[go: up one dir, main page]

JP2004071780A - 投影光学系の作製方法及び露光装置 - Google Patents

投影光学系の作製方法及び露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004071780A
JP2004071780A JP2002228157A JP2002228157A JP2004071780A JP 2004071780 A JP2004071780 A JP 2004071780A JP 2002228157 A JP2002228157 A JP 2002228157A JP 2002228157 A JP2002228157 A JP 2002228157A JP 2004071780 A JP2004071780 A JP 2004071780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
projection optical
aberration
center wavelength
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002228157A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Fujitsuka
藤塚 隆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2002228157A priority Critical patent/JP2004071780A/ja
Publication of JP2004071780A publication Critical patent/JP2004071780A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】バンドパスフィルター中心波長ずれに起因する像性能変化を考慮に入れた、新たな投影レンズの像性能予測によるレンズの収差を最適な状態に調整する投影光学系の作製方法及びかかる方法を用いた露光装置を提供する。
【解決手段】複数の発光スペクトルを有する光源と、当該光源からの光によって回路パターンを照明する照明光学系と、前記回路パターンを感光基盤上に投影する投影光学系を有する露光装置において、前記照明光学系は、前記光源の発光スペクトルの中から1つの輝線スペクトルのみを透過するバンドパスフィルターを有し、前記バンドパスフィルターの中心波長に応じて前記投影光学系の収差状態を変更することを特徴とする投影光学系の作製方法を提供する。
【選択図】     図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光光にバンド幅のある輝線を用い、その露光光の狭帯域化のためバンドパスフィルターを用いる半導体及び液晶を製造する露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の露光装置の投影レンズは、波面収差測定器によるレンズの波面収差データと、投影レンズを搭載した実験装置において回路パターンを縮小又は等倍とし感光基板上に焼き付け、かかるパターンを転写した像の結像性能をSEMにより評価する(以下、この方法を「像性能焼き」と呼ぶ)ことで、投影レンズの性能を把握し、その情報を基にレンズの間隔、偏心、回し等の調整をすることで投影レンズを作製していた。
【0003】
しかし、かかる方法では大幅に時間がかかり、像性能焼きにおいてレチクル誤差やプロセス誤差も含む可能性があったため投影レンズ本来の性能を把握し難く、この方法を用いた投影レンズの作製は最善の方法とはいえなかった。
【0004】
また、露光光として用いられる輝線がある幅をもったスペクトル強度分布をとる場合、この輝線を照明光として使用するためにはスペクトル強度分布を狭帯域化し、像性能を悪化させると考えられる余分なスペクトルをバンドパスフィルターを通しカットする必要がある。
【0005】
しかし、中心波長が所望の値と異なったバンドパスフィルターを通過した輝線スペクトルとして用いる場合と、理想的な中心波長のバンドパスフィルターを通過した輝線スペクトルを照明光として用いる場合では、像性能に違いがみられるといった弊害が生じる。
【0006】
その原因は、投影レンズが中心波長がi線基準波長からずれていないバンドパスフィルター(理想的なバンドパスフィルター)を通過したスペクトルを露光波長として設計及び調整されているためであるが、従来のレンズ作製においてはバンドパスフィルター中心の波長ずれによる像性能への影響は像性能焼きでしか考慮することができなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術では、バンドパスフィルター中心の波長ずれによる像性能への影響を考慮するには、像性能焼きをするしかなかったが、時間が大幅にかかる問題、また焼いた後にSEMによって解析された像が、レチクル誤差、プロセス誤差などを含んでいることで、投影レンズ性能の正確な把握がしにくいという問題があった。
【0008】
