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JP2003248164A - オートフォーカスアダプタ - Google Patents

オートフォーカスアダプタ

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Publication number
JP2003248164A
JP2003248164A JP2002048990A JP2002048990A JP2003248164A JP 2003248164 A JP2003248164 A JP 2003248164A JP 2002048990 A JP2002048990 A JP 2002048990A JP 2002048990 A JP2002048990 A JP 2002048990A JP 2003248164 A JP2003248164 A JP 2003248164A
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JP
Japan
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focus
image
image pickup
light
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Application number
JP2002048990A
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English (en)
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Inventor
Kazuo Yoshikawa
和雄 吉川
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Fujinon Corp
Original Assignee
Fuji Photo Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Optical Co Ltd filed Critical Fuji Photo Optical Co Ltd
Priority to JP2002048990A priority Critical patent/JP3975395B2/ja
Priority to US10/358,238 priority patent/US7233358B2/en
Publication of JP2003248164A publication Critical patent/JP2003248164A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3975395B2 publication Critical patent/JP3975395B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67Focus control based on electronic image sensor signals
    • H04N23/673Focus control based on electronic image sensor signals based on contrast or high frequency components of image signals, e.g. hill climbing method
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Structure And Mechanism Of Cameras (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】撮影レンズを通過した被写体光を映像用被写体
光とピント状態検出用被写体光とに分割する光分割手段
と、分割された映像用被写体光をカメラ本体の映像用撮
像素子の受光面上に結像させるリレー光学系と、分割さ
れたピント状態検出用被写体光を受光するピント状態検
出用撮像素子と、ピント状態検出用撮像素子で撮像され
た画像に基づいてピント状態を検出するピント状態検出
手段と、出されたピント状態に基づいて撮影レンズをオ
ートフォーカス制御する制御手段とを備えたオートフォ
ーカスアダプタを撮影レンズとカメラ本体との間に装着
するだけで簡単に既存のカメラシステムにオートフォー
カス機能を追加できるオートフォーカスアダプタを提供
する。 【解決手段】オートフォーカスアダプタ16を撮影レン
ズ14とカメラ本体12との間に装着するだけで、オー
トフォーカス機能のない既存のカメラシステムにオート
フォーカス機能を追加できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はオートフォーカスア
ダプタに係り、特に撮影レンズのオートフォーカス制御
における合焦検出に適用可能なオートフォーカスアダプ
タに関する。
【0002】
【従来の技術】家庭用ビデオカメラなどのオートフォー
カスの方式はコントラスト方式によるものが一般的であ
る。このコントラスト方式は、撮像素子から得られた映
像信号(輝度信号)のうちある範囲(フォーカスエリ
ア)内の映像信号の高域周波数成分を積算して焦点評価
値とし、その焦点評価値が最大となるようにピント調整
を自動で行うものである。これによって、撮像素子で撮
像された画像の鮮鋭度(コントラスト)が最大となる最
良ピント(合焦)が得られる。
【0003】しかしながら、このコントラスト方式は、
フォーカスレンズを動かしながら最良ピントを探す、い
わゆる山登り方式であるため、合焦に対する反応速度が
遅いという欠点がある。
【0004】そこで、このようなコントラスト方式の欠
点を解消するために、光路長の異なる複数の撮像素子を
用いて撮影レンズのピント状態(前ピン、後ピン、合
焦)を検出する方法が提案されている(特願2001−
168246号、特願2001−168247号、特願
2001−168248号、特願2001−16824
9号等)。この検出方法は、映像用の画像を撮像する撮
像素子と共役な位置と、その前後等距離の位置にそれぞ
れピント状態検出用の撮像素子を配設し、各ピント状態
検出用の撮像素子から得られる映像信号から焦点評価値
を求めて、その大小関係を比較することにより、映像用
の撮像素子の受光面におけるピント状態を検出するもの
である。
【0005】この検出方法によれば、合焦か否かを判断
できるだけでなく、前ピンか後ピンかも判断できるた
