JP2003288055A - Display device and driving method thereof - Google Patents
Display device and driving method thereofInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
や薄膜EL(Electro Luminescence)ディスプレイな
ど、スイッチング素子と電気光学素子とを組み合わせた
表示装置の階調駆動方法、その階調駆動方法を実現する
為の画素回路構成を有する表示装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is to realize a gradation driving method for a display device such as a liquid crystal display or a thin film EL (Electro Luminescence) display which combines a switching element and an electro-optical element, and a gradation driving method therefor. The present invention relates to a display device having the pixel circuit configuration of.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、平板型有機ディスプレイの研究開
発が活発に行われている。特に、有機EL(Electro Lu
minescence)ディスプレイは、低消費電力化が可能な自
発光型のディスプレイとして普及が期待されている。2. Description of the Related Art In recent years, research and development of flat panel organic displays have been actively conducted. In particular, organic EL (Electro Lu
minescence) display is expected to become popular as a self-luminous display capable of reducing power consumption.
【0003】この有機ELディスプレイは、単純マトリ
ックス型から商品化が始まったが、将来はアクティブマ
トリックス型が主流になると考えられている。これは、
有機ELの印加電圧−発光効率特性が低輝度・低電圧側
で高発光効率となり、高輝度・高電圧側で低発光効率と
なるので、低消費電力化・長寿命化の観点から、常時低
輝度で発光させるアクティブマトリックス型が、走査線
数分の1の時間に高輝度で発光させる単純マトリックス
型より有利となる為である。This organic EL display has been commercialized as a simple matrix type, but it is considered that the active matrix type will become the mainstream in the future. this is,
The applied voltage-luminous efficiency characteristics of the organic EL are high luminous efficiency on the low luminance side and low voltage side, and low luminous efficiency on the high luminance side and high voltage side. Therefore, from the viewpoint of low power consumption and long life, it is always low. This is because the active matrix type, which emits light with brightness, is more advantageous than the simple matrix type, which emits light with high brightness in a time period corresponding to one scan line.
【0004】アクティブマトリックス型の画素は常に発
光可能であるが、単純マトリックス型の画素は走査線数
分の1の時間しか発光できない。その為、両者で同等の
輝度を得ようとすれば、単純マトリックス型の各画素は
アクティブマトリックス型の各画素の走査線数倍の時間
で発光する必要がある。各画素の発光時間×発光輝度は
一定でも、有機ELでは、その発光輝度を得るための発
光効率が高輝度側で低下するので、アクティブマトリッ
クス型の発光効率の方が良くなる。The active matrix type pixel can always emit light, but the simple matrix type pixel can emit light only for a period of time which is a fraction of the number of scanning lines. Therefore, in order to obtain the same brightness, the simple matrix type pixels need to emit light in a time that is several times as many scanning lines as the active matrix type pixels. Even if the light emission time of each pixel x the light emission brightness is constant, in the organic EL, the light emission efficiency for obtaining the light emission brightness is reduced on the high brightness side, and therefore the active matrix type light emission efficiency is better.
【0005】このアクティブマトリックス型有機ELデ
ィスプレイ用のアクティブ素子は、アモルファスシリコ
ンTFT(薄膜トランジスタ)であっても駆動可能であ
るが、有機ELを駆動する為に必要な電流量をより小型
のTFTで実現できる、(TFTの移動度が高い)単結
晶シリコンTFTやポリシリコンTFTやCG(Contin
uous Grain)シリコンTFTが好まれる。特に、直視型
ディスプレイ用としてガラス基板上に形成できる低温ポ
リシリコンTFTやCGシリコンTFTが好まれてい
る。The active element for this active matrix type organic EL display can be driven even by an amorphous silicon TFT (thin film transistor), but the amount of current required to drive the organic EL is realized by a smaller TFT. Yes, single crystal silicon TFT (high TFT mobility), polysilicon TFT, CG (Contin
uous Grain) Silicon TFT is preferred. In particular, low-temperature polysilicon TFTs and CG silicon TFTs that can be formed on a glass substrate for direct view displays are preferred.
【0006】この低温ポリシリコンTFTやCGシリコ
ンTFTを用いたアクティブマトリックス型有機ELの
基本回路は、図19に示すように、2つのTFT素子T
1,T2と、コンデンサC1と、有機EL素子EL1と
を含んで構成される。この基本回路では、ゲート線Gi
を介して供給されるゲート端子制御信号によってTFT
素子T1が導通すると、ソース端子線Siを介して供給
されるデータ信号がTFT素子T1からTFT素子T2
のゲート端子に与えられる。これにより、TFT素子T
2が導通すると、電源配線PSを介して供給される電源
電圧がTFT素子2を通して有機EL素子EL1に与え
られ、有機EL素子ELが発光する。また、TFT素子
T2のソース端子・ゲート端子間の電圧がコンデンサC
1によって保持されるので、有機EL素子EL1は発光
状態を維持できる。As shown in FIG. 19, a basic circuit of an active matrix type organic EL using the low temperature polysilicon TFT and the CG silicon TFT has two TFT elements T.
1, T2, a capacitor C1, and an organic EL element EL1. In this basic circuit, the gate line Gi
By the gate terminal control signal supplied via
When the element T1 becomes conductive, the data signal supplied through the source terminal line Si is transferred from the TFT element T1 to the TFT element T2.
Given to the gate terminal of. As a result, the TFT element T
When 2 becomes conductive, the power supply voltage supplied via the power supply wiring PS is applied to the organic EL element EL1 through the TFT element 2, and the organic EL element EL emits light. In addition, the voltage between the source terminal and the gate terminal of the TFT element T2 is the capacitor C
Since it is held by 1, the organic EL element EL1 can maintain the light emitting state.
【0007】ところで、この基本回路において、TFT
素子T2(駆動用TFT)が有機EL素子EL1と直列
に配置されている。それゆえ、この基本回路では、TF
T素子T2の閾値特性・移動度がばらつけば、同一の電
圧をコンデンサC1へ設定しても、有機EL素子を流れ
る電流値がばらつくので、画素の輝度がばらつくという
問題を抱える。In this basic circuit, the TFT
The element T2 (driving TFT) is arranged in series with the organic EL element EL1. Therefore, in this basic circuit, TF
If the threshold characteristics and mobility of the T element T2 vary, even if the same voltage is set to the capacitor C1, the value of the current flowing through the organic EL element varies, so there is a problem that the brightness of the pixel varies.
【0008】そこで、コンデンサC1へ与える電圧を、
TFT素子T2が充分低抵抗状態(導通状態)となる電
圧と、非導通状態となる電圧との2値電圧に設定し、T
FT素子T2の閾値特性・移動度がばらついても、導通
状態において有機EL素子を流れる電流値がTFTの特
性ばらつきに依存しない表示輝度を得ることが考えられ
る。そして、1フレーム期間内に複数回走査を行い、各
走査において設定する2値電圧値を独立に設定すること
で、多階調表示を得ることが考えられる。この駆動方法
は、時間分割階調駆動方法または時分割階調駆動方法と
呼ばれる。Therefore, the voltage applied to the capacitor C1 is
The TFT element T2 is set to a binary voltage of a voltage in which it is in a sufficiently low resistance state (conduction state) and a voltage in which it is in a non-conduction state.
Even if the threshold characteristics and the mobility of the FT element T2 vary, it is conceivable that the current value flowing through the organic EL element in the conductive state does not depend on the characteristic variation of the TFT to obtain display brightness. Then, it is conceivable to perform multi-gradation display by performing scanning a plurality of times within one frame period and independently setting the binary voltage values set in each scanning. This driving method is called a time division gradation driving method or a time division gradation driving method.
【0009】このような時間分割階調駆動方法として、
SID'00 Digest pp.924-927 において、“4.0-in. TFT-O
LED Displays and a Novel Digital Driving Method”
として半導体エネルギー研究所により発表された駆動方
法が提案されている。この文献に記載された回路構成を
図20に示し、その駆動方法を図21に示す。As such a time division gradation driving method,
In SID'00 Digest pp.924-927, "4.0-in. TFT-O
LED Displays and a Novel Digital Driving Method ”
The driving method announced by the Semiconductor Energy Laboratory is proposed. The circuit configuration described in this document is shown in FIG. 20, and its driving method is shown in FIG.
【0010】この回路は、図20に示すように、図19
の回路にTFT素子T3を加えて構成されている。TF
T素子T2は、ゲート端子が選択線Eiと接続され、ソ
ース端子がTFT素子T2のゲート端子に接続され、ド
レイン端子が電源配線PSに接続されている。This circuit, as shown in FIG.
The circuit is formed by adding a TFT element T3. TF
The T element T2 has a gate terminal connected to the selection line Ei, a source terminal connected to the gate terminal of the TFT element T2, and a drain terminal connected to the power supply line PS.
【0011】この回路による駆動方法でも、図21に示
すように、1フレーム期間内に複数回走査(この例では
4回)を行い、各走査において設定される2値表示の値
を独立に設定可能とする時間分割階調表示を行う。この
とき、上記のTFT素子T3が、コンデンサC1の電位
を初期化させ(TFT素子T2のゲート端子・ソース端
子間電圧をTFT素子T2が非導通状態となるように変
化させ)ることによって、上記の走査とは独立に消去走
査(a)〜(c)を行っている。また、図21の各走査
(1)〜(4)において、走査(1)〜(4)毎に設定
された階調データの重みに従って発光期間が設定され
る。Also in the driving method by this circuit, as shown in FIG. 21, scanning is performed a plurality of times (four times in this example) within one frame period, and the binary display value set in each scanning is independently set. The possible time division gradation display is performed. At this time, the TFT element T3 initializes the potential of the capacitor C1 (changes the voltage between the gate terminal and the source terminal of the TFT element T2 so that the TFT element T2 becomes non-conductive). The erasing scans (a) to (c) are carried out independently of the above scanning. Further, in each of the scans (1) to (4) in FIG. 21, the light emission period is set according to the weight of the gradation data set for each of the scans (1) to (4).
【0012】これにより、駆動用TFTの閾値特性・移
動度がばらついても、有機EL素子EL1を流れる電流
値がばらつきにくく、非発光期間の少ない時間分割階調
表示を得ている。As a result, even if the threshold characteristics and the mobility of the driving TFT vary, the value of the current flowing through the organic EL element EL1 is less likely to vary, and a time-division gradation display with a short non-light emitting period is obtained.
【0013】また、上記駆動用TFTの閾値特性・移動
度のばらつき対策として、三洋電機により、EL'00 pp.3
47-352 において、“Active Matrix OLED Displays wit
h Low-Temperature Poly-Si TFT ”として発表されたの
が、図22示す回路構成である。As a countermeasure against the variation in the threshold characteristics and the mobility of the driving TFT, Sanyo Electric Co., Ltd. proposed EL'00 pp.3.
47-352, "Active Matrix OLED Displays wit
The circuit configuration shown in FIG. 22 was announced as "Low-Temperature Poly-Si TFT".
【0014】この回路構成では、有機EL素子EL2に
直列に接続された駆動用TFTとして複数のTFT素子
T5,T6が並列に配置されており、TFT素子T4を
経たデータ信号をTFT素子T5,T6に与えるととも
に、TFT素子T5,T6のソース端子・ゲート端子間
電圧をコンデンサC2で保持する。この回路構成では、
コンデンサC2による電圧保持で各TFT素子T5,T
6のばらつきの影響を抑えている。In this circuit configuration, a plurality of TFT elements T5 and T6 are arranged in parallel as driving TFTs connected in series to the organic EL element EL2, and the data signal passed through the TFT element T4 is transferred to the TFT elements T5 and T6. And the voltage between the source terminal and the gate terminal of the TFT elements T5 and T6 is held by the capacitor C2. With this circuit configuration,
By holding the voltage by the capacitor C2, each TFT element T5, T
The influence of the variation of 6 is suppressed.
【0015】仮に、図19の回路構成で、TFT素子T
2の特性が許容誤差以上にばらつくことによって基準以
上の輝度誤差を生じる確率をα(α<1)とする。一
方、図22の回路構成では、TFT素子T5,T6の特
性が共に許容誤差以上にばらつかない限り、輝度誤差が
基準以内に収まる。即ち、図22の回路構成では、基準
以上の輝度誤差を生じる確率をα2(α<1なのでα2<
α)とすることができる。Assuming that the TFT element T has the circuit configuration shown in FIG.
Let α (α <1) be the probability that a luminance error equal to or higher than the reference will occur due to the variation of the characteristic 2 above the allowable error. On the other hand, in the circuit configuration of FIG. 22, the luminance error is within the reference unless the characteristics of the TFT elements T5 and T6 both vary more than the allowable error. That is, in the circuit configuration of FIG. 22, the probability of causing a luminance error above the reference is α 2 (α <1, so α 2 <
α).
【0016】さらに、上記駆動用TFTの閾値特性・移
動度のばらつき対策として、ソニーにより、Asia Displ
ay/IDW'01 pp.1395-1398において、“Pixel-Driving Me
thodfor Large-Size Poly-Si AM-OLED Displays”とし
て提案されたのが図23に示す回路構成である。Furthermore, as a countermeasure against the variation in the threshold characteristics and the mobility of the driving TFT, Sony has made Asia Displ
In ay / IDW'01 pp.1395-1398, “Pixel-Driving Me
The circuit configuration shown in FIG. 23 was proposed as "thodfor Large-Size Poly-Si AM-OLED Displays".
【0017】この回路構成では、有機EL素子EL3に
直列に接続された駆動用TFTとしてのTFT素子T1
0と並列にTFT素子T9が設けられ、スイッチング素
子としてのTFT素子T7から供給されるデータ信号を
TFT素子T8を経てTFT素子9,10のゲート端子
に与える。TFT素子T8のゲート端子は、選択線Ei
に接続されている。また、TFT素子T9,10のソー
ス端子・ゲート端子間電圧は、コンデンサC3によって
保持される。In this circuit configuration, the TFT element T1 as a driving TFT connected in series with the organic EL element EL3.
A TFT element T9 is provided in parallel with 0, and a data signal supplied from the TFT element T7 as a switching element is applied to the gate terminals of the TFT elements 9 and 10 via the TFT element T8. The gate terminal of the TFT element T8 has a selection line Ei.
It is connected to the. Further, the voltage between the source terminal and the gate terminal of the TFT elements T9 and T10 is held by the capacitor C3.
【0018】上記の回路構成では、TFT素子T7が導
通状態のとき、TFT素子T8も導通状態になること
で、コンデンサC3の電位を、TFT素子T8がソース
端子線Sjで設定された電流を流す電圧となるように自
動的に設定する。そして、カレントミラー回路を構成す
るTFT素子T9,T10によって、TFT素子T9に
設定された電流値に比例した電流値を、TFT素子T1
0側に流すように構成している。In the above circuit configuration, when the TFT element T7 is conductive, the TFT element T8 is also conductive, so that the potential of the capacitor C3 and the TFT element T8 flow the current set by the source terminal line Sj. Automatically set to voltage. Then, by the TFT elements T9 and T10 forming the current mirror circuit, a current value proportional to the current value set in the TFT element T9 is applied to the TFT element T1.
It is configured to flow to the 0 side.
【0019】[0019]
【発明が解決しようとする課題】しかし、低温ポリシリ
コンやCGシリコンで形成したTFT素子では、隣接す
るTFT素子が、同じ単結晶領域に形成されるか、異な
る単結晶領域に形成されるか、あるいは2つの単結晶領
域の間に形成されるかを制御できない。従って、隣接す
るTFT素子の特性が揃うのか、ばらつくのかを制御で
きないことになる。However, in a TFT element formed of low temperature polysilicon or CG silicon, whether adjacent TFT elements are formed in the same single crystal region or different single crystal regions, Alternatively, it cannot be controlled whether it is formed between two single crystal regions. Therefore, it is impossible to control whether the characteristics of the adjacent TFT elements are uniform or vary.
【0020】このため、図22に示す回路構成では、T
FT素子T5,T6の特性がばらつくときには有効であ
るが、その特性が揃っているときには有効ではないとい
う問題がある。逆に、図23に示す回路構成では、TF
T素子T9,T10の特性が揃っているときには有効で
あるが、ばらつくときには有効ではないという問題があ
る。Therefore, in the circuit configuration shown in FIG.
This is effective when the characteristics of the FT elements T5 and T6 vary, but is not effective when the characteristics are uniform. On the contrary, in the circuit configuration shown in FIG.
There is a problem that it is effective when the characteristics of the T elements T9 and T10 are uniform, but not effective when they vary.
【0021】上記の問題から、駆動用TFTの閾値特性
・移動度がばらついても、有機ELの発光輝度が駆動用
TFTの特性ばらつきに依存しない時間分割階調表示方
法が有効である。Due to the above problems, the time-division gray scale display method is effective in which the light emission luminance of the organic EL does not depend on the characteristic variation of the driving TFT even if the threshold characteristic / mobility of the driving TFT varies.
【0022】しかし、時間分割階調表示方法を用いたP
DP(プラズマディスプレイパネル)では、御子柴によ
り、IDW'96 pp.251-254において、“Dynamic False Con
tours on PDPs - Fatal or Curable?”として発表され
たように、動画偽輪郭が発生するという問題がある。こ
の動画偽輪郭の発生原理を図24を用いて説明する。However, P using the time division gradation display method
For DP (Plasma Display Panel), Mikoshiba describes “Dynamic False Cons” in IDW'96 pp.251-254.
There is a problem that a moving image false contour is generated as announced as “tours on PDPs-Fatal or Curable?”. The principle of generating this moving image false contour will be described with reference to FIG.
【0023】16階調表示を行う為に1フレーム期間を
1:2:4:8の時間幅比の4つのサブフィールドに分
割した場合、非発光状態を0階調目とし、全発光状態を
15階調目とすれば、7階調目を表示している画素と8
階調目を表示している画素とでは、発光している時間帯
が重ならない。例えば、画素1が時間幅比1:2:4の
サブフィールド期間に発光して7階調目を表示する一
方、画素5が時間幅8のサブフィールド期間に発光して
8階調目を表示している。しかし、この2つの表示期間
は時間的には重なっていない。When one frame period is divided into four subfields having a time width ratio of 1: 2: 4: 8 for displaying 16 gradations, the non-emission state is set to the 0th gradation and the entire emission state is set. If the 15th gradation is used, the pixels displaying the 7th gradation
The time period during which light is emitted does not overlap with the pixel displaying the gradation. For example, pixel 1 emits light in the subfield period with a time width ratio of 1: 2: 4 to display the 7th gradation, while pixel 5 emits light in the subfield period with a time width of 8 to display the 8th gradation. is doing. However, these two display periods do not overlap in time.
【0024】従って、図24の矢印A1〜A6のよう
に、7階調目の背景において8階調目の表示物体が2画
素/フレームの速度で移動する場合、人間の視線はその
移動方向(同矢印方向)に移動する。このとき、矢印A
2や矢印A5のように、その視線が7階調目の発光期間
と8階調目の発光期間との両方を通過するので、表示物
体の移動方向に8階調目の表示より大幅に大きな階調表
示が見えたり、逆に非発光期間を通り7階調目の表示よ
り大幅に小さな階調が見える。このような現象は、一般
に動画偽輪郭と呼ばれている。Therefore, as shown by arrows A1 to A6 in FIG. 24, when the display object at the 8th gradation moves at a speed of 2 pixels / frame in the background at the 7th gradation, the line of sight of the human is the moving direction ( Move in the direction of the arrow). At this time, arrow A
As indicated by 2 and arrow A5, the line of sight passes through both the light emitting period of the 7th gradation and the light emitting period of the 8th gradation, which is significantly larger than the display of the 8th gradation in the moving direction of the display object. Gradation display can be seen, or conversely, a gradation much smaller than that of the 7th gradation display can be seen through the non-light emitting period. Such a phenomenon is generally called a moving image false contour.
