JP2003270799A

JP2003270799A - レジストパターン、それを用いた電極形成方法及び電子部品

Info

Publication number: JP2003270799A
Application number: JP2002074424A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Ueda; 安彦上田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-18
Filing date: 2002-03-18
Publication date: 2003-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】レジストパターンの開口部内において成膜粒
子入射量が均一になる領域を広げ、入射量が変化する領
域を少なくすることが可能なレジストパターン、該レジ
ストパターンを用いた電極形成方法、及びそれらを用い
て形成された電極を有する電子部品を提供する。【解決手段】最下層のレジスト層２１の厚みＴｕを、
形成すべき電極膜２の厚みの１．５倍以下とし、かつ、
レジスト層全体の厚みＴｒがＴｒ＜（ＬＳ／Ｄ）の要件
を満たすようにして、開口部内において成膜粒子入射量
が均一になる領域を広げる。最下層のレジスト層の厚み
Ｔｕを、形成すべき電極膜の厚みと略同等にする。最下
層のレジスト層よりも上層側のレジスト層の開口部の形
状を、その側面が上方に行くほど後退した順テーパー形
状とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、基板上に、リフ
トオフ法により電極パターン（配線パターン）を形成す
る場合に用いられるレジストパターン、それを用いた電
極形成方法、及びそれらを用いて形成された電極を有す
る電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
基板、誘電体基板、焦電性基板などの各種基板上に電極
（金属配線などを含む）を形成する方法の一つとして、
リフトオフ法が広く用いられている。

【０００３】このリフトオフ法は、図８(ａ)に示すよう
に、基板５１上に、開口部５２ａを備えたレジストパタ
ーン５２を形成した後、図８(ｂ)に示すように、電極・
配線材料（金属材料）からなる薄膜５３を形成した後、
レジストパターン５２上の不要な電極・配線材料５３ａ
を、レジストパターン５２とともに除去することによ
り、図８(ｃ)に示すように、基板５１上に所望のパター
ンの電極（金属配線）５４を形成する方法である。な
お、このようなリフトオフ法により電極（金属配線）５
４を形成する場合、電極（金属配線）と、レジストパタ
ーン５２上の不要な電極・配線材料５３ａとを分離し、
剥離しやくするために、断面形状が逆テーパ形状（オー
バーハング形状）のレジストパターン５２が用いられて
いる。

【０００４】このように、形成すべき電極（金属配線）
５４に対応する開口部（パターン）５２ａが形成された
レジストパターン５２を用いて、開口部５２ａの底部に
膜形成を行う場合、通常は、成膜粒子の垂直入射性が良
好な、真空蒸着法や遠隔低圧スパッタリング法、コリメ
ートスパッタリング法などの成膜方法が用いられてい
る。しかし、このような成膜方法においても、成膜粒子
の発生源（蒸着源、ターゲット）には、ある程度の有効
径を持たせていることから、入射角度を完全に垂直化す
ることは不可能である。

【０００５】また、図９に示すように、従来用いられて
きた、逆テーパー状の開口部５２ａを有するレジストパ
ターン５２の場合、基板５１の表面からレジストパター
ン５２の開口部５２ａ越しに見渡せる視野範囲は、レジ
スト開口部５２ａ内の位置により変化し、基板５１に入
射する成膜粒子量は、この視野範囲内に含まれる成膜粒
子発生源５５に大きく依存するため、視野範囲の変化と
ともに、成膜粒子入射量も変化する（すなわち、開口部
５２ａの中央部が多く、端部が少なくなる）。その結
果、形成される電極（金属配線）５４の形状は、レジス
トパターン５２の開口部５２ａの中央部では膜厚が厚
く、端部では膜厚が薄い山形や山形状に近い台形状の断
面形状となり、厚みが均一で、断面形状が矩形の、所望
のパターンを有する電極（金属配線）を形成することは
容易でないのが実情である。

