JP2003303561A

JP2003303561A - スペーサ、スペーサの製造方法および電子線装置

Info

Publication number: JP2003303561A
Application number: JP2002107719A
Authority: JP
Inventors: Koji Shimizu; 康志清水; Jun Iba; 潤伊庭; Masahiro Fushimi; 正弘伏見
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-04-10
Filing date: 2002-04-10
Publication date: 2003-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱プロセスにおけるスペーサ表面からの帯
電防止膜の膜剥がれを防止する。【解決手段】スペーサ基板７の側面２は、第１の領域
３と、第１の領域３よりも深さｈの凹部である第２の領
域４とを有し、第１の領域３および第２の領域４により
第１の凹凸５が形成されている。第１の領域３および第
２の領域４のそれぞれには表面加工がなされることによ
り、微細な凹凸形状である第２の凹凸６が形成されてい
る。帯電防止膜として、第１の領域３上および第２の領
域４上には帯電防止膜が形成されており、第２の領域４
上に形成された帯電防止膜のシート抵抗値よりも第１の
領域３上に形成された帯電防止膜のシート抵抗値のほう
が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線装置および
その応用である表示装置等の画像形成装置に適用するス
ペーサ、スペーサの製造方法および電子線装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られてい
る。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や、後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、エリンソン等によるＳｎＯ₂
薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄ
ｉｔｔｍｅｒ：”ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍ
ｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ
₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅ
ＤＣｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］や、カーボン
薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１
号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これら表面伝導型放出素子の素子構成の典
型的な例として、図１１に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ
らによる素子の平面図を示す。表面伝導型電子放出素
子は、絶縁性の基板３００１上に、一対のスパッタで形
成された金属酸化物よりなる導電性薄膜３００４と、導
電性薄膜３００４の一部に形成された、電子を放出する
電子放出部３００５とを有する。導電性薄膜３００４は
図示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。導電
性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成さ
れる。図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］、幅Ｗは、
０．１［ｍｍ］で設定されている。なお、図示の便宜か
ら、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。

【０００６】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、導電性薄膜３００４の両端に一定の直流電
圧、もしくは、例えば１［Ｖ／分］程度の非常にゆっく
りとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、
導電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしく
は変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３０
０５を形成することである。なお、局所的に破壊もしく
は変形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部に
は、亀裂が発生する。通電フォーミング後に導電性薄膜
３００４に適宜の電圧を印加した場合には、亀裂付近に
おいて電子放出が行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例は、たとえば、Ｗ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ”，ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌｅｃｔｒｏ
ｎＰｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるい
は、Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”Ｐｈｙｓｉｃａｌｐ
ｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉｌｍｆｉ
ｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔ
ｈｍｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）などが
知られている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１１に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。基板３０１０上に、絶縁層３０１３を挟ん
で、導電材料よりなるエミッタ配線３０１１およびゲー
ト電極３０１４が積層されており、ゲート電極３０１４
間に電界放出を起こさせるエミッタコーン３０１２が形
成されている。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲ
ート電極３０１４の間に適宜の電圧を印加することによ
り、エミッタコーン３０１２の先端部より電界放出を起
こさせるものである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
１のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆｔｕｎ
ｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが知
られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例の側断面
を図１２に示す。基板３０２０上に、金属よりなる下電
極３０２１、厚さ１００Å程度の薄い絶縁層３０２２、
厚さ８０〜３００Å程度の金属よりなる上電極３０２３
が順次積層して形成されている。ＭＩＭ型においては、
上電極３０２３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印
加することにより、上電極３０２３の表面より電子放出
を起こさせる。

【００１１】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
タを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構造
が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、基
板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱溶
融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒー
タの加熱により動作するため応答速度が遅いのとは異な
り、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利点も
ある。

【００１２】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において開示されるように、多数の素子を
配列して駆動するための方法が研究されている。また、
表面伝導型放出素子の応用については、たとえば、画像
表示装置、画像記録装置などの画像形成装置や、荷電ビ
ーム源、等が研究されている。

【００１４】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえば本出願人による米国特許明細書第５，０６６，８
８３号や特開平２−２５７５５１号公報や特開平４−２
８１３７号公報において開示されているように、表面伝
導型放出素子と電子ビームの照射により発光する蛍光体
とを組み合わせて用いた画像表示装置が研究されてい
る。表面伝導型放出素子と蛍光体とを組み合わせて用い
た画像表示装置は、従来の他の方式の画像表示装置より
も優れた特性が期待されている。たとえば、近年普及し
てきた液晶表示装置と比較しても、自発光型であるため
バックライトを必要としない点や、視野角が広い点が優
れていると言える。

【００１５】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえば本出願人による米国特許明細書第４，９
０４，８９５号に開示されている。また、ＦＥ型を画像
表示装置に応用した例として、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅ
ｒらにより報告された平板型表示装置が知られている
［Ｒ．Ｍｅｙｅｒ：”ＲｅｃｅｎｔＤｅｖｅｌｏｐｍ
ｅｎｔｏｎＭｉｃｒｏ−ｔｉｐｓＤｉｓｐｌａｙ
ａｔＬＥＴＩ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔｏｆ
４ｔｈＩｎｔ．ＶａｃｕｕｍＭｉｃｒｏｅｌｅ−
ｃｔｒｏｎｉｃｓＣｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐ
ｐ．６〜９（１９９１）］。

【００１６】また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装
置に応用した例は、たとえば本出願人による特開平３−
５５７３８号公報に開示されている。

【００１７】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。

【００１８】図１３は平面型の画像表示装置をなす表示
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めにパネルの一部を切り欠いて示している。リアプレー
ト３１１５、側壁３１１６、およびリアプレート３１１
５と対向して配置されているフェースプレート３１１７
により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容
器を形成している。

