JP2004061992A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光路変換用の傾斜面を有する光導波路を精度および効率良く安価に得られる光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板２、酸化珪素層４、および表面Ｓｉ層６を積層したウェハ１において、表面Ｓｉ層６の表面７に所定パターンを有する第１の酸化膜８ａを形成する工程と、第１の酸化膜８ａのパターン間から露出する表面Ｓｉ層６をエッチングして、表面Ｓｉ層に対向する２つの傾斜面６ａを有する凹部１０を形成する工程と、少なくとも上記凹部１０の表面に第２の酸化膜１２を形成する工程と、上記対向する２つの傾斜面６ａを形成する表面Ｓｉ層６およびその表面７に形成された第１および第２の酸化膜８ａ，１２を除去して、表面Ｓｉ層６に両端部に傾斜面６ａを有する凹溝１４を形成する工程と、かかる凹溝１４にコア素材１６を充填して得られたコア１６の周囲にクラッド１８を形成する工程と、を含む、光導波路の製造方法。
【選択図】 図２
【解決手段】Ｓｉ基板２、酸化珪素層４、および表面Ｓｉ層６を積層したウェハ１において、表面Ｓｉ層６の表面７に所定パターンを有する第１の酸化膜８ａを形成する工程と、第１の酸化膜８ａのパターン間から露出する表面Ｓｉ層６をエッチングして、表面Ｓｉ層に対向する２つの傾斜面６ａを有する凹部１０を形成する工程と、少なくとも上記凹部１０の表面に第２の酸化膜１２を形成する工程と、上記対向する２つの傾斜面６ａを形成する表面Ｓｉ層６およびその表面７に形成された第１および第２の酸化膜８ａ，１２を除去して、表面Ｓｉ層６に両端部に傾斜面６ａを有する凹溝１４を形成する工程と、かかる凹溝１４にコア素材１６を充填して得られたコア１６の周囲にクラッド１８を形成する工程と、を含む、光導波路の製造方法。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハを用いた光路変換用の傾斜面を有する光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光路変換用の傾斜面を有する光導波路の製造方法は、例えば図８（Ａ）に示すように、基板３０の表面に上部クラッド層３４、下部クラッド層３５、およびこれらの間に位置するコア層３６からなる光導波路３２を形成した後、図８（Ｂ）に示すように、先端に傾斜した刃面を有するダイシングブレード３９を上記光導波路３２に直角に切り込むことより行われる。その結果、図８（Ｃ）に示すように、上記光導波路３２に長手方向に対し約４５度傾斜した一対の傾斜面（反射ミラー面）３８，３８が形成される（特開２０００−１９９８２７号公報参照）。
しかし、上記ブレード３９を用いた場合、図８（Ｂ）の前後方向に沿って所定長さの傾斜した刃面が存在するため、上記傾斜面３８，３８を設けた光導波路３２に隣接する図示ない光導波路３２までも切断してしまう、という問題があった。
【０００３】
一方、図８（Ｄ）に示すように、図示しない金型にポリマを押し付けて転写することにより、表面４１に一対の凸部４３，４３とその間に位置する凹溝４２とを複数組形成した下部クラッド４０を用いる方法もある。上記複数の凹溝４２にコアポリマをそれぞれ充填した後、図８（Ｅ）に示すように、下部クラッド４０の表面４１に、一対の凹溝４９，４９とその間に位置する凸部４８とを複数組形成した上部クラッド４６をセットする。この際、凸部４３は凹溝４９に嵌合し、凹溝４２内には凸部４８が途中まで嵌合する。
その結果、図８（Ｅ）に示すように、各凹溝４２内には、断面正方形のコア４４がそれぞれ形成され、且つ隣接する凸部４３，４３間およびそれらの最外側には、余剰のコアポリマ４５が残留する（特開平９−１０１４２５号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】
上記の製造方法では、得られる光導波路のコア４４を、転写用の金型の断面形状に倣って、断面正方形に精度良く形成することができる。
しかしながら、コア４４の適所に光路変換用の傾斜面（反射ミラー面）を、前記転写用の金型において予め形成しておくことは、当該金型の製作コストが嵩む、という問題があった。即ち、上記傾斜面は、個別の光導波路ごとに所定の位置に形成するため、上記金型を用いる方法は多品種少量生産には不向きであった。
本発明は、以上において説明した従来の技術における問題点を解決し、光路変換用の傾斜面を有する光導波路を精度および効率良く安価に得られる光導波路の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、さまざまなデバイスの製作に用いられ且つ表層にＳｉ層を有するウェハを活用し、かかるＳｉ層に光路変換用の傾斜面を転写するための傾斜面を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明における第１の光導波路の製造方法（請求項１）は、Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凹溝を形成する工程と、かかる凹溝にコア素材を充填して得られたコアの周囲にクラッドを形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００６】
これによれば、何れかの一端または両端に傾斜面を有する凹溝が上記表面Ｓｉ層に形成され、かかる凹溝にコア素材を充填することにより、少なくとも一方の端部に光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成することができる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成することができ、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応することが可能となる。尚、光導波路は、単数または複数のコアとその周囲を囲うクラッドとからなる。
【０００７】
