JP2003309314A - 集積光学素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価にパッケージを構成し、簡易な工程によ
り製造コストの増大を抑えつつ高位置精度と高放熱効率
とを同時に達成することを可能にする集積光学素子及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 リードフレーム１１上に少なくとも発光
素子１４がサブマウント１３を介して接着され、リード
フレーム１１に形成された凹部１１Ａに埋め込まれた半
田１２によりサブマウント１３とリードフレーム１１と
の接着がなされている集積光学素子１０を構成する。ま
た、リードフレーム１１に凹部１１Ａを形成し、この凹
部１１Ａに半田１２を供給し、サブマウント１３を半田
１２上に載置し、加熱処理により半田１２による接着を
完了させて上記集積光学素子１０を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子を少なく
とも有して成り、リードフレーム上に直接或いはサブマ
ウントを介して発光素子を接着して成る集積光学素子及
びその製造方法に係わり、光ディスク装置やレーザディ
スプレイに代表される表示装置や、光ファイバーでカッ
プリングさせる通信用装置に用いられる集積光学素子に
適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】例えばＣＤ（コンパクトディスク）、Ｍ
Ｄ（ミニディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク
又はデジタルバーサタイルディスク）等の光ディスク用
の光ディスク装置において、その光学ピックアップ等に
用いられる集積光学素子は、例えばリードフレーム上に
発光素子、受光素子、レンズ、プリズム等の光学部品が
搭載されて構成されている。

【０００３】ここで、従来のリードフレームを用いた集
積光学素子の断面図を図１３に示す。図１３に示すよう
に、例えば半導体レーザから成る発光素子５１がサブマ
ウント５２上に搭載され、このサブマウント５２がリー
ドフレーム５４に取り付けられている。尚、サブマウン
ト５２として、シリコン等の半導体デバイスが使用され
ていることもある。この半導体デバイスは、半導体レー
ザの発光強度をモニタするディテクタ機能、さらには演
算回路が作りこまれている場合が多い。さらに、図示し
ない複数のレンズ、回折格子、ＨＯＥ（ホログラフィッ
ク光学素子）が作り込まれているマルチレンズ、複数の
光学ガラスや水晶板を張り合わせることにより構成され
る複合プリズム等が実装される場合もある。

【０００４】また、リードフレーム５４は、発光素子５
１等、集積光学素子に対するパッケージの役割をしてい
る。一般的に、パッケージにはセラミックスやリードフ
レームが使用されるが、価格的な面から、現状では特殊
な場合を除いて安価なリードフレームが用いられてい
る。

【０００５】ところで、リードフレーム５４に、集積光
学素子を搭載したサブマウント５２を接着する場合に
は、リードフレーム５４とサブマウント５２とを精度良
く位置合わせする必要がある。また、リードフレーム５
４用の接着剤、例えばＡｇペーストや半田等は、加熱処
理により接着が完了するようになっているため、接着の
際に加熱処理を必要とする。

【０００６】このため、以下のようにして、リードフレ
ーム５４に集積光学素子を搭載したサブマウント５２を
接着している。まず、リードフレーム５４上の所定の位
置に、接着剤例えばＡｇペースト５３を塗布する。その
後、適当なマーク位置に基づいて、集積光学素子例えば
その発光素子５１を位置決めし、これをリードフレーム
５４上に塗布されたＡｇペースト５３の上に配置する。
さらに、加熱処理を行って、Ａｇペースト５３の接着を
完了させる。

【０００７】リードフレーム５４とサブマウント５２と
を位置合わせする装置（以下位置決め機とする）と加熱
処理を行う装置とは、別々に構成することが望ましい。
これは、位置決め機で加熱を行うと、加熱によりリード
フレームや装置に伸び等の変形を生じることにより位置
がずれたり、或いは処理に要する時間が長くなったりと
いった不具合が生じるためである。即ち位置決め機によ
り、リードフレーム５４と発光素子５１等が搭載された
サブマウント５２とを位置合わせする。その後、位置決
め機から加熱処理装置（以下加熱機とする）へ移送す
る。次に、加熱機において複数の集積光学素子を一括し
て加熱処理して、接着を完了させる。

【０００８】従来、リードフレーム５４と、発光素子５
１を搭載したサブマウント５２との接着には、通常Ａｇ
ペースト５３が用いられている。これは、Ａｇペースト
５３が未硬化状態でペースト状となっているため、その
表面張力により位置決め機から加熱機へ移送する際に発
光素子５１とリードフレーム５４との位置精度を保つこ
とができるからである。即ち図１４Ａに示すように、サ
ブマウント５２の側面からリードフレーム５４の表面に
かけてＡｇペースト５３が濡れ広がってフィレットが構
成され、このときＡｇペースト５３の表面張力により、
サブマウント５２に対して太い矢印で示す力が働くた
め、サブマウント５２を固定して発光素子５１とリード
フレーム５４との位置精度を保つことができる。尚、フ
ィレットの状態は、大気圧やＡｇペースト５３の粘度、
並びにリードフレーム５４上での濡れ性（広がり）によ
り決まる。

【０００９】一方、リードフレーム５４は、発光素子５
１や受光素子を収納する他にも、発光素子５１や受光素
子といった電気的に動作する部品から発生する熱を効率
よく逃がす放熱の役割を有する。即ち図１４Ｂに示すよ
うに、発光素子５１から発生する熱を、サブマウント５
２及びＡｇペースト５３を通じて、リードフレーム５４
へ放熱させて逃がすことができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光記録媒体
例えば光ディスクの分野においては、媒体の記録密度、
転送速度の向上のために、発光素子の高光出力化や短波
長化の要求が高まっている。このように発光素子の光出
力を高めたり、光の波長を短くしたりすることは、発光
素子の駆動電力が大きくなり、同時に発光素子からの発
熱量が大きくなることを意味する。

【００１１】即ち図１５Ａに示すように、半導体レーザ
において、その光出力−電流特性（Ｌ−Ｉ特性）は、あ
る程度の電流値（しきい値以下）までは光出力が小さ
く、それ以上の電流値では電流の増加に伴い光出力が増
大する。また、電圧−電流特性（Ｖ−Ｉ特性）は、電流
が小さいうちは電圧の増加率が大きく、電流が大きくな
ると電圧の増加率が小さくなるが、電流が大きいほど電
圧が大きくなる。ここで、図１５Ａに示す高い光出力Ｌ
ｈｉｇｈと低い光出力Ｌｌｏｗの場合を比較して考え
る。このとき、Ｌｌｏｗ＜Ｌｈｉｇｈであるから、Ｌ−
Ｉ特性より、電流についてＩｌｏｗ＜Ｉｈｉｇｈとな
る。さらに、Ｖ−Ｉ特性より、電圧についてＶｌｏｗ＜
Ｖｈｉｇｈとなる。駆動電力Ｐは、Ｐ＝Ｉ×Ｖであるこ
とから、Ｐｌｏｗ＜Ｐｈｉｇｈとなる。従って、光出力
Ｌが大きいほど駆動電力Ｐが大きくなることがわかる。

