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JP2003279695A - Radiological image conversion panel - Google Patents

Radiological image conversion panel

Info

Publication number
JP2003279695A
JP2003279695A JP2002085014A JP2002085014A JP2003279695A JP 2003279695 A JP2003279695 A JP 2003279695A JP 2002085014 A JP2002085014 A JP 2002085014A JP 2002085014 A JP2002085014 A JP 2002085014A JP 2003279695 A JP2003279695 A JP 2003279695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
refractive index
image conversion
conversion panel
radiation image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002085014A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Matsumoto
宏志 松本
Keiko Neriishi
恵子 錬石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2002085014A priority Critical patent/JP2003279695A/en
Publication of JP2003279695A publication Critical patent/JP2003279695A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiological image conversion panel which has high sensitivity to radiation and with which an image quality of high sharpness can be obtained. <P>SOLUTION: A metallic layer 12 is laminated on a base 11, and a low refractive index layer 13 having lower refractive index is formed on the metallic layer 12. A high refractive index layer 14 of higher refractive index is formed on the low refractive index layer 13, and a photostimulable phosphor layer 16 is formed on the high refractive index layer 14. The reflectivity to photostimulable emission light on a surface at the photostimulable phosphor layer 16 side, of the high refractive index layer 14 is 90% or more. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体を利
用する放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネ
ルに関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation image conversion panel used in a radiation image conversion method using a stimulable phosphor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の放射線写真法に代わる方法とし
て、たとえば特開昭55−12145号に記載されてい
るような輝尽性蛍光体を用いる放射線像変換方法が知ら
れている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線
像変換パネル(蓄積性蛍光体シート)を利用するもの
で、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
放射線をパネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに
輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波(励起
光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中
に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光(輝尽発光
光)として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電
気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて被写体
あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生するも
のである。読取りを終えたパネルは、残存する画像の消
去が行なわれた後、次の撮影のために備えられる。すな
わち、放射線像変換パネルは繰り返し使用される。
2. Description of the Related Art As a method replacing the conventional radiographic method, for example, a radiation image conversion method using a stimulable phosphor as described in JP-A-55-12145 is known. This method uses a radiation image conversion panel (stimulable phosphor sheet) containing a stimulable phosphor. The stimulable phosphor of the panel emits the radiation transmitted through the subject or emitted from the subject. Radiation, and then the stimulable phosphor is excited in time series by electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared rays to radiate the radiation energy accumulated in the stimulable phosphor ( (Stimulated emission light), this fluorescence is photoelectrically read to obtain an electric signal, and then a radiation image of a subject or a subject is reproduced as a visible image based on the obtained electric signal. The read panel is prepared for the next shooting after the remaining image is erased. That is, the radiation image conversion panel is repeatedly used.

【0003】この放射線像変換方法によれば、従来の放
射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放射線写
真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で
情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利
点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回の撮影
ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この
放射線像変換方法では放射線像変換パネルを繰返し使用
するので資源保護、経済効率の面からも有利である。こ
のように放射線像変換方法は非常に有利な画像形成方法
であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルも
従来の放射線写真法に用いられる増感紙と同様に、高感
度であってかつ良好な画質(鮮鋭度、粒状性など)を与
えるものであることが望まれる。
According to this radiographic image conversion method, a radiographic image with a large amount of information can be obtained with a much smaller exposure dose than in the conventional radiographic method using a combination of a radiographic film and an intensifying screen. There is an advantage that it can be obtained. Further, in the conventional radiographic method, the radiographic film is consumed for each photographing, whereas in the radiographic image conversion method, the radiographic image conversion panel is repeatedly used, which is advantageous in terms of resource conservation and economic efficiency. Is. As described above, the radiation image conversion method is a very advantageous image forming method, but the radiation image conversion panel used in this method has a high sensitivity as well as the intensifying screen used in the conventional radiographic method, and It is desired to provide good image quality (sharpness, graininess, etc.).

【0004】放射線像変換パネルの感度を向上させる技
術としては、白色顔料を適当な結合剤中に分散含有した
塗布液を支持体に塗布することなどにより、支持体上に
光反射層を設け、その上に蛍光体層を設けることが知ら
れている。たとえば、白色顔料からなる光反射層を設け
た放射線像変換パネルについては、特開昭56−126
00号に開示されており、白色顔料として、二酸化チタ
ン、鉛白、硫化亜鉛、酸化アルミニウムおよび酸化マグ
ネシウムが例示されている。
As a technique for improving the sensitivity of the radiation image conversion panel, a light reflecting layer is provided on the support by applying a coating solution containing a white pigment dispersed in a suitable binder to the support. It is known to provide a phosphor layer on it. For example, a radiation image conversion panel provided with a light reflection layer made of a white pigment is disclosed in JP-A-56-126.
No. 00, titanium dioxide, lead white, zinc sulfide, aluminum oxide and magnesium oxide are exemplified as the white pigment.

【0005】しかし、上記特開昭56−12600号に
例示されている白色顔料からなる光反射層を支持体と蛍
光体層との間に設けても、それら白色顔料は可視領域に
おいて高い反射率は示すものの、近紫外領域における反
射率は著しく低い。従って、輝尽発光輝度などの点から
非常に好ましい蛍光体として従来より知られている、二
価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン
化物系蛍光体の輝尽発光スペクトルのように、近紫外領
域から青色領域にわたる帯スペクトルであり、390n
m付近に発光ピークを有する場合、光反射層が示す光反
射特性は充分高いとはいえず、それらの白色顔料からな
る光反射層を設けたことによる放射線像変換パネルの感
度の向上は必ずしも満足できるレベルとは言えなかっ
た。
However, even if a light reflecting layer made of a white pigment as exemplified in JP-A-56-12600 is provided between the support and the phosphor layer, the white pigment has a high reflectance in the visible region. However, the reflectance in the near-ultraviolet region is extremely low. Therefore, as in the case of the stimulated emission spectrum of a divalent europium-activated alkaline earth metal fluorohalide-based phosphor, which has hitherto been known as a very preferable phosphor in terms of stimulated emission luminance, etc. 390n is a band spectrum extending from the region to the blue region.
When the emission peak is around m, the light reflection characteristics of the light reflection layer cannot be said to be sufficiently high, and the improvement of the sensitivity of the radiation image conversion panel by providing the light reflection layer made of the white pigment is not always satisfactory. I couldn't say it was possible.

【0006】また、発光波長における反射率は光反射層
の層厚に依存し、従って光反射層の層厚を厚くすれば、
それに比例して反射率も向上するが、層厚を厚くして高
い反射率を得ても、画質的に向上する割合はあまり期待
できない。これは、光反射層の層厚が厚くなると、厚く
なった光反射層の中で励起光が拡散する割合が大きくな
ってしまい、光反射層の厚さがそのまま画質の向上につ
ながらなくなることに起因している。
Further, the reflectance at the emission wavelength depends on the layer thickness of the light reflecting layer. Therefore, if the layer thickness of the light reflecting layer is increased,
The reflectance also increases in proportion to this, but even if the layer thickness is increased to obtain a high reflectance, the improvement in image quality cannot be expected so much. This is because as the thickness of the light reflecting layer becomes thicker, the proportion of excitation light diffused in the thicker light reflecting layer increases, and the thickness of the light reflecting layer does not directly improve the image quality. It is due.

【0007】一方、特許2514321号には、支持
体、光反射層、輝尽性蛍光体層の順に積層形成され、光
反射層の反射面が金属面である放射線像変換パネルが記
載されている。この技術によれば、輝尽励起光が光反射
層内を透過することがないので、従来の光反射白色顔料
層におけるような光反射層厚に起因する光の散乱がな
く、また、支持体にまで透過して支持体内で光が散乱す
ることがないため、読取画像の鮮鋭性を低下させること
がない。しかし、光反射層の金属面が直接蛍光体層に接
触する構成であるため、蛍光体層の形成工程、またはそ
の後の加熱処理工程(アニーリング工程)、さらには形
成後の経時過程において、支持体の表面の金属と蛍光体
層とが化学反応を起こして蛍光体層が劣化し、放射線感
度が低下したり、金属面における光の透過率および反射
率特性が変動する問題がある。
On the other hand, Japanese Patent No. 2514321 describes a radiation image conversion panel in which a support, a light reflection layer, and a stimulable phosphor layer are laminated in this order, and the reflection surface of the light reflection layer is a metal surface. . According to this technique, since the stimulated excitation light does not pass through the light reflection layer, there is no scattering of light due to the thickness of the light reflection layer as in the conventional light reflection white pigment layer, and the support Since the light does not pass through to and is not scattered in the support, the sharpness of the read image is not reduced. However, since the metal surface of the light-reflecting layer is in direct contact with the phosphor layer, the support may be formed during the phosphor layer formation step, the subsequent heat treatment step (annealing step), or the time course after formation. There is a problem that the metal on the surface of the phosphor and the phosphor layer cause a chemical reaction to deteriorate the phosphor layer, the radiation sensitivity is lowered, and the light transmittance and reflectance characteristics on the metal surface fluctuate.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記問題に鑑み、特許
第3034587号には、上記特許2514321号に
記載の放射線像変換パネルにおいて、支持体の金属表面
上に、波長350〜800nmの光に対する光透過率が
70%以上である透明薄膜層を介在させることによっ
て、支持体の金属表面および蛍光体層の劣化を防止する
技術が記載されている。
In view of the above problems, Japanese Patent No. 3034587 discloses a radiation image conversion panel described in the above Japanese Patent No. 2514321, in which light with a wavelength of 350 to 800 nm is irradiated on a metal surface of a support. A technique for preventing the deterioration of the metal surface of the support and the phosphor layer by interposing a transparent thin film layer having a transmittance of 70% or more is described.