また、第１の製造方法には、前記凹溝を形成する工程の前に、前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、かかる第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、上記表面Ｓｉ層に対向する２つの側面が傾斜面である凹部を形成する工程と、少なくとも上記凹部の表面に第２の酸化膜を形成する工程と、上記対向する２つの側面のうち１つの側面を形成する上記表面Ｓｉ層側部およびかかる表面Ｓｉ層側部の表面に形成された上記第１の酸化膜および第２の酸化膜を除去する工程と、を含む、光導波路の製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、一端の何れかまたは両端に傾斜面を有する凹溝を、ウェハ上の任意の位置における表面Ｓｉ層に確実に形成することが可能となる。
尚、上記表面Ｓｉ層に施すエッチングは、エッチング液によるウェットエッチングであり、後述する表面Ｓｉ層に対して面方位依存性の異方性を有するウェットエッチングである。また、上記パターンを有する第１の酸化膜は、例えばフォトリソグラフィ技術によって形成される。更に、上記第１および第２の酸化膜を除去する工程には、フォトリソグラフィ技術やドライエッチングが用いられる。
【０００８】
一方、本発明における第２の光導波路の製造方法（請求項３）は、Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凸部を形成する工程と、かかる凸部の上方にクラッド素材を押し付けてかかる凸部に倣った凹溝を形成したクラッドを得た後、かかる凹溝にコア素材を充填する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、何れかの一端または両端に傾斜面を有する凸部が上記表面Ｓｉ層に形成され、かかる凸部にクラッド素材を押し付け、得られるクラッドに少なくとも一端に上記傾斜面を有する凹溝を転写し、この凹溝にコア素材を充填することにより、光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成することができる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成することができ、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応することが可能となる。
【０００９】
また、第２の製造方法には、前記凸部を形成する工程の前に、前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、かかる第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、かかる表面Ｓｉ層の側面に傾斜面を形成する工程と、上記第１の酸化膜を除去する工程と、を含む、光導波路の製造方法（請求項４）も含まれる。
これによれば、少なくとも一端部に傾斜面を有する凸部を、ウェハ上の任意の位置における表面Ｓｉ層に確実に形成することができる。この結果、かかる凸部にクラッド素材を押し付けて、クラッドに少なくとも一端部に傾斜面を有する凹溝を精度良く転写することが可能となる。
【００１０】
更に、本発明には、前記エッチングは、面方位依存性の異方性エッチングである、光導波路の製造方法（請求項５）も含まれる。これによれば、前記第１または第２の製造方法において、例えば｛１００｝面の表面Ｓｉ層に対して面方位依存性の異方性エッチングを行った際、かかる表面Ｓｉ層の厚み方向と直交する方向に対して、約５５度傾斜した光路変換用の傾斜面に転写すべき元の傾斜面を容易に形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、本発明における第１の光導波路の製造方法に用いるウェハ１の断面を示し、かかるウェハ１は、厚みが４００μｍのＳｉ基板２と、その表面３に形成され且つ厚みが１〜５μｍの酸化珪素層４と、その表面５に形成され且つ厚みが７〜５０μｍの表面Ｓｉ層６と、を積層した積層体である。
先ず、図１（Ｂ）に示すように、表面Ｓｉ層６の表面７に酸化珪素（ＳｉＯ２）からなり厚みが０．０１〜０．３μｍである第１の酸化膜８を、熱酸化によって形成する。次に、第１の酸化膜８の上に感光性樹脂を塗布した後、所定パターンの露光および現像を行って、かかるパターンを有するエッチングレジストを、上記第１の酸化膜８の上に形成する。次いで、かかるエッチングレジストのパターン間から露出する上記第１の酸化膜８に、バッファードフッ酸液（以下、ＢＨＦと称する）を接触させて、上記酸化膜８に対しウェットエッチングを施す。
【００１２】
この結果、図１（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８は、上記パターンに倣った第１の酸化膜８ａとなる。かかる第１の酸化膜８ａの間から露出する表面Ｓｉ層６に対し、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液（以下、ＴＭＡＨと称する）を接触させるウエットエッチングを施す。尚、実際の作業は、ウェハ１をＴＭＡＨに浸漬して行われる。
その結果、図１（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８ａの間から露出する部位の表面Ｓｉ層６は、上記エッチングにより除去され、一対の対向する側面が傾斜面６ａである凹部１０が２つ離間して形成される。
表面Ｓｉ層６は｛１００｝面であるため、かかる傾斜面６ａは、図１（Ｃ）中における水平線に対して５５度の傾きを有する。尚、この傾きは上記エッチングによる表面Ｓｉ層６の面方位性によりエッチング速度が異なることに起因している。即ち、上記エッチングは、面方位依存性の異方性エッチングである。
【００１３】
更に、第１の酸化膜８ａの表面および複数の凹部１０の内面全体に、図１（Ｄ）に示すように、前記同様の方法によって厚みが０．０１〜０．３μｍの酸化珪素からなる第２の酸化膜１２，１２ａを形成する。
次に、第２の酸化膜１２，１２ａの上に前記同様の図示しないエッチングレジストを形成し、そのパターン間から露出する第２の酸化膜１２，１２ａとその下方の第１の酸化膜８ａに対し、ＢＨＦを接触させるウェットエッチングを施す。
その結果、図２（Ａ）に示すように、左右の凹部１０において互いに内側の傾斜面６ａとこれらの間に位置する断面ほぼ台形の表面Ｓｉ層６とが露出する。
一方、左右の凹部１０において外側の傾斜面６ａとこれらに続く表面Ｓｉ層６の表面７とには、第１の酸化膜８ａおよび第２の酸化膜１２ａ，１２ｂの少なくとも一つが残留している。
【００１４】
