジスト７を除去し、図１４（ｂ）に示すように、前記導体膜２０２’の不要な部分をエッチングで除去して配線２０２を形成する。
【００８９】
その後、図示は省略するが、前記実施例１で説明したように、前記配線２０２上および前記突起状導体４上に、例えば、錫銀合金めっきなどの接合材５を形成した後、図１５に示すように、前記第１配線基板１と接着される領域に接着材３を形成する。
【００９０】
前記手順で形成した前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着する配線基板接着工程は、前記実施例１で説明した手順と同様の手順であるため、説明は省略する。
【００９１】
本実施例２の配線板の製造方法においても、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線は、前記第２配線基板２に形成されているので、従来の配線板の製造方法のように、絶縁基板（絶縁体層）を削らなくてもよい。そのため、前記配線板の凹部の底面に設けられる配線が削れて形状不良になるのを防ぐことができる。
【００９２】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線、すなわち、前記第２配線基板２の配線２０２は、形状不良を起こしにくいので、微細化が容易である。
そのため、前記第２配線基板２の配線２０２を微細化、高密度化することにより、従来の配線板に比べて小型化することができる。
【００９３】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４は、容易に形成することができるとともに、導電性ペーストを用いた接続柱や、ビア、めっきスルーホールなどに比べて、微細化が容易である。そのため、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くすることが容易であり、前記配線板を小型化することができる。
【００９４】
また、前記第２配線基板２の配線２０２の微細化、高密度化が容易であるため、前記第２配線基板２を薄型化でき、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くできるので、配線板を薄型化することができる。
【００９５】
図１６乃至図１８は、本実施例２の配線板を用いた電子装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１６は本実施例２の配線板を用いた電子装置（半導体装置）の概略構成を示す断面図、図１７及び図１８は本実施例２の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の断面図である。
【００９６】
本実施例２の配線板を用いて電子装置（半導体装置）を製造するときには、例えば、図１６に示すように、前記配線板の凹部、すなわち、前記第１配線基板１の開口部ＤＨと前記第２配線基板２により形成された空間内に半導体チップ８を配置し、前記半導体チップ８の外部電極（図示しない）と前記配線板の凹部の底面（第２配線基板２）に設けられた配線の端子部分２０２Ａとを、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９で電気的に接続する。また、前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）と前記半導体チップ８の間は、例えば、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）を流し込んで封止する。このとき、前記半導体チップ８は複数個あってもよいし、また、前記半導体チップ８以外の、抵抗素子や容量素子などのチップ状の電子部品を実装してもよい。
【００９７】
このとき、前記第２配線基板２の前記第１配線基板１が接着された面の裏面に形成された突起状導体４は、例えば、図１７に示すように、本実施例２の配線板を用いて製造した第１半導体装置ＰＫＧ１を、前記実施例１で説明した配線板を用いて製造した第２半導体装置ＰＫＧ２と積層するときに用いることができる。
【００９８】
前記第１半導体装置ＰＫＧ１と前記第２半導体装置ＰＫＧ２を積層するときには、図１７に示したように、例えば、前記第１半導体装置ＰＫＧ１に接着材３を形成し、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着する配線基板接着工程と同様の方法で積層することができ、積層後は、図１８に示すように、前記第１半導体装置ＰＫＧ１の第２配線基板２の配線２０２と、前記第２半導体装置ＰＫＧ２の第１配線基板１の配線１０２が、前記突起状導体４で電気的に接続された状態になる。このとき、前記第１半導体装置ＰＫＧ１に実装された半導体チップ８Ａと前記第２半導体装置ＰＫＧ２に実装された半導体チップ８Ｂは、同種の半導体チップであってもよいし、異なる種類の半導体チップであってもよい。
【００９９】
以上説明したように、本実施例２の配線板によれば、前記開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１配線基板１と、第２配線基板２とを接着して、前記半導体チップ８を収容可能な大きさの凹部ＤＨを設けることにより、前記凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができる。
【０１００】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるため、前記凹部ＤＨの底面に設けられる部分の配線の微細化、高密度化が容易になり、配線板を小型化、薄型化することができる。
【０１０１】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を、前記突起状導体４で接続する場合、接続柱やビア、めっきスルーホールに比べて微細化が容易であるので、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くし、配線板を小型化することができる。
【０１０２】
また、前記配線板を小型化、薄型化できるため、前記配線板を用いた電子装置を小型化、薄型化することができる。
【０１０３】
また、本実施例２の配線板のように、前記第２絶縁基板２の両面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成し、各面の配線２０２上に前記突起状導体４を形成しておくと、前記配線板を用いて製造した電子装置（半導体装置）を、他の電子装置（半導体装置）に容易に積層することができる。
【０１０４】
また、前記実施例２の配線板では、前記接合材５として、錫銀合金などのはんだ接合材を例にあげて説明したが、これに限らず、例えば、前記接合材５として金めっきを形成してもよい。前記接合材５として金めっきを形成した場合、超音波接合により、前記第１配線基板１の配線１０２上の金めっきと前記突起状導体４上の金めっきを接合させる。
【０１０５】
また、前記実施例２の配線板では、前記接合材５を用いて、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部を固定する例を示したが、これに限らず、前記接合材５を用いないで接続してもよい。このとき、前記接着材３には、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いる。
【０１０６】
また、前記実施例２の配線板では、前記突起状導体４および前記接着材３を、前記第２配線基板２上に形成したが、これに限らず、前記第１配線基板１の配線１０２上に前記突起状導体４および前記接着材３を形成してもよい。また、前記突起状導体４と前記接着材３が、それぞれ別の配線基板に形成されていてもよい。
【０１０７】
また、前記実施例２では、前記配線板を用いた電子装置として、前記半導体チップ８をフリップチップ実装した電子装置（半導体装置）を例にあげたが、これに限らず、半導体チップをフェースアップ実装して、前記半導体チップの外部電極と前記配線板の配線をボンディングワイヤで電気的に接続する電子装置（半導体装置）に用いることもできる。
【０１０８】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１０９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１１０】
（１）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【０１１１】
（２）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線を高密度化することができる。
【０１１２】
（３）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線板を小型化、薄型化することができる。
【０１１３】
（４）配線板に設けられた凹部内に半導体チップを実装した電子装置において、電子装置を小型化、薄型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２の部分拡大断面図である。