【0009】しかし、透明薄膜層の光透過率が波長35
0〜800nmの光に対して70%以上であるため輝尽
励起光および輝尽発光光の透過性は確保されるものの、
金属表面に単純に透明薄膜層を介在させるだけでは、輝
尽発光光の反射性が担保されないため、輝尽発光光の発
光量が低下して充分に満足できるレベルの鮮鋭性が得ら
れないという問題がある。
However, the light transmittance of the transparent thin film layer has a wavelength of 35
Although it is 70% or more for the light of 0 to 800 nm, the transparency of the stimulated excitation light and the stimulated emission light is secured,
It is said that simply interposing a transparent thin film layer on the metal surface does not ensure the reflectivity of the stimulated emission light, so that the emission amount of the stimulated emission light is reduced and a sufficiently satisfactory sharpness cannot be obtained. There's a problem.

【0010】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、放射線に対して高感度であって、鮮鋭度の高い画
質を得ることができる放射線像変換パネルを提供するこ
とを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel which is highly sensitive to radiation and which can provide an image with high sharpness. Is.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の放射線像変換パ
ネルは、基板上に金属層と透明薄膜層と輝尽性蛍光体層
をこの順に積層してなる放射線像変換パネルであって、
前記透明薄膜層が屈折率の異なる2層以上の多層膜から
なることを特徴とするものである。
A radiation image storage panel of the present invention is a radiation image storage panel comprising a substrate, a metal layer, a transparent thin film layer and a stimulable phosphor layer laminated in this order,
It is characterized in that the transparent thin film layer is composed of a multilayer film of two or more layers having different refractive indexes.

【0012】前記透明薄膜層は、前記金属層に接する層
を低屈折率層、前記輝尽性蛍光体層に接する層を高屈折
率層とする多層膜からなることが好ましい。この場合、
前記透明薄膜層は、前記金属層に接する層が低屈折率
層、前記輝尽性蛍光体層に接する層が高屈折率層となっ
ていれば、低屈折率層と高屈折率層の2層からなってい
てもよいし、低屈折率層と高屈折率層がこの順で繰り返
し積層されていてもよい。ここで、低屈折率層とは、隣
接する他の透明薄膜層の屈折率を比較した場合に、相対
的に屈折率が低い層を意味し、高屈折率層とは隣接する
他の透明薄膜層の屈折率を比較した場合に、相対的に屈
折率が高い層を意味する。なお、ここに言う屈折率は、
空気に対する屈折率である。
The transparent thin film layer is preferably a multilayer film in which a layer in contact with the metal layer is a low refractive index layer and a layer in contact with the stimulable phosphor layer is a high refractive index layer. in this case,
In the transparent thin film layer, if the layer in contact with the metal layer is a low refractive index layer and the layer in contact with the stimulable phosphor layer is a high refractive index layer, a low refractive index layer and a high refractive index layer are provided. It may be composed of layers, or the low refractive index layer and the high refractive index layer may be repeatedly laminated in this order. Here, the low refractive index layer means a layer having a relatively low refractive index when comparing the refractive index of other transparent thin film layers adjacent to each other, and the high refractive index layer means another transparent thin film adjacent to the high refractive index layer. It means a layer having a relatively high refractive index when the refractive indexes of the layers are compared. The refractive index here is
The refractive index for air.

【0013】前記輝尽性蛍光体層に接する前記透明薄膜
層の、前記輝尽性蛍光体層側の表面における輝尽発光光
のスペクトルが最大になる波長での反射率が90%以上
であることが好ましい。
The transparent thin film layer in contact with the stimulable phosphor layer has a reflectance of 90% or more at a wavelength at which the spectrum of stimulated emission light on the surface of the stimulable phosphor layer side is maximized. It is preferable.

【0014】前記金属層がアルミからなる層であって、
かつ前記透明薄膜層の低屈折率層がMgF2 、前記高屈
折率層がCeO2 であるか、または、前記金属層がアル
ミからなる層であって、かつ前記透明薄膜層の低屈折率
層がSiO2 、前記高屈折率層がTiO2 であることが
好ましい。
The metal layer is a layer made of aluminum,
The low refractive index layer of the transparent thin film layer is MgF 2 , and the high refractive index layer is CeO 2 , or the metal layer is a layer made of aluminum, and the low refractive index layer of the transparent thin film layer is Is SiO 2 , and the high refractive index layer is preferably TiO 2 .

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明の放射線像変換パネルは、基板上
に金属層と透明薄膜層と輝尽性蛍光体層をこの順に積層
してなる放射線像変換パネルにおいて、透明薄膜層が屈
折率の異なる2層以上の多層膜からなるものとしたの
で、輝尽性蛍光体層に接する層の輝尽性蛍光体層側の表
面における輝尽発光光反射率が増大し、発光量が高く、
放射線に対して高感度であって、鮮鋭度の高い画質を得
ることができる放射線像変換パネルとすることができ
る。
The radiation image conversion panel of the present invention is a radiation image conversion panel in which a metal layer, a transparent thin film layer and a stimulable phosphor layer are laminated in this order on a substrate, and the transparent thin film layer has a refractive index. Since it is made up of two or more different multilayer films, the stimulated emission light reflectance on the surface of the layer in contact with the stimulable phosphor layer on the side of the stimulable phosphor layer is increased, and the amount of emitted light is high,
It is possible to provide a radiation image conversion panel that has high sensitivity to radiation and can obtain image quality with high sharpness.

【0016】特に、透明薄膜層を、金属層に接する層を
低屈折率層、輝尽性蛍光体層に接する層を高屈折率層と
する多層膜とすることによって、輝尽性蛍光体層に接す
る透明薄膜層の輝尽性蛍光体層側の表面における、輝尽
発光光のスペクトルが最大になる波長での反射率をさら
に増大することができるので、発光量のより高い、好感
度、高画質の放射線像変換パネルを得ることが可能とな
る。
Particularly, the stimulable phosphor layer is formed by forming the transparent thin film layer into a multilayer film in which the layer in contact with the metal layer is a low refractive index layer and the layer in contact with the stimulable phosphor layer is a high refractive index layer. On the surface of the stimulable phosphor layer side of the transparent thin film layer in contact with, since it is possible to further increase the reflectance at the wavelength at which the spectrum of the stimulated emission light is maximum, higher luminescence amount, favorable sensitivity, It is possible to obtain a high quality radiation image conversion panel.

【0017】また、低屈折率層と高屈折率層との多層膜
からなる透明薄膜層による保護効果によって、輝尽性蛍
光体層からの発光量の経時安定性を確保することが可能
となる。
Further, the protective effect of the transparent thin film layer composed of the multilayer film of the low refractive index layer and the high refractive index layer makes it possible to secure the temporal stability of the amount of light emitted from the stimulable phosphor layer. .