【００１９】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定されているが、この基板３１１１上には冷陰極素子
３１１２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。（Ｎ、Ｍは２以
上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適
宜設定される。）また、Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子３１１２
は、図１３に示すとおり、Ｍ本の行方向配線３１１３と
Ｎ本の列方向配線３１１４により配線されている。これ
ら基板３１１１、冷陰極素子３１１２、行方向配線（上
配線）３１１３および列方向配線（下配線）３１１４に
よって構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。ま
た、行方向配線３１１３と列方向配線３１１４の少なく
とも交差する部分には、両配線間に絶縁層(不図示)が形
成されており、電気的な絶縁が保たれている。

【００２０】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、育（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜３１１８をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてあ
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【００２１】Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙｎおよ
びＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方向配
線３１１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム源の
列方向配線３１１４と、Ｈｖはメタルバック３１１９と
各々電気的に接続している。

【００２２】また、上記気密容器の内部は１.３×１０
^-4［Ｐａ］程度の真空に保持されており、画像表示装置
の表示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部と外
部の気圧差によるリアプレート３１１５およびフェース
プレート３１１７の変形あるいは破壊を防止する手段が
必要となる。リアプレート３１１５およびフェースプレ
ート３１１６を厚くすることによる方法は、画像表示装
置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見たと
きに画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、図１３
においては、比較的薄いガラス板からなり大気圧を支え
るための構造支持体（スペーサあるいはリブと呼ばれ
る）３１２０が設けられている。このようにして、マル
チビーム電子源が形成された基板３１１１と蛍光膜３１
１８が形成されたフェースプレート３１１６間は通常サ
ブミリないし数ミリに保たれ、前述したように気密容器
内部は高真空に保持されている。

【００２３】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないし
Ｄｙｎを通じて各冷陰極素子３１１２に電圧を印加する
と、各冷陰極素子３１１２から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック３１１９に容器外端子Ｈｖを通じ
て数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート３１１７の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす
各色の蛍光体が励起こされて発光し、画像が表示され
る。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
画像表示装置の表示パネルにおいては、スペーサの近傍
から放出された電子の一部がスペーサに当ることによ
り、あるいは放出電子の作用でイオン化したイオンがス
ペーサに付着することにより、スペーサ帯電を引き起こ
す場合があった。このスペーサの帯電により冷陰極素子
から放出された電子はその軌道を曲げられ、蛍光体上の
正規な位置とは異なる場所に到達し、スペーサ近傍の画
像がゆがんで表示されてしまう場合があった。この問題
点を解決するために、スペーサ表面に高抵抗膜を形成
し、微小電流が流れるようにして帯電を除去する方法が
米国特許明細書第５，７６０，５３８号に開示されてい
る。また、特開平８−１８０８２１号公報や特開平１０
−１４４２０３号公報のように、スペーサ端面を高抵抗
膜よりシート抵抗の低い材料で被覆する手法もある。こ
れらの帯電原因の詳細は明らかになっていないが、スペ
ーサの容量や抵抗を実効的な増大、若しくはスペーサに
近接する電子放出素子による反射電子、スペーサ表面の
二次電子放出係数が設計上制御できていないことなどが
考えられており、特開２０００−３１１６３２号公報に
改善方法が提案されている。

【００２５】また、スペーサを搭載したパネルを作製す
る際、高温プロセスを必要とするが、スペーサ基板と高
抵抗膜材料の組み合わせによっては、加熱によって膜の
一部が剥離してしまう場合がある。

【００２６】このように、前述の方法だけでは画像の歪
みを解消し、高温プロセスに耐え得るために十分ではな
い場合があった。

【００２７】そこで、本発明は、スペーサの表面に形成
された帯電を防止する膜の剥がれが加熱プロセスを経て
も生じないスペーサおよびスペーサの製造方法を提供す
るとともに、スペーサの帯電による画像劣化が緩和さ
れ、長期間安定した良質の画像を得ることを可能とする
画像表示装置のための電子線装置を提供することを目的
とする。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のスペーサは、複数の電子放出素子を有する
電子源を備えた第１の基板と、前記第１の基板に対向す
る第２の基板とを備えた電子線装置で用いられる、前記
第１の基板と前記第２の基板とに狭持されるスペーサに
おいて、前記スペーサの基板となるスペーサ基板の表面
に、前記第１の基板のカソード面に略平行な方向に延在
して形成されている第１の凹凸と、前記第１の凹凸の凸
部である第１の領域および前記第１の凹凸の凹部である
第２の領域の少なくとも一方に、前記第１の凹凸よりも
凹凸形状が小さい第２の凹凸とを含む少なくとも２種類
以上の凹凸形状が形成されており、前記第１の凹凸上お
よび前記第２の凹凸上に、帯電を防止する帯電防止膜が
形成されていることを特徴とする。

【００２９】上記の通り構成されている本発明のスペー
サは、第１の凹凸と、第１の凹凸よりも凹凸形状が小さ
い第２の凹凸との少なくとも２種類の凹凸形状が形成さ
れ、各凹凸上に帯電防止膜が形成されているものであ
る。このようにスペーサの表面に凹凸が形成されること
で、帯電量に大きく寄与する高入射角度モードの入射電
子の入射角度を減少させることができる。また、凹凸形
状が小さい第２の凹凸は、二次電子を閉じ込める効果が
得られる。この他、スペーサの表面を凹凸形状とするこ
とで、スペーサから放出された二次電子の再突入、ある
いは第２の基板からの反射電子に対する入射角度を抑制
することができる。これらにより、スペーサの帯電を効
果的に抑制することができる。また、本発明のスペーサ
は、凹凸形状上に帯電防止膜が形成されているため、加
熱プロセス等によるスペーサ基板からの帯電防止膜の剥
がれを抑制することができる。

