JP2004063466A

JP2004063466A - 電極上に多キャッピング層パッシベーション領域を有する有機発光装置（ｏｌｅｄ）

Info

Publication number: JP2004063466A
Application number: JP2003200289A
Authority: JP
Inventors: Cuong Vong; クオン　ヴォン; Ajizu Honey; ハニー　アジズ; Zoran D Popovic; ゾラン　ディー　ポポヴィック; Nan-Xing Hu; ナン−シャン　フー; Ah-Mee Hor; アー−ミー　ホー
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 2002-07-30
Filing date: 2003-07-23
Publication date: 2004-02-26
Also published as: US6734625B2; US20040021415A1

Abstract

【課題】優れた性能を有する有機発光装置を提供することにある。
【解決手段】支持体、
前記支持体上のアノード、
有機電気発光物質を含む前記アノード上の発光領域、
前記発光領域上のカソード（その結果、前記カソードと前記アノードのバイアスが前記発光領域からの光放出を生じる）、及び
前記カソード上の第一誘電体層、
４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属又は金属合金を含む前記第一誘電体層上の金属層、及び
前記金属層上の第二誘電体層
を含む有機発光装置のパッシベーションのためのキャッピング層
を含むことを特徴とする有機発光装置。
【選択図】　　　　　図２

Description

【０００１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、有機発光装置（ＯＬＥＤ）はダークスポットの形成を防止するためのパッシベーション領域を与えるために電極上に多キャッピング層を有するであろう。パッシベーションキャッピング層は、電極から順に、第一誘電体層、４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属又は金属合金層、及び第二誘電保護層である。
本発明の更に充分な理解と一緒にその他の目的及び達成が添付図面と一緒にされた以下の記載及び特許請求の範囲を参照することにより明らかになり、認められるであろう。
【０００２】
【発明の実施の形態】
以下の詳細な説明において、数的範囲が記載された実施態様の種々の局面について示される。これらの記載された範囲は例のみとして処理されるべきであり、特許請求の範囲を限定することを目的とするものではない。加えて、幾つかの材料が実施態様の種々の面に適していると同定される。これらの記載された材料は例示として処理されるべきであり、特許請求の範囲を限定することを目的としない。加えて、図面は本発明を理解することの容易なことのために縮尺されていない。
【０００３】
今、図１を参照して、本発明のダークスポットの形成を防止するためのパッシベーション領域を与えるためのカソード上の多キャッピング層を有する有機発光装置（ＯＬＥＤ）１０が示されている。
ＯＬＥＤ１０は透明又は実質的に透明な支持体１２、例えば、ガラス又はマイラー（登録商標）支持体を有する。３０ｎｍの厚さを有する透明又は実質的に透明なインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アノード１４が支持体１２の上に形成される。有機電気発光材料の発光領域１６がアノード１４の上に形成される。発光領域１６はアノード１４上に形成された６０ｎｍの厚さを有するナフチル置換ベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）正孔輸送層１８及び正孔輸送層１８の上に形成された７５ｎｍの厚さを有するトリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウム（ＡｌＱ_３）放出電子輸送層２０を有する。１２０ｎｍの厚さを有するＭｇ：Ａｇ（９０体積％のＭｇ及び１０体積％のＡｇ）カソード２２が発光領域１６の電子輸送層２０の上に形成される。
【０００４】
パッシベーション領域２４がカソード２２の上に形成される。パッシベーション領域はカソード、発光領域、及びアノードへの周囲の水分及び／又は酸素の透過を防止し、又は少なくとも低減する水分バリヤーとして機能する。パッシベーション領域２４は第一誘電体層２６、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）又はこれらの２種以上の混合物を含む無機層を含む。約１０ｎｍから約５００ｎｍまでの厚さを有する第一誘電体層２６がカソード２２の上に形成される。パッシベーション領域２４は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｉｎ、ＬｉＡｌ、又はＭｇ：Ａｇを含む、４ｅＶ未満の仕事関数を有する、低仕事関数金属又は金属合金層２８を含む。約５０ｎｍから約３０００ｎｍまでの厚さを有する金属又は金属合金層２８が第一誘電体層２６の上に形成される。パッシベーション領域２４は第二誘電体層３０、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）又はこれらの２種以上の混合物を含む無機層を含む。約１０ｎｍから約５００ｎｍまでの厚さを有する第二誘電体層３０が低仕事関数金属又は金属合金層２８の上に形成される。第一誘電体層２６、低仕事関数金属又は金属合金層２８及び第二誘電体層３０がＯＬＥＤ１０中のダークスポットの形成を防止するためのカソード２２上のパッシベーション領域２４の多キャッピング層を形成する。
