JP2003344840A - Liquid crystal device and electronic equipment using the same - Google Patents
Liquid crystal device and electronic equipment using the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素サイズが小さくなっても反射表示光に散
乱性を付与することができ、さらには透過表示領域、お
よび反射表示領域の双方において液晶層のリターデーシ
ョンを最適化できる液晶装置、および電子機器を提供す
ること。
【解決手段】 半透過反射型液晶装置100の対向基板
10では、透過表示領域100cに色度域の広い透過表
示用カラーフィルタ241を形成し、反射表示領域10
0bに色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ242を
形成する。反射表示用カラーフィルタ242は、各種の
色材の他、微細な光散乱粒子29が配合され、反射表示
光に光散乱性を付与する。反射表示用カラーフィルタ2
42は、色度域は狭いが分厚く形成され、反射表示領域
100bにおける液晶層50の層厚dは、透過表示領域
100cよりもかなり薄い。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To provide scattering property to reflected display light even when a pixel size is reduced, and to optimize retardation of a liquid crystal layer in both a transmissive display area and a reflective display area. To provide a liquid crystal device and an electronic device that can be used. SOLUTION: In a counter substrate 10 of a transflective liquid crystal device 100, a transmissive display color filter 241 having a wide chromaticity range is formed in a transmissive display region 100c, and the reflective display region 10 is formed.
The reflective display color filter 242 having a narrow chromaticity range is formed at 0b. The reflective display color filter 242 is blended with fine light scattering particles 29 in addition to various color materials, and imparts light scattering properties to the reflected display light. Color filter for reflective display 2
Reference numeral 42 indicates that the chromaticity range is narrow but formed thick, and the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the reflective display region 100b is considerably smaller than that in the transmissive display region 100c.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶装置、
半透過反射型液晶装置およびそれを備えた電子機器に関
するものである。さらに詳しくは、反射表示領域におけ
る光散乱性の付与技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal device,
The present invention relates to a transflective liquid crystal device and an electronic device including the same. More specifically, the present invention relates to a technique for imparting a light scattering property to a reflective display area.
【0002】[0002]
【従来の技術】携帯電話機やモバイルコンピュータなど
で直視視型表示装置として用いられる代表的なものとし
ては反射型液晶装置がある。この反射型液晶装置には、
反射モードのみで画像を表示する全反射型表示装置と、
透過モードおよび反射モードの双方で画像を表示する半
透過反射型液晶装置とがあり、後者のものとしては、特
開平11−044814号公報などに開示されている。2. Description of the Related Art There is a reflection type liquid crystal device as a typical one used as a direct view type display device in a mobile phone, a mobile computer or the like. In this reflective liquid crystal device,
A total reflection type display device that displays images only in reflection mode,
There is a transflective liquid crystal device that displays an image in both a transmissive mode and a reflective mode, and the latter is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-044814.
【0003】半透過反射型液晶装置では、例えば、画素
の平面図を図11に模式的に示すように、データ線6a
と走査線3aで区画された画素100a内に、反射表示
領域100bと、矩形窓状の透過表示領域100cとが
形成されている。In the transflective liquid crystal device, for example, as shown in a schematic plan view of a pixel in FIG.
A reflective display area 100b and a rectangular window-shaped transmissive display area 100c are formed in the pixel 100a partitioned by the scanning line 3a.
【0004】ここに示すものは、画素スイッチング素子
として、薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin
Film Transistor)を用いたものであ
り、図12に示すように、表面に透明な画素電極9a
(第1の透明電極)、および画素スイッチングのTFT
30が形成されたTFTアレイ基板10(第1の透明基
板)と、対向電極21(第2の透明電極)、および遮光
膜23が形成された対向基板20(第2の透明基板)
と、これらの基板10、20の間に保持された液晶層5
0とを有している。TFTアレイ基板10と対向基板2
0との基板間隔は、いずれか一方の基板表面に所定粒径
のギャップ材5を散布した後、TFTアレイ基板10と
対向基板20とをシール材(図示せず)を介して貼り合
わせることにより規定されている。The one shown here is a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT (Thin) as a pixel switching element.
Film Transistor), and as shown in FIG. 12, a pixel electrode 9a having a transparent surface is used.
(First transparent electrode), and pixel switching TFT
The TFT array substrate 10 (first transparent substrate) on which the counter electrode 30 is formed, the counter electrode 21 (second transparent electrode), and the counter substrate 20 (second transparent substrate) on which the light shielding film 23 is formed.
And the liquid crystal layer 5 held between these substrates 10, 20
It has 0 and. TFT array substrate 10 and counter substrate 2
The distance between the substrate and 0 is obtained by spraying the gap material 5 having a predetermined particle size on the surface of one of the substrates and then bonding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 with each other through a sealing material (not shown). It is prescribed.
【0005】TFTアレイ基板10には、画素電極9a
と対向電極21とが対向する画素100に反射表示領域
100bを構成する光反射層8aが形成され、この光反
射層8aの形成されていない残りの領域(光透過窓8
d)によって透過表示領域100cが構成されている。The TFT array substrate 10 has a pixel electrode 9a.
The light reflection layer 8a constituting the reflection display area 100b is formed in the pixel 100 where the light reflection layer 8a and the counter electrode 21 face each other, and the remaining area where the light reflection layer 8a is not formed (light transmission window 8).
The transmissive display area 100c is constituted by d).
【0006】従って、TFTアレイ基板10の背面側に
配置されたバックライト装置(図示せず)から出射され
た光のうち、透過表示領域100cに入射した光は、矢
印LBで示すように、TFTアレイ基板10の側から液
晶層50に入射し、液晶層50で光変調された後、対向
基板20の側から透過表示光として出射されて画像を表
示する(透過モード)。Therefore, of the light emitted from the backlight device (not shown) arranged on the back side of the TFT array substrate 10, the light incident on the transmissive display area 100c is the TFT as shown by the arrow LB. The light enters the liquid crystal layer 50 from the array substrate 10 side, is optically modulated by the liquid crystal layer 50, and then is emitted as transmission display light from the counter substrate 20 side to display an image (transmission mode).
【0007】これに対して、対向基板20の側から入射
した外光のうち、反射表示領域100bに入射した光
は、矢印LAで示すように、液晶層50を通って反射層
8aに届き、この反射層8aで反射されて再び、液晶層
50を通って対向基板20の側から反射表示光として出
射されて画像を表示する(反射モード)。On the other hand, of the external light incident from the counter substrate 20 side, the light incident on the reflective display area 100b reaches the reflective layer 8a through the liquid crystal layer 50 as shown by the arrow LA, The light is reflected by the reflective layer 8a, passes through the liquid crystal layer 50 again, and is emitted as reflective display light from the side of the counter substrate 20 to display an image (reflection mode).
【0008】ここで、光反射膜8aで反射された光の方
向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの
視野角依存性が顕著に出てしまう。そこで、液晶装置を
製造する際、層間絶縁膜4、あるいはその表面に形成し
た表面保護膜(図示せず)の表面に、アクリル樹脂など
といった感光性樹脂を800nm〜1500nmの厚さ
に塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、光反
射膜8aの下層側に、感光性樹脂層からなる凹凸形成層
13aを所定のパターンで選択的に残すことにより、光
反射膜8aの表面に光散乱用の凹凸パターン8gを付与
している。また、このままでは、凹凸パターン8gに凹
凸形成層13aのエッジがそのまま出てしまうので、凹
凸形成層13aの上層にもう1層、流動性の高い感光性
樹脂層からなる上層絶縁膜7aを塗布、形成することに
より、光反射膜8aの表面にエッジのない、なだらかな
形状の凹凸パターン8gを付与している。あるいは、凹
凸形成層13aを加熱溶融させてエッジを消すこともあ
る。Here, if the directionality of the light reflected by the light reflecting film 8a is strong, the viewing angle dependency such as the difference in brightness depending on the angle at which the image is viewed becomes noticeable. Therefore, when manufacturing a liquid crystal device, after applying a photosensitive resin such as an acrylic resin to a thickness of 800 nm to 1500 nm on the surface of the interlayer insulating film 4 or a surface protective film (not shown) formed on the surface thereof, By using the photolithography technique, the unevenness forming layer 13a made of a photosensitive resin layer is selectively left on the lower layer side of the light reflection film 8a in a predetermined pattern, so that the surface of the light reflection film 8a can be used for light scattering. The uneven pattern 8g is provided. Further, if left as it is, the edge of the unevenness forming layer 13a is left as it is in the unevenness pattern 8g. Therefore, another layer, the upper insulating film 7a made of a highly fluid photosensitive resin layer, is applied to the upper layer of the unevenness forming layer 13a. By forming the concave-convex pattern 8g having no edge and having a smooth shape on the surface of the light-reflecting film 8a. Alternatively, the unevenness forming layer 13a may be heated and melted to erase the edge.
【0009】このような半透過反射型液晶装置におい
て、対向基板20にカラーフィルタを形成しておけば、
透過モードおよび反射モードのいずれにおいてもカラー
表示を行うことができるが、透過表示光LBは、カラー
フィルタを一度だけ通過して出射されるのに対して、反
射表示光LAは、カラーフィルタを2度、通過すること
になる。このため、対向基板20には、光反射膜8aが
形成されている反射表示領域100bには、色度域の狭
い反射表示用カラーフィルタ242が形成されている一
方、透過窓8dが形成されている透過表示領域100c
には、色度域の広い透過表示用カラーフィルタ242が
形成されている。In such a transflective liquid crystal device, if a color filter is formed on the counter substrate 20,
Although color display can be performed in both the transmissive mode and the reflective mode, the transmissive display light LB is emitted after passing through the color filter only once, whereas the reflective display light LA is emitted through the color filter. It will pass once. Therefore, in the reflective display region 100b in which the light reflective film 8a is formed on the counter substrate 20, the reflective display color filter 242 having a narrow chromaticity region is formed, while the transmissive window 8d is formed. Transparent display area 100c
A transmission display color filter 242 having a wide chromaticity region is formed on the display.
【0010】なお、反射表示用カラーフィルタ242、
および透過表示用カラーフィルタ242の上層側には、
透明な平坦化膜26、対向電極21、および配向膜22
がこの順に形成されている。The reflective display color filter 242,
And on the upper layer side of the transmissive display color filter 242,
Transparent flattening film 26, counter electrode 21, and alignment film 22
Are formed in this order.
【0011】このような構成の画素100aのサイズ
は、従来、例えば60μm×180μmであり、フォト
リソグラフィ技術によって選択的に残した凹凸形成層1
3aの高さ寸法はおよび幅寸法はそれぞれ、0.5μ
m、および7μm〜10μmであり、凹凸形成層13a
同士の間隔は、2μm〜5μmである。The size of the pixel 100a having such a structure is conventionally 60 μm × 180 μm, for example, and the concavo-convex forming layer 1 selectively left by the photolithography technique is used.
