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JP2003345024A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物

Info

Publication number
JP2003345024A
JP2003345024A JP2003075249A JP2003075249A JP2003345024A JP 2003345024 A JP2003345024 A JP 2003345024A JP 2003075249 A JP2003075249 A JP 2003075249A JP 2003075249 A JP2003075249 A JP 2003075249A JP 2003345024 A JP2003345024 A JP 2003345024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
acid
group
soluble
resist composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003075249A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiko Nanba
克彦 難波
Masumi Suetsugu
益実 末次
Koshiro Ochiai
鋼志郎 落合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2003075249A priority Critical patent/JP2003345024A/ja
Publication of JP2003345024A publication Critical patent/JP2003345024A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】感度、解像度などの基本的な性能を大きく落と
さずにパターンプロファイル、特にラフネスが改良され
たポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】(A)それ自体ではアルカリ水溶液に対
して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用により化学変
化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂(ただ
し、ノボラック樹脂を除く。)及びアルカリ可溶性樹
脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの樹脂、
(B)酸の作用により解裂しうる保護基を導入したノボ
ラック樹脂、並びに(C)酸発生剤を含有することを特
徴とするポジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線(g線(4
36nm)、i線(365nm)等を含む)、遠紫外線
(エキシマレーザー等を含む)、電子線、X線又は放射
光のような高エネルギーの放射線によって作用するリソ
グラフィーなどに適したレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子製造ならびに液晶素子製造分
野において、集積回路の高集積化に伴い、集積回路の微
細加工をするのに必要なフォトレジストにおいては、高
感度で高解像度のパターン形成が要求されるようになっ
ている。近年、高感度かつ高解像度を達成できるレジス
トとして、酸触媒及び化学増幅効果を利用した、いわゆ
る化学増幅型レジストが採用されつつある。化学増幅型
レジストは、放射線の照射部で酸発生剤から発生した酸
が、その後の熱処理(post exposure bake:以下、PE
Bと略すことがある。)によって拡散し、その酸を触媒
とする反応により、照射部のアルカリ現像液に対する溶
解性を変化させるものであり、これによってポジ型又は
ネガ型のパターンを与える。
【0003】化学増幅型のポジ型レジストでは、それ自
身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用
により酸に不安定な基が解裂した後はアルカリ水溶液に
可溶となる樹脂において、酸に不安定な基の保護率を上
げると一般的に解像度は向上するが、パターンの定在波
(側壁の凸凹)がひどくなるとともに、パターンのライ
ンエッジラフネスが悪化し、加工寸法のばらつきが大き
くなる欠点がある。また、パターンの定在波やラインエ
ッジラフネスを小さくするためにフォトレジストの透過
率を落とすと解像度が悪化する欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感
度、解像度などの基本的な性能を大きく落とさずにパタ
ーンプロファイル、特にラフネスが改良されたポジ型レ
ジスト組成物を提供することにある。
【0005】本発明者らは、このような目的を達成でき
るように鋭意研究を行った結果、ポジ型レジストの組成
物として、特定の樹脂の組み合わせと酸発生剤とを組み
合わせることにより、レジストの基本性能を大きく損な
わずにパターンプロファイル、ラフネスを向上させるこ
とができることを見出し、本発明を完成した。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
(A)それ自体ではアルカリ水溶液に対して不溶性又
は難溶性であるが、酸の作用により化学変化を起こして
アルカリ水溶液に可溶性となる樹脂(ただし、ノボラッ
ク樹脂を除く。)及びアルカリ可溶性樹脂からなる群
から選ばれた少なくとも一つの樹脂、(B)酸の作用に
より解裂しうる保護基を導入したノボラック樹脂、並び
に(C)酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物に係
るものである。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト組成物におい
て、一つの樹脂成分は、(A)それ自体ではアルカリ
水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用に
より化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性となる
樹脂(ただし、ノボラック樹脂を除く。)及びアルカ
リ可溶性樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの
樹脂である。 それ自体ではアルカリ水溶液に対して不溶性又は難溶
性であるが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカ
リ水溶液に可溶性となる樹脂の例としては、酸の作用に
より酸に不安定な基が解裂した後はアルカリ水溶液に可
溶となる樹脂が挙げられ、酸の作用により解裂しうる保
護基を導入したノボラック樹脂を除く樹脂であって、
(メタ)アクリル酸骨格を有する樹脂のようなアルカリ
可溶性樹脂に、酸の作用により解裂しうる保護基を導入
したものでありうる。
【0008】このような、アルカリ現像液に対しては溶
解抑止能を持つが、酸に対しては不安定な基は、公知の
各種保護基であることができる。例えば、tert−ブチ
ル;tert−ブトキシカルボニルもしくはtert−ブトキシ
カルボニルメチルのような4級炭素が酸素原子に結合す
る基;テトラヒドロ−2−ピラニル、テトラヒドロ−2
−フリル、1−エトキシエチル、1−(2−メチルプロ
ポキシ)エチル、1−(2−メトキシエトキシ)エチ
ル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチル、1−〔2
−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチルもしく
は1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エ
トキシ〕エチルのようなアセタール型の基;又は3−オ
キソシクロヘキシル、4−メチルテトラヒドロ−2−ピ
ロン−4−イル(メバロニックラクトンから導かれる)
もしくは2−メチル−2−アダマンチル、2−エチル−
2−アダマンチルのような非芳香族環状化合物の残基な
どが挙げられる。これらの基がフェノール性水酸基の水
素原子又はカルボキシル基の水素原子に置換することに
なる。これらの保護基は、公知の保護基導入反応によっ
て、フェノール性水酸基又はカルボキシル基を有するア
ルカリ可溶性樹脂に導入することができる。また、この
ような基を有する不飽和化合物を一つのモノマーとする
共重合によって、上記の樹脂を得ることもできる。
【0009】本発明における(A)成分のそれ自体で
