JP2003258158A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭＡＰに使用される多連配線基板の反りの発
生を防止する。 【解決手段】 多連配線基板１０の複数個の単位配線基
板１１にペレット１をボンディングし、ペレット１群を
樹脂封止体２３で一括して樹脂封止した後に、多連配線
基板１０と樹脂封止体２３とを単位配線基板１１毎に切
断して個別のＢＧＡ・ＩＣを製造するＭＡＰによる製造
方法において、多連配線基板１０における単位配線基板
１１の境界線に沿って多数個の反り防止孔２０を開設し
ておく。 【効果】 ペレットボンディング工程等で多連配線基板
に作用する熱応力を多数個の反り防止孔によって吸収で
きるため、多連配線基板の反りを防止できる。その結
果、多連配線基板の割れや亀裂、単位配線基板の内部端
子や外部端子、電気配線の断線や短絡、樹脂封止体の充
填不足やボイドの発生等を防止できるため、ＭＡＰによ
るＢＧＡ・ＩＣの製造方法の歩留りや品質、信頼性を向
上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、モールド・アレイ・プロセス（mold
array process。以下、ＭＡＰという。）による半導体
装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＡＰによる半導体装置の製造方法は、
半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体ペレッ
ト（以下、ペレットという。）を複数個、集積回路を電
気的に取り出すための電気配線が形成された多数個の単
位配線基板を連結してなる多連配線基板にそれぞれボン
ディングし、これらペレットを樹脂封止体によって一括
して樹脂封止した後に、多連配線基板および樹脂封止体
を単位配線基板すなわちペレット毎に切断して個別の半
導体装置を製造する方法である。

【０００３】なお、複数個のチップ（ペレット）を電気
配線基板に機械的かつ電気的に接続し、これらのペレッ
トを電気配線基板の上で一括して封止したＭＣＭ（マル
チ・チップ・モジュール）を述べてある例としては、株
式会社日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行の「ＶＬＳ
Ｉパッケージング技術（下）」Ｐ２１３〜Ｐ２５３、が
ある。しかし、ＭＡＰによる半導体装置の製造方法は、
このＭＣＭとパッケージをペレット毎に切断することに
よって個別の製品とする点で抜本的に異なる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ＭＡＰによる半導体装
置の製造方法において、ペレットが多連配線基板の単位
配線基板に銀ペーストによってボンディングされた場合
には、ペレットボンディング後に多連配線基板はキュア
（熱硬化）されることになる。しかしながら、このよう
に多連配線基板が加熱されると、多連配線基板に反りが
発生するという問題点があることが本発明者によって明
らかにされた。このように多連配線基板に反りが発生す
ると、多連配線基板の電気配線の断線や短絡が発生する
ばかりでなく、ワイヤボンディング不良や樹脂封止体の
成形不良および製品毎への分断不良等の原因になる。

【０００５】本発明の目的は、多連配線基板の反りの発
生を防止することができるＭＡＰによる半導体装置の製
造方法を提供することにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００８】すなわち、多連配線基板の複数個の単位配
線基板に半導体ペレットをそれぞれボンディングし、こ
れら半導体ペレットを樹脂封止体によって一括して樹脂
封止した後に、前記多連配線基板および樹脂封止体を前
記単位配線基板に切断して個別の半導体装置を製造する
半導体装置の製造方法であって、前記多連配線基板にお
ける前記複数個の単位配線基板の境界線のいずれかに沿
って反り防止孔を開設しておくことを特徴とする。

【０００９】また、多連配線基板の複数個の単位配線基
板に半導体ペレットをそれぞれボンディングし、これら
半導体ペレットを樹脂封止体によって一括して樹脂封止
した後に、前記多連配線基板および樹脂封止体を前記単
位配線基板に切断して個別の半導体装置を製造する半導
体装置の製造方法であって、前記多連配線基板に形成さ
れた絶縁膜における前記複数個の単位配線基板の境界線
のいずれかに沿って反り防止溝を没設しておくことを特
徴とする。