【０００５】
外部電源（図面に示されていない）はアノード１４をカソード２２に関して前方にバイアスするであろう。正孔がアノード１４から発光領域１６の正孔輸送層１８を通って発光領域１６の電子輸送層２０に注入されるであろう。同時に、電子がカソード２２から発光領域１６の電子輸送層２０に注入されるであろう。正孔及び電子は化合し、光を放出するであろう。光は発光領域１６から透明アノード１４及び透明支持体１２を通って放出されるであろう。交互ＯＬＥＤデザインは光が発光領域１６の縁部から又は透明カソード２２を通って放出されることを可能にする。
層２６及び３０の誘電体は両方の層について同じ無機誘電体である必要はない。
【０００６】
今、図２を参照して、本発明のダークスポットの形成を防止するためのパッシベーション領域を与えるためのアノード上の多キャッピング層を有する有機発光装置（ＯＬＥＤ）１００が示されている。図２のＯＬＥＤ１００はアノード１４、発光領域１６及びカソード２２が支持体１２とパッシベーション領域２４の間で逆にされている以外は図１のＯＬＥＤ１０と同様である。
ＯＬＥＤ１００は支持体１２、例えば、ガラス又はマイラー（登録商標）を有する。支持体１２に被覆された約３０ｎｍの厚さを有するインジウムスズ酸化物の第一層、及び１０ｎｍの厚さを有するＭｇ：Ａｇの第二層（９０体積％のＭｇ及び１０体積％のＡｇ）から形成されたカソード２２が第一インジウムスズ酸化物層の上に形成される。有機電気発光材料の発光領域１６がカソード２２の上に形成される。発光領域１６はカソード２２の上に形成された７５ｎｍの厚さを有するトリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウム（ＡｌＱ_３）放出電子輸送層２０及び電子輸送層２０の上に形成された７２ｎｍの厚さを有するナフチル置換ベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）正孔輸送層１８を有する。３０ｎｍの厚さを有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アノード１４が発光領域１６の正孔輸送層１８の上に形成される。
【０００７】
パッシベーション領域２４がアノード１４の上に形成される。パッシベーション領域２４は第一誘電体層２６、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）又はこれらの２種以上の混合物を含む無機層を含む。約１０ｎｍから約５００ｎｍまでの厚さを有する第一誘電体層２６がアノード１４の上に形成される。パッシベーション領域２４は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｉｎ、ＬｉＡｌ、又はＭｇ：Ａｇを含む、４ｅＶ未満の仕事関数を有する、低仕事関数金属又は金属合金層２８を含む。約５０ｎｍから約３０００ｎｍまでの厚さを有する金属又は金属合金層２８が第一誘電体層２６の上に形成される。パッシベーション領域２４は第二誘電体層３０、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）又はこれらの２種以上の混合物を含む無機層を含む。約１０ｎｍから約５００ｎｍまでの厚さを有する第二誘電体層３０が低仕事関数金属又は金属合金層２８の上に形成される。第一誘電体層２６、低仕事関数金属又は金属合金層２８及び第二誘電体層３０がＯＬＥＤ１００中のダークスポットの形成を防止するためのアノード１４上のパッシベーション領域２４の多キャッピング層を形成する。
【０００８】
外部電源（図面に示されていない）はＯＬＥＤ１００中でアノード１４をカソード２２に関して前方にバイアスするであろう。正孔がアノード１４から発光領域１６の正孔輸送層１８を通って発光領域１６の電子輸送層２０に注入されるであろう。同時に、電子がカソード２２から発光領域１６の電子輸送層２０に注入されるであろう。正孔及び電子は化合し、光を放出するであろう。光はＯＬＥＤ１００の発光領域１６の縁部から又は、カソード２２が透明である場合には、発光領域１６から透明カソード２２及び透明支持体１２を通って放出されるであろう。
層２６及び３０の誘電体は両方の層について同じ無機誘電体である必要はない。
本発明のパッシベーション領域を含まないＯＬＥＤ（これは周囲実験条件下で２６日にわたって貯蔵される）はＯＬＥＤの表面積の約９５％を覆うダークスポットを示す。同条件下で、従来技術のパッシベーション領域（これは第一誘電体層を含まず、それ故、本発明の実施態様ではない）を含むＯＬＥＤは、ＯＬＥＤの表面積の７０〜８０％を覆うダークスポットを示す。同条件下で、本発明のパッシベーション領域を含むＯＬＥＤはＯＬＥＤの表面積のわずかに１０〜１５％を覆うように限定されたダークスポットを生じる。パッシベーション領域では、電極と金属又は金属合金層の間の第一誘電体層及び第二誘電体層の両方がＯＬＥＤ中のダークスポットの形成を低減する。