め、合焦に対する反応速度も速いという利点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ではハ
イビジョン放送が一般化するにつれてテレビカメラシス
テムで使用される撮影レンズ、カメラの性能が非常に高
くなっている。
【0007】一方、実際の番組製作現場では、カメラマ
ンがビューファインダの像を参考に肉眼でピント調整を
行っており、ビューファインダや肉眼での解像力には限
界があるため、最良ピントを探すのが困難になってい
る。撮影時に合焦していると判断した場合であっても、
大型モニターで再生した際にピンボケが発覚することも
少なくない。このような事情から肉眼では困難な正確か
つ確実な合焦検出を行うことができるオートフォーカス
の必要性が高まっている。
【0008】しかしながら、従来の放送用カメラには、
一般にオートフォーカス機能は内蔵されておらず、ま
た、必ずしも全てのカメラマンがオートフォーカス機能
を使用するとも限らないため、今後、全てのカメラにオ
ートフォーカス機能を搭載することは現実的ではない。
したがって、既に市販されているカメラシステムや、今
後市販されるカメラシステムにおいてオートフォーカス
を使用したくても使用できないというケースがこれまで
以上に増えるものと予想される。
【0009】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、既存のカメラシステムに簡単に組み込むことが
でき、簡単にオートフォーカス機能を追加することがで
きるオートフォーカスアダプタを提供することを目的す
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、撮影レンズとカメラ本体との間に着脱自在
に装着され、前記撮影レンズのピント状態を検出して、
前記撮影レンズをオートフォーカス制御するオートフォ
ーカスアダプタであって、前記撮影レンズを通過した被
写体光を映像用被写体光とピント状態検出用被写体光と
に分割する光分割手段と、前記光分割手段によって分割
され、所定の第1結像面に結像した映像用被写体光を前
記カメラ本体の映像用撮像素子の受光面(第2受光面)
に結像させるリレー光学系と、前記光分割手段によって
分割されたピント状態検出用被写体光が入射されるピン
ト状態検出用撮像素子と、前記ピント状態検出用撮像素
子で撮像された画像に基づいて前記撮影レンズのピント
状態を検出するピント状態検出手段と、前記ピント状態
検出手段で検出されたピント状態に基づいて前記撮影レ
ンズをオートフォーカス制御する制御手段と、を備えた
ことを特徴とするオートフォーカスアダプタを提供す
る。
【0011】また、本発明は前記目的を達成するため
に、前記光分割手段の後段位置にアイリスを備えたこと
を特徴とする請求項1に記載のオートフォーカスアダプ
タを提供する。
【0012】また、本発明は前記目的を達成するため
に、一対のピント状態検出用撮像素子を前記所定の第1
結像面に共役な位置に対して前後等距離の位置に配置
し、前記ピント状態検出手段は、前記一対のピント状態
検出用撮像素子で撮像された画像に基づいて前記撮影レ
ンズのピント状態を検出することを特徴とする請求項1
又は2に記載のオートフォーカスアダプタを提供する。
【0013】また、本発明は前記目的を達成するため
に、前記光分割手段は、前記撮影レンズを通過した被写
体光から前記ピント状態検出用被写体光を分離して前記
一対のピント状態検出用撮像素子に同じ光量ずつ入射さ
せることを特徴とする請求項1又は2に記載のオートフ
ォーカスアダプタを提供する。
【0014】本発明によれば、既存のオートフォーカス
機能がないカメラシステムであっても、本発明に係るオ
ートフォーカスアダプタを撮影レンズとカメラ本体との
間に装着するだけで、オートフォーカス機能を追加する
ことができる。この際、本発明に係るオートフォーカス
アダプタにはリレー光学系が備えられているので、撮影
レンズとカメラ本体との間に装着しても焦点位置のズレ
を起こすことはなく、非装着時と同じように撮影するこ
とができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係る撮影レンズのオートフォーカスアダプタの好ましい
実施の形態について詳説する。
【0016】図1(a)〜(c)は、本発明に係るオー
トフォーカスアダプタ(以下「AFアダプタ」という)
が組み込まれたテレビカメラシステムの構成図である。
【0017】同図に示すように、このテレビカメラシス
テム10は、カメラ本体12、撮影レンズ14、AFア
ダプタ16で構成され、オートフォーカス機能(以下
「AF機能」という)を提供するAFアダプタ16は、
撮影者が任意に装着できるようにされている。すなわ
ち、AF機能が不要な場合は、図1(b)に示すよう
に、撮影レンズ14をカメラ本体12に直接装着して使
用し、AF機能が必要な場合にのみ、図1(c)に示す
ように、カメラ本体12と撮影レンズ14との間に装着
する。
【0018】なお、撮影レンズ14は、その後端部にレ
ンズ側マウント18が設けられており、このレンズ側マ
ウント18をカメラ本体12の先端面に設けられたカメ
ラ側マウント20に取り付けることにより、カメラ本体
12に装着される。
【0019】また、AFアダプタ16は、その後端部に
レンズ側マウント18と同一構成の後側マウント22が
設けられており、この後側マウント22をカメラ本体1
2のカメラ側マウント20に取り付けることによりカメ
ラ本体12に装着できる。同様にAFアダプタ16の先
端部には、カメラ側マウント20と同一構成の前側マウ
ント24が設けられており、この前側マウント24に撮
影レンズ14のレンズ側マウント18を取り付けること
により、撮影レンズ18をAFアダプタ16に装着でき
る。
【0020】カメラ本体と撮影レンズ14の間に装着さ
れたAFアダプタ16は、撮影レンズ14に取り付けら
れたドライブユニット26にケーブル(不図示)を介し
て電気的に接続される。このドライブユニット26は、
撮影レンズ14に設けられたフォーカスレンズ、ズーム
レンズ、アイリス等を駆動するユニットであり、AFア
ダプタ16は、このドライブユニット26に制御信号を
与えて被写体にピントが合うようにオートフォーカス制
御(以下「AF制御」という)を行う。
【0021】図2は図1に示したテレビカメラシステム
10における光学系の構成図である。なお、同図におい
て各レンズの構成は簡略化して示されており、複数のレ
ンズからなるレンズ群を1つのレンズで示したものもあ
る。
【0022】図2に示すように、撮影レンズ14のレン
ズ鏡筒30内には、前側からフォーカスレンズ32、ズ
ームレンズ34、アイリス36、リレーレンズ38等が
配置されている。撮影レンズ14の先端から入射した被
