JP2004064031A

JP2004064031A - 光増幅装置および光源装置

Info

Publication number: JP2004064031A
Application number: JP2002228431A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Kaneya; 金屋　大祐; ▲吉▼田　実; Minoru Yoshida; Takamasa Yamashita; 山下　高雅
Original assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date: 2002-06-03
Filing date: 2002-08-06
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】希土類添加光ファイバの励起効率を高めた光増幅装置および光源装置を提供する。
【解決手段】０．９８μｍのレーザダイオード（ＬＤ）からなる励起光源２と、光合波器３と、この光合波器３を介して導入される励起光によって励起されるＹｂ添加光ファイバ４と、Ｙｂ添加光ファイバ４からのＡＳＥあるいは励起光を反射する反射ミラー５と、光アイソレータ６とを備えるＡＳＥ光源装置において、励起光源２の温度を制御してその発振波長帯域を短波長側にシフトさせる温度制御手段７を設けており、従来に比べて、Ｙｂ添加光ファイバ４の吸収量が急激に減少する９８０ｎｍよりも長波長側で吸収されない励起光成分を少なくする一方、９８０ｎｍよりも短波長側での励起光吸収効率を高めるようにし、ＡＳＥ光源の出力を増加させている。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、希土類元素を添加した光ファイバを備える光増幅装置および光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、希土類元素、例えば、１μｍ帯に発光帯域が存在するＹｂ（イッテルビウム）を添加したＹｂ添加光ファイバが、１μｍ帯の光増幅装置、あるいは、１μｍ帯のＡＳＥ（自然放出光）を出力するＡＳＥ光源装置に利用されている。
【０００３】
このようなＹｂ添加光ファイバは、図９の実線で示されるように、９８０ｎｍに狭帯域の鋭い吸収波長帯域が存在するために、その励起光源としては、エルビウム（Ｅｒｂｉｕｍ）添加光ファイバ（ＥＤＦ）の励起用として広く使用されている０．９８μｍ（９８０ｎｍ）のレーザダイオード（ＬＤ）が流用されている。図９中、仮想線は、０．９８μｍのレーザダイオードのスペクトル例であるが、Ｙｂの９８０ｎｍの吸収波長帯域に重なっているため、Ｙｂの励起光として０．９８μｍのレーザダイオードの出力を、そのまま利用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
Ｙｂ添加光ファイバの９８０ｎｍ付近の吸収波長帯域は、その半値全幅が、約１ｎｍと狭帯域であるのに対して、一般的な、０．９８μｍレーザダイオードの発振波長帯域における半値全幅は、５ｎｍ〜１０ｎｍ程度であって、図９の仮想線で示されるように、Ｙｂ添加光ファイバの吸収波長帯域よりも広帯域であり、このため、発振波長帯域の広い励起光を吸収しきれず、励起効率の悪いものであった。、
また、Ｙｂ添加光ファイバは、図９に示されるように、９８０ｎｍよりも長波長側では、吸収量が急激に減少する。したがって、０．９８μｍのレーザダイオードを励起光源とする従来例では、９８０ｎｍより長波長側の励起光が、Ｙｂに吸収されずに放出されており、励起効率が悪いという難点がある。
【０００５】
本発明は、このような実情に着目してなされたものであって、希土類添加光ファイバの励起効率を高めた光増幅装置および光源装置を提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【０００７】
すなわち、本発明の光増幅装置あるいは光源装置は、希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと、励起光源とを備える光増幅装置であって、前記励起光源の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段を備えている。
【０００８】
本発明によると、励起光源の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段を備えているので、希土類添加光ファイバの励起光吸収効率が高い波長に発振波長帯域を制御することができ、これによって、光増幅装置の利得あるいは光源装置の出力を高めることができる。
