JP2003305588A - 接合材料 - Google Patents
接合材料Info
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- JP2003305588A JP2003305588A JP2002108778A JP2002108778A JP2003305588A JP 2003305588 A JP2003305588 A JP 2003305588A JP 2002108778 A JP2002108778 A JP 2002108778A JP 2002108778 A JP2002108778 A JP 2002108778A JP 2003305588 A JP2003305588 A JP 2003305588A
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- resin
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接合材料に関し、低いプロセス温度で接合す
ることが可能であり、しかも、信頼性が高い接合強度と
十分な電気伝導性及び熱伝導性が得られる接合材料を実
現しようとする。 【解決手段】 Cu粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉
末を混合してなる金属粉末が含まれてなることを特徴と
する。
ることが可能であり、しかも、信頼性が高い接合強度と
十分な電気伝導性及び熱伝導性が得られる接合材料を実
現しようとする。 【解決手段】 Cu粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉
末を混合してなる金属粉末が含まれてなることを特徴と
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
電子部品を回路基板に実装するのに用いて好結果が得ら
れる電気伝導及び熱伝導に優れた接合材料に関する。
電子部品を回路基板に実装するのに用いて好結果が得ら
れる電気伝導及び熱伝導に優れた接合材料に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、コンピュータや携帯電話などの電
子機器に於いては、半導体素子やコンデンサなど各種の
電子部品が同一回路基板上に高密度実装されて高集積化
が進められている。
子機器に於いては、半導体素子やコンデンサなど各種の
電子部品が同一回路基板上に高密度実装されて高集積化
が進められている。
【0003】それ等電子部品は、リムーブ/リペアや再
搭載など交換することを想定して回路基板に接合材料を
用いて搭載され、その接合材料には、Pb−Sn系を主
成分とする合金からなるはんだ材料が多用されている。
搭載など交換することを想定して回路基板に接合材料を
用いて搭載され、その接合材料には、Pb−Sn系を主
成分とする合金からなるはんだ材料が多用されている。
【0004】図5は従来の接合材料の用い方を説明する
為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図に於い
て、31は回路基板、32はIOピン、33はAu−S
nはんだ、34はSn−Ag或いはPb−5〔%〕Sn
はんだからなるバンプ、35はLSI、36はキャパシ
タ、37はPb−5〔%〕Snはんだをそれぞれ示して
いる。
為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図に於い
て、31は回路基板、32はIOピン、33はAu−S
nはんだ、34はSn−Ag或いはPb−5〔%〕Sn
はんだからなるバンプ、35はLSI、36はキャパシ
タ、37はPb−5〔%〕Snはんだをそれぞれ示して
いる。
【0005】ところで、Pbには複数の同位体が存在
し、それら同位体はウラン(U)、トリウム(Th)の
崩壊系列中の中間生成物、或いは、最終生成物であり、
崩壊系列にはHe原子を放出するα崩壊を伴うことか
ら、はんだ中のPbからα線を生じ、そして、そのα線
が半導体素子、主としてCMOS素子に到達してソフト
・エラーが発生している。
し、それら同位体はウラン(U)、トリウム(Th)の
崩壊系列中の中間生成物、或いは、最終生成物であり、
崩壊系列にはHe原子を放出するα崩壊を伴うことか
ら、はんだ中のPbからα線を生じ、そして、そのα線
が半導体素子、主としてCMOS素子に到達してソフト
・エラーが発生している。
【0006】また、Pbは土壌に流出すると酸性雨に依
って溶け出し、環境に悪影響を及ぼすことが判っている
ので、環境の面からもPbは使わない方がよく、従っ
て、その代替材料の出現が強く希求されている。
って溶け出し、環境に悪影響を及ぼすことが判っている
ので、環境の面からもPbは使わない方がよく、従っ
て、その代替材料の出現が強く希求されている。
【0007】そこで、近年、Pb−Sn系はんだに代わ
る材料として、接合する際の温度領域が適当であって、
放射性不純物が比較的少ない材料としてSnを主成分と
するはんだ材料が使用され始めている。
る材料として、接合する際の温度領域が適当であって、
放射性不純物が比較的少ない材料としてSnを主成分と
するはんだ材料が使用され始めている。
【0008】Sn−Pb共晶はんだに代替されるSn系
はんだ材料としては、主としてSn−Ag及びSn−A
g−Cu系(融点220〔℃〕程度)が使われる。
はんだ材料としては、主としてSn−Ag及びSn−A
g−Cu系(融点220〔℃〕程度)が使われる。
【0009】従来のPb系はんだ材料の階層接合では、
一例として、低温側でSn−Pb共晶はんだ(融点18
3〔℃〕)と高温側でPb−5〔%〕Sn(固相線温
度:305〔℃〕、液相線温度:317〔℃〕)との組
み合わせに依って接合されていた。
一例として、低温側でSn−Pb共晶はんだ(融点18
3〔℃〕)と高温側でPb−5〔%〕Sn(固相線温
度:305〔℃〕、液相線温度:317〔℃〕)との組
み合わせに依って接合されていた。
【0010】然しながら、前記したような温度階層をS
n系のPbフリーはんだに適用した場合、Sn−Agの
融点より高い温度階層で、Snを主成分とした材料では
無害性、融点の温度領域などの面で適当な合金組成のも
のは少なく、Auを主成分とした材料が多くなってしま
う。
n系のPbフリーはんだに適用した場合、Sn−Agの