【図４】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は配線板に用いる第１配線基板の断面図、図４（ｂ）は配線板に用いる第２配線基板の断面図である。
【図５】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は第１配線基板のコア基板を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は第１配線基板の配線を積層する工程の断面図である。
【図６】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図である。
【図７】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図７（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図である。
【図８】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図である。
【図９】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の断面図である。
【図１１】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の部分拡大断面図である。
【図１２】本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１３】本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図１４】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図である。
【図１５】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板上に接着材を形成する工程の断面図である。
【図１６】本実施例２の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１７】本実施例２の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の模式断面図である。
【図１８】本実施例３の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の断面図である。
【図１９】従来の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式平面図である。
【図２０】従来の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式図であり、図１９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図２１】従来の電子装置に用いる配線板の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図２２】従来の電子装置に用いる配線板の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図２３】従来の、他の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 第１配線基板
１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ 絶縁体層
１０２ 第１配線基板の配線
２ 第２配線基板
２０１ 第２絶縁基板
２０２ 第２配線基板の配線
３ 接着材
４ 突起状導体
５ 接合材
６ 保護膜
７ めっきレジスト
８ 半導体チップ
９ ボール状接合材
１０ 封止材（アンダーフィル材）
１１ 外部接続端子
１２ ボンディングワイヤ
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板及び電子装置、ならびに配線板の製造方法及び電子装置の製造方法に関し、特に、絶縁基板に設けられた凹部内に半導体チップを実装する配線板および半導体チップが実装された電子装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板に半導体チップなどの電子部品を実装した電子装置には、図１９及び図２０に示すように、前記配線板に凹部ＤＨが設けられており、前記配線板の凹部ＤＨ内に半導体チップ８が実装されている半導体装置（電子装置）がある。ここで、図２０は、図１９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【０００３】
このとき、前記配線板の配線１０２は、例えば、図２０に示したように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅからなる絶縁基板の表面および内部に層状に設けられている。またこのとき、各層の配線１０２は、例えば、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅに埋め込んだ導電性ペーストからなる接続柱１０３、あるいはめっきスルーホールやビアにより電気的に接続されている。
【０００４】
また、前記配線板の配線１０２のうち、前記半導体チップ８の外部電極８０１と接続される端子部分は、図２０に示したように、前記絶縁基板に設けられた凹部ＤＨの底面に露出しており、前記配線の端子部分と前記半導体チップ８の外部電極８０１とは、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９により電気的に接続されている。また、前記配線板と前記半導体チップ８の間は、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）１０で封止されている。
【０００５】
また、前記半導体装置では、前記配線板の配線１０２の、実装基板などの配線（接続端子）と接続される端子部分に、例えば、図２０に示したように、はんだ接合材などを用いた外部接続端子１１が設けられている。また、前記配線板の表面に設けられた配線１０２のうち、前記外部接続端子１１が設けられた部分以外の部分は、ソルダレジストなどの保護膜６により保護されている。
【０００６】
前記電子装置（半導体装置）に用いる配線板の製造方法を簡単に説明すると、例えば、まず、図２１に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅからなる絶縁基板の表面および内部に配線（導体パターン）１０２が形成された積層体を形成する。このとき、前記積層体は、例えば、ビルドアップ法や一括積層法により形成する。
【０００７】
次に、前記積層体の凹部を形成する領域ＤＨＡＲの絶縁体層を削り、図２２に示すように、前記絶縁基板に凹部ＤＨを形成する。このとき、前記凹部ＤＨは、例えば、数値制御されたルータを用いて、前記絶縁基板に設けられた配線１０２のうち、半導体チップの外部電極と接続される部分が、前記凹部ＤＨの底面に露出するように形成する。
【０００８】
また、前記配線板を用いて、図２０に示したような、前記電子装置（半導体装置）を形成するときには、例えば、半導体チップ８の外部電極８０１上に、はんだ接合材を用いたボール状端子９を形成しておき、前記配線板の凹部ＤＨ内に前記半導体チップ８をフリップチップ実装し、前記配線板と前記半導体チップ８の間に、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）１０を流し込む。その後、前記配線板の配線１０２のうち、表面に露出した部分に、例えば、はんだ接合材などを用いた外部接続端子１１を形成する。
【０００９】
また、前記電子装置（半導体装置）に用いる配線板では、層状に設けられた前記配線間の電気的接続に、図２０に示したような接続柱１０３を用いる代わりに、図２３に示すように、めっきスルーホールＰＴＨを用いる場合もある。また、前記配線板に前記半導体チップ８を実装するときには、図２０に示したようなフリップチップ実装に限らず、図２３に示したように、前記配線板の配線１０２と前記半導体チップ８の外部電極８０１をボンディングワイヤ１２で接続するフェースアップ実装をする場合もある。前記半導体チップ８をフェースアップ実装する場合、図２３では省略しているが、前記半導体チップ８の外部電極８０１と前記配線１０２の接続部は、熱硬化性樹脂などの封止材で封止されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、図２１に示したように、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅを形成した後、図２２に示したように、前記積層された絶縁体層の不要な部分をルータで削って前記凹部ＤＨを形成している。このとき、前記ルータで削る量、すなわち、前記絶縁基板の凹部ＤＨの深さは、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄの厚さに基づいて設定するが、前記各絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄには、厚さのばらつきがある。そのため、前記絶縁体層をルータで削ったときに、前記凹部ＤＨの底面に露出させる配線を削ってしまう、あるいは、削る量が足りなくて前記凹部ＤＨの底面に配線が正常な状態で露出しないという問題があった。