【０００９】
また、励起光源の発振波長帯域を制御できるので、用途に応じて励起波長を可変することができ、これによって、光増幅装置としての増幅帯域を、あるいは、光源装置としての高出力帯域をそれぞれ拡大することができる。
【００１０】
本発明の一実施態様においては、前記発振波長帯域制御手段は、前記励起光源の温度を制御して発振波長帯域を制御するものである。
【００１１】
本発明によると、励起光源の温度を制御することによって、発振波長帯域を制御するので、比較的簡単な構成で励起光源の発振波長帯域を制御できる。
【００１２】
本発明の他の実施態様においては、前記発振波長帯域制御手段は、ファイバブラッググレーティングである。
【００１３】
本発明によると、ファイバブラッググレーティングによって発振波長帯域が制御された発振スペクトルは、半値全幅が、１ｎｍ程度以下と狭くなるので、例えば、Ｙｂの９８０ｎｍの狭帯域の吸収波長帯域において、吸収されない励起光成分を大幅に低減して励起光の吸収効率を高めることができ、これによって、光増幅装置としての利得が増加し、あるいは、光源装置としての出力が増加する。
【００１４】
本発明の好ましい実施態様においては、ファイバブラッググレーティングが、被覆上照射によって作製されたものである。
【００１５】
本発明によると、ファイバブラッググレーティングに張力をかけることによって反射波長を制御することにより、励起光源の発振波長帯域を制御することができるので、用途に応じて励起波長を可変することができ、例えば、増幅帯域において、最も利得が高い励起波長に発振波長を制御することによって、光増幅装置としての利得を増加させることができ、あるいは、光源装置としてのピーク波長を制御することができる。
【００１６】
本発明の他の実施態様においては、前記希土類元素が、Ｙｂであり、本発明によると、Ｙｂの９８０ｎｍの狭帯域の吸収波長帯域において、吸収されない励起光成分を大幅に低減して励起光の吸収効率を高めることができ、これによって、光増幅装置としての利得が増加し、あるいは、光源装置としての出力が増加する。
【００１７】
本発明の他の実施態様においては、前記発振波長帯域制御手段は、前記発振波長帯域を、前記希土類添加光ファイバの吸収波長帯域よりも短波長側にシフトさせるものである。
【００１８】
本発明によると、励起光源の発振波長帯域を、希土類添加光ファイバ、例えば、Ｙｂの吸収波長帯域よりも短波長側にシフトさせることにより、従来例に比べて、Ｙｂの吸収ピーク波長よりも短波長側での励起光吸収効率を高めることができ、これによって、光増幅装置としての利得が増加し、あるいは、光源装置としての出力が増加する。
【００１９】
本発明の更に他の実施態様においては、前記希土類元素が、Ｙｂであり、前記発振波長帯域制御手段は、前記発振波長帯域を、前記吸収波長帯域である９８０ｎｍ帯よりも短波長側にシフトさせるものである。
【００２０】
ここで、発振波長帯域は、例えば、９７４〜９８４ｎｍである。
【００２１】
本発明によると、９８０ｎｍ帯に狭い吸収波長帯域を有し、吸収ピーク波長よりも長波長側で吸収量が急激に減少するＹｂを励起する場合に、励起光源の発振波長帯域を短波長側にシフトさせることによって、Ｙｂの励起光吸収効率を高めることができ、これによって、光増幅装置としての利得が増加し、あるいは、光源装置としての出力が増加する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面によって本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一つの実施の形態に係るＡＳＥ光源装置の全体構成を示す図である。
【００２４】
この実施の形態のＡＳＥ光源装置１は、ＡＳＥの出力とは逆方向から励起光を入射する後方励起型であって、０．９８μｍのレーザダイオード（ＬＤ）からなる励起光源２と、光合波器３と、この光合波器３を介して導入される励起光によって励起される希土類添加光ファイバとしてのＹｂ添加光ファイバ４と、Ｙｂ添加光ファイバ４からのＡＳＥあるいは励起光を矢符Ａで示されるように反射する反射ミラー５と、ＡＳＥの出力側に設けられた１μｍ帯の光アイソレータ６とを備えている。
【００２５】
このＡＳＥ光源装置１では、励起光源２から励起光が、Ｙｂ添加光ファイバ４に入射すると、ＡＳＥが放出され、光アイソレータ６側に伝播したＡＳＥは出力され、あるいは、反射ミラー５側へ伝播したＡＳＥは、Ｙｂ添加光ファイバ４に戻されて光アイソレータ６を介して出力される。
【００２６】
このＡＳＥ光源装置１は、例えば、光スペクトラムアナライザー等の計測器と組み合わせて光コンポーネントの損失波長特性を測定する場合などに用いられる。
