JP2003327560A - 新規アントラセン誘導体および感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学増幅型レジストに有用な感放射線性樹脂
組成物の添加剤として、放射線透過率を最適にコントロ
ールすることができ、特に解像性能を損なうことなく、
レジスト被膜の膜厚の変動によるレジストパターンの線
幅変化を有効に抑えることが可能であり、また昇華性が
低く、当該組成物中の他の成分との相溶性にも優れた新
規アントラセン誘導体を提供する。 【解決手段】 アントラセン誘導体は、下記一般式
（１）で表される感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）該ア
ントラセン誘導体、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアルカ
リ難溶性の樹脂であり、酸の存在下でアルカリ易溶性と
なる樹脂および（Ｃ）感放射性酸発生剤を含有する。 【化１】 〔式中、Ｒ¹ はヒドロキシル基または炭素数１〜２０の
１価の有機基を示し、ｎは０〜９の整数であり、Ｘは単
結合または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、Ｒ²
は１価の酸解離性基を示す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規アントラセン
誘導体および感放射線性樹脂組成物に関わり、さらに詳
しくは、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレー
ザーあるいはＦ₂エキシマレーザー等の遠紫外線、シン
クロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如
き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型
レジストに有用な感放射線性樹脂組成物の添加剤として
特に好適に使用することができるアントラセン誘導体お
よび当該アントラセン誘導体を含有する感放射線性樹脂
組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベル以下での微細加工が
極めて困難であると言われている。そこで、０．２０μ
ｍ以下のレベルにおける微細加工を可能とするために、
より波長の短い放射線の利用が検討されている。このよ
うな短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線ス
ペクトルやエキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ
線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、
特にＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、Ａｒ
Ｆエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エ
キシマレーザー（波長１５７ｎｍ）が注目されている。
前記短波長の放射線に適した感放射線性樹脂組成物とし
て、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射（以
下、「露光」という。）により酸を発生する感放射線性
酸発生剤との間の化学増幅効果を利用した組成物（以
下、「化学増幅型感放射線性組成物」という。）が数多
く提案されている。化学増幅型感放射線性組成物として
は、例えば、特公平２−２７６６０号公報には、カルボ
ン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノールのｔ−ブ
チルカーボナート基を有する重合体と感放射線性酸発生
剤とを含有する組成物が提案されている。この組成物
は、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存
在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−ブチルカーボ
ナート基が解離して、該重合体がカルボキシル基やフェ
ノール性水酸基からなる酸性基を形成し、その結果、レ
ジスト被膜の露光領域がアルカリ現像液に易溶性となる
現象を利用したものである。

【０００３】ところで、近年のフォトリソグラフィープ
ロセスでは急速に微細化が進み、特にＫｒＦエキシマレ
ーザーによるリソグラフィープロセスの場合限界解像度
が光源波長の半分以下にまで迫ろうとしている。そのた
め化学増幅型感放射線性樹脂組成物に対する要求がます
ます厳しいものとなっており、より高い解像度が要求さ
れるだけでなく、様々な反射率の基板にも対応できなけ
ればならない。特に反射率の大きい基板に対応するため
には、定在波の影響や、スイングカーブの影響を小さく
することが必要であり、そのため放射線透過率のコント
ロールが必須となる。放射線透過率を低くするために
は、放射線透過率の低い感放射線性酸発生剤の添加量を
増やすことも考えられるが、この方法はレジストとして
の性能上必ずしも適当ではなく、第三成分（例えば染料
等）を添加するのがより好ましいとされている。

【０００４】そこで、化学増幅型感放射線性樹脂組成物
の放射線透過率をコントロールするため、染料としてア
ントラセン系化合物を添加することが特開平７−３１９
１５５号公報や特開平１１−２６５０６１号公報に提案
されている。しかしながら、単に放射線透過率の低い化
合物を添加するだけでは、解像度の低下や、現像残りな
どを起こすおそれがあり、レジストとしての性能を損な
うという問題がある。また、アントラセン系化合物は一
般に昇華性を有するため、露光装置に悪影響を与えると
いう問題もある。さらにアントラセン系化合物では、化
学増幅型感放射線性樹脂組成物に含まれる樹脂成分や添
加剤との相溶性が不十分な化合物が多いという欠点もあ
る。また特開平１０−１２０６２８号公報には、アント
ラセン骨格等の３環式芳香族骨格に、２価の炭化水素基
や酸素原子を介して結合したカルボキシル基を有し、該
カルボキシル基が酸不安定基で保護されたカルボン酸誘
導体が光吸収性に優れ、化学増幅型感放射線性樹脂組成
物の添加剤として好適であることが開示されている。

【０００５】しかし、微細化が急速に進行し、また要求
性能もますます厳しくなっているフォトリソグラフィー
プロセスに関するさらなる技術開発の観点から、遠紫外
線等に感応する化学増幅型感放射線性樹脂組成物の添加
剤として、放射線透過率を適切のコントロールすること
ができ、また低昇華性で、該感放射線性樹脂組成物中の
他の成分との相溶性にも優れた新たな化合物の開発が依
然として重要な技術課題となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、活性
放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシ
マレーザーあるいはＦ₂ エキシマレーザーに代表される
遠紫外線に感応する化学増幅型レジストに有用な感放射
線性樹脂組成物の添加剤として、放射線透過率を最適に
コントロールすることができ、特に解像性能を損なうこ
となく、レジスト被膜の膜厚の変動によるレジストパタ
ーンの線幅変化を有効に抑えることが可能であり、また
昇華性が低く、当該組成物中の他の成分との相溶性にも
優れた新規アントラセン誘導体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一に、下記
一般式（１）で表されるアントラセン誘導体からなる。

【化２】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は相互に独立にヒドロキ
シル基または炭素数１〜２０の１価の有機基を示し、複
数存在するＲ¹ は相互に同一でも異なってもよく、ｎは
０〜９の整数であり、Ｘは単結合または炭素数１〜１２
の２価の有機基を示し、Ｒ² は１価の酸解離性基を示
す。〕

