JP2003209088A - エアロゾル洗浄方法及び装置 - Google Patents
エアロゾル洗浄方法及び装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被洗浄物の微細パターンにダメージを与える
ことなく、洗浄力を向上する。 【解決手段】 エアロゾル22を被洗浄物(10)に吹
付けて洗浄する際に、エアロゾル22を加速ガス26に
より加速して、所定速度以上でウェハ10に衝突させる
ことにより、ウェハ10の表面に局所的に超臨界状態又
は擬似超臨界状態を生成させて、洗浄力を高める。
ことなく、洗浄力を向上する。 【解決手段】 エアロゾル22を被洗浄物(10)に吹
付けて洗浄する際に、エアロゾル22を加速ガス26に
より加速して、所定速度以上でウェハ10に衝突させる
ことにより、ウェハ10の表面に局所的に超臨界状態又
は擬似超臨界状態を生成させて、洗浄力を高める。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エアロゾル洗浄方
法及び装置に係り、特に、半導体用ウェハのような基板
の表面を洗浄する際に用いるのに好適な、被洗浄物の微
細パターンへダメージを与えることなく洗浄することが
可能なエアロゾル洗浄方法及び装置に関する。
法及び装置に係り、特に、半導体用ウェハのような基板
の表面を洗浄する際に用いるのに好適な、被洗浄物の微
細パターンへダメージを与えることなく洗浄することが
可能なエアロゾル洗浄方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI等の半導体製造工程における半導
体用ウェハの表面上や、液晶(LCD)あるいは太陽電
池等の表面上の微粒子(パーティクル)や汚れは、最終
製品の歩留りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の
表面洗浄が極めて重要である。特に半導体製造工程での
ウェハ洗浄は、素子微細化による高集積化が加速してお
り、全体工程数に占める洗浄工程が約3割と言われるよ
うに、製造歩留りを維持するための重要な製造工程とな
っている。
体用ウェハの表面上や、液晶(LCD)あるいは太陽電
池等の表面上の微粒子(パーティクル)や汚れは、最終
製品の歩留りを大きく低下させるため、前記ウェハ等の
表面洗浄が極めて重要である。特に半導体製造工程での
ウェハ洗浄は、素子微細化による高集積化が加速してお
り、全体工程数に占める洗浄工程が約3割と言われるよ
うに、製造歩留りを維持するための重要な製造工程とな
っている。
【0003】洗浄装置としては、純水を使用するウェッ
ト洗浄が主流であり、ウェットバス型のバッチ洗浄から
ブラシ洗浄、ジェットスピン洗浄、超音波洗浄等の枚葉
洗浄装置が多用されている。
ト洗浄が主流であり、ウェットバス型のバッチ洗浄から
ブラシ洗浄、ジェットスピン洗浄、超音波洗浄等の枚葉
洗浄装置が多用されている。
【0004】又、近年は、ウェット洗浄に代わる洗浄方
式として、レーザ光、UV光、各種プラズマを利用した
反応形成生物の洗浄除去装置や、炭酸ガス(CO2)又
はアルゴンガスを使用するドライ又はエアロゾル洗浄方
式、更には、CO2超臨界洗浄等のように、洗浄容器内
を洗浄ガス(又は液)の臨界圧力雰囲気とした高圧超臨
界洗浄装置が開発されており(例えば特開平8−574
37や特開平10−209101)、半導体デバイス工
程に応じて、様々な使い分けが始まっている。
式として、レーザ光、UV光、各種プラズマを利用した
反応形成生物の洗浄除去装置や、炭酸ガス(CO2)又
はアルゴンガスを使用するドライ又はエアロゾル洗浄方
式、更には、CO2超臨界洗浄等のように、洗浄容器内
を洗浄ガス(又は液)の臨界圧力雰囲気とした高圧超臨
界洗浄装置が開発されており(例えば特開平8−574
37や特開平10−209101)、半導体デバイス工
程に応じて、様々な使い分けが始まっている。
【0005】このうち、従来のエアロゾル吹付けによる
洗浄では、図1に示す如く、エアロゾル22をエアロゾ
ル生成ノズル(以下、単にエアロゾルノズルと称する)
20のノズル孔20Aから噴出し、噴出されたエアロゾ
ル22を、ウェハ10等の被洗浄物に吹付けて洗浄する
方式を採っているが、エアロゾル吹付けのみの洗浄で
は、強固に付着するパーティクル等への適用では、物理
的な吹付力が不足するため、洗浄性能を向上させる方法
として、エアロゾルノズル20とは別に設けたエアロゾ
ル加速用の加速ノズル24を採用している(特開平6−
252114、特開平6−295895、特開平8−2
98252)。そして、この加速ノズル24のノズル孔
24Aから吹き出した高速の加速ガス(例えば窒素ガ
ス)26をエアロゾル22に吹付け、エアロゾル22を
加速させることで、被洗浄物であるウェハ面に強固に付
着するパーティクル等の汚染物に対して除去性能を大幅
に向上している。
洗浄では、図1に示す如く、エアロゾル22をエアロゾ
ル生成ノズル(以下、単にエアロゾルノズルと称する)
20のノズル孔20Aから噴出し、噴出されたエアロゾ
