JP2003266001A - 成膜装置、デバイスの製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スリットノズル型の成膜装置において、膜ム
ラを抑制し、被処理物上に形成される膜の平坦化を図
る。 【解決手段】 成膜装置１０は、吐出ヘッド２１に形成
されたスリットノズル３３から液体材料を吐出して、被
処理物である基板２０上に液体材料の膜を形成する。吐
出ヘッド２１の表面におけるスリットノズル３３の周囲
には、液体材料に対して均一の濡れ性に加工された表面
処理部４０が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関し、
特に、吐出ヘッドに形成されたスリットノズルから液体
材料を吐出して、被処理物である基板上に前記液体材料
の膜を形成するスリットノズル型の成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】スリットノズル型の成膜装置は、被処理
物である基板と液体吐出ヘッドとを相対的に移動させな
がら、液体吐出ヘッドに設けられたスリット状の開口で
あるスリットノズルから基板に向けて液体材料を吐出
し、基板上に塗布膜を形成するものであり、スピンコー
ト方式などの従来の成膜技術に比べて、液体材料の消費
に無駄が少ないという利点を有する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】スリットノズル型の成
膜装置では、平坦な膜を得るために、スリットノズルか
ら吐出される液体材料の挙動を均一な状態に制御する必
要がある。しかしながら、こうした制御は難しく、局所
的な膜ムラが生じやすい。

【０００４】また、スリットノズルから吐出された液体
材料の一部が吐出ヘッドの表面に付着すると、その固化
物に液体材料が接触したり、その固化物が基板上に落下
したりすることによって、膜ムラが生じるおそれがあ
る。

【０００５】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、スリットノズル型の成膜装置において、膜
ムラを抑制し、被処理物上に形成される膜の平坦化を図
ることを目的とする。

【０００６】また、本発明の他の目的は、性能の向上を
図ることができる電子機器を提供することにある。

【０００７】また、本発明の別の目的は、高品質なデバ
イスを製造することができるデバイスの製造方法を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の成膜装置は、吐出ヘッドに形成されたス
リットノズルから液体材料を吐出して、被処理物上に前
記液体材料の膜を形成する成膜装置であって、前記吐出
ヘッドの表面における前記スリットノズルの周囲には、
前記液体材料に対して撥液性を有する処理をされた表面
処理部が設けられていることを特徴とする。

【０００９】本発明の成膜装置では、液体材料を吐出す
るスリットノズルの周囲に、液体材料に対して撥液性を
有する処理をされた表面処理部が設けられていることか
ら、吐出ヘッドの表面による液体材料に与える影響がス
リットノズルの周囲全体にわたって均一化され、被処理
物上に形成される膜の平坦化が図られる。

【００１０】上記成膜装置において、前記表面処理部
は、前記液体材料を吐出する際の前記スリットノズルと
前記被処理物との位置関係に基づいて、前記液体材料に
対して撥液性または親液性に加工されるのが好ましい。
表面処理部が撥液性に加工されていると、スリットノズ
ルから吐出された液体材料がその部分に付着しにくく、
一方、表面処理部が親液性に加工されていると、スリッ
トノズルから吐出された液体材料がその部分で濡れ広が
りやすい。したがって、液体材料を吐出する際のスリッ
トノズルと被処理物との位置関係に基づいて、スリット
ノズルの周囲を撥液性または親液性に加工しておくこと
により、スリットノズルから吐出された液体材料を膜の
平坦化に適した状態に制御することが可能となる。な
お、ここでいう撥液性とは、スリットノズルから吐出さ
れる液体材料に対して非親和性をしめす特性であり、親
液性とは、その液体材料に対して親和性をしめす特性で
ある。

【００１１】例えば、前記スリットノズルが前記液体材
料を吐出する際に前記被処理物上の前記液体材料から離
れた位置に配される場合には、前記表面処理部は撥液性
に加工されているのが好ましい。この場合、スリットノ
ズルから吐出された液体材料が吐出ヘッドの表面に付着
しにくく、その表面に液体材料が残留することによる液
体材料の固化が防止される。そのため、固化物による膜
ムラの発生が防止される。