次いで、図２（Ａ）に示すウェハ１の表面全体に対して、ドライエッチングを施す。かかるドライエッチングは、図２（Ａ）に示すウェハ１をプロセスガス中に置き、インダクティブカップルプラズマを用いる反応性イオンエッチングである。尚、上記プロセスガスには、ＳＦ６，Ｃ４Ｆ８，Ｏ２などが用いられる。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、前記一対の凹部１０，１０間に位置していた表面Ｓｉ層６が除去される。次いで、残留している第１および第２の酸化膜８ａ，１２ｂをＢＨＦにより除去すると、各凹部１０において外側に位置していた傾斜面６ａとこれに続く外側の表面Ｓｉ層６とが露出する。
従って、図２（Ｂ）に示すように、仰角θが約５５度の傾斜面６ａ，６ａを両端に対称に有し且つ断面ほぼ正方形の凹溝１４が形成される。
【００１５】
更に、図２（Ｃ）に示すように、凹溝１４内にアクリル樹脂からなるコア（コア素材）１６を充填する。次に、このコア１６を含む表面Ｓｉ層６の表面７、即ちウェハ１の表面にクラッド１８を形成した後、図２（Ｄ）に示すように、かかるクラッド１８をウェハ１から引き離し、コア１６を凹溝１４から型抜きする。
図２（Ｄ）および図３（Ａ）に示すように、板状のクラッド１８の表面に両端に仰角θが約５５度の傾斜面１７，１７を対称に有する直線形のコア１６が突出して位置する。尚、クラッド１８は、コア１６よりも屈折率が約１．４％低いアクリル樹脂からなる。
かかるコア１６の周囲に更にクラッド１８を被覆して加圧および加熱し且つ寸法を整えることにより、図３（Ｂ），（Ｃ）に示すように、中心部に沿って位置し且つ両端に傾斜面１７を有する断面ほぼ正方形のコア１６と、その周囲を囲み且つ断面ほぼロの字形のクラッド１８とからなる光導波路２０を得ることができる。尚、上記傾斜面１７は、反射ミラー面であり、光路の変換に際して活用される。
【００１６】
尚、前記ウェハ１の表面Ｓｉ層６において、互いに平行な複数の凹溝１４を形成し、これらにコア素材１６を充填して形成した後、前記同様にクラッド１８により各コア１６を型抜きすると、図３（Ｄ）に示すように、板状のクラッド１８の表面に両端に傾斜面１７が対称に位置する直線形のコア１６が複数突出する。これらのコア１６の周囲に更にクラッド１８を被覆し且つ寸法を整えることにより、図３（Ｅ）に示すように、断面がほぼ目の字状のクラッド１８と、その内部を平行に貫通する断面ほぼ正方形の複数のコア１６と、からなる光導波路２０ａを得ることもできる。尚、上記光導波路２０，２０ａにおけるコア１６は、何れかの傾斜面１７に反射した光がその内面に多重反射しつつその長手方向に沿って当該光を伝搬させるマルチモードファイバ（ＭＭＦ）である。
【００１７】
図４（Ａ）は、本発明における第２の光導波路の製造方法に用いる前記同様のウェハ１の断面を示す。先ず、図４（Ｂ）に示すように、表面Ｓｉ層６の表面７に酸化珪素からなり厚みが０．０１〜０．３μｍである第１の酸化膜８を、前記と同じ方法により形成する。次に、第１の酸化膜８の上に、前記同様の方法により、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成する。
次いで、かかるエッチングレジストのパターン間から露出する上記第１の酸化膜８にエッチング液を接触させる。この結果、図４（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８は、上記パターンに倣った第１の酸化膜８ａとなる。
【００１８】
かかる第１の酸化膜８ａの間から露出する表面Ｓｉ層６に対して、ＴＭＡＨを接触させるウエットエッチングを施す。その結果、図４（Ｃ）の断面図および図４（ｃ）の平面図に示すように、第１の酸化膜８ａの間から露出する部位の表面Ｓｉ層６は、上記エッチングにより除去されると共に、第１の酸化膜８ａに覆われた部位の表面Ｓｉ層６が四角錐形状を呈する凸部９として残る。かかる凸部９の長手方向の両端（側面）には、図４（Ｃ）に示すように、一対の対向する傾斜面９ａ，９ａが対称に形成される。上記エッチングは、表面Ｓｉ層６における｛１００｝面の面方位依存性の異方性エッチングであるため、上記傾斜面９ａは、図４（Ｃ）中における水平線に対して、それぞれ約５５度の傾きを有する。
更に、第１の酸化膜８ａの表面、一対の傾斜面９ａ、および露出した酸化珪素層４の表面５の全体に、前記同様の方法により厚みが０．０１〜０．３μｍからなる第２の酸化膜１２，１２ｃを形成する。
【００１９】
次に、第２の酸化膜１２，１２ｃの上に前記同様の図示しないエッチングレジストを形成し、そのパターン間から露出する第２の酸化膜１２，１２ｃとその下側の第１の酸化膜８ａに対し、ＢＨＦを接触させるウェットエッチングを施す。
その結果、図５（Ａ）の断面図および図５（ａ）の平面図に示すように、四角錐形状の凸部９の表面７と同じ幅の第１および第２の酸化膜８ａ，１２と一対の傾斜面９ａおよび左右の酸化珪素層４の表面５上の第２の酸化膜１２，１２ｃとが残り、その他の酸化膜８ａ，１２が除去される。
【００２０】
次いで、ウェハ１の表面全体に対して、前記同様のドライエッチングを施し、図５（Ｂ）および図５（ｂ）に示すように、凸部９のうち酸化膜１２，１２ｃから露出している部位をエッチングする。更に、残留している第１の酸化膜８ａと第２の酸化膜１２，１２ｃとを上記同様のＢＨＦによるエッチングにより除去する。
その結果、図６（Ａ）および（ａ）に示すように、仰角θが約５５度の傾斜面９ａ，９ａを長手方向の両端に対称に有し断面ほぼ正方形で且つ直線状の凸部９が、酸化珪素層４の表面５上に突出するようにして形成される。
【００２１】
更に、図６（Ｂ）および図６（ｂ）に示すように、直線状の凸部９の表面７およびその周囲の酸化珪素層４の表面５であるウェハ１の表面上に、アクリル樹脂からなるクラッド（クラッド素材）１８をプレスしつつ形成する。次いで、かかるクラッド１８をウェハ１から引き離し且つ上記凸部９を型抜きする。
その結果、図６（Ｃ）および図７（Ａ）に示すように、上記クラッド１８には、直線状の凸部９に倣って直線状で且つ断面ほぼ正方形の凹溝１４が転写して形成され、かかる凹溝１４の両端には、前記傾斜面９ａに倣った仰角θが約５５度の一対の傾斜面１８ａが転写により対称に形成される。
【００２２】
次に、図７（Ｂ）に示すように、上記凹溝１４にコア（コア素材）１６を充填すると、その両端には上記傾斜面１８ａに倣った一対の傾斜面１７が対称に形成される。かかるコア１６も、周囲のクラッド１８よりも屈折率がやや高いアクリル樹脂からなる。そして、図７（Ｂ）に示すコア１６の上方にも更に他のクラッド１８を形成して加圧および加熱し且つ寸法を整える。
