[go: up one dir, main page]

JP2003234021A - Method for producing conductive organic thin film - Google Patents

Method for producing conductive organic thin film

Info

Publication number
JP2003234021A
JP2003234021A JP2002031479A JP2002031479A JP2003234021A JP 2003234021 A JP2003234021 A JP 2003234021A JP 2002031479 A JP2002031479 A JP 2002031479A JP 2002031479 A JP2002031479 A JP 2002031479A JP 2003234021 A JP2003234021 A JP 2003234021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
conductive
thin film
organic thin
bondable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002031479A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazufumi Ogawa
一文 小川
Norihisa Mino
規央 美濃
Shinichi Yamamoto
伸一 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002031479A priority Critical patent/JP2003234021A/en
Publication of JP2003234021A publication Critical patent/JP2003234021A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a conductive organic thin film capable of easily forming, with precision, an organic thin film comprising a conductive region of a desired pattern. <P>SOLUTION: A coat of organic molecules containing an end bondable group which can form cobalent bonding with surface of a base material 1 and a conjugated bondable group which can polymerize with other molecules is formed on the surface of the base material 1. In a part which becomes a conductive region 3a, the conjugated bonding capable group is polymerized with the conjugated bondable group of other organic molecule to form a conjugated bonding chain. In a part which becomes an insulating region 3b, the conjugated bondable group is made to remain as non-polymerized state. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン状に形成
された導電領域を含む導電性有機薄膜の製造方法に関す
るものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a conductive organic thin film including a conductive region formed in a pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子デバイスには、シリコン結晶
に代表されるような無機材料が用いられている。しかし
ながら、このような無機材料では、微細化が進展するに
伴い、結晶欠陥が問題となり、デバイス性能が結晶に大
きく左右される問題があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, inorganic materials represented by silicon crystals have been used for electronic devices. However, in such an inorganic material, as the miniaturization progresses, crystal defects become a problem, and there is a problem that device performance is greatly influenced by crystals.

【0003】これに対して、導電性有機薄膜は、微細加
工がなされても特性がほとんど劣化しないことから、デ
バイスの微細化の進展に対応し得る材料として注目され
ている。本出願人は、導電性有機薄膜として、既に、ポ
リアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリフ
ェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリ
ンなどの共役結合鎖を含む有機薄膜を提案している(例
えば、特開平2(1990)-27766号公報、USP5,008,127、EP-
A-0385656、EP-A-0339677,EP-A-0552637、USP5,270,41
7、特開平5(1993)-87559号公報、特開平6(1994)-242352
号公報)。
On the other hand, the conductive organic thin film is attracting attention as a material that can cope with the progress of device miniaturization because its characteristics are hardly deteriorated even if it is subjected to fine processing. The applicant has already proposed, as a conductive organic thin film, an organic thin film containing a conjugated bond chain such as polyacetylene, polydiacetylene, polyacene, polyphenylene, polythiophene, polypyrrole, and polyaniline (for example, JP-A-2 (1990). -27766, USP 5,008,127, EP-
A-0385656, EP-A-0339677, EP-A-0552637, USP5,270,41
7, JP-A-5 (1993) -87559 JP, JP 6 (1994) -242352
Issue).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、各
種電子デバイスの微細化の進展に鑑み、所望のパターン
状の導電領域を有する導電性有機薄膜を、容易かつ高精
度に形成することができる導電性有機薄膜の製造方法を
提供することを目的とする。
Therefore, in view of the progress of miniaturization of various electronic devices, the present invention can easily and highly accurately form a conductive organic thin film having a desired patterned conductive region. An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive organic thin film that can be used.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の導電性有機薄膜の製造方法は、基材表面の
所定の領域に選択的に形成された導電領域と、前記基材
表面の前記所定の領域を除く領域に形成された絶縁領域
とを含む導電性有機薄膜の製造方法であって、表面に活
性水素を有するかまたは活性水素を付与した前記基材表
面に、分子の一方の末端に前記基材表面と共有結合を形
成可能な末端結合可能基を含み、前記分子のいずれかの
部分に他の分子と重合可能な共役結合可能基を含む有機
分子を接触させて、前記有機分子の末端結合可能基と前
記基材表面の活性水素との反応により共有結合を形成さ
せることにより、前記基材表面に被膜を形成し、前記被
膜の前記導電領域となる部分においては、前記共役結合
可能基を他の有機分子の共役結合可能基と重合させて共
役結合鎖を形成し、前記被膜の前記絶縁領域となる部分
においては、前記共役結合可能基を未重合の状態で残存
させることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for producing a conductive organic thin film according to the present invention comprises a conductive region selectively formed in a predetermined region of a base material surface, and the base material surface. A method for producing a conductive organic thin film including an insulating region formed in a region excluding the predetermined region, wherein the surface of the base material having active hydrogen or provided with active hydrogen has one of a molecule A terminal bondable group capable of forming a covalent bond with the surface of the substrate at the end of, and an organic molecule containing a conjugated bondable group capable of polymerizing with another molecule at any part of the molecule, By forming a covalent bond by a reaction between an end-bondable group of an organic molecule and active hydrogen on the surface of the base material, a coating film is formed on the surface of the base material, and in the portion that becomes the conductive region of the coating film, Groups that can be conjugated to other organic moieties Conjugated bondable group and polymerized for forming a conjugated bond chain, in the insulating region to become part of the coating, characterized in that to leave the conjugated bondable groups in the form of unpolymerized.

【0006】このような製造方法によれば、導電性有機
薄膜に所望のパターンを有する導電領域を、容易かつ高
精度に形成することができる。なお、「所定の領域」と
は、基材表面の導電領域を形成しようとする領域を意味
する。
According to such a manufacturing method, a conductive region having a desired pattern can be easily and highly accurately formed on the conductive organic thin film. The "predetermined region" means a region where a conductive region on the surface of the base material is to be formed.

【0007】本発明により形成される導電領域は、有機
分子の重合により共役結合鎖が形成され、この共役結合
鎖による導電ネットワークが形成されることにより、導
電性が発現するものである。一方、絶縁領域は、有機分
子が重合せず、前述したような共役結合鎖が形成されな
いため、絶縁性が保持された領域である。ここで、「導
電ネットワーク」とは、電気伝導に関与する共役結合鎖
の集合体を意味する。
The conductive region formed by the present invention exhibits conductivity by forming a conjugated bond chain by polymerization of organic molecules and forming a conductive network by this conjugated bond chain. On the other hand, the insulating region is a region where the insulating property is maintained because the organic molecules are not polymerized and the conjugated bond chain as described above is not formed. Here, the "conductive network" means an aggregate of conjugated bond chains involved in electrical conduction.

【0008】前記製造方法においては、重合が、電解重
合、触媒重合およびエネルギービーム照射重合から選ば
れる少なくとも一つの重合方法により実施されることが
好ましい。これらの重合方法を用いて、導電領域となる
部分を重合させ且つ絶縁領域となる部分を未重合のまま
残存させる方法については後に詳説する。
In the above production method, it is preferable that the polymerization is carried out by at least one polymerization method selected from electrolytic polymerization, catalytic polymerization and energy beam irradiation polymerization. A method of polymerizing a portion to be a conductive region and leaving a portion to be an insulating region unpolymerized by using these polymerization methods will be described in detail later.

【0009】また、前記製造方法においては、前記被膜
の少なくとも前記導電領域となる部分において、前記被
膜を構成する有機分子を配向させることが好ましい。有
機分子を配向させることにより、共有結合可能基を一定
の方向に配列させ、且つ、共有結合可能基同士を近接し
て配列させることができる。その結果、有機分子の重合
の進行を容易とし、高い導電性を有する導電領域を形成
することができる。
Further, in the above-mentioned manufacturing method, it is preferable that the organic molecules forming the coating film are oriented in at least a portion of the coating film which becomes the conductive region. By orienting the organic molecules, the covalently bondable groups can be arranged in a certain direction, and the covalently bondable groups can be arranged in close proximity to each other. As a result, the polymerization of organic molecules can be facilitated, and a conductive region having high conductivity can be formed.

【0010】また、被膜を構成する有機分子を配向させ
れば、導電ネットワークを構成する共役結合鎖を、導電
性有機薄膜内の特定の面内で略平行に配列させることも
可能となる。そのため、方向性を有する導電ネットワー
クを形成することができ、導電領域に導電異方性を付与
することが可能である。
Further, by orienting the organic molecules constituting the film, it becomes possible to arrange the conjugated bond chains constituting the conductive network substantially parallel to each other within a specific plane in the conductive organic thin film. Therefore, a directional conductive network can be formed, and conductive anisotropy can be imparted to the conductive region.

【0011】なお、配向させるとは、被膜を構成する各
有機分子を所定の方向に傾斜させることを意味する。ま
た、本発明において、有機分子の配向方向とは、前記有
機分子の長軸を基材表面に射影した線分の方向をいう。
The term "orientate" means to incline each organic molecule forming the film in a predetermined direction. Further, in the present invention, the orientation direction of the organic molecule means the direction of a line segment in which the long axis of the organic molecule is projected on the surface of the substrate.

【0012】配向処理方法としては、例えば、ラビング
処理、前記被膜を備えた前記基材表面から液体を所定の
方向に液切りする処理、および、偏光照射処理などが挙
げられる。また、重合時の分子のゆらぎによっても、被
膜を構成する有機分子を配向させることができる。
Examples of the orientation treatment method include a rubbing treatment, a treatment for draining the liquid in a predetermined direction from the surface of the substrate having the coating film, and a polarized light irradiation treatment. In addition, the organic molecules that form the film can be oriented also by the fluctuations of the molecules during the polymerization.

【0013】前記製造方法においては、前記被膜が、単
分子膜または単分子累積膜であることが好ましい。この
好ましい例によれば、導電性単分子膜または導電性単分
子累積を製造することができる。このような導電性有機
薄膜は、膜厚が薄くても極めて良好な導電性を示すとい
う利点を有している。
In the above manufacturing method, it is preferable that the coating film is a monomolecular film or a monomolecular cumulative film. According to this preferred example, a conductive monolayer or a conductive monolayer stack can be manufactured. Such a conductive organic thin film has an advantage that it exhibits extremely good conductivity even when the film thickness is small.

【0014】更に、導電性単分子累積膜の場合、単分子
層の層数を変更することにより、所望の導電率を得るこ
とができる。単分子累積膜の導電率は、例えば、積層さ
れた単分子の層数に依存し、例えば、同一の単分子膜を
累積した場合、その導電率は、単分子膜の累積数にほぼ
比例する。
Further, in the case of a conductive monomolecular cumulative film, a desired conductivity can be obtained by changing the number of monomolecular layers. The conductivity of the monomolecular cumulative film depends, for example, on the number of laminated monomolecular layers. For example, when the same monomolecular film is accumulated, the conductivity is almost proportional to the cumulative number of monomolecular films. .

【0015】前記製造方法において、前記有機分子は、
末端結合可能基と共役結合可能基とを含む。
In the above manufacturing method, the organic molecule is
It includes an end-bondable group and a conjugate-bondable group.

【0016】前記共役結合可能基は、ピロリル基、チェ
ニル基、エチニレン基(−C≡C−)およびジアセチレ
ン基(−C≡C−C≡C−)から選ばれる少なくとも一
つの基を含む官能基であることが好ましい。
The conjugated bondable group contains at least one group selected from a pyrrolyl group, a cenyl group, an ethynylene group (-C≡C-) and a diacetylene group (-C≡C-C≡C-). It is preferably a group.

【0017】共役結合可能基がピロリル基を含む場合
は、ポリピロール型の共役結合鎖を形成することがで
き、チェニル基を含む場合は、ポリチオフェン型の共役
結合鎖を形成することができる。また、共役結合可能基
がエチニレン基を含む場合は、ポリアセチレン型の共役
結合鎖を形成することができ、ジアセチレン基を含む場
合は、ポリジアセチレン型またはポリアセン型の共役結
合鎖を形成することができる。
When the conjugated bondable group contains a pyrrolyl group, a polypyrrole type conjugated bond chain can be formed, and when it contains a cenyl group, a polythiophene type conjugated bond chain can be formed. Further, when the conjugated bondable group contains an ethynylene group, it can form a polyacetylene-type conjugated bond chain, and when it contains a diacetylene group, it can form a polydiacetylene-type or polyacene-type conjugated bond chain. it can.

【0018】前記末端結合可能基は、ハロゲン化シリル
基、アルコキシシリル基またはイソシアネートシリル基
であることが好ましい。ハロゲン化シリル基は、特にク
ロロシリル基であることが好ましい。また、アルコキシ
シリル基は、特に、炭素数1〜3のアルコキシシリル基
であることが好ましい。
The end-bondable group is preferably a halogenated silyl group, an alkoxysilyl group or an isocyanate silyl group. The silyl halide group is particularly preferably a chlorosilyl group. Further, the alkoxysilyl group is particularly preferably an alkoxysilyl group having 1 to 3 carbon atoms.

【0019】末端結合基がハロゲン化シリル基である場
合、前記基材表面の活性水素との脱ハロゲン化水素反応
により共有結合を形成することができる。末端結合基が
アルコキシシリル基である場合は、前記基材表面の活性
水素との脱アルコール反応により共有結合を形成するこ
とができる。また、末端結合基がイソシアネートシリル
基である場合は、前記基材表面の活性水素との脱イソシ
アネート反応により共有結合を形成することができる。
When the terminal bonding group is a silyl halide group, a covalent bond can be formed by a dehydrohalogenation reaction with active hydrogen on the surface of the substrate. When the terminal bonding group is an alkoxysilyl group, a covalent bond can be formed by dealcoholation reaction with active hydrogen on the surface of the base material. When the terminal bonding group is an isocyanate silyl group, a covalent bond can be formed by a deisocyanation reaction with active hydrogen on the surface of the base material.

【0020】また、前記製造方法においては、前記末端
結合可能基と前記基材表面の活性水素との反応により形
成される共有結合が、シロキサン結合(−SiO−)お
よび−SiN−結合から選ばれる少なくとも一つの結合
であることが好ましい。この場合、SiおよびNには価
数に相当する他の結合基が結合していてもよい。他の結
合基が結合した形態としては、有機分子の末端結合基同
士が結合することにより、前記有機分子が重合した形態
が挙げられる。
Further, in the above-mentioned production method, the covalent bond formed by the reaction between the terminal bondable group and the active hydrogen on the surface of the substrate is selected from a siloxane bond (-SiO-) and a -SiN- bond. It is preferably at least one bond. In this case, other bonding groups corresponding to the valence may be bonded to Si and N. Examples of the form in which the other bonding group is bonded include a form in which the organic molecule is polymerized by bonding the terminal bonding groups of the organic molecule.

【0021】更に、前記有機分子は、前記末端結合可能
基と前記共役結合可能基との間に、活性水素を含まない
有極性官能基を含むことが好ましい。この好ましい例に
よれば、有極性官能基の部分で分子が自由回転しやすく
なるので、被膜を構成する有機分子が配向しやすくな
る。
Further, the organic molecule preferably contains a polar functional group containing no active hydrogen between the terminal bondable group and the conjugated bondable group. According to this preferable example, the molecules are liable to freely rotate in the polar functional group portion, so that the organic molecules constituting the coating are easily oriented.

【0022】また、このような有極性官能基を含む有機
分子を用いた場合、形成される導電領域を、印加された
電界に応じて導電性が変化する領域とすることが可能と
なる。このような導電領域は、有機デバイスの構成部材
として有用である。電界の印加による導電領域の導電性
の変化は、有極性官能基が電界に応答し、その応答によ
る影響が導電ネットワークの構造に波及されるために生
じるものと考えられる。
Further, when such an organic molecule containing a polar functional group is used, the formed conductive region can be a region whose conductivity changes according to an applied electric field. Such a conductive region is useful as a constituent member of an organic device. It is considered that the change in the conductivity of the conductive region due to the application of the electric field occurs because the polar functional group responds to the electric field and the influence of the response propagates to the structure of the conductive network.

【0023】前記有極性官能基は、エステル基(−CO
O−)、オキシカルボニル基(−OCO−)、カルボニ
ル基(−CO−)およびカーボネイト(−OCOO−)
基から選ばれる少なくとも一つの基であることが好まし
い。このように電界の印加によって分極が大きくなる官
能基であれば、印加電界に対する感度が極めて高くな
り、応答速度も極めて高速になる。
The polar functional group is an ester group (--CO
O-), oxycarbonyl group (-OCO-), carbonyl group (-CO-) and carbonate (-OCOO-)
It is preferably at least one group selected from the groups. As described above, a functional group whose polarization is increased by application of an electric field has extremely high sensitivity to an applied electric field and has extremely high response speed.

【0024】また、前記有機分子は、前記末端結合可能
基と前記共役結合可能基との間に光応答性官能基を含ん
でいてもよい。このような光応答性官能基を含む有機分
子を用いた場合、形成される導電領域を、照射された光
に応じて導電性が変化する領域とすることが可能とな
る。このような導電領域は、有機デバイスの構成部材と
して有用である。光応答性官能基としては、例えば、ア
ゾ基(−N=N−)が挙げられる。
The organic molecule may contain a photoresponsive functional group between the terminal bondable group and the conjugate bondable group. When such an organic molecule containing a photoresponsive functional group is used, the conductive region to be formed can be a region whose conductivity changes according to the irradiation light. Such a conductive region is useful as a constituent member of an organic device. Examples of the photoresponsive functional group include an azo group (-N = N-).

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法の一例に
ついて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of the manufacturing method of the present invention will be described below.

【0026】まず、基材表面に、導電性有機薄膜の前駆
体となる被膜を形成する。前記被膜の形成方法として
は、例えば、化学吸着法などを採用することができる。
これらの方法によれば、単分子膜または単分子累積膜を
形成することができる。
First, a coating film which is a precursor of a conductive organic thin film is formed on the surface of a base material. As the method of forming the coating film, for example, a chemical adsorption method or the like can be adopted.
According to these methods, a monomolecular film or a monomolecular cumulative film can be formed.

【0027】以下、被膜形成方法の一例として、化学吸
着法を採用した場合について説明する。化学吸着法は、
被膜材料となる有機分子を基材表面に接触させることに
より、前記有機分子を基材表面に化学吸着させる方法で
ある。
The case where the chemical adsorption method is adopted will be described below as an example of the film forming method. The chemisorption method is
In this method, the organic molecules to be the coating material are brought into contact with the surface of the base material to chemically adsorb the organic molecules on the surface of the base material.