【0025】なお、現在市販されているPDPでは、上
記の動画偽輪郭を目立たなくするため、上位ビットのサ
ブフレームを複数に分割したり(例えば、1:2:4:
4:4など)、蛍光体の残光時間を長くたりしている。In the PDP currently on the market, in order to make the above-mentioned moving picture false contour inconspicuous, the sub-frame of the upper bit is divided into a plurality of sub-frames (for example, 1: 2: 4:
4: 4), and the afterglow time of the phosphor is increased.
【0026】これに対し、有機ELや液晶を用いた時分
割階調表示方法でも同様の対応を取ることによって、動
画偽輪郭を目立たなくすることは可能であるが、サブフ
レーム期間を分割すると、それだけサブフレーム数が増
えるので、走査周波数が増加するとう問題がある。ま
た、この駆動周波数の増大は、駆動回路の消費電力増大
を招来するという新たな問題を生じさせる。On the other hand, it is possible to make the false contour of the moving image inconspicuous by taking the same correspondence in the time division gradation display method using the organic EL or liquid crystal, but if the subframe period is divided, Since the number of subframes increases, the scanning frequency increases. Further, the increase of the driving frequency causes a new problem of increasing the power consumption of the driving circuit.
【0027】また、有機ELの残光時間は極めて短いの
で、蛍光体のように残光時間を調整する方法は確立され
ていない。例えば、1次励起発光を有機ELで行い、そ
の1次励起発光を用いて2次励起発光を行い、その2次
励起発光用の物質の残光時間特性を調整する等の方法が
考えられるものの、これらは実現に至っていない。Further, since the afterglow time of the organic EL is extremely short, a method for adjusting the afterglow time like a phosphor has not been established. For example, a method is conceivable in which primary excitation light emission is performed by an organic EL, secondary excitation light emission is performed using the primary excitation light emission, and the afterglow time characteristic of the substance for the secondary excitation light emission is adjusted. , These have not been realized.
【0028】なお、液晶を同様に時間分割階調駆動して
も、液晶の応答速度が元々遅いので、残光時間を長くし
たのと同様の効果が発生し、動画偽輪郭は目立たないと
考えられる。しかし、液晶のような容量性負荷を1フレ
ーム期間中に何度も充放電させることは、消費電力の増
加をもたらすので好ましくない。Even if the liquid crystal is driven in the time-division gray scale, the response speed of the liquid crystal is originally slow, so that the same effect as if the afterglow time is lengthened occurs and the false contour of the moving image is not conspicuous. To be However, it is not preferable to charge and discharge a capacitive load such as a liquid crystal many times during one frame period because it increases power consumption.
【0029】このような問題は、図19、図20、図2
2および図23に示すように、画素にコンデンサC1〜
C3を配置した有機ELでも同様に発生するが、この問
題も含め、上記では駆動回路の消費電力が増大するとい
う問題として捉えている。Such a problem is caused by the problems shown in FIGS.
2 and FIG. 23, capacitors C1 to
The same problem occurs in the organic EL in which C3 is arranged, but including this problem, the above is regarded as a problem that the power consumption of the drive circuit increases.
【0030】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、駆動用TFTの閾値特性・移動度のばらつ
き対策として、時間分割階調表示方法を用いながら、駆
動周波数の増大を招かずに動画偽輪郭を目立たなくする
時間分割階調駆動方法、およびその回路構成を備えた表
示装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances. As a countermeasure against the variation in the threshold characteristics and the mobility of the driving TFT, the driving frequency is increased while using the time division gray scale display method. An object of the present invention is to provide a time-division grayscale driving method that makes a false contour of a moving image inconspicuous without fail, and a display device having the circuit configuration thereof.
【0031】[0031]
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、上
記の課題を解決するために、電気的に光輝度を制御する
電気光学素子と、入力された光輝度制御用の表示信号を
導通状態で電気光学素子に与える第1のスイッチング素
子と、該第1のスイッチング素子を導通または非導通さ
せるためのスイッチング信号を前記第1のスイッチング
素子に供給する第1の配線と、前記表示信号を前記スイ
ッチング素子に供給する第2の配線とを備えた表示装置
であって、前記電気光学素子の電位を保持する第1の電
位保持手段と、前記第1の電位保持手段の保持電位をリ
セットするためのリセット電源に前記第1の電位保持手
段を接続または非接続させる第2のスイッチング素子
と、該第2のスイッチング素子の導通状態制御端子の電
位を保持する第2の電位保持手段と、該第2の電位保持
手段の保持電位を制御する保持電位制御手段とを備えて
いることを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a display device of the present invention conducts an electro-optical element for electrically controlling the light brightness and an input display signal for controlling the light brightness. A first switching element which is applied to the electro-optical element in a state, a first wiring which supplies a switching signal for conducting or non-conducting the first switching element to the first switching element, and the display signal A display device comprising: a second wiring supplied to the switching element, wherein a first potential holding means for holding a potential of the electro-optical element and a holding potential of the first potential holding means are reset. And a second switching element for connecting or disconnecting the first potential holding means to a reset power supply for holding the potential of a conduction state control terminal of the second switching element. A position holding means is characterized by comprising a holding potential control means for controlling the holding potential of the second potential holding means.
【0032】上記の構成では、電気光学素子が、例え
ば、有機EL素子のような自発光型素子(図2、図5、
図11のEL4や図14のEL5)や、容量性光学素子
である液晶素子(図4、図8のLCD1)からなる。第
1の電位保持手段は、電気光学素子が自発光型素子であ
れば、コンデンサのような容量性素子(図2、図4、図
5、図8、図11のC4や図14のC6)である。一
方、電気光学素子が容量性光学素子であれば、自身(図
4、図8のLCD1)が第1の電位保持手段を兼ねる。
また、第1のスイッチング素子は、TFT素子(図2、
図4、図5、図8、図11のT11や図14のT21)
からなっている。さらに、第2のスイッチング素子は、
例えばTFT素子(図2、図4、図5、図8、図11の
T13や図14のT23)からなり、その導通状態制御
端子(ゲート端子)に接続される第2の電位保持手段
は、例えば、容量性素子(図2、図4、図5、図8、図
11のC5や図14のC7)からなる。In the above structure, the electro-optical element is a self-luminous element such as an organic EL element (see FIGS. 2 and 5).
11 and EL5 in FIG. 14) and a liquid crystal element (LCD 1 in FIGS. 4 and 8) which is a capacitive optical element. If the electro-optical element is a self-luminous element, the first potential holding means is a capacitive element such as a capacitor (C4 in FIGS. 2, 4, 5, 8 and 11 and C6 in FIG. 14). Is. On the other hand, if the electro-optical element is a capacitive optical element, itself (LCD 1 in FIGS. 4 and 8) also serves as the first potential holding unit.
The first switching element is a TFT element (see FIG. 2,
(T11 in FIGS. 4, 5, 8 and 11 and T21 in FIG. 14)
It consists of Further, the second switching element is
For example, the second potential holding means formed of a TFT element (T13 in FIGS. 2, 4, 5, 8 and 11 or T23 in FIG. 14) and connected to the conduction state control terminal (gate terminal) is For example, it is composed of a capacitive element (C5 in FIGS. 2, 4, 5, 8, 11 and C7 in FIG. 14).
【0033】上記の構成においては、第2のスイッチン
グ素子が非導通状態となることによって、第1の電位保
持手段がリセット電源から切り離されて、第1の電位保
持手段の保持電位がセットされる。逆に、第2のスイッ
チング素子が導通状態となることによって、第1の電位
保持手段がリセット電源に接続されて、第1の電位保持
手段の保持電位がリセットされる。これにより、電気光
学素子の表示状態のセットまたはリセット状態が第2の
スイッチング手段の動作によって切り替えられる。In the above structure, the second switching element is brought into the non-conducting state, whereby the first potential holding means is disconnected from the reset power supply, and the holding potential of the first potential holding means is set. . On the contrary, when the second switching element becomes conductive, the first potential holding means is connected to the reset power supply, and the holding potential of the first potential holding means is reset. Accordingly, the display state set or reset state of the electro-optical element is switched by the operation of the second switching means.
【0034】また、第2のスイッチング手段の導通状態
制御端子の電位は、第2の電位保持手段によって保持さ
れているが、その保持電位は保持電位制御手段によって
制御されている。これにより、第2のスイッチング手段
の導通状態制御端子の電位が、保持電位の制御によって
制御されるので、第2のスイッチング手段は、電位制御
手段によって導通または非導通が制御される。それゆ
え、電気光学素子の動作をセットまたはリセットするタ
イミングを、第2の電位保持手段の保持電位によって制
御することが可能となる。The potential of the conduction state control terminal of the second switching means is held by the second potential holding means, and the holding potential is controlled by the holding potential control means. Thus, the potential of the conduction state control terminal of the second switching means is controlled by controlling the holding potential, so that the potential control means controls conduction or non-conduction of the second switching means. Therefore, the timing for setting or resetting the operation of the electro-optical element can be controlled by the holding potential of the second potential holding means.
【0035】このことで、1階調表示レベルが増加すれ
ば1階調分表示期間が長くなる時間分割階調表示(時間
分割アナログ階調表示)を実現することができる。As a result, it is possible to realize time-division gradation display (time-division analog gradation display) in which the display period for one gradation becomes longer as the gradation display level increases.
【0036】このような時間分割アナログ階調表示で
は、隣接する階調間で表示期間が総て重なる(低階調の
表示期間が高階調の表示期間に総て重なる)ので、動画
偽輪郭の発生が殆どない階調表示を実現することができ
る。In such a time-division analog gray scale display, since the display periods are all overlapped between the adjacent gray scales (the low gray scale display period is entirely overlapped with the high gray scale display period), the false contour of the moving image is generated. It is possible to realize gradation display with almost no occurrence.
【0037】しかも、各期間では輝度制御状態として表
示または非表示の2つの状態しか持たないので、電気光
学素子として有機EL素子を用いた場合に、同電気光学
素子を駆動する駆動用アクティブ素子(図2等のTFT
12)の閾値特性や移動度のばらつきの影響の少ない階
調表示が得られる。Moreover, since there are only two states of display or non-display as the brightness control state in each period, when an organic EL element is used as the electro-optical element, a driving active element (for driving the electro-optical element). TFT such as Figure 2
It is possible to obtain gradation display that is less affected by the threshold characteristic of 12) and the variation in mobility.
【0038】上記の表示装置においては、前記電位制御
手段が、保持電位を制御するための保持電位制御電圧を
第3の配線(例えば、図2等のGRAYi)に出力し、
前記第2の電位保持手段が容量性素子(図2、図4、図
5、図8、図11のC5や図14のC7)であり、その
一方の端子が前記第2のスイッチング素子の導通状態制
御端子に接続され、他方の端子が前記第3の配線に接続
されていることが好ましい。In the above display device, the potential control means outputs a holding potential control voltage for controlling the holding potential to the third wiring (eg GRAYi in FIG. 2),
The second potential holding means is a capacitive element (C5 in FIG. 2, FIG. 4, FIG. 5, FIG. 8, FIG. 11 or C7 in FIG. 14), one terminal of which is conductive to the second switching element. It is preferably connected to the state control terminal and the other terminal is connected to the third wiring.
【0039】上記の構成では、第3の配線に出力される
保持電位制御電圧を徐々に変化させることで容量性素子
の一方の端子の電位を変化させると、その容量性素子の
他方の端子の電位もそれに応じて変化する。これによ
り、第2のスイッチング素子の導通状態制御端子の電位
が変化するので、第2のスイッチング素子の導通/非導
通状態となるタイミングを容量性素子に印加する保持電
位制御電圧によって制御することができる。In the above structure, when the potential of one terminal of the capacitive element is changed by gradually changing the holding potential control voltage output to the third wiring, the other terminal of the capacitive element is changed. The electric potential also changes accordingly. As a result, the potential of the conduction state control terminal of the second switching element changes, so that the timing at which the second switching element becomes conductive / non-conductive can be controlled by the holding potential control voltage applied to the capacitive element. it can.
【0040】なお、上記の構成では、第2の電位保持手
段の保持電位を一定値に固定していても、第2のスイッ
チング素子の閾値特性のばらつきにより、第2のスイッ
チング素子の導通/非導通の開始タイミングがばらつ
く。In the above configuration, even if the holding potential of the second potential holding means is fixed to a constant value, the conduction / non-conduction of the second switching element is caused by the variation in the threshold characteristic of the second switching element. The start timing of conduction varies.
【0041】この問題を回避する為には、第3の配線
(GRAYi)に出力される保持電位制御電圧の振幅を
大きくすることが有効である。しかし、第2のスイッチ
ング素子として用いるTFT素子の耐圧を考慮すれば、
必要な振幅が確保できない場合がある。In order to avoid this problem, it is effective to increase the amplitude of the holding potential control voltage output to the third wiring (GRAYi). However, considering the breakdown voltage of the TFT element used as the second switching element,
The required amplitude may not be secured in some cases.
【0042】このような場合、上記の表示装置は、前記
第2のスイッチング素子における導通状態制御端子およ
び前記リセット電源接続側端子を接続または非接続させ
る第3のスイッチング素子(図5、図8のT15、図1
1のT19および図14のT20)と、前記第2のスイ
ッチング素子と前記リセット電源とを接続または非接続
させる第4のスイッチング素子(図5、図8のT16、
図11のT20および図14のT25)と、前記第4の
スイッチング素子の導通状態制御端子の電位を制御する
電位制御手段とを備えていることが好ましい。In such a case, the display device described above has a third switching element (see FIG. 5 and FIG. 8) that connects or disconnects the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal in the second switching element. T15, Figure 1
1 T19 and T20 in FIG. 14) and a fourth switching element (T16 in FIGS. 5 and 8) for connecting or disconnecting the second switching element and the reset power supply.
11 and T25) and the potential control means for controlling the potential of the conduction state control terminal of the fourth switching element.
【0043】このような構成では、第4のスイッチング
素子が非導通状態の間に、第2のスイッチング素子と第
3のスイッチング素子を導通状態とすることで、第2の
電位保持手段の保持電位を第2の配線から第2のスイッ
チング素子へ与えられた表示信号の電圧±第2のスイッ
チング素子の閾値電圧に設定できる。In such a configuration, the second switching element and the third switching element are brought into conduction while the fourth switching element is in non-conduction, whereby the holding potential of the second potential holding means is held. Can be set to the voltage of the display signal applied from the second wiring to the second switching element ± the threshold voltage of the second switching element.
【0044】また、第3のスイッチング素子を非導通状
態とし、第4のスイッチング素子を導通状態とし、第2
の電位保持手段の電位を変化させ、第2のスイッチング
素子を導通状態とすることで、電気光学素子の表示時間
を制御することができる。Further, the third switching element is made non-conductive, the fourth switching element is made conductive, and the second switching element is made conductive.
The display time of the electro-optical element can be controlled by changing the potential of the potential holding means and bringing the second switching element into the conductive state.
【0045】例えば、第2のスイッチング素子がn型T
FTである場合、第2の電位保持手段の初期化電圧を、
第2のスイッチング素子に与えうる最大電位+スイッチ
ング素子の閾値ばらつきのうち最大のばらつき電圧(閾
値電圧のばらつきのうち、スイッチング素子のゲート端
子とソース端子との間の閾値電位差として最大と見なし
ている電圧)とした後で、第3のスイッチング素子を通
して第2のスイッチング素子のソース端子とゲート端子
を短絡状態とし、第2の電位保持手段に残る電圧を、第
2のスイッチング素子に与えられた電圧+第2のスイッ
チング素子の閾値電圧とすることができる。For example, the second switching element is an n-type T
In the case of FT, the initialization voltage of the second potential holding means is
The maximum potential that can be given to the second switching element + the maximum variation voltage among the threshold variations of the switching element (of the variations in the threshold voltage, the threshold potential difference between the gate terminal and the source terminal of the switching element is regarded as the maximum. Voltage), the source terminal and the gate terminal of the second switching element are short-circuited through the third switching element, and the voltage remaining in the second potential holding means is the voltage applied to the second switching element. + The threshold voltage of the second switching element can be used.
【0046】また、第2のスイッチング素子がp型TF
Tのとき、第2の電位保持手段の初期化電圧を、第2の
スイッチング素子に与えうる最小電位−スイッチング素
子の閾値ばらつきのうち最大のばらつき電圧とした後
で、第3のスイッチング素子を通して第2のスイッチン
グ素子のドレイン端子とゲート端子とを短絡状態とし、
第2の電位保持手段に残る電圧を、第2のスイッチング
素子に与えた電圧−第2のスイッチング素子の閾値電圧
とすることができる。The second switching element is a p-type TF.
At T, the initialization voltage of the second potential holding means is set to the maximum potential voltage among the minimum potential that can be given to the second switching element-the threshold variation of the switching element, and then the third switching element is used. The drain terminal and the gate terminal of the switching element of 2 are short-circuited,
The voltage remaining in the second potential holding means can be defined as (voltage applied to the second switching element) − (threshold voltage of the second switching element).
【0047】上記の表示装置において、前記電気光学素
子が有機EL素子のような自発光型光学素子および該自
発光型光学素子を駆動するための駆動用電源に前記自発
光型光学素子を接続または非接続させる駆動用スイッチ
ング素子(図2、図5、図11のT12および図14の
T22)から構成されるのであれば、さらに、第1の電
位保持手段がコンデンサであり、前記駆動用スイッチン
グ素子のスイッチング特性、および前記第2のスイッチ
ング素子のスイッチング特性が、同様な傾向を持つこと
が好ましい。In the above display device, the electro-optical element is connected to a self-luminous optical element such as an organic EL element and a driving power source for driving the self-luminous optical element, or If the drive switching element to be disconnected (T12 in FIGS. 2, 5, 11 and T22 in FIG. 14) is used, the first potential holding means is a capacitor, and the drive switching element It is preferable that the switching characteristics of and the switching characteristics of the second switching element have the same tendency.
【0048】つまり、駆動用スイッチング素子と第2の
スイッチング素子を共にTFT素子で構成する場合、駆
動用スイッチング素子がp−ch構成であれば、第2の
スイッチング素子もp−ch構成とする。あるいは、駆
動用スイッチング素子がn−ch構成であれば、第2の
スイッチング素子もn−ch構成とする。That is, when the driving switching element and the second switching element are both TFT elements, if the driving switching element has a p-ch structure, the second switching element also has a p-ch structure. Alternatively, if the driving switching element has an n-ch configuration, the second switching element also has an n-ch configuration.
【0049】このように構成することで、第2のスイッ
チング素子が導通状態となったとき、駆動用スイッチン
グ素子のゲート端子をリセット電源に接続させ、駆動用
スイッチング素子をリセット状態とすることができる。With this configuration, when the second switching element is in the conducting state, the gate terminal of the driving switching element can be connected to the reset power supply, and the driving switching element can be brought into the reset state. .