これにより、図７（Ｃ）に示すように、中心部に沿って断面ほぼ正方形で且つ両端に傾斜面（反射ミラー面）１７を有する上記コア１６が位置し、その周囲を断面ほぼロの字形のクラッド１８が覆う光導波路２０を得ることができる。
【００２３】
尚、図７（Ｄ）に示すように、クラッド１８に平行な複数の凹溝１４を形成し、これらにコア素材１６を個別に充填した後、かかるクラッド１８と各コア１６との上に他のクラッド１８を形成することにより、図７（Ｅ）に示すように、断面がほぼ目の字形のクラッド１８と、その内部を平行に貫通する断面ほぼ正方形の複数のコア１６と、からなる光導波路２０ａを得ることもできる。
また、上記光導波路２０，２０ａにおけるコア１６は、何れかの傾斜面１７に反射した光がその内面に多重反射しつつその長手方向に沿って当該光を伝搬させるマルチモードファイバ（ＭＭＦ）である。
【００２４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、光導波路２０，２０ａのコア１６は、前記アクリル樹脂のほか、シロキサンポリマやフッ素ポリイミドなどの樹脂を用いても良く、クラッド１８も同様な樹脂で且つコア１６よりも屈折率が０．３〜５％低いものとしても良い。
また、上記コア１６は、シングルモードファイバ（ＳＭＦ）であっても良い。
更に、コア１６の前記傾斜面１７は、前記約５５度の傾きに限らず、表面Ｓｉ層の面方位を変更することで、３０度以上で且つ６０度以下の範囲における任意の角度を選択することができる。
また、第１の製造方法において、クラッド１８の表面に突出して形成する複数のコア１６は、互いに平行の形態ではなく、互いに直交する向きや互いに斜めに交差する位置にそれぞれを形成しても良い。更に、第２の製造方法において、クラッド１８の表面に形成する複数の凹溝１４も上述した配置としても良い。
【００２５】
【発明の効果】
本発明における第１の光導波路の製造方法（請求項１，２）によれば、少なくとも一端に傾斜面を有する凹溝が表面Ｓｉ層に形成され、かかる凹溝にコア素材を充填することで、少なくとも一端に光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成できる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成できるので、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応可能となる。
【００２６】
また、第２の光導波路の製造方法（請求項３，４）によれば、少なくとも一端に傾斜面を有する凸部が表面Ｓｉ層に形成され、かかる凸部にクラッド素材を押し付け、得られるクラッドに少なくとも一端に上記傾斜面を有する凹溝を転写し、この凹溝にコア素材を充填することで、光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成できる。しかも、かかる工程をウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成できるため、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応可能となる。
更に、請求項５の光導波路の製造方法によれば、光路変換用の傾斜面に転写すべき元の傾斜面を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１（Ｄ）に続く各工程を示す概略図。
【図３】（Ａ）は図２（Ｄ）に続く工程を示す概略図、（Ｂ）は得られた光導波路の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）中のＣ−Ｃ線に沿った矢視の断面図、（Ｄ）は異なる形態の工程を示す概略図、（Ｅ）はこれにより得られる光導波路を示す断面図。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の第２の製造方法における各工程を示す概略図、（ｃ）は（Ｃ）の平面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は図４（Ｃ）に続く各工程を示す概略図、（ａ），（ｂ）は（Ａ），（Ｂ）の平面図。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は図５（Ｂ）に続く各工程を示す概略図、（ａ）は（Ａ）の平面図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は図６（Ｃ）に続く工程を示す概略図、（Ｃ）は得られた光導波路の断面図、（Ｄ）は異なる形態の工程を示す概略図、（Ｅ）はこれにより得られる光導波路を示す断面図。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）と（Ｄ），（Ｅ）はそれぞれ従来の光導波路の製造方法を示す概略図。
【符号の説明】
１………………………ウェハ
２………………………Ｓｉ基板
４………………………酸化珪素層
６………………………表面Ｓｉ層
６ａ，９ａ……………傾斜面
８，８ａ………………第１の酸化膜
９………………………凸部
１０……………………凹部
１２，１２ａ，１２ｃ…第２の酸化膜
１４……………………凹溝
１６……………………コア／コア素材
１７，１８ａ…………傾斜面
１８……………………クラッド／クラッド素材
２０，２０ａ…………光導波路
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハを用いた光路変換用の傾斜面を有する光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光路変換用の傾斜面を有する光導波路の製造方法は、例えば図８（Ａ）に示すように、基板３０の表面に上部クラッド層３４、下部クラッド層３５、およびこれらの間に位置するコア層３６からなる光導波路３２を形成した後、図８（Ｂ）に示すように、先端に傾斜した刃面を有するダイシングブレード３９を上記光導波路３２に直角に切り込むことより行われる。その結果、図８（Ｃ）に示すように、上記光導波路３２に長手方向に対し約４５度傾斜した一対の傾斜面（反射ミラー面）３８，３８が形成される（特開２０００−１９９８２７号公報参照）。