【0028】被膜材料となる有機分子としては、前述し
たように、分子の一方の末端に末端結合可能基を含み、
前記分子のいずれかの部分に共役結合可能基を含むもの
が使用される。
As described above, the organic molecule serving as the coating material contains a terminal bondable group at one end of the molecule,
Those containing a covalently bondable group on any part of the molecule are used.

【0029】共役結合可能基は、他の分子との重合によ
り共役結合を形成可能な官能基である。共役結合可能基
の具体例については、前述した通りである。
The conjugate bondable group is a functional group capable of forming a conjugate bond by polymerization with another molecule. Specific examples of the group capable of conjugate bonding are as described above.

【0030】末端結合可能基は、基材表面との反応によ
り、化学結合、好ましくは共有結合を形成し得る官能基
である。末端結合可能基の具体例については、前述した
通りである。
The end-bondable group is a functional group capable of forming a chemical bond, preferably a covalent bond, by reacting with the surface of the substrate. Specific examples of the terminal bondable group are as described above.

【0031】更に、被膜材料となる有機分子は、共役結
合可能基と末端結合可能基との間に、活性水素を含まな
い有極性官能基または光応答性官能基を有することが好
ましい。有極性官能基および光応答性官能基の具体例に
ついては、前述した通りである。
Further, the organic molecule serving as the coating material preferably has a polar functional group or a photoresponsive functional group containing no active hydrogen between the group capable of conjugate bonding and the group capable of terminal bonding. Specific examples of the polar functional group and the photoresponsive functional group are as described above.

【0032】好ましい有機分子としては、下記化学式
(1)または(2)で示される化合物が挙げられる。
Preferred organic molecules include compounds represented by the following chemical formula (1) or (2).

【0033】[0033]

【化2】 [Chemical 2]

【0034】上記化学式において、Xは水素、エステル
基を含む有機基または不飽和基を含む有機基である。エ
ステル基を含む有機基としては、例えば、CH3COO
−、C25COO−、C37COO−などが挙げられ
る。また、不飽和基を含む有機基としては、例えば、H
2C=CH−、CH3CH=CH−などが挙げられる。
In the above chemical formula, X is hydrogen, an organic group containing an ester group or an organic group containing an unsaturated group. Examples of the organic group containing an ester group include CH 3 COO
-, C 2 H 5 COO-, C 3 H 7 COO- , and the like. Further, as the organic group containing an unsaturated group, for example, H
2 C = CH-, CH 3 CH = CH- and the like.

【0035】また、上記化学式において、qは0〜10
の整数、Zはエステル基(−COO−)、オキシカルボ
ニル基(−OCO−)、カルボニル基(−CO−)また
はカーボネイト基(−OCOO−)、Dはハロゲン、イ
ソシアネート基または炭素数1〜3のアルコキシル基、
Eは水素または炭素数1〜3のアルキル基、mおよびn
は2≦(m+n)≦25、好ましくは10≦(m+n)
≦20を満たす整数、pは1〜3の整数である。
In the above chemical formula, q is 0-10.
, Z is an ester group (—COO—), an oxycarbonyl group (—OCO—), a carbonyl group (—CO—) or a carbonate group (—OCOO—), and D is a halogen, an isocyanate group or a carbon number of 1 to 3. An alkoxyl group of
E is hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m and n
Is 2 ≦ (m + n) ≦ 25, preferably 10 ≦ (m + n)
An integer satisfying ≦ 20 and p is an integer of 1 to 3.

【0036】また、前記有機分子の別の例としては、下
記化学式(3)または(4)で示される化合物が挙げら
れる。なお、下記式において、X、D、E、m、n、p
およびqは、前記式(1)および(2)と同様である。
Another example of the organic molecule is a compound represented by the following chemical formula (3) or (4). In the formula below, X, D, E, m, n, p
And q are the same as in the above formulas (1) and (2).

【0037】[0037]

【化3】 [Chemical 3]

【0038】また、前記有機分子の更に別の例として
は、下記化学式(5)または(6)で示される化合物が
挙げられる。なお、下記式において、X、D、E、pお
よびqは、前記式(1)および(2)と同様である。ま
た、rは、2〜25、好ましくは10〜20の整数であ
る。
Further, another example of the organic molecule is a compound represented by the following chemical formula (5) or (6). In the formulas below, X, D, E, p and q are the same as in the formulas (1) and (2). Further, r is an integer of 2 to 25, preferably 10 to 20.

【0039】[0039]

【化4】 [Chemical 4]

【0040】また、好ましい有機分子の更に別の例とし
ては、下記化学式(7)〜(10)で示される化合物が
挙げられる。なお、下記式において、X、D、E、pお
よびqは、前記式(1)および(2)と同様である。ま
た、sおよびtは、それぞれ、1〜20の整数である。
Further, as still another example of the preferable organic molecule, compounds represented by the following chemical formulas (7) to (10) can be mentioned. In the formulas below, X, D, E, p and q are the same as in the formulas (1) and (2). In addition, s and t are integers of 1 to 20, respectively.

【0041】[0041]

【化5】 [Chemical 5]

【0042】基材としては、表面に活性水素を有する基
材を用いることができる。基材表面において活性水素
は、例えば、−OH基、−COOH基、−NH2基、−
NH基などとして存在するものである。活性水素を有す
る基材としては、例えば、ガラス基材、石英基材、シリ
コン基材、窒化シリコン基材などを用いることができ
る。
As the base material, a base material having active hydrogen on the surface can be used. Active hydrogen on the surface of the base material is, for example, —OH group, —COOH group, —NH 2 group, or —OH group.
It exists as an NH group. As the base material having active hydrogen, for example, a glass base material, a quartz base material, a silicon base material, a silicon nitride base material, or the like can be used.

【0043】また、活性水素を付与する処理が施された
基材を使用することも可能である。この場合、基材本体
については特に限定するものではなく、活性水素を有す
る基材であっても、活性水素に乏しい基材であってもよ
い。活性水素を付与する処理としては、例えば、SiC
4、HSiCl3、SiCl3O−(SiCl2−O) n
−SiCl3(但し、nは0以上6以下の整数)、Si
(OH)4、HSi(OH)3、Si(OH)3O−(S
i(OH)2−O)n−Si(OH)3(但し、nは0以
上6以下の整数)などを基材表面に接触させて、親水性
の化学吸着膜を形成する方法を採用することができる。
また、基材表面に、例えば、SiO2、Al23、Ti2
3などの無機酸化物を形成することによっても、活性
水素を付与することができる。また、その他の処理方法
としては、例えば、コロナ処理およびプラズマ処理など
により、基材表面を活性化させる方法が挙げられる。
Further, a treatment for applying active hydrogen was applied.
It is also possible to use a substrate. In this case, the base material body
Is not particularly limited and has active hydrogen.
Can be used as a base material or a base material that lacks active hydrogen.
Yes. Examples of the treatment for providing active hydrogen include SiC
lFour, HSiCl3, SiCl3O- (SiCl2-O) n
-SiCl3(However, n is an integer of 0 or more and 6 or less), Si
(OH)Four, HSi (OH)3, Si (OH)3O- (S
i (OH)2-O)n-Si (OH)3(However, n is 0 or less
Hydrophilicity by contacting the base material surface with an integer of 6 or less)
The method of forming the chemically adsorbed film can be adopted.
Further, on the surface of the base material, for example, SiO2, Al2O3, Ti2
O3Also active by forming inorganic oxides such as
Hydrogen can be applied. Also, other processing methods
For example, corona treatment and plasma treatment, etc.
The method of activating the surface of the base material can be mentioned.

【0044】前記有機分子を前記基材表面に接触させる
と、有機分子の末端結合可能基と基材表面とが反応し、
化学結合、好ましくは共有結合が形成される。これによ
り、有機分子が基材表面に固定され、被膜が形成され
る。
When the organic molecule is brought into contact with the surface of the substrate, the end-bondable group of the organic molecule reacts with the surface of the substrate,
Chemical bonds are formed, preferably covalent bonds. As a result, the organic molecules are fixed on the surface of the base material and a film is formed.

【0045】例えば、末端結合可能基がハロゲン化シリ
ル基、アルコキシシリル基またはイソシアネートシリル
基である場合、これらの基が基材表面の活性水素との間
で脱ハロゲン化水素反応、脱アルコール反応または脱イ
ソシアネート反応などの脱離反応を起こすことにより共
有結合が形成される。このとき、基材表面の活性水素が
−OH基として存在する場合は、前記共有結合としてシ
ロキサン(−SiO−)結合が形成され、活性水素が−
NH基として存在する場合は、前記共有結合として−S
iN−結合が形成される。
For example, when the terminal bondable group is a halogenated silyl group, an alkoxysilyl group or an isocyanate silyl group, these groups react with the active hydrogen on the surface of the substrate to dehydrohalogenate, dealcoholize or A covalent bond is formed by causing an elimination reaction such as a deisocyanation reaction. At this time, when the active hydrogen on the surface of the base material exists as an —OH group, a siloxane (—SiO—) bond is formed as the covalent bond, and the active hydrogen becomes —OH.
When present as an NH group, -S is used as the covalent bond.
An iN-bond is formed.

【0046】化学吸着法において、前記有機分子を基材
表面に接触させる方法としては、一般に、被膜材料とな
る有機分子を溶媒に添加して化学吸着液を調製し、これ
を基材表面に接触させる方法が採られる。有機溶媒とし
ては、例えば、キシレン、トルエン、ジメチルシロキサ
ンなどの非水系有機溶媒を使用することができる。ま
た、化学吸着液における前記有機分子の濃度は、特に限
定するものではないが、例えば0.01〜1モル/L、
好ましくは0.05〜0.1モル/Lである。
In the chemical adsorption method, as a method of bringing the organic molecules into contact with the surface of the base material, generally, organic molecules to be a coating material are added to a solvent to prepare a chemical adsorption liquid, and this is brought into contact with the surface of the base material. The method of letting is adopted. As the organic solvent, for example, a non-aqueous organic solvent such as xylene, toluene or dimethylsiloxane can be used. The concentration of the organic molecule in the chemical adsorption liquid is not particularly limited, but is, for example, 0.01 to 1 mol / L,
It is preferably 0.05 to 0.1 mol / L.

【0047】また、基材と化学吸着液を接触させる時間
は、特に限定するものではないが、例えば1〜10時
間、好ましくは1〜3時間である。また、このときの化
学吸着液の温度は、例えば10〜80℃、好ましくは2
0〜30℃である。
The time for contacting the base material with the chemical adsorbent is not particularly limited, but is, for example, 1 to 10 hours, preferably 1 to 3 hours. The temperature of the chemical adsorption liquid at this time is, for example, 10 to 80 ° C., preferably 2
It is 0 to 30 ° C.

【0048】基材表面に化学吸着液を接触させる方法と
しては、例えば、基材を化学吸着液に浸漬する方法、基
材表面に化学吸着液を塗布する方法などを採用すること
ができる。
As a method of bringing the surface of the base material into contact with the chemical adsorption liquid, for example, a method of immersing the base material in the chemical adsorption liquid, a method of applying the chemical adsorption liquid to the surface of the base material, or the like can be adopted.

【0049】また、単分子累積膜を形成する場合は、一
層目の単分子膜を形成した後、更に前記単分子膜の表面
を親水化処理してから、前述と同様の化学吸着法により
単分子膜の形成を行えばよい。このような親水化処理と
化学吸着とを繰り返すことによって、所望の積層数の累
積膜が形成できる。
In the case of forming a monomolecular cumulative film, after forming the monomolecular film of the first layer, the surface of the monomolecular film is further hydrophilized, and then the monomolecular film is formed by the same chemical adsorption method as described above. A molecular film may be formed. By repeating such hydrophilic treatment and chemisorption, a desired number of laminated films can be formed.

【0050】親水化処理の方法については、特に限定す
るものではないが、例えば、単分子膜表面にビニル基な
どの不飽和基が存在する場合であれば、水分の存在する
雰囲気中で、単分子層表面に電子線またはX線などのエ
ネルギー線を照射する方法を採用することができる。こ
の方法によれば、単分子膜表面に−OH基を導入するこ
とができる。また、別の方法としては、単分子膜表面を
過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬する方法が挙げられ
る。この場合、単分子膜表面に−COOH基を導入する
ことができる。
The method of hydrophilizing treatment is not particularly limited, but for example, when an unsaturated group such as a vinyl group is present on the surface of the monomolecular film, it is treated in an atmosphere containing water. A method of irradiating the surface of the molecular layer with an energy beam such as an electron beam or an X-ray can be adopted. According to this method, -OH groups can be introduced on the surface of the monomolecular film. Another method is to immerse the surface of the monomolecular film in an aqueous potassium permanganate solution. In this case, -COOH groups can be introduced on the surface of the monolayer.

【0051】また、単分子累積膜を形成する場合、二層
目以降の単分子膜の形成は、ラングミュア−ブロジェッ
ト(LB)法などによって形成することも可能である。
この場合、下層となる単分子膜表面の親水化処理は必ず
しも必要ではない。しかしながら、親水化処理を施すこ
とが、下層単分子膜と上層単分子膜とを化学結合させる
ことができ、耐久性に優れた累積膜を形成することでき
るため、好ましい。
When forming a monomolecular cumulative film, the second and subsequent monomolecular films can be formed by the Langmuir-Blodgett (LB) method or the like.
In this case, the hydrophilic treatment of the surface of the lower monolayer is not always necessary. However, it is preferable to perform the hydrophilic treatment because the lower monolayer and the upper monolayer can be chemically bonded to each other and a cumulative film having excellent durability can be formed.

【0052】なお、単分子累積膜を形成する場合は、す
べての層を同一有機分子で構成しても、各層を異なる種
類の有機分子で構成してもよい。また、単分子累積膜の
構造については特に限定するものではなく、X型、Y型
およびZ型のいずれの構造であってもよい。
When forming a monomolecular cumulative film, all layers may be made of the same organic molecule, or each layer may be made of different kinds of organic molecules. Further, the structure of the monomolecular cumulative film is not particularly limited and may be any of X-type, Y-type and Z-type structures.

【0053】被膜形成後、基材表面を洗浄することが好
ましい。この洗浄工程を実施することにより、基材表面
から未吸着の有機分子を除去することができ、表面に汚
れのない被膜とすることができる。基材を洗浄する有機
溶剤としては、例えば、クロロホルム、アセトン、メタ
ノール、エタノールなどを用いることができる。
After the coating is formed, it is preferable to wash the surface of the base material. By carrying out this washing step, unadsorbed organic molecules can be removed from the surface of the base material, and a surface-free coating film can be obtained. As the organic solvent for cleaning the base material, for example, chloroform, acetone, methanol, ethanol or the like can be used.

【0054】本発明の製造方法においては、好ましく
は、少なくとも導電領域となる部分において、前記被膜
を構成する有機分子を配向させる。前記有機分子を配向
させれば、形成される導電領域の導電率を更に向上させ
ることができる。配向方法としては、例えば、下記の方
法を採用することができる。
In the production method of the present invention, preferably, the organic molecules constituting the coating film are oriented in at least the portion which becomes the conductive region. By orienting the organic molecules, the conductivity of the formed conductive region can be further improved. As the orientation method, for example, the following method can be adopted.

【0055】(i)ラビング処理 ラビング処理は、被膜表面をラビング布で一定方向に擦
るものである。このラビング処理によれば、被膜を構成
する有機分子をラビング方向に配向させることができ
る。なお、ラビング布としては、ナイロン製またはレー
ヨン製の布を用いることができる。
(I) Rubbing treatment In the rubbing treatment, the surface of the coating is rubbed with a rubbing cloth in a certain direction. According to this rubbing treatment, the organic molecules forming the film can be oriented in the rubbing direction. As the rubbing cloth, a cloth made of nylon or rayon can be used.

【0056】また、被膜形成に先立って基材表面にラビ
ング処理を施し、このラビング処理後の基材表面に被膜
を形成することによっても、被膜を構成する有機分子を
所定の方向に傾斜した状態に配向させることができる。
この場合、有機分子の配向方向は、一般に、ラビング処
理におけるラビング方向と同一方向となる。
Further, by rubbing the surface of the base material prior to forming the coating film and forming the coating film on the surface of the base material after the rubbing treatment, the organic molecules constituting the coating film are inclined in a predetermined direction. Can be oriented.
In this case, the orientation direction of the organic molecules is generally the same as the rubbing direction in the rubbing treatment.

【0057】(ii) 偏光照射処理 被膜に偏光を照射することにより、被膜を構成する有機
分子を配向させることができる。この場合、有機分子の
配向方向は、一般に、偏光方向と同一方向となる。この
ような偏光照射処理による配向方法によれば、被膜を構
成する有機分子の基材表面からの脱離や有機分子自体の
破壊などによる、被膜の破損を防止または抑制すること
ができる。なお、偏光としては、可視光領域の波長を有
する直線偏光を用いることが好ましい。
(Ii) Polarized light irradiation treatment By irradiating the film with polarized light, the organic molecules constituting the film can be oriented. In this case, the orientation direction of the organic molecule is generally the same as the polarization direction. According to such an alignment method using polarized light irradiation treatment, it is possible to prevent or suppress breakage of the coating film due to desorption of organic molecules constituting the coating film from the surface of the base material or destruction of the organic molecules themselves. As the polarized light, it is preferable to use linearly polarized light having a wavelength in the visible light region.

【0058】(iii) 液切り処理 液切り処理は、被膜が形成された基材表面を液体で濡ら
し、この液体を基材表面から所定の方向に液切りするこ
とにより実施される。この場合、有機分子の配向方向
は、一般に、液切り方向と同一方向となる。この処理
は、被膜を備えた基材を液体に浸漬した後、液面に対し
て所定の傾斜角度を保ちながら、基材を前記液体から引
き上げることにより実施することができる。
(Iii) Liquid draining treatment The liquid draining treatment is carried out by wetting the surface of the base material on which the coating has been formed with a liquid and draining the liquid in a predetermined direction from the surface of the base material. In this case, the orientation direction of the organic molecules is generally the same as the liquid draining direction. This treatment can be carried out by immersing the base material having the coating film in a liquid and then pulling the base material out of the liquid while maintaining a predetermined inclination angle with respect to the liquid surface.