【００１１】
また、前記ルータを用いて前記配線板の凹部ＤＨを形成する場合、前記凹部ＤＨの底面に露出した配線１０２が削れて形状が変化すると、電気的特性が変化してしまう。そこで、前記配線板の凹部ＤＨの底面に露出した配線の形状の変化による電気的特性の変化を少なくするために、図２０などで示したように、前記凹部ＤＨの底面から異なる層へ配線を引き出し、前記配線板の凹部ＤＨの底面に露出する配線の面積を小さくすることが多い。そのため、前記配線板は、凹部ＤＨの底面部分の薄型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の薄型化が難しいという問題があった。
【００１２】
また、図２０などで示したように、前記配線板の凹部底面の配線１０２を、接続柱１０３により他の層に引き出すためのスペースが必要であるため、前記配線板の配線の高密度化、小型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の小型化が難しいという問題があった。
【００１３】
また、図２３に示したように、配線１０２をめっきスルーホールＰＴＨで接続する場合には、隣り合うめっきスルーホールＰＴＨの間隔を狭くすることが難しいため、前記配線板の高密度化、小型化が難しく、前記配線板を用いた電子装置（半導体装置）の小型化が難しいという問題があった。
【００１４】
本発明の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線の高密度化が可能な技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線板の小型化、薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、配線板に設けられた凹部内に半導体チップを実装した電子装置において、電子装置の小型化、薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２０】
（１）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられてなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられた配線板であって、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている配線板である。
【００２１】
前記（１）の手段によれば、前記第２配線基板が、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されているため、ルータなどにより絶縁基板を削ることなく、前記配線板に凹部を設けることができる。また、前記絶縁基板を削ることなく前記凹部を設けることができるため、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００２２】
また、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるので、前記配線板の凹部の底面に設ける配線、すなわち、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができる。また、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができるので、前記第２配線基板の厚さ、すなわち、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くすることが容易になる。そのため、前記配線板を薄型化することができる。
【００２３】
また、前記（１）の手段において、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線を、突起状導体で電気的に接続することにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部を微細化（高密度化）することができる。そのため、前記配線板の小型化が容易になる。
【００２４】
またこのとき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に接合材を設けることにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との電気的接続の信頼性が高くなる。
【００２５】
また、前記（１）の手段において、前記第２配線基板の配線を前記第２絶縁基板の両面に設けると、前記第２配線基板の配線をより高密度化することができる。またこのとき、前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線にも前記突起状導体を設けると、前記配線板の凹部内に電子部品を実装して半導体装置（電子装置）を形成したときに、前記前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線に設けられた前記突起状導体を利用して、他の電子装置（半導体装置）に積層することができる。
【００２６】
（２）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた電子部品とからなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられており、前記電子部品が、前記配線板の凹部内に設けられている電子装置であって、前記配線板は、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されている電子装置である。
【００２７】
前記（２）の手段によれば、前記配線板は、前記第２配線基板が、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されているため、ルータなどにより絶縁基板を削ることなく、前記配線板に凹部を設けることができる。また、前記絶縁基板を削ることなく前記凹部を設けることができるため、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００２８】
また、前記配線板の凹部の底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるので、前記配線板の凹部の底面に設ける配線、すなわち、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができる。また、前記第２配線基板に設ける配線を微細化、あるいは高密度化することができるので、前記第２配線基板の厚さ、すなわち、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くすることが容易になる。そのため、前記配線板を薄型化することができ、前記電子装置を薄型化することができる。
【００２９】
また、前記（２）の手段において、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線を、突起状導体で電気的に接続することにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部を微細化（高密度化）することができる。そのため、前記配線板の小型化が容易になり、前記電子装置を小型化することができる。
【００３０】
またこのとき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に接合材を設けることにより、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との電気的接続の信頼性が高くなる。
【００３１】
また、前記（２）の手段において、前記第２配線基板の配線を前記第２絶縁基板の両面に設けると、前記第２配線基板の配線をより高密度化することができる。またこのとき、前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線にも前記突起状導体を設けると、前記第２配線基板の、前記前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線に設けられた前記突起状導体を利用して、他の電子装置に積層することができる。
【００３２】
（３）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が形成された配線板の製造方法であって、あらかじめ定められた形状の開口部が形成された第１絶縁基板の表面及び内部に配線が形成された第１配線基板を形成する第１配線基板形成工程と、平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が形成された第２配線基板を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着して、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続する配線基板接着工程とを備え、前記配線基板接着工程は、前記第２配線基板を、前記第１配線基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着する配線板の製造方法である。