写体光は、これらの各レンズを通過して、撮影レンズ1
4の後端から出射される。
【0023】AFアダプタ16のケース40内には、撮
影レンズ14の光軸O上に、ビームスプリッタ42、第
1リレーレンズ44、第2アイリス46、第2リレーレ
ンズ48が配置されている。撮影レンズ14の後端から
出射した被写体光は、後述するようにビームスプリッタ
42によって2つのピント状態検出用被写体光と1つの
映像用被写体光とに分割される。そして、映像用被写体
光は、撮影レンズ14の光軸Oに沿って進行し、第1リ
レーレンズ44、第2アイリス46、第2リレーレンズ
48を通過して、AFアダプタ16の後端から出射され
る。一方、2つのピント状態検出用被写体光は、それぞ
れ第1ピント状態検出用撮像素子50Aと第2ピント状
態検出用撮像素子50Bとに入射される。
【0024】なお、このAFアダプタ16が装着される
と、AFアダプタ16に設置された第2アイリス46が
絞りとして作用し、撮影レンズ14に設置されたアイリ
ス36は開放状態となって機能が停止する。第2アイリ
ス46は、図示しないアイリスモータに駆動されて作動
し、カメラ本体12から与えられる制御信号又はマニュ
アルによる操作情報に基づいて制御される。
【0025】カメラ本体12内には、撮影レンズ14の
光軸O上に色分解プリズム52が配置されており、AF
アダプタ16の後端から出射した映像用被写体光は、こ
の色分解プリズム52によってR(赤)、G(緑)、B
(青)の各色成分に分解される。そして、各色成分に分
解された被写体光は、それぞれ映像用撮像素子54R、
54G、54Bの受光面に入射され、この映像用撮像素
子54R、54G、54Bで電気信号に変換されたの
ち、周知の画像信号処理手段によって信号処理されて所
定形式の映像信号として出力又は記録媒体に記録され
る。
【0026】図3はAFアダプタの内部構造を示すブロ
ック図である。同図に示すように、ビームスプリッタ4
2は3つのプリズム56、58、60で構成されてお
り、前記色分解プリズム52と同じ形状で形成されてい
る。
【0027】撮影レンズ14の後端から出射された被写
体光は、まず、第1プリズム56に入射され、この第1
プリズム56のハーフミラー面56Aで反射光と透過光
とに分割される。このうち反射光は第1のピント状態検
出用被写体光として第1ピント状態検出用撮像素子50
Aに入射され、透過光は第2プリズム58に入射され
る。
【0028】第2プリズム58に入射した透過光は、そ
の第2プリズム58のハーフミラー面58Aで更に反射
光と透過光とに分割される。このうち反射光は第2のピ
ント状態検出用被写体光として第2ピント状態検出用撮
像素子50Bに入射され、透過光は第3プリズム60に
入射される。そして、この第3プリズム60に入射した
透過光が映像用被写体光として第1リレーレンズ44に
入射される。
【0029】以上のように、ビームスプリッタ42は、
撮影レンズ14を通過した被写体光を2つのピント状態
検出用被写体光と1つの映像用被写体光とに分割する。
この際、ビームスプリッタ42は、第1ピント状態検出
用撮像素子50Aに入射されるピント状態検出用被写体
光と、第2ピント状態検出用撮像素子50Bに入射され
るピント状態検出用被写体光の光量が等しくなるように
被写体光を分割し、また、ピント状態検出用被写体光の
光量よりも映像用被写体光の光量が多くなるように分割
する。ここでは、映像用被写体光とピント状態検出用被
写体光を2対1の割合で分割するものとする。この場
合、第1ピント状態検出用撮像素子50Aと第2ピント
状態検出用撮像素子50Bには、それぞれ撮影レンズ1
4を通過した被写体光の全光量の6分の1が入射され、
残り3分の2が映像用被写体光としてカメラ本体12の
映像用撮像素子54R、54G、54Bに入射される。
【0030】なお、第1ピント状態検出用撮像素子50
Aと第2ピント状態検出用撮像素子50Bは、共にカラ
ー映像を撮像するものである必要はなく、本実施の形態
では白黒画像を撮像するCCDであるものとする。
【0031】ところで、図2に示すように、ビームスプ
リッタ42を通過した映像用被写体光は、合焦状態にお
いて撮影レンズ14の後端から所定距離離れた第1結像
面P1上で一度被写体の像を結ぶ。第1リレーレンズ4
4及び第2リレーレンズ48からなるリレー光学系は、
この映像用被写体光を集光し、AFアダプタ16の後端
から同じ距離離れた第2結像面P2 の受光面上に同じ被
写体像を結ばせる。映像用撮像素子54Gの受光面は、
この第2結像面P2 上に設置されており、これにより、
映像用撮像素子54R、54G、54Bの受光面上に第
1結像面P1上に結像される被写体像と同じ被写体像が
結像される。すなわち、第1結像面P1と映像用撮像素
子54R、54G、54Bの受光面(第2結像面P2
は共役であり、映像用撮像素子54R、54G、54B
の受光面(第2結像面P2 )上には、AFアダプタ16
を装着していても、装着していなくても同じ被写体像が
結像される。
【0032】図4は、第1結像面P1の被写体光の光軸
と、第1ピント状態検出用撮像素子50A及び第2ピン
ト状態検出用撮像素子50Bの受光面に入射する被写体
光の光軸を同一直線上に示したものである。
【0033】同図に示すように、第1ピント状態検出用
撮像素子50Aに入射する被写体光の光路長は、第2ピ
ント状態検出用撮像素子50Bに入射する被写体光の光
路長よりも短く設定され、第1結像面に入射する被写体
光の光路長は、その中間の長さとなるように設定されて
いる。すなわち、第1ピント状態検出用撮像素子50A
と第2ピント状態検出用撮像素子50Bは、それぞれ第
1結像面P1に対して前後等距離の位置に配置されてい
る。
【0034】ここで、上述したように第1結像面P1と
映像用撮像素子54R、54G、54Bの受光面(第2
結像面P2 )は共役であり、共に同じ被写体像が結像さ
れる。したがって、第1ピント状態検出用撮像素子50
Aと第2ピント状態検出用撮像素子50Bは、それぞれ
映像用撮像素子54R、54G、54Bの受光面に対し
て前後等距離の位置で被写体像を撮像することと同じに
なる。
【0035】第1ピント状態検出用撮像素子50Aと第
2ピント状態検出用撮像素子50Bで撮像された画像は
信号処理部62に出力され、信号処理部62は、後述す
るように、この第1ピント状態検出用撮像素子50Aと
第2ピント状態検出用撮像素子50Bから取得した映像
信号に基づいて撮影レンズ14のピント状態を検出す
る。そして、その検出結果に基づいてドライブユニット
26にフォーカスモータの駆動信号を与え、被写体にピ
ントが合うようにAF制御を行う。
【0036】図5は、信号処理部62の構成を示すブロ
