JP2003289093A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度に基板処理を行うことができる基板処
理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の基板処理装置によれば、熱処理
ユニット２０のローカル搬送機構５０は、待機時にはこ
の熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０内の待機位置
に収納されて待機されるので、ローカル搬送機構５０が
熱処理ユニット２０外に曝された状態で待機させられる
ことによってこのローカル搬送機構５０が熱処理ユニッ
ト２０外環境の影響を受けることや及ぼすことを低減で
き、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむら
を低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称す
る）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような基板処理装置は、例え
ば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジ
スト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、
さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ
工程に用いられている。

【０００３】これを図１６の平面図に示し、以下に説明
する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２
５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完
了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置され
るカセット載置台１０１と、この各カセットＣの前を水
平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基
板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたイン
デクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処
理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送
経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７
間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０
６とから構成されている。

【０００４】外部処理装置１０７は、基板処理装置とは
別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス
１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装
置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置
である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光
処理を行う露光装置となる。

【０００５】また、基板主搬送経路１０５上を搬送する
主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送
経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設さ
れている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経
路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経
路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置
台１０９ｂがそれぞれ配設されている。

【０００６】上述した基板処理装置において、以下の手
順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカ
セットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出し
て、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台
１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台
１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部
１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処
理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基
板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了
すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４か
ら基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別
の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入す
る。

【０００７】なお、上述した複数個の処理部１０４のう
ちで熱処理を行うための処理部１０４（以下、適宜に
「熱処理ユニット」と呼ぶ。）としては、例えば、フォ
トレジスト膜を塗布した後の基板を熱処理するレジスト
塗布後の熱処理や、後述する露光処理を受けた基板を熱
処理する露光後の熱処理などをそれぞれ行うものがあ
る。この熱処理ユニットは、例えば、基板Ｗを加熱する
ホットプレートと、熱処理後の基板Ｗを冷却するための
クールプレートとが上下に配置され、主搬送機構１０８
ｂとは別の独立した搬送機構であって、ホットプレート
とクールプレートとの間で基板Ｗを搬送するローカル搬
送機構を備えている。

【０００８】熱処理ユニットに、主搬送機構１０８ｂと
は別の独立したローカル搬送機構を備えている理由は、
次の通りである。上述の塗布後，露光後の２種類の熱処
理は、ホットプレートでの一定加熱時間経過後のクール
プレートでの冷却処理までの時間がプロセス上非常に重
要となっている。なぜならば、その時間（熱処理後の冷
却開始時間）にばらつきが生じてしまうと、塗布後の膜
厚のばらつきや現像後の線幅均一性のばらつきを引き起
こすことになるからである。例えば、主搬送機構１０８
ｂで熱処理ユニット内のホットプレートとクールプレー
トとの間の基板Ｗの搬送をも行うことにすると、主搬送
機構１０８ｂは他の処理部１０４への搬送に要する時間
や、他の処理部の処理時間の影響によって連続して投入
される複数の基板の全てについて、常に熱処理後すぐに
冷却処理を行うことが困難な場合が生じ、いわゆるオー
バーベークが生じたり、熱処理後の冷却開始時間がばら
つくことになるので、主搬送機構１０８ｂとは別の独立
したローカル搬送機構によって、上述の熱処理後の冷却
開始時間を一定にしているのである。

【０００９】また、同一の主搬送機構がホットプレート
との間でも基板の受け渡しを行うと、主搬送機構が蓄熱
し、その影響で基板に不必要な熱を与えてレジスト塗布
や現像などの他の処理部１０４における処理に悪影響を
与えるため、これを回避するためである。

【００１０】このように露光前の一連の処理が終了する
と、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された
基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８
ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基
板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂ
に載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０
７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定
の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、
搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬
出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機
構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、
露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行わ
れ、全ての処理完了した基板は搬送機構１０８ａを通じ
て所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載
置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了す
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の基板処理装置では、前述の熱処
理ユニットのローカル搬送機構により、ホットプレート
とクールプレートとの間の基板Ｗの搬送を行うことで、
上述の熱処理後の冷却開始時間を一定にするなど、基板
処理精度の向上に努めているが、それでもなお、基板処
理精度にむらが生じ、高精度に基板処理を行うことがで
きないという問題がある。

【００１２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、高精度に基板処理を行うことができる
基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得
た。すなわち、従来の基板処理装置では、熱処理ユニッ
トのローカル搬送機構は、ホットプレートとクールプレ
ートとの間で基板Ｗを搬送するためのものであり、基板
搬送の際にホットプレートまたはクールプレートにアク
セスし、それ以外の待機状態ではホットプレートおよび
クールプレートの外部で待機することになる。つまり、
熱処理ユニットのローカル搬送機構は、ホットプレート
およびクールプレートの外部に待機位置が設定されてい
て、ホットプレートまたはクールプレートに基板を搬送
した後には、熱処理ユニット外部の環境に曝された状態
で待機することになるので、熱処理ユニットのローカル
搬送機構が熱処理ユニット外の環境による影響（例えば
熱的影響等）を受け易くなっているだけでなく、逆に、
熱処理ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外
の環境に影響（例えば熱的影響等）を及ぼしているとい
う現象が存在することを解明した。そして、この熱処理
ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外の環境
による影響を受けることや、この熱処理ユニットのロー
カル搬送機構が熱処理ユニット外の環境に影響を及ぼし
ていることによって、基板処理精度にむらが生じ、基板
処理装置の処理精度が低下しているという因果関係があ
ることを見出したのである。

【００１４】このような知見に基づく本発明は次のよう
な構成を採る。すなわち、請求項１に記載の発明は、基
板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱
処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他
のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手
段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された
複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬
送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受
渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記ロー
カル搬送手段の待機位置が前記熱処理ユニットの前記基
板処理部の内部に設定されていることを特徴とするもの
である。

【００１５】（作用・効果）請求項１に記載の発明によ
れば、ローカル搬送手段は、待機時には熱処理ユニット
の基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機される
ので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された
状態で待機させられることによってこのローカル搬送手
段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減で
きるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外
環境に影響を及ぼすことも低減できるし、この影響に起
因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精
度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送
手段の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送手
段は、熱処理ユニット内の複数個の基板処理部の間で基
板の受け渡しができるので、主搬送手段の負担を低減す
ることができる。

【００１６】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板処理装置において、前記複数個の基板処理
部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷
却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるため
の基板待機処理部とを含み、前記ローカル搬送手段の待
機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理
部の内部に設定されていることを特徴とするものであ
る。

【００１７】（作用・効果）請求項２に記載の発明によ
れば、ローカル搬送手段は、待機時には基板冷却処理部
または基板待機処理の内部の待機位置に収納されて待機
されるので、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニッ
ト外環境による影響を受けることを低減できるし、待機
中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を
及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた
基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行
うことができる。また、基板冷却処理部内に待機位置を
設定している場合には、待機中のローカル搬送手段に冷
却処理を施すことができる。

【００１８】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２に記載の基板処理装置において、前記ロ
ーカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの基板を冷
却する基板冷却手段を備えていることを特徴とするもの
である。

【００１９】（作用・効果）請求項３に記載の発明によ
れば、ローカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの
基板を冷却する基板冷却手段を備えているので、ローカ
ル搬送手段は、基板搬送のみならず、基板を保持した時
点から基板冷却が開始できる。

【００２０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記基板処理部は、前記ローカル搬送手段が出入さ
れるローカル搬送用出入口と、前記主搬送手段が出入さ
れる主搬送用出入口とを別々に備えていることを特徴と
するものである。

