JP2003258372A

JP2003258372A - 発光モジュール

Info

Publication number: JP2003258372A
Application number: JP2002060882A
Authority: JP
Inventors: Moriyasu Ichino; 守保市野
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-03-06
Filing date: 2002-03-06
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】光学素子の温度変化によるロック波長シフト
を抑制して、高精度に波長制御を行うことが可能な発光
モジュールを提供すること。【解決手段】電源投入時、半導体発光素子３１から出
力される光の波長が目標の波長近辺になるまで、ＣＰＵ
６１にて構成される切替手段ＳＷは第１設定値Ｖｒｅｆ
₁の方を選択し、目標波長相当の温度モニタ電圧（Ｆ
（Ｔ）の出力）が第１設定値Ｖｒｅｆ₁になるように１
重のフィードバック回路で制御する。半導体発光素子３
１から出力される光の波長が目標の波長近辺となると、
切替手段ＳＷを切替え、更に目標波長相当の波長モニタ
電圧（Ｇ（Ｔ）の出力）が第２設定値Ｖｒｅｆ₂になる
ように２重のフィードバック回路で制御する。ＣＰＵ６
１は、サーミスタ３９にて得られたの温度情報に基づい
て、エタロン３４の温度特性を補償するように第２設定
値Ｖｒｅｆ₂の値を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム等
に使用される発光モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】発光モジュールは、たとえば複数の波長
成分を用いる波長多重(ＷＤＭ)伝送システムに使用され
る。１．５５μｍ帯のＷＤＭシステムにおいては、隣接
するグリッドの波長間隔は約０．８ｎｍ(１００ＧＨｚ)
とされる。この波長間隔を実現するためには、発光モジ
ュールからの光の発光波長は、グリッド波長に対して±
０．０３ｎｍ以内の範囲に制御する必要がある。

【０００３】現在用いられている発光モジュールの多く
は、半導体発光素子、光検出器、及び温度調整器を有す
る。半導体発光素子の光反射面から僅かに放射されるレ
ーザ光の波長を光検出器によりモニタし、モニタ結果に
基づいて半導体発光素子の温度が調整され、レーザ光の
波長が制御される。ここで、波長変動を精度良く検出す
るため、半導体発光素子と光検出器との間に波長依存性
を有した光学素子（たとえば、エタロン等）を設け、特
定の波長を有するレーザ光成分がモニタされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等の調査研究
の結果、上述した構成の発光モジュールは以下の問題点
を有していることが判明した。

【０００５】エタロンを用いた発光モジュールにおいて
は、発光モジュールから放射される光の波長は以下のよ
うに制御される。図６(ａ)，(ｂ)は、半導体発光素子か
ら出力される光の波長と光検出器の出力電流との関係を
示す模式図である。図６(ａ)に示す通り、光検出器の出
力電流の波形Ｗ１は、波長λの増大に従って周期的に変
化する。ここで、ＷＤＭシステムで使用されるグリッド
波長をλ₀とする。また、波長λ₀の光が光検出器に入射
したときに光検出器から出力される出力電流の電流値を
Ｉ₀とする。このとき、出力電流を電流値Ｉ₀にロック
(制御)することにより、グリッド波長λ₀もまたロック
される。しかしながら、発光モジュールの使用中に使用
環境等の理由により、例えば、エタロンの温度がＴ₀か
らＴ₁へ上昇すると、図６(ｂ)に示す通り、出力電流の
波形Ｗ１は波形Ｗ２へと長波長側にシフトしてしまう。
これは、エタロンの温度が上昇すると、エタロンが熱膨
張するためであり、また、エタロンを構成する材料の屈
折率が変化するためである。このような波長シフトのた
め、電流値Ｉ₀のロックにより波長λ₀でロックされるべ
きグリッド波長(以下、ロック波長)は波長λ₁へシフト
してしまう。ロック波長シフト量Δλ＝λ₁−λ₀は、通
常使用される一般的な光学ガラスでエタロンを構成した
場合には、０．０１３ｎｍ／℃程度の温度依存性を有す
る。