ック図である。同図に示すように、第1ピント状態検出
用撮像素子50Aと第2ピント状態検出用撮像素子50
Bで撮像された被写体の画像は、それぞれ所定形式のビ
デオ信号として信号処理部62に出力される。信号処理
部62は、各ピント状態検出用撮像素子50A、50B
から出力されたビデオ信号をハイパスフィルタ70A、
70B、A/D変換器72A、72B、ゲート回路74
A、74B、加算器76A、76Bによって画像の鮮鋭
度(コントラスト)を示す焦点評価値の信号に変換し、
CPU80に入力する。
【0037】ここで、焦点評価値を求めるまでの処理を
説明すると、第1ピント状態検出用撮像素子50Aと第
2ピント状態検出用撮像素子50Bは、いずれも白黒画
像を撮影するCCDであることから、各ピント状態検出
用撮像素子50A、50Bから出力されるビデオ信号
は、それぞれの画面を構成する各画素の輝度を示す輝度
信号である。
【0038】各ピント状態検出用撮像素子50A、50
Bから出力されたビデオ信号は、まず、ハイパスフィル
タ70A、70Bによって高域周波数成分が抽出され、
A/D変換器72A、72Bによってデジタル信号に変
換される。そして、このデジタル信号のうち所定のフォ
ーカスエリア内の画素に対応するデジタル信号のみがゲ
ート回路74A、74Bによって抽出され、抽出された
範囲のデジタル信号の値が加算器76A、76Bによっ
て加算される。これにより、フォーカスエリア内におけ
るビデオ信号の高域周波数成分の値の総和が求められ、
この総和がフォーカスエリア内における画像の鮮鋭度の
高低を示す焦点評価値となる。
【0039】なお、同図に示す同期信号発生回路78か
らは、各ピント状態検出用撮像素子50A、50Bやゲ
ート回路74A、74B等の各回路に各種同期信号が与
えられており、各回路の処理の同期が図られている。ま
た、同期信号発生回路78からCPU80には、ビデオ
信号の1フィールドごとの垂直同期信号(V信号)が与
えられている。
【0040】CPU80は、上記のように第1ピント状
態検出用撮像素子50A及び第2ピント状態検出用撮像
素子50Bから得られた焦点評価値に基づいて、映像用
撮像素子54R、54G、54Bの受光面に対する撮影
レンズ14の現在のピント状態を検出する。
【0041】次に、第1ピント状態検出用撮像素子50
A及び第2ピント状態検出用撮像素子50Bから得られ
た焦点評価値に基づくピント状態の検出方法について説
明する。
【0042】図6は、横軸に撮影レンズ14のフォーカ
ス位置、縦軸に焦点評価値をとり、ある被写体を撮影し
た際のフォーカス位置に対する焦点評価値の様子を示し
た図である。図中実線で示す曲線Cは映像用撮像素子か
ら得られる焦点評価値をフォーカス位置に対して示した
ものであり、図中点線で示す曲線A、Bは、それぞれ第
1ピント状態検出用撮像素子50Aと第2ピント状態検
出用撮像素子50Bから得られる焦点評価値をフォーカ
ス位置に対して示したものである。同図において、曲線
Cの焦点評価値が最大(極大)となる位置F3が合焦位
置である。
【0043】撮影レンズ14のフォーカス位置がF1に
設定された場合、第1ピント状態検出用撮像素子50A
から得られる焦点評価値VA 1は曲線Aの位置F1に対
応する値となる。一方、第2ピント状態検出用撮像素子
50Bから得られる焦点評価値VB 1は曲線Bの位置F
1に対応する値となり、この値は第1ピント状態撮像素
子50Aから得られる焦点評価値VA 1よりも小さくな
る。したがって、第1ピント状態検出用撮像素子50A
から得られる焦点評価値VA 1の方が第2ピント状態検
出用撮像素子50Bから得られる焦点評価値VB 1より
も大きい場合は、フォーカス位置が合焦位置よりも至近
側に設定された状態、すなわち、前ピンの状態であるこ
とが分かる。
【0044】一方、撮影レンズ14のフォーカス位置が
F2に設定された場合、第1ピント状態検出用撮像素子
50Aから得られる焦点評価値VA2は曲線Aの位置F2
に対応する値となり、第2ピント状態検出用撮像素子5
0Bから得られる焦点評価値VB2は曲線Bの位置F2に
対応する値となる。この場合、第1ピント状態検出用撮
像素子50Aから得られる焦点評価値VA2は、第2ピン
ト状態検出用撮像素子50Bから得られる焦点評価値V
B2よりも小さくなる。したがって、第1ピント状態検出
用撮像素子50Aから得られる焦点評価値VA2が第2ピ
ント状態検出用撮像素子50Bから得られる焦点評価値
B2よりも小さい場合は、フォーカス位置が合焦位置よ
りも無限遠側に設定された状態、すなわち、後ピンの状
態であることが分かる。
【0045】これに対して、撮影レンズ14のフォーカ
ス位置がF3、すなわち合焦位置に設定された場合、第
1ピント状態検出用撮像素子50Aから得られる焦点評
価値VA2は曲線Aの位置F3に対応する値となり、第2
ピント状態検出用撮像素子50Bから得られる焦点評価
値VB2は曲線Bの位置F3に対応する値となる。この場
合、第1ピント状態検出用撮像素子50Aから得られる
焦点評価値VA3と第2ピント状態検出用撮像素子50B
から得られる焦点評価値VB3は互いに等しくなる。した
がって、第1ピント状態検出用撮像素子50Aから得ら
れる焦点評価値VA3と第2ピント状態検出用撮像素子5
0Bから得られる焦点評価値VB3とが等しい場合はフォ
ーカス位置が合焦位置(F3)に設定された状態である
ことが分かる。
【0046】このように、第1ピント状態検出用撮像素
子50Aと第2ピント状態検出用撮像素子50Bとから
得られる焦点評価値VA 、VB が分かれば、これに基づ
いて撮影レンズ14の現在のピント状態が前ピン、後ピ
ン、合焦のいずれであるかを検出することができる。
【0047】CPU80は、この検出結果と現在のフォ
ーカスレンズ32の位置情報とに基づいてフォーカスレ
ンズ32を合焦位置に導くための移動速度又は移動量を
演算し、D/A変換器82を介してドライブユニット2
6にフォーカスモータの制御信号を与える。ドライブユ
ニット26は、この制御信号に基づいてフォーカスモー
タを駆動し、フォーカスレンズ32を合焦位置に移動さ
せる。
【0048】なお、フォーカスレンズ32は、フォーカ
スレンズ位置検出器84によって位置が検出されてお
り、検出された位置情報はドライブユニット26からA
/D変換器86を介してCPU80に入力される。
【0049】前記のごとく構成された本実施の形態のテ
レビカメラシステム10の作用は次のとおりである。
【0050】AF機能を使用しないで撮影する場合は、
図1(b)に示すように、撮影レンズ14をカメラ本体
12に直接装着する。
【0051】一方、AF機能を使用して撮影する場合
は、図1(c)に示すように、撮影レンズ14とカメラ
本体12との間にAFアダプタ16を装着し、図示しな