【００１２】また、波長と発光素子の一般的な駆動電圧
Ｖとの関係を図１５Ｂに示す。ＣＤやＭＤ用の波長７８
０ｎｍでは駆動電圧が１．８Ｖ、ＤＶＤ用の波長６５０
ｎｍでは駆動電圧が２．５Ｖとなっており、波長を４０
０ｎｍと短くすると駆動電圧が５．５Ｖとなる。従っ
て、波長が短いほど駆動電圧Ｖが大きくなり、図１５Ａ
から駆動電力Ｐも大きくなることがわかる。

【００１３】しかしながら、Ａｇペーストは有機接着剤
に銀粒子を分散させたものであるため、半田と比較して
熱伝導率が１桁ないし２桁小さい。即ちＡｇペースト
は、半田と比較して熱伝導性能が劣っているため、発光
素子の動作時の発熱を充分に放熱することができずに、
発光素子（半導体レーザチップ）の温度が上昇してしま
うことが考えられる。

【００１４】特に、上述のように高光出力化や短波長化
によって発熱量が大きくなるため、Ａｇペーストによっ
て接着を行う構成は、発光素子の高光出力化や短波長化
の要求に応えることが困難である。

【００１５】また、光ディスクの高記録密度化が進むこ
とによって、位置決め精度も高くすることが求められて
いる。即ち高記録密度化のために、対物レンズの開口数
ＮＡが大きくなり、いわゆる横倍率や縦倍率が高くなる
ため、発光素子の発光点の位置精度を高くする必要が生
じる。

【００１６】そして、リードフレームと発光素子を搭載
したサブマウント或いは発光素子との接着剤に半田を用
いた場合には、半田をどのような形態で供給するかとい
うことと、位置決め精度が低くなることが問題となる。
尚、上述のようにＡｇペーストにより接着した場合に
は、±５μｍ以上の精度で位置決めが可能である。

【００１７】従来、半田の形態には、糸状の半田、クリ
ーム状の半田、シート状の半田が存在する。これらは、
その形状に違いはあるものの、加熱するとリードフレー
ム上で広がることは共通しており、その広がり量は、加
熱温度と時間、そして半田の供給量によって決まる。即
ち、半田がリードフレーム上で広がってしまうため、そ
の上に位置決めして仮置きした発光素子のあおり方向、
水平、垂直方向の移動が起こる。その移動量は前述した
半田の広がり量によって決まるため、位置決め機での仮
置き精度（位置決め精度）に加え、さらに加熱時の移動
量が上乗せされる。このため、従来のＡｇペーストに比
べ位置精度が劣ってしまう。

【００１８】また、リードフレームとその他の部品とを
接着する場合に、リードフレーム上に微小な半田バンプ
を形成するものがある。このような半田バンプを形成す
る場合には、リードフレーム上にマスクをかけ、蒸着
法、めっき法、或いはスクリーン印刷法といった方法で
半田の供給が行われる。例えば蒸着法では、フォトリソ
グラフィを用いたマスキングの後に蒸着を行うといった
方法で、１μｍ程度の高位置精度を達成することが可能
である。しかしながら、この方法では、工程数が増えて
製造コストが増大する欠点を有する。例えばめっき法で
は、位置精度を確保するためのマスキングが必要となる
ため、同様にこの工程により製造コストが増大する。例
えばスクリーン印刷法では、印刷のにじみによる位置精
度の悪化（１００μｍ程度）が発生するといった欠点を
有する。

【００１９】従って、半田バンプを形成する方法は、リ
ードフレーム上に発光素子を搭載したサブマウント或い
は発光素子を接着する場合には適していないものであ
る。

【００２０】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、安価にパッケージを構成し、簡易な工程により
製造コストの増大を抑えつつ高位置精度と高放熱効率と
を同時に達成することを可能にする集積光学素子及びそ
の製造方法を提供するものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の集積光学素子
は、リードフレーム上に少なくとも発光素子が直接或い
はサブマウントを介して接着されて成り、リードフレー
ムに凹部が形成され、この凹部に埋め込まれた半田によ
り発光素子或いはサブマウントとリードフレームとの接
着がなされているものである。

【００２２】上述の本発明の集積光学素子の構成によれ
ば、リードフレームに凹部が形成され、この凹部に埋め
込まれた半田により発光素子或いはサブマウントとリー
ドフレームとの接着がなされていることにより、リード
フレームの凹部によって接着のための加熱処理における
半田の広がりを規制することができる。これにより、こ
の構成の集積光学素子を製造する際に、発光素子とリー
ドフレームとの間の位置精度を高く維持することが可能
になる。また、半田により接着されているため、Ａｇペ
ーストにより接着を行った場合と比較して、発光素子か
らの熱を効率よく放熱させることができる。

【００２３】本発明の集積光学素子は、リードフレーム
上に少なくとも発光素子が直接或いはサブマウントを介
して接着されて成り、リードフレームに貫通孔が形成さ
れ、この貫通孔の内部に埋め込まれた半田により発光素
子或いはサブマウントとリードフレームとの接着がなさ
れているものである。

【００２４】上述の本発明の集積光学素子の構成によれ
ば、リードフレームに貫通孔が形成され、この貫通孔の
内部に埋め込まれた半田により発光素子或いはサブマウ
ントとリードフレームとの接着がなされていることによ
り、リードフレームの貫通孔によって接着のための加熱
処理における半田の広がりを規制することができる。こ
れにより、この構成の集積光学素子を製造する際に、発
光素子とリードフレームとの間の位置精度を高く維持す
ることが可能になる。また、半田により接着されている
ため、Ａｇペーストにより接着を行った場合と比較し
て、発光素子からの熱を効率よく放熱させることができ
る。

【００２５】本発明の集積光学素子の製造方法は、リー
ドフレーム上に少なくとも発光素子が直接或いはサブマ
ウントを介して接着されて成る集積光学素子を製造する
際に、リードフレームに凹部を形成し、このリードフレ
ームの凹部に半田を供給し、発光素子或いは発光素子を
搭載したサブマウントを半田上に載置し、加熱処理によ
り半田による接着を完了させるものである。

