[go: up one dir, main page]

JP2003328159A - Surface treatment agent - Google Patents

Surface treatment agent

Info

Publication number
JP2003328159A
JP2003328159A JP2002130915A JP2002130915A JP2003328159A JP 2003328159 A JP2003328159 A JP 2003328159A JP 2002130915 A JP2002130915 A JP 2002130915A JP 2002130915 A JP2002130915 A JP 2002130915A JP 2003328159 A JP2003328159 A JP 2003328159A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface treatment
treatment agent
hydrogen peroxide
solder
titanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002130915A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideko Kuwabara
英子 桑原
Akiyoshi Hosomi
彰良 細見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP2002130915A priority Critical patent/JP2003328159A/en
Publication of JP2003328159A publication Critical patent/JP2003328159A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】電子部品上の半田を変色せずにチタン、タング
ステン、チタン・タングステン合金等をエッチング出来
る表面処理剤を提供すること。 【解決手段】20〜50重量%の過酸化水素と0.00
1〜10重量%のホスホン酸系化合物とからなる表面処
理剤。
(57) [Problem] To provide a surface treatment agent capable of etching titanium, tungsten, titanium-tungsten alloy and the like without discoloring solder on an electronic component. SOLUTION: 20 to 50% by weight of hydrogen peroxide and 0.00
A surface treating agent comprising 1 to 10% by weight of a phosphonic acid compound.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、表面処理剤に関する。
さらに詳しくは、本発明は、特に電子部品上の半田の変
色を起こさない表面処理剤に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a surface treatment agent.
More specifically, the present invention relates to a surface treatment agent that does not cause discoloration of solder on an electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】チタン、タングステンおよびチタン・タ
ングステン合金の金属層は、一般的に電子部品において
バリヤ層として用いられている。特に半導体部品では、
これらバリア層を用いて、金属イオンが下地の半導体基
板内に拡散し、これを汚染するのを防止する。これらの
バリア層をエッチングする表面処理剤には、従来、過酸
化水素の水溶液が用いられ、エッチングによりチタンと
過酸化水素とが反応して酸化チタンが生成され、タング
ステンと過酸化水素とが反応して酸化タングステンが生
成される。しかし、これらの表面処理剤は、電子部品に
実装された半田の変色を起こすという問題があった。
BACKGROUND OF THE INVENTION Metal layers of titanium, tungsten and titanium-tungsten alloys are commonly used as barrier layers in electronic components. Especially in semiconductor parts,
These barrier layers are used to prevent metal ions from diffusing into the underlying semiconductor substrate and contaminating it. Conventionally, an aqueous solution of hydrogen peroxide has been used as a surface treatment agent for etching these barrier layers. By etching, titanium and hydrogen peroxide react with each other to produce titanium oxide, and tungsten and hydrogen peroxide react with each other. As a result, tungsten oxide is produced. However, these surface treatment agents have a problem of causing discoloration of solder mounted on electronic components.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来に替わ
る、電子部品上の半田を変色せずにチタン、タングステ
ン、チタン・タングステン合金等の金属をエッチング出
来る表面処理剤を提供することを目的としてなされたも
のである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an alternative surface treatment agent capable of etching a metal such as titanium, tungsten, or a titanium-tungsten alloy without discoloring the solder on the electronic component. It was made as.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、25〜45重量%
の過酸化水素と0.001〜10重量%のホスホン酸系
化合物とからなる表面処理剤が、半田を変色させずに、
電子部品上の金属をエッチングできることを見いだし、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
The present inventor has conducted extensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the result is 25-45% by weight.
The surface treatment agent consisting of hydrogen peroxide and 0.001 to 10% by weight of a phosphonic acid compound does not discolor the solder,
We found that we could etch metal on electronic parts,
The present invention has been completed based on this finding.

【0005】本発明の表面処理剤は、過酸化水素とホス
ホン酸系化合物とからなる水溶液である。過酸化水素の
濃度は、25〜45重量%であり、特に好ましくは、3
0〜40重量%である。過酸化水素濃度が25重量%よ
り低い場合、溶解速度が遅く、溶解効率が低下し、45
重量%より高い場合、安全性に問題が出てくる。
The surface treating agent of the present invention is an aqueous solution containing hydrogen peroxide and a phosphonic acid compound. The concentration of hydrogen peroxide is 25 to 45% by weight, and particularly preferably 3
It is 0 to 40% by weight. If the hydrogen peroxide concentration is lower than 25% by weight, the dissolution rate will be slow and the dissolution efficiency will decrease.
If the content is higher than the weight%, there will be a safety problem.