融点より高い温度階層で、Snを主成分とした材料では
無害性、融点の温度領域などの面で適当な合金組成のも
のは少なく、Auを主成分とした材料が多くなってしま
う。
【0011】Auを主成分とする合金系では、融点温度
領域が高く、例えばAu−Snでは280〔℃〕、Au
−Geでは356〔℃〕、Au−Siでは370〔℃〕
であり、これ等の材料を用いて接合した場合、回路を構
成する他の部材に与える温度ダメージが大きくなる共に
Auを主成分とするので材料コストの面でも問題があ
り、しかも、Pb−Sn系のはんだ材料と比較して硬く
且つ脆い材料が多いので接合信頼性の面でも問題があ
る。
領域が高く、例えばAu−Snでは280〔℃〕、Au
−Geでは356〔℃〕、Au−Siでは370〔℃〕
であり、これ等の材料を用いて接合した場合、回路を構
成する他の部材に与える温度ダメージが大きくなる共に
Auを主成分とするので材料コストの面でも問題があ
り、しかも、Pb−Sn系のはんだ材料と比較して硬く
且つ脆い材料が多いので接合信頼性の面でも問題があ
る。
【0012】このように、Auを主成分とする合金系材
料に代わる材料として、Cu粉末−Sn−Bi粉末から
なる材料が本発明者等に依って特願2001−6132
6として提案されていて、これは、Cu粉末とSn−B
i粉末とを溶融結合したものを接着剤とともに対象物に
施して接合を行う接合材料であり、高融点Pbフリーは
んだとして有効である。
料に代わる材料として、Cu粉末−Sn−Bi粉末から
なる材料が本発明者等に依って特願2001−6132
6として提案されていて、これは、Cu粉末とSn−B
i粉末とを溶融結合したものを接着剤とともに対象物に
施して接合を行う接合材料であり、高融点Pbフリーは
んだとして有効である。
【0013】然しながら、前記提案された材料に於いて
は、Cu粉末とSn粉末と同士の接合をBiを介して行
うものである為、熱伝導性及び電気伝導性の面で改善さ
れなければならない点がある。
は、Cu粉末とSn粉末と同士の接合をBiを介して行
うものである為、熱伝導性及び電気伝導性の面で改善さ
れなければならない点がある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、低いプロ
セス温度で接合することが可能で、しかも、信頼性が高
い接合強度と十分な電気伝導性及び熱伝導性が得られる
接合材料を実現しようとする。
セス温度で接合することが可能で、しかも、信頼性が高
い接合強度と十分な電気伝導性及び熱伝導性が得られる
接合材料を実現しようとする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明に依る接合材料に
於いては、Cu粉末かNi粉末にSn粉末或いはSn−
Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなることが
基本になっている。
於いては、Cu粉末かNi粉末にSn粉末或いはSn−
Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなることが
基本になっている。
【0016】前記手段を採ることに依り、多様な温度階
層に対応できる実装が可能であると共に電気伝導性及び
熱伝導性に優れた接合材料を実現することができ、Pb
フリーはんだの接合に卓効がある。
層に対応できる実装が可能であると共に電気伝導性及び
熱伝導性に優れた接合材料を実現することができ、Pb
フリーはんだの接合に卓効がある。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明では、
Cu粉末(例えば粒度分布50〔μm〕アンダー、
平均粒径27〔μm〕)とSn粉末とSn−Zn合金粉
末(例えば粒度分布20〔μm〕アンダー、平均粒径1
8〔μm〕)からなる金属粉末 Ni粉末(例えば粒度分布50〔μm〕アンダー、
平均粒径27〔μm〕)とSn粉末とSn−Zn合金粉
末(例えば粒度分布20〔μm〕アンダー、平均粒径1
8〔μm〕)からなる金属粉末の何れかの金属粉末とエ
ポキシ系樹脂とを混合して接合材料として用いることが
基本になっている。因みに、Sn或いはZnは、Biと
比較して10倍以上も熱伝導性に優れている。
平均粒径27〔μm〕)とSn粉末とSn−Zn合金粉
末(例えば粒度分布20〔μm〕アンダー、平均粒径1
8〔μm〕)からなる金属粉末 Ni粉末(例えば粒度分布50〔μm〕アンダー、
平均粒径27〔μm〕)とSn粉末とSn−Zn合金粉
末(例えば粒度分布20〔μm〕アンダー、平均粒径1
8〔μm〕)からなる金属粉末の何れかの金属粉末とエ
ポキシ系樹脂とを混合して接合材料として用いることが
基本になっている。因みに、Sn或いはZnは、Biと
比較して10倍以上も熱伝導性に優れている。
【0018】図1は接合の前後に於ける接合部を表す要
部切断側面図であり、(A)が接合前(樹脂の熱硬化
前)、(B)が接合後(樹脂の熱硬化後)をそれぞれ示
している。
部切断側面図であり、(A)が接合前(樹脂の熱硬化
前)、(B)が接合後(樹脂の熱硬化後)をそれぞれ示
している。
【0019】図に於いて、1はCu或いはNiからなる
粉末、2はSn或いはSn−Zn合金からなる粉末、3
は熱硬化性樹脂をそれぞれ示している。尚、樹脂は熱可
塑性樹脂であっても良い。
粉末、2はSn或いはSn−Zn合金からなる粉末、3
は熱硬化性樹脂をそれぞれ示している。尚、樹脂は熱可
塑性樹脂であっても良い。
【0020】Sn−Zn合金は、Zn濃度が9〔重量
%〕の場合に198〔℃〕の共晶温度を示し、そして、
Znの濃度が0〜99〔重量%〕の範囲内(共晶点は9
〔重量%〕)では、198〔℃〕から液相を生じる為、
エポキシ系樹脂と当該金属粉末とを混合した組成物を1
98〔℃〕以上の温度に加熱すると最初にSn−Zn合
金が溶融し、その溶融したSn−ZnがCu粉末とCu
粉末との間に入って接触することでCu−Zn金属間化
合物が生成され、その後、エポキシ系樹脂の硬化が始ま
って接合が完了する。
%〕の場合に198〔℃〕の共晶温度を示し、そして、
Znの濃度が0〜99〔重量%〕の範囲内(共晶点は9
〔重量%〕)では、198〔℃〕から液相を生じる為、
エポキシ系樹脂と当該金属粉末とを混合した組成物を1
98〔℃〕以上の温度に加熱すると最初にSn−Zn合
金が溶融し、その溶融したSn−ZnがCu粉末とCu
粉末との間に入って接触することでCu−Zn金属間化