【０００６】本願発明は、このような実情に鑑みてなさ
れたものであり、レジストパターンの開口部内において
成膜粒子入射量が均一になる領域を広げ、入射量が変化
する領域を少なくすることが可能なレジストパターン、
該レジストパターンを用いた電極形成方法、及びそれら
を用いて形成された電極を有する電子部品を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）のレジストパターンは、基板
上に積層形成された２層以上のレジスト層を備え、少な
くとも最下層のレジスト層の開口部側面が、上層側のレ
ジスト層の開口部側面よりも後退したオーバーハング形
状を有するレジストパターンであって、最下層のレジス
ト層の厚みＴｕが、形成すべき電極膜の厚みの１．５倍
以下であり、かつ、レジスト層全体の厚みＴｒが、下記
の要件：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）但し、Ｌ：成膜粒子発生源・基板間距離Ｓ：レジスト開口幅Ｄ：成膜粒子発生源外径を満たすことを特徴としている。

【０００８】本願発明（請求項１）のレジストパターン
のように、最下層のレジスト層の厚みＴｕを、形成すべ
き電極膜の厚みの１．５倍以下とし、かつ、レジスト層
全体の厚みＴｒがＴｒ＜（ＬＳ／Ｄ）の要件を満たすよ
うにすることにより、開口部内において成膜粒子入射量
が均一になる領域を広げることが可能になり、厚みが均
一で、形状精度が高く、断面形状が略矩形の電極を形成
することが可能になる。なお、本願発明において、電極
とは配線を含む広い概念である。

【０００９】すなわち、本願発明（請求項１）のレジス
トパターンのように、最下層のレジスト層の厚みＴｕを
電極膜の１．５倍以下とし、成膜粒子発生源と基板の間
の距離（成膜粒子発生源・基板間距離）Ｌと、レジスト
開口幅Ｓと、成膜粒子発生源外径Ｄの関係が、上述の
式：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）で表されるような要件を満たす
ようにした場合、レジスト開口部内での成膜粒子入射量
が均一化する領域を広げ、入射量が変化する領域を少な
くして、レジストパターンの開口部内に、上面のフラッ
トな部分の幅（トップ幅）が広く、底面の幅（ボトム
幅）が狭い、断面形状が略矩形の電極（配線）を効率よ
く形成することが可能になる。

【００１０】また、レジストパターンが、最下層側のレ
ジスト層の開口部側面に成膜粒子が到達しにくい構造を
備えているため、レジスト剥離後にバリが発生すること
を抑制することが可能になり、信頼性の高い電極（配
線）を形成することが可能になる。

【００１１】以下、図に基づいて本願発明をさらに詳し
く説明する。図１に示すように、レジストパターン２０
を、最下層のレジスト層２１の開口部２４の側面（開口
部側面）が、上層側の第２のレジスト層２２及び第３の
レジスト層２３よりも後退した逆テーパー形状（オーバ
ーハング形状）の開口部２４を備えた三層構造（多層構
造）とし、最下層のレジスト層２１の厚みＴｕを電極２
の厚みの１．５倍以下（例えば、図１では電極２の厚み
と同等程度）にまで薄くし、かつ、レジスト層全体の厚
みＴｒを、上記の要件：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）を満たすよ
うにすることにより、図１で示す位置Ａ（開口部上端側
の位置）が、図５に示すように、最下層のレジスト層２
１の厚みＴｕを電極２の厚みよりも相当に厚くした場合
（比較例）の位置Ａ（開口部上端側の位置）に比べて低
くなる。

【００１２】したがって、基板１上からレジストパター
ン２０の開口部２４越しに見渡す視野範囲が広くなり、
成膜粒子発生源全体を含むことのできる範囲が増加し
て、成膜粒子入射量の均一な範囲が増加し、開口部内
に、断面形状のトップ幅（上面のフラットな部分の幅）
が広くボトム幅が狭い、すなわち、断面形状が略矩形の
電極（配線）を効率よく形成することが可能になる。

【００１３】また、最下層のレジスト層２１の厚みＴｕ
を薄くし、レジストパターンの開口部の形状を逆テーパ
ー形状とした場合、レジストパターンの開口部からの視
野範囲は、第２のレジスト層２２の開口部の下端側の位
置Ｂで遮られて狭くなり、成膜粒子が第２のレジスト層
２２のオーバーハング部の下側には届きにくくなるた
め、形成される電極２の傾斜部が少なくなり、ボトム幅
が狭くなって、断面形状が略矩形の電極２を形成するこ
とが可能になる。なお、この作用効果は最下層のレジス
ト層２１の厚みが薄い（位置Ｂが低い）ほど大きくな
る。

