JP2003328180A

JP2003328180A - 有底孔のめっき充填方法

Info

Publication number: JP2003328180A
Application number: JP2002142548A
Authority: JP
Inventors: Manabu Tomisaka; 学富坂; Kazuo Kondo; 和夫近藤; Kengun Son; 建軍孫; Kenji Takahashi; 健司高橋; Masataka Hoshino; 雅孝星野; Hitoshi Yonemura; 均米村
Original assignee: Toshiba Corp; Fujitsu Ltd; Denso Corp; Sony Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Fujitsu Ltd; Denso Corp; Sony Corp
Priority date: 2002-05-17
Filing date: 2002-05-17
Publication date: 2003-11-19

Abstract

(57)【要約】【課題】アスペクト比が大きな有底孔であっても、内部
に発生する空洞を減少させることが可能な有底孔のめっ
き充填方法を提供すること。【解決手段】ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏの濃度を１３０（ｇ
／Ｌ）〜１８０（ｇ／Ｌ）、Ｈ_２ＳＯ_４の濃度を１８０
（ｇ／Ｌ）〜２２０（ｇ／Ｌ）、Ｃｌ^-の濃度を１００
（ｍｇ／Ｌ）〜１０００（ｍｇ／Ｌ）、硫黄を含む促進
剤の濃度を０.１（ｍｇ／Ｌ）〜７.５（ｍｇ／Ｌ）、ポ
リマーからなる抑制剤の濃度を４００（ｍｇ／Ｌ）〜２
０００（ｍｇ／Ｌ）としためっき液を使用しつつ、めっ
き電流を直流とし、かつ有底孔２３の開口面積に対する
電流密度を０．１ｍＡ／ｃｍ^２〜３ｍＡ／ｃｍ^２とし
た。これにより、有底ビアホール２３開口部でのＣｕめ
っきの生成を抑制しつつ、有底孔底面及び側面からＣｕ
めっきを堆積させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
に基板貫通電極を形成する際に適用可能な有底孔のめっ
き充填方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板を多層化する場合、積層され
る相互の基板の電気的な接続を確保する必要がある。こ
のため、積層される各半導体基板には、その基板を貫通
する基板貫通電極が形成される。

【０００３】この基板貫通電極をめっき技術を用いて形
成する場合、例えば、図５に示すようにビアホール３の
底部に給電部２を設け、この給電部２を電極として電気
めっきを行なうことが考えられる。このビアホール３の
底部に給電部２を設けた電気めっき方式によれば、開口
径に対して深さが深いビアホール３にもめっきを充填す
ることが可能であると考えられる。

【０００４】しかしながら、この方式では、プロセス
上、主に２つの問題点がある。１つ目の点は、めっき充
填を行なうべきビアホール３を形成する前に２枚の半導
体基板１，４の間に給電層２を形成しておく必要がある
ため、半導体基板の製造プロセスが複雑になってしまう
ことである。また、２つ目の点は、ビアホール３をめっ
き充填した後に、必要な配線ごとに給電層２を切り離
し、電気的に独立させる必要があり、この点からも製造
工程の増加してしまうことである。

【０００５】従って、底部が塞がれた有底ビアホールを
Ｃｕめっきによって充填する技術として、図６に示すよ
うに、ビアホールの底部のみに給電層を形成するのでは
なく、有底ビアホール１３の内壁全面とその有底ビアホ
ール１３が形成された基材１１の表面に給電層１４を形
成してこれを電極として電気めっきを行なうことによ
り、例えばＬＳＩの多層配線基板の直径１μｍ以下の開
口径及び１μｍ程度の深さの有底ビアホールを充填する
技術や、多層配線のプリント回路基板において直径１０
０μm以上の開口径及び深さ３００μｍ以下の有底ビア
ホールを充填する技術がある。これらの技術において
は、めっき液に、銅の析出を促進する促進材や有底孔以
外での銅の析出を抑制する抑制材等の添加剤の添加量を
適宜調節することにより、それぞれの上述した開口径や
深さを有する有底ビアホール１３をＣｕめっきで充填し
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、それらの技術
を用いて、特に開口径（ｄ）に対して深さ（ｗ）が深
い、すなわちアスペクト比（ｗ／ｄ）が従来の有底ビア
ホールよりも大きな有底ビアホールを充填しようとする
と、有底ビアホール１３内部に大きな空洞が残ってしま
う。具体的には、開口径１μｍ以下の有底ビアホール１
３をめっき充填する技術によれば、図７（ａ）に示すよ
うに、めっき生成の促進作用が強いためビアホール１３
の開口部から近い位置に厚くめっきされ、そのめっきさ
れたＣｕでビアホール１３が閉じられてしまい、内部に
空洞１７が残ってしまう。一方、開口径１００μｍ以上
の有底孔をめっき充填する技術では、上述した開口径１
μｍ以下の有底ビアホール１３をめっきする場合に比較
して促進作用が抑えられているので、有底ビアホール１
３の底部及び側面からめっきされていく。しかしなが
ら、図７（ｂ）に示すように、内部が完全に充填される
前に有底ビアホール１３の開口部が閉じてしまい、有底
ビアホール１３の中心付近に開口部から底部にかけて細
長い空洞１８が残ってしまう。