合物が生成され、その後、エポキシ系樹脂の硬化が始ま
って接合が完了する。
【0021】エポキシ系樹脂の硬化開始点をSn−Zn
の共晶温度よりも高くすることに依って、Cu粉末とS
n−Znの溶融溶着並びに金属接合→エポキシ系樹脂の
硬化の順にプロセスが進行することから、エポキシ系樹
脂の硬化が終了した時点では金属的な接続を確保しなが
ら接合部は強固に固定される。
の共晶温度よりも高くすることに依って、Cu粉末とS
n−Znの溶融溶着並びに金属接合→エポキシ系樹脂の
硬化の順にプロセスが進行することから、エポキシ系樹
脂の硬化が終了した時点では金属的な接続を確保しなが
ら接合部は強固に固定される。
【0022】図2は接合後の接合部を表すSEM(sc
anning electronmicroscop
y)に依る顕微鏡写真(A)及び接合部の拡大説明図
(B)であり、図に於いて、1はCu又はNiからなる
粉末、4はCu(又はNi)−Zn化合物、5はSn、
6は熱硬化性樹脂をそれぞれ示している。
anning electronmicroscop
y)に依る顕微鏡写真(A)及び接合部の拡大説明図
(B)であり、図に於いて、1はCu又はNiからなる
粉末、4はCu(又はNi)−Zn化合物、5はSn、
6は熱硬化性樹脂をそれぞれ示している。
【0023】図2に見られるような接合結果を得るプロ
セス中に於いて、Sn−Zn合金が溶融している場合、
溶融したCu粉末とZnとの反応がCuとSnとの反応
よりも先に進行して金属間化合物を生成し、冷却後に
は、図1(B)に見られるようなSn/Cu−Zn化合
物/Cu粉末という構成になる。
セス中に於いて、Sn−Zn合金が溶融している場合、
溶融したCu粉末とZnとの反応がCuとSnとの反応
よりも先に進行して金属間化合物を生成し、冷却後に
は、図1(B)に見られるようなSn/Cu−Zn化合
物/Cu粉末という構成になる。
【0024】これは、接合後に於いては、Sn−Zn共
晶組成は消失し、Cu−Zn金属間化合物とSnからな
る材料構成になっていることを示し、再び200〔℃〕
に加熱しても接合部は溶融しない。
晶組成は消失し、Cu−Zn金属間化合物とSnからな
る材料構成になっていることを示し、再び200〔℃〕
に加熱しても接合部は溶融しない。
【0025】本発明では、Sn−Zn合金が溶融する温
度に加熱することに依って接合後には前記材料構成とな
ることから、加熱ピーク温度が250〔℃〕である必要
はなく、特にSn−Zn合金系の場合、200〔℃〕程
度の加熱でも同様な結果を得ることができる。従って、
硬化開始点が低いエポキシ樹脂との組み合わせに依っ
て、構成部材に与える熱に起因するダメージを大幅に低
減することができる。
度に加熱することに依って接合後には前記材料構成とな
ることから、加熱ピーク温度が250〔℃〕である必要
はなく、特にSn−Zn合金系の場合、200〔℃〕程
度の加熱でも同様な結果を得ることができる。従って、
硬化開始点が低いエポキシ樹脂との組み合わせに依っ
て、構成部材に与える熱に起因するダメージを大幅に低
減することができる。
【0026】前記説明では、共晶点を基礎にして説明し
たが、本発明に係わるSn−Zn合金粉末の組成は必ず
しも共晶点(9〔重量%〕)近傍の組成に限られること
はなく、Sn−Znに含まれるZn成分が全てCu粉末
と合金を形成するZn量として0.5〔%〕以上で10
〔%〕以下が望ましい。
たが、本発明に係わるSn−Zn合金粉末の組成は必ず
しも共晶点(9〔重量%〕)近傍の組成に限られること
はなく、Sn−Znに含まれるZn成分が全てCu粉末
と合金を形成するZn量として0.5〔%〕以上で10
〔%〕以下が望ましい。
【0027】また、熱処理で形成される合金は、熱処理
中に徐々に生成されるものであるから、その組成は必ず
しも一定ではなく、濃度勾配をもつ場合もある。
中に徐々に生成されるものであるから、その組成は必ず
しも一定ではなく、濃度勾配をもつ場合もある。
【0028】他の温度階層のはんだ材料、例えばSn−
Agでは250〔℃〕ピークではんだ付けすることか
ら、結合材料の組成物に使用される熱硬化樹脂の硬化温
度としては硬化温度が250〔℃〕未満であるものが望
ましく、熱可塑性樹脂の場合は融点が250〔℃〕未満
であるものが望ましい。尚、接着強度の面からすると、
熱硬化性樹脂を用いる方が良い。
Agでは250〔℃〕ピークではんだ付けすることか
ら、結合材料の組成物に使用される熱硬化樹脂の硬化温
度としては硬化温度が250〔℃〕未満であるものが望
ましく、熱可塑性樹脂の場合は融点が250〔℃〕未満
であるものが望ましい。尚、接着強度の面からすると、
熱硬化性樹脂を用いる方が良い。
【0029】本発明で用いることができる熱硬化性樹脂
としては、エポキシ系、フェノール系、アクリル系の熱
硬化性樹脂或いは熱硬化樹脂、ポリイミド系、ポリウレ
タン系、メラミン系、ウレア系の熱硬化性樹脂或いは熱
硬化樹脂を挙げることができる。
としては、エポキシ系、フェノール系、アクリル系の熱
硬化性樹脂或いは熱硬化樹脂、ポリイミド系、ポリウレ
タン系、メラミン系、ウレア系の熱硬化性樹脂或いは熱
硬化樹脂を挙げることができる。
【0030】エポキシ熱硬化性樹脂または熱硬化樹脂と
しては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールF型エポキシ樹脂、(クレゾール)ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾ
ルシン型、テトラヒドロキシフェノルエタン型、ポリア
ルコールポリグリコール型、グリセリントリエーテル
型、ポリオレフィン型、エポキシ化大豆油、シクロペン
タジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシド
などが挙げられ、なかでもビスフェノールA型エポキシ
樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、(クレゾー
ル)ノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
しては、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールF型エポキシ樹脂、(クレゾール)ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール型、レゾ