【００３３】
前記（３）の手段によれば、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記第１配線基板の開口部及び前記第２配線基板による凹部が形成される。このとき、前記第２配線基板の配線の一部が、前記第１配線基板の開口部と重なる領域を通るように形成すれば、前記凹部の底面に配線が露出した配線板を容易に製造することができる。また、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記凹部の底面に形成した配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００３４】
また、前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程において、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成しておき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することにより、前記配線の電気的接続が容易になる。
【００３５】
また、前記（３）の手段において、前記突起状導体を形成するときに、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接着面とは異なる表面の配線にも突起状導体を形成しておくと、前記配線板を用いて電子装置を製造したときに、製造した電子装置を他の電子装置と積層することが容易になる。
【００３６】
（４）前記絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が形成された配線板を形成する配線板形成工程と、前記配線板上に電子部品を実装する電子部品実装工程とを備える電子装置の製造方法であって、前記配線板形成工程は、あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面および内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とを接着し、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続する電子装置の製造方法である。
【００３７】
前記（４）の手段によれば、前記配線基板形成工程において、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記第１配線基板の開口部および前記第２配線基板による凹部が形成される。このとき、前記第２配線基板の配線の一部が、前記第１配線基板の開口部と重なる領域を通るように形成しておけば、前記凹部の底面に配線が露出した配線板を容易に製造することができる。また、前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着することにより、前記凹部の底面に形成した配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【００３８】
また、前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程において、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成しておき、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することにより、前記配線の電気的接続が容易になる。
【００３９】
また、前記（４）の手段において、前記突起状導体を形成するときに、前記第１配線基板と前記第２配線基板との接着面とは異なる表面の配線にも突起状導体を形成しておくと、前記配線板を用いて電子装置を製造したときに、製造した電子装置を他の電子装置と積層することが容易になる。
【００４０】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００４１】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４２】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１乃至図３は、本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線板の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図、図３は図２の部分拡大断面図である。
【００４３】
図１乃至図３において、１は第１配線基板、１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃは絶縁体層、１０２は第１配線基板の配線、２は第２配線基板、２０１は第２絶縁基板、２０２は第２絶縁基板の配線、３は接着材、４は突起状導体、５は接合材である。
【００４４】
本実施例１の配線板は、図１および図２に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなる第１絶縁基板の表面および内部に配線（導体パターン）１０２が設けられた第１配線基板１と、第２絶縁基板２０１の表面に配線（導体パターン）２０２が設けられた第２配線基板２とからなる。
【００４５】
また、前記配線板には、図１および図２に示したように、半導体チップを収容することが可能な大きさの凹部ＤＨが設けられている。本実施例１の配線板では、前記第１配線基板１に設けられた開口部（貫通穴）の一方の開口端を、前記第２配線基板２でふさぐことにより前記凹部ＤＨを設けている。またこのとき、前記第２配線基板２と前記第１配線基板１は、接着材３で接着されている。
【００４６】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２とは、図２に示したように、突起状導体４により電気的に接続されている。またこのとき、前記第１配線基板１の配線１０２及び前記第２配線基板２の配線２０２、ならびに前記突起状導体４の周囲には、図３に示すように、接合材５が設けられており、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２との接続部は、前記接合材５により固定された状態になっている。
【００４７】
また、本実施例１の配線板を用いて電子装置（半導体装置）を製造するときには、一般に、前記第１配線基板１の開口部と前記第２配線基板２により構成される凹部ＤＨ内に半導体チップを収容する。そのため、前記第２配線基板２の配線２０２の一部が、前記第１配線基板１の開口部と平面的に重なる領域、すなわち、前記凹部ＤＨの底面に露出するように設けられている。またこのとき、前記配線２０２には、例えば、前記半導体チップを実装する領域ＡＲ１内に、前記半導体チップの外部電極と接続される端子部２０２Ａが設けられている。
【００４８】
図４乃至図１１は、本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は第１配線基板の断面図、図４（ｂ）は第２配線基板の断面図、図５（ａ）は第１配線基板のコア基板を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は第１配線基板の配線を積層する工程の断面図、図６は第１配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図、図７（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図７（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図、図８は第２配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図、図９は第２配線基板の製造方法を説明するための平面図、図１０は第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の断面図、図１１は第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の部分拡大断面図である。
【００４９】
本実施例１の配線板を製造する工程は、大きく分けると、例えば、図４（ａ）に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなり、あらかじめ定められた領域に開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１絶縁基板の表面および内部に配線１０２が設けられた第１配線基板１を形成する第１配線基板形成工程と、図４（ｂ）に示すように、第２絶縁基板２０１の表面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程とに分けられる。以下、本実施例１の配線板の製造方法を、図５乃至図１１を参照しながら説明する。