【００２７】
従来では、０．９８μｍのレーザダイオード（ＬＤ）からなる励起光源２の発振波長帯域は、その中心波長がＹｂ添加光ファイバ４の吸収ピーク波長にほぼ一致しており、９８０ｎｍよりも長波長側では、Ｙｂ添加光ファイバ４の吸収量が急激に減少するために、９８０ｎｍより長波長側の励起光が充分に吸収されず、そのまま放出されて励起効率が悪いものであった。
【００２８】
このため、この実施の形態のＡＳＥ光源装置１では、励起光源２の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、励起光源２の温度を制御する温度制御手段７を設けており、この温度制御手段７によって、励起光源２の温度を制御して発振波長帯域を、従来の出力波長よりも短波長側にシフトさせている。
【００２９】
励起光源２は、レーザおよび共振器部分などが、図示しないペルチェ素子などの温度制御素子上に、熱伝導性の良好な金属ブロックなどを介して固定されており、温度制御手段７は、図示しない温度センサの出力に基づいて、ペルチェ素子などを制御して励起光源２を所望の温度に制御するものである。
【００３０】
この実施の形態では、励起光源である０．９８μｍのレーザダイオードの発振波長帯域を、短波長側にシフトさせるために、励起光源２の温度を、例えば、０℃に制御している。
【００３１】
図２は、温度制御による励起光源２の発振波長帯域のシフトを説明するためのスペクトルであり、破線は、従来例である通常の温度、例えば、３０℃におけるスペクトルであり、実線は、この実施の形態による０℃におけるスペクトルである。
【００３２】
従来例では、励起光源２の発振波長帯域の中心波長（例えば、出力ピークから３ｄＢ落ち（半値）の２波長の中心の波長）は、図９の仮想線に示すように、９８１ｎｍ付近であるのに対して、励起光源２の温度を、０℃に制御した実施の形態では、励起光源２の発振波長帯域の中心波長は、９７４ｎｍ付近であって、約７ｎｍ短波長側にシフトしている。
【００３３】
図３は、このように励起光源２の温度を０℃に制御した場合のスペクトルＣとＹｂ添加光ファイバの吸収損失Ｄとを合わせて示した図であり、励起光源２の発振波長帯域の中心波長を、例えば、９７４ｎｍと短波長側にシフトさせることによって、従来に比べて、Ｙｂ添加光ファイバの吸収量が急激に減少する９８０ｎｍよりも長波長側で吸収されない励起光成分を少なくできる一方、９８０ｎｍよりも短波長側での励起光吸収効率を高めることができる。
【００３４】
これによって、ＡＳＥ光源装置１においては、Ｙｂの励起効率が向上してＡＳＥの出力が高まることになり、実験的には、．（コンマ）数ｄＢ程度のＡＳＥ出力の増加が確認された。
【００３５】
この実施の形態は、後方励起型であったけれども、前方励起型あるいは双方向励起型に適用してもよい。
【００３６】
（実施の形態２）
図４は、本発明の一つの実施の形態に係る光増幅装置の全体構成を示す図である。
【００３７】
この実施の形態の光増幅装置８は、１μｍ帯の信号光と逆方向から励起光を入射する後方励起型であって、０．９８μｍのレーザダイオードからなる励起光源９と、この励起光源９からの励起光と信号光とを合波する光合波器１０と、励起光によって励起される希土類添加ファイバとしてのＹｂ添加ファイバ１１と、信号光の出力側に設けられた１μｍ帯の光アイソレータ１２とを備えている。
【００３８】
この実施の形態の光増幅装置８では、上述のＡＳＥ光源装置１と同様に、励起光源９の温度を制御して発振波長帯域を制御する温度制御手段１３を設けている。
【００３９】
この温度制御手段１３は、図示しない温度センサの出力に基づいて、ペルチェ素子などを制御して励起光源９の温度を、例えば、０℃に制御し、これによって、励起光源９の発振波長帯域を短波長側にシフトさせている。
【００４０】
したがって、この実施の形態の光増幅装置８によれば、上述のＡＳＥ光源装置１の場合と同様に、Ｙｂ添加光ファイバの吸収量が急激に減少する９８０ｎｍよりも長波長側で吸収されない励起光成分を少なくできる一方、９８０ｎｍよりも短波長側での吸収効率を高めることができ、これによって、Ｙｂの励起効率が高まって信号光の増幅利得が高まることになる。
【００４１】
この実施の形態では、後方励起型に適用して説明したけれども、前方励起型あるいは双方向励起型に適用してもよい。
【００４２】
（実施の形態３）
本発明は、図１のＡＳＥ光源装置１に限らず、図５に示されるファイバレーザのような光源装置として適用することもできる。
【００４３】