【０００９】
支持体１２は種々の好適な材料、例えば、ポリマー成分、ガラス、石英等を含んでもよい。好適なポリマー成分として、ポリエステル、例えば、マイラー（登録商標）、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスルホン等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの種々の材料の混合物がまた使用し得る。その他の好適な材料がまた選ばれてもよいが、但し、例えば、材料がその他の層を有効に支持でき、装置の機能性能に干渉しないことを条件とする。実施態様において、支持体は光透過材料から形成されることが好ましい。支持体１２の厚さは有機発光装置の構造的要求及びそれの意図される用途を除いて特に制限されない。好適な厚さとして、例えば、約２５μｍから少なくとも約１，０００μｍまでが挙げられる。
【００１０】
有機発光装置１０中で、アノード１４は好適な正電荷注入電極、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物、金及び白金を含んでもよい。アノードを形成するのに適したその他の材料として、例えば、約４ｅＶ以上、好ましくは約４ｅＶから約６ｅＶまでの仕事関数を有する導電性カーボン、π共役ポリマー、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等が挙げられるが、これらに限定されない。
アノード１４はあらゆる好適な形態を有し得る。薄い導電性層が光透過性支持体、例えば、透明又は実質的に透明なガラスプレート又はプラスチックフィルムに被覆し得る。有機発光装置の実施態様はガラスに被覆されたスズ酸化物又はインジウムスズ酸化物から形成された光透過性アノードを含んでもよい。また、例えば、約２００Å未満、好ましくは、約７５Åから約１５０Åまでの厚さを有する、非常に薄い光透過性アノードが使用し得る。これらの薄いアノードは金属、例えば、金、パラジウム等を含んでもよい。加えて、導電性カーボン又は共役ポリマー、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の透明又は半透明薄層がアノードを形成するのに使用し得る。これらの薄層は、例えば、５０Åから約１７５Åまでの厚さを有し得る。
【００１１】
アノード１４の厚さは約１ｎｍから約５０００ｎｍまでの範囲であってもよい。アノードの好ましい厚さ範囲はアノード材料の光学定数に依存する。アノードの一つの好ましい厚さ範囲は約３０ｎｍから約３００ｎｍまでである。それ程好ましくないが、この範囲外の厚さがまた使用し得る。
発光装置１０の発光領域１６は有機電気発光物質の少なくとも一つの層を含む。単層発光領域１６に適した有機電気発光物質として、例えば、ポリフェニレンビニレン、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）ＰＰＶ、ポリ（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）１，４−フェニレンビニレン）ＭＥＨＰＰＶ及びポリ（２，５−ジアルコキシフェニレンビニレン）ＰＤＭｅＯＰＶ、及び米国特許第５，２４７，１９０号（これは参考として本明細書にそのまま含まれる）に開示されたその他の物質；ポリフェニレン、例えば、ポリ（ｐ−フェニレン）ＰＰＰ、ラダー−ポリ−パラ−フェニレン（ＬＰＰＰ）、及びポリ（テトラヒドロピレン）ＰＴＨＰ；並びにポリフルオレン、例えば、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ（２，８−（６，７，１２，１２−テトラアルキルインデノフルオレン）及びフルオレンを含むコポリマー、例えば、フルオレン−アミンコポリマーが挙げられる。
【００１２】
単層発光領域１６中に利用し得る有機電気発光物質の別のクラスとして、金属オキシノイド化合物が挙げられるが、これらに限定されない。例示の例として、トリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ３）（これが一つの好ましい例である）、及びビス（８−ヒドロキシキノレート）−（４−フェニルフェノラート）アルミニウム（Ｂａｌｑ）（これが別の好ましい例である）が挙げられる。物質のこのクラスのその他の例として、トリス（８−ヒドロキシキノリネート）ガリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）マグネシウム、ビス（８−ヒドロキシキノリネート）亜鉛、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウム、トリス（７−プロピル−８−キノリノレート）アルミニウム、ビス〔ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリネート〕亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ〔ｈ〕キノリネート）ベリリウム等、並びに金属チオキシノイド化合物、例えば、ビス（８−キノリンチオラート）亜鉛、ビス（８−キノリンチオラート）カドミウム、トリス