【０００８】本発明は、第二に、（Ａ）前記一般式
（１）で表されるアントラセン誘導体、（Ｂ）アルカリ
不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であり、酸の存在下
でアルカリ易溶性となる樹脂、および（Ｃ）感放射性酸
発生剤を含有することを特徴とする感放射性樹脂組成物
からなる。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。アントラセン誘導体（１） 本発明におけるアントラセン誘導体は、前記一般式
（１）で表される化合物（以下、「アントラセン誘導体
（１）」という。）からなる。

【００１０】一般式（１）において、Ｒ¹ の炭素数１〜
２０の１価の有機基としては、例えば、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ
−ブチル基等の炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチル
プロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ
基等の炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルコ
キシル基；フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、
ｐ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−
アントラセニル基、２−アントラセニル基等の炭素数６
〜２０のアリール基；フェノキシ基、ｏ−トリルオキシ
基、ｍ−トリルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基等の炭素
数６〜２０のアリーロキシ基等を挙げることができる。

【００１１】一般式（１）におけるＲ¹ としては、ヒド
ロキシル基、メチル基、エチル基、メトキシ基、ｔ−ブ
トキシ基、フェニル基等が好ましい。また、一般式
（１）におけるｎとしては、０〜２が好ましい。

【００１２】一般式（１）において、Ｘの炭素数１〜１
２の２価の有機基としては、例えば、メチレン基、１，
１−エチレン基、１，１−プロピレン基、１，１−ブチ
レン基、１，２−エチレン基、１，２−プロピレン基、
１，２−ブチレン基、トリメチレン基等のメチレン基ま
たは炭素数２〜１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレ
ン基；１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、
１，２−フェニレン基、１，２−ナフチレン基、１，３
−ナフチレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフ
チレン基、１，６−ナフチレン基、１，７−ナフチレン
基、１，８−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、フ
ェニルメチレン基、１−フェニル−１，２−エチレン
基、１−フェニル−１，２−プロピレン基等の炭素数６
〜１２のアリーレン基；

【００１３】メチレンオキシ基、１，１−エチレンオキ
シ基、１，２−エチレンオキシ基、１，２−プロピレン
オキシ基、１，２−ブチレンオキシ基、トリメチレンオ
キシ基等のメチレンオキシ基または炭素数２〜１２の直
鎖状もしくは分岐状のアルキレンオキシ基；１，４−フ
ェニレンオキシ基、１，３−フェニレンオキシ基、１，
２−フェニレンオキシ基、フェニルメチレンオキシ基等
の炭素数６〜１２のアリーレンオキシ基；

【００１４】メチレンオキシメチル基、１，１−エチレ
ンオキシメチル基、１，２−エチレンオキシメチル基、
トリメチレンオキシメチル基、２−（メチレンオキシ）
エチル基等のメチレンオキシメチル基または炭素数３〜
１２の直鎖状もしくは分岐状のアルキレンオキシアルキ
ル基；１，４−フェニレンオキシメチル基、１，３−フ
ェニレンオキシメチル基、１，２−フェニレンオキシメ
チル基、フェニルメチレンオキシメチル基等の炭素数７
〜１２のアリーレンオキシアルキル基等を挙げることが
できる。

【００１５】一般式（１）におけるＸとしては、メチレ
ン基、１，１−エチレン基、１，４−フェニレン基、メ
チレンオキシ基等が好ましい。

【００１６】一般式（１）において、Ｒ² の１価の酸解
離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチ
ル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニル基、
直鎖状、分岐状もしくは環状のアシル基、環式酸解離性
基等を挙げることができる。

【００１７】前記置換メチル基としては、例えば、メト
キシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル
基、エチルチオメチル基、メトキシメトキシメチル基、
（２−メトキシエトキシ）メチル基、ベンジルオキシメ
チル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、４−ブ
ロモフェナシル基、４−メトキシフェナシル基、４−メ
チルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シク
ロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル
基、トリフェニルメチル基、４−ブロモベンジル基、４
−ニトロベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−メ
チルチオベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−エ
チルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニ
ルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポ
キシカルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメ
チル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキ
シカルボニルメチル基等を挙げることができる。

【００１８】また、前記１−置換エチル基としては、例
えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル
基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル
基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチ
ル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−シクロヘキシ
ルオキシエチル基、１−シクロヘキシルチオエチル基、
１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、
１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエ
チル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピ
ルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニ
ルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エ
トキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボ
ニルエチル基、１−ｉ−プロポキシカルボニルエチル
基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブ
トキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。

【００１９】また、前記１−分岐アルキル基としては、
例えば、ｉ−プロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−
ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブ
チル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることがで
きる。また、前記シリル基としては、例えば、トリメチ
ルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチル
シリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチル
シリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ
−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メ
チルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。

【００２０】また、前記ゲルミル基としては、例えば、
トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メ
チルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−
プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピル
ゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチ
ルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル
基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲ
ルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニル
ゲルミル基等を挙げることができる。また、前記直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニル基とし
ては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシ
カルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキ
シカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、
シクロヘキシルオキシカルボニル基等を挙げることがで
きる。

【００２１】また、前記直鎖状、分岐状もしくは環状の
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バ
レリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル
基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル
基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタ
リル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、
アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロ
ピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オ
レオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイ
ル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、
イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、
トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル
基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチ
ノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニ
ル基 メシル基等を挙げることができる。

【００２２】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、２−テトラヒドロピラニル基、２−テトラヒ
ドロフラニル基、２−テトラヒドロチオピラニル基、２
−テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモ−２−テト
ラヒドロピラニル基、４−メトキシ−２−テトラヒドロ
ピラニル基、４−メトキシ−２−テトラヒドロチオピラ
ニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキ
シド基、３−メチルシクロペンチル基、３−エチルシク
ロペンチル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチ
ルシクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル
基、ジシクロペンテニル基、トリシクロデカニル基、ト
リシクロドデセニル基、アダマンチル基、アダマンチル
メチル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチ
ル−２−アダマンチル基等を挙げることができる。