【０００６】一方、半導体発光素子の劣化により光出力
が低下するため、ＡＰＣ（Auto Power Control）回路に
よって半導体発光素子の光出力が一定になるように半導
体発光素子の駆動電流を補正（増加補正）している。こ
の場合、半導体発光素子から出力される光の波長は長波
長側にシフトするため、温度調整器により半導体発光素
子の温度を下げて、波長がシフトするのを防いでいる。
しかしながら、温度調整器により半導体発光素子の温度
を下げた場合、半導体発光素子の近傍に配置されるエタ
ロンの温度も下がってしまうことがあり、ロック波長す
なわち光検出器の出力がずれてしまい、波長制御の精度
が低下してしまう。

【０００７】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、光学素子の温度変化によるロック波長シフトを抑制
して、高精度に波長制御を行うことが可能な発光モジュ
ールを提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る発光モジュ
ールは、半導体発光素子と、波長依存性を有し、半導体
発光素子からの光を透過させる光学素子と、光学素子を
透過した光を受けて半導体発光素子の光の波長をモニタ
するための光検出器と、光学素子の温度を検知するため
の温度検出器と、半導体発光素子及び光学素子の温度を
調整可能に配置される温度調整手段と、温度検出器の出
力に基づいて当該温度検出器の出力を第１所定値と一致
させるように温度調整手段を制御するための温度制御手
段と、光検出器の出力と第２所定値とに基づいて第１所
定値を決定するための所定値決定手段と、温度検知器の
出力に基づいて光学素子の波長依存性における温度特性
を補償するように第２所定値を補正するための所定値補
正手段と、を備えることを特徴としている。

【０００９】本発明に係る発光モジュールでは、温度制
御手段により温度検出器の出力に基づいて当該温度検出
器の出力を第１所定値と一致させるように温度調整手段
が制御される際に、第１所定値を決定するための第２所
定値が所定値補正手段により温度検知器の出力に基づい
て光学素子の波長依存性における温度特性を補償するよ
うに補正される。これにより、半導体発光素子の劣化に
伴い駆動電流を増加補正して、光学素子の温度が変化し
た場合においてもロック波長の変動が抑制されることと
なる。したがって、高精度な波長制御を行うことができ
る。

【００１０】また、所定値補正手段は、補正値を記憶し
た記憶手段を含み、記憶手段から温度検知器の出力に対
応する補正値を読み出して、当該補正値を第２所定値に
設定することが好ましい。このように構成した場合、記
憶手段から補正値を読み出すことで第２所定値の設定が
容易に行うことができ、所定値補正手段等に処理能力の
遅いＣＰＵを用いることができる。

【００１１】また、所定値補正手段は、温度検知器の出
力に基づいて補正値を算出し、当該補正値を第２所定値
に設定することが好ましい。このように構成した場合に
は、所定値補正手段等を記憶容量の少ないシステム構成
とした場合おいても第２所定値の設定を容易に行うこと
ができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による発光モジュールの好適な実施形態について詳細に
説明する。

【００１３】図１は、本施形態の発光モジュール１を示
す概略構成図である。図１を参照すると、発光モジュー
ル１は、発光モジュール主要部１０と、ハウジング１１
とを備える。ハウジング１１は、発光モジュール主要部
１０を収納する本体部１１ａ、光ファイバ１２を発光モ
ジュール主要部１０に導く筒状部１１ｂ、及び複数のリ
ードピン１１ｃを備える。

【００１４】発光モジュール主要部１０は、温度調節手
段としての熱電子冷却器２１を有する。この熱電子冷却
器２１としては、例えば、ペルチェ効果を利用した温度
制御素子を利用できる。熱電子冷却器２１上には、半導
体発光素子３１、コリメータレンズ３２、光検出器３３
ａ、３３ｂ、及び波長依存性を有した光学素子としての
エタロン３４が直接的又は間接的に搭載される。

【００１５】半導体発光素子３１は、光出射面３１ａ及
び光反射面３１ｂを備える。光出射面３１ａは、レンズ
を含む光学部１３によって、ハウジング１１の筒状部１
１ｂに導かれる光ファイバ１２と光学的に結合されてい
る。そのため、光出射面３１ａから放射される光は、光
学部１３を通って光ファイバ１２へ導入される。一方、
光反射面３１ｂはコリメータレンズ３２と光学的に結合
され、光反射面３１ｂから光がコリメータレンズ３２に
入射する。半導体発光素子３１としては、例えば分布帰
還型(ＤＦＢ)又はファブリペロー型の半導体レーザ素子
を用いることができる。以下の説明では、半導体発光素
子３１はレーザ光を放射する半導体レーザ素子とする。