【0006】本発明に使用するホスホン酸系化合物とし
て、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン
酸)、3,3´−ジアミノジプロピルアミンペンタ(メ
チレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレ
ンホスホン酸)、プロパンジアミンテトラ(メチレンホ
スホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ
(メチレンホスホン酸)、トリエチレンテトラミンヘキ
サ(メチレンホスホン酸)、トリ(2−アミノエチル)
アミンヘキサ(メチレンホスホン酸)、トリ(3−アミ
ノプロピル)アミンヘキサ(メチレンホスホン酸)、テ
トラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホスホン
酸)、ペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホス
ホン酸)、ヘキサメチレンテトラミンオクタ(メチレン
ホスホン酸)などが挙げられる。また、これらの化合物
の有するホスホノメチル基の一部分が水素原子やメチル
基などの他の基に置換されたものであっても、用いるこ
とができる。これらのホスホン酸系化合物のホスホン酸
基は、遊離の酸でなく、例えばアンモニウム塩のような
塩であっても同様に用いることができる。上記のなか
で、特に好ましいものとして、ジエチレントリアミンペ
ンタ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ
(メチレンホスホン酸)、プロパンジアミンテトラ(メ
チレンホスホン酸)が挙げられる。
As the phosphonic acid compound used in the present invention, diethylenetriamine penta (methylenephosphonic acid), 3,3'-diaminodipropylamine penta (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), propanediaminetetra ( Methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triamine penta (methylenephosphonic acid), triethylenetetramine hexa (methylenephosphonic acid), tri (2-aminoethyl)
Amine hexa (methylenephosphonic acid), tri (3-aminopropyl) amine hexa (methylenephosphonic acid), tetraethylenepentamine hepta (methylenephosphonic acid), pentaethylenehexamine octa (methylenephosphonic acid), hexamethylenetetramine octa (methylenephosphonic acid) ) And the like. Further, even if a part of the phosphonomethyl group of these compounds is replaced with another group such as a hydrogen atom or a methyl group, it can be used. The phosphonic acid group of these phosphonic acid compounds can be similarly used even if it is not a free acid but a salt such as an ammonium salt. Among the above, particularly preferred are diethylenetriamine penta (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), and propanediaminetetra (methylenephosphonic acid).

【0007】本発明のホスホン酸系化合物は、2種以上
併用することも可能である。
The phosphonic acid compounds of the present invention can be used in combination of two or more kinds.

【0008】ホスホン酸系化合物の濃度は、通常は、
0.001〜10%の範囲で用いられ、好ましくは、
0.01〜5%の範囲で用いられる。特に、ホスホン酸
系化合物の濃度が低い場合、 半田の変色を抑制する効
果が十分に得られないため、少なくとも0.001%以
上、好ましくは0.01%以上の濃度で使用することが
望ましい。また、10%より濃い濃度では、効果が変わ
らず、経済性に劣り好ましくない。
The concentration of the phosphonic acid compound is usually
It is used in the range of 0.001 to 10%, preferably
It is used in the range of 0.01 to 5%. In particular, if the concentration of the phosphonic acid compound is low, the effect of suppressing the discoloration of the solder cannot be sufficiently obtained, so it is desirable to use at least 0.001% or more, preferably 0.01% or more. On the other hand, if the concentration is higher than 10%, the effect does not change and the economy is poor, which is not preferable.

【0009】表面処理剤の調製として、過酸化水素を任
意の濃度に調整した後にホスホン酸系化合物を添加する
方法や過酸化水素水または水にあらかじめ添加してお
き、これらを使用時に混合する方法などで行うことがで
きる。さらには、処理中にホスホン酸系化合物を追加し
て添加することもできる。
As the preparation of the surface treatment agent, a method of adding hydrogen peroxide to an arbitrary concentration and then adding a phosphonic acid compound or a method of adding hydrogen peroxide water or water in advance and mixing these at the time of use And so on. Furthermore, a phosphonic acid compound can be additionally added during the treatment.

【0010】本発明の表面処理剤は、長時間保持した場
合でも、半田の変色を抑制する効果が失われることな
く、安定した表面処理を行うことができる。
The surface treatment agent of the present invention can perform a stable surface treatment without losing the effect of suppressing discoloration of solder even when it is held for a long time.