【００２６】上述の本発明の集積光学素子の製造方法に
よれば、リードフレームに凹部を形成し、この凹部に半
田を供給して、その上に発光素子或いは発光素子を搭載
したサブマウントを載置して、加熱処理を行うことによ
り、加熱処理による半田の広がりをリードフレームに形
成した凹部によって規制して、発光素子或いはサブマウ
ントを載置した際の位置精度を維持することが可能にな
る。また、半田により接着を行うので、製造された集積
光学素子において、発光素子からの熱を効率よく放熱さ
せることができる。

【００２７】本発明の集積光学素子の製造方法は、リー
ドフレーム上に少なくとも発光素子が直接或いはサブマ
ウントを介して接着されて成る集積光学素子を製造する
際に、リードフレームに貫通孔を形成し、発光素子或い
は発光素子を搭載したサブマウントをリードフレーム上
に載置し、リードフレームの貫通孔に半田を供給し、加
熱処理により半田による接着を完了させるものである。

【００２８】上述の本発明の集積光学素子の製造方法に
よれば、リードフレームに貫通孔を形成し、発光素子或
いは発光素子を搭載したサブマウントをリードフレーム
上に載置し、貫通孔に半田を供給して、加熱処理を行う
ことにより、加熱処理による半田の広がりをリードフレ
ームに形成した貫通孔によって規制して、発光素子或い
はサブマウントを載置した際の位置精度を維持すること
が可能になる。また、半田により接着を行うので、製造
された集積光学素子において、発光素子からの熱を効率
よく放熱させることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明は、リードフレーム上に少
なくとも発光素子が直接或いはサブマウントを介して接
着されて成る集積光学素子であって、リードフレームに
凹部が形成され、この凹部に埋め込まれた半田により発
光素子或いはサブマウントとリードフレームとの接着が
なされている集積光学素子である。

【００３０】また本発明は、上記集積光学素子におい
て、発光素子或いはサブマウントの半田との接着面に金
属が設けられた構成とする。

【００３１】本発明は、リードフレーム上に少なくとも
発光素子が直接或いはサブマウントを介して接着されて
成る集積光学素子であって、リードフレームに貫通孔が
形成され、この貫通孔の内部に埋め込まれた半田により
発光素子或いはサブマウントとリードフレームとの接着
がなされている集積光学素子である。

【００３２】また本発明は、上記集積光学素子におい
て、発光素子或いはサブマウントの半田との接着面に金
属が設けられた構成とする。

【００３３】本発明は、リードフレーム上に少なくとも
発光素子が直接或いはサブマウントを介して接着されて
成る集積光学素子を製造する方法であって、リードフレ
ームに凹部を形成し、このリードフレームの凹部に半田
を供給し、発光素子或いは発光素子を搭載したサブマウ
ントを半田上に載置し、加熱処理により半田による接着
を完了させる集積光学素子の製造方法である。

【００３４】また本発明は、上記集積光学素子の製造方
法において、半田を凹部内に収まるように供給する。

【００３５】また本発明は、上記集積光学素子の製造方
法において、発光素子或いはサブマウントの半田との接
着面に金属を設ける。

【００３６】本発明は、リードフレーム上に少なくとも
発光素子が直接或いはサブマウントを介して接着されて
成る集積光学素子を製造する方法であって、リードフレ
ームに貫通孔を形成し、発光素子或いは発光素子を搭載
したサブマウントをリードフレーム上に載置し、リード
フレームの貫通孔に半田を供給し、加熱処理により半田
による接着を完了させる集積光学素子の製造方法であ
る。

【００３７】また本発明は、上記集積光学素子の製造方
法において、半田を発光素子とは逆側から貫通孔に供給
する。

【００３８】また本発明は、上記集積光学素子の製造方
法において、発光素子或いはサブマウントの半田との接
着面に金属を設ける。

【００３９】本発明の一実施の形態の集積光学素子の概
略構成図（断面図）を図１に示す。図１に示すように、
リードフレーム１１上に、発光素子１４を搭載したサブ
マウント１３が接着されて集積光学素子１０が構成され
ている。

【００４０】本実施の形態では、特にリードフレーム１
１とサブマウント１３との接着を半田１２により行って
おり、さらにリードフレーム１１の半田１２と接する部
分に凹部１１Ａが設けられている。

【００４１】リードフレーム１１の母材の材質には、Ｆ
ｅ，Ｃｕ等を用いることができる。Ｆｅは価格が低いと
いう利点があり、Ｃｕは熱伝導率が高いという利点があ
る。

【００４２】リードフレーム１１とサブマウント１３と
を接着する半田１２には、例えばＡｕ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂ
ｉから選ばれる少なくとも１種の金属を含む半田を用い
ることができ、またその他の組成を有する従来公知の半
田を用いることができる。

【００４３】この構成により、リードフレーム１１の凹
部１１Ａによって、加熱時の半田１２の広がりが遮断さ
れる。即ち凹凸部１１Ａが半田１２の広がりをせき止め
る堤防の役割をしている。このため、前述した半田１２
の広がりによるサブマウント１３上の発光素子１４の位
置ズレを防ぐことができ、リードフレーム１１と発光素
子１４との位置精度を保つことができる。

【００４４】また、熱伝導率の高い半田１２により、発
光素子１４が搭載されたサブマウント１３とリードフレ
ーム１１とを接着しているので、発光素子１４からの熱
が半田１２を通じてリードフレーム１１に効率よく放出
される。

【００４５】さらに、本実施の形態では、サブマウント
１３の下面即ち半田１２との接着面に金属膜１５が形成
された構成としている。この金属膜１５は、例えばＴ
ｉ、Ｎｉ、Ａｕ、を例えば蒸着法により順次被着するこ
とにより形成することができる。

【００４６】この金属膜１５は、半田１２との濡れ性を
確保するために設けているものである。濡れ性が良いと
いうことは、半田１２が金属膜１５の表面のほぼ全面に
広がることを意味し、これにより、リードフレーム１１
への放熱がなされる面の断面積を広くすることが可能と
なる。即ち放熱性能が向上することを意味する。一方、
濡れ性が高いほど、半田１２の融解時の変形、即ち表面
張力による変形が小さくなる。従って、発光素子１４或
いはサブマウント１３の接合面の垂直方向のあおり、持
ち上げといった位置ずれを低減することができ、位置精
度を確保できることにもなる。

【００４７】金属膜１５は、リードフレーム１１の凹部
１１Ａより大きくして、金属膜１５が凹部１１Ａ全体を
覆い隠すようにすることが好ましい。そして、金属膜１
５の面積が大きい程、半田１２との接触面積を大きくし
て放射性能を向上することができる利点を有する。