ル22を、ウェハ10等の被洗浄物に吹付けて洗浄する
方式を採っているが、エアロゾル吹付けのみの洗浄で
は、強固に付着するパーティクル等への適用では、物理
的な吹付力が不足するため、洗浄性能を向上させる方法
として、エアロゾルノズル20とは別に設けたエアロゾ
ル加速用の加速ノズル24を採用している(特開平6−
252114、特開平6−295895、特開平8−2
98252)。そして、この加速ノズル24のノズル孔
24Aから吹き出した高速の加速ガス(例えば窒素ガ
ス)26をエアロゾル22に吹付け、エアロゾル22を
加速させることで、被洗浄物であるウェハ面に強固に付
着するパーティクル等の汚染物に対して除去性能を大幅
に向上している。
【0006】又、特開平8−57437や特開平10−
209101で提案された超臨界洗浄方式では、洗浄す
る対象物を、図2に示す臨界温度Tcや臨界圧力Pcで
特徴付けられる臨界点以上で、液体と気体の区別ができ
ない超臨界状態にした洗浄流体(例えばCO2等)の中
に浸し、被洗浄物表面に付着する汚染物を剥離抽出し、
その後、洗浄流体を自由表面を作らせずに臨界未満状態
の気体に転移させ、蒸発させて洗浄している。
209101で提案された超臨界洗浄方式では、洗浄す
る対象物を、図2に示す臨界温度Tcや臨界圧力Pcで
特徴付けられる臨界点以上で、液体と気体の区別ができ
ない超臨界状態にした洗浄流体(例えばCO2等)の中
に浸し、被洗浄物表面に付着する汚染物を剥離抽出し、
その後、洗浄流体を自由表面を作らせずに臨界未満状態
の気体に転移させ、蒸発させて洗浄している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェッ
ト洗浄においては、純水の使用量、薬品(無機、有機)
の使用量と、その排水処理、微細パターンの薬品による
オーバーエッチングによる形状変形、新材料に対応する
薬品の開発、多様な薬品への対応等の問題や微細パター
ンへのダメージの問題がある。
ト洗浄においては、純水の使用量、薬品(無機、有機)
の使用量と、その排水処理、微細パターンの薬品による
オーバーエッチングによる形状変形、新材料に対応する
薬品の開発、多様な薬品への対応等の問題や微細パター
ンへのダメージの問題がある。
【0008】又、炭酸ガスやアルゴン洗浄等のドライ洗
浄やエアロゾル洗浄においても、図3(A)に示す如
く、ウェハ10のパターン10A内に入ったエアロゾル
22が瞬間的に蒸発する際に、図3(B)に示す如く、
パターン10Aが表面張力で内側に倒れて、微細パター
ンへダメージを与えるという問題点を有する。
浄やエアロゾル洗浄においても、図3(A)に示す如
く、ウェハ10のパターン10A内に入ったエアロゾル
22が瞬間的に蒸発する際に、図3(B)に示す如く、
パターン10Aが表面張力で内側に倒れて、微細パター
ンへダメージを与えるという問題点を有する。
【0009】一方、超臨界洗浄によれば、粘度が小さく
汚れが溶け込んだ超臨界流体28が、図4に示す如く、
自由表面である気液界面を生ずることなく、液体のまま
単純に密度が減ってパターン間から抜けていくため、表
面張力によるパターン崩壊がないという利点があるが、
従来の超臨界流体洗浄においては、洗浄容器内を臨界圧
力雰囲気とするための高圧容器が必要であり、装置が大
掛かりになるだけでなく、洗浄容器内を加圧するために
工程が多くなり、更に、高圧容器への被洗浄物であるウ
ェハ受け渡し等のハンドリングが困難である等の問題点
を有していた。
汚れが溶け込んだ超臨界流体28が、図4に示す如く、
自由表面である気液界面を生ずることなく、液体のまま
単純に密度が減ってパターン間から抜けていくため、表
面張力によるパターン崩壊がないという利点があるが、
従来の超臨界流体洗浄においては、洗浄容器内を臨界圧
力雰囲気とするための高圧容器が必要であり、装置が大
掛かりになるだけでなく、洗浄容器内を加圧するために
工程が多くなり、更に、高圧容器への被洗浄物であるウ
ェハ受け渡し等のハンドリングが困難である等の問題点
を有していた。
【0010】特に、今後パターンの微細化が加速する半
導体デバイス製作工程において、パターンにダメージを
与えない洗浄方式を確立することは非常に重要な課題と
なっている。
導体デバイス製作工程において、パターンにダメージを
与えない洗浄方式を確立することは非常に重要な課題と
なっている。
【0011】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、簡単な構成で超臨界状態を作り出し
て、被洗浄物の微細パターンへダメージを与えることな
く洗浄することが可能なエアロゾル洗浄を実現すること
を課題とする。
くなされたもので、簡単な構成で超臨界状態を作り出し
て、被洗浄物の微細パターンへダメージを与えることな
く洗浄することが可能なエアロゾル洗浄を実現すること
を課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、エアロゾルを
被洗浄物に吹付けて洗浄するためのエアロゾル洗浄方法