【００３０】また、本発明のスペーサは、帯電防止膜の
少なくとも一部のシート抵抗１０¹⁴（［Ω/□］）以下
であってもよい。

【００３１】また、本発明のスペーサは、第１の領域お
よび第２の領域にそれぞれ形成されている各帯電防止膜
のシート抵抗値が異なるものであってもよいし、第１の
領域および第２の領域のうち、シート抵抗値の低い方の
帯電防止膜が形成されている方の領域の電位が規定され
ているものであってもよい。また、第１の領域に形成さ
れた帯電防止膜よりもシート抵抗値の高い、第２の領域
に形成された帯電防止膜が、第１の領域に接触していな
いものであってもよいし、第１の領域および第２の領域
がカソード面と略平行方向に連続的に形成されているも
のであってもよい。

【００３２】さらに、本発明のスペーサは、第１の領域
および第２の領域にそれぞれ形成されている帯電防止膜
のうち、低抵抗領域のシート抵抗Ｒ_L、高抵抗領域のシ
ート抵抗Ｒ_Hが次式（１）、Ｒ_L＜０．５Ｒ_H ・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）の関係を満たすものであってもよく、特に、Ｒ_LとＲ_Hが
次式（２）、Ｒ_L＜０.１Ｒ_H ・・・・・・・・・・・・・・・・・式（２）の関係を満たすものであってもよい。

【００３３】また、本発明のスペーサは、第１の凹凸の
少なくとも一部の凹部、または凸部に取り出し配線を設
け、外部電源より所定の電位が与えられるものであって
もよい。

【００３４】また、本発明のスペーサの製造方法は、複
数の電子放出素子を有する電子源を備え、カソード面を
有する第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の
基板とを備えた電子線装置で用いられる、前記第１の基
板と前記第２の基板とに狭持される、本発明のスペーサ
の製造方法であって、前記スペーサ基板の母材を加熱延
伸する際に、前記スペーサ基板に前記第１の凹凸を形成
する工程を含むことを特徴とする。

【００３５】また、本発明のスペーサの製造方法は、第
２の凹凸をブラストにより形成する工程を含むものであ
ってもよいし、第２の凹凸をエッチングにより形成する
工程を含むものであってもよいし、さらには、第２の凹
凸を、第１の凹凸上に粗面化した粗面化膜を成膜するこ
とで形成する工程を含むものであってもよい。

【００３６】本発明の電子線装置は、複数の電子放出素
子を有する電子源を備えた第１の基板と、前記第１の基
板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板とに狭持されるスペーサとを有する電子線装置に
おいて、前記スペーサが、本発明のスペーサであること
を特徴とする。

【００３７】また、本発明の電子線装置は、複数の電子
放出素子を有する電子源を備えた第１の基板と、第１の
基板に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板
とに狭持されるスペーサとを有する電子線装置におい
て、スペーサが、本発明のスペーサの製造方法により製
造されたものであることを特徴とする。

【００３８】また、本発明の電子線装置は、各電子放出
素子が冷陰極電子放出素子であり、第２の基板が、発光
領域が形成された透明基板であり、透明基板上に画像が
形成されるものであってもよい。この場合、電子線装置
は画像表示装置として機能する。本発明の電子線装置を
用いた画像表示装置は、本発明のスペーサ、あるいは本
発明のスペーサの製造方法により製造されたスペーサを
用いるため、スペーサの帯電による問題が抑制され、良
質の画像を形成することが可能となる。

【００３９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００４０】図１に、本実施形態のスペーサの模式的な
外観斜視図を示す。

【００４１】スペーサ１は、後述する表示パネルのフェ
ースプレート１００７およびリアプレート１００５（図
３参照）の間に挟持されることで、フェースプレート１
００７とリアプレート１００５とを支持し、これらの間
の距離を確保する。スペーサ基板７の側面２は、凸部と
なる第１の領域３と、深さｈの凹部である第２の領域４
とが、それぞれリアプレート１００５に形成されている
カノード面に略平行に形成されている。これら第１の領
域３および第２の領域４により第１の凹凸５が形成さ
れ、第１の領域３および第２の領域４のそれぞれには表
面加工がなされることにより、微細な凹凸形状である第
２の凹凸６が形成されている。すなわち、スペーサ１に
は、カノード面に略平行な方向に延在する第１の凹凸５
と、第１の凹凸５よりも小さな凹凸である第２の凹凸６
との、２種類の凹凸が設けられている。なお、微細な凹
凸形状である第２の凹凸６は第１の領域３および第２の
領域４のいずれか一方にのみ形成されているものであっ
てもよい。

【００４２】また、スペーサ１の側面２には、図示しな
いが、スペーサ１の側面２が帯電するのを防止するため
の帯電防止膜が形成されている。帯電防止膜のシート抵
抗値は、帯電防止及び消費電力の観点から、１０¹⁴［Ω
/□］以下であることが好ましい。十分な帯電防止効果
を得るためには１０¹³［Ω/□］以下がさらに好まし
い。また、帯電防止膜に電流が流れることや表示パネル
全体が動作中に発熱することにより、スペーサの温度上
昇が生じる。帯電防止膜の抵抗温度係数が負の値である
と、温度上昇と電流増加により電流が電源の限界に達す
るまで増加しつづける。このような電流の熱暴走を防ぐ
ためには、スペーサ形状とスペーサに印加される電圧に
左右されるが、シート抵抗値が１０⁷［Ω/□］以上であ
ることが好ましい。また、第１の領域３のシート抵抗値
よりも第２の領域４のシート抵抗値のほうが高い方が好
ましく、第１の領域３のシート抵抗値は、第２の領域４
のシート抵抗値の、１／２、あるいは１／３で十分であ
るが、１／１０以下がより好ましい。すなわち、帯電防
止膜は、第１の領域３に形成されている低抵抗膜と、第
２の領域４に形成されている高抵抗膜とからなる。