【0050】これは、駆動用スイッチング素子がp−c
h構成であれば、その駆動用スイッチング素子を非導通
状態とするゲート端子電位は、その駆動用スイッチング
素子のソース端子電位より高い電位であることが好まし
い。上記のゲート端子電位を、そのようなリセット電源
の電位と、その電位以下の駆動用スイッチング素子のゲ
ート端子の電位との間に設けると、その導通状態を制御
する第2のスイッチング素子の構成はp−chであるこ
とが好ましい。This is because the driving switching element is p-c.
With the h configuration, it is preferable that the gate terminal potential for making the driving switching element non-conductive is higher than the source terminal potential of the driving switching element. When the above-mentioned gate terminal potential is provided between the potential of such a reset power supply and the potential of the gate terminal of the driving switching element equal to or lower than that potential, the configuration of the second switching element for controlling the conduction state is It is preferably p-ch.
【0051】また、駆動用スイッチング素子がn−ch
構成であれば、その駆動用スイッチング素子を非導通状
態とするゲート端子電位は、その駆動用スイッチング素
子のドレイン端子電位より低い電位であることが好まし
い。上記のゲート端子電圧を、そのようなリセット電源
の電位と、その電位以上の駆動用スイッチング素子のゲ
ート端子の電位との間に設ければ、その導通状態を制御
する第2のスイッチング素子の構成はn−chであるこ
とが好ましい。The driving switching element is an n-ch.
With this configuration, it is preferable that the gate terminal potential that makes the driving switching element non-conductive is lower than the drain terminal potential of the driving switching element. If the above-mentioned gate terminal voltage is provided between the potential of such a reset power supply and the potential of the gate terminal of the driving switching element equal to or higher than that potential, the configuration of the second switching element for controlling the conduction state thereof Is preferably n-ch.
【0052】本発明は、上記のいずれの表示装置の構成
に関わらず、以下の駆動方法を採用することによって、
上記の課題を解決している。According to the present invention, by adopting the following driving method regardless of the constitution of any of the above display devices,
The above problems are solved.
【0053】即ち、本発明の表示装置の駆動方法は、電
気的に光輝度を制御する電気光学素子と、入力された光
輝度制御用の表示信号を導通状態で電気光学素子に与え
る第1のスイッチング素子と、該第1のスイッチング素
子を導通または非導通させるためのスイッチング信号を
前記第1のスイッチング素子に供給する第1の配線と、
前記表示信号を前記スイッチング素子に供給する第2の
配線とを備えた表示装置を駆動する方法であって、前記
電気光学素子の電位を保持する第1の電位保持手段の保
持電位をリセットするためのリセット電源に前記第1の
電位保持手段を接続または非接続させる第2のスイッチ
ング素子の導通状態制御端子の電位を保持する第2の電
位保持手段の電位を第1の期間で設定し、前記第1の期
間より後の第2の期間で前記電気光学素子の表示状態を
設定し、前記第2の期間より後の第3の期間で、前記第
2の電位保持手段の保持電位を変化させることで、前記
第2のスイッチング素子を非導通状態から導通状態に変
化させ、前記電気光学素子の状態を前記第1の期間で設
定した状態からセットまたはリセットさせることを特徴
としている。That is, according to the driving method of the display device of the present invention, the electro-optical element for electrically controlling the light brightness and the input display signal for controlling the light brightness in the conductive state are applied to the electro-optical element. A switching element; and a first wiring for supplying a switching signal for conducting or non-conducting the first switching element to the first switching element,
A method of driving a display device including a second wiring that supplies the display signal to the switching element, for resetting a holding potential of a first potential holding unit that holds a potential of the electro-optical element. Setting the potential of the second potential holding means for holding the potential of the conduction state control terminal of the second switching element, which connects or disconnects the first potential holding means to the reset power source, in the first period, The display state of the electro-optical element is set in the second period after the first period, and the holding potential of the second potential holding means is changed in the third period after the second period. Thus, the second switching element is changed from the non-conductive state to the conductive state, and the state of the electro-optical element is set or reset from the state set in the first period.
【0054】上記の駆動方法では、第1の期間で第2の
電位保持手段の電位を設定し、その後の第2の期間で電
気光学素子の表示状態を設定した後、第3の期間で第2
の電位保持手段の保持電位を変化させる。これによっ
て、第2のスイッチング素子を非導通状態から導通状態
に変化させると、電気光学素子の状態が第1の期間で設
定した状態からセットまたはリセットされる。このよう
な駆動方法によっても、電気光学素子の動作をセットま
たはリセットするタイミングを、第2の電位保持手段の
保持電位によって制御することが可能となり、動画偽輪
郭の発生が殆どない状態で時間分割アナログ階調表示を
実現することができる。しかも、各期間では輝度制御状
態として表示または非表示の2つの状態しか持たないの
で、電気光学素子として有機EL素子を用いた場合に、
同電気光学素子を駆動する駆動用アクティブ素子(図2
等のTFT12)の閾値特性や移動度のばらつきの影響
の少ない階調表示が得られる。In the above driving method, the potential of the second potential holding means is set in the first period, the display state of the electro-optical element is set in the second period after that, and then the third state is set in the third period. Two
The holding potential of the potential holding means is changed. As a result, when the second switching element is changed from the non-conducting state to the conducting state, the state of the electro-optical element is set or reset from the state set in the first period. Even with such a driving method, the timing for setting or resetting the operation of the electro-optical element can be controlled by the holding potential of the second potential holding means, and the time division is performed in the state where the moving image false contour is hardly generated. It is possible to realize analog gradation display. Moreover, since each of the periods has only two states of display or non-display as the brightness control state, when an organic EL element is used as the electro-optical element,
A driving active element (see FIG. 2) for driving the electro-optical element.
It is possible to obtain a gradation display that is less affected by variations in threshold characteristics of the TFT 12) and mobility.
【0055】上記の駆動方法では、前記第3の期間で、
前記第2の電位保持手段の保持電位を制御するための保
持電位制御電圧を発生するとともに、第1の端子と、前
記第2のスイッチング素子の導通状態制御端子に接続さ
れる第2の端子とを有する容量性素子からなる前記第2
の電位保持手段の前記第1の端子に前記保持電位制御電
圧を印加することが好ましい。In the above driving method, in the third period,
A holding potential control voltage for controlling the holding potential of the second potential holding means is generated, and a first terminal and a second terminal connected to the conduction state control terminal of the second switching element are provided. The second element comprising a capacitive element having
It is preferable to apply the holding potential control voltage to the first terminal of the potential holding means.
【0056】この駆動方法では、前述の保持電位制御電
圧を用いた表示装置と同様、第2のスイッチング素子の
導通/非導通状態となるタイミングを容量性素子に印加
する保持電位制御電圧によって制御することができる。In this driving method, the timing at which the second switching element is turned on / off is controlled by the holding potential control voltage applied to the capacitive element, as in the display device using the holding potential control voltage described above. be able to.
【0057】また、上記の駆動方法では、前記第1の期
間で、前記第2のスイッチング素子と、前記第2のスイ
ッチング素子における導通状態制御端子および前記リセ
ット電源接続側端子を接続または非接続させる第3のス
イッチング素子とを通して前記第2の電位保持手段の保
持電位をセットし、前記第3の期間で、前記第2のスイ
ッチング素子と前記リセット電源とを接続または非接続
させる第4のスイッチング素子を導通状態としておき、
前記第2のスイッチング素子が導通状態となるとき、上
記電気光学素子の状態をセットまたはリセットすること
が好ましい。Further, in the above driving method, the second switching element is connected or disconnected to the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal in the second switching element in the first period. A fourth switching element that sets the holding potential of the second potential holding means through a third switching element and connects or disconnects the second switching element and the reset power supply during the third period. Is made conductive,
It is preferable to set or reset the state of the electro-optical element when the second switching element becomes conductive.
【0058】このような駆動方法では、第1の期間で、
第2の電位保持手段の保持電位が、第2および第3のス
イッチング手段を通してセットされる。これにより、第
2の電位保持手段の保持電位を第2の配線から第2のス
イッチング素子へ与えられた表示信号の電圧±第2のス
イッチング素子の閾値電圧に設定できる。また、第3の
期間で第4のスイッチング素子が導通状態となること
で、第2のスイッチング素子が導通状態となったとき、
電気光学素子の状態がセットまたはリセットされる。こ
のとき、第2の電位保持手段の電位を変化させ、第2の
スイッチング素子を導通状態とすることで、電気光学素
子の表示時間を制御することができる。In such a driving method, in the first period,
The holding potential of the second potential holding means is set through the second and third switching means. Accordingly, the holding potential of the second potential holding unit can be set to the voltage of the display signal applied to the second switching element from the second wiring ± the threshold voltage of the second switching element. Further, when the fourth switching element is in the conducting state during the third period, and thus the second switching element is in the conducting state,
The state of the electro-optical element is set or reset. At this time, the display time of the electro-optical element can be controlled by changing the potential of the second potential holding unit and bringing the second switching element into the conductive state.
【0059】なお、この駆動方法では、第2のスイッチ
ング素子がn型のとき、第2の電位保持手段の電位を、
第2のスイッチング素子のソース端子へ与えうる最大電
圧+第2のスイッチング素子の閾値ばらつきの許容最大
値とすることで初期化し、第1の期間で第3のスイッチ
ング素子を導通状態とすることで、第2のスイッチング
素子のゲート端子・ドレイン端子間を短絡させ、第2の
電位保持手段の電位を、第2のスイッチング素子のソー
ス端子へ与えた電圧+第2のスイッチング素子の閾値電
圧とし、第2のスイッチング素子の閾値特性を補償し、
第2および第3の期間で第3のスイッチング素子を非導
通状態とし、第3の期間で第4のスイッチング素子を導
通状態とし、第2の電位保持手段の電位を変化させるこ
とで、第2のスイッチング素子を非導通状態から導通状
態に変化させ、電気光学素子の状態をセットまたはリセ
ットすればよい。In this driving method, when the second switching element is of the n type, the potential of the second potential holding means is
Initialization is performed by setting the maximum voltage that can be applied to the source terminal of the second switching element + the allowable maximum value of the threshold variation of the second switching element, and the third switching element is turned on in the first period. , The gate terminal and the drain terminal of the second switching element are short-circuited, and the potential of the second potential holding means is set to the voltage applied to the source terminal of the second switching element + the threshold voltage of the second switching element, Compensating for the threshold characteristic of the second switching element,
By setting the third switching element in a non-conducting state during the second and third periods, setting the fourth switching element in a conducting state during the third period, and changing the potential of the second potential holding means, The switching element may be changed from the non-conducting state to the conducting state, and the state of the electro-optical element may be set or reset.
【0060】また、第2のスイッチング素子がp型のと
き、第2の電位保持手段の電位を、第2のスイッチング
素子へ与えうる最小電圧−第2のスイッチング素子の閾
値ばらつきの許容最大値とすることで初期化し、第1の
期間で第3のスイッチング素子を導通状態とすること
で、第2のスイッチング素子のゲート端子・ドレイン端
子間を短絡させ、第2の電位保持手段の電位を、第2の
スイッチング素子へ与えた電圧−第2のスイッチング素
子の閾値電圧とし、第2のスイッチング素子の閾値特性
を補償し、第2および第3の期間で第3のスイッチング
素子を非導通状態とし、第3の期間で第4のスイッチン
グ素子を導通状態とし、第2の電位保持手段の電位を変
化させることで、第2のスイッチング素子を非導通状態
から導通状態に変化させ、電気光学素子の状態をセット
またはリセットすればよい。When the second switching element is a p-type, the potential of the second potential holding means is the minimum voltage that can be applied to the second switching element-the allowable maximum value of the threshold variation of the second switching element. By doing so, the third switching element is brought into conduction in the first period, thereby short-circuiting the gate terminal and the drain terminal of the second switching element, and the potential of the second potential holding means, The voltage applied to the second switching element minus the threshold voltage of the second switching element, the threshold characteristic of the second switching element is compensated, and the third switching element is turned off in the second and third periods. , The fourth switching element is brought into the conducting state during the third period and the potential of the second potential holding means is changed, so that the second switching element is changed from the non-conducting state to the conducting state. Allowed, it may be set or reset state of the electro-optical element.
【0061】[0061]
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
1ないし図18に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS. 1 to 18.
【0062】本発明に用いられるスイッチング素子は、
低温ポリシリコンTFTやCGシリコンTFTなどで構
成されるが、以下に述べる各実施の形態ではCGシリコ
ンTFTを用いることとする。The switching element used in the present invention is
Although it is composed of a low-temperature polysilicon TFT, a CG silicon TFT, or the like, the CG silicon TFT is used in each embodiment described below.
【0063】なお、このCGシリコンTFTの構成に関
しては、半導体エネルギー研究所より、先に示したSID'
00 Digest pp.924-927の“4.0-in. TFT-OLED Displays
anda Novel Digital Driving Method”等で発表されて
いるので、ここではその詳細な説明を省略する。Regarding the structure of this CG silicon TFT, SID 'shown above from the Semiconductor Energy Laboratory.
00 Digest pp.924-927 “4.0-in. TFT-OLED Displays
Since it has been published in "anda Novel Digital Driving Method" etc., its detailed description is omitted here.
【0064】また、CGシリコンTFTプロセスに関し
ては、同じく半導体エネルギー研究所より、AM-LCD 200
0 pp.25-28の “Continuous Grain Silicon Technology
andIts Applications for Active Matrix Display”等
で発表されているので、ここではその詳細な説明を省略
する。Regarding the CG silicon TFT process, the AM-LCD 200 was also provided by Semiconductor Energy Laboratory.
0 pp.25-28 “Continuous Grain Silicon Technology”
Since it has been announced in “AndIts Applications for Active Matrix Display”, its detailed description is omitted here.
【0065】また、本実施の形態で用いる電気光学素子
を構成する有機EL素子の構成についても、AM-LCD '01
pp.211-214の “Polymer Light-Emitting Diodes for
usein Flat panel Display”等で発表されているので、
ここではその詳細な説明を省略する。Regarding the constitution of the organic EL element which constitutes the electro-optical element used in the present embodiment, the AM-LCD '01
pp.211-214 “Polymer Light-Emitting Diodes for
Since it was announced in "usein Flat panel Display" etc.,
Here, the detailed description is omitted.
【0066】また、本実施の形態で用いる電気光学素子
である液晶素子についても、シャープにより、AM-LCD'0
1 pp.101-102の“Development of high performance AS
V-LCDs using Continuous Pinwheel Alignment(CPA) mo
de”等で発表されているので、ここではその詳細な説明
は省略する。The liquid crystal element, which is an electro-optical element used in the present embodiment, is also sharpened by AM-LCD'0.
1 pp.101-102 “Development of high performance AS
V-LCDs using Continuous Pinwheel Alignment (CPA) mo
Since it was announced in "de" etc., its detailed description is omitted here.
【0067】まず、各実施の形態に共通するアクティブ
マトリックス型表示装置について説明する。First, an active matrix type display device common to the respective embodiments will be described.
【0068】なお、以下のアクティブマトリックス型装
置における構成要素と同等の機能を有するゲート線およ
びソース線については、従来のアクティブマトリックス
型表示装置におけるゲート線およびソース線と同じ符
号、即ち、GiおよびSjを付与する。Regarding the gate lines and the source lines having the same functions as the constituent elements in the following active matrix type device, the same reference numerals as those of the gate lines and source lines in the conventional active matrix type display device, that is, Gi and Sj are used. Is given.
【0069】このアクティブマトリックス型表示装置
は、図1に示すように、表示パネル1と、ゲートドライ
バ2と、ソースドライバ3と、基準電圧発生部4と、対
向電圧発生部5と、制御部6とを備えている。As shown in FIG. 1, this active matrix type display device has a display panel 1, a gate driver 2, a source driver 3, a reference voltage generator 4, an opposite voltage generator 5, and a controller 6. It has and.
【0070】表示パネル1は、互いに交差する複数のゲ
ート線G1,G2,…,Giおよび複数のソース線S
1,S2,…,Sj と、マトリックス状に配置された
画素表示回路A11,A12,…,Aij(以降、画素
表示回路に共通して言及する場合にはAijの符号を用
いる)とを有している。画素表示回路Aijは、ゲート
線Giとソース線Sjとの交差点毎に1つずつ設けられ
ており、後述するように、電気的に光輝度を制御する電
気光学素子と、入力された光輝度制御用の表示信号を導
通状態で電気光学素子に与えるスイッチング素子とを含
んでいる。The display panel 1 includes a plurality of gate lines G1, G2, ..., Gi and a plurality of source lines S intersecting each other.
, Sj, and pixel display circuits A11, A12, ..., Aij arranged in a matrix (hereinafter, reference symbols common to the pixel display circuits will be referred to as Aij). ing. One pixel display circuit Aij is provided at each intersection of the gate line Gi and the source line Sj, and as will be described later, an electro-optical element that electrically controls the light brightness and an input light brightness control. And a switching element which supplies a display signal for use to the electro-optical element in a conductive state.
【0071】また、表示パネル1には、ゲート線G1,
G2,…,Giとそれぞれ対になる制御線CONT1,
CONT2,…,CONTiが、ゲート線G1,G2,
…,Giと互いに平行になるように設けられている。制
御線(以降、制御線に共通して言及する場合にはiの符
号を用いる)CONTiは、後述するように、各画素表
示回路Aijに制御電圧を印加するための配線である。In the display panel 1, the gate lines G1,
Control lines CONT1, which are paired with G2, ..., Gi, respectively.
CONT2, ..., CONTi are gate lines G1, G2
,, and Gi are provided so as to be parallel to each other. The control line (hereinafter, the symbol i is used when commonly referred to as the control line) CONTi is a line for applying a control voltage to each pixel display circuit Aij, as described later.
【0072】さらに、表示パネル1には、ソース線S
1,S2,…,Sjとそれぞれ対になる電源線POW
1,POW2,…,POWjが、ソース線S1,S2,
…,Sjと互いに平行になるように設けられている。こ
のように電源線POW,POW2,…,POWjが設け
られるのは、1画素を構成するRGBの各色のドットが
ソース線Sjに沿ってストライプ状に形成されているか
らである。電源線(以降、電源線に共通して言及する場
合にはjの符号を用いる)POWjは、後述するよう
に、各画素表示回路Aijに必要な電源電圧を印加する
ための配線である。Further, on the display panel 1, the source line S
1, S2, ..., Sj paired with power line POW
, POW2, ..., POWj are source lines S1, S2
, Sj are provided so as to be parallel to each other. The power lines POW, POW2, ..., POWj are provided in this way because the dots of each color of RGB that form one pixel are formed in a stripe shape along the source line Sj. The power supply line (hereinafter, the reference character j is used when commonly referred to as the power supply line) POWj is a wire for applying a power supply voltage required to each pixel display circuit Aij, as described later.
【0073】上記の電源線POWjは、各画素表示回路
Aijに設けられる光学素子が有機EL素子である表示
パネル1について必要であるが、光学素子が液晶素子で
ある場合には不要である。The power supply line POWj is necessary for the display panel 1 in which the optical element provided in each pixel display circuit Aij is an organic EL element, but is not necessary when the optical element is a liquid crystal element.