において、前記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に
衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界
状態又は擬似超臨界状態を生成させ、洗浄力を高めるよ
うにして、前記課題を解決したものである。
被洗浄物に吹付けて洗浄するためのエアロゾル洗浄方法
において、前記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に
衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界
状態又は擬似超臨界状態を生成させ、洗浄力を高めるよ
うにして、前記課題を解決したものである。
【0013】又、前記エアロゾルを、加速ガスにより加
速して、前記所定速度以上とするようにしたものであ
る。
速して、前記所定速度以上とするようにしたものであ
る。
【0014】又、前記エアロゾルがヘリウム(He)か
らなる場合に、前記所定速度を50m/s以上としたも
のである。
らなる場合に、前記所定速度を50m/s以上としたも
のである。
【0015】あるいは、前記エアロゾルがネオン(N
e)からなる場合に、前記所定速度を100m/s以上
としたものである。
e)からなる場合に、前記所定速度を100m/s以上
としたものである。
【0016】あるいは、前記エアロゾルが窒素(N2)
からなる場合に、前記所定速度を150m/s以上とし
たものである。
からなる場合に、前記所定速度を150m/s以上とし
たものである。
【0017】又、前記エアロゾルがアルゴン(Ar)か
らなる場合に、前記所定速度を350m/s以上とした
ものである。
らなる場合に、前記所定速度を350m/s以上とした
ものである。
【0018】又、前記エアロゾルが酸素(O2)又は炭
酸ガス(CO2)からなる場合に、前記所定速度を45
0m/s以上としたものである。
酸ガス(CO2)からなる場合に、前記所定速度を45
0m/s以上としたものである。
【0019】又、前記エアロゾルが亜酸化窒素(N
2O)からなる場合に、前記所定速度を500m/s以
上としたものである。
2O)からなる場合に、前記所定速度を500m/s以
上としたものである。
【0020】又、前記エアロゾルが水蒸気(H2O)か
らなる場合に、前記所定速度を950m/s以上とした
ものである。
らなる場合に、前記所定速度を950m/s以上とした
ものである。
【0021】本発明は、又、エアロゾルを被洗浄物に吹
付けて洗浄するためのエアロゾル洗浄装置において、前
記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に衝突させるこ
とにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させる手段を備えることにより、前記
課題を解決したものである。
付けて洗浄するためのエアロゾル洗浄装置において、前
記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に衝突させるこ
とにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させる手段を備えることにより、前記
課題を解決したものである。
【0022】又、同様のエアロゾル洗浄装置において、
前記エアロゾルを噴射する手段と、噴射されたエアロゾ
ルを加速して、所定速度以上で被洗浄物に衝突させるこ
とにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させるための加速ガスを噴射する手段
とを備えることにより、同じく前記課題を解決したもの
である。
前記エアロゾルを噴射する手段と、噴射されたエアロゾ
ルを加速して、所定速度以上で被洗浄物に衝突させるこ
とにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させるための加速ガスを噴射する手段
とを備えることにより、同じく前記課題を解決したもの
である。
【0023】図1に示したように、加速ノズル24から
吹き出した高速の加速ガス26をエアロゾル22に吹付
け、エアロゾルを加速させることで、被洗浄物(10)
の表面に強固に付着するパーティクル等、汚染物に対し
て大幅な除去性能を向上することができた。この加速ノ
ズル採用によるエアロゾル洗浄方式についての洗浄メカ
ニズムの解明と、加速ノズルから吹き出す加速ガスの制
御特性について、発明者等は、分子動力学を用いた解析
と、装置実験によりエアロゾルを衝突させる被洗浄物の
表面に局所的に超臨界状態を形成し、エアロゾルの衝突
による物理力を用いたエアロゾル吹付け洗浄方式に、超
臨界洗浄を付加することができることを見出した。
吹き出した高速の加速ガス26をエアロゾル22に吹付
け、エアロゾルを加速させることで、被洗浄物(10)
の表面に強固に付着するパーティクル等、汚染物に対し
て大幅な除去性能を向上することができた。この加速ノ
ズル採用によるエアロゾル洗浄方式についての洗浄メカ