【００１２】また、例えば、前記スリットノズルが前記
液体材料を吐出する際に前記被処理物上の前記液体材料
と接する位置に配される場合には、前記表面処理部は親
液性に加工されているのが好ましい。この場合、被処理
物とスリットノズルとの間で液体材料が均一に濡れ広が
りやすく、これにより、膜の平坦化が図られる。

【００１３】さらに、この場合において、親液性に加工
された領域の外側に、撥液性に加工された領域が設けら
れていることにより、親液性の領域で濡れ広がった液体
材料が、親液性の領域と撥液性の領域との境界を起点
に、撥液性領域の吐出ヘッド表面に付着せずに離れるよ
うになる。そのため、吐出ノズルの表面に液体材料が残
留することによる液体材料の固化が防止され、その固化
物による膜ムラの発生が防止される。また、液体材料が
吐出ヘッドから離れる位置の制御が可能となり、その最
適化を図ることにより、膜の平坦化を図ることができ
る。

【００１４】また、本発明の電子機器は、上述した成膜
装置を用いて形成された膜を構成要素として備えること
を特徴とする。上記電子機器では、上述した成膜装置を
用いて形成された膜を構成要素として備えることから、
その膜の平坦性が高く良好な性能が得られる。

【００１５】また、本発明のデバイスの製造方法は、被
処理物上に液体材料の膜を形成する成膜工程を有するデ
バイスの製造方法であって、前記成膜工程は、上述した
成膜装置を用いて、吐出ヘッドに形成されたスリットノ
ズルから前記液体材料を吐出して成膜することを特徴と
する。上記デバイスの製造方法では、平坦性の高い膜が
得られることから、高品質なデバイスを製造することが
できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る成膜
装置の実施の形態の一例を模式的に示しており、本実施
例の成膜装置１０は、スリット状の開口から液体材料を
吐出する、いわゆるスリットノズル型の成膜装置（塗布
装置）である。

【００１７】図１において、成膜装置１０は、レジスト
等の液体材料を基板２０に向けて吐出する液体吐出ヘッ
ド２１、基板２０が搭載される基板ステージ２２、及び
これらを統括的に制御する制御装置２３等を備えて構成
されている。液体吐出ヘッド２１及び基板ステージ２２
は、不図示のチャンバ内に配置されており、このチャン
バ内は、ガスの種類や温度等が管理されている。また、
図１では、ＸＹＺ直交座標系が用いられ、ＸＹＺ直交座
標系は、基板２０が搭載される基板ステージ２２に対し
て平行となるようにＸ軸及びＹ軸が設定され、Ｚ軸が基
板ステージ２２に対して直交する方向に設定されてい
る。

【００１８】基板２０としては、本実施例では、半導体
素子の製造に用いられるシリコンからなるウエハが用い
られる。また、基板２０上に塗布される液体材料として
は、レジスト（フォトレジスト）が用いられる。すなわ
ち、本実施例は、半導体素子の製造プロセスに用いられ
るレジストの成膜装置に本発明を適用したものである。
なお、本発明が適用される成膜装置は、半導体素子の製
造プロセス用に限定されず、液晶表示素子、ＥＬ素子、
撮像素子（ＣＣＤなど）、磁気ヘッド等のデバイスの
他、カラーフィルタやタッチパネル等の装置の製造用と
しても適用可能であり、１０００×１２００ｍｍなどの
液晶基板のような、大型の基板に対しても有効である。
そのため、本発明に用いられる基板としては、シリコン
基板に限らず、ガラス基板、石英基板、セラミックス基
板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィル
ム基板等、他の材質の基板も適用される。また、本発明
に用いられる液体材料としては、レジストに限定され
ず、カラーインク、保護膜用液体材料、または塗布シリ
コン酸化膜を形成するための液体材料であるＳＯＧ（Sp
in On Glass）、低誘電率層間絶縁膜を形成するための
Ｌow-k材料、その他揮発性液体材料など他の液体材料も
適用される。