【００１０】前記した手段によれば、多連配線基板の加
熱時の熱応力は反り防止孔または反り防止溝によって吸
収することができるため、多連配線基板の反りを防止す
ることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。

【００１２】本実施の形態において、本発明に係る半導
体装置の製造方法は、ＢＧＡ（ BallGrid Array Pakage
）を備えた半導体集積回路装置（以下、ＢＧＡ・ＩＣ
という。）をＭＡＰによって製造する方法として構成さ
れている。図１に示されているように、ＭＡＰによるＢ
ＧＡ・ＩＣの製造方法は、ペレット準備工程、多連配線
基板準備工程、ペレットボンディング工程、ワイヤボン
ディング工程、樹脂封止体成形工程、樹脂封止体切断工
程、半田ボール付け工程および電気的特性検査工程を備
えている。以下、本実施の形態に係るＭＡＰによるＢＧ
Ａ・ＩＣの製造方法を各工程の順序に沿って説明する。

【００１３】ペレット準備工程は半導体装置の製造方法
の所謂前工程によって構成されている。すなわち、半導
体装置の製造方法における所謂前工程において、半導体
ウエハの状態にて半導体素子を含む集積回路がマトリッ
クス形状に画成された各ペレット部毎に作り込まれる。
半導体ウエハがダイシング工程において各ペレット部毎
にダイシングされることにより、図２に示されているペ
レット１が製造される。図２に示されているように、ペ
レット１の集積回路が作り込まれたサブストレート２の
アクティブエリア側の主面には、パッシベーション膜３
が全面にわたって被着されており、パッシベーション膜
３の周辺部には複数個の電極パッド４が正方形枠形状に
配置されて開設されている。また、ペレット１のサブス
トレート２のアクティブエリア側主面と反対側の主面に
は、裏面被膜５が全面にわたって被着されている。この
ように構成されたペレット１はペレットボンディング工
程に供給される。

【００１４】複数個の単位配線基板１１を一括して構成
するための多連配線基板１０は、多連配線基板準備工程
において、図３および図４に示された構成に製造され、
ペレットボンディング工程に供給される。すなわち、図
３および図４に示されているように、複数個の単位配線
基板１１は長方形の平板形状に形成された多連配線基板
１０にマトリックス状にレイアウトされている。

【００１５】多連配線基板１０は長方形の平板形状に形
成されたベース１２を備えており、ベース１２はガラス
繊維にエポキシ樹脂が含浸されたガラス・エポキシ樹脂
基板を使用して多層構造（図示せず）に形成されてい
る。ベース１２には複数個の単位配線基板１１がマトリ
ックス状にレイアウトされており、ベース１２の片方の
一主面（以下、上面とする。）における各単位配線基板
１１のレイアウトされたエリアの中央部のそれぞれに
は、ペレット１をボンディングするためのペレットボン
ディングランド（以下、ランドという。）１３が、ペレ
ット１の外径よりも若干大径の正方形に形成されてい
る。ベース１２の上面における各ランド１３の四辺の外
側には複数個の内部端子１４がそれぞれの辺と平行に配
列されており、各内部端子１４はワイヤボンディングが
可能なサイズの四角形形状にそれぞれ形成されている。

【００１６】他方、ベース１２の下面における各単位配
線基板１１のレイアウトされたエリアの周辺部には、複
数個の外部端子１５が内外で二列の四角形枠形状にそれ
ぞれ配列されており、各外部端子１５は小径の円形形状
にそれぞれ形成されている。ランド１３、内部端子１４
および外部端子１５はベース１２の表面に被着された銅
箔がリソグラフィーおよびエッチングによってパターン
ニングされて形成されている。ベース１２の上面に配置
された内部端子１４とベース１２の下面に配置された外
部端子１５とは、ベース１２の内部に配線された電気配
線１６によって互いに電気的に接続されている。多数本
が互いに電気的に絶縁した状態で配置された電気配線１
６は、多層構造に形成されたベース１２の各層にパター
ンニングされた後に、スルーホール導体によって上層と
下層とが互いに接続されることにより、所謂多層配線構
造に形成されている。