はアルカリ水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、
酸の作用により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可
溶性となる樹脂として、下記式(I)で示される構造単
位を有する樹脂が挙げられる。 (式中、R1は、炭素数1〜4のアルキルを表し、R
2は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数5〜7のシク
ロアルキルを表す。また、R1とR2が結合して一緒にな
ってトリメチレン鎖又はテトラメチレン鎖を形成しても
よい。) 本発明における(A)成分のの樹脂として、式(I)
の構造単位の他に、p−ヒドロキシスチレン、スチレ
ン、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレー
ト、(メタ)アクリロニトリルのようなビニル基を有す
る単量体から導かれる構造単位を有することもできる。
【0010】またさらに、本発明における(A)成分の
それ自体ではアルカリ水溶液に対して不溶性又は難溶
性であるが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカ
リ水溶液に可溶性となる樹脂が、さらにp−ヒドロキシ
スチレンから導かれる構造単位を有する樹脂が挙げられ
る。
【0011】また、本発明における(A)成分のそれ
自体ではアルカリ水溶液に対して不溶性又は難溶性であ
るが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカリ水溶
液に可溶性となる樹脂として、下記式(IIa)、(I
Ib)及び(IIc)からなる群から選ばれた少なくと
も1種の構造単位を有する樹脂が挙げられる。 (式中、R〜Rは、それぞれ独立に水素原子又はメ
チルを表し、R〜R は、それぞれ独立に炭素数1
〜8のアルキルを表す。) 本発明における(A)成分のの樹脂として、式(II
a)(IIb)(IIc)の構造単位の他に、p−ヒド
ロキシスチレン、スチレンのようなビニル基を有する単
量体から導かれる構造単位を有することもできる。
【0012】また、本発明における(A)成分のそれ
自体ではアルカリ水溶液に対して不溶性又は難溶性であ
るが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカリ水溶
液に可溶性となる樹脂が、さらにメタクリル酸3−ヒド
ロキシ−1−アダマンチル及び(メタ)アクリロニトリ
ルからなる群から選ばれるモノマーから導かれる少なく
とも1種の構造単位を有する樹脂が挙げられる。
【0013】また、本発明における(A)成分のアル
カリ可溶性樹脂としては、例えばクレゾールノボラック
樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、ポリ(メタ)
アクリル酸のヒドロキシル基の一部を酸により解裂しな
い保護基で保護した樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレ
ン)のヒドロキシル基の一部を水素原子で置き換えた樹
脂、及び(メタ)アクリル酸骨格を有する樹脂からなる群
から選ばれた少なくとも1種の樹脂等が挙げられる。
【0014】本発明のレジスト組成物において、樹脂成
分のうち一つは、(B)酸の作用により解裂しうる保護
基を導入したノボラック樹脂である。該保護基を導入す
る前のノボラック樹脂は、通常は、フェノール系化合物
とアルデヒドとを酸触媒の存在下に縮合させて得られ
る。該ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノール系
化合物としては、フェノール単独を用いることができる
が、場合に応じて、フェノール、o−、m−もしくはp
−クレゾール、2,3−、2,5−、3,4−もしくは
3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノ
ール、2−、3−もしくは4−tert−ブチルフェノー
ル、2−tert−ブチル−4−もしくは5−メチルフェノ
ール、2−、4−もしくは5−メチルレゾルシノール、
2−、3−もしくは4−メトキシフェノール、2,3
−、2,5−もしくは3,5−ジメトキシフェノール、
2−メトキシレゾルシノール、4−tert−ブチルカテコ
ール、2−、3−もしくは4−エチルフェノール、2,
5−もしくは3,5−ジエチルフェノール、2,3,5
−トリエチルフェノール、2−ナフトール、1,3−、
1,5−もしくは1,7−ジヒドロキシナフタレン、又
はキシレノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合
により得られるポリヒドロキシトリフェニルメタン系化
合物などを組み合わせて用いることができる。
【0015】該ノボラック樹脂の製造に用いられるアル
デヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、プロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒ
ド、イソブチルアルデヒド、アクロレイン及びクロトン
アルデヒドのような脂肪族アルデヒド類、シクロヘキサ
ンアルデヒド、シクロペンタンアルデヒド、フルフラー
ルもしくはフリルアクロレインのような脂環式アルデヒ
ド類、ベンズアルデヒド、o−、m−もしくはp−メチ
ルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、
2,4−、2,5−、3,4−もしくは3,5−ジメチ
ルベンズアルデヒド及びo−、m−もしくはp−ヒドロ
キシベンズアルデヒドのような芳香族アルデヒド類、又
はフェニルアセトアルデヒドもしくはケイ皮アルデヒド
のような芳香脂肪族アルデヒド類などが挙げられる。こ
れらのアルデヒド類も、それぞれ単独で、又は所望によ
り2種以上組み合わせて用いることができる。これらの
アルデヒド類のなかでは、工業的に入手しやすいことか
ら、ホルムアルデヒドが好ましく用いられる。
【0016】フェノール系化合物とアルデヒドとの縮合
に用いられる酸触媒の例としては、塩酸、硫酸、過塩素
酸及び燐酸のような無機酸、蟻酸、酢酸、蓚酸、トリク
ロロ酢酸及びp−トルエンスルホン酸のような有機酸、
酢酸亜鉛、塩化亜鉛及び酢酸マグネシウムのような二価
金属塩などが挙げられる。これらの酸触媒も、それぞれ
単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができ
る。縮合反応は常法に従って行うことができ、例えば、
60〜120℃の範囲の温度で2〜30時間程度行われ
る。本発明の組成物におけるノボラック樹脂としては、
フェノールノボラック樹脂が好ましい。
【0017】縮合により得られるフェノールノボラック
樹脂は、例えば、分別などの操作を施して低分子量分を
除去し、分子量分布を狭くして高分子量成分主体となる
ようにしておいてもよい。
【0018】本発明の組成物における酸の作用により解
裂しうる保護基を導入したノボラック樹脂は、上記のよ
うに縮合により得られたノボラック樹脂内のフェノール
水酸基の一部に酸の作用により解裂しうる保護基を導入
したものでもよい。このような、アルカリ現像液に対し
ては溶解抑止能を持つが、酸に対しては不安定な基は、
公知の各種保護基であることができる。例えば、tert−
ブトキシカルボニルもしくはtert−ブトキシカルボニル
メチルのような4級炭素が酸素原子に結合する基;テト
ラヒドロ−2−ピラニル、テトラヒドロ−2−フリル、
1−エトキシエチル、1−(2−メチルプロポキシ)エ
チル、1−(2−メトキシエトキシ)エチル、1−(2
−アセトキシエトキシ)エチル、1−〔2−(1−アダ
マンチルオキシ)エトキシ〕エチルもしくは1−〔2−
(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチ
ルのようなアセタール型の基;3−オキソシクロヘキシ
ル、4−メチルテトラヒドロ−2−ピロン−4−イル
(メバロニックラクトンから導かれる)又は非芳香族環
状化合物の残基などが挙げられ、これらの基がフェノー
ル性水酸基に置換することになる。これらの保護基は、
公知の保護基導入反応によって、フェノール性水酸基に
導入することができる。
【0019】次に、ポジ型レジスト組成物のもう一つの
成分である(C)酸発生剤は、その物質自体に、又はそ
の物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射
線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発
