JP2003248156A - 基板の重ね合わせ方法および光学素子 - Google Patents
基板の重ね合わせ方法および光学素子Info
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- lens substrate
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/30—Mounting, exchanging or centering
- B29C33/303—Mounting, exchanging or centering centering mould parts or halves, e.g. during mounting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
- B29L2011/0016—Lenses
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度のステージやマーク観察用の光学系等
を用いることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を
高精度にすることができる基板の重ね合わせ方法を提供
する。 【解決手段】 マイクロレンズ42,44を有する二枚
の基板41,43の重ね合わせ方法であって、一方の第
一の基板41に、凸形状の第一のアライメントマーク4
8を形成し、他方の第二の基板43に、少なくとも第一
のアライメントマーク48の頂点近傍の侵入を許容する
大きさに形成された凹形状の第二のアライメントマーク
51を形成する。そして、凹形状の第二のアライメント
マーク51の内部に対して凸形状の第一のアライメント
マーク48の頂点近傍を侵入させ、第一の基板41と第
二の基板43とを重ね合わせる。これにより、高精度の
ステージやマーク観察用の光学系等を用いることなく、
重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度にすることが
できる。
を用いることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を
高精度にすることができる基板の重ね合わせ方法を提供
する。 【解決手段】 マイクロレンズ42,44を有する二枚
の基板41,43の重ね合わせ方法であって、一方の第
一の基板41に、凸形状の第一のアライメントマーク4
8を形成し、他方の第二の基板43に、少なくとも第一
のアライメントマーク48の頂点近傍の侵入を許容する
大きさに形成された凹形状の第二のアライメントマーク
51を形成する。そして、凹形状の第二のアライメント
マーク51の内部に対して凸形状の第一のアライメント
マーク48の頂点近傍を侵入させ、第一の基板41と第
二の基板43とを重ね合わせる。これにより、高精度の
ステージやマーク観察用の光学系等を用いることなく、
重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度にすることが
できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の重ね合わせ
方法および光学素子に関する。
方法および光学素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶プロジェクタ等に代表される
液晶表示装置付きの電子機器の普及と共に、液晶表示装
置への高性能化の要求が高まり、液晶表示装置を高精細
化および高輝度化するための改良が進行している。この
液晶表示装置は、通常、各画素制御の薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor;以下、単に「TFT」と記
す)や保持容量等が形成された基板(以下、駆動基板と
称する)と、カラーフィルタ(カラー液晶パネルの場
合)やブラックマトリクス等が形成された基板(以下、
対向基板と称する)とから構成されている。
液晶表示装置付きの電子機器の普及と共に、液晶表示装
置への高性能化の要求が高まり、液晶表示装置を高精細
化および高輝度化するための改良が進行している。この
液晶表示装置は、通常、各画素制御の薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor;以下、単に「TFT」と記
す)や保持容量等が形成された基板(以下、駆動基板と
称する)と、カラーフィルタ(カラー液晶パネルの場
合)やブラックマトリクス等が形成された基板(以下、
対向基板と称する)とから構成されている。
【0003】液晶表示装置の駆動基板は、上記したTF
T部と映像を映出する開口部とから構成され、TFT部
に面積を占領される結果、充分な透過率を確保できない
場合がある。このため、従来より各画素の開口部に画素
用のマイクロ集光レンズ(以下、単に「マイクロレン
ズ」と略記する)を設け、本来TFT部に照射されてい
た光を開口部に集光させる構造が採用されている。マイ