【００１４】なお、図５に示すように、最下層のレジス
ト層の厚みＴｕが電極の１．５倍以上で、成膜粒子発生
源と基板の間の距離（成膜粒子発生源・基板間距離）Ｌ
と、レジスト開口幅Ｓと、成膜粒子発生源外径Ｄの関係
が、上述の式：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）で表される要件を満
たさない場合には、形成される電極２の形状は、レジス
トパターン２０の開口部２４の中央部では膜厚が厚く、
端部では膜厚が薄い山形や山形状に近い台形状の断面形
状となり、厚みが均一で、断面形状が矩形の、所望のパ
ターンを有する電極（配線）を形成することができなく
なる。

【００１５】電極（配線）２の上面側のフラットな部分
の幅（トップ幅）をＷｔとし、底面の幅（ボトム部幅）
をＷｂとすると、Ｗｔ及びＷｂはそれぞれ、以下の式で
表される。Ｗｔ＝（ＬＳ−ＴｒＤ）／（Ｌ−Ｔｒ）Ｗｂ＝（ＴｕＤ＋ＬＳ）／（Ｌ−Ｔｕ）このように、本願発明のレジストパターンを用いること
により、厚みが均一で、形状精度が高く、断面形状が略
矩形の電極（配線）を形成することが可能になる。

【００１６】また、請求項２のレジストパターンは、最
下層のレジスト層の厚みＴｕが、形成すべき電極膜の厚
みと略同等であることを特徴としている。

【００１７】最下層のレジスト層の厚みＴｕを形成すべ
き膜の厚みと同等程度にまで薄くした場合、レジスト開
口部内での成膜粒子入射量が均一化する領域を広げ、成
膜粒子入射量が変化する領域を少なくすることが可能に
なるとともに、形成される電極膜がレジストパターンの
開口部内壁（図１の位置Ｂ）と接触することを抑制し
て、レジストの剥離性や電極膜形状の劣化を防止するこ
とが可能になる。

【００１８】また、請求項３のレジストパターンは、最
下層のレジスト層よりも上層側のレジスト層において
は、その開口部側面が上方に行くほど後退した順テーパ
ー形状を有していることを特徴としている。

【００１９】最下層のレジスト層よりも上層側のレジス
ト層の開口部の形状を、その側面が上方に行くほど後退
した順テーパー形状とした場合、レジスト開口部内での
成膜粒子入射量が均一化する領域をさらに広げて、成膜
粒子入射量が変化する領域を少なくすることが可能にな
り、効率よく厚みが均一で、形状精度が高く、断面形状
が略矩形の電極（配線）を形成することが可能になる。

【００２０】すなわち、最下層のレジスト層よりも上層
側のレジスト層の開口部を順テーパー形状とすることに
より、レジストパターンの開口部上端の間隔が広くな
り、基板上からレジストパターンの開口部越しに見渡す
視野範囲が増大して、成膜粒子発生源全体を含むことが
可能な基板上の領域が広くなるため、成膜粒子入射量の
均一な範囲が増加し、形状精度が高く、上面のフラット
な部分の面積が広く、断面形状が略矩形で、信頼性の高
い電極（配線）を形成することができる。

【００２１】また、本願発明（請求項４）の電極形成方
法は、請求項１〜３のいずれかに記載のレジストパター
ンを用いて、リフトオフ法により基板上に電極を形成す
る工程を具備することを特徴としている。

【００２２】請求項１〜３のいずれかに記載の、少なく
とも最下層のレジスト層の開口部側面が、上層側のレジ
スト層の開口部側面よりも後退したオーバーハング形状
を有するレジストパターンを用いて、リフトオフ法によ
り基板上に電極を形成するようにした場合、形状精度が
高く、断面形状が略矩形で、信頼性の高い電極（配線）
を形成することが可能になる。

【００２３】また、請求項５の電子部品は、請求項４記
載の電極形成方法により形成された電極を備えているこ
とを特徴としている。

【００２４】本願発明（請求項５）の電子部品は、請求
項４記載の電極形成方法により電極が形成されており、
従来の方法を用いた場合に比べて、形状精度が高く、膜
厚が均一で、断面形状が略矩形状の電極（配線）を備え
た、信頼性の高い電子部品を提供することが可能にな
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。