いケーブルによってAFアダプタ16とドライブユニッ
ト26とを接続する。
【0052】このAFアダプタ16が装着されると、撮
影レンズ14のアイリス36は開放状態となって機能が
停止する。そして、AFアダプタ16に設置された第2
アイリス46で絞り制御が行われるようになる。
【0053】また、このAFアダプタ16が装着される
と、内蔵する第1ピント状態検出用撮像素子50Aと第
2ピント状態検出用撮像素子50Bによって映像用撮像
素子54R、54G、54Bの前後位置における被写体
像が撮像され、この第1ピント状態検出用撮像素子50
Aと第2ピント状態検出用撮像素子50Bに撮像された
画像データに基づいて信号処理部62で撮影レンズ14
のピント状態が検出される。そして、この検出結果に基
づいて撮影レンズ14がAF制御される。
【0054】このように、本実施の形態のテレビカメラ
システム10によれば、AFアダプタ16を装着するだ
けで簡単に既存のカメラシステムにAF機能を追加する
ことができる。この際、本実施の形態のAFアダプタ1
6にはリレー光学系が備えられているので、装着しても
焦点位置のズレを起こすことはなく、非装着時と同じよ
うに撮影することができる。
【0055】また、本実施の形態のAFアダプタ16に
は、ビームスプリッタ42の後段位置に第2アイリス4
6が備えられ、AFアダプタ16が装着されると、この
第2アイリス46で絞り制御が行われるため、焦点深度
の影響を避けることができる。なお、第2アイリス46
を設置せず、通常どおりに撮影レンズ14に設けられた
アイリス36で絞り制御を行うようにしてもよい。
【0056】さらに、本実施の形態のAFアダプタ16
では、一対のピント状態検出用撮像素子50A、50B
によって撮像される画像に基づいてピント状態を検出す
るようにしているので、3つのピント状態検出用撮像素
子を用いてピント状態を検出する場合に比べてより多く
の被写体光を映像用被写体光に使うことができる。
【0057】なお、本実施の形態では、ビームスプリッ
タ42を用いて映像用被写体光とピント状態検出用被写
体光を2対1の光量比で分割するようにしているが、光
量の分割比は、これに限定されるものではない。たとえ
ば映像用被写体光とピント状態検出用被写体光を1対2
の光量比で分割し、各ピント状態撮像素子50A、50
Bに全被写体光の3分の1ずつ受光させるようにしても
よい。
【0058】また、本実施の形態では、ビームスプリッ
タ42が、カメラ本体12に設置された色分解プリズム
52と同じ形状で形成されているが、ビームスプリッタ
の形状は、これに限定されるものではなく、たとえば図
7に示すように構成してもよい。このビームスプリッタ
42´は、3つのプリズム90、92、94で構成さ
れ、撮影レンズ14の後端から出射された被写体光は、
まず、第1プリズム90に入射される。そして、この第
1プリズム90のハーフミラー面90Aで反射光と透過
光とに分割される。このうち反射光は第1のピント状態
検出用被写体光として第1ピント状態検出用撮像素子5
0Aに入射され、透過光は第2プリズム92に入射され
る。第2プリズム92に入射した透過光は、その第2プ
リズム92のハーフミラー面92Aで更に反射光と透過
光とに分割される。このうち反射光は第2のピント状態
検出用被写体光として第2ピント状態検出用撮像素子5
0Bに入射され、透過光は第3プリズム94に入射され
る。そして、この第3プリズム94に入射した透過光が
映像用被写体光として第1リレーレンズ44に入射され
る。この場合、第2ピント状態検出用撮像素子50Bに
結像する像は、1回反射のため反転してしまうが、信号
処理部62内で反転処理を行えば問題ない。
【0059】なお、上記実施の形態では、本発明に係る
AFアダプタ16をテレビカメラシステムに適用した場
合について説明したが、本発明はカメラ本体と交換可能
な撮影レンズとから構成される全てのタイプのカメラシ
ステムに適用できる。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るオート
フォーカスアダプタによれば、既存のオートフォーカス
機能がないカメラシステムであっても、本発明に係るオ
ートフォーカスアダプタを装着するだけで、簡単にオー
トフォーカス機能を提供することができる。この際、本
発明に係るオートフォーカスアダプタにはリレー光学系
が備えられているので、装着しても焦点位置のズレを起
こすことはなく、非装着時と同じように撮影することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るオートフォーカスアダプタが組み
込まれたテレビカメラシステムの構成図
【図2】本実施の形態のテレビカメラシステムにおける
光学系の構成図
【図3】AFアダプタの内部構造を示すブロック図
【図4】第1結像面の被写体光の光軸と第1ピント状態
検出用撮像素子及び第2ピント状態検出用撮像素子の受
光面に入射する被写体光の光軸を同一直線上に示した図
【図5】信号処理部の構成を示すブロック図
【図6】横軸に撮影レンズのフォーカス位置、縦軸に焦
点評価値をとり、ある被写体を撮影した際のフォーカス
位置に対する焦点評価値の様子を示した図
【図7】ビームスプリッタの他の実施の形態の構成を示
す図
【符号の説明】
10…テレビカメラシステム、12…カメラ本体、14
…撮影レンズ、16…オートフォーカスアダプタ(AF
アダプタ)、18…レンズ側マウント、20…カメラ側
マウント、22…後側マウント、24…前側マウント、
26…ドライブユニット、30…レンズ鏡筒、32…フ
ォーカスレンズ、34…ズームレンズ、36…アイリ
ス、38…リレーレンズ、40…ケース、42…ビーム
スプリッタ、44…第1リレーレンズ、46…第2アイ
リス、48…第2リレーレンズ、50A…第1ピント状
態検出用撮像素子、50B…第2ピント状態検出用撮像
素子、52…色分解プリズム、54R、54G、54B
…映像用撮像素子、56…第1プリズム、56A…ハー
フミラー面、58…第2プリズム、58A…ハーフミラ
ー面、60…第3プリズム、62…信号処理部、70
A、70B…ハイパスフィルタ、72A、72B…A/
D変換器、74A、74B…ゲート回路、76A、76
B…加算器、80…CPU、82…D/A変換器、84
…フォーカスレンズ位置検出器、86…A/D変換器、
90…第1プリズム、90A…ハーフミラー面、92…
第2プリズム、92A…ハーフミラー面、94…第3プ