3a has a height and a width of 0.5 μ, respectively.
m and 7 μm to 10 μm, and the unevenness forming layer 13 a
The interval between them is 2 μm to 5 μm.
【0012】このような構成としては、例えば、特開平
06−294906号公報に記載された技術が知られて
いる。As such a structure, for example, the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 06-294906 is known.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶装
置に対して表示の高精細化が求められる中にあって、画
素100aサイズは、ますます縮小されていく傾向にあ
るため、従来の構造では反射表示光に散乱性を付与する
ことが困難になりつつある。例えば、300ppiの液
晶装置では、画素100aのサイズが25μm×75μ
mなってしまうため、従来のように、フォトリソグラフ
ィ技術で形成した凹凸形成層13aでは、露光精度など
の制約から1つ1つが大きく、1画素内に数個しか形成
することができなくなるという問題点がある。このよう
な問題は、300ppi以上の高精細な液晶装置では一
層、顕著である。However, as the liquid crystal device is required to have a high definition display, the size of the pixel 100a tends to be further reduced. It is becoming difficult to impart scattering properties to display light. For example, in a 300 ppi liquid crystal device, the size of the pixel 100a is 25 μm × 75 μm.
Therefore, the unevenness forming layer 13a formed by the photolithography technique has a problem that each one is large and only a few can be formed in one pixel as in the conventional case due to the limitation of the exposure accuracy and the like. There is a point. Such a problem is more remarkable in a high-definition liquid crystal device of 300 ppi or more.
【0014】また、半透過反射型液晶装置において、透
過表示光は、液晶層50を一度だけ通過して出射される
のに対して、反射表示光は、液晶層50を2度、通過す
ることになるため、透過表示光および反射表示光の双方
において、リターデーションΔn・dを最適化すること
は困難である。従って、反射モードでの表示が視認性の
よいものとなるように液晶層50の層厚dを設定する
と、透過モードでの表示が犠牲となる一方、透過モード
での表示が視認性のよいものとなるように液晶層50の
層厚dを設定すると、反射モードでの表示が犠牲となる
という問題点がある。Further, in the transflective liquid crystal device, the transmissive display light passes through the liquid crystal layer 50 only once and is emitted, whereas the reflective display light passes through the liquid crystal layer 50 twice. Therefore, it is difficult to optimize the retardation Δn · d for both the transmitted display light and the reflected display light. Therefore, when the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is set so that the display in the reflective mode has good visibility, the display in the transmissive mode is sacrificed, while the display in the transmissive mode has good visibility. If the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 is set so as to satisfy the above condition, there is a problem that the display in the reflection mode is sacrificed.
【0015】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
画素サイズが小さくなっても反射表示光に散乱性を付与
することのできる液晶装置、およびそれを用いた電子機
器を提供することにある。In view of the above problems, the object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of imparting a scattering property to reflected display light even if the pixel size is reduced, and an electronic device using the liquid crystal device.
【0016】また、本発明の課題は、透過表示領域、お
よび反射表示領域の双方において液晶層のリターデーシ
ョンを最適化することのできる液晶装置、およびそれを
用いた電子機器を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of optimizing the retardation of the liquid crystal layer in both the transmissive display region and the reflective display region, and an electronic device using the liquid crystal device. .
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、第1の透明電極がマトリクス状に形成
された第1の透明基板と、第2の透明電極が表面に形成
された第2の透明基板と、前記第1の透明基板と前記第
2の透明基板との間に保持された液晶層とを有し、前記
第1の透明基板の側には、画素内の少なくとも一部を反
射表示領域とする光反射層が形成された液晶装置におい
て、前記第2の透明基板には、少なくとも前記反射表示
領域と対向する領域に光散乱粒子を含む光散乱層を有し
ていることを特徴とする。In order to solve the above problems, according to the present invention, a first transparent substrate on which first transparent electrodes are formed in a matrix and a second transparent electrode are formed on the surface. A second transparent substrate, a liquid crystal layer held between the first transparent substrate and the second transparent substrate, and at least one of the pixels in the pixel is provided on the first transparent substrate side. In a liquid crystal device in which a light reflection layer having a portion as a reflection display region is formed, the second transparent substrate has a light scattering layer containing light scattering particles in at least a region facing the reflection display region. It is characterized by
【0018】本発明では、第2の透明基板に形成した光
散乱層によって反射表示光に散乱性を付与するため、第
1の透明基板の側に対してフォトリソグラフィ技術によ
って凹凸形成層を形成する必要がない。また、光散乱粒
子を利用した光散乱層であれば、画素のサイズが小さく
なっても、反射表示光に散乱性を付与することができ
る。In the present invention, since the light-scattering layer formed on the second transparent substrate imparts the scattering property to the reflected display light, the concavo-convex forming layer is formed on the first transparent substrate side by the photolithography technique. No need. Further, with the light scattering layer using light scattering particles, it is possible to impart the scattering property to the reflection display light even if the size of the pixel is reduced.
【0019】本発明において、例えば、前記画素には、
前記第1の透明電極を制御する画素スイッチング素子が
形成されている。In the present invention, for example, in the pixel,
A pixel switching element that controls the first transparent electrode is formed.
【0020】本発明において、前記光反射層は、前記画
素内の一部に形成されていることにより、前記画素内の
残りの領域は、透過表示領域になっていることが好まし
い。このように構成すると、反射モードおよび透過モー
ドの双方で画像を表示できる半透過反射型液晶装置を構
成することができる。In the present invention, it is preferable that the light reflection layer is formed in a part of the pixel so that the remaining area in the pixel is a transmissive display area. With this configuration, it is possible to configure a transflective liquid crystal device capable of displaying an image in both the reflective mode and the transmissive mode.
【0021】このように構成した場合、前記第2の透明
基板には、前記透過表示領域に透過表示用カラーフィル
タが形成されているとともに、前記反射表示領域には、
前記透過表示用カラーフィルタよりも色度域の狭い反射
表示用カラーフィルタが形成されていることが好まし
い。本願明細書における「色度域が広い」とは、例えば
CIE1931rgb表色系色度図で表される色三角形
の面積が大きいことを指しており、色合いが濃いという
ことに対応している。このように構成すると、透過表示
光は、カラーフィルタを一度だけ通過して出射されるの
に対して、反射表示光は、カラーフィルタを2度、通過
することになるが、反射表示領域と透過表示領域とにお
いて、同等の色合いを得ることができる。With this structure, a color filter for transmissive display is formed in the transmissive display area on the second transparent substrate, and a color filter for transmissive display is formed in the reflective display area.
It is preferable that a reflective display color filter having a narrower chromaticity range than the transmissive display color filter is formed. In the present specification, "wide chromaticity range" means that the area of a color triangle represented by, for example, the CIE1931 rgb colorimetric chromaticity diagram is large, and corresponds to a dark hue. According to this structure, the transmissive display light passes through the color filter only once and is emitted, whereas the reflective display light passes through the color filter twice. The same color tone can be obtained in the display area.
【0022】本発明において、前記第2の透明基板に
は、前記透過表示用カラーフィルタおよび前記透過表示
用カラーフィルタの表面側に透明な平坦膜が形成される
ことがある。このような場合に、当該平坦膜について
は、前記光散乱粒子を含ませて前記光散乱層としての機
能も付与することが好ましい。このように構成すると、
新たな層を追加しなくても、反射表示光に散乱性を付与
することができる。In the present invention, a transparent flat film may be formed on the second transparent substrate on the front surface side of the transmissive display color filter and the transmissive display color filter. In such a case, it is preferable that the flat film includes the light-scattering particles to give a function as the light-scattering layer. With this configuration,
The scattering property can be imparted to the reflected display light without adding a new layer.
【0023】本発明において、前記反射表示用カラーフ
ィルタに前記光散乱粒子を含ませて前記光散乱層として
の機能を付与してもよい。このように構成すると、新た
な層を追加しなくても、反射表示光に散乱性を付与する
ことができる。In the present invention, the reflective display color filter may contain the light scattering particles to impart a function as the light scattering layer. According to this structure, the reflective display light can be provided with the scattering property without adding a new layer.
【0024】本発明において、前記反射表示用カラーフ
ィルタは、前記透過表示用カラーフィルタよりも厚く形
成されていることにより、前記反射表示領域における前
記液晶層の層厚が前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも薄くなっていることが好ましい。このよう
に構成すると、新たな層を追加しなくても、反射表示領
域における液晶層の層厚を透過表示領域における液晶層
の層厚よりも薄くできる。このため、透過表示光は、液
晶層を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表
示光は、液晶層を2度、通過することになっても、透過
表示光および反射表示光の双方において、リターデーシ
ョンΔn・dを最適化することができる。In the present invention, since the reflective display color filter is formed thicker than the transmissive display color filter, the liquid crystal layer in the reflective display region has a layer thickness of the liquid crystal in the transmissive display region. It is preferably thinner than the layer thickness. According to this structure, the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region can be made smaller than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region without adding a new layer. Therefore, the transmitted display light passes through the liquid crystal layer only once and is emitted, whereas the reflected display light passes through the liquid crystal layer twice, but the transmitted display light and the reflected display light are transmitted. In both cases, the retardation Δn · d can be optimized.
【0025】本発明において、前記第1の透明基板およ
び前記第2の透明基板のうちの少なくとも一方の表面側
には、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前
記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くす
る層厚調整層が形成されていることが好ましい。このよ
うに構成すると、反射表示領域における液晶層の層厚を
透過表示領域における液晶層の層厚よりも薄くできるた
め、透過表示光は、液晶層を一度だけ通過して出射され
るのに対して、反射表示光は、液晶層を2度、通過する
ことになっても、透過表示光および反射表示光の双方に
おいて、リターデーションΔn・dを最適化することが
できる。In the present invention, the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region is set to the liquid crystal in the transmissive display region on the surface side of at least one of the first transparent substrate and the second transparent substrate. It is preferable that a layer thickness adjusting layer that is thinner than the layer thickness is formed. According to this structure, since the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region can be made smaller than that of the liquid crystal layer in the transmissive display region, the transmissive display light is emitted after passing through the liquid crystal layer only once. Thus, even if the reflection display light passes through the liquid crystal layer twice, the retardation Δn · d can be optimized for both the transmission display light and the reflection display light.