【００４３】次に、本実施形態のスペーサ１の製造方法
について、図２を用いて説明する。

【００４４】図２は、本実施形態のスペーサ１の基板と
なるスペーサ基板７の製造法の一例を示す図である。

【００４５】まず、予め切削加工によって凹みを形成し
たガラス母材２ａを送り出し手段１０で下方に設けられ
たヒータ１１へと送り出し、ヒータ１１で加熱しなが
ら、引き出し手段１２で引き出す。そして、冷却後、切
断手段１３によりガラス母材２ａを切断することでスペ
ーサ基板７を作製する。なお、ガラス母材２ａの断面積
Ｓ２と、最終的に得ようとするスペーサ基板７の断面積
Ｓ１との断面積比Ｓ２／Ｓ１が、所望の断面積比となる
ように、第１の送り出し手段１０の送り出し速度Ｖ１、
第２の送り出し手段１２の送り出し速度Ｖ２、およびヒ
ータの加熱温度は設定される。

【００４６】この段階で、第１の領域３および第２の領
域４からなる第１の凹凸５が側面２に形成されたスペー
サ基板７が作製されたこととなる。

【００４７】なお、スペーサ基板７の作製方法は、これ
に限らず平板基板から所望の大きさに削り出して使うこ
ともできる。また、第１の凹凸５も上述した加熱延伸法
に限定されるものではなく、研削等の方法で形成される
ものであってもよい。

【００４８】第２の凹凸６の作製には、ブラスト、エッ
チング、リフトオフ、あるいは粗面化膜の成膜等が適用
できる。また、必要に応じて光学的なパターニングや機
械的なマスクを用いて形状制御することも可能である。
サンドブラストにより第２の凹凸６を形成するには、例
えば、スペーサ基板７をステージ等に固定し、炭化珪素
の微粒子研磨剤を噴出するノズルを図１に示すＡ方向に
スキャンさせながら炭化珪素の微粒子研磨剤を噴出し、
次いで、Ｂ方向に所定の送りピッチでノズルを移動さ
せ、同様にＡ方向にノズルをスキャンさせながら微粒子
研磨剤を噴出することで形成するものであってもよい。

【００４９】また、第２の凹凸６を形成する方法とし
て、酸化ケイ素や金属酸化物をバインダーマトリクス中
に分散させた微粒子分散型膜などで第１の凹凸５を形成
した基板と高抵抗膜の間に粗面化層を設けても良い。

【００５０】また、加熱延伸法によって作製された、ガ
ラス基板であるスペーサ基板７の表面は、研削等で削り
出して作製したものと比べて、基板を構成する元素組成
が異なっている。この最表面が高抵抗膜と接しないよう
な処理、例えばサンドブラスト、ウエットエッチング等
により削るか、絶縁体の膜を設けた上に高抵抗膜を成膜
することが望ましい。この処理はスペーサの仕様によっ
ては、全面に行う必要はなく、一部分だけで十分な場合
もある。

【００５１】高抵抗膜の作製手法としては、既存の帯電
防止膜の作製プロセスが適用できる。例えば、スパッタ
法、真空蒸着法、印刷法、エアゾール法、ディッピング
法等が適用できる。帯電防止膜の厚みは１０［ｎｍ］〜
１［μｍ］の範囲が好ましいが、本発明はこれに限った
ものではない。

【００５２】次に、本実施形態の電子線装置を表示パネ
ルとして用いた画像表示装置の、表示パネルの構造につ
いて図３を用いて説明する。

【００５３】リアプレート１００５と、側壁１００６
と、フェースプレート１００７とは、表示パネル１０１
の内部を真空に維持するための気密容器を形成してお
り、内部は１.３×１０^-4［Ｐａ］程度の真空に保持さ
れている。

【００５４】リアプレート１００５には基板１００１が
固定されているが、この基板１００１上には冷陰極素子
１００２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。（Ｎ、Ｍは２以
上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適
宜設定される。）また、Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子１００２
は、図３に示すとおり、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ
本の列方向配線１００４により配線されている。これら
基板１００１、冷陰極素子１００２、行方向配線（上配
線）１００３および列方向配線（下配線）１００４によ
って構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。ま
た、行方向配線１００３と列方向配線１００４の少なく
とも交差する部分には、両配線間に絶縁層(不図示)が形
成されており、電気的な絶縁が保たれている。

【００５５】フェースプレート１００７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜１００８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜１００８をな
す上記各色蛍光体の間には図４に示すような黒色導電材
１０１０が設けてあり、さらに蛍光膜１００８のリアプ
レート１００５側の面には、Ａｌ等からなるメタルバッ
ク１００９が形成されている。

【００５６】Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙｎおよ
びＨｖは、表示パネル１０１と不図示の電気回路とを電
気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子
である。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方向
配線１００３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム源
の列方向配線１００４と、Ｈｖはメタルバック１００９
と各々電気的に接続している。

【００５７】本実施形態のスペーサ１は、気密容器内部
と外部の気圧差によるリアプレート１００５およびフェ
ースプレート１００７の変形あるいは破壊を防止するた
めに、リアプレート１００５とフェースプレート１００
７との間に挟持されている。また、図５に示すように、
第２の領域４に比べて低抵抗な第１の領域３には側壁１
００６の内面に設けられた取り出し配線８がそれぞれ電
気的に接続されており、スペーサ１に、これら各取り出
し配線８を介して外部の電源より（不図示）所定の電位
が与えられる。なお、本実施形態では、凸部の第１の領
域３を低抵抗領域としているが、高抵抗膜の成膜方法、
膜材料によっては凹部となる第２の領域４が低抵抗領域
になる場合もある。この場合も図５に示す構造と同様の
電気的な接続方法が使用可能である。各取り出し配線８
は、例えば金属や金属酸化物とガラス等から構成される
導電性ペーストを用いて印刷により側壁１００６上に形
成することができる。

【００５８】以上説明した表示パネル１０１を用いた画
像表示装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１
ないしＤｙｎを通じて各冷陰極素子１００２に電圧を印
加すると、各冷陰極素子１００２から電子が放出され
る。それと同時にメタルバック１００９に容器外端子Ｈ
ｖを通じて数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加し
て、上記放出された電子を加速し、フェースプレート１
００７の内面に衝突させる。これにより、蛍光膜１００
８をなす各色の蛍光体が励起こされて発光し、画像が表
示される。