しかし、上記ブレード３９を用いた場合、図８（Ｂ）の前後方向に沿って所定長さの傾斜した刃面が存在するため、上記傾斜面３８，３８を設けた光導波路３２に隣接する図示ない光導波路３２までも切断してしまう、という問題があった。
【０００３】
一方、図８（Ｄ）に示すように、図示しない金型にポリマを押し付けて転写することにより、表面４１に一対の凸部４３，４３とその間に位置する凹溝４２とを複数組形成した下部クラッド４０を用いる方法もある。上記複数の凹溝４２にコアポリマをそれぞれ充填した後、図８（Ｅ）に示すように、下部クラッド４０の表面４１に、一対の凹溝４９，４９とその間に位置する凸部４８とを複数組形成した上部クラッド４６をセットする。この際、凸部４３は凹溝４９に嵌合し、凹溝４２内には凸部４８が途中まで嵌合する。
その結果、図８（Ｅ）に示すように、各凹溝４２内には、断面正方形のコア４４がそれぞれ形成され、且つ隣接する凸部４３，４３間およびそれらの最外側には、余剰のコアポリマ４５が残留する（特開平９−１０１４２５号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】
上記の製造方法では、得られる光導波路のコア４４を、転写用の金型の断面形状に倣って、断面正方形に精度良く形成することができる。
しかしながら、コア４４の適所に光路変換用の傾斜面（反射ミラー面）を、前記転写用の金型において予め形成しておくことは、当該金型の製作コストが嵩む、という問題があった。即ち、上記傾斜面は、個別の光導波路ごとに所定の位置に形成するため、上記金型を用いる方法は多品種少量生産には不向きであった。
本発明は、以上において説明した従来の技術における問題点を解決し、光路変換用の傾斜面を有する光導波路を精度および効率良く安価に得られる光導波路の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、さまざまなデバイスの製作に用いられ且つ表層にＳｉ層を有するウェハを活用し、かかるＳｉ層に光路変換用の傾斜面を転写するための傾斜面を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明における第１の光導波路の製造方法（請求項１）は、Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凹溝を形成する工程と、かかる凹溝にコア素材を充填して得られたコアの周囲にクラッドを形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００６】
これによれば、何れかの一端または両端に傾斜面を有する凹溝が上記表面Ｓｉ層に形成され、かかる凹溝にコア素材を充填することにより、少なくとも一方の端部に光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成することができる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成することができ、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応することが可能となる。尚、光導波路は、単数または複数のコアとその周囲を囲うクラッドとからなる。
【０００７】
また、第１の製造方法には、前記凹溝を形成する工程の前に、前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、かかる第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、上記表面Ｓｉ層に対向する２つの側面が傾斜面である凹部を形成する工程と、少なくとも上記凹部の表面に第２の酸化膜を形成する工程と、上記対向する２つの側面のうち１つの側面を形成する上記表面Ｓｉ層側部およびかかる表面Ｓｉ層側部の表面に形成された上記第１の酸化膜および第２の酸化膜を除去する工程と、を含む、光導波路の製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、一端の何れかまたは両端に傾斜面を有する凹溝を、ウェハ上の任意の位置における表面Ｓｉ層に確実に形成することが可能となる。
尚、上記表面Ｓｉ層に施すエッチングは、エッチング液によるウェットエッチングであり、後述する表面Ｓｉ層に対して面方位依存性の異方性を有するウェットエッチングである。また、上記パターンを有する第１の酸化膜は、例えばフォトリソグラフィ技術によって形成される。更に、上記第１および第２の酸化膜を除去する工程には、フォトリソグラフィ技術やドライエッチングが用いられる。
【０００８】
一方、本発明における第２の光導波路の製造方法（請求項３）は、Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凸部を形成する工程と、かかる凸部の上方にクラッド素材を押し付けてかかる凸部に倣った凹溝を形成したクラッドを得た後、かかる凹溝にコア素材を充填する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、何れかの一端または両端に傾斜面を有する凸部が上記表面Ｓｉ層に形成され、かかる凸部にクラッド素材を押し付け、得られるクラッドに少なくとも一端に上記傾斜面を有する凹溝を転写し、この凹溝にコア素材を充填することにより、光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成することができる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成することができ、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応することが可能となる。
【０００９】
また、第２の製造方法には、前記凸部を形成する工程の前に、前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、かかる第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、かかる表面Ｓｉ層の側面に傾斜面を形成する工程と、上記第１の酸化膜を除去する工程と、を含む、光導波路の製造方法（請求項４）も含まれる。
これによれば、少なくとも一端部に傾斜面を有する凸部を、ウェハ上の任意の位置における表面Ｓｉ層に確実に形成することができる。この結果、かかる凸部にクラッド素材を押し付けて、クラッドに少なくとも一端部に傾斜面を有する凹溝を精度良く転写することが可能となる。