【００１９】液体吐出ヘッド２１は、液体材料供給系３
１を介して送られる液体材料を基板２０に向けて吐出す
るものであり、液体材料供給系３１に接続される接続口
３２、及びスリット状の開口であるスリットノズル３３
等を有している。本実施例では、液体材料供給系３１に
よって液体材料の流量制御がなされ、液体吐出ヘッド２
１の内部で液体材料の圧力が高められ、スリットノズル
３３の開口全体から液体材料が吐出される。液体吐出ヘ
ッド２１では、液体材料がスリットノズル３３を介して
その長さ方向に均一に吐出されるように、内部に形成さ
れる液体材料の流路形状やスリットの開口隙間などの各
種形状が定められている。

【００２０】液体吐出ヘッド２１を構成する部材として
は、金属、セラミックス、シリコン、ガラス、プラスチ
ック等の各種材質が適用可能である。具体的には、例え
ば、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜
鉛、スズ等の単一金属や、ニッケル−リン合金、スズ−
銅−リン合金（リン青銅）、銅−亜鉛合金、アルミニウ
ム合金、ステンレス鋼等の各種合金が用いられる。ある
いは、ポリカーボネイト、プリサルフォン、ＡＢＳ樹脂
（アクリルニトリル・ブタジエン・スチレン共重合）、
ポリエチレンテレフタレート、ポリアセタールなどの樹
脂等を用いてもよい。液体吐出ヘッド２１は、１つの材
質で構成してもよく、複数の材質の部材を組み合わせて
構成してもよい。

【００２１】基板ステージ２２は、基板２０を保持する
ための真空吸着用の孔や、リフトアップ用の機構（いず
れも不図示）等を有しており、基板２０を真空圧で吸着
保持する。また、不図示のベース上に配置され、二次元
平面内（図１中のＸＹ平面内）で駆動自在に配置されて
いる。また、基板ステージ２２は、例えばリニアモータ
等からなる駆動装置３５を有しており、制御装置２３の
指令のもとで、基板２０の所定位置への位置決めや移動
を行う。

【００２２】上記成膜装置１０では、液体吐出ヘッド２
１のスリットノズル３３から液体材料を吐出しながら、
基板ステージ２２を介して、基板２０と液体吐出ヘッド
２１とを相対移動させることにより、基板２０上に液体
材料を配置する。なお、本例では、液体材料を吐出する
際、液体吐出ヘッド２１と基板２０とは、基板２０上に
配置される液体材料の膜厚よりも広い間隔を空けて配置
され、これにより、スリットノズル３３は、基板２０上
に配置される液体材料から離れた位置に配される。

【００２３】ここで、本実施例の液体吐出ヘッド２１
は、その表面の少なくとも一部が液体材料に対して撥液
性に加工されている。具体的には、図２に示すように、
液体吐出ヘッド２１の表面のうち、スリットノズル３３
が形成された面、本例の場合は基板２０に対向して配置
される吐出面４０が、本発明に係る表面処理部として撥
液性に加工されている。撥液性は例えば接触角（静的接
触角や動的接触角）を用いて確認することができる。本
例では、上記吐出面４０の全体が例えば静的接触角が８
０°以上の均一な濡れ性になるように撥液処理されてい
る。

【００２４】撥液化の方法としては、例えば、プラズマ
処理法（プラズマ重合法）や、共析メッキ法などが適用
される。また、この他に、金チオールで撥液化する手
法、あるいはＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）で撥液
処理する手法など、公知の様々な手法が適用可能であ
る。このうち、プラズマ処理法は、原料の選択等によっ
て、処理対象の表面に様々な特性を与えることができる
とともに、その制御を行いやすいという利点を有する。

【００２５】上記プラズマ処理法では、例えば、フッ素
系の原料をプラズマ化し、それを対象物体の表面に照射
する。これにより、対象物体の表面に、フッ素基が導入
されて撥液性が付与される。

【００２６】フッ素系の原料としては、例えば、Ｃ₄Ｆ
₁₀やＣ₈Ｆ₁₈などの直鎖状ＰＦＣからなる有機物が用い
られる。この場合、上記有機物の蒸気をプラズマ化する
ことにより、直鎖ＰＦＣの結合が一部切断されて活性化
する。そして、活性化したＰＦＣが対象物体の表面で互
いに重合することにより、フッ素樹脂重合膜、すなわち
撥液性を有するフッ素系高分子材からなる撥液層が形成
される。