ルシン型、テトラヒドロキシフェノルエタン型、ポリア
ルコールポリグリコール型、グリセリントリエーテル
型、ポリオレフィン型、エポキシ化大豆油、シクロペン
タジエンジオキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシド
などが挙げられ、なかでもビスフェノールA型エポキシ
樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、(クレゾー
ル)ノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【0031】また1分子中に1個以上のグリシジル基を
有する液状エポキシ化合物を用いることもでき、そのよ
うな化合物の例としては、フェノキシアルキルモノグリ
シジルエーテル、ビスフェノールA型ジグリシジルエー
テル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポ
リプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサ
ンジオールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノール
Aジグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールジグ
リシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、
N,N−ジクリシジルアニリン、N,N−ジグリシジル
トルイジン、トリメチロールプロパントリグリシジルエ
ーテル、グリセリントリグリシジルエーテル及び液状の
各種ポリシロキサンジグリシジルエーテルなどを例示す
ることができ、特にネオペンチルグルコールジグリシジ
ルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメ
チロールプロパントリグリシジルエーテルが好ましい。
有する液状エポキシ化合物を用いることもでき、そのよ
うな化合物の例としては、フェノキシアルキルモノグリ
シジルエーテル、ビスフェノールA型ジグリシジルエー
テル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポ
リプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサ
ンジオールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノール
Aジグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールジグ
リシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、
N,N−ジクリシジルアニリン、N,N−ジグリシジル
トルイジン、トリメチロールプロパントリグリシジルエ
ーテル、グリセリントリグリシジルエーテル及び液状の
各種ポリシロキサンジグリシジルエーテルなどを例示す
ることができ、特にネオペンチルグルコールジグリシジ
ルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメ
チロールプロパントリグリシジルエーテルが好ましい。
【0032】本発明で用いるエポキシ硬化剤としては、
一般的なエポキシ硬化剤を用いることができる。例え
ば、脂肪族ポリアミン系としてトリエチレンテトラミ
ン、m−キシレンジアミンなどがあり、芳香族アミン系
としてm−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルス
ルフォンなどがあり、第三級アミン系としてベンジルジ
メチルアミン、ジメチルアミノメチルフェノールなどが
あり、酸無水物系として無水フタル酸、ヘキサヒドロ無
水フタル酸などがあり、三フッ化ホウ素アミンコンプレ
ックス系としてBF3−ピペリジンコンプレックスなど
がある。また、ビスフェノールAなどのビスフェノール
化合物でも良く、ジシアンジアミド、2−エチル−4−
メチルイミダゾール、トリス(メチルアミノ)シランな
ども用いることができる。
一般的なエポキシ硬化剤を用いることができる。例え
ば、脂肪族ポリアミン系としてトリエチレンテトラミ
ン、m−キシレンジアミンなどがあり、芳香族アミン系
としてm−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルス
ルフォンなどがあり、第三級アミン系としてベンジルジ
メチルアミン、ジメチルアミノメチルフェノールなどが
あり、酸無水物系として無水フタル酸、ヘキサヒドロ無
水フタル酸などがあり、三フッ化ホウ素アミンコンプレ
ックス系としてBF3−ピペリジンコンプレックスなど
がある。また、ビスフェノールAなどのビスフェノール
化合物でも良く、ジシアンジアミド、2−エチル−4−
メチルイミダゾール、トリス(メチルアミノ)シランな
ども用いることができる。
【0033】樹脂系硬化剤としてはリノレン酸二量体と
エチレンジアミンなどから作ったポリアミド樹脂、両端
にメルカプト基を有するポリスルフィド樹脂、ノボラッ
ク系フェノール樹脂などがある。これ等は単独で用いて
も良いし、2種以上を組み合わせて用いても良い。
エチレンジアミンなどから作ったポリアミド樹脂、両端
にメルカプト基を有するポリスルフィド樹脂、ノボラッ
ク系フェノール樹脂などがある。これ等は単独で用いて
も良いし、2種以上を組み合わせて用いても良い。
【0034】硬化剤の添加量は硬化剤の種類に依って異
なり、例えば酸無水物系などのように化学量論的にグリ
シジル基と反応する場合は、エポキシ当量から最適添加
量が決められる。また、触媒的に反応する場合は、3〜
30〔重量%〕が一般的である。これ等の硬化剤の室温
での反応性が高い場合は、使用直前に開始剤を含む液を
樹脂に混合したり、硬化剤を100〔μm〕程度のゼラ
チンからなるカプセルに封入したマイクロカプセルにす
ることができる。
なり、例えば酸無水物系などのように化学量論的にグリ
シジル基と反応する場合は、エポキシ当量から最適添加
量が決められる。また、触媒的に反応する場合は、3〜
30〔重量%〕が一般的である。これ等の硬化剤の室温
での反応性が高い場合は、使用直前に開始剤を含む液を
樹脂に混合したり、硬化剤を100〔μm〕程度のゼラ
チンからなるカプセルに封入したマイクロカプセルにす