【0011】本発明の表面処理剤は、チタン、タングス
テン、チタン・タングステン合金を溶解したときの過酸
化水素の安定性を向上させることが出来る。また、アル
コール類、有機カルボン酸類、有機アミン化合物等の公
知の過酸化水素安定剤を含有せしめることもができる。
The surface treatment agent of the present invention can improve the stability of hydrogen peroxide when titanium, tungsten, or a titanium-tungsten alloy is dissolved. Further, known hydrogen peroxide stabilizers such as alcohols, organic carboxylic acids and organic amine compounds can be contained.

【0012】また、本発明の表面処理剤には、必要に応
じて無機酸、有機酸、無機塩、腐食抑制剤または界面活
性剤のような他の成分を含有せしめることができる。例
えば、界面活性剤としては、HLBの低い親油性の非イ
オン性界面活性剤を好適に使用することができ、このよ
うな界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン
アルキルエーテル、アルキルアミンオキシド等のほか、
ポリエーテル変性シリコーン等のシリコーン系界面活性
剤等を挙げることができる。腐食抑制剤としては、例え
ば、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール
等を挙げることができる。
Further, the surface treating agent of the present invention may contain other components such as an inorganic acid, an organic acid, an inorganic salt, a corrosion inhibitor or a surfactant, if necessary. For example, a lipophilic nonionic surfactant having a low HLB can be preferably used as the surfactant, and examples of such a surfactant include polyoxyethylene alkyl ether, alkylamine oxide and the like. Besides,
Examples thereof include silicone-based surfactants such as polyether modified silicone. Examples of the corrosion inhibitor include mercaptobenzothiazole and benzotriazole.

【0013】本発明の表面処理剤のpHは、9以下であ
ることが好ましく、特に好ましくは、3〜8である。p
Hが9より大きい場合、液中の過酸化水素の分解が促進
され好ましくない。また、pHの調整は、水酸化アルカ
リ金属水溶液、有機アミン水溶液等を用いて行う事がで
きる。
The pH of the surface treatment agent of the present invention is preferably 9 or less, and particularly preferably 3 to 8. p
When H is larger than 9, decomposition of hydrogen peroxide in the liquid is promoted, which is not preferable. The pH can be adjusted using an aqueous solution of alkali metal hydroxide, an aqueous solution of organic amine, or the like.

【0014】本発明の表面処理剤による処理温度は、6
0℃以下である事が好ましい。60℃より高くなると液
中の過酸化水素の分解が促進され好ましくない。
The treatment temperature with the surface treatment agent of the present invention is 6
It is preferably 0 ° C. or lower. When the temperature is higher than 60 ° C, decomposition of hydrogen peroxide in the liquid is promoted, which is not preferable.

【0015】表面処理剤との電子部品の接触方法には特
に制限はなく、例えば、浸漬、スプレー等により行うこ
とができる。
The method of contacting the electronic component with the surface treatment agent is not particularly limited, and it can be carried out, for example, by dipping or spraying.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。尚、これらの試験において、半
田の変色の測定は、テストピースとして鉛40%錫60
%の半田基板(5mm×50mm)を用い、各表面処理剤に
よる浸漬処理を所定条件で行った。 半田変色の測定
は、全く変色が無いのを◎、若干変色したものを○、完
全に変色したものを×とした。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In these tests, the color change of the solder was measured by using 40% lead 60% tin as a test piece.
% Solder substrate (5 mm × 50 mm) was used, and immersion treatment with each surface treatment agent was performed under predetermined conditions. In the measurement of solder discoloration, ∘ indicates no discoloration at all, ∘ indicates slightly discoloration, and x indicates completely discoloration.

【0017】用いたホスホン酸系化合物は以下の様に略
記する。エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン
酸)「EDTP」、プロパンジアミンテトラ(メチレン
ホスホン酸)「PDTP」、ジエチレントリアミンペン
タ(メチレンホスホン酸)「DTPP」。尚、比較例で
用いたATZは、アミンテトラゾールの略記である。
The phosphonic acid compound used is abbreviated as follows. Ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) "EDTP", propanediaminetetra (methylenephosphonic acid) "PDTP", diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) "DTPP". Incidentally, ATZ used in Comparative Examples is an abbreviation for amine tetrazole.

【0018】実施例1〜4、比較例1〜6 表1記載の組成の表面処理剤、及び処理条件でテストピ
ースの処理を行った。結果を表1に示した。pHの調整
は28%アンモニア水を用いて行った。
Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 6 The test pieces were treated with the surface treatment agent having the composition shown in Table 1 and the treatment conditions. The results are shown in Table 1. The pH was adjusted using 28% aqueous ammonia.

