JP2003231998A - めっき処理方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき処理工程において、被めっき物に設け
られた非貫通孔および小径貫通孔の内部に十分な厚みの
めっきを施すことが可能なめっき処理方法およびその装
置を提供する。 【解決手段】 被めっき物１をめっき処理かご２に挿
入、固定し、次にめっき液を充填しためっき槽３内に前
記処理かご２を浸漬させ、その後被めっき物１を固定し
た処理かご２に衝撃を与えるめっき処理方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき処理方法お
よびその装置、例えば、各種電子機器に使用されるプリ
ント配線板等のめっき処理方法およびその装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】被めっき物の一例として、各種電子機器
の組み立てに用いられるプリント配線板は、孔径が０．
３ｍｍ以上の貫通孔を有するものであったが、昨今では
携帯電話に代表されるように、小型・軽量・高密度化が
進み、貫通孔では孔径０．３ｍｍ以下、さらに開口径
０．１ｍｍ以下の非貫通孔を有するプリント配線板を使
用するようになった。

【０００３】これらのプリント配線板の製造方法におい
て、回路導体を形成するための処理工程には、被めっき
物を、桟を設けたかご等に入れての薬液処理が多くあ
る。ここで、めっき処理工程について説明する。

【０００４】まず、貫通孔および非貫通孔を設けた被め
っき物を挿入しためっき処理かごを、めっき液を充填し
ためっき槽に浸漬する。孔を有する被めっき物は、浸漬
時に被めっき物の孔内にめっき液が浸入されるが、図２
の（ａ）と（ｂ）の比較から明らかなように、被めっき
物１１の孔径が小さくなるほど孔１２内へ液が浸入しに
くくなり、孔１２内に気泡１３が滞留する。また図２
（ｃ）では孔１２が小さく、しかも非貫通孔なので、気
泡１３が滞留しやすい。この滞留した気泡１３を離脱す
るため、水平方向にめっきかごを揺動し、孔１２内の気
泡１３を離脱する。

【０００５】次に、めっき処理においては、図３に示す
ようにめっきする金属が被めっき物１１の表面に析出す
るとともに、化学反応による水素等の反応ガス１４が発
生する。この反応ガス１４は、被めっき物１１の引力に
よって、被めっき物１１に付着した状態となる。ここ
で、このめっき工程にて発生した反応ガス１４を被めっ
き物１１より速やかに離脱させなければ、反応ガス１４
がめっきによる金属の析出を妨げるため、めっき未着や
めっき厚不足を発生させる。特に、図３（ｂ）に示すよ
うに、（ａ）よりも孔１２の孔径が小さいものや、
（ｃ）のごとく非貫通孔の場合には、めっき液の流動が
悪くなる傾向がある。

【０００６】この反応ガス１４を被めっき物１１より離
脱させるために、特開昭６２−１５４７９７号公報、特
開昭６２−１５４７９８号公報に示すように、従来はめ
っき槽に振動発生器を併設して、前記振動発生器により
被めっき物に１．０〜１．８ｍｍの範囲の振幅にて振動
を与えることにより、前記反応ガス１４を離脱する方法
が採られていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】昨今では、被めっき物
１１であるプリント配線板は、先述のように非貫通孔お
よび孔径０．３ｍｍ以下の小径貫通孔を有するようにな
り、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、非貫通孔内およ
び孔径０．３ｍｍ以下の小径貫通孔内に関しては、めっ
き液の流動がさらに悪くなる。このため反応ガス１４は
被めっき物１１より離脱しにくくなる。よって前記従来
の振動による離脱方法では反応ガス１４の離脱に限界が
あり、十分に反応ガス１４を離脱することが困難となっ
た。特に非貫通孔は図２（ｃ）、図３（ｃ）に示すよう
に一方向にしか流動しないので、浸漬時に滞留した気泡
１３についても離脱が困難であり、孔内からの気泡１３
の離脱にも困難を極めていた。

【０００８】最終的に、浸入時の気泡１３または反応ガ
ス１４が離脱できずに孔内に滞留してめっきの妨げとな
るため、小径の貫通孔内部や非貫通孔内部に十分な厚み
のめっきを施すことができなくなるという問題点を有し
ていた。

【０００９】そこで本発明は、上記従来の問題点を解決
するものであり、被めっき物のめっき処理面に設けられ
た非貫通孔および小径貫通孔の内部に十分な厚みのめっ
きを施すことが可能なめっき処理方法およびその装置を
提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、被め
っき物をめっき処理かごに挿入、固定し、次にめっき液
を充填しためっき槽内にめっき処理かごを浸漬させ、そ
の後処理かごに衝撃を与えるめっき処理方法であり、め
っき処理かごに衝撃を与えることにより、被めっき物の
小径貫通孔や非貫通孔への衝撃が十分に伝達され、めっ
き処理時に発生した、被めっき物の特に小径貫通孔や非
貫通孔内に滞留している反応ガスを効率よく離脱させる
ことが可能になるという効果が得られる。