【００２１】（作用・効果）請求項４に記載の発明によ
れば、基板処理部は、ローカル搬送手段が出入されるロ
ーカル搬送用出入口と、主搬送手段が出入される主搬送
用出入口とを別々に備えているので、ローカル搬送手段
と主搬送手段との干渉を低減できる。

【００２２】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部は、
その内部に待機中の前記ローカル搬送手段を冷却するた
めの冷却手段を備えていることを特徴とするものであ
る。

【００２３】（作用・効果）請求項５に記載の発明によ
れば、基板冷却処理部または基板待機処理部は、その内
部に待機中のローカル搬送手段を冷却するための冷却手
段を備えているので、基板冷却処理部または基板待機処
理部の内部に待機中のローカル搬送手段を冷却すること
ができる。

【００２４】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
に記載の基板処理装置において、前記複数個の基板処理
部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部を２個以上含
み、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板加熱
処理部の内部に設定されていることを特徴とするもので
ある。

【００２５】（作用・効果）請求項６に記載の発明によ
れば、ローカル搬送手段は、待機時には基板加熱処理部
の内部の待機位置に収納されて待機されるので、待機中
のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境による影響
を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手
段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減で
きる。また、待機中のローカル搬送手段に加熱処理を施
すことができる。

【００２６】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
に記載の基板処理装置において、前記複数個の基板処理
部は、基板を冷却処理する基板冷却処理部を２個以上含
み、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却
処理部の内部に設定されていることを特徴とするもので
ある。

【００２７】（作用・効果）請求項７に記載の発明によ
れば、ローカル搬送手段は、待機時には基板冷却処理部
の内部の待機位置に収納されて待機されるので、待機中
のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境による影響
を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手
段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減で
きる。また、待機中のローカル搬送手段に冷却処理を施
すことができる。

【００２８】なお、本明細書は、次のような基板処理方
法、基板熱処理装置および基板処理装置における基板搬
送方法に係る発明も開示している。 （１）基板に一連の処理を施す基板処理方法において、
主搬送手段によって、基板に熱処理を施す熱処理ユニッ
トと他のユニットとの間で基板の受渡しを行う主搬送過
程と、前記主搬送手段とは別のローカル搬送手段によっ
て、前記熱処理ユニット内の上下に配設された複数個の
基板処理部の間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程
と、前記熱処理ユニット内の所定の前記基板処理部に基
板搬送した前記ローカル搬送手段を、それ以外の前記基
板処理部の内部に設定された待機位置に待機させる待機
過程とを備えていることを特徴とする基板処理方法。

【００２９】前記（１）に記載の基板処理方法によれ
ば、待機過程では、所定の基板処理部に基板を搬送し終
えたローカル搬送手段が、それ以外の基板処理部の内部
の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送
手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられ
ることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット
外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のロ
ーカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼす
ことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処
理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うこと
ができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易に
できる。また、ローカル搬送手段は、熱処理ユニット内
の複数個の基板処理部の間で基板の受け渡しができるの
で、主搬送手段の負担を低減することができる。

【００３０】（２）基板に一連の処理を施す基板処理装
置を構成するための基板熱処理装置であって、基板に所
定の処理を施すための、上下に配設された複数個の基板
処理部と、前記基板熱処理装置と他の装置との間で基板
の受渡しを行う主搬送手段とは別の基板搬送手段であっ
て、前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行う
ためのローカル搬送手段とを備え、前記ローカル搬送手
段の待機位置が前記基板処理部の内部に設定されている
ことを特徴とする基板熱処理装置。

【００３１】前記（２）に記載の基板熱処理装置によれ
ば、ローカル搬送手段は、待機時には基板処理部の内部
の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送
手段が基板熱処理装置外に曝された状態で待機させられ
ることによってこのローカル搬送手段が基板熱処理装置
外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のロ
ーカル搬送手段が基板熱処理装置外環境に影響を及ぼす
ことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処
理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うこと
ができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易に
できる。また、ローカル搬送手段は、基板熱処理装置内
の複数個の基板処理部の間で基板の受け渡しができるの
で、主搬送手段の負担を低減することができる。

【００３２】（３）基板に一連の処理を施す基板処理装
置における基板搬送方法において、第１主搬送手段によ
って、基板に熱処理を施す熱処理ユニット内の冷却また
は待機用の基板処理部と他のユニットとの間で基板の受
渡しを行う第１主搬送過程と、第２主搬送手段によっ
て、前記熱処理ユニット内の冷却または待機用の基板処
理部とは別の熱処理用の基板処理部と他のユニットとの
間で基板の受渡しを行う第２主搬送過程と、前記第１，
第２主搬送手段とは別の単一のローカル搬送手段によっ
て、前記熱処理ユニット内の上下に配設された、冷却ま
たは待機用の前記基板処理部と熱処理用の前記基板処理
部との間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程と、前
記熱処理ユニットの一方の前記基板処理部に基板搬送し
た前記ローカル搬送手段を、他方の前記基板処理部の内
部に設定された待機位置に待機させる待機過程とを備え
ていることを特徴とする基板処理装置における基板搬送
方法。

【００３３】前記（３）に記載の基板処理装置における
基板搬送方法によれば、待機過程では、一方の基板処理
部に基板を搬送し終えたローカル搬送手段が、他方の基
板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるの
で、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状
態で待機させられることによってこのローカル搬送手段
が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減でき
るし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環
境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して
生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基
板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の
温度制御が容易にできる。さらに、第１主搬送手段は冷
却または待機用の基板処理部にのみアクセスし、第２主
搬送手段は熱処理用の基板処理部にのみアクセスするこ
とになるので、第１主搬送手段と第２主搬送手段とを熱
分離できる。

【００３４】（４）基板に一連の処理を施す基板処理装
置における基板搬送方法において、単一の主搬送手段に
よって、基板に熱処理を施す熱処理ユニット内に上下に
配設された複数個の基板処理部のうちの特定の基板処理
部と、他のユニットとの間で基板の受渡しを行う主搬送
過程と、前記主搬送手段とは別の単一のローカル搬送手
段によって、前記熱処理ユニット内の複数個の前記基板
処理部の間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程と、
前記熱処理ユニットの特定の前記基板処理部内の基板を
それ以外の基板処理部に搬送した前記ローカル搬送手段
を、前記特定の基板処理部の内部に設定された待機位置
に待機させる待機過程とを備えていることを特徴とする
基板処理装置における基板搬送方法。

【００３５】前記（４）に記載の基板処理装置における
基板搬送方法によれば、待機過程では、特定の基板処理
部以外の基板処理部に基板を搬送し終えたローカル搬送
手段が、特定の基板処理部の内部の待機位置に収納され
て待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット
外に曝された状態で待機させられることによってこのロ
ーカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受ける
ことを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処
理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この
影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減で
き、高精度に基板処理を行うことができる。また、ロー
カル搬送手段の温度制御が容易にできる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 ＜第１実施例＞本発明の第１実施例の基板処理装置につ
いて説明する。図１は本発明の第１実施例に係る基板処
理装置の概略構成を示す平面図である。

【００３７】また、この第１実施例の基板処理装置で
は、後述するように、例えば、フォトリソグラフィ工程
において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピ
ンコータ、および、レジスト塗布されてさらに露光処理
が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピン
デベロッパを備え、一連の基板処理を行うものである。