【0019】実施例5、6及び比較例7、8表2記載の
組成の表面処処理剤を28%アンモニア水を用いてpH
7に調整し、Ti100mg/lを溶解し、30℃高温
槽に浸漬放置し、24時間経過後の過酸化水素の残存率
を表2に記した。尚、過酸化水素の残存率は、加熱前の
過酸化水素の濃度を100としたものに対する、24時
間経過後の過酸化水素の残存率である。
Examples 5 and 6 and Comparative Examples 7 and 8 The surface treatment agent having the composition shown in Table 2 was used to adjust the pH using 28% ammonia water.
It was adjusted to 7, and 100 mg / l of Ti was dissolved, immersed in a high temperature tank at 30 ° C., and left to stand. The residual rate of hydrogen peroxide is the residual rate of hydrogen peroxide after 24 hours with respect to the concentration of hydrogen peroxide before heating being 100.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明の表面処理剤を使用することによ
り、電子部品上の半田を変色させずに、基板上の金属を
エッチング処理することが出来る。更に、表面処理剤の
安定性も向上させることが出来る。
By using the surface treating agent of the present invention, the metal on the substrate can be etched without discoloring the solder on the electronic component. Further, the stability of the surface treatment agent can be improved.

【0021】[0021]

【表1】 過酸化水素 添加剤種及び pH 温度(℃) 時間(分) 半田変色 濃度(wt%)濃度(wt%) 実施例1 35 PDTP 5.5 20 30 ○ 0.05 実施例2 35 PDTP 2.5 20 10 ○ 1 実施例3 35 EDTP 7.2 20 10 ◎ 0.5 実施例4 35 DTPP 7.8 20 30 ◎ 3 比較例1 無し 4.3 20 10 × 比較例2 無し 7.4 20 10 × 比較例3 ATZ 2.2 20 10 × 0.5 比較例4 EDTA 7.6 20 30 × 0.5 比較例5 1,3-dimethyl- 7.6 20 30 × 2-imidazolidinone 0.05 比較例6 1−methoxy-2- 7.6 20 30 × butanol 0.05[Table 1]         Hydrogen peroxide Additive species and pH Temperature (℃) Time (min) Solder discoloration         Concentration (wt%) Concentration (wt%) Example 1 35 PDTP 5.5 20 30 ○                     0.05 Example 2 35 PDTP 2.5 20 10 ○                     1 Example 3 35 EDTP 7.2 20 10 ◎                     0.5 Example 4 35 DTPP 7.8 20 30 ◎                     Three Comparative Example 1 None 4.3 20 10 × Comparative Example 2 None 7.4 20 10 × Comparative Example 3 ATZ 2.2 20 10 ×                     0.5 Comparative Example 4 EDTA 7.6 20 30 ×                     0.5 Comparative Example 5 1,3-dimethyl- 7.6 20 30 ×                    2-imidazolidinone                    0.05 Comparative Example 6 1-methoxy-2-7.6 20 30 ×                   butanol 0.05

【0022】[0022]

【表2】 過酸化水素濃度(wt%) 添加剤種濃度(wt%) 残存率(%) 実施例5 35 DTPP0.05 97.4 実施例6 35 DTPP0.5 98.5 比較例7 35 ATZ0.05 65.5 比較例8 35 EDTA0.05 67.9[Table 2]         Hydrogen peroxide concentration (wt%) Additive species concentration (wt%) Remaining rate (%) Example 5 35 DTPP0.05 97.4 Example 6 35 DTPP0.5 98.5 Comparative Example 7 35 ATZ0.05 65.5 Comparative Example 8 35 EDTA0.05 67.9

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K057 WA20 WB08 WB15 WE11 WE25 WG02 WG03 WN01 5F033 HH18 HH19 HH23 QQ08 QQ19 QQ20 WW04 XX00    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 4K057 WA20 WB08 WB15 WE11 WE25                       WG02 WG03 WN01                 5F033 HH18 HH19 HH23 QQ08 QQ19                       QQ20 WW04 XX00