【００２６】［実施形態１］図１，図２(ｅ)，図３に示
すように、この実施形態１のレジストパターン２０は、
基板１の表面に形成された第１のレジスト層２１と、第
１のレジスト層２１の上に形成された第２のレジスト層
２２と、第２のレジスト層２２の上に形成された第３の
レジスト層２３とを備えた３層構造を有している。

【００２７】この実施形態では、最下層のレジスト層
（第１のレジスト層）２１の厚みＴｕが、形成すべき電
極（配線）２の厚みと略同一で、かつ、レジスト層全体
の厚みＴｒが、Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）の要件を満たすよう
に構成されている。Ｌ：成膜粒子発生源・基板間距離Ｓ：レジスト開口幅（Ａ−Ａ間距離）Ｄ：成膜粒子発生源外径なお、この実施形態１では、第１のレジスト層２１の厚
みＴｕを０．１３μm、第２のレジスト層２２の厚みＴ₂
を０．２０μm、第３のレジスト層２３の厚みＴ₃を０．
３μmとした。

【００２８】そして、この３層構造のレジストパターン
２０には、基板１の表面にまで達する開口部２４が形成
されており、最上層のレジスト層（第３のレジスト層）
２３の開口部側面より、第２のレジスト層２２の開口部
側面が後退しており、さらに、第２のレジスト層２２の
開口部側面より、最下層のレジスト層（第１のレジスト
層）２１の開口部側面が後退した逆テーパー形状（オー
バーハング形状）を有している。

【００２９】次に、図２(ａ)〜(ｅ)を参照しつつ、本願
発明のレジストパターン２０の形成方法、及びレジスト
パターン２０を用いた電極形成方法について説明する。

【００３０】(１)まず、図２(ａ)に示すように、基板１
上に、スピンコートにより、膜厚０．１３μmの第１の
レジスト層２１を形成する。そして、第１のレジスト層
２１が形成された基板１を、１７０℃、２０分間の条件
でベーク処理する。なお、第１のレジスト層２１には、
例えばポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）のよう
な、有機溶剤に対する溶解性が高く、かつ耐熱性の良好
な有機材料を用いる。この種の材料であれば、後述する
金属配線形成プロセスにおける熱負荷によってもレジス
トパターンが変形することがなく、しかも有機溶剤への
溶解度が著しく低下することもない。

【００３１】(２)次いで、図２(ｂ)に示すように、第１
のレジスト層２１上に、スピンコートにより、膜厚０．
２０μmの第２のレジスト層２２を形成する。そして、
第２のレジスト層２２が形成された基板１を、１５５
℃、１分間の条件でベーク処理する。なお、第２のレジ
スト層２２には、露光波長に対する吸光性が高く、かつ
耐熱性の良好な有機材料を用いる。この有機材料として
は、露光波長に応じて適宜好適なものを選択して用いる
ことが可能であり、例えば、露光波長が３６５nmである
場合、ＢｒｅｗｅｒＳｃｉｅｎｃｅ社製のＸＨＲｉ−１
６が高い吸光性を有していて好適である。

【００３２】(３)次いで、図２(ｃ)に示すように、第２
のレジスト層２２上に、スピンコートにより、膜厚０．
３０μmの第３のレジスト層２３を形成する。そして、
第３のレジスト層２３が形成された基板１を、９０℃、
１分間の条件でベーク処理する。なお、第３のレジスト
層２３には、ドライエッチングに対する耐性が高く、か
つ耐熱性の良好な有機材料を用いる。より具体的な有機
材料としては、富士フイルムオーリン社製のＦｉ―ＳＰ
２などが例示される。なお、この実施形態１において
は、最下層のレジスト層（第１のレジスト層）２１の厚
みＴｕを、形成すべき電極（配線）２の厚みと同等程度
にまで薄くするとともに、レジスト層全体の厚みＴｒ
を、上記の要件：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）を満たすようにし
た。

【００３３】(４)次に、上述のようにして形成した３層
構造のレジストに対して露光、現像を行い、図２(ｄ)に
示すように、第３のレジスト層２３にパターニングを施
す。