【００１０】
更に、本発明には、前記エッチングは、面方位依存性の異方性エッチングである、光導波路の製造方法（請求項５）も含まれる。これによれば、前記第１または第２の製造方法において、例えば｛１００｝面の表面Ｓｉ層に対して面方位依存性の異方性エッチングを行った際、かかる表面Ｓｉ層の厚み方向と直交する方向に対して、約５５度傾斜した光路変換用の傾斜面に転写すべき元の傾斜面を容易に形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、本発明における第１の光導波路の製造方法に用いるウェハ１の断面を示し、かかるウェハ１は、厚みが４００μｍのＳｉ基板２と、その表面３に形成され且つ厚みが１〜５μｍの酸化珪素層４と、その表面５に形成され且つ厚みが７〜５０μｍの表面Ｓｉ層６と、を積層した積層体である。
先ず、図１（Ｂ）に示すように、表面Ｓｉ層６の表面７に酸化珪素（ＳｉＯ２）からなり厚みが０．０１〜０．３μｍである第１の酸化膜８を、熱酸化によって形成する。次に、第１の酸化膜８の上に感光性樹脂を塗布した後、所定パターンの露光および現像を行って、かかるパターンを有するエッチングレジストを、上記第１の酸化膜８の上に形成する。次いで、かかるエッチングレジストのパターン間から露出する上記第１の酸化膜８に、バッファードフッ酸液（以下、ＢＨＦと称する）を接触させて、上記酸化膜８に対しウェットエッチングを施す。
【００１２】
この結果、図１（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８は、上記パターンに倣った第１の酸化膜８ａとなる。かかる第１の酸化膜８ａの間から露出する表面Ｓｉ層６に対し、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液（以下、ＴＭＡＨと称する）を接触させるウエットエッチングを施す。尚、実際の作業は、ウェハ１をＴＭＡＨに浸漬して行われる。
その結果、図１（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８ａの間から露出する部位の表面Ｓｉ層６は、上記エッチングにより除去され、一対の対向する側面が傾斜面６ａである凹部１０が２つ離間して形成される。
表面Ｓｉ層６は｛１００｝面であるため、かかる傾斜面６ａは、図１（Ｃ）中における水平線に対して５５度の傾きを有する。尚、この傾きは上記エッチングによる表面Ｓｉ層６の面方位性によりエッチング速度が異なることに起因している。即ち、上記エッチングは、面方位依存性の異方性エッチングである。
【００１３】
更に、第１の酸化膜８ａの表面および複数の凹部１０の内面全体に、図１（Ｄ）に示すように、前記同様の方法によって厚みが０．０１〜０．３μｍの酸化珪素からなる第２の酸化膜１２，１２ａを形成する。
次に、第２の酸化膜１２，１２ａの上に前記同様の図示しないエッチングレジストを形成し、そのパターン間から露出する第２の酸化膜１２，１２ａとその下方の第１の酸化膜８ａに対し、ＢＨＦを接触させるウェットエッチングを施す。
その結果、図２（Ａ）に示すように、左右の凹部１０において互いに内側の傾斜面６ａとこれらの間に位置する断面ほぼ台形の表面Ｓｉ層６とが露出する。
一方、左右の凹部１０において外側の傾斜面６ａとこれらに続く表面Ｓｉ層６の表面７とには、第１の酸化膜８ａおよび第２の酸化膜１２ａ，１２ｂの少なくとも一つが残留している。
【００１４】
次いで、図２（Ａ）に示すウェハ１の表面全体に対して、ドライエッチングを施す。かかるドライエッチングは、図２（Ａ）に示すウェハ１をプロセスガス中に置き、インダクティブカップルプラズマを用いる反応性イオンエッチングである。尚、上記プロセスガスには、ＳＦ６，Ｃ４Ｆ８，Ｏ２などが用いられる。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、前記一対の凹部１０，１０間に位置していた表面Ｓｉ層６が除去される。次いで、残留している第１および第２の酸化膜８ａ，１２ｂをＢＨＦにより除去すると、各凹部１０において外側に位置していた傾斜面６ａとこれに続く外側の表面Ｓｉ層６とが露出する。
従って、図２（Ｂ）に示すように、仰角θが約５５度の傾斜面６ａ，６ａを両端に対称に有し且つ断面ほぼ正方形の凹溝１４が形成される。
【００１５】
更に、図２（Ｃ）に示すように、凹溝１４内にアクリル樹脂からなるコア（コア素材）１６を充填する。次に、このコア１６を含む表面Ｓｉ層６の表面７、即ちウェハ１の表面にクラッド１８を形成した後、図２（Ｄ）に示すように、かかるクラッド１８をウェハ１から引き離し、コア１６を凹溝１４から型抜きする。
図２（Ｄ）および図３（Ａ）に示すように、板状のクラッド１８の表面に両端に仰角θが約５５度の傾斜面１７，１７を対称に有する直線形のコア１６が突出して位置する。尚、クラッド１８は、コア１６よりも屈折率が約１．４％低いアクリル樹脂からなる。
かかるコア１６の周囲に更にクラッド１８を被覆して加圧および加熱し且つ寸法を整えることにより、図３（Ｂ），（Ｃ）に示すように、中心部に沿って位置し且つ両端に傾斜面１７を有する断面ほぼ正方形のコア１６と、その周囲を囲み且つ断面ほぼロの字形のクラッド１８とからなる光導波路２０を得ることができる。尚、上記傾斜面１７は、反射ミラー面であり、光路の変換に際して活用される。
【００１６】
尚、前記ウェハ１の表面Ｓｉ層６において、互いに平行な複数の凹溝１４を形成し、これらにコア素材１６を充填して形成した後、前記同様にクラッド１８により各コア１６を型抜きすると、図３（Ｄ）に示すように、板状のクラッド１８の表面に両端に傾斜面１７が対称に位置する直線形のコア１６が複数突出する。これらのコア１６の周囲に更にクラッド１８を被覆し且つ寸法を整えることにより、図３（Ｅ）に示すように、断面がほぼ目の字状のクラッド１８と、その内部を平行に貫通する断面ほぼ正方形の複数のコア１６と、からなる光導波路２０ａを得ることもできる。尚、上記光導波路２０，２０ａにおけるコア１６は、何れかの傾斜面１７に反射した光がその内面に多重反射しつつその長手方向に沿って当該光を伝搬させるマルチモードファイバ（ＭＭＦ）である。
【００１７】
図４（Ａ）は、本発明における第２の光導波路の製造方法に用いる前記同様のウェハ１の断面を示す。先ず、図４（Ｂ）に示すように、表面Ｓｉ層６の表面７に酸化珪素からなり厚みが０．０１〜０．３μｍである第１の酸化膜８を、前記と同じ方法により形成する。次に、第１の酸化膜８の上に、前記同様の方法により、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成する。
