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JP2003533030A - ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法 - Google Patents

ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法

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JP2003533030A
JP2003533030A JP2001581353A JP2001581353A JP2003533030A JP 2003533030 A JP2003533030 A JP 2003533030A JP 2001581353 A JP2001581353 A JP 2001581353A JP 2001581353 A JP2001581353 A JP 2001581353A JP 2003533030 A JP2003533030 A JP 2003533030A
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emitting diode
epitaxy
light
chip
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ハーン ベルトルト
ヘールレ フォルカー
ルーガウアー ハンス−ユルゲン
ムントブロート−ヴァンゲロフ マンフレート
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Priority claimed from DE10026255A external-priority patent/DE10026255A1/de
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Abstract

(57)【要約】 基板（２）から離反した、エピタクシー連続層（３）のｐ側に本質的に全面で結合能力を有する反射性ｐ型接触層（６）が備えられている、導電性で放射線透過性の基板を有する発光ダイオードチップ。基板（２）は、エピタクシー連続層（３）から離反した主要面（１０）に接触金属化部（７）を備えており、この接触金属化部は、前記の主要面（１０）の一部分だけを覆い、チップ（１）からの光減結合は、基板（２）の主要面（１０）の自由領域上およびチップフランジ（１４）上で生じる。他の発光ダイオードチップは、専らエピタクシー層を有している。ｎ型伝導エピタクシー層（４）から離反した、ｐ型伝導エピタクシー層（５）の主要面（９）上には、本質的に全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層（６）が備えられており、ｐ型伝導エピタクシー層（５）から離反した、ｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面（８）上には、ｎ型接触層（７）が備えられており、この場合このｎ型接触層は、前記主要面の一部分だけを覆う。チップ（１）からの光減結合は、ｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面（８）の自由領域上およびチップフランジ（１４）上に生じる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、請求項１または４記載の上位概念による発光ダイオードチップなら
らびにＧａＮをベースとする発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造
素子の製造法に関する。
【０００２】 ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップを製造する場合には、別の材料系
からなる従来の発光ダイオードチップの場合に通常使用される、できるだけ高い
放射線減結合の達成のためにチップ前面の破断部分だけを覆う前面接点がチップ
の側方の全横断面に亘って電流の拡大を達成させるために、ｐ型にドープされた
層、殊にｐ型にドープされたＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層の最大で達成しうる導
電性が十分ではないという基本的な問題が存在する。
【０００３】 ｐ型伝導層が導電性基板上で成長すること、即ち、それによってｐ型伝導層の
側方での全横断面に亘って電流の印加が可能になるであろうことは、経済的に支
持しうる結果を生じない。そのための理由は、ＧａＮをベースとした層の成長の
ために格子に適合した導電性基板（例えば、ＧａＮ基板）の製造が高い工業的費
用と結び付いており、ドープされていないＧａＮ化合物およびｎ型にドープされ
たＧａＮ化合物に適した、格子に適合していない基板の成長が発光ダイオードに
十分な結晶品質を生じないことにある。
【０００４】 記載された問題を排除するための公知の試みの場合には、基板から離反した、
ｐ型伝導層の側に全面に、結合接点を備えている、放射線に対して透過性の接触
層または電流の拡大のための付加的な良好の導電性層が施こされている。
【０００５】 しかし、最初に記載された提案は、放射線の著量が接触層中で吸収されるとい
う欠点と関連している。第２に記載された提案の場合、完成費用を増加させる付
加的な処理工程が必要とされる。
【０００６】 特開平１０−１５０２２０号公報の要約書には、発光する半導体構造素子が開
示されており、この場合ｎ型のＧａＮ半導体層、発光層およびｐ型のＧａＮ半導
体層が連続してｎ型のＧａＮ基板上に施こされている。ｐ型のＧａＮ半導体層の
表面上には、このＧａＮ半導体層を本質的に完全に覆うｐ型電極が配置されてい
る。
【０００７】 この課題は、最初に、付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流
拡大を伴う冒頭に記載された種類の発光ダイオードチップを開発することにある
。更に、この種のチップを有する発光ダイオード構造素子の製造も提供されるは
ずである。
【０００８】 最初に記載された課題は、請求項１または請求項４の特徴を有する発光ダイオ
ードチップを用いて解決される。好ましい他の実施形式は、従属請求項に記載の
対象である。本発明による発光ダイオードチップを製造するための好ましい方法
は、請求項９から１４までのいずれか１項に記載の対象である。１つの好ましい
発光ダイオード構造素子は、請求項１５に記載の対象である。
【０００９】 本発明による発光ダイオードチップの場合、基板は、導電性である。基板上に
は、最初にエピタクシー連続層のｎ型伝導層が施こされている。このｎ型伝導層
上には、エピタクシー連続層のｐ型伝導層が存在し、側方に全面で施こされてい
る、結合能力を有する反射性ｐ型接触層がこれに続く。基板は、エピタクシー連
続層から離反した主要面に接触金属化部を備えており、この接触金属化部は、前
記主要面の一部分だけを覆う。チップからの光減結合は、基板の主要面の自由領
域およびチップフランジに亘って生じる。
【００１０】 この場合、基板は、好ましくはチップ中で発生される放射線の減結合を改善す
る窓層として使用される。基板の厚さを最適化するために、この基板は、好まし
くはエピタクシー連続層の成長後に、例えば研磨および／またはエッチングによ
り薄くされている。
【００１１】 更に、本発明による発光ダイオードチップの場合、このチップは、専らエピタ
クシー層を有する。そのために、成長基板は、エピタクシー連続層のエピタクシ
ャル成長の後に取り除かれる。ｐ型伝導エピタクシー層は、ｎ型伝導エピタクシ
ー層から離反した主要面上に本質的に全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層
