JP2004066225A

JP2004066225A - ゲッタの組成物及び該ゲッタの組成物を利用した電界放出表示装置

Info

Publication number: JP2004066225A
Application number: JP2003146714A
Authority: JP
Inventors: Yong Churl Kim; キム，ヨン・チュル
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2002-06-13
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2004-03-04

Abstract

【課題】活性化温度を低減し得るゲッタを利用して活性化工程を実施し、真空度及びガス除去能力を向上し得るゲッタの組成物及びそのゲッタの組成物を利用した電界放出素子を提供する。
【解決手段】本発明ゲッタはクロム（Ｃｒ）を主成分として含み、その他の成分としてチタンとジルコニウムを含むことを特徴とする。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゲッタ用の組成物に係るもので、詳しくは、活性化温度を低減し得るゲッタの組成物と、該ゲッタの組成物を利用した電界放出表示装置（ＦＥＤ）とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、陰極線管（ＣＲＴ）の短所である重さ及び体積を低減し得る各種の平板表示装置が開発されつつある。このような平板表示装置には、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）及びエレクトロルミネセンス（ＥＬ）などが知られている。表示の品質を改善するように、平板表示装置の輝度、コントラスト及び色純度を向上させる研究が活発に行われている。
【０００３】
ＦＥＤは、先端を尖鋭にしたエミッタに高い電界を集中させて、量子力学的トンネル効果により電子を放出させるチップ型ＦＥＤと、所定面積を有する金属に高い電界を集中させて量子力学的トンネル効果により電子を放出する平面型（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ；ＭＩＭ）ＦＥＤとに分けることができる。
【０００４】
従来チップ型電界放出表示装置（ＦＥＤ）は、図９及び図１０に示したように、アノード電極４及び蛍光体６が積層された上部ガラス基板２と、電界放出アレイ３２を表面に形成させた下部ガラス基板８とを備えている。電界放出アレイ３２は、下部ガラス基板８上に形成されるカソード電極１０及び抵抗層１２と、抵抗層１２上に形成されるゲート絶縁層１４及びエミッタ２２と、ゲート絶縁層１４上に形成されるゲート電極１６とを含んでいた。
【０００５】
カソード電極１０はエミッタ２２に電流を供給する。抵抗層１２は、カソード電極１０からエミッタ２２方向に印加される過電流を制限して、エミッタ２２に均一な電流を供給する役を果たしている。
【０００６】
ゲート絶縁層１４はカソード電極１０とゲート電極１６間を絶縁している。ゲート電極１６は、電子を引出すための引出電極として利用される。
【０００７】
上部ガラス基板２と下部ガラス基板８と間には、スペーサ４０が設置されて、双方が一定の間隔を保って配置されている。すなわち、このスペーサ４０は、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の高真空状態を維持するように、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８を支持している。
【０００８】
画像を表示するためには、カソード電極１０に負極性（−）のカソード電圧が印加され、アノード電極４に正極性（＋）のアノード電圧が印加されて、ゲート電極１６には正極性（＋）のゲート電圧が印加される。
【０００９】
このように電圧をかけることにより、エミッタ２２は電子ビーム３０を放出し、その放出された電子ビームが赤色、緑色及び青色の蛍光体６に入射して蛍光体６を励起させる。この蛍光体の励起によって、赤色、緑色及び青色中何れか一色の可視光が発光される。ＦＥＤは、各画素を制御するため、図９に示された“Ａ”部分のようにマトリックス構造として形成される。
【００１０】
即ち、従来の電界放出表示装置のゲート構造においては、図１１に示したように、カソード電極１０とゲート電極１６とが電気的にゲート絶縁層１４により絶縁されて、水平又は垂直方向に相互に交差するように配置されている。ゲート電極１６には、ゲートホール３６が形成されており、エミッタ２２が各ゲートホール３６に対応させてカソード電極１０上に形成されている。
【００１１】