【００４８】ただし、サブマウント１３の下面全体が覆
われるように金属膜１５を形成してしまうと、例えばウ
エハから切断して多数のサブマウント１３を作製する際
に、金属膜１５があることによってウエハの切断が難し
くなる。従って、図１のようにサブマウント１３の下面
よりも小さくなるように金属膜１５を形成するか、或い
は図示しないがウエハを切断してサブマウント１３にし
た後にその下面に金属膜１５を形成する。

【００４９】ここで、図１の集積光学素子１０における
発光素子１４からの熱の流れ（熱流）を模式的に図２に
示す。図中矢印で示すように、発光素子１４からサブマ
ウント１３、金属膜１５、並びに半田１２を通じてリー
ドフレーム１１へ向かう熱流を生じる。サブマウント１
３とリードフレーム１１の凹部１１Ａとの隙間が半田１
２で埋め尽くされているため、サブマウント１３の接着
面に設けられた金属膜（電極）１５のサイズとほぼ等し
い断面積で熱流が確保される。即ち凹部１１Ａを設けた
ことによるリードフレーム１１とサブマウント１３との
接合面積の低下を、半田１２で補っていることがわか
る。

【００５０】ここで、Ａｇペーストの熱伝導率は３Ｗ／
（ｍ・Ｋ）、スズ半田の熱伝導率は４９Ｗ／（ｍ・Ｋ）
（東レリサーチセンター；高密度実装の最新動向９９、
第３章）である。従って、上述のように半田１２を接着
に用いることにより、熱伝導率が高くなり、放熱特性が
改善される。さらに、最終的な放熱特性は、放熱経路に
おける各材料の熱伝導率、経路の長さ、断面積で決定さ
れる、即ち、 熱伝導率×経路の長さ／断面積 である。

【００５１】このうち、断面積はサブマウント１３の接
着面に形成された電極即ち金属膜１５のサイズとほぼ等
しく、経路の長さは半田１２の供給量でほぼ制御され
る。従って、半田１２の供給量を適切に設定すること
で、サブマウント１３の浮きを発生せず、かつリードフ
レーム１１の凹部１１Ａに隙間を空けず半田１２で埋め
尽くすことが可能になる。

【００５２】尚、リードフレーム１１の表面に、図示し
ないがＡｕ（金）等によりメタライズ加工を施しておく
ことにより、半田１２の濡れ性を向上させることがで
き、隙間の発生を抑制し、同時にサブマウント１３の浮
き（半田１２の表面張力による持ち上がり）を抑制する
ことができる。同様な理由から、金属膜１５は、少なく
ともその半田１２との接着面側をＡｕやＡｌとすること
が好ましい。

【００５３】図１に示した集積光学素子１０は、例えば
次のようにして製造することができる。まず、図３Ａ及
び図３Ｂに示すように、予めプレス加工等により１つの
凹部１１Ａを形成しておいたリードフレーム１１を用意
する。

【００５４】次に、凹部１１Ａが形成されたリードフレ
ーム１１をホルダ（図示せず）に装着する。その後、図
４Ａに示すように、位置合わせ基準を用いて、リードフ
レーム１１の凹部１１Ａに半田１２を供給する。このと
き、後の加熱処理工程における半田１２の広がりを制御
しやすくするために、半田１２が凹部１１Ａから（水平
方向に）はみ出さず、凹部１１Ａ内におさまるように供
給することが望ましい。

【００５５】この半田１２の供給や、後述するサブマウ
ント１３とリードフレーム１１との位置合わせにおい
て、位置合わせ基準としては、リードフレーム１１の外
端、モールドの壁面、或いはリードフレーム上に別途設
けた孔を利用することができる。このうちリードフレー
ム１１に孔を設ける場合には、凹部１１Ａと同時に型で
プレスすることにより孔を形成すれば、位置精度が向上
し好ましい。

【００５６】このとき、前述したように、半田１２の供
給量を適切な量に設定する。例えばシート状の半田１２
で供給する場合には、例えばシートの厚さ及び面積、或
いは面積及び質量を管理することで、半田１２の供給量
を設定し、一定量の半田１２を供給することが可能にな
る。例えば糸状の半田１２で供給する場合には、例えば
半田送り量と、こて温度で管理することが可能である。
例えばクリーム状半田１２で供給する場合には、ディス
ペンサの圧力や時間、ニードル径、クリーム状半田の粘
度で管理することが可能である。

【００５７】続いて、上述した半田１２の供給工程と同
一の位置合わせ基準、又は別途設けた位置合わせ基準を
用いて、リードフレーム１１の凹部１１Ａに対する発光
素子１４及びサブマウント１３の位置合わせを行う。こ
のとき、予め発光素子１４及びサブマウント１５にも、
位置合わせ基準となるマーカーを設けておくことが望ま
しい。また、予めサブマウント１３上に発光素子１４を
搭載する際に、これらの位置合わせと接着を行っておく
ことが好ましい。そして、図４Ａの矢印に示すように、
発光素子１４が搭載され、下面に金属膜１５が形成され
たサブマウント１３を、リードフレーム１１の凹部１１
Ａ内の半田１２に押し付けて仮置きする。これにより、
図４Ｂに示すように半田１２と金属膜１５とを接触させ
る。

【００５８】次に、加熱処理工程即ちいわゆるアロイ工
程を行う。このアロイ工程で、供給された半田１２は溶
融し、リードフレーム１１上に広がっていくが、凹部１
１Ａが形成されているため、直ちにはリードフレーム１
１の上面へは広がらない。そして、半田１２が融点に達
すると、図４Ｃに示すように、リードフレーム１１の表
面に対する濡れ性により凹部１１Ａ内全体に広がると共
に、サブマウント１３の下面の金属膜１５の表面でも内
側から外側に向かって広がっていく。このとき、半田１
２の供給量を適切に設定してあれば、その後、リードフ
レーム１１の上面に半田１２が広がる。さらに、半田１
２が金属膜１５の表面をリードフレーム１１の凹部１１
Ａから外に広がり、リードフレーム１１と金属膜１５と
の隙間に侵入して、やがて図４Ｄに示すように金属膜１
５の表面全体に広がる。

【００５９】このような過程を経て半田１２が広がるた
め、半田１２の広がりが一旦凹部１１Ａで止められる形
となるため、アロイ工程における半田１２の広がりによ
るサブマウント１３の位置ズレが低減できることとな
る。即ち実効的な半田１２の厚さを薄くできることにな
る。