次いで、かかるエッチングレジストのパターン間から露出する上記第１の酸化膜８にエッチング液を接触させる。この結果、図４（Ｃ）に示すように、第１の酸化膜８は、上記パターンに倣った第１の酸化膜８ａとなる。
【００１８】
かかる第１の酸化膜８ａの間から露出する表面Ｓｉ層６に対して、ＴＭＡＨを接触させるウエットエッチングを施す。その結果、図４（Ｃ）の断面図および図４（ｃ）の平面図に示すように、第１の酸化膜８ａの間から露出する部位の表面Ｓｉ層６は、上記エッチングにより除去されると共に、第１の酸化膜８ａに覆われた部位の表面Ｓｉ層６が四角錐形状を呈する凸部９として残る。かかる凸部９の長手方向の両端（側面）には、図４（Ｃ）に示すように、一対の対向する傾斜面９ａ，９ａが対称に形成される。上記エッチングは、表面Ｓｉ層６における｛１００｝面の面方位依存性の異方性エッチングであるため、上記傾斜面９ａは、図４（Ｃ）中における水平線に対して、それぞれ約５５度の傾きを有する。
更に、第１の酸化膜８ａの表面、一対の傾斜面９ａ、および露出した酸化珪素層４の表面５の全体に、前記同様の方法により厚みが０．０１〜０．３μｍからなる第２の酸化膜１２，１２ｃを形成する。
【００１９】
次に、第２の酸化膜１２，１２ｃの上に前記同様の図示しないエッチングレジストを形成し、そのパターン間から露出する第２の酸化膜１２，１２ｃとその下側の第１の酸化膜８ａに対し、ＢＨＦを接触させるウェットエッチングを施す。
その結果、図５（Ａ）の断面図および図５（ａ）の平面図に示すように、四角錐形状の凸部９の表面７と同じ幅の第１および第２の酸化膜８ａ，１２と一対の傾斜面９ａおよび左右の酸化珪素層４の表面５上の第２の酸化膜１２，１２ｃとが残り、その他の酸化膜８ａ，１２が除去される。
【００２０】
次いで、ウェハ１の表面全体に対して、前記同様のドライエッチングを施し、図５（Ｂ）および図５（ｂ）に示すように、凸部９のうち酸化膜１２，１２ｃから露出している部位をエッチングする。更に、残留している第１の酸化膜８ａと第２の酸化膜１２，１２ｃとを上記同様のＢＨＦによるエッチングにより除去する。
その結果、図６（Ａ）および（ａ）に示すように、仰角θが約５５度の傾斜面９ａ，９ａを長手方向の両端に対称に有し断面ほぼ正方形で且つ直線状の凸部９が、酸化珪素層４の表面５上に突出するようにして形成される。
【００２１】
更に、図６（Ｂ）および図６（ｂ）に示すように、直線状の凸部９の表面７およびその周囲の酸化珪素層４の表面５であるウェハ１の表面上に、アクリル樹脂からなるクラッド（クラッド素材）１８をプレスしつつ形成する。次いで、かかるクラッド１８をウェハ１から引き離し且つ上記凸部９を型抜きする。
その結果、図６（Ｃ）および図７（Ａ）に示すように、上記クラッド１８には、直線状の凸部９に倣って直線状で且つ断面ほぼ正方形の凹溝１４が転写して形成され、かかる凹溝１４の両端には、前記傾斜面９ａに倣った仰角θが約５５度の一対の傾斜面１８ａが転写により対称に形成される。
【００２２】
次に、図７（Ｂ）に示すように、上記凹溝１４にコア（コア素材）１６を充填すると、その両端には上記傾斜面１８ａに倣った一対の傾斜面１７が対称に形成される。かかるコア１６も、周囲のクラッド１８よりも屈折率がやや高いアクリル樹脂からなる。そして、図７（Ｂ）に示すコア１６の上方にも更に他のクラッド１８を形成して加圧および加熱し且つ寸法を整える。
これにより、図７（Ｃ）に示すように、中心部に沿って断面ほぼ正方形で且つ両端に傾斜面（反射ミラー面）１７を有する上記コア１６が位置し、その周囲を断面ほぼロの字形のクラッド１８が覆う光導波路２０を得ることができる。
【００２３】
尚、図７（Ｄ）に示すように、クラッド１８に平行な複数の凹溝１４を形成し、これらにコア素材１６を個別に充填した後、かかるクラッド１８と各コア１６との上に他のクラッド１８を形成することにより、図７（Ｅ）に示すように、断面がほぼ目の字形のクラッド１８と、その内部を平行に貫通する断面ほぼ正方形の複数のコア１６と、からなる光導波路２０ａを得ることもできる。
また、上記光導波路２０，２０ａにおけるコア１６は、何れかの傾斜面１７に反射した光がその内面に多重反射しつつその長手方向に沿って当該光を伝搬させるマルチモードファイバ（ＭＭＦ）である。
【００２４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、光導波路２０，２０ａのコア１６は、前記アクリル樹脂のほか、シロキサンポリマやフッ素ポリイミドなどの樹脂を用いても良く、クラッド１８も同様な樹脂で且つコア１６よりも屈折率が０．３〜５％低いものとしても良い。
また、上記コア１６は、シングルモードファイバ（ＳＭＦ）であっても良い。
更に、コア１６の前記傾斜面１７は、前記約５５度の傾きに限らず、表面Ｓｉ層の面方位を変更することで、３０度以上で且つ６０度以下の範囲における任意の角度を選択することができる。
また、第１の製造方法において、クラッド１８の表面に突出して形成する複数のコア１６は、互いに平行の形態ではなく、互いに直交する向きや互いに斜めに交差する位置にそれぞれを形成しても良い。更に、第２の製造方法において、クラッド１８の表面に形成する複数の凹溝１４も上述した配置としても良い。
【００２５】
【発明の効果】
本発明における第１の光導波路の製造方法（請求項１，２）によれば、少なくとも一端に傾斜面を有する凹溝が表面Ｓｉ層に形成され、かかる凹溝にコア素材を充填することで、少なくとも一端に光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成できる。しかも、かかる工程を上記ウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成できるので、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応可能となる。
【００２６】
また、第２の光導波路の製造方法（請求項３，４）によれば、少なくとも一端に傾斜面を有する凸部が表面Ｓｉ層に形成され、かかる凸部にクラッド素材を押し付け、得られるクラッドに少なくとも一端に上記傾斜面を有する凹溝を転写し、この凹溝にコア素材を充填することで、光路変換用の傾斜面を有するコアを含む光導波路を精度および効率良く形成できる。しかも、かかる工程をウェハの表面において行うため、個別の光導波路ごとの所定の位置に傾斜面を形成できるため、安価に製造でき且つ多品種少量生産にも充分に対応可能となる。