生するものである。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂
に作用して、その樹脂中に存在する酸に不安定な基を解
裂させることになる。このような酸発生剤には、例え
ば、オニウム塩化合物、s−トリアジン系の有機ハロゲ
ン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが
包含される。具体的には、次のような化合物を挙げるこ
とができる。
【0020】ジフェニルヨードニウム トリフルオロメ
タンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨー
ドニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メト
キシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨ
ードニウム テトラフルオロボレート、ビス(4−tert
−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホス
フェート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート、ビス(4−tert
−ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタン
スルホネート、
【0021】トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフ
ルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム ト
リフルオロメタンスルホネート、4−メチルフェニルジ
フェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネー
ト、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パー
フルオロオクタンンスルホネート、4−メトキシフェニ
ルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニ
ルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウ
ム トリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブチ
ルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニル
スルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、4−フェ
ニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフル
オロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チ
オラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、1−
(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロ
メタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジ
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、
【0022】2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメ
チル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス
(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−
フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,
5−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6
−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(ト
リクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4
−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロ
ロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(ベンゾ
[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−
ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリク
ロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,
4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリ
クロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,
4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジ
メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−メトキシス
チリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,
5−トリアジン、2−(4−ブトキシスチリル)−4,
6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジ
ン、2−(4−ペンチルオキシスチリル)−4,6−ビ
ス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
【0023】1−ベンゾイル−1−フェニルメチル p
−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレー
ト)、2−ベンゾイル−2−ヒドロキシ−2−フェニル
エチル p−トルエンスルホネート(通称α−メチロー
ルベンゾイントシレート)、1,2,3−ベンゼントリ
イル トリスメタンスルホネート、2,6−ジニトロベ
ンジル p−トルエンスルホネート、2−ニトロベンジ
ル p−トルエンスルホネート、4−ニトロベンジル
p−トルエンスルホネート、
【0024】ジフェニル ジスルホン、ジ−p−トリル
ジスルホン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
【0025】N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシ
ンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチル
スルホニルオキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニル
オキシ)ナフタルイミド、N−(10−カンファースル
ホニルオキシ)ナフタルイミド、
【0026】(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−
5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェ
ニル)アセトニトリル、(5−(4−メチルフェニル)
スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリ
デン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5
−n−ブチルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェ
ン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニ
トリル、(5−n−オクチルスルホニルオキシイミノ−
5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェ
ニル)アセトニトリル、(5−(2、4、6−トリメチ
ルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェ
ン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニ
トリル、(5−(2、4、6−トリイソプロピルフェニ
ル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−
イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、
(5−(4−ドデシルフェニル)スルホニルオキシイミ
ノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチル
フェニル)アセトニトリル、(5−(2−ナフチル)ス
ルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデ
ン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−
ベンジルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−
2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリ
ルなど。
【0027】また、本発明のポジ型レジスト組成物に
は、塩基性有機化合物を添加してもよく、これにより露
光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良で
きるので好ましい。このような場合には、該塩基性有機
化合物は、クェンチャーと呼ばれることがある。該有機
塩基性化合物としては、含窒素塩基性有機化合物が挙げ
られる。このような含窒素塩基性有機化合物の具体的な
例としては、以下の各式で示されるアミン類を挙げるこ
とができる。
【0028】
【0029】式中、R12、R13及びR18は、それぞ
れ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル又はア
リールを表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリー
ルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数
1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミ
ノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換されていても
よい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程度が好まし
く、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程度が好まし
く、該アリールは、炭素数6〜10程度が好ましい。R
14、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素原子、
アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを
表す。該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はア
ルコキシは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は
炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換されていてもよ
い。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキル基で置換さ
れていてもよい。また、該アルキルは、炭素数1〜6程
度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数5〜10程
度が好ましく、該アリールは、炭素数6〜10程度が好
ましく、該アルコキシは、炭素数1〜6程度が好まし
い。R17は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該
アルキル又はシクロアルキルは、それぞれ独立に、水酸
基、アミノ基、炭素数1〜6のアルコキシ基、で置換さ
れていてもよい。該アミノ基は、炭素数1〜4のアルキ
ル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭
素数1〜6程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素
数5〜10程度が好ましい。ただし、式(III)にお
けるR12、R13及びR18は、いずれも水素原子では
ない。Aは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフ
ィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、炭素数
2〜6程度であることが好ましい。また、R12〜R
18において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るも
のについては、そのいずれでもよい。R19〜R21は同
一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜6個
のアルキル基、炭素数1〜6個のアミノアルキル基、炭
素数1〜6個のヒドロキシアルキル基または6〜20個
の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここでR
19とR20は互いに結合して環を形成していてもよい。
【0030】このような化合物として、具体的には、ヘ
キシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニ
ルアミン、デシルアミン、アニリン、2−,3−又は4
−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−又は2−
ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジ
アミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4′−ジアミノ
−1,2−ジフェニルエタン、4,4′−ジアミノ−
3,3′−ジメチルジフェニルメタン、4,4′−ジア
ミノ−3,3′−ジエチルジフェニルメタン、ジブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプ
チルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデ
シルアミン、N−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェ
ニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ト
リプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルア
ミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリ
オクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミ
ン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、
メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミ
ン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミ
ン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エ
チルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチル
ジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジ
オクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシ
ルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2
−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソ
プロパノールアミン、N,N−ジメチルアニリン、2,
6−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、
4−メチルピリジン、4−メチルイミダゾール、ビピリ
ジン、2,2′−ジピリジルアミン、ジ−2−ピリジル
ケトン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−
ジ(4−ピリジル)エタン、1,3−ジ(4−ピリジ
ル)プロパン、1,2−ビス(2−ピリジル)エチレ