を備えている。ｐ型伝導エピタクシー層から離反した、ｎ型伝導エピタクシー層
の主要面上には、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層が存在する。チップ
からの光減結合は、ｎ型伝導エピタクシー層の主要面の自由領域上およびチップ
フランジ上で生じる。
【００１２】 この場合、成長基板は、電気絶縁されていてもよいし、放射線不透過性であっ
てもよく、したがって好ましくは、専ら最適な成長条件に関連して選択されるこ
とができる。
【００１３】 この種の所謂薄膜ＬＥＤチップの特別な利点は、殊に屈折率の突発的な上昇を
有する減少された数の界面に基づいて、チップ中で放射線吸収が減少されること
、理想的には放射線吸収がなくなることおよびチップからの放射線の減結合が改
善されることにある。
【００１４】 本発明による２つの発光ダイオードチップを用いた場合には、損失熱を発生さ
せる、チップの領域（殊に、ｐ型にドープされた層およびｐｎ接合部）を熱ドレ
インに極めて隣接してもたらす可能性が存在するという特殊な利点と関連し；エ
ピタクシー連続層は、実際に直接熱ドレインに熱結合可能である。それによって
、チップは、極めて効果的に冷却されることができ、それによって放出された放
射線の安定性は、高められている。また、同様に、チップの作用度も高められて
いる。
【００１５】 本発明による２つの発光ダイオードチップの場合には、全面での接触のために
好ましくは順電流電圧は減少されている。
【００１６】 本発明による発光ダイオードチップの場合、ｐ型接触層は、ｐ側に施こされた
透明な第１の層およびこの第１の層上に施こされた左右対称の第２の層を有して
いる。それによって、接触層は、簡単な方法で電気的性質ならびに反射特性に関
連して最適化されることができる。
【００１７】 第１の層および第２の層のための好ましい材料は、Ｐｔおよび／またはＰｄま
たはＡｇ、Ａｕおよび／またはＡｌである。しかし、左右対称の層は、誘電体ミ
ラーとして構成されていてもよい。
【００１８】 更に、別の好ましい実施形式の場合、ｐ型接触層は、ＰｔＡｇ合金および／ま
たはＰｄＡｇ合金を有している。
【００１９】 更に、好ましい実施形式において、連続層によって形成された半導体の全自由
表面またはその部分領域は、粗面化されている。この粗面化によって、減結合面
での全反射は破壊され、それによって有利に光減結合度は、さらに高められる。
【００２０】 本発明による発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造素子を製造す
るための本発明による方法の場合には、チップは、ｐ側で電気接続部分、殊に電
気的導体フレームのチップ取付け面上に取り付けられる。
【００２１】 更に、本発明の特に好ましい実施形式において、製造法は、連続層によって形
成された半導体の粗面化によって継続され、この場合には、半導体の全自由面ま
たはその部分領域は、粗面化される。光収量の上昇に関連して特に効果的な粗面
化は、半導体のエッチングによってかまたはサンドブラスト法により得られる。
【００２２】 更に、本発明の好ましい実施形式は、以下に、図１ａ〜５に関連して記載され
た実施例から明らかになる。
【００２３】 異なる実施例の図において、同じかまたは同じ作用を有する構成成分は、それ
ぞれ同一かまたは類似した参照符号を有する。
【００２４】 図１ａの発光ダイオードチップ１の場合、ＳｉＣ基板２上には、放射線放出エ
ピタクシー連続層３が取り付けられている。この放射線放出エピタクシー連続層
は、例えばｎ型伝導性のドープされたＧａＮエピタクシー層またはＡｌＧａＮエ
ピタクシー層４およびｐ型伝導性のドープされたＧａＮエピタクシー層またはＡ
ｌＧａＮエピタクシー層５を有している。同様に、例えばＩｎＧａＮまたはＩｎ
ＧａＡｌＮからなる１つまたは多数のドープされていない層１９を有する二重ヘ
テロ構造、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有
する、ＧａＮをベースとするエピタクシー連続層３が設けられていてもよい。
【００２５】 ＳｉＣ基板２は、導電性であり、エピタクシー連続層３から放出される放射線
に対して透過性である。
【００２６】 ＳｉＣ基板２から離反したｐ側９で、エピタクシー連続層３上には、本質的に
全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層６が施こされている。このｐ型接触層
は、例えば本質的にＡｇ、ＰｔＡｇ合金および／またはＰｄＡｇ合金からなる。
【００２７】 しかし、ｐ型接触層６は、図１ｂの記載と同様に、放射線透過性の第１の層１
５および左右対称の第２の層１６から構成されていてもよい。第１の層１５は、
例えば本質的にＰｔおよび／またはＰＤからなり、第２の層１６は、例えば本質
的にＡｇ、Ａｕおよび／またはＡｌまたは誘電体ミラー層からなる。
【００２８】 エピタクシー連続層３から離反した主要面１０で、ＳｉＣ基板２には、接触金
属部７が設けられており、この接触金属部は、前記主要面１０の一部分だけを覆
い、線材を結合するための結合パッドとして構成されている。
【００２９】 接触金属化部７は、例えばＳｉＣ基板２上に施こされたＮｉ層、引続きＡｕ層
からなる。
【００３０】 チップ１は、接着によりｐ側、即ちｐ型接触層６で電気接続フレーム１１（導
体フレーム）のチップ取付け面１２上に取り付けられている。ｎ型接触金属化部
７は、接続線１７により接続フレーム１１の接続部分１８と結合されている。
【００３１】 チップ１からの光減結合は、ＳｉＣ基板２の主要面１０の自由領域上およびチ
ップフランジ１４上で生じる。
【００３２】 場合によっては、チップ１は、エピタクシー連続層３の成長後に薄くされたＳ
ｉＣ基板２を有している（これは、図１ａにおいて点線で示されている）。
【００３３】 図２に示された実施例は、図１ａと、一面で、チップ１が専らエピタクシー連
続層３のエピタクシー層を有しかつ基板層を有しない点で区別されている。この
基板層は、エピタクシー層の成長後に、例えばエッチングおよび／または研磨に
より除去される。この種の所謂薄膜ＬＥＤチップの利点については、本明細書の
詳細な説明中に指摘されている。他面、エピタクシー連続層３は、例えばＩｎＧ
ａＮまたはＩｎＧａＡｌＮからなる１つまたは多数のドープされていない層１９
を有する二重ヘテロ構造、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）構造を有する。この場合には、例示的にＬＥＤケーシング２１が略示され
ている。
【００３４】 図３ａ〜３ｃに略示された、図１ａによる発光ダイオードチップ１を有する発
光ダイオード構造素子を製造するための処理過程の場合、最初に、放射線放出エ
ピタクシー連続層３がＳｉＣ基板２上に成長する（図３ａ）。次に、エピタクシ
ー連続層３のｐ側には、全面に結合能力を有するｐ型接触層６が施こされ、エピ
タクシー連続層３から離反した、基板２の主要面１０の部分領域上には、ｎ型接
触層７が施こされる（図３ｂ）。この処理工程は、全て所謂、ウェーハ複合体中
で行なわれ、それによって多数のチップが同時に並列的に製造可能である。
【００３５】 上記の処理工程後、ウェーハ複合体は、個々のチップ１に分離される。引続き
、個々のチップは、ロウ付けによりそれぞれ結合能力を有するｐ型接触層６と一
緒に電気導体フレーム１１のチップ取付け面１２上に取り付けられる（図３ｃ）
。
【００３６】 図４ａ〜４ｅに略示された、図２による発光ダイオードチップ１を有する発光
ダイオード構造素子を製造するための方法は、図３ａ〜３ｃの場合と、本質的に
エピタクシー連続層３の成長後およびｐ型接触層６の施与前または施与後に基板
２が取り除かれることによって区別される（図４ｃ）。この場合、基板２は、電
気絶縁性であってもよいし、放射線不透過性であってもよく、したがって好まし
くは最適な成長条件に関連して設計されることができる。