【0018】なお、蛍光体層を蒸着などのように熱を発
生する方法によって形成する場合には、蛍光体層と基板
との熱膨張率の差によって蛍光体層に数ミリ間隔の不規
則な亀裂(クラック)が発生しやすいが、本発明の放射
線像変換パネルは基板と蛍光体層との間に金属層と透明
薄膜層を有しており、金属の有する延性および透明薄膜
層の熱膨張緩和効果によって、亀裂の発生を効果的に抑
制することができる。
When the phosphor layer is formed by a method of generating heat such as vapor deposition, the phosphor layer is irregular at intervals of several millimeters due to the difference in coefficient of thermal expansion between the phosphor layer and the substrate. Although a crack is likely to occur, the radiation image storage panel of the present invention has the metal layer and the transparent thin film layer between the substrate and the phosphor layer, and the ductility of the metal and the thermal expansion of the transparent thin film layer. The relaxation effect can effectively suppress the occurrence of cracks.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1は本発明の第一の実施
の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図である。
本発明の放射線像変換パネル10は、基板11上に金属
層12と透明薄膜層15と輝尽性蛍光体層16をこの順
に積層してなり、透明薄膜層15は、金属層12に接す
る低屈折率層13と輝尽性蛍光体層16に接する高屈折
率層14とからなっており、輝尽性蛍光体層16に接す
る高屈折率層14の輝尽性蛍光体層16側の表面は、輝
尽発光光反射率が90%以上となっている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a radiation image conversion panel showing a first embodiment of the present invention.
The radiation image storage panel 10 of the present invention is formed by laminating a metal layer 12, a transparent thin film layer 15 and a stimulable phosphor layer 16 on a substrate 11 in this order, and the transparent thin film layer 15 is in contact with the metal layer 12. The surface of the high refractive index layer 14 in contact with the stimulable phosphor layer 16 on the side of the stimulable phosphor layer 16 is composed of the refractive index layer 13 and the high refractive index layer 14 in contact with the stimulable phosphor layer 16. Has a stimulated emission light reflectance of 90% or more.

【0020】低屈折率層13は、透明薄膜層15を構成
する高屈折率層14に比較して屈折率が低い層であり、
高屈折率層14は、透明薄膜層15を構成する低屈折率
層13に比較して屈折率が高い層である。
The low refractive index layer 13 is a layer having a lower refractive index than the high refractive index layer 14 constituting the transparent thin film layer 15,
The high refractive index layer 14 is a layer having a higher refractive index than the low refractive index layer 13 that constitutes the transparent thin film layer 15.

【0021】図1では、透明薄膜層15は低屈折率層1
3と高屈折率層14の2層からなる場合を示している
が、金属層に接する層が低屈折率層で、輝尽性蛍光体層
に接する層が高屈折率層であれば、低屈折率層−高屈折
率層−低屈折率層−高屈折率層と交互に繰り返し積層さ
れた多層膜層であってもよい。このような多層膜化によ
り、輝尽性蛍光体層に接する高屈折率層の輝尽性蛍光体
層側の表面における輝尽発光光反射率を90%以上に調
整することが容易となり、蛍光体層の不規則な亀裂の発
生をより抑制することができる。
In FIG. 1, the transparent thin film layer 15 is the low refractive index layer 1
3 and the high-refractive index layer 14 are shown, the layer in contact with the metal layer is a low-refractive index layer and the layer in contact with the stimulable phosphor layer is a high-refractive index layer. It may be a multilayer film layer in which a refractive index layer, a high refractive index layer, a low refractive index layer and a high refractive index layer are alternately and repeatedly laminated. By forming such a multilayer film, it becomes easy to adjust the stimulated emission light reflectance on the surface of the high refractive index layer in contact with the stimulable phosphor layer on the side of the stimulable phosphor layer to 90% or more. It is possible to further suppress the occurrence of irregular cracks in the body layer.

【0022】透明薄膜層は、金属層および輝尽性蛍光体
層を劣化させないように化学的に安定であることが必要
であり、このような透明薄膜層の構成材料としては、酸
化物、窒化物、フッ化物、炭化物、あるいはポリマー、
ゼラチン等が好適である。具体的には、SiO2 、Al
23 、TiO2 、CeO2 、ZrO2 等の酸化物、M
gF2 、CaF2 等のフッ化物、SiC等の炭化物、S
iN等の窒化物、PET、ビニルアルコールフィルム等
のポリマー、ゼラチン等が好ましい。
The transparent thin film layer needs to be chemically stable so as not to deteriorate the metal layer and the stimulable phosphor layer. As a constituent material of such a transparent thin film layer, oxide or nitride is used. Thing, fluoride, carbide, or polymer,
Gelatin and the like are preferable. Specifically, SiO 2 , Al
2 O 3 , TiO 2 , CeO 2 , ZrO 2 and other oxides, M
Fluoride such as gF 2 , CaF 2 , carbide such as SiC, S
Nitride such as iN, PET, polymer such as vinyl alcohol film, gelatin and the like are preferable.

【0023】なお、熱膨張緩和の効果の観点からは、M
gF2、CeO2(200℃における熱膨張率(以下同
じ):7.9×10-6/K)、SiO2 (約14×10
-6/K)、TiO2(約9×10-6/K)、ZrO2(1
4×10-6/K)等がより好ましい。透明薄膜層を構成
する低屈折率層、高屈折率層それぞれの層厚は、選択す
る構成材料によって異なるため、一概には言えないが、
0.005〜10μmが好ましく、0.01〜1μmで
あることがより好ましい。
From the viewpoint of the effect of relaxing the thermal expansion, M
gF 2 , CeO 2 (coefficient of thermal expansion at 200 ° C. (hereinafter the same): 7.9 × 10 −6 / K), SiO 2 (about 14 × 10
-6 / K), TiO 2 (about 9 × 10 -6 / K), ZrO 2 (1
4 × 10 −6 / K) and the like are more preferable. The layer thickness of each of the low refractive index layer and the high refractive index layer constituting the transparent thin film layer differs depending on the constituent material selected, so it cannot be generally stated,
The thickness is preferably 0.005 to 10 μm, more preferably 0.01 to 1 μm.

【0024】透明薄膜層における低屈折率層と高屈折率
層の組み合わせの例としてはSiO 2 (屈折率:約1.
4)とTiO2(屈折率:約2.6)、MgF2 (屈折
率:約1.4)とCeO2 等(屈折率:約2.4)など
があげられる。これら層を繰り返して積層したり、各層
の厚さを適宜調整することによって、高屈折率層の表面
において90%以上の輝尽発光光反射率を有するように
することができる。なお、輝尽発光光反射率は、ここで
は輝尽発光光のスペクトルが最大になる波長での反射率
を意味し、積分球型分光光度計により測定することがで
きる。
Low refractive index layer and high refractive index in transparent thin film layer
As an example of the combination of layers, SiO 2(Refractive index: about 1.
4) and TiO2(Refractive index: about 2.6), MgF2(refraction
Ratio: about 1.4) and CeO2Etc. (refractive index: about 2.4) etc.
Can be given. You can stack these layers repeatedly and
The surface of the high refractive index layer can be adjusted by adjusting the thickness of the
To have a stimulated emission light reflectance of 90% or more
can do. The stimulated emission light reflectance is
Is the reflectance at the wavelength where the spectrum of stimulated emission light is maximum
It means that it can be measured by an integrating sphere type spectrophotometer.
Wear.

【0025】透明薄膜層の形成手段としては、特に限定
されず、種々の薄膜形成法を利用することができる。具
体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、塗布法等を挙げることができる。
The means for forming the transparent thin film layer is not particularly limited, and various thin film forming methods can be used. Specifically, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a coating method and the like can be mentioned.

【0026】金属層は、光反射層および遮光層としての
機能を果たすものであり、隣接する層との界面において
光学的密度、すなわち反射率が異なり、かつ金属面であ
ることが必要である。金属層を構成する金属としては、
アルミニウム、金、銀、銅、クロム、ニッケル、白金、
ロジウム、スズ等を挙げることができ、蛍光体層の亀裂
発生を抑制するためには延性の大きな金属であって、高
反射率であるものを選択することが好ましく、アルミニ
ウムがより好ましい。金属層の層厚は、選択する金属に
よって異なるが0.01〜100μmが好ましく、0.
05〜10μmであることがより好ましい。
The metal layer functions as a light-reflecting layer and a light-shielding layer, and it is necessary that the metal layer has a different optical density, that is, a reflectance, at the interface with an adjacent layer. As the metal constituting the metal layer,
Aluminum, gold, silver, copper, chromium, nickel, platinum,
Examples thereof include rhodium and tin. In order to suppress the occurrence of cracks in the phosphor layer, it is preferable to select a metal having a large ductility and a high reflectance, and aluminum is more preferable. The layer thickness of the metal layer varies depending on the metal selected, but is preferably 0.01 to 100 μm,
More preferably, it is from 05 to 10 μm.

【0027】この金属層は、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、メッキ法により形成して
もよいし、金属箔をラミネートして形成してもよい。特
に、蒸着法等の気相堆積法によれば、金属層の形成が容
易である。
This metal layer may be formed by a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, or may be formed by laminating a metal foil. In particular, a vapor deposition method such as a vapor deposition method facilitates the formation of a metal layer.