【００６０】このアロイ工程においては、サブマウント
１３の仮置き工程が終了した状態の部材を、個々に処理
してもよいし、多数一括して処理してもよい。アロイ工
程の効率を考慮すると、仮置き工程が終了した部材を多
数一括して処理することが望ましい。

【００６１】そして、アロイ工程において部材を個々に
処理する場合には、サブマウント１３の浮きをより確実
に防ぐために、発光素子１４或いはサブマウント１３と
の接着面とは逆側即ちサブマウント１３の上方からコレ
ットで押す等の手法により荷重を加える、或いはチャッ
キングといった保持手段を用いることも可能である。

【００６２】尚、図４Ａ〜図４Ｄでは、半田１２の挙動
をわかりやすくするために、厚さ方向を強調して示して
いる。

【００６３】また、図４Ａの状態の平面図を図５Ａに示
し、図４Ｂの状態の平面図を図５Ｂに示す。図５Ａに示
すように、リードフレーム１１の凹部１１内に半田１２
が供給される。その後、半田１２の上方にサブマウント
１３が載置されて、図５Ｂに示すように、サブマウント
１３及びその上の発光素子１４が位置決めされる。尚、
図４Ｃ及び図４Ｄの状態の平面図は図５Ｂと同じであ
る。

【００６４】尚、図１〜図５において、リードフレーム
１１の凹部１１Ａの開口端を直角にしているが、開口端
を鈍角にすればプレス加工がより容易になり、リードフ
レーム１１が変形しにくくなる。

【００６５】また、このリードフレーム１１上に発光素
子１４が配置された集積光学素子を封止する場合には、
リードフレーム１１に凹部１１Ａを形成する工程の前又
は後に、例えばエポキシ樹脂のモールドを金型に流し込
むといった加工が可能である。

【００６６】上述の本実施の形態の集積光学素子１０に
よれば、リードフレーム１１に凹部１１Ａを形成し、こ
の凹部１１Ａ内に埋め込まれた半田１２によって、発光
素子１４が搭載されたサブマウント１３とリードフレー
ム１１との接着がなされている。これにより、半田１２
がＡｇペーストよりも熱伝導性が良好であるため、接着
部における熱抵抗を低減することができる。従って、集
積光学素子１０の使用時において、発光素子１４からの
発熱を、サブマウント１３及び半田１２を通じて、効率
よくリードフレーム１１側に放熱することができる。ま
た、集積光学素子１０を製造する際の、加熱処理による
半田１２の広がりを、リードフレーム１１の凹部１１Ａ
により規制することができ、発光素子１４とリードフレ
ーム１１との位置精度を高く維持することが可能にな
る。

【００６７】近年、例えばＤＶＤにおいて高速書き込み
を行う場合や次世代の光ディスクでは、より短波長の４
５０ｎｍ帯の光源を使用することが望まれており、これ
により図１５に示したように半導体レーザの駆動電圧が
高くなる。

【００６８】本実施の形態の集積光学素子１０によれ
ば、接着部における熱抵抗を低減することができるた
め、このように駆動電圧が高くなった半導体レーザから
の発熱を効率よく放散させることが可能になる。また、
発光素子１４とリードフレーム１１との位置精度を高く
維持することができるため、光源の短波長化により各光
学部品の配置により高い精度が求められることに対応可
能になる。即ち、より短波長の発光素子１４を有する集
積光学素子１０を実現することが可能になる。

【００６９】また、本実施の形態の集積光学素子１０に
よれば、サブマウント１３の接着面に金属膜１５が設け
られていることにより、半田１２の金属膜１５に対する
濡れ性により、加熱処理の際に金属膜１５の表面で半田
１２が広がって、サブマウント１３とリードフレーム１
１との間の隙間に半田１２を入り込ませることができ
る。

【００７０】そして、本実施の形態によれば、リードフ
レーム１１に凹部１１Ａを形成しておいて、この凹部１
１Ａに半田１２を供給すればよいため、サブマウントに
半田バンプを形成してリードフレームと接続する場合と
比較して、簡易な工程でかつ製造コストの増大を抑えて
安価に製造することができる。

【００７１】尚、上述した本実施の形態では、リードフ
レーム１１に１つの凹部１１Ａを設けたが、リードフレ
ームに複数の凹部を設けることも可能であり、さらに半
田付けに用いられない凹部を形成してもよい。例えば図
６Ａ及び図６Ｂに示すように、リードフレーム１１に４
つの矩形状の凹部１１Ｂを設けることも可能である。
尚、図６Ｂは図６ＡのＡ−Ａにおける断面図を示してい
る。このようにリードフレーム１１に複数の凹部１１Ｂ
を設けて、その間のリードフレーム１１を壁部として残
すことにより、接着面におけるリードフレーム１１の面
積割合を大きくすることができ、リードフレーム１１の
方が半田１２より熱伝導率が大きいため、放熱効率をよ
り高めることができる。

【００７２】尚、このようにリードフレームに凹部を複
数形成する場合には、リードフレームの加工性や各凹部
の位置精度、工程に要する時間の点から、同一の型でプ
レス加工することにより一括して複数の凹部を形成する
ことが望ましい。

【００７３】また、上述の実施の形態では、凹部１１
Ａ、１１Ｂが長方形であったが、本発明においてリード
フレームに形成される凹部の形状は特に限定されない。

【００７４】次に、本発明の集積光学素子の他の実施の
形態の概略構成図（断面図）を図７示す。本実施の形態
では、リードフレームに貫通孔を形成した場合である。

【００７５】図７に示すように、リードフレーム２１上
に、発光素子１４を搭載したサブマウント１３が半田２
２により接着されて集積光学素子２０が構成されてい
る。本実施の形態では、特にリードフレーム２１の半田
２２と接する部分に貫通孔２１Ａが設けられている。ま
た、先の実施の形態と同様に、サブマウント１３の下面
に金属膜１５が形成されている。尚、リードフレーム２
１の貫通孔２１Ａの間に壁状に残った部分２１Ｂは、図
示しない所で貫通孔２１Ａの外側の部分と繋がってい
る。

【００７６】本実施の形態においても、金属膜１５をリ
ードフレーム２１の貫通孔２１Ａが形成された部分より
大きくして、金属膜１５が全ての貫通孔２１Ａ全体を覆
い隠すようにすることが好ましい。そして、金属膜１５
の面積が大きい程、半田２２との接触面積を大きくして
放射性能を向上することができる。