【００２３】これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル
基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１
−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチ
ルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、２−テトラヒ
ドロピラニル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テ
トラヒドロチオピラニル基、２−テトラヒドロチオフラ
ニル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシク
ロペンチル基、２−メチル−２−アダマンチル基等が好
ましい。

【００２４】好ましいアントラセン誘導体（１）の例と
しては、下記式（１−ａ）または式（１−ｂ）で表され
る化合物等を挙げることができる。

【００２５】

【化３】 〔式（１−ａ）および式（１−ｂ）において、Ｒ² は一
般式（１）におけるＲ²と同義である。〕

【００２６】アントラセン誘導体（１）の合成法として
は、例えば、対応するアントラセン骨格を有するカルボ
ン酸類を、適当な溶剤中で、酸触媒または塩基触媒によ
りエステル化する方法を挙げることができる。以下、こ
の方法についてさらに説明する。

【００２７】合成法（酸触媒によるエステル化） 対応するカルボン酸類と酸触媒を溶剤に溶解し、例えば
イソブテン等の対応するオレフィン類を加えてエステル
化させることにより、アントラセン誘導体（１）を得る
ことができる。前記酸触媒としては、例えば、ｐ−トル
エンスルホン酸、硫酸等を挙げることができる。前記溶
剤としては、例えばジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルホキシド、ｔ−ブタノール、
アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、クロ
ロホルム、塩化メチレン等を挙げることができる。反応
条件は、反応温度が、通常、−２０℃〜＋１５０℃、好
ましくは０〜７０℃であり、反応時間は、通常、１分〜
９６時間、好ましくは３０分〜４８時間である。

【００２８】合成法（塩基触媒によるエステル化） 対応するカルボン酸類と塩基触媒を溶剤に溶解し、例え
ばブロモ酢酸ｔ−ブチル等の対応するブロモ酢酸エステ
ル類を加えてエステル化させることにより、アントラセ
ン誘導体（１）を得ることができる。前記塩基触媒とし
ては、例えば、ナトリウムアミド、ナトリウムヒドリ
ド、ｎーブチルリチウム、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン等の超強塩基性触媒；
メトキシカリウム、エトキシカリウム、ｔ−ブトキシカ
リウム等の強塩基性触媒；トリエチルアミン、トリ−ｎ
−ブチルアミン等の弱塩基性触媒を挙げることができ
る。前記溶剤としては、例えばジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ｔ−ブ
タノール、アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフ
ラン、クロロホルム、塩化メチレン等を挙げることがで
きる。反応条件は、反応温度が、通常、−２０℃〜＋１
５０℃、好ましくは０〜７０℃であり、反応時間は、通
常、１分〜９６時間、好ましくは３０分〜４８時間であ
る。

【００２９】アントラセン誘導体（１）は、アントラセ
ン骨格をもつため、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）はＥ１吸収帯に遮蔽され、またＡｒＦエ
キシマレーザー（１９３ｎｍ）はＢ吸収帯に遮蔽される
結果、それぞれの波長において放射線を有効に吸収でき
る。また、後述する感放射性樹脂組成物において、解像
性能の低下や現像残りを来たすことがなく、さらに、例
えば後述する実施例１で合成した化合物（Ｂ-1）の常圧
における昇華点が２００℃以上であるように、昇華点が
高く、また極性部位を多く含むため、当該感放射性樹脂
組成物を構成する他の成分との相溶性にも優れている。
したがって、アントラセン誘導体（１）は、当該感放射
線性樹脂組成物における放射線透過率を最適にコントロ
ールする添加剤として極めて好適に使用することができ
るほか、各種アントラセン誘導体を合成する中間体等と
しても有用である。

【００３０】感放射線性樹脂組成物 本発明における感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）アント
ラセン誘導体（１）、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアル
カリ難溶性の樹脂であり、酸の存在下でアルカリ易溶性
となる樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という。）、および
（Ｃ）感放射性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｃ）」と
いう。）を含有することを特徴とするものである。ここ
でいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、
樹脂（Ｂ）を含有する後述の感放射線性樹脂組成物から
形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成す
る際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト
被膜の代わりに樹脂（Ｂ）のみを用いた被膜を現像した
場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残
存する性質を意味する。

【００３１】−（Ａ）アントラセン誘導体（１）− 本発明の感放射線性樹脂組成物において、アントラセン
誘導体（１）は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物にお
いて、アントラセン誘導体（１）の使用量は、樹脂
（Ｂ）１００重量部当たり、好ましくは０．１〜２０重
量部、さらに好ましくは０．１〜１５重量部、特に好ま
しくは０．２〜１０重量部である。この場合、アントラ
セン誘導体（１）の使用量が０．１重量部未満では、得
られる組成物の放射線透過率を適切に抑えることが困難
となる傾向があり、一方２０重量部を超えると、得られ
る組成物の放射線透過率が小さくなりすぎ、感度が低下
する傾向がある。

【００３２】−樹脂（Ｂ）− 樹脂（Ｂ）としては、アルカリ不溶性またはアルカリ難
溶性の樹脂であり、酸の存在下でアルカリ易溶性となる
樹脂である限り特に限定されるものではないが、例え
ば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能
基を有するアルカリ可溶性樹脂中の該酸性官能基を酸解
離性基で保護した樹脂等を挙げることができる。本発明
における好ましい樹脂（Ｂ）としては、例えば、下記一
般式（２）で表される繰り返し単位（以下、「繰り返し
単位（２）」という。）および酸解離性基を有する繰り
返し単位（以下、「酸解離性繰り返し単位」という。）
を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｂ１）」という。）を挙
げることができる。樹脂（Ｂ１）は、ＫｒＦエキシマレ
ーザーを用いる感放射線性樹脂組成物に特に好適であ
る。

【００３３】

【化４】 〔一般式（２）において、Ｒ³ は水素原子または１価の
有機基（但し、酸解離性基を除く。）を示し、ｉは１〜
３の整数、ｊは０〜３の整数であり、（ｉ＋ｊ）≦５を
満たす。〕