リズム、P1…第1結像面、P2 …第2結像面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H011 AA03 BA33 BB01 BB02 2H051 AA06 AA08 BA47 BA53 BA55 CA02 CA06 CB02 CB28 CE14 GB06 GB15 2H101 EE01 EE03 EE07 EE14 EE21 EE22 5C022 AB27 AB28 AC42 AC51 AC54 AC78

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 撮影レンズとカメラ本体との間に着脱自
    在に装着され、前記撮影レンズのピント状態を検出し
    て、前記撮影レンズをオートフォーカス制御するオート
    フォーカスアダプタであって、 前記撮影レンズを通過した被写体光を映像用被写体光と
    ピント状態検出用被写体光とに分割する光分割手段と、 前記光分割手段によって分割され、所定の第1結像面に
    結像した映像用被写体光を前記カメラ本体の映像用撮像
    素子の受光面(第2受光面)に結像させるリレー光学系
    と、 前記光分割手段によって分割されたピント状態検出用被
    写体光が入射されるピント状態検出用撮像素子と、 前記ピント状態検出用撮像素子で撮像された画像に基づ
    いて前記撮影レンズのピント状態を検出するピント状態
    検出手段と、 前記ピント状態検出手段で検出されたピント状態に基づ
    いて前記撮影レンズをオートフォーカス制御する制御手
    段と、を備えたことを特徴とするオートフォーカスアダ
    プタ。
  2. 【請求項2】 前記光分割手段の後段位置にアイリスを
    備えたことを特徴とする請求項1に記載のオートフォー
    カスアダプタ。
  3. 【請求項3】 一対のピント状態検出用撮像素子を前記
    所定の第1結像面に共役な位置に対して前後等距離の位
    置に配置し、前記ピント状態検出手段は、前記一対のピ
    ント状態検出用撮像素子で撮像された画像に基づいて前
    記撮影レンズのピント状態を検出することを特徴とする
    請求項1又は2に記載のオートフォーカスアダプタ。
  4. 【請求項4】 前記光分割手段は、前記撮影レンズを通
    過した被写体光から前記ピント状態検出用被写体光を分
    離して前記一対のピント状態検出用撮像素子に同じ光量
    ずつ入射させることを特徴とする請求項1又は2に記載
    のオートフォーカスアダプタ。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005033763A1 (ja) * 2003-09-10 2005-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha 撮影レンズ位置制御装置
JP2006195342A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Fujinon Corp Afエリア操作装置
CN100414339C (zh) * 2003-09-10 2008-08-27 夏普株式会社 摄影透镜位置控制装置
US7782385B2 (en) 2004-11-19 2010-08-24 Fujinon Corporation AF-area display apparatus and AF-area operation apparatus
US7848630B2 (en) 2006-03-30 2010-12-07 Fujinon Corporation Autofocus adapter
JP2018005021A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 武蔵オプティカルシステム株式会社 オートフォーカスモジュール及びビデオカメラ
WO2020095365A1 (ja) * 2018-11-06 2020-05-14 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
WO2020095366A1 (ja) * 2018-11-06 2020-05-14 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JP2023047507A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 キヤノン株式会社 アクセサリ、制御方法、及びプログラム

Families Citing this family (204)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1686810A4 (en) * 2003-11-11 2009-06-03 Olympus Corp MULTIPLE SPECTRUM IMAGE CAPTURE DEVICE
US7430009B2 (en) * 2003-11-14 2008-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image pickup device including an infrared-ray cut filter
JP4576852B2 (ja) * 2004-03-04 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ピント状態検出装置
CN101511542B (zh) * 2006-08-30 2011-05-25 3M创新有限公司 延长寿命的磨料制品及方法
JP4746110B2 (ja) 2007-02-15 2011-08-10 パナソニック株式会社 撮像装置およびカメラ本体
US8125560B1 (en) 2007-08-13 2012-02-28 Ambarella, Inc. System for topology based automatic focus
JP5070036B2 (ja) * 2007-12-26 2012-11-07 日本放送協会 像回転用アダプタ
EP2075631A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-01 Fujinon Corporation Image rotating adapter and camera having the same