（８−キノリンチオラート）ガリウム、トリス（８−キノリンチオラート）インジウム、ビス（５−メチルキノリンチオラート）亜鉛、トリス（５−メチルキノリンチオラート）ガリウム、トリス（５−メチルキノリンチオラート）インジウム、ビス（５−メチルキノリンチオラート）カドミウム、ビス（３−メチルキノリンチオラート）カドミウム、ビス（５−メチルキノリンチオラート）亜鉛、ビス〔ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラート〕亜鉛、ビス〔３−メチルベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラート〕亜鉛、ビス〔３，７−ジメチルベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラート〕亜鉛等の金属チオキシノイド化合物が挙げられる。好ましい物質はビス（８−キノリンチオラート）亜鉛、ビス（８−キノリンチオラート）カドミウム、トリス（８−キノリンチオラート）ガリウム、トリス（８−キノリンチオラート）インジウム及びビス〔ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリンチオラート〕亜鉛である。
【００１３】
単層発光領域１６中に使用し得る有機電気発光物質の更に別のクラスはスチルベン誘導体を含む。好ましいスチルベン誘導体は４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルである。
単層発光領域１６中の利用に適した好適な有機電気発光物質の別のクラスはオキサジアゾール金属キレートである。これらの物質として、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾレート〕リチウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（３−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔５−（４−クロロフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、
【００１４】
ビス〔２−α−（２−ヒドロキシナフチル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４−オキサジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（２−チオフェニル）−１，３，４−オキサジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジアゾレート〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジアゾレート〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾレート〕亜鉛、及びビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾレート〕ベリリウム等、並びにトリアジンが挙げられる。
発光領域１６はドーパントとして約０．０１重量％から約２５重量％までの発光物質を更に含んでもよい。発光領域１６中で利用し得るドーパント物質の例は蛍光物質、例えば、クマリン、ジシアノメチレンピラン、ポリメチン、オキサベンズアントラン、キサンテン、ピリリウム、カルボスチル、ペリレン等である。蛍光物質の別の好ましいクラスはキナクリドン染料である。キナクリドン染料の例示の例として、キナクリドン、２−メチルキナクリドン、２，９−ジメチルキナクリドン、２−クロロキナクリドン、２−フルオロキナクリドン、１，２−ベンゾキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−メチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２，９−ジメチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−クロロキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−フルオロキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，２−ベンゾキナクリドン等が挙げられる。使用し得る蛍光物質の別のクラスは縮合環蛍光染料である。例示の好適な縮合環蛍光染料として、ペリレン、ルブレン、アントラセン、コロネン、フェナントレセン、ピレン等が挙げられる。また、蛍光物質として、ブタジエン、例えば、１，４−ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタジエン、並びにスチルベン等が挙げられる。
【００１５】