そこで、像性能焼きをせずに、波面収差データのみでレンズ調整を試みると、バンドパスフィルターは製造誤差としてフィルター中心波長が露光光における所望の基準波長と異なる可能性があることから、やはり正確なレンズ性能を予測し、投影レンズを作製及び調整することは困難であった。
【0009】
そこで、本発明は、バンドパスフィルター中心波長ずれに起因する像性能変化を考慮に入れた、新たな投影レンズの像性能予測によるレンズの収差を最適な状態に調整する投影光学系の作製方法及びかかる方法を用いた露光装置を提供することを例示的目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての投影光学系の作製方法は、複数の発光スペクトルを有する光源と、当該光源からの光によって回路パターンを照明する照明光学系と、前記回路パターンを感光基盤上に投影する投影光学系を有する露光装置において、前記照明光学系は、前記光源の発光スペクトルの中から1つの輝線スペクトルのみを透過するバンドパスフィルターを有し、前記バンドパスフィルターの中心波長に応じて前記投影光学系の収差状態を変更することを特徴とする。前記バンドフィルターの中心波長に対する、前記投影光学系の収差変化量をあらかじめ計算し、波面収差測定器で計測された前記投影光学系の収差と、前記収差変化量を基に、前記投影光学系の収差状態を決定することを特徴とする。前記バンドパスフィルターの中心波長に対する、前記投影光学系の収差変化量を事前に露光実験から算出し、波面収差測定器で計測された前記投影光学系の収差と、前記収差変化量を基に、前記投影光学系の収差状態を決定することを特徴とする。
【0011】
本発明の別の側面としての露光装置は、上述の作製方法で作製された投影光学系を搭載したことを特徴とする。
【0012】
本発明の他の目的及びその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明かにされるであろう。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明におけるバンドパスフィルターの中心波長を考慮することによる投影レンズの像性能の正確な予測方法とレンズ収差を最適な状態に調整するレンズ作成方法について説明する。
【0014】
投影レンズを作製する際にあらかじめ、バンドパスフィルター中心波長が露光光における所望の中心基準波長からシフトしたずれ分を考慮し、シミュレーション又は実験によりバンドパスフィルターシフトによる輝線スペクトルの半値中心波長が理想的な値からシフトしてしまった際の波面収差変化量(波面収差敏感度)を算出する。
【0015】
ここで使用するバンドパスフィルターは、理想的なフィルターの中心波長に対してどの程度のずれがあるかを測定し、かかるずれ量に応じあらかじめ求めておいた波面収差敏感度より、バンドパスフィルターの中心波長ずれによる波面収差変化量を求めることができる。この値と波面収差測定器より測定されたレンズ自身のもつ波面収差データを足し合わせた収差量が本体搭載時におけるトータル収差量となり、投影レンズを調整する際のターゲット値となる。
【0016】
かかる方法により、像性能焼きをせず投影レンズを調整する際のターゲット値を知ることができるため、像性能焼きに伴った問題を発生することなく、本体搭載時における所望の像性能を得ることが可能となる利点がある。また、従来のように像性能焼きを同時に行うことも可能である。
【0017】
ここで、シミュレーション又は実験に用いて中心波長のずれ量を測定したバンドフィルターとかかるフィルターに合わせて調整を行った投影レンズは本体に搭載する際には一対として使用する。
【0018】
投影露光装置に搭載したバンドパスフィルターを交換する場合には、投影光学系の調整状態に応じて本体搭載時と同様な性能となる中心波長のバンドパスフィルターを選択し使用する。
【0019】
本実施形態では、バンド幅のある光源として水銀ランプを用いた例を挙げて詳述する。しかし、当然のことであるが、本発明は以下に示した実施形態により限定されるものではない。
【0020】
以下にバンドパスフィルターの中心波長が水銀ランプの中心波長と異なる場合の波面収差敏感度の算出法及び投影レンズ性能の把握方法を示す。像性能は様々な要因に依存するが、露光に用いられる照明光の半値中心波長にも依存する。バンドパスフィルターを透過する光線の半値中心波長は、バンドパスフィルターの中心波長と透過率分布によって決まるので半値中心波長の水銀ランプの中心波長からのシフト量は比較的容易に求めることができる。
【0021】
まず、シミュレーションを活用した波面収差敏感度の算出方法及びレンズ性能把握方法及びレンズ調整方法の例を示す。
【0022】
中心波長がi線基準波長のバンドパスフィルターでの波面収差と、バンドパスフィルターの中心波長が基準値(波長)からずれているバンドパスフィルターによる露光光での波面収差の差をシミュレーションにより算出し、半値中心波長シフト量に対する波面収差敏感度を求める(ステップ1002)。
【0023】
波面収差測定により投影レンズの波面収差データを求める(ステップ1004)。
【0024】