【0026】本発明において、前記層厚調整層は、前記
反射表示用カラーフィルタと重なる領域に選択的に形成
された透明層であって、かつ、前記光散乱粒子を含んで
前記光散乱層としての機能も備えていることが好まし
い。このように構成すると、新たな層を追加しなくて
も、反射表示光に散乱性を付与することができる。ま
た、前記層厚調整層を前記第2の透明基板に形成するの
であれば、層厚調整層を設けても、第1の透明基板に画
素スイッチング素子を形成するためのフォトリソグラフ
ィ工程において露光精度が低下しない。それ故、信頼性
が高く、かつ、表示品位の高い半透過反射型液晶装置を
提供することができる。In the present invention, the layer thickness adjusting layer is a transparent layer selectively formed in a region overlapping with the reflective display color filter, and includes the light scattering particles as the light scattering layer. It is preferable to have the function of. According to this structure, the reflective display light can be provided with the scattering property without adding a new layer. Further, if the layer thickness adjusting layer is formed on the second transparent substrate, even if the layer thickness adjusting layer is provided, the exposure accuracy in the photolithography process for forming the pixel switching element on the first transparent substrate is improved. Does not decrease. Therefore, it is possible to provide a transflective liquid crystal device having high reliability and high display quality.
【0027】本発明において、前記第1の透明基板およ
び前記第2の透明基板のうちの少なくとも一方の表面側
には、一方の基板から突出して他方の基板に当接するこ
とにより前記第1の透明基板と前記第2の透明基板との
基板間隔を規定する柱状突起が形成されていることが好
ましい。カラーフィルタの厚さバランス、あるいは層厚
調整層の形成によって、第1の透明基板側あるいは第2
の透明基板側に凹凸が形成されたとしても、第1の透明
基板側あるいは第2の透明基板側に形成した柱状突起に
よって基板間隔を制御するのであれば、ギャップ材を散
布する必要がない。このため、第1の透明基材が板と第
2の透明基板との間において、層厚調整層に起因する凹
凸のうち、凹部にギャップ材が転がり込んでしまうこと
が原因で起こる基板間隔のばらつきが発生せず、リター
デーションΔn・dを最適な状態に保持することができ
る。それ故、品位の高い表示を行うことができる。In the present invention, at least one of the first transparent substrate and the second transparent substrate is provided with a surface of at least one of the first transparent substrate by projecting from one substrate and abutting the other substrate. It is preferable that columnar protrusions that define a substrate distance between the substrate and the second transparent substrate are formed. Depending on the thickness balance of the color filter or the formation of the layer thickness adjusting layer, the first transparent substrate side or the second transparent substrate side is formed.
Even if irregularities are formed on the transparent substrate side, it is not necessary to disperse the gap material if the substrate spacing is controlled by the columnar protrusions formed on the first transparent substrate side or the second transparent substrate side. Therefore, between the plate of the first transparent base material and the second transparent substrate, the gap of the substrate is varied due to the gap material rolling into the concave portion of the unevenness caused by the layer thickness adjusting layer. Does not occur, and the retardation Δn · d can be maintained in an optimum state. Therefore, high-quality display can be performed.
【0028】本発明を適用した液晶装置は、携帯電話
機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装
置として用いることができる。The liquid crystal device to which the present invention is applied can be used as a display device for electronic devices such as mobile phones and mobile computers.
【0029】[0029]
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each figure used in the following description,
In order to make each layer and each member recognizable in the drawing, the scale is different for each layer and each member.
【0030】[実施の形態1]
(半透過反射型液晶装置の基本的な構成)図1は、本発
明を適用した半透過反射型液晶装置を各構成要素ととも
に対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1の
H−H′断面図である。図3は、半透過反射型液晶装置
の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数
の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならしめてある。[First Embodiment] (Basic Structure of Transflective Liquid Crystal Device) FIG. 1 is a plan view of a transflective liquid crystal device to which the present invention is applied as viewed from the counter substrate side together with each component. FIG. 2 is a sectional view taken along line HH ′ in FIG. 1. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, etc. in a plurality of pixels formed in a matrix in the image display area of the transflective liquid crystal device.
In each of the drawings used to describe the present embodiment, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable in the drawing.
【0031】図1および図2において、本形態の半透過
反射型液晶装置100は、シール材52によって貼り合
わされたTFTアレイ基板10(第1の透明基板)と対
向基板20(第2の透明基板)との間に、電気光学物質
としての液晶層50が保持されており、シール材52の
形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切
り53が形成されている。シール材52の外側の領域に
は、データ線駆動回路101、および実装端子102が
TFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、
この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路104
が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺に
は、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路1
04の間をつなぐための複数の配線105が設けられて
おり、更に、周辺見切り53の下などを利用して、プリ
チャージ回路や検査回路が設けられることもある。ま
た、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所にお
いては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で
電気的導通をとるための上下導通材106が形成されて
いる。また、データ線駆動回路101、及び走査線駆動
回路104等は、シール材52と重なってもよいし、シ
ール材52の内側領域に形成されてもよい。1 and 2, the semi-transmissive reflective liquid crystal device 100 of this embodiment has a TFT array substrate 10 (first transparent substrate) and a counter substrate 20 (second transparent substrate) which are bonded together by a sealing material 52. ), A liquid crystal layer 50 as an electro-optical material is held, and a peripheral partition 53 made of a light-shielding material is formed in an area inside the area where the sealing material 52 is formed. A data line driving circuit 101 and a mounting terminal 102 are formed along an edge of the TFT array substrate 10 in a region outside the sealing material 52.
The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to this one side.
Are formed. On the remaining one side of the TFT array substrate 10, the scanning line driving circuit 1 provided on both sides of the image display area
A plurality of wirings 105 for connecting the terminals 04 are provided, and further, a precharge circuit or a test circuit may be provided under the peripheral partition 53. Further, at least one position of the corner portion of the counter substrate 20 is formed with a vertical conductive material 106 for electrically connecting the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Further, the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, and the like may overlap with the sealing material 52 or may be formed in the inner region of the sealing material 52.
【0032】なお、データ線駆動回路101および走査
線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に形成す
る代わりに、たとえば、駆動用LSIが実装されたTA
B(テープ オートメイテッド、ボンディング)基板を
TFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群に対
して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続す
るようにしてもよい。また、半透過反射型液晶装置10
0では、使用する液晶層50の種類、すなわち、TN
(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパ
ーTN)モード等々の動作モードや、ノーマリホワイト
モード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フ
ィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配
置されるが、ここでは図示を省略してある。Instead of forming the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 on the TFT array substrate 10, for example, a TA on which a driving LSI is mounted is mounted.
A B (tape automated, bonding) substrate may be electrically and mechanically connected to a terminal group formed on the periphery of the TFT array substrate 10 via an anisotropic conductive film. In addition, the transflective liquid crystal device 10
0 indicates the type of liquid crystal layer 50 used, that is, TN.
A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, etc. are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as (twisted nematic) mode, STN (super TN) mode, etc., and normally white mode / normally black mode. However, illustration is omitted here.
【0033】また、本形態の半透過反射型液晶装置10
0は、カラー表示用であるため、後述するように、対向
基板20において、TFTアレイ基板10の各画素電極
9aに対向する領域にはR、G、Bの各色のカラーフィ
ルタが形成されている。Further, the transflective liquid crystal device 10 of the present embodiment
Since 0 is for color display, color filters of R, G, and B colors are formed in regions of the counter substrate 20 facing the pixel electrodes 9a of the TFT array substrate 10, as described later. .
【0034】このように構成した半透過反射型液晶装置
100の画像表示領域10aにおいては、図3に示すよ
うに、複数の画素100aがマトリクス状に構成されて
いるとともに、これらの画素100aの各々には、画素
電極9a、およびこの画素電極9aを駆動するための画
素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素
信号S1、S2・・・Snを供給するデータ線6aが当
該TFT30のソースに電気的に接続されている。デー
タ線6aに書き込む画素信号S1、S2・・・Snは、
この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複
数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給する
ようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査
線3aが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2・・・
Gmをこの順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に
接続されており、スイッチング素子であるTFT30を
一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線
6aから供給される画素信号S1、S2・・・Snを各
画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画
素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画
素信号S1、S2、・・・Snは、図2に示す対向基板
20の対向電極21との間で一定期間保持される。In the image display area 10a of the transflective liquid crystal device 100 having the above structure, a plurality of pixels 100a are arranged in a matrix as shown in FIG. 3, and each of the pixels 100a is formed. Is formed with a pixel electrode 9a and a pixel switching TFT 30 for driving the pixel electrode 9a, and a data line 6a for supplying pixel signals S1, S2 ... Sn is electrically connected to the source of the TFT 30. Connected to each other. The pixel signals S1, S2 ... Sn to be written to the data line 6a are
The data may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2 ... Are pulsed to the scanning line 3a at a predetermined timing.
Gm is line-sequentially applied in this order. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the pixel signal S1, S2 ... Sn supplied from the data line 6a is generated by turning on the TFT 30 which is a switching element for a certain period. Is written in each pixel at a predetermined timing. The predetermined level pixel signals S1, S2, ... Sn written in the liquid crystal through the pixel electrode 9a in this manner are held for a certain period between the pixel signal S1, S2, ... Sn and the counter electrode 21 of the counter substrate 20 shown in FIG. .
【0035】ここで、液晶層50は、印加される電圧レ
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶層50の部分を通過する光量が低下し、ノー
マリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じ
て入射光がこの液晶層50の部分を通過する光量が増大
していく。その結果、全体として半透過反射型液晶装置
100からは画素信号S1、S2、・・・Snに応じた
コントラストを持つ光が出射される。Here, the liquid crystal layer 50 modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, and enables gradation display. In the normally white mode, the amount of incident light passing through the portion of the liquid crystal layer 50 decreases depending on the applied voltage, and in the normally black mode, the incident light changes depending on the applied voltage. The amount of light passing through this liquid crystal layer 50 increases. As a result, the light having the contrast according to the pixel signals S1, S2, ... Sn is emitted from the transflective liquid crystal device 100 as a whole.
【0036】なお、保持された画素信号S1、S2、・
・・Snがリークするのを防ぐために、画素電極9aと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
60を付加することがある。例えば、画素電極9aの電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時
間だけ蓄積容量60により保持される。これにより、電
荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い半透過
反射型液晶装置100が実現できる。なお、蓄積容量6
0を形成する方法としては、図3に例示するように、蓄
積容量60を形成するための配線である容量線3bとの
間に形成する場合、あるいは前段の走査線3aとの間に
形成する場合もいずれであってもよい。The pixel signals S1, S2, ...
.. In order to prevent Sn from leaking, the storage capacitor 60 may be added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. For example, the voltage of the pixel electrode 9a is held by the storage capacitor 60 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. As a result, the charge retention characteristic is improved, and the transflective liquid crystal device 100 having a high contrast ratio can be realized. In addition, storage capacity 6
As a method of forming 0, as illustrated in FIG. 3, it is formed between the storage line 60 and the capacitance line 3b, which is a wiring for forming the storage capacitance 60, or between the scan line 3a of the preceding stage. Either case may be used.