更に、発光領域１６中で利用し得る発光ドーパントは蛍光染料、例えば、４−（ジシアノメチレン）−２−Ｉ−プロピル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エンイル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）；ランタニド金属キレート錯体、例えば、トリス（アセチルアセトネート）（フェナントロリン）テルビウム、トリス（アセチルアセトネート）（フェナントロリン）ユーロピウム、及びトリス（テノイルトリスフルオロアセトネート）（フェナントロリン）ユーロピウム、；並びにリン光物質、例えば、強いスピン軌道カップリングをもたらす重金属原子を含む有機金属化合物である。好ましい例として、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ２３Ｈ−フォルピン白金（ＩＩ）（ＰｔＯＥＰ）及びｆａｃトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）が挙げられる。
発光領域１６は２層；正孔輸送層１８及び電子層２０を有し得る。
発光領域１６はまた正孔輸送特性を有する一種以上の物質を含んでもよい。発光領域１６の正孔輸送層１８中で利用し得る正孔輸送物質の例として、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリアリールアミン、ＰＥＤＯＴ、及びそれらの誘導体、並びに既知の半導体有機物質；ポルフィリン誘導体、例えば、１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（ＩＩ）；銅フタロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニン；亜鉛フタロシアニン；チタン酸化物フタロシアニン；マグネシウムフタロシアニン等が挙げられる。
【００１６】
発光領域１６の正孔輸送層１８中で利用し得る正孔輸送物質の特別なクラスは芳香族三級アミンである。好適な例示の芳香族三級アミンとして、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、これらの混合物等が挙げられるが、これらに限定されない。芳香族三級アミンの別のクラスは多核芳香族アミンである。これらの多核芳香族アミンの例として、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｐ−トルイジン、
【００１７】
Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕アニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−クロロフェニルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロロフェニルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−クロロフェニルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｐ−クロロアニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−ｍ−クロロアニリン、Ｎ，Ｎ−ビス−〔４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル〕−１−アミノナフタレン、これらの混合物等、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル化合物、例えば、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル及び４，４’−ビス（３−メチル−９−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１８】
発光領域１６の正孔輸送層１８中に使用し得る正孔輸送物質の特別なクラスはインドロ−カルバゾール、例えば、５，１１−ジ−ナフチル−５，１１−ジヒドロインドロ〔３，２−ｂ〕カルバゾール、及び２，８−ジメチル−５，１１−ジ−ナフチル−５，１１−ジヒドロインドロ〔３，２−ｂ〕カルバゾール；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン（アリールはフェニル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等から選ばれてもよい）である。Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジンの例示の例はＮ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（これが更に好ましい）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等である。発光領域１６の正孔輸送層１８中で使用し得る好ましい正孔輸送物質はナフチル置換ベンジジン誘導体である。
【００１９】
発光領域１６はまた電子輸送特性を有する一種以上の物質を含んでもよい。発光領域１６の電子輸送層２０中で利用し得る電子輸送物質の例はポリフルオレン、例えば、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジイル）、ポリ（２，８−（６，７，１２，１２−テトラアルキルインデノフルオレン）及びフルオレンを含むコポリマー、例えば、フルオレン−アミンコポリマーである。