すなわち、このファイバレーザ１４は、０．９８μｍのレーザダイオードからなる励起光源１５と、この励起光源１５からの励起光とＡＳＥとを合波する光合波器１６と、励起光によって励起される希土類添加光ファイバとしてのＹｂ添加光ファイバ１８と、矢符Ｂで示されるように光の周回方向を決める１μｍ帯の光アイソレータ２０と、１μｍ帯の励起光を透過させるバンドパスフィルタ１７と、レーザ光を出力する１μｍ帯のカプラ１９とを備えるリング型前方励起のファイバレーザである。なお、光アイソレータ２０を、Ｙｂ添加光ファイバ１８と１μｍ帯のカプラ１９との間に配置しているので、レーザ出力端からの戻り光（反射光）がＹｂ添加光ファイバ１８に逆入射することがなく、レーザーの出力を安定化させることができる。
【００４４】
このファイバレーザ１４においても、上述のＡＳＥ光源装置１と同様に、励起光源２の温度を制御して発振波長帯域を制御する温度制御手段２１を設けており、この温度制御手段２１によって、発振波長帯域を短波長側にシフトさせている。
【００４５】
すなわち、この実施の形態においても、励起光源１５の温度を、例えば、０℃に制御して励起光源１５の発振波長帯域を短波長側にシフトさせている。
【００４６】
これによって、Ｙｂの励起効率が高まり、レーザ出力が増加することになる。また、この実施の形態は、前方励起であるので、雑音指数が良好である。
【００４７】
本発明の他の実施の形態として、光合波器１６の位置を、Ｙｂ添加光ファイバ１８と光アイソレータ２０との間に変更し、励起光を、Ｙｂ添加光ファイバ１８の後方から入射するリング型後方励起のファイバレーザとしてもよく、この場合には、レーザー出力が向上する。
【００４８】
この実施の形態では、リング型の共振器を用いたファイバレーザに適用したけれども、本発明の他の実施の形態として、各種の反射鏡を用いたファイバレーザに適用してもよい。
【００４９】
（実施の形態４）
図６は、本発明の更に他の実施の形態に係るＡＳＥ光源装置１’の全体構成を示す図であり、上述の図１に示される実施の形態１に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００５０】
上述の実施の形態１では、励起光源２の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、励起光源２の温度を制御する温度制御手段７を設け、この温度制御手段７によって励起光源２の温度を制御して発振波長帯域を短波長側にシフトさせたのに対して、この実施の形態では、励起光源２の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、被覆上照射によって作製されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）３０を設けている。
【００５１】
ファイバブラッググレーティング３０は、ファイバのコア部の屈折率を周期的に変化させたもので特定の波長（ブラッグ波長）の光を任意に反射させることができるものであり、この反射波長を制御することによって、励起光源２の発振波長帯域を制御するものである。
【００５２】
ファイバブラッググレーティングは、張力をかけることで、その反射波長を無張力状態と比較して、例えば、１０ｎｍ以上長波長側にシフトさせることができる。
【００５３】
通常、ファイバブラッググレーティングは、高い反射率を得るために、ファイバの被覆を取り除いて直接ガラス部に紫外線を照射して作製するのであるが、この実施の形態のファイバブラッググレーティング３０は、張力をかけてもファイバが破損しないように、また、例えば、１０％程度以下の比較的低い反射率で充分であるので、被覆上照射によって作製されたものを用いている。
【００５４】
この実施の形態では、ファイバブラッググレーティング３０は、固定ドラム３１と回転ドラム３２との間に張架されており、回転ドラム３２を、ステッピングモータなどの駆動手段によって回転駆動し、さらに、手動で微調整して所望の反射波長に調整するように構成されている。
【００５５】
ファイバブラッググレーティング３０では、その製作時の反射波長が、例えば、９６５ｎｍであれば、反射波長を、９６５〜９９５ｎｍ程度可変することができ、この実施の形態では、反射波長を、例えば、Ｙｂの吸収ピーク波長である９７７ｎｍに調整し、これによって、ファイバブラッググレーティング３０を介して得られる励起光源２の発振波長を、Ｙｂの吸収ピーク波長にほぼ一致させるようにしている。
【００５６】
その他の構成は、上述の実施の形態１と同様である。
【００５７】
この実施の形態のＡＳＥ光源装置１’では、ファイバブラッググレーティング３０を用いて励起光源２の発振波長帯域を制御するので、ファイバブラッググレーティング３０を介して得られる励起光源２の出力の半値全幅は、図９の仮想線で示される従来の５ｎｍ〜１０ｎｍ程度に比べて、１ｎｍ程度以下と狭くなり、これによって、Ｙｂの９８０ｎｍの狭帯域の吸収波長帯域において、吸収されない励起光成分を大幅に低減して励起光の吸収効率を高めることができ、ＡＳＥ出力を増加させることができる。