【0059】被膜形成後に基材の洗浄を実施する場合、
液切り処理は、洗浄に用いた溶剤の液切り方向を一定方
向とすることにより実施することができる。また、被膜
形成の際に、化学吸着液の液切り方向を一定方向とする
ことによっても、同様の配向効果を得ることができる。
When the substrate is washed after forming the film,
The liquid draining treatment can be performed by setting the liquid draining direction of the solvent used for cleaning to a constant direction. In addition, the same orientation effect can be obtained by making the draining direction of the chemical adsorbent liquid constant when forming the film.

【0060】また、液切り方法は、液体からの基材の引
き上げによる方法に限られるものではなく、乾燥空気な
どの気体を一定方向から基板表面に吹き付けて同一方向
に非水系溶媒を飛散除去する方法を採用することも可能
である。この場合、非水系溶媒が飛散していく方向が液
切り方向となり、被膜を構成する有機分子をこの方向に
配向させることができる。
The liquid draining method is not limited to the method of pulling up the base material from the liquid, and a gas such as dry air is blown onto the substrate surface from a certain direction to scatter and remove the non-aqueous solvent in the same direction. It is also possible to adopt the method. In this case, the direction in which the non-aqueous solvent is scattered is the draining direction, and the organic molecules forming the coating can be oriented in this direction.

【0061】(iv) 溶液中での重合工程における分子の
ゆらぎによる配向 上記の3つの配向方法以外に、後の重合工程における分
子のゆらぎによる配向を用いることも可能である。特
に、被膜を構成する有機分子が有極性官能基を含む場
合、溶液中であれば、室温(25℃)程度においても、
分子の回転などのゆらぎが起こりやすい。このため、例
えば、後の重合工程を溶液中で実施することにより、こ
の分子のゆらぎによって、被膜を構成する有機分子を配
向させることが可能となる。
(Iv) Orientation by Fluctuation of Molecules in Polymerization Step in Solution In addition to the above three orientation methods, it is also possible to use orientation by fluctuation of molecules in the subsequent polymerization step. In particular, when the organic molecule forming the coating contains a polar functional group, if it is in a solution, even at room temperature (25 ° C.),
Fluctuations such as rotation of molecules are likely to occur. Therefore, for example, by carrying out the subsequent polymerization step in a solution, it becomes possible to orient the organic molecules constituting the film due to the fluctuation of the molecules.

【0062】上記4つの配向方法は単独で適用しても、
複数の配向方法を組み合わせて適用してもよい。複数の
配向方法を組み合わせて適用することにより、被膜を構
成する有機分子を、より精度良く配向した状態とするこ
とができる。この場合、各配向方法により実現される有
機分子の配向が略同一方向となることが好ましい。すな
わち、ラビング方向、偏光方向および液切り方向を略同
一方向とすることが好ましい。
Even if the above four orientation methods are applied independently,
A plurality of orientation methods may be combined and applied. By applying a plurality of alignment methods in combination, the organic molecules that form the coating can be more accurately aligned. In this case, it is preferable that the alignment of the organic molecules realized by each alignment method is substantially the same. That is, it is preferable that the rubbing direction, the polarization direction, and the liquid draining direction are substantially the same.

【0063】また、この配向処理においては、前記被膜
の全体を配向させてもよいし、前記被膜の所定の部分の
みを配向させてもよい。後者の形態としては、例えば、
導電領域となる部分を配向させ、絶縁領域となる部分は
配向させないという形態が挙げられる。
In this orientation treatment, the entire coating film may be oriented, or only a predetermined portion of the coating film may be oriented. As the latter form, for example,
For example, the conductive region may be oriented and the insulating region may not be oriented.

【0064】また、前記被膜の所定の部分ごとに配向方
向を異ならせてもよい。このような形態としては、例え
ば、複数の導電領域を形成する場合、各導電領域ごとに
配向方向を異ならせる形態が挙げられる。このように、
所定の部分ごとに配向方向を異ならせる場合は、配向処
理方法として、ラビング配向処理または偏光照射処理を
適用することが好ましい。
Further, the orientation direction may be different for each predetermined portion of the film. As such a form, for example, when forming a plurality of conductive regions, a form in which the orientation direction is different for each conductive region can be mentioned. in this way,
When the alignment direction is different for each predetermined portion, it is preferable to apply rubbing alignment treatment or polarized light irradiation treatment as the alignment treatment method.

【0065】ラビング処理を適用して所定の部分ごとに
配向方向を異ならせる方法としては、例えば、基材また
は被膜表面に所定のパターンを形成した第1のレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンで被覆されて
いない基材または被膜表面を所定の第1のラビング方向
にラビングし、ラビング処理後に第1のレジストパター
ンを除去する。その後、基材または被膜表面に第1のレ
ジストパターンと異なる所定のパターンが形成された第
2のレジストパターンを形成し、このレジストパターン
で被覆されていない基材または被膜表面を所定の第2の
ラビング方向にラビングし、ラビング処理後に第2のレ
ジストパターンを除去する。これにより、第1のラビン
グ方向にラビング処理した部分と、第2のラビング方向
にラビング処理した部分とを形成できる。更に、これ
を、ラビング方向を異ならせて繰り返すことにより、複
雑な配向パターンを形成することができる。
As a method of applying a rubbing treatment to make the orientation direction different for each predetermined portion, for example, a first resist pattern having a predetermined pattern is formed on the surface of a base material or a coating film, and this resist pattern is used. The uncoated base material or coating surface is rubbed in a predetermined first rubbing direction, and the first resist pattern is removed after the rubbing treatment. Then, a second resist pattern in which a predetermined pattern different from the first resist pattern is formed on the surface of the base material or the coating film is formed, and the surface of the base material or the coating film not covered with this resist pattern is formed into the second predetermined pattern. Rubbing is performed in the rubbing direction, and the second resist pattern is removed after the rubbing process. This makes it possible to form a portion that has been rubbed in the first rubbing direction and a portion that has been rubbed in the second rubbing direction. Further, by repeating this with different rubbing directions, a complicated alignment pattern can be formed.

【0066】また、偏光照射処理を適用して所定の部位
ごとに配向方向を異ならせる方法としては、例えば、所
定のパターンを形成した第1のフォトマスクを介して、
第1の偏光を照射した後、第1のフォトマスクのパター
ンと異なる所定のパターンを形成した第2のフォトマス
クを介して、第1の偏光の偏光方向と異なる偏光方向を
有する第2の偏光を照射すればよい。更に、これを、偏
光方向を異ならせて繰り返すことにより、複雑な配向パ
ターンを形成することができる。
As a method of applying the polarized light irradiation treatment to make the orientation direction different for each predetermined portion, for example, a first photomask having a predetermined pattern is formed,
After irradiating the first polarized light, a second polarized light having a polarization direction different from the polarization direction of the first polarized light is passed through a second photomask on which a predetermined pattern different from the pattern of the first photomask is formed. Should be irradiated. Further, by repeating this with different polarization directions, a complicated alignment pattern can be formed.

【0067】また、偏光方向を変化させながら、被膜に
偏光をスキャン照射すれば、直線的に連なる導電ネット
ワークばかりでなく、曲線的に連なる導電ネットワーク
を形成することも可能である。
By scanning and irradiating the coating with polarized light while changing the polarization direction, it is possible to form not only a linear conductive network but also a curved conductive network.

【0068】また、前記被膜として単分子累積膜を形成
する場合、被膜の配向方法としては、例えば、単分子層
を形成する工程を繰り返して単分子累積膜を形成した
後、この累積膜に対して所定の方向に一括配向させる方
法が適用できる。この方法は、特に累積層数が少ない場
合に有効な方法である。この方法を適用する場合、配向
方法としては偏光照射処理またはラビング処理を採用す
ることが好ましい。また、単分子層を形成した後、続い
て単分子層を配向させる工程を繰り返す方法を適用する
ことも可能である。この方法は、特に累積層数が多い場
合に有効な方法である。この方法を適用する場合、配向
方法としては偏光照射処理を採用することが好ましい。
When a monomolecular cumulative film is formed as the above-mentioned coating, the method of orienting the coating is, for example, after repeating the step of forming the monomolecular layer to form the monomolecular cumulative film, A method of collectively orienting in a predetermined direction can be applied. This method is particularly effective when the cumulative number of layers is small. When this method is applied, it is preferable to adopt polarized light irradiation treatment or rubbing treatment as the orientation method. It is also possible to apply a method of repeating the step of orienting the monomolecular layer after forming the monomolecular layer. This method is particularly effective when the number of accumulated layers is large. When this method is applied, it is preferable to adopt polarized light irradiation treatment as the orientation method.

【0069】また、前記被膜として単分子累積膜を形成
する場合、単分子累積膜を構成する各層の配向方向は同
一方向であっても、層毎に異なっていてもよい。
When a monomolecular cumulative film is formed as the coating film, the orientation directions of the layers forming the monomolecular cumulative film may be the same or different for each layer.

【0070】次に、上記被膜を構成する有機分子を重合
させて、導電性有機薄膜を形成する。図1A−Cは、重
合後の被膜(すなわち、導電性有機薄膜)の構造の一例
を示す模式図である。
Next, the organic molecules forming the coating are polymerized to form a conductive organic thin film. 1A to 1C are schematic views showing an example of the structure of a film (that is, a conductive organic thin film) after polymerization.

【0071】この工程においては、前記被膜の所定の領
域の有機分子を重合させ、その他の領域となる部分の有
機分子は未重合の状態で残存させる。すなわち、前記被
膜を、所定のパターン状に重合させる。その結果、図1
Aに示すように、基材1表面に、導電領域3aおよび絶
縁領域3bを有する導電性有機薄膜3が形成される。
In this step, the organic molecules in a predetermined region of the film are polymerized, and the organic molecules in the other regions are left unpolymerized. That is, the coating film is polymerized in a predetermined pattern. As a result,
As shown in A, a conductive organic thin film 3 having a conductive region 3a and an insulating region 3b is formed on the surface of the base material 1.

【0072】図1Bは、導電領域3aの構造の一例を示
す模式図である。この図に示すように、前記導電領域3
aとなる部分においては、この重合によって有機分子の
共役結合可能基同士が結合し、共役結合鎖が形成されて
いる。そして、この共役結合鎖の形成により導電ネット
ワークが形成され、前記被膜に導電性が発現する。な
お、図1Bにおいて、10は導電領域を構成する重合体
の1ユニットを表し、11は前記共役結合鎖を構成する
1ユニットを表し、12は基材表面と化学結合した末端
結合基を表す。
FIG. 1B is a schematic diagram showing an example of the structure of the conductive region 3a. As shown in this figure, the conductive region 3
In the portion to be a, the groups capable of forming a conjugated bond of the organic molecules are bonded to each other by this polymerization to form a conjugated bond chain. Then, a conductive network is formed by the formation of the conjugated bond chain, and the film exhibits conductivity. In FIG. 1B, 10 represents 1 unit of the polymer forming the conductive region, 11 represents 1 unit forming the conjugated bond chain, and 12 represents an end-bonding group chemically bonded to the surface of the base material.

【0073】例えば、前記被膜を構成する有機分子が、
前記化学式(1)または(2)で表される化合物である
場合、導電領域を構成する重合体として、それぞれ、下
記化学式(11)または(12)で表されるユニットか
ら構成される重合体を形成することができる。なお、下
記式(11)および(12)において、X、Z、E、
m、n、pおよびqは、前記式(1)および(2)と同
様である。
For example, when the organic molecules forming the film are
In the case of the compound represented by the chemical formula (1) or (2), a polymer constituted by a unit represented by the following chemical formula (11) or (12) is used as the polymer constituting the conductive region. Can be formed. In the formulas (11) and (12) below, X, Z, E,
m, n, p and q are the same as those in the above formulas (1) and (2).

【0074】[0074]

【化6】 [Chemical 6]

【0075】また、前記被膜を構成する有機分子が、前
記化学式(3)または(4)で表される化合物である場
合、導電領域を構成する重合体として、それぞれ、下記
化学式(13)または(14)で表されるユニットから
構成される重合体を形成することができる。なお、下記
式(13)および(14)において、X、E、m、n、
pおよびqは、前記式(3)および(4)と同様であ
る。
When the organic molecule forming the coating film is a compound represented by the chemical formula (3) or (4), the polymer forming the conductive region is represented by the following chemical formula (13) or ( A polymer composed of the unit represented by 14) can be formed. In the formulas (13) and (14) below, X, E, m, n,
p and q are the same as those in the above formulas (3) and (4).

【0076】[0076]

【化7】 [Chemical 7]

【0077】また、前記被膜を構成する有機分子が、前
記化学式(5)または(6)で表される化合物である場
合、導電領域を構成する重合体として、それぞれ、下記
化学式(15)または(16)で表されるユニットから
構成される重合体を形成することができる。なお、下記
式(15)および(16)において、X、E、p、qお
よびrは、前記式(5)および(6)と同様である。
When the organic molecule forming the coating is a compound represented by the chemical formula (5) or (6), the polymer forming the conductive region is represented by the following chemical formula (15) or ( A polymer composed of the unit represented by 16) can be formed. In the formulas (15) and (16) below, X, E, p, q and r are the same as those in the formulas (5) and (6).

【0078】[0078]

【化8】 [Chemical 8]

【0079】また、前記被膜を構成する有機分子が、前
記化学式(7)〜(10)で表される化合物である場
合、導電領域を構成する重合体として、それぞれ、下記
化学式(17)〜(20)で表されるユニットから構成
される重合体を形成することができる。なお、下記式
(17)〜(20)において、X、E、p、q、sおよ
びtは、前記式(7)〜(10)と同様である。
When the organic molecules forming the coating film are compounds represented by the chemical formulas (7) to (10), the following chemical formulas (17) to ( A polymer composed of the unit represented by 20) can be formed. In formulas (17) to (20) below, X, E, p, q, s, and t are the same as in formulas (7) to (10).

【0080】[0080]

【化9】 [Chemical 9]

【0081】図1Cは、絶縁領域3bの構造の一例を示
す模式図である。この図に示すように、前記絶縁領域3
bとなる部分においては、有機分子同士の重合が生じな
い。そのため、前記被膜は導電性を発現せず、その絶縁
性が保たれる。なお、図1Cにおいて、20は被膜を構
成する有機分子を表し、21は共役結合可能基を表し、
22は末端結合基を表す。
FIG. 1C is a schematic view showing an example of the structure of the insulating region 3b. As shown in this figure, the insulating region 3
Polymerization between organic molecules does not occur in the portion b. Therefore, the film does not exhibit conductivity, and its insulating property is maintained. In addition, in FIG. 1C, 20 represents an organic molecule constituting the coating film, 21 represents a group capable of conjugate bonding,
22 represents an end bonding group.

【0082】なお、この工程において「重合」とは、共
役結合可能基同士が結合して共役結合鎖を形成する反応
を意味する。例えば、被膜を構成する有機分子が既に共
役結合可能基以外の部位で重合している場合、分子(重
合体)内の共役結合可能基同士が結合して架橋するが、
本工程の重合はこのような架橋を含むものである。
In this step, "polymerization" means a reaction in which groups capable of forming a conjugated bond are bound to each other to form a conjugated bond chain. For example, when the organic molecules forming the coating are already polymerized at a site other than the conjugate bondable group, the conjugate bondable groups in the molecule (polymer) are bonded and crosslinked,
The polymerization in this step includes such crosslinking.

【0083】この重合工程は、例えば、触媒重合、エネ
ルギービーム照射重合、電解重合などの方法により実施
することができる。以下に、各重合方法について詳説す
る。
This polymerization step can be carried out by a method such as catalytic polymerization, energy beam irradiation polymerization, electrolytic polymerization and the like. Hereinafter, each polymerization method will be described in detail.

【0084】(i)触媒重合 触媒重合は、前記被膜を触媒と接触させることにより、
前記被膜を構成する有機分子を重合させる方法である。
(I) Catalytic Polymerization Catalytic polymerization is carried out by bringing the coating film into contact with a catalyst.
It is a method of polymerizing the organic molecules constituting the coating.

【0085】図2は、触媒重合を用いて前記被膜をパタ
ーン状に重合させる方法の一例を示す図である。この方
法は、前記被膜表面にレジストパターン4を形成し、こ
のレジストパターン4が形成された前記被膜を、触媒を
含む溶液5に接触させることにより実施できる。前記レ
ジストパターン4は、導電領域3aとなる部分を開口し
且つ絶縁領域3bとなる部分を被覆するようにパターニ
ングされている。この方法によれば、レジストパターン
で被覆されていない部分(レジストパターンの開口部に
対応する部分)は、前記被膜が触媒と接触するため、前
記被膜の有機分子同士の重合が生じ、導電領域3aが形
成される。一方、レジストパターンで被覆された部分
は、前記被膜が触媒と接触しないので有機分子が重合さ
れず、絶縁領域3bとなる。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a method of polymerizing the coating film in a pattern using catalytic polymerization. This method can be carried out by forming a resist pattern 4 on the surface of the coating and bringing the coating having the resist pattern 4 into contact with a solution 5 containing a catalyst. The resist pattern 4 is patterned so as to open a portion to be the conductive region 3a and cover a portion to be the insulating region 3b. According to this method, in the portion not covered with the resist pattern (the portion corresponding to the opening portion of the resist pattern), the coating film comes into contact with the catalyst, so that the polymerization of organic molecules of the coating film occurs and the conductive region 3a is formed. Is formed. On the other hand, in the portion covered with the resist pattern, the coating film does not come into contact with the catalyst, so that organic molecules are not polymerized and become the insulating region 3b.

【0086】レジストパターン4としては、特に限定す
るものではないが、有機溶剤により溶解除去され得るよ
うな材料を使用することが好ましい。このような材料と
しては、例えば、フォトレジストなどが挙げられる。ま
た、その形成方法としては、例えば、フォトレジストを
用いる場合は、被膜表面にレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィー法により、このレジストに導電領域のパタ
ーンに対応する開口部を形成する方法を採用することが
できる。
The resist pattern 4 is not particularly limited, but it is preferable to use a material that can be dissolved and removed by an organic solvent. Examples of such a material include photoresist. As a method of forming the photoresist, for example, in the case of using a photoresist, a method of applying a resist to the surface of the film and forming an opening corresponding to the pattern of the conductive region in the resist by photolithography is adopted. You can

【0087】このレジストパターンは、重合後に前記被
膜表面から除去される。レジストパターンの除去方法と
しては、特に限定するものではないが、例えば、有機溶
剤によってレジストパターンを溶解させる方法などを採
用することができる。この場合、有機溶剤としては、レ
ジストパターンに応じて適宜選択することができる。例
えば、クロロホルム、アセトン、キシレンなどを用いる
ことができる。
This resist pattern is removed from the surface of the coating after polymerization. The method for removing the resist pattern is not particularly limited, but, for example, a method of dissolving the resist pattern with an organic solvent can be adopted. In this case, the organic solvent can be appropriately selected according to the resist pattern. For example, chloroform, acetone, xylene, etc. can be used.