【００１１】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
衝撃を与える方向が鉛直方向である請求項１記載のめっ
き処理方法であり、鉛直方向の衝撃は、自由落下の衝撃
を利用することができるので、被めっき物に容易に衝撃
を与えることが可能になるという効果が得られる。

【００１２】本発明の請求項３に記載の発明は、衝撃
を、めっき処理かごを１０〜２０ｍｍの高さから落下さ
せることによって加える請求項１記載のめっき処理方法
であり、上記の衝撃を与えることにより、被めっき物の
特に小径貫通孔や非貫通孔内に滞留している反応ガス
を、より効率よく離脱させることが可能になるという効
果が得られる。

【００１３】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
めっき処理かごを水平方向に揺動しながら衝撃を与える
請求項１記載のめっき処理方法であり、揺動しながら衝
撃を与えることにより、被めっき物の特に小径貫通孔や
非貫通孔内に滞留している反応ガスを、より効率よく離
脱させることが可能になるという効果が得られる。

【００１４】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
被めっき物が孔径が０．３ｍｍ以下の貫通孔を有する請
求項１〜４のいずれか一つに記載のめっき処理方法であ
り、特に孔内に滞留した反応ガスの離脱が困難である小
径貫通孔部分に対して、効率よく離脱することが可能に
なるという効果が得られる。

【００１５】本発明の請求項６に記載の発明は、特に、
被めっき物が非貫通孔を有する請求項１〜４のいずれか
一つに記載のめっき処理方法であり、特に孔内に滞留し
た反応ガスの離脱が困難である非貫通孔部分に対して、
効率よく離脱することが可能になるという効果が得られ
る。

【００１６】本発明の請求項７に記載の発明は、特に、
被めっき物がプリント配線板である請求項１〜６のいず
れか一つに記載のめっき処理方法であり、プリント配線
板の貫通孔および非貫通孔に滞留している反応ガスを離
脱することにより、安定した厚みのめっきを形成し、電
気接続信頼性に優れたプリント配線板を生産することが
可能になるという効果が得られる。

【００１７】本発明の請求項８に記載の発明は、特に、
めっき液を充填しためっき槽と、被めっき物を挿入する
めっき処理かごと、被めっき物をめっき槽内に固定する
手段とを有し、前記めっき処理かごに衝撃を与える機構
を備えためっき処理装置であり、めっき処理かごに衝撃
を与える機能を有することにより、めっき処理にて発生
し、被めっき物に滞留した反応ガスを効率よく離脱する
ことが可能になるという効果が得られる。

【００１８】本発明の請求項９に記載の発明は、特に、
めっき処理かごに鉛直方向に衝撃を与える機構を備えた
請求項８記載のめっき処理装置であり、鉛直方向の衝撃
は、自由落下の衝撃を利用することができるので、めっ
き処理装置に鉛直方向に衝撃を与える機構を有すること
により、被めっき物に容易に衝撃を与えることが可能に
なるという効果が得られる。

【００１９】本発明の請求項１０に記載の発明は、めっ
き処理かごを鉛直方向に１０〜２０ｍｍの高さから落下
させて衝撃を与える機構を備えた請求項８記載のめっき
処理装置であり、めっき処理装置に上記の幅にて衝撃を
与えることにより、被めっき物の特に小径貫通孔や非貫
通孔内に滞留している反応ガスを、より効率よく離脱さ
せることが可能になるという効果が得られる。

【００２０】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下本発明の実
施の形態１を用いて、図面を参照しながら説明する。

【００２１】図１は、本発明の実施の形態１におけるめ
っき処理装置の斜視図である。

【００２２】まず、非貫通孔および孔径０．３ｍｍ以下
の小径貫通孔を有したプリント配線板等の被めっき物１
を処理かご２に挿入し、図１のようにめっき液を充填し
ためっき槽３内に前記処理かご２を浸漬しながらめっき
処理を行う。このとき、めっき槽３内に浸漬された処理
かご２には、被めっき物１を固定するための手段とし
て、例えば固定棒４を備え付け、固定棒４を用いて被め
っき物１を固定し、さらに処理かご２の上方には前記処
理かご２に衝撃を与える機構として、エアシリンダー５
を備え付けてある。この構成が、本実施の形態の特徴で
ある。