【００５９】以上説明したように、本実施形態の製造方
法により製造されるスペーサ１は、スペーサ基板７の表
面に第１の凹凸５および第２の凹凸６が形成されている
ため、スペーサ１を搭載するパネルの作製における高温
プロセスを経ても、スペーサ基板７の表面から帯電防止
膜が剥がれにくいものとなっている。また、本実施形態
のスペーサ１を用いることで、気密容器内のスペーサ１
の帯電による画像劣化を緩和し、長期間安定した良質の
画像を得ることを可能とする画像表示装置のための電子
線装置を提供することができる。

【００６０】（第２の実施形態）図６に本実施形態のス
ペーサの模式的な外観斜視図を示す。

【００６１】本実施形態のスペーサ５１は、その側面５
２に第１の領域５３および第２の領域５４を有し、第２
の領域５４がブラスト、エッチング、リフトオフ法等に
より形成された凹凸部５６であり、第１の領域５３より
も粗面となっている。なお、第１の実施形態のスペーサ
１が第１の凹凸５を有していたのに対し、本実施形態の
スペーサ５１では、この第１の凹凸５に相当する凹凸形
状が側面５２に形成されていない以外は、第１の実施形
態のスペーサ１と同様であるため、詳細の説明は省略す
る。

【００６２】本実施形態のスペーサ５１も第１の実施形
態と同様に、凹凸部５６が形成されているため、スペー
サ５１を搭載するパネルの作製における高温プロセスを
経ても、スペーサ基板７の表面から帯電防止膜が剥がれ
にくいものとなっている。また、本実施形態のスペーサ
５１を用いることで、気密容器内のスペーサ５１の帯電
による画像劣化を緩和し、長期間安定した良質の画像を
得ることを可能とする画像表示装置のための電子線装置
を提供することができる。

【００６３】

【実施例】以下に上述した実施形態のより具体的な実施
例について説明するが、本発明は以下の実施例により何
ら限定されるものではない。なお、第１の実施例、第３
の実施例〜第６の実施例は第１の実施形態についての実
施例であり、第２の実施例は第２の実施形態の実施例で
ある。よって、以下の説明では、各実施形態の説明に用
いた符号を用いて説明する。

【００６４】（第１の実施例）・スペーサ作製本実施例
では、第１の実施形態で説明した図１に示すスペーサ１
を作製した。このスペーサ１の基板となるスペーサ基板
７は、図７に示すように、高さ：Ｈ＝３［ｍｍ］、厚
み：Ｄ=０.２［ｍｍ］、長さ：Ｌ=４０［ｍｍ］のもの
である。

【００６５】また、本実施例のスペーサ基板７は、図２
で説明した加熱延伸法により作製した。本実施例で用い
たガラス母材２ａは、高さ：Ｈ=１５０［ｍｍ］、厚
み：Ｄ=１０［ｍｍ］の平板状のソーダライムガラスを
用いた。また、図２に示すように、予め切削加工によっ
て凹みを形成したガラス母材２ａの断面積Ｓ２と、最終
的に得ようとするスペーサ基板７の断面積Ｓ１との断面
積比Ｓ２／Ｓ１が、１：１／２５００となるように、ガ
ラス母材２ａの送り出し速度Ｖ１を４［μｍ／ｓｅ
ｃ］、引き出し速度Ｖ２を１０［ｍｍ／ｓｅｃ］と設定
した。この際、ヒータ１１による加熱温度は６００
［℃］とした。冷却後、上記長さ：Ｌ＝４０［ｍｍ］に
なるように切断した。切断後の断面の凹凸形状を測定し
たところ、深さｈ＝１６［μｍ］、ピッチ３０［μｍ］
の周期的な第１の凹凸５が形成されていることが確認で
きた。

【００６６】さらに、第１の凹凸５が形成されたスペー
サ基板７に対して、サンドブラスト法を用いて、第２の
凹凸６を形成した。

【００６７】上記の切断したスペーサ基板７を２０〜３
０本をステージに固定し、ノズル圧を１．９６１×１０
⁵［Ｐａ］前後で調整し、炭化珪素の微粒子研磨剤＃２
５００（平均粒子径：５〜６［μｍ］）を使用して粗面
化加工した。なお、加工領域は試料を８０［ｍｍ］スキ
ャンし、送りピッチ０．５ｍｍで動かして、全加工領域
を５０［ｍｍ］×１５０［ｍｍ］とした。このときの平
均粗さ（Ｒａ）は２８０［ｎｍ］であった。次に有機洗
浄等によりスペーサ基板７を洗浄し、スペーサ基板７と
リアプレート１００５のカソード、フェースプレート１
００７のアノードの接合部となる領域に１０［ｎｍ］厚
のＴｉ膜と２００［ｎｍ］厚のＰｔ膜をスパッタ法によ
り形成した。これにより、接合部近傍の局所的な電荷の
蓄積を抑制することが可能となる。

【００６８】なお、本実施例においては第２の凹凸６の
形成をサンドブラスト加工で行ったが、これに限らずフ
ッ酸によるウエットエッチング等によって粗面化したス
ペーサ基板７表面も同様の平均粗さ（Ｒａ）を得られ
る。また、第２の凹凸６は、画像表示内における第１の
凹凸５の少なくとも一部に形成されていても良く、第２
の凹凸６の形成部位をスペーサ１の仕様によって選択す
ることも可能である。