【０００７】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、特にアスペクト比が大きな有底孔であっても、
内部に発生する空洞を減少させることが可能な有底孔の
めっき充填方法を提供することを目的とするものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の有底孔のめっき充填方法は、有底
孔内をＣｕめっきで充填する有底孔のめっき充填方法で
あって、ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ１３０（ｇ／Ｌ）〜１８０（ｇ／Ｌ）Ｈ_２ＳＯ_４１８０（ｇ／Ｌ）〜２２０（ｇ／Ｌ）Ｃｌ^- １００（ｍｇ／Ｌ）〜１０００（ｍｇ／Ｌ）硫黄を含む促進剤０.１（ｍｇ／Ｌ）〜７.５（ｍｇ／Ｌ）ポリマーからなる抑制剤４００（ｍｇ／Ｌ）〜２０００（ｍｇ／Ｌ）を含むめっき液を使用しつつ、めっき電流を直流とし、
かつ有底孔の開口面積に対する電流密度を０．１ｍＡ／
ｃｍ^２〜３ｍＡ／ｃｍ^２としたことを特徴とする。

【０００９】上述した組成のめっき浴を使用することに
より、有底孔開口部近傍でのＣｕめっきの析出を抑制
し、有底孔底面及び側面からＣｕめっきを堆積させるこ
とができる。そして、本発明では、めっき電流を直流と
し、かつ有底孔の開口面積に対する電流密度を０．１〜
３ｍＡ／ｃｍ^２としたため、有底孔内部が充填される前
に開口部に析出したＣｕめっきによって開口部が塞がれ
る事態を回避することができる。

【００１０】すなわち、開口部においては、有底孔内部
よりもめっき電流密度が高くなるため、その内部よりも
先にＣｕめっきが堆積され、その開口部を閉じてしまう
傾向にある。このような問題に対して、本願発明者らが
鋭意研究した結果、めっき電流の電流密度を上述した低
い範囲の値とすることにより、開口部における電流密度
の上昇が抑制でき、有底孔内部において空洞の発生を最
小限にすることができることを突き止めた。ここで、電
流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２よりも小さいと、Ｃｕめっ
きの生成に非常に長い時間を要してしまう。一方、電流
密度が３ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きいと、有底孔内部が充
填される前に、開口部に堆積しためっきにより有底孔が
塞がれて内部に空洞が残ってしまうのである。

【００１１】請求項２に記載したように、窒素を含む添
加剤が０.１（ｍｇ／Ｌ）〜１００（ｍｇ／Ｌ）の濃度
で、めっき浴に添加されることが好ましい。これによ
り、有底孔内においてポリマーからなる抑制剤の抑制効
果が発揮されにくくなり、有底孔内のＣｕめっきの生成
を促進することができる。なお、その窒素を含む添加剤
として、具体的には、請求項３に記載したように、3-(d
iethylamino)-7-((p-(dimethylamino)phenylazo)-5-phe
nylphenazinium chloride)を用いることができる。

【００１２】請求項４に記載したように、有底孔は、そ
の開口部の径（ｗ）が１μｍよりも大きく、かつ開口部
の径（ｗ）に対する有底孔の深さ（ｄ）のアスペクト比
（ｄ／ｗ）が３よりも大きいものである。このように、
開口部の径に対する深さのアスペクト比が大きい場合、
特に有底孔内部に空洞が生じ易いため、本発明によるめ
っき充填方法を用いる意義が大きい。