【００３７】 基板２の除去後、エピタクシー連続層３のｎ側１３には、ｎ型接触金属化部７
が施こされ（図４ｄ）、その後に上記と同様に図３ｃに関連して既に記載された
取付け工程が行なわれる（図４ｅ）。
【００３８】 図５に示された実施例は、スタック形に配置された、多数の異なる半導体層１
０１を有し、この半導体層は、ＧａＮまたはこれをベースとする３級化合物また
は４級化合物からなる。運転において、前記層の内部で活性帯域１０２が形成さ
れ、この活性帯域内で放射線１０５が発生される。
【００３９】 層スタックは、第１の主要面１０３および第２の主要面１０４によって制限さ
れている。本質的に、発生された放射線１０５は、第１の主要面１０３によって
制限された環境内で減結合される。
【００４０】 第２の主要面１０４上には、上記の記載と同様に、結合能力を有する反射性ｐ
型接触層１０６が施こされている。半導体は、減結合側で接触面１１２上に接触
し、リフレクター側でｐ型接触層１０６上に接触する。リフレクター側の接触は
、例えば半導体がリフレクター側で金属体上に載置されていることによって行な
うことができ、この場合この金属体は、キャリヤーならびに電流供給体として使
用される。
【００４１】 リフレクター１０６は、第１の主要面１０３での減結合の際に半導体中に再反
射される放射線１０５の一部分が再び第１の主要面１０３の方向に反射され、し
たがって全体的に第１の主要面１０３によって減結合される放射線量が上昇され
ることを生じる。この上昇は、構造素子が薄膜構造素子として放射線吸収性の基
板なしに形成されておりかつリフレクター１０６が直接にＧａＮ半導体上に施こ
されていることによって可能になる。
【００４２】 この場合、半導体の表面は、粗面１０７を有している。この粗面１０７は、第
１の主面１０３で放射線１０５の散乱を生じさせ、したがって第１の主要面１０
３での全反射は妨害される。この散乱は、発生された放射線が２つの主要面１０
３と１０４の間または主要面１０３とリフレクター１０６との間で連続する同種
の反射によって光導体の種類に応じて、半導体を去ることなく導かれることを十
分に阻止する。
【００４３】 上記の実施例についての本発明の詳説は、勿論、これに制限されることとして
理解されるべきではない。むしろ、本発明は、殊に全ての発光ダイオードチップ
の場合に利用可能であり、この場合には、成長基板から離れて存在するエピタク
シー層は、不十分な導電性を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】 第１の実施例による発光ダイオードチップの断面を示す略図。
【図１ｂ】 好ましいｐ型接触層を示す略図。
【図２】 第２の実施例による発光ダイオードチップの断面を示す略図。
【図３ａ】 図１ａの第１の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第１の処
理経過を示す略図。
【図３ｂ】 図１ａの第１の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第２の処
理経過を示す略図。
【図３ｃ】 図１ａの第１の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第３の処
理経過を示す略図。
【図４ａ】 図２の第２の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第１の処理
経過を示す略図。
【図４ｂ】 図２の第２の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第２の処理
経過を示す略図。
【図４ｃ】 図２の第２の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第３の処理
経過を示す略図。
【図４ｄ】 図２の第２の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第４の処理
経過を示す略図。
【図４ｅ】 図２の第２の実施例による発光ダイオードチップを製造するための第５の処理
経過を示す略図。
【図５】 本発明による発光ダイオードチップのもう１つの実施例を示す略示断面図。
【符号の説明】
１ 発光ダイオードチップ、 ２ ＳｉＣ基板、 ３ 放射線放出エピタクシー連続層、 ４ ｎ型伝導エピタクシー層、 ５ ｐ型伝導エピタクシー層、 ６ 全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層、 ７ ｎ型接触層、 ８ ｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面、 ９ ＳｉＣ基板２から離反したｐ側、 １０ エピタクシー連続層（３）から離反した主要面、 １１ ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレーム、 １２ ＬＥＤケーシングのチップ取付け面、 １３ エピタクシー連続層（３）のｎ側、 １４ チップフランジ、 １５ 放射線透過性の第１の層、 １６ 左右対称の第２の層、 １７ 接続線、 １８ 接続フレーム（１１）の接続部分、 １９ ドープされていない層、 ２１ ＬＥＤケーシング、 １０１ 半導体層、 １０２ 活性帯域、 １０３ 第１の主要面、 １０４ 第２の主要面、 １０５ 放射線、 １０６ 結合能力を有する反射性ｐ型接触層、 １１２ 接触面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＣＡ，Ｃ Ｎ，ＪＰ，ＫＲ，ＵＳ (72)発明者 ベルトルト ハーン ドイツ連邦共和国 ヘマウ アム プファ ネンシュティール ２ (72)発明者 フォルカー ヘールレ ドイツ連邦共和国 ラーバー アイヒェン シュトラーセ 35 (72)発明者 ハンス−ユルゲン ルーガウアー ドイツ連邦共和国 ヴェンツェンバッハ タンネンヴェーク 14 (72)発明者 マンフレート ムントブロート−ヴァンゲ ロフ ドイツ連邦共和国 ギュンツブルク ヨー ゼフ−ハース−シュトラーセ １ Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA04 CA40 CA46 CA92 CB15 DA02 DA07 【要約の続き】 チップフランジ（１４）上に生じる。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ｎ型伝導エピタクシー層（４）およびＧａＮを基礎とするｐ
    型伝導エピタクシー層（５）を有する放射線放出エピタクシー連続層（３）がｎ
    型伝導側（８）で導電性の基板（２）上に施こされており、基板（２）がエピタ
    クシー連続層（３）から放出される放射線に対して透過性であり、基板（２）か
    ら離反したエピタクシー連続層（３）のｐ側には、本質的に全面で結合能力を有
    する反射性ｐ型接触層（６）が備えられており、エピタクシー連続層（３）から
    離反した基板（２）の主要面（１０）には、接触金属化部（７）が備えられてお
    り、この接触金属化部が前記主要面（１０）の一部分だけを覆い、チップ（１）
    からの光減結合が基板（２）の主要面（１０）の自由領域上およびチップフラン
    ジ（１４）上で生じる発光ダイオードチップ（１）において、ｐ型接触層（６）
    がｐ側（９）に施こされた透明な第１の層（１５）およびこの第１の層上に施こ
    された左右対称の第２の層（１６）を有していることを特徴とする、発光ダイオ
    ードチップ（１）。
  2. 【請求項２】 エピタクシー連続層（３）の施与後に薄くされた基板（２）
    が設けられている、請求項１記載の発光ダイオードチップ（１）。
  3. 【請求項３】 導電性の基板（２）として炭化ケイ素基板が設けられている
    、請求項１または２記載の発光ダイオードチップ（１）。