クロレンズの形成方法としては、マイクロレンズアレイ
を独自に作成して対向基板に貼り合わせる方法が知られ
ている。
T部と映像を映出する開口部とから構成され、TFT部
に面積を占領される結果、充分な透過率を確保できない
場合がある。このため、従来より各画素の開口部に画素
用のマイクロ集光レンズ(以下、単に「マイクロレン
ズ」と略記する)を設け、本来TFT部に照射されてい
た光を開口部に集光させる構造が採用されている。マイ
クロレンズの形成方法としては、マイクロレンズアレイ
を独自に作成して対向基板に貼り合わせる方法が知られ
ている。
【0004】ところで、このような液晶表示装置におい
て、二枚の基板(駆動基板及び対向基板)は、アライメ
ントマークを基準として重ね合わせ(位置合わせ)が行
われた後、互いに貼り合わされることになる。
て、二枚の基板(駆動基板及び対向基板)は、アライメ
ントマークを基準として重ね合わせ(位置合わせ)が行
われた後、互いに貼り合わされることになる。
【0005】このような二枚の基板の重ね合わせ方法と
しては、特開平9−189901号公報に記載された方
法がある。特開平9−189901号公報に記載された
二枚の基板の重ね合わせ方法によれば、液晶パネルとマ
イクロレンズアレイとにそれぞれ透明材料によってアラ
イメントマークを形成し、これらのアライメントマーク
を用いて二枚の基板を重ね合わせるようにしている。
しては、特開平9−189901号公報に記載された方
法がある。特開平9−189901号公報に記載された
二枚の基板の重ね合わせ方法によれば、液晶パネルとマ
イクロレンズアレイとにそれぞれ透明材料によってアラ
イメントマークを形成し、これらのアライメントマーク
を用いて二枚の基板を重ね合わせるようにしている。
【0006】また、他の二枚の基板の重ね合わせ方法と
しては、特開2000−131508公報に記載された
方法がある。特開2000−131508公報に記載さ
れた二枚の基板の重ね合わせ方法によれば、第一のレン
ズの形成に用いられる第一基板の四隅に十字状のマーカ
ーを形成するとともに、第二のレンズの形成に用いられ
る第二の基板の四隅にも十字状のマーカーを形成し、こ
れらの十字状のマーカーを用いて二枚の基板を重ね合わ
せるようにしている。
しては、特開2000−131508公報に記載された
方法がある。特開2000−131508公報に記載さ
れた二枚の基板の重ね合わせ方法によれば、第一のレン
ズの形成に用いられる第一基板の四隅に十字状のマーカ
ーを形成するとともに、第二のレンズの形成に用いられ
る第二の基板の四隅にも十字状のマーカーを形成し、こ
れらの十字状のマーカーを用いて二枚の基板を重ね合わ
せるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
9−189901号公報や特開2000−131508
公報に記載された二枚の基板の重ね合わせ方法によれ
ば、二枚の基板にそれぞれアライメントマークやマーカ
ーを形成し、これらのアライメントマークやマーカーを
用いて二枚の基板を重ね合わせるようにしているが、こ
のような重ね合わせ作業を行うためには、高精度のステ
ージやアライメントマーク観察用の光学系が必要となる
ため、非常にコストがかかっている。
9−189901号公報や特開2000−131508
公報に記載された二枚の基板の重ね合わせ方法によれ
ば、二枚の基板にそれぞれアライメントマークやマーカ
ーを形成し、これらのアライメントマークやマーカーを
用いて二枚の基板を重ね合わせるようにしているが、こ
のような重ね合わせ作業を行うためには、高精度のステ
ージやアライメントマーク観察用の光学系が必要となる
ため、非常にコストがかかっている。
【0008】本発明の目的は、高精度のステージやマー
ク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ位置
の位置合わせ精度を高精度にすることができる基板の重
ね合わせ方法を提供することである。
ク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ位置
の位置合わせ精度を高精度にすることができる基板の重
ね合わせ方法を提供することである。
【0009】本発明の目的は、第一の基板と第二の基板
との間隔調整を容易に行うことができる基板の重ね合わ
せ方法を提供することである。
との間隔調整を容易に行うことができる基板の重ね合わ
せ方法を提供することである。
【0010】本発明の目的は、高精度のステージやマー
ク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ位置
の位置合わせ精度を高精度にすることができる1対のマ
イクロレンズを少なくとも1組以上有する光学素子を提
供することである。
ク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ位置
の位置合わせ精度を高精度にすることができる1対のマ