【0074】対向電圧発生部5は、電気光学素子として
液晶素子を用いる場合に、制御部6から与えられる制御
信号に基づいて、表示パネル1に設けられた対向電極
(図示せず)に印加する対向電圧Vrefを発生する回
路である。対向電極は、各画素表示回路Aijについて
共通に設けられており、有機EL素子ではDC電位が付
与される。一方、液晶素子を用いる場合の対向電極に
は、AC電位が付与される場合がある。これらの対向電
極は、画素表示回路Aij毎に設けられた画素電極(図
示せず)と一定の間隔を保つように対向して設けられた
電極である。When a liquid crystal element is used as the electro-optical element, the counter voltage generator 5 applies it to a counter electrode (not shown) provided on the display panel 1 based on a control signal given from the controller 6. This is a circuit that generates the counter voltage Vref. The counter electrode is provided commonly to each pixel display circuit Aij, and a DC potential is applied to the organic EL element. On the other hand, an AC potential may be applied to the counter electrode when a liquid crystal element is used. These counter electrodes are electrodes provided so as to face a pixel electrode (not shown) provided for each pixel display circuit Aij so as to keep a constant space.
【0075】基準電圧発生部4は、制御部6から供給さ
れる表示用の階調データに基づいて、ソースドライバ3
に設けられた図示しないD/A変換回路から発生する階
調電圧Vsの基準となる基準電圧を発生する回路であ
る。なお、表示パネル1の構成によっては、この基準電
圧発生部4の代わりに階調電圧発生部を設け、ソースド
ライバ3には、D/A変換回路を設けない場合もある。
何れの構成をとるにしても、ソースドライバ3から表示
パネル1で表示可能な階調数に応じた数の階調電圧Vs
を発生する。The reference voltage generator 4 is based on the gradation data for display supplied from the controller 6 and the source driver 3
It is a circuit that generates a reference voltage that serves as a reference of the grayscale voltage Vs generated from a D / A conversion circuit (not shown) provided in the. Depending on the configuration of the display panel 1, a grayscale voltage generating unit may be provided instead of the reference voltage generating unit 4, and the source driver 3 may not be provided with the D / A conversion circuit.
Whichever configuration is adopted, the number of gradation voltages Vs corresponding to the number of gradations that can be displayed on the display panel 1 from the source driver 3 is obtained.
To occur.
【0076】ゲートドライバ2は、制御部6から与えら
れる同期信号やクロック等のタイミング信号に基づい
て、各ゲート線Giを選択するための選択信号(スイッ
チング信号)を出力する回路である。この選択信号は、
後述する1選択期間においてパルス状に出力される(図
3のGi電位参照)。また、ゲートドライバ2は、制御
部6から与えられる制御信号に基づいて、制御線CON
Tiに与える前記の制御電圧を発生する。制御電圧の詳
細については、後に説明する。The gate driver 2 is a circuit that outputs a selection signal (switching signal) for selecting each gate line Gi based on a timing signal such as a synchronization signal or a clock given from the control unit 6. This selection signal is
It is output in a pulse shape in one selection period described later (see Gi potential in FIG. 3). The gate driver 2 also controls the control line CON based on the control signal supplied from the control unit 6.
The control voltage given to Ti is generated. Details of the control voltage will be described later.
【0077】ソースドライバ3は、制御部6から与えら
れる同期信号やクロック等のタイミング信号に基づい
て、各ソース線Sjに出力する階調電圧Vsを発生また
はサンプリングする回路である。また、表示ドライバ3
は、前記の電源線POWjに与える電源電圧を上記の電
源回路からの電圧に基づいて生成する。電源電圧の詳細
については、後に説明する。The source driver 3 is a circuit for generating or sampling the gradation voltage Vs to be output to each source line Sj based on a timing signal such as a synchronizing signal or a clock given from the control section 6. In addition, the display driver 3
Generates the power supply voltage applied to the power supply line POWj based on the voltage from the power supply circuit. Details of the power supply voltage will be described later.
【0078】〔実施の形態1〕本実施の形態に係るマト
リックス型表示装置においては、図2に示すように、図
1の画素表示回路Aijとして画素表示回路AAijを
備えている。[First Embodiment] As shown in FIG. 2, the matrix type display device according to the present embodiment includes a pixel display circuit AAij as the pixel display circuit Aij of FIG.
【0079】画素表示回路AAijは、第2の配線であ
るソース線Sjと第1の配線であるゲート線Giとの交
差点毎に設けられており、電気光学素子としての有機E
L素子4と、TFT素子T11〜T14と、コンデンサ
C4,C5とを備えて構成されている。ソース線Sj
は、表示信号としてのデータ信号をTFT素子T11に
供給する一方、ゲート線Giは、同通および非導通させ
るためのスイッチング信号をTFT素子T11に供給す
る。The pixel display circuit AAij is provided at each intersection of the source line Sj, which is the second wiring, and the gate line Gi, which is the first wiring, and is an organic E as an electro-optical element.
The L element 4, TFT elements T11 to T14, and capacitors C4 and C5 are provided. Source line Sj
Supplies a data signal as a display signal to the TFT element T11, while the gate line Gi supplies a switching signal to the TFT element T11 for making the same and non-conducting.
【0080】第1のスイッチング素子であるTFT素子
T11は、ゲート端子がゲート端子線Giに接続され、
ソース端子がソース線Sjに接続され、ドレイン端子が
TFT素子T12のゲート端子に接続されている。駆動
用スイッチング素子であるTFT素子T12は、ソース
端子が電源配線PSに接続され、ドレイン端子が有機E
L素子EL4の陽極に接続されている。有機EL素子E
L4の陰極は、対向電極Refに接続されている。第1
の電位保持手段であるコンデンサC4は、TFT素子T
12のゲート端子とソース端子との間に接続されてい
る。In the TFT element T11 which is the first switching element, the gate terminal is connected to the gate terminal line Gi,
The source terminal is connected to the source line Sj, and the drain terminal is connected to the gate terminal of the TFT element T12. In the TFT element T12 which is a switching element for driving, the source terminal is connected to the power supply wiring PS and the drain terminal is organic E
It is connected to the anode of the L element EL4. Organic EL element E
The cathode of L4 is connected to the counter electrode Ref. First
Of the TFT element T
Twelve gate terminals and source terminals are connected.
【0081】TFT素子T12のゲート端子には、第2
のスイッチング素子であるTFT素子T13のドレイン
端子が接続され、そのTFT素子T13のソース端子に
はリセット電源配線PRESが接続されている。また、
TFT素子T13のゲート端子(導通状態制御端子)に
は、第2の電位保持手段であるコンデンサC5の一方の
端子が接続されるとともに、TFT素子T14のドレイ
ン端子が接続されている。さらに、コンデンサC5の他
方の端子には、階調制御線GRAYiが接続され、TF
T素子T14のゲート端子には走査線LOADiが接続
されている。そして、そのTFT素子T14のソース端
子にはソース端子線Sjが接続されている。The second terminal is connected to the gate terminal of the TFT element T12.
The drain terminal of the TFT element T13, which is a switching element, is connected, and the reset power supply wiring PRES is connected to the source terminal of the TFT element T13. Also,
To the gate terminal (conduction state control terminal) of the TFT element T13, one terminal of the capacitor C5 which is the second potential holding means is connected, and the drain terminal of the TFT element T14 is connected. Further, the gradation control line GRAYi is connected to the other terminal of the capacitor C5, and TF
The scanning line LOADi is connected to the gate terminal of the T element T14. The source terminal line Sj is connected to the source terminal of the TFT element T14.
【0082】上記の階調制御線GRAYiおよび走査線
LOADiは、前述の制御線CONTiとして設けら
れ、上記の電源配線PSおよびリセット電源配線PRE
Sは、前述の電源線POWjとして設けられている。The gradation control line GRAYi and the scanning line LOADi are provided as the control line CONTi, and the power supply line PS and the reset power supply line PRE are provided.
S is provided as the power supply line POWj described above.
【0083】第3の配線としての階調制御線GRAYi
は、保持電位制御手段としてのゲートドライバ2から出
力される階調制御電圧をコンデンサ5に与えるための配
線である。この階調制御電圧は、後述のように、コンデ
ンサC5の電位を制御するためにコンデンサC5に印加
される電圧であって、アナログ階調表示を実現させる。Grayscale control line GRAYi as the third wiring
Is a wiring for applying the gradation control voltage output from the gate driver 2 as the holding potential control means to the capacitor 5. This gradation control voltage is a voltage applied to the capacitor C5 in order to control the potential of the capacitor C5, as will be described later, and realizes analog gradation display.
【0084】走査線LOADiは、ゲートドライバ2か
ら出力される走査信号をTFT素子T14のゲート端子
に供給するために設けられている。走査信号は、後述す
る1選択期間において前述の選択信号と異なるタイミン
グでパルス状に出力される(図3のLOADi電位参
照)。The scanning line LOADi is provided to supply the scanning signal output from the gate driver 2 to the gate terminal of the TFT element T14. The scanning signal is output in a pulse shape at a timing different from that of the above selection signal in one selection period described later (see the LOADi potential in FIG. 3).
【0085】電源配線PSは、有機EL素子EL4の駆
動用の一定電圧を各画素表示回路AAij(Aij)に
与えるための配線である。なお、この電源配線PSの電
位は、1画素におけるRGBの各ドット毎に異なってい
る。The power supply wiring PS is a wiring for applying a constant voltage for driving the organic EL element EL4 to each pixel display circuit AAij (Aij). The potential of the power supply line PS is different for each RGB dot in one pixel.
【0086】リセット電源配線PRESは、リセットの
ために、TFT素子T12を非導通状態にするためのリ
セット電圧をTFT素子T13に与えるための配線であ
る。The reset power supply wiring PRES is a wiring for supplying a reset voltage for bringing the TFT element T12 into a non-conducting state to the TFT element T13 for resetting.
【0087】なお、上記のTFT素子T11〜T14
は、総てp型TFTである。また、TFT素子のドレイ
ン端子およびソース端子の物理的な相違はほとんどない
ので、本実施の形態では、ソース端子とドレイン端子と
を置き替えることが可能である。The above-mentioned TFT elements T11 to T14
Are all p-type TFTs. Further, since there is almost no physical difference between the drain terminal and the source terminal of the TFT element, it is possible to replace the source terminal and the drain terminal in this embodiment.
【0088】また、本実施の形態で用いるスイッチング
素子(TFT素子T11,T14)は、前述のCGシリ
コンTFT素子であり、電気光学素子は有機EL素子E
L4およびTFT素子T12から構成されている。それ
らの有機EL素子やTFT素子の構成は前述の文献など
に記載されているので、ここではその詳細な説明を省略
する。The switching elements (TFT elements T11 and T14) used in this embodiment are the above-mentioned CG silicon TFT elements, and the electro-optical element is the organic EL element E.
It is composed of L4 and a TFT element T12. Since the configurations of the organic EL element and the TFT element are described in the above-mentioned documents and the like, detailed description thereof will be omitted here.
【0089】続いて、本実施の形態ではこの画素表示回
路AAijの動作を図3に示すタイミングチャートを参
考にしながら説明する。なお、ここで、画素表示回路A
Aijの符号“i”は、ゲート端子線Giの番号を意味
するiに対応している。また、符号“j”は、ソース端
子線Sjの番号を意味するjに対応している。即ち、図
2の画素表示回路AAijがマトリックス状に配置され
ていることを示している。Next, in the present embodiment, the operation of the pixel display circuit AAij will be described with reference to the timing chart shown in FIG. Note that here, the pixel display circuit A
The symbol “i” of Aij corresponds to i, which means the number of the gate terminal line Gi. The symbol "j" corresponds to j, which means the number of the source terminal line Sj. That is, it shows that the pixel display circuits AAij in FIG. 2 are arranged in a matrix.
【0090】この表示回路AAijの選択期間は、図3
に時間として示すように、7Th〜12Thの6Thの
期間となる。この選択期間の前に、初期化期間として、
図3のGRAYi電位(階調制御線GRAYiの電位)
がV0(=4V)に戻る動作が行われる。また、その選
択期間後に、階調制御動作として、上記のGRAYi電
位がV0からV0−3Vへ徐々に変化する動作が行われ
る。The selection period of this display circuit AAij is as shown in FIG.
As shown as time, the period is 6Th from 7Th to 12Th. Before this selection period, as an initialization period,
GRAYi potential of FIG. 3 (potential of gradation control line GRAYi)
Is returned to V0 (= 4V). After the selection period, as the gradation control operation, the operation of gradually changing the GRAYi potential from V0 to V0-3V is performed.
【0091】そして、選択期間内の時間8Th(第1の
期間)において、図3のLOADi電位(走査線LOA
Diの電位)が−4Vに低下することによって走査線L
OADiが選択されると、Sj電位(ソース端子線Sj
の電位)がコンデンサC5に蓄えられる(図3のC5電
位)。その後、選択期間内の時間11Th(第2の期
間)において、図3のGi電位(ゲート端子線Giの電
位)が−4Vに低下することによってゲート線Giが選
択されると、図3のSi電位(ソース端子線Sjの電
位)として0V(図3のC4電位)がコンデンサC4に
蓄えられる。Then, at time 8Th (first period) within the selection period, the LOADi potential (scan line LOA of FIG.
(Di potential) decreases to -4V, so that the scan line L
When OADi is selected, the Sj potential (source terminal line Sj
Potential) is stored in the capacitor C5 (C5 potential in FIG. 3). After that, at a time 11Th (second period) within the selection period, when the gate line Gi is selected by lowering the Gi potential (potential of the gate terminal line Gi) in FIG. 3 to −4 V, Si in FIG. 0 V (C4 potential in FIG. 3) is stored in the capacitor C4 as the potential (potential of the source terminal line Sj).
【0092】なお、図2の画素表示回路AAijでは、
電源配線PS、リセット電源配線PRES、対向電極R
efに、それぞれ6V、7V、0Vの電位が設定されて
いる。In the pixel display circuit AAij shown in FIG.
Power supply wiring PS, reset power supply wiring PRES, counter electrode R
The potentials of 6V, 7V, and 0V are set to ef, respectively.
【0093】そこで、上記のように、コンデンサC4へ
0Vの電位を設定すれば、TFT素子T12が導通状態
となり、有機EL素子EL4へ6V近くの電圧が印加さ
れる。また、TFT素子T12のON抵抗は有機EL素
子EL4のON抵抗の1/10程度以下に設定されるが
好ましいので、TFT素子T12での電圧ドロップは
0.6V程度以下であり、有機EL素子EL4へ印加さ
れる電圧は5.4V程度以上になる。この結果、有機E
L素子EL4が発光状態となる。Therefore, as described above, when the potential of 0V is set to the capacitor C4, the TFT element T12 becomes conductive and a voltage of about 6V is applied to the organic EL element EL4. Further, since the ON resistance of the TFT element T12 is preferably set to about 1/10 or less of the ON resistance of the organic EL element EL4, the voltage drop in the TFT element T12 is about 0.6 V or less, and the organic EL element EL4 The voltage applied to is about 5.4 V or more. As a result, organic E
The L element EL4 is in a light emitting state.
【0094】また、コンデンサC4へ7V程度以上の電
位を設定すれば、TFT素子T12が非導通状態とな
り、有機EL素子EL4へ電流が供給されないので、有
機EL素子EL4は非発光状態となる。なお、このTF
T素子T12を非導通状態とする電位は、8V以上のよ
うな高い方が好ましいが、TFT素子の耐圧が充分確保
できなかったので、本実施の形態では7Vとしている。If a potential of about 7 V or more is set to the capacitor C4, the TFT element T12 becomes non-conductive and no current is supplied to the organic EL element EL4, so that the organic EL element EL4 becomes non-light emitting state. In addition, this TF
The potential for bringing the T element T12 into the non-conducting state is preferably as high as 8 V or more, but since the withstand voltage of the TFT element could not be sufficiently secured, it is set to 7 V in this embodiment.
【0095】本実施の形態では、このTFT素子T13
の閾値電圧(TFT素子T13の閾値特性に依存するの
で、プロセス条件によって異なるが)を例えば2Vとす
る。In the present embodiment, this TFT element T13
The threshold voltage (depending on the process conditions because it depends on the threshold characteristic of the TFT element T13) is set to, for example, 2V.
【0096】このような閾値電圧の場合、コンデンサC
5の電位(ノードN31の電位)がVRES電位(リセ
ット電源配線VRESの電位)Voff(7V)から閾
値電圧(2V)を減じた値、即ち5Vになると、TFT
素子T13が導通状態となる。そこで、この選択期間に
Sj電位によってコンデンサC5へ設定する電位は5〜
8Vの範囲とする。In the case of such a threshold voltage, the capacitor C
When the potential of 5 (potential of the node N31) becomes a value obtained by subtracting the threshold voltage (2V) from the VRES potential (potential of the reset power supply wiring VRES) Voff (7V), that is, 5V, the TFT
The element T13 becomes conductive. Therefore, the potential set to the capacitor C5 by the Sj potential during this selection period is 5 to
The range is 8V.
【0097】そこで、上記の選択期間において、コンデ
ンサC4へ7Vの電圧を印加すれば、階調0レベルの表
示状態となる。また、コンデンサC4へ0Vの電圧を印
加し、コンデンサC5へ5〜8Vの範囲の電圧を印加す
れば、階調1〜最大階調レベルの階調表示が得られる。
例えば、コンデンサC4へ0Vの電圧を印加し、階調制
御線GRAYiがV0のとき、コンデンサC5へ6Vの
電圧を印加すれば、階調制御線GRAYiがV0−1V
となったとき、コンデンサC5の電位が5Vに低下する
ので、有機EL素子EL4は発光状態から非発光状態に
変化する。Therefore, if a voltage of 7 V is applied to the capacitor C4 in the above selection period, the display state of the gradation 0 level is obtained. If a voltage of 0 V is applied to the capacitor C4 and a voltage in the range of 5 to 8 V is applied to the capacitor C5, gradation display of gradation 1 to maximum gradation level can be obtained.
For example, when a voltage of 0V is applied to the capacitor C4 and the gradation control line GRAYi is V0, a voltage of 6V is applied to the capacitor C5, the gradation control line GRAYi is V0-1V.
Then, the potential of the capacitor C5 drops to 5V, and the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0098】コンデンサC4へ0Vの電圧を印加し、階
調制御線GRAYiがV0のとき、コンデンサC5へ7
Vの電圧を印加すれば、階調制御線GRAYiがV0−
2Vとなったとき、同様にコンデンサC5の電位が5V
になるので、有機EL素子EL4は発光状態から非発光
状態に変化する。When a voltage of 0V is applied to the capacitor C4 and the gradation control line GRAYi is V0, the voltage is 7V to the capacitor C5.
If a voltage of V is applied, the gradation control line GRAYi is V0-
When the voltage becomes 2V, the potential of the capacitor C5 is 5V as well.
Therefore, the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0099】コンデンサC4へ0Vの電圧を印加し、階
調制御線GRAYiがV0のとき、コンデンサC5へ8
Vの電圧を印加すれば、階調制御線GRAYiがV0−
3Vとなったとき、同様にコンデンサC5の電位が5V
になるので、有機EL素子EL4は発光状態から非発光
状態に変化する。When a voltage of 0 V is applied to the capacitor C4 and the gradation control line GRAYi is V0, 8 is applied to the capacitor C5.