従って、カソード電極１０を接地させて、ゲート電極１６に＋１００Ｖ程度の電圧が印加すると、二つの電極１０、１６が交差する部分に位置する各エミッタ２２の端部から高い電界が発生し、その高い電界により電子３０が放出される。この時、電子３０を放出するためのゲート電極１６の電圧は、ゲートホール３６の大きさが小さくなるほど低くなる。しかし、エミッタ２２の材料特性によって異なる。
【００１２】
又、各カソード電極１０と各ゲート電極１６に順次電圧を印加して、二つの電極１０、１６が交差する箇所の各エミッタ２２から各電子３０を放出させて蛍光体６を発光させる。このようにして各画素が順次発光される。このとき、例えば、蛍光体６が塗布されたアノード電極４には、数ｋＶ以上の高圧が印加されて、エミッタ２２から放出された電子３０を加速させて対応する蛍光体６に衝突させる。発光時の、各画素の輝度は、エミッタ２２とゲート電極１６間に印加される電圧差によって放出される電流量が変換する原理を利用して調節される。一方、隣接した赤、緑及び青三つの画素の輝度を調節することでカラーを表現することができる。
【００１３】
このＦＥＤは、その駆動特性上、パネル内部の電界放出空間が１０^−５Ｔｏｒｒ以上の高い真空状態を維持しなければならない。即ち、エミッタ２２とゲート電極１６間がサブミクロン程度の間隔で離され、エミッタ２２とゲート電極１６間に１０^７Ｖ／ｃｍ程度の高い電界が印加されるため、エミッタ２２とゲート電極１６間を高真空に維持しておかないと、エミッタ２２とゲート電極１６との間に電圧が放電したり、絶縁破壊現象が発生するおそれがある。又、電界放出空間が高真空に維持されないと、パネル内部に存在する中性の粒子が電子３０と衝突して陽イオンを発生し、その発生した陽イオンがエミッタ２２に衝突してエミッタ２２を劣化させるか又は、電子３０と衝突して電子３０の加速エネルギーを減衰させて輝度を低下させる。従って、輝度を向上させるため、ＦＥＤの製造工程中、パネルの内部を高真空状態にする真空工程が必要である。
【００１４】
従来電界放出表示装置のパネルにおいては、図１２に示したように、アノード電極４と蛍光体６が積層された上部ガラス基板２と、下部ガラス基板８と、双方の基板を支持するガラスフリットシール３８とで構成されていた。下部ガラス基板８には周知のように、カソード電極１０、絶縁層１４、絶縁層１４上に形成されたゲート電極１６と、ゲート電極１６上に形成されるフォーカシング絶縁層（図示されず）が形成されている。
【００１５】
又、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８とをシールする前に、ＦＥＤ製造工程中発生する気体を吸収するゲッタ３４がパネルの内部に形成される。
【００１６】
前記ゲッタ３４は、蒸発性ゲッタ（ｅｖａｐｏｒａｂｌｅ　ｇｅｔｔｅｒ、以下、ＥＧと略称す）と非蒸発性ゲッタ（以下、ＮＥＧと略称す）とに分類される。
【００１７】
ＥＧの材料としてはバリウムが用いられていた。このＥＧは、テレビジョンスクリーン及びコンピュータスクリーンを形成する陰極線管に使用されて周知である。即ち、バリウムゲッタは陰極線管の内壁から外部加熱により蒸発され、金属膜の形態で陰極線管内に残留するガスの除去に利用される。この時、バリウムは、活性化前にＢａＡｌ_４＋Ｎｉの前駆体として存在して、活性化工程で、外部加熱によりバリウムの前駆体が蒸発させられる。
【００１８】
実際に、バリウム膜の前駆体として、組成物ＢａＡｌ_４のパウダーとニッケルパウダーとの混合物が使用される。この時、ニッケルは、約８５０℃でアルミニウムと反応する。その反応により生成された熱はいわゆる「フラッシュ（ｆｌａｓｈ）」現象によってバリウムを蒸発させる。
【００１９】
従来は、電界放出表示装置のパネルの内部にＥＧを形成するための構造が複雑であるため、ＥＧの活性化時の内部温度を８００〜１２５０℃まで上昇させることが難しかった。従って、ＦＥＤのような薄型ディスプレーを作成するとき、基板が破損されて所望の真空度を維持するのが難しいという問題点があった。
【００２０】
一方、ＮＥＧの場合は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などを主成分として使用し、必要によって少量のアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などの他の金属及び酸化物を添加して形成されていた。ＮＥＧは、電球の内部又はＦＥＤから残留ガスを除去して真空度を向上させ、ディバイスの寿命延長など多様な応用分野に使用されている。
【００２１】
このＮＥＧの活性化工程は、パウダーが圧縮され、焼結されたパウダー粒子が結合された後、最初に空気に露出された時にパウダー粒子の表面に形成された酸化物、カーバイト及び窒化物の薄膜を除去し、酸化物、カーバイト及び窒化物のような物質を加熱して酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）をゲッタ物質の内部に拡散させた後、ガス吸着の可能な活性状態の純粋ＮＥＧの金属表面を露出させる。