【0028】基板としては、公知のものを用いることが
でき、ガラス、セラミクス、あるいは各種高分子材料等
を用いることができる。具体的には、石英ガラス、化学
強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナあるい
はジルコニアの焼結板等のセラミクス、あるいはセルロ
ースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムを挙
げることができる。
A known substrate can be used as the substrate, and glass, ceramics, various polymer materials or the like can be used. Specifically, quartz glass, glass such as chemically strengthened glass, crystallized glass, ceramics such as a sintered plate of alumina or zirconia, or cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film. And a plastic film such as a polycarbonate film.

【0029】なお、ここでは、基板上に金属層を設ける
場合を記載したが、基板上に金属層を形成する代わり
に、金属製の支持体を設けてもよい。この場合には、ア
ルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、鉄、ス
テンレス、銅、クロム、鉛等の金属シートを用いること
ができる。
Although the case where the metal layer is provided on the substrate has been described here, a metal support may be provided instead of forming the metal layer on the substrate. In this case, a metal sheet of aluminum, aluminum-magnesium alloy, iron, stainless steel, copper, chromium, lead or the like can be used.

【0030】基板または金属製の支持体の厚さは、その
材質等によって異なるが、一般的には100μm〜5m
mが好ましく、取扱いの便利性から、特に200μm〜
2mmが好ましい。なお、基板表面には微小の凹凸があ
ってもよい。
The thickness of the substrate or metal support varies depending on the material and the like, but is generally 100 μm to 5 m.
m is preferable, and from the viewpoint of convenience of handling, especially from 200 μm
2 mm is preferable. Note that the surface of the substrate may have minute irregularities.

【0031】本発明の放射線像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体としては、例えば、米国特許第3,859,527
号明細書に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、Th
O2:Er、およびLa2O2S:Eu,Sm、
Examples of the photostimulable phosphor used in the radiation image storage panel of the present invention include, for example, US Pat. No. 3,859,527.
SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, Th
O 2 : Er, and La 2 O 2 S: Eu, Sm,

【0032】特開昭55-12142号に記載されている ZnS:C
u,Pb、BaO・xAl2O3:Eu(ただし、0.8≦x≦10)、およ
び、MIIO・xSiO2 :A(ただし、MIIはMg,Ca,Sr,Zn,C
d、またはBaであり、AはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi
またはMnであり、xは0.5≦x≦2.5である)、
ZnS: C described in JP-A-55-12142
u, Pb, BaO · xAl 2 O 3 : Eu (however, 0.8 ≦ x ≦ 10), and M II O · xSiO 2 : A (however, M II is Mg, Ca, Sr, Zn, C)
d, or Ba, A is Ce, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi
Or Mn and x is 0.5 ≦ x ≦ 2.5),

【0033】特開昭55-12144号に記載されている LnOX:
xA(ただし、LnはLa,Y,Gd、およびLuのうちの少なく
とも一種、XはClおよびBrのうちの少なくとも一種、Aは
CeおよびTbのうちの少なくとも一種、そして、xは、0
<x<0.1である)、
LnOX described in JP-A-55-12144:
xA (where Ln is at least one of La, Y, Gd, and Lu, X is at least one of Cl and Br, and A is
At least one of Ce and Tb, and x is 0
<X <0.1),

【0034】特開昭55-12145号に記載されている(B
a1-X,M2+ X)FX:yA(ただし、M2+はMg,Ca,Sr,Zn、およ
びCdのうちの少なくとも一種、XはCl,BrおよびIのう
ちの少なくとも一種、AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,YbおよびErのうちの少なくとも一種、そしてx
は0≦x≦0.6、yは0≦y≦0.2である)、
As described in JP-A-55-12145 (B
a 1-X , M 2+ X ) FX: yA (where M 2+ is at least one of Mg, Ca, Sr, Zn and Cd, X is at least one of Cl, Br and I, A Is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, H
at least one of o, Nd, Yb and Er, and x
Is 0 ≦ x ≦ 0.6, y is 0 ≦ y ≦ 0.2),

【0035】特開昭57-148285号に記載されている下記
いづれかの、一般式xM3(PO4)2・NX2:yAまたは一般式 M3
(PO4)2・yA (式中、M及びNはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Z
n及びCdのうち少なくとも1種、XはF,Cl,Br及びIのう
ち少なくとも1種、AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Sb,Tl,Mn及びSnのうち少なくとも1種を表わす。ま
た、x及びyは0<x≦6、0≦y≦1なる条件を満た
す数である。)で表わされる蛍光体、下記いづれかの一
般式nReX3・mAX′2:xEu、一般式nReX3・mAX′2:xEu,ySm
(式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも1種、Aは
アルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも1種、X
及びX′はF、Cl,Brのうち少なくとも1種を表わす。
また、x及びyは、1×10-4<x<3×10-1、1×10-4
<y<1×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは1×1
0-3<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)で表わされる
蛍光体、及び一般式 MIX・aMIIX′2・bMIIIX″3:cA
(但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
1種のアルカリ金属であり、MI IはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも1種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも1種の
三価金属である。X,X′及びX″はF,Cl,Br及びIから選
ばれる少なくとも1種のハロゲンである。AはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu,Bi及
びMgから選ばれる少なくとも1種の金属である。またa
は、0≦a<0.5の範囲の数値であり、bは0≦b<0.5
の範囲の数値であり、cは0<c≦0.2の範囲の数値で
ある。)で表わされるアルカリハライド蛍光体、
One of the following general formulas xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : yA or general formula M 3 described in JP-A-57-148285.
(PO 4 ) 2・ yA (In the formula, M and N are Mg, Ca, Sr, Ba, Z respectively.
At least one of n and Cd, X is at least one of F, Cl, Br and I, A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, E
It represents at least one of r, Sb, Tl, Mn and Sn. Further, x and y are numbers satisfying the conditions of 0 <x ≦ 6 and 0 ≦ y ≦ 1. ), A phosphor represented by the general formula nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, a general formula nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm
(In the formula, Re is at least one of La, Gd, Y, and Lu, A is an alkaline earth metal, at least one of Ba, Sr, and Ca, X
And X'represents at least one of F, Cl and Br.
Further, x and y are 1 × 10 −4 <x <3 × 10 −1 , 1 × 10 −4.
<Y <1 × 10 -1 is a number satisfying the condition, and n / m is 1 × 1
The condition of 0 -3 <n / m <7 × 10 -1 is satisfied. Phosphor represented by), and the general formula M I X · aM II X ' 2 · bM III X "3: cA
(However, M I is at least one alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs, and M I I is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, C
It is at least one divalent metal selected from d, Cu and Ni. M III is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, E
It is at least one trivalent metal selected from r, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In. X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. A is Eu, Tb, C
It is at least one metal selected from e, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, Bi and Mg. Also a
Is a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, and b is 0 ≦ b <0.5.
Is a numerical value in the range of 0, and c is a numerical value in the range of 0 <c ≦ 0.2. ) Alkali halide phosphor represented by

【0036】特開昭56-116777号に記載されている(Ba
1-X,MII X)F2・aBaX2:yEu,zA(ただし、MIIはベリリウ
ム,マグネシウム,カルシウム,ストロンチウム,亜鉛
およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素,
臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Aはジルコ
ニウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種であ
り、a、x、y、およびzはそれぞれ 0.5≦a≦1.25、
0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1、および0<z≦10-2
である)の組成式で表わされる蛍光体、
As described in JP-A-56-116777 (Ba
1-X , M II X ) F 2 · aBaX 2 : yEu, zA (where M II is at least one of beryllium, magnesium, calcium, strontium, zinc and cadmium, X is chlorine,
At least one of bromine and iodine, A is at least one of zirconium and scandium, and a, x, y, and z are each 0.5 ≦ a ≦ 1.25,
0 ≦ x ≦ 1, 10 −6 ≦ y ≦ 2 × 10 −1 , and 0 <z ≦ 10 −2
A phosphor represented by the composition formula

【0037】特開昭58-69281号に記載されている MIIIO
X:xCe(ただし、MIIIはPr,Nd,Pm,Sm,Eu,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,YbおよびBiからなる群より選ばれる少なく
とも一種の三価金属であり、XはClおよびBrのうちのい
ずれか一方あるいはその両方であり、xは0<x<0.1
である)の組成式で表わされる蛍光体、
M III O described in JP-A-58-69281
X: xCe (However, M III is Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, H
is at least one trivalent metal selected from the group consisting of o, Er, Tm, Yb and Bi, X is either one or both of Cl and Br, and x is 0 <x <0.1.
A phosphor represented by the composition formula