【００２７】また、プラズマ処理の原料として、デカト
リエンを用いてもよい。この場合、プラズマ処理によっ
て活性化させたＣＦ₄または酸素を添加することによ
り、得られる重合膜に撥液性が付与される。さらに、他
の原料として、フルオロカーボンを用いてもよい。この
場合、プラズマ化によって活性化したＣＦ₄を添加する
ことにより、プラズマ化によってフルオロカーボン中の
フッ素の一部が離脱しても、それが重合膜中に取り込ま
れ、フッ素樹脂重合膜の撥液性が高まる。なお、プラズ
マ処理の原料として、液体材料に対する撥液性を付与可
能なものであれば、フッ素系以外の原料を用いてもよ
い。なお、プラズマ処理法では、例えば処理時間を変化
させることにより、撥液性を制御することができる。

【００２８】共析メッキ法では、処理対象面を予め酸等
で洗浄するとともに、撥液性を付与しない箇所にレジス
トテープ等を貼着しておき、その状態で撥水性高分子樹
脂の粒子とマトリックスとを電荷によって分散させた電
解液中に浸漬し、その後、電解液を攪拌しながら処理対
象面に共析メッキを施すことで撥液層を形成する。

【００２９】共析メッキ法に使用される撥水性高分子樹
脂としては、特にフッ素系高分子が好適とされ、具体的
には、ポリテトラフルオロチレン、ポリバーフルオロア
ルコキシブタジエン、ポリフルオロビニリデン、ポリフ
ルオロビニル、ポリジパーフルオロアルキルフマレート
などが用いられる。これらは単独、あるいは混合した状
態で用いられる。

【００３０】また、マトリックスについても特に制限は
なく、ニッケル、銅、銀、亜鉛、錫等の適宜の金属を選
ぶことができるが、好ましくは、ニッケルや、ニッケル
−コバルト合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−ホウ
素合金等の表面硬度が大で、しかも耐磨耗性に優れたも
のが好適である。

【００３１】例えば、撥水性高分子樹脂としてポリテト
ラフルオロエチレンの粒子を用い、マトリックスとして
ニッケルイオンを用いた場合、ポリテトラフルオロエチ
レンの粒子が、ニッケルイオンを媒介として処理対象面
に均一の層となって付着する。この場合、処理対象面を
ポリテトラフルオロエチレンの融点以上の温度、例えば
３５０℃以上の温度で加熱することにより、処理対象面
にポリテトラフルオロエチレン粒子を融着させて、そこ
に平滑でしかも硬度の大なる撥液層を形成することがで
きる。なお、共析メッキの方法としては、無電解法、電
解法のいずれでもよい。また、共析メッキ法では、撥液
層の膜厚を変化させることにより、撥液性を制御するこ
とができる。

【００３２】図３（ａ）及び（ｂ）は、塗布時における
基板２０と液体吐出ヘッド２１との相対移動の一例を示
す図である。図３（ａ）の例では、液体吐出ヘッド２１
の幅（図３におけるＹ方向の長さ）が基板２０上の塗布
領域２０ａの幅（図３におけるＹ方向の長さ）に対して
小さく形成されている。この場合、基板２０と液体吐出
ヘッド２１とをＸ方向及びＹ方向に相対移動させること
により、基板２０全体に液体材料が塗布される。すなわ
ち、図３（ａ）において、液体吐出ヘッド２１は、ま
ず、基板２０上をＸ方向に相対的に走査移動し、基板２
０上の塗布領域２０ａのうち、Ｙ方向の一部の領域（図
３における上部領域）を塗布する。続いて、液体吐出ヘ
ッド２１は、Ｙ方向に相対的にシフト移動し、その後、
再びＸ方向に基板２０上を相対的に走査移動し、先に塗
布した領域に隣接するＹ方向の一部の領域を塗布する。
このように、図３（ａ）の例では、液体吐出ヘッド２１
は、Ｘ方向への走査移動と、Ｙ方向へのシフト移動とを
繰り返すことにより、基板２０上の塗布領域２０ａの全
体を塗布する。