ン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、1,2−
ビス(4−ピリジルオキシ)エタン、4,4′−ジピリ
ジルスルフィド、4,4′−ジピリジルジスルフィド、
1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、2,2′−ジ
ピコリルアミン、3,3′−ジピコリルアミン、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピル
アンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒド
ロキシド、テトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキ
シド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、
3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、コリン、N−メチルピロリドン、
ジメチルイミダゾールなどを挙げることができる。
【0031】さらには、特開平11−52575号公報
に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒン
ダードアミン化合物をクェンチャーとすることもでき
る。
【0032】本発明のレジスト組成物は、その中の全固
形分量を基準に、(A)それ自体ではアルカリ水溶液
に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用により化
学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂及
びアルカリ可溶性樹脂からなる群から選ばれた少なく
とも一つの樹脂成分が30〜98.9重量%(B)酸の
作用により解裂しうる保護基を導入したノボラック樹脂
が1〜69.9重量%、並びに(C)酸発生剤を0.1
〜20重量%の範囲で含有するのが好ましい。さらに好
ましくは、(A)が65〜98.5重量%、(B)が2
5〜1重量%、(C)が0.5〜10重量%の範囲で含
有するのが好ましい。クェンチャーとしての含窒素塩基
性有機化合物を含有させる場合は、同じくレジスト組成
物中の全固形分量を基準に、0.01重量%以上10重
量%以下の範囲で用いるのが好ましい。この組成物はま
た、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界
面活性剤、安定剤、色素、染料など、各種の添加物を少
量含有することもできる。
【0033】このレジスト組成物は、通常、上記の各成
分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、
シリコンウェハーなどの基体上に、常法によりスピンコ
ーティングなどの方法で塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で通常用いられているものであることがで
きる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテートもしくはプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテル
エステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルもし
くはピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、
メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノンもしくはシク
ロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンの
ような環状エステル類;又は3−メトキシ−1−ブタノ
ールのようなアルコール類などが挙げられる。これらの
溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用
いることができる。
【0034】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理(PEB)を行
った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるア
ルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ
性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチ
ル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリ
ン)の水溶液が用いられることが多い。上記において、
本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開
示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であっ
て、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されな
い。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、
さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内で
のすべての変更を含むものである。
【0035】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限
定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表
す%及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また、
重量平均分子量(Mw)及び多分散度(Mw/Mn)は、ポリ
スチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィーにより測定した値である。
【0036】合成例1: ポリヒドロキシスチレンの部
分1−エトキシエチル化物の製造 1リットルのナス型フラスコに、ポリ(p−ヒドロキシ
スチレン)(重量平均分子量:18000、分散度:
1.1)40g(p−ヒドロキシスチレン単位として3
33ミリモル)及びp−トルエンスルホン酸一水和物4
7mg(0.25ミリモル)を入れ、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート720gに溶解した。
この溶液を、温度60℃、圧力10Torr(1333P
a)以下の条件で減圧蒸留し、共沸脱水した。蒸留後の
溶液は、337gであった。窒素置換された500mlの
四つ口フラスコにこの溶液を移し、そこにエチルビニル
エーテル12.0g(166ミリモル)を滴下した後、
25℃で5時間反応させた。この反応溶液に、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート62.3g
及びメチルイソブチルケトン320gを加え、さらにイ
オン交換水240mlを加えて攪拌した。その後静置し、
有機層部分を取り出した。この有機層に再度240mlの
イオン交換水を加え、攪拌後静置し、分液することによ
り洗浄した。イオン交換水による洗浄及び分液をもう一
度行った後、有機層を取り出して減圧蒸留することによ
り、水分及びメチルイソブチルケトンをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートで共沸させて除去
し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト溶液とした。得られた液体は、ポリ(p−ヒドロキシ
スチレン)の水酸基が部分的に1−エトキシエチルエー
テル化された樹脂の溶液であり、この樹脂を 1H−NM
Rで分析したところ、水酸基の36%が1−エトキシエ
チルエーテル化されていた。この樹脂を樹脂A1とす
る。
【0037】合成例2: ポリヒドロキシスチレンの部
分1−エトキシエチル化物の製造 1リットルのナス型フラスコに、ポリ(p−ヒドロキシ
スチレン)40g(p−ヒドロキシスチレン単位として
333ミリモル)及びp−トルエンスルホン酸一水和物
47mg(0.25ミリモル)を入れ、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート720gに溶解し
た。この溶液を、温度60℃、圧力10Torr以下の条件
で減圧蒸留し、共沸脱水した。蒸留後の溶液は、337
gであった。窒素置換された500mlの四つ口フラスコ
にこの溶液を移し、そこにエチルビニルエーテル10.