【００７７】本実施の形態の集積光学素子２０では、例
えば図８Ａ〜図８Ｃに示すように、貫通孔２１Ａを４つ
形成したリードフレーム２１を用いる。図８Ｂは図８Ａ
のＢ−Ｂにおける断面図である。図８Ｃは図８ＡのＣ−
Ｃにおける断面図であり、図７の断面図はこの図８Ｃと
同様の断面となっている。リードフレーム２１が残った
十字形の部分２１Ｂの周囲に、４つの貫通孔２１Ａが形
成されている。十字形の部分２１Ｂは、図８Ａの横方向
（リードフレーム２１の長手方向）では幅が広くて薄く
なっており、縦方向では幅が狭くて厚くなっている。こ
のような十字形の部分２１Ｂは、リードフレーム２１を
貫通する孔を形成する加工と、リードフレーム２１の厚
さ方向の途中までの凹部を形成する加工とを併用する、
或いはこのような貫通孔２１Ａの形状に対応した型を用
いてプレス加工することにより形成することができる。

【００７８】このようにリードフレーム２１に複数、こ
の場合は４つの貫通孔２１Ａを設けて、その間のリード
フレーム２１を残すことにより、貫通孔が１つだけの場
合と比較して接着面におけるリードフレーム２１の面積
割合を大きくすることができる。そして、リードフレー
ム２１の方が半田２２より熱伝導率が大きいため、放熱
効率をより高めることができる。

【００７９】その他の構成は、先の実施の形態と同様で
あるので、同一符号を付して重複説明を省略する。

【００８０】本実施の形態の集積光学素子２０は、この
ような構成により、リードフレーム２１の貫通孔２１Ａ
によって、加熱時の半田２２の広がりが遮断される。即
ち貫通孔２１Ａが半田２２の広がりをせき止める堤防の
役割をしている。このため、前述した半田２２の広がり
によるサブマウント１３上の発光素子１４の位置ズレを
防ぐことができ、リードフレーム２１と発光素子１４と
の位置精度を保つことができる。

【００８１】また、熱伝導率の高い半田２２により、発
光素子１４が搭載されたサブマウント１３とリードフレ
ーム２１とを接着しているので、発光素子１４からの熱
が半田２２を通じてリードフレーム２１に効率よく放出
される。さらに、金属膜１５に対する半田２２の濡れ性
が良いため、金属膜１５の表面で半田２２を広げて、半
田２２との接触面積を大きくすることができ、これによ
り発光素子１４からの熱をより一層リードフレーム２１
側に放熱しやすくすることができる。

【００８２】また、図７の集積光学素子２０における発
光素子１４からの熱の流れ（熱流）を模式的に図９に示
す。図中矢印で示すように、発光素子１４からサブマウ
ント１３、金属膜１５、並びに半田２２を通じてリード
フレーム２１へ向かう熱流を生じる。そして、サブマウ
ント１３とリードフレーム２１の貫通孔２１Ａ及び十字
形の部分２１Ｂとの隙間が半田２２で埋め尽くされるた
め、サブマウント１３の接着面に設けられた金属膜（電
極）１５のサイズとほぼ等しい断面積で熱流が確保され
る。即ち貫通孔２１Ａを設けたことによるリードフレー
ム２１とサブマウント１３との接合面積の低下を、半田
２２で補うことができる。

【００８３】本実施の形態の集積光学素子２０でも、放
熱特性に影響する放熱の経路の長さは半田２２の供給量
で制御されるので、半田２２の供給量を適切に設定する
ことにより、サブマウント１３の浮きを発生せず、かつ
リードフレーム２１の貫通孔２１Ａに隙間を開けず半田
２２で埋め尽くすことが可能になる。

【００８４】また、本実施の形態では、リードフレーム
２１に貫通孔２１Ａが設けられているため、この貫通孔
２１Ａを、サブマウント１３やその他の部品配置のマー
カー（位置合わせ基準）として併用することができる点
で優れている。さらに、貫通孔２１Ａの開口を矩形とし
ているため、その外周の線を認識することで、Ｘ，Ｙ，
θの基準として用いることができる。尚、貫通孔２１Ａ
を矩形以外の開口形状としても、開口に対称性を持たせ
ることにより、同様にＸ，Ｙ，θの基準とすることがで
きる。

【００８５】図７に示した集積光学素子２０は、例えば
次のようにして製造することができる。本実施の形態で
は、先の実施の形態とは異なり、先にサブマウント１３
等をリードフレーム２１上に仮置きした後、半田２２を
供給した方が好ましい。この工程順が入れ替わっている
ことを除き、図４及び図５に示した先の実施の形態の製
造工程と同様の製造工程で製造することができる。以
下、先の実施の形態の集積光学素子１０の製造工程と異
なる工程について、主に説明する。まず、図１０Ａに示
すように、先に図８Ａ〜図８Ｃに示した４つの貫通孔２
１Ａが形成されたリードフレーム２１を用意する。

【００８６】次に、貫通孔２１Ａが形成されたリードフ
レーム２１をホルダ（図示せず）に装着する。その後、
図１０Ｂの矢印に示すように、例えば４つの矩形の貫通
孔２１Ａを位置合わせ基準として用いて、リードフレー
ム２１の貫通孔２１Ａに対する発光素子１４及びサブマ
ウント１３の位置合わせを行う。尚、本実施の形態の場
合も、予めサブマウント１３上に発光素子１４を搭載す
る際に、これらの位置合わせと接着を行っておくことが
好ましい。

【００８７】そして、図１０Ｃに示すように、発光素子
１４が搭載され、下面に金属膜１５が形成されたサブマ
ウント１３を、リードフレーム２１の貫通孔２１Ａ上に
仮置きする。

【００８８】この仮置き工程では、例えばコレットを用
いて吸着させることにより、サブマウント１３を移載し
てリードフレーム２１上に着地させ、その自重或いは別
途用意した重りを用いて荷重を加える。そうすることで
サブマウント１３の位置ズレを防ぐことができる。

【００８９】次に、コレット等によりサブマウント１３
に荷重を加えて押えたままの状態で、リードフレーム２
１の貫通孔２１Ａの下側、即ち発光素子１４及びサブマ
ウント１３とは反対の側から、半田２２を供給する。こ
のようにサブマウント１３に荷重が加わっているため、
この半田２２の供給工程におけるサブマウント１３の位
置ズレを防ぐことができる。

【００９０】尚、半田２２には、前述したように糸状の
半田、シート状の半田、クリーム状の半田があるが、本
実施の形態の場合には、クリーム状の半田２２が使い勝
手がよい。また、前述した実施の形態のように、半田２
２の供給量を適切に設定する。