露光装置を使用する条件(モード)において、本体に搭載するバンドパスフィルターの中心波長シフト量を測定し、ステップ1002で求めた半値中心波長変化量に対する波面収差敏感度にかけ合わせることで、フィルター中心波長シフトによる収差量が求まる(ステップ1006)。
【0025】
ここで、像面湾曲を例として、レンズの調整による収差の最適化の方法を示す。図1は、像面湾曲を例とした投影レンズの調整量を示すグラフである。ここで、基準値とは中心波長がi線基準波長からずれていないバンドパスフィルター(理想フィルター)であり、この際の像面湾曲はステップ1004で求めた基準は長における波面収差測定器で測定された収差量だけとなり、かかる収差量を補正するようにレンズを調整すればよい(図1(a)参照)。しかし、中心波長がシフトしているバンドパスフィルターを用いる際には、ステップ1004以外にステップ1006のフィルター中心波長シフトによる収差量が発生することになり、レンズの調整量が変わってくることとなる(図1(b)参照)。このような調整を様々な収差に対し、露光装置を使用する条件(モード)やレチクルやデバイスパターンによって行うことで投影レンズを作製することができる(ステップ1008)。
【0026】
次に、シミュレーションによる方法に比べ、多くの時間を必要とし様々な誤差も含む可能性があるが、もう一つの方法である実験による投影レンズ性能の把握方法及びレンズ調整方法の例を示す。
【0027】
あらかじめバンドパスフィルターの中心波長をi線基準波長の前後で数nm程度シフトさせ、露光装置の使用条件における性能を実験で測定し、フィルターシフト量に対する像性能敏感度を調べる(ステップ2002)。
【0028】
その際に条件を決定するパラメーターとして挙げられるものは、各照明モード(NA、σ)、レチクル(バイナリー、ハーフトーン、レベンソン)、デバイスパターンがあり、各条件における性能は、ここでは像高別フォーカス差、左右線幅差、ディストーション、CD変化量などを測定し評価している。
【0029】
使用するバンドパスフィルターのi線基準波長からの中心波長シフト量を測定する(ステップ2004)。
【0030】
以上により使用条件でのバンドパスフィルター中心波長のシフト量あたりの像性能変化量が求まり、これに波面収差測定器によって測定された波面収差データを足し込むことで、バンドパスフィルター中心のずれ量に応じた正確な投影レンズ性能を算出でき、上述したレンズ調整方法と同様に投影レンズを作製することができる(ステップ2006)。
【0031】
以下、上述の方法により作製した投影レンズを用いた露光装置の一例を説明する。図2は、本発明の一側面としての露光装置100の例示的一形態を示す概略断面図である。露光装置100は、ステップ&リピート方式、あるいはステップ&スキャン方式でウェハ10上の複数個の領域にデバイスパターンを露光する露光装置である。
【0032】
また、図2において、1は光源であって、図3に示すような分光出力特性を有する水銀ランプの光束から楕円ミラー2などを用いて、300nm乃至400nmの範囲の光束を抜き出し、i線フィルター3でi線付近の数nm幅の光束を抜き出すようにしている。ここで、図3は、図2に示す光源1である水銀ランプの分光出力を示すグラフである。
【0033】
しかし、ここで図4(a)に示すように、使用している狭帯域i線フィルター中心がi線基準波長からシフトしてしまっている場合、図4(b)に示すように、i線のスペクトル半値中心が所望の値からシフトしてしまう。このように、i線に用いるバンドパスフィルターの中心波長がi線基準波長よりずれていることが、図4(b)に示すように、半値中心波長がずれるという現象を導き、これによって以下に露光手順を示した露光装置における被露光面(ウェハなど)で、i線に用いるバンドパスフィルター半値中心波長がi線基準波長であるときと比べ、像性能に差が生じることとなる。ここで、図4(a)は、露光装置におけるバンドパスフィルター中心がシフトした際のフィルターのカット特性を示すグラフであり、図4(b)は、露光装置におけるバンドパスフィルター中心がシフトした際のi線スペクトルを示すグラフである。
【0034】
よって、ここで必要となるのはあらかじめ、バンドパスフィルターのスペクトル半値中心波長がi線基準波長からシフトする量による像性能変化量をシミュレーション又は実験により算出しておくことで、本体に搭載するバンドパスフィルターの中心波長ずれ量に応じた像性能変化量を波面収差データに足し込むことで、投影レンズを間隔、偏心、回し、非球面加工などの調整により作り込みをすることができる。
【0035】
これによって露光装置100本体に投影レンズを搭載した際に、レンズの作り込みの際に使用したバンドパスフィルターを用いれば、露光光のスペクトル半値中心波長がi線基準波長と異なった際にも、理想的な露光光で得られる像性能と同じ精度の結果を得ることが可能となる。
【0036】
露光装置100本体において、バンドパスフィルターであるi線フィルター3を通過したi線スペクトルは図示しないレンズにより一旦集光し、面内反射部材4に入射し、内面反射部材4の光射出面に形成された均一な光強度分布の光束は、図示しないレンズ系によってハエの目レンズ5の光入射面に投影する。そして、ハエの目レンズ5の光射出面に形成された集光点群は2次光源として利用し照明領域を均一に照明することとなり、絞り6の位置での均一な光強度分布をリレー光学系によりレチクル7の大きさと形状に投影し、レチクル7を照明する。レチクル7上のパターンは投影光学系8によって半導体ウェハ等のレジストが塗布された基板10上に結像される。