【００２３】めっき槽３内に浸漬された処理かご２は、
まずめっき槽３の外側に設けられたかご受け６上に接す
るように設置され、まず、浸漬時に被めっき物１の孔内
に滞留した気泡を離脱するために水平方向に揺動を行
う。ここで、揺動しながらめっき処理を行う間に、化学
反応によりめっきする金属の析出とともに水素等の反応
ガスが発生する。この反応ガスは被めっき物１の引力に
よって被めっき物１に付着している。ここで、反応ガス
を離脱するため、めっき槽３内の処理かご２は、エアシ
リンダー５によって、かご受け６より１０〜２０ｍｍの
高さにて上方へ一旦持ち上げられ、その後かご受け６上
へ鉛直方向に自由落下される。この自由落下によって、
処理かご２に挿入した被めっき物１に衝撃が与えられ
る。この動きは５〜１０秒のサイクルにて繰り返し行わ
れる。この衝撃時に、被めっき物１にかかる運動エネル
ギーの値は、エアシリンダー５によって持ち上げられた
高さ分の位置エネルギーが変換された値と同等であるた
め、上方へ持ち上げられる高さに比例する。

【００２４】本発明において上方へ持ち上げられる高さ
が１５ｍｍである場合、従来の振動の上下振幅は１．０
〜１．８ｍｍであるため、本発明の衝撃時にかかるエネ
ルギー量は従来の８〜１５倍であり、この衝撃によって
従来離脱することが困難であった被めっき物１の非貫通
孔や小径貫通孔内に滞留した反応ガスを効率よく離脱す
ることが可能となる。

【００２５】これによって、従来反応ガスの離脱が困難
であった被めっき物１の非貫通孔および小径貫通孔に滞
留した反応ガスが被めっき物１より離脱されるので、非
貫通孔や小径貫通孔にも十分な厚みのめっきを施すこと
が可能となる。

【００２６】なお、上下動する高さが１０ｍｍ未満の場
合、衝撃により発生するエネルギーが不十分であるため
に被めっき物１に十分な衝撃を与えることができず、２
０ｍｍ超の場合、処理かご２が上下動する１回あたりの
所要時間が増すために反応ガスを離脱する効率が悪くな
り、また、上下動する高さにあわせてめっき槽３および
めっき液の高さを高くしなければならないので、不適当
である。

【００２７】なお、本実施の形態では、被めっき物１を
固定する手段を、固定棒４を用いて固定する手段とした
が、めっき処理かご２の支柱にクリップ設置して、前記
クリップにより被めっき物１の周辺を固定する手段を用
いてもよい。

【００２８】以上のように、本実施の形態によれば、め
っき処理工程において、被めっき物１を処理かご２に固
定した状態で衝撃を与えることにより、被めっき物１の
非貫通孔および小径貫通孔に滞留している反応ガスを離
脱することができ、十分な厚みのめっきを施すことが可
能となるという効果を有する。

【００２９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、めっき処
理工程にてプリント配線板等の被めっき物をめっき液中
で固定した状態で衝撃を与えることにより、被めっき物
に付着した反応ガスを確実に離脱することができ、十分
な厚みのめっきを施すことが可能となるため、電気接続
信頼性に優れたプリント配線板等の製造を実現できると
いう効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるめっき処理装置の
斜視図

【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれめっき液浸漬直後の
被めっき物の断面図

【図３】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれめっき液中の被めっ
き物の断面図

【符号の説明】

１ 被めっき物 ２ 処理かご ３ めっき槽 ４ 固定棒 ５ エアシリンダー ６ かご受け

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被めっき物をめっき処理かごに挿入、固
   定し、次にめっき液を充填しためっき槽内に前記めっき
   処理かごを浸漬させ、その後処理かごに衝撃を与えるめ
   っき処理方法。
2. 【請求項２】 衝撃を与える方向が鉛直方向である請求
   項１記載のめっき処理方法。
3. 【請求項３】 衝撃はめっき処理かごを１０〜２０ｍｍ
   の高さから落下させることによって加える請求項１記載
   のめっき処理方法。
4. 【請求項４】 めっき処理かごを水平方向に揺動しなが
   ら衝撃を与える請求項１記載のめっき処理方法。
5. 【請求項５】 被めっき物が孔径が０．３ｍｍ以下の貫
   通孔を有する請求項１〜４のいずれか一つに記載のめっ
   き処理方法。
6. 【請求項６】 被めっき物が非貫通孔を有する請求項１
   〜４のいずれか一つに記載のめっき処理方法。
7. 【請求項７】 被めっき物がプリント配線板である請求
   項１〜６のいずれか一つに記載のめっき処理方法。
8. 【請求項８】 めっき液を充填しためっき槽と、被めっ
   き物を挿入するめっき処理かごと、被めっき物をめっき
   槽内に固定する手段とを有し、前記めっき処理かごに衝
   撃を与える機構を備えためっき処理装置。
9. 【請求項９】 めっき処理かごに鉛直方向に衝撃を与え
   る機構を備えた請求項８記載のめっき処理装置。
10. 【請求項１０】 めっき処理かごを鉛直方向に１０〜２
    ０ｍｍの高さから落下させて衝撃を与える機構を備えた
    請求項８記載のめっき処理装置。