【0037】(TFTアレイ基板の構成)図4は、本形
態の半透過反射型液晶装置に用いたTFTアレイ基板の
相隣接する複数の画素群の平面図である。図5は、本形
態の半透過反射型液晶装置に形成されている画素の一部
を図4のC−C′線に相当する位置で切断したときの断
面図である。(Structure of TFT Array Substrate) FIG. 4 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on the TFT array substrate used in the transflective liquid crystal device of this embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device of this embodiment, taken along a line corresponding to the line CC 'in FIG.
【0038】図4において、TFTアレイ基板10上に
は、複数の透明なITO(Indium Tin Ox
ide)膜からなる画素電極9a(第1の透明電極)が
マトリクス状に形成されており、これら各画素電極9a
に対して画素スイッチング用のTFT30がそれぞれ接
続している。また、画素電極9aの縦横の境界に沿っ
て、データ線6a、走査線3a、および容量線3bが形
成され、TFT30は、データ線6aおよび走査線3a
に対して接続している。すなわち、データ線6aは、コ
ンタクトホールを介してTFT30の高濃度ソース領域
1dに電気的に接続し、走査線3aは、その突出部分が
TFT30のゲート電極を構成している。なお、蓄積容
量60は、画素スイッチング用のTFT30を形成する
ための半導体膜1の延設部分1fを導電化したものを下
電極とし、この下電極41に容量線3bが上電極として
重なった構造になっている。In FIG. 4, a plurality of transparent ITO (Indium Tin Ox) are formed on the TFT array substrate 10.
pixel electrodes 9a (first transparent electrodes) formed of a (ide) film are formed in a matrix, and each of the pixel electrodes 9a is formed.
The pixel switching TFTs 30 are respectively connected to the. Further, the data line 6a, the scanning line 3a, and the capacitance line 3b are formed along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a, and the TFT 30 includes the data line 6a and the scanning line 3a.
Connected to. That is, the data line 6a is electrically connected to the high-concentration source region 1d of the TFT 30 through the contact hole, and the protruding portion of the scanning line 3a constitutes the gate electrode of the TFT 30. The storage capacitor 60 has a structure in which an extended portion 1f of the semiconductor film 1 for forming the pixel switching TFT 30 is made into a conductive lower electrode, and the lower electrode 41 is overlapped with the capacitive line 3b as an upper electrode. It has become.
【0039】このように構成した画素100aのC−
C′線における断面は、図5に示すように、TFTアレ
イ基板10の基体たる透明な基板10′の表面に、厚さ
が300nm〜500nmのシリコン酸化膜(絶縁膜)
からなる下地保護膜11が形成され、この下地保護膜1
1の表面には、厚さが30nm〜100nmの島状の半
導体膜1aが形成されている。半導体膜1aの表面に
は、厚さが約50〜150nmのシリコン酸化膜からな
るゲート絶縁膜2が形成され、このゲート絶縁膜2の表
面に、厚さが300nm〜800nmの走査線3aが形
成されている。半導体膜1aのうち、走査線3aに対し
てゲート絶縁膜2を介して対峙する領域がチャネル領域
1a′になっている。このチャネル領域1a′に対して
一方側には、低濃度ソース領域1bおよび高濃度ソース
領域1dを備えるソース領域が形成され、他方側には低
濃度ドレイン領域1cおよび高濃度ドレイン領域1eを
備えるドレイン領域が形成されている。The C- of the pixel 100a thus constructed
As shown in FIG. 5, the cross section taken along the line C ′ is a silicon oxide film (insulating film) having a thickness of 300 nm to 500 nm on the surface of the transparent substrate 10 ′ which is the base of the TFT array substrate 10.
The underlayer protective film 11 is formed, and the underlayer protective film 1 is formed.
On the surface of No. 1, an island-shaped semiconductor film 1a having a thickness of 30 nm to 100 nm is formed. A gate insulating film 2 made of a silicon oxide film having a thickness of about 50 to 150 nm is formed on the surface of the semiconductor film 1a, and a scanning line 3a having a thickness of 300 nm to 800 nm is formed on the surface of the gate insulating film 2. Has been done. A region of the semiconductor film 1a facing the scanning line 3a via the gate insulating film 2 is a channel region 1a '. A source region including a low concentration source region 1b and a high concentration source region 1d is formed on one side of the channel region 1a ', and a drain including a low concentration drain region 1c and a high concentration drain region 1e is formed on the other side. A region is formed.
【0040】画素スイッチング用のTFT30の表面側
には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化膜
からなる層間絶縁膜4が形成され、この層間絶縁膜4の
表面には、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜からなる層
間絶縁膜7が形成されている。層間絶縁膜4の表面に
は、厚さが300nm〜800nmのデータ線6aが形
成され、このデータ線6aは、層間絶縁膜4に形成され
たコンタクトホールを介して高濃度ソース領域1dに電
気的に接続している。層間絶縁膜4の表面にはデータ線
6aと同時形成されたドレイン電極6bが形成され、こ
のドレイン電極6bは、層間絶縁膜4に形成されたコン
タクトホールを介して高濃度ドレイン領域1eに電気的
に接続している。An interlayer insulating film 4 made of a silicon oxide film having a thickness of 300 nm to 800 nm is formed on the surface side of the pixel switching TFT 30, and a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed on the surface of the interlayer insulating film 4. An interlayer insulating film 7 made of a film is formed. A data line 6a having a thickness of 300 nm to 800 nm is formed on the surface of the interlayer insulating film 4, and the data line 6a is electrically connected to the high concentration source region 1d through a contact hole formed in the interlayer insulating film 4. Connected to. A drain electrode 6b formed simultaneously with the data line 6a is formed on the surface of the interlayer insulating film 4, and the drain electrode 6b is electrically connected to the high-concentration drain region 1e through a contact hole formed in the interlayer insulating film 4. Connected to.
【0041】層間絶縁膜7の上層には、アルミニウム膜
などからなる光反射膜8aが形成されている。光反射層
8aは、図4および図5に示すように、略長方形の画素
100aの一対の短辺のうち、一方の短辺側のみに形成
され、他方の短辺側は、光反射層8aが形成されていな
い光透過窓8dになっている。このため、略長方形の画
素100aは、光反射層8aが形成されている一方の短
辺側が反射表示領域100bとなっており、光透過窓8
dとなっている他方の短辺側は、透過表示領域100c
になっている。言い換えれば、透過表示領域100cと
反射表示領域100bとの境界部分27は、画素100
a内で短辺に平行に直線的に延びて透過表示領域100
cの3辺は、画素100aの3辺と重なっている。On the upper layer of the interlayer insulating film 7, a light reflecting film 8a made of an aluminum film or the like is formed. As shown in FIGS. 4 and 5, the light reflection layer 8a is formed only on one short side of the pair of short sides of the substantially rectangular pixel 100a, and the other short side is formed on the light reflection layer 8a. It is a light transmission window 8d in which is not formed. Therefore, in the substantially rectangular pixel 100a, one short side on which the light reflection layer 8a is formed is the reflection display area 100b, and the light transmission window 8 is formed.
The other short side, which is d, is the transmissive display area 100c.
It has become. In other words, the boundary portion 27 between the transmissive display area 100c and the reflective display area 100b is the pixel 100.
In a, the transmissive display region 100 extends linearly in parallel with the short side.
The three sides of c overlap with the three sides of the pixel 100a.
【0042】本形態において、光反射層8aの下層側に
は、図11および図12を参照して説明した凹凸形成層
13aが形成されておらず、光反射層8aの表面は概
ね、平坦である。In this embodiment, the concavo-convex forming layer 13a described with reference to FIGS. 11 and 12 is not formed on the lower layer side of the light reflecting layer 8a, and the surface of the light reflecting layer 8a is generally flat. is there.
【0043】再び図5において、光反射膜8aの上層に
はITO膜からなる画素電極9aが形成されている。画
素電極9aは、光反射膜8aの表面に直接、積層され、
画素電極9aと光反射膜8aとは電気的に接続されてい
る。また、画素電極9aは、感光性樹脂層7aおよび層
間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介してドレ
イン電極6bに電気的に接続している。Referring again to FIG. 5, a pixel electrode 9a made of an ITO film is formed on the light reflection film 8a. The pixel electrode 9a is directly laminated on the surface of the light reflection film 8a,
The pixel electrode 9a and the light reflection film 8a are electrically connected. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain electrode 6b through a contact hole formed in the photosensitive resin layer 7a and the interlayer insulating film 4.
【0044】画素電極9aの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜12が形成されている。この配向膜12
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。An alignment film 12 made of a polyimide film is formed on the surface side of the pixel electrode 9a. This alignment film 12
Is a film obtained by rubbing a polyimide film.
【0045】また、高濃度ドレイン領域1eからの延設
部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜2と同時
形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して容量線3bが上
電極として対向することにより、蓄積容量60が構成さ
れている。For the extended portion 1f (lower electrode) extending from the high-concentration drain region 1e, the capacitance line 3b is connected to the upper electrode via an insulating film (dielectric film) formed simultaneously with the gate insulating film 2. The storage capacitors 60 are formed by facing each other.
【0046】なお、TFT30は、好ましくは上述のよ
うにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b、およ
び低濃度ドレイン領域1cに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、TFT30は、ゲート電極(走査線3aの
一部)をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のTFTであってもよい。The TFT 30 preferably has the LDD structure as described above, but has the offset structure in which the impurity ions are not implanted into the regions corresponding to the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c. May be. Further, the TFT 30 may be a self-alignment type TFT in which high-concentration source and drain regions are formed in a self-aligned manner by implanting high-concentration impurity ions using the gate electrode (a part of the scanning line 3a) as a mask. .
【0047】また、本形態では、TFT30のゲート電
極(走査線3a)をソース−ドレイン領域の間に1個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
2個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、あるいは
トリプルゲート以上でTFT30を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも1個をLDD構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。Further, in the present embodiment, the single gate structure in which only one gate electrode (scanning line 3a) of the TFT 30 is arranged between the source and drain regions is used, but two or more gate electrodes are arranged between them. You may. At this time, the same signal is applied to each gate electrode.
By configuring the TFT 30 with a dual gate (double gate) or a triple gate or more in this way, it is possible to prevent a leak current at the junction between the channel and the source-drain region, and reduce the off-time current. If at least one of these gate electrodes has an LDD structure or an offset structure, the off current can be further reduced, and a stable switching element can be obtained.