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US7964916B2 (en) * 2009-04-14 2011-06-21 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12027518B1 (en) 2009-10-12 2024-07-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US12362219B2 (en) 2010-11-18 2025-07-15 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US12360310B2 (en) 2010-10-13 2025-07-15 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US12094892B2 (en) 2010-10-13 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D micro display device and structure
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US9197804B1 (en) * 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US12080743B2 (en) 2010-10-13 2024-09-03 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US12033884B2 (en) 2010-11-18 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US12136562B2 (en) 2010-11-18 2024-11-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US12125737B1 (en) 2010-11-18 2024-10-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US12243765B2 (en) 2010-11-18 2025-03-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US12100611B2 (en) 2010-11-18 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US12272586B2 (en) 2010-11-18 2025-04-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure with memory and metal layers
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12144190B2 (en) 2010-11-18 2024-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding and memory cells preliminary class
US12154817B1 (en) 2010-11-18 2024-11-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12068187B2 (en) 2010-11-18 2024-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US12463076B2 (en) 2010-12-16 2025-11-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
JP2012137600A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Sony Corp 撮像システム、撮像装置、およびプログラム
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
KR20130005882A (ko) * 2011-07-07 2013-01-16 삼성전자주식회사 디지털 촬영 장치, 그 제어방법, 및 오토포커싱 방법
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12051674B2 (en) 2012-12-22 2024-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12249538B2 (en) 2012-12-29 2025-03-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure including power distribution grids
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US12094965B2 (en) 2013-03-11 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12100646B2 (en) 2013-03-12 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
CN103513384B (zh) * 2013-07-09 2015-08-05 北京大学 一种提高光子探测效率的方法
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12094829B2 (en) 2014-01-28 2024-09-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US12477752B2 (en) 2015-09-21 2025-11-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US12100658B2 (en) 2015-09-21 2024-09-24 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure
CN115942752A (zh) 2015-09-21 2023-04-07 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US12250830B2 (en) 2015-09-21 2025-03-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US12178055B2 (en) 2015-09-21 2024-12-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory devices and structures