【００３３】また、図３（ｂ）の例では、液体吐出ヘッ
ド２１の幅が基板２０上の塗布領域２０ａの幅に対して
大きく形成されている。この場合、基板２０と液体吐出
ヘッド２１とをＸ方向にのみ相対移動させることによ
り、基板２０全体に液体材料が塗布される。すなわち、
図３（ｂ）において、液体吐出ヘッド２１は、基板２０
上を、Ｘ方向に相対的に一度走査移動を行うことによ
り、基板２０上の塗布領域２０ａの全体を塗布する。液
体吐出ヘッド２１は、Ｘ方向に複数並べて設けてもよ
い。また、その際には、各液体吐出ヘッドごとに異なる
種類の液体を吐出するようにしてもよい。

【００３４】なお、上述したように、本実施例では、基
板ステージ２２を介して基板２０を移動させることによ
り、塗布時における基板２０と液体吐出ヘッド２１との
相対移動を行う。しかしながら、本発明はこれに限定さ
れず、液体吐出ヘッド２１を移動させて上記相対移動を
行ってもよく、あるいは基板２０と液体吐出ヘッド２１
との双方を移動させて上記相対移動を行ってもよい。基
板２０と液体吐出ヘッド２１との双方を移動させる場
合、一方（例えば液体吐出ヘッド２１）の移動により上
記走査移動を行い、他方（例えば基板２０）の移動によ
り上記シフト移動を行ってもよい。また、基板２０と液
体吐出ヘッド２１との間隔（距離）は、不図示のＺ駆動
装置を介して調整される。さらに、液体吐出ヘッド２１
あるいは基板２０のＸＹ平面に対する傾きを調整する手
段や、ＸＹ平面内での回転角を調整する手段を備えても
よい。

【００３５】図１に戻り、上記構成の本実施例の成膜装
置１０では、スリットノズル３３が形成された吐出面４
０が撥液性に加工されていることから、その吐出面４０
への液体材料の付着が防止される。そのため、液体吐出
ヘッド２１の表面に液体材料が残留することによる液体
材料の固化が防止され、固化物による膜ムラの発生が起
こりにくい。

【００３６】また、本実施例では、吐出面４０の全体が
均一な濡れ性に加工されていることから、スリットノズ
ル３３から液体材料を吐出する際、液体吐出ヘッド２１
の表面による液体材料に与える影響がスリットノズル３
３の周囲全体にわたって均一となり、液体材料の挙動の
均一化が図られる。そのため、局所的な膜ムラが生じに
くく、膜の平坦化が図られる。

【００３７】ここで、上記実施例では、スリットノズル
３３が形成された液体吐出ヘッド２１の吐出面４０を撥
液性に加工しているが、本発明はこれに限らず、上記吐
出面に対して均一の濡れ性を付与できれば、上記吐出面
を親液性に加工してもよい。スリットノズルが形成され
る面が均一の濡れ性に加工されていることにより、上述
したようにスリットノズルから吐出される液体材料の挙
動の均一化が図られる。また、上記吐出面を撥液性及び
親液性のどちらに加工するかの選択は、液体材料を吐出
する際のスリットノズルと基板との位置関係に基づいて
定めるのが好ましい。

【００３８】図４及び図５は、スリットノズルが形成さ
れた吐出面が撥液性に加工されている例、図６、図７、
図８及び図９は、スリットノズルが形成された吐出面が
主に親液性に加工されている例をそれぞれ示している。
なお、図４〜図９では、液体吐出ヘッドの表面のうち、
撥液性に加工された部分を破線で示し、親液性に加工さ
れた部分を一点鎖線で示している。また、上記各図にお
いて、先の図１に示したものと同様の機能を有するもの
には同一の符号を付してその説明を省略または簡略化す
る。

【００３９】図４及び図５、並びに先に示した図１に示
すように、スリットノズル３３が、液体材料を吐出する
際に基板２０上に配置される液体材料から離れた位置に
配される場合、吐出面４０は撥液性に加工されるのが好
ましい。つまり、スリットノズル３３が基板２０上の液
体材料から離れた位置に配される場合には、スリットノ
ズル３３の周囲が撥液性に加工されていると、その部分
に液体材料が付着することなく、液体材料が基板２０に
向けて安定かつ確実に移動する。そのため、スリットノ
ズル３３全体にわたって液体材料の挙動が安定し、これ
により、基板２０上に配置される膜の平坦化が図られ
る。