【００５８】
この実施の形態は、後方励起型であったけれども、前方励起型あるいは双方向励起型に適用してもよい。
【００５９】
（実施の形態５）
図７は、本発明の更に他の実施の形態に係る光増幅装置８’の全体構成を示す図であり、上述の図４に示される実施の形態２に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００６０】
上述の実施の形態２では、励起光源９の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、励起光源９の温度を制御する温度制御手段１３を設け、励起光源９の温度を制御して発振波長帯域を短波長側にシフトさせたのに対して、この実施の形態では、励起光源９の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、被覆上照射によって作製されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）３０を設けている。
【００６１】
ファイバブラッググレーティング３０は、上述の実施の形態４と同様に、固定ドラム３１と回転ドラム３２との間に張架されており、回転ドラム３２を、ステッピングモータなどの駆動手段によって回転駆動し、さらに、手動で微調整して所望の反射波長に調整するように構成されている。
【００６２】
その他の構成は、上述の実施の形態２と同様である。
【００６３】
この実施の形態の光増幅装置８’では、上述のＡＳＥ光源装置１’と同様に、ファイバブラッググレーティング３０の張力を調整して反射波長を制御して励起光源２の発振波長を、Ｙｂの吸収ピーク波長である９７７ｎｍに調整している。
【００６４】
この実施の形態の光増幅装置８’によれば、ファイバブラッググレーティング３０を用いて発振波長帯域を制御するので、ファイバブラッググレーティング３０を介して得られる励起光源９の出力の半値全幅は、１ｎｍ程度以下と狭くなり、Ｙｂの９８０ｎｍの狭帯域の吸収波長帯域において、吸収されない励起光成分を大幅に低減して励起光の吸収効率を高めることができ、信号光の増幅利得が高まることになる。
【００６５】
この実施の形態では、後方励起型に適用して説明したけれども、前方励起型あるいは双方向励起型に適用してもよい。
【００６６】
（実施の形態６）
図８は、本発明の更に他の実施の形態に係るファイバレーザ１４’の全体構成を示す図であり、上述の図５に示される実施の形態３に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００６７】
上述の実施の形態３では、励起光源１５の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、励起光源１５の温度を制御する温度制御手段２１を設け、励起光源１５の温度を制御して発振波長帯域を短波長側にシフトさせたのに対して、この実施の形態では、励起光源１５の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段として、被覆上照射によって作製されたファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）３０を設けている。
【００６８】
ファイバブラッググレーティング３０は、上述の実施の形態４と同様に、固定ドラム３１と回転ドラム３２との間に張架されており、回転ドラム３２を、ステッピングモータなどの駆動手段によって回転駆動し、さらに、手動で微調整して所望の反射波長に調整するように構成されている。
【００６９】
その他の構成は、上述の実施の形態３と同様である。
【００７０】
この実施の形態のファイバレーザ１４’によれば、ファイバブラッググレーティング３０を用いて発振波長帯域を制御するので、ファイバブラッググレーティング３０を介して得られる励起光源１５の出力の半値全幅は、１ｎｍ程度以下と狭くなり、Ｙｂの９８０ｎｍの狭帯域の吸収波長帯域において、吸収されない励起光成分を大幅に低減して励起光の吸収効率を高めることができ、レーザ出力が増加することになる。
【００７１】
本発明の他の実施の形態として、光合波器１６の位置を、Ｙｂ添加光ファイバ１８と光アイソレータ２０との間に変更し、励起光を、Ｙｂ添加光ファイバ１８の後方から入射するリング型後方励起のファイバレーザとしてもよく、また、リング型の共振器を用いたファイバレーザに限らず、各種の反射鏡を用いたファイバレーザに適用してもよい。