【００５０】
なお、以下の配線板の製造方法では、図４（ｂ）に示したように、前記第１配線基板１と前記第２配線基板を接着する接着材３、および前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４を、前記第２配線基板２側に形成する場合について説明する。
【００５１】
前記第１配線基板形成工程は、例えば、まず、図５（ａ）に示すように、絶縁体層１０１Ｂの両表面に配線１０２が設けられたコア基板を形成する。このとき、前記コア基板は、例えば、前記絶縁体層１０１Ｂに貫通穴（図示しない）を形成し、前記貫通穴に導電性ペーストを埋め込んで接続柱１０３を形成した後、前記接続柱１０３が形成された絶縁体層１０１Ｂの両面に銅箔などの導体膜を張り合わせ、前記導体膜の不要な部分をエッチングで除去して前記配線１０２を形成する。また、前記導電性ペーストからなる接続柱１０３の代わりに、前記絶縁体層１０１Ｂの両面の配線をビアやめっきスルーホールで電気的に接続する場合には、あらかじめ導体膜を張り合わせた絶縁体層１０１Ｂを開口して前記ビアやめっきスルーホールを形成した後、前記導体膜の不要な部分を除去して配線１０２を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示したように、前記コア基板の一方の面に、絶縁体層１０１Ａを介在させて配線１０２を形成し、他方の面にも、絶縁体層１０１Ｃを介在させて配線１０２を形成する。このとき、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃを介在させた配線１０２は、例えば、ビルドアップ法を用いて、接続柱１０３が形成された絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃおよび導体膜を張り合わせ、前記導体膜の不要な部分をエッチングで除去して配線１０２を形成する。また、前記配線１０２を前記接続柱１０３の代わりにビアで接続する場合には、前記接続柱１０３を形成していない絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃおよび導体膜を前記コア基板に張り合わせ、前記導体膜および前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｃを開口して、例えば、電気銅めっきによりビアを形成した後、前記導体膜の不要な部分を除去して配線１０２を形成する。
【００５３】
またこのとき、前記絶縁体層１０１Ａ上に形成する配線１０２は、例えば、実装基板に実装するときの端子部分１０２Ａを形成する。
【００５４】
また、後の工程で半導体チップを収容する開口部を形成する領域ＤＨＡＲには、前記配線１０２を形成しないでおく。
【００５５】
次に、図６に示したように、例えば、前記絶縁体層１０１Ａの表面に露出した配線１０２の、前記端子部分１０２Ａ以外の部分を保護する保護膜６を形成し、前記端子部分１０２Ａ上、および前記絶縁体層１０１Ｃの表面に露出した配線１０２上に、接合材５を形成する。このとき、前記接合材５は、例えば、錫銀合金めっきで形成する。
【００５６】
その後、図５（ｂ）に示したように、前記絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃが積層された部分のうち、半導体チップを収容する開口部を形成する領域ＤＨＡＲを、例えば、金型を用いた打ち抜き加工、あるいは切削加工などにより開口して、図４（ａ）に示したような開口部（貫通穴）ＤＨ’を形成する。その後、切断線ＳＬで切断して個片化すると、本実施例１の配線板に用いる第１配線基板１が得られる。
【００５７】
また、前記第２配線基板形成工程は、まず、図７（ａ）に示すように、第２絶縁基板２０１の表面に銅箔などの導体膜２０２’を張り合わせた後、前記導体膜２０２’上にめっきレジスト７を形成し、例えば、電気銅めっきにより突起状導体４を形成する。このとき、前記突起状導体４は、例えば、高さが２５μｍ程度になるように形成する。
【００５８】
次に、前記めっきレジスト７を除去し、図７（ｂ）に示すように、前記導体膜２０２’の不要な部分をエッチングで除去して配線２０２を形成する。
【００５９】
次に、図８に示すように、例えば、前記配線２０２の半導体チップの外部端子と接続される端子部分２０２Ａと、前記突起状導体４が形成された部分を除く領域に保護膜６を形成し、前記配線２０２の露出した面及び突起状導体４上に接合材５を形成する。前記接合材５は、例えば、錫銀合金めっきで形成する。またこのとき、図示は省略するが、前記配線２０２の、半導体チップの外部電極と接続される端子部分２０２Ａ上にも前記接合材５を形成する。
【００６０】
その後、前記突起状導体４が形成された領域の周辺、言い換えると、前記第１配線基板１と接着される領域に接着材３を形成すると、図４（ｂ）に示したような第２配線基板２が得られる。
【００６１】
また、前記第２配線基板形成工程では、前記第２絶縁基板２０１は、例えば、図１０に示したように、一方向に長尺なテープ状の基板を用い、リールツーリール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）方式により、前記第２配線基板２として用いる領域ＡＲ２を連続的に形成する。
【００６２】
前記手順に沿って形成した前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程は、図１０に示すように、前記第２配線基板２の前記突起状導体４および前記接着材３が形成された面に、前記手順で形成した第１配線基板１を配置し、例えば、２５０℃に加熱して熱プレスを行う。このとき、２５０℃に加熱することにより、前記接着材３が軟化し、流動性が高くなるので、前記突起状導体４が前記接着材３を押しのけ、図１１に示したように、前記第１配線基板１の配線１０２と前記突起状導体４が接触する。そして、この状態でプレスを行うと、前記第１配線基板１の配線１０２上、及び前記突起状導体４上に形成されたそれぞれの接合材５が溶融して一体になる。そのため、熱プレス後に室温に戻したときに、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部の周囲が、図３に示したように、前記接合材５で固定された状態になり、本実施例１の配線板を得ることができる。
【００６３】
前記手順により配線板を製造する場合、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線は、前記第２配線基板２に形成されているので、従来の配線板の製造方法のように、絶縁基板（絶縁体層）を削らなくてもよい。そのため、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線が削れて形状不良になるのを防ぐことができる。
【００６４】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線、すなわち、前記第２配線基板２の配線２０２は、形状不良を起こしにくいので、微細化が容易である。
そのため、前記第２配線基板２の配線２０２を微細化、高密度化することにより、従来の配線板に比べて小型化することができる。
【００６５】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４は、容易に形成することができるとともに、導電性ペーストを用いた接続柱や、ビア、めっきスルーホールなどに比べて、微細化が容易である。そのため、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くすることが容易であり、前記配線板を小型化することができる。
【００６６】
また、前記第２配線基板２の配線２０２の微細化、高密度化が容易であるため、前記第２配線基板２の薄型化ができ、前記配線板の凹部ＤＨの底面部分の厚さを薄くできるので、配線板を薄型化することができる。
【００６７】
図１２は、本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００６８】
本実施例１の配線板を用いて電子装置を製造するときには、例えば、図１２に示すように、前記配線板の凹部ＤＨ、すなわち、前記第１配線基板１の開口部（貫通穴）ＤＨ’と前記第２配線基板２により形成された凹部ＤＨ内に半導体チップ８を配置し、前記半導体チップ８の外部電極（図示しない）と前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）に設けられた配線の端子部分２０２Ａとを、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９で電気的に接続する。このとき、前記半導体チップ８は複数個あってもよいし、また、前記半導体チップ８以外の、抵抗素子や容量素子などのチップ状の電子部品を実装してもよい。