ることができる。
【0035】本発明で用いる熱可塑性樹脂としては、ど
のような熱可塑性樹脂でも使用可能であるが、特にポリ
エチレン系、ポリエステル系、ポリプロピレン系、アク
リル系であることが好ましい。
のような熱可塑性樹脂でも使用可能であるが、特にポリ
エチレン系、ポリエステル系、ポリプロピレン系、アク
リル系であることが好ましい。
【0036】また、その構造中に水素結合性の官能基を
有するものが好ましい場合もある。水素結合性をもつ官
能基としては、水酸基、アミド基、ウレア基、イミド
基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、スルホ
ン基、ケトン基などがある。
有するものが好ましい場合もある。水素結合性をもつ官
能基としては、水酸基、アミド基、ウレア基、イミド
基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、スルホ
ン基、ケトン基などがある。
【0037】このような熱可塑性樹脂としては、例え
ば、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリウレタン、ポリビニ
ルブチラール、ポリアミド、熱可塑性ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエー
テル、ポリビニルエーテル、ポリサルホン、ポリビニル
アルコール、ポリビニルホルマール、ポリ酢酸ビニル、
メタクリル樹脂、アイオノマー樹脂などが挙げられる。
ば、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリウレタン、ポリビニ
ルブチラール、ポリアミド、熱可塑性ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエー
テル、ポリビニルエーテル、ポリサルホン、ポリビニル
アルコール、ポリビニルホルマール、ポリ酢酸ビニル、
メタクリル樹脂、アイオノマー樹脂などが挙げられる。
【0038】水素結合性の官能基を有する熱可塑性樹脂
が特に優れている理由は明らかではないが金属との間で
水素結合をすることで濡れが良くなる為と考えられる。
が特に優れている理由は明らかではないが金属との間で
水素結合をすることで濡れが良くなる為と考えられる。
【0039】前記熱硬化性樹脂または熱硬化樹脂と熱可
塑性樹脂とは混用することも可能であり、また、これ等
の樹脂中には、機械的、物理的、化学的性質を改善する
為の添加物として、硬化促進剤、難燃剤、レベリング
剤、チクソ性付与剤、沈降防止剤、カップリング剤、モ
ノエポキシ化合物、顔料、消泡剤、腐食防止剤、粘着性
付与剤、繊維状或いは粒状の補強用無機質フィラーなど
各種の添加剤を用いることができる。
塑性樹脂とは混用することも可能であり、また、これ等
の樹脂中には、機械的、物理的、化学的性質を改善する
為の添加物として、硬化促進剤、難燃剤、レベリング
剤、チクソ性付与剤、沈降防止剤、カップリング剤、モ
ノエポキシ化合物、顔料、消泡剤、腐食防止剤、粘着性
付与剤、繊維状或いは粒状の補強用無機質フィラーなど
各種の添加剤を用いることができる。
【0040】樹脂については、使用時の粘度が重要なフ
ァクタとなる為、その粘度を調整する必要があり、それ
にはモノエポキシ化合物や例えばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−ピロリドン、
メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、メチルカルビ
トール、カルビトール、カルビトールアセテート、酢酸
ブチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸メチル
セロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブ等の溶媒を単独で用いるか、或いは、そ
れ等溶媒の複数の混合系を適当量混合して用いることも
でき、その場合、得られた溶液若しくはぺースト状物の
粘度は5000〜400000〔cp〕とすることがで
き、作業性の面を考慮すると20000〜70000
〔cp〕であることが好ましい。
ァクタとなる為、その粘度を調整する必要があり、それ
にはモノエポキシ化合物や例えばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−ピロリドン、
メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、メチルカルビ
トール、カルビトール、カルビトールアセテート、酢酸
ブチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸メチル
セロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブ等の溶媒を単独で用いるか、或いは、そ
れ等溶媒の複数の混合系を適当量混合して用いることも
でき、その場合、得られた溶液若しくはぺースト状物の
粘度は5000〜400000〔cp〕とすることがで
き、作業性の面を考慮すると20000〜70000
〔cp〕であることが好ましい。
【0041】また、本発明に係わる電気・熱伝導性粒子
と樹脂との混合は、各種成分をボールミル、ロールミ
ル、プラネタリーミキサ等の各種混煉機を用いて常法を
適用して例えば10〜60〔分〕間混煉することに依っ
て行い、混煉された電気・熱伝導性組成物は、スクリー
ン印刷、ディスペンサー塗布等の手段に採って塗布する
ことができる。
と樹脂との混合は、各種成分をボールミル、ロールミ
ル、プラネタリーミキサ等の各種混煉機を用いて常法を
適用して例えば10〜60〔分〕間混煉することに依っ
て行い、混煉された電気・熱伝導性組成物は、スクリー
ン印刷、ディスペンサー塗布等の手段に採って塗布する
ことができる。
【0042】前記説明した本発明に依る接合材料に於い
ては、複数種類の金属を使用する場合を例示したが、こ
れ等の金属が合金であっても、前記範囲の比較的低温で
合金を生成し得るものであれば用いることができる。
ては、複数種類の金属を使用する場合を例示したが、こ
れ等の金属が合金であっても、前記範囲の比較的低温で
合金を生成し得るものであれば用いることができる。
【0043】電気・熱伝導性粒子の形状については特に