0g(138ミリモル)を滴下した後、25℃で5時間
反応させた。この反応溶液に、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート62.3g及びメチルイソ
ブチルケトン320gを加え、さらにイオン交換水24
0mlを加えて攪拌した。その後静置し、有機層部分を取
り出した。この有機層に再度240mlのイオン交換水を
加え、攪拌後静置し、分液することにより洗浄した。イ
オン交換水による洗浄及び分液をもう一度行った後、有
機層を取り出して減圧蒸留することにより、水分及びメ
チルイソブチルケトンをプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートで共沸させて除去し、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート溶液とした。
得られた液体は、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)の水
酸基が部分的に1−エトキシエチルエーテル化された樹
脂の溶液であり、この樹脂を 1H−NMRで分析したと
ころ、水酸基の30%が1−エトキシエチルエーテル化
されていた。この樹脂を樹脂A2とする。
【0038】合成例3:ポリヒドロキシスチレン部分1
−ピバロイルオキシ化合物の合成1 ポリ(p−ビニルフェノール)〔トライクエスト社
(株)製の“PHS−15E01”、重量平均分子量1
5000、分散度2.0〕20部(ビニルフェノール単
位として0.17モル)及びアセトン200部を仕込
み、攪拌して溶解させた後、トリエチルアミン6.3部
(0.06モル)を加えて35℃に加熱した。この樹脂
溶液に、ピバロイルクロリド5.8部(0.047モ
ル、ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基に対して
0.29当量)を約10分かけて滴下した。35℃で
1.5時間攪拌した後、メチルイソブチルケトン300
部を加え、0.5%蓚酸水溶液による洗浄を3回行っ
た。得られた有機層をさらにイオン交換水で洗浄し、分
液する操作を5回行った。この有機層から樹脂溶液が7
0部になるまで溶媒を留去して濃縮した。その後、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200
部を加えて、さらに69部まで濃縮した。また、H−
NMR測定から、反応後の樹脂では、ポリ(p−ビニル
フェノール)の水酸基のうち28%がピバロイル化され
ていた。これを樹脂A3とする。
【0039】合成例4:ポリヒドロキシスチレン部分1
−ピバロイルオキシ化合物の合成 ポリ(p−ビニルフェノール)〔トライクエスト社
(株)製の“PHS−15E01”、重量平均分子量1
5000、分散度2.0〕20部(ビニルフェノール単
位として0.17モル)及びアセトン200部を仕込
み、攪拌して溶解させた後、トリエチルアミン6.3部
(0.06モル)を加えて35℃に加熱した。この樹脂
溶液に、ピバロイルクロリド4.0部(0.32モル、
ポリ(p−ビニルフェノール)の水酸基に対して0.2
0当量)を約10分かけて滴下した。35℃で1.5時
間攪拌した後、メチルイソブチルケトン300部を加
え、0.5%蓚酸水溶液による洗浄を3回行った。得ら
れた有機層をさらにイオン交換水で洗浄し、分液する操
作を5回行った。この有機層から樹脂溶液が70部にな
るまで溶媒を留去して濃縮した。その後、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート200部を加え
て、さらに69部まで濃縮した。また、H−NMR測
定から、反応後の樹脂では、ポリ(p−ビニルフェノー
ル)の水酸基のうち20%がピバロイル化されていた。
これを樹脂A4とする。
【0040】合成例5: フェノールノボラック樹脂の
水酸基の部分1−エトキシエチル化物の製造 フラスコに、フェノールノボラック樹脂(群栄化学社製
PSM−4326)80gを入れて、メチルイソブチル
ケトンを640g入れて溶解した。そのフェノールノボ
ラック樹脂溶液をイオン交換水で5回分液洗浄した。得
られた樹脂溶液を、212gになるまで、濃縮した。そ
の樹脂溶液における樹脂含有濃度は、36.3%であっ
た。フラスコに、上記で得られた樹脂溶液の一部55.
1g(単位分子量:189ミリモル)、メチルイソブチ
ルケトン84.9g及びp−トルエンスルホン酸一水和
物3.6mg(0.0189ミリモル)を仕込んだ。こ
の樹脂溶液に、エチルビニルエーテル5.39g(74.
7ミリモル)を滴下した後、室温で3時間反応させた。
この反応溶液にイオン交換水を加えて攪拌した後、静置
し、分液により有機層部分を取り出した。このイオン交
換水による洗浄を4回繰り返し、合計5回行った。その
後、有機層を取り出して濃縮した。その後、水分及びメ
チルイソブチルケトンを共沸させて除去するため、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加
え、さらに濃縮し、64.0gの樹脂溶液を得た。得ら
れた液体は、フェノールノボラック樹脂の水酸基が部分
的に1−エトキシエチル化された樹脂の溶液であり、こ
の樹脂をH−NMRで分析したところ、水酸基の2
5.7%が1−エトキシエチルエーテル化されていた。
また、樹脂液の濃度は、乾燥重量減少法を用いて測定し
たところ、37.5%であった。この樹脂を樹脂A5と
する。
【0041】合成例6: フェノールノボラック樹脂の
水酸基の部分1−エトキシエチル化物の製造 フラスコに、合成例1で使用したフェノールノボラック
樹脂のメチルイソブチルケトン溶液の一部55.1g
(単位分子量:189ミリモル)、メチルイソブチルケ
トン84.9g及びp−トルエンスルホン酸一水和物3.