【００２２】
このＮＥＧの活性化温度は、組成物の種類によって左右される。例えば、イタリアのサエスゲッタ（ＳＡＥＳ　Ｇｅｔｔｅｒｓ）社製のｓｔ−７０７は、活性化工程により７０原子％のＺｒ、２４．６原子％のＶ、５．４原子％のＦｅの合金を３５０℃で活性化させることができ、ｓｔ−１０１は活性化工程により８４原子％のＺｒ、２６原子％のＡｌの合金を９００℃で活性化させることができる。
【００２３】
活性化工程は、特に、ガラス基板を利用するＦＥＤのような薄膜型ディスプレーに利用されるものは、特定のディバイスの機能に対する損傷、エネルギー及び工程単価を考慮して、低温及び短時間で実施することが好ましい。
【００２４】
特願平８−１９６８９９及び国際出願番号ＰＣＴ／ＩＴ９７／０００２７に開示されたように、チタン（Ｔｉ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）及びバリウム酸化物（ＢａＯ_２）のような酸化反応剤をヒータにより加熱したとき所定の反応熱が発生するように適正な割合で混合して加圧し、所定形状としたＮＥＧを構成することができる。
【００２５】
前記した酸化物（ＴｉＯ_２、ＢａＯ_２）は、チタンの中間酸化物のＴｉ_２Ｏ_５を形成するため、チタンを部分的に酸化させる。酸化反応による反応熱は、残存するチタンを活性化させなければならない。その混合物は３００〜４００℃で活性化される。
【００２６】
前記国際出願番号ＰＣＴ／ＩＴ９７／０００２７号には、Ａｇ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４又はこれらの混合物から選択された酸化物及び合金のゲッタの組成物が開示されている。前記合金に、希土類元素に存在する第３成分、イットリウム及びランタンのような組成物を選択的に添加することができる。一般に、この組成物のゲッタ物質は、活性化が３５０〜９００℃の高温を必要とするのに対して、前記組成物を全て包含したゲッタディバイスは、比較的低温の２８０〜５００℃の温度で動作することができる。即ち、組成物を全て包含したゲッタディバイスは、他の元素との熱力学的相互作用を利用した反応熱を利用して比較的低温で活性化することができる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来のＮＥＧ合金においては、多量の反応性ガスと接触する時、即ち、空気に露出される時、又は初期の合金が２００〜２５０℃以上の熔融点を有する時、合金は、強い発熱反応を起こして温度が１０００℃以上に上昇することがあるため、ＦＥＤパネルの他の部分が損傷を受けるおそれが高くなり、ＦＥＤ及びＰＤＰのような薄膜型ディスプレーに適用するのが難しいという不都合な点があった。
【００２８】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、活性化温度を低減し得るゲッタを利用して活性化工程を実施し、真空度及びガス除去能力を向上し得るゲッタの組成物及びそのゲッタの組成物を利用した電界放出素子を提供することを目的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係るゲッタの組成物は、クロム（Ｃｒ）を主成分とし、その他の成分として、チタン（Ｔｉ）とジルコニウム（Ｚｒ）を含む。又、本ゲッタの組成物は、４０原子％のクロム（Ｃｒ）と、３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、３０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）とを含むことを特徴とする。
又、電界放出表示装置は、クロム（Ｃｒ）を主成分とするゲッタを含むことを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
本発明に係るゲッタの組成物は、図１に示したように、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含む。Ｃｒ・Ｚｒ・Ｔｉゲッタの組成物及び組成比は、以下の表１に示すとおりである。
【表１】

【００３１】
ゲッタの組成物の成分比は、ゲッタの重さを１００原子％と仮定して算出したもので、４０原子％のＣｒ、３０原子％のＺｒ及び３０原子％のＴｉから成ることが好ましい。この時、ゲッタは、薄膜型又はバルク型（塊）として形成される。
【００３２】
薄膜型ゲッタの製造方法においては、図２に示したように、
１．上部基板及び下部基板の何れか一つの基板を準備し（Ｓ６１）、
２．その準備した基板を真空状態のチャンバ内に挿入（Ｓ６２）し、
３．高電圧が印加されたゲッタ物質のＣｒやＺｒ、Ｔｉとアノード電極との間に不活性ガスのアルゴン（Ａｒ）を注入する。この時、ゲッタの組成物及びアノード電極は、チャンバ内に挿入される（Ｓ６３）。