【００６９】次に帯電防止膜として成膜ガスの分圧比が
Ａｒ：Ｎ２＝１：２で圧力０．１５［Ｐａ］の混合ガス
雰囲気中において、ＣｒとＡｌのターゲットを高周波電
源で同時スパッタすることにより、Ｃｒ−Ａｌの窒素化
合物を成膜した。このときの膜厚は２００［ｎｍ］であ
り、第１の凹凸５における凸部のシート抵抗値、すなわ
ち、第１の領域３に形成された低抵抗膜のシート抵抗値
は１．２×１０¹¹［Ω/□］であり、一方、凹部のシー
ト抵抗値、すなわち、第２の領域４に形成された高抵抗
膜のシート抵抗値は１．２×１０¹²［Ω/□］であっ
た。

【００７０】本実施例で作製したスペーサ１のＳＥＭ写
真を図８および図９に示す。図８は、第１の凹凸５を示
す写真であり、第１の凹凸５のアウトラインを一点鎖線
で示した。図９は、第２の凹凸６を示す写真であり、図
８での第１の凹凸５の凸部である第１の領域３を拡大し
た写真である。

【００７１】次に、スペーサ１の領域別の抵抗値を測定
する。レーザー加工機によって、第１の凹凸の凸部のあ
る面積を、周囲の膜から電気的に孤立させる。この領域
に、ある間隔を空けて微細なニードルを立て、抵抗値Ｒ
_Lを測定した。同様の手法で第１の凹凸の凸部を除く領
域の抵抗値Ｒ_Hを測定した。このとき、Ｒ_L＝０．１Ｒ _H
であった。

【００７２】・表示パネル作製本実施例では、図３で示
した、スペーサ１を配置した表示パネル１０１を作製し
た。以下、この表示パネル１０１の製造方法を詳述す
る。なお、本実施例で作製した表示パネル１０１は、後
述する第２の実施例〜第６の実施例においても用いた。
ただし、後述するように第６の実施例では、側壁１００
６に取り出し配線８が設けられている（図５に示す）。

【００７３】まず、あらかじめ基板１００１上に行方向
配線１００３、列方向配線１００４、電極間絶縁層（不
図示）、および表面伝導型放出素子の素子電極と導電性
薄膜を形成した基板１００１を、リアプレート１００５
に固定した。

【００７４】次に、上述のようにして作製されたスペー
サ１を基板１００１の行方向配線１００３上に等間隔
で、行方向配線１００３と平行に固定した。その後、基
板１００１の約３［ｍｍ］上方に内面に蛍光膜１００８
とメタルバック１００９が併設されたフェースプレート
１００７を、側壁１００６を介して配置し、リアプレー
ト１００５、フェースプレート１００７、側壁１００６
及びスペーサ１の各接合部を固定した。基板１００１と
リアプレート１００５の接合部、リアプレート１００５
と側壁１００６の接合部、及びフェースプレート１００
７と側壁１００６の接合部はフリットガラス（不図示）
を塗布し、大気中で４００［℃］乃至５００［℃］で１
０分以上焼成することで封着した。また、スペーサ１
は、フェースプレート１００７側ではメタルバック１０
０９面上に、導電性のフィラーあるいは金属等の導電材
を混合した導電性フリットガラス（不図示）を介して配
置し、上記気密容器の封着と同時に、大気中で４００
［℃］乃至５００［℃］で１０分以上焼成することで封
着し、かつ電気的な接続も行った。

【００７５】なお蛍光膜１００８は、図４に示すよう
に、各色蛍光体が列方向（Ｙ方向）に延びるストライプ
形状を採用し、黒色の導電体は各色蛍光体（Ｒ、Ｇ、
Ｂ）間だけでなく、Ｙ方向の各画素間をも分離するよう
に配置されている。また、スペーサ１は、行方向（Ｘ方
向）に平行な黒色導電材１０１０（線幅３００［μ
ｍ］）内にメタルバック１００９を介して配置された。
なお、前述の封着を行う際には、各色蛍光体と基板１０
０１上に配置された各素子とを対応させなくてはならな
いため、リアプレート１００５、フェースプレート１０
０７およびスペーサ１は十分な位置合わせを行った。

【００７６】以上のようにして完成した気密容器内を排
気管（不図示）を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘｍとＤｙ１〜
Ｄｙｎを通じ、行方向配線１００３および列方向配線１
００４を介して各素子に給電して前述の通電フォーミン
グ処理と通電活性化処理を行うことによりマルチ電子ビ
ーム源を製造した。次に、１.３×１０^-4［Ｐａ］程度
の真空度で、不図示の排気管をガスバーナで熱すること
で溶着し外囲器（気密容器）の封止を行った。最後に、
封止後の真空度を維持するために、ゲッター処理を行っ
た。

【００７７】以上のようにして作製した表示パネル１０
１を用いた電子線装置の一応用例である画像表示装置に
おいて、各冷陰極素子（表面伝導型放出素子）１０１２
には、容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙｎを通
じ、走査信号及び変調信号を不図示の信号発生手段より
それぞれ印加することにより電子を放出させ、メタルバ
ック１００９には、高圧端子Ｈｖを通じて高圧を印加す
ることにより放出電子ビームを加速し、蛍光膜１００８
に電子を衝突させ、各色蛍光体（図４のＲ、Ｇ、Ｂ）を
励起・発光させることで画像を表示した。なお、高圧端
子Ｈｖへの印加電圧Ｖａは３［ｋＶ］ないし１２［ｋ
Ｖ］の範囲で放電が発生する限界電圧まで印加し、各配
線１０１３、１０１４間への印加電圧Ｖｆは１４［Ｖ］
とした。

【００７８】表示パネル１０１内のスペーサ１に近い位
置にある冷陰極素子１００２からの発光スポットも含
め、２次元上に等間隔の発光スポット列が形成され、長
時間にわたって鮮明で色再現性のよい画像表示ができ
た。これは、スペーサ１を設置しても電子軌道に影響を
及ぼすような電界の乱れが発生しなかったことを示して
いる。また、４３０［℃］までの加熱する熱プロセスに
よってもスペーサ基板７から高抵抗膜が剥がれることな
く定着していた。