【００９１】続いて、アロイ工程を行うことにより、供
給された半田２２は融解し、リードフレーム２１上に広
がっていくが、貫通孔２１Ａが形成されているため、直
ちにはリードフレーム２１の上面へは広がらない。半田
２２が融点に達すると、半田２２はリードフレーム２１
表面との濡れ性により貫通孔２１Ａ内全体に広がると共
に、サブマウント１３の下面の金属膜１５の表面でも内
側から外側に向かって広がっていく。このとき、半田２
２の供給量を適切に設定してあれば、その後、リードフ
レーム１１の上面に半田２２が広がる。さらに、半田２
２が金属膜１５の表面をリードフレーム２１の貫通孔２
１Ａから外に広がり、リードフレーム２１と金属膜１５
との隙間に侵入して、やがて金属膜１５の表面全体に広
がる。

【００９２】このような過程を経て半田２２が広がるた
め、半田２２の広がりが一旦凹部１１Ａで止められる形
となるため、アロイ工程における半田２２の広がりによ
る差アブマウント１３の位置ズレが低減できることとな
る。

【００９３】尚、貫通孔２１Ａ内全体に半田２２が広が
るため、気密性が同時に確保されることから、貫通孔２
１Ａを設けたことによる封止性の低下は発生しない。

【００９４】また、図１０Ａの状態の平面図を図１１Ａ
に示し、図１０Ｂの状態の平面図を図１１Ｂに示す。図
１１Ａに示すように、リードフレーム２１に４つの貫通
孔２１Ａが形成されている。その後、図１１Ｂに示すよ
うに、リードフレーム２１の上方において、サブマウン
ト１３及びその上の発光素子１４が位置決めされる。
尚、図１０Ｃ〜図１０Ｅの状態の平面図は図１１Ｂと同
じである。

【００９５】上述の本実施の形態の集積光学素子２０に
よれば、リードフレーム２１に貫通孔２１Ａを形成し、
この貫通孔２１Ａ内に埋め込まれた半田２２によって、
発光素子１４が搭載されたサブマウント１３とリードフ
レーム２１との接着がなされていることにより、接着部
における熱抵抗を低減することができるため、光源が短
波長となり駆動電圧が高くなった発光素子１４からの発
熱を効率よくリードフレーム２１側に放熱させることが
可能になる。また、集積光学素子２０を製造する際の、
加熱処理による半田２２の広がりを、リードフレーム２
１の貫通孔２１Ａにより規制することができ、発光素子
１４とリードフレーム２１との位置精度を高く維持する
ことが可能になるため、光源の短波長化により各光学部
品の配置により高い精度が求められることに対応可能に
なる。即ち、本実施の形態によっても、より短波長の発
光素子１４を有する集積光学素子２０を実現することが
可能になる。

【００９６】また、本実施の形態の集積光学素子２０に
よれば、サブマウント１３の接着面に金属膜１５が設け
られていることにより、サブマウント１３とリードフレ
ーム２１との間の隙間に半田２２を入り込ませることが
できる。

【００９７】そして、本実施の形態によれば、リードフ
レーム２１に貫通孔２１Ａを形成しておいて、この凹部
２１Ａに半田２２を供給すればよいため、簡易な工程で
かつ製造コストの増大を抑えて安価に製造することがで
きる。

【００９８】尚、本実施の形態では、貫通孔２１Ａが長
方形で４つ形成されていたが、本発明においてリードフ
レームに形成される貫通孔の形状や数は特に限定されな
い。

【００９９】また、図７の集積光学素子２１を用いた機
能素子として、複合集積光学素子の一形態の概略断面図
を図１２に示す。本形態は、光ディスクピックアップに
用いられている複合集積光学素子に適用した場合を示し
ている。この複合集積光学素子３０は、発光素子１４を
搭載したサブマウント１３を含む図７の集積光学素子２
０、ミラープリズム３１、受光素子（ＰＤＩＣ）３２、
複数のレンズ・回折格子・ＨＯＥ（ホログラフィック素
子）を一体としたマルチレンズ３４、ガラスや水晶を複
数張り合わせることで構成された複合プリズム３５（３
５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ，３５Ｅ，３５Ｆ）から
構成されている。マルチレンズ３４は、一般にはプラス
チックモールド成形で作製され、図中３３で示すモール
ド材によりリードフレーム２１に取り付けられる。

【０１００】この場合、受光素子（ＰＤＩＣ）３２につ
いても、本発明に係る集積光学素子の製造方法を応用し
て、リードフレーム２１に貫通孔や凹部を形成しておい
て半田２２でリードフレーム２１に接着するようにして
もよい。

【０１０１】この複合集積光学素子３０では、発光素子
１４から出射されたレーザ光がミラープリズム３１で反
射されて上方に出射され、被照射体例えば光記録媒体に
照射される。また、被照射体で反射して戻った光を複合
プリズム３５の各プリズムの界面で反射や分離させるこ
とにより、受光素子（ＰＤＩＣ）３２のそれぞれ別の場
所で受光検出するようになっている。そして、本発明に
係る集積光学素子２０がリードフレーム２１に形成され
ているので、集積光学素子２０の発光素子１４及びリー
ドフレーム２１が高い位置精度を有しているため、他の
部品即ちミラープリズム３１、受光素子（ＰＤＩＣ）３
２、マルチレンズ３４、並びに複合プリズム３５に対し
ても、高い位置精度で発光素子１４を配置することがで
きる。

【０１０２】尚、上述の各実施の形態では、発光素子１
４をサブマウント１３を介して半田１２，２２によりリ
ードフレーム１１，２１に接着した構成であったが、発
光素子のチップの構成によってはリードフレームに直接
発光素子を半田により接着することも可能である。その
場合、金属は発光素子（のチップ）の下面に設ける。

【０１０３】また、上述の各実施の形態では、サブマウ
ント１３の下面の金属膜１５が、リードフレーム１１の
凹部１１Ａ全体又はリードフレーム２１の貫通孔２１Ａ
全体を覆い隠す構成としているが、本発明においては、
発光素子或いはサブマウントのリードフレームとの接着
面に設けられた金属は、必ずしもリードフレームの凹部
や貫通孔の全体を覆い隠さなくてもよい。そして、例え
ばリードフレームの凹部や貫通孔を、溝状に一部金属よ
りも外側にはみ出させて形成することも可能であり、こ
のように積極的に外側にはみ出させることにより、放熱
能力をより向上させたり、余剰の半田を外に逃がしたり
することも可能になる。また、このような金属より外側
へのはみ出しの有無に係わらず、接着面に設けた金属の
総面積を、リードフレームに凹部や貫通孔が形成されて
いる部分の総面積よりも広くすれば、半田との接触面積
を凹部や貫通孔が形成されている部分の面積より広くし
て放熱性能を向上できる効果を有する。