４．プラズマを利用して前記アルゴン（Ａｒ）を励起させ、励起されたアルゴンイオン（Ａｒ＋）によって発生した高電圧により前記チャンバ内の各アルゴンイオン（Ａｒ＋）を加速させる（Ｓ６４）。
５．前記チャンバ内で加速されたアルゴンイオン（Ａｒ＋）とゲッタの組成物（Ｃｒ・Ｚｒ・Ｔｉ）とが衝突することで飛出したゲッタ物質を準備した基板上に０．０１〜１０μｍ厚さに堆積させる。このように、ゲッタ物質を基板上に０．０１〜１０μｍ厚さに堆積させることで、薄膜型ゲッタが形成される（Ｓ６５）。
【００３３】
又、電界放出表示装置のバルク型ゲッタ製造方法においては、図３に示したように、
１．上部基板及び下部基板のいずれか一つの基板を準備し、（Ｓ７１）
２．前記準備した基板上にゲッタの組成物のＣｒ、Ｚｒ、Ｔｉを粉砕して金属粉末を作った後、その金属粉末を混合し（Ｓ７２）、
３．前記混合された金属粉末を焼結させて、準備した基板上に約１〜１００μｍの粒子の大きさに堆積させる。このように、混合された金属粉末を基板上に１〜１００μｍの粒子の大きさとして堆積させることで、前記バルク型ゲッタが形成される（Ｓ７３）。
【００３４】
図４及び図５は、従来及び本発明に係るゲッタの酸素除去能力を示したグラフである。図４及び５に示したように、大気中、４００℃の温度で１時間の間、熱処理条件下で従来と本発明に係るゲッタの酸素除去能力の実験をオージェ電子分光（Ａｕｇｅｒ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；以下、ＡＥＳと略称す）スペクトラムを利用して示したグラフである。
【００３５】
前記ＡＥＳは、数百オングストロームの大きさに収束された電子ビームをゲッタの表面に入射させて放出されるオージェ電子のエネルギーを測定してゲッタの表面を構成している元素の種類及び量を分析する表面分析装備である。
【００３６】
図４に示したように、グラフの横軸はゲッタの表面からの深さを、縦軸はゲッタの組成物又はゲッタに吸収された不純物の量を夫々示したものである。例えば、従来は、７０原子％のＺｒ及び３０原子％のＴｉなどで形成されたゲッタの内部に吸収された酸素量は、ゲッタの表面から約２０００ａｒｂ．までは多量に発見されるが、２０００ａｒｂ．から急激に減少して約３０００ａｒｂ．以上では殆ど発見されない。
【００３７】
一方、図５に示したように、本発明に係る４０原子％のＣｒ、３０原子％のＴｉ、３０原子％のＺｒ成分から成るゲッタの内部に吸収された酸素量は、ゲッタの表面から約５０００ａｒｂ．以上まで多量に存在するため、従来より多い量の酸素が吸収されることが分かる。従って、本発明のゲッタ組成物は、活性化時間及び活性化温度において、前記実験条件の１時間、４００℃の温度で十分に活性化が行われる。
【００３８】
又、本発明に係る電界放出表示装置にポンプが連結された状態においては、図６に示したように、焼結及び合着されたパネル内部の不純物を除去するためにパネルを局部加熱装置９２で加熱しながらポンプ９４を利用してパネル内部のガスをチャンバの外部に排気させる。ガスを外部に排気する時、パネル内部の真空度が所望の水準に到達すると、排気チューブ９３の中間を局部加熱装置９２で加熱し、ピンチ・オフ工程により排気チューブ９３の中間を切り離す。即ち、パネルのチャンバを外部から隔離させる。この時、従来のパネルに要求される真空度は、１．０３×１０^−４ｔｏｒｒであり、本発明に係るパネルに要求される真空度は、１．７×１０^−５ｔｏｒｒである。以下、図６に示されたアノード４、カソード１０、ガラスフリットシール３８、９１の機能は、従来と同様であるので、これに対する説明は省略する。
【００３９】
一方、ピンチ・オフ工程を実施する時、パネル内部のディバイスから不純物が排出された状態で密閉されたパネルの内部真空度は、排気ガスなどの原因により再び減少する。従って、真空度を増加させるためにゲッタ９０を３時間の間３００℃で活性化させる。
【００４０】
従来及び本発明に係るゲッタ物質が塗布された電界放出表示装置の真空回復度は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したように、従来は、３０原子％のＴｉ、７０原子％のＺｒから成るゲッタを３時間の間３００℃で活性化させた場合、パネルの真空度に係る圧力は、１．０３×１０^−４ｔｏｒｒに回復される。
【００４１】
一方、図７（Ｂ）に示したように、本発明に係る４０原子％のＣｒ、３０原子％のＴｉ、３０原子％のＺｒから成るゲッタ９０を３時間の間３００℃で活性化させた場合、パネルの真空度に係る圧力は従来より約６倍程度高い１．７×１０^−５ｔｏｒｒに回復して最終パネルを完成させることができる。
【００４２】