【0048】なお、TFTアレイ基板10と対向基板2
0とは、一方の基板に散布されたギャップ材5によって
基板間隔が規定されている。The TFT array substrate 10 and the counter substrate 2
0 means that the gap between the substrates is defined by the gap material 5 scattered on one of the substrates.
【0049】(対向基板の構成)本形態において、対向
基板20では、TFTアレイ基板10に形成されている
画素電極9aの縦横の境界部分と対向する領域にブラッ
クマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せ
られる遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO
膜からなる対向電極21(第2の電極)が形成されてい
る。対向電極21の上層側には、ポリイミド膜からなる
配向膜22が形成され、この配向膜22は、ポリイミド
膜に対してラビング処理が施された膜である。(Structure of Counter Substrate) In the present embodiment, the counter substrate 20 is referred to as a black matrix or a black stripe in a region facing the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrodes 9a formed on the TFT array substrate 10. A light shielding film 23 is formed, and ITO is formed on the upper layer side.
A counter electrode 21 (second electrode) made of a film is formed. An alignment film 22 made of a polyimide film is formed on the upper layer side of the counter electrode 21, and the alignment film 22 is a film obtained by rubbing the polyimide film.
【0050】対向基板20の表面側において対向電極2
1の下層側には、画素電極9aに対向する領域にR、
G、Bのカラーフィルタが1μm〜数μmの厚さに形成
されている。但し、半透過反射型液晶装置100では、
反射モードでの表示と透過モードでの表示が行われる
際、透過表示光は、矢印LBで示すように、カラーフィ
ルタを一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表
示光は、矢印LAで示すように、カラーフィルタを2
度、通過することになる。このため、本形態では、対向
基板20の表面のうち、光反射膜8aが形成されている
反射表示領域100bには、色度域の狭い反射表示用カ
ラーフィルタ242が形成されている一方、透過窓8d
が形成されている透過表示領域100cには、色度域の
広い透過表示用カラーフィルタ242が形成されてい
る。On the front surface side of the counter substrate 20, the counter electrode 2
R on the lower layer side of 1 in the region facing the pixel electrode 9a,
The G and B color filters are formed to a thickness of 1 μm to several μm. However, in the transflective liquid crystal device 100,
When the display in the reflective mode and the display in the transmissive mode are performed, the transmissive display light passes through the color filter only once and is emitted, as shown by an arrow LB, while the reflective display light indicates the arrow. As shown by LA, two color filters are used.
It will pass once. Therefore, in this embodiment, in the reflective display region 100b of the surface of the counter substrate 20 where the light reflective film 8a is formed, the reflective display color filter 242 having a narrow chromaticity region is formed, while the transparent display color filter 242 is transmitted. Window 8d
In the transmissive display area 100c in which is formed, a transmissive display color filter 242 having a wide chromaticity region is formed.
【0051】また、対向基板20では、反射表示用カラ
ーフィルタ242、および透過表示用カラーフィルタ2
42の表面側に平坦化膜26が形成されている。On the counter substrate 20, the reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 2 are provided.
A flattening film 26 is formed on the surface side of 42.
【0052】ここで、平坦化膜26は、アクリル樹脂や
ポリイミド樹脂などといった透明な樹脂層であるが、本
形態では、平坦化膜26を構成する樹脂には、平均粒径
が例えば300nm〜500nmのシリコン微粒子、ガ
ラス粒子、あるいは樹脂微粒子からなる透明な光散乱粒
子29が含まれている。このため、平坦化膜26は、対
向電極21の下層側を平坦化する機能と、平坦化膜26
を透過する光に光散乱性を付与する光散乱層としての機
能とを有している。Here, the flattening film 26 is a transparent resin layer such as an acrylic resin or a polyimide resin, but in this embodiment, the resin forming the flattening film 26 has an average particle diameter of, for example, 300 nm to 500 nm. The transparent light scattering particles 29 made of silicon fine particles, glass particles, or resin fine particles are included. Therefore, the flattening film 26 has a function of flattening the lower layer side of the counter electrode 21 and the flattening film 26.
It has a function as a light-scattering layer that imparts a light-scattering property to the light passing through.
【0053】このような対向基板20は、まず、フォト
リソグラフィ技術を利用して遮光膜23を形成した後、
フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはイ
ンクジェット法を利用して、反射表示用カラーフィルタ
242、および透過表示用カラーフィルタ242を形成
し、しかる後に、平坦化膜26、対向電極21および配
向膜22をこの順に形成することによって製造できる。
その際、平坦化膜26を形成するための材料に光散乱粒
子29を配合しておく。In such a counter substrate 20, first, a light shielding film 23 is formed by using a photolithography technique, and then,
The reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 242 are formed by using a photolithography technique, a flexographic printing method, or an inkjet method, and then the flattening film 26, the counter electrode 21, and the alignment film 22 are formed. It can be manufactured by forming in this order.
At that time, the light-scattering particles 29 are mixed with the material for forming the flattening film 26.
【0054】(本形態の作用・効果)このような構成の
半透過反射型液晶装置100を搭載した電子機器では、
待機時には、矢印LAで示す反射表示光を利用した反射
モードで表示が行われる一方、使用時には、バックライ
トを点灯させて、反射モードに加えて、矢印LBで示す
透過表示光を利用した透過モードでの表示も行われる。(Operation / Effect of this Embodiment) In an electronic device equipped with the transflective liquid crystal device 100 having such a configuration,
While the display is performed in the reflection mode using the reflection display light indicated by the arrow LA during standby, the backlight is turned on during use and in addition to the reflection mode, the transmission mode using the transmission display light indicated by the arrow LB is used. Is also displayed.
【0055】この際、反射表示光は、平坦化膜26を通
過する際、それに含まれている光散乱粒子29によって
散乱しながら出射される。このため、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてTFTアレイ基板10の側に凹凸を形成
しておく必要がなく、かつ、光散乱粒子29を含む層
(光散乱層)であれば、画素100aのサイズが、例え
ば、25μm以下×75μm以下と小さくても光に散乱
性を付与することができるので、300ppi、さらに
は400ppiの液晶装置にも十分、対応することがで
きる。At this time, the reflected display light is emitted while passing through the flattening film 26 while being scattered by the light scattering particles 29 contained therein. Therefore, it is not necessary to form irregularities on the side of the TFT array substrate 10 by using the photolithography technique, and if the layer includes the light scattering particles 29 (light scattering layer), the size of the pixel 100a is For example, even if it is as small as 25 μm or less × 75 μm or less, light scattering property can be imparted, so that it can be sufficiently applied to a liquid crystal device of 300 ppi, and further 400 ppi.
【0056】なお、本形態では、平坦化膜26を散乱層
として利用したため、透過表示領域100cから出射さ
れる光にも散乱性が付与されるが、表示品位が低下する
ことはない。In this embodiment, since the flattening film 26 is used as the scattering layer, the light emitted from the transmissive display region 100c is also provided with the scattering property, but the display quality is not deteriorated.
【0057】[実施の形態2]図6は、本発明の実施の
形態2に係る半透過反射型液晶装置に形成されている画
素の一部を図4のC−C′線に相当する位置で切断した
ときの断面図である。本形態、および以下に説明するい
ずれの形態においても、基本的な構成が実施の形態1と
同様である。従って、共通する部分には同一の符号を付
してそれらの説明を省略し、各形態の特徴点である対向
基板の構成のみを説明する。[Second Embodiment] FIG. 6 shows a portion of a pixel formed in a transflective liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention at a position corresponding to the line CC 'in FIG. It is sectional drawing when it cut | disconnects by. In this embodiment and any of the embodiments described below, the basic configuration is the same as that of the first embodiment. Therefore, common portions are given the same reference numerals and their description is omitted, and only the configuration of the counter substrate, which is a feature of each embodiment, will be described.
【0058】図6において、本形態でも、実施の形態1
と同様に、対向基板20の表面のうち、TFTアレイ基
板10に光反射膜8aが形成されている反射表示領域1
00bには、色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ2
42が形成されている一方、透過窓8dが形成されてい
る透過表示領域100cには、色度域の広い透過表示用
カラーフィルタ242が形成されている。また、反射表
示用カラーフィルタ242、および透過表示用カラーフ
ィルタ242の表面側には、透明な平坦化膜26、透明
な対向電極21、および配向膜22がこの順に形成され
ている。Referring to FIG. 6, in the present embodiment as well, the first embodiment
Similarly to the above, on the surface of the counter substrate 20, the reflective display region 1 in which the light reflection film 8a is formed on the TFT array substrate 10 is formed.
00b is a reflective display color filter 2 having a narrow chromaticity range.
On the other hand, a transparent display color filter 242 having a wide chromaticity range is formed in the transparent display area 100c in which the transparent window 8d is formed while the transparent display color filter 242 is formed. A transparent flattening film 26, a transparent counter electrode 21, and an alignment film 22 are formed in this order on the surface side of the reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 242.
【0059】本形態において、反射表示用カラーフィル
タ242は、各種の色材の他、平均粒径が例えば300
nm〜500nmのシリコン微粒子、ガラス粒子、ある
いは樹脂微粒子からなる透明な光散乱粒子29が配合さ
れており、反射表示光に着色を行うとともに、反射表示
光に光散乱性を付与する光散乱層として機能する。In the present embodiment, the reflective display color filter 242 has an average particle size of, for example, 300 in addition to various coloring materials.
As a light scattering layer that mixes transparent light scattering particles 29 made of silicon fine particles, glass particles, or resin fine particles having a size of 500 nm to 500 nm to color reflected display light and impart light scattering property to the reflected display light. Function.
【0060】このような対向基板20も、フォトリソグ
ラフィ技術を利用して遮光膜23を形成した後、フォト
リソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはインクジ
ェット法を利用して、反射表示用カラーフィルタ24
2、および透過表示用カラーフィルタ242を形成し、
しかる後に、平坦化膜26、対向電極21および配向膜
22をこの順に形成することによって製造できる。その
際、反射表示用カラーフィルタ242を形成するための
材料に光散乱粒子29を配合しておく。ここで、反射表
示用カラーフィルタ242に含まれる顔料自身を光散乱
粒子29として用いてもよい。Also on the counter substrate 20 as described above, after the light shielding film 23 is formed by using the photolithography technique, the reflection display color filter 24 is formed by using the photolithography technique, the flexographic printing method, or the ink jet method.
2, and a color filter 242 for transmissive display is formed,
After that, the flattening film 26, the counter electrode 21, and the alignment film 22 are formed in this order to manufacture. At that time, the light-scattering particles 29 are mixed in the material for forming the reflective display color filter 242. Here, the pigment itself contained in the reflective display color filter 242 may be used as the light scattering particles 29.