【０１０４】さらに、上述の各実施の形態では、サブマ
ウント１３の下面に金属膜１５を蒸着法等により形成し
ているが、例えばサブマウント１３の下面に別途形成し
た金属を取り付けることも可能である。

【０１０５】また、上述の各実施の形態では、半田１
２，２２を溶融する加熱処理工程を、アロイ工程、即ち
アロイ炉により全体加熱を行う工程として説明してい
る。本発明においては、半田を溶融する加熱処理は、全
体加熱に限定されず、例えば微小なヒータを接触させる
方法や、ランプやレーザからの光（赤外光、紫外光、可
視光）の照射による光吸収を利用する方法等の局所加熱
であってもよい。全体加熱は、温度制御が簡便であり、
半田の溶融がムラ無く均一にしやすい利点を有する。局
所加熱は、熱に弱い部品を保護することができる利点を
有する。

【０１０６】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。

【０１０７】

【発明の効果】上述の本発明によれば、リードフレーム
との接着部における熱抵抗を低減して、発光素子からの
熱をリードフレーム側に効率よく放熱させることが可能
となる。また、リードフレームに形成された凹部や貫通
孔により、熱処理による半田の広がりを制御することが
でき、これにより発光素子やサブマウントとリードフレ
ームとにおいて高い位置精度を維持することが可能であ
る。そして、予めリードフレームに凹部や貫通孔を形成
する加工を行っておいて、半田により接着するため、簡
易な製造工程により集積光学素子を製造できると共に、
製造コストの増大を抑制することができる。

【０１０８】従って、本発明により、安価にパッケージ
を構成し、簡易な工程により製造コストの増大を抑えつ
つ、高い位置精度と高い放熱効率とを同時に達成するこ
とができる。特に、発光素子の光源の短波長化により、
発熱量の増大や各光学部品の位置精度が厳しくなるが、
本発明によりこれらに対応することが可能になることか
ら、より短波長の光源を有する発光素子を備えた集積光
学素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の集積光学素子の概略構
成図（断面図）である。

【図２】図１の集積光学素子における放熱を説明する図
である。

【図３】Ａ、Ｂ 図１の集積光学素子に用いるリードフ
レームを示す図である。

【図４】Ａ〜Ｄ 図１の集積光学素子の製造工程を示す
工程図である。

【図５】Ａ 図４Ａの状態における平面図である。 Ｂ 図４Ｂの状態における平面図である。

【図６】Ａ、Ｂ リードフレームに複数の凹部を設けた
場合を示す図である。

【図７】本発明の他の実施の形態の集積光学素子の概略
構成図（断面図）である。

【図８】Ａ〜Ｃ 図７の集積光学素子に用いるリードフ
レームを示す図である。

【図９】図７の集積光学素子における放熱を説明する図
である。

【図１０】Ａ〜Ｅ 図７の集積光学素子の製造工程を示
す工程図である。

【図１１】Ａ 図１０Ａの状態における平面図である。 Ｂ 図１０Ｂの状態における平面図である。

【図１２】図７の集積光学素子を用いて構成した複合集
積光学素子の一形態を示す概略断面図である。

【図１３】従来のリードフレーム上に発光素子を搭載し
たサブマウントを接着した状態を示す図である。

【図１４】Ａ Ａｇペーストからサブマウントに働く力
を示す図である。 Ｂ 発光素子からの熱が放熱する状態を示す図である。

【図１５】Ａ 発光素子の光出力及び電圧と電流との関
係を示す図である。 Ｂ 発光素子の波長と駆動電圧との関係を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０，２０ 集積光学素子、１１，２１ リードフレー
ム、１１Ａ，１１Ｂ 凹部、１２，２２ 半田、１３
サブマウント、１４ 発光素子、２１Ａ 貫通孔

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレーム上に、少なくとも発光素
   子が直接或いはサブマウントを介して接着されて成る集
   積光学素子であって、 上記リードフレームに凹部が形成され、 上記凹部に埋め込まれた半田により、上記発光素子或い
   は上記サブマウントと上記リードフレームとの接着がな
   されていることを特徴とする集積光学素子。
2. 【請求項２】 上記発光素子或いはサブマウントの上記
   半田との接着面に金属が設けられていることを特徴とす
   る請求項１に記載の集積光学素子。
3. 【請求項３】 リードフレーム上に、少なくとも発光素
   子が直接或いはサブマウントを介して接着されて成る集
   積光学素子であって、 上記リードフレームに貫通孔が形成され、 上記貫通孔の内部に埋め込まれた半田により、上記発光
   素子或いは上記サブマウントと上記リードフレームとの
   接着がなされていることを特徴とする集積光学素子。
4. 【請求項４】 上記発光素子或いはサブマウントの上記
   半田との接着面に金属が設けられていることを特徴とす
   る請求項３に記載の集積光学素子。
5. 【請求項５】 リードフレーム上に、少なくとも発光素
   子が直接或いはサブマウントを介して接着されて成る集
   積光学素子を製造する方法であって、 リードフレームに凹部を形成し、 上記リードフレームの上記凹部に半田を供給し、 発光素子或いは発光素子を搭載したサブマウントを上記
   半田上に載置し、 加熱処理により上記半田による接着を完了させることを
   特徴とする集積光学素子の製造方法。
6. 【請求項６】 上記半田を上記凹部内に収まるように供
   給することを特徴とする請求項５に記載の集積光学素子
   の製造方法。
7. 【請求項７】 上記発光素子或いはサブマウントの上記
   半田との接着面に金属を設けることを特徴とする請求項
   ５に記載の集積光学素子の製造方法。
8. 【請求項８】 リードフレーム上に、少なくとも発光素
   子が直接或いはサブマウントを介して接着されて成る集
   積光学素子を製造する方法であって、 リードフレームに貫通孔を形成し、 発光素子或いは発光素子を搭載したサブマウントを上記
   リードフレーム上に載置し、 上記リードフレームの上記貫通孔に半田を供給し、 加熱処理により上記半田による接着を完了させることを
   特徴とする集積光学素子の製造方法。
9. 【請求項９】 上記半田を、上記発光素子とは逆側から
   上記貫通孔に供給することを特徴とする請求項８に記載
   の集積光学素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 上記発光素子或いはサブマウントの上
    記半田との接着面に金属を設けることを特徴とする請求
    項８に記載の集積光学素子の製造方法。