【００１６】コリメータレンズ３２は、半導体発光素子
３１の光反射面３１ｂと光学的に結合されている。光反
射面３１ｂから放射された光は、発散光であり、コリメ
ータレンズ３２を透過することにより平行光となる。コ
リメータレンズ３２を透過した平行光は、対応する光検
出器３３ａ、３３ｂに出力される。

【００１７】光検出器３３ａは、コリメータレンズ３２
を透過した平行光を受光できるように配置される。光検
出器３３ａは、受光した平行光の強度に応じた信号を出
力する。

【００１８】エタロン３４は、コリメータレンズ３２を
介して、半導体発光素子３１の光反射面３１ｂと光学的
に結合している。エタロン３４において、光入射面３４
ａ及び光出射面３４ｂは、微小な角度を成して相対的に
傾斜している。ここで角度は、エタロン３４に入射した
光が光入射面３４ａと光出射面３４ｂとの間で多重干渉
を起こし得る範囲に設定される。具体的には、角度は
０．０１度以上０．１度以下であると好適である。光入
射面３４ａ及び光出射面３４ｂが互いに傾斜しているた
め、これらの面３４ａ，３４ｂの間隔は傾斜方向に沿っ
て変化している。そのため、エタロンの透過波長が傾斜
方向に沿って変化することとなる。また、エタロン３４
は、その光入射面３４ａ及び光出射面３４ｂに多層反射
膜を有してよい。この多層反射膜により光入射面３４ａ
及び光出射面３４ｂの反射率が調整される。

【００１９】光検出器３３ｂは、エタロン３４の光出射
面３４ｂから放射される光を受光できるように配置され
る。光検出器３３ｂとエタロン３４との相対的な位置関
係は、エタロン３４からの所定のグリッド波長λ₀の光
が光検出器３３ｂにより所定の電流値で検出されるよう
に決定される。この電流値でロックすることにより、半
導体発光素子３１から放射されるレーザ光の波長がグリ
ッド波長λ₀でロックされる。具体的には、これらの信
号に基づいて熱電子冷却器２１の温度を調整することに
より、半導体発光素子３１の温度が調整され、レーザ光
の波長が一定化される。

【００２０】なお、光検出器３３ａ，３３ｂは、例え
ば、ＩｎＰ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓ半導体層を
受光窓とするＩｎＧａＡｓ−ｐｉｎ型フォトダイオード
であってよい。

【００２１】熱電子冷却器２１上には、サーミスタ３９
が直接的又は間接的に搭載される。サーミスタ３９は、
半導体発光素子３１及びエタロン３４の温度を検出する
温度検出器として機能する。

【００２２】また、発光モジュール主要部１０は、光検
出器３３ａからの出力信号に基づいて半導体発光素子３
１を駆動するための半導体発光素子駆動回路４２等を構
成するドライバＩＣ４１と、サーミスタ３９からの出力
信号に基づいて熱電子冷却器２１を駆動するための熱電
子冷却器駆動回路５２等を構成するカスタムＩＣ５１
と、発光モジュール１全体の動作を制御するためのＣＰ
Ｕ６１とを備える。発光モジュール主要部１０、ドライ
バＩＣ４１、カスタムＩＣ５１及びＣＰＵ６１は、基板
７１に実装されている。

【００２３】図２は、本施形態の発光モジュール１を示
すブロック図である。

【００２４】カスタムＩＣ５１は、電流電圧変換回路５
３，５４、自動温度制御回路（ＡＴＣ）５５、熱電子冷
却器駆動回路（ＴＥＣＤｒｖ）５２、自動出力制御回
路（ＡＰＣ／ＡＣＣ）５６等を含むように構成される。