【0088】触媒としては、被膜を構成する有機分子に
応じて適宜選択することができるが、例えば、チグラー
ナッタ触媒およびハロゲン化金属触媒などを使用するこ
とができる。ハロゲン化金属触媒としては、金属とし
て、Mo、W、Nb、Taなどを含むものが好ましく、
具体例としては、MoCl5、WCl6、NbCl5、T
aCl5、Mo(CO)5、W(CO)6、Nb(C
O)5、Ta(CO)5などが挙げられる。
The catalyst can be appropriately selected according to the organic molecules constituting the coating, but for example, a Ziegler-Natta catalyst and a metal halide catalyst can be used. As the metal halide catalyst, those containing Mo, W, Nb, Ta or the like as a metal are preferable,
Specific examples include MoCl 5 , WCl 6 , NbCl 5 , and T.
aCl 5 , Mo (CO) 5 , W (CO) 6 , Nb (C
O) 5 , Ta (CO) 5, and the like.

【0089】また、触媒溶液としては、例えば、クロロ
ホルム、トルエン、ジオキサン、アニソールなどの溶媒
に触媒を添加したものが使用できる。被膜に触媒溶液を
接触させる方法としては、図2に示すように、触媒を含
む溶液に被膜が形成された基材を浸漬する方法の他、触
媒を含む溶液を被膜表面に塗布する方法などが適用でき
る。なお、重合条件については、特に限定するものでは
ないが、例えば、重合温度20〜30℃、重合時間1〜
120分である。
As the catalyst solution, it is possible to use a solution prepared by adding a catalyst to a solvent such as chloroform, toluene, dioxane or anisole. As a method of bringing the catalyst solution into contact with the coating, as shown in FIG. 2, in addition to the method of immersing the substrate on which the coating is formed in the solution containing the catalyst, the method of applying the solution containing the catalyst to the surface of the coating, etc. Applicable. The polymerization conditions are not particularly limited, but for example, the polymerization temperature is 20 to 30 ° C. and the polymerization time is 1 to
120 minutes.

【0090】また、被膜に触媒を接触させる方法とし
て、触媒を含むガス雰囲気中に被膜を暴露する方法、触
媒を含むガスを被膜表面に吹き付ける方法などを適用す
ることも可能である。
As a method of bringing the catalyst into contact with the coating, it is also possible to apply a method of exposing the coating to a gas atmosphere containing the catalyst, a method of blowing a gas containing the catalyst onto the surface of the coating, or the like.

【0091】また、触媒を含む溶液を被膜表面に対して
一定方向に流すことにより、または、触媒を含むガスを
被膜表面に対して一定方向に吹き付けることにより、被
膜を構成する有機分子を配向させるとともに重合させる
ことも可能である。
Further, the organic molecules forming the film are oriented by flowing a solution containing the catalyst in a certain direction with respect to the film surface or by blowing a gas containing the catalyst in the same direction with respect to the film surface. It is also possible to polymerize with it.

【0092】(ii)エネルギービーム照射重合 エネルギービーム照射重合は、前記被膜にエネルギービ
ームを照射することにより、前記被膜を構成する有機分
子を重合させる方法である。
(Ii) Energy Beam Irradiation Polymerization Energy beam irradiation polymerization is a method of polymerizing the organic molecules constituting the film by irradiating the film with an energy beam.

【0093】図3は、エネルギービーム重合を用いて前
記被膜をパターン状に重合させる方法の一例を示す図で
ある。この方法は、前記被膜表面にマスク6を配置し、
このマスク6を介して、前記被膜にエネルギービーム7
を照射するものである。前記マスク6は、導電領域3a
となる部分を開口し且つ絶縁領域3bとなる部分を被覆
するようにパターニングされている。この方法によれ
ば、マスクで被覆されていない部分(マスクの開口部に
対応する部分)は、前記被膜にエネルギービームが照射
されるため有機分子同士の重合が生じ、導電領域3aが
形成される。一方、マスクで被覆された部分は、前記被
膜にエネルギービームが照射されないので有機分子の重
合が生じず、絶縁領域3bとなる。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a method of polymerizing the coating film in a pattern by using energy beam polymerization. In this method, a mask 6 is arranged on the surface of the coating,
An energy beam 7 is applied to the film through the mask 6.
To irradiate. The mask 6 has a conductive region 3a.
Is patterned so as to open a portion to be an insulating region 3b and a portion to be an insulating region 3b. According to this method, in the portion not covered with the mask (the portion corresponding to the opening of the mask), the coating is irradiated with the energy beam, so that the organic molecules are polymerized with each other to form the conductive region 3a. . On the other hand, in the part covered with the mask, the film is not irradiated with the energy beam, so that the polymerization of organic molecules does not occur and becomes the insulating region 3b.

【0094】マスク6としては、使用するエネルギービ
ームの種類に応じて、そのエネルギービームを遮断でき
る材質のものを適宜選択することができる。このマスク
としては、例えば、フォトリソグラフィー法に用いられ
るフォトマスクなどを使用することができる。
As the mask 6, a material that can block the energy beam can be appropriately selected according to the type of the energy beam used. As this mask, for example, a photomask used in a photolithography method or the like can be used.

【0095】エネルギービームとしては、例えば、赤外
線、紫外線、遠紫外線、可視光線などの光線、X線など
の放射線、電子線などの粒子線などが適用できる。ま
た、エネルギービームとして、偏光した紫外線、偏光し
た遠紫外線、偏光したX線などを用いることも可能であ
る。この場合、有機分子の配向と重合とを同時に行うこ
とができる。
As the energy beam, for example, light rays such as infrared rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, and visible rays, radiation rays such as X-rays, and particle beams such as electron beams can be applied. It is also possible to use polarized ultraviolet rays, polarized deep ultraviolet rays, polarized X-rays, etc. as the energy beam. In this case, the alignment and polymerization of the organic molecules can be performed at the same time.

【0096】共役結合可能基はその種類に応じて吸収特
性が異なるため、例えば、有機分子の共役結合可能基の
種類に応じて、適宜、エネルギービームの種類および照
射条件(照射量、照射時間等)を決定すればよい。例え
ば、共役結合可能基がエチニレン基またはジアセチレン
基の場合は、エネルギービームとして紫外線を照射する
ことが好ましい。
Since the group capable of conjugate bonding has different absorption characteristics depending on its type, for example, the type of energy beam and irradiation conditions (irradiation amount, irradiation time, etc.) are appropriately selected depending on the type of group capable of conjugate bonding of an organic molecule. ) Should be decided. For example, when the conjugate bondable group is an ethynylene group or a diacetylene group, it is preferable to irradiate ultraviolet rays as an energy beam.

【0097】このように共役結合可能基の種類に応じ
て、エネルギービームの種類および条件などを決定する
ことによって、重合反応の効率を向上できる。また、多
くの共役結合可能基が、エネルギービームに対し吸収性
を有するため、様々な種類の共役結合可能基を有する有
機分子からなる被膜に対しても適用できる。
As described above, the efficiency of the polymerization reaction can be improved by determining the type and conditions of the energy beam according to the type of the group capable of conjugate bonding. Further, since many conjugate bondable groups have absorptivity for energy beams, the invention can be applied to a film made of an organic molecule having various kinds of conjugate bondable groups.

【0098】また、複数の導電領域を形成する場合、こ
れら複数の導電領域を1回の照射工程により形成しても
よいし、各導電領域ごとに別々の照射工程により形成し
てもよい。導電領域ごとに照射工程を実施する場合、例
えば、所定のパターンを形成した第1のマスクを介し
て、エネルギービームを照射した後、第1のマスクと異
なる所定のパターンを形成した第2のマスクを介して、
エネルギービームを照射する方法を適用することが可能
である。この場合、第1のマスクを介して照射されるエ
ネルギービームと第2のマスクを介して照射されるエネ
ルギービームとは、同じエネルギービームでなくともよ
い。更に、エネルギービームとして偏光または偏光X線
を用いる場合には、それらの偏光方向が同じでなくとも
よい。偏光方向の異なるエネルギービームを使用すれ
ば、導電ネットワークの方向が互いに異なる導電領域を
簡便に形成することが可能となる。
When a plurality of conductive regions are formed, the plurality of conductive regions may be formed by one irradiation process, or each conductive region may be formed by a separate irradiation process. When the irradiation step is performed for each conductive region, for example, a second mask having a predetermined pattern different from the first mask after being irradiated with an energy beam through a first mask having a predetermined pattern Through
A method of irradiating with an energy beam can be applied. In this case, the energy beam emitted through the first mask and the energy beam emitted through the second mask may not be the same energy beam. Furthermore, when polarized light or polarized X-rays are used as the energy beam, their polarization directions need not be the same. By using energy beams having different polarization directions, it is possible to easily form conductive regions having different conductive network directions.

【0099】また、被膜をパターン状に重合させる別の
方法として、エネルギービームを被膜表面にスキャン照
射する方法を適用することも可能である。この方法によ
れば、更に簡便に所望のパターンの導電領域を形成する
ことができる。このとき、エネルギービームとして偏光
または偏光X線を用いれば、導電ネットワークの方向が
互いに異なる導電領域を簡便に形成することができる。
更に、偏光方向とスキャン方向(エネルギービームの進
行方向)とを平行に保ちながらスキャン照射すれば、曲
線的に所定の方向に連なる導電ネットワークを形成でき
る。
As another method of polymerizing the coating film in a pattern, it is also possible to apply a method of scanning and irradiating the surface of the coating film with an energy beam. According to this method, it is possible to more easily form the conductive region having a desired pattern. At this time, if polarized light or polarized X-rays are used as the energy beam, it is possible to easily form conductive regions in which the directions of the conductive networks are different from each other.
Further, if scanning irradiation is performed while keeping the polarization direction and the scanning direction (the traveling direction of the energy beam) parallel to each other, it is possible to form a conductive network that is curvilinearly continuous in a predetermined direction.

【0100】(iii)電解重合 電解重合は、電位差が与えられた電極対を前記被膜に接
触させることにより実施される。
(Iii) Electropolymerization Electropolymerization is carried out by bringing an electrode pair given a potential difference into contact with the coating.

【0101】図4は、電解重合を用いて前記被膜をパタ
ーン状に重合させる方法の一例を示す図である。この例
においては、前記被膜上に電極8aおよび8bを形成
し、この電極間に電圧を印加する。このとき、電極8a
と電極8bとの間に挟まれた領域においては、前記被膜
が重合し、導電領域3aが形成される。一方、それ以外
の領域においては、前記被膜は重合せず、絶縁領域3b
となる。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a method for polymerizing the coating film in a pattern by using electrolytic polymerization. In this example, electrodes 8a and 8b are formed on the film and a voltage is applied between the electrodes. At this time, the electrode 8a
In the region sandwiched between and the electrode 8b, the coating film is polymerized to form the conductive region 3a. On the other hand, in other regions, the coating film does not polymerize and the insulating region 3b
Becomes

【0102】このように、電解重合を用いる場合、前記
電極対を、導電領域を形成しようとする部分が電極間に
位置し、絶縁領域を形成しようとする部分は電極間に位
置しないように配置することにより、前記被膜を所望の
パターン状に重合させることができる。例えば、導電領
域を形成しようとする領域のパターンが矩形である場
合、このパターンの互いに対向する二辺に沿って電極を
配置すればよい。また、一つのパターンに対して複数の
電極対を配置し、各電極対に電圧を印加することによっ
てパターン全体を重合させることもできる。また、複数
の独立したパターンが存在する場合は、各パターン毎に
電極対を設ければよい。
As described above, when electrolytic polymerization is used, the electrode pairs are arranged such that the portions where the conductive regions are to be formed are located between the electrodes and the portions where the insulating regions are to be formed are not located between the electrodes. By doing so, the coating film can be polymerized in a desired pattern. For example, when the pattern of the region where the conductive region is to be formed is rectangular, the electrodes may be arranged along the two sides of the pattern that face each other. It is also possible to arrange a plurality of electrode pairs for one pattern and to apply a voltage to each electrode pair so that the entire patterns are polymerized. Further, when there are a plurality of independent patterns, an electrode pair may be provided for each pattern.

【0103】電極としては、特に限定するものではない
が、例えば、Ti、Ni、Au、Ptなどの金属および
その合金などを使用することができる。その形成方法と
しては、基材または被膜表面に電極材料を成膜し、これ
をパターニングする方法を採用により実施することがで
きる。成膜方法としては、例えば、蒸着法、スパッタ法
などを採用することができ、パターニング方法として
は、例えば、レジストを用いたエッチングまたはリフト
オフなどを採用することができる。
The electrode is not particularly limited, but for example, a metal such as Ti, Ni, Au, Pt or the like or an alloy thereof can be used. As the forming method, a method of forming an electrode material on the surface of the base material or the coating film and patterning the electrode material can be adopted. As a film forming method, for example, a vapor deposition method, a sputtering method or the like can be adopted, and as a patterning method, for example, etching using a resist or lift-off can be adopted.

【0104】また、電極を形成する箇所については、前
述したようなパターン状の重合が可能であれば、特に限
定するものではない。例えば、電極を前記被膜上に形成
し、電極の下面が前記被膜と接触するような形態とする
ことができる。このような形態は、電極と被膜との接触
面積を大きくすることができるため、多少の電極剥離が
生じた場合などであっても、後工程における被膜の電解
重合を確実に実施できるという利点を有している。ま
た、別の例としては、電極を基材上に形成し、電極の側
面が前記被膜と接触するような形態が挙げられる。
Further, the place where the electrode is formed is not particularly limited as long as the pattern-like polymerization as described above can be performed. For example, an electrode may be formed on the coating and the lower surface of the electrode may be in contact with the coating. Since such a configuration can increase the contact area between the electrode and the coating, even if some electrode peeling occurs, there is an advantage that the electrolytic polymerization of the coating in the subsequent step can be reliably performed. Have Another example is a mode in which an electrode is formed on a base material and the side surface of the electrode is in contact with the coating film.

【0105】また、電極対としては、前述したように基
材上または被膜上に固定形成された電極を使用してもよ
いし、基材上または被膜上に固定されておらず、単に被
膜に接触させただけの電極を使用してもよい。後者の場
合は、電極対を接触させてパターンの一部を重合させた
後、電極対を移動させて、パターンの他の部分を重合さ
せるという操作を繰り返すことによって、最終的にパタ
ーン全体を重合させることも可能である。
As the electrode pair, the electrodes fixedly formed on the base material or the coating film as described above may be used. Alternatively, the electrodes may not be fixed on the base material or the coating film and may be simply attached to the coating film. Electrodes that have just been contacted may be used. In the latter case, the entire pattern is finally polymerized by repeating the operation of contacting the electrode pair to polymerize a part of the pattern, then moving the electrode pair and polymerizing the other part of the pattern. It is also possible to let.

【0106】電極対に印加される電圧の大きさは、被膜
を構成する有機分子の酸化還元電位よりも大きければ、
特に限定するものではない。印加電圧は、両電極間に生
じる電界の大きさが、例えば1.5〜200V/cm、
好ましくは1.5〜20V/cmとなるように設定され
る。
If the magnitude of the voltage applied to the electrode pair is larger than the redox potential of the organic molecules constituting the coating,
It is not particularly limited. The applied voltage is such that the magnitude of the electric field generated between both electrodes is, for example, 1.5 to 200 V / cm,
It is preferably set to 1.5 to 20 V / cm.

【0107】また、電極間に印加する電圧としては、直
流電圧を使用しても、交流電圧を使用してもよい。ま
た、電極間に印加する電圧をパルス波とすることも可能
である。通常、電界酸化重合によって水素が発生する
が、水素の発生が局所的に起こった場合、発生した水素
が気泡となり、電極を剥離する場合がある。このような
水素の局所的発生を抑制できることから、電圧として
は、交流電圧を用いることが好ましい。また、直流電圧
を用いる場合は、これをパルス波状に印加することが好
ましい。
As the voltage applied between the electrodes, a DC voltage or an AC voltage may be used. Further, the voltage applied between the electrodes can be a pulse wave. Usually, hydrogen is generated by electro-oxidative polymerization, but when hydrogen is locally generated, the generated hydrogen may become bubbles and peel off the electrode. It is preferable to use an AC voltage as the voltage because such local generation of hydrogen can be suppressed. When using a DC voltage, it is preferable to apply this in a pulse wave form.

【0108】また、電解重合工程における重合時間は、
特に限定するものではなく、電極間に導電ネットワーク
が形成されるのに要する時間とされる。この電解重合工
程においては、電極間に電界をかけた状態で被膜を重合
させるため、導電ネットワーク形成が完了したが否か
は、電極間の通電状態を観察することにより容易に判断
できる。すなわち、導電ネットワークが完成した場合
は、電極間の被膜に電流が急激に流れる現象が観察でき
る。
The polymerization time in the electrolytic polymerization step is
The time is not particularly limited, and may be the time required for forming a conductive network between the electrodes. In this electrolytic polymerization step, since the coating film is polymerized in a state where an electric field is applied between the electrodes, whether or not the formation of the conductive network is completed can be easily determined by observing the energized state between the electrodes. That is, when the conductive network is completed, a phenomenon in which a current rapidly flows in the coating film between the electrodes can be observed.

【0109】また、その他の電解条件については、特に
限定するものではない。例えば、電解温度は20〜30
℃、好ましくは室温(25℃)程度とすることができ
る。
Other electrolysis conditions are not particularly limited. For example, the electrolysis temperature is 20 to 30.
C., preferably about room temperature (25.degree. C.).

【0110】重合方法の選択は、被膜を構成する有機分
子の種類などに応じて、適宜選択することができる。
The polymerization method can be appropriately selected depending on the type of organic molecules constituting the coating.