又、新しい状態からシーリング工程を経て活性化工程までの本発明に係るゲッタの酸素除去能力を図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す。本発明に係るゲッタの組成物が約３００℃で約３時間の活性化工程によりゲッタ堆積後、大気中に露出させながら、又は、高温のシーリング工程によりゲッタ表面に吸着されていた酸素を内部に移動させてゲッタの表面をフレッシュ状態とする。このフレッシュ状態とは、ゲッタ表面に吸着されていた酸素がゲッタの内部に移動してゲッタの表面が綺麗な状態である汚染されていない状態を意味する。
【００４３】
一方、本発明に係るゲッタを利用した電界放出表示装置は、図９及び図１０に示した従来と同様に、蛍光体６が塗布されたアノード電極４が積層された上部ガラス基板２と、下部ガラス基板８と、下部ガラス基板８上に形成されるカソード電極１０と、カソード電極１０上に形成される抵抗層１２と、抵抗層１２の上に形成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されるゲート電極１６と、抵抗層１２上に形成されるエミッタ２２と、ゲート電極１６上に形成されるフォーカシング絶縁層と、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８の間に形成され、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒから成るゲッタ９０とを包含して構成される。エミッタ２２は、カソード電極１０から印加される電圧によって電子を放出し、ゲート電極１６は、エミッタ２２から電子を引き出す役を果たしている。又、アノード電極４は、カソード電極１０と相互に相対するように形成される。
【００４４】
即ち、ゲッタ９０の組成物を除いた残りの電界放出表示装置の構成は、従来の構成と同様である。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るゲッタの組成物及びそのゲッタを利用した電界放出表示装置においては、クロム（Ｃｒ）を主成分としているためゲッタの酸素除去能力が向上され、従来より活性化エネルギーを低減し得るという効果がある。即ち、活性化エネルギーが低減されることで、３００℃以下の低温で活性化工程を実施することができ、ガス除去能力を向上させると共に、真空度を従来より約６倍程度向上し得るという効果がある。
【００４６】
且つ、本発明に係るクロムを主成分とするゲッタは、既存の複雑な積層構造又は多孔質形成工程を行うことなく、薄膜型又はバルク型に容易に形成し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電界放出表示装置のゲッタの組成物を示した構成図である。
【図２】本発明に係る電界放出表示装置の薄膜型ゲッタ製造方法を示したフローチャートである。
【図３】本発明に係る電界放出表示装置のバルク型ゲッタ製造方法を示したフローチャートである。
【図４】従来のゲッタの酸素除去能力を示した図である。
【図５】本発明に係るゲッタの酸素除去能力を示した図である。
【図６】本発明に係る電界放出表示装置にポンプが連結された状態を示した図である。
【図７】従来及び本発明に係るゲッタ物質が塗布された電界放出表示装置の真空回復度を示したグラフである。
【図８】フレッシュ状態からシーリング工程を経て活性化される過程までの本発明に係るゲッタの酸素除去能力を示したグラフである。
【図９】従来チップ型電界放出表示装置を示した斜視図である。
【図１０】図８に示されたチップ型電界放出表示装置の断面図である。
【図１１】従来の電界放出表示装置のカソード電極とゲート電極の構造を示した斜視図である。
【図１２】従来の電界放出表示装置のパネル構造を示した断面図である。
【符号の説明】
４：アノード、１０：カソード、３８、９１：ガラスフリットシール、９０：ゲッタ、９２：局部加熱装置、９３：排気チューブ、９４：ポンプ

Claims

クロム（Ｃｒ）を包含することを特徴とするゲッタの組成物。
チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）がさらに包含されることを特徴とする請求項１記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、２０原子％〜７０原子％のクロム（Ｃｒ）と、０原子％〜３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、２０原子％〜５０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）と、を包含して構成されることを特徴とする請求項２記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、４０原子％のクロム（Ｃｒ）と、３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