  4. 【請求項４】 ｎ型伝導エピタクシー層およびｐ型伝導エピタクシー層を有
    する、ＧａＮをベースとする放射線放出エピタクシー連続層（３）を有する発光
    ダイオードチップ（１）において、チップ（１）が成長基板の除去によりエピタ
    クシー連続層（３）のエピタクシャル成長の後に専らエピタクシー層を有し、ｐ
    型伝導エピタクシー層（５）がｎ型伝導エピタクシー層（４）から離反した主要
    面（９）上に本質的に全面に結合能力を有する反射性ｐ型接触層（６）を備えて
    おり、ｎ型伝導エピタクシー層（４）がｐ型伝導エピタクシー層（５）から離反
    した主要面（８）上に、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層（７）を備え
    ており、チップ（１）からの光減結合がｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面
    （８）の自由領域上およびチップフランジ（１４）上に生じていることを特徴と
    する、発光ダイオードチップ（１）。
  5. 【請求項５】 ｐ型接触層（６）がｐ側（９）に施こされた透明な第１の層
    （１５）およびこの第１の層上に施こされた左右対称の第２の層（１６）を有し
    ている、請求項４記載の発光ダイオードチップ。
  6. 【請求項６】 第１の層（１５）が本質的にＰｔおよび／またはＰｄを有し
    、第２の層（１６）がＡｇ、Ａｕおよび／またはＡｌを有するかまたは誘電体ミ
    ラーとしてとして形成されている、請求項１、２、４または５のいずれか１項に
    記載の発光ダイオードチップ。
  7. 【請求項７】 ｐ型接触層（６）がＰｔＡｇ合金および／またはＰｄＡｇ合
    金を有している、請求項４記載の発光ダイオードチップ。
  8. 【請求項８】 連続層（３、１０１）の全自由表面またはその部分領域が粗
    面化されている、請求項１から７までのいずれか１項に記載の発光ダイオードチ
    ップ。
  9. 【請求項９】 ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップ（１）を有する
    発光ダイオード構造素子の製造法において、方法の工程： ａ）放射線放出エピタクシー連続層（３）を、エピタクシー連続層（３）から放
    出される放射線に対して透過性である基板（２）上に、エピタクシー連続層（３
    ）のｎ型伝導側（８）が基板（２）に対向しかつエピタクシー連続層（３）のｐ
    側（９）が基板（２）から離反しているようにエピタクシャル成長させる工程、 ｂ）ｐ側（９）への透明な第１の層（１５）の施与および第１の層（１５）上へ
    の左右対称の第２の層（１６）の施与によって、結合能力を有するｐ型接触層（
    ６）をエピタクシー連続層（３）のｐ側（９）に全面に施こす工程、 ｃ）ｎ型接触層（７）をエピタクシー連続層（３）から離反した、基板（２）の
    主要面（１０）の部分的領域上に施こす工程、 ｄ）チップ（１）をＬＥＤケーシングのチップ取付け面（１２）、ＬＥＤケーシ
    ング内の導体路または電気接続フレーム（１１）の上にチップ取付け面に向かっ
    て結合能力を有するｐ型接触層（６）と一緒に施こす工程を有することを特徴と
    する、発光ダイオードチップ（１）を有する発光ダイオード構造素子の製造法。
  10. 【請求項１０】 ｎ型接触層（７）の施与前に基板（２）を薄くさせる、請
    求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップ（１）を有す
    る発光ダイオード構造素子の製造法において、方法の工程： ａ）放射線放出エピタクシー連続層（３）を基板（２）上に、エピタクシー連続
    層（３）のｎ側（８）が基板（２）に対向しかつエピタクシー連続層（３）のｐ
    側（９）が基板（２）から離反しているようにエピタクシャル成長させる工程、 ｂ）ｐ側（９）への透明な第１の層（１５）の施与および第１の層（１５）上へ
    の左右対称の第２の層（１６）の施与によって、結合能力を有するｐ型接触層（
    ６）をエピタクシー連続層（３）のｐ側（９）に全面に施こす工程、 ｃ）基板（２）をエピタクシー連続層（３）から取り除く工程、 ｄ）ｎ型接触層（７）を工程ｃ）で露出した、エピタクシー連続層（３）の主要
    面（１３）の部分領域に施こす工程、 ｅ）チップ（１）をＬＥＤケーシングのチップ取付け面（１２）、ＬＥＤケーシ
    ング内の導体路または電気接続フレーム（１１）の上にチップ取付け面（１２）
    に向かって結合能力を有するｐ型接触層（６）と一緒に施こす工程を有すること
    を特徴とする、発光ダイオードチップ（１）を有する発光ダイオード構造素子の
    製造法。
  12. 【請求項１２】 連続層（３、１０１）を全体的にかまたは部分領域内で粗
    面化する、請求項９から１１までのいずれか１項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 連続層（３、１０１）をエッチングによって粗面化する、
    請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 連続層（３、１０１）をサンドブラスト法によって粗面化
    する、請求項１２記載の方法。
  15. 【請求項１５】 チップ（１）がＬＥＤケーシング（２１）のチップ取付け
    面（１２）上、殊に導体フレーム（１１）上またはＬＥＤケーシングの導体路上
    に取り付けられている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光ダイオ
    ードチップを有する発光ダイオード構造素子において、反射性接触金属化部（６
    ）がチップ取付け面（１２）上に載置されていることを特徴とする、請求項１か
    ら８までのいずれか１項に記載の発光ダイオードチップを有する発光ダイオード
    構造素子。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007507895A (ja) * 2003-09-30 2007-03-29 クリー　インコーポレイテッド 多孔質ＳｉＣ基板を有する発光ダイオードおよび製造方法
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
CN111063771A (zh) * 2020-01-06 2020-04-24 江西圆融光电科技有限公司 Led芯片的制备方法及led芯片

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10019665A1 (de) * 2000-04-19 2001-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US6878563B2 (en) * 2000-04-26 2005-04-12 Osram Gmbh Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
JP2003533030A (ja) * 2000-04-26 2003-11-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法
TWI289944B (en) * 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
JP4233268B2 (ja) * 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10234977A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