【００３８】本第１実施例の基板処理装置は、図１に示
すように、インデクサ１と処理ブロック３とインターフ
ェイス４とから構成されている。インターフェイス４
は、本第１実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを
連結するように構成されている。本第１実施例の場合に
は、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処
理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う図１中
の二点鎖線で示した露光装置（例えば、ステップ露光を
行うステッパなど）ＳＴＰとを連結するように構成され
ている。

【００３９】インデクサ１（以下、適宜『ＩＤ』と略記
する）は、図１に示すように、カセット載置台２と搬送
経路７と搬送機構８とから構成されている。カセット載
置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理基板Ｗまた
は処理済基板を収納したカセットＣが複数個（図１では
４個）載置可能に構成されている。また、搬送経路７
は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２
に沿って水平方向に形成されている。搬送機構８は、図
示しない水平移動機構、昇降機構および回動機構を備え
ており、搬送経路７上において、水平移動および昇降移
動を行うことによって、カセット載置台２上のカセット
Ｃと処理ブロック３との間で基板の受け渡しを行うこと
ができるように構成されている。

【００４０】次に、処理ブロック３の具体的構成につい
て説明する。処理ブロック３は、複数個の処理ユニット
と、これらの複数個の処理ユニットの間で基板Ｗを搬送
する主搬送機構とを備えている。

【００４１】上述の複数個の処理ユニットとしては、後
述するように、露光装置ＳＴＰに払い出すまでの処理を
担う、ＢＡＲＣユニット、ＢＡＲＣ後の熱処理ユニッ
ト、ＳＣユニット、ＳＣ後の熱処理ユニット、および、
ＥＥユニットなどがあり、露光装置ＳＴＰから受け取っ
た基板に露光後処理を施すための、ＥＥ後の熱処理ユニ
ットであるＰＥＢユニット、ＳＤユニット、および、Ｓ
Ｄ後の熱処理ユニットなどがある。

【００４２】例えば、ＢＡＲＣユニットは、基板Ｗ上に
形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止する
ために下地用の反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Co
ating）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布
形成するものである。なお、ＢＡＲＣユニットでのＢＡ
ＲＣ処理前には、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性
を向上させるためのアドヒージョン処理（Adhesion）
（以下、『ＡＨＬ』と呼ぶ）を予め行っている。

【００４３】ＢＡＲＣ後の熱処理ユニットは、ＢＡＲＣ
ユニットでＢＡＲＣ処理された後の基板Ｗを加熱してベ
ーク処理を行うものである。ＳＣユニットは、基板Ｗを
回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成す
るスピンコータ（Spin Coater）（以下、『ＳＣ』と呼
ぶ）を備えたものである。ＳＣ後の熱処理ユニットは、
ＳＣユニットでフォトレジスト膜の塗布処理された後の
基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものである。ＥＥユ
ニットは、基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッ
ジ露光処理（Edge Exposure Unit）（以下、『ＥＥ』と
呼ぶ）をするためのものである。

【００４４】ＰＥＢユニットは、露光処理後の基板Ｗを
加熱する（Post Exposure Bake）（以下、『ＰＥＢ』と
呼ぶ）ためのものである。ＳＤユニットは、露光処理後
の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロ
ッパ（Spin Developer）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）を備
えたものである。ＳＤ後の熱処理ユニットは、ＳＤユニ
ットで現像処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理
を行うものである。

【００４５】本第１実施例装置では、図１に示すよう
に、主搬送機構として、例えば、第１主搬送機構ＴＲ１
と第２主搬送機構ＴＲ２との２系統を備えている。図１
の処理ブロック３の一部分には、第１主搬送機構ＴＲ１
によって他のユニットからの基板Ｗを、上述した熱処理
ユニットのうちのある熱処理ユニット２０に搬送し、こ
の熱処理ユニット２０で熱処理された基板Ｗを第２主搬
送機構ＴＲ２で他のユニットに搬送する様子を例示して
いる。なお、上述した第１，第２主搬送機構ＴＲ１，Ｔ
Ｒ２が本発明に係る主搬送手段に相当する。

【００４６】ここで、熱処理ユニット２０の構成につい
て、図２〜図５を用いて説明する。図２（ａ）は熱処理
ユニット２０の外観を示す概略斜視図であり、図２
（ｂ）は熱処理ユニット２０での基板Ｗの搬送経路を示
す説明図である。図３はローカル搬送機構５０の外観を
示す概略斜視図である。図４は図２（ａ）の熱処理ユニ
ット２０のＡ−Ａ線断面図であり、図５は図２（ａ）の
熱処理ユニット２０のＢ−Ｂ線断面図である。

【００４７】図２に示すように、熱処理ユニット２０
は、基板Ｗを冷却する冷却ユニット３０と、この冷却ユ
ニット３０の下に配設された、基板Ｗを加熱する加熱ユ
ニット４０と、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２と
は別の基板搬送機構であって、冷却ユニット３０と加熱
ユニット４０との間で基板Ｗを受渡しを行うためのロー
カル搬送機構５０とを備えている。以下に、冷却ユニッ
ト３０、加熱ユニット４０、およびローカル搬送機構５
０をその順に説明する。

【００４８】図２（ｂ）に示すように、冷却ユニット３
０は、基板Ｗが収納されるその内部空間を、強制冷却す
る冷却部３１を備えている。この冷却部３１としては、
例えば、冷却気体、冷却水あるいは熱電冷却素子（例え
ばペルチェ素子）などによって強制冷却するものがあ
る。図４，図５に示すように、冷却ユニット３０は、そ
の内部の所定位置に複数本（例えば３本）の支持ピン３
２が間隔を空けて配設されており、基板Ｗの裏面を３本
の支持ピン３２の先端に接触させてこの基板Ｗを水平姿
勢に保持し、基板Ｗを冷却処理する。冷却ユニット３０
のハウジング３３の正面側の壁面３３ａには、第１主搬
送機構ＴＲ１により他ユニットから搬送されてきた基板
Ｗの搬入を受けるために、第１主搬送機構ＴＲ１が出入
される主搬送機構用出入口３４が備えられている。ま
た、冷却ユニット３０のハウジング３３の後面側の壁面
３３ｂには、冷却ユニット３０内の基板Ｗをローカル搬
送機構５０で搬出するための、主搬送機構用出入口３４
とは別のローカル搬送機構用出入口３５が備えられてい
る。なお、主搬送機構用出入口３４およびローカル搬送
機構用出入口３５には、例えば、シャッター機構（図示
省略）が備えられている。主搬送機構用出入口３４およ
びローカル搬送機構用出入口３５は、シャッター機構
（図示省略）によって、第１主搬送機構ＴＲ１やローカ
ル搬送機構５０の出入の際に開かれ、それ以外の際には
閉じられるようになっている。

【００４９】なお、上述の主搬送機構用出入口３４は本
発明の主搬送用出入口に相当し、上述のローカル搬送機
構用出入口３５は本発明のローカル搬送用出入口に相当
する。