イクロレンズを少なくとも1組以上有する光学素子を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
マイクロレンズを少なくとも一方に有する二枚の基板の
重ね合わせ方法であって、第一の基板に、前記マイクロ
レンズの位置合わせの基準となる略半球形状であって凸
形状の第一のアライメントマークを形成する第一アライ
メントマーク形成工程と、第二の基板に、前記マイクロ
レンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第一の
アライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさ
に形成された凹形状の第二のアライメントマークを形成
する第二アライメントマーク形成工程と、前記第一の基
板の前記第一のアライメントマークと前記第二の基板の
前記第二のアライメントマークとを対向させ、少なくと
も前記第一のアライメントマークの頂点近傍を前記第二
のアライメントマークの内部に侵入させ、前記第一の基
板と前記第二の基板とを重ね合わせる基板重ね合わせ工
程と、を含む。
マイクロレンズを少なくとも一方に有する二枚の基板の
重ね合わせ方法であって、第一の基板に、前記マイクロ
レンズの位置合わせの基準となる略半球形状であって凸
形状の第一のアライメントマークを形成する第一アライ
メントマーク形成工程と、第二の基板に、前記マイクロ
レンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第一の
アライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさ
に形成された凹形状の第二のアライメントマークを形成
する第二アライメントマーク形成工程と、前記第一の基
板の前記第一のアライメントマークと前記第二の基板の
前記第二のアライメントマークとを対向させ、少なくと
も前記第一のアライメントマークの頂点近傍を前記第二
のアライメントマークの内部に侵入させ、前記第一の基
板と前記第二の基板とを重ね合わせる基板重ね合わせ工
程と、を含む。
【0012】したがって、アライメントを行う二枚の基
板の一方である第一の基板には、凸形状の第一のアライ
メントマークが形成され、他方の第二の基板には、少な
くとも第一のアライメントマークの頂点近傍の侵入を許
容する大きさに形成された凹形状の第二のアライメント
マークが形成される。そして、凹形状の第二のアライメ
ントマークの内部に対して凸形状の第一のアライメント
マークの頂点近傍を侵入させることにより、第一の基板
と第二の基板とが重ね合わされる。これにより、高精度
のステージやマーク観察用の光学系等を用いることな
く、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度にするこ
とが可能になる。
板の一方である第一の基板には、凸形状の第一のアライ
メントマークが形成され、他方の第二の基板には、少な
くとも第一のアライメントマークの頂点近傍の侵入を許
容する大きさに形成された凹形状の第二のアライメント
マークが形成される。そして、凹形状の第二のアライメ
ントマークの内部に対して凸形状の第一のアライメント
マークの頂点近傍を侵入させることにより、第一の基板
と第二の基板とが重ね合わされる。これにより、高精度
のステージやマーク観察用の光学系等を用いることな
く、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度にするこ
とが可能になる。
【0013】請求項2記載の発明は、請求項1記載の基
板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメントマ
ーク形成工程は、前記第一の基板に対してフォトリソグ
ラフィプロセスとエッチングプロセスとを用いてリング
状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記第一の基板に
形成された前記凹部の内側に、熱可塑性の材料を付着さ
せる熱可塑性材料付着工程と、前記凹部の内側に付着さ
れた前記熱可塑性材料を加熱して溶融し、前記熱可塑性
材料を表面張力により略半球形状に形成する半球形状形
成工程と、を含む。
板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメントマ
ーク形成工程は、前記第一の基板に対してフォトリソグ
ラフィプロセスとエッチングプロセスとを用いてリング
状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記第一の基板に
形成された前記凹部の内側に、熱可塑性の材料を付着さ
せる熱可塑性材料付着工程と、前記凹部の内側に付着さ
れた前記熱可塑性材料を加熱して溶融し、前記熱可塑性
材料を表面張力により略半球形状に形成する半球形状形
成工程と、を含む。
【0014】したがって、第一の基板の第一のアライメ
ントマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にす
ることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合わせ
精度を更に高精度にすることが可能になる。
ントマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にす
ることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合わせ
精度を更に高精度にすることが可能になる。
【0015】請求項3記載の発明は、請求項1記載の基
板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメントマ
ーク形成工程は、前記第一の基板の表面にフォトレジス
トを塗布するフォトレジスト塗布工程と、前記第一のア
ライメントマークに対応する位置以外の前記フォトレジ
ストが除去されるように前記フォトレジストを露光し、
現像を行う露光・現像工程と、前記フォトレジストを加
熱して略半球形状に形成する半球形状形成工程と、を含
む。
板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメントマ
ーク形成工程は、前記第一の基板の表面にフォトレジス
トを塗布するフォトレジスト塗布工程と、前記第一のア
ライメントマークに対応する位置以外の前記フォトレジ
ストが除去されるように前記フォトレジストを露光し、
現像を行う露光・現像工程と、前記フォトレジストを加
熱して略半球形状に形成する半球形状形成工程と、を含
む。
【0016】したがって、第一の基板の第一のアライメ
ントマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にす
ることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合わせ
精度を更に高精度にすることが可能になる。
ントマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にす
ることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合わせ
精度を更に高精度にすることが可能になる。
【0017】請求項4記載の発明は、請求項1ないし3
のいずれか一記載の基板の重ね合わせ方法において、前
記基板重ね合わせ工程の終了後、前記第一の基板に形成
された前記第一のアライメントマークを変形させ、前記
第一の基板と前記第二の基板との間隔を調整する間隔調
整工程を更に含む。
のいずれか一記載の基板の重ね合わせ方法において、前
記基板重ね合わせ工程の終了後、前記第一の基板に形成
された前記第一のアライメントマークを変形させ、前記
第一の基板と前記第二の基板との間隔を調整する間隔調
整工程を更に含む。
【0018】したがって、第一の基板と第二の基板との
間隔調整が容易になる。
間隔調整が容易になる。
【0019】請求項5記載の発明は、請求項4記載の基
板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程は、前
記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面に対し
て垂直に加圧し、前記第一のアライメントマークを変形
させる。
板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程は、前
記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面に対し
て垂直に加圧し、前記第一のアライメントマークを変形
させる。
【0020】したがって、第一の基板と第二の基板との
間隔調整を確実に行うことが可能になる。
間隔調整を確実に行うことが可能になる。
【0021】請求項6記載の発明は、請求項4記載の基
板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程は、前
記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面に対し
て垂直に加圧し、かつ、前記第一のアライメントマーク
を加熱して溶融し、前記第一のアライメントマークを変
形させる。
板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程は、前
記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面に対し
て垂直に加圧し、かつ、前記第一のアライメントマーク
を加熱して溶融し、前記第一のアライメントマークを変
形させる。
【0022】したがって、第一の基板と第二の基板との
間隔調整を確実に行うことが可能になる。
間隔調整を確実に行うことが可能になる。
【0023】請求項7記載の発明は、1対のマイクロレ
ンズを少なくとも1組以上有する光学素子において、1
対をなす一方の前記マイクロレンズとこのマイクロレン