発光領域１６の電子輸送層２０中で利用し得る電子輸送物質のその他の例は金属オキシノイド化合物、オキサジアゾール金属キレート化合物、トリアジン化合物及びスチルベン化合物から選ばれてもよく、これらの例が詳しく上記された。
発光領域１６が一種以上の有機電気発光物質に加えて一種以上の正孔輸送物質及び／又は一種以上の電子輸送物質を含む実施態様において、有機電気発光物質、一種以上の正孔輸送物質、及び／又は一種以上の電子輸送物質は発光領域の別々のゾーンもしくは層及び／又は発光領域の同じゾーンもしくは層中で生成されてもよく、こうして２種以上の物質の混合ゾーン又は層を形成し得る。
【００２０】
発光領域１６の厚さは、例えば、約１ｎｍから約１０００ｎｍまで、典型的には約２０ｎｍから約２００ｎｍまで、好ましくは約５０ｎｍから約１５０ｎｍまで変化し得る。
カソード２２は、例えば、約４．０ｅＶから約６．０ｅＶまでの仕事関数を有する高仕事関数成分、又は、例えば、約２．５ｅＶから約４．０ｅＶまでの仕事関数を有する低仕事関数成分、例えば、金属を含む、あらゆる好適な金属を含んでもよい。カソードは低仕事関数（約４ｅＶ未満）金属と少なくとも一種のその他の金属の組み合わせを含んでもよい。低仕事関数金属対第二又はその他の金属の有効比率は約０．１重量％未満から約９９．９重量％までである。低仕事関数金属の例示の例として、アルカリ金属、例えば、リチウム又はナトリウム；２Ａ族又はアルカリ土類金属、例えば、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム又はバリウム；並びに稀土類金属及びアクチニド族金属を含むＩＩＩ族金属、例えば、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、ユーロピウム、テルビウム又はアクチニウムが挙げられるが、これらに限定されない。リチウム、マグネシウム及びカルシウムが好ましい低仕事関数金属である。
Ｍｇ−Ａｇ合金カソードがカソード２２を形成するのに好ましいカソード材料である。その他の好ましいカソードはその他の高仕事関数金属、例えば、アルミニウム及びインジウムとのリチウム合金から形成される。
【００２１】
カソード２２はまた絶縁材料、例えば、酸化物材料又はアルカリ金属化合物からつくられた発光ゾーンと接触する電子注入層を含んでもよい。
カソード２２の厚さは、例えば、約１０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲であってもよい。勿論、この範囲外の厚さがまた使用し得る。
本発明のパッシベーション領域を含む電気発光装置は種々の型の画像形成装置又はディスプレイ適用、例えば、フラットパネルディスプレイ中で使用し得る。このような適用は広範囲の製品、例えば、テレビ及びコンピュータ用のディスプレイ、装置ディスプレイ、自動車及び航空適用のためのディスプレイ、並びにハンドヘルド電子装置、例えば、セルラフォン等中で使用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施態様のダークスポットの形成を防止するためのパッシベーションのためのカソード上の多キャッピング層を含む有機発光装置を示す。
【図２】本発明の第二実施態様のダークスポットの形成を防止するためのパッシベーションのためのアノード上の多キャッピング層を含む有機発光装置を示す。
【符号の説明】
１０、１００−有機発光装置（ＯＬＥＤ）
１２−支持体
１４−アノード
１６−発光領域
１８−正孔輸送層
２０−電子輸送層
２２−カソード
２４−パッシベーション領域
２６−第一誘電体層
２８−金属又は合金層
３０−第二誘電体層

Claims

支持体、
前記支持体上のアノード、
有機電気発光物質を含む前記アノード上の発光領域、
前記発光領域上のカソード（その結果、前記カソードと前記アノードのバイアスが前記発光領域からの光放出を生じる）、及び
前記カソード上の第一誘電体層、
４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属又は金属合金を含む前記第一誘電体層上の金属層、及び
前記金属層上の第二誘電体層
を含む有機発光装置のパッシベーションのためのキャッピング層
を含むことを特徴とする有機発光装置。
支持体、
前記支持体上のアノード、
有機電気発光物質を含む前記アノード上の発光領域、
前記発光領域上のカソード（その結果、前記カソードと前記アノードのバイアスが前記発光領域からの光放出を生じる）、及び
前記カソード上の第一誘電体層、
４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属又は金属合金を含む前記第一誘電体層上の金属層、及び
前記金属層上の第二誘電体層
を含む有機発光装置のパッシベーションのためのキャッピング層
を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
支持体、
前記支持体上のカソード、
有機電気発光物質を含む前記カソード上の発光領域、
前記発光領域上のアノード（その結果、前記カソードと前記アノードのバイアスが前記発光領域からの光放出を生じる）、及び
前記アノード上の第一誘電体層、
４ｅＶ未満の仕事関数を有する金属又は金属合金を含む前記第一誘電体層上の金属層、及び
前記金属層上の第二誘電体層
を含む有機発光装置のパッシベーションのためのキャッピング層
を含むことを特徴とする有機発光装置。