【００３４】一般式（２）において、Ｒ³ の１価の有機
基としては、例えば、前記一般式（１）におけるＲ¹ の
炭素数１〜２０の１価の有機基について例示した基と同
様のものを挙げることができる。これらの有機基のう
ち、特にメチル基が好ましい。また、一般式（２）にお
いて、ｉとしては１〜３が何れも好ましく、ｊとしては
０または１が好ましい。

【００３５】繰り返し単位（２）としては、例えば、４
−ヒドロキシスチレン、３−ヒドロキシスチレン、２−
ヒドロキシスチレン、α−メチル−４−ヒドロキシスチ
レン、α−メチル−３−ヒドロキシスチレン、α−メチ
ル−２−ヒドロキシスチレン、３−メチル−４−ヒドロ
キシスチレン、２−メチル−４−ヒドロキシスチレン、
２−メチル−３−ヒドロキシスチレン、４−メチル−３
−ヒドロキシスチレン、５−メチル−３−ヒドロキシス
チレン、３，４−ジヒドロキシスチレン、２，４，６−
トリヒドロキシスチレン等に由来する単位が好ましい。
これらの繰り返し単位（２）のうち、４−ヒドロキシス
チレン、３−ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチ
レン、α−メチル−４−ヒドロキシスチレン、α−メチ
ル−３−ヒドロキシスチレン、α−メチル−２−ヒドロ
キシスチレン等に由来する単位がさらに好ましい。樹脂
（Ｂ）において、繰り返し単位（２）は単独でまたは２
種以上が存在することができる。

【００３６】また、酸解離性繰り返し単位としては、例
えば、４−ヒドロキシスチレン、３−ヒドロキシスチレ
ン、２−ヒドロキシスチレン、αーメチル−４−ヒドロ
キシスチレン、αーメチル−３−ヒドロキシスチレン、
αーメチル−２−ヒドロキシスチレン、（メタ）アクリ
ル酸等のフェノール性水酸基あるいはカルボキシル基
が、前記一般式（１）におけるＲ² の１価の酸解離性基
について例示した置換メチル基、１−置換エチル基、１
−分岐アルキル基、トリオルガノシリル基、トリオルガ
ノゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環
式酸解離性基等で保護された化合物に由来する単位を挙
げることができる。

【００３７】これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル
基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１
−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチ
ルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、２−テトラヒ
ドロピラニル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テ
トラヒドロチオピラニル基、２−テトラヒドロチオフラ
ニル基等が好ましい。樹脂（Ｂ）において、酸解離性繰
り返し単位は単独でまたは２種以上が存在することがで
きる。

【００３８】樹脂（Ｂ）は、繰り返し単位（２）および
酸解離性繰り返し単位以外の繰り返し単位（以下、「他
の繰り返し単位」という。）を有することもできる。他
の繰返し単位としては、例えば、スチレン、α−メチル
スチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、
４−メチルスチレン、２−メトキシスチレン、３−メト
キシスチレン、４−メトキシスチレン、４−（２−ｔ−
ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン等のビニル
芳香族化合物；

【００３９】（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メ
チルプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−
エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエ
チル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）
アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸フェネチル、

【００４０】下記式（３）で表される単量体

【化５】 〔式（３）において、ｋは１〜６の整数である。〕、

【００４１】下記式（４）で表される単量体

【化６】 〔式（４）において、ｋは１〜６の整数である。〕、

【００４２】下記式（５）で表される単量体

【化７】 〔式（５）において、各ｋは相互に独立に１〜６の整数
である。〕等の（メタ）アクリル酸エステル類；

【００４３】（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイ
ン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボン酸類；
（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）ア
クリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸
３−カルボキシプロピル等の不飽和カルボン酸のカルボ
キシアルキルエステル類；（メタ）アクリロニトリル、
α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレ
インニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合
物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミ
ド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物；マレイミ
ド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレ
イミド等の不飽和イミド化合物；Ｎ−ビニル−ε−カプ
ロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ビニルピリジ
ン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビ
ニルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等の他の含
窒素ビニル化合物等に由来する単位を挙げることができ
る。

【００４４】これらの他の繰返し単位のうち、スチレ
ン、α−メチルスチレン、４−（２−ｔ−ブトキシカル
ボニルエチルオキシ）スチレン、前記式（３）で表され
る単量体、前記式（４）で表される単量体等に由来する
単位が好ましい。樹脂（Ｂ）において、他の繰り返し単
位は単独でまたは２種以上が存在することができる。

【００４５】また、樹脂（Ｂ）として、ノルボルネン類
および／または（メタ）アクリル酸エステル類に由来す
る主鎖に有し、かつ酸解離性基を有する樹脂も好適に使
用することができる。この樹脂は、ＡｒＦエキシマレー
ザーを用いる感放射線性樹脂組成物に好適に用いられ
る。

【００４６】樹脂（Ｂ）における酸解離性基の導入率
（樹脂（Ｂ）中の保護されていない酸性官能基と酸解離
性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、酸
解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類
により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１０
０％、さらに好ましくは１５〜１００％である。

【００４７】樹脂（Ｂ）のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算重
量分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは
１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０
００〜１００，０００である。また、樹脂（Ｂ）のＭｗ
とゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
で測定したポリスチレン換算数分子量（以下、「Ｍｎ」
という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜１０、
好ましくは１〜５である。

【００４８】−酸発生剤（Ｃ）−酸発生剤（Ｃ）として
は、例えば、スルホンイミド化合物、オニウム塩化
合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合
物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニ
ルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒ
ドラジンスルホネート化合物等を挙げることができる。
以下、これらの酸発生剤（Ｃ）の例を示す。 スルホンイミド化合物 スルホンイミド化合物としては、例えば、下記一般式
（６）で表される化合物を挙げることができる。