6mg(0.0189ミリモル)を仕込んだ。この樹脂
溶液に、エチルビニルエーテル8.38g(116ミリ
モル)を滴下した後、室温で3時間反応させた。この反
応溶液にイオン交換水を加えて攪拌した後、静置し、分
液により有機層部分を取り出した。このイオン交換水に
よる洗浄を4回繰り返し、合計5回行った。その後、有
機層を取り出して濃縮した。その後、水分及びメチルイ
ソブチルケトンを共沸させて除去するため、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートを加え、さら
に濃縮し、65.5gの樹脂溶液を得た。得られた液体
は、フェノールノボラック樹脂の水酸基が部分的に1−
エトキシエチル化された樹脂の溶液であり、この樹脂を
H−NMRで分析したところ、水酸基の45.0%が
1−エトキシエチルエーテル化されていた。また、樹脂
液の濃度は、乾燥重量減少法を用いて測定したところ、
34.1%であった。この樹脂を樹脂A6とする。
【0042】合成例7:フェノールノボラック樹脂の分
別 重量平均分子量5360のフェノールノボラック樹脂
(群栄化学社製PSM−4326)50gを1L底抜き
フラスコに仕込み、335gのメチルイソブチルケトン
で希釈、溶解し、273gのノルマルヘプタンを仕込み
60℃で攪拌、静置後分液を行い、下層のノボラック樹
脂溶液を得た。このノボラック樹脂溶液をプロピレング
リコ−ルメチルエ−テルアセテ−トで希釈、濃縮を行
い、ノボラック樹脂のプロピレングリコ−ルメチルエ−
テルアセテ−ト溶液を得た。この樹脂を、ポリスチレン
を標準品としてゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)
で測定したときに、未反応のモノマーを除く全パターン
面積に対して、分子量1,000以下の範囲の面積比
は、6.7%であった。該樹脂の重量平均分子量は、1
0945であった。この樹脂を樹脂A7とする。
【0043】合成例8:フェノールノボラック樹脂の部
分1−エトキシエチル化物の製造 フラスコに、合成例7で得られたフェノールノボラック
樹脂のメチルイソブチルケトン溶液34.8g(単位分
子量:123ミリモル)、メチルイソブチルケトン5
6.3g及びp−トルエンスルホン酸一水和物2.3mg
(0.0123ミリモル)を仕込んだ。この樹脂溶液
に、エチルビニルエーテル1.93g(27ミリモル)
を滴下した後、室温で3時間反応させた。この反応溶液
に、イオン交換水30.3mlを加えて攪拌した後、静
置し、分液により有機層部分を取り出した。このイオン
交換水による洗浄を4回繰り返し、合計5回行った。そ
の後、有機層を取り出して減圧蒸留して濃縮した。その
後、水分及びメチルイソブチルケトンを共沸させて除去
するため、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートを加え減圧蒸留して濃縮し、42.0gの樹脂
溶液を得た。得られた液体は、フェノールノボラック樹
脂の水酸基が部分的に1−エトキシエチルエーテル化さ
れた樹脂の溶液であり、この樹脂をH−NMRで分析
したところ、水酸基の16.5%が1−エトキシエチル
エーテル化されていた。また、樹脂液の濃度は、乾燥重
量減少法を用いて測定したところ、29.4%であっ
た。この樹脂を樹脂A8とする。
【0044】酸発生剤B1:ヒ゛ス(シクロヘキシルスルホニル)シ゛アソ゛メタ
ン〔みどり化学(株)製の“DAM-301”〕 酸発生剤B2:トリフェニルスルホニウム2,4,6−
トリイソプロピルベンゼンスルホネート
【0045】クェンチャーC1:ジシクロヘキシルメチ
ルアミン クェンチャーC2:トリス[2−メトキシ(2−エトキ
シエチル)]アミン
【0046】添加剤D1:2,2'-ヒ゛ス(4-ヒト゛ロキシシクロヘキシル)フ
゜ロハ゜ン=ヒ゛ス(4-メチルヘ゛ンセ゛ンスルホナート)
【0047】実施例1〜2及び比較例1 表1に示される割合(固形分換算)で樹脂(合計13.
5部、固形分換算)を混合し、酸発生剤B1を0.4
部、酸発生剤B2を0.15部、クェンチャーC1を
0.03部、クェンチャーC2を0.03部、添加剤D
1を0.05部を、いずれも、希釈溶媒としてプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて溶
解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで
濾過してレジスト液を調製した。
【0048】ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコ
ンウェハーに、回転塗布機を用いて上記のレジスト液を
プリベーク乾燥後の膜厚が1.05μmとなるように塗
布した。レジスト液塗布後のプリベークは、100℃で
60秒間ホットプレート上にて行った。こうしてレジス
ト膜を形成したウェハーに、KrFエキシマレーザー露
光機〔(株)ニコン製の“NSR 2205EX12
B”、NA=0.55、σ=0.8〕を用いて、ライン
アンドスペースパターンを露光した。次にホットプレー
ト上にて、110℃で60秒間ポストエキスポジャーベ
ークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行っ
た。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、以
下の方法で実効感度、解像度及びプロファイルを調べ、
その結果を表2に示した。
【0049】実効感度: 0.25μmのラインアンド
スペースパターンが1:1となる露光量で表示した。
【0050】密集解像度: 実効感度の露光量で分離す
る1:1のラインアンドスペースパターンの最小寸法で
表示した。
【0051】スリット解像度:実効感度の露光量で分離
するスリットのスペースパターンの最小寸法で表示し
た。
【0052】ラフネス:パターンの断面を側面から見た
際、定在波が見られるものは×、見られないものは○と
した。
【0053】
【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例No. 樹脂 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例1 A1/46% A2/24% A3/12% A4/13% A5/5% 実施例2 A1/46% A2/24% A3/12% A4/13% A6/5% 実施例3 A1/46% A2/24% A3/12% A4/13% A8/5% ────────────────────────────────── 比較例1 A2/50% A3/25% A3/12% A4/13% ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0054】