【００１３】請求項５に記載したように、硫黄を含む促
進剤として、bis（3-sulfopropyl）disulfidesodiumを
用いることができる。

【００１４】請求項６に記載したように、めっき浴のＣ
ｌ⁻の濃度を３００（ｍｇ／Ｌ）〜５００（ｍｇ／Ｌ）
とし、かつbis（3-sulfopropyl）disulfidesodiumの濃
度を２．０〜５．０ｍｇ／Ｌとすると、特に有底孔内の
空洞（ボイド）の大きさを極微小にすることができる、
もしくは完全にＣｕめっきで充填することができるため
好ましい。

【００１５】また、請求項７に記載したように、ポリマ
ーからなる抑制剤として、分子量２０００〜４００００
のポリエチレングリコールを用いることが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１７】図１（ａ）〜（ｄ）は、めっき充填される
べき有底ビアホールが形成された半導体基板に貫通電極
を形成するための各工程を示す工程別断面図である。図
１（ａ）〜（ｄ）に示す貫通電極の形成方法について説
明すると、まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウ
エハ基板２１両面に熱酸化膜２２を約５μｍ形成する。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、熱酸
化膜２２とシリコンウエハ基板２１をエッチングし、有
底ビアホール２３を形成する。このとき、有底ビアホー
ル２３は、例えば、１辺１０μｍの正方形からなる開口
部を有し、そのシリコンウエハ基板２１におけるエッチ
ング深さは例えば７０μｍとされる。

【００１８】その後、図１（ｂ）に示すように、プラズ
マＣＶＤにより、絶縁膜としてＴＥＯＳ膜２４を形成す
る。このとき、例えば基板表面には約１．５μｍのＴＥ
ＯＳ膜２４が形成され、有底ビアホール２３の側壁表面
及び底面にはそれぞれ、０．２μｍ及び０．５μｍのＴ
ＥＯＳ膜２４が形成される。このＴＥＯＳ膜２４上に、
バリアメタルとして１０ｎｍのＴｉＮ層２５とシード層
として１００ｎｍのＣｕシード層２６をＣＶＤにより形
成する。このＣｕシード層２６は、基板２１の表面から
有底ビアホール２３の底面にかけて、有底ビアホール２
３内表面を全て覆うように形成される。

【００１９】このようにして基板２１に有底ビアホール
２３及びその内面にＣｕシード層２６が形成されると、
図２に示すめっき装置を用いて有底ビアホール２３内に
Ｃｕめっき２７が充填される（図１（ｃ）参照）。有底
ビアホール２３内にＣｕめっき２７が充填された後に
は、図１（ｄ）に示すように、基板２１の有底ビアホー
ル２３の開口部が形成された面と反対側の面から基板２
１が機械的に削られ、その厚さが約５０μｍまで薄肉化
される。これにより、基板２１の表裏両面において、ビ
アホール２３内のＣｕめっき２３が露出し、貫通電極を
もった基板２１となる。この基板２１は、同様の工程に
よって貫通電極が形成された他の基板２１と積層され
る。

【００２０】図２は、めっき装置の概略の構成を示す構
成図である。めっき装置は、基板２１を保持する保持部
３１を有する回転部３２を備える。保持部３１は、基板
２１の有底ビアホール２３の形成面側から、基板２１を
めっき液３５中に浸漬させる。回転部３２は、めっき処
理中、基板２１を保持する保持部３１を約１０００ｒｐ
ｍで回転させる。これにより、めっき液３５が攪拌さ
れ、めっき液３５中における各成分の濃度を均一にする
ことができる。

【００２１】めっき装置は、電流制御部３３を有し、め
っき液３５中に配置されたアノード電極３４と、基板２
１の有底ビアホール２３内に形成されたＣｕシード層２
６をカソード電極として、所定の電流値の電流を通電す
る。このとき、電流制御部３３は、有底ビアホール２３
の開口部の面積に対して、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ
^２〜３ｍＡ／ｃｍ^２となるように、通電電流を制御す
る。

【００２２】なお、上述しためっき装置によってめっき
処理を行なう前に、めっき装置において使用されるめっ
き液３５と同様のめっき液中に基板２１を浸漬し、超音
波振動を加えることにより、めっきすべき面において清
浄なＣｕ面を露出させるようにしても良い。

【００２３】次に、上記めっき装置において使用される
めっき液３５について説明する。

【００２４】めっき液３５は、ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ
（硫酸銅）、Ｈ_２ＳＯ_４（硫酸）、Ｃｌ⁻（塩素イオ
ン）、硫黄を含む促進剤、ポリマーからなる抑制剤、及
び窒素を含む添加剤を含むものである。