【0111】触媒重合を採用する場合は、被膜を構成す
る有機分子が、共役結合可能基として、例えば、ピロー
ル基、チェニレン基、エチニレン基、ジアセチレン基な
どを含むことが好ましい。
In the case of employing the catalytic polymerization, it is preferable that the organic molecule forming the coating film contains, for example, a pyrrole group, a cylene group, an ethynylene group or a diacetylene group as a group capable of forming a conjugated bond.

【0112】また、エネルギービーム照射重合を採用す
る場合は、、被膜を構成する有機分子が、共役結合可能
基として、例えば、エチニレン基、ジアセチレン基など
を含むことが好ましい。
When the energy beam irradiation polymerization is adopted, it is preferable that the organic molecule forming the coating film contains, for example, an ethynylene group or a diacetylene group as a group capable of forming a conjugate bond.

【0113】また、電解重合を採用する場合は、被膜を
構成する有機分子が、共役結合可能基として、例えば、
ピロール基、チェニレン基などを含むことが好ましい。
When electrolytic polymerization is adopted, the organic molecules constituting the film may be, for example, as a group capable of forming a conjugated bond,
It preferably contains a pyrrole group, a cenylene group, or the like.

【0114】また、複数の重合方法を組み合わせて用い
ることも可能である。この場合、少なくとも重合の最終
工程において、電解重合を行うことが好ましい。具体的
には、例えば、予備重合として触媒重合またはエネルギ
ービーム照射重合を行った後、最終的に電解重合を行う
組み合わせが挙げられる。触媒重合およびエネルギービ
ーム照射重合は重合速度が速いという利点を有してお
り、電解重合は電極間に電圧を印加しながら重合させる
ので、導電ネットワークが完結した時に電極間に電流が
流れるため、重合が完結したか否かを容易に検知できる
という利点を有している。
It is also possible to use a plurality of polymerization methods in combination. In this case, it is preferable to carry out electrolytic polymerization at least in the final step of polymerization. Specifically, for example, a combination of performing catalytic polymerization or energy beam irradiation polymerization as preliminary polymerization and finally performing electrolytic polymerization is mentioned. Catalytic polymerization and energy beam irradiation polymerization have the advantage that the polymerization rate is fast.In electrolytic polymerization, polymerization is carried out while applying a voltage between the electrodes, so that a current flows between the electrodes when the conductive network is completed. It has an advantage that it can be easily detected whether or not the process is completed.

【0115】また、重合工程においては、有機分子を重
合させるだけでなく、更に重合後に架橋反応させて、導
電ネットワークを形成してもよい。例えば、有機分子が
2以上の共役結合可能基を有している場合、一方の共役
結合可能基を他の有機分子と重合させた後、さらに他方
の共役結合可能基にを他の有機分子と架橋させれば、重
合後とは異なる構造の導電ネットワークを形成すること
ができる。
In the polymerization step, not only the organic molecule may be polymerized, but also a crosslinking reaction may be performed after the polymerization to form a conductive network. For example, when an organic molecule has two or more conjugated bondable groups, one conjugated bondable group is polymerized with another organic molecule, and then the other conjugated bondable group is further combined with another organic molecule. If crosslinked, a conductive network having a structure different from that after polymerization can be formed.

【0116】例えば、共役結合可能基としてジアセチレ
ン基を含む有機分子の集合群からなる被膜を形成し、そ
の被膜に触媒重合を行い、更に、エネルギービーム照射
重合により架橋を行うと、ポリアセン型の共役結合鎖を
含む導電ネットワークを形成することができる。
For example, when a coating film composed of an assembly group of organic molecules containing a diacetylene group as a group capable of forming a conjugate bond is formed, and the coating film is subjected to catalytic polymerization and further crosslinked by energy beam irradiation polymerization, a polyacene type Conductive networks can be formed that include conjugated bond chains.

【0117】更に、本発明の製造方法においては、導電
性有機薄膜にドーパントを添加する工程を実施してもよ
い。このように、電荷移動性のドーパントをドーピング
すると、簡便に導電率を向上させることができる。ドー
パントとしては、例えば、ヨウ素、BF-イオンなどの
アクセプター・ドーパント(電子受容体)、並びに、L
i、Na、Kなどのアルカリ金属、Caなどのアルカリ
土類金属などのドナー・ドーパント(電子供与体)が使
用できる。
Further, in the manufacturing method of the present invention, a step of adding a dopant to the conductive organic thin film may be carried out. In this way, the conductivity can be easily improved by doping the charge-moving dopant. As the dopant, for example, an acceptor dopant (electron acceptor) such as iodine or BF ion, and L
Donor dopants (electron donors) such as alkali metals such as i, Na and K and alkaline earth metals such as Ca can be used.

【0118】本発明の製造方法により製造される導電性
有機薄膜は、導電領域と絶縁領域とを備えている。この
導電領域と絶縁領域とは、好ましくは、その境界におい
て互いに接している。
The conductive organic thin film manufactured by the manufacturing method of the present invention has a conductive region and an insulating region. The conductive region and the insulating region are preferably in contact with each other at their boundaries.

【0119】導電領域は、有機分子の重合体であり、こ
の有機分子同士の重合により形成された共役結合鎖を有
している。そのため、導電領域においては、前記共役結
合鎖による導電ネットワークが形成されている。この導
電ネットワークは方向性を有することが好ましい。この
場合、導電ネットワークを構成する共役結合鎖は厳密に
一方向に連なる必要はなく、例えば、導電ネットワーク
が様々な方向に連なる共役結合鎖を含むが、全体として
特定の方向に形成されていればよい。
The conductive region is a polymer of organic molecules and has a conjugated bond chain formed by polymerization of these organic molecules. Therefore, in the conductive region, a conductive network is formed by the conjugated bond chains. This conductive network is preferably directional. In this case, the conjugated bond chains forming the conductive network do not need to be strictly connected in one direction, for example, the conductive network includes conjugated bond chains connected in various directions, but if formed as a whole in a specific direction Good.

【0120】また、導電領域の導電度(ρ)について
は、特に限定するものではないが、例えば1S/cm以
上、好ましくは1×103S/cm以上、更に好ましく
は1×104S/cm以上、更に好ましくは5.5×1
5S/cm以上、最も好ましくは1×107S/cm以
上である。なお、前記値はすべて室温(25℃)におけ
るドーパントなしの場合である。このように、金属と同
等か、またはそれ以上の導電性を得ることも可能であ
る。
The conductivity (ρ) of the conductive region is not particularly limited, but is, for example, 1 S / cm or more, preferably 1 × 10 3 S / cm or more, more preferably 1 × 10 4 S / cm. cm or more, more preferably 5.5 × 1
It is at least 0 5 S / cm, most preferably at least 1 × 10 7 S / cm. Note that all the above values are in the case of no dopant at room temperature (25 ° C.). In this way, it is possible to obtain conductivity equal to or higher than that of metal.

【0121】一方、絶縁領域においては、有機分子が重
合しておらず、前述したような共役結合鎖が形成されて
いない。そのため、絶縁領域においては、導電ネットワ
ークは形成されておらず、絶縁性が保持されている。
On the other hand, in the insulating region, the organic molecules are not polymerized and the above-mentioned conjugated bond chain is not formed. Therefore, in the insulating region, the conductive network is not formed and the insulating property is maintained.

【0122】本発明の製造方法によれば、導電性有機薄
膜の用途に応じて、様々なパターンの導電領域を形成す
ることが可能である。また、導電性有機薄膜は、複数の
導電領域を有していてもよい。この場合、各導電領域の
導電ネットワークの方向は同一であっても、各導電領域
ごとに異なっていてもよい。
According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to form conductive regions of various patterns depending on the use of the conductive organic thin film. Moreover, the conductive organic thin film may have a plurality of conductive regions. In this case, the direction of the conductive network of each conductive region may be the same or different for each conductive region.

【0123】図5A−Cは、導電性有機薄膜における導
電領域および絶縁領域のパターンの一例を示す模式図で
ある。図5Aの例においては、導電性有機薄膜3が帯状
の導電領域3aを複数有しており、各導電領域3aが互
いに平行に配置されている。導電領域3a同士間には絶
縁領域3bが配置されており、これにより導電領域3a
同士間は絶縁されている。図5Bの例においては、導電
性有機薄膜3が比較的小面積の導電領域3aを複数有し
ており、これがマトリクス状に配置されている。導電領
域3a以外の領域はすべて絶縁領域3bであり、これに
より導電領域3a同士が絶縁されている。図5Cは、導
電性有機薄膜3が、異なる形状を有する導電領域3aを
複数有している。この例においても、導電領域3a以外
の領域はすべて絶縁領域3bであり、これにより導電領
域3a同士が絶縁されている。
FIGS. 5A to 5C are schematic views showing an example of the pattern of the conductive region and the insulating region in the conductive organic thin film. In the example of FIG. 5A, the conductive organic thin film 3 has a plurality of strip-shaped conductive regions 3a, and the conductive regions 3a are arranged in parallel with each other. Insulating regions 3b are arranged between the conductive regions 3a, whereby the conductive regions 3a are formed.
The two are insulated from each other. In the example of FIG. 5B, the conductive organic thin film 3 has a plurality of conductive regions 3a having a relatively small area, which are arranged in a matrix. The regions other than the conductive region 3a are all insulating regions 3b, which electrically insulate the conductive regions 3a from each other. In FIG. 5C, the conductive organic thin film 3 has a plurality of conductive regions 3a having different shapes. Also in this example, the regions other than the conductive region 3a are all insulating regions 3b, and the conductive regions 3a are thereby insulated from each other.

【0124】このように、本発明の製造方法によれば、
所望のパターン状の導電領域を有する導電性有機薄膜を
製造することができる。そのため、この導電領域を、導
線(配線)、集合配線、電極、透明電極などとして利用
した様々なデバイスの製造に適用することができる。例
えば、半導体素子、コンデンサなどの電子デバイスや、
液晶表示装置、電界発光素子、太陽電池などの光デバイ
スの製造に適用することが可能である。特に、本発明の
製造方法によれば、微細なパターンであっても、基材表
面に導電領域を精度良く形成することが可能であるた
め、これをデバイスの製造に適用することにより、デバ
イスの更なる小型化および高集積化が可能となる。
Thus, according to the manufacturing method of the present invention,
A conductive organic thin film having a desired patterned conductive region can be manufactured. Therefore, this conductive region can be applied to the manufacture of various devices that are used as conducting wires (wiring), collective wiring, electrodes, transparent electrodes, and the like. For example, semiconductor devices, electronic devices such as capacitors,
It can be applied to the manufacture of optical devices such as liquid crystal display devices, electroluminescent elements, and solar cells. In particular, according to the manufacturing method of the present invention, it is possible to accurately form a conductive region on the surface of a base material even with a fine pattern. Therefore, by applying this to manufacturing of a device, Further miniaturization and high integration are possible.

【0125】[0125]

【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明の内容を具
体的に説明する。本発明は下記実施例により限定されな
い。下記実施例において、単に「%」と記載しているの
は重量%を意味する。
EXAMPLES The contents of the present invention will be specifically described below based on examples. The present invention is not limited to the following examples. In the following examples, simply described as "%" means% by weight.

【0126】(実施例1) I.PENの合成 下記化学式(21)で表される物質(PEN:6-pyrrol
ylhexyl-12,12,12-trichloro-12-siladodecanoate)
を、下記工程1〜5にしたがって合成した。
(Example 1) I. Synthesis of PEN Substance represented by the following chemical formula (21) (PEN: 6-pyrrol
ylhexyl-12,12,12-trichloro-12-siladodecanoate)
Was synthesized according to the following steps 1 to 5.

【0127】[0127]

【化10】 [Chemical 10]

【0128】工程1 6-ブロモ-1-(テトラヒドロピラ
ニルオキシ)ヘキサンの合成 500mlの反応容器に6-ブロモ-1-ヘキサノール197.8g(1.0
9mol)を仕込み、5℃以下に冷却した。これにジヒドロピ
ラン102.1g(1.21mol)を10℃以下の温度で滴下した。滴
下終了後、室温に戻して1時間攪拌させた。反応により
得られた残渣をヘキサン/IPE(ジイソプロピルエーテ
ル)=5/1にてシリカゲルカラム精製して263.4gの6-
ブロモ-1-(テトラヒドロピラニルオキシ)ヘキサンを得
た。収率は90.9%であった。工程1の反応式を下記式
(22)に示す。
Step 1 6-Bromo-1- (tetrahydropyrra
Synthesis of (nyloxy) hexane 197.8 g (1.0 %) of 6-bromo-1-hexanol in a 500 ml reaction vessel.
(9 mol) was charged and cooled to 5 ° C or lower. Dihydropyran (102.1 g, 1.21 mol) was added dropwise thereto at a temperature of 10 ° C or lower. After the dropping was completed, the temperature was returned to room temperature and the mixture was stirred for 1 hour. The residue obtained by the reaction was purified by silica gel column with hexane / IPE (diisopropyl ether) = 5/1 and 263.4 g of 6-
Bromo-1- (tetrahydropyranyloxy) hexane was obtained. The yield was 90.9%. The reaction formula of Step 1 is shown in the following formula (22).

【0129】[0129]

【化11】 [Chemical 11]

【0130】工程2 N−[6−(テトラヒドロピラニ
ルオキシ)ヘキシル]ピロールの合成 アルゴン気流下、2リットルの反応容器にピロール38.0
g(0.567mol)、脱水テトラヒドロフラン(THF)200m1
を仕込み、5℃以下に冷却した。これに1.6Mのn−ブチ
ルリチウムヘキサン溶液354ml(0.567mol)を10℃以下
で滴下した。同温度で1時間攪拌させた後、ジメチルス
ルホキシド600mlを加えてTHFを加熱留去して溶媒置
換した。次に、6-ブロモ-1-(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ヘキサン165.2g(0.623mol)を室温にて滴下した。滴
下後、2時間、同温度で攪拌させた。
Step 2 N- [6- (tetrahydropyrani
Synthesis of [roxy) hexyl] pyrrole Pyrrole 38.0 in a 2 liter reaction vessel under an argon stream.
g (0.567mol), dehydrated tetrahydrofuran (THF) 200m1
Was charged and cooled to 5 ° C or lower. To this was added 354 ml (0.567 mol) of a 1.6 M n-butyllithium hexane solution at 10 ° C. or lower. After stirring at the same temperature for 1 hour, 600 ml of dimethyl sulfoxide was added and THF was distilled off by heating to replace the solvent. Next, 165.2 g (0.623 mol) of 6-bromo-1- (tetrahydropyranyloxy) hexane was added dropwise at room temperature. After the dropping, the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours.

【0131】反応混合物に水600molを加え、ヘキサン抽
出し、有機層を水洗した。無水硫酸マグネシウムにて乾
燥後、溶媒留去した。残渣をヘキサン/酢酸エチル=4
/1にてシリカゲルカラム精製して107.0gのN−[6−
(テトラヒドロピラニルオキシ)ヘキシル]ピロールを
得た。収率75.2%であった。工程2の反応式を下記
式(23)に示す。
600 mol of water was added to the reaction mixture, hexane extraction was performed, and the organic layer was washed with water. After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off. The residue is hexane / ethyl acetate = 4
Silica gel column purification with 10/1 g of N- [6-
(Tetrahydropyranyloxy) hexyl] pyrrole was obtained. The yield was 75.2%. The reaction formula of Step 2 is shown in the following formula (23).

【0132】[0132]

【化12】 [Chemical 12]

【0133】工程3 N-(6-ヒドロキシヘキシル)-ピ
ロールの合成 1リットルの反応容器に上記で得られたN-[6-(テト
ラヒドロピラニルオキシ)ヘキシル]ピロール105.0g
(0.418mol)、メタノール450ml、水225ml、濃
塩酸37.5mlを仕込み、室温にて6時間攪拌させ
た。反応混合物を飽和食塩水750mlに注加し、IP
E抽出した。有機層を飽和食塩水洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムにて乾燥させ、溶媒留去した。得られた残渣を
n−ヘキサン/酢酸エチル=3/1にてシリカゲルカラ
ム精製し、63.1gのN-(6-ヒドロキシヘキシル)-ピロー
ルを得た。収率90.3%であった。工程3の反応式を
下記式(24)に示す。
Step 3 N- (6-hydroxyhexyl) -pi
Roll synthesis 105.0 g of N- [6- (tetrahydropyranyloxy) hexyl] pyrrole obtained above in a 1 liter reaction vessel
(0.418 mol), methanol 450 ml, water 225 ml, and concentrated hydrochloric acid 37.5 ml were charged, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. The reaction mixture was poured into 750 ml of saturated saline solution to obtain IP.
E extracted. The organic layer was washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was evaporated. The obtained residue was purified by a silica gel column with n-hexane / ethyl acetate = 3/1 to obtain 63.1 g of N- (6-hydroxyhexyl) -pyrrole. The yield was 90.3%. The reaction formula of Step 3 is shown in the following formula (24).

【0134】[0134]

【化13】 [Chemical 13]

【0135】工程4 N-[6-(10-ウンデセノイル
オキシ)ヘキシル]−ピロールの合成 2リットルの反応容器にN-(6-ヒドロキシヘキシル)-
ピロール62.0g(0.371mol)と、dryピリジン33.2
g(0.420mol)、dryトルエン1850ml
を仕込み、20℃以下で10-ウンデセノイルクロリド75.
7g(0.373mol)のdryトルエン300m1溶液
を滴下した。滴下時間は30分であった。その後、同温
度にて1時間攪拌させた。反応混合物を氷水1.5リッ
トルに注加し、1N塩酸で酸性にした。酢酸エチル抽出
し、有機層を水洗、飽和食塩水洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムにて乾燥させ、溶媒を除去し、128.2gの粗
体を得た。これをn−ヘキサン/アセトン=20/1に
てシリカゲルカラム精製し、99.6gのN-[6-(1
0-ウンデセノイルオキシ)ヘキシル]-ピロールを得
た。収率80.1%であった。工程4の反応式を下記式
(25)に示す。
Step 4 N- [6- (10-undecenoyl
Synthesis of ( oxy) hexyl] -pyrrole N- (6-hydroxyhexyl) -in a 2 liter reaction vessel.
Pyrrole 62.0 g (0.371 mol) and dry pyridine 33.2
g (0.420 mol), dry toluene 1850 ml
, 10-undecenoyl chloride 75.
7 g (0.373 mol) of dry toluene 300 ml solution was added dropwise. The dropping time was 30 minutes. Then, the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. The reaction mixture was poured into 1.5 liters of ice water and acidified with 1N hydrochloric acid. The mixture was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was removed to obtain 128.2 g of a crude product. This was purified by a silica gel column with n-hexane / acetone = 20/1, and 99.6 g of N- [6- (1
0-undecenoyloxy) hexyl] -pyrrole was obtained. The yield was 80.1%. The reaction formula of Step 4 is shown in the following formula (25).