If a voltage of V is applied, the gradation control line GRAYi is V0-
Similarly, when it becomes 3V, the potential of the capacitor C5 is 5V.
Therefore, the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0100】従って、図3のGRAYi電位がV0から
V0−3まで変化する期間である時間Th14以降の期
間(第3の期間)で、GRAYi電位を変化させること
で、コンデンサC5へ印加する電圧を5〜8Vの範囲で
連続的に変化させると、Si電位の値に関わらず、有機
EL素子EL4の発光状態が制御されるので、時間分割
階調でありながらアナログ階調が実現できる。Therefore, the voltage applied to the capacitor C5 is changed by changing the GRAYi potential in a period (third period) after time Th14, which is a period in which the GRAYi potential in FIG. 3 changes from V0 to V0-3. When the voltage is continuously changed within the range of 5 to 8 V, the light emitting state of the organic EL element EL4 is controlled regardless of the value of the Si potential, so that it is possible to realize analog gray scale even though it is time division gray scale.
【0101】このような時間分割階調駆動方法では、階
調レベルが増えるほど有機EL素子EL4が発光状態か
ら非発光状態となる時間が長くなる。これにより、隣接
する階調間(例えば7階調レベルと8階調レベルとの
間)では、必ず、階調レベルの低い表示期間が、より階
調レベルの高い表示期間に含まれる(7階調レベルが発
光している期間は8階調レベルが必ず発光している)。
従って、図22に示したような隣接画素間の発光時間の
被りが起こらず、時分割階調表示において、動画偽輪郭
が現れ難くなる。また、動画偽輪郭が若干残留しても、
それは人間に感知できるレベルではない。In such a time-division gradation driving method, the higher the gradation level, the longer the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state. As a result, between adjacent gradations (for example, between the 7th gradation level and the 8th gradation level), the display period having the lower gradation level is always included in the display period having the higher gradation level (7th floor). (8 gradation levels always emit light during the period when the gradation level emits light).
Therefore, as shown in FIG. 22, the light emission time between adjacent pixels is not overlaid, and a false contour of a moving image is less likely to appear in time-division gray scale display. Also, even if some false contours remain in the video,
It is not a level that can be perceived by humans.
【0102】また、時間分割階調表示を行うと、走査周
波数がビット数倍になることや、フレームメモリを用い
て必要なタイミング変換を行う必要があること、などの
問題もある。しかし、本発明のような時間分割では、他
のアナログ階調表示と同様に、そのような問題が起こら
ないという効果も得られる。Further, when the time-division gray scale display is performed, there are problems that the scanning frequency is multiplied by the number of bits and that necessary timing conversion needs to be performed using the frame memory. However, the time division as in the present invention has an effect that such a problem does not occur as in other analog gradation display.
【0103】なお、コンデンサC5の電位を制御するに
は、図2の構成以外に幾つかの構成が考えられる。In order to control the potential of the capacitor C5, several configurations other than the configuration shown in FIG. 2 can be considered.
【0104】例えば、コンデンサC5の一方の端子に
は、TFT素子T13のゲート端子、および階調制御線
GRAYiからの階調制御電圧により導通/非導通が制
御されるスイッチング素子(図示せず)が接続され、コ
ンデンサC5の他方の端子は接地されている。このよう
な構成において、コンデンサC5から放出される電荷量
をスイッチング素子によって制御することで、コンデン
サC5の一方の端子の電位を制御することができる。For example, one terminal of the capacitor C5 has a gate terminal of the TFT element T13 and a switching element (not shown) whose conduction / non-conduction is controlled by the gradation control voltage from the gradation control line GRAYi. It is connected and the other terminal of the capacitor C5 is grounded. In such a configuration, the electric potential of one terminal of the capacitor C5 can be controlled by controlling the amount of charge discharged from the capacitor C5 by the switching element.
【0105】その他の回路構成もあり得るが、何れの構
成を採用するにしても、コンデンサC5の一方の端子の
電位を徐々に変化させ、その変化した電位により、TF
T素子T13が導通/非導通状態となるタイミングを制
御し、電気光学素子(有機EL素子EL4)の表示状態
をセットまたはリセットする。Although other circuit configurations are possible, whichever configuration is adopted, the potential of one terminal of the capacitor C5 is gradually changed, and the TF is changed by the changed potential.
The timing at which the T element T13 becomes conductive / non-conductive is controlled to set or reset the display state of the electro-optical element (organic EL element EL4).
【0106】しかし、上記の回路構成では、コンデンサ
C5から放出される電荷量を制御することが難しいと考
えられる。従って、図2に示す回路構成を用いることが
好ましい。However, it is considered difficult to control the amount of charge discharged from the capacitor C5 with the above circuit configuration. Therefore, it is preferable to use the circuit configuration shown in FIG.
【0107】なお、本発明の実施の形態では、電気光学
素子は、TFT素子T12と有機EL素子EL4とから
構成されているが、図4に示すように、液晶素子LCD
1から構成されていてもよい。In the embodiment of the present invention, the electro-optical element is composed of the TFT element T12 and the organic EL element EL4. However, as shown in FIG.
It may be composed of one.
【0108】図1の画素表示回路Aijとしての画素表
示回路ABijを用いる場合においては、図4に示すよ
うに、図2の画素表示回路AAijにおけるコンデンサ
C4、TFT素子T12、有機EL素子EL4および電
源配線PSを液晶素子LCD1に置き替えただけであ
り、その他の回路構成や駆動方法は図2に示す画素表示
回路AAijの駆動方法と同じであるので、ここではそ
の詳細な説明を省略する。When the pixel display circuit ABij as the pixel display circuit Aij of FIG. 1 is used, as shown in FIG. 4, the capacitor C4, the TFT element T12, the organic EL element EL4 and the power supply in the pixel display circuit AAij of FIG. The wiring PS is simply replaced with the liquid crystal element LCD1, and the other circuit configuration and driving method are the same as the driving method of the pixel display circuit AAij shown in FIG. 2, and therefore detailed description thereof is omitted here.
【0109】このような画素表示回路ABijにおい
て、TFT素子T11に接続される画素電極は、TFT
素子T11のドレイン端子およびソース端子を介してソ
ース線Sjと接続され、TFT素子T11のゲート端子
がゲート線Giに接続されている。また、対向電極Re
fは、前述の対向電圧発生部5から出力される対向電圧
Vrefが印加されている。In such a pixel display circuit ABij, the pixel electrode connected to the TFT element T11 is the TFT
It is connected to the source line Sj via the drain terminal and the source terminal of the element T11, and the gate terminal of the TFT element T11 is connected to the gate line Gi. In addition, the counter electrode Re
The counter voltage Vref output from the counter voltage generator 5 is applied to f.
【0110】これによって、TFT素子T11が導通し
ている期間にソース線Sjから与えられた表示信号の電
圧(信号電圧)と対向電圧Vrefとの差(Vonまた
はVoff)が液晶素子LCD1に印加されると、画素
電極と対向電極Refとの間に充填された液晶の透過率
または反射率が変調され、画素表示回路ABijに階調
データに応じた輝度で光を透過または反射させる。ま
た、各画素表示回路ABijでは、液晶素子LCD1に
蓄積された電荷が一定期間保持されるので、TFT素子
T11が非導通状態になっても表示状態がそれに応じて
維持される。As a result, the difference (Von or Voff) between the voltage (signal voltage) of the display signal given from the source line Sj and the counter voltage Vref is applied to the liquid crystal element LCD1 while the TFT element T11 is conducting. Then, the transmittance or reflectance of the liquid crystal filled between the pixel electrode and the counter electrode Ref is modulated, and allows the pixel display circuit ABij to transmit or reflect light with the brightness according to the gradation data. Further, in each pixel display circuit ABij, the charge accumulated in the liquid crystal element LCD1 is held for a certain period, so that the display state is maintained accordingly even when the TFT element T11 is in the non-conducting state.
【0111】このような構成においても、液晶素子LC
D1に印加される電圧がVonからVoffへ切り替え
られるタイミングを制御することで、時間分割アナログ
階調を実現できる。Even in such a structure, the liquid crystal element LC
By controlling the timing at which the voltage applied to D1 is switched from Von to Voff, time division analog gradation can be realized.
【0112】〔実施の形態2〕前述の実施の形態1で
は、TFT素子T13の閾値電圧を2Vと仮定したが、
閾値電圧は、実際にはプロセス条件によって変わるもの
であり、しかも、同一パネル内で各TFT素子が単結晶
領域に形成されているか、異なる単結晶領域に渡って形
成されるかといったTFT素子の形成状態等の要因によ
っても異なってくる。[Second Embodiment] In the first embodiment, the threshold voltage of the TFT element T13 is assumed to be 2V.
The threshold voltage actually changes depending on the process conditions, and moreover, the formation of a TFT element such as whether each TFT element is formed in a single crystal region or formed over different single crystal regions in the same panel. It also depends on factors such as the condition.
【0113】そこで、本実施の形態では、TFT素子T
13の閾値電圧が例えば1〜4Vの範囲でばらつく場合
の回路構成および駆動方法を例示する。Therefore, in this embodiment, the TFT element T
A circuit configuration and a driving method when the threshold voltage of 13 varies in the range of, for example, 1 to 4 V will be illustrated.
【0114】この場合、実施の形態1の図2の回路構成
では、同じコンデンサC4へ電位0Vを印加し、コンデ
ンサC5へ6Vの範囲の電圧を印加しても、TFT素子
T13の閾値電圧が1Vであれば、選択期間終了後直ぐ
にTFT素子T13が導通状態となり、有機EL素子E
L4は非発光状態となる(即ち、1階調レベル程度)。
また、TFT素子T13の閾値電圧が4Vであれば、T
FT素子T13は次の選択期間直前まで非導通状態とな
り、有機EL素子EL4は最大の発光期間を持つ(即
ち、最大階調レベル程度)。In this case, in the circuit configuration of the first embodiment shown in FIG. 2, even if the potential 0V is applied to the same capacitor C4 and the voltage in the range of 6V is applied to the capacitor C5, the threshold voltage of the TFT element T13 is 1V. If so, the TFT element T13 becomes conductive immediately after the end of the selection period, and the organic EL element E
L4 is in a non-light emitting state (that is, about one gradation level).
If the threshold voltage of the TFT element T13 is 4V, T
The FT element T13 is in the non-conducting state until immediately before the next selection period, and the organic EL element EL4 has the maximum light emission period (that is, the maximum gradation level).
【0115】このように、実施の形態1の構成では第2
のスイッチング素子であるTFT素子T13の閾値電圧
がばらつくと階調レベルがばらつくという問題がある。As described above, in the configuration of the first embodiment, the second
If the threshold voltage of the TFT element T13, which is the switching element, varies, there is a problem that the gradation level varies.
【0116】そこで、本実施の形態では、このような問
題を解決するために、図5に示す画素表示回路ABij
および図6に示す駆動方法を提示している。Therefore, in the present embodiment, in order to solve such a problem, the pixel display circuit ABij shown in FIG. 5 is used.
And the driving method shown in FIG. 6 is presented.
【0117】図1の画素表示回路Aijとしての画素表
示回路ACijを用いる場合においては、図2のTFT
素子T14を省いた代わりに、第2のスイッチング素子
であるTFT素子T13のドレイン端子とゲート端子と
の間に、第3のスイッチング素子であるTFT素子T1
5が設けられている。具体的には、TFT素子T13の
ドレイン端子とゲート端子とに、それぞれTFT素子T
15のドレイン端子とソース端子とが接続されるよう
に、TFT素子T15が配置される。In the case of using the pixel display circuit ACij as the pixel display circuit Aij of FIG. 1, the TFT of FIG.
Instead of omitting the element T14, the TFT element T1 which is the third switching element is provided between the drain terminal and the gate terminal of the TFT element T13 which is the second switching element.
5 are provided. Specifically, the TFT element T13 is connected to the drain terminal and the gate terminal of the TFT element T13, respectively.
The TFT element T15 is arranged so that the drain terminal and the source terminal of 15 are connected.
【0118】また、TFT素子T13のソース端子とリ
セット電源配線PRESとの間を遮断および接続するた
めに、新たに第4のスイッチング素子であるTFT素子
T16が配置されている。TFT素子T16のソース端
子とドレイン端子とは、それぞれTFT素子T13のソ
ース端子とリセット電源配線PRESとに接続されてい
る。A TFT element T16, which is a fourth switching element, is newly arranged to cut off and connect between the source terminal of the TFT element T13 and the reset power supply wiring PRES. The source terminal and the drain terminal of the TFT element T16 are connected to the source terminal of the TFT element T13 and the reset power supply wiring PRES, respectively.
【0119】TFT素子T15のゲート端子には、補償
制御線COMPiが接続され、TFT素子T16のゲー
ト端子(導通状態制御端子)には消去制御線ERASE
iが接続されている。The compensation control line COMPi is connected to the gate terminal of the TFT element T15, and the erase control line ERASE is connected to the gate terminal (conduction state control terminal) of the TFT element T16.
i is connected.
【0120】補償制御線COMPiは、走査ドライバ2
から出力される補償制御信号をTFT素子T19のゲー
ト端子に供給するために設けられている。補償制御信号
は、後述する選択期間の少し前からTFT素子T19を
導通させるためのレベルの信号として出力される(図6
のCOMPi電位参照)。The compensation control line COMPi is connected to the scan driver 2
It is provided to supply the compensation control signal output from the gate terminal of the TFT element T19. The compensation control signal is output as a signal of a level for making the TFT element T19 conductive shortly before the selection period described later (FIG. 6).
(See COMPi Potential).
【0121】消去制御線ERASEiは、電位制御手段
としての走査ドライバ2から出力される消去制御信号を
TFT素子T16のゲート端子に供給するために設けら
れている。消去信号は、後述する選択期間の後にTFT
素子T16を導通させるためのレベルの信号として出力
される(図6のERASEi電位参照)。The erase control line ERASEi is provided to supply the erase control signal output from the scan driver 2 as the potential control means to the gate terminal of the TFT element T16. The erase signal is supplied to the TFT after the selection period described later.
It is output as a signal of a level for making the element T16 conductive (see the ERASEi potential in FIG. 6).
【0122】画素表示回路ACijのその他の構成は図
2の画素表示回路AAijの構成と同じであるので、こ
こではその説明を省略する。The other structure of the pixel display circuit ACij is the same as the structure of the pixel display circuit AAij of FIG. 2, and therefore the description thereof is omitted here.
【0123】なお、上記のTFT素子T15〜T16は
総てp型TFTであるが、n型TFTに総て置き替えて
もよい。Although all the TFT elements T15 to T16 are p-type TFTs, they may be replaced with n-type TFTs.
【0124】以下、本実施の形態では、この画素表示回
路ACijの動作を図6に示すタイミングチャートを参
考にしながら説明する。In this embodiment, the operation of the pixel display circuit ACij will be described below with reference to the timing chart shown in FIG.
【0125】また、図5の画素表示回路ACijでは、
電源配線PS、リセット電源配線PRES、対向電極R
efに、それぞれ6V、7V、0Vの電位が設定されて
いる。Further, in the pixel display circuit ACij of FIG.
Power supply wiring PS, reset power supply wiring PRES, counter electrode R
The potentials of 6V, 7V, and 0V are set to ef, respectively.
【0126】画素表示回路ACijの選択期間は、図6
に時間として示すように、8Th〜14Thの7Th期
間となる。この選択期間の前に、初期化期間として、時
間6Thにおいて、図6のGRAYi電位がV0+4V
になった後に、図6のCOMPi電位(補償制御線CO
MPiの電位)が選択状態(−4V)になる。また、こ
のとき、図6のERASEi電位(消去制御線ERAS
Eiの電位)が選択状態(−4V)である。このため、
TFT素子T16とTFT素子T15とが導通状態とな
り、コンデンサC5と繋がるTFT素子T13のゲート
端子は、リセット電源配線PRESと短絡状態となり、
このゲート端子電位はリセット電位Voff(7V)と
なり、コンデンサC5の保持電位がセットされる(第1
の期間)。The selection period of the pixel display circuit ACij is as shown in FIG.
As shown as time, it is a 7Th period of 8Th to 14Th. Before the selection period, the GRAYi potential of FIG. 6 is V0 + 4V at time 6Th as an initialization period.
Then, the COMPi potential (compensation control line CO
The potential of MPi) becomes the selected state (-4V). At this time, the ERASEi potential (erase control line ERAS of FIG.
The potential of Ei) is in the selected state (-4V). For this reason,
The TFT element T16 and the TFT element T15 become conductive, and the gate terminal of the TFT element T13 connected to the capacitor C5 becomes short-circuited with the reset power supply wiring PRES.
This gate terminal potential becomes the reset potential Voff (7V), and the holding potential of the capacitor C5 is set (first
Period).
【0127】次に、この選択期間の前後の時間7Th〜
15Thの間に、図6のERASEi電位が非選択状態
(12V)になり、TFT素子T16はオープン状態と
なる。これにより、TFT素子T13は、リセット電源
配線PRESから切り離される。Next, time 7Th before and after this selection period
During 15 Th, the ERASEi potential in FIG. 6 is in the non-selected state (12 V), and the TFT element T16 is in the open state. As a result, the TFT element T13 is separated from the reset power supply wiring PRES.
【0128】次に、選択期間となり、時間9Th〜13
Th(第2の期間)において、図6のGi電位が−4V
に低下することによって、ゲート端子線Giが選択状態
となる。また、時間6Th〜11Thにおいて、図6の
COMPi電位が−4Vに低下することによって、補償
制御線COMPiが選択状態となる。従って、TFT素
子T11,T13,T15を通して、ソース線Sjから
TFT素子T13のゲート端子に表示階調レベルに対応
した電圧が印加される。Next, the selection period comes, and the time is from 9Th to 13th.
In Th (second period), the Gi potential in FIG. 6 is -4V.
As a result, the gate terminal line Gi is selected. Further, during the time period 6Th to 11Th, the COMPi potential in FIG. 6 drops to -4V, and the compensation control line COMPi is brought into the selected state. Therefore, a voltage corresponding to the display gradation level is applied from the source line Sj to the gate terminal of the TFT element T13 through the TFT elements T11, T13, T15.
【0129】さらに、時間10Thにおいて、図6のG
RAYi電位が、TFT閾値電圧のばらつき範囲の最大
値分(−4V)引き下げられて、V0となる。このと
き、TFT素子T13のドレイン端子とゲート端子との
間には−4V以上の電位差が発生している。そして、T
FT素子T13がp型TFTであるので、この電位差に
より、TFT素子T13は導通状態となり、TFT素子
T13のドレイン端子からゲート端子に向けて、電荷が
移動する。Further, at time 10Th, G of FIG.
The RAYi potential is lowered by the maximum value (-4V) of the variation range of the TFT threshold voltage to V0. At this time, a potential difference of -4 V or more occurs between the drain terminal and the gate terminal of the TFT element T13. And T
Since the FT element T13 is a p-type TFT, this potential difference causes the TFT element T13 to be in a conductive state, and electric charges move from the drain terminal of the TFT element T13 toward the gate terminal.