【００６９】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）と前記半導体チップ８の間は、例えば、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）を流し込んで封止する。また、前記配線板の、前記第１配線基板１の表面の配線の端子部分１０２Ａには、例えば、はんだ接合材からなる外部接続端子１１を形成する。
【００７０】
以上説明したように、本実施例１の配線板によれば、前記開口部ＤＨ’を有する第１配線基板１と、第２配線基板２とを接着して、前記半導体チップ８を収容可能な大きさの凹部ＤＨを設けることにより、前記凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができる。
【００７１】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるため、前記凹部ＤＨの底面に設けられる部分の配線の微細化、高密度化が容易になり、配線板を小型化、薄型化することができる。
【００７２】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を、前記突起状導体４で接続する場合、接続柱やビア、めっきスルーホールに比べて微細化が容易であるので、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くし、配線板を小型化することができる。
【００７３】
また、前記配線板を小型化、薄型化できるため、前記配線板を用いた電子装置を小型化、薄型化することができる。
【００７４】
また、前記実施例１の配線板では、前記接合材５として、錫銀合金などのはんだ接合材を例にあげて説明したが、これに限らず、例えば、前記接合材５として金めっきを形成してもよい。前記接合材５として金めっきを形成した場合、超音波接合により、前記第１配線基板１の配線１０２上の金めっきと前記突起状導体４上の金めっきを接合させる。
【００７５】
また、前記実施例１の配線板では、前記接合材５を用いて、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部を固定する例を示したが、これに限らず、前記接合材５を用いないで接続してもよい。このとき、前記接着材３には、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いる。
【００７６】
また、前記実施例１の配線板では、前記突起状導体４及び前記接着材３を、前記第２配線基板２上に形成したが、これに限らず、前記第１配線基板１の配線１０２上に前記突起状導体４及び前記接着材３を形成してもよい。また、前記突起状導体４と前記接着材３が、それぞれ別の配線基板に形成されていてもよい。
【００７７】
また、前記実施例１では、前記配線板を用いた電子装置として、前記半導体チップ８をフリップチップ実装した電子装置（半導体装置）を例にあげたが、これに限らず、半導体チップをフェースアップ実装して、前記半導体チップの外部電極と前記配線板の配線をボンディングワイヤで電気的に接続する電子装置（半導体装置）に用いることもできる。
【００７８】
（実施例２）
図１３は、本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【００７９】
本実施例２の配線板は、図１３に示すように、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなる第１絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）１０２が設けられた第１配線基板１と、第２絶縁基板２０１の表面に配線（導体パターン）２０２が設けられた第２配線基板２とからなる。
【００８０】
また、前記配線板には、図１３に示したように、半導体チップを収容することが可能な大きさの凹部ＤＨが設けられている。本実施例１の配線板では、前記第１配線基板１に設けられた開口部（貫通穴）の一方の開口端を、前記第２配線基板２でふさぐことにより前記凹部ＤＨを設けている。このとき、前記第２配線基板２と前記第１配線基板１は、接着材３で接着されている。
【００８１】
また、前記第２配線基板２の配線２０２は、前記第１配線基板１が接着された面およびその裏面の両面に設けられており、各面の配線２０２は、例えば、前記第２絶縁基板２０１に設けられた接続柱２０３により電気的に接続されている。
【００８２】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２とは、図１３に示したように、突起状導体４により電気的に接続されている。またこのとき、図示は省略するが、前記第１配線基板１の配線１０２及び前記第２配線基板２の配線２０２、ならびに前記突起状導体４の周囲には、前記実施例１で説明したように、接合材５が設けられており、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２との接続部は、前記接合材５により固定された状態になっている。
【００８３】
また、本実施例２の配線板では、前記第２配線基板２の、前記第１配線基板１が接着された面の裏面の配線２０２上にも、前記突起状導体４が設けられている。またこのとき、図示は省略するが、前記前記第１配線基板１が接着された面の裏面の配線２０２上の突起状導体４の表面にも接合材５が設けられているとする。
【００８４】
図１４及び図１５は、本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図、図１５は第２配線基板上に接着材を形成する工程の断面図である。
【００８５】
本実施例２の配線板を製造する工程も、大きく分けると、図４（ａ）に示したような、絶縁体層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃからなり、あらかじめ定められた位置に開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線１０２が設けられた第１配線基板１を形成する第１配線基板形成工程と、第２絶縁基板２０１の表面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成する第２配線基板形成工程と、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着し、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する配線基板接着工程とに分けられる。以下、本実施例２の配線板の製造方法を、図１４および図１５を参照しながら説明する。
【００８６】
前記第１配線基板形成工程は、前記実施例１で説明した手順と同様の手順であるため、説明は省略する。
【００８７】
前記第２配線基板形成工程は、まず、例えば、図１４（ａ）に示したように、接続柱２０３が形成された第２絶縁基板２の両面に、銅箔などの導体膜２０２’を張り合わせ、前記導体膜２０２’上にめっきレジスト７を形成して、例えば、電気銅めっきにより突起状導体４を形成する。
【００８８】
次に、前記めっきレジスト７を除去し、図１４（ｂ）に示すように、前記導体膜２０２’の不要な部分をエッチングで除去して配線２０２を形成する。
【００８９】
その後、図示は省略するが、前記実施例１で説明したように、前記配線２０２上および前記突起状導体４上に、例えば、錫銀合金めっきなどの接合材５を形成した後、図１５に示すように、前記第１配線基板１と接着される領域に接着材３を形成する。
【００９０】
前記手順で形成した前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着する配線基板接着工程は、前記実施例１で説明した手順と同様の手順であるため、説明は省略する。
【００９１】
本実施例２の配線板の製造方法においても、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線は、前記第２配線基板２に形成されているので、従来の配線板の製造方法のように、絶縁基板（絶縁体層）を削らなくてもよい。そのため、前記配線板の凹部の底面に設けられる配線が削れて形状不良になるのを防ぐことができる。
【００９２】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられる配線、すなわち、前記第２配線基板２の配線２０２は、形状不良を起こしにくいので、微細化が容易である。
そのため、前記第２配線基板２の配線２０２を微細化、高密度化することにより、従来の配線板に比べて小型化することができる。
【００９３】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を電気的に接続する突起状導体４は、容易に形成することができるとともに、導電性ペーストを用いた接続柱や、ビア、めっきスルーホールなどに比べて、微細化が容易である。そのため、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くすることが容易であり、前記配線板を小型化することができる。