【００４９】

【化８】 〔一般式（６）において、Ｒ⁴ は一価の有機基を示し、
Ｒ⁵ は２価の有機基を示す。〕

【００５０】スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−
カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニル
マレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホ
ニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１
０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、

【００５１】Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジ
フェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、

【００５２】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
ナフチルイミド、

【００５３】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１−ナフタレ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナ
フタレンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１−ナフタレンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド、

【００５４】Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニ
ルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレ
イミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（パーフルオロオクタンスルホニルオ
キシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（パ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタン
スルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ベンゼンスル
ホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ベンゼンスル
ホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エ
ン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド
等を挙げることができる。

【００５５】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物と
しては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホ
スホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリ
ジニウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物
の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエン
スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オク
タンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム４−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼ
ンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨード
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨード
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロベ
ンゼンスルホネート、

【００５６】ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−
トルイル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）
ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨー
ドニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（３，
４−ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨー
ドニウムベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチル
フェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−
オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【００５７】４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロフェニ
ル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネー
ト、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０
−カンファースルホネート、４−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、４−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ
−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（３−ニトロフェ
ニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（３
−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨード
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３−ニトロフェ
ニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（３−
ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【００５８】４−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨー
ドニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４
−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムピレンスル
ホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムベン
ゼンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、４−メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、４−メトキシフェニル
・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンス
ルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨード
ニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−クロロ
フェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（４−クロロフェニ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、

【００５９】ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメ
チルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（４−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベン
ゼンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−ト
リフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタン
スルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（１−
ナフチル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（１
−ナフチル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（１−ナフチル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジナフチルヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムｎ−オクタンス
ルホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウム２−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（１−ナフチ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（１−ナフチル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【００６０】ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビフェ
ニレンヨードニウムピレンスルホネート、ビフェニレン
ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、ビフェニ
レンヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、２−クロロ
ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレンスルホ
ネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−クロ
ロビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００６１】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルス
ルホニウム１−ナフタレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジ
フェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニ
ルスルホニウム４−トリフルオロメタンベンゼンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００６２】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブ
トキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブト
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシル
ベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフ
ェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンス
ルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスル
ホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベ
ンゼンスルホネート、

【００６３】トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−メトキ
シフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（４
−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネー
ト、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホ
ネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウム１
０−カンファースルホネート、トリ（４−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（メトキシ
フェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムピレンスル
ホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスル
ホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイ
ルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジ（メトキシフ
ェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム１０−カンファー
スルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ−トルイル
スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（メトキシ
フェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジ（メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（メトキシフェニル）・ｐ
−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【００６４】フェニル・テトラメチレンスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムピレンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレン
スルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニル
・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラ
メチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムピレン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ
−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テ
トラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、４−
ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフル
オロベンゼンスルホネート、

【００６５】フェニル・ビフェニレンスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
フェニル・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスル
ホニウムピレンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェ
ニル・ビフェニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、フェニル・ビフェニレンスルホニウムベンゼンス
ルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、フェニル・ビフェニレンス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・ビフ
ェニレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル
・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−
フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、（４−フェニルチ
オフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、（４−フェニルチオフェニ
ル）・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、（４−フェニル
チオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエン
スルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェ
ニルスルホニウムベンゼンスルホネート、（４−フェニ
ルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム１０−カン
ファースルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・
ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４
−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４−フ
ェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００６６】４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（トリフルオロメタンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４，４’
−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ
（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビ
ス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｐ
−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニ
ルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジ（パーフルオロベンゼンスルホ
ネート）等を挙げることができる。

【００６７】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイ
ントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタ
ンスルホネート）、ピロガロールトリス（ノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート）、ピロガロールトリス（メ
タンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエ
トキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロー
ルベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ
−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイント
リフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾ
インｎ−ドデカンスルホネート等を挙げることができ
る。

【００６８】ジスルホニルジアゾメタン化合物：ジス
ルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下記一
般式（７）で表される化合物を挙げることができる。

【００６９】

【化９】 〔一般式（７）において、Ｒ⁶ およびＲ⁷ は相互に独立
にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、
ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕

【００７０】ジスルホニルジアゾメタン化合物の具体例
としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，
４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メタ
ンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、
ビス（４−ｔ−ブチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４−クロロベンゼンスルホニル）ジアゾメタ
ン、シクロヘキサンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニ
ルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル・（１，１
−ジメチルエタンスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１，１−ジメチルエタンスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１−メチルエタンスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサスピロ［５．
５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−７−スル
ホニル）ジアゾメタン等を挙げることができる。

【００７１】ジスルホニルメタン化合物：ジスルホニ
ルメタン化合物としては、例えば、下記一般式（８）で
表される化合物を挙げることができる。

【００７２】

【化１０】 〔一般式（８）において、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は相互に独立
に直鎖状もしくは分岐状の１価の脂肪族炭化水素基、シ
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヘテ
ロ原子を有する１価の他の有機基を示し、ＶおよびＷは
相互に独立にアリール基、水素原子、直鎖状もしくは分
岐状の１価の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原子を有す
る１価の他の有機基を示し、かつＶおよびＷの少なくと
も一方がアリール基であるか、あるいはＶとＷが相互に
連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する単環また
は多環を形成しているか、あるいはＶとＷが相互に連結
して下記式（９）で表される基を形成している。

【００７３】

【化１１】 （但し、Ｖ’およびＷ’は相互に同一でも異なってもよ
く、かつ複数存在するＶ’およびＷ’はそれぞれ同一で
も異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状も
しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基またはアラルキル基を示すか、あるいは同一のもし
くは異なる炭素原子に結合したＶ’とＷ’が相互に連結
して炭素単環構造を形成しており、ｍは２〜１０の整数
である。）〕

【００７４】オキシムスルホネート化合物 オキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記一
般式（１０）または一般式（１１）で表される化合物を
挙げることができる。