ニズムの解明と、加速ノズルから吹き出す加速ガスの制
御特性について、発明者等は、分子動力学を用いた解析
と、装置実験によりエアロゾルを衝突させる被洗浄物の
表面に局所的に超臨界状態を形成し、エアロゾルの衝突
による物理力を用いたエアロゾル吹付け洗浄方式に、超
臨界洗浄を付加することができることを見出した。
【0024】一般に、超臨界流体を得るためには、物質
を図2に示した臨界圧力Pc、臨界温度Tc以上に保つ
必要がある。従来は、高圧容器中で圧力と温度を上昇さ
せて、超臨界状態としていたが、本発明では、高速に液
滴を被洗浄物へ衝突させることで、超臨界状態又は擬似
超臨界状態を得ている。Arにおける各衝突速度Vにお
ける相変化の経路Rの変化状態を図5(A)〜(E)に
示す。図から明らかなように、衝突速度がある値(Ar
では350m/s)以上になると、液滴が被洗浄物表面
に衝突する表面上の局所空間において、液滴が超臨界状
態又は擬似超臨界状態となり、不安定で自由界面を作る
相変化曲線の谷Bが無くなって、強力な洗浄性能が得ら
れることが、分子動力学法により確認できた。各種材料
と超臨界に到る最低衝突速度である臨界速度の関係の例
を図6(A)〜(D)に示す。本発明は、このような知
見に基づいてなされたものである。
を図2に示した臨界圧力Pc、臨界温度Tc以上に保つ
必要がある。従来は、高圧容器中で圧力と温度を上昇さ
せて、超臨界状態としていたが、本発明では、高速に液
滴を被洗浄物へ衝突させることで、超臨界状態又は擬似
超臨界状態を得ている。Arにおける各衝突速度Vにお
ける相変化の経路Rの変化状態を図5(A)〜(E)に
示す。図から明らかなように、衝突速度がある値(Ar
では350m/s)以上になると、液滴が被洗浄物表面
に衝突する表面上の局所空間において、液滴が超臨界状
態又は擬似超臨界状態となり、不安定で自由界面を作る
相変化曲線の谷Bが無くなって、強力な洗浄性能が得ら
れることが、分子動力学法により確認できた。各種材料
と超臨界に到る最低衝突速度である臨界速度の関係の例
を図6(A)〜(D)に示す。本発明は、このような知
見に基づいてなされたものである。
【0025】このようにして、エアロゾルを、必要に応
じて加速ガスにより加速して、所定の臨界速度以上で被
洗浄物に衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的
な超臨界状態又は擬似超臨界状態を作り出し、エアロゾ
ル洗浄方式の元来の衝撃力等、物理力を利用した洗浄
に、超臨界洗浄方式を付加することで、被洗浄物の微細
パターンへのダメージを起こすことなく、洗浄力を高め
ることができる。
じて加速ガスにより加速して、所定の臨界速度以上で被
洗浄物に衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的
な超臨界状態又は擬似超臨界状態を作り出し、エアロゾ
ル洗浄方式の元来の衝撃力等、物理力を利用した洗浄
に、超臨界洗浄方式を付加することで、被洗浄物の微細
パターンへのダメージを起こすことなく、洗浄力を高め
ることができる。
【0026】単純に液体を吹付けると、粘度が高いため
拡散できない。又、気体を吹付けた場合、密度が低く、
洗浄能力が発揮されない。これに対して、本発明のよう
に、被洗浄物へ衝突させて超臨界状態又は擬似超臨界状
態の液滴を形成することで、高密度で被洗浄物上を拡散
させることが可能となり、又、衝突時のエネルギが、液
相から気相への相転移に必要な潜熱に用いられないた
め、運動エネルギの大部分が汚れを弾き飛ばす仕事に変
換され、洗浄性能にそのまま寄与することができる。
拡散できない。又、気体を吹付けた場合、密度が低く、
洗浄能力が発揮されない。これに対して、本発明のよう
に、被洗浄物へ衝突させて超臨界状態又は擬似超臨界状
態の液滴を形成することで、高密度で被洗浄物上を拡散
させることが可能となり、又、衝突時のエネルギが、液
相から気相への相転移に必要な潜熱に用いられないた
め、運動エネルギの大部分が汚れを弾き飛ばす仕事に変
換され、洗浄性能にそのまま寄与することができる。
【0027】又、この局所超臨界洗浄方式は、従来の超
臨界洗浄で用いられている高圧容器に浸す方法と異な
り、ウェハ等被洗浄物のハンドリングも容易である。
臨界洗浄で用いられている高圧容器に浸す方法と異な
り、ウェハ等被洗浄物のハンドリングも容易である。
【0028】このエアロゾル洗浄方式による局所超臨界
状態の形成は、エアロゾルの被洗浄物への衝突速度を制
御することによって可能であり、その衝突速度は、洗浄
媒体として用いるAr、N2その他の物質の物性によっ
て異なる。
状態の形成は、エアロゾルの被洗浄物への衝突速度を制
御することによって可能であり、その衝突速度は、洗浄
媒体として用いるAr、N2その他の物質の物性によっ
て異なる。
【0029】エアロゾル吹き付けの洗浄方式において、
局所超臨界洗浄が可能な物質であるHe、Ne、N2、
Ar、O2、CO2、H2Oについて、局所超臨界状態が
形成されるエアロゾルの被洗浄物への衝突速度(臨界速
度)を表1に示す。