【0038】特開昭58-206678号に記載されているBa1-X
MX/2X/2FX:yEu2+(ただし、MはLi,Na,K,Rbおよ
びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ
金属を表わし;Lは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,S
m,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,Inおよ
びTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属
を表わし;X は、Cl,BrおよびIからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンを表わし;そして、xは10
-2≦x≦0.5、yは0<y≦0.1である)の組成式で表わ
される蛍光体、
Ba 1-X described in JP-A-58-206678
M X / 2 L X / 2 FX: yEu 2+ (wherein M represents at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs; L represents Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, S
represents at least one trivalent metal selected from the group consisting of m, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In and Tl; X is Cl, Br and I Represents at least one halogen selected from the group; and x is 10
-2 ≤ x ≤ 0.5, and y is 0 <y ≤ 0.1), the phosphor represented by the composition formula,

【0039】特開昭59-75200号に記載されている MIIFX
・aMIX′・bM′IIX″2・cMIIIX3・xA:yEu2+(ただし、MII
はBa,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり;MI はLi,Na,K,Rbお
よびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属であり;M′IIはBeおよびMgからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり;MIII はAl,Ga,In
およびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価
金属であり;Aは金属酸化物であり;XはCl,BrおよびI
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り;X′,X″および Xは、F,Cl,BrおよびIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;そし
て、aは0≦a≦2、bは0≦b≦10-2、cは0≦c≦
10-2、かつa+b+c≧10-6 であり;x は0<x≦0.5、y
は0<y≦0.2 である)の組成式で表わされる蛍光体、
などをあげることができる。
M II FX described in JP-A-59-75200
・ AM I X ′ ・ bM ′ II X ″ 2・ cM III X 3・ xA: yEu 2+ (However, M II
Is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca; M I is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs; M ′ II is at least one divalent metal selected from the group consisting of Be and Mg; M III is Al, Ga, In
And at least one trivalent metal selected from the group consisting of Tl; A is a metal oxide; X is Cl, Br and I
At least one halogen selected from the group consisting of; X ', X "and X are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I; and a is 0≤a≤ 2, b is 0 ≦ b ≦ 10 −2 , c is 0 ≦ c ≦
10 -2 , and a + b + c ≧ 10 -6 X is 0 <x ≦ 0.5, y
Is a phosphor represented by a composition formula of 0 <y ≦ 0.2,
And so on.

【0040】特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・ス
パッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。但し、本発明の放射線像変換パネルに用い
られる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるもので
はなく、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場
合に輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であ
ってもよい。なお、輝尽性蛍光体層は、上記の輝尽性蛍
光体を単独で用いても、また適宜組み合わせて用いても
よい。
Alkali halide phosphors are particularly preferable because they facilitate the formation of a stimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition and sputtering. However, the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel of the present invention is not limited to the above-mentioned phosphor, and it exhibits stimulated emission when irradiated with radiation and then irradiated with excitation light. Any phosphor may be used as long as it is a phosphor. The stimulable phosphor layer may use the above-mentioned stimulable phosphors alone or in an appropriate combination.

【0041】輝尽性蛍光体の気相堆積法としては、蒸着
法、抵抗加熱法、スパッタ法、化学蒸着(CVD)法な
どの公知の方法を用いることができる。ここでは、電子
蒸着法により形成する場合を例にとって説明する。
As the vapor-phase deposition method of the stimulable phosphor, known methods such as a vapor deposition method, a resistance heating method, a sputtering method and a chemical vapor deposition (CVD) method can be used. Here, a case of forming by the electron vapor deposition method will be described as an example.

【0042】電子蒸着法は、抵抗加熱法などと比較し
て、蒸発源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるので、
蒸発速度を制御しやすく、また蒸発源として仕込んだ蛍
光体もしくはその原料の組成と形成された蛍光体層中の
蛍光体の組成との不一致を小さくすることができるとい
う利点がある。
Compared to the resistance heating method and the like, the electron vapor deposition method locally heats the evaporation source to instantly evaporate it.
There is an advantage that the evaporation rate can be easily controlled, and a mismatch between the composition of the phosphor charged as an evaporation source or its raw material and the composition of the phosphor in the formed phosphor layer can be reduced.

【0043】多元蒸着(共蒸着)により蛍光体層を形成
する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の
母体(MIX)成分を含むものと付活剤(A)成分を含
むものとからなる少なくとも2個の蒸発源を用意する。
多元蒸着は、蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が
大きく異なる場合に、その蒸着速度を各々制御すること
ができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性
蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤
成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物
成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は2
個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分な
どからなる蒸発源を加えて3個以上としてもよい。
[0043] When the phosphor layer is formed by multi-source deposition (co-deposition) as first evaporation source, those containing the stimulable phosphor maternal (M I X) component and activator component (A) And at least two evaporation sources including
Multi-source vapor deposition is preferable because the vapor deposition rates of the matrix component of the phosphor and the activator component can be controlled when the vapor pressures thereof are largely different. Each evaporation source, depending on the desired composition of the stimulable phosphor, may be composed only of the respective base component and activator component of the phosphor, or a mixture with additive components and the like. Good. The evaporation source is 2
The number is not limited to one, and may be three or more, for example, by separately adding an evaporation source including an additive component.

【0044】蛍光体の母体成分は、母体を構成する化合
物それ自体であってもよいし、あるいは反応して母体化
合物となりうる2以上の原料の混合物であってもよい。
また、付活剤成分は、一般には付活剤元素を含む化合物
であり、例えば付活剤元素のハロゲン化物が用いられ
る。
The matrix component of the phosphor may be the compound itself constituting the matrix or a mixture of two or more raw materials capable of reacting to form a matrix compound.
The activator component is generally a compound containing an activator element, and for example, a halide of the activator element is used.

【0045】付活剤AがEuである場合には、付活剤成
分のEu化合物におけるEu2+化合物のモル比が70%
以上であることが好ましい。一般に、Eu化合物にはE
2+とEu3+ が混合して含まれているが、所望とする
輝尽発光(あるいは瞬時発光であっても)はEu2+を付
活剤とする蛍光体から発せられるからである。Eu化合
物はEuBrxであることが好ましく、その場合に、x
は2.0≦x≦2.3の範囲内の数値であることが好ま
しい。xは2.0であることが望ましいが、2.0に近
づけようとすると酸素が混入しやすくなる。よって、実
際には、xは2.2付近でBrの比率が比較的高い状態
が安定している。
When the activator A is Eu, the molar ratio of the Eu 2+ compound to the Eu compound as the activator component is 70%.
The above is preferable. In general, Eu compounds include E
This is because u 2+ and Eu 3+ are mixed and contained, but the desired stimulated emission (or even instantaneous emission) is emitted from the phosphor having Eu 2+ as an activator. . The Eu compound is preferably EuBr x , in which case x
Is preferably a numerical value within the range of 2.0 ≦ x ≦ 2.3. It is desirable that x be 2.0, but if it is made to approach 2.0, oxygen will be easily mixed. Therefore, in reality, a state in which the ratio of Br is relatively high is stable when x is around 2.2.

【0046】蒸発源は、突沸防止などの点からその含水
量が0.5重量%以下であることが好ましい。蒸発源の
脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で100〜300
℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気な
どの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上
の温度で数十分から数時間加熱することにより行うこと
ができる。
The evaporation source preferably has a water content of 0.5% by weight or less from the viewpoint of preventing bumping. For dehydration of the evaporation source, 100 to 300 of the above phosphor components are decompressed.
It can be carried out by heat treatment in the temperature range of ° C or by heating at a temperature not lower than the melting point of the phosphor component for several tens of minutes to several hours in a moisture-free atmosphere such as a nitrogen atmosphere.

【0047】蒸発源の相対密度は、80%以上98%以
下であることが好ましく、90%以上96%以下である
ことがより好ましい。蒸発源が相対密度の低い粉体状態
であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が生
じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜の
膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着を
実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが望
ましい。上記相対密度とするには、一般に、粉体を20
MPa以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上
の温度で加熱溶融して、タブレット(錠剤)の形状にす
る。但し、蒸発源は必ずしもタブレット形状である必要
はない。
The relative density of the evaporation source is preferably 80% or more and 98% or less, and more preferably 90% or more and 96% or less. If the evaporation source is in a powder state with a low relative density, it may cause inconveniences such as powder scattering during vapor deposition, or the film thickness of the vapor deposition film may not be uniform because it does not evaporate uniformly from the surface of the evaporation source. Or Therefore, in order to realize stable vapor deposition, it is desirable that the density of the evaporation source is high to some extent. To obtain the above-mentioned relative density, powder is generally 20
It is pressed under a pressure of MPa or higher, or is heated and melted at a temperature of a melting point or higher to form a tablet. However, the evaporation source does not necessarily have to be tablet-shaped.