【００７５】

【化１２】 〔一般式（１０）において、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は互いに独
立に一価の有機基を示す。〕

【００７６】一般式（１０）において、Ｒ¹⁰の具体例と
しては、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、フェニ
ル基、トシル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロ
−ｎ−ブチル基等を挙げることができ、またＲ¹¹の具体
例としては、フェニル基、トシル基、１−ナフチル基等
を挙げることができる。

【００７７】

【化１３】 〔一般式（１１）において、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴およびＲ
¹⁵は相互に独立に一価の有機基を示す。〕

【００７８】一般式（１１）において、Ｒ¹²およびＲ¹³
の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル
基、フェニル基、トシル基、トリフルオロメチル基、ノ
ナフルオロ−ｎ−ブチル基等を挙げることができ、また
Ｒ¹⁴およびＲ¹⁵の具体例としては、フェニル基、トシル
基、１−ナフチル基等を挙げることができる。

【００７９】ヒドラジンスルホネート化合物 ヒドラジンスルホネート化合物の具体例としては、ビス
（ベンゼンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ｐ−トルエ
ンスルホニル）ヒドラジン、ビス（トリフルオロメタン
スルホニル）ヒドラジン、ビス（ノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ｎ−プロパンスル
ホニル）ヒドラジン、ベンゼンスルホニルヒドラジン、
ｐ−トルエンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタ
ンスルホニルヒドラジン、ノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホニルヒドラジン、ｎ−プロパンスルホニルヒドラジ
ン、トリフルオロメタンスルホニル・ｐ−トルエンスル
ホニルヒドラジン等を挙げることができる。

【００８０】本発明の感放射線性樹脂組成物において、
酸発生剤（Ｃ）は、単独でまたは２種以上を混合して使
用することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物に
おいて、酸発生剤（Ｃ）の使用量は、樹脂（Ｂ）１００
重量部当り、好ましくは０．１〜２０重量部、さらに好
ましくは０．５〜１５重量部である。

【００８１】−その他の成分− 本発明の感放射線性樹脂組成物には、さらに、露光によ
り酸発生剤（Ｃ）から生じた酸のレジスト被膜中におけ
る拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学
反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合するこ
とが好ましい。このような酸拡散制御剤を使用すること
により、組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストと
して解像度が向上するとともに、露光から露光後の加熱
処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジス
トパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安
定性に極めて優れたものとなる。

【００８２】酸拡散制御剤としては、レジストパターン
の形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しな
い含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機
化合物としては、例えば、下記一般式（１２）で表され
る化合物（以下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）

【００８３】

【化１４】 〔一般式（１２）において、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷は相
互に独立に水素原子、直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基
を示し、これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基およびアラルキル基は、例えば、ヒドロキシ基等
の置換基で置換されていてもよい。〕、

【００８４】同一分子内に窒素原子を２個有するジアミ
ノ化合物（以下、「含窒素化合物（II）」という。）、
窒素原子を３個以上有するジアミノ重合体（以下、「含
窒素化合物（III)」という。）、アミド基含有化合物、
ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることがで
きる。

【００８５】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン等のトリアルキルアミン類；ア
ニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミ
ン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香
族アミン類等を挙げることができる。

【００８６】含窒素化合物（II) としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２
−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２’−ビス（４
−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニ
ル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４
−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。含窒素化
合物（III)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポ
リアリルアミン、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）ア
クリルアミドの重合体等を挙げることができる。

【００８７】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物として
は、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウ
レア、１，３−ジメチルウレア、テトラメチルウレア、
１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレ
ア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物と
しては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾー
ル、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイ
ミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミ
ダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチ
ルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジ
ン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２
−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン
酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリ
ン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラ
ゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジ
ン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、
ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジ
アザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることが
できる。

【００８８】また酸拡散制御剤として、酸解離性基を有
する塩基前駆体を使用することもできる。前記塩基前駆
体の具体例としては、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）
ピペリジン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）イミダゾ
ール、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ベンズイミダゾ
ール、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）２−フェニルベ
ンズイミダゾール、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ジ
−ｎ−オクチルアミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）ジエタノールアミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）ジシクロヘキシルアミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカル
ボニル）ジフェニルアミン等を挙げることができる。

【００８９】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（Ｉ）、含窒素化合物（II）、含窒素複素環化合
物等が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２
種以上を一緒に使用することができる。酸拡散制御剤の
配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部当り、通常、１５重
量部以下、好ましくは０．００１〜１０重量部、さらに
好ましくは０．００５〜５重量部である。この場合、酸
拡散制御剤の配合量が１５重量部を超えると、レジスト
としての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。
なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１重量部未満で
あると、プロセス条件によっては、レジストとしてのパ
ターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。

【００９０】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、所望により、アルカリ可溶性樹脂を配合することが
できる。前記アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ポ
リ（４−ヒドロキシスチレン）、部分水素添加ポリ（４
−ヒドロキシスチレン）、ポリ（３−ヒドロキシスチレ
ン）、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）、４−ヒドロキ
シスチレン／３−ヒドロキシスチレン共重合体、４−ヒ
ドロキシスチレン／スチレン共重合体、ノボラック樹
脂、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸等を挙げる
ことができる。これらのアルカリ可溶性樹脂のＭｗは、
通常、１，０００−１，０００，０００、好ましくは
２，０００−１００，０００である。前記アルカリ可溶
性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。アルカリ可溶性樹脂の配合量は、樹脂
（Ｂ）１００重量部当り、好ましくは２０重量部以下で
ある。

【００９１】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、組成物の塗布性やストリエーション、レジストとし
ての現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を配合す
ることができる。このような界面活性剤としては、ポリ
オキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン
ステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェノールエー
テル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェノールエーテ
ル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレ
ングリコールジステアレート等を挙げることができ、ま
た市販品としては、例えば、エフトップＥＦ３０１、同
ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、トーケムプロダクツ
社製）、メガファックスＦ１７１、同Ｆ１７３（以上、
大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３
０、同ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム（株）製）、
アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同Ｓ
Ｃ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０
４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（以上、旭硝子（株）
製）、ＫＰ３４１（以上、信越化学工業（株）製）、ポ
リフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（以上、共栄社化学
（株）製）等を挙げることができる。前記界面活性剤
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。界面活性剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量部
当り、好ましくは２重量部以下である。