【００２５】ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ（硫酸銅）の濃度
は、１３０ｇ／Ｌ〜１８０ｇ／Ｌが適当である。硫酸銅
濃度が例えば１３０ｇ／Ｌよりも少ないと、被めっき物
である有底ビアホール２３への銅イオン供給が不充分と
なり十分なＣｕめっきを生成することが困難になる。一
方、その濃度が１８０ｇ／Ｌを越えると、銅イオン濃度
が飽和してしまい、それ以上溶解させても銅が再結晶化
してしまう。

【００２６】Ｈ_２ＳＯ_４（硫酸）の濃度は、１８０ｇ／
Ｌ〜２２０ｇ／Ｌが適当である。硫酸濃度が１８０ｇ／
Ｌ以下であるとめっき液の導電性が低下するため、めっ
き液に通電することが困難になる。一方、２２０ｇ／Ｌ
を越えると、電気めっきを行なうための下地層であるＣ
ｕシード層２６を溶解してしまう場合がある。

【００２７】Ｃｌ⁻（塩素イオン）の濃度は、１００ｍ
ｇ／Ｌ〜１０００ｍｇ／Ｌが適当である。この塩素イオ
ンは、めっき液に水溶性塩素化合物を添加することによ
り、めっき液中に含まれることとなる。水溶性塩素化合
物としては、例えば、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリ
ウム、塩化アンモニウム等を使用することができる。水
溶性塩素化合物は、上述の化合物の１種類のみを使用し
ても２種類以上を混合して使用してもよい。

【００２８】塩素イオン濃度が１００ｍｇ／Ｌ以下であ
ると、各種の添加剤が正常に作用しにくくなる。

【００２９】硫黄を含む促進剤は、電解中に被めっき物
表面に吸着し、Ｃｕめっきの成長を助ける作用をもつ物
質である。具体的には、硫黄を含む促進剤としてbis（3
-sulfopropyl）disulfidesodiumを使用することができ
る。

【００３０】この硫黄を含む促進剤の濃度は、０．１ｍ
ｇ／Ｌ〜７．５ｍｇ／Ｌが適当である。促進剤の濃度が
０．１ｍｇ／Ｌよりも少ないと、Ｃｕめっき２７の成長
を助ける効果が十分に得られない。

【００３１】ポリマーからなる抑制剤は、めっき液中で
抑制剤として作用し、特に基板２１表面におけるＣｕめ
っき２７の生成を抑制するために働く物質であり、好ま
しくは、分子量２０００〜４００００のポリエチレング
リコールが用いられる。ポリマーからなる抑制剤の濃度
は、４００〜２０００ｍｇ／Ｌの範囲が適当である。め
っき液中の濃度が４００ｍｇ／Ｌ以下では、基板２１表
面におけるＣｕめっき２７生成の抑制効果が不十分とな
って、Ｃｕめっき２７にボイドが生じたりする。一方、
その濃度が２０００ｍｇ／Ｌを越えると、それに見合う
効果の向上はほとんど得られない。

【００３２】窒素を含む添加剤は、有底ビアホール２３
内において、抑制剤によるＣｕめっき２７生成の抑制効
果を抑える働きをするものであり、これにより有底ビア
ホール２３内におけるＣｕめっき２７の生成を促進する
ことができる。この窒素を含む添加剤の濃度は、０.１
（ｍｇ／Ｌ）〜１００（ｍｇ／Ｌ）であることが好まし
い。濃度が０．１ｍｇ／Ｌよりも小さいと、ポリマーか
らなる抑制剤の抑制効果を抑える効果が発揮されにくく
なってしまう。一方、１００ｍｇ／Ｌを超えて添加して
も効果の向上は得られない。なお、その窒素を含む添加
剤として、具体的には、3-(diethylamino)-7-((p-(dime
thylamino)phenylazo)-5- phenylphenazinium chlorid
e)を用いることができる。