【0136】[0136]

【化14】 [Chemical 14]

【0137】工程5 PENの合成 100mlキャップ付き耐圧試験管にN-[6-(10-
ウンデセノイルオキシ)ヘキシル]-ピロール2.0g
(6.0×10-3mo1)、トリクロロシラン0.98g
(7.23×10-3mol)、H2PtC16・6H20の5%イソ
プロピルアルコール溶液0.01gを仕込み、100℃
で12時間反応させた。この反応液を活性炭で処理した
後、2.66×103Pa(20Torr)の減圧下で低沸点成分を留去
した。2.3gのPENを得た。収率81.7%であっ
た。工程5の反応式を下記式(26)に示す。
Step 5 Synthesis of PEN N- [6- (10-
Undecenoyloxy) hexyl] -pyrrole 2.0 g
(6.0 × 10 -3 mo1), trichlorosilane 0.98g
(7.23 × 10 -3 mol), was charged with 5% isopropyl alcohol solution 0.01g of H 2 PtC1 6 · 6H 2 0 , 100 ℃
And reacted for 12 hours. After treating this reaction solution with activated carbon, low-boiling components were distilled off under reduced pressure of 2.66 × 10 3 Pa (20 Torr). 2.3 g of PEN was obtained. The yield was 81.7%. The reaction formula of Step 5 is shown in the following formula (26).

【0138】[0138]

【化15】 [Chemical 15]

【0139】なお、末端のトリクロロシリル基をトリメ
トキシシリル基に置換するには、前記化学式1のPEN
を3モル倍のメチルアルコールと室温(25℃)で攪拌
し、脱塩化水素反応させる。必要に応じて前記塩化水素
は水酸化ナトリウムを加えて塩化ナトリウムとして分離
する。
To replace the terminal trichlorosilyl group with a trimethoxysilyl group, PEN of the above chemical formula 1 is used.
Is stirred with 3 molar times of methyl alcohol at room temperature (25 ° C.) to cause dehydrochlorination reaction. If necessary, the hydrogen chloride is separated as sodium chloride by adding sodium hydroxide.

【0140】得られたPENについて、図8にNMRの
チャート、図9にIRのチャートをそれぞれ示す。 (NMR) (1)測定機器:装置名AL300(日本電子株式会社
製) (2)測定条件:1H−NMR(300MHz)、サン
プル30mgをCDCl3に溶解し測定。 (赤外線吸収スペクトル:IR) (1)測定機器:装置名270−30型(株式会社日立
製作所製) (2)測定条件:neat(サンプルを2枚のNaCl板に挟み
測定)
FIG. 8 shows an NMR chart and FIG. 9 shows an IR chart of the obtained PEN. (NMR) (1) Measuring device: device name AL300 (manufactured by JEOL Ltd.) (2) Measuring condition: 1 H-NMR (300 MHz), 30 mg of sample was dissolved in CDCl 3 and measured. (Infrared absorption spectrum: IR) (1) Measuring device: Device name 270-30 type (manufactured by Hitachi, Ltd.) (2) Measuring condition: neat (sample is sandwiched between two NaCl plates)

【0141】II.単分子膜の形成 前記化学式(21)のPENを用い、脱水したジメチル
シリコーン溶媒で1wt%に薄めて化学吸着液を調製し
た。また、SiH4とO2ガスとの混合ガスを用いたプラ
ズマ重合により、ポリイミド基板表面にシリカ膜を形成
した。
II. Formation of Monomolecular Film Using PEN of the above chemical formula (21), a chemically adsorbed liquid was prepared by diluting it to 1 wt% with dehydrated dimethyl silicone solvent. Further, a silica film was formed on the surface of the polyimide substrate by plasma polymerization using a mixed gas of SiH 4 and O 2 gas.

【0142】前記基板を室温(25℃)の化学吸着液に
1時間浸漬して、基板表面で脱塩化反応させ、前記基板
の全面に薄膜を形成した。次に、基板上に残った未反応
の前記物質を無水クロロフォルムで洗浄除去した。
The substrate was immersed in a chemical adsorbent at room temperature (25 ° C.) for 1 hour to cause a desalting reaction on the surface of the substrate to form a thin film on the entire surface of the substrate. Next, the unreacted substance remaining on the substrate was washed off with anhydrous chloroform.

【0143】このとき、シリカ膜で被覆されたポリイミ
ド基板表面には活性水素を含む水酸基が多数存在するの
で、前記物質のクロロシリル基(−SiCl)が水酸基
と脱塩化水素反応を生じて、基板表面に共有結合する。
これにより、下記化学式(27)で示される分子で構成
された単分子膜が形成された。
At this time, since a large number of hydroxyl groups containing active hydrogen are present on the surface of the polyimide substrate coated with the silica film, the chlorosilyl group (-SiCl) of the substance causes a dehydrochlorination reaction with the hydroxyl groups, and the substrate surface Covalently bound to.
As a result, a monomolecular film composed of molecules represented by the following chemical formula (27) was formed.

【0144】[0144]

【化16】 [Chemical 16]

【0145】III.単分子膜の配向 次に、単分子膜が形成されたポリイミド基板をクロロフ
ォルム溶液中に浸漬して洗浄し、クロロフォルム溶液か
ら引き上げる際、後の工程で形成する第1の電極から第
2の電極に向かう方向と平行に液切りできるように、ポ
リイミド基板を垂直に立てた状態で引き上げた。これに
より、第1の電極から第2の電極に向かって一次配向し
た単分子膜を形成した。
III. Alignment of Monolayer Next, the polyimide substrate on which the monolayer is formed is immersed in a chloroform solution for cleaning, and when the polyimide substrate is pulled up from the chloroform solution, the first electrode to be formed into a second electrode in a later step. The polyimide substrate was lifted upright so that it could be drained parallel to the direction in which it was directed. As a result, a monomolecular film that was primarily oriented from the first electrode to the second electrode was formed.

【0146】IV.電極の形成 次に、基板全面にニッケル膜を蒸着形成した後、フォト
リソグラフィ法およびエッチングを適用して、前記単分
子膜上に第1の電極および第2の電極を形成した。図6
に示すように、第1の電極8aおよび第2の電極8b
は、導電領域を形成しようとする領域9を挟んで互いに
対向するように配置した。なお、第1の電極および第2
の電極の寸法は(a×b)いずれも10μm×100μ
mとし、電極間の距離(c)は100μmとした。
IV. Formation of Electrodes Next, a nickel film was formed by vapor deposition on the entire surface of the substrate, and then a first electrode and a second electrode were formed on the monomolecular film by applying photolithography and etching. Figure 6
, The first electrode 8a and the second electrode 8b
Are arranged so as to face each other with the region 9 where the conductive region is to be formed sandwiched therebetween. Note that the first electrode and the second
The dimensions of the electrodes are (a x b) 10 μm x 100 μ
m, and the distance (c) between the electrodes was 100 μm.

【0147】V.電解重合 その後、純水溶液中で、第1の電極と第2の電極との間
に電圧を印加して、前記単分子膜を構成する分子を電解
重合させた。電解重合の条件は、電界5V/cm、反応
温度25℃、反応時間5時間であった。
V. Electrolytic Polymerization Then, in a pure aqueous solution, a voltage was applied between the first electrode and the second electrode to electrolytically polymerize the molecules forming the monomolecular film. The electrolytic polymerization conditions were an electric field of 5 V / cm, a reaction temperature of 25 ° C., and a reaction time of 5 hours.

【0148】この電解重合により、第1の電極と第2の
電極との間の単分子膜が重合した。その結果、矩形パタ
ーンの導電領域を有する導電性有機薄膜が形成された。
導電領域の寸法は、100μm×100μmであった。
また、導電領域以外の領域においては、単分子膜は重合
せず、絶縁領域が形成された。なお、得られた導電性有
機薄膜の膜厚は約2.0nmであり、導電領域における
ポリピロール部分の厚さは約0.2nmであった。ま
た、得られた有機導電膜は可視光線のもとでは透明であ
った。
By this electrolytic polymerization, the monomolecular film between the first electrode and the second electrode was polymerized. As a result, a conductive organic thin film having a rectangular pattern of conductive regions was formed.
The dimensions of the conductive region were 100 μm × 100 μm.
In the area other than the conductive area, the monomolecular film did not polymerize and an insulating area was formed. The thickness of the obtained conductive organic thin film was about 2.0 nm, and the thickness of the polypyrrole portion in the conductive region was about 0.2 nm. Further, the obtained organic conductive film was transparent under visible light.

【0149】下記化学式(28)に、導電領域を構成す
るポリマーの1ユニットを示す。
The chemical formula (28) below shows one unit of the polymer constituting the conductive region.

【0150】[0150]

【化17】 [Chemical 17]

【0151】VI.測定 市販の原子間力顕微鏡(AFM)(セイコーインスツル
メント社製、SAP3800N)を用い、AFM−CI
TSモードで、電圧:1mV、電流:160nAの条件
により、得られた導電性有機薄膜における導電領域の電
導度(ρ)を測定した。その結果、室温(25℃)にお
いて、ドープなしで、ρ>1×107S/cmであっ
た。これは、電流計が1×107S/cmまでしか測定
することができず、針がオーバーして振り切れてしまっ
たからである。電導度の良好な金属である金は室温(2
5℃)において5.2×105S/cm、銀は5.4×
105S/cmであることからすると、本実施例におい
て形成された導電領域の電導度は驚くべき高い導電性で
ある。前記値からすると、本発明の導電領域は「超金属
導電領域」ということができる。
VI. Measurement Using a commercially available atomic force microscope (AFM) (SAP3800N manufactured by Seiko Instruments Inc.), AFM-CI
The conductivity (ρ) of the conductive region in the obtained conductive organic thin film was measured under the conditions of voltage: 1 mV and current: 160 nA in the TS mode. As a result, at room temperature (25 ° C.), ρ> 1 × 10 7 S / cm without doping. This is because the ammeter can measure only up to 1 × 10 7 S / cm, and the needle is over and shaken out. Gold, which is a metal with good conductivity, has room temperature (2
5.2 × 10 5 S / cm at 5 ° C., 5.4 × for silver
Based on 10 5 S / cm, the conductivity of the conductive region formed in this example is surprisingly high. From the above values, the conductive region of the present invention can be referred to as a "supermetal conductive region".

【0152】(実施例2) I.TENの合成 下記化学式(29)で表される物質(TEN:6-[(3-th
ienyl)hexyl-12,12,12-trichloro-12-siladodecanoat
e])を、下記工程1〜5にしたがって合成した。
Example 2 I.D. Synthesis of TEN A substance represented by the following chemical formula (29) (TEN: 6-[(3-th
ienyl) hexyl-12,12,12-trichloro-12-siladodecanoat
e]) was synthesized according to steps 1-5 below.

【0153】[0153]

【化18】 [Chemical 18]

【0154】工程1 6−ブロモ−1−(テトラヒドロ
ピラニルオキシ)ヘキサンの合成 下記化学式(30)に示す反応を行い6−ブロモ−1−
(テトラヒドロピラニルオキシ)ヘキサンを合成した。
まず、500mLの反応容器に6−ブロモ−1−ヘキサ
ノール197.8g(1.09mol)を仕込み、5℃
以下に冷却した後、これに、ジヒドロピラン102.1
g(1.21mol)を10℃以下で滴下した。滴下終
了後、室温に戻して1時間攪拌した。
Step 1 6-Bromo-1- (tetrahydro
Synthesis of pyranyloxy) hexane 6-Bromo-1-
(Tetrahydropyranyloxy) hexane was synthesized.
First, 197.8 g (1.09 mol) of 6-bromo-1-hexanol was charged into a 500 mL reaction vessel, and the temperature was 5 ° C.
After cooling to below, dihydropyran 102.1
g (1.21 mol) was added dropwise at 10 ° C or lower. After completion of dropping, the mixture was returned to room temperature and stirred for 1 hour.

【0155】[0155]

【化19】 [Chemical 19]

【0156】得られた残渣をシリカゲルカラムに供し、
溶出溶媒としてヘキサン/ジイソプロピルエーテル(I
PE)混合溶媒(体積比5:1)を用いて精製し、26
3.4gの6−ブロモ−1(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ヘキサンを得た。この際の収率は90.9%であっ
た。
The resulting residue was applied to a silica gel column,
Hexane / diisopropyl ether (I
PE) purified with a mixed solvent (volume ratio 5: 1), 26
3.4 g of 6-bromo-1 (tetrahydropyranyloxy) hexane was obtained. The yield at this time was 90.9%.

【0157】工程2 3-[6-(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ヘキシル]チオフェンの合成 下記化学式(31)に示す反応を行い3-[6-(テトラヒド
ロピラニルオキシ)ヘキシル]チオフェンを合成した。
Step 2 3- [6- (tetrahydropyranyloxy
Synthesis of ( si) hexyl] thiophene 3- [6- (tetrahydropyranyloxy) hexyl] thiophene was synthesized by performing the reaction represented by the following chemical formula (31).

【0158】[0158]

【化20】 [Chemical 20]

【0159】まず、アルゴン気流下、2Lの反応容器に
削ったマグネシウム25.6g(1.06m。1)を仕
込み、さらに、6−ブロモ−1−(テトラヒドロピラニ
ル)ヘキサン140.2g(0.529mol)を含む
ドライテトラヒドロフラン(ドライTHF)溶液4Lを
室温で滴下した。この際の滴下時間は1時間50分であ
って、発熱反応を起した。その後、室温で1.5時間攪
拌して、グリニャール試薬を調製した。
First, 25.6 g (1.06 m.1) of ground magnesium was charged into a 2-liter reaction vessel under an argon stream, and further, 140.2 g (0..0) of 6-bromo-1- (tetrahydropyranyl) hexane. 4 L of a dry tetrahydrofuran (dry THF) solution containing 529 mol) was added dropwise at room temperature. The dropping time at this time was 1 hour and 50 minutes, and an exothermic reaction occurred. Then, the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours to prepare a Grignard reagent.

【0160】つぎに、アルゴン気流下、新たな2L反応
容器に3−ブロモチオフェン88.2g(541mo
l)とジクロロビス(トリフェニルフォスフィン)ニッ
ケル(II)3.27gとを仕込み、前記調製したグリニ
ャール試薬全量を室温で滴下した。この際、前記反応容
器内の温度を室温(50℃以下)に保ち、滴下時間は、
30分とした。滴下後、室温で23時間攪拌した。
Next, under a stream of argon, a new 2 L reaction vessel was charged with 88.2 g (541 mo) of 3-bromothiophene.
1) and 3.27 g of dichlorobis (triphenylphosphine) nickel (II) were charged, and the entire amount of the Grignard reagent prepared above was added dropwise at room temperature. At this time, the temperature in the reaction vessel was kept at room temperature (50 ° C. or lower), and the dropping time was
30 minutes. After dropping, the mixture was stirred at room temperature for 23 hours.

【0161】この反応混合物を、0℃に保った0.5N
HCl 1.3Lに添加し、IPE抽出を行った。得
られた有機層を水洗し、さらに飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムを添加して乾燥させた。そし
て、溶媒を留去し、3-[6-(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ヘキシル]−チオフェンを含む粗体199.5gを得
た。この粗体は、精製せずに次の工程3に供した。
The reaction mixture was kept at 0 ° C. with 0.5N.
It was added to 1.3 L of HCl and IPE extraction was performed. The obtained organic layer was washed with water and further washed with saturated saline, and then anhydrous magnesium sulfate was added and dried. Then, the solvent was distilled off to obtain 199.5 g of a crude product containing 3- [6- (tetrahydropyranyloxy) hexyl] -thiophene. This crude product was subjected to the next step 3 without purification.

【0162】工程3 3−(6−ヒドロキシヘキシル)
−チオフェンの合成 下記化学式(32)に示す反応を行い3−(6−ヒドロ
キシヘキシル)−チオフェンを合成した。
Step 3 3- (6-Hydroxyhexyl)
-Synthesis of thiophene The reaction represented by the following chemical formula (32) was performed to synthesize 3- (6-hydroxyhexyl) -thiophene.

【0163】[0163]

【化21】 [Chemical 21]

【0164】1Lの反応容器に、前記工程2で得られた
未精製3-[6-(テトラヒドロピラニルオキシ)ヘキシル]−
チオフェン199.5g、メタノール450mL、水2
25mLおよび濃塩酸37.5mLを仕込み、室温で6
時間攪拌して反応させた。この反応混合物を飽和食塩水
750mLに添加し、IPE抽出を行った。そして、得
られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、さらに無水硫酸マ
グネシウムで乾燥させた後、溶媒留去して3−(6−ヒ
ドロキシヘキシル)−チオフェンを含む粗体148.8
gを得た。この粗体をシリカゲルカラムに供し、溶出溶
媒としてn−へキサン/酢酸エチル混合溶媒(体積比
3:1)を用いて精製し、84.8gの3−(6−ヒド
ロキシヘキシル)−チオフェンを得た。この際の収率
は、工程2で得られた3-[6-(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ヘキシル]−チオフェンを含む粗体に対して87.0
%であった。
In a 1 L reaction vessel, the crude 3- [6- (tetrahydropyranyloxy) hexyl] -obtained in the above step 2 was used.
Thiophene 199.5 g, methanol 450 mL, water 2
Charge 25 mL and concentrated hydrochloric acid 37.5 mL, and add 6 at room temperature.
Stir for a reaction to react. This reaction mixture was added to 750 mL of saturated saline, and IPE extraction was performed. Then, the obtained organic layer was washed with saturated saline and further dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude body 148.8 containing 3- (6-hydroxyhexyl) -thiophene.
g was obtained. This crude product was subjected to a silica gel column and purified using an n-hexane / ethyl acetate mixed solvent (volume ratio 3: 1) as an elution solvent to obtain 84.8 g of 3- (6-hydroxyhexyl) -thiophene. It was The yield in this case was 87.0 based on the crude product containing 3- [6- (tetrahydropyranyloxy) hexyl] -thiophene obtained in step 2.
%Met.