制限はなく、球状、板状、繊維状など適宜の形状のも
の、即ち、金属フィラーと呼ばれているものを用いるこ
とができる。
制限はなく、球状、板状、繊維状など適宜の形状のも
の、即ち、金属フィラーと呼ばれているものを用いるこ
とができる。
【0044】エポキシ樹脂に対する金属粉末の混合比率
は60〜80〔重量%〕の範囲で選択するものとする。
これは、60〔重量%〕に満たない場合、金属粉末が沈
降して金属粉末同士の接合が確保できず、良好な電気的
な接続が実現できないこと、そして、90〔重量%〕を
越えた場合、混合組成物の粘度が上昇して混煉や脱泡等
の作業性が低下することになる。
は60〜80〔重量%〕の範囲で選択するものとする。
これは、60〔重量%〕に満たない場合、金属粉末が沈
降して金属粉末同士の接合が確保できず、良好な電気的
な接続が実現できないこと、そして、90〔重量%〕を
越えた場合、混合組成物の粘度が上昇して混煉や脱泡等
の作業性が低下することになる。
【0045】前記金属粉末は、フラックス成分となる樹
脂と溶剤を適宜混合してはんだペースト化することに依
り、従来のAgぺースト或いはCuぺーストと同様、例
えばプリント基板上にスクリーン印刷してから加熱する
ことで配線パターンを形成することもできる。
脂と溶剤を適宜混合してはんだペースト化することに依
り、従来のAgぺースト或いはCuぺーストと同様、例
えばプリント基板上にスクリーン印刷してから加熱する
ことで配線パターンを形成することもできる。
【0046】図3は本発明に依る接合材料の用い方を説
明する為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図に
於いて、11は回路基板、12はIOピン、13は本発
明に依る接合材料、14はSn−Agはんだからなるバ
ンプ、15はLSI、16はキャパシタ、17はSn−
Biはんだ、18は本発明に依る接合材料をそれぞれ示
している。尚、接合材料13はIOピン12の根元に施
され、衝き合わせ接続するので、表出されるのは極微量
である。
明する為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図に
於いて、11は回路基板、12はIOピン、13は本発
明に依る接合材料、14はSn−Agはんだからなるバ
ンプ、15はLSI、16はキャパシタ、17はSn−
Biはんだ、18は本発明に依る接合材料をそれぞれ示
している。尚、接合材料13はIOピン12の根元に施
され、衝き合わせ接続するので、表出されるのは極微量
である。
【0047】図3(A)は、IOピン12を回路基板1
1に取り付けるのに本発明に依る接合材料13を用いた
例を示し、図3(B)はキャパシタ16を回路基板11
に取り付けるのに本発明に依る接合材料18を用いた例
を示している。
1に取り付けるのに本発明に依る接合材料13を用いた
例を示し、図3(B)はキャパシタ16を回路基板11
に取り付けるのに本発明に依る接合材料18を用いた例
を示している。
【0048】図4も本発明に依る接合材料の用い方を説
明する為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図3
に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同
じ意味を持つものとする。
明する為の回路基板を表す要部切断側面図であり、図3
に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同
じ意味を持つものとする。
【0049】図4(A)は回路基板11にQFP(Qu
ad Flat Package)19のリード20を
取り付けるのに本発明に依る接合材料21を用いた例
を、図4(B)は回路基板1にCSP(Chip Si
ze Packge)22を実装するのに本発明に依る
接合材料からなるボール23を用いた例を示している。
ad Flat Package)19のリード20を
取り付けるのに本発明に依る接合材料21を用いた例
を、図4(B)は回路基板1にCSP(Chip Si
ze Packge)22を実装するのに本発明に依る
接合材料からなるボール23を用いた例を示している。
【0050】次に、本発明の具体的実施例及び比較例に
ついて説明する。 実施例1 50〔μm〕のCu粉末(三井金属鉱業株式会社製)と
20〔μm〕以下であるSn粉末、或いは、Sn−Zn
合金粉末(三井金属鉱業株式会社製)を表1及び表2に
示す混合比で混合、攪拌して金属粉末(金属フィラー)
とする。
ついて説明する。 実施例1 50〔μm〕のCu粉末(三井金属鉱業株式会社製)と
20〔μm〕以下であるSn粉末、或いは、Sn−Zn
合金粉末(三井金属鉱業株式会社製)を表1及び表2に
示す混合比で混合、攪拌して金属粉末(金属フィラー)
とする。
【0051】
【表1】
【0052】
【表2】
【0053】前記表1及び表2は、本来、一つに纏まっ
た表であって、表1を左側、表2を右側にして二つを結
合すれば、各試料番号に各データが全て対応する。
た表であって、表1を左側、表2を右側にして二つを結
合すれば、各試料番号に各データが全て対応する。
【0054】ビスフェノールA型エポキシ系樹脂である
EXA830LVP(大日本インキ株式会社製)を20
〜40〔重量%〕及び前記の金属フィラーを80〜60
〔重量%〕を混合攪拌し、200〔℃〕で2〔分〕の条
件で樹脂を硬化させた。
EXA830LVP(大日本インキ株式会社製)を20
〜40〔重量%〕及び前記の金属フィラーを80〜60
〔重量%〕を混合攪拌し、200〔℃〕で2〔分〕の条
件で樹脂を硬化させた。
【0055】前記各試料に於ける上下端の電気抵抗を測
定し、また、熱伝導率はレーザ・フラッシュ法に依って
直径8〔mm〕φ、厚さ3〔mm〕の試料について測定
を実施した。
定し、また、熱伝導率はレーザ・フラッシュ法に依って
直径8〔mm〕φ、厚さ3〔mm〕の試料について測定
を実施した。
【0056】次に、接合部の信頼性を評価する試料とし
て、樹脂量30〔%〕及び金属フィラー量70〔%〕の
接合材料を作製し、200〔μm〕ピッチ、100〔μ
m〕幅のパターンでプリント基板上にスクリーン印刷し
てから、ピーク温度:200〔℃〕、温度:180
〔℃〕以上で時間2〔分〕としてQFPのリフロー接合
を行った。
て、樹脂量30〔%〕及び金属フィラー量70〔%〕の
接合材料を作製し、200〔μm〕ピッチ、100〔μ