【0037】
投影光学系8は公知のものであるが、ここではバンドパスフィルターの中心波長を考慮して作製した投影レンズを搭載したものとする。また、露光装置100に搭載するバンドパスフィルターは投影レンズの調整を行った際に使用したものとする。
【0038】
投影光学系8としては、基本的に屈折系からより成る系、レンズと凹面鏡より成る系、レンズと凹面鏡より成るカタジオプトリック系があり、レチクル7の位置や基板10の位置が光軸方向にずれても、投影倍率が変化しないレチクル7側と基板10側の双方がテレセントリックな系である。
【0039】
また、投影光学系8には、開口径が可変な開口絞り9が設けられ、開口絞り9の開口径を調整することで開口数(NA)を調整して、明るさ、解像度、焦点深度を制御する。
【0040】
本発明では、バンドパスフィルターの中心波長を考慮して調整を行った投影レンズで投影光学系8を構成しているので、バンドパスフィルターの中心波長ずれにより、i線スペクトル半値中心波長が変化した場合でも、結像性能において理想的i線中心波長であるバンドパスフィルターを用いた場合と像性能における差が発生しないという結果が得られる。
【0041】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、バンドパスフィルターの中心波長の違いによる像性能への影響を考慮した像性能変化量をシミュレーション又は実験により算出することで、レンズの収差を最適な状態に調整することが可能となる。また、時間がかかり様々な誤差を含む可能性のある像性能焼きをしなくとも、投影レンズの性能を把握することが可能となる。従って、大幅な製造時間の短縮、誤差を最小限に抑えた投影レンズ作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】像面湾曲を例とした投影レンズの調整量を示すグラフである。
【図2】本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略断面図である。
【図3】図2に示す光源である水銀ランプの分光出力を示すグラフである。
【図4】図4(a)は、露光装置におけるバンドパスフィルター中心がシフトした際のフィルターのカット特性を示すグラフ、図4(b)は、露光装置におけるバンドパスフィルター中心がシフトした際のi線スペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
1        光源
2        楕円ミラー
3        i線フィルター
4        内面反射部材
5        ハエの目レンズ
6        絞り
7        レチクル
8        投影光学系
9        開口絞り
10       基板
100      露光装置

Claims (4)

  1. 複数の発光スペクトルを有する光源と、当該光源からの光によって回路パターンを照明する照明光学系と、前記回路パターンを感光基盤上に投影する投影光学系を有する露光装置において、
    前記照明光学系は、前記光源の発光スペクトルの中から1つの輝線スペクトルのみを透過するバンドパスフィルターを有し、
    前記バンドパスフィルターの中心波長に応じて前記投影光学系の収差状態を変更することを特徴とする投影光学系の作製方法。
  2. 前記バンドフィルターの中心波長に対する、前記投影光学系の収差変化量をあらかじめ計算し、波面収差測定器で計測された前記投影光学系の収差と、前記収差変化量を基に、前記投影光学系の収差状態を決定することを特徴とする請求項1記載の投影光学系の作製方法。
  3. 前記バンドパスフィルターの中心波長に対する、前記投影光学系の収差変化量を事前に露光実験から算出し、波面収差測定器で計測された前記投影光学系の収差と、前記収差変化量を基に、前記投影光学系の収差状態を決定することを特徴とする請求項1記載の投影光学系の作製方法。
  4. 請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の作製方法で作製された投影光学系を搭載したことを特徴とする露光装置。
JP2002228157A 2002-08-06 2002-08-06 投影光学系の作製方法及び露光装置 Withdrawn JP2004071780A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002228157A JP2004071780A (ja) 2002-08-06 2002-08-06 投影光学系の作製方法及び露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002228157A JP2004071780A (ja) 2002-08-06 2002-08-06 投影光学系の作製方法及び露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004071780A true JP2004071780A (ja) 2004-03-04