ズの位置合わせの基準となる略半球形状であって凸形状
の第一のアライメントマークとを有する第一の基板と、
1対をなす他方の前記マイクロレンズとこのマイクロレ
ンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第一のア
ライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに
形成された凹形状の第二のアライメントマークとを有す
る第二の基板と、備える。
ンズを少なくとも1組以上有する光学素子において、1
対をなす一方の前記マイクロレンズとこのマイクロレン
ズの位置合わせの基準となる略半球形状であって凸形状
の第一のアライメントマークとを有する第一の基板と、
1対をなす他方の前記マイクロレンズとこのマイクロレ
ンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第一のア
ライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに
形成された凹形状の第二のアライメントマークとを有す
る第二の基板と、備える。
【0024】したがって、一方の第一の基板には、凸形
状の第一のアライメントマークがマイクロレンズととも
に形成され、他方の第二の基板には、少なくとも第一の
アライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさ
に形成された凹形状の第二のアライメントマークがマイ
クロレンズとともに形成される。そして、凹形状の第二
のアライメントマークの内部に対して凸形状の第一のア
ライメントマークの頂点近傍を侵入させることにより、
第一の基板と第二の基板とが重ね合わされる。これによ
り、高精度のステージやマーク観察用の光学系等を用い
ることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度
にすることが可能になる。
状の第一のアライメントマークがマイクロレンズととも
に形成され、他方の第二の基板には、少なくとも第一の
アライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさ
に形成された凹形状の第二のアライメントマークがマイ
クロレンズとともに形成される。そして、凹形状の第二
のアライメントマークの内部に対して凸形状の第一のア
ライメントマークの頂点近傍を侵入させることにより、
第一の基板と第二の基板とが重ね合わされる。これによ
り、高精度のステージやマーク観察用の光学系等を用い
ることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度
にすることが可能になる。
【0025】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図1
ないし図7に基づいて説明する。本実施の形態の二枚の
基板は、液晶プロジェクタ等の液晶表示装置に用いられ
る光学素子を作製するための二枚のマイクロレンズアレ
イ基板に適用されている。
ないし図7に基づいて説明する。本実施の形態の二枚の
基板は、液晶プロジェクタ等の液晶表示装置に用いられ
る光学素子を作製するための二枚のマイクロレンズアレ
イ基板に適用されている。
【0026】ここで、図1は第一のマイクロレンズアレ
イ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は(a)の
X−X´における断面図である。図1に示すように、第
一のマイクロレンズアレイ基板A(以下においては、第
一レンズ基板Aという。)は、半球形状に形成されたマ
イクロレンズ1の集合体であるマイクロレンズアレイ2
が形成されているレンズエリア3と、マイクロレンズア
レイ2が形成されているエリア以外のアライメントエリ
ア4とを有している。このような第一レンズ基板Aは、
光学用ガラスであるBK7により形成されている。な
お、図1においては、説明のために7×8個のマイクロ
レンズ1によってマイクロレンズアレイ2を形成した
が、実際のマイクロレンズアレイ2はさらに多数のマイ
クロレンズ1により構成されている。
イ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は(a)の
X−X´における断面図である。図1に示すように、第
一のマイクロレンズアレイ基板A(以下においては、第
一レンズ基板Aという。)は、半球形状に形成されたマ
イクロレンズ1の集合体であるマイクロレンズアレイ2
が形成されているレンズエリア3と、マイクロレンズア
レイ2が形成されているエリア以外のアライメントエリ
ア4とを有している。このような第一レンズ基板Aは、
光学用ガラスであるBK7により形成されている。な
お、図1においては、説明のために7×8個のマイクロ
レンズ1によってマイクロレンズアレイ2を形成した
が、実際のマイクロレンズアレイ2はさらに多数のマイ
クロレンズ1により構成されている。