m〕幅のパターンでプリント基板上にスクリーン印刷し
てから、ピーク温度:200〔℃〕、温度:180
〔℃〕以上で時間2〔分〕としてQFPのリフロー接合
を行った。
【0057】前記のようにして作製した試料を用い、−
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
【0058】実施例2
粒度分布が50〔μm〕以下のNi粉末(三井金属鉱業
株式会社製)及び20〔μm〕以下のSn粉末、或い
は、Sn−Zn合金粉末(三井金属鉱業株式会社製)を
表1に示す混合比で混合、攪拌して金属フィラーとす
る。
株式会社製)及び20〔μm〕以下のSn粉末、或い
は、Sn−Zn合金粉末(三井金属鉱業株式会社製)を
表1に示す混合比で混合、攪拌して金属フィラーとす
る。
【0059】ビスフェノールA型エポキシ系樹脂である
EXA830LVP(大日本インキ株式会社製)を20
〜40〔重量%〕及び前記の金属フィラーを80〜60
〔重量%〕を混合攪拌し、200〔℃〕で2〔分〕の条
件で樹脂を硬化させた。
EXA830LVP(大日本インキ株式会社製)を20
〜40〔重量%〕及び前記の金属フィラーを80〜60
〔重量%〕を混合攪拌し、200〔℃〕で2〔分〕の条
件で樹脂を硬化させた。
【0060】前記各試料に於ける上下端の電気抵抗を測
定し、また、熱伝導率はレーザ・フラッシュ法に依って
直径8〔mm〕φ、厚さ3〔mm〕の試料について測定
を実施した。
定し、また、熱伝導率はレーザ・フラッシュ法に依って
直径8〔mm〕φ、厚さ3〔mm〕の試料について測定
を実施した。
【0061】次に、接合部の信頼性を評価する試料とし
て、樹脂量30〔%〕及び金属フィラー量70〔%〕の
接合材料を作製し、200〔μm〕ピッチ、100〔μ
m〕幅のパターンでプリント基板上にスクリーン印刷し
てから、ピーク温度:200〔℃〕、温度:180
〔℃〕以上で時間2〔分〕としてQFPのリフロー接合
を行った。
て、樹脂量30〔%〕及び金属フィラー量70〔%〕の
接合材料を作製し、200〔μm〕ピッチ、100〔μ
m〕幅のパターンでプリント基板上にスクリーン印刷し
てから、ピーク温度:200〔℃〕、温度:180
〔℃〕以上で時間2〔分〕としてQFPのリフロー接合
を行った。
【0062】前記のようにして作製した試料を用い、−
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
【0063】比較例
Sn−Pb共晶はんだ及びSn−Ag共晶はんだを前記
実施例と同一の形状に加工し、これ等試料の上下端の電
気抵抗を測定した。
実施例と同一の形状に加工し、これ等試料の上下端の電
気抵抗を測定した。
【0064】次に、接合部の信頼性を評価する試料とし
て、Sn−Pb共晶はんだ及びSn−Ag共晶はんだに
フラックス成分を混合しぺーストにして、200〔μ
m〕ピッチ、100〔μm〕幅のパターンにスクリーン
印刷してから、ピーク温度:230〔℃〕、温度:18
3〔℃〕以上で時間2〔分〕、及び、ピーク温度:26
0〔℃〕、温度:221〔℃〕以上で時間2〔分〕のそ
れぞれの条件でQFPのリフロー接合を行った。
て、Sn−Pb共晶はんだ及びSn−Ag共晶はんだに
フラックス成分を混合しぺーストにして、200〔μ
m〕ピッチ、100〔μm〕幅のパターンにスクリーン
印刷してから、ピーク温度:230〔℃〕、温度:18
3〔℃〕以上で時間2〔分〕、及び、ピーク温度:26
0〔℃〕、温度:221〔℃〕以上で時間2〔分〕のそ
れぞれの条件でQFPのリフロー接合を行った。
【0065】前記のようにして作製した試料を用い、−
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
55〔℃〕(30〔分〕)→←125〔℃〕(30
〔分〕)の熱サイクル試験を200サイクルまで行っ
て、各試料の電気抵抗を4端子法に依って測定した。
【0066】実施例1、実施例2、比較例に於ける各測
定結果を纏めた表1乃至表3から看取できるように、本
発明に依る接合材料に於いては、Cu粉末とSn−Zn
合金粉末かSn粉末との組み合わせ、或いは、Ni粉末
とSn−Zn粉末かSn粉末との組み合わせで、従来の
はんだ材料と同等の電気抵抗値を得ることができると共
に熱伝導特性が大幅に改善されている。
定結果を纏めた表1乃至表3から看取できるように、本
発明に依る接合材料に於いては、Cu粉末とSn−Zn
合金粉末かSn粉末との組み合わせ、或いは、Ni粉末
とSn−Zn粉末かSn粉末との組み合わせで、従来の
はんだ材料と同等の電気抵抗値を得ることができると共
に熱伝導特性が大幅に改善されている。
【0067】また、回路基板とQFPとの接合体に於け
る熱サイクル試験では、従来のはんだと同等の200サ
イクル以上の疲労寿命を確保することができた。
る熱サイクル試験では、従来のはんだと同等の200サ
イクル以上の疲労寿命を確保することができた。
【0068】更にまた、本発明の接合材料を用いてガラ
スエポキシ基板上に導体回路を形成し、その電気抵抗値
を測定したところ、表3に見られるように、従来のAg
ぺーストやCuぺーストを用いて作製した導体回路と比
較すると低い値が得られている。
スエポキシ基板上に導体回路を形成し、その電気抵抗値
を測定したところ、表3に見られるように、従来のAg
ぺーストやCuぺーストを用いて作製した導体回路と比
較すると低い値が得られている。
【0069】
【表3】
【0070】前記表3は上下2段に分かれているが、本
来、一つに纏まった表であって、上段の表の右側に下段
の表の左側を合わせて結合するとよい。
来、一つに纏まった表であって、上段の表の右側に下段
の表の左側を合わせて結合するとよい。
【0071】本発明に於いては、前記説明した実施の形
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。
【0072】(付記1)Cu粉末にSn粉末或いはSn
−Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなること
を特徴とする接合材料。(1)
−Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなること
を特徴とする接合材料。(1)
【0073】(付記2)Ni粉末にSn粉末或いはSn
−Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなること
を特徴とする接合材料。(2)
−Zn粉末を混合してなる金属粉末が含まれてなること
を特徴とする接合材料。(2)
【0074】(付記3)金属粉末が200〔℃〕以下の
加熱に依って融点が230〔℃〕以上の合金を生成する
ものであることを特徴とする(付記1)或いは(付記
2)記載の接合材料。(3)
加熱に依って融点が230〔℃〕以上の合金を生成する
ものであることを特徴とする(付記1)或いは(付記
2)記載の接合材料。(3)
【0075】(付記4)金属粉末に樹脂及び溶剤が混合
されて金属粉末導電性ペーストを成していることを特徴
とする(付記1)乃至(付記3)の何れか1記載の接合
材料。(4)
されて金属粉末導電性ペーストを成していることを特徴
とする(付記1)乃至(付記3)の何れか1記載の接合
材料。(4)
【0076】(付記5)金属粉末に硬化温度が250
〔℃〕未満である熱硬化性樹脂及び融点が250〔℃〕
未満である熱可塑性樹脂が混合されるか少なくとも一方
の樹脂が混合されてなることを特徴とする(付記1)乃
至(付記4)の何れか1記載の接合材料。(5)
〔℃〕未満である熱硬化性樹脂及び融点が250〔℃〕
未満である熱可塑性樹脂が混合されるか少なくとも一方
の樹脂が混合されてなることを特徴とする(付記1)乃
至(付記4)の何れか1記載の接合材料。(5)
【0077】(付記6)硬化温度が250〔℃〕未満で
ある熱硬化性樹脂がエポキシ系、アクリル系、フェノー
ル系から、また、融点が250〔℃〕未満である熱可塑
性樹脂がポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリエス
テルアクリル系から選択されることを特徴とする(付記
5)記載の接合材料。
ある熱硬化性樹脂がエポキシ系、アクリル系、フェノー
ル系から、また、融点が250〔℃〕未満である熱可塑
性樹脂がポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリエス
テルアクリル系から選択されることを特徴とする(付記
5)記載の接合材料。
【0078】
【発明の効果】本発明に依る接合材料に於いては、Cu
粉末かNi粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉末を混合
してなる金属粉末が含まれてなることが基本になってい
る。
粉末かNi粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉末を混合
してなる金属粉末が含まれてなることが基本になってい
る。
【0079】前記構成を採ることに依り、多様な温度階
層に対応できる実装が可能であると共に電気伝導性及び
熱伝導性に優れた接合材料を実現することができ、Pb
フリーはんだの接合に卓効がある。
層に対応できる実装が可能であると共に電気伝導性及び
熱伝導性に優れた接合材料を実現することができ、Pb
フリーはんだの接合に卓効がある。
【図1】接合の前後に於ける接合部を表す要部切断側面
図である。
図である。
【図2】接合後の接合部を表すSEMに依る顕微鏡写真
(A)並びに接合部の拡大説明図(B)である。
(A)並びに接合部の拡大説明図(B)である。
【図3】本発明に依る接合材料の用い方を説明する為の
回路基板を表す要部切断側面図である。
回路基板を表す要部切断側面図である。
【図4】本発明に依る接合材料の用い方を説明する為の
回路基板を表す要部切断側面図である。
回路基板を表す要部切断側面図である。
【図5】従来の接合材料の用い方を説明する為の回路基
板を表す要部切断側面図である。
板を表す要部切断側面図である。
1 Cu或いはNiからなる粉末
2 Sn或いはSn−Zn合金からなる粉末
3 熱硬化性樹脂
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01B 1/22 H01B 1/22 A
H05K 3/32 H05K 3/32 B
Claims (5)
- 【請求項1】Cu粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉末
を混合してなる金属粉末が含まれてなることを特徴とす
る接合材料。 - 【請求項2】Ni粉末にSn粉末或いはSn−Zn粉末
を混合してなる金属粉末が含まれてなることを特徴とす
る接合材料。 - 【請求項3】金属粉末が200〔℃〕以下の加熱に依っ
て融点が230〔℃〕以上の合金を生成するものである
ことを特徴とする請求項1或いは請求項2記載の接合材
料。 - 【請求項4】金属粉末に樹脂及び溶剤が混合されて金属
粉末導電性ペーストを成していることを特徴とする請求
項1乃至請求項3の何れか1記載の接合材料。 - 【請求項5】金属粉末に硬化温度が250〔℃〕未満で
ある熱硬化性樹脂及び融点が250〔℃〕未満である熱
可塑性樹脂が混合されるか少なくとも一方の樹脂が混合
されてなることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何
れか1記載の接合材料。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002108778A JP2003305588A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 接合材料 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003305588A true JP2003305588A (ja) | 2003-10-28 |
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008012576A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | ソルダーペースト組成物及びそれを用いたプリント配線基板への電子部品実装方法 |
| JP2009059648A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Napura:Kk | 導体パターン用導電性組成物、それを用いた電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法。 |
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