【００１７】ベース１２の上面における一方の長辺の端
辺部には複数個の注入口金部１７が、後述するトランス
ファ成形装置のゲートに対応するように配置されて形成
されている。注入口金部１７はランド１３や内部端子１
４および外部端子１５と共に形成されている。

【００１８】ベース１２の上面にはソルダレジスト膜か
らなる絶縁膜（以下、表面絶縁膜という。）１８が全体
にわたって被着されており、表面絶縁膜１８には各単位
配線基板１１のランド１３および内部端子１４と各注入
口金部１７とがそれぞれ露出されている。ベース１２の
下面にはソルダレジスト膜からなる絶縁膜（以下、裏面
絶縁膜という。）１９が全体にわたって均一に被着され
ており、裏面絶縁膜１９には各単位配線基板１１の外部
端子１５がそれぞれ露出されている。表面絶縁膜１８お
よび裏面絶縁膜１９はベース１２の上下面にソルダレジ
ストをスクリーン印刷法によって塗布して形成すること
により、ベース１２への被着と同時にランド１３や内部
端子１４、注入口金部１７および外部端子１５をパター
ニングすることができる。

【００１９】多連配線基板１０における各単位配線基板
１１の境界線のうち多連配線基板１０の長辺と平行な境
界線の上には、熱応力による多連配線基板１０の反りを
防止する反り防止孔２０が多数個、等間隔に整列されて
厚さ方向に貫通されて開設されている。反り防止孔２０
はドリル等によって穿設された円形の小孔（スルーホー
ル）から構成されており、隣接する単位配線基板１１の
内部端子１４や外部端子１５および電気配線１６等と干
渉しないように設定されている。

【００２０】以上の構成に係る多連配線基板１０には前
記構成に係るペレット１がペレットボンディング工程に
おいて、図５に示されているように、各単位配線基板１
１のランド１３にペレットボンディングされる。すなわ
ち、ペレット１の裏面被膜５側が各単位配線基板１１の
ランド１３に銀ペースト層２１によって接着される。ペ
レット１が銀ペースト層２１によってボンディングされ
た多連配線基板１０は、ペレットボンディング工程の一
部であるキュア工程において銀ペースト層２１を熱硬化
される。この際、多連配線基板１０には熱応力が作用す
るため、反り等の変形が発生しようとするが、多連配線
基板１０における各単位配線基板１１の境界線のうち長
辺と平行な境界線上に整列された多数個の反り防止孔２
０が熱応力を吸収するため、多連配線基板１０に反り等
の変形が発生するのは防止されることになる。

【００２１】続いて、ワイヤボンディング工程におい
て、図６に示されているように、各単位配線基板１１の
ペレット１の電極パッド４と内部端子１４との間にワイ
ヤ２２がワイヤボンディングされる。例えば、熱圧着式
のワイヤボンディング装置が使用される場合には、多連
配線基板１０に熱応力が作用するため、多連配線基板１
０に反り等の変形が発生しようとするが、この場合にも
多数個の反り防止孔２０が熱応力を吸収するため、反り
の発生は防止されることになる。

【００２２】ワイヤボンディング工程が実施された多連
配線基板１０には、樹脂封止体成形工程において樹脂封
止体が成形される。この樹脂封止体成形工程は図７およ
び図８に示されているトランスファ成形装置５０によっ
て実施される。

【００２３】図７に示されているように、トランスファ
成形装置５０はシリンダ装置等（図示せず）によって互
いに型締めされる一対の上型５１と下型５２を備えてい
る。上型５１と下型５２との合わせ面には上型キャビテ
ィー凹部５３ａと下型キャビティー凹部５３ｂとが複数
組（但し、図８においては二組みだけが図示されてい
る。）、一対のものが互いに協働して一個のキャビティ
ー５３を形成するように没設されている。下型キャビテ
ィー凹部５３ｂは多連配線基板１０を収納する大きさの
長方形の平盤穴形状に形成されており、上型キャビティ
ー凹部５３ａは下型キャビティー凹部５３ｂよりも若干
小さい長方形の平盤穴形状に形成されて同心的に配置さ
れている。