【００３４】(５)次いで、上記のようにして第３のレジ
スト層２３にパターニングを施した三層構造のレジスト
に対して、酸素プラズマによるドライエッチング（ＲＩ
Ｅ）を施す。これにより、第３のレジスト層２３の開口
部を介して、第２のレジスト層２２及び第１のレジスト
層２１の一部が除去され、パターニングが行われる。こ
のとき、第３のレジスト層２３は耐ドライエッチング性
に優れているのでエッチングレートは非常に低く抑えら
れる一方、第２のレジスト層２２及び第１のレジスト層
２１は通常のレートでエッチング除去されるため、結果
的に図２(ｅ)に示すような断面が逆テーパ形状（オーバ
ーハング状）のレジストパターン２０が得られる。

【００３５】(６)次いで、このようにして形成したレジ
ストパターン２０を用いて、図３に示すように、基板１
上にアルミニウムをスパッタして、膜厚が約０．１３μ
mの電極（アルミニウム膜）２を形成する。

【００３６】(７)その後、基板を有機溶剤中に浸漬して
レジストパターン２０を不要のアルミニウム膜２ａとと
もに剥離する。これにより、図４に示すように、形状精
度が高く、断面形状が略矩形で、信頼性の高い電極（配
線）を形成することができる。なお、ここでは、線幅
０．５〜１．０μm、膜厚約０．１４μmの電極（配線）
２を形成した。

【００３７】［実施形態２］図６は、本願発明の他の実
施形態（実施形態２）にかかるレジストパターン２０を
用いて電極（配線）２を形成している状態を模式的に示
す図である。

【００３８】この実施形態２のレジストパターン２０
は、図６に示すように、基板１の表面に形成された第１
のレジスト層（最下層のレジスト層）２１と、第１のレ
ジスト層２１の上に形成された第２のレジスト層２２と
を備えた２層構造を有している。なお、この実施形態２
のレジストパターン２０においても、最下層のレジスト
層２１の厚みＴｕが、形成すべき電極（配線）２の厚み
と略同一で、かつ、レジスト層全体の厚みＴｒが、Ｔｒ
＜（ＬＳ／Ｄ）の要件を満たすように構成されている。
但し、Ｌは成膜粒子発生源・基板間距離、Ｓはレジスト
開口幅、Ｄは成膜粒子発生源外径である。

【００３９】この２層構造のレジストパターン２０に
は、基板１の表面にまで達する開口部２４が形成されて
おり、最上層のレジスト層（第２のレジスト層）２２の
開口部側面より、最下層のレジスト層（第１のレジスト
層）２１の開口部側面が後退したオーバーハング形状を
有している。

【００４０】また、最上層のレジスト層（第２のレジス
ト層）２２の開口部分２４ａは、上方に向かって口径が
大きくなるような順テーパー形状とされている。そし
て、この実施形態２では、上記のように構成されたレジ
ストパターン２０を用いて、実施形態１の場合と同様に
アルミニウムをスパッタすることにより電極（配線）２
を形成した。

【００４１】上述のように構成されたレジストパターン
２０を用いて電極（配線）２を形成するようにした場
合、図６に示すように、レジストパターン２０の開口部
上端の位置Ａ−Ａ間距離（レジスト開口幅）Ｓが広くな
り、基板１上からレジストパターン２０の開口部２４越
しに見渡せる視野範囲が増大して、成膜粒子発生源全体
を含むことが可能な基板１上の領域も広くなる。その結
果、成膜粒子入射量の均一な範囲が増加し、形状精度が
高く、上面のフラットな部分の面積が広く、断面形状が
略矩形で、信頼性の高い電極（配線）を形成することが
できる。

【００４２】また、上述のように構成されたレジストパ
ターン２０を用いて電極（配線）を形成するようにした
場合、図６に示すように、レジストパターン２０の開口
部２４からの視野範囲は開口部下端側の位置Ｂで遮られ
て狭くなるため、成膜粒子発生源全体を含むことが可能
な基板１上の領域が広くなるため、成膜粒子入射量の均
一な範囲が増加し、形状精度が高く、上面のフラットな
部分の面積が広く、断面形状が略矩形で、信頼性の高い
電極（配線）を形成することができる。

【００４３】［実施形態３］図７は、上記実施形態１又
は２のレジストパターン（少なくとも最下層のレジスト
層の側面が、上層側のレジスト層よりも後退したオーバ
ーハング形状を有するレジストパターン）を用いて、セ
ラミック基板３１の表面に、くし歯状電極（ＩＤＴ電
極）３２と、リフレクタ用電極３３，３４を配設してな
る弾性表面波素子を示す図である。