【0165】工程4 3-[6-(10-ウンデセノイルオキ
シ)ヘキシル]-チオフェンの合成 下記化学式(33)に示す反応を行い3−(6−(10
−ウンデセノイルオキシ)ヘキシル)−チオフェンを合
成した。
Step 4 3- [6- (10-Undecenoyloxy
Synthesis of ( Ci) hexyl] -thiophene 3- (6- (10
-Undecenoyloxy) hexyl) -thiophene was synthesized.

【0166】[0166]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0167】2Lの反応容器に、工程3で得られた3−
(6−ヒドロキシヘキシル)−チオフェンを含む粗体8
4.4g(0.458mol)、ドライピリジン34.
9g(0.442mol)およびドライトルエン145
0mLを仕込み、20℃以下の状態で、さらに10−ウ
ンデセノイルクロリド79.1g(0.390mol)
を含有するドライトルエン溶液250mLを滴下した。
滴下時間は、30分とし、その後、同じ温度で23時間
攪拌して反応させた。得られた反応混合物を氷水2Lに
添加し、さらに1N塩酸75mLを加えた。この混合液
を酢酸エチル抽出して、得られた有機層を水洗し、さら
に飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを添
加して乾燥させる、溶媒を除去することにより、3-[6-
(10-ウンデセノイルオキシ)ヘキシル]-チオフェンを含
有する粗体161.3gを得た。この粗体をシリカゲル
カラムに供し、溶出溶媒としてn−ヘキサン/アセトン
混合溶媒(体積比20:1)を用いて精製し、157.
6gの3-[6-(10-ウンデセノイルオキシ)ヘキシル]-チオ
フェンを得た。この際の収率は、前記工程3で得られた
3−(6−ヒドロキシヘキシル)−チオフェンを含む粗
体に対して98.2%であった。
In a 2 L reaction vessel, the 3-
Crude 8 containing (6-hydroxyhexyl) -thiophene
4.4 g (0.458 mol), dry pyridine 34.
9 g (0.442 mol) and dry toluene 145
0 mL was charged, and 79.1 g (0.390 mol) of 10-undecenoyl chloride was added at 20 ° C or lower.
250 mL of a dry toluene solution containing P was added dropwise.
The dropping time was 30 minutes, and then the mixture was stirred at the same temperature for 23 hours for reaction. The obtained reaction mixture was added to 2 L of ice water, and further 75 mL of 1N hydrochloric acid was added. The mixture was extracted with ethyl acetate, the obtained organic layer was washed with water, further washed with saturated saline, and then dried by adding anhydrous magnesium sulfate. By removing the solvent, 3- [6-
161.3 g of a crude product containing (10-undecenoyloxy) hexyl] -thiophene was obtained. This crude product was applied to a silica gel column and purified using an n-hexane / acetone mixed solvent (volume ratio 20: 1) as an elution solvent, and 157.
6 g of 3- [6- (10-undecenoyloxy) hexyl] -thiophene was obtained. The yield at this time was 98.2% with respect to the crude product containing 3- (6-hydroxyhexyl) -thiophene obtained in the above step 3.

【0168】工程5 TENの合成 下記化学式(34)に示す反応を行いTENを合成し
た。
Step 5 Synthesis of TEN The reaction shown in the following chemical formula (34) was performed to synthesize TEN.

【0169】[0169]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0170】(a)まず、100mLのキャップ付き耐
圧試験管に、3-[6-(10−ウンデセノイルオキシ)ヘ
キシル]-チオフェン10.0g(2.86×1012m
ol)、トリクロロシラン4.65g(3.43×10
4mol)およびH2PtC16・6H20を5重量%の
割合で含有するイソプロピルアルコール溶液0.05g
を仕込み、100℃で14時間反応させた。この反応液
を活性炭で処理した後、減圧下で低沸点成分を留去し
た。減圧条件は、2.66×103Pa(20Torr)とした。
(A) First, in a 100 mL pressure-proof test tube with a cap, 10.0 g of 3- [6- (10-undecenoyloxy) hexyl] -thiophene (2.86 × 1012 m)
ol), trichlorosilane 4.65 g (3.43 x 10)
4 mol) and 0.05 g of isopropyl alcohol solution containing H 2 PtC1 6 · 6H 2 0 at a ratio of 5% by weight.
Was charged and reacted at 100 ° C. for 14 hours. After treating this reaction solution with activated carbon, low-boiling components were distilled off under reduced pressure. The reduced pressure condition was 2.66 × 10 3 Pa (20 Torr).

【0171】(b)同様に、100mLキャップ付き耐
圧試験管に、3-[6-(10-ウンデセノイルオキシ)ヘキシ
ル]-チオフェン39.0g(1.11×10-1mo
l)、トリクロロシラン18.2g(1.34×10-1
mol)、H2PtCl6・6H20を5重量%の割合で
含有するイソプロピルアルコール溶液0.20gを仕込
み、100℃で12時間反応させた。この反応液を活性
炭で処理した後、減圧下で低沸点成分を留去した。減圧
条件は前述のとおりである。
(B) Similarly, 39.0 g (1.11 × 10 -1 mo) of 3- [6- (10-undecenoyloxy) hexyl] -thiophene was placed in a 100 mL pressure-proof test tube with a cap.
l), trichlorosilane 18.2 g (1.34 × 10 −1)
mol) and 0.20 g of an isopropyl alcohol solution containing H 2 PtCl 6 .6H 2 0 at a ratio of 5% by weight, and the mixture was reacted at 100 ° C. for 12 hours. After treating this reaction solution with activated carbon, low-boiling components were distilled off under reduced pressure. The reduced pressure conditions are as described above.

【0172】(a)と(b)で得られた残渣を混合し、
これにアルゴンガスを1時間通して塩酸ガスを除去する
ことによって、65.9gの目的物TENを得た。この
際のTENの収率は、前記工程4で得られた3-[6-(10-
ウンデセノイルオキシ)ヘキシル]-チオフェンを含む粗
体に対して97.2%であった。
The residues obtained in (a) and (b) are mixed,
Argon gas was passed through this for 1 hour to remove hydrochloric acid gas, thereby obtaining 65.9 g of the desired product TEN. The yield of TEN in this case is 3- [6- (10-
It was 97.2% based on the crude product containing undecenoyloxy) hexyl] -thiophene.

【0173】得られたTENについて、IR分析および
NMR分析を行った。以下にその条件および結果を示
す。なお、図10にNMRのチャート、図11にIRの
チャートをそれぞれ示す。
The TEN obtained was subjected to IR analysis and NMR analysis. The conditions and results are shown below. Note that FIG. 10 shows an NMR chart and FIG. 11 shows an IR chart.

【0174】(NMR) (1)測定機器:装置名AL300(日本電子株式会社
製) (2)測定条件:1H−NMR(300MHz)、サン
プル30mgをCDCl3に溶解し測定。
(NMR) (1) Measuring device: device name AL300 (manufactured by JEOL Ltd.) (2) Measuring condition: 1 H-NMR (300 MHz), 30 mg of sample was dissolved in CDCl 3 and measured.

【0175】(赤外線吸収スペクトル:IR) (1)測定機器:装置名270−30型(株式会社日立
製作所製) (2)測定条件:neat(サンプルを2枚のNaCl板に挟み
測定)
(Infrared absorption spectrum: IR) (1) Measuring device: device name 270-30 type (manufactured by Hitachi, Ltd.) (2) Measuring condition: neat (sample sandwiched between two NaCl plates)

【0176】II.単分子膜の形成、配向処理、電極の形
成および電解重合 得られたTENを用いた以外は、前記実施例1と同様に
して、単分子膜の形成、配向処理、電極の形成および電
解重合を実施した。
II. Monolayer formation, orientation treatment, electrode formation and electropolymerization The monolayer formation, orientation treatment, electrode formation and electropolymerization were performed in the same manner as in Example 1 except that the obtained TEN was used. Carried out.

【0177】その結果、矩形パターンの導電領域を有す
る導電性有機薄膜が形成された。導電領域の寸法は、1
00μm×100μmであった。また、導電領域以外の
領域においては、単分子膜は重合せず、絶縁領域が形成
された。なお、得られた導電性有機薄膜の膜厚は約2.
0nmであり、導電領域におけるポリチオフェン部分の
厚さは約0.2nmであった。また、得られた有機導電
膜は可視光線のもとでは透明であった。
As a result, a conductive organic thin film having a rectangular pattern conductive region was formed. The size of the conductive area is 1
It was 00 μm × 100 μm. In the area other than the conductive area, the monomolecular film did not polymerize and an insulating area was formed. The thickness of the obtained conductive organic thin film was about 2.
The thickness of the polythiophene portion in the conductive region was about 0.2 nm. Further, the obtained organic conductive film was transparent under visible light.

【0178】下記化学式(35)に、導電領域を構成す
るポリマーの1ユニットを示す。
The chemical formula (35) below shows one unit of the polymer constituting the conductive region.

【0179】[0179]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0180】III.測定 得られた導電性有機薄膜における導電領域の電導度
(ρ)を、前記実施例1と同様の方法により測定した。
その結果、室温(25℃)においてドープなしでρ>1
×107S/cmであり、前記実施例1における導電領
域と同様に、驚くべき高い導電性を示した。
III. Measurement The conductivity (ρ) of the conductive region in the obtained conductive organic thin film was measured by the same method as in Example 1.
As a result, ρ> 1 at room temperature (25 ° C) without doping.
It was × 10 7 S / cm, which showed a surprisingly high conductivity, similar to the conductive region in Example 1 above.

【0181】(実施例3)単分子膜が形成された基板を
クロロフォルム溶液中に浸漬して洗浄し、この基板をク
ロロフォルム溶液から所定の方向に引き上げた後、さら
に、偏光した可視光を照射することによる配向処理を行
ったこと以外は、前記実施例1および実施例2と同様に
して導電性有機薄膜を形成した。なお、液切り方向は、
第1の電極から第2の電極に向う方向とし、偏光方向
は、第1の電極から第2の電極に向う方向と45°で交
叉するように設定した。また、偏光照射は、約500m
J/cm2の条件で行った。
(Example 3) A substrate having a monomolecular film formed thereon is immersed in a chloroform solution for cleaning, the substrate is pulled up from the chloroform solution in a predetermined direction, and then polarized visible light is irradiated. A conductive organic thin film was formed in the same manner as in Example 1 and Example 2 except that the alignment treatment was performed. The draining direction is
The direction from the first electrode to the second electrode was set, and the polarization direction was set to intersect with the direction from the first electrode to the second electrode at 45 °. Also, polarized light irradiation is about 500 m
It was performed under the condition of J / cm 2 .

【0182】この結果、単分子膜を構成する有機分子
は、前記液切り方向への配向から、偏光方向とほぼ平行
に配向した。
As a result, the organic molecules constituting the monomolecular film were oriented substantially parallel to the polarization direction from the orientation in the liquid draining direction.

【0183】そして、このように単分子有機薄膜に液切
り配向処理および偏光照射による配向処理を施した後
に、重合して導電領域を形成した場合、前記実施例1お
よび2と同様に、優れた導電性を示す導電領域を形成す
ることができた。
Then, when the monomolecular organic thin film was subjected to the liquid draining alignment treatment and the alignment treatment by polarized light irradiation and then polymerized to form a conductive region, it was excellent as in Examples 1 and 2 above. It was possible to form a conductive region exhibiting conductivity.

【0184】(実施例4)下記化学式(36)の化合物
を用いたこと以外は、前記実施例1と同様にして導電性
有機薄膜を作製した。
Example 4 A conductive organic thin film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound represented by the chemical formula (36) below was used.

【0185】[0185]

【化25】 [Chemical 25]

【0186】その結果、矩形パターンの導電領域を有す
る導電性有機薄膜が形成された。導電領域の寸法は、1
00μm×100μmであった。また、導電領域以外の
領域においては、単分子膜は重合せず、絶縁領域が形成
された。なお、得られた導電性有機薄膜の膜厚は約2.
0nmであり、導電領域におけるポリピロール部分の厚
さは約0.2nmであった。また、得られた有機導電膜
は可視光線のもとでは透明であった。
As a result, a conductive organic thin film having a rectangular conductive region was formed. The size of the conductive area is 1
It was 00 μm × 100 μm. In the area other than the conductive area, the monomolecular film did not polymerize and an insulating area was formed. The thickness of the obtained conductive organic thin film was about 2.
The thickness of the polypyrrole portion in the conductive region was about 0.2 nm. Further, the obtained organic conductive film was transparent under visible light.

【0187】下記化学式(37)に、導電領域を構成す
るポリマーの1ユニットを示す。
The following chemical formula (37) shows one unit of the polymer constituting the conductive region.

【0188】[0188]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0189】得られた導電性有機薄膜における導電領域
の電導度(ρ)を、前記実施例1と同様の方法の方法に
より測定した。その結果、室温(25℃)においてドー
プなしで1×103S/cmであった。
The electric conductivity (ρ) of the conductive region in the obtained conductive organic thin film was measured by the same method as in Example 1 above. As a result, it was 1 × 10 3 S / cm without doping at room temperature (25 ° C.).

【0190】(実施例5)下記化学式(38)の化合物
を用いて、導電性有機薄膜を作製した。
Example 5 A conductive organic thin film was prepared using the compound of the following chemical formula (38).

【0191】[0191]

【化27】 [Chemical 27]

【0192】まず、前記化学式(38)の化合物を、脱
水したジメチルシリコーン溶媒で1wt%に薄めて化学吸
着液を調製した。次に、ガラス基板を室温(25℃)の
化学吸着液に1時間浸漬し、基板表面で脱塩化反応さ
せ、前記基板の全面に単分子膜を形成した。次に、基板
上に残った未反応の前記物質を無水クロロフォルムで洗
浄除去した。
First, the compound of the chemical formula (38) was diluted to 1 wt% with dehydrated dimethyl silicone solvent to prepare a chemical adsorbent. Next, the glass substrate was immersed in a chemical adsorbent at room temperature (25 ° C.) for 1 hour to cause a desalting reaction on the substrate surface to form a monomolecular film on the entire surface of the substrate. Next, the unreacted substance remaining on the substrate was washed off with anhydrous chloroform.

【0193】次に、基板表面に形成された単分子膜に対
してラビング処理を行った。この工程は、図7に示すよ
うに、ラビング布41を巻き付けたロール42を所定の
速度で回転させながら単分子膜2を備えた基板1表面に
接触させ、且つ、基板1を所定の速度で移動させること
により実施される。ラビング処理は、レーヨン製のラビ
ング布(吉川加工(株)製:YA−20−R)を巻き付
けた直径7cmのラビングロールを用い、ニップ幅1
1.7mm、ロールの回転数1200回転/sec、基
板搬送速度40mm/secの条件で行った。
Next, rubbing treatment was performed on the monomolecular film formed on the surface of the substrate. In this step, as shown in FIG. 7, while the roll 42 around which the rubbing cloth 41 is wound is rotated at a predetermined speed, the surface of the substrate 1 provided with the monomolecular film 2 is brought into contact with the substrate 1 at a predetermined speed. It is carried out by moving. The rubbing treatment was performed by using a rubbing roll having a diameter of 7 cm wrapped with a rayon-made rubbing cloth (Yoshikawa Kako Co., Ltd .: YA-20-R).
It was carried out under the conditions of 1.7 mm, the rotation speed of the roll was 1200 rotations / sec, and the substrate transfer speed was 40 mm / sec.

【0194】次に、単分子膜表面にフォトレジスト(東
京応化工業社製「OEPR5000(商品名)」)を塗
布し、フォトリソグラフィー法により前記レジストをパ
ターニングした。これにより、単分子膜表面に、導電領
域となる部分を開口し、且つ、絶縁領域となる部分を被
覆するレジストパターンを形成した。なお、レジストパ
ターンの開口部は、10μm×100μmの矩形とし
た。
Next, a photoresist (“OEPR5000 (trade name)” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to the surface of the monomolecular film, and the resist was patterned by the photolithography method. As a result, a resist pattern was formed on the surface of the monomolecular film so as to open a portion to be a conductive region and cover a portion to be an insulating region. The opening of the resist pattern was a rectangle of 10 μm × 100 μm.

【0195】その後、前記レジストパターンが形成され
た基板を、チグラーナッタ触媒(トリエチルアルミニウ
ムの5×10-2mol/リットル溶液とテトラブチルチタ
ネートの2.5×10-2mol/リットル溶液)を含むトル
エン溶媒中に浸漬した。これにより、レジストパターン
の開口部において、単分子膜を構成する分子のエチニレ
ン基が重合した。その結果、矩形パターンの導電領域を
有する導電性有機薄膜が形成された。導電領域の寸法
は、10μm×100μmであった。また、導電領域以
外の領域においては、単分子膜は重合せず、絶縁領域が
形成された。なお、得られた導電性勇気薄膜の膜厚は約
2.0nmであった。
Then, the substrate on which the resist pattern was formed was treated with toluene containing Ziegler-Natta catalyst (5 × 10 -2 mol / liter solution of triethylaluminum and 2.5 × 10 -2 mol / liter solution of tetrabutyl titanate). Immersed in the solvent. As a result, the ethynylene groups of the molecules forming the monomolecular film were polymerized in the openings of the resist pattern. As a result, a conductive organic thin film having a rectangular pattern of conductive regions was formed. The dimensions of the conductive region were 10 μm × 100 μm. In the area other than the conductive area, the monomolecular film did not polymerize and an insulating area was formed. The thickness of the obtained electroconductive courage thin film was about 2.0 nm.

【0196】下記化学式(39)に、導電領域を構成す
るポリマーの1ユニットを示す。
The chemical formula (39) below shows one unit of the polymer constituting the conductive region.

【0197】[0197]

【化28】 [Chemical 28]

【0198】得られた導電性有機薄膜における導電領域
の電導度(ρ)を、前記実施例1と同様の方法の方法に
より測定した。その結果、室温(25℃)においてドー
プなしで1×103S/cmであった。
The conductivity (ρ) of the conductive region in the obtained conductive organic thin film was measured by the same method as in Example 1 above. As a result, it was 1 × 10 3 S / cm without doping at room temperature (25 ° C.).

【0199】(実施例6)下記化学式(40)の化合物
を用いること以外は、前記実施例5と同様にして、基板
表面に単分子膜を形成し、この単分子膜にラビング処理
を施した。
Example 6 A monomolecular film was formed on the surface of a substrate and a rubbing treatment was applied to the monomolecular film in the same manner as in Example 5 except that the compound represented by the following chemical formula (40) was used. .