【００２５】電流電圧変換回路５３は、光検出器３３ａ
の出力電流を電圧に変換する。電流電圧変換回路５４
は、光検出器３３ｂの出力電流を電圧に変換する。自動
温度制御回路５５は、サーミスタ３９からの出力信号に
基づいて熱電子冷却器２１の温度を制御するため制御信
号を生成、出力する。熱電子冷却器駆動回路５２は、自
動温度制御回路５５からの制御信号に基づいて、熱電子
冷却器２１に供給する電流を調整する。自動出力制御回
路５６は、電流電圧変換回路５３を介して入力された光
検出器３３ａの出力に基づいて、半導体発光素子３１か
ら出力される光の強度を制御するための制御信号を生
成、出力する。この自動出力制御回路５６からの制御信
号に基づいて、半導体発光素子駆動回路４２は半導体発
光素子３１に供給する電流を調整する。

【００２６】自動温度制御回路５５及び自動出力制御回
路５６は、デジタルアナログ変換回路５７を介してＣＰ
Ｕ６１に接続されている。ＣＰＵ６１は、ＲＯＭ６２、
ＲＡＭ６３を含み、ＲＯＭ６２に記憶されたプログラム
に基づいた処理を行う。また、ＣＰＵ６１には、サーミ
スタ３９からの出力信号及び電流電圧変換回路５４から
の出力信号がアナログデジタル変換回路５８を介して接
続されている。なお、ＣＰＵ６１は、ＲＯＭ６２及びＲ
ＡＭ６３を含まないものでもよく、バス等によりＲＯＭ
及びＲＡＭと接続されるものでもよい。

【００２７】次に、図３に基づいて、ＣＰＵ６１にて実
行される制御プログラムについて説明する。

【００２８】まず、電源投入又は波長切替がなされる
（Ｓ１０１にて「ＹＥＳ」）と、ＣＰＵ６１は、第１設
定値Ｖｒｅｆ₁をデジタルアナログ変換回路５７へ出力
する（Ｓ１０３）。このとき、デジタルアナログ変換回
路５７に出力された第１設定値Ｖｒｅｆ₁は、電流信号
に変換されて自動温度制御回路５５に送られ、自動温度
制御回路５５はサーミスタ３９からの出力信号が第１設
定値Ｖｒｅｆ₁と一致するようにフィードバック制御す
る。これにより、ＣＰＵ６１及び自動温度制御回路５５
は温度制御手段を構成することとなる。

【００２９】そして、ＣＰＵ６１は、サーミスタ３９か
らの出力信号をアナログデジタル変換回路５８を介して
読み込み（Ｓ１０５）、第１設定値Ｖｒｅｆ₁と比較し
てサーミスタ３９からの出力信号と第１設定値Ｖｒｅｆ
₁との差が所定範囲内であるか否かを判定する（Ｓ１０
７）。サーミスタ３９からの出力信号と第１設定値Ｖｒ
ｅｆ₁との差が所定範囲内である場合（Ｓ１０７にて
「ＹＥＳ」）、ＣＰＵ６１は、半導体発光素子３１から
出力される光の波長が安定していると判断して、エタロ
ン３４の波長依存性における温度特性を補償するように
第２設定値Ｖｒｅｆ₂を算出する（Ｓ１０９）。これに
より、ＣＰＵ６１は、所定値補正手段として機能し、第
２設定値Ｖｒｅｆ₂は第２所定値に相当する。

【００３０】ＣＰＵ６１における第２設定値Ｖｒｅｆ₂
の算出は、以下のようにして行うことができる。

【００３１】ＲＯＭ６２は、エタロン３４の波長依存
性における温度特性を補償するための補正値がサーミス
タ３９からの出力信号に対応して記憶された補正テーブ
ル６２ａを有しており、ＣＰＵ６１は、補正テーブル６
２ａを参照してサーミスタ３９からの出力信号に対応す
る補正値を読み出して、当該補正値を第２設定値Ｖｒｅ
ｆ₂に設定する。補正テーブル６２ａは、たとえば、図
４に示されるように、サーミスタ３９からの出力信号の
値にそれぞれ対応して補正値が記憶されて構成されてい
る。ここで、ＲＯＭ６２は記憶手段として機能する。