【００５０】次に、加熱ユニット４０について説明す
る。図５に示すように、加熱ユニット４０は、基板Ｗを
加熱処理するための加熱処理炉（チャンバー）４１を備
えている。加熱処理炉４１は、基板Ｗが挿入される容器
本体４１ａと、この容器本体４１ａの開口部分を閉塞す
るための開閉自在な上蓋４１ｂと、上面に基板Ｗを載置
して基板Ｗを加熱するホットプレート４１ｃとを備えて
いる。加熱処理炉４１の内部には、複数本（例えば３
本）の支持ピン４２が間隔を空けて所定位置に配設され
ている。加熱処理炉４１は、基板Ｗの裏面を３本の支持
ピン４２の先端に接触させてこの基板Ｗを水平姿勢に保
持し、支持ピン４２を図示しない昇降機構の駆動によっ
て下降させることによってホットプレート４１ｃの上面
に基板Ｗを載置して、基板Ｗを加熱処理する。加熱ユニ
ット４０のハウジング４３の後面側の壁面４３ｂには、
ローカル搬送機構５０により冷却ユニット３０から搬送
されてきた基板Ｗの搬入を受けるために、ローカル搬送
機構５０が出入されるローカル搬送機構用出入口４５が
備えられている。また、加熱ユニット４０のハウジング
４３の正面側の壁面４３ａには、加熱ユニット４０内の
基板Ｗを第２主搬送機構で搬出するための、ローカル搬
送機構用出入口４５とは別の主搬送機構用出入口４４が
備えられている。なお、主搬送機構用出入口４４および
ローカル搬送機構用出入口４５には、例えば、シャッタ
ー機構（図示省略）が備えられている。主搬送機構用出
入口４４およびローカル搬送機構用出入口４５は、シャ
ッター機構（図示省略）によって、第２主搬送機構ＴＲ
２やローカル搬送機構５０の出入の際に開かれ、それ以
外の際には閉じられるようになっている。

【００５１】なお、上述の主搬送機構用出入口４４は本
発明の主搬送用出入口に相当し、上述のローカル搬送機
構用出入口４５は本発明のローカル搬送用出入口に相当
する。

【００５２】続いて、ローカル搬送機構５０の構成につ
いて説明する。図３〜図５に示すように、ローカル搬送
機構５０は、基板Ｗを水平姿勢に保持するためのプレー
ト５１と、このプレート５１を鉛直方向に移動させる鉛
直方向移動機構６０と、このプレート５１と鉛直方向移
動機構６０とを水平方向に移動させる水平方向移動機構
７０とを備えている。

【００５３】図３，図４に示すように、プレート５１の
先端側には、基板Ｗを水平姿勢に保持する基板保持部５
２が備えられている。基板保持部５２には、基板Ｗ保持
面側の所定の複数箇所にｚ方向に僅かに突出する微小突
起物（例えば半球状のもの）５２ａが配設されており、
基板Ｗの裏面側を複数個の微小突起物５２ａでのみ接触
させて支持し、基板Ｗ面とプレート５１面との間に僅か
のギャップを形成し、基板Ｗをいわゆる点接触支持する
ようになっている。また、基板保持部５２は、冷却ユニ
ット３０または加熱ユニット４０の内部に搬入される際
に、冷却ユニット３０内の基板Ｗ支持のための３本の支
持ピン３２および加熱ユニット４０内の基板Ｗ支持のた
めの３本の支持ピン４２に衝突することが無いように、
これらの支持ピン３２，４２を逃がすためにｙ方向に切
り欠かれた複数個（例えば３個）の切り欠き部５３を備
えている。

【００５４】図３に示すように、鉛直方向移動機構６０
は、プレート５１の基端部に形成されたねじ孔５４に螺
合された鉛直方向（ｚ方向）に延びる回動ねじ６１と、
この回動ねじ６１の下端を回動自在に軸支する軸受６２
を備えた下支持板６３と、回動ねじ６１が非接触で貫通
された貫通孔６５ａと回動ねじ６１の上端を回動自在に
軸支する軸受６４とを備えた上支持板６５と、プレート
５１の基端部に形成された案内溝５５に当接された鉛直
方向（ｚ方向）に延びるガイドレール６６と、回転軸６
７ａが鉛直方向（ｚ方向）に向くように上支持板６５に
配設されたモータ６７と、このモータ６７の回転軸６７
ａの先端の回転部材６７ｂと回動ねじ６１に螺合された
螺合部材６８とを連結するタイミングベルト６９とを備
えている。このように、モータ６７が所定方向に回転す
る（例えば「正転」と呼ぶ）すると、このモータ６７の
回転（正転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ
６１に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（正転）し、
プレート５１がガイドレール６６に沿って上昇移動する
ことになるし、モータ６７が上述とは逆方向に回転する
（例えば「逆転」と呼ぶ）と、このモータ６７の回転
（逆転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ６１
に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（逆転）し、プレ
ート５１がガイドレール６６に沿って下降移動すること
になる。

【００５５】図３に示すように、水平方向移動機構７０
は、上支持板６５からプレート５１を進退させる進退方
向（ｙ方向）に延びた棒状部材７１と、回転軸７２ａが
ｘ方向に向くように冷却ユニット３０のハウジング３３
内側に配設されたモータ７２と、冷却ユニット３０のハ
ウジング３３内側でモータ７２からｙ方向に間隔を空
け、かつ、回転軸７３ａがｘ方向に向くように配設され
た従動回転部材７３と、棒状部材７１の先端部に設けら
れた固定部材７４が所定位置に固定された、モータ７２
の回転軸７２ａと従動回転部材７３とを連結するタイミ
ングベルト７５と、棒状部材７１の先端部に設けられた
案内溝７６に当接する、進退方向（ｙ方向）に延びるガ
イドレール７７とを備えている。このように、モータ７
２が所定方向に回転する（例えば「正転」と呼ぶ）する
と、固定部材７４がモータ７２から離れていくようにタ
イミングベルト７５が伝動し、プレート５１および鉛直
方向移動機構６０がガイドレール７７に沿って進出（＋
ｙ方向に移動）し、モータ７２がそれとは逆方向に回転
する（例えば「逆転」と呼ぶ）と、固定部材７４がモー
タ７２に近づいていくようにタイミングベルト７５が伝
動し、プレート５１および鉛直方向移動機構６０がガイ
ドレール７７に沿って後退（−ｙ方向に移動）するよう
になっている。

【００５６】図５に示すように、ローカル搬送機構５０
のプレート５１は、待機時には、冷却ユニット３０の内
部に設定された待機位置に待機収納されるようになって
いる。待機位置にあるローカル搬送機構５０のプレート
５１は、冷却ユニット３０の内部の底面付近に待機収納
されている、つまり、支持ピン３２の先端から所定距離
分下がった位置に沈み込んでいるので、第１主搬送機構
ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０内の支持ピン３２上
に搬入する際に、待機位置のローカル搬送機構５０のプ
レート５１に接触することやこのプレート５１が邪魔に
なることはない。

【００５７】次に、インターフェイス４の構成について
説明する。図１に示すように、インターフェイス４（以
下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、搬送経路９と搬送機
構１０と載置台１１とから構成されている。搬送経路９
は、インデクサ１の搬送経路７と平行に形成されてい
る。搬送機構１０は、図示しない水平移動機構、昇降機
構および回動機構を備えており、搬送経路９上におい
て、水平移動および昇降移動を行うことによって載置台
１１と、図１中の二点鎖線で示した露光装置（ステッ
パ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置Ｓ
ＴＰは、本第１実施例装置とは別体の装置で構成される
とともに、かつ本第１実施例装置に連設可能に構成され
ており、本第１実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基
板Ｗの受け渡しを行わないときには、本第１実施例装置
のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させて
もよい。

【００５８】載置台１１は、図１に示すように、第１，
第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２と搬送機構１０との間で
露光装置ＳＴＰに払い出す基板Ｗの受け渡しを行うため
に基板Ｗを載置するＰａｓｓ１と、露光装置ＳＴＰに払
い出す基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッフ
ァ（以下、『ＢＦ１』と呼ぶ）と、第１，第２主搬送機
構ＴＲ１，ＴＲ２と搬送機構１０との間で露光装置ＳＴ
Ｐからの基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置す
るＰａｓｓ２と、露光装置ＳＴＰからの基板Ｗをそれぞ
れ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ２』
と呼ぶ）とをそれぞれ積層して構成されている。

【００５９】なお、上述したローカル搬送機構５０が本
発明におけるローカル搬送手段に相当する。また、上述
した冷却ユニット３０、加熱ユニット４０が本発明にお
ける基板処理部に相当し、さらに、冷却ユニット３０が
本発明における基板冷却処理部に相当し、加熱ユニット
４０が本発明における基板加熱処理部に相当する。

【００６０】続いて、本第１実施例の基板処理装置での
フォトリソグラフィ工程における一連の基板処理のうち
の熱処理、つまり、処理ブロック３内の熱処理ユニット
２０での熱処理動作について、図６〜図８を参照して説
明する。図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ａ）〜（ｃ）、お
よび、図８（ａ），（ｂ）は、熱処理ユニット２０のロ
ーカル搬送機構５０の動作を説明するための図である。

【００６１】（１）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却ユ
ニット３０への基板Ｗ搬入 図６（ａ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１が、基
板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構用
出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユニッ
ト３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。第１主搬
送機構ＴＲ１は、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット
３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、搬送してき
た他ユニットからの基板Ｗを冷却ユニット３０の内部の
受渡し位置（例えば、３本の支持ピン３２上）に受け渡
した後、冷却ユニット３０内から後退する。このとき、
ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット
３０内の底面付近の待機位置に待機収納されていて、第
１主搬送機構ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０内の支
持ピン３２上に搬入する際に、第１主搬送機構ＴＲ１が
待機位置のローカル搬送機構５０のプレート５１に接触
することはないし、ローカル搬送機構５０は邪魔になら
ない。冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４は、
第１主搬送機構ＴＲ１の退避後に閉じられる。冷却ユニ
ット３０は、基板Ｗを待機させる。また、冷却ユニット
３０では、必要に応じて待機中に基板Ｗに対して冷却処
理が行われる。

【００６２】（２）ローカル搬送機構５０による基板Ｗ
受取 冷却ユニット３０による基板Ｗの受け入れもしくは冷却
処理が完了すると、図６（ｂ）に示すように、ローカル
搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の
駆動によって上昇し、３本の支持ピン３２で支持された
基板Ｗをすくい上げる。そして、冷却ユニット３０のロ
ーカル搬送機構用出入口３５が開かれ、図６（ｃ）に示
すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が水平
方向移動機構７０の駆動によって冷却ユニット３０の外
部に出るようにｙ方向に移動し、ローカル搬送機構５０
のプレート５１が外部に出た後に、冷却ユニット３０の
ローカル搬送機構用出入口３５が閉じられる。

【００６３】（３）ローカル搬送機構５０による加熱ユ
ニット４０への基板Ｗ搬入 図７（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレ
ート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加熱
ユニット４０への基板搬入高さまで下降する。そして、
加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口４５が開
かれ、図７（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０
のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動によって
加熱ユニット４０の内部に入るようにｙ方向に移動す
る。そして、図７（ｃ）に示すように、加熱ユニット４
０の加熱処理炉４１の内部の受渡し位置（例えば、３本
の支持ピン４２上）に受け渡しするように、ローカル搬
送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆
動によって、加熱ユニット４０への基板受渡し高さまで
下降する。もしくは加熱ユニット４０のピンが上昇する
ことによって基板Ｗを受け取る。そして、ローカル搬送
機構５０のプレート５１は水平方向移動機構７０の駆動
によって加熱ユニット４０の外部に退避するようにｙ方
向に移動し、これまでとは逆の動作でローカル搬送機構
５０のプレート５１は移動していき、図６（ａ）に示す
ように、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却
ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納され
る。なお、ローカル搬送機構５０のプレート５１が加熱
ユニット４０から出た後に、加熱ユニット４０のローカ
ル搬送機構用出入口が閉じられる。

【００６４】（４）加熱ユニット４０による基板Ｗ加熱
処理 図８（ａ）に示すように、加熱処理炉４１は、その上蓋
４１ｂを下降させて、容器本体４１ａの開口部分を閉塞
するとともに、支持ピン４２を下降させて基板Ｗをホッ
トプレート４１ｃの上面に載置して、この加熱処理炉４
１内の基板Ｗに所定の加熱処理を施す。加熱処理後、加
熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを上昇させて、容器本
体４１ａの開口部分を開口するとともに、支持ピン４２
を上昇させ、ホットプレート４１ｃの上面から離間した
位置で、基板Ｗを支持する。この加熱処理としては、上
述したように、ＢＡＲＣユニットで下地膜が塗布された
後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、ＳＣユ
ニットでフォトレジスト膜が塗布された後の基板Ｗを加
熱してベーク処理を行うものや、露光処理後の基板Ｗを
加熱するＰＥＢ処理を行うものや、現像処理された後の
基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものなどがある。

【００６５】（５）第２主搬送機構ＴＲ２による加熱ユ
ニット４０からの基板Ｗ搬出 第２主搬送機構ＴＲ２が、加熱ユニット４０の主搬送機
構用出入口４４の付近まで移動してくると、この加熱ユ
ニット４０の主搬送機構用出入口４４が開かれる。図８
（ｂ）に示すように、第２主搬送機構ＴＲ２は、加熱ユ
ニット４０の主搬送機構用出入口４４から進入し、加熱
処理炉４１内の加熱処理後上昇している３本の支持ピン
４２で支持された基板Ｗをすくい上げて保持した後に、
加熱ユニット４０から後退させて、この加熱処理後の基
板Ｗを所定の他のユニットに搬送する。

【００６６】なお、上述の（１），（５）における第
１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２の基板Ｗ搬送が主搬
送過程に相当し、上述の（２），（３）におけるローカ
ル搬送機構５０の基板Ｗ搬送がローカル搬送過程に相当
し、上述の（１），（３）におけるローカル搬送機構５
０の冷却ユニット３０内の待機位置への待機が待機過程
に相当する。さらに詳細に述べると、上述の（１）にお
ける第１主搬送機構ＴＲ１の冷却ユニット３０への基板
Ｗ搬送が第１主搬送過程に相当し、上述の（５）におけ
る第２主搬送機構ＴＲ２の加熱ユニット４０から基板Ｗ
を取り出し、他ユニットに搬送することが、第２主搬送
過程に相当し、上述の（２），（３）におけるローカル
搬送機構５０の基板Ｗの搬送がローカル搬送過程に相当
し、上述の（１），（３）におけるローカル搬送機構５
０の冷却ユニット３０内の待機位置への待機が待機過程
に相当する。

【００６７】上述したように本第１実施例の基板処理装
置によれば、ローカル搬送機構５０は、待機時には熱処
理ユニット２０の冷却ユニット３０の内部の待機位置に
収納されて待機されるので、ローカル搬送機構５０が熱
処理ユニット２０外に曝された状態で待機させられるこ
とによってこのローカル搬送機構５０が熱処理ユニット
２０外の環境の影響を受けることを低減できるし、待機
中のローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外の環
境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して
生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基
板処理を行うことができる。また、ローカル搬送機構５
０の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送機構
５０は、熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０およ
び加熱ユニット４０の間で基板Ｗの受け渡しができるの
で、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２の負担を低減
することができる。

【００６８】また、従来例の基板処理装置では、熱処理
ユニット（図１６では処理部１０４のうちで熱処理を行
う処理部）のローカル搬送機構が通常状態でこの熱処理
ユニット外に出っ張ったままであり、基板搬送時にのみ
熱処理ユニットの方に一時的に挿入されるだけであった
ので、従来例の基板処理装置のメンテナンス時に、熱処
理ユニット外に出っ張ったローカル搬送機構が邪魔でイ
ンターフェイスなどが移動できないなど、メンテナンス
性が悪いという問題があった。しかしながら、本第１実
施例の基板処理装置では、熱処理ユニット２０のローカ
ル搬送機構５０は、一時的に熱処理ユニット２０の外部
に出るだけ、つまり、基板Ｗの搬送時のみ熱処理ユニッ
ト２０の外部に出るだけであり、基板Ｗの搬送時以外の
通常状態では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構
５０は外部に出っ張っていないので、本第１実施例の基
板処理装置のメンテナンス時に、インターフェイス４な
どを移動できるし、メンテナンス性に優れている。

【００６９】また、冷却ユニット３０および加熱ユニッ
ト４０は、ローカル搬送機構５０が出入されるローカル
搬送用出入口３５，４５と、第１主搬送機構ＴＲ１また
は第２主搬送機構ＴＲ２が出入される主搬送用出入口３
４，４４とを別々に備えているので、ローカル搬送機構
５０と第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２との干渉を
低減できる。

【００７０】さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は熱処理ユ
ニット２０の冷却ユニット３０にのみアクセスし、第２
主搬送機構ＴＲ２は熱処理ユニット２０の加熱ユニット
４０にのみアクセスすることになるので、第１，第２主
搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２を熱分離できる。

【００７１】＜第２実施例＞図９，図１０を参照して第
２実施例について説明する。図９は、本発明の第２実施
例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
図１０（ａ）は熱処理ユニット２０の外観を示す概略斜
視図であり、図１０（ｂ）は熱処理ユニット２０での基
板Ｗの搬送経路を示す説明図である。

【００７２】なお、上述した第１実施例では、図２に示
すように、処理ブロック３は、２系統の主搬送機構（第
１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２）を備え、第１主搬
送機構ＴＲ１が熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０
にアクセスし、第２主搬送機構ＴＲ２が熱処理ユニット
２０の加熱ユニット４０にアクセスするものとしている
が、本第２実施例では、図１０に示すように、処理ブロ
ック３は、主搬送機構として１系統の主搬送機構（第１
主搬送機構ＴＲ１）のみを備え、第１主搬送機構ＴＲ１
が熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０にアクセスす
るものとしている。なお、上述した第１実施例と同じ構
成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略
する。

【００７３】図１０に示すように、この第２実施例の熱
処理ユニット２０の加熱ユニット４０は、前述の第１実
施例の加熱ユニット４０と比べて、ハウジング４３の正
面側の壁面４３ａの主搬送機構用出入口４４と、この主
搬送機構用出入口４４を開閉するためのシャッター機構
（図示省略）とが排除されたものとなっている。

【００７４】続いて、本第２実施例の基板処理装置での
フォトリソグラフィ工程における一連の基板処理のうち
の熱処理、つまり、処理ブロック３内の熱処理ユニット
２０での熱処理動作について、図１１〜図１３を参照し
て説明する。図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ａ）〜
（ｃ）、および、図１３（ａ），（ｂ）は、熱処理ユニ
ットのローカル搬送機構５０の動作を説明するための図
である。

【００７５】（１１）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却
ユニット３０への基板Ｗ搬入 図１１（ａ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１が、
基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構
用出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユニ
ット３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。第１主
搬送機構ＴＲ１は、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニッ
ト３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、搬送して
きた他ユニットからの基板Ｗを冷却ユニット３０の内部
の受渡し位置（例えば、３本の支持ピン３２上）に受け
渡した後、冷却ユニット３０内から後退する。このと
き、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニ
ット３０内の底面付近の待機位置に待機収納されてい
て、第１主搬送機構ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０
内の支持ピン３２上に搬入する際に、第１主搬送機構Ｔ
Ｒ１が待機位置のローカル搬送機構５０のプレート５１
に接触することはないし、ローカル搬送機構５０は邪魔
にならない。冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３
４は、第１主搬送機構ＴＲ１の退避後に閉じられる。冷
却ユニット３０は基板Ｗを待機させる。また、冷却ユニ
ット３０では、必要に応じて待機中に基板Ｗに対して冷
却処理が行われる。

【００７６】（１２）ローカル搬送機構５０による基板
Ｗ受取 冷却ユニット３０による基板Ｗの冷却処理がすると、図
１１（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレ
ート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって上昇
し、３本の支持ピン３２で支持された基板Ｗをすくい上
げる。そして、冷却ユニット３０のローカル搬送機構用
出入口３５が開かれ、図１１（ｃ）に示すように、ロー
カル搬送機構５０のプレート５１が水平方向移動機構７
０の駆動によって冷却ユニット３０の外部に出るように
ｙ方向に移動し、ローカル搬送機構５０のプレート５１
が外部に出た後に、冷却ユニット３０のローカル搬送機
構用出入口３５が閉じられる。

【００７７】（１３）ローカル搬送機構５０による加熱
ユニット４０への基板Ｗ搬入 図１２（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプ
レート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加
熱ユニット４０への基板搬入高さまで下降する。そし
て、加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口４５
が開かれ、図１２（ｂ）に示すように、ローカル搬送機
構５０のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動に
よって加熱ユニット４０の内部に入るようにｙ方向に移
動する。そして、図１２（ｃ）に示すように、加熱ユニ
ット４０の加熱処理炉４１の内部の受渡し位置（例え
ば、３本の支持ピン４２上）に受け渡しするように、ロ
ーカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構
６０の駆動によって、加熱ユニット４０への基板受渡し
高さまで下降する。もしくは加熱ユニット４０の支持ピ
ン４２が上昇することによって基板Ｗを受け取る。そし
て、ローカル搬送機構５０のプレート５１は水平方向移
動機構７０の駆動によって加熱ユニット４０の外部に退
避するようにｙ方向に移動し、これまでとは逆の動作で
ローカル搬送機構５０のプレート５１は移動していき、
図１１（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプ
レート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位
置に待機収納される。なお、ローカル搬送機構５０のプ
レート５１が加熱ユニット４０から出た後に、加熱ユニ
ット４０のローカル搬送機構用出入口が閉じられる。

【００７８】（１４）加熱ユニット４０による基板Ｗ加
熱処理 図１３（ａ）に示すように、加熱処理炉４１は、その上
蓋４１ｂを下降させて、容器本体４１ａの開口部分を閉
塞するとともに、支持ピン４２を下降させて基板Ｗをホ
ットプレート４１ｃの上面に載置して、この加熱処理炉
４１内の基板Ｗに所定の加熱処理を施す。加熱処理後、
加熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを上昇させて、容器
本体４１ａの開口部分を開口するとともに、支持ピン４
２を上昇させ、ホットプレート４１ｃの上面から離間し
た位置で、基板Ｗを支持する。この加熱処理としては、
上述したように、ＢＡＲＣユニットで下地膜が塗布され
た後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、ＳＣ
ユニットでフォトレジスト膜が塗布された後の基板Ｗを
加熱してベーク処理を行うものや、露光処理後の基板Ｗ
を加熱するＰＥＢ処理を行うものや、現像処理された後
の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものなどがある。

【００７９】（１５）ローカル搬送機構５０による冷却
ユニット３０への基板Ｗ再搬入 ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット
３０内の待機位置から加熱ユニット４０内に移動し、加
熱ユニット４０の加熱処理炉４１内の熱処理後上昇して
いる熱処理後の基板Ｗをすくい上げて保持し、冷却ユニ
ット３０内の３本の支持ピン３２上に熱処理後の基板Ｗ
を搬送する。このとき、ローカル搬送機構５０のプレー
ト５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に
待機収納される。

【００８０】（１６）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却
ユニット３０からの基板Ｗ搬出 第１主搬送機構ＴＲ１が、冷却ユニット３０の主搬送機
構用出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユ
ニット３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。図１
３（ｂ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１は、冷却
ユニット３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、冷
却ユニット３０内の３本の支持ピン３２で支持された基
板Ｗをすくい上げて保持した後に、冷却ユニット３０か
ら後退させて、この加熱処理後の基板Ｗを所定の他のユ
ニットに搬送する。

【００８１】なお、上述の（１１），（１６）における
第１主搬送機構ＴＲ１の基板Ｗ搬送が主搬送過程に相当
し、上述の（１２），（１３），（１５）におけるロー
カル搬送機構５０の基板Ｗ搬送がローカル搬送過程に相
当し、上述の（１１），（１５），（１６）におけるロ
ーカル搬送機構５０の冷却ユニット３０内の待機位置で
の待機が待機過程に相当する。

【００８２】上述したように本第２実施例の基板処理装
置によれば、ローカル搬送機構５０は、待機時には熱処
理ユニット２０の冷却ユニット３０の内部の待機位置に
収納されて待機されるので、ローカル搬送機構５０が熱
処理ユニット２０外に曝された状態で待機させられるこ
とによってこのローカル搬送機構５０が熱処理ユニット
２０外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中
のローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外環境に
影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じ
ていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処
理を行うことができる。また、ローカル搬送機構５０の
温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送機構５０
は、熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０および加
熱ユニット４０の間で基板Ｗの受け渡しができるので、
第１主搬送機構ＴＲ１の負担を低減することができる。

【００８３】また、従来例の基板処理装置では、熱処理
ユニット（図１６では処理部１０４のうちで熱処理を行
う処理部）のローカル搬送機構が通常状態でこの熱処理
ユニット外に出っ張ったままであり、基板搬送時にのみ
熱処理ユニットの方に一時的に挿入されるだけであった
ので、従来例の基板処理装置のメンテナンス時に、熱処
理ユニット外に出っ張ったローカル搬送機構が邪魔でイ
ンターフェイスなどが移動できないなど、メンテナンス
性が悪いという問題があった。しかしながら、本第１実
施例の基板処理装置では、熱処理ユニット２０のローカ
ル搬送機構５０は、一時的に熱処理ユニット２０の外部
に出るだけ、つまり、基板Ｗの搬送時のみ熱処理ユニッ
ト２０の外部に出るだけであり、基板Ｗの搬送時以外の
通常状態では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構
５０は外部に出っ張っていないので、本第１実施例の基
板処理装置のメンテナンス時に、インターフェイス４な
どを移動できるし、メンテナンス性に優れている。

【００８４】また、冷却ユニット３０は、ローカル搬送
機構５０が出入されるローカル搬送用出入口３５と、第
１主搬送機構ＴＲ１が出入される主搬送用出入口３４と
を別々に備えているので、ローカル搬送機構５０と第１
主搬送機構ＴＲ１との干渉を低減できる。

【００８５】さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は熱処理ユ
ニット２０の冷却ユニット３０にのみアクセスし、ロー
カル搬送機構５０は熱処理ユニット２０の冷却ユニット
３０と加熱ユニット４０とにアクセスすることになるの
で、第１主搬送機構ＴＲ１とローカル搬送機構５０とを
熱分離できる。

【００８６】さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は、熱処理
ユニット２０内の特定の基板処理部としての冷却ユニッ
ト３０にのみアクセスする、つまり、熱処理ユニット２
０内の冷却ユニット３０に基板Ｗを渡し、この冷却ユニ
ット３０から基板Ｗを取り出すことになるので、熱処理
ユニット２０または第１主搬送機構ＴＲ１を上下に移動
させる必要がなく、熱処理ユニット２０や第１主搬送機
構ＴＲ１の構成を簡単にできる。

【００８７】本発明は、上記実施形態に限られることは
なく、下記のように変形実施することができる。

【００８８】（１）上述した第１実施例では、第１主搬
送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを熱処
理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬入し、ローカル
搬送機構５０によって冷却ユニット３０内の基板を同一
の熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬送し、第
２主搬送機構ＴＲ２によって加熱ユニット４０内の基板
Ｗを他のユニットに搬送しているが、これとは逆に、第
２主搬送機構ＴＲ２によって他のユニットからの基板Ｗ
を熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬入し、ロ
ーカル搬送機構５０によって加熱ユニット４０内の基板
を同一の熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬送
し、第１主搬送機構ＴＲ１によって冷却ユニット３０内
の基板Ｗを他のユニットに搬送するようにしてもよい。
この場合でも、ローカル搬送機構５０のプレート５１の
待機位置は、第１実施例と同様に、冷却ユニット３０内
に設定されており、ローカル搬送機構５０のプレート５
１は、加熱ユニット４０から冷却ユニット３０への基板
Ｗの搬送時以外の通常状態時には、冷却ユニット３０内
の待機位置に待機収納されている。

【００８９】（２）上述した第２実施例では、第１主搬
送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを熱処
理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬入し、ローカル
搬送機構５０によって熱処理ユニット２０内の冷却ユニ
ット３０と加熱ユニット４０との間で基板Ｗを搬送し、
第１主搬送機構ＴＲ１によって冷却ユニット３０内の基
板Ｗを他のユニットに搬送しているが、これとは逆に、
第１主搬送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板
Ｗを熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬入し、
ローカル搬送機構５０によって熱処理ユニット２０内の
加熱ユニット４０と冷却ユニット３０との間で基板Ｗを
搬送し、第１主搬送機構ＴＲ１によって加熱ユニット４
０内の基板Ｗを他のユニットに搬送するようにしてもよ
い。この場合でも、ローカル搬送機構５０のプレート５
１の待機位置は、第２実施例と同様に、冷却ユニット３
０内に設定されており、ローカル搬送機構５０のプレー
ト５１は、加熱ユニット４０と冷却ユニット３０との間
の基板Ｗ搬送時以外の通常状態時には、冷却ユニット３
０内の待機位置に待機収納されている。

【００９０】（３）上述した各実施例のローカル搬送機
構５０のプレート５１に、図１４に示すように、基板Ｗ
を保持した状態でこの基板Ｗを冷却する基板冷却部５６
を設けるようにしてもよい。基板冷却部５６は、冷却媒
体（冷却気体や冷却液体など）を供給する冷却媒体供給
部５７と、この冷却媒体供給部５７からの冷却媒体を循
環させるための、プレート５１内の所定経路に配設され
た冷却媒体通路５８とを備えている。基板冷却部５６
は、プレート５１上に支持された基板Ｗを冷却する。こ
の基板冷却部５６が本発明の基板冷却手段に相当する。
このようにすることで、ローカル搬送機構５０は、基板
Ｗの搬送のみならず、基板Ｗを保持した時点から基板冷
却が開始できる。

【００９１】（４）上述した各実施例では、熱処理ユニ
ット２０は、冷却ユニット３０の下方位置に加熱ユニッ
ト４０を設けたものとしているが、それとは逆に、熱処
理ユニットは、加熱ユニット４０の下方位置に冷却ユニ
ット３０を設けたものとしてもよい。

【００９２】（５）上述した各実施例では、熱処理ユニ
ット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを
設けたものとしているが、熱処理ユニットは、待機ユニ
ットと加熱ユニット４０とを設けたものとしてもよい。
この場合の待機ユニットとは、単に基板を待機させる空
間を持ち、この待機された基板を自然冷却させるもので
あり、前述の第１，第２実施例の冷却ユニット３０から
冷却部３１を取り除いたものに相当する。なお、この待
機ユニットが本発明に係る基板処理部に、さらには、基
板待機処理部に相当する。この場合、上述したローカル
搬送機構５０に、図１４に記載した基板冷却部５６を備
えた構成としておけば、加熱処理後の基板を待機ユニッ
トにおいて、ローカル搬送機構５０によって基板の冷却
処理を行うことができる。

【００９３】（６）上述した各実施例において、熱処理
ユニット２０の冷却ユニット３０内の待機位置に収納さ
れているローカル搬送機構５０のプレート５１を冷却部
３１で積極的に冷却するようにしてもよい。上述した冷
却部３１が本発明の冷却手段に相当する。こうすること
で、冷却ユニット３０の内部に待機中のローカル搬送機
構５０のプレート５１を冷却することができる。また、
上述の待機ユニットに冷却部３１を設け、待機ユニット
内の待機位置に収納されているローカル搬送機構５０の
プレート５１を冷却部３１で積極的に冷却するようにし
てもよい。

【００９４】（７）上述した各実施例では、熱処理ユニ
ット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを
設けたものとしているが、熱処理ユニットは、複数個の
加熱ユニットを設けたものとしてもよい。この場合に
は、ある加熱ユニットの内部にローカル搬送機構５０の
プレート５１を待機収納させる待機位置が設定されるこ
とになる。待機状態のローカル搬送機構５０のプレート
５１は、加熱ユニットにアクセスする主搬送機構（第１
主搬送機構ＴＲ１あるいは第２主搬送機構ＴＲ２など）
に干渉しないように、その待機位置が設定されている。

【００９５】（８）上述した各実施例では、熱処理ユニ
ット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを
設けたものとしているが、熱処理ユニットは、複数個の
冷却ユニットを設けたものとしてもよい。この場合に
は、前述の第１実施例のように、ある冷却ユニット３０
の内部にローカル搬送機構５０のプレート５１を待機収
納させる待機位置が設定されることになる。

【００９６】（９）上述した各実施例等では、図３，図
１４に示すように、ローカル搬送機構５０の板状部材の
プレート５１、つまり、基板Ｗの裏面側に板状部材が位
置しこの板状部材で基板Ｗを保持するもので、基板Ｗを
保持しているが、ローカル搬送機構５０における基板Ｗ
の保持機構としてはこれに限定されるものではない。例
えば、プレート５１に替えて、図１５に示すようなアー
ム５９をローカル搬送機構５０における基板Ｗの保持機
構として採用してもよい。このアーム５９は、平面視で
見て基板Ｗの周縁端部に沿った円弧形状のものであり、
基板Ｗの周縁端部を支持することで基板Ｗを保持できる
ものである。この場合には、保持された基板Ｗの裏面
側、特に、基板Ｗの周縁端部にのみアーム５９が位置し
ている。このように、ローカル搬送機構５０における基
板Ｗの保持機構として、種々の形態のプレート５１、ア
ーム５９などを採用することが可能である。

【００９７】（１０）上述した各実施例では、基板処理
として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布
および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板
処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して
洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述
した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理（例
えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、
上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄
する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、
化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理
や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理な
どのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フ
ォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常
の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用す
ることができる。

【００９８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ローカル搬送手段は、待機時には熱処理ユニ
ットの基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機さ
れるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝さ
れた状態で待機させられることによってこのローカル搬
送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低
減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニッ
ト外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起
因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精
度に基板処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略
構成を示す平面図である。

【図２】（ａ）は熱処理ユニットの外観を示す概略斜視
図であり、（ｂ）は熱処理ユニットでの基板の搬送経路
を示す説明図である。

【図３】ローカル搬送機構の外観を示す概略斜視図であ
る。

【図４】図２（ａ）の熱処理ユニットのＡ−Ａ線断面図
である。

【図５】図２（ａ）の熱処理ユニットのＢ−Ｂ線断面図
である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬
送機構の動作を説明するための図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬
送機構の動作を説明するための図である。

【図８】（ａ），（ｂ）は熱処理ユニットのローカル搬
送機構の動作を説明するための図である。

【図９】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略
構成を示す平面図である。

【図１０】（ａ）は熱処理ユニットの外観を示す概略斜
視図であり、（ｂ）は熱処理ユニットでの基板Ｗの搬送
経路を示す説明図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル
搬送機構の動作を説明するための図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル
搬送機構の動作を説明するための図である。

【図１３】（ａ），（ｂ）は熱処理ユニットのローカル
搬送機構の動作を説明するための図である。

【図１４】本実施例とは別の実施例のローカル搬送機構
の概略平面図である。

【図１５】本実施例とは別の実施例のローカル搬送機構
の概略平面図である。

【図１６】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図
である。

【符号の説明】

２０ … 熱処理ユニット ３０ … 冷却ユニット（基板冷却処理部） ３４ … 主搬送機構用出入口（主搬送用出入口） ３５ … ローカル搬送機構用出入口（ローカル搬送用
出入口） ４０ … 加熱ユニット（基板加熱処理部） ４４ … 主搬送機構用出入口（主搬送用出入口） ４５ … ローカル搬送機構用出入口（ローカル搬送用
出入口） ５０ … ローカル搬送機構（ローカル搬送手段） ５１ … プレート ５６ … 基板冷却部（基板冷却手段） ＴＲ１ … 第１主搬送機構（主搬送手段） ＴＲ２ … 第２主搬送機構（主搬送手段） Ｗ … 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA01 CA02 CA05 DA01 FA01 FA02 FA07 FA11 FA12 FA15 GA06 GA47 GA48 GA49 LA13 MA23 MA24 MA26 MA27 MA28 MA29 MA32 NA09 PA11 5F046 CD01 CD05 KA04 KA07 KA10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に一連の処理を施す基板処理装置で
   あって、 基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、 前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡
   しを行うための主搬送手段とを備え、 前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板
   処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であっ
   て前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うた
   めのローカル搬送手段とを備え、 前記ローカル搬送手段の待機位置が前記熱処理ユニット
   の前記基板処理部の内部に設定されていることを特徴と
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加
   熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または
   基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、 前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理
   部または前記基板待機処理部の内部に設定されているこ
   とを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 前記ローカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの基
   板を冷却する基板冷却手段を備えていることを特徴とす
   る基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
   の基板処理装置において、 前記基板処理部は、前記ローカル搬送手段が出入される
   ローカル搬送用出入口と、前記主搬送手段が出入される
   主搬送用出入口とを別々に備えていることを特徴とする
   基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の基板処理装置において、 前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部は、その
   内部に待機中の前記ローカル搬送手段を冷却するための
   冷却手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加
   熱処理部を２個以上含み、 前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板加熱処理
   部の内部に設定されていることを特徴とする基板処理装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記複数個の基板処理部は、基板を冷却処理する基板冷
   却処理部を２個以上含み、 前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理
   部の内部に設定されていることを特徴とする基板処理装
   置。