【0048】また、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む
蒸発源は、アルカリ金属不純物(蛍光体の構成元素以外
のアルカリ金属)の含有量が10ppm以下であり、ア
ルカリ土類金属不純物(蛍光体の構成元素以外のアルカ
リ土類金属)の含有量が1ppm以下であることが望ま
しい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土
類金属などの不純物の含有量の少ない原料を使用するこ
とによって調整することができる。これによって、不純
物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるととも
に、そのような蒸着膜は発光量を増加させることができ
る。
Further, the evaporation source, particularly the evaporation source containing the phosphor matrix component, has a content of alkali metal impurities (alkali metals other than the constituent elements of the phosphor) of 10 ppm or less, and alkaline earth metal impurities (phosphor). It is desirable that the content of the alkaline earth metal other than the constituent elements of 1) be 1 ppm or less. Such an evaporation source can be adjusted by using a raw material having a low content of impurities such as an alkali metal or an alkaline earth metal. This makes it possible to form a vapor-deposited film with less impurities mixed therein, and such a vapor-deposited film can increase the amount of light emission.

【0049】上記の蒸発源および基板を蒸着装置内に設
置し、装置内を排気して、1×10 -5Pa〜1×10-2
Pa程度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度
に保持しながら、Arガス、Neガスなどの不活性ガス
を導入してもよい。また、必要に応じてO2 、H2 等の
反応性ガスを導入してもよい。また、装置内の雰囲気中
の水分圧を、ディフュージョンポンプとコールドトラッ
プの組み合わせなどを用いることにより、7.0×10
-3Pa以下にすることが好ましい。
The above evaporation source and substrate are installed in the vapor deposition apparatus.
Place it, evacuate the inside of the device, and 1 x 10 -FivePa ~ 1 x 10-2
The degree of vacuum is about Pa. At this time, the degree of vacuum
Inert gas such as Ar gas, Ne gas, etc.
May be introduced. Also, if necessary O2, H2Etc.
A reactive gas may be introduced. In the atmosphere inside the device
The water pressure of the diffusion pump and cold trap.
7.0 x 10
-3It is preferable that the pressure is not more than Pa.

【0050】次に、2つの電子銃から電子線をそれぞれ
発生させて、各蒸発源に照射する。このとき、電子線の
加速電圧を1.5kV以上5.0kV以下に設定するこ
とが好ましい。電子線の照射により、蒸発源である輝尽
性蛍光体の母体成分や付活剤成分などは加熱されて蒸
発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとと
もに基板表面に堆積する。この際に、各電子線の加速電
圧などを調整することにより、各蒸発源の蒸発速度を制
御することができる。蛍光体の堆積する速度、すなわち
蒸着速度は、0.05μm/分〜300μm/分である
ことが好ましい。堆積速度が0.05μm/分未満の場
合には、本発明の放射線像変換パネルの生産性が低く好
ましくない。また堆積速度が300μm/分を越える場
合には堆積速度のコントロールがむずかしくなる。な
お、電子線の照射を複数回に分けて行って2つ以上の蒸
着膜を形成することもできる。さらに、蒸着の際に必要
に応じて被蒸着物(基板)を冷却または加熱してもよ
い。
Next, an electron beam is generated from each of the two electron guns to irradiate each evaporation source. At this time, the acceleration voltage of the electron beam is preferably set to 1.5 kV or more and 5.0 kV or less. Upon irradiation with an electron beam, the matrix component and activator component of the stimulable phosphor, which is the evaporation source, are heated to evaporate and scatter, and react to form a phosphor and deposit it on the substrate surface. At this time, the evaporation rate of each evaporation source can be controlled by adjusting the acceleration voltage of each electron beam. The phosphor deposition rate, that is, the vapor deposition rate is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the deposition rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. Further, if the deposition rate exceeds 300 μm / min, it becomes difficult to control the deposition rate. Note that the electron beam irradiation may be performed plural times to form two or more vapor deposition films. Furthermore, the object to be vapor-deposited (substrate) may be cooled or heated during vapor deposition, if necessary.

【0051】蒸着終了後、得られた蒸着膜を加熱処理
(アニール処理)する。加熱処理は、例えば50℃〜6
00℃の範囲の温度、窒素雰囲気下(少量の酸素または
水素を含んでいてもよい)で数時間かけて行う。
After completion of vapor deposition, the vapor deposition film obtained is subjected to heat treatment (annealing treatment). The heat treatment is, for example, 50 ° C to 6 ° C.
It is carried out at a temperature in the range of 00 ° C. under a nitrogen atmosphere (which may contain a small amount of oxygen or hydrogen) for several hours.

【0052】一元蒸着(疑似一元蒸着)の場合には、蒸
発流に垂直な方向(基板に平行な方向)に上記蛍光体母
体成分と付活剤成分とを分離して含む1個の蒸発源を用
意することが好ましい。そして蒸着に際しては、1つの
電子線を用いて、蒸発源の母体成分領域および付活剤成
分領域各々に電子線を照射する時間(滞在時間)を制御
することにより、均一な組成の輝尽性蛍光体からなる蒸
着膜を形成することができる。
In the case of one-source vapor deposition (pseudo-one-source vapor deposition), one vaporization source containing the phosphor matrix component and the activator component separated in the direction perpendicular to the vaporization flow (direction parallel to the substrate). Is preferably prepared. During vapor deposition, one electron beam is used to control the time (residence time) for irradiating each of the matrix component region and the activator component region of the evaporation source with an electron beam, so that the stimulability of the composition is uniform. A vapor deposition film made of a phosphor can be formed.

【0053】あるいは、蒸発源として輝尽性蛍光体自体
を用いる一元蒸着であってもよく、その場合にも、上述
のようにして含水量を0.5重量%以下と調整したもの
を用いる。また、蒸発源の蛍光体はアルカリ金属不純物
の含有量が10ppm以下であり、アルカリ土類金属不
純物の含有量が1ppm以下であることが好ましい。
Alternatively, the unitary vapor deposition using the stimulable phosphor itself as an evaporation source may be used, and in that case, the one whose water content is adjusted to 0.5% by weight or less as described above is used. Further, it is preferable that the phosphor of the evaporation source has an alkali metal impurity content of 10 ppm or less and an alkaline earth metal impurity content of 1 ppm or less.

【0054】また、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を
形成するに先立って、蛍光体の母体のみからなる蒸着膜
を形成してもよい。これによって、よりいっそう柱状構
造の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体か
らなる蒸着膜中の付活剤などの添加物は、特に蒸着時の
加熱および/または蒸着後の加熱処理によって、蛍光体
母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は
必ずしも明確ではない。
Further, prior to the formation of the vapor-deposited film made of the stimulable phosphor, the vapor-deposited film made of only the matrix of the phosphor may be formed. This makes it possible to obtain a vapor deposition film having a better columnar structure. Additives such as an activator in the vapor-deposited film made of the phosphor are diffused in the vapor-deposited film made of the phosphor matrix, especially by heating during the vapor deposition and / or heat treatment after the vapor deposition. The boundaries are not always clear.

【0055】このようにして、所望のアルカリ金属ハロ
ゲン化物系輝尽性蛍光体の柱状構造が厚み方向に成長し
た蛍光体層が得られる。
In this way, a phosphor layer in which the columnar structure of the desired alkali metal halide stimulable phosphor is grown in the thickness direction is obtained.

【0056】蛍光体層は、結合剤を含有せず、上記アル
カリ金属ハロゲン化物係輝尽性蛍光体のみからなり、輝
尽性蛍光体の柱状構造と柱状構造の間には空隙が存在す
る。
The phosphor layer does not contain a binder and is composed only of the above alkali metal halide stimulable phosphor, and voids exist between the columnar structures of the stimulable phosphor.

【0057】輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射
線像変換パネルの特性、気相堆積層の実施手段や条件な
どによって異なるが、10〜1000μmの範囲である
ことが好ましく、20〜800μmの範囲であることが
より好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚を10μm未満に
した場合には放射線吸収率が極端に低下して放射線感度
が悪くなり、画像の粒状性が劣化するばかりか、輝尽性
蛍光体層が透明となり易く、輝尽励起光の輝尽性蛍光体
層中での横方向への広がりが著しく増大し、画像の鮮鋭
性が劣化する傾向にあるので好ましくない。
The layer thickness of the stimulable phosphor layer varies depending on the desired characteristics of the radiation image conversion panel, the means for implementing the vapor phase deposition layer, the conditions, etc., but is preferably in the range of 10 to 1000 μm, 20 It is more preferably in the range of ˜800 μm. When the layer thickness of the stimulable phosphor layer is less than 10 μm, the radiation absorptivity is extremely reduced, the radiation sensitivity is deteriorated, the granularity of the image is deteriorated, and the stimulable phosphor layer is transparent. This is not preferred, because it tends to occur and the lateral spread of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer is significantly increased, and the sharpness of the image tends to deteriorate.