【００９２】また、好ましくはベンゾフェノン類、ロー
ズベンガル類、アントラセン類等の増感剤を配合するこ
とができる。増感剤の配合量は、樹脂（Ｂ）１００重量
部当り、好ましくは５０重量部以下である。また、染料
および／または顔料を配合することにより、露光部の潜
像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和
でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性
を改善することができる。さらに、前記以外の添加剤と
して、４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等のハレ
ーション防止剤、形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を
配合することもできる。

【００９３】−溶剤− 本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際
して、全固形分の濃度が、例えば0.１〜５０重量％、好
ましくは１〜４０重量％になるように、溶剤に均一に溶
解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターで
ろ過することにより、組成物溶液として調製される。前
記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例え
ば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピ
レングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレング
リコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエ
チルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピル
エーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテ
ル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；

【００９４】乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピ
ル、乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸ｎ−ア
ミル、ぎ酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピ
ル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチ
ル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン酸ｉ
−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ
−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；ヒドロキシ
酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸
エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メト
キシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、
３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピ
オン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メ
チル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３
−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メ
トキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢
酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他
のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類；メチルエチルケトン、２−ペンタノン、２−ヘキサ
ノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノ
ン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ−メチルホルム
アミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクン等のラク
トン類を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で
または２種以上を混合して使用することができる。

【００９５】レジストパターンの形成 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述したようにして調製された組成物
溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗
布手段によって、例えば、シリコンウェハー、アルミニ
ウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することに
より、レジスト被膜を形成し、場合により予め７０℃〜
１６０℃程度の温度で加熱処理（以下、「ＰＢ」とい
う。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露
光する。その際に使用される放射線としては、酸発生剤
（Ｃ）の種類に応じて、例えば、Ｆ₂ エキシマレーザー
（波長１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１
９３ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電
子線等の荷電粒子線を適宜選択して使用する。また、露
光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組
成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。

【００９６】本発明においては、高精度の微細パターン
を安定して形成するために、露光後に、７０〜１６０℃
の温度で３０秒以上加熱処理（以下、「ＰＥＢ」とい
う。）を行なうことが好ましい。この場合、ＰＥＢの温
度が７０℃未満であると、基板の種類による感度のばら
つきが広がるおそれがある。その後、アルカリ現像液を
用いて、通常、１０〜５０℃で１０〜２００秒、好まし
くは１５〜３０℃で１５〜１００秒、特に好ましくは２
０〜２５℃で１５〜９０秒の条件で現像することによ
り、所定のレジストパターンを形成する。

【００９７】前記アルカリ現像液としては、例えば、ア
ルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−ある
いはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはト
リ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８
−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、
１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン
等のアルカリ性化合物を、通常、１〜１０重量％、好ま
しくは１〜５重量％、特に好ましくは１〜３重量％の濃
度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例え
ばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活
性剤を適宜添加することもできる。なお、レジストパタ
ーンの形成に際しては、環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、レジスト被膜上に保護
膜を設けることもできる。

【００９８】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。

【実施例】〔アントラセン誘導体（１）の合成〕 実施例１ ９−アントラセンカルボン酸１００ｇおよびｔ−ブトキ
シカリウム５５ｇを脱水ジメチルホルムアミド５００ｇ
に溶解したのち、ブロモ酢酸ｔ−ブチル１００ｇを加
え、２３℃で２時間反応させた。その後酢酸エチル２０
０ｇを加え、水層を廃棄したのち、有機層を水で洗浄
し、溶剤を留去して、下記式（１−１）で表される化合
物１１２ｇを黄色固体として得た。この化合物を化合物
（Ａ-1）とする。

【００９９】化合物（Ａ-1）の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
および紫外吸収スペクトルをそれぞれ図１および図２に
示す。該 ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルは日本電子（株）製Ｆ
ＴＮＭＲ（溶剤：重水素化アセトン）により測定し、該
紫外吸収スペクトルは日本分光（株）製ＵＶ／ＶＩＳス
ペクトロフォトメーター（溶剤：アセトニトリル、空気
雰囲気下）により測定した。

【０１００】

【化１５】

【０１０１】実施例２ ９−アントラセンアルデヒド１００ｇを脱水テトラヒド
ロフラン５００ｇに溶解したのち、―７８℃で、濃度１
モル／リットルのｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶
液５００ｇを徐々に滴下した。その後室温で、ブロモ酢
酸ｔ−ブチル１００ｇを加え、６０℃で５時間反応させ
た。その後酢酸エチル２００ｇを加え、水層を廃棄し
て、有機層を水で洗浄し、ｎ−ヘキサンを加えて反応生
成物を再結晶させたのち、真空乾燥を行って、下記式
（１−２）で表される化合物５６ｇを黄色固体としてを
得た。この化合物を化合物（Ａ-2）とする。

【０１０２】

【化１６】

【０１０３】〔樹脂（Ｂ）の合成〕 合成例１ ４−アセトキシスチレン１０１ｇ、スチレン５ｇ、４−
ｔ−ブトキシスチレン４２ｇ、アゾビスイソブチロニト
リル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル１６０ｇに溶解し
たのち、窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して、
１６時間重合させた。その後、反応溶液を大量のｎ−ヘ
キサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次い
で、この精製樹脂に、再度プロピレングリコールモノメ
チルエーテル１５０ｇを加えたのち、さらにメタノール
３００ｇ、トリエチルアミン８０ｇおよび水１５ｇを加
えて、沸点にて還流させながら、８時間加水分解反応を
行なった。その後、溶剤およびトリエチルアミンを減圧
留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解したのち、大量
の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過し
て、減圧下５０℃で一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍ
ｗが１６，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７であり、¹³Ｃ−
ＮＭＲ分析の結果、４−ヒドロキシスチレンとスチレン
と４−ｔ−ブトキシスチレンとの共重合モル比が、７
２：５：２３であった。この樹脂を、樹脂（Ｂ-1）とす
る。