【００４４】すなわち、この弾性表面波素子は、上記実
施形態１又は２のレジストパターンを用いて、セラミッ
ク基板３１上に、真空蒸着法によりアルミニウム薄膜を
形成し、リフトオフ法により、くし歯状電極（ＩＤＴ電
極）３２と、リフレクタ用電極３３，３４を形成したも
のである。

【００４５】この実施形態３のように、本願発明のレジ
ストパターンを用いてセラミック基板の表面に電極を形
成することにより、信頼性の高い弾性表面波素子を効率
よく製造することができる。

【００４６】なお、本願発明は、弾性表面波素子に限ら
ず、セラミック基板を用いた薄膜回路素子、薄膜磁気ヘ
ッド、半導体装置、マスク、液晶表示装置、光導波路な
ど種々の電子部品に適用することが可能である。

【００４７】また、上記実施形態では金属薄膜（アルミ
ニウム薄膜）を成膜する方法として、スパッタ法を用い
たが、真空蒸着法を用いる場合にも、同様の効果を得る
ことが可能である。

【００４８】なお、本願発明は、さらにその他の点にお
いても上記実施形態に限定されるものではなく、複数層
構造のレジストパターンを構成する各レジスト層の厚
み、開口部の具体的な形状、レジスト層の構成材料、基
板の種類、成膜条件、電極（配線）の構成材料などに関
し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加える
ことが可能である。

【００４９】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
レジストパターンは、最下層のレジスト層の厚みＴｕ
を、形成すべき電極膜の厚みの１．５倍以下とし、か
つ、レジスト層全体の厚みＴｒがＴｒ＜（ＬＳ／Ｄ）の
要件を満たすようにすることにより、開口部内において
成膜粒子入射量が均一になる領域を広げることが可能に
なり、厚みが均一で、形状精度が高く、断面形状が略矩
形の電極を形成することが可能になる。

【００５０】すなわち、本願発明（請求項１）のレジス
トパターンのように、最下層のレジスト層の厚みＴｕを
電極膜の１．５倍以下とし、成膜粒子発生源と基板の間
の距離（成膜粒子発生源・基板間距離）Ｌと、レジスト
開口幅Ｓと、成膜粒子発生源外径Ｄの関係が、上述の
式：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）で表されるような要件を満たす
ようにした場合、レジスト開口部内での成膜粒子入射量
が均一化する領域を広げ、入射量が変化する領域を少な
くして、レジストパターンの開口部内に、上面のフラッ
トな部分の幅（トップ幅）が広く、底面の幅（ボトム
幅）が狭い、断面形状が略矩形の電極（配線）を効率よ
く形成することが可能になる。また、レジストパターン
が、最下層側のレジスト層の開口部側面に成膜粒子が到
達しにくい構造を備えているため、レジスト剥離後にバ
リが発生することを抑制することが可能になり、信頼性
の高い電極（配線）を形成することが可能になる。

【００５１】また、請求項２のレジストパターンのよう
に、最下層のレジスト層の厚みＴｕを形成すべき膜の厚
みと同等程度にまで薄くした場合、レジスト開口部内で
の成膜粒子入射量が均一化する領域を広げ、成膜粒子入
射量が変化する領域を少なくすることが可能になるとと
もに、形成される電極膜がレジストパターンの開口部内
壁（図１の位置Ｂ）と接触することを抑制して、レジス
トの剥離性や電極膜形状の劣化を防止することができ
る。

【００５２】また、請求項３のレジストパターンのよう
に、最下層のレジスト層よりも上層側のレジスト層の開
口部の形状を、その側面が上方に行くほど後退した順テ
ーパー形状とした場合、レジスト開口部内での成膜粒子
入射量が均一化する領域をさらに広げて、成膜粒子入射
量が変化する領域を少なくすることが可能になり、効率
よく厚みが均一で、形状精度が高く、断面形状が略矩形
の電極（配線）を形成することができる。すなわち、最
下層のレジスト層よりも上層側のレジスト層の開口部を
順テーパー形状とすることにより、レジストパターンの
開口部上端の間隔が広くなり、基板上からレジストパタ
ーンの開口部越しに見渡す視野範囲が増大して、成膜粒
子発生源全体を含むことが可能な基板上の領域が広くな
るため、成膜粒子入射量の均一な範囲が増加し、形状精
度が高く、上面のフラットな部分の面積が広く、断面形
状が略矩形で、信頼性の高い電極（配線）を形成するこ
とができる。