【００２４】下型５２の合わせ面にはポット５４が開設
されており、ポット５４にはシリンダ装置（図示せず）
によって進退されるプランジャ５５が成形材料としての
タブレットを押し潰し、このタブレットが溶融されて成
る液状のレジンを送給し得るように挿入されている。

【００２５】上型５１の合わせ面にはカル５６がポット
５４との対向位置に配されて没設されており、カル５６
には複数本のランナ５７の一端がそれぞれ接続されてい
る。各ランナ５７の他端は上型キャビティー凹部５３ａ
の最寄り側の長辺にそれぞれ接続されており、各ランナ
５７の上型キャビティー凹部５３ａとの接続部には、ゲ
ート５８がレジン５９をキャビティー５３に注入し得る
ようにそれぞれ開設されている。

【００２６】なお、理解し易くするために図示は省略す
るが、上型５１および下型５２の外側には上側ヒートブ
ロックおよび下側ヒートブロックがそれぞれ配設されて
いる。上下のヒートブロックには電気ヒータが上型５１
および下型５２におけるポット、カル、ランナおよびキ
ャビティー内のタブレットおよびレジンを加熱するよう
に敷設されている。この加熱により、タブレットは溶融
され、タブレットが溶融されて成るレジンは所定の粘度
まで低下される。

【００２７】次に、前記構成に係るトランスファ成形装
置を使用した樹脂封止体成形工程を説明する。

【００２８】トランスファ成形時において、ワークとし
てのワイヤボンディング後の多連配線基板１０は各下型
５２にそれぞれ収容される。続いて、上型５１と下型５
２とが型締めされ、タブレットが加熱溶融されて成るレ
ジン５９がプランジャ５５によってポット５４およびカ
ル５６から各ランナ５７および各ゲート５８を通じて各
キャビティー５３に送給されて、それぞれ充填されて行
くことになる。この際、多連配線基板１０には反りが発
生していないため、多連配線基板１０が上型５１と下型
５２とによって型締めされても多連配線基板１０に割れ
や亀裂が発生することはないし、レジンの注入不良やボ
イドの発生も防止される。また、ヒートブロックによる
加熱による熱応力によって多連配線基板１０に反り等の
変形が発生しようとしても、熱応力は反り防止孔２０に
よって吸収されるため、反り等の変形は防止される。

【００２９】レジン５９が各キャビティー５３に充填さ
れた後に、液状のレジン５９が熱硬化されて樹脂封止体
が成形されると、上型５１および下型５２は型開きされ
るとともに、図９に示されている樹脂封止体２３が成形
された多連配線基板１０はキャビティー５３からエジェ
クタピン（図示せず）によって離型される。そして、樹
脂封止体２３が成形された多連配線基板１０はトランス
ファ成形装置５０からハンドラ（図示せず）によって脱
装される。

【００３０】図９に示されているように、樹脂封止体２
３は多連配線基板１０の上面を略被覆した状態に樹脂成
形されており、全ての単位配線基板１１の内部端子１
４、ペレット１およびワイヤ２２を一括して樹脂封止し
た状態になっている。この際、多連配線基板１０には反
りが発生していないことにより、レジン５９の充填不足
やボイドの発生も防止されるため、樹脂封止体２３の成
形不良は未然に防止されていることになる。

【００３１】以上のようにして樹脂封止体２３によって
上面を略全体的に樹脂封止された多連配線基板１０は、
樹脂封止体切断工程において図１０に示されているよう
に、各単位配線基板１１すなわちペレット１毎に分断さ
れる。この樹脂封止体切断工程において、多連配線基板
１０の反り防止孔２０は隣合う単位配線基板１１、１１
の境界線に整列されているため、分断と同時に切り落と
される。この際、多連配線基板１０には反りが発生して
いないため、隣合う単位配線基板１１、１１の境界線に
沿って分断することにより、多連配線基板１０における
内部端子１４や外部端子１５および電気配線１６の断線
や短絡が発生するのは、未然に防止されていることにな
る。