TW200505042A (en) * 2003-07-17 2005-02-01 South Epitaxy Corp LED device
US7456035B2 (en) * 2003-07-29 2008-11-25 Lumination Llc Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates
TWI228272B (en) 2003-09-19 2005-02-21 Tinggi Technologies Pte Ltd Fabrication of semiconductor devices
US8604497B2 (en) * 2003-09-26 2013-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting thin-film semiconductor chip
JP4868709B2 (ja) * 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
JP2007535804A (ja) * 2004-03-15 2007-12-06 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
JP2007533133A (ja) 2004-04-07 2007-11-15 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体発光ダイオード上での反射層の作製
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE102004045947A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101158601B1 (ko) * 2004-07-30 2012-06-22 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 박막기술을 사용하여 반도체 칩을 제조하는 방법 및박막기술을 사용하여 제조된 반도체 칩
US8728937B2 (en) * 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
US20060054919A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-16 Kyocera Corporation Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same
JP5038147B2 (ja) * 2004-11-18 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体、及び前記発光体を製造する方法
KR101166922B1 (ko) * 2005-05-27 2012-07-19 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
CN100372137C (zh) * 2005-05-27 2008-02-27 晶能光电（江西）有限公司 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
KR101154744B1 (ko) * 2005-08-01 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US7875474B2 (en) 2005-09-06 2011-01-25 Show A Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
DE102005047168A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
SG131803A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
SG133432A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
CN101385145B (zh) * 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
DE102007057756B4 (de) * 2007-11-30 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
KR20100122485A (ko) * 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP2010147446A (ja) 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
DE112010003700T5 (de) * 2009-09-18 2013-02-28 Soraa, Inc. Power-leuchtdiode und verfahren mit stromdichtebetrieb
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
JP2010050487A (ja) * 2009-11-24 2010-03-04 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子
KR20110113822A (ko) 2010-04-12 2011-10-19 서울옵토디바이스주식회사 결정 성장용 기판 어셈블리 및 이를 이용한 발광소자의 제조방법
US8236584B1 (en) * 2011-02-11 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding
DE102011016308A1 (de) 2011-04-07 2012-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
US8811719B2 (en) 2011-04-29 2014-08-19 Microsoft Corporation Inferring spatial object descriptions from spatial gestures
US9818912B2 (en) 2011-12-12 2017-11-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
US9184346B2 (en) 2011-12-12 2015-11-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
US10186458B2 (en) 2012-07-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Component and method of manufacturing a component using an ultrathin carrier
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US9287449B2 (en) 2013-01-09 2016-03-15 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US10276749B2 (en) 2013-01-09 2019-04-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US9768357B2 (en) 2013-01-09 2017-09-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150220A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2716143A1 (de) * 1977-04-12 1978-10-19 Siemens Ag Lichtemittierendes halbleiterbauelement