、３０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）と、を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒからなる金属を同時にスパッタリングして形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの金属を粉砕して混合した後、その混合された金属粉末を真空で焼結して形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタの組成物は、活性化温度を低減させることを特徴とする請求項１記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、電界放出表示装置のパネルの内部に形成され、前記パネル内部の気体を除去することを特徴とする請求項１記載のゲッタの組成物。
電界放出表示装置のパネル内部に形成され、前記パネル内部の気体を除去するゲッタであって、前記ゲッタの組成物は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒを成分として含むことを特徴とする電界放出表示装置のゲッタの組成物。
前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒグループのゲッタは、２０原子％〜７０原子％のクロム（Ｃｒ）と、０原子％〜３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、２０原子％〜５０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）から成ることを特徴とする請求項９記載のゲッタの組成物。
前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒからなるゲッタは、４０原子％のクロム（Ｃｒ）と、３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、３０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）と、を含むことを特徴とする請求項９記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの金属を同時にスパッタリングして形成されることを特徴とする請求項９記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの金属を粉砕して混合した後、その混合された金属粉末を真空で焼結して形成されることを特徴とする請求項９記載のゲッタの組成物。
前記ゲッタの組成物は、活性化温度を低減させることを特徴とする請求項９記載のゲッタの組成物。
クロム（Ｃｒ）を主成分とするゲッタを備えていることを特徴とする電界放出表示装置。
前記ゲッタは、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）がさらに含まれていることを特徴とする請求項１５記載の電界放出表示装置。
前記ゲッタは、
２０原子％〜７０原子％のクロム（Ｃｒ）と、
０原子％〜３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、
２０原子％〜５０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）の組成比と、を有することを特徴とする請求項１６記載の電界放出表示装置。
前記ゲッタは、
４０原子％のクロム（Ｃｒ）と、
３０原子％のチタン（Ｔｉ）と、
３０原子％のジルコニウム（Ｚｒ）の組成比と、を有することを特徴とする請求項１５又は１６記載の電界放出表示装置。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの金属を同時にスパッタリングして形成されることを特徴とする請求項１６記載の電界放出表示装置。
前記ゲッタは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒグループの金属を粉砕して混合した後、その混合された金属粉末を真空で焼結して形成されることを特徴とする請求項１６記載の電界放出表示装置。
前記電界放出表示装置は、
蛍光体が塗布されたアノード電極と、
該アノード電極と対向して形成されたカソード電極と、
該カソード電極から印加される電圧によって電子を放出するエミッタと、
該エミッタから電子を引出するためのゲート電極と、を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の電界放出表示装置。
前記ゲッタは、前記電界放出表示装置のパネル内部の気体を除去することを特徴とする請求項１５記載の電界放出表示装置。