【００３２】図１１に示されているように、単位配線基
板１１の外部端子１５には半田ボール２４が半田ボール
付け工程において半田付けされることによって、ＢＧＡ
・ＩＣ２５が製造されたことになる。

【００３３】以上のようにして製造されたＢＧＡ・ＩＣ
２５は電気的特性工程において、電気的特性検査を実施
される。この際、ＢＧＡ・ＩＣ２５の配線基板（単位配
線基板）における断線や短絡および樹脂封止体の気泡の
発生等々は防止されているため、製造歩留りが向上され
ることになる。

【００３４】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００３５】1) ＭＡＰによるＢＧＡ・ＩＣの製造方法
に使用される多連配線基板における各単位配線基板の境
界線上に多数個の反り防止孔を開設することにより、ペ
レットボンディング工程やワイヤボンディング工程等に
おいて多連配線基板に熱応力が作用した際に、この熱応
力を多数個の反り防止孔によって吸収することができる
ため、多連配線基板に反り等の変形が発生するのを防止
することができる。

【００３６】2) 多連配線基板に熱応力による反り等の
変形が発生するのを防止することにより、多連配線基板
の割れや亀裂、単位配線基板の内部端子や外部端子およ
び電気配線の断線や短絡、樹脂封止体の充填不足やボイ
ドの発生等の成形不良等々を防止することができるた
め、ＭＡＰによる製造方法によるＢＧＡ・ＩＣの製造歩
留りや品質および信頼性を向上させることができる。

【００３７】図１２は本発明の他の実施の形態であるＭ
ＡＰによるＢＧＡ・ＩＣの製造方法に使用される多連配
線基板を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のｂ−ｂ線に沿う断面図である。

【００３８】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、多連配線基板１０に形成された表面絶縁膜１８およ
び裏面絶縁膜１９における複数個の単位配線基板の境界
線に沿って各反り防止溝２６がそれぞれ没設されている
点である。

【００３９】本実施の形態においても、ペレットボンデ
ィング工程やワイヤボンディング工程等において多連配
線基板１０に熱応力が作用した際に、この熱応力を複数
本の反り防止溝２６によって吸収することができるた
め、多連配線基板１０に反り等の変形が発生するのを防
止することができる。多連配線基板１０に熱応力による
反り等の変形が発生するのを防止することにより、多連
配線基板１０の割れや亀裂、単位配線基板１１の内部端
子１４や外部端子１５および電気配線１６の断線や短
絡、樹脂封止体２３の充填不足やボイドの発生等の成形
不良等々を防止することができるため、ＭＡＰによる製
造方法によるＢＧＡ・ＩＣの製造歩留りや品質および信
頼性を向上させることができる。

【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもな
い。

【００４１】例えば、反り防止孔および反り防止溝は各
単位配線基板の境界線のうち多連配線基板の長辺に沿う
境界線に沿って配設するに限らず、短辺に沿う境界線に
沿って配設してもよいし、長辺および短辺の両方の境界
線に沿って配設してもよい。

【００４２】反り防止孔は円形の小孔（スルーホール）
によって構成するに限らず、長孔（スリット）等によっ
て構成してもよい。

【００４３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＢＧＡ
・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、その他のパッケージを
備えた半導体装置の製造方法全般に適用することができ
る。

【００４４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４５】ＭＡＰによる半導体装置の製造方法に使用
される多連配線基板における各単位配線基板の境界線上
に多数個の反り防止孔を開設することにより、多連配線
基板に熱応力が作用した際に、この熱応力を多数個の反
り防止孔によって吸収することができるため、多連配線
基板に反り等の変形が発生するのを防止することができ
る。

【００４６】多連配線基板に形成された絶縁膜における
複数個の単位配線基板の境界線に沿って反り防止溝を没
設することにより、多連配線基板に熱応力が作用した際
に、この熱応力を複数本の反り防止溝によって吸収する
ことができるため、多連配線基板に反り等の変形が発生
するのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるＭＡＰによるＢＧ
Ａ・ＩＣの製造方法を示す工程図である。