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】25〜45重量%の過酸化水素と0.00
1〜10重量%のホスホン酸系化合物とからなる表面処
理剤。
1. Hydrogen peroxide of 25 to 45% by weight and 0.00
A surface treatment agent comprising 1 to 10% by weight of a phosphonic acid compound.
【請求項2】チタン、タングステン、及びチタン・タン
グステン合金のエッチング用である請求項1記載の表面
処理剤。
2. The surface treating agent according to claim 1, which is used for etching titanium, tungsten, and a titanium-tungsten alloy.
【請求項3】pHが9以下である請求項1記載の表面処
理剤。
3. The surface treating agent according to claim 1, which has a pH of 9 or less.
【請求項4】半田の変色の防止用である請求項1記載の
表面処理剤。
4. The surface treatment agent according to claim 1, which is for preventing discoloration of solder.
【請求項5】半田が鉛を含有する請求項4記載の表面処
理剤。
5. The surface treatment agent according to claim 4, wherein the solder contains lead.
JP2002130915A 2002-05-02 2002-05-02 Surface treatment agent Pending JP2003328159A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002130915A JP2003328159A (en) 2002-05-02 2002-05-02 Surface treatment agent

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002130915A JP2003328159A (en) 2002-05-02 2002-05-02 Surface treatment agent

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003328159A true JP2003328159A (en) 2003-11-19

Family

ID=29695832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002130915A Pending JP2003328159A (en) 2002-05-02 2002-05-02 Surface treatment agent

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003328159A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009081884A1 (en) 2007-12-21 2009-07-02 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
WO2011078335A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 三菱瓦斯化学株式会社 Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same
KR101154762B1 (en) 2004-05-11 2012-06-18 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 Etching solution for titanium or titanium alloy
US8802613B2 (en) 2007-12-13 2014-08-12 Akzo Nobel N.V. Stabilized hydrogen peroxide solutions
WO2015002272A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-08 和光純薬工業株式会社 Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101154762B1 (en) 2004-05-11 2012-06-18 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 Etching solution for titanium or titanium alloy
US8802613B2 (en) 2007-12-13 2014-08-12 Akzo Nobel N.V. Stabilized hydrogen peroxide solutions
US8513139B2 (en) 2007-12-21 2013-08-20 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
EP2234145A4 (en) * 2007-12-21 2011-12-07 Wako Pure Chem Ind Ltd CHEMICAL ATTACK AGENT, CHEMICAL ATTACK METHOD AND LIQUID FOR PREPARING CHEMICAL ATTACK AGENT
EP2540870A1 (en) 2007-12-21 2013-01-02 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
WO2009081884A1 (en) 2007-12-21 2009-07-02 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
US8871653B2 (en) 2007-12-21 2014-10-28 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
CN102696097A (en) * 2009-12-25 2012-09-26 三菱瓦斯化学株式会社 Etching solution and method of manufacturing semiconductor device using same
WO2011078335A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 三菱瓦斯化学株式会社 Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same
CN102696097B (en) * 2009-12-25 2015-08-05 三菱瓦斯化学株式会社 Etching solution and method of manufacturing semiconductor device using same
US9177827B2 (en) 2009-12-25 2015-11-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same
WO2015002272A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-08 和光純薬工業株式会社 Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid
KR20160029094A (en) 2013-07-05 2016-03-14 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid
US9845538B2 (en) 2013-07-05 2017-12-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5343858B2 (en) Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid
TW426557B (en) Method for cleaning semiconductor device
US6080709A (en) Cleaning solution for cleaning substrates to which a metallic wiring has been applied
JP3958687B2 (en) Composition comprising an oxidizing agent and a complex compound
CN106226991A (en) TiN hard mask and etch residue removal
JPWO2009072529A1 (en) Semiconductor device substrate cleaning method and cleaning liquid
JP4471094B2 (en) Titanium or titanium alloy etchant
JP4706081B2 (en) Etching agent and etching method for copper or copper alloy
US7521408B2 (en) Semiconductor cleaning solution
JP2003328159A (en) Surface treatment agent
JP4535232B2 (en) Titanium or titanium alloy etchant
JP2545094B2 (en) Photoresist stripping solution, method for producing the same, and method for removing photoresist
EP1544284A1 (en) Composition and method for treating a semiconductor substrate
MXPA03010108A (en) Chemical composition and method.
CN113939899B (en) Hydrogen Peroxide Decomposition Inhibitors
WO2003081658A1 (en) Etchant composition
JP4104109B2 (en) Dry etching residue remover for semiconductor manufacturing process
KR101499852B1 (en) Surface treatment of aluminum or aluminum alloy
JP3854523B2 (en) Resist stripper
CN117821181A (en) A long-life chip cleaning solution and its preparation method and use
JP7367700B2 (en) Etching solution for selectively etching copper and copper alloys and method for manufacturing semiconductor substrates using the same
JP4395148B2 (en) Resist stripper
JP2002053984A (en) Etching liquid
JP2003124174A (en) Cleaning liquid for semiconductor substrates
JP2003297791A (en) Semiconductor substrate processing solution and processing method using the same