局所超臨界洗浄が可能な物質であるHe、Ne、N2、
Ar、O2、CO2、H2Oについて、局所超臨界状態が
形成されるエアロゾルの被洗浄物への衝突速度(臨界速
度)を表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】この臨界速度以上において、局所的な超臨
界状態又は擬似超臨界状態での洗浄が出来る。各種材料
に対する臨界圧力と臨界速度の関係の例を図7に示す。
また、その他にも、Kr、SF6、Xe、H2などが考え
られる。
界状態又は擬似超臨界状態での洗浄が出来る。各種材料
に対する臨界圧力と臨界速度の関係の例を図7に示す。
また、その他にも、Kr、SF6、Xe、H2などが考え
られる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【0033】本実施形態は、図8に示す如く、エアロゾ
ル22を被洗浄物であるウェハ10に吹付けて洗浄する
ためのエアロゾル洗浄装置において、前記エアロゾル2
2を噴射して生成するためのエアロゾルノズル20と、
該エアロゾルノズル20から噴射されたエアロゾル22
を加速して、前記臨界速度以上でウェハ10に衝突させ
ることにより、ウェハ表面に局所的に超臨界状態又は擬
似超臨界状態を生成させるための加速ガス26を噴射す
る加速ノズル24を備えたものである。
ル22を被洗浄物であるウェハ10に吹付けて洗浄する
ためのエアロゾル洗浄装置において、前記エアロゾル2
2を噴射して生成するためのエアロゾルノズル20と、
該エアロゾルノズル20から噴射されたエアロゾル22
を加速して、前記臨界速度以上でウェハ10に衝突させ
ることにより、ウェハ表面に局所的に超臨界状態又は擬
似超臨界状態を生成させるための加速ガス26を噴射す
る加速ノズル24を備えたものである。
【0034】本実施形態において、マスフローコントロ
ーラ30、32によりその流量を制御されたアルゴン
(Ar)ガスと窒素(N2)ガスは、例えばセラミック
フィルタ34を通過した後、例えばヘリウム(He)ク
ライオ冷凍機36を用いた熱交換器38内で冷却されて
から、エアロゾルノズル20に開けられた多数の微細な
ノズル孔20Aより、エアロゾル22となって、真空ポ
ンプ40で真空引きされているウェハ洗浄用の洗浄室4
2内に噴出する。
ーラ30、32によりその流量を制御されたアルゴン
(Ar)ガスと窒素(N2)ガスは、例えばセラミック
フィルタ34を通過した後、例えばヘリウム(He)ク
ライオ冷凍機36を用いた熱交換器38内で冷却されて
から、エアロゾルノズル20に開けられた多数の微細な
ノズル孔20Aより、エアロゾル22となって、真空ポ
ンプ40で真空引きされているウェハ洗浄用の洗浄室4
2内に噴出する。
【0035】ウェハ10は、ウェハスキャン機構44に
よりX軸方向及びY軸方向にスキャンされるプロセスハ
ンド(XYスキャンステージとも称する)46上に載っ
ており、ウェハ全面が洗浄管となっている。
よりX軸方向及びY軸方向にスキャンされるプロセスハ
ンド(XYスキャンステージとも称する)46上に載っ
ており、ウェハ全面が洗浄管となっている。
【0036】ガスの同伴によってエアロゾル22の速度
を向上させてウェハ表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させるための加速ノズル24が設けら
れており、マスフローコントローラ52及びセラミック
フィルタ54を介して該加速ノズル24に供給され、そ
のノズル孔24Aから吹き出す加速ガス(例えば窒素ガ
ス)26が、図1に示した如く、前記エアロゾルノズル
20から噴出されたエアロゾル22を加速する。
を向上させてウェハ表面に局所的に超臨界状態又は擬似
超臨界状態を生成させるための加速ノズル24が設けら
れており、マスフローコントローラ52及びセラミック
フィルタ54を介して該加速ノズル24に供給され、そ
のノズル孔24Aから吹き出す加速ガス(例えば窒素ガ
ス)26が、図1に示した如く、前記エアロゾルノズル
20から噴出されたエアロゾル22を加速する。
【0037】又、パーティクルのウェハ面への再付着を
防止する目的で、洗浄室42の一端(図の左端)から、
マスフローコントローラ62及びセラミックフィルタ6
4を介して流入されるパージガス(例えば窒素ガス)6
6を洗浄室42内に供給するようにされている。
防止する目的で、洗浄室42の一端(図の左端)から、
マスフローコントローラ62及びセラミックフィルタ6
4を介して流入されるパージガス(例えば窒素ガス)6
6を洗浄室42内に供給するようにされている。
【0038】このようにして、エアロゾルノズル20か
ら噴出されたエアロゾル22を、加速ノズル24から噴
出される加速ガス26で臨界速度以上に加速してウェハ
10の表面に衝突させることにより、ウェハ10表面に
局所的に超臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させて、
ウェハ表面の微細パターンにダメージを与えることな
く、洗浄力を高めることができる。
ら噴出されたエアロゾル22を、加速ノズル24から噴