【０１０４】樹脂（Ｂ-1）および以下の合成例２〜３で
得た樹脂のＭｗおよびＭｎの測定は、東ソー（株）製Ｇ
ＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ_XL ２本、Ｇ３０００Ｈ_XL
１本、Ｇ４０００Ｈ_XL １本）を用い、流量１．０ミリ
リットル／分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温
度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とす
るゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
により測定した。

【０１０５】合成例２ ４−アセトキシスチレン１００ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル２５ｇ、スチレン１８ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解し、
窒素雰囲気下、反応温度を７０℃に保持して１６時間重
合させた。重合後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に
滴下して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、この精製
樹脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル
１５０ｇを加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、ト
リエチルアミン８０ｇおよび水１５ｇを加えて、沸点に
て還流させながら、８時間加水分解反応を行った。その
後、溶剤およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られ
た樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に滴下し
て凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０
℃で一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１１，５０
０、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結
果、４−ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルと
スチレンとの共重合モル比が、６１：１９：２０であっ
た。この樹脂を、樹脂（Ｂ-2）とする。

【０１０６】合成例３ 共重合モル比９０：１０の４−ヒドロキシスチレン／４
−ｔ−ブトキシスチレン共重合体２５ｇを、酢酸ｎ−ブ
チル１００ｇに溶解し、窒素ガスにより３０分問バブリ
ングを行ったのち、エチルビニルエーテル３．３ｇを加
え、触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩
１ｇを加えて、室温で１２時間反応させた。その後、反
応溶液を１重量％アンモニア水溶液中に滴下して、樹脂
を沈殿させたのち、ろ過し、５０℃の真空乾燥器内で一
晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１３，０００、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．０１であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸
基の水素原子の２３モル％が１−エトキシキシエチル基
で置換され、１０モル％がｔ−ブチル基で置換された構
造を有するものであった。この樹脂を、樹脂（Ｂ-3）と
する。

【０１０７】〔感放射線性樹脂組成物〕 実施例３〜９および比較例１ 表１（但し、部は重量に基づく）に示す各成分を混合し
て均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブランフ
ィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その後、
各組成物溶液をシリコンウェハー上にスピンコートした
のち、表２に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．５μｍ
のレジスト被膜を形成した。次いで、（株）ニコン製ス
テッパーNSR2205 EX12B(開口数０．５５）を用い、各組
成物の後述する最適露光量で露光したのち、表２に示す
条件でＰＥＢを行った。その後、２．３８重量％テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２３℃
で１分間、パドル法により現像したのち、純水で水洗
し、乾燥して、レジストパターンを形成した。各レジス
トの評価結果を、表３に示す。

【０１０８】ここで、各レジストの評価は、下記の要領
で実施した。 感度：シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露
光し、直ちにＰＥＢを行って、アルカリ現像したのち、
水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、
線幅０．２２μｍのライン・アンド・スペースパターン
（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露
光量とし、この最適露光量により感度を評価した。 解像度：最適露光量で露光したときに解像されるライン
・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の最小寸法を
解像度とした。 線幅変動値：膜厚０．５μｍから、−４０ｎｍ、−３０
ｎｍ、−２０ｎｍ、−１０ｎｍ、＋１０ｎｍ、＋２０ｎ
ｍ、＋３０ｎｍあるいは＋４０ｎｍだけずれた膜厚の各
レジスト被膜について、最適露光量で形成したライン・
アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の線幅を測定
し、線幅の最大値と最小値の差を線幅変動値とした。

【０１０９】表１における酸発生剤（Ｃ）、酸拡散制御
剤および溶剤は、下記のとおりである。 酸発生剤（Ｃ）： Ｃ-1：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート Ｃ-2：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムト
リフルオロメタンスルホネート Ｃ-3：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカ
ルボキシイミド Ｃ-4：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン Ｃ-5：Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スク
シンイミド

【０１１０】酸拡散制御剤： Ｄ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｄ-2：Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（２−ヒドロキシプ
ロピル）エチレンジアミン Ｄ-3：Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−フェニル
ベンズイミダゾール溶剤： Ｅ-1：乳酸エチル Ｅ-2：３−エトキシプロピオン酸エチル Ｅ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート

【０１１１】

【表１】

【０１１２】

【表２】

【０１１３】

【表３】

【０１１４】

【発明の効果】本発明によると、活性放射線、例えばＫ
ｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるい
はＦ₂ エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応す
る化学増幅型レジストに有用な感放射線性樹脂組成物の
添加剤として、放射線透過率を最適にコントロールする
ことができ、特に解像性能を損なうことなく、レジスト
被膜の膜厚の変動によるレジストパターンの線幅変化を
有効に抑えることが可能であり、また昇華性が低く、当
該組成物中の他の成分との相溶性にも優れた新規アント
ラセン誘導体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得たアントラセン誘導体（１）の ¹
Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。

【図２】実施例１で得たアントラセン誘導体（１）の紫
外吸収スペクトルを示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BG00 CC02 FA03 FA12 FA17 4H006 AA01 AB48 BJ50 BR30 KA05

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるアントラセ
   ン誘導体。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は相互に独立にヒドロキ
   シル基または炭素数１〜２０の１価の有機基を示し、複
   数存在するＲ¹ は相互に同一でも異なってもよく、ｎは
   ０〜９の整数であり、Ｘは単結合または炭素数１〜１２
   の２価の有機基を示し、Ｒ² は１価の酸解離性基を示
   す。〕
2. 【請求項２】 （Ａ）請求項１に記載のアントラセン誘
   導体、（Ｂ）アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹
   脂であり、酸の存在下でアルカリ易溶性となる樹脂、お
   よび（Ｃ）感放射性酸発生剤を含有することを特徴とす
   る感放射性樹脂組成物。