【表2】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例No. 実効感度 密集解像度 スリット解像度 ラフネス [mJ/cm] [μm] [μm] ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例1 44 0.20 0.20 ○ 実施例2 45 0.19 0.20 ○ 実施例3 39 0.20 0.21 ○ ────────────────────────────────── 比較例1 40 0.20 0.22 × ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0055】
【発明の効果】本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成
物は、感度を落とさずに定在波、ラフネスならびに解像
度を改良することができる。また塗布性や残膜率、耐熱
性、密着性などのレジスト諸性能も良好である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 落合 鋼志郎 大阪市此花区春日出中3丁目1番98号 住 友化学工業株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB16 CB17 CB29 CB41 CB45 CC20 FA17 4J100 AB07P AB07Q AL08P AL08Q AM02Q BA02P BA03Q BA04P BC09P BC09Q CA03 CA04 JA38

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)それ自体ではアルカリ水溶液に対
    して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用により化学変
    化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂(ただ
    し、ノボラック樹脂を除く。)及びアルカリ可溶性樹
    脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの樹脂、
    (B)酸の作用により解裂しうる保護基を導入したノボ
    ラック樹脂、並びに(C)酸発生剤を含有することを特
    徴とするポジ型レジスト組成物。
  2. 【請求項2】(A)成分におけるそれ自体ではアルカ
    リ水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用
    により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性とな
    る樹脂が下記式(I)で示される構造単位を有すること
    を特徴とする請求項1記載のレジスト組成物。 (式中、R1は、炭素数1〜4のアルキルを表し、R
    2は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数5〜7のシク
    ロアルキルを表す。また、R1とR2が結合して一緒にな
    ってトリメチレン鎖又はテトラメチレン鎖を形成しても
    よい。)
  3. 【請求項3】(A)成分におけるそれ自体ではアルカ
    リ水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用
    により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性とな
    る樹脂が下記式(IIa)、(IIb)及び(IIc)
    からなる群から選ばれた少なくとも1種の構造単位を有
    することを特徴とする請求項1又は2記載のレジスト組
    成物。 (式中、R〜Rは、それぞれ独立に水素原子又はメ
    チルを表し、R〜R は、それぞれ独立に炭素数1
    〜8のアルキルを表す。)
  4. 【請求項4】(A)成分におけるそれ自体ではアルカ
    リ水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用
    により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性とな
    る樹脂が、さらにp−ヒドロキシスチレンから導かれる
    構造単位を有する請求項1〜3のいずれかに記載のレジ
    スト組成物。
  5. 【請求項5】(A)成分におけるそれ自体ではアルカ
    リ水溶液に対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用
    により化学変化を起こしてアルカリ水溶液に可溶性とな
    る樹脂が、さらにメタクリル酸3−ヒドロキシ−1−ア
    ダマンチル及び(メタ)アクリロニトリルからなる群か
    ら選ばれるモノマーから導かれる少なくとも1種の構造
    単位を有する請求項1〜4のいずれかに記載のレジスト
    組成物。
  6. 【請求項6】(A)成分のアルカリ可溶性樹脂が、ク
    レゾールノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレ
    ン)、ポリ(メタ)アクリル酸のヒドロキシル基の一部
    を酸により解裂しない保護基で保護した樹脂、ポリ(p
    −ヒドロキシスチレン)のヒドロキシル基の一部を水素
    原子で置き換えた樹脂、及び(メタ)アクリル酸骨格を有
    する樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種の樹脂
    である請求項1〜5のいずれかに記載のレジスト組成
    物。
  7. 【請求項7】(B)成分の酸の作用により解裂しうる保
    護基を導入したノボラック樹脂が、フェノール性水酸基
    をアセタール基で部分的に保護した構造を有する重合単
    位を含む樹脂である請求項1〜6のいずれかに記載のレ
    ジスト組成物。
  8. 【請求項8】(B)成分の酸の作用により解裂しうる保
    護基を導入したノボラック樹脂が、フェノール性水酸基
    を1−エトキシエチル基で部分的に保護した構造を有す
    る重合単位を含む樹脂である請求項1〜6のいずれかに
    記載のレジスト組成物。
  9. 【請求項9】(B)成分の酸の作用により解裂しうる保
    護基を導入したノボラック樹脂が、酸の作用により解裂
    しうる保護基を導入したフェノールノボラック樹脂であ
    る請求項1〜8のいずれかに記載のレジスト組成物。
  10. 【請求項10】さらに、塩基性有機化合物を含有してな
    る請求項1〜9のいずれかに記載のレジスト組成物。
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US9946157B2 (en) 2015-03-31 2018-04-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
JP2024084763A (ja) * 2018-12-27 2024-06-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

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