【００４０】なお、図４の例では、液体吐出ヘッド５０
が筐体５１内に配置され、この筐体５１は不図示の温調
装置によって液体吐出ヘッド５０の温度が一定になるよ
うに制御されている。そのため、粘度変化などの液体材
料の特性の変化が抑制され、長期にわたって安定した膜
が得られるという利点を有する。

【００４１】また、図５の例では、液体吐出ヘッド５５
が基板２０の下方に配され、スリットノズル３３から上
方の基板２０に向けて液体材料を吐出する構成となって
いる。こうした塗布面を下向きにして基板２０に液体材
料を配置する構成の場合、表面張力などの物理的な作用
を利用して膜の平坦化を図りやすいという利点を有す
る。

【００４２】一方、図６、図７、図８及び図９に示すよ
うに、スリットノズル３３が、液体材料を吐出する際に
基板２０上に配置される液体材料と接する位置に配され
る場合、吐出面４０は親液性に加工されるのが好まし
い。つまり、スリットノズル３３が基板２０上の液体材
料と接触する位置に配される場合には、スリットノズル
３３の周囲が親液性に加工されていると、基板２０とス
リットノズル３３との間で液体材料が均一に濡れ広がり
やすくなる。そのため、この間での液体材料の挙動が安
定し、膜の平坦化が図られる。

【００４３】なお、図６の例では、基板２０と液体吐出
ヘッド６０との相対移動の方向に関して、スリットノズ
ル３３の前後で吐出面４０の長さが異なっている。つま
り、吐出面４０のうち、スリットノズル３３の前方に比
べて後方の面の長さが長い。この場合、スリットノズル
３３から吐出された液体材料がこの後方の広い面と基板
２０との間に挟まれることにより、液体材料の挙動がよ
り安定化され、膜の平坦化が図られる。

【００４４】また、図７及び図８の例では、液体吐出ヘ
ッド６５、７０の表面のうち、基板２０に対向して配置
されかつ液体材料と接する吐出面４０が親液性に加工さ
れるとともに、その吐出面４０の外側にある液体吐出ヘ
ッド６５、７０の側面６６、７１がそれぞれ撥液性に加
工されている。この場合、親液性に加工された吐出面４
０と基板２０との間では、前述したように、液体材料が
均一に濡れ広がり、液体材料の挙動が安定するととも
に、その外側の側面６６、７１では液体材料の付着が防
止される。この場合、吐出面４０と基板２０との間で濡
れ広がった液体材料は、親液性の領域と撥液性の領域と
の境界を起点に、液体吐出ヘッド６５、７０の表面から
確実に離れるようになる。なお、図８の例では、先の図
５の例と同様に、液体吐出ヘッド７０が基板２０の下方
に配されている。

【００４５】また、図９の例では、基板２０に対向して
配置される吐出面４０のうち、スリットノズル３３の周
辺の領域は親液性に加工され、その外側の領域は撥液性
に加工されている。また、液体吐出ヘッド７５の側面７
６も撥液性に加工されている。この場合、親液性と撥液
性との境界の位置によって、液体材料が液体吐出ヘッド
の表面から離れる位置の制御が可能となる。したがっ
て、スリットノズル３３から吐出された液体材料の挙動
が安定化するように、上記境界の位置を設定することに
より、膜の平坦化を図ることができる。

【００４６】本発明の成膜方法及び成膜装置を用いるこ
とにより、膜厚精度の向上を図ることができることか
ら、半導体素子の製造に際し、高精度あるいは高品質な
デバイスを製造することが可能となる。上述した実施例
では、半導体素子の製造プロセスに本発明を適用した例
を示したが、他の製造プロセスに本発明を適用すること
により、液晶表示素子、ＥＬ素子、撮像素子（ＣＣ
Ｄ）、磁気ヘッド等のデバイスの他、カラーフィルタや
タッチパネル等の装置等、各種デバイスあるいは電子機
器の高品質化を図ることができる。そして、本発明の成
膜装置を用いて形成された膜を構成要素の一部として備
える電子機器では、その膜の平坦性が高いことから良好
な性能が得られる。なお、本発明で用いられる液体に
は、金属等の微粒子を含む液状体も含まれる。