FR2423869A1 (fr) 1978-04-21 1979-11-16 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur electroluminescent a recyclage de photons
US4232440A (en) 1979-02-27 1980-11-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Contact structure for light emitting device
DE3041358A1 (de) 1980-11-03 1982-06-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtreflektirender ohmscher kontakt fuer bauelemente
US4448636A (en) * 1982-06-02 1984-05-15 Texas Instruments Incorporated Laser assisted lift-off
JPH0810670B2 (ja) 1987-03-12 1996-01-31 住友電気工業株式会社 薄膜単結晶シリコン基板
US5373171A (en) 1987-03-12 1994-12-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Thin film single crystal substrate
US4982538A (en) * 1987-08-07 1991-01-08 Horstketter Eugene A Concrete panels, concrete decks, parts thereof, and apparatus and methods for their fabrication and use
JPH067594B2 (ja) 1987-11-20 1994-01-26 富士通株式会社 半導体基板の製造方法
JPH0645651B2 (ja) 1988-02-23 1994-06-15 大阪有機化学工業株式会社 高膨張型吸水性ポリマーの製造方法
US4912532A (en) 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
JPH0832116B2 (ja) 1989-05-17 1996-03-27 株式会社熊谷組 構内拡声放送装置
JP2953468B2 (ja) 1989-06-21 1999-09-27 三菱化学株式会社 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法
DE4038216A1 (de) 1990-01-20 1991-07-25 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zur herstellung von leuchtdioden
US5362667A (en) 1992-07-28 1994-11-08 Harris Corporation Bonded wafer processing
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JPH04132274A (ja) 1990-09-21 1992-05-06 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオード
US5102821A (en) 1990-12-20 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated SOI/semiconductor heterostructure fabrication by wafer bonding of polysilicon to titanium
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
DE4305296C3 (de) 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5965698A (en) * 1993-04-23 1999-10-12 Virginia Commonwealth University Polypeptides that include conformation-constraining groups which flank a protein--protein interaction site
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5385632A (en) * 1993-06-25 1995-01-31 At&T Laboratories Method for manufacturing integrated semiconductor devices
US5753134A (en) 1994-01-04 1998-05-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a layer with reduced mechanical stresses
JP3344056B2 (ja) * 1994-02-08 2002-11-11 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP3293996B2 (ja) * 1994-03-15 2002-06-17 株式会社東芝 半導体装置
JP2669368B2 (ja) 1994-03-16 1997-10-27 日本電気株式会社 Ｓｉ基板上化合物半導体積層構造の製造方法
JP3717196B2 (ja) 1994-07-19 2005-11-16 豊田合成株式会社 発光素子
JP3974667B2 (ja) 1994-08-22 2007-09-12 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
JP3561536B2 (ja) * 1994-08-23 2004-09-02 三洋電機株式会社 半導体発光素子
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5661074A (en) 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
JPH08250687A (ja) 1995-03-08 1996-09-27 Komatsu Electron Metals Co Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法およびｓｏｉ基板
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JPH08307001A (ja) 1995-04-28 1996-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH08322116A (ja) 1995-05-25 1996-12-03 Nissin Electric Co Ltd 柱上ガス開閉器
US5625202A (en) 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
JP3182346B2 (ja) 1995-08-31 2001-07-03 株式会社東芝 青色発光素子及びその製造方法