【００９４】
また、前記第２配線基板２の配線２０２の微細化、高密度化が容易であるため、前記第２配線基板２を薄型化でき、前記配線板の凹部の底面部分の厚さを薄くできるので、配線板を薄型化することができる。
【００９５】
図１６乃至図１８は、本実施例２の配線板を用いた電子装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１６は本実施例２の配線板を用いた電子装置（半導体装置）の概略構成を示す断面図、図１７及び図１８は本実施例２の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の断面図である。
【００９６】
本実施例２の配線板を用いて電子装置（半導体装置）を製造するときには、例えば、図１６に示すように、前記配線板の凹部、すなわち、前記第１配線基板１の開口部ＤＨと前記第２配線基板２により形成された空間内に半導体チップ８を配置し、前記半導体チップ８の外部電極（図示しない）と前記配線板の凹部の底面（第２配線基板２）に設けられた配線の端子部分２０２Ａとを、例えば、はんだ接合材などのボール状端子９で電気的に接続する。また、前記配線板の凹部ＤＨの底面（第２配線基板２）と前記半導体チップ８の間は、例えば、熱硬化性樹脂などの封止材（アンダーフィル材）を流し込んで封止する。このとき、前記半導体チップ８は複数個あってもよいし、また、前記半導体チップ８以外の、抵抗素子や容量素子などのチップ状の電子部品を実装してもよい。
【００９７】
このとき、前記第２配線基板２の前記第１配線基板１が接着された面の裏面に形成された突起状導体４は、例えば、図１７に示すように、本実施例２の配線板を用いて製造した第１半導体装置ＰＫＧ１を、前記実施例１で説明した配線板を用いて製造した第２半導体装置ＰＫＧ２と積層するときに用いることができる。
【００９８】
前記第１半導体装置ＰＫＧ１と前記第２半導体装置ＰＫＧ２を積層するときには、図１７に示したように、例えば、前記第１半導体装置ＰＫＧ１に接着材３を形成し、前記第１配線基板１と前記第２配線基板２を接着する配線基板接着工程と同様の方法で積層することができ、積層後は、図１８に示すように、前記第１半導体装置ＰＫＧ１の第２配線基板２の配線２０２と、前記第２半導体装置ＰＫＧ２の第１配線基板１の配線１０２が、前記突起状導体４で電気的に接続された状態になる。このとき、前記第１半導体装置ＰＫＧ１に実装された半導体チップ８Ａと前記第２半導体装置ＰＫＧ２に実装された半導体チップ８Ｂは、同種の半導体チップであってもよいし、異なる種類の半導体チップであってもよい。
【００９９】
以上説明したように、本実施例２の配線板によれば、前記開口部（貫通穴）ＤＨ’を有する第１配線基板１と、第２配線基板２とを接着して、前記半導体チップ８を収容可能な大きさの凹部ＤＨを設けることにより、前記凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができる。
【０１００】
また、前記配線板の凹部ＤＨの底面に設けられた配線の形状不良を防ぐことができるため、前記凹部ＤＨの底面に設けられる部分の配線の微細化、高密度化が容易になり、配線板を小型化、薄型化することができる。
【０１０１】
また、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２を、前記突起状導体４で接続する場合、接続柱やビア、めっきスルーホールに比べて微細化が容易であるので、隣り合う突起状導体４の間隔を狭くし、配線板を小型化することができる。
【０１０２】
また、前記配線板を小型化、薄型化できるため、前記配線板を用いた電子装置を小型化、薄型化することができる。
【０１０３】
また、本実施例２の配線板のように、前記第２絶縁基板２の両面に配線２０２が設けられた第２配線基板２を形成し、各面の配線２０２上に前記突起状導体４を形成しておくと、前記配線板を用いて製造した電子装置（半導体装置）を、他の電子装置（半導体装置）に容易に積層することができる。
【０１０４】
また、前記実施例２の配線板では、前記接合材５として、錫銀合金などのはんだ接合材を例にあげて説明したが、これに限らず、例えば、前記接合材５として金めっきを形成してもよい。前記接合材５として金めっきを形成した場合、超音波接合により、前記第１配線基板１の配線１０２上の金めっきと前記突起状導体４上の金めっきを接合させる。
【０１０５】
また、前記実施例２の配線板では、前記接合材５を用いて、前記第１配線基板１の配線１０２と前記第２配線基板２の配線２０２の接続部を固定する例を示したが、これに限らず、前記接合材５を用いないで接続してもよい。このとき、前記接着材３には、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いる。
【０１０６】
また、前記実施例２の配線板では、前記突起状導体４および前記接着材３を、前記第２配線基板２上に形成したが、これに限らず、前記第１配線基板１の配線１０２上に前記突起状導体４および前記接着材３を形成してもよい。また、前記突起状導体４と前記接着材３が、それぞれ別の配線基板に形成されていてもよい。
【０１０７】
また、前記実施例２では、前記配線板を用いた電子装置として、前記半導体チップ８をフリップチップ実装した電子装置（半導体装置）を例にあげたが、これに限らず、半導体チップをフェースアップ実装して、前記半導体チップの外部電極と前記配線板の配線をボンディングワイヤで電気的に接続する電子装置（半導体装置）に用いることもできる。
【０１０８】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１０９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１１０】
（１）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、凹部の底面に設けられた配線の形状不良や露出不良を防ぐことができる。
【０１１１】
（２）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線を高密度化することができる。
【０１１２】
（３）半導体チップを実装するための凹部が設けられた配線板において、配線板を小型化、薄型化することができる。
【０１１３】
（４）配線板に設けられた凹部内に半導体チップを実装した電子装置において、電子装置を小型化、薄型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施例１の配線板の概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本実施例１の配線板の概略構成を示す模式図であり、図２の部分拡大断面図である。
【図４】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は配線板に用いる第１配線基板の断面図、図４（ｂ）は配線板に用いる第２配線基板の断面図である。
【図５】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は第１配線基板のコア基板を形成する工程の断面図、図５（ｂ）は第１配線基板の配線を積層する工程の断面図である。
【図６】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図である。
【図７】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図７（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図である。
【図８】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板の配線上に接合材を形成する工程の断面図である。
【図９】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の断面図である。
【図１１】本実施例１の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第１配線基板と第２配線基板を接着する工程の部分拡大断面図である。
【図１２】本実施例１の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１３】本発明による実施例２の配線板の概略構成を示す模式断面図である。
【図１４】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は第２配線基板の突起状導体を形成する工程の断面図、図１４（ｂ）は第２配線基板の配線を形成する工程の断面図である。
【図１５】本実施例２の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第２配線基板上に接着材を形成する工程の断面図である。
【図１６】本実施例２の配線板を用いた電子装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１７】本実施例２の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の模式断面図である。