【0058】本発明の放射線像変換パネルにおいては、
輝尽性蛍光体層の反射層が設けられる面とは反対側の面
に、輝尽性蛍光体層を物理的にあるいは化学的に保護す
るための保護層が設けられてもよい。この保護層は、保
護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護層を
輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護層の材料とし
ては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナ
イロン等の通常の保護層用材料が用いられる。また、こ
の保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、S
iO2 、SiN、Al2O3 、などの無機物質を積層して形成し
てもよい。
In the radiation image conversion panel of the present invention,
A protective layer for physically or chemically protecting the stimulable phosphor layer may be provided on the surface of the stimulable phosphor layer opposite to the surface on which the reflective layer is provided. This protective layer may be formed by directly coating the protective layer coating solution on the stimulable phosphor layer, or by forming a protective layer separately formed in advance on the stimulable phosphor layer. Good. As the material for the protective layer, usual materials for the protective layer such as cellulose acetate, nitrocellulose, polymethylmethacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride and nylon are used. In addition, this protective layer is made of SiC, S
It may be formed by stacking inorganic substances such as iO 2 , SiN, and Al 2 O 3 .

【0059】また、保護層中には、酸化マグネシウム、
酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナなどの光散乱性微粒
子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂
粉末などの滑り剤、およびポリイソシアネートなどの架
橋剤といった各種の添加剤が分散含有されていてもよ
い。
In the protective layer, magnesium oxide,
Various additives such as light-scattering fine particles such as zinc oxide, titanium dioxide, and alumina, a slip agent such as perfluoroolefin resin powder and silicone resin powder, and a crosslinking agent such as polyisocyanate may be dispersed and contained.

【0060】これらの保護層の層厚は一般に、高分子物
質からなる場合には0.1μm〜20μm程度が、ガラ
スなどの無機化合物の場合には100〜1000μmの
範囲が好ましい。
In general, the thickness of these protective layers is preferably in the range of about 0.1 μm to 20 μm when it is made of a polymeric substance, and in the range of 100 to 1000 μm when it is an inorganic compound such as glass.

【0061】保護層の表面には、さらに、保護層の耐汚
染性を高めるためのフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。
フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解(ま
たは分散)させて調整したフッ素樹脂溶液を保護層の表
面に塗布し、乾燥することにより形成することができ
る。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ
素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用す
る。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるい
はパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用する
こともできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減
させ、さらに放射線画像の画質を向上させるために、微
粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布
層の層厚は通常は0.5μm〜20μmの範囲が好まし
い。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜
剤、黄変防止剤などのような添加成分を適宜用いること
ができる。特に、架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の
耐久性の向上に有利である。
The surface of the protective layer may be further provided with a fluororesin coating layer for enhancing the stain resistance of the protective layer.
The fluororesin coating layer can be formed by applying a fluororesin solution prepared by dissolving (or dispersing) a fluororesin in an organic solvent onto the surface of the protective layer and drying. Although the fluororesin may be used alone, it is usually used as a mixture of the fluororesin and a resin having high film forming property. Further, an oligomer having a polysiloxane skeleton or an oligomer having a perfluoroalkyl group can be used together. The fluororesin coating layer may be filled with a fine particle filler to reduce interference unevenness and further improve the quality of a radiation image. The layer thickness of the fluororesin coating layer is usually preferably in the range of 0.5 μm to 20 μm. Upon forming the fluororesin coating layer, an additive component such as a cross-linking agent, a hardener and an anti-yellowing agent can be appropriately used. In particular, the addition of the crosslinking agent is advantageous for improving the durability of the fluororesin coating layer.

【0062】上述のようにして、本発明の放射線像変換
パネルを得ることができるが、パネルの構成は、公知の
バリエーションを含むものであってもよい。例えば、得
られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上
記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収して輝尽
発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよ
い。以下に、本発明を実施例により具体的に説明する。
Although the radiation image conversion panel of the present invention can be obtained as described above, the panel configuration may include known variations. For example, for the purpose of improving the sharpness of the obtained image, at least one of the above layers may be colored with a coloring agent that absorbs excitation light and does not absorb stimulated emission light. The present invention will be specifically described below with reference to examples.

【0063】[0063]

【実施例】(実施例1) (CsBr蒸発源の作製)CsBr粉末75gをジルコ
ニア製粉末成形用ダイス(内径:35mm)に入れ、粉
末金型プレス成形機(テーブルプレスTB−5型、エヌ
ピーエーシステム(株)製)にて50MPaの圧力で加
圧し、タブレット(直径:35mm、厚み:20mm)
に成形した。このとき、CsBr粉末にかかった圧力は
約40MPaであった。次に、このタブレットに真空乾
燥機にて温度200℃で2時間の真空乾燥処理を施し
た。得られたタブレットの密度は3.9g/cm3、含
水量は0.3重量%であった。
Example 1 (Preparation of CsBr evaporation source) 75 g of CsBr powder was put into a powder molding die (internal diameter: 35 mm) made of zirconia, and a powder mold press molding machine (table press TB-5 type, NPA). Pressed at a pressure of 50 MPa with System Co., Ltd., and tablets (diameter: 35 mm, thickness: 20 mm)
Molded into. At this time, the pressure applied to the CsBr powder was about 40 MPa. Next, this tablet was subjected to vacuum drying treatment at a temperature of 200 ° C. for 2 hours with a vacuum dryer. The obtained tablet had a density of 3.9 g / cm 3 and a water content of 0.3% by weight.

【0064】(EuBrx 蒸発源の作製)EuBr
x(x=2.2)粉末25gをジルコニア製粉末成形用
ダイス(内径:25mm)に入れ、粉末金型プレス成形
機にて50MPaの圧力で加圧し、タブレット(直径:
25mm、厚み:10mm)に成形した。このとき、E
uBr x 粉末にかかった圧力は約80MPaであった。
次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度200℃で
2時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの
密度は5.1g/cm3、含水量は0.5重量%であっ
た。
(EuBrxPreparation of evaporation source) EuBr
x(X = 2.2) 25g powder for zirconia powder molding
Put into a die (inner diameter: 25 mm) and press mold powder powder
Pressurized with a machine at a pressure of 50 MPa, and tablets (diameter:
25 mm, thickness: 10 mm). At this time, E
uBr xThe pressure applied to the powder was about 80 MPa.
Next, apply a vacuum dryer to this tablet at a temperature of 200 ° C.
A vacuum drying process was performed for 2 hours. Of the obtained tablets
Density is 5.1g / cm3, The water content is 0.5% by weight
It was

【0065】(放射線像変換パネルの作製)ガラス基板
(厚さ0.7mm)の表面にEB蒸着によって100n
m厚でAl層を設け、Al層上に、EB蒸着によって低
屈折率層としてMgF2 (屈折率:約1.4)層を10
0nmの層厚で形成し、さらにその上に高屈折率層とし
てCeO2 (屈折率:約2.4)層を100nmの層厚
で同様に形成した。
(Preparation of Radiation Image Conversion Panel) 100 n was formed on the surface of a glass substrate (thickness 0.7 mm) by EB vapor deposition.
An Al layer having a thickness of m is provided, and a MgF 2 (refractive index: about 1.4) layer is formed as a low refractive index layer on the Al layer by EB vapor deposition.
The layer was formed with a layer thickness of 0 nm, and a CeO 2 (refractive index: about 2.4) layer as a high refractive index layer was further formed thereon with a layer thickness of 100 nm.