JP3905935B2 (ja) 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP3409958B2 (ja) 1995-12-15 2003-05-26 株式会社東芝 半導体発光素子
US5917202A (en) 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
WO1997026680A1 (en) 1996-01-19 1997-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound semiconductor
US5874747A (en) 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
US5817356A (en) 1996-05-13 1998-10-06 Nestec S.A. Preparation of pastas
JP3164016B2 (ja) 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
WO1997048138A2 (en) 1996-06-11 1997-12-18 Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JP3179346B2 (ja) 1996-08-27 2001-06-25 松下電子工業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH10209494A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US5880491A (en) 1997-01-31 1999-03-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force SiC/111-V-nitride heterostructures on SiC/SiO2 /Si for optoelectronic devices
JPH10223496A (ja) 1997-02-12 1998-08-21 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk 単結晶ウエハおよびその製造方法
JP3679914B2 (ja) * 1997-02-12 2005-08-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
TW353202B (en) 1997-02-28 1999-02-21 Hewlett Packard Co Scribe and break of hard-to-scribe materials
US6069394A (en) 1997-04-09 2000-05-30 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3792041B2 (ja) 1997-04-09 2006-06-28 松下電器産業株式会社 半導体素子及びその製造方法
DE19820777C2 (de) * 1997-05-08 2003-06-18 Showa Denko Kk Elektrode für lichtemittierende Halbleitervorrichtungen
US5955756A (en) 1997-05-29 1999-09-21 International Business Machines Corporation Trench separator for self-defining discontinuous film
US6150239A (en) 1997-05-31 2000-11-21 Max Planck Society Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate
US5877070A (en) 1997-05-31 1999-03-02 Max-Planck Society Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate
JP4119501B2 (ja) * 1997-07-10 2008-07-16 ローム株式会社 半導体発光素子
JPH11154774A (ja) 1997-08-05 1999-06-08 Canon Inc 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
JP3914615B2 (ja) * 1997-08-19 2007-05-16 住友電気工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3457516B2 (ja) 1997-08-27 2003-10-20 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体素子
TW393785B (en) 1997-09-19 2000-06-11 Siemens Ag Method to produce many semiconductor-bodies
DE19741442A1 (de) 1997-09-19 1999-04-01 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE19838810B4 (de) 1998-08-26 2006-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Ga(In,Al)N-Leuchtdiodenchips
EP0905797B1 (de) 1997-09-29 2010-02-10 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH11145515A (ja) 1997-11-10 1999-05-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP3631359B2 (ja) * 1997-11-14 2005-03-23 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JPH11220168A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
JPH11220171A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JPH11251634A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ素子
JPH11284228A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体素子
US6347101B1 (en) 1998-04-16 2002-02-12 3D Systems, Inc. Laser with absorption optimized pumping of a gain medium
US6936859B1 (en) 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
DE19921987B4 (de) * 1998-05-13 2007-05-16 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
TW369731B (en) 1998-05-29 1999-09-11 Visual Photonics Epitaxy Co Ltd Light-emitting diode (LED) with transparent glass or quartz as permanent substrate and process for the same