【００７９】（第２の実施例）本実施例では、切削加工
を施していない母材を用いて、第１の実施例と同様の手
法で、高さ：Ｈ＝３［ｍｍ］、厚み：Ｄ=０.２［ｍ
ｍ］、長さ：Ｌ=４０［ｍｍ］の側面が平滑表面を有す
るスペーサ基板を作製し、このスペーサ基板にブラスト
加工することで、第２の実施形態で説明した図６に示す
スペーサ５１を作製した。このスペーサ基板側面に開口
部の幅０．４［μｍ］、長さ４０［ｍｍ］、０．７［μ
ｍ］ピッチのマスクを、開口部が実質的なカソード方向
と平行になるように固定し、炭化珪素の微粒子研磨剤＃
４０００により第１の実施例と同様の送り速度と吐出圧
力でブラスト加工した。

【００８０】第１の実施例と同様の方法で、第１の凹凸
の凸部領域と、それ以外の領域の抵抗値を測定したとこ
ろ、Ｒ_L＝０．５Ｒ_Hであった。

【００８１】このスペーサ５１を第１の実施例で示した
表示パネル１０１内に設置し、評価したところ、第１の
実施例と同様に２次元上に等間隔の発光スポット列が形
成され、鮮明で色再現性のよい画像表示ができた。ま
た、４３０［℃］までの加熱プロセスによっても基板と
の膜剥がれは生じなかった。

【００８２】（第３の実施例）本実施例のスペーサ１
は、第１の実施例と同様の方法で第１の凹凸５と第２の
凹凸６を作製したスペーサ基板７に、（株）高純度化学
研究所製のＳＹＭ-ＳＩ０５とＳＹＭ-ＳＮ０５を９：１
の重量比で混合し、スプレーコート装置によりスペーサ
基板７に塗布し、５００［℃］で２時間、大気中で焼成
して作製した。焼成後のスペーサ１は、第１の凹凸５の
凹部である第２の領域４の抵抗値が、凸部である第１の
領域３の抵抗値と比べて２桁低い抵抗値を示した。この
ような特性のスペーサ１を表示パネル１０１内に設置
し、評価したところ、第１の実施例と同様に２次元上に
等間隔の発光スポット列が形成され、鮮明で色再現性の
よい画像表示ができた。また、４３０［℃］までの加熱
プロセスによっても基板との膜剥がれは生じなかった。

【００８３】（第４の実施例）本実施例のスペーサ１
も、第１の実施例と同様の方法で第１の凹凸５を有する
スペーサ基板７を作製した。なお、図１あるいは図７に
示す第１の凹凸５のピッチｔと深さｈが、各々、最大値
／最小値≧５以上になる領域ができるようガラス母材７
ａを切削加工した。ピッチｔの最大値は３０［μｍ］、
最小値は４［μｍ］、深さｈの最大値は２０［μｍ］、
最小値は４［μｍ］であった。これに第１の実施例と同
様の高抵抗膜を成膜したスペーサ１を表示パネル１０１
内に設置し評価したところ、第１の実施例と同様に２次
元上に等間隔の発光スポット列が形成され、鮮明で色再
現性のよい画像表示ができた。また、４３０℃までの加
熱プロセスによっても基板からの膜剥がれは生じなかっ
た。

【００８４】（第５の実施例）第１の実施例と同様の方
法で第１の凹凸５を有するスペーサ基板７を作製し、表
面に（株）触媒化成製ＰＡＭ６０６ＥＰ溶液にディッピ
ング処理を施し、オーブンにて２７０［℃］で加熱焼成
してスペーサ１を作製した。このとき微粒子膜の平均粗
さRaが４５０［Å］、膜厚が約２００［Å］となるよう
にした。さらに第１の実施例と同様にスパッタによって
高抵抗膜を成膜した。このスペーサ１を第１の実施例で
示した表示パネル１０１内に設置し評価したところ、第
１の実施例と同様に２次元上に等間隔の発光スポット列
が形成され、鮮明で色再現性のよい画像表示ができた。
また、４３０［℃］までの加熱プロセスによっても基板
からの膜剥がれは生じなかった。

【００８５】（第６の実施例）第１の実施例と同様の方
法で作製したスペーサ１を、図４に示す取り出し配線８
が無い以外は第１の実施例と同様の表示装置に設置し
た。実施例１と同様の方法で作製したスペーサ１を、図
５に示す取り出し配線８を設けた。

【００８６】図５に示すように各低抵抗部３と取り出し
配線８がそれぞれ電気的に接続されており、外部の電源
により（不図示）所定の電位が与えられる。図５では凸
部が低抵抗領域であるが、高抵抗膜の成膜方法、膜材料
によっては凹部が低抵抗領域になる場合もある。この場
合も本実施例と同様の電気的な接続方法が使用可能であ
る。各取り出し配線は、例えば金属や金属酸化物とガラ
ス等から構成される導電性ペーストを用いて印刷により
支持枠上に形成することができる。発光スポット列を評
価したところ、鮮明で色再現性のよい画像表示ができ
た。また、４３０［℃］までの加熱プロセスによって基
板からの膜剥がれは生じなかった。

【００８７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の凹
凸と、第１の凹凸よりも凹凸形状が小さい第２の凹凸と
の少なくとも２種類の凹凸形状が形成され、各凹凸上に
帯電防止膜が形成されている。このため、スペーサの帯
電を効果的に抑制することができるとともに、高温プロ
セスを経ることによる基板からの膜剥がれを抑制し、膜
材料の選択肢を広げることを可能にするものである。そ
して、これらの効果を得ることができるスペーサを用い
ることで、スペーサの帯電による画像劣化を緩和し、長
期間安定した良質の画像を得ることを可能とする画像表
示装置のための電子線装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のスペーサの模式的な
外観斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態におけるスペーサ基板
製造法の一例を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施形態における画像形成装置
の表示パネルの概略斜視図である。