【0061】このような構成の半透過反射型液晶装置1
00でも、反射表示光は、反射表示用カラーフィルタ2
42を通過する際、それに含まれている光散乱粒子29
によって散乱しながら出射される。このため、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてTFTアレイ基板10の側に凹
凸を形成しておく必要がなく、かつ、光散乱粒子29を
含む層(光散乱層)であれば、かつ、光散乱粒子29を
含む反射表示用カラーフィルタ242(光散乱層)であ
れば、画素100aのサイズに応じた領域に容易に形成
することできる。A transflective liquid crystal device 1 having such a configuration
00, the reflective display light is reflected by the color filter 2 for reflective display.
When passing through 42, the light scattering particles 29 contained therein
It is emitted while being scattered by. Therefore, it is not necessary to form irregularities on the side of the TFT array substrate 10 by using the photolithography technique, and if the layer includes the light scattering particles 29 (light scattering layer), the light scattering particles 29 The reflective display color filter 242 (light-scattering layer) including the can be easily formed in a region corresponding to the size of the pixel 100a.
【0062】[実施の形態3]図7は、本発明の実施の
形態3に係る半透過反射型液晶装置に形成されている画
素の一部を図4のC−C′線に相当する位置で切断した
ときの断面図である。[Third Embodiment] FIG. 7 shows a portion of a pixel formed in a transflective liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention at a position corresponding to the line CC 'in FIG. It is sectional drawing when it cut | disconnects by.
【0063】図7において、本形態でも、実施の形態1
と同様に、対向基板20の表面のうち、TFTアレイ基
板10に光反射膜8aが形成されている反射表示領域1
00bには、色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ2
42が形成されている一方、透過窓8dが形成されてい
る透過表示領域100cには、色度域の広い透過表示用
カラーフィルタ242が形成されている。また、反射表
示用カラーフィルタ242、および透過表示用カラーフ
ィルタ242の表面側には、透明な対向電極21、およ
び配向膜22がこの順に形成されている。Referring to FIG. 7, in this embodiment also, the first embodiment
Similarly to the above, on the surface of the counter substrate 20, the reflective display region 1 in which the light reflection film 8a is formed on the TFT array substrate 10 is formed.
00b is a reflective display color filter 2 having a narrow chromaticity range.
On the other hand, a transparent display color filter 242 having a wide chromaticity range is formed in the transparent display area 100c in which the transparent window 8d is formed while the transparent display color filter 242 is formed. A transparent counter electrode 21 and an alignment film 22 are formed in this order on the surface side of the reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 242.
【0064】本形態において、反射表示用カラーフィル
タ242は、各種の色材の他、微細な光散乱粒子が配合
されており、反射表示光に着色を行うとともに、反射表
示光に光散乱性を付与する光散乱層として機能する。In the present embodiment, the reflective display color filter 242 contains various color materials and fine light-scattering particles for coloring the reflective display light and providing the reflective display light with a light-scattering property. It functions as an applied light scattering layer.
【0065】ここで、反射表示用カラーフィルタ242
は、透過表示用カラーフィルタ241と比較して、色度
域は狭いが分厚い色材が用いられ、その表面側には平坦
化膜が形成されていない。このため、反射表示領域10
0bにおける液晶層50の層厚dは、透過表示領域10
0cにおける液晶層50の層厚dよりもかなり薄い。Here, the reflective display color filter 242.
In comparison with the transmissive display color filter 241, a thick color material having a narrow chromaticity range is used, and a flattening film is not formed on the surface side thereof. Therefore, the reflective display area 10
The layer thickness d of the liquid crystal layer 50 at 0b is
It is considerably thinner than the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 at 0c.
【0066】さらに、本形態では、TFTアレイ基板1
0に形成された柱状突起40によって、TFTアレイ基
板10と対向基板20との間隔が規定され、TFTアレ
イ基板10と対向基板20との間にギャップ材が散布さ
れていない。Further, in this embodiment, the TFT array substrate 1
The space between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is defined by the columnar protrusions 40 formed at 0, and the gap material is not scattered between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.
【0067】このような対向基板20も、フォトリソグ
ラフィ技術を利用して遮光膜23を形成した後、フォト
リソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはインクジ
ェット法を利用して、反射表示用カラーフィルタ24
2、および透過表示用カラーフィルタ242を形成し、
しかる後に、対向電極21および配向膜22をこの順に
形成することによって製造できる。その際、反射表示用
カラーフィルタ242を形成するための材料に光散乱粒
子29を配合しておくとともに、反射表示用カラーフィ
ルタ242については、透過表示用カラーフィルタ24
1と比較して分厚く形成する。Also on the counter substrate 20 as described above, after the light shielding film 23 is formed by using the photolithography technique, the reflection display color filter 24 is formed by using the photolithography technique, the flexographic printing method or the ink jet method.
2, and a color filter 242 for transmissive display is formed,
After that, the counter electrode 21 and the alignment film 22 are formed in this order, and thus it can be manufactured. At that time, the light-scattering particles 29 are mixed in the material for forming the reflective display color filter 242, and the transmissive display color filter 24 is used as the reflective display color filter 242.
It is formed thicker than No. 1.
【0068】このような構成の半透過反射型液晶装置1
00でも、反射表示光は、反射表示用カラーフィルタ2
42を通過する際、それに含まれている光散乱粒子29
によって散乱しながら出射される。このため、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてTFTアレイ基板10の側に凹
凸を形成しておく必要がなく、かつ、光散乱粒子29を
含む層(光散乱層)であれば、かつ、光散乱粒子29を
含む反射表示用カラーフィルタ242(光散乱層)であ
れば、画素100aのサイズに応じた領域に容易に形成
することできる。The transflective liquid crystal device 1 having such a configuration
00, the reflective display light is reflected by the color filter 2 for reflective display.
When passing through 42, the light scattering particles 29 contained therein
It is emitted while being scattered by. Therefore, it is not necessary to form irregularities on the side of the TFT array substrate 10 by using the photolithography technique, and if the layer includes the light scattering particles 29 (light scattering layer), the light scattering particles 29 The reflective display color filter 242 (light-scattering layer) including the can be easily formed in a region corresponding to the size of the pixel 100a.
【0069】また、本形態では、透過表示用カラーフィ
ルタ241と反射表示用カラーフィルタ242との厚さ
を変えて、反射表示領域100bにおける液晶層50の
層厚dを透過表示領域100cにおける液晶層50の層
厚dよりもかなり薄くしてある。従って、透過表示光
は、液晶層50を一度だけ通過して出射されるのに対し
て、反射表示光は、液晶層50を2度、通過することに
なるが、本形態では、透過表示光および反射表示光の双
方において、リターデーションΔn・dを最適化するこ
とができるので、品位の高い表示を行うことができる。Further, in this embodiment, the thicknesses of the transmissive display color filter 241 and the reflective display color filter 242 are changed so that the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the reflective display area 100b is changed to the liquid crystal layer in the transmissive display area 100c. It is considerably thinner than the layer thickness d of 50. Therefore, while the transmissive display light passes through the liquid crystal layer 50 only once and is emitted, the reflective display light passes through the liquid crystal layer 50 twice, but in the present embodiment, the transmissive display light is transmitted. Since the retardation Δn · d can be optimized for both the reflection display light and the reflected display light, high-quality display can be performed.
【0070】さらに、TFTアレイ基板10に形成され
た柱状突起40によって、TFTアレイ基板10と対向
基板20との間隔が規定され、TFTアレイ基板10と
対向基板20との間にギャップ材が散布されていないた
め、対向基板20に層厚調整層25に起因する凹凸があ
っても、ギャップ材がその凹部に溜まって機能しないと
いう不具合が発生しない。それ故、TFTアレイ基板1
0と対向基板20との間隔が精度よく規定され、リター
デーションΔn・dが最適化されているので、品位の高
い表示を行うことができる。Further, the columnar protrusions 40 formed on the TFT array substrate 10 define the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the gap material is dispersed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Therefore, even if the counter substrate 20 has unevenness due to the layer thickness adjusting layer 25, the problem that the gap material does not function because it is accumulated in the recess does not occur. Therefore, the TFT array substrate 1
Since the interval between 0 and the counter substrate 20 is accurately defined and the retardation Δn · d is optimized, high-quality display can be performed.
【0071】[実施の形態4]図8は、本発明の実施の
形態4に係る半透過反射型液晶装置に形成されている画
素の一部を図4のC−C′線に相当する位置で切断した
ときの断面図である。[Fourth Embodiment] FIG. 8 shows a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device according to the fourth embodiment of the present invention at a position corresponding to the line CC 'in FIG. It is sectional drawing when it cut | disconnects by.
【0072】図7において、本形態でも、実施の形態1
と同様に、対向基板20の表面のうち、TFTアレイ基
板10に光反射膜8aが形成されている反射表示領域1
00bには、色度域の狭い反射表示用カラーフィルタ2
42が形成されている一方、透過窓8dが形成されてい
る透過表示領域100cには、色度域の広い透過表示用
カラーフィルタ242が形成されている。また、反射表
示用カラーフィルタ242、および透過表示用カラーフ
ィルタ242の表面側には、透明な対向電極21、およ
び配向膜22がこの順に形成されている。Referring to FIG. 7, in the present embodiment as well, the first embodiment
Similarly to the above, on the surface of the counter substrate 20, the reflective display region 1 in which the light reflection film 8a is formed on the TFT array substrate 10 is formed.
00b is a reflective display color filter 2 having a narrow chromaticity range.
On the other hand, a transparent display color filter 242 having a wide chromaticity range is formed in the transparent display area 100c in which the transparent window 8d is formed while the transparent display color filter 242 is formed. A transparent counter electrode 21 and an alignment film 22 are formed in this order on the surface side of the reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 242.
【0073】また、本形態では、対向基板20の表面の
うち、反射表示用カラーフィルタ242と対向電極21
との層間にアクリル樹脂やポリイミド樹脂などの透明樹
脂層からなる層厚調整層25が2μmから4μmの厚さ
で形成されている。このため、反射表示領域100bに
おける液晶層50の層厚dは、透過表示領域100cに
おける液晶層50の層厚dよりも薄い。ここで、層厚調
整層25の端部250は、テーパ面になっているが、こ
のようなテーパ状の端部250は、反射表示領域100
b内に位置している。Further, in this embodiment, on the surface of the counter substrate 20, the reflective display color filter 242 and the counter electrode 21 are provided.
A layer thickness adjusting layer 25 made of a transparent resin layer such as an acrylic resin or a polyimide resin is formed between the layers and with a thickness of 2 μm to 4 μm. Therefore, the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the reflective display area 100b is smaller than the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the transmissive display area 100c. Here, the end portion 250 of the layer thickness adjusting layer 25 has a tapered surface, but such a tapered end portion 250 has a reflective display region 100.