【００４７】以上、添付図面を参照しながら本発明に係
る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係
る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例
において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一
例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
設計要求等に基づき種々変更可能である。

【００４８】

【発明の効果】本発明の成膜装置によれば、液体材料を
吐出するスリットノズルの周囲に、液体材料に対して均
一な濡れ性の表面処理部が設けられていることから、吐
出ヘッドの表面による液体材料に与える影響がスリット
ノズルの周囲全体にわたって均一化される。そのため、
被処理物上に形成する膜の平坦化を図ることができる。

【００４９】また、本発明の電子機器によれば、上述し
た成膜装置を用いて形成された膜の平坦性が高く、良好
な性能が得られる。

【００５０】また、本発明のデバイスの製造方法によれ
ば、本発明の成膜装置を用いて、平坦性の高い膜が得ら
れることから、高品質なデバイスを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る成膜装置の実施の形態の一例を
模式的に示す図である。

【図２】 スリットノズルが形成された液体吐出ヘッド
の吐出面を拡大して示す斜視図である。

【図３】 塗布時における基板と液体吐出ヘッドとの相
対移動の一例を示す図である。

【図４】 スリットノズルが形成された吐出面が撥液性
に加工されている例を示す図である。

【図５】 スリットノズルが形成された吐出面が撥液性
に加工されている例を示す図である。

【図６】 スリットノズルが形成された吐出面が主に親
液性に加工されている例を示す図である。

【図７】 スリットノズルが形成された吐出面が主に親
液性に加工されている例を示す図である。

【図８】 スリットノズルが形成された吐出面が主に親
液性に加工されている例を示す図である。

【図９】 スリットノズルが形成された吐出面が主に親
液性に加工されている例を示す図である。

【符号の説明】

１０…成膜装置 ２０…基板（被処理物） ２１…液体
吐出ヘッド ２２…基板ステージ ２３…制御装置 ３３…スリットノズル ３１…液体材料供給系 ４０…吐出面（表面処理部）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 吐出ヘッドに形成されたスリットノズル
   から液体材料を吐出して、被処理物上に前記液体材料の
   膜を形成する成膜装置であって、 前記吐出ヘッドの表面における前記スリットノズルの周
   囲には、前記液体材料に対して撥液性を有する処理をさ
   れた表面処理部が設けられていることを特徴とする成膜
   装置。
2. 【請求項２】 前記表面処理部は、前記液体材料を吐出
   する際の前記スリットノズルと前記被処理物との位置関
   係に基づいて、前記液体材料に対して撥液性または親液
   性に加工されていることを特徴とする請求項１に記載の
   成膜装置。
3. 【請求項３】 前記スリットノズルは、前記液体材料を
   吐出する際、前記被処理物上の前記液体材料から離れる
   位置に配され、 前記表面処理部は、撥液性に加工されていることを特徴
   とする請求項２に記載の成膜装置。
4. 【請求項４】 前記スリットノズルは、前記液体材料を
   吐出する際、前記被処理物上の前記液体材料と接する位
   置に配され、 前記表面処理部は、親液性に加工されていることを特徴
   とする請求項２に記載の成膜装置。
5. 【請求項５】 親液性に加工された領域の外側に、撥液
   性に加工された領域がさらに設けられていることを特徴
   とする請求項４に記載の成膜装置。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のうちのいずれか
   一項に記載の成膜装置を用いて形成された膜を構成要素
   として備えることを特徴とする電子機器。
7. 【請求項７】 被処理物上に液体材料の膜を形成する成
   膜工程を有するデバイスの製造方法であって、 前記成膜工程は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記
   載の成膜装置を用いて、吐出ヘッドに形成されたスリッ
   トノズルから前記液体材料を吐出して成膜することを特
   徴とするデバイスの製造方法。