出される加速ガス26で臨界速度以上に加速してウェハ
10の表面に衝突させることにより、ウェハ10表面に
局所的に超臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させて、
ウェハ表面の微細パターンにダメージを与えることな
く、洗浄力を高めることができる。
【0039】本実施形態においては、加速ノズル24を
設けて加速ガス26を噴射しているので、エアロゾル2
2のウェハ10への衝突速度の制御が容易である。な
お、加速ノズル24を設けることなく、エアロゾルノズ
ル20から噴出されるエアロゾル22の速度自体を臨界
速度以上に高めることにより、ウェハ表面に局所的に超
臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させることも可能で
ある。
設けて加速ガス26を噴射しているので、エアロゾル2
2のウェハ10への衝突速度の制御が容易である。な
お、加速ノズル24を設けることなく、エアロゾルノズ
ル20から噴出されるエアロゾル22の速度自体を臨界
速度以上に高めることにより、ウェハ表面に局所的に超
臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させることも可能で
ある。
【0040】又、洗浄流体の種類もArに限定されず、
Ne、N2、O2又はCO2、N2O、H2O等、他の洗浄
流体を用いることも可能である。又、その他にもKr、
SF6、Xe、H2等を用いることも可能である。
Ne、N2、O2又はCO2、N2O、H2O等、他の洗浄
流体を用いることも可能である。又、その他にもKr、
SF6、Xe、H2等を用いることも可能である。
【0041】又、前記実施形態においては、本発明が、
半導体用ウェハの洗浄装置に適用されていたが、本発明
の適用対象は、これに限定されず、半導体用マスク、フ
ラットパネル用基板、磁気ディスク基板、フライングヘ
ッド用基板等の洗浄装置にも同様に適用できることは明
らかである。
半導体用ウェハの洗浄装置に適用されていたが、本発明
の適用対象は、これに限定されず、半導体用マスク、フ
ラットパネル用基板、磁気ディスク基板、フライングヘ
ッド用基板等の洗浄装置にも同様に適用できることは明
らかである。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、エアロゾル洗浄と超臨
界洗浄を組み合わせることで、被洗浄物表面の微細パタ
ーン等にダメージを与えることなく、洗浄力を高めるこ
とが可能となる。
界洗浄を組み合わせることで、被洗浄物表面の微細パタ
ーン等にダメージを与えることなく、洗浄力を高めるこ
とが可能となる。
【図1】従来のエアロゾル洗浄の一例の構成を示す断面
図
図
【図2】超臨界状態を示す相図
【図3】従来のドライ洗浄の問題点を説明するための断
面図
面図
【図4】超臨界洗浄における相変化の様子を示す断面図
【図5】本発明の原理を説明するための、アルゴンの相
図と各衝突速度における経路を示す線図
図と各衝突速度における経路を示す線図
【図6】同じく各物質の相図を示す線図
【図7】同じく各種洗浄流体に対する臨界圧力と臨界速
度の関係の例を示す線図
度の関係の例を示す線図
【図8】本発明に係るエアロゾル洗浄装置の実施形態の
全体構成を示す管路図
全体構成を示す管路図
10…ウェハ(被洗浄物)
10A…パターン
20…エアロゾル(生成)ノズル
22…エアロゾル
24…加速ノズル
26…加速ガス
42…洗浄室
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 3B201 AA03 AB37 AB42 BB88 BB90
BB92
4H003 BA20 DA15 DC01 EA31 ED32
FA17
Claims (11)
- 【請求項1】エアロゾルを被洗浄物に吹付けて洗浄する
ためのエアロゾル洗浄方法において、 前記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に衝突させる
ことにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬
似超臨界状態を生成させて、洗浄力を高めることを特徴
とするエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項2】前記エアロゾルを、加速ガスにより加速し
て、前記所定速度以上とすることを特徴とする請求項1
に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項3】前記エアロゾルがHeからなる場合に、前
記所定速度を50m/s以上とすることを特徴とする請
求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項4】前記エアロゾルがNeからなる場合に、前
記所定速度を100m/s以上とすることを特徴とする
請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項5】前記エアロゾルがN2からなる場合に、前