【0130】電荷移動が完了するときの、TFT素子T
13のドレイン端子・ゲート端子間電圧は、TFT素子
T13の閾値電圧で決まる。即ち、TFT素子T13の
ゲート端子電圧は、TFT素子T13のドレイン端子電
圧−TFT素子T13の閾値電圧となる。When the charge transfer is completed, the TFT element T
The voltage between the drain terminal and the gate terminal of 13 is determined by the threshold voltage of the TFT element T13. That is, the gate terminal voltage of the TFT element T13 becomes the drain terminal voltage of the TFT element T13-the threshold voltage of the TFT element T13.
【0131】このように、本実施の形態の画素表示回路
ACijおよびその駆動方法では、TFT素子T15を
設け、TFT素子T15の動作をCOMPi電位で制御
することによって、第2のスイッチング素子であるTF
T素子T13の閾値電圧の補償が行われる。As described above, in the pixel display circuit ACij and the driving method thereof according to the present embodiment, the TFT element T15 is provided and the operation of the TFT element T15 is controlled by the COMPi potential, so that the second switching element TF.
The threshold voltage of the T element T13 is compensated.
【0132】次に、時間12Thにおいて、図6のCO
MPi電位を非選択状態(12V)とすることで、TF
T素子T15が非導通状態となり、TFT素子T13の
ゲート端子とソース端子とが切り離される。Next, at time 12Th, CO of FIG.
By setting the MPi potential to the non-selected state (12V), TF
The T element T15 becomes non-conductive, and the gate terminal and the source terminal of the TFT element T13 are disconnected.
【0133】次に、時間13Thにおいて、ソース線S
jから2値階調表示電圧(0Vまたは7V)をコンデン
サC4に設定し、図6のGi電位を非選択状態(12
V)とすることで、選択期間を終了する。Next, at time 13Th, the source line S
A binary gradation display voltage (0 V or 7 V) from j is set in the capacitor C4, and the Gi potential in FIG.
By setting V), the selection period ends.
【0134】その後、時間15Thの終了時に、図6の
ERASEi電位を選択状態(−4V)に切り替えるこ
とで、TFT素子T16が導通状態となり、TFT素子
T13のソース端子とリセット電源配線PRESとが短
絡する。さらに、図3に示す実施の形態1の駆動例と同
様に、図6のGRAYi電位がV0からV0−3Vまで
徐々に引き下げられる(第3の期間)。After that, at the end of the time 15Th, by switching the ERASEi potential of FIG. 6 to the selected state (-4V), the TFT element T16 becomes conductive, and the source terminal of the TFT element T13 and the reset power supply wiring PRES are short-circuited. To do. Further, similarly to the driving example of the first embodiment shown in FIG. 3, the GRAYi potential of FIG. 6 is gradually lowered from V0 to V0-3V (third period).
【0135】そこで、上記の時間9Th〜11Thの間
に、Sj電位をデータ電圧(データ信号の電圧)Vda
taに設定すれば、その直後のコンデンサC5の電位V
C5は、
VC5=Vdata−Vth
と表される。ここで、Vthは、TFT素子T13の閾
値電圧である。Therefore, the Sj potential is set to the data voltage (data signal voltage) Vda during the above time 9Th to 11Th.
If set to ta, the potential V of the capacitor C5 immediately after that is set to
C5 is expressed as VC5 = Vdata-Vth. Here, Vth is a threshold voltage of the TFT element T13.
【0136】この後、時間13ThでコンデンサC4の
電位を0Vに設定すれば、階調1〜最大階調レベルの表
示が得られる。一方、時間13ThでコンデンサC4の
電位7Vに設定すれば、階調0レベルの表示が得られ
る。After that, if the potential of the capacitor C4 is set to 0 V at time 13Th, display of gradation 1 to maximum gradation level can be obtained. On the other hand, if the potential of the capacitor C4 is set to 7V at the time of 13Th, the display of the gradation 0 level is obtained.
【0137】例えば、コンデンサC4の電位を0Vに設
定し、時間9Th〜11Thの間でSj電位を7Vに設
定すれば、コンデンサC5の電位が7V−Vthとな
る。それゆえ、GRAYi電位がV0のとき、TFT素
子T13が導通状態となり、有機EL素子EL4は発光
状態(セット)から非発光状態(リセット)に変化す
る。For example, if the potential of the capacitor C4 is set to 0V and the Sj potential is set to 7V during the time 9Th to 11Th, the potential of the capacitor C5 becomes 7V-Vth. Therefore, when the GRAYi potential is V0, the TFT element T13 becomes conductive and the organic EL element EL4 changes from the light emitting state (set) to the non-light emitting state (reset).
【0138】コンデンサC4の電位を0Vに設定し、時
間9Th〜11Thの間でSj電位を8Vに設定すれ
ば、コンデンサC5の電圧が8V−Vthとなる。それ
ゆえ、GRAYi電位がV0−1Vのとき、TFT素子
T13が導通状態となり、有機EL素子EL4は発光状
態から非発光状態に変化する。If the potential of the capacitor C4 is set to 0V and the Sj potential is set to 8V during the time 9Th to 11Th, the voltage of the capacitor C5 becomes 8V-Vth. Therefore, when the GRAYi potential is V0-1V, the TFT element T13 becomes conductive and the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0139】コンデンサC4の電位を0Vに設定し、時
間9Th〜11Thの間でSj電位を9Vに設定すれ
ば、コンデンサC5の電圧が9V−Vthとなる。それ
ゆえ、GRAYi電位がV0−2Vのとき、TFT素子
T13が導通状態となり、有機EL素子EL4は発光状
態から非発光状態に変化する。If the potential of the capacitor C4 is set to 0V and the Sj potential is set to 9V during the time 9Th to 11Th, the voltage of the capacitor C5 becomes 9V-Vth. Therefore, when the GRAYi potential is V0-2V, the TFT element T13 becomes conductive and the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0140】コンデンサC4の電位を0Vに設定し、時
間9Th〜11Thの間でSj電位を10Vに設定すれ
ば、コンデンサC5の電圧が10V−Vthとなる。そ
れゆえ、GRAYi電位がV0−3Vのとき、TFT素
子T13が導通状態となり、有機EL素子EL4は発光
状態から非発光状態に変化する。If the potential of the capacitor C4 is set to 0V and the Sj potential is set to 10V during the time 9Th to 11Th, the voltage of the capacitor C5 becomes 10V-Vth. Therefore, when the GRAYi potential is V0-3V, the TFT element T13 becomes conductive and the organic EL element EL4 changes from the light emitting state to the non-light emitting state.
【0141】従って、上記時間9Th〜11Thの間
に、Sj電位を7〜10Vの範囲で連続的に変化させる
ことで、有機EL素子EL4は発光状態から非発光状態
に変化するタイミングをTFT素子T13の閾値電圧に
依存しないで制御できるので、実施の形態1の場合と異
なり、TFT素子T13の閾値電圧に依存しないで時間
分割アナログ階調が実現できる。Therefore, by continuously changing the Sj potential in the range of 7 to 10 V during the time 9 Th to 11 Th, the organic EL element EL4 changes the timing from the light emitting state to the non-light emitting state at the TFT element T13. Since the control can be performed without depending on the threshold voltage of, the time division analog gradation can be realized without depending on the threshold voltage of the TFT element T13, unlike the case of the first embodiment.
【0142】ここで、図5の画素表示回路ACijを図
6の駆動方法で駆動するとき、TFT素子T13の閾値
電圧のばらつきを補償できることを確認するためにシミ
ュレーションした結果について図7を用いて説明する。Here, the result of simulation for confirming that the variation in the threshold voltage of the TFT element T13 can be compensated when the pixel display circuit ACij in FIG. 5 is driven by the driving method in FIG. 6 will be described with reference to FIG. To do.
【0143】図7では、TFT素子T13の閾値電圧を
−1V,−2V,−3Vとした場合、時間9Th〜11
Thの間にSj電位を9Vに設定した条件で、コンデン
サC5(ノードN31)の電位とコンデンサC4(ノー
ドN11)の電位とを示している。In FIG. 7, when the threshold voltage of the TFT element T13 is -1V, -2V, -3V, the time is 9Th to 11th.
The potential of the capacitor C5 (node N31) and the potential of the capacitor C4 (node N11) are shown under the condition that the Sj potential is set to 9 V during Th.
【0144】なお、図7において、ノードN11の電位
の変化が、ノードN31が7V〜5V程度の範囲から始
まっている。このときのノードN31の電位は、予想さ
れるリセット電源配線PRESの電位7V−Vthより
1V程度高めの電位である。これは、TFT素子T13
のリーク電流が閾値電圧より1V高めの電位から上昇し
始める為、コンデンサC4の電荷が移動し始める為と考
えられる。In FIG. 7, the potential change of the node N11 starts from the range of about 7V to 5V at the node N31. At this time, the potential of the node N31 is higher than the expected potential 7V-Vth of the reset power supply wiring PRES by about 1V. This is the TFT element T13
It is considered that the leakage current of 1 starts to rise from a potential higher than the threshold voltage by 1 V, and the charge of the capacitor C4 starts to move.
【0145】このように、TFT素子T13の閾値電圧
がばらついて、コンデンサC5の電位がそれに応じてば
らついても、コンデンサC4の電位はほぼ同じ値にな
る。これにより、閾値電圧のばらつきに関わらず、時間
分割アナログ階調の表示を実現することができる。As described above, even if the threshold voltage of the TFT element T13 varies and the potential of the capacitor C5 varies accordingly, the potential of the capacitor C4 becomes almost the same value. This makes it possible to realize time-division analog gradation display regardless of variations in threshold voltage.
【0146】なお、本発明の実施の形態では、電気光学
素子は、TFT素子と、コンデンサと、有機EL素子と
から構成されているが、図8に示すように、液晶素子L
CD1から構成されていてもよい。In the embodiment of the present invention, the electro-optical element is composed of the TFT element, the capacitor, and the organic EL element. However, as shown in FIG.
It may be composed of CD1.
【0147】図1の画素表示回路Aijとしての画素表
示回路ADijを用いる場合においては、図8に示すよ
うに、図5の画素表示回路ADijにおけるコンデンサ
C4、TFT素子T12、有機EL素子EL4および電
源配線PSを液晶素子LCD1に置き替えただけであ
り、その他の回路構成や駆動方法は図5に示す画素表示
回路ACijの駆動方法と同じであるので、ここではそ
の詳細な説明を省略する。When the pixel display circuit ADij as the pixel display circuit Aij of FIG. 1 is used, as shown in FIG. 8, the capacitor C4, the TFT element T12, the organic EL element EL4 and the power source in the pixel display circuit ADij of FIG. The wiring PS is simply replaced with the liquid crystal element LCD1, and the other circuit configuration and driving method are the same as the driving method of the pixel display circuit ACij shown in FIG. 5, and therefore detailed description thereof is omitted here.
【0148】このような構成においても、液晶素子LC
D1に印加される電圧がVonからVoffへ切り替え
られるタイミングを制御することで、時間分割アナログ
階調を実現できる。Even in such a structure, the liquid crystal element LC
By controlling the timing at which the voltage applied to D1 is switched from Von to Voff, time division analog gradation can be realized.
【0149】〔実施の形態3〕本実施の形態では、電気
光学素子が有機EL素子とアクティブ素子(TFT素
子)とコンデンサとから構成することを前提に、電気光
学素子を構成するアクティブ素子(TFT素子)のチャ
ンネル構成と、第2のスイッチング素子であるTFT素
子のチャンネル構成について説明することで、前述の図
5の画素表示回路ACijとの相違を示す。[Embodiment 3] In the present embodiment, assuming that the electro-optical element is composed of an organic EL element, an active element (TFT element) and a capacitor, an active element (TFT) that constitutes the electro-optical element is assumed. The difference from the pixel display circuit ACij in FIG. 5 described above will be described by describing the channel configuration of the element) and the channel configuration of the TFT element that is the second switching element.
【0150】図5の画素表示回路ACijにおいては、
既にアクティブ素子がp型であり、第1のスイッチング
素子もp型である。これに対し、図9に示すように、本
画素表示回路AEijにおいては、アクティブ素子がp
型であり、第2のスイッチング素子がn型である。In the pixel display circuit ACij of FIG. 5,
The active element is already p-type and the first switching element is also p-type. On the other hand, as shown in FIG. 9, in the pixel display circuit AEij, the active element is p
And the second switching element is n-type.
【0151】図1の画素表示回路Aijとしての画素表
示回路AEijを用いることを考えると、この構成で
は、図5の画素表示回路ACijにおけるp型のTFT
素子T11,T13,T15,T16をn型のTFT素
子T17,T18,T19,T20に置き替えている。
その他、リセット電源配線PRESをソース線Sjに沿
った方向ではなく、ゲート線Giに沿った方向に配置し
ている。このような構成でも、表示ドライバ3から、リ
セット電源配線PRESにリセット電源電圧が出力され
る。Considering the use of the pixel display circuit AEij as the pixel display circuit Aij of FIG. 1, in this configuration, the p-type TFT in the pixel display circuit ACij of FIG. 5 is used.
The elements T11, T13, T15, T16 are replaced with n-type TFT elements T17, T18, T19, T20.
In addition, the reset power supply wiring PRES is arranged not in the direction along the source line Sj but in the direction along the gate line Gi. Even with such a configuration, the reset power supply voltage is output from the display driver 3 to the reset power supply wiring PRES.
【0152】なお、画素の配列は通常、横方向(ゲート
線Giの配線方向)にRGBと並ぶので、RGB毎にリ
セット電源配線PRESの電位が異なる。このため、図
5のようにソース線Sjに沿った方向にリセット電源配
線PRESを配置する。しかし、RGBでリセット電源
配線PRESの電位が同じ場合、そのリセット電源配線
PRESを隣接するドット(ここでは1画素はRGBか
ら構成され、1画素を構成するRGBで合計3ドットと
数えることにする)で共通配線化できる。これは、図1
3に示すように、リセット電源配線PRESを隣接する
2つのドットで共有化できることを意味するので、好ま
しい。Since the pixel array is normally lined up with RGB in the horizontal direction (wiring direction of the gate line Gi), the potential of the reset power supply wiring PRES is different for each RGB. Therefore, as shown in FIG. 5, the reset power supply wiring PRES is arranged in the direction along the source line Sj. However, when the potentials of the reset power supply lines PRES are the same for RGB, the reset power supply lines PRES are adjacent to each other (here, one pixel is composed of RGB, and RGB constituting one pixel is counted as a total of 3 dots). Common wiring can be achieved with. This is
As shown in FIG. 3, the reset power supply wiring PRES is preferable because it can be shared by two adjacent dots.
【0153】この画素表示回路AEijを実施の形態2
の画素表示回路ACijと同様に駆動するには、図10
に示すように、Gi電位、GRAYi電位、ERASE
i電位、COMPi電位の極性を図6の各電位に対して
反転させればよい。This pixel display circuit AEij is used in the second embodiment.
In order to drive the pixel display circuit ACij of FIG.
, The Gi potential, GRAYi potential, ERASE
The polarities of the i potential and the COMPi potential may be inverted with respect to each potential of FIG.
【0154】また、本実施の形態でも、実施の形態2と
同様、図10の駆動方法で駆動するとき、TFT素子T
13の閾値電圧のばらつきを補償できることを確認する
ためにシミュレーションを行ってみた。しかし、本画素
表示回路AEijでは、第2のスイッチング素子である
TFT素子T18のソース端子・ドレイン端子間を通過
できる電圧が、TFT素子T18のゲート端子電圧に依
存するので、TFT素子T12のゲート端子の電位はコ
ンデンサC5の電位に従った期間に0Vに維持された
後、GRAYi電位が上昇するのに従って、徐々に7V
へ向け変化することが判った。Also in this embodiment, as in the second embodiment, when the TFT element T is driven by the driving method of FIG.
A simulation was performed to confirm that the variation in the threshold voltage of No. 13 can be compensated. However, in the pixel display circuit AEij, the voltage that can pass between the source terminal and the drain terminal of the TFT element T18, which is the second switching element, depends on the gate terminal voltage of the TFT element T18. Is maintained at 0V for a period according to the potential of the capacitor C5, and then gradually increases to 7V as the GRAYi potential rises.
It turned out to change toward.
【0155】即ち、画素表示回路AEijでは、1フレ
ーム期間において、TFT素子T12が2値駆動状態で
駆動される期間(コンデンサC4へTFT素子T12が
充分低抵抗状態となる電圧と、非導通状態となる電圧の
2値電圧を与える期間であって、TFT素子T12のゲ
ート端子へ1V以下または5V以上の電圧が印加されて
いる期間)の比率が確保できず、TFT素子T12の閾
値特性・移動度のばらつきの影響を受けて好ましくない
ことが判った。That is, in the pixel display circuit AEij, in one frame period, the period in which the TFT element T12 is driven in the binary drive state (the voltage to the capacitor C4 where the TFT element T12 is in a sufficiently low resistance state and the non-conduction state). , Which is a period in which a binary voltage of the following voltage is applied and a voltage of 1 V or lower or 5 V or higher is applied to the gate terminal of the TFT element T12), the threshold characteristics and mobility of the TFT element T12 cannot be secured. It was found to be unfavorable due to the influence of the variation of.
【0156】一方、図11に示すように、画素表示回路
AEijのTFT素子T13をp型のTFT素子T13
に置き替えた画素表示回路AFijでは、図12に示す
ように、Gi電位、ERASEi電位、COMPi電位
の極性が図10で対応する各電位に対して反転され、電
位が調整された駆動波形で駆動すれば、図7のシミュレ
ーション結果と同様な結果が得られた。On the other hand, as shown in FIG. 11, the TFT element T13 of the pixel display circuit AEij is replaced with a p-type TFT element T13.
In the pixel display circuit AFij replaced with, the polarities of the Gi potential, the ERASEi potential, and the COMPi potential are inverted with respect to the corresponding potentials in FIG. Then, the same result as the simulation result of FIG. 7 was obtained.
【0157】また、図14に示す画素表示回路AGij
においては、図11の画素表示回路AFijにおけるp
型のTFT素子T12,13がそれぞれn型のTFT素
子T22,23に置き替えられて、TFT素子T21〜
25が総てn型TFTとなっており、有機EL素子EL
4の代わりに極性が反転した有機EL素子EL5が設け
られている。In addition, the pixel display circuit AGij shown in FIG.
In the pixel display circuit AFij of FIG.
Type TFT elements T12 and T13 are replaced with n type TFT elements T22 and T23, respectively.
25 are all n-type TFTs, and organic EL elements EL
Instead of 4, an organic EL element EL5 whose polarity is inverted is provided.
【0158】この構成では、電源配線PS、対向電極R
ef、リセット電源配線PRESの各電位は、0V、6
V、0Vと設定されている。In this structure, the power supply wiring PS and the counter electrode R
ef and the reset power supply wiring PRES have potentials of 0 V and 6
It is set to V and 0V.
【0159】また、画素表示回路AGijの駆動におい
ては、図15に示すGi電位、ERASEi電位、CO
MPi電位、GRAYi電位の極性が、図6に示す対応
する各電位に対して反転され、各電位が調整された駆動
波形を用いる。In driving the pixel display circuit AGij, the Gi potential, the ERASEi potential, the CO potential shown in FIG.