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US12219769B2 (en) 2015-10-24 2025-02-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12035531B2 (en) 2015-10-24 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12120880B1 (en) 2015-10-24 2024-10-15 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US12225704B2 (en) 2016-10-10 2025-02-11 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50113228A (ja) 1974-02-14 1975-09-05
JPS5576312A (en) 1978-12-04 1980-06-09 Canon Inc Focus detecting system of image
JPS59221081A (ja) 1983-05-28 1984-12-12 Sony Corp ビデオカメラ
JPH0619488B2 (ja) 1984-04-19 1994-03-16 株式会社ニコン 交換レンズ用自動焦点調節アダプタ−
JPS6230224A (ja) 1985-08-01 1987-02-09 Seiko Instr & Electronics Ltd スメクテイツク液晶装置
JP2591049B2 (ja) 1988-03-30 1997-03-19 株式会社ニコン カメラシステム
DE4418903C2 (de) * 1993-06-15 1996-08-01 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Anordnung zur Aufteilung eines großformatigen Bildstreifens einer opto-elektronischen Zeilen- der Flächenkamera
JPH0772378A (ja) 1993-09-02 1995-03-17 Nikon Corp 合焦装置
JP3453433B2 (ja) 1994-08-05 2003-10-06 キヤノン株式会社 色分解光学系及びそれを用いた撮像装置
JPH0949965A (ja) 1995-08-08 1997-02-18 Nikon Corp 焦点位置検出装置
JP2002296492A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Fuji Photo Optical Co Ltd 撮影レンズのピント状態検出用アダプタ
JP2002296493A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Fuji Photo Optical Co Ltd ピント状態検出装置
JP2002365517A (ja) * 2001-06-04 2002-12-18 Fuji Photo Optical Co Ltd 撮影レンズのピント状態検出装置
JP2002372661A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Fuji Photo Optical Co Ltd 撮影レンズ

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005033763A1 (ja) * 2003-09-10 2005-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha 撮影レンズ位置制御装置
CN100414339C (zh) * 2003-09-10 2008-08-27 夏普株式会社 摄影透镜位置控制装置
US7782385B2 (en) 2004-11-19 2010-08-24 Fujinon Corporation AF-area display apparatus and AF-area operation apparatus
JP2006195342A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Fujinon Corp Afエリア操作装置
US7848630B2 (en) 2006-03-30 2010-12-07 Fujinon Corporation Autofocus adapter
JP2018005021A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 武蔵オプティカルシステム株式会社 オートフォーカスモジュール及びビデオカメラ
WO2020095365A1 (ja) * 2018-11-06 2020-05-14 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
WO2020095366A1 (ja) * 2018-11-06 2020-05-14 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JPWO2020095366A1 (ja) * 2018-11-06 2021-11-04 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JPWO2020095365A1 (ja) * 2018-11-06 2021-11-11 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JP7065202B2 (ja) 2018-11-06 2022-05-11 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JP7065203B2 (ja) 2018-11-06 2022-05-11 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡装置及び撮像装置の作動方法
JP2023047507A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 キヤノン株式会社 アクセサリ、制御方法、及びプログラム
JP7739109B2 (ja) 2021-09-27 2025-09-16 キヤノン株式会社 アクセサリ、制御方法、及びプログラム

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