【００７２】
（その他の実施の形態）
本発明の他の実施の形態として、温度制御あるいは張力調整による励起光源の発振波長のシフト量は、励起光源のスペクトルとＹｂ添加光ファイバの吸収損失とを重ねた場合に、その重複面積が最大となるように予め決定してもよい。
【００７３】
上述の実施の形態では、Ｙｂを添加した光ファイバに適用して説明したけれども、本発明は、ＥｒやＮｄなどの他の希土類を添加した光ファイバに適用してもよい。
【００７４】
上述の実施の形態では、ファイバブラッググレーティングとして、被覆上照射によって作製されたものを用いたけれども、被覆材を除去して紫外レーザ光を直接照射して作製したものを用いてもよい。
【００７５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、励起光源の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段を備えているので、希土類添加光ファイバの励起光吸収効率が高い波長に発振波長帯域を制御することができ、あるいは、励起光源の出力の半値全幅を狭くすることができ、これによって、光増幅装置の増幅利得あるいは光源装置の出力を高めることができる。
【００７６】
また、励起光源の発振波長帯域を制御できるので、用途に応じて励起波長を可変することができ、これによって、光増幅装置として増幅帯域を、あるいは、光源装置として高出力帯域をそれぞれ拡大することができる。
【００７７】
さらに、励起光源の温度を制御して発振波長帯域を制御することによって、比較的簡単な構成で励起光源の発振波長帯域を制御して増幅利得あるいは出力を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態に係るＡＳＥ光源装置の構成図である。
【図２】温度制御による励起光源の発振波長のシフトを示すスペクトルである。
【図３】励起光源の温度を０℃に制御した場合のスペクトルＣとＹｂ添加光ファイバの吸収損失Ｄとを併せて示す図である。
【図４】本発明の一つの実施の形態に係る光増幅装置の構成図である。
【図５】本発明の一つの実施の形態に係るファイバレーザの構成図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係るＡＳＥ光源装置の構成図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る光増幅装置の構成図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係るファイバレーザの構成図である。
【図９】Ｙｂ添加光ファイバの吸収損失を示す図である。
【符号の説明】
１，１’　　　　　　　　ＡＳＥ光源
２，９，１５　　　　　　励起光源
４，１１，１８　　　　　Ｙｂ添加光ファイバ
５　　　　　　　　　　　反射ミラー
６，１２，２０　　　　　光アイソレータ
７，１３，２１　　　　　温度制御手段
８，８’　　　　　　　　光増幅装置
１４，１４’　　　　　　ファイバレーザ
３０　　　　　　　　　　ファイバブラッググレーティング
３１　　　　　　　　　　固定ドラム
３２　　　　　　　　　　回転ドラム

Claims

希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと、励起光源とを備える光増幅装置であって、
前記励起光源の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段を備えることを特徴とする光増幅装置。
前記発振波長帯域制御手段は、前記励起光源の温度を制御して発振波長帯域を制御するものである請求項１記載の光増幅装置。
前記発振波長帯域制御手段は、ファイバブラッググレーティングである請求項１記載の光増幅装置。
前記ファイバブラッググレーティングが、被覆上照射によって作製されたものである請求項３記載の光増幅装置。
前記希土類元素が、Ｙｂである請求項１〜４のいずれかに記載の光増幅装置。
前記発振波長帯域制御手段は、前記発振波長帯域を、前記希土類添加光ファイバの吸収波長帯域よりも短波長側にシフトさせる請求項１または２記載の光増幅装置。
前記希土類元素が、Ｙｂであり、前記発振波長帯域制御手段は、前記発振波長帯域を、前記吸収波長帯域である９８０ｎｍ帯よりも短波長側にシフトさせる請求項６記載の光増幅装置
希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと、励起光源とを備える光源装置であって、
前記励起光源の発振波長帯域を制御する発振波長帯域制御手段を備えることを特徴とする光源装置。