It is located within b.
【0074】さらに、本形態では、TFTアレイ基板1
0に形成された、高さが2μm〜3μmの柱状突起40
によって、TFTアレイ基板10と対向基板20との間
隔が規定され、TFTアレイ基板10と対向基板20と
の間にギャップ材が散布されていない。Further, in this embodiment, the TFT array substrate 1
Columnar protrusion 40 having a height of 2 μm to 3 μm
Thus, the gap between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is defined, and the gap material is not dispersed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.
【0075】ここで、層厚調整層25は、アクリル樹脂
あるいはポリイミド樹脂などといった透明な樹脂層であ
るが、本形態では、層厚調整層25を構成する樹脂に
は、平均粒径が例えば300nm〜500nmのシリコ
ン微粒子、ガラス粒子、あるいは樹脂微粒子からなる透
明な光散乱粒子29が含まれている。このため、層厚調
整層25は、液晶層50の層厚dを調整する機能と、層
厚調整層25を透過する光に光散乱性を付与する光散乱
層としての機能とを有している。Here, the layer thickness adjusting layer 25 is a transparent resin layer such as an acrylic resin or a polyimide resin, but in this embodiment, the resin constituting the layer thickness adjusting layer 25 has an average particle diameter of, for example, 300 nm. Transparent light-scattering particles 29 made of silicon fine particles, glass particles, or resin fine particles having a size of up to 500 nm are included. Therefore, the layer thickness adjusting layer 25 has a function of adjusting the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 and a function as a light scattering layer that imparts a light scattering property to the light transmitted through the layer thickness adjusting layer 25. There is.
【0076】このような対向基板20は、まず、フォト
リソグラフィ技術を利用して遮光膜23を形成した後、
フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはイ
ンクジェット法を利用して、反射表示用カラーフィルタ
242、および透過表示用カラーフィルタ242を形成
し、しかる後に、層厚調整層25、対向電極21および
配向膜22をこの順に形成することによって製造でき
る。その際、層厚調整層5を形成するための材料に光散
乱粒子29を配合しておく。In such a counter substrate 20, first, a light shielding film 23 is formed by using a photolithography technique, and then,
The reflective display color filter 242 and the transmissive display color filter 242 are formed by using a photolithography technique, a flexographic printing method, or an inkjet method, and thereafter, the layer thickness adjusting layer 25, the counter electrode 21, and the alignment film 22. Can be manufactured in this order. At that time, the light-scattering particles 29 are blended with the material for forming the layer thickness adjusting layer 5.
【0077】このような構成の半透過反射型液晶装置1
00でも、反射表示光は、層厚調整層25を通過する
際、それに含まれている光散乱粒子29によって散乱し
ながら出射される。このため、フォトリソグラフィ技術
を用いてTFTアレイ基板10の側に凹凸を形成してお
く必要がなく、かつ、光散乱粒子29を含む層厚調整層
25(光散乱層)であれば、画素100aのサイズに応
じた領域に容易に形成することできる。The transflective liquid crystal device 1 having such a configuration
In 00, the reflected display light is emitted while passing through the layer thickness adjusting layer 25 while being scattered by the light scattering particles 29 contained therein. Therefore, it is not necessary to form irregularities on the side of the TFT array substrate 10 by using the photolithography technique, and if the layer thickness adjusting layer 25 (light scattering layer) containing the light scattering particles 29 is used, the pixel 100a can be formed. Can be easily formed in a region corresponding to the size of the.
【0078】また、本形態では、対向基板20の側に層
厚調整層25を設けて、反射表示領域100bにおける
液晶層50の層厚dを透過表示領域100cにおける液
晶層50の層厚dよりもかなり薄くしてある。従って、
透過表示光および反射表示光の双方において、リターデ
ーションΔn・dを最適化することができるので、品位
の高い表示を行うことができる。In this embodiment, the layer thickness adjusting layer 25 is provided on the counter substrate 20 side so that the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the reflective display area 100b is smaller than the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in the transmissive display area 100c. Is also quite thin. Therefore,
Since the retardation Δn · d can be optimized for both the transmissive display light and the reflective display light, high-quality display can be performed.
【0079】しかも本形態では、層厚調整層25の端部
250がテーパ面になっていてそこでは液晶層50の層
厚が適正な値がずれているが、このような端部250
は、反射表示領域100b内に位置しているので、その
ような層厚のずれは、透過モードで表示を行う際には画
像の品位に影響を及ぼさない。Moreover, in the present embodiment, the end portion 250 of the layer thickness adjusting layer 25 has a tapered surface, and the proper value of the layer thickness of the liquid crystal layer 50 deviates there.
Is located in the reflective display region 100b, such a deviation in layer thickness does not affect the image quality when displaying in the transmissive mode.
【0080】また、対向基板20の側、すなわち、画素
スイッチング用のTFT30が形成されない方の基板に
対して層厚調整層25を形成して、反射表示領域100
bにおける液晶層50の層厚dを透過表示領域100c
における液晶層50の層厚dよりも薄くしている。この
ため、層厚調整層25を設けても、TFTアレイ基板1
0にTFT30を形成するためのフォトリソグラフィ工
程において露光精度が低下しない。それ故、信頼性が高
く、かつ、表示品位の高い半透過反射型液晶装置100
を提供することができる。Further, the layer thickness adjusting layer 25 is formed on the counter substrate 20 side, that is, the substrate on which the pixel switching TFT 30 is not formed, and the reflective display region 100 is formed.
The thickness d of the liquid crystal layer 50 in FIG.
The thickness is smaller than the layer thickness d of the liquid crystal layer 50 in FIG. Therefore, even if the layer thickness adjusting layer 25 is provided, the TFT array substrate 1
The exposure accuracy does not decrease in the photolithography process for forming the TFT 30 on the substrate. Therefore, the transflective liquid crystal device 100 having high reliability and high display quality is provided.
Can be provided.
【0081】さらに、TFTアレイ基板10に形成され
た柱状突起40によって、TFTアレイ基板10と対向
基板20との間隔が規定され、TFTアレイ基板10と
対向基板20との間にギャップ材が散布されていないた
め、対向基板20に層厚調整層25に起因する凹凸があ
っても、ギャップ材がその凹部に溜まって機能しないと
いう不具合が発生しない。それ故、TFTアレイ基板1
0と対向基板20との間隔が精度よく規定され、リター
デーションΔn・dが最適化されているので、品位の高
い表示を行うことができる。Further, the columnar protrusions 40 formed on the TFT array substrate 10 define the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the gap material is scattered between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Therefore, even if the counter substrate 20 has unevenness due to the layer thickness adjusting layer 25, the problem that the gap material does not function because it is accumulated in the recess does not occur. Therefore, the TFT array substrate 1
Since the interval between 0 and the counter substrate 20 is accurately defined and the retardation Δn · d is optimized, high-quality display can be performed.
【0082】[その他の実施の形態]これまでは半透過
反射型液晶装置を例として本発明を説明してきたが、本
発明は、反射型液晶装置にも同様に適用する事ができ
る。[Other Embodiments] The present invention has been described so far by taking the transflective liquid crystal device as an example, but the present invention can be similarly applied to the reflective liquid crystal device.
【0083】また、実施の形態3、4では、対向基板2
0に層厚調整層25を形成した液晶装置に対して、柱状
突起40による基板間隔の制御を行った例を説明した
が、TFTアレイ板10に層厚調整層25を形成した液
晶装置に対して、柱状突起40による基板間隔の制御を
行ってもよい。In the third and fourth embodiments, the counter substrate 2 is used.
An example in which the substrate spacing is controlled by the columnar protrusions 40 in the liquid crystal device in which the layer thickness adjusting layer 25 is formed in 0 has been described, but in the liquid crystal device in which the layer thickness adjusting layer 25 is formed in the TFT array plate 10, Then, the substrate spacing may be controlled by the columnar protrusion 40.
【0084】さらに、柱状突起40については、対向基
板20の側に形成してもよい。Further, the columnar protrusions 40 may be formed on the counter substrate 20 side.
【0085】さらにまた、上記形態では、画素スイッチ
ング用のアクティブ素子としてTFTを用いた例を説明
したが、アクティブ素子としてMIM(Metal I
nsulator Metal)素子などの薄膜ダイオ
ード素子(TFD素子/Thin Film Diod
e素子)を用いた場合も同様である。Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which a TFT is used as an active element for pixel switching has been described, but an MIM (Metal I) is used as an active element.
thin film diode element (TFD element / Thin Film Diode)
The same applies when an e element) is used.
【0086】[半透過反射型液晶装置の電子機器への適
用]このように構成した半透過反射型液晶装置100
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図9、図10(A)、(B)を参照し
て説明する。[Application of transflective liquid crystal device to electronic equipment] The transflective liquid crystal device 100 configured as described above.
Can be used as a display portion of various electronic devices, and an example thereof will be described with reference to FIGS. 9, 10A, and 10B.
【0087】図9は、本発明に係る半透過反射型液晶装
置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブ
ロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the transflective liquid crystal device according to the present invention as a display device.
【0088】図9において、電子機器は、表示情報出力
源70、表示情報処理回路71、電源回路72、タイミ
ングジェネレータ73、そして液晶装置74を有する。
また、液晶装置74は、液晶表示パネル75および駆動
回路76を有する。液晶装置74としては、前述した半
透過反射型液晶装置100を用いることができる。In FIG. 9, the electronic equipment has a display information output source 70, a display information processing circuit 71, a power supply circuit 72, a timing generator 73, and a liquid crystal device 74.
The liquid crystal device 74 also includes a liquid crystal display panel 75 and a drive circuit 76. As the liquid crystal device 74, the transflective liquid crystal device 100 described above can be used.
【0089】表示情報出力源70は、ROM(Read
Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ73によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路71に供給する。The display information output source 70 is a ROM (Read
Only Memory), RAM (Random)
A memory such as an Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and a display such as an image signal of a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 73. Information is supplied to the display information processing circuit 71.
【0090】表示情報処理回路71は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路76へ
供給する。電源回路72は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。The display information processing circuit 71 includes various well-known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and executes processing of input display information. , And supplies the image signal to the drive circuit 76 together with the clock signal CLK. The power supply circuit 72 supplies a predetermined voltage to each component.
【0091】図10(A)は、本発明に係る電子機器の
一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示している。ここに示すパーソナルコンピュータ80
は、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユ
ニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述
した半透過反射型液晶装置100を含んで構成される。FIG. 10A shows a mobile personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. Personal computer 80 shown here
Has a main body portion 82 having a keyboard 81 and a liquid crystal display unit 83. The liquid crystal display unit 83 includes the transflective liquid crystal device 100 described above.