記所定速度を150m/s以上とすることを特徴とする
請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項6】前記エアロゾルがArからなる場合に、前
記所定速度を350m/s以上とすることを特徴とする
請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項7】前記エアロゾルがO2又はCO2からなる場
合に、前記所定速度を450m/s以上とすることを特
徴とする請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項8】前記エアロゾルがN2Oからなる場合に、
前記所定速度を500m/s以上とすることを特徴とす
る請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項9】前記エアロゾルがH2Oからなる場合に、
前記所定速度を950m/s以上とすることを特徴とす
る請求項1又は2に記載のエアロゾル洗浄方法。 - 【請求項10】エアロゾルを被洗浄物に吹付けて洗浄す
るためのエアロゾル洗浄装置において、 前記エアロゾルを所定速度以上で被洗浄物に衝突させる
ことにより、被洗浄物表面に局所的に超臨界状態又は擬
似超臨界状態を生成させる手段を備えたことを特徴とす
るエアロゾル洗浄装置。 - 【請求項11】エアロゾルを被洗浄物に吹付けて洗浄す
るためのエアロゾル洗浄装置において、 前記エアロゾルを噴射する手段と、 噴射されたエアロゾルを加速して、所定速度以上で被洗
浄物に衝突させることにより、被洗浄物表面に局所的に
超臨界状態又は擬似超臨界状態を生成させるための加速
ガスを噴射する手段と、 を備えたことを特徴とするエアロゾル洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003889A JP2003209088A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | エアロゾル洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003889A JP2003209088A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | エアロゾル洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209088A true JP2003209088A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27643363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002003889A Pending JP2003209088A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | エアロゾル洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209088A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120031434A1 (en) * | 2009-03-12 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method |
| US8152862B2 (en) | 2010-08-06 | 2012-04-10 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and coloring methods |
| US8551257B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-10-08 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and cleaning methods |
| US9004172B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-04-14 | Empire Technology Development Llc | Systems, materials, and methods for recovering material from bedrock using supercritical argon compositions |
| TWI485012B (zh) * | 2012-12-26 | 2015-05-21 | Metal Ind Res & Dev Ct | 磁性元件表面清洗方法 |
| JP2015521806A (ja) * | 2012-06-25 | 2015-07-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 大面積の有機太陽電池 |