【００３３】上述しためっき液を用いて、有底ビアホー
ル内にＣｕめっきを充填した結果について説明する。

【００３４】まず、図３は、電気めっきを行なうための
通電電流の電流密度と、有底ビアホール２３内に充填さ
れるＣｕめっきに生ずるボイドのサイズとの関係を示す
グラフである。図３に示されるように、電流密度が高く
なるほど、ボイドのサイズが大きくなることがわかる。
ボイドサイズは、めっき液を構成する各種成分の濃度に
よっても変化する。従って、およそ電流密度が３ｍＡ／
ｃｍ^２以下であれば、有底ビアホール２３内に形成され
るボイドのサイズを十分に低減することができるといえ
る。電流密度が３ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きい場合には、
各種成分の濃度を変更しても、有底ビアホール２３の開
口部における電流密度が大きく、内部の充填よりも先に
開口部が生成されたＣｕめっきによって閉じられてしま
うのである。一方、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２より
も小さいと、Ｃｕめっきの生成に非常に長い時間がかか
り、実用上問題がある。

【００３５】なお、図３に示す結果は、ＣｕＳＯ_４・５
Ｈ_２Ｏ（硫酸銅）の濃度を１３０ｇ／Ｌ、Ｈ_２ＳＯ
_４（硫酸）の濃度を２００ｇ／Ｌ、Ｃｌ⁻（塩素イオ
ン）を１００ｍｇ／Ｌ、ポリマーからなる抑制剤の濃度
を６００ｍｇ／Ｌ、硫黄を含む促進剤の濃度を２ｍｇ／
Ｌ、及び窒素を含む添加剤の濃度を４ｍｇ／Ｌとした条
件で得られたものである。また、ボイドサイズとして、
有底ビアホール２３の断面における開口部側から約５０
μｍの深さにおけるボイドサイズを観察した。

【００３６】次に、図４に、Ｃｌ^-の濃度及び硫黄を含
む促進剤の濃度を変化させた場合のボイドサイズの変化
の様子を示す。なお、図４に示す結果は、ＣｕＳＯ_４・
５Ｈ _２Ｏ（硫酸銅）の濃度を１５０ｇ／Ｌ、Ｈ_２ＳＯ_４
（硫酸）の濃度を２００ｇ／Ｌ、ポリマーからなる抑制
剤の濃度を６００ｍｇ／Ｌ、窒素を含む添加剤の濃度を
１０ｍｇ／Ｌ、及び電流密度を１ｍＡ／ｃｍ^２とした条
件で得られたものである。また、Ｃｌ^-は、メッキ液に
塩酸を添加することによって生成した。

【００３７】ここで、Ｃｌ^-は各種の添加剤の作用に影
響を及ぼすものであり、その濃度の変化に対してボイド
サイズが大きく変化することが事前に確認できた。この
ため、ボイドサイズを低減するための最適な濃度範囲を
調べることとした。また、Ｃｌ^-とともに硫黄を含む促
進剤の濃度を変化させると、ボイドサイズの変化が大き
くなることも確認できたので、硫黄を含む促進剤の濃度
も併せて変化させた（２ｍｇ／Ｌ〜７．５ｍｇ／Ｌ）。

【００３８】その結果、図４に示すように、塩酸（ＨＣ
ｌ）の濃度が５００ｍｇ／Ｌであるとき、硫黄を含む促
進剤の濃度が２ｍｇ／Ｌ〜５ｍｇ／Ｌであると、最もボ
イドサイズが減少できることが確認できた。ただし、塩
酸（ＨＣｌ）の濃度が５００ｍｇ／Ｌを超え、特に７５
０ｍｇ／Ｌ以上となると、有底ビアホール２３の開口部
におけるＣｕメッキの生成が十分に抑制されず、有底ビ
アホール２３内にＣｕメッキが十分に充填される前にそ
の開口部が閉じられる傾向がある。このため、塩酸、す
なわちＣｌ^-の濃度は５００ｍｇ／Ｌ以下が望ましく、
一方、ボイドサイズの低減効果を得るためには３００ｍ
ｇ／Ｌ以上であることが必要である。したがって、Ｃｌ
^-の望ましい範囲は３００ｍｇ／Ｌ〜５００ｍｇ／Ｌで
あり、このとき、硫黄を含む促進剤の濃度が２ｍｇ／Ｌ
〜５ｍｇ／Ｌであると、ボイドのサイズを十分に小さく
することができる。

【００３９】なお、上記した実施形態においては、半導
体基板にＣｕめっきによって貫通電極を形成する場合
に、有底ビアホール２３をＣｕめっきで充填したが、こ
のような用途に限らず、アスペクト比の高い有底孔にＣ
ｕめっきを行なう場合、本発明によるめっき充填方法を
好適に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）はめっき充填されるべき有底ビ
アホールが形成された半導体基板に貫通電極を形成する
ための各工程を示す工程別断面図である。

【図２】めっき装置の概略の構成を示す構成図である。

【図３】電気めっきを行なうための通電電流の電流密度
と、有底ビアホール内に充填されるＣｕめっきに生ずる
ボイドのサイズとの関係を示すグラフである。

【図４】Ｃｌ^-の濃度及び硫黄を含む促進剤の濃度を変
化させた場合のボイドサイズの変化の様子を示すグラフ
である。

【図５】従来の有底ビアホールに対するめっき方法を説
明するための説明図である。

【図６】従来の有底ビアホールに対する他のめっき方法
を説明するための説明図である。

【図７】（ａ），（ｂ）は、図６に示すめっき方法の問
題点を説明するための説明図である。

【符号の説明】

２１シリコンウエハ基板２２熱酸化膜２３有底ビアホール２４ＴＥＯＳ膜２５ＴｉＮ層２６Ｃｕシード層２７貫通電極

フロントページの続き (71)出願人 000005223 富士通株式会社神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号 (71)出願人 000002185 ソニー株式会社東京都品川区北品川６丁目７番35号 (72)発明者富坂学愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内 (72)発明者近藤和夫岡山県岡山市津島福居１丁目７番１号 (72)発明者孫建軍岡山県岡山市伊島町３丁目６番23号 (72)発明者高橋健司神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝マイクロエレクトロニクスセンター内 (72)発明者星野雅孝神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者米村均東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 4K023 AA19 BA06 BA08 CB09 CB13 CB21 DA02 DA06 DA07 4K024 AA09 AB08 BB12 BC10 CA01 CA02 CA06 GA16 4M104 BB04 BB30 DD52 FF01 HH16 5F033 HH11 HH33 JJ11 JJ33 MM30 NN05 NN07 PP06 PP27 QQ47 SS04 TT07 WW00 WW04 WW08 XX04 XX10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有底孔内をＣｕめっきで充填する有底孔
のめっき充填方法であって、ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ１３０（ｇ／Ｌ）〜１８０（ｇ／Ｌ）Ｈ_２ＳＯ_４１８０（ｇ／Ｌ）〜２２０（ｇ／Ｌ）Ｃｌ^- １００（ｍｇ／Ｌ）〜１０００（ｍｇ／Ｌ）硫黄を含む促進剤０.１（ｍｇ／Ｌ）〜７.５（ｍｇ／Ｌ）ポリマーからなる抑制剤４００（ｍｇ／Ｌ）〜２０００（ｍｇ／Ｌ）を含むめっき液を使用しつつ、めっき電流を直流とし、
かつ有底孔の開口面積に対する電流密度を０．１ｍＡ／
ｃｍ^２〜３ｍＡ／ｃｍ^２としたことを特徴とする有底孔
のめっき充填方法。
【請求項２】窒素を含む添加剤を０.１（ｍｇ／Ｌ）
〜１００（ｍｇ／Ｌ）の濃度で、前記めっき液に添加し
たことを特徴とする請求項１に記載の有底孔のめっき充
填方法。
【請求項３】前記窒素を含む添加剤として、3-(dieth
ylamino)-7-((p-(dimethylamino)phenylazo)-5-phenylp
henazinium chloride)を用いたことを特徴とする請求項
２に記載の有底孔のめっき充填方法。
【請求項４】前記有底孔は、その開口部の幅（ｗ）が
１μｍよりも大きく、かつ開口部の幅（ｗ）に対する有
底孔の深さ（ｄ）の比（ｄ／ｗ）が３よりも大きいこと
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
有低孔の充填めっき方法。
【請求項５】前記硫黄を含む促進剤として、bis（3-s
ulfopropyl）disulfidesodiumを用いたことを特徴とす
る請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有低孔のめ
っき充填方法。
【請求項６】前記めっき液のＣｌ⁻の濃度を３００
（ｍｇ／Ｌ）〜５００（ｍｇ／Ｌ）とし、かつ前記bis
（3-sulfopropyl）disulfidesodiumの濃度を２．０〜
５．０ｍｇ／Ｌとしたことを特徴とする請求項５に記載
の有底孔のめっき充填方法。
【請求項７】ポリマーからなる抑制剤として、分子量
２０００〜４００００のポリエチレングリコールを用い
たことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに
記載の有底孔のめっき充填方法。