【図１８】本実施例３の配線板を用いた電子装置を他の電子装置（半導体装置）と積層する工程の断面図である。
【図１９】従来の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式平面図である。
【図２０】従来の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式図であり、図１９のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図２１】従来の電子装置に用いる配線板の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図２２】従来の電子装置に用いる配線板の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図２３】従来の、他の電子装置（半導体装置）の概略構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１ 第１配線基板
１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ 絶縁体層
１０２ 第１配線基板の配線
２ 第２配線基板
２０１ 第２絶縁基板
２０２ 第２配線基板の配線
３ 接着材
４ 突起状導体
５ 接合材
６ 保護膜
７ めっきレジスト
８ 半導体チップ
９ ボール状接合材
１０ 封止材（アンダーフィル材）
１１ 外部接続端子
１２ ボンディングワイヤ
Claims (16)
- 絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられてなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられた配線板であって、
あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、
平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、
前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されていることを特徴とする配線板。 - 前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線は、突起状導体により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線板。
- 前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に、接合材が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線板。
- 前記第２配線基板は、前記第２絶縁基板の前記第１配線基板が接着された面、及びその裏面に前記配線が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線板。
- 前記第２配線基板の、前記第１配線基板が接着された面の裏面に設けられた配線上に、突起状導体が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の配線板。
- 絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が設けられた配線板と、前記配線板上に設けられた電子部品とからなり、前記絶縁基板は凹部を有し、前記配線は、前記絶縁基板の表面及び内部、ならびに前記絶縁基板の凹部の底面に設けられており、前記電子部品が、前記配線板の凹部内に設けられている電子装置であって、
前記配線板は、
あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、
平板状の第２絶縁基板の前記第１絶縁基板の開口部と重なる領域に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とからなり、
前記第２配線基板は、前記第１絶縁基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着されていることを特徴とする電子装置。 - 前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線は、突起状導体で電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
- 前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線との接続部の周囲に接合材が設けられていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電子装置。
- 前記第２配線基板の配線は、前記第２絶縁基板の前記第１配線基板が接着された面、及びその裏面に設けられていることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子装置。
- 前記第２配線基板の、前記第１配線基板が接着された面の裏面の配線上に、突起状導体が設けられていることを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
- 絶縁基板の表面および内部に配線（導体パターン）が形成された配線板の製造方法であって、
あらかじめ定められた形状の開口部が形成された第１絶縁基板の表面および内部に配線が形成された第１配線基板を形成する第１配線基板形成工程と、
平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が形成された第２配線基板を形成する第２配線基板形成工程と、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とを接着して、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続する配線基板接着工程とを備え、
前記配線基板接着工程は、前記第２配線基板を、前記第１配線基板の開口部の一方の開口端をふさぐように接着することを特徴とする配線板の製造方法。 - 前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程は、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成する工程を備え、
前記配線基板接着工程は、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することを特徴とする請求項１１に記載の配線板の製造方法。 - 前記突起状導体を形成する工程の後、前記突起状導体上に接合材を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１２に記載の配線板の製造方法。
- 絶縁基板の表面及び内部に配線（導体パターン）が形成された配線板を形成する配線板形成工程と、前記配線板上に電子部品を実装する電子部品実装工程とを備える電子装置の製造方法であって、
前記配線板形成工程は、
あらかじめ定められた形状の開口部を有する第１絶縁基板の表面及び内部に配線が設けられた第１配線基板と、平板状の第２絶縁基板の表面に配線（導体パターン）が設けられた第２配線基板とを接着し、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを電気的に接続することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記第１配線基板形成工程、あるいは前記第２配線基板形成工程は、前記第１配線基板の配線、あるいは前記第２配線基板の配線上に突起状導体を形成する工程を備え、
前記配線基板接着工程は、前記第１配線基板の配線と前記第２配線基板の配線とを前記突起状導体で電気的に接続することを特徴とする請求項１４に記載の電子装置の製造方法。 - 前記突起状導体を形成する工程の後、前記突起状導体上に接合材を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１５に記載の電子装置の製造方法。
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| WO2007069606A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | チップ内蔵基板およびチップ内蔵基板の製造方法 |
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2002
- 2002-08-07 JP JP2002229625A patent/JP2004071858A/ja not_active Withdrawn
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