【００３２】ＣＰＵ６１は、補正する領域を限定し、
当該領域での特性が線形であると考えることで、下記
（１）式にて表される補正計算式に基づいた演算を行な
い、サーミスタ３９からの出力信号に基づいて、エタロ
ン３４の波長依存性における温度特性を補償するための
補正値を求め、当該補正値を第２設定値Ｖｒｅｆ₂に設
定する。Ｖ＝α（Ｓ−Ｓ₀）＋Ｖ₀ … （１）ここで、Ｖ：補正値 α：エタロン３４の温度係数Ｓ：サーミスタ３９からの出力信号Ｓ₀：波長調整時でのサーミスタ３９からの出力信号Ｖ₀：波長調整時での第２設定値Ｖｒｅｆ₂

【００３３】第２設定値Ｖｒｅｆ₂を算出すると、ＣＰ
Ｕ６１は、電流電圧変換回路５４の出力信号、すなわち
光検出器３３ｂの出力信号をアナログデジタル変換回路
５８を介して読み込む（Ｓ１１１）。そして、ＣＰＵ６
１は、第２設定値Ｖｒｅｆ₂と電流電圧変換回路５４の
出力信号（光検出器３３ｂの出力信号）との差を算出し
て出力値を決定し（Ｓ１１３）、決定した出力値をデジ
タルアナログ変換回路５７へ出力する（Ｓ１１５）。こ
れにより、ＣＰＵ６１は、所定値決定手段として機能
し、出力値が第１所定値に相当する。デジタルアナログ
変換回路５７に出力された出力値は、電流信号に変換さ
れて自動温度制御回路５５に送られ、自動温度制御回路
５５はサーミスタ３９からの出力信号が出力値と一致す
るようにフィードバック制御する。

【００３４】一方、サーミスタ３９からの出力信号と第
１設定値Ｖｒｅｆ₁との差が所定範囲内にない場合（Ｓ
１０７にて「ＮＯ」）、ＣＰＵ６１は、半導体発光素子
３１から出力される光の波長が不安定であると判断し
て、Ｓ１０５に戻る。これにより、自動温度制御回路５
５において、第１設定値Ｖｒｅｆ₁に基づいたフィード
バック制御が継続することとなる。

【００３５】続いて、図５に基づいて、発光モジュール
１の動作を説明する。

【００３６】図５において、Ｃ（ｔ）は利得を含んだ電
気回路（熱電子冷却器駆動回路５２等）と熱電子冷却器
２１で構成され、入力信号を熱ΔＴに変換する。Ｆ
（Ｔ）は半導体発光素子３１近傍にあるサーミスタ３９
で構成され、環境温度Ｔａと熱ΔＴの和を感知し、温度
モニタ電圧として出力する。ｍは環境温度Ｔａと熱ΔＴ
によって半導体発光素子３１の温度が決定され、任意の
波長λを出力することを意味する。最後に、Ｇ（Ｔ）は
波長依存性をもったエタロン３４と光検出器３３ｂ、そ
して光検出器３３ｂの電流を電圧に変換する電流電圧変
換回路５４で構成され、波長λに応じた波長モニタ電圧
が出力される。

【００３７】電源投入時、半導体発光素子３１から出力
される光の波長が目標の波長近辺になるまで、ＣＰＵ６
１にて構成される切替手段ＳＷは第１設定値Ｖｒｅｆ₁
の方を選択し、目標波長相当の温度モニタ電圧（Ｆ
（Ｔ）の出力）が第１設定値Ｖｒｅｆ₁になるように１
重のフィードバック回路で制御する。

【００３８】また、半導体発光素子３１から出力される
光の波長が目標の波長近辺となると、切替手段ＳＷを切
替え、更に目標波長相当の波長モニタ電圧（Ｇ（Ｔ）の
出力）が第２設定値Ｖｒｅｆ₂になるように２重のフィ
ードバック回路で制御する。しかし、この場合、エタロ
ン３４による波長依存性に温度特性を持つため、波長モ
ニタ電圧も温度特性を持ち、結果として、波長がずれ
る。そこで、ＣＰＵ６１は、サーミスタ３９にて得られ
た温度情報に基づいて、エタロン３４の温度特性を補償
するように第２設定値Ｖｒｅｆ₂の値を補正する。これ
によって、半導体発光素子３１の劣化により一定光出力
を得るために半導体発光素子３１への供給電流が増加し
た場合に、大きく半導体発光素子３１の設定温度が変わ
った場合においても、高精度の波長制御が可能となる。