【図４】図３に示す表示パネルにおける蛍光体の配列を
示す概略平面図である。

【図５】スペーサの第１の領域と側壁に設けられた取り
出し配線との電気的な接続状態を示す模式図である。

【図６】本発明の第２の実施形態のスペーサの模式的な
外観斜視図である。

【図７】本発明の第１の実施例で作製したスペーサ基板
の寸法を説明するための模式的な斜視外観図である。

【図８】本発明の第１の実施例において作製したスペー
サの第１の凹凸を示す写真である。

【図９】図９に示す写真の第１の凹凸の凸部である第１
の領域を拡大した写真である。

【図１０】従来の表面伝導型放出素子の一例の概略平面
図である。

【図１１】従来のＦＥ型素子の一例の概略側断面図であ
る。

【図１２】従来のＭＩＭ型素子の一例の概略側断面図で
ある。

【図１３】従来の画像形成装置の表示パネルの概略斜視
図である。

【符号の説明】

１、５１スペーサ２、５２側面２ａガラス母材３、５３第１の領域４、５４第２の領域５第１の凹凸６第２の凹凸７スペーサ基板７ａガラス母材８取り出し配線１０送り出し手段１１ヒータ１２引き出し手段１３切断手段５６凹凸部１０１表示パネル１００１基板１００２冷陰極素子１００３行方向配線１００４列方向配線１００５リアプレート１００６側壁１００７フェースプレート１００８蛍光膜１００９メタルバック１０１０黒色導電材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伏見正弘東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5C012 AA01 BB07 5C036 EE08 EE09 EF01 EF06 EF09 EG02 EH04 EH08 EH21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電子放出素子を有する電子源を備
えた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基
板とを備えた電子線装置で用いられる、前記第１の基板
と前記第２の基板とに狭持されるスペーサにおいて、前記スペーサの基板となるスペーサ基板の表面に、前記
第１の基板のカソード面に略平行な方向に延在して形成
されている第１の凹凸と、前記第１の凹凸の凸部である
第１の領域および前記第１の凹凸の凹部である第２の領
域の少なくとも一方に、前記第１の凹凸よりも凹凸形状
が小さい第２の凹凸とを含む少なくとも２種類以上の凹
凸形状が形成されており、前記第１の凹凸上および前記
第２の凹凸上に、帯電を防止する帯電防止膜が形成され
ていることを特徴とするスペーサ。
【請求項２】前記帯電防止膜の少なくとも一部のシー
ト抵抗が１０¹⁴（［Ω/□］）以下である、請求項１に
記載のスペーサ。
【請求項３】前記第１の領域および前記第２の領域に
それぞれ形成されている前記各帯電防止膜のシート抵抗
が異なる、請求項１または２に記載のスペーサ。
【請求項４】前記第１の領域および前記第２の領域の
うち、シート抵抗の低い方の前記帯電防止膜が形成され
ている方の領域の電位が規定されている、請求項３に記
載のスペーサ。
【請求項５】前記第１の領域に形成された前記帯電防
止膜よりもシート抵抗の高い、前記第２の領域に形成さ
れた前記帯電防止膜が、前記第１の領域に接触していな
い、請求項３または４に記載のスペーサ。
【請求項６】前記第１の領域および前記第２の領域が
前記カソード面と略平行方向に連続的に形成されてい
る、請求項１から５のいずれか１項に記載のスペーサ。
【請求項７】前記第１の領域および前記第２の領域に
それぞれ形成されている帯電防止膜のうち、低抵抗領域
のシート抵抗Ｒ_L、高抵抗領域のシート抵抗Ｒ_Hが次式
（１）、Ｒ_L＜０．５Ｒ_H ・・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）の関係を満たす、請求項３から５のいずれか１項に記載
のスペーサ。
【請求項８】前記Ｒ_LとＲ_Hが次式（２）、Ｒ_L＜０.１Ｒ_H ・・・・・・・・・・・・・・・・・式（２）の関係を満たす、請求項７に記載のスペーサ。
【請求項９】前記第１の凹凸の少なくとも一部の凹
部、または凸部に取り出し配線を設け、外部電源より所
定の電位が与えられる、請求項１から６のいずれか１項
に記載のスペーサ。
【請求項１０】複数の電子放出素子を有する電子源を
備え、カソード面を有する第１の基板と、前記第１の基
板に対向する第２の基板とを備えた電子線装置で用いら
れる、前記第１の基板と前記第２の基板とに狭持され
る、請求項１から９のいずれか１項に記載のスペーサの
製造方法であって、前記スペーサ基板の母材を加熱延伸する際に、前記スペ
ーサ基板に前記第１の凹凸を形成する工程を含むことを
特徴とするスペーサの製造方法。
【請求項１１】前記第２の凹凸をブラストにより形成
する工程を含む、請求項１０に記載のスペーサの製造方
法。
【請求項１２】前記第２の凹凸をエッチングにより形
成する工程を含む、請求項１０に記載のスペーサの製造
方法。
【請求項１３】前記第２の凹凸を、前記第１の凹凸上
に粗面化した粗面化膜を成膜することで形成する工程を
含む、請求項１０に記載のスペーサの製造方法。
【請求項１４】複数の電子放出素子を有する電子源を
備えた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の
基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とに狭持され
るスペーサとを有する電子線装置において、前記スペーサが、請求項１から９のいずれか１項に記載
のスペーサであることを特徴とする電子線装置。
【請求項１５】複数の電子放出素子を有する電子源を
備えた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の
基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とに狭持され
るスペーサとを有する電子線装置において、前記スペーサが、請求項１０から１３のいずれか１項に
記載のスペーサの製造方法により製造されたものである
ことを特徴とする電子線装置。
【請求項１６】前記各電子放出素子が冷陰極電子放出
素子であり、前記第２の基板が、発光領域が形成された
透明基板であり、記透明基板上に画像が形成される、請
求項１４または１５に記載の電子線装置。