【0092】図10(B)は、本発明に係る電子機器の
他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示
す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、前述し
た半透過反射型液晶装置100からなる表示部とを有し
ている。FIG. 10B shows a portable telephone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The mobile phone 90 shown here has a plurality of operation buttons 91 and a display unit including the above-described transflective liquid crystal device 100.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明では、第2
の透明基板に形成した光散乱層によって反射表示光に散
乱性を付与するため、第1の透明基板の側に対してフォ
トリソグラフィ技術によって凹凸形成層を形成する必要
がない。また、光散乱粒子を利用した光散乱層であれ
ば、画素のサイズが小さくなっても、反射表示光に散乱
性を付与することができる。As described above, according to the present invention, the second
Since the light-scattering layer formed on the transparent substrate imparts the scattering property to the reflected display light, it is not necessary to form the unevenness forming layer on the first transparent substrate side by the photolithography technique. Further, with the light scattering layer using light scattering particles, it is possible to impart the scattering property to the reflection display light even if the size of the pixel is reduced.
【図1】本発明が適用される半透過反射型液晶装置を対
向基板の側からみたときの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a transflective liquid crystal device to which the present invention is applied, as viewed from a counter substrate side.
【図2】図1のH−H′線における断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
【図3】半透過反射型液晶装置において、マトリクス状
の複数の画素に形成された素子などの等価回路図であ
る。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of elements and the like formed in a plurality of pixels in a matrix in a transflective liquid crystal device.
【図4】本発明に係る半透過反射型液晶装置のTFTア
レイ基板の各画素の構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of each pixel of the TFT array substrate of the transflective liquid crystal device according to the present invention.
【図5】本発明の実施の形態1に係る半透過反射型液晶
装置に形成されている画素の一部を図4のC−C′線に
相当する位置で切断したときの断面図である。5 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention, taken along a line corresponding to the line CC 'in FIG. .
【図6】本発明の実施の形態2に係る半透過反射型液晶
装置に形成されている画素の一部を図4のC−C′線に
相当する位置で切断したときの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device according to Embodiment 2 of the present invention when cut at a position corresponding to line CC ′ in FIG. 4. .
【図7】本発明の実施の形態3に係る半透過反射型液晶
装置に形成されている画素の一部を図4のC−C′線に
相当する位置で切断したときの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device according to Embodiment 3 of the present invention, taken along a line corresponding to the line CC ′ in FIG. 4. .
【図8】本発明の実施の形態4に係る半透過反射型液晶
装置に形成されている画素の一部を図4のC−C′線に
相当する位置で切断したときの断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device according to Embodiment 4 of the present invention, taken along a line corresponding to the line CC ′ in FIG. 4; .
【図9】本発明に係る半透過反射型液晶装置を表示装置
として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図であ
る。FIG. 9 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the transflective liquid crystal device according to the present invention as a display device.
【図10】(A)、(B)はそれぞれ、本発明に係る半
透過反射型液晶装置を用いたモバイル型のパーソナルコ
ンピュータ、および携帯電話機の説明図である。10A and 10B are explanatory views of a mobile personal computer and a mobile phone using the transflective liquid crystal device according to the present invention, respectively.
【図11】従来の半透過反射型液晶装置において画素に
反射表示領域と透過表示領域とが構成されている様子を
模式的に示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram schematically showing a state in which a pixel is provided with a reflective display region and a transmissive display region in a conventional transflective liquid crystal device.
【図12】図11に示す半透過反射型液晶装置に形成さ
れている画素の一部を図11のD−D′線に相当する位
置で切断したときの断面図である。12 is a cross-sectional view of a portion of a pixel formed in the transflective liquid crystal device shown in FIG. 11, taken along a line corresponding to the line DD ′ in FIG.
1a 半導体膜 2 ゲート絶縁膜 3a 走査線 3b 容量線 4、7 層間絶縁膜 6a データ線 6b ドレイン電極 8a 光反射膜 8d 光透過窓 9a 画素電極 10 TFTアレイ基板 20 対向基板 21 対向電極 23 遮光膜 25 層厚調整層 26 平坦化膜 29 光散乱粒子 30 画素スイッチング用のTFT 40 柱状突起 50 液晶層 60 蓄積容量 100 半透過反射型液晶装置 100a 画素 100b 反射表示領域 100c 透過表示領域 241 透過表示用カラーフィルタ 242 反射表示用カラーフィルタ 1a Semiconductor film 2 Gate insulating film 3a scanning line 3b Capacitance line 4, 7 Interlayer insulation film 6a data line 6b drain electrode 8a Light reflection film 8d light transmission window 9a Pixel electrode 10 TFT array substrate 20 Counter substrate 21 Counter electrode 23 Light-shielding film 25 layer thickness adjustment layer 26 Flattening film 29 Light scattering particles 30 pixel switching TFT 40 columnar protrusion 50 liquid crystal layer 60 storage capacity 100 transflective liquid crystal device 100a pixel 100b reflective display area 100c transparent display area 241 Color filter for transmissive display 242 Color filter for reflective display
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1343 G02F 1/1343 Fターム(参考) 2H089 HA07 LA09 LA12 TA02 TA09 TA17 2H090 HA04 HA08 HB08X HB13X HD06 LA01 LA02 LA10 LA15 LA20 2H091 FA02Y FA15Y FA16Y FD04 FD06 FD23 FD24 GA02 GA07 GA08 GA13 GA16 LA13 LA16 2H092 GA13 GA23 PA03 PA08 PA12─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G02F 1/1343 G02F 1/1343 F Term (Reference) 2H089 HA07 LA09 LA12 TA02 TA09 TA17 2H090 HA04 HA08 HB08X HB13X HD06 LA01 LA02 LA10 LA15 LA20 2H091 FA02Y FA15Y FA16Y FD04 FD06 FD23 FD24 GA02 GA07 GA08 GA13 GA16 LA13 LA16 2H092 GA13 GA23 PA03 PA08 PA12
Claims (11)
れた第1の透明基板と、第2の透明電極が形成された第
2の透明基板と、前記第1の透明基板と前記第2の透明
基板との間に保持された液晶層とを有し、 前記第1の透明基板の側には、画素内の少なくとも一部
を反射表示領域とする光反射層が形成された液晶装置に
おいて、 前記第2の透明基板には、少なくとも前記反射表示領域
と対向する領域に光散乱粒子を含む光散乱層を有してい
ることを特徴とする液晶装置。1. A first transparent substrate on which first transparent electrodes are formed in a matrix, a second transparent substrate on which second transparent electrodes are formed, the first transparent substrate, and the second transparent substrate. A liquid crystal layer held between the transparent substrate and the liquid crystal layer, wherein a light reflection layer having a reflective display region in at least a part of the pixel is formed on the first transparent substrate side. The liquid crystal device, wherein the second transparent substrate has a light scattering layer containing light scattering particles in at least a region facing the reflective display region.
第1の透明電極を制御する画素スイッチング素子が形成
されていることを特徴とする液晶装置。2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein a pixel switching element that controls the first transparent electrode is formed in the pixel.
層は、前記画素内の一部に形成されていることにより、
前記画素内の残りの領域は、透過表示領域になっている
ことを特徴とする液晶装置。3. The light reflection layer according to claim 1, wherein the light reflection layer is formed in a part of the pixel,
A liquid crystal device, wherein the remaining area in the pixel is a transmissive display area.
には、前記透過表示領域に透過表示用カラーフィルタが
形成されているとともに、前記反射表示領域には、前記
透過表示用カラーフィルタよりも色度域の狭い反射表示
用カラーフィルタが形成されていることを特徴とする液
晶装置。4. The transmissive display color filter is formed in the transmissive display area on the second transparent substrate, and the transmissive display color filter is formed in the reflective display area. A liquid crystal device characterized in that a reflective display color filter having a narrow chromaticity region is formed.
には、前記透過表示用カラーフィルタおよび前記透過表
示用カラーフィルタの表面側に透明な平坦膜が形成さ
れ、 当該平坦膜は、前記光散乱粒子を含んで前記光散乱層と
しての機能も備えていることを特徴とする液晶装置。5. The transparent flat film according to claim 4, wherein a transparent flat film is formed on the surface side of the transmissive display color filter and the transmissive display color filter, and the flat film is formed of the transparent film. A liquid crystal device comprising light scattering particles and also having a function as the light scattering layer.
ーフィルタは、前記光散乱粒子を含んで前記光散乱層と
しての機能も備えていることを特徴とする液晶装置。6. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the reflective display color filter includes the light scattering particles and also has a function as the light scattering layer.
ーフィルタは、前記透過表示用カラーフィルタよりも厚
く形成されていることにより、前記反射表示領域におけ
る前記液晶層の層厚が前記透過表示領域における前記液
晶層の層厚よりも薄くなっていることを特徴とする液晶
装置。7. The reflective display color filter according to claim 6, wherein the reflective display color filter is formed to be thicker than the transmissive display color filter. The liquid crystal device is thinner than the layer thickness of the liquid crystal layer in.
前記第1の透明基板および前記第2の透明基板のうちの
少なくとも一方の表面側には、前記反射表示領域におけ
る前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液
晶層の層厚よりも薄くする層厚調整層が形成されている
ことを特徴とする液晶装置。8. The method according to claim 3, wherein
On at least one surface side of the first transparent substrate and the second transparent substrate, the layer thickness of the liquid crystal layer in the reflective display region is thinner than the layer thickness of the liquid crystal layer in the transmissive display region. A liquid crystal device having a layer thickness adjusting layer formed thereon.
前記反射表示用カラーフィルタと重なる領域に選択的に
形成された透明層であって、かつ、前記光散乱粒子を含
んで前記光散乱層としての機能も備えていることを特徴
とする液晶装置。9. The layer thickness adjusting layer according to claim 8,
A liquid crystal device, which is a transparent layer selectively formed in a region overlapping with the reflective display color filter, and which also includes the light scattering particles and also has a function as the light scattering layer.
前記第1の透明基板および前記第2の透明基板のうちの
少なくとも一方の表面側には、一方の基板から突出して
他方の基板に当接することにより前記第1の透明基板と
前記第2の透明基板との基板間隔を規定する柱状突起が
形成されていることを特徴とする液晶装置。10. The method according to any one of claims 1 to 9,
At least one surface side of the first transparent substrate and the second transparent substrate is projected from one substrate and brought into contact with the other substrate so as to contact the first transparent substrate and the second transparent substrate. A liquid crystal device having columnar protrusions that define a substrate distance from a substrate.
する液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機
器。11. An electronic device comprising a liquid crystal device as defined in claim 1 in a display section.
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