【００３９】以上のことから、本実施形態に係る発光モ
ジュール１では、ＣＰＵ６１及び自動温度制御回路５５
によりサーミスタ３９の出力に基づいて当該サーミスタ
３９の出力を出力値と一致させるように熱電子冷却器２
１が制御される際に、出力値を決定するための第２設定
値Ｖｒｅｆ₂がＣＰＵ６１によりサーミスタ３９の出力
に基づいてエタロン３４の波長依存性における温度特性
を補償するように補正される。これにより、エタロン３
４の温度が変化した場合においてもロック波長の変動が
抑制されることとなる。したがって、高精度な波長制御
を行うことができる。

【００４０】また、ＣＰＵ６１は、補正値を記憶したＲ
ＯＭ６２（補正テーブル６２ａ）を含み、ＲＯＭ６２か
らサーミスタ３９の出力に対応する補正値を読み出し
て、当該補正値を第２設定値Ｖｒｅｆ₂に設定してい
る。このように構成した場合、ＲＯＭ６２から補正値を
読み出すことでＲＯＭ６２の設定が容易に行うことがで
き、ＣＰＵ６１として処理能力の遅いＣＰＵを用いるこ
とができる。

【００４１】また、ＣＰＵ６１は、サーミスタ３９の出
力に基づいて補正値を算出し、当該補正値を第２設定値
Ｖｒｅｆ₂に設定している。このように構成した場合に
は、ＣＰＵ６１を記憶容量の少ないシステム構成とした
場合おいても第２設定値Ｖｒｅｆ₂の設定を容易に行う
ことができる。

【００４２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、半導体発光素子の劣化により駆動電流が増加
し、設定温度が異なるが、光学素子の温度変化によるロ
ック波長シフトを抑制して、高精度に波長制御を行うこ
とが可能な発光モジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態に係る発光モジュールを示す概略構
成図である。

【図２】本実施形態に係る発光モジュールを示すブロッ
ク図である。

【図３】本実施形態に係る発光モジュールに含まれるＣ
ＰＵにて実行される制御プログラムを説明するためのフ
ローチャートである。

【図４】補正テーブルの構成を示す図である。

【図５】本実施形態に係る発光モジュールを説明するた
めの機能ブロック図である。

【図６】図６(ａ)，(ｂ)は、半導体発光素子からの光の
波長と光検出器の出力電流との関係を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１…発光モジュール、１０…発光モジュール主要部、１
２…光ファイバ、２１…熱電子冷却器、３１…半導体発
光素子、３３ａ，３３ｂ…光検出器、３４…エタロン、
３９…サーミスタ、４２…半導体発光素子駆動回路、５
２…熱電子冷却器駆動回路、５５…自動温度制御回路、
５６…自動出力制御回路、６２ａ…補正テーブル。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体発光素子と、波長依存性を有し、前記半導体発光素子からの光を透過
させる光学素子と、前記光学素子を透過した光を受けて前記半導体発光素子
の光の波長をモニタするための光検出器と、前記光学素子の温度を検知するための温度検出器と、前記半導体発光素子及び前記光学素子の温度を調整可能
に配置される温度調整手段と、前記温度検出器の出力に基づいて当該温度検出器の出力
を第１所定値と一致させるように前記温度調整手段を制
御するための温度制御手段と、前記光検出器の出力と第２所定値とに基づいて前記第１
所定値を決定するための所定値決定手段と、前記温度検知器の出力に基づいて前記光学素子の波長依
存性における温度特性を補償するように前記第２所定値
を補正するための所定値補正手段と、を備えることを特
徴とする発光モジュール。
【請求項２】前記所定値補正手段は、補正値を記憶し
た記憶手段を含み、前記記憶手段から前記温度検知器の
出力に対応する補正値を読み出して、当該補正値を前記
第２所定値に設定することを特徴とする請求項１に記載
の発光モジュール。
【請求項３】前記所定値補正手段は、前記温度検知器
の出力に基づいて補正値を算出し、当該補正値を前記第
２所定値に設定することを特徴とする請求項１に記載の
発光モジュール。