【0066】次に、この金属層と透明薄膜層を設けたガ
ラス基板を蒸着器中に設置し、蒸着器内の所定の位置に
EuBrx タブレットおよびCsBrタブレットを配置
し、蒸着器を排気して1×10-3Paの真空度とした。
続いて、基板の蒸着面の反対側に位置したシーズヒータ
からなる加熱源で、基板を200℃に加熱した。蒸着源
のそれぞれに電子銃により電子線を照射して、CsB
r:Eu輝尽性蛍光体(層厚400μm、面積10cm
×10cm)を堆積させた。この際、各々の電子銃のエ
ミッション電流を調整することによって、輝尽性蛍光体
におけるEu/Csモル濃度比が0.003/1となる
ように調整した。
Next, the glass substrate provided with the metal layer and the transparent thin film layer was placed in the vapor deposition device, the EuBr x tablet and the CsBr tablet were placed at predetermined positions in the vapor deposition device, and the vapor deposition device was evacuated. The degree of vacuum was 1 × 10 −3 Pa.
Then, the substrate was heated to 200 ° C. with a heating source composed of a sheathed heater located on the opposite side of the vapor deposition surface of the substrate. Each of the vapor deposition sources is irradiated with an electron beam by an electron gun, and CsB
r: Eu stimulable phosphor (layer thickness 400 μm, area 10 cm)
X 10 cm) was deposited. At this time, the emission current of each electron gun was adjusted so that the Eu / Cs molar concentration ratio in the stimulable phosphor was 0.003 / 1.

【0067】次に、この基板をガス導入可能な真空加熱
装置に入れ、ロータリーポンプを用いて約1Paまで真
空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、
窒素ガス雰囲気中、200℃の温度で2時間蒸着膜を熱
処理した。真空下で基板を冷却し、充分に温度が下がっ
た状態で装置から基板を取り出した。このようにして、
基板上に、CsBr:Eu輝尽性蛍光体の柱状構造が密
に林立した構造の蛍光体層が形成された放射線像変換パ
ネルを作製した。
Next, this substrate was put into a vacuum heating device capable of introducing gas, and a rotary pump was evacuated to about 1 Pa to remove water and the like adsorbed on the deposited film.
The vapor deposition film was heat-treated at a temperature of 200 ° C. for 2 hours in a nitrogen gas atmosphere. The substrate was cooled under vacuum, and the substrate was taken out from the apparatus while the temperature was sufficiently lowered. In this way
A radiation image conversion panel was produced in which a phosphor layer having a structure in which columnar structures of CsBr: Eu stimulable phosphor were densely forested was formed on a substrate.

【0068】(実施例2)低屈折率層、高屈折率層を交
互に4層積層し、それぞれの層の厚さを表1に記載した
とおりとし、金属層、低屈折率層、高屈折率層をスパッ
タにより設けた以外は、実施例1と同様にして放射線像
変換パネルを作製した。
(Example 2) Four low refractive index layers and four high refractive index layers were alternately laminated, and the thickness of each layer was as shown in Table 1, and the metal layer, the low refractive index layer and the high refractive index layer were used. A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the rate layer was provided by sputtering.

【0069】(比較例1)基板上に、金属層、低屈折率
層、高屈折率層を形成しなかった以外は実施例1と同様
にして放射線像変換パネルを作製した。
Comparative Example 1 A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal layer, the low refractive index layer and the high refractive index layer were not formed on the substrate.

【0070】(比較例2)透明薄膜層をCeO2 層のみ
とした以外は、実施例1と同様にして放射線像変換パネ
ルを作製した。
Comparative Example 2 A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the transparent thin film layer was only the CeO 2 layer.

【0071】(比較例3)透明薄膜層をTiO2 層のみ
とした以外は、実施例1と同様にして放射線像変換パネ
ルを作製した。
Comparative Example 3 A radiation image conversion panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the transparent thin film layer was only the TiO 2 layer.

【0072】上記の放射線像変換パネルについて、輝尽
発光光反射率を積分球型分光光度計により測定した。な
お、輝尽発光光反射率は輝尽発光光のスペクトルが最大
になる波長での反射率であり、実施例及び比較例では、
輝尽発光光のスペクトルのピーク(最大)波長は440
nmであったので、その波長での反射率を測定した。ま
た、目視観察により蛍光体層の亀裂の程度を、粘着テー
プにより密着性の程度を評価した。感度については、管
電圧80kVpのX線を100mR照射したのち、波長
660nmの半導体レーザを励起光量20J/m2 とな
る強度、時間照射し、その際の発光をハンドパスフィル
タ(B−410)を通して光電子増倍管で電気信号に変
換し、その強度を比較した。実施例1〜2、比較例1〜
3の放射線像変換パネルの構成、および上記観点からの
評価の結果を表1に示す。
With respect to the above radiation image conversion panel, the stimulated emission light reflectance was measured with an integrating sphere type spectrophotometer. The stimulated emission light reflectance is the reflectance at the wavelength where the spectrum of the stimulated emission light is maximum, and in Examples and Comparative Examples,
The peak (maximum) wavelength of the spectrum of stimulated emission light is 440.
Since it was nm, the reflectance at that wavelength was measured. Further, the degree of cracking of the phosphor layer was evaluated by visual observation, and the degree of adhesion was evaluated using an adhesive tape. Regarding the sensitivity, after irradiating 100 mR of X-rays with a tube voltage of 80 kVp, a semiconductor laser with a wavelength of 660 nm was irradiated with an intensity of excitation light of 20 J / m 2 for a time, and the light emission at that time was passed through a hand pass filter (B-410). It was converted into an electric signal with a photomultiplier tube and their intensities were compared. Examples 1-2, Comparative Examples 1-
Table 1 shows the configuration of the radiation image conversion panel of No. 3 and the evaluation results from the above viewpoints.

【0073】[0073]

【表1】 本発明の放射線像変換パネルは、基板上に金属層と透明
薄膜層として低反射率層と高反射率層を設けたので、基
板上に金属層と一層の透明薄膜層を設けただけの比較例
1および比較例2に比べて輝尽発光光反射率が高く、充
分な感度が得られ、また、輝尽性蛍光体層は亀裂もな
く、密着性に優れていた。
[Table 1] Since the radiation image conversion panel of the present invention is provided with the metal layer and the low reflectance layer and the high reflectance layer as the transparent thin film layer on the substrate, a comparison is made only by providing the metal layer and one transparent thin film layer on the substrate. Compared to Example 1 and Comparative Example 2, the stimulated emission light reflectance was high, sufficient sensitivity was obtained, and the stimulable phosphor layer had no cracks and was excellent in adhesion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施の形態を示す放射線像変換
パネルの概略断面図
FIG. 1 is a schematic sectional view of a radiation image conversion panel showing a first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 放射線像変換パネル 11 基板 12 金属層 13 低屈折率層 14 高屈折率層 15 輝尽性蛍光体層 10 Radiation image conversion panel 11 board 12 metal layers 13 Low refractive index layer 14 High refractive index layer 15 Photostimulable phosphor layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に金属層と透明薄膜層と輝尽性蛍
光体層をこの順に積層してなる放射線像変換パネルであ
って、前記透明薄膜層が屈折率の異なる2層以上の多層
膜からなることを特徴とする放射線像変換パネル。
1. A radiation image conversion panel comprising a metal layer, a transparent thin film layer and a stimulable phosphor layer laminated in this order on a substrate, wherein the transparent thin film layer is a multilayer having two or more layers having different refractive indexes. A radiation image conversion panel comprising a film.
【請求項2】 前記透明薄膜層が前記金属層に接する層
を低屈折率層、前記輝尽性蛍光体層に接する層を高屈折
率層とする多層膜からなることを特徴とする請求項1記
載の放射線像変換パネル。
2. The transparent thin film layer is a multilayer film in which a layer in contact with the metal layer is a low refractive index layer and a layer in contact with the stimulable phosphor layer is a high refractive index layer. The radiation image conversion panel according to 1.
【請求項3】 前記輝尽性蛍光体層に接する前記透明薄
膜層の、前記輝尽性蛍光体層側の表面における輝尽発光
光のスペクトルが最大になる波長での反射率が90%以
上であることを特徴とする請求項1または2記載の放射
線像変換パネル。
3. The reflectance of the transparent thin film layer in contact with the stimulable phosphor layer is 90% or more at a wavelength at which the spectrum of stimulated emission light on the surface of the stimulable phosphor layer side is maximized. The radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 前記金属層がアルミからなる層で、かつ
前記透明薄膜層の低屈折率層がMgF2 、前記高屈折率
層がCeO2 であることを特徴とする請求項2または3
記載の放射線像変換パネル。
4. The low refractive index layer of the transparent thin film layer is MgF 2 and the high refractive index layer is CeO 2 , wherein the metal layer is a layer made of aluminum.
The described radiation image conversion panel.
【請求項5】 前記金属層がアルミからなる層で、かつ
前記透明薄膜層の低屈折率層がSiO2 、前記高屈折率
層がTiO2 であることを特徴とする請求項2または3
記載の放射線像変換パネル。
5. The low refractive index layer of the transparent thin film layer is SiO 2 , and the high refractive index layer is TiO 2 , wherein the metal layer is a layer made of aluminum.
The described radiation image conversion panel.
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