| CN107579018A (zh) * | 2016-05-27 | 2018-01-12 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| JP2021511669A (ja) * | 2018-01-25 | 2021-05-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 機器洗浄装置および方法 |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003889A patent/JP2003209088A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20120031434A1 (en) * | 2009-03-12 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method |
| US8152862B2 (en) | 2010-08-06 | 2012-04-10 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and coloring methods |
| US8192507B1 (en) | 2010-08-06 | 2012-06-05 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and coloring methods |
| US8551257B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-10-08 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and cleaning methods |
| US9238787B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-01-19 | Empire Technology Development Llc | Textile cleaning composition comprising a supercritical noble gas |
| US9004172B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-04-14 | Empire Technology Development Llc | Systems, materials, and methods for recovering material from bedrock using supercritical argon compositions |
| JP2018152590A (ja) * | 2012-06-25 | 2018-09-27 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 大面積の有機太陽電池 |
| JP2015521806A (ja) * | 2012-06-25 | 2015-07-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 大面積の有機太陽電池 |
| JP2020188263A (ja) * | 2012-06-25 | 2020-11-19 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 大面積の有機太陽電池 |
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| CN107579018A (zh) * | 2016-05-27 | 2018-01-12 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN107579018B (zh) * | 2016-05-27 | 2021-07-13 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| JP2021511669A (ja) * | 2018-01-25 | 2021-05-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 機器洗浄装置および方法 |
| JP7076559B2 (ja) | 2018-01-25 | 2022-05-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 機器洗浄装置および方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050630 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20051206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |