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JP2003288202A - Display control semiconductor integrated circuit with single-port ram built therein - Google Patents

Display control semiconductor integrated circuit with single-port ram built therein

Info

Publication number
JP2003288202A
JP2003288202A JP2002092003A JP2002092003A JP2003288202A JP 2003288202 A JP2003288202 A JP 2003288202A JP 2002092003 A JP2002092003 A JP 2002092003A JP 2002092003 A JP2002092003 A JP 2002092003A JP 2003288202 A JP2003288202 A JP 2003288202A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display
signal
read
circuit
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002092003A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshikazu Seko
美和 世古
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2002092003A priority Critical patent/JP2003288202A/en
Publication of JP2003288202A publication Critical patent/JP2003288202A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Digital Computer Display Output (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problems of a conventional display control semiconductor integrated circuit with a single-port RAM built in that the load of a CPU control system is increased, and the cycle time of transferring display data via the RAM is prolonged. <P>SOLUTION: This display control semiconductor integrated circuit 101 causes an internal synchronous control circuit 5 provided therein to control via a built-in single-port RAM 4 the transfer of display data between a CPU 2 and a display panel 3. This control of the display data transfer is effected in such a way that when a write access is made to the RAM 4 from the CPU 2 or a read access (write/read) is made to the CPU 2 from the RAM 4 to make a read access (display read) to the display panel 3 from the RAM 4 for the display data, write/read instructions are always given precedence over display read instructions without the need to output a ready signal to the CPU 2, regardless of whether or not the write/read instructions conflict with the display read instructions. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シングルポートR
AMを内蔵した表示制御半導体集積回路に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a single port R
The present invention relates to a display control semiconductor integrated circuit incorporating an AM.

【0002】[0002]

【従来の技術】シングルポートRAMを内蔵した従来の
表示制御半導体集積回路について説明する。図10に示
すように、表示制御半導体集積回路1は、表示装置のC
PU(中央演算処理装置)2と表示パネル3間の表示デ
ータ転送制御に用いられ、内蔵のシングルポートRAM
4を介して、表示データ転送制御を行う。この表示制御
半導体集積回路1を用いて、CPU2からの命令により
CPU2側からRAM4への表示データの書込みアクセ
ス/RAM4からCPU2側への読出しアクセス(以
下、ライト/リードという)を行い、表示制御半導体集
積回路1の内部クロック同期(内部命令)でRAM4か
ら表示パネル3側への表示データの読出しアクセス(以
下、表示リードという)を行う際、ライト/リードと表
示リードとが互いに非同期である。また、RAM4は、
ワード線が1本であるためライト/リードと表示リード
とを同時に行うことができない。このため、表示制御半
導体集積回路1は、ライト/リード命令が生じると、C
PU2に対してレディ信号を出力することにより、CP
U2と表示制御半導体集積回路1との同期を取ってCP
U2と表示パネル3間の表示データ転送制御を行ってい
る(以下、この制御方式をレディ制御方式という)。
2. Description of the Related Art A conventional display control semiconductor integrated circuit incorporating a single port RAM will be described. As shown in FIG. 10, the display control semiconductor integrated circuit 1 includes a display device C
Built-in single-port RAM used for controlling display data transfer between the PU (Central Processing Unit) 2 and the display panel 3.
The display data transfer control is performed via 4. Using this display control semiconductor integrated circuit 1, a display data write access from the CPU 2 side to the RAM 4 / a read access from the RAM 4 to the CPU 2 side (hereinafter referred to as write / read) is performed by a command from the CPU 2, and the display control semiconductor When performing read access (hereinafter referred to as display read) of display data from the RAM 4 to the display panel 3 side by the internal clock synchronization (internal command) of the integrated circuit 1, write / read and display read are asynchronous with each other. In addition, RAM4,
Since there is only one word line, write / read and display read cannot be performed simultaneously. Therefore, when the write / read command is issued, the display control semiconductor integrated circuit 1 C
By outputting a ready signal to PU2, CP
CP is synchronized with U2 and the display control semiconductor integrated circuit 1.
Display data transfer control between U2 and the display panel 3 is performed (hereinafter, this control method is referred to as a ready control method).

【0003】以下に、レディ制御方式について、図11
のタイムチャートを参照して説明する。 ライト/リード命令と表示リード命令が非競合の場合 図11の(a)に示すように、CPU2から表示制御半
導体集積回路1に供給されるライト/リードの例えば、
ライト命令であるライト信号が、時刻t1に“ハイ”レ
ベルになると、表示制御半導体集積回路1からCPU2
に供給されるレディ信号が、時刻t1から例えば、14
0nsを要して時刻t2に“ロウ”レベルとなり、CPU
2で表示リードとの競合チェックが、時刻t2から例え
ば、170nsの時間を要して時刻t3まで行われる。競
合していないことが確認されると、時刻t3にレディ信
号が“ハイ”レベルとなり、ライト信号が“ロウ”レベ
ルになって、表示データがRAM4に書き込まれる。従
って、ライト途中に表示リード命令が生じない場合で
も、競合チェックのために時間t3−t2=170nsを必
要とする。尚、時間t3−t2に含まれる期間として、例
えば表示データに対するライト信号のセットアップ/ホ
ールド時間がそれぞれ60ns必要である場合、有効デー
タはライト信号の立下りエッジに対してそれぞれ60ns
の期間が必要となり、その期間を含んでいる。
The ready control method will be described below with reference to FIG.
This will be described with reference to the time chart of. When the Write / Read Command and the Display Read Command Do Not Conflict As shown in FIG. 11A, the write / read supplied from the CPU 2 to the display control semiconductor integrated circuit 1 is, for example,
When the write signal, which is a write command, changes to the "high" level at time t1, the display control semiconductor integrated circuit 1 causes the CPU 2 to
The ready signal supplied to the
It takes 0 ns and becomes "low" level at time t2
In 2, the conflict check with the display read is performed from time t2 to time t3, for example, requiring 170 ns. When it is confirmed that there is no conflict, the ready signal becomes "high" level, the write signal becomes "low" level at time t3, and the display data is written in the RAM 4. Therefore, even if the display read command does not occur during the writing, the time t3−t2 = 170 ns is required for the conflict check. When the setup / hold time of the write signal with respect to the display data is 60 ns as the period included in the time t3 to t2, the valid data is 60 ns with respect to the falling edge of the write signal.
Period is required and includes that period.

【0004】競合の場合(ライト/リード命令中に表
示リード命令が生じた場合) 図11の(b)に示すように、ライト途中に表示リード
命令が生じない場合と同様に、ライト信号が時刻t1に
“ハイ”レベルになると、レディ信号が時刻t2に“ロ
ウ”レベルとなり、CPU2で表示リードの競合チェッ
クが行われる。競合していることが確認されると、表示
リードが優先され、時刻t2から例えば、290nsの時
間を要して時刻t3’に競合チェック+表示リードが完
了するまでライト信号が“ハイ”レベルのままであり、
レディ信号が“ロウ”レベルのままである。そして、時
刻t3’にレディ信号が“ハイ”レベルとなり、ライト
信号が“ロウ”レベルになって、表示データがRAM4
に書き込まれる。従って、ライト途中に表示リード命令
が生じた場合、競合チェック+表示リードのために時間
t3’−t2=290ns(>t3−t2=170ns)を必要
とする。
In the case of contention (when a display read command is generated during a write / read command), as shown in FIG. 11B, the write signal is transmitted at the same time as when the display read command is not generated during the writing. When the signal goes to the "high" level at t1, the ready signal goes to the "low" level at time t2, and the CPU 2 checks the display read conflict. When it is confirmed that there is a conflict, the display read is prioritized, and the write signal is at the “high” level until the conflict check + display read is completed at time t3 ′, which requires a time of, for example, 290 ns from time t2. Until now,
The ready signal remains at "low" level. Then, at the time t3 ', the ready signal becomes "high" level, the write signal becomes "low" level, and the display data becomes RAM4.
Written in. Therefore, when a display read command occurs during writing, time t3'-t2 = 290 ns (> t3-t2 = 170 ns) is required for conflict check + display read.

【0005】以上のように、ライト/リード途中に表示
リード命令が生じた場合は、表示リードが完了するまで
ライト/リードを中断させるのが一般的であり、ライト
/リード前に毎回レディ信号のチェックが必要となり、
ライト/リードと表示リードとのサイクルタイムが長く
なるという問題がある。また、CPU側と同期をとる必
要があるためCPU側の制御系の負荷が重くなるという
問題がある。
As described above, when a display read command is issued during write / read, it is common to suspend the write / read until the display read is completed, and the ready signal is sent before the write / read. Check is required,
There is a problem that the cycle time between write / read and display read becomes long. Further, since it is necessary to synchronize with the CPU side, the load of the control system on the CPU side becomes heavy.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のシングルポートRAMを内蔵した表示制御半導体集積
回路では、CPU側の制御系の負荷が重くなるととも
に、ライト/リードと表示リードとのサイクルタイムが
長くなるという問題がある。本発明は上記問題点に鑑
み、CPUに対してレディ信号を出力することなく、C
PUからのライト/リード命令を表示リード命令より常
時優先させるようにしたシングルポートRAMを内蔵し
た表示制御半導体集積回路を提供することを目的とす
る。
As described above, in the conventional display control semiconductor integrated circuit having the built-in single port RAM, the load on the control system on the CPU side becomes heavy, and the cycle of write / read and display read is increased. There is a problem that the time becomes long. In view of the above-mentioned problems, the present invention does not output a ready signal to the CPU,
An object of the present invention is to provide a display control semiconductor integrated circuit incorporating a single port RAM in which a write / read command from a PU is always prioritized over a display read command.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の表示制御半導体
集積回路は、CPUと表示パネル間の表示データ転送制
御に用いられるシングルポートRAMを内蔵した表示制
御半導体集積回路において、内部同期制御回路を有し、
CPUからの命令によりCPU側からRAMへの表示デ
ータの書込みアクセスまたはRAMからCPU側への読
出しアクセスを行い、前記CPUからの命令とは非同期
に内部クロック同期による内部命令によりRAMから表
示パネル側への表示データの読出しアクセスを行う際、
前記各命令間の競合、非競合に拘わらず、CPUへレデ
ィ信号を出力することなく、前記内部同期制御回路によ
り常にCPU側からの命令を優先させることを特徴とす
る。また、上記表示制御半導体集積回路において、前記
内部同期制御回路が、前記CPU側からの命令を前記内
部命令より優先させるように制御する制御部と、制御部
からの信号に基づき、RAMから表示パネル側への表示
データの読出しアクセスを行う表示リード信号を生成す
る表示リード信号発生回路部と、表示リード信号発生回
路部からの信号に基づき、前記内部命令中に前記CPU
側からの命令の競合があった場合、その時点で内部命令
による表示データの読出しアクセスが終了しているかど
うかの判定を行い、終了していない場合、前記CPU側
からの命令の終了後に前記内部命令による表示データの
再読出しアクセスを行うように、前記制御部への判定フ
ラグ信号を生成する判定フラグ信号発生回路部とを具備
することを特徴とする。
A display control semiconductor integrated circuit of the present invention is a display control semiconductor integrated circuit having a built-in single-port RAM used for display data transfer control between a CPU and a display panel. Have,
Display data write access from the CPU side to the RAM or read access from the RAM side to the CPU side is performed by an instruction from the CPU, and the RAM is sent from the RAM to the display panel side asynchronously with the instruction from the CPU by an internal instruction synchronized with the internal clock. When performing read access to the display data of
The internal synchronization control circuit always gives priority to the instruction from the CPU side without outputting a ready signal to the CPU regardless of the competition or non-competition between the instructions. In the display control semiconductor integrated circuit, the internal synchronization control circuit controls the instruction from the CPU to give priority to the internal instruction, and a display panel from the RAM based on a signal from the controller. A display read signal generating circuit section for generating a display read signal for making a read access to display data to the side, and the CPU during the internal instruction based on a signal from the display read signal generating circuit section.
If there is an instruction conflict from the CPU side, it is judged whether or not the read access of the display data by the internal instruction is finished at that time, and if it is not finished, the internal data is read after the instruction from the CPU side is finished. And a determination flag signal generating circuit unit for generating a determination flag signal to the control unit so as to perform reread access to display data by an instruction.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明のシングルポートR
AMを内蔵した表示制御半導体集積回路の実施例を説明
する。図1に示すように、表示制御半導体集積回路10
1は、表示装置のCPU2と表示パネル3間の表示デー
タ転送制御に用いられ、内部に具備された内部同期制御
回路5によりライト/リードと表示リードとの同期を取
りつつ、内蔵のシングルポートRAM4を介して、表示
データ転送制御を行う。この表示制御半導体集積回路1
01による表示データ転送制御は、従来CPU2へ出力
していたレディ信号が不要で、ライト/リード命令と表
示リード命令との競合、非競合に拘わらず、常にCPU
2側からのライト/リード命令を表示リード命令より優
先させる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A single port R according to the present invention will be described below.
An embodiment of a display control semiconductor integrated circuit incorporating an AM will be described. As shown in FIG. 1, the display control semiconductor integrated circuit 10
Reference numeral 1 is used for controlling display data transfer between the CPU 2 and the display panel 3 of the display device, and the internal synchronization control circuit 5 provided inside synchronizes write / read and display read, and also has a built-in single port RAM 4 The display data transfer control is performed via. This display control semiconductor integrated circuit 1
The display data transfer control by 01 does not require the ready signal that has been conventionally output to the CPU 2, and always uses the CPU regardless of the competition / non-competition between the write / read command and the display read command.
The write / read command from the 2 side has priority over the display read command.

【0009】先ず、表示制御半導体集積回路101によ
る表示データ転送制御のうちライト/リードについて説
明する。図2の(a)〜(c)に示すように、ライト/
リード命令と表示リード命令との競合、非競合に拘わら
ず、CPU2から表示制御半導体集積回路101に供給
されるライト/リードの例えば、ライト命令であるライ
ト信号が時刻t1に“ハイ”レベルになると、常にライ
ト命令が優先され、ライト信号が時刻t1から例えば、
80nsを要して時刻t2に“ロウ”レベルになって、表
示データがRAM4に書き込まれる。従って、この制御
方式の場合、時刻t1からt2の期間に、従来のレディ制
御方式のようにレディ信号により競合チェックをする必
要がないため、ライト命令からRAM4に書き込まれる
までの所要時間Twは、Tw=t2−t1=80nsだけを
確保すればよく、短時間でよい。尚、時間Twに含まれ
る期間として、例えば表示データに対するライト信号の
セットアップ/ホールド時間がそれぞれ60ns必要であ
る場合、有効データはライト信号の立下りエッジに対し
てそれぞれ60nsの期間が必要となり、その期間を含ん
でいる。
First, write / read of the display data transfer control by the display control semiconductor integrated circuit 101 will be described. As shown in (a) to (c) of FIG.
Regardless of the competition or non-competition between the read command and the display read command, for example, when the write signal, which is a write command of the write / read supplied from the CPU 2 to the display control semiconductor integrated circuit 101, becomes the “high” level at time t1. , The write command is always prioritized, and the write signal starts from time t1, for example,
It takes 80 ns to reach the "low" level at time t2, and the display data is written in the RAM4. Therefore, in the case of this control method, since there is no need to perform a conflict check by a ready signal during the period from time t1 to t2 unlike the conventional ready control method, the time Tw required from the write command to writing in the RAM 4 is Only Tw = t2-t1 = 80 ns needs to be secured, which is a short time. As the period included in the time Tw, for example, when the setup / hold time of the write signal for the display data is 60 ns, the valid data requires a period of 60 ns for the falling edge of the write signal. Including the period.

【0010】次に、表示制御半導体集積回路101によ
る表示データ転送制御のうち表示リードについて、ライ
ト/リード命令と表示リード命令との競合、非競合に分
けて説明する。 非競合の場合 図2の(a)に示すように、ライト信号が“ハイ”レベ
ルの時刻t1からt2の期間に表示リード命令の競合がな
く、ライト命令の競合がない時刻t2から次のライト信
号が“ハイ”レベルに立ち上がる時刻t3の期間に、表
示リード信号の“ハイ”レベルの期間があるので、この
期間にそのまま表示データがRAM4から表示リードさ
れる。
Next, the display read of the display data transfer control by the display control semiconductor integrated circuit 101 will be described separately for the competition / non-competition between the write / read command and the display read command. In the case of non-conflict, as shown in FIG. 2A, there is no contention of the display read command during the period of time t1 to t2 when the write signal is at the "high" level, and there is no contention of the write command. Since there is a "high" level period of the display read signal in the period of time t3 when the signal rises to the "high" level, the display data is directly read from the RAM 4 during this period.

【0011】競合の場合(ライト/リード命令中に表
示リード命令が生じた場合) 図2の(b)に示すように、ライト信号が“ハイ”レベ
ルの時刻t1からt2の期間に表示リード信号が“ハイ”
レベルに立ち上がって表示リード命令の競合があると、
ライト命令の競合がない時刻t2から次のライト信号が
“ハイ”レベルに立ち上がる時刻t3の期間に、表示リ
ード信号の“ハイ”レベルの期間を遅延させ、この期間
に表示データがRAM4から表示リードされる。
In the case of conflict (when a display read command occurs during a write / read command), as shown in FIG. 2B, the display read signal is in the period from time t1 to time t2 when the write signal is at "high" level. Is “high”
If you get up to the level and have a display read command conflict,
The "high" level period of the display read signal is delayed during the period of time t3 when the next write signal rises to the "high" level from the time t2 when there is no conflict between the write commands, and the display data is read from the RAM 4 for display during this period. To be done.

【0012】競合の場合(表示リード命令中にライト
/リード命令が生じた場合) 図2の(c)に示すように、表示リード信号が“ハイ”
レベルに立ち上がって表示リード途中の時刻t1に、ラ
イト信号が“ハイ”レベルに立ち上がってライト命令の
競合があると、その時点で表示リードを中止させ、そし
て、その時点で表示リードが終了しているのか未了であ
るのかを判断し、未了であれば、判定フラグを立て、ラ
イト命令の競合がなくなる時刻t2に再び表示リード信
号が“ハイ”レベルに立ち上がって表示データがRAM
4から表示リードされる。
In case of conflict (when write / read command occurs during display read command), the display read signal is "high" as shown in FIG. 2 (c).
When the write signal rises to the “high” level and there is a write command conflict at the time t1 during the display read, the display read is stopped at that point, and the display read ends at that point. It is determined whether or not it is incomplete, and if it is not incomplete, a determination flag is set and the display read signal rises to the "high" level again at time t2 when the conflict of the write command is eliminated, and the display data is stored in the RAM.
Display lead from 4.

【0013】次に、内部同期制御回路5の実施例につい
て、図3を参照して説明する。この回路は、リセット信
号入力端RES、ライト/リード信号入力端WEバー/
REバー、表示リード信号入力端DREバー、および判
定フラグ信号入力端FLAGと、イネーブル信号出力端
ENおよび表示リード信号出力端LACバー,LAC1
バー,LAC2バーとを有する制御部10と、リセット
信号入力端RESおよび表示リード信号入力端LAC1
バー,LAC2バーと、表示リード信号出力端LBEお
よびトリガ信号出力端TRIGとを有する表示リード信
号発生回路部30と、リセット信号入力端RES、表示
リード信号入力端LBEおよびトリガ信号入力端TRI
Gと、判定フラグ信号出力端FLAGとを有する判定フ
ラグ信号発生回路部40と、2個のOR回路50
(1),(2)とを具備している。
Next, an embodiment of the internal synchronization control circuit 5 will be described with reference to FIG. This circuit has a reset signal input terminal RES, a write / read signal input terminal WE bar /
RE bar, display read signal input end DRE bar, determination flag signal input end FLAG, enable signal output end EN and display read signal output end LAC bar, LAC1
Control unit 10 having a bar and a LAC2 bar, a reset signal input end RES and a display lead signal input end LAC1
Bar, LAC2 bar, display read signal generating circuit section 30 having display read signal output terminal LBE and trigger signal output terminal TRIG, reset signal input terminal RES, display read signal input terminal LBE and trigger signal input terminal TRI.
G and a decision flag signal generation circuit section 40 having a decision flag signal output terminal FLAG, and two OR circuits 50.
It has (1) and (2).

【0014】内部同期制御回路5に供給される入力信号
は、内部回路に次のように供給される。リセット信号R
ESがOR回路50(1)の一方の入力に供給される。
ライト/リード信号WEバー/REバーが制御部10の
ライト/リード信号入力端WEバー/REバーおよび内
部同期制御回路5のライト/リード信号出力端WEバー
/REバーにそれぞれ供給される。表示リード信号DR
Eバーが制御部10の表示リード信号入力端DREバー
に供給されるとともに、OR回路50(1)の他方の入
力に供給される。OR回路50(1)の出力が制御部1
0および判定フラグ信号発生回路部40のそれぞれのリ
セット信号入力端RESに供給されるとともに、OR回
路50(2)の一方の入力に供給される。OR回路50
(2)の出力が表示リード信号発生回路部30のリセッ
ト信号入力端RESに供給される。
The input signal supplied to the internal synchronization control circuit 5 is supplied to the internal circuit as follows. Reset signal R
ES is supplied to one input of the OR circuit 50 (1).
The write / read signal WE bar / RE bar is supplied to the write / read signal input terminal WE bar / RE bar of the control unit 10 and the write / read signal output terminal WE bar / RE bar of the internal synchronization control circuit 5, respectively. Display read signal DR
E-bar is supplied to the display read signal input terminal DRE bar of the control unit 10 and also supplied to the other input of the OR circuit 50 (1). The output of the OR circuit 50 (1) is the control unit 1
It is supplied to the reset signal input terminal RES of each of the 0 and the determination flag signal generating circuit section 40 and also to one input of the OR circuit 50 (2). OR circuit 50
The output of (2) is supplied to the reset signal input terminal RES of the display read signal generation circuit section 30.

【0015】制御部10からの出力信号は、他の内部回
路に次のように供給される。イネーブル信号ENがOR
回路50(2)の他方の入力に供給される。表示リード
信号LAC1バー,LAC2バーが表示リード信号発生
回路部30の表示リード信号入力端LAC1バー,LA
C2バーにそれぞれ供給される。表示リード信号LAC
バーが内部同期制御回路5の表示リード信号出力端LA
Cバーに供給される。
The output signal from the control unit 10 is supplied to other internal circuits as follows. Enable signal EN is OR
It is supplied to the other input of the circuit 50 (2). The display read signal LAC1 bar and LAC2 bar are the display read signal input terminals LAC1 bar and LA of the display read signal generation circuit section 30.
It is supplied to each C2 bar. Display read signal LAC
The bar is the display read signal output terminal LA of the internal synchronization control circuit 5.
Supplied to C bar.

【0016】表示リード信号発生回路部30からの出力
信号は、他の内部回路に次のように供給される。表示リ
ード信号LBEが内部同期制御回路5の表示リード信号
出力端LBEに供給されるとともに、判定フラグ信号発
生回路部40の表示リード信号入力端LBEに供給され
る。トリガ信号TRIGが判定フラグ信号発生回路部4
0のトリガ信号入力端TRIGに供給される。
The output signal from the display read signal generating circuit section 30 is supplied to other internal circuits as follows. The display read signal LBE is supplied to the display read signal output terminal LBE of the internal synchronization control circuit 5 and the display read signal input terminal LBE of the determination flag signal generation circuit section 40. The trigger signal TRIG is the determination flag signal generation circuit unit 4
0 is supplied to the trigger signal input terminal TRIG.

【0017】判定フラグ信号発生回路部40からの出力
信号である判定フラグ信号FLAGは、制御部10の判
定フラグ信号入力端FLAGに供給される。
The determination flag signal FLAG, which is the output signal from the determination flag signal generation circuit section 40, is supplied to the determination flag signal input terminal FLAG of the control section 10.

【0018】制御部10は、例えば、図4に示すよう
に、3個のAND回路11(1)〜(3)と、5個のO
R回路12(1)〜(5)と、10個のNOT回路13
(1)〜(10)と、3個のDフリフロ14(1)〜
(3)と、1個の第1ディレイ回路15と、1個の第2
ディレイ回路16と、2個の第3ディレイ回路17
(1),(2)と、1個のスイッチ回路18とを有して
いる。そして、上記構成のうち、AND回路11
(1)、NOT回路13(1)および第2ディレイ回路
16を用いて、AND回路11(1)の一方の入力がN
OT回路13(1)と第2ディレイ回路16を介して他
方の入力に接続されて、入力の立ち上がりエッジで正の
ワンショットパルスを出力する第1ショット回路19を
構成している。また、OR回路12(1),(2)、N
OT回路13(2),(3)および第3ディレイ回路1
7(1),(2)を用いて、OR回路12(1),
(2)の一方の入力がNOT回路13(2),(3)と
第3ディレイ回路17(1),(2)を介して他方の入
力に接続されて、入力の立ち下がりエッジで負のワンシ
ョットパルスを出力する第2ショット回路20(1),
(2)を構成している。
The control unit 10, for example, as shown in FIG. 4, includes three AND circuits 11 (1) to 11 (3) and five O circuits.
R circuits 12 (1) to (5) and 10 NOT circuits 13
(1) to (10) and three D-furi flow 14 (1) to
(3), one first delay circuit 15 and one second delay circuit
Delay circuit 16 and two third delay circuits 17
It has (1) and (2) and one switch circuit 18. Then, in the above-mentioned configuration, the AND circuit 11
(1), using the NOT circuit 13 (1) and the second delay circuit 16, one input of the AND circuit 11 (1) is N
The first shot circuit 19 is connected to the other input via the OT circuit 13 (1) and the second delay circuit 16 and outputs a positive one-shot pulse at the rising edge of the input. Further, the OR circuits 12 (1), (2), N
OT circuits 13 (2) and (3) and third delay circuit 1
7 (1) and (2), the OR circuit 12 (1),
One input of (2) is connected to the other input via the NOT circuits 13 (2) and (3) and the third delay circuits 17 (1) and (2), and a negative edge is applied at the falling edge of the input. A second shot circuit 20 (1) that outputs a one-shot pulse,
It constitutes (2).

【0019】制御部10の各入力端は、ライト/リード
信号入力端WEバー/REバーがAND回路11(2)
の2入力に接続され、判定フラグ信号入力端FLAGが
Dフリフロ14(1)のデータ入力Dに接続され、リセ
ット信号入力端RESがDフリフロ14(1)のリセッ
ト入力Rに接続され、表示リード信号入力端DREバー
がDフリフロ14(2)のリセット入力Rと第1ディレ
イ回路15の入力と第1ショット回路19の入力とに接
続されている。AND回路11(2)の出力は、Dフリ
フロ14(1)およびDフリフロ14(2)のクロック
入力と、NOT回路13(4)を介してDフリフロ14
(3)のデータ入力Dと、NOT回路13(5)を介し
てイネーブル信号出力端ENおよびOR回路12
(3),(4),(5)の一方の入力とに接続されてい
る。Dフリフロ14(1)の出力Qは、NOT回路13
(6)を介して第2ショット回路20(2)の入力に接
続されている。Dフリフロ14(2)の出力Qは、NO
T回路13(7)を介してスイッチ回路18の入力IN
2に接続されている。第1ディレイ回路15の出力は、
NOT回路13(8)を介してDフリフロ14(2)の
データ入力DおよびDフリフロ14(3)のクロック入
力、さらにNOT回路13(9)を介してスイッチ回路
18の入力IN1に接続されている。第1ショット回路
19の出力は、Dフリフロ14(3)のリセット入力R
に接続されている。Dフリフロ14(3)の出力Qは、
スイッチ回路18の入力SELに接続されている。スイ
ッチ回路18の出力は、NOT回路13(10)を介し
て第2ショット回路20(1)の入力に接続されてい
る。第2ショット回路20(1),(2)の出力は、A
ND回路11(3)の2入力およびOR回路12
(3),(4)の他方の入力に接続されている。AND
回路11(3)の出力は、OR回路12(5)の他方の
入力に接続されている。OR回路12(3),(4),
(5)の出力は、表示リード信号出力端LAC1バー,
LAC2バー,LACバーにそれぞれ接続されている。
At each input terminal of the control unit 10, a write / read signal input terminal WE bar / RE bar is an AND circuit 11 (2).
, The determination flag signal input terminal FLAG is connected to the data input D of the D flip-flop 14 (1), and the reset signal input terminal RES is connected to the reset input R of the D flip-flop 14 (1). The signal input terminal DRE bar is connected to the reset input R of the D flip-flop 14 (2), the input of the first delay circuit 15 and the input of the first shot circuit 19. The output of the AND circuit 11 (2) is supplied to the clock inputs of the D-flip flow 14 (1) and the D-flip flow 14 (2) and the D-flip flow 14 via the NOT circuit 13 (4).
The data input D of (3) and the enable signal output terminal EN and the OR circuit 12 via the NOT circuit 13 (5)
It is connected to one of the inputs (3), (4) and (5). The output Q of the D flip-flop 14 (1) is output to the NOT circuit 13
It is connected to the input of the second shot circuit 20 (2) via (6). The output Q of the D-flip flow 14 (2) is NO
Input IN of the switch circuit 18 via the T circuit 13 (7)
Connected to 2. The output of the first delay circuit 15 is
It is connected to the data input D of the D flip-flop 14 (2) and the clock input of the D flip-flop 14 (3) via the NOT circuit 13 (8), and further to the input IN1 of the switch circuit 18 via the NOT circuit 13 (9). There is. The output of the first shot circuit 19 is the reset input R of the D flip-flop 14 (3).
It is connected to the. The output Q of the D-flip flow 14 (3) is
It is connected to the input SEL of the switch circuit 18. The output of the switch circuit 18 is connected to the input of the second shot circuit 20 (1) via the NOT circuit 13 (10). The outputs of the second shot circuits 20 (1) and (2) are A
2 inputs of ND circuit 11 (3) and OR circuit 12
It is connected to the other input of (3) and (4). AND
The output of the circuit 11 (3) is connected to the other input of the OR circuit 12 (5). OR circuits 12 (3), (4),
The output of (5) is the display read signal output end LAC1 bar,
It is connected to LAC2 bar and LAC bar, respectively.

【0020】出力信号ENは、CPU2から転送される
ライト/リード信号WEバー/REバーの入力によりラ
イト/リード命令の有無を認識するための信号として生
成され、同時に後述するLACバー,LAC1バー,L
AC2バーの各出力イネーブルとして機能する。出力信
号LAC1バーは、ライト/リードと表示リードとが非
競合であった場合に表示リード命令を出力するための表
示リード信号として生成される。出力信号LAC2バー
は、ライト/リードと表示リードとが競合した場合に再
表示リード命令を出力するための表示リード信号として
生成され、判定フラグ信号FLAGをフィードバックさ
せている。出力信号LACバーは、出力信号LAC1バ
ー及びLAC2バーよりCPU2からのライト/リード
解除を認識するための表示リード信号として生成され
る。また、入力信号RESは、システムリセット機能を
有する。
The output signal EN is generated as a signal for recognizing the presence / absence of a write / read command by the input of the write / read signal WE bar / RE bar transferred from the CPU 2, and at the same time, LAC bar, LAC1 bar, which will be described later, L
Functions as each output enable of AC2 bar. The output signal LAC1 bar is generated as a display read signal for outputting a display read command when write / read and display read are not in conflict. The output signal LAC2 bar is generated as a display read signal for outputting a redisplay read command when the write / read conflicts with the display read, and feeds back the determination flag signal FLAG. The output signal LAC bar is generated as a display read signal for recognizing write / read cancellation from the CPU 2 from the output signals LAC1 bar and LAC2 bar. Further, the input signal RES has a system reset function.

【0021】表示リード信号発生回路部30は、例え
ば、図5に示すように、2個のAND回路31(1),
(2)と、4個のOR回路32(1)〜(4)と、6個
のNOT回路33(1)〜(6)と、2個のDフリフロ
34(1),(2)と、2個の第4ディレイ回路35
(1),(2)と、2個の第5ディレイ回路36
(1),(2)と、2個の第6ディレイ回路37
(1),(2)とを有している。そして、上記構成のう
ち、OR回路32(1),(2)、NOT回路33
(3),(4)および第5ディレイ回路36(1),
(2)を用いて、OR回路32(1),(2)の一方の
入力がNOT回路33(3),(4)と第5ディレイ回
路36(1),(2)を介して他方の入力に接続され
て、入力の立ち下がりエッジで負のワンショットパルス
を出力する第3ショット回路38(1),(2)を構成
している。また、AND回路31(1),(2)、NO
T回路33(5),(6)および第6ディレイ回路37
(1),(2)を用いて、AND回路31(1),
(2)の一方の入力がNOT回路33(5),(6)と
第6ディレイ回路37(1),(2)を介して他方の入
力に接続されて、入力の立ち上がりエッジで正のワンシ
ョットパルスを出力する第4ショット回路39(1),
(2)を構成している。
The display read signal generating circuit section 30 includes, for example, as shown in FIG. 5, two AND circuits 31 (1),
(2), four OR circuits 32 (1) to (4), six NOT circuits 33 (1) to (6), and two D flip-flops 34 (1) and (2), Two fourth delay circuits 35
(1), (2) and two fifth delay circuits 36
(1), (2) and two sixth delay circuits 37
It has (1) and (2). Then, in the above configuration, the OR circuits 32 (1) and (2) and the NOT circuit 33.
(3), (4) and the fifth delay circuit 36 (1),
Using (2), one input of the OR circuits 32 (1), (2) passes through the NOT circuits 33 (3), (4) and the fifth delay circuits 36 (1), (2) and the other input. The third shot circuits 38 (1) and (2) are connected to the input and output a negative one-shot pulse at the falling edge of the input. Further, AND circuits 31 (1), (2), NO
T circuits 33 (5) and (6) and sixth delay circuit 37
Using the (1) and (2), the AND circuit 31 (1),
One input of (2) is connected to the other input through the NOT circuits 33 (5) and (6) and the sixth delay circuits 37 (1) and (2), and a positive one is input at the rising edge of the input. A fourth shot circuit 39 (1) for outputting a shot pulse,
It constitutes (2).

【0022】表示リード信号発生回路部30の各入力端
は、リセット信号入力端RESがDフリフロ34
(1),(2)のそれぞれのリセット入力Rに接続さ
れ、表示リード信号入力端LAC1バー,LAC2バー
がNOT回路33(1),(2)を介してDフリフロ3
4(1),(2)のそれぞれのデータ入力Dに接続され
るとともに、第4ディレイ回路35(1),(2)およ
び第3ショット回路38(1),(2)を介してDフリ
フロ34(1),(2)のクロック入力Cにそれぞれ接
続されている。Dフリフロ34(1),(2)の出力Q
は,第4ショット回路39(1),(2)を介してOR
回路32(3)の2入力に接続され、OR回路32
(3)の出力が表示リード信号出力端LBEに接続され
ている。また、OR回路32(1),(2)の他方の入
力がOR回路32(4)の2入力に接続され、OR回路
32(4)の出力がトリガ信号出力端TRIGに接続さ
れている。
At each input terminal of the display read signal generating circuit section 30, the reset signal input terminal RES has a D flip-flop 34.
The display read signal input terminals LAC1 bar and LAC2 bar are connected to the respective reset inputs R of (1) and (2), and the D read flow 3 is connected via the NOT circuits 33 (1) and (2).
4 (1) and (2), and is connected to the respective data inputs D of D (4) and (4) via the fourth delay circuits 35 (1), (2) and the third shot circuits 38 (1), (2). 34 (1) and 34 (2) are connected to clock inputs C, respectively. Output Q of D-fli-flow 34 (1), (2)
Is ORed through the fourth shot circuits 39 (1) and (2).
The OR circuit 32 is connected to the two inputs of the circuit 32 (3).
The output of (3) is connected to the display read signal output terminal LBE. The other inputs of the OR circuits 32 (1) and (2) are connected to the two inputs of the OR circuit 32 (4), and the output of the OR circuit 32 (4) is connected to the trigger signal output terminal TRIG.

【0023】出力信号LBEは、制御部10からの入力
信号LAC1バー,LAC2バーによって競合、非競合
時に必要なタイミングかつ必要なパルス幅の表示リード
命令を出力するための表示リード信号として生成され
る。前記必要なタイミングは第4ディレイ回路35
(1),(2)で、必要なパルス幅は第6ディレイ回路
37(1),(2)で調整するものである。また出力信
号TRIGは、表示リード信号LBEがRAM4から表
示データを読み出すのに十分必要なパルス幅があるかど
うかを判定するためのトリガ信号として生成される。入
力信号RESはシステムリセット機能を有する。
The output signal LBE is generated by the input signals LAC1 bar and LAC2 bar from the control unit 10 as a display read signal for outputting a display read command having a timing and a pulse width required at the time of competition or non-competition. . The necessary timing is the fourth delay circuit 35.
In (1) and (2), the necessary pulse width is adjusted by the sixth delay circuits 37 (1) and (2). Further, the output signal TRIG is generated as a trigger signal for determining whether or not the display read signal LBE has a pulse width sufficient to read the display data from the RAM 4. The input signal RES has a system reset function.

【0024】判定フラグ信号発生回路部40は、例え
ば、図6に示すように、3個のNOT回路41(1)〜
(3)と、1個のDフリフロ42と、1個の第7ディレ
イ回路43とを有している。判定フラグ信号発生回路部
40の各入力端は、リセット信号入力端RESがDフリ
フロ42のリセット入力Rに接続され、表示リード信号
入力端LBEがNOT回路41(1)を介してDフリフ
ロ42のデータ入力Dに接続され、トリガ信号入力端T
RIGがNOT回路41(2),(3)および第7ディ
レイ回路43を介してDフリフロ42のクロック入力C
に接続されている。Dフリフロ42の出力Qは、判定フ
ラグ信号出力端FLAGに接続されている。
The determination flag signal generation circuit section 40 includes, for example, as shown in FIG.
(3) has one D flip-flop 42 and one seventh delay circuit 43. At each input end of the determination flag signal generation circuit section 40, the reset signal input end RES is connected to the reset input R of the D flip-flop 42, and the display read signal input end LBE is connected to the D flip-flop 42 via the NOT circuit 41 (1). It is connected to the data input D and the trigger signal input end T
RIG is the clock input C of the D flip-flop 42 via the NOT circuits 41 (2) and (3) and the seventh delay circuit 43.
It is connected to the. The output Q of the D flip-flop 42 is connected to the determination flag signal output terminal FLAG.

【0025】出力信号FLAGは、表示リード信号発生
回路部30からの表示リード信号LBE及びトリガ信号
TRIGにより、表示リード信号LBEの“ハイ”パル
ス幅がRAM4からデータを読み出すのに必要な時間を
有するかどうかを判定するため、第7ディレイ回路43
と時間比較を行い、例えば表示リード信号LBEのパル
ス幅が第7ディレイ回路43の遅延時間より短ければ、
信号レベルを“ハイ”レベルにして、制御部10にRA
M4からの表示データ読み出しエラー判定を伝達するた
めの判定フラグ信号として生成される。入力信号RES
はシステムリセット機能を有する。
The output signal FLAG has a "high" pulse width of the display read signal LBE which is necessary for reading data from the RAM 4 according to the display read signal LBE and the trigger signal TRIG from the display read signal generating circuit section 30. In order to determine whether or not the seventh delay circuit 43
And the pulse width of the display read signal LBE is shorter than the delay time of the seventh delay circuit 43, for example,
The signal level is set to the “high” level and the control unit 10 receives RA.
It is generated as a determination flag signal for transmitting the display data read error determination from M4. Input signal RES
Has a system reset function.

【0026】次に、内部同期制御回路5の動作について
図7〜9を参照して説明する。各図の時刻T0におい
て、CPU2から内部同期制御回路5に、表示リード信
号DREバー、ライト/リード信号WEバー/REバー
の“ハイ”レベルが供給されている状態で、リセット信
号RESの“ハイ”レベルが供給されると、制御部1
0、表示リード信号発生回路部30、および判定フラグ
信号発生回路部40のそれぞれに含まれるDフリフロが
リセットされ、内部同期制御回路5からRAM4側にラ
イト/リード信号WEバー/REバーおよび表示リード
信号LACバーの“ハイ”レベルと、表示リード信号L
BEの“ロウ”レベルが供給されている状態である。す
なわち、時刻T0において、ライト/リード命令の発生
も表示リード命令の発生もなく、ライト/リードおよび
表示リードが行われていない状態である。
Next, the operation of the internal synchronization control circuit 5 will be described with reference to FIGS. At time T0 in each figure, the CPU 2 supplies the internal synchronization control circuit 5 with the "high" level of the display read signal DRE bar and the write / read signal WE bar / RE bar, and the reset signal RES of "high" level is supplied. When the level is supplied, the control unit 1
0, the display read signal generation circuit section 30, and the D flag included in each of the determination flag signal generation circuit section 40 are reset, and the write / read signal WE bar / RE bar and the display read from the internal synchronization control circuit 5 to the RAM 4 side. "High" level of signal LAC bar and display read signal L
This is a state where the "low" level of BE is supplied. That is, at time T0, neither a write / read command nor a display read command is generated, and neither write / read nor display read is performed.

【0027】以下、ライト/リード命令と表示リード命
令との競合、非競合に分け、説明する。 非競合の場合 図7に示すように、ライト/リードの例えば、ライト命
令であるライト信号WEバーが時刻T1からT2の期
間、“ロウ”レベルになると、このとき表示リード命令
の競合はなく、表示リード信号DREバーは“ハイ”レ
ベルのままであり、制御部10、表示リード信号発生回
路部30および判定フラグ信号発生回路部40へのリセ
ット信号RESも“ハイ”レベルのままである。従っ
て、表示リード信号LACバー,LAC1バーは“ハ
イ”レベルのままであり、表示リード信号LBEは“ロ
ウ”レベルのままであるため、ライト命令が優先され、
ライト信号WEバーが時刻T2に“ハイ”レベルになっ
て、表示データがRAM4に書き込まれる。尚、このと
き、表示リード信号LAC2バーは“ハイ”レベルのま
まであり、トリガ信号TRIGおよび判定フラグ信号F
LAGは“ロウ”レベルのままであるそして、時刻T2
を過ぎて、ライト命令と表示リードとの競合がないライ
ト/リード信号WEバー/REバーが“ハイ”レベルの
期間の時刻T3からT4の期間に、表示リード信号DR
Eバーが“ロウ”レベルになると、制御部10、表示リ
ード信号発生回路部30および判定フラグ信号発生回路
部40へのリセット信号RESも“ロウ”レベルとな
る。その結果、表示リード信号LACバー,LAC1バ
ーは“ロウ”レベル、および表示リード信号LBEとト
リガ信号TRIGとは“ハイ”レベルとなり、時刻T4
までの期間に表示データがRAM4から表示リードされ
る。尚、このとき、表示リード信号LAC2バーは“ハ
イ”レベル、および判定フラグ信号FLAGは“ロウ”
レベルのままである。
The conflict between the write / read command and the display read command and the non-conflict will be described below. In the case of non-conflict, as shown in FIG. 7, when the write signal WE, which is a write command, for example, is at the "low" level during the period from time T1 to T2, there is no conflict between the display read commands at this time. The display read signal DRE bar remains at "high" level, and the reset signal RES to the control unit 10, the display read signal generation circuit unit 30 and the determination flag signal generation circuit unit 40 also remains at "High" level. Therefore, since the display read signals LAC bar and LAC1 bar remain at the “high” level and the display read signal LBE remains at the “low” level, the write command is given priority,
The write signal WE bar becomes "high" level at time T2, and the display data is written in the RAM4. At this time, the display read signal LAC2 bar remains at the "high" level, and the trigger signal TRIG and the determination flag signal F
LAG remains at "low" level and time T2
There is no contention between the write command and the display read, and the display read signal DR is reached during the period from time T3 to T4 during which the write / read signal WE bar / RE bar is at the “high” level.
When the E-bar becomes "low" level, the reset signal RES to the control unit 10, the display read signal generating circuit unit 30 and the determination flag signal generating circuit unit 40 also becomes "Low" level. As a result, the display read signals LAC bar and LAC1 bar become "low" level, and the display read signal LBE and the trigger signal TRIG become "high" level, and the time T4
The display data is read from the RAM 4 during the period up to. At this time, the display read signal LAC2 bar is "high" level, and the determination flag signal FLAG is "low".
It remains at the level.

【0028】競合の場合(ライト/リード命令中に表
示リード命令が生じた場合) 図8に示すように、ライト命令の発生によりライト信号
WEバーが“ロウ”レベルになる時刻T1からT2の期
間の途中の時刻T3’に、表示リード命令があり表示リ
ード信号DREバーが“ロウ”レベルになり、ライト命
令と表示リード命令との競合が生じると、制御部10お
よび判定フラグ信号発生回路部40へのリセット信号R
ESは“ロウ”レベルになるが、このとき、イネーブル
信号ENは“ハイ”レベルであり、表示リード信号発生
回路部30へのリセット信号RESは“ハイ”レベルの
ままである。従って、表示リード信号LACバー,LA
C1バーは“ハイ”レベルのままであり、表示リード信
号LBEおよびトリガ信号TRIGは“ロウ”レベルの
ままであるため、ライト命令が優先され、ライト信号W
Eバーが時刻T2に“ハイ”レベルになって、表示デー
タがRAM4に書き込まれる。そして、時刻T2を過ぎ
ると、ライト信号WEバーが“ハイ”レベルとなってラ
イト命令と表示リードとの競合がなくなり、表示リード
信号発生回路部30へのリセット信号RESも表示リー
ド信号DREバーが“ハイ”レベルになる時刻T4まで
“ロウ”レベルとなる。その結果、表示リード信号LA
Cバー,LAC1バーは“ロウ”レベルとなり、表示リ
ード信号LBEおよびトリガ信号TRIGは“ハイ”レ
ベルとなって、時刻T4までの期間に表示データがRA
M4から表示リードされる。尚、このとき、表示リード
信号LAC2バーは“ハイ”レベル、および判定フラグ
信号FLAGは“ロウ”レベルのままである。
In case of conflict (when a display read command occurs during a write / read command) As shown in FIG. 8, the period from time T1 to T2 when the write signal WE bar becomes "low" level due to the generation of the write command. If there is a display read command and the display read signal DRE bar goes to "low" level at time T3 'in the middle of the time, and a conflict occurs between the write command and the display read command, the control unit 10 and the determination flag signal generation circuit unit 40 Reset signal R to
ES goes to "low" level, but at this time, the enable signal EN is at "high" level, and the reset signal RES to the display read signal generating circuit section 30 remains at "high" level. Therefore, the display read signal LAC bar, LA
Since the C1 bar remains at the “high” level and the display read signal LBE and the trigger signal TRIG remain at the “low” level, the write command is prioritized and the write signal W
The E-bar becomes "high" level at time T2, and the display data is written in the RAM4. Then, after the time T2, the write signal WE bar becomes "high" level and the conflict between the write command and the display read disappears, and the reset signal RES to the display read signal generation circuit section 30 also the display read signal DRE bar. It goes to "low" level until time T4 when it goes to "high" level. As a result, the display read signal LA
C bar and LAC1 bar are at "low" level, the display read signal LBE and the trigger signal TRIG are at "high" level, and the display data is RA during the period up to time T4.
Display read from M4. At this time, the display read signal LAC2 bar remains at the "high" level and the determination flag signal FLAG remains at the "low" level.

【0029】競合の場合(表示リード命令中にライト
/リード命令が生じた場合) 図9に示すように、ライト命令が発生する時刻T1より
前の時刻T3”に、表示リード命令があり表示リード信
号DREバーが“ロウ”レベルになると、制御部10、
表示リード信号発生回路部30および判定フラグ信号発
生回路部40へのリセット信号RESも“ロウ”レベル
となり、表示リード信号LACバー,LAC1バーは
“ロウ”レベルとなり、表示リード信号LBEおよびト
リガ信号TRIGは“ハイ”レベルとなって、表示デー
タがRAM4から表示リードされ始める。しかし、時刻
T1にライト信号WEバーが“ロウ”レベルになると、
イネーブル信号ENが“ハイ”レベルとなるため表示リ
ード信号発生回路部30へのリセット信号RESは“ハ
イ”レベルとなる。その結果、表示リード信号LACバ
ー,LAC1バーは“ハイ”レベルとなり、表示リード
信号LBEおよびトリガ信号TRIGは“ロウ”レベル
となるため、その時点で表示リードが中止させられ、ラ
イト命令が優先され、ライト信号WEバーが時刻T2に
“ハイ”レベルになって、表示データがRAM4に書き
込まれる。また、時刻T1にライト信号WEバーが“ロ
ウ”レベルになると、表示リード信号発生回路部30か
ら判定フラグ信号発生回路部40へのトリガ信号TRI
Gおよび表示リード信号LBEにより、時刻T3”から
T1の期間に表示リードが終了しているのか未了である
のかを、表示リード信号LBEのパルス幅を判定フラグ
信号発生回路部40内部のディレイ回路の遅延時間と比
較することにより判断し、未了であれば、判定フラグを
立て、すなわち、判定フラグ信号発生回路部40から制
御部10への判定フラグ信号FLAGが“ハイ”レベル
となり、表示データのRAM4へのライトが終了する時
刻T2まで表示リード命令を待たせる。そして、判定フ
ラグ信号FLAGが“ハイ”レベルの場合、時刻T2を
過ぎると、ライト信号WEバーが“ハイ”レベルとなっ
てライト命令と表示リードとの競合がなくなり、表示リ
ード信号発生回路部30へのリセット信号RESも表示
リード信号DREバーが“ハイ”レベルになる時刻T4
まで“ロウ”レベルとなる。その結果、表示リード信号
LACバー,LAC1バーは“ロウ”レベルとなり、表
示リード信号LBEおよびトリガ信号TRIGは“ハ
イ”レベルとなって、時刻T4までの期間に表示データ
がRAM4から表示リードされる。
In case of conflict (when write / read command occurs during display read command) As shown in FIG. 9, there is a display read command at time T3 "before time T1 when the write command is generated, and there is a display read. When the signal DRE bar becomes "low" level, the control unit 10,
The reset signal RES to the display read signal generating circuit section 30 and the determination flag signal generating circuit section 40 also becomes "low" level, the display read signals LAC bar and LAC1 bar become "low" level, and the display read signal LBE and the trigger signal TRIG. Becomes "high" level, and display data starts to be read from the RAM4. However, when the write signal WE bar becomes "low" level at time T1,
Since the enable signal EN becomes "high" level, the reset signal RES to the display read signal generating circuit section 30 becomes "high" level. As a result, the display read signals LAC bar and LAC1 bar become "high" level, and the display read signal LBE and the trigger signal TRIG become "low" level, so that the display read is stopped at that point and the write command is given priority. The write signal WE bar becomes "high" level at time T2, and the display data is written in the RAM4. Further, when the write signal WE bar becomes "low" level at time T1, the trigger signal TRI from the display read signal generating circuit section 30 to the determination flag signal generating circuit section 40.
Depending on G and the display read signal LBE, the pulse width of the display read signal LBE is determined by the delay circuit inside the determination flag signal generation circuit unit 40 to determine whether the display read is completed or not completed during the period from time T3 ″ to T1. Judgment is made by comparing with the delay time of 1., and if it is not completed, a judgment flag is set, that is, the judgment flag signal FLAG from the judgment flag signal generating circuit section 40 to the control section 10 becomes “high” level, and the display data The display read command is made to wait until the time T2 when the writing to the RAM 4 ends, and when the determination flag signal FLAG is at the "high" level, the write signal WE bar becomes the "high" level after the time T2. The conflict between the write command and the display read is eliminated, and the reset signal RES to the display read signal generation circuit section 30 is also displayed. At time T4 when it goes high
It goes to "low" level. As a result, the display read signals LAC bar and LAC1 bar become "low" level, the display read signal LBE and the trigger signal TRIG become "high" level, and the display data is displayed and read from the RAM 4 until the time T4. .

【0030】以上に説明したように、表示制御半導体集
積回路101に内蔵のシングルポートRAM4を介し
て、内部に具備された内部同期制御回路5によりCPU
2と表示パネル3間の表示データ転送制御を行う際、C
PU2へレディ信号を出力することなく、ライト/リー
ド命令と表示リード命令との競合、非競合に拘わらず、
常にCPU2側からのライト/リード命令を表示リード
命令より優先させることができ、CPU2側の制御系の
負荷を軽くすることができるとともに、ライト/リード
と表示リードとのサイクルタイムも短くすることができ
る。
As described above, the CPU is controlled by the internal synchronous control circuit 5 provided inside through the single port RAM 4 built in the display control semiconductor integrated circuit 101.
When controlling the display data transfer between the display 2 and the display panel 3, C
Without outputting a ready signal to PU2, regardless of the conflict / non-conflict between the write / read command and the display read command,
The write / read command from the CPU 2 side can always be prioritized over the display read command, the load on the control system on the CPU 2 side can be reduced, and the cycle time between write / read and display read can be shortened. it can.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明によれば、本発明のシングルポー
トRAM内蔵の表示制御半導体集積回路によれば、CP
Uに対してレディ信号を出力することなく、CPUから
のライト/リード命令を表示リード命令より常時優先さ
せることができ、CPU側の制御系の負荷を軽くするこ
とができるとともに、ライト/リードと表示リードとの
サイクルタイムも短くすることができる。
According to the present invention, according to the display control semiconductor integrated circuit incorporating the single port RAM of the present invention, the CP
The write / read command from the CPU can always be prioritized over the display read command without outputting a ready signal to U, and the load on the control system on the CPU side can be reduced and write / read can be performed. The cycle time with the display lead can also be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例の表示制御半導体集積回路
が用いられる表示装置の概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a display device using a display control semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の表示制御半導体集積回路による表示デ
ータ転送制御方式を説明するタイムチャート。
FIG. 2 is a time chart explaining a display data transfer control method by the display control semiconductor integrated circuit of FIG.

【図3】 図1の表示制御半導体集積回路に具備される
内部同期制御回路の一例を示す回路図。
3 is a circuit diagram showing an example of an internal synchronization control circuit included in the display control semiconductor integrated circuit of FIG.

【図4】 図3の内部同期制御回路を構成する制御部の
一例を示す回路図。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a control unit that constitutes the internal synchronization control circuit of FIG.

【図5】 図3の内部同期制御回路を構成する表示リー
ド信号発生回路部の一例を示す回路図。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a display read signal generation circuit section which constitutes the internal synchronization control circuit of FIG.

【図6】 図3の内部同期制御回路を構成する判定フラ
グ信号発生回路部の一例を示す回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a determination flag signal generation circuit section that constitutes the internal synchronization control circuit of FIG.

【図7】 ライト命令と表示リード命令との非競合時の
図3の内部同期制御回路の動作を説明するタイムチャー
ト。
7 is a time chart explaining the operation of the internal synchronization control circuit of FIG. 3 when there is no contention between a write command and a display read command.

【図8】 ライト命令と表示リード命令との競合時(ラ
イト命令中に表示リード命令が生じた場合)の図3の内
部同期制御回路の動作を説明するタイムチャート。
8 is a time chart explaining the operation of the internal synchronization control circuit of FIG. 3 when a write command and a display read command conflict (when a display read command occurs during a write command).

【図9】 ライト命令と表示リード命令との競合時(表
示リード命令中にライト命令が生じた場合)の図3の内
部同期制御回路の動作を説明するタイムチャート。
9 is a time chart explaining the operation of the internal synchronization control circuit of FIG. 3 when a write command and a display read command conflict (when a write command occurs during the display read command).

【図10】 従来の表示制御半導体集積回路が用いられ
る表示装置の概略構成図。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a display device in which a conventional display control semiconductor integrated circuit is used.

【図11】 図10の表示制御半導体集積回路による表
示データ転送制御方式を説明するタイムチャート。
11 is a time chart explaining a display data transfer control method by the display control semiconductor integrated circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 CPU 3 表示パネル 4 シングルポートRAM 5 内部同期制御回路 10 制御部 30 表示リード信号発生回路部 40 判定フラグ信号発生回路部 101 表示制御半導体集積回路 2 CPU 3 display panel 4 single port RAM 5 Internal synchronization control circuit 10 Control unit 30 Display read signal generation circuit 40 Judgment flag signal generation circuit section 101 Display control semiconductor integrated circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】CPUと表示パネル間の表示データ転送制
御に用いられるシングルポートRAMを内蔵した表示制
御半導体集積回路において、 内部同期制御回路を有し、CPUからの命令によりCP
U側からRAMへの表示データの書込みアクセスまたは
RAMからCPU側への読出しアクセスを行い、前記C
PUからの命令とは非同期に内部クロック同期による内
部命令によりRAMから表示パネル側への表示データの
読出しアクセスを行う際、前記各命令間の競合、非競合
に拘わらず、CPUへレディ信号を出力することなく、
前記内部同期制御回路により常にCPU側からの命令を
優先させることを特徴とした表示制御半導体集積回路。
1. A display control semiconductor integrated circuit having a built-in single-port RAM used for controlling display data transfer between a CPU and a display panel, having an internal synchronous control circuit, and having a CP from an instruction from the CPU.
From the U side, write access of the display data to the RAM or the read access from the RAM to the CPU side is performed.
When the read access of the display data from the RAM to the display panel side is performed by the internal instruction by the internal clock synchronization asynchronously with the instruction from the PU, the ready signal is output to the CPU regardless of the conflict or non-conflict between the respective instructions. Without doing
A display control semiconductor integrated circuit characterized in that the internal synchronization control circuit always gives priority to a command from the CPU side.
【請求項2】前記内部同期制御回路が、前記CPU側か
らの命令を前記内部命令より優先させるように制御する
制御部と、制御部からの信号に基づき、RAMから表示
パネル側への表示データの読出しアクセスを行う表示リ
ード信号を生成する表示リード信号発生回路部と、表示
リード信号発生回路部からの信号に基づき、前記内部命
令中に前記CPU側からの命令の競合があった場合、そ
の時点で内部命令による表示データの読出しアクセスが
終了しているかどうかの判定を行い、終了していない場
合、前記CPU側からの命令の終了後に前記内部命令に
よる表示データの再読出しアクセスを行うように、前記
制御部への判定フラグ信号を生成する判定フラグ信号発
生回路部とを具備することを特徴とした請求項1記載の
表示制御半導体集積回路。
2. A control section for controlling the internal synchronization control circuit to give priority to an instruction from the CPU side over the internal instruction, and display data from the RAM to a display panel side based on a signal from the control section. When there is a conflict between the instructions from the CPU side in the internal instructions based on the signal from the display read signal generating circuit section for generating the display read signal for read access of At this point, it is determined whether or not the display data read access by the internal instruction is completed, and if it is not completed, the display data re-read access by the internal instruction is executed after the instruction from the CPU side is completed. 2. A display control semiconductor device as set forth in claim 1, further comprising: a determination flag signal generation circuit unit that generates a determination flag signal to the control unit. Circuit.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004103A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Video signal processing circuit, control method of video signal processing circuit, and integrated circuit
CN100353414C (en) * 2006-01-20 2007-12-05 西北工业大学 Method of design of control circuit in static storage in LCD drive chipset
CN100405456C (en) * 2004-04-07 2008-07-23 夏普株式会社 display control circuit
CN101944348A (en) * 2009-07-06 2011-01-12 瑞萨电子株式会社 The method of display device and test display device
JP2018010338A (en) * 2016-07-11 2018-01-18 セイコーエプソン株式会社 Circuit device and electronic apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004103A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Video signal processing circuit, control method of video signal processing circuit, and integrated circuit
US7675522B2 (en) 2003-07-04 2010-03-09 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Video signal processing circuit, control method of video signal processing circuit, and integrated circuit
CN100405456C (en) * 2004-04-07 2008-07-23 夏普株式会社 display control circuit
US7460127B2 (en) 2004-04-07 2008-12-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display control circuit
CN100353414C (en) * 2006-01-20 2007-12-05 西北工业大学 Method of design of control circuit in static storage in LCD drive chipset
CN101944348A (en) * 2009-07-06 2011-01-12 瑞萨电子株式会社 The method of display device and test display device
JP2018010338A (en) * 2016-07-11 2018-01-18 セイコーエプソン株式会社 Circuit device and electronic apparatus

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