更に、請求項５の光導波路の製造方法によれば、光路変換用の傾斜面に転写すべき元の傾斜面を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１（Ｄ）に続く各工程を示す概略図。
【図３】（Ａ）は図２（Ｄ）に続く工程を示す概略図、（Ｂ）は得られた光導波路の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）中のＣ−Ｃ線に沿った矢視の断面図、（Ｄ）は異なる形態の工程を示す概略図、（Ｅ）はこれにより得られる光導波路を示す断面図。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明の第２の製造方法における各工程を示す概略図、（ｃ）は（Ｃ）の平面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は図４（Ｃ）に続く各工程を示す概略図、（ａ），（ｂ）は（Ａ），（Ｂ）の平面図。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は図５（Ｂ）に続く各工程を示す概略図、（ａ）は（Ａ）の平面図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は図６（Ｃ）に続く工程を示す概略図、（Ｃ）は得られた光導波路の断面図、（Ｄ）は異なる形態の工程を示す概略図、（Ｅ）はこれにより得られる光導波路を示す断面図。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）と（Ｄ），（Ｅ）はそれぞれ従来の光導波路の製造方法を示す概略図。
【符号の説明】
１………………………ウェハ
２………………………Ｓｉ基板
４………………………酸化珪素層
６………………………表面Ｓｉ層
６ａ，９ａ……………傾斜面
８，８ａ………………第１の酸化膜
９………………………凸部
１０……………………凹部
１２，１２ａ，１２ｃ…第２の酸化膜
１４……………………凹溝
１６……………………コア／コア素材
１７，１８ａ…………傾斜面
１８……………………クラッド／クラッド素材
２０，２０ａ…………光導波路
Claims (5)
- Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、
上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凹溝を形成する工程と、
上記凹溝にコア素材を充填して得られたコアの周囲にクラッドを形成する工程と、を含む、ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記凹溝を形成する工程の前に、
前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、 上記第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、上記表面Ｓｉ層に対向する２つの側面が傾斜面である凹部を形成する工程と、
少なくとも上記凹部の表面に第２の酸化膜を形成する工程と、
上記対向する２つの側面のうち１つの側面を形成する上記表面Ｓｉ層側部およびかかる表面Ｓｉ層側部の表面に形成された上記第１の酸化膜および第２の酸化膜を除去する工程と、
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路の製造方法。 - Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層とこれらの間に位置する酸化珪素層とを積層したウェハを用いた光導波路の製造方法であって、
上記表面Ｓｉ層に少なくとも一方の端部に傾斜面を有する凸部を形成する工程と、
上記凸部の上方にクラッド素材を押し付けてかかる凸部に倣った凹溝を形成したクラッドを得た後、かかる凹溝にコア素材を充填する工程と、を含む、
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記凸部を形成する工程の前に、
前記表面Ｓｉ層の表面に所定パターンを有する第１の酸化膜を形成する工程と、 上記第１の酸化膜のパターン間から露出する上記表面Ｓｉ層をエッチングして、かかる表面Ｓｉ層の側面に傾斜面を形成する工程と、
上記第１の酸化膜を除去する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の光導波路の製造方法。 - 前記エッチングは、面方位依存性の異方性エッチングである、
ことを特徴とする請求項２または４に記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002222311A JP2004061992A (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002222311A JP2004061992A (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 光導波路の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140054383A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-05-08 | 인텔 코포레이션 | 평면 포토닉스 회로를 위한 수직형 광 커플러 |
-
2002
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140054383A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-05-08 | 인텔 코포레이션 | 평면 포토닉스 회로를 위한 수직형 광 커플러 |
| KR101691854B1 (ko) | 2011-09-29 | 2017-01-02 | 인텔 코포레이션 | 평면 포토닉스 회로를 위한 수직형 광 커플러 |
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