The polarities of the MPi potential and the GRAYi potential are inverted with respect to the corresponding potentials shown in FIG. 6, and a drive waveform in which each potential is adjusted is used.
【0160】この画素表示回路AGijを図15の駆動
波形による駆動方法で駆動した場合に、第2のスイッチ
ング素子であるTFT素子T22の閾値電圧のばらつき
を補償できることを確認したシミュレーション結果を図
16に示す。FIG. 16 shows a simulation result confirming that the variation of the threshold voltage of the TFT element T22 which is the second switching element can be compensated when the pixel display circuit AGij is driven by the driving method according to the driving waveform of FIG. Show.
【0161】図16は、TFT素子T22の閾値電圧を
1V,2V,3Vとした場合、図15の時間9Th〜1
1Thの間にSj電位を−4Vに設定した条件で、コン
デンサC5(ノードN31)の電位とコンデンサC4
(ノードN11)の電位とを示している。この場合、図
5の画素表示回路英Cijについてした図7のシミュレ
ーション結果と同様、TFT素子T23の閾値電圧がば
らついて、コンデンサC5の電位がそれに応じてばらつ
いても、コンデンサC4の電位はほぼ同じ値になる。こ
れにより、閾値電圧のばらつきに関わらず、時間分割ア
ナログ階調の表示を実現することができる。FIG. 16 shows the time 9Th to 1 in FIG. 15 when the threshold voltage of the TFT element T22 is set to 1V, 2V and 3V.
Under the condition that the Sj potential is set to -4 V for 1 Th, the potential of the capacitor C5 (node N31) and the capacitor C4 are
The potential of the (node N11) is shown. In this case, similar to the simulation result of FIG. 7 for the pixel display circuit Cij of FIG. 5, even if the threshold voltage of the TFT element T23 varies and the potential of the capacitor C5 varies accordingly, the potential of the capacitor C4 is almost the same. It becomes a value. This makes it possible to realize time-division analog gradation display regardless of variations in threshold voltage.
【0162】また、これらの結果から、前述の図9の画
素表示回路AEijに比べて、電気光学素子を構成する
アクティブ素子(TFT素子T12,T22)のチャン
ネル極性と、第2のスイッチング素子であるTFT素子
T13,23のチャンネル極性は同じ極性であることが
好ましいことが判る。From these results, the channel polarities of the active elements (TFT elements T12 and T22) forming the electro-optical element and the second switching element are higher than those of the pixel display circuit AEij shown in FIG. It is understood that the channel polarities of the TFT elements T13 and T23 are preferably the same.
【0163】なお、ソース端子配線Sjへアナログ階調
電圧を供給するドライバ回路の出力電圧にはオフセット
特性のばらつきが見られる。It should be noted that the output voltage of the driver circuit for supplying the analog gradation voltage to the source terminal wiring Sj has a variation in offset characteristic.
【0164】このオフセット電圧のばらつきは、ソース
線Sj毎に階調特性をシフトさせるので、縦線として認
識され、画質の低下を招く。This variation in the offset voltage shifts the gradation characteristic for each source line Sj, so that it is recognized as a vertical line and the image quality is deteriorated.
【0165】そこで、図17に示すように、縦方向(ソ
ース線Sjの配線方向)のドットにおいて、ゲート線G
i毎に接続されるソース線Sjを異ならせる。例えば、
ゲート線Giに接続されるドットAFijgがソース線
Sjrgに接続され、ゲート線G1+iに接続されるド
ットAFi+1jgがソース線Sjgbに接続される。
これにより、表示ドライバ3の出力オフセット電圧の影
響がRGB各色にドット状に分散されるので、縦線を実
線状から破線状として目立ちにくくなり、画質劣化を軽
減することができる。Therefore, as shown in FIG. 17, in the dot in the vertical direction (wiring direction of the source line Sj), the gate line G
The source line Sj connected for each i is made different. For example,
The dot AFijg connected to the gate line Gi is connected to the source line Sjrg, and the dot AFi + 1jg connected to the gate line G1 + i is connected to the source line Sjgb.
As a result, the influence of the output offset voltage of the display driver 3 is dispersed in the respective colors of RGB in a dot shape, so that the vertical line is changed from the solid line shape to the broken line shape so as to be inconspicuous, and the image quality deterioration can be reduced.
【0166】従って、このように画素表示回路AFij
とソース線Sjとを接続し、その接続に応じて各画素表
示回路AFijの表示に必要な信号をソース線Sjに割
り振って制御し、出力させることが好ましい。Therefore, in this way, the pixel display circuit AFij
It is preferable that the source line Sj is connected to the source line Sj, and a signal required for display of each pixel display circuit AFij is allocated to the source line Sj for control and output according to the connection.
【0167】また、1画素は正方形に近い形状に形成さ
れるので、RGB各ドットの大きさは横側が縦側の1/
3程度になる。この画素構造では、有機EL膜をインク
ジェト方式等で形成する場合、寸法が短いだけ横方向の
形成に高い精度が要求されることが考えられる。Since one pixel is formed in a shape close to a square, the size of each RGB dot is such that the horizontal side is 1 / vertical to the vertical side.
It will be about 3. In this pixel structure, when the organic EL film is formed by the ink jet method or the like, it is conceivable that high accuracy is required for forming in the lateral direction due to its short dimension.
【0168】そこで、図18のように、隣接するドット
間で、楕円で示す有機EL膜のターゲットTの中心を互
いにずらし、ターゲットTの形状を少しでも楕円形から
円形に近い形にし、同一のインクジェット成膜精度で、
より画素ピッチの狭い画素をRGB塗り分けができるよ
うにする、図22の楕円のような画素電極を配置するこ
とが好ましい。Therefore, as shown in FIG. 18, the centers of the targets T of the organic EL film indicated by ellipses are shifted from each other between the adjacent dots, and the target T is made to have a shape close to a circle from an ellipse to the same shape. With inkjet deposition accuracy,
It is preferable to arrange a pixel electrode such as an ellipse shown in FIG. 22 that enables RGB pixels having a narrower pixel pitch to be separately colored.
【0169】なお、本発明の実施の形態では、電気光学
素子は、TFT素子と、コンデンサと、有機EL素子と
から構成されているが、その代わりに、図4および図8
の構成と同様に、液晶素子から構成されていてもよい
(図示省略)。In the embodiment of the present invention, the electro-optical element is composed of the TFT element, the capacitor, and the organic EL element. Instead of this, FIGS. 4 and 8 are used.
Similar to the configuration (1), it may be configured by a liquid crystal element (not shown).
【0170】このような構成においても、液晶素子に印
加される電圧がVonからVoffへ切り替えられるタ
イミングを制御することで、時間分割アナログ階調を実
現できる。Even in such a structure, time division analog gradation can be realized by controlling the timing at which the voltage applied to the liquid crystal element is switched from Von to Voff.
【0171】[0171]
【発明の効果】以上のように、本発明の表示装置は、電
気的に光輝度を制御する電気光学素子と、入力された光
輝度制御用の表示信号を導通状態で電気光学素子に与え
る第1のスイッチング素子と、該第1のスイッチング素
子を導通または非導通させるためのスイッチング信号を
前記第1のスイッチング素子に供給する第1の配線と、
前記表示信号を前記スイッチング素子に供給する第2の
配線と、前記電気光学素子の電位を保持する第1の電位
保持手段と、前記第1の電位保持手段の保持電位をリセ
ットするためのリセット電源に前記第1の電位保持手段
を接続または非接続させる第2のスイッチング素子と、
該第2のスイッチング素子の導通状態制御端子の電位を
保持する第2の電位保持手段と、該第2の電位保持手段
の保持電位を制御する保持電位制御手段とを備えている
構成である。As described above, in the display device of the present invention, the electro-optical element for electrically controlling the light brightness and the input display signal for controlling the light brightness are applied to the electro-optical element in a conductive state. A first switching element, and a first wiring for supplying a switching signal for conducting or non-conducting the first switching element to the first switching element,
Second wiring for supplying the display signal to the switching element, first potential holding means for holding the potential of the electro-optical element, and reset power supply for resetting the holding potential of the first potential holding means. A second switching element for connecting or disconnecting the first potential holding means to
The configuration is provided with second potential holding means for holding the potential of the conduction state control terminal of the second switching element and holding potential control means for controlling the holding potential of the second potential holding means.
【0172】これにより、第2のスイッチング手段の導
通状態制御端子の電位が、保持電位が制御されることに
よって制御されるので、第2のスイッチング手段は、電
位制御手段によって導通および非導通が制御される。そ
れゆえ、電気光学素子の動作をセットまたはリセットす
るタイミングを、第2の電位保持手段の保持電位によっ
て制御することが可能となる。この結果、1階調表示レ
ベルが増加すれば1階調分表示期間が長くなる時間分割
階調表示(時間分割アナログ階調表示)を実現すること
ができる。このような時間分割アナログ階調表示では、
隣接する階調間で表示期間が総て重なるので、動画偽輪
郭の発生が殆どない階調表示を実現することができる。
しかも、各期間では輝度制御状態として表示または非表
示の2つの状態しか持たないので、電気光学素子として
有機EL素子を用いた場合に、同電気光学素子を駆動す
る駆動用アクティブ素子の閾値特性や移動度のばらつき
の影響の少ない階調表示が得られる。As a result, the potential of the conduction state control terminal of the second switching means is controlled by controlling the holding potential, so that the second switching means controls conduction and non-conduction by the potential control means. To be done. Therefore, the timing for setting or resetting the operation of the electro-optical element can be controlled by the holding potential of the second potential holding means. As a result, it is possible to realize time-division gray scale display (time-division analog gray scale display) in which the display period for one gray scale becomes longer as the one gray scale display level increases. In such time division analog gradation display,
Since the display periods are all overlapped between the adjacent gradations, it is possible to realize the gradation display in which the false contour of the moving image is hardly generated.
Moreover, since there are only two states of display or non-display as the brightness control state in each period, when the organic EL element is used as the electro-optical element, the threshold characteristic of the driving active element for driving the electro-optical element or It is possible to obtain gradation display that is less affected by the variation in mobility.
【0173】したがって、駆動用アクティブ素子の閾値
特性および移動度がばらついても、時間分割階調表示方
法を用いながら、駆動周波数の増大を招かずに動画偽輪
郭を目立たなくすることができるという効果を奏する。
また、走査周波数がビット数倍にならないことやフレー
ムメモリが不要となることなど、従来の時間分割階調表
示で問題となった課題が解決できるという効果を併せて
奏する。Therefore, even if the threshold characteristic and the mobility of the driving active element are varied, the false contour of the moving image can be made inconspicuous without increasing the driving frequency while using the time division gradation display method. Play.
In addition, it is possible to solve the problems that have been problematic in the conventional time-division gray scale display, such that the scanning frequency is not multiplied by the number of bits and the frame memory is unnecessary.
【0174】上記の表示装置においては、前記電位制御
手段が、保持電位を制御するための保持電位制御電圧を
第3の配線に出力し、前記第2の電位保持手段が容量性
素子であり、その一方の端子が前記第2のスイッチング
素子の導通状態制御端子に接続され、他方の端子が前記
第3の配線に接続されていることにより、第2のスイッ
チング素子の同通状態制御端子の電位が変化するので、
第2のスイッチング素子の導通/非導通状態となるタイ
ミングを容量性素子に印加する保持電位制御電圧によっ
て制御することができる。従って、簡単な回路構成によ
って、容易に電気光学素子の動作状態を制御することが
できるという効果を奏する。In the above display device, the potential control means outputs a holding potential control voltage for controlling the holding potential to the third wiring, and the second potential holding means is a capacitive element, Since one terminal thereof is connected to the conduction state control terminal of the second switching element and the other terminal is connected to the third wiring, the potential of the common state control terminal of the second switching element is increased. Changes, so
The timing at which the second switching element is turned on / off can be controlled by the holding potential control voltage applied to the capacitive element. Therefore, it is possible to easily control the operating state of the electro-optical element with a simple circuit configuration.
【0175】また、上記の表示装置は、前記第2のスイ
ッチング素子における導通状態制御端子および前記リセ
ット電源接続側端子を接続または非接続させる第3のス
イッチング素子と、前記第2のスイッチング素子と前記
リセット電源とを接続または非接続させる第4のスイッ
チング素子と、前記第4のスイッチング素子の導通状態
制御端子の電位を制御する電位制御手段とを備えている
構成である。In the display device, the third switching element that connects or disconnects the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal of the second switching element, the second switching element, and the third switching element. A configuration is provided that includes a fourth switching element that connects or disconnects a reset power supply, and a potential control unit that controls the potential of the conduction state control terminal of the fourth switching element.
【0176】これにより、第4のスイッチング素子が非
導通状態の間に、第2のスイッチング素子と第3のスイ
ッチング素子を導通状態とすることで、第2の電位保持
手段の保持電位を第2の配線から第2のスイッチング素
子へ与えられた表示信号の電圧±第2のスイッチング素
子の閾値電圧に設定できる。また、第3のスイッチング
素子を非導通状態とし、第4のスイッチング素子を導通
状態とし、第2の電位保持手段の電位を変化させ、第2
のスイッチング素子を導通状態とすることで、電気光学
素子の表示時間を制御することができる。それゆえ、予
め第2の電位保持手段に残る電圧を、第2のスイッチン
グ素子の閾値電圧分で補正できる。従って、第2のスイ
ッチング素子の閾値電圧のばらつきに依らず、第2のス
イッチング素子の導通タイミングを制御することができ
る。従って、第2のスイッチング素子の閾値電圧ばらつ
きの影響をキャンセルして、TFT閾値特性ばらつきに
依らず均一な表示を得ることができるという効果を奏す
る。Thus, while the fourth switching element is in the non-conducting state, the second switching element and the third switching element are brought into the conducting state so that the holding potential of the second potential holding means becomes the second potential. The voltage of the display signal applied to the second switching element from the wiring can be set to ± the threshold voltage of the second switching element. Further, the third switching element is brought into a non-conducting state, the fourth switching element is brought into a conducting state, and the potential of the second potential holding means is changed,
The display time of the electro-optical element can be controlled by setting the switching element of 1 to the conductive state. Therefore, the voltage remaining in the second potential holding means in advance can be corrected by the threshold voltage of the second switching element. Therefore, the conduction timing of the second switching element can be controlled without depending on the variation in the threshold voltage of the second switching element. Therefore, it is possible to cancel the influence of the variation of the threshold voltage of the second switching element and obtain a uniform display regardless of the variation of the TFT threshold characteristic.
【0177】上記の表示装置において、前記電気光学素
子が有機EL素子のような自発光型光学素子および該記
自発光型光学素子を駆動するための駆動用電源に前記自
発光型光学素子を接続または非接続させる駆動用スイッ
チング素子からなる構成であれば、第1の電位保持手段
がコンデンサであり、前記駆動用スイッチング素子のス
イッチング特性、および前記第2のスイッチング素子の
スイッチング特性が、同様な傾向を持つことにより、第
2のスイッチング素子が導通状態となったとき、駆動用
スイッチング素子のゲート端子をリセット電源に接続さ
せ、駆動用スイッチング素子をリセット状態とすること
ができる。1フレーム期間において駆動用スイッチング
素子が2値駆動状態で駆動される期間が長く確保できる
ので、駆動用スイッチング素子の閾値特性のばらつきに
よらず均一な表示を得ることができるという効果を奏す
る。In the above display device, the electro-optical element is connected to a self-emission type optical element such as an organic EL element and a driving power source for driving the self-emission type optical element. Alternatively, in the case of a structure including a driving switching element to be disconnected, the first potential holding means is a capacitor, and the switching characteristics of the driving switching element and the switching characteristics of the second switching element have the same tendency. With this configuration, when the second switching element is in the conductive state, the gate terminal of the driving switching element can be connected to the reset power supply, and the driving switching element can be brought into the reset state. Since it is possible to secure a long period in which the driving switching element is driven in the binary driving state in one frame period, it is possible to obtain a uniform display regardless of variations in threshold characteristics of the driving switching element.
【0178】本発明の表示装置の駆動方法は、電気的に
光輝度を制御する電気光学素子と、入力された光輝度制
御用の表示信号を導通状態で電気光学素子に与える第1
のスイッチング素子と、該第1のスイッチング素子を導
通または非導通させるためのスイッチング信号を前記第
1のスイッチング素子に供給する第1の配線と、前記表
示信号を前記スイッチング素子に供給する第2の配線と
を備えた表示装置を駆動する方法であって、前記電気光
学素子の電位を保持する第1の電位保持手段の保持電位
をリセットするためのリセット電源に前記第1の電位保
持手段を接続または非接続させる第2のスイッチング素
子の導通状態制御端子の電位を保持する第2の電位保持
手段の電位を第1の期間で設定し、前記第1の期間より
後の第2の期間で前記電気光学素子の表示状態を設定
し、前記第2の期間より後の第3の期間で、前記第2の
電位保持手段の保持電位を変化させることで、前記第2
のスイッチング素子を非導通状態から導通状態に変化さ
せ、前記電気光学素子の状態を前記第1の期間で設定し
た状態からセットまたはリセットさせる方法である。The driving method of the display device of the present invention is such that the electro-optical element for electrically controlling the light luminance and the input display signal for controlling the light luminance in the conductive state are applied to the electro-optical element.
Switching element, a first wiring for supplying a switching signal for conducting or non-conducting the first switching element to the first switching element, and a second wiring for supplying the display signal to the switching element. A method for driving a display device including wiring, wherein the first potential holding means is connected to a reset power supply for resetting the holding potential of the first potential holding means for holding the potential of the electro-optical element. Alternatively, the potential of the second potential holding unit that holds the potential of the conduction state control terminal of the second switching element to be disconnected is set in the first period, and the potential is set in the second period after the first period. By setting the display state of the electro-optical element and changing the holding potential of the second potential holding means in the third period after the second period, the second
Of the switching element is changed from the non-conducting state to the conducting state, and the state of the electro-optical element is set or reset from the state set in the first period.
【0179】これにより、電気光学素子の動作をセット
またはリセットするタイミングを、第2の電位保持手段
の保持電位によって制御することが可能となり、動画偽
輪郭の発生が殆どない状態で時間分割アナログ階調表示
を実現することができる。しかも、各期間では輝度制御
状態として表示または非表示の2つの状態しか持たない
ので、電気光学素子として有機EL素子を用いた場合
に、同電気光学素子を駆動する駆動用アクティブ素子の
閾値特性や移動度のばらつきの影響の少ない階調表示が
得られる。したがって、駆動用アクティブ素子の閾値特
性および移動度がばらついても、時間分割階調表示方法
を用いながら、駆動周波数の増大を招かずに動画偽輪郭
を目立たなくすることができるという効果を奏する。As a result, the timing for setting or resetting the operation of the electro-optical element can be controlled by the holding potential of the second potential holding means, and the time division analog floor can be generated in the state where the false contour of the moving image is hardly generated. Key display can be realized. Moreover, since there are only two states of display or non-display as the brightness control state in each period, when the organic EL element is used as the electro-optical element, the threshold characteristic of the driving active element for driving the electro-optical element or It is possible to obtain gradation display that is less affected by the variation in mobility. Therefore, even if the threshold characteristics and the mobility of the driving active element vary, the effect that the moving image false contour can be made inconspicuous without increasing the driving frequency while using the time-division gray scale display method is produced.