JP2000077713A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
US6291839B1 (en) 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
JP3201475B2 (ja) 1998-09-14 2001-08-20 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US6329063B2 (en) 1998-12-11 2001-12-11 Nova Crystals, Inc. Method for producing high quality heteroepitaxial growth using stress engineering and innovative substrates
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6744800B1 (en) 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6328796B1 (en) 1999-02-01 2001-12-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Single-crystal material on non-single-crystalline substrate
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
DE69900096T2 (de) 1999-02-11 2001-08-09 Avalon Photonics Ltd., Zuerich Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren
US6222207B1 (en) 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
JP3675234B2 (ja) 1999-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2001053336A (ja) 1999-08-05 2001-02-23 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6992334B1 (en) 1999-12-22 2006-01-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6355497B1 (en) * 2000-01-18 2002-03-12 Xerox Corporation Removable large area, low defect density films for led and laser diode growth
DE10008583A1 (de) 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
JP4060511B2 (ja) 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
TW441859U (en) 2000-04-12 2001-06-16 Uni Light Technology Inc Flip-chip light emitting diode device
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
JP2003533030A (ja) * 2000-04-26 2003-11-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法
US6878563B2 (en) 2000-04-26 2005-04-12 Osram Gmbh Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same
TWI289944B (en) 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6518079B2 (en) 2000-12-20 2003-02-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Separation method for gallium nitride devices on lattice-mismatched substrates
US6446571B1 (en) 2001-01-25 2002-09-10 Printmark Industries, Inc. Light reflecting warning kit for vehicles
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
US6562701B2 (en) 2001-03-23 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
EP1377222B1 (en) * 2001-04-03 2011-10-19 Tyco Healthcare Group LP Surgical stapling device
US6861130B2 (en) 2001-11-02 2005-03-01 General Electric Company Sintered polycrystalline gallium nitride and its production
US6881261B2 (en) 2001-11-13 2005-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
US6617261B2 (en) 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6869820B2 (en) 2002-01-30 2005-03-22 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
JP4217093B2 (ja) 2003-03-27 2009-01-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150220A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
JP2007507895A (ja) * 2003-09-30 2007-03-29 クリー　インコーポレイテッド 多孔質ＳｉＣ基板を有する発光ダイオードおよび製造方法
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
US8390022B2 (en) 2006-04-24 2013-03-05 Cree, Inc. Side view surface mount LED
US8487337B2 (en) 2006-04-24 2013-07-16 Cree, Inc. Side view surface mount LED
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
CN111063771A (zh) * 2020-01-06 2020-04-24 江西圆融光电科技有限公司 Led芯片的制备方法及led芯片

Also Published As

Publication number Publication date
CN1252837C (zh) 2006-04-19
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