Family

ID=32014918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002228157A Withdrawn JP2004071780A (ja) 2002-08-06 2002-08-06 投影光学系の作製方法及び露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004071780A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873538B1 (ko) 2006-06-09 2008-12-11 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873538B1 (ko) 2006-06-09 2008-12-11 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100871505B1 (ko) 노광장치 및 방법
US7073924B2 (en) Projection exposure apparatus with line width calculator controlled diaphragm unit
US6344892B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method using same
US7253885B2 (en) Wavelength selecting method, position detecting method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP7054365B2 (ja) 評価方法、露光方法、および物品製造方法
JP3264368B2 (ja) 縮小投影型露光装置の調整方法
JPH0786126A (ja) パターン検出方法及びパターン検出装置及びそれを用いた投影露光装置及び露光システム
US6972836B2 (en) Measuring method of illuminance unevenness of exposure apparatus, correcting method of illuminance unevenness, manufacturing method of semiconductor device, and exposure apparatus
US6797443B2 (en) Focus monitoring method, focus monitoring apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP4455129B2 (ja) 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置
US20050190378A1 (en) Exposure apparatus mounted with measuring apparatus
JP3774590B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2002071514A (ja) 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4769448B2 (ja) 干渉計を備えた露光装置及びデバイス製造方法
JP5662717B2 (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法
JP3870153B2 (ja) 光学特性の測定方法
KR101320240B1 (ko) 파면수차 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004207709A (ja) 露光方法及び装置
JP3296296B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JPH11184070A (ja) 収差測定方法および収差測定用フォトマスク
JP2004071780A (ja) 投影光学系の作製方法及び露光装置
US20060055915A1 (en) Measuring apparatus, test reticle, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2000021761A (ja) 露光方法及び露光装置
JPH10232185A (ja) 投影光学系の収差測定方法
JP3603880B2 (ja) 重ね露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050629

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20051101