【0180】上記の駆動方法では、前記第3の期間で、
前記第2の電位保持手段の保持電位を制御するための保
持電位制御電圧を発生するとともに、第1の端子と、前
記第2のスイッチング素子の導通状態制御端子に接続さ
れる第2の端子とを有する容量性素子からなる前記第2
の電位保持手段の前記第1の端子に前記保持電位制御電
圧を印加することにより、前述の保持電位制御電圧を用
いた表示装置と同様、第2のスイッチング素子の導通/
非導通状態となるタイミングを容量性素子に印加する保
持電位制御電圧によって制御することができる。従っ
て、簡単な回路構成によって、容易に電気光学素子の動
作状態を制御することができるという効果を奏する。In the above driving method, in the third period,
A holding potential control voltage for controlling the holding potential of the second potential holding means is generated, and a first terminal and a second terminal connected to the conduction state control terminal of the second switching element are provided. The second element comprising a capacitive element having
By applying the holding potential control voltage to the first terminal of the potential holding means, the second switching element is turned on / off similarly to the display device using the holding potential control voltage.
The timing of non-conduction can be controlled by the holding potential control voltage applied to the capacitive element. Therefore, it is possible to easily control the operating state of the electro-optical element with a simple circuit configuration.
【0181】また、上記の駆動方法では、前記第1の期
間で、前記第2のスイッチング素子と、前記第2のスイ
ッチング素子における導通状態制御端子および前記リセ
ット電源接続側端子を接続または非接続させる第3のス
イッチング素子とを通して前記第2の電位保持手段の保
持電位をセットし、前記第3の期間で、前記第2のスイ
ッチング素子と前記リセット電源とを接続または非接続
させる第4のスイッチング素子を導通状態とし、上記電
気光学素子の状態をセットまたはリセットすることによ
り、第1の期間で、第2の電位保持手段の保持電位が、
第2および第3のスイッチング手段を通してセットされ
るので、第2の電位保持手段の保持電位を第2の配線か
ら第2のスイッチング素子へ与えられた表示信号の電圧
±第2のスイッチング素子の閾値電圧に設定できる。ま
た、第3の期間で第4のスイッチング素子が導通状態と
なることで、電気光学素子の状態がセットまたはリセッ
トされる。このとき、第2の電位保持手段の電位を変化
させ、第2のスイッチング素子を導通状態とすること
で、電気光学素子の表示時間を制御することができる。
従って、予め第2の電位保持手段に残る電圧を、第2の
スイッチング素子の閾値電圧分で補正できるので、第2
のスイッチング素子の閾値電圧のばらつきに依らず、第
2のスイッチング素子の導通タイミングを制御すること
ができる。In the above driving method, the second switching element and the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal in the second switching element are connected or disconnected in the first period. A fourth switching element that sets the holding potential of the second potential holding means through a third switching element and connects or disconnects the second switching element and the reset power supply during the third period. Is made conductive, and the state of the electro-optical element is set or reset so that the holding potential of the second potential holding means during the first period becomes
Since the voltage is set through the second and third switching means, the holding potential of the second potential holding means is the voltage of the display signal applied to the second switching element from the second wiring ± the threshold value of the second switching element. Can be set to voltage. In addition, the state of the electro-optical element is set or reset by bringing the fourth switching element into the conductive state in the third period. At this time, the display time of the electro-optical element can be controlled by changing the potential of the second potential holding unit and bringing the second switching element into the conductive state.
Therefore, the voltage remaining in the second potential holding means in advance can be corrected by the amount of the threshold voltage of the second switching element.
The conduction timing of the second switching element can be controlled without depending on the variation in the threshold voltage of the switching element.
【図1】本発明の各実施の形態に共通するアクティブマ
トリックス型表示装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an active matrix type display device common to each embodiment of the present invention.
【図2】上記アクティブマトリックス型表示装置に設け
られる実施の形態1の画素表示回路の構成を示す等価回
路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit of the first embodiment provided in the active matrix type display device.
【図3】図2の画素表示回路の時間分割階調駆動動作を
示す駆動波形図である。3 is a drive waveform diagram showing a time-division gray scale drive operation of the pixel display circuit of FIG.
【図4】実施の形態1の画素表示回路の他の構成を示す
等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing another configuration of the pixel display circuit of the first embodiment.
【図5】上記アクティブマトリックス型表示装置に設け
られる実施の形態2の画素表示回路の構成を示す等価回
路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit of a second embodiment provided in the active matrix display device.
【図6】図5の画素表示回路の時間分割階調駆動動作を
示す駆動波形図である。6 is a drive waveform diagram showing a time-division gray scale drive operation of the pixel display circuit of FIG.
【図7】図5の画素表示回路の時間分割階調駆動の効果
を確認するためのシミュレーション結果を示す動作特性
図である。7 is an operation characteristic diagram showing a simulation result for confirming the effect of time division gray scale driving of the pixel display circuit of FIG.
【図8】実施の形態2の画素表示回路の他の構成を示す
等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram showing another configuration of the pixel display circuit of the second embodiment.
【図9】上記アクティブマトリックス型表示装置に設け
られる実施の形態3の画素表示回路に対する比較例の画
素表示回路の構成を示す等価回路図である。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit of a comparative example with respect to the pixel display circuit of the third embodiment provided in the active matrix display device.
【図10】図9の画素表示回路の時間分割階調駆動動作
を示す駆動波形図である。10 is a drive waveform diagram showing a time division gray scale drive operation of the pixel display circuit of FIG.
【図11】上記アクティブマトリックス型表示装置に設
けられる実施の形態3の画素表示回路の構成を示す等価
回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit according to a third embodiment provided in the active matrix display device.
【図12】図11の画素表示回路の時間分割階調駆動動
作を示す駆動波形図である。12 is a drive waveform diagram showing a time-division gray scale drive operation of the pixel display circuit of FIG.
【図13】図11の画素表示回路の応用例を示す回路図
である。13 is a circuit diagram showing an application example of the pixel display circuit of FIG.
【図14】実施の形態3の画素表示回路の他の構成を示
す等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram showing another configuration of the pixel display circuit of the third embodiment.
【図15】図14の画素表示回路の時間分割階調駆動動
作を示す駆動波形図である。15 is a drive waveform diagram showing a time-division gray scale drive operation of the pixel display circuit of FIG.
【図16】図15の画素表示回路の時間分割階調駆動の
効果を確認するためのシミュレーション結果を示す動作
特性図である。16 is an operational characteristic diagram showing a simulation result for confirming the effect of time-division gray scale driving of the pixel display circuit of FIG.
【図17】図18の画素表示回路の応用例を示す回路図
である。17 is a circuit diagram showing an application example of the pixel display circuit of FIG.
【図18】図18の画素表示回路の他の応用例を示す回
路図である。FIG. 18 is a circuit diagram showing another application example of the pixel display circuit of FIG.
【図19】従来のアクティブマトリックス型表示装置に
設けられる画素表示回路の構成を示す等価回路図であ
る。FIG. 19 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit provided in a conventional active matrix display device.
【図20】従来の時間分割階調駆動を行うアクティブマ
トリックス型表示装置に設けられる画素表示回路の構成
を示す等価回路図である。FIG. 20 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit provided in a conventional active matrix display device that performs time division gray scale driving.
【図21】図20の画素表示回路の時間分割階調駆動方
法を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a time division gray scale driving method of the pixel display circuit of FIG. 20.
【図22】従来のアクティブマトリックス型表示装置に
設けられる、駆動用TFT素子の閾値特性・移動度のば
らつき対策が施された画素表示回路の構成を示す等価回
路図である。FIG. 22 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit provided in a conventional active matrix type display device and provided with measures against variations in threshold characteristics and mobility of driving TFT elements.
【図23】従来のアクティブマトリックス型表示装置に
設けられる、駆動用TFT素子の閾値特性・移動度のば
らつき対策が施された画素表示回路の構成を示す等価回
路図である。FIG. 23 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel display circuit provided in a conventional active matrix type display device and provided with measures against variations in threshold characteristics and mobility of driving TFT elements.
【図24】従来のPDPにおける動画偽輪郭の発生原理
を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing a principle of generating a false contour of a moving image in a conventional PDP.
2 ゲートドライバ(保持電位制
御手段、電位制御手段)
C4,C6 コンデンサ(第1の電位保持
手段)
C5,C7 コンデンサ(第2の電位保持
手段)
EL4,EL5 有機EL素子
LCD1 液晶素子
Gi ゲート線(第1の配線)
Sj ソース線(第2の配線)
GRAYi 階調制御線(第3の配線)
T11,T21 TFT素子(第1のスイッチ
ング素子)
T12,T22 TFT素子(駆動用スイッチ
ング素子)
T13,T23 TFT素子(第2のスイッチ
ング素子)
T15,T19,T24 TFT素子(第3のスイッチ
ング素子)
T16,T25,T20 TFT素子(第4のスイッチ
ング素子)2 gate driver (holding potential control means, potential control means) C4, C6 capacitors (first potential holding means) C5, C7 capacitors (second potential holding means) EL4, EL5 organic EL element LCD1 liquid crystal element Gi gate line ( First wiring) Sj Source line (second wiring) GRAYi Gradation control line (third wiring) T11, T21 TFT element (first switching element) T12, T22 TFT element (driving switching element) T13, T23 TFT element (second switching element) T15, T19, T24 TFT element (third switching element) T16, T25, T20 TFT element (fourth switching element)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641E 641R 3/30 3/30 H H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 2H093 NA16 NA51 NB01 NB07 NB11 NC34 NC35 ND06 ND49 ND53 3K007 AB17 DB03 GA04 5C006 AA14 AF44 BB16 BC06 BC12 BF34 BF37 EB05 FA29 5C080 AA06 AA10 BB05 DD30 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641E 641R 3/30 3/30 H H05B 33/14 H05B 33/14 A F term (reference) 2H093 NA16 NA51 NB01 NB07 NB11 NC34 NC35 ND06 ND49 ND53 3K007 AB17 DB03 GA04 5C006 AA14 AF44 BB16 BC06 BC12 BF34 BF37 EB05 FA29 5C080 AA06 AA10 BB05 DD30 EE29 FF11 JJ04JJ03 JJ02JJ03 JJ03
Claims (7)
と、入力された光輝度制御用の表示信号を導通状態で前
記電気光学素子に与える第1のスイッチング素子と、該
第1のスイッチング素子を導通または非導通させるため
のスイッチング信号を前記第1のスイッチング素子に供
給する第1の配線と、前記表示信号を前記スイッチング
素子に供給する第2の配線とを備えた表示装置であっ
て、 前記電気光学素子の電位を保持する第1の電位保持手段
と、 前記第1の電位保持手段の保持電位をリセットするため
のリセット電源に前記第1の電位保持手段を接続または
非接続させる第2のスイッチング素子と、 該第2のスイッチング素子の導通状態制御端子の電位を
保持する第2の電位保持手段と、 該第2の電位保持手段の保持電位を制御する保持電位制
御手段とを備えていることを特徴とする表示装置。1. An electro-optical element for electrically controlling light brightness, a first switching element for applying an input display signal for light brightness control to the electro-optical element in a conductive state, and the first switching element. A display device comprising: a first wiring for supplying a switching signal for conducting or non-conducting an element to the first switching element; and a second wiring for supplying the display signal to the switching element. A first potential holding means for holding the potential of the electro-optical element, and a first power source holding means for connecting or disconnecting the first potential holding means to a reset power supply for resetting the holding potential of the first potential holding means. Second switching element, a second potential holding means for holding the potential of the conduction state control terminal of the second switching element, and a holding potential for controlling the holding potential of the second potential holding means. A display device comprising: a holding potential control means.
ための保持電位制御電圧を第3の配線に出力し、 前記第2の電位保持手段が容量性素子であり、その一方
の端子が前記第2のスイッチング素子の導通状態制御端
子に接続され、他方の端子が前記第3の配線に接続され
ていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。2. The potential control means outputs a holding potential control voltage for controlling the holding potential to a third wiring, the second potential holding means is a capacitive element, and one terminal of which is a capacitive element. The display device according to claim 1, wherein the second switching element is connected to a conduction state control terminal and the other terminal is connected to the third wiring.
状態制御端子および前記リセット電源接続側端子を接続
または非接続させる第3のスイッチング素子と、 前記第2のスイッチング素子と前記リセット電源とを接
続または非接続させる第4のスイッチング素子と、 前記第4のスイッチング素子の導通状態制御端子の電位
を制御する電位制御手段とを備えていることを特徴とす
る請求項1または2に記載の表示装置。3. A third switching element for connecting or disconnecting the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal in the second switching element; and connecting the second switching element and the reset power supply, or The display device according to claim 1, further comprising: a fourth switching element to be disconnected, and a potential control unit that controls a potential of a conduction state control terminal of the fourth switching element.
よび該自発光型光学素子を駆動するための駆動用電源に
前記自発光型光学素子を接続または非接続させる駆動用
スイッチング素子から構成され、 前記第1の電位保持手段がコンデンサであり、 前記駆動用スイッチング素子のスイッチング特性、およ
び前記第2のスイッチング素子のスイッチング特性が、
同様な傾向を持つことを特徴とする請求項1ないし3の
いずれか1項に記載の表示装置。4. The electro-optical element comprises a self-emission type optical element and a drive switching element for connecting or disconnecting the self-emission type optical element to a drive power source for driving the self-emission type optical element. The first potential holding means is a capacitor, and the switching characteristics of the driving switching element and the switching characteristics of the second switching element are:
The display device according to claim 1, wherein the display device has the same tendency.
と、入力された光輝度制御用の表示信号を導通状態で電
気光学素子に与える第1のスイッチング素子と、該第1
のスイッチング素子を導通または非導通させるためのス
イッチング信号を前記第1のスイッチング素子に供給す
る第1の配線と、前記表示信号を前記スイッチング素子
に供給する第2の配線とを備えた表示装置を駆動する方
法であって、 前記電気光学素子の電位を保持する第1の電位保持手段
の保持電位をリセットするためのリセット電源に前記第
1の電位保持手段を接続または非接続させる第2のスイ
ッチング素子の導通状態制御端子の電位を保持する第2
の電位保持手段の電位を第1の期間で設定し、 前記第1の期間より後の第2の期間で前記電気光学素子
の表示状態を設定し、 前記第2の期間より後の第3の期間で、前記第2の電位
保持手段の保持電位を変化させることで、前記第2のス
イッチング素子を非導通状態から導通状態に変化させ、
前記電気光学素子の状態を前記第1の期間で設定した状
態からセットまたはリセットさせることを特徴とする表
示装置の駆動方法。5. An electro-optical element for electrically controlling light brightness, a first switching element for applying an input display signal for light brightness control to the electro-optical element in a conductive state, and the first switching element.
And a second wiring for supplying the display signal to the switching element, and a second wiring for supplying the switching signal for making the switching element conductive or non-conductive to the first switching element. A second switching method for driving, comprising connecting or disconnecting the first potential holding means to a reset power supply for resetting the holding potential of the first potential holding means for holding the potential of the electro-optical element. Second for holding the potential of the conduction state control terminal of the element
The potential of the potential holding means is set in a first period, the display state of the electro-optical element is set in a second period after the first period, and the display state of the electro-optical element is set in a third period after the second period. Changing the holding potential of the second potential holding means during the period to change the second switching element from the non-conducting state to the conducting state,
A driving method of a display device, wherein the state of the electro-optical element is set or reset from the state set in the first period.
段の保持電位を制御するための保持電位制御電圧を発生
するとともに、第1の端子と、前記第2のスイッチング
素子の導通状態制御端子に接続される第2の端子とを有
する容量性素子からなる前記第2の電位保持手段の前記
第1の端子に前記保持電位制御電圧を印加すること特徴
とする請求項5に記載の表示装置の駆動方法。6. A holding potential control voltage for controlling the holding potential of the second potential holding means is generated in the third period, and the first terminal is electrically connected to the second switching element. 6. The holding potential control voltage is applied to the first terminal of the second potential holding means formed of a capacitive element having a second terminal connected to the state control terminal. Driving method for display device.
グ素子と、前記第2のスイッチング素子における導通状
態制御端子および前記リセット電源接続側端子を接続ま
たは非接続させる第3のスイッチング素子とを通して前
記第2の電位保持手段の保持電位をセットし、 前記第3の期間で、前記第2のスイッチング素子と前記
リセット電源とを接続または非接続させる第4のスイッ
チング素子を導通状態とし、上記電気光学素子の状態を
セットまたはリセットすることを特徴とする請求項5ま
たは6に記載の表示装置の駆動方法。7. A third switching element for connecting or disconnecting the second switching element and the conduction state control terminal and the reset power supply connection side terminal in the second switching element in the first period. The holding potential of the second potential holding means is set through, and the fourth switching element that connects or disconnects the second switching element and the reset power supply is brought into a conductive state during the third period, and 7. The method for driving a display device according to claim 5, wherein the state of the electro-optical element is set or reset.
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|---|---|
| JP (1) | JP3989758B2 (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047787A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sharp Corp | Display device and driving method thereof |
| US8482491B2 (en) | 2001-08-29 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8692740B2 (en) | 2005-07-04 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| WO2015166681A1 (en) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 株式会社Joled | Display device, drive method, and electronic device |
| US9430966B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-08-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of driving the same |
| WO2018152905A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Method for driving liquid crystal display panel |
| JP2021085894A (en) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | Pixel circuit, display device, and driving method |
| KR20220031760A (en) * | 2017-09-30 | 2022-03-11 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | Pixel circuit and driving method thereof, and display device |
| WO2023024072A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel circuit and driving method therefor, and display apparatus |
| US11682349B2 (en) | 2017-09-30 | 2023-06-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| US12183265B2 (en) | 2022-09-05 | 2024-12-31 | Japan Display Inc. | Display device |
-
2002
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482491B2 (en) | 2001-08-29 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8704736B2 (en) | 2001-08-29 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US8982021B2 (en) | 2001-08-29 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of driving a light emitting device, element substrate, and electronic equipment |
| US7511708B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and driving method thereof |
| JP2006047787A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sharp Corp | Display device and driving method thereof |
| US8692740B2 (en) | 2005-07-04 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US9430966B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-08-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of driving the same |
| WO2015166681A1 (en) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 株式会社Joled | Display device, drive method, and electronic device |
| US10115346B2 (en) | 2014-04-28 | 2018-10-30 | Joled Inc. | Display device, driving method, and electronic apparatus |
| WO2018152905A1 (en) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Method for driving liquid crystal display panel |
| US11922879B2 (en) | 2017-09-30 | 2024-03-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| KR20220031760A (en) * | 2017-09-30 | 2022-03-11 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | Pixel circuit and driving method thereof, and display device |
| US12272308B2 (en) | 2017-09-30 | 2025-04-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| US11682349B2 (en) | 2017-09-30 | 2023-06-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| KR102616033B1 (en) * | 2017-09-30 | 2023-12-21 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | Pixel circuit and driving method thereof, and display device |
| JP2021085894A (en) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | Pixel circuit, display device, and driving method |
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| US12266302B2 (en) | 2021-08-27 | 2025-04-01 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel circuit, driving method therefor, and display apparatus |
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