【図２】ペレットを示しており、（ａ）は平面図、
（ｂ）は一部切断正面図である。

【図３】多連配線基板を示す一部省略平面図である。

【図４】（ａ）は図３のａ−ａ線に沿う側面断面図、
（ｂ）は図３のｂ−ｂ線に沿う側面断面図、（ｃ）は図
４の（ａ）のｃ部の詳細図である。

【図５】ペレットボンディング工程後を示しており、
（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部切断側面図であ
る。

【図６】ワイヤボンディング工程後の単位配線基板を示
しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線
に沿う断面図である。

【図７】樹脂封止体成形工程に使用されるトランスファ
成形装置を示す各一部省略側面図である。

【図８】切断線がトランスファ成形装置の上型を通る平
面断面図である。

【図９】樹脂封止体成形工程後を示しており、（ａ）は
平面図、（ｂ）は一部切断側面図である。

【図１０】樹脂封止体切断工程を示しており、（ａ）は
平面図、（ｂ）は一部切断側面図である。

【図１１】製造されたＢＧＡ・ＩＣを示しており、
（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は上半分が平面図で下
半分が底面図である。

【図１２】本発明の他の実施の形態であるＭＡＰによる
ＢＧＡ・ＩＣの製造方法に使用される多連配線基板を示
しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線
に沿う断面図である。

【符号の説明】

１…ペレット（半導体ペレット）、２…サブストレー
ト、３…パッシベーション膜、４…電極パッド、５…裏
面被膜、１０…多連配線基板、１１…単位配線基板、１
２…ベース、１３…ランド（ペレットボンディングラン
ド）、１４…内部端子、１５…外部端子、１６…電気配
線、１７…注入口金部、１８…ソルダレジスト膜からな
る絶縁膜（表面絶縁膜）、１９…ソルダレジスト膜から
なる絶縁膜（裏面絶縁膜）、２０…反り防止孔、２１…
銀ペースト層、２２…ワイヤ、２３…樹脂封止体、２４
…半田ボール、２５…ＢＧＡ・ＩＣ（半導体装置）、２
６…反り防止溝、５０…トランスファ成形装置、５１…
上型、５２…下型、５３…キャビティー、５３ａ…上型
キャビティー凹部、５３ｂ…下型キャビティー凹部、５
４…ポット、５５…プランジャ、５６…カル、５７…ラ
ンナ、５８…ゲート、５９…レジン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 美香子 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 杉山 道昭 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 金本 光一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多連配線基板の複数個の単位配線基板に
   半導体ペレットをそれぞれボンディングし、これら半導
   体ペレットを樹脂封止体によって一括して樹脂封止した
   後に、前記多連配線基板および樹脂封止体を前記単位配
   線基板に切断して個別の半導体装置を製造する半導体装
   置の製造方法であって、前記多連配線基板における前記
   複数個の単位配線基板の境界線のいずれかに沿って反り
   防止孔を開設しておくことを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 前記反り防止孔が前記境界線に沿って整
   列された複数個のスルーホールであることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記反り防止孔が前記多連配線基板に縦
   横に設定された前記境界線の縦または横の一方または縦
   および横の両方に開設されていることを特徴とする請求
   項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 多連配線基板の複数個の単位配線基板に
   半導体ペレットをそれぞれボンディングし、これら半導
   体ペレットを樹脂封止体によって一括して樹脂封止した
   後に、前記多連配線基板および樹脂封止体を前記単位配
   線基板に切断して個別の半導体装置を製造する半導体装
   置の製造方法であって、前記多連配線基板に形成された
   絶縁膜における前記複数個の単位配線基板の境界線のい
   ずれかに沿って反り防止溝を没設しておくことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記反り防止溝が前記多連配線基板に縦
   横に設定された前記境界線の縦または横の一方または縦
   および横の両方に敷設されていることを特徴とする請求
   項４に記載の半導体装置の製造方法。