【００５３】また、本願発明（請求項４）の電極形成方
法のように、請求項１〜３のいずれかに記載の、少なく
とも最下層のレジスト層の開口部側面が、上層側のレジ
スト層の開口部側面よりも後退したオーバーハング形状
を有するレジストパターンを用いて、リフトオフ法によ
り基板上に電極を形成するようにした場合、形状精度が
高く、断面形状が略矩形で、信頼性の高い電極（配線）
を形成することが可能になる。

【００５４】また、請求項５の電子部品は、請求項４記
載の電極形成方法により電極が形成されており、従来の
方法を用いた場合に比べて、形状精度が高く、膜厚が均
一で、断面形状が略矩形状の電極（電極膜）を備えた、
信頼性の高い電子部品を提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施形態にかかるレジストパター
ンを用いて電極を形成している状態を模式的に示す断面
図である。

【図２】(ａ)〜(ｅ)は、本願発明の一実施形態にかかる
レジストパターンの形成方法の主要な工程を示す断面図
である。

【図３】本願発明のレジストパターンを用いて電極を形
成している状態を示す断面図である。

【図４】本願発明のレジストパターンを用いて形成した
電極を示す断面図である。

【図５】比較例にかかるレジストパターンを用いて電極
を形成している状態を模式的に示す断面図である。

【図６】本願発明の他の実施形態にかかるレジストパタ
ーンを用いて電極を形成している状態を模式的に示す断
面図である。

【図７】本願発明の電極形成方法を適用して製造される
弾性表面波素子（電子部品）を示す図である。

【図８】(ａ)〜(ｃ)はリフトオフ法により電極を形成す
る方法を示す図である。

【図９】従来のレジストパターンを用いて電極を形成し
ている状態を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２電極（配線）２ａ不要のアルミニウム膜（電極膜）２０レジストパターン２１第１のレジスト層（最下層のレジスト層）２２第２のレジスト層２３第３のレジスト層２４開口部２４ａ最上層のレジスト層（第２のレジスト層）の
開口部分３１セラミック基板３２くし歯状電極（ＩＤＴ電極）３３，３４リフレクタ用電極Ａ開口部上端側の位置Ｂ第２のレジスト層の開口部の下端側の位置Ｄ成膜粒子発生源外径Ｌ成膜粒子発生源・基板間距離Ｓレジスト開口幅（Ａ−Ａ間距離）Ｔｕ最下層のレジスト層（第１のレジスト層）の
厚みＴｒレジスト層全体の厚みＴ₂ 第２のレジスト層の厚みＴ₃ 第３のレジスト層の厚み

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に積層形成された２層以上のレジス
ト層を備え、少なくとも最下層のレジスト層の開口部側
面が、上層側のレジスト層の開口部側面よりも後退した
オーバーハング形状を有するレジストパターンであっ
て、最下層のレジスト層の厚みＴｕが、形成すべき電極膜の
厚みの１．５倍以下であり、かつ、レジスト層全体の厚みＴｒが、下記の要件：Ｔｒ＜（ＬＳ／Ｄ）但し、Ｌ：成膜粒子発生源・基板間距離Ｓ：レジスト開口幅Ｄ：成膜粒子発生源外径を満たすことを特徴とするレジストパターン。
【請求項２】最下層のレジスト層の厚みＴｕが、形成す
べき電極膜の厚みと略同等であることを特徴とする請求
項１記載のレジストパターン。
【請求項３】最下層のレジスト層よりも上層側のレジス
ト層においては、その開口部側面が上方に行くほど後退
した順テーパー形状を有していることを特徴とする請求
項１又は２記載のレジストパターン。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト
パターンを用いて、リフトオフ法により基板上に電極を
形成する工程を具備することを特徴とする電極形成方
法。
【請求項５】請求項４記載の電極形成方法により形成さ
れた電極を備えていることを特徴とする電子部品。