【0200】[0200]

【化29】 [Chemical 29]

【0201】次に、単分子膜表面に、導電領域となる部
分を開口し、且つ、絶縁領域となる部分を被覆するフォ
トマスクを介して、エネルギービームである紫外線を照
射した。マスクの開口部は、10μm×100μmと矩
形とした。また、紫外線のエネルギー密度は、100m
J/cm2とした。
Next, the surface of the monomolecular film was irradiated with ultraviolet rays, which is an energy beam, through a photomask which has openings for conductive areas and covers for insulating areas. The opening of the mask was rectangular with a size of 10 μm × 100 μm. The energy density of ultraviolet rays is 100m
It was set to J / cm 2 .

【0202】これにより、マスクの開口部において、単
分子膜を構成する分子のジアセチレン基が重合した。そ
の結果、矩形パターンの導電領域を有する導電性有機薄
膜が形成された。導電領域の寸法は、10μm×100
μmであった。また、導電領域以外の領域においては、
単分子膜は重合せず、絶縁領域が形成された。なお、得
られた導電性有機薄膜の膜厚は約2.0nmであった。
As a result, the diacetylene groups of the molecules composing the monomolecular film were polymerized in the openings of the mask. As a result, a conductive organic thin film having a rectangular pattern of conductive regions was formed. The size of the conductive area is 10 μm × 100
was μm. In the area other than the conductive area,
The monolayer did not polymerize and an insulating region was formed. The thickness of the obtained conductive organic thin film was about 2.0 nm.

【0203】下記化学式(41)に、導電領域を構成す
るポリマーの1ユニットを示す。
The following chemical formula (41) shows one unit of the polymer constituting the conductive region.

【0204】[0204]

【化30】 [Chemical 30]

【0205】得られた導電性有機薄膜における導電領域
の電導度(ρ)を、前記実施例1と同様の方法の方法に
より測定した。その結果、室温(25℃)においてドー
プなしで1×104S/cmであった。
The conductivity (ρ) of the conductive region in the obtained conductive organic thin film was measured by the same method as in Example 1 above. As a result, it was 1 × 10 4 S / cm without doping at room temperature (25 ° C.).

【0206】[0206]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、基材表面に、前記基材表面と共有結合を形成
可能な末端結合可能基と、他の分子と重合可能な共役結
合可能基とを含む有機分子の被膜を形成し、前記被膜の
導電領域となる部分においては前記共役結合可能基を重
合させて共役結合鎖を形成し、前記被膜の絶縁領域とな
る部分においては前記共役結合可能基を未重合の状態で
残存させることにより、導電性有機薄膜に所望のパター
ンを有する導電領域を容易かつ高精度に形成することが
できる。
As described above, according to the production method of the present invention, a terminal bondable group capable of forming a covalent bond with the surface of the base material and a conjugate capable of being polymerized with another molecule are formed on the surface of the base material. A film of an organic molecule containing a bondable group is formed, and a conjugated bond chain is formed by polymerizing the conjugated bondable group in the part which becomes the conductive region of the film, and in the part which becomes the insulating region of the film. By leaving the group capable of conjugate bonding in an unpolymerized state, a conductive region having a desired pattern can be easily and accurately formed in the conductive organic thin film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1Aは、本発明の製造方法で得られる導電
有機薄膜の一例を示す断面図である。図1Bは、導電領
域の構造の概略を示す模式図であり、図1Cは、絶縁領
域の構造の概略を示す模式図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view showing an example of a conductive organic thin film obtained by the manufacturing method of the present invention. FIG. 1B is a schematic diagram showing the outline of the structure of the conductive region, and FIG. 1C is a schematic diagram showing the outline of the structure of the insulating region.

【図2】 触媒重合を用いて被膜をパターン状に重合さ
せる方法の一例を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a method of polymerizing a coating film in a pattern using catalytic polymerization.

【図3】 エネルギービーム照射重合を用いて被膜をパ
ターン状に重合させる方法の一例を説明するための図で
ある。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a method for polymerizing a coating film in a pattern using energy beam irradiation polymerization.

【図4】 電解重合を用いて被膜をパターン状に重合さ
せる方法の一例を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a method for polymerizing a coating film in a pattern using electrolytic polymerization.

【図5】 図5A−Bは、それぞれ、本発明の製造方法
により得られる導電性有機薄膜における導電領域のパタ
ーンの一例を示す図である。
5A and 5B are diagrams each showing an example of a pattern of a conductive region in a conductive organic thin film obtained by the manufacturing method of the present invention.

【図6】 本発明の一実施例における電解重合の電極配
置を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an electrode arrangement for electrolytic polymerization in an example of the present invention.

【図7】 本発明の一実施例におけるラビング方法を説
明するための図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a rubbing method according to an embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の一実施例により得られたピロリル化
合物のNMRのチャートである。
FIG. 8 is an NMR chart of a pyrrolyl compound obtained according to an example of the present invention.

【図9】 前記ピロリル化合物のIRのチャートであ
る。
FIG. 9 is an IR chart of the pyrrolyl compound.

【図10】 本発明の別の一実施例により得られたチェ
ニル化合物のNMRのチャートである。
FIG. 10 is an NMR chart of a cenyl compound obtained according to another example of the present invention.

【図11】 前記チェニル化合物のIRのチャートで
ある。
FIG. 11 is an IR chart of the cenyl compound.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基材 2 単分子膜 3 導電性有機薄膜 3a 導電領域 3b 絶縁領域 4 レジストパターン 5 触媒溶液 6 マスク 7 エネルギービーム 8a、8b 電極 1 base material 2 monolayer 3 Conductive organic thin film 3a conductive area 3b Insulation area 4 Resist pattern 5 catalyst solution 6 masks 7 energy beam 8a, 8b electrodes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 伸一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4J011 AC04 CA02 CC10 UA01 UA03 UA04 VA01 WA01 XA01 4M104 AA01 AA10 BB05 BB36 DD22 DD51 DD77 HH20 5G307 GA05 GC02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Shinichi Yamamoto             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F term (reference) 4J011 AC04 CA02 CC10 UA01 UA03                       UA04 VA01 WA01 XA01                 4M104 AA01 AA10 BB05 BB36 DD22                       DD51 DD77 HH20                 5G307 GA05 GC02

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材表面の所定の領域に選択的に形成さ
れた導電領域と、前記基材表面の前記所定の領域を除く
領域に形成された絶縁領域とを含む導電性有機薄膜の製
造方法であって、 表面に活性水素を有するかまたは活性水素を付与した前
記基材表面に、 分子の一方の末端に前記基材表面と共有結合を形成可能
な末端結合可能基を含み、前記分子のいずれかの部分に
他の分子と重合可能な共役結合可能基を含む有機分子を
接触させ、 前記有機分子の末端結合可能基と前記基材表面の活性水
素とを反応させて共有結合を形成させることにより、前
記基材表面に被膜を形成し、 前記被膜の前記導電領域となる部分においては、前記共
役結合可能基を他の有機分子の共役結合可能基と重合さ
せて共役結合鎖を形成し、 前記被膜の前記絶縁領域となる部分においては、前記共
役結合可能基を未重合の状態で残存させることを特徴と
する導電性有機薄膜の製造方法。
1. A method for producing a conductive organic thin film including a conductive region selectively formed in a predetermined region of a substrate surface and an insulating region formed in a region of the substrate surface excluding the predetermined region. A method comprising: a surface of the substrate having active hydrogen on the surface thereof or having an active hydrogen added thereto, comprising at one end of a molecule an end-bondable group capable of forming a covalent bond with the surface of the substrate; An organic molecule containing a conjugated bondable group capable of polymerizing with another molecule is brought into contact with any part of the above, and the terminal bondable group of the organic molecule is reacted with active hydrogen on the surface of the substrate to form a covalent bond. By forming a coating film on the surface of the base material, in the portion which becomes the conductive region of the coating film, the conjugated bondable group is polymerized with the conjugated bondable group of another organic molecule to form a conjugated bond chain. And the insulating region of the coating That in the portion, the manufacturing method of the conductive organic thin film characterized in that to leave the conjugated bondable groups in the form of unpolymerized.
【請求項2】 重合が、電解重合、触媒重合およびエネ
ルギービーム照射重合から選ばれる少なくとも一つの重
合方法により実施される請求項1に記載の導電性有機薄
膜の製造方法。
2. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, wherein the polymerization is carried out by at least one polymerization method selected from electrolytic polymerization, catalytic polymerization and energy beam irradiation polymerization.
【請求項3】 前記被膜の少なくとも前記導電領域とな
る部分において、前記被膜を構成する有機分子を配向さ
せる請求項1または2に記載の導電性有機薄膜の製造方
法。
3. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, wherein the organic molecules forming the coating film are oriented in at least the conductive region of the coating film.
【請求項4】 配向が、ラビング処理による配向、前記
被膜を備えた前記基材表面から液体を所定の方向に液切
りする処理による配向、偏光照射処理による配向、およ
び、前記重合時の分子のゆらぎによる配向から選ばれる
少なくとも一つにより実現される請求項3に記載の導電
性有機薄膜の製造方法。
4. The orientation is an orientation by rubbing treatment, an orientation by a treatment of draining a liquid in a predetermined direction from the surface of the substrate having the coating film, an orientation by a polarized light irradiation treatment, and a molecule at the time of polymerization. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 3, which is realized by at least one selected from orientations due to fluctuations.
【請求項5】 前記被膜が、単分子膜または単分子累積
膜である請求項1〜4のいずれかに記載の導電性有機薄
膜の製造方法。
5. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, wherein the coating film is a monomolecular film or a monomolecular cumulative film.
【請求項6】 前記共役結合可能基が、ピロリル基、チ
ェニル基、エチニレン基(−C≡C−)およびジアセチ
レン基(−C≡C−C≡C−)から選ばれる少なくとも
一つの基を含む請求項1〜5のいずれかに記載の導電性
有機薄膜の製造方法。
6. The group capable of conjugate bonding is at least one group selected from a pyrrolyl group, a cenyl group, an ethynylene group (—C≡C—) and a diacetylene group (—C≡C—C≡C—). The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, which comprises.
【請求項7】 前記末端結合可能基が、ハロゲン化シリ
ル基、アルコキシシリル基またはイソシアネートシリル
基であり、前記末端結合可能基と前記基材表面の活性水
素との反応が、脱ハロゲン化水素反応、脱アルコール反
応または脱イソシアネート反応である請求項1〜6のい
ずれかに記載の導電性有機薄膜の製造方法。
7. The terminal bondable group is a halogenated silyl group, an alkoxysilyl group or an isocyanate silyl group, and the reaction between the terminal bondable group and active hydrogen on the surface of the substrate is a dehydrohalogenation reaction. The method for producing a conductive organic thin film according to any one of claims 1 to 6, wherein the method is a dealcoholization reaction or a deisocyanation reaction.
【請求項8】 前記末端結合可能基と前記基材表面の活
性水素との反応により形成される共有結合が、シロキサ
ン結合(−SiO−)および−SiN−結合から選ばれ
る少なくとも一つの結合である請求項1〜7のいずれか
に記載の導電性有機薄膜の製造方法。
8. The covalent bond formed by the reaction between the end-bondable group and active hydrogen on the surface of the substrate is at least one bond selected from a siloxane bond (—SiO—) and a —SiN— bond. A method for producing a conductive organic thin film according to claim 1.
【請求項9】 前記有機分子が、前記末端結合可能基と
前記共役結合可能基との間に、活性水素を含まない有極
性官能基を含む請求項1〜8のいずれかに記載の導電性
有機薄膜の製造方法。
9. The conductive material according to claim 1, wherein the organic molecule contains a polar functional group containing no active hydrogen between the terminal bondable group and the conjugated bondable group. Method for manufacturing organic thin film.
【請求項10】 前記有極性官能基が、エステル基(−
COO−)、オキシカルボニル基(−OCO−)、カル
ボニル基(−CO−)およびカーボネイト(−OCOO
−)基から選ばれる少なくとも一つの基である請求項9
に記載の導電性有機薄膜の製造方法。
10. The polar functional group is an ester group (-
COO-), an oxycarbonyl group (-OCO-), a carbonyl group (-CO-) and a carbonate (-OCOO).
-) At least one group selected from the group
A method for producing a conductive organic thin film as described in 1.
【請求項11】 前記有機分子が、前記末端結合可能基
と前記共役結合可能基との間に光応答性官能基を含む請
求項1〜8のいずれかに記載の導電性有機薄膜の製造方
法。
11. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, wherein the organic molecule contains a photoresponsive functional group between the terminal bondable group and the conjugate bondable group. .
【請求項12】 前記光応答性官能基がアゾ基(−N=
N−)である請求項11に記載の導電性有機薄膜の製造
方法。
12. The photoresponsive functional group is an azo group (—N =
N-), The method for producing a conductive organic thin film according to claim 11.
【請求項13】 前記有機分子が、下記化学式(1)ま
たは(2)で示される請求項1〜12のいずれかに記載
の導電性有機薄膜の製造方法。 【化1】 (但し、Xは水素、エステル基を含む有機基または不飽
和基を含む有機基、qは0〜10の整数、Zはエステル
基(−COO−)、オキシカルボニル基(−OCO
−)、カルボニル基(−CO−)またはカーボネイト
(−OCOO−)基、Dはハロゲン、イソシアネート基
または炭素数1〜3のアルコキシル基、Eは水素または
炭素数1〜3のアルキル基、mおよびnは2≦(m+
n)≦25を満たす整数、pは1〜3の整数である。)
13. The method for producing a conductive organic thin film according to claim 1, wherein the organic molecule is represented by the following chemical formula (1) or (2). [Chemical 1] (However, X is hydrogen, an organic group containing an ester group or an organic group containing an unsaturated group, q is an integer of 0 to 10, Z is an ester group (-COO-), an oxycarbonyl group (-OCO).
-), A carbonyl group (-CO-) or a carbonate (-OCOO-) group, D is a halogen, an isocyanate group or an alkoxyl group having 1 to 3 carbon atoms, E is hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, m and n is 2 ≦ (m +
n) an integer satisfying ≦ 25, and p is an integer of 1 to 3. )
JP2002031479A 2002-02-07 2002-02-07 Method for producing conductive organic thin film Withdrawn JP2003234021A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002031479A JP2003234021A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Method for producing conductive organic thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002031479A JP2003234021A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Method for producing conductive organic thin film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003234021A true JP2003234021A (en) 2003-08-22

Family

ID=27774876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002031479A Withdrawn JP2003234021A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Method for producing conductive organic thin film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003234021A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100505169C (en) * 2006-01-26 2009-06-24 财团法人工业技术研究院 Dielectric layer and composition and method for forming the same
CN104073853A (en) * 2014-06-30 2014-10-01 上海交通大学 Electro-deposition preparation of silicon-oxygen-carbon complex porous electrode for cathode of lithium ion battery
WO2020014412A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Elevance Renewable Sciences, Inc Organosilane compounds and methods of making and using the same
WO2021060092A1 (en) * 2019-09-24 2021-04-01 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and film forming apparatus

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100505169C (en) * 2006-01-26 2009-06-24 财团法人工业技术研究院 Dielectric layer and composition and method for forming the same
CN104073853A (en) * 2014-06-30 2014-10-01 上海交通大学 Electro-deposition preparation of silicon-oxygen-carbon complex porous electrode for cathode of lithium ion battery
WO2020014412A1 (en) * 2018-07-13 2020-01-16 Elevance Renewable Sciences, Inc Organosilane compounds and methods of making and using the same
JP2021532089A (en) * 2018-07-13 2021-11-25 ウィルマー トレーディング ピーティーイー リミテッド Organic silane compound and its manufacturing method and usage method
US11225494B2 (en) 2018-07-13 2022-01-18 Wilmar Trading Pte. Ltd. Organosilane compounds and methods of making and using the same
US12503478B2 (en) 2018-07-13 2025-12-23 Wilmar Trading Pte. Ltd. Organosilane compounds and methods of making and using the same
WO2021060092A1 (en) * 2019-09-24 2021-04-01 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and film forming apparatus
JP2021052064A (en) * 2019-09-24 2021-04-01 東京エレクトロン株式会社 Film formation method and film formation apparatus
JP7195239B2 (en) 2019-09-24 2022-12-23 東京エレクトロン株式会社 Film forming method and film forming apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7220468B2 (en) Conductive organic thin film, method for manufacturing the same, and electronic device, electric cable, electrode, pyrrolyl compound, and thienyl compound using the same
US7560731B2 (en) Organic electronic device and method for manufacturing the same
KR100544378B1 (en) Electroconductive organic thin film and its manufacturing method, the electrode and electric cable using the same
JP5061414B2 (en) Thin film transistor element
US20140225058A1 (en) Rectifying device, electronic circuit using the same, and method of manufacturing rectifying device
WO2005010995A1 (en) Electronic element, integrated circuit and process for fabricating the same
JP5988258B2 (en) Method for producing fine structure, method for producing composite
JP2002309013A (en) Conductive organic thin film and method for producing the same, electronic device, electric cable, electrode, pyrrolyl compound and chenyl compound using the same
JP2012174805A (en) Organic transistor, display device, and method of manufacturing organic transistor
US20260016439A1 (en) Cnt film using click reaction, cnt-based biosensor using same, and manufacturing method therefor
JP2003234021A (en) Method for producing conductive organic thin film
JP2003234029A (en) Method for producing conductive organic thin film
JP4264216B2 (en) 3-terminal organic electronic device
JP2003309307A (en) Organic electronic device and method of manufacturing the same
JP2003221258A (en) Conductive glass and method for producing the same
JP5540543B2 (en) Manufacturing method of organic transistor
JP2003231702A (en) Method for producing conductive organic thin film
JP2003223814A (en) Conductive organic thin film, method for producing the same, electrode and electric cable using the same
JP2003231738A (en) Conductive organic thin film and its production process
KR100817933B1 (en) Phenylethylsilane compound substituted with fluoroalkyleneoxy group and polymer polymerized
JP5340040B2 (en) Membrane containing conjugated polymer chain and method for producing the same
JP2006245559A (en) Field effect transistor and manufacturing method thereof
JP2004071984A (en) Electrode with conductive organic molecular thin film
JP2003231737A (en) Conductive organic thin film, method for producing the same, and 3-pyrrole compound used for the same
JP4906934B2 (en) Electronic element, electronic element array, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050510