【0027】また、第一レンズ基板Aのアライメントエ
リア4であって第一レンズ基板Aの四隅には、アライメ
ントマーク5が形成されている。このアライメントマー
ク5は、第一レンズ基板Aに形成されたリング状の凹部
である溝5aと、その溝5aに囲まれた部分5bの上に
樹脂で形成された半球形状の突起6とを有している。な
お、本実施の形態の第一レンズ基板Aのアライメントマ
ーク5の突起6の直径は、100μmとされている。
リア4であって第一レンズ基板Aの四隅には、アライメ
ントマーク5が形成されている。このアライメントマー
ク5は、第一レンズ基板Aに形成されたリング状の凹部
である溝5aと、その溝5aに囲まれた部分5bの上に
樹脂で形成された半球形状の突起6とを有している。な
お、本実施の形態の第一レンズ基板Aのアライメントマ
ーク5の突起6の直径は、100μmとされている。
【0028】ここで、アライメントマーク5の作成手順
について図2を参照しつつ説明する。図2(a)に示す
ように、まず、基板にフォトリソグラフィーを用いて溝
5aの形状のレジストパターンを形成し、エッチングに
よりレジストパターンを基板に転写する。なお、リフロ
ー法やグラデーションマスクを使ってマイクロレンズ1
を作成する場合にはフォトリソプロセスとエッチングプ
ロセスが用いられるので、同時に溝5aの形状のレジス
トパターンのパターンも形成しておけばよい。これによ
り、アライメントマーク5をマイクロレンズ1との相対
位置がずれることなく形成することができる。
について図2を参照しつつ説明する。図2(a)に示す
ように、まず、基板にフォトリソグラフィーを用いて溝
5aの形状のレジストパターンを形成し、エッチングに
よりレジストパターンを基板に転写する。なお、リフロ
ー法やグラデーションマスクを使ってマイクロレンズ1
を作成する場合にはフォトリソプロセスとエッチングプ
ロセスが用いられるので、同時に溝5aの形状のレジス
トパターンのパターンも形成しておけばよい。これによ
り、アライメントマーク5をマイクロレンズ1との相対
位置がずれることなく形成することができる。
【0029】次に、図2(b)に示すように、溝5aに
囲まれた部分5bの上に熱可塑性材料である熱可塑性樹
脂Pを付着させる。本実施の形態においては、熱可塑性
樹脂Pとしてホットメルト接着剤を用いた。このとき、
熱可塑性樹脂Pは円形状の溝5aに囲まれた部分5bか
らはみ出さない程度の位置に付着させればよく、正確に
円形状の溝5aに囲まれた部分5bの中心に付着させる
必要はない。
囲まれた部分5bの上に熱可塑性材料である熱可塑性樹
脂Pを付着させる。本実施の形態においては、熱可塑性
樹脂Pとしてホットメルト接着剤を用いた。このとき、
熱可塑性樹脂Pは円形状の溝5aに囲まれた部分5bか
らはみ出さない程度の位置に付着させればよく、正確に
円形状の溝5aに囲まれた部分5bの中心に付着させる
必要はない。
【0030】最後に、図2(c)に示すように、熱可塑
性樹脂Pを付着させた基板を加熱して熱可塑性樹脂Pを
流動させる。ここで、溝5aが円形状に形成されている
ことから、熱可塑性樹脂Pを流動させた際には溝5aの
角で熱可塑性樹脂Pの接触角が急激に小さくなるため、
熱可塑性樹脂Pが流動する範囲が溝5aの内側に制限さ
れ、表面張力が働くことになる。つまり、熱可塑性樹脂
Pの表面を円形状の溝5aに囲まれた部分5bを底辺と
した半球状にすることができるので、溝5aの中心と半
球形状の突起6の頂点を正確に一致させることができ
る。この後、基板を冷却し熱可塑性樹脂Pを硬化させる
ことにより、アライメントマーク5が完成する。
性樹脂Pを付着させた基板を加熱して熱可塑性樹脂Pを
流動させる。ここで、溝5aが円形状に形成されている
ことから、熱可塑性樹脂Pを流動させた際には溝5aの
角で熱可塑性樹脂Pの接触角が急激に小さくなるため、
熱可塑性樹脂Pが流動する範囲が溝5aの内側に制限さ
れ、表面張力が働くことになる。つまり、熱可塑性樹脂
Pの表面を円形状の溝5aに囲まれた部分5bを底辺と
した半球状にすることができるので、溝5aの中心と半
球形状の突起6の頂点を正確に一致させることができ
る。この後、基板を冷却し熱可塑性樹脂Pを硬化させる
ことにより、アライメントマーク5が完成する。
【0031】したがって、第一の基板Aの第一のアライ
メントマーク5の形状を簡単な方法で正確に略半球形状
にすることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合
わせ精度を更に高精度にすることが可能になる。
メントマーク5の形状を簡単な方法で正確に略半球形状
にすることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合
わせ精度を更に高精度にすることが可能になる。
【0032】なお、図2においては溝5aの側壁が垂直
になっているが、熱可塑性樹脂Pに対して表面張力によ
り広がりを抑えられる角度であれば垂直でなくともかま
わない。
になっているが、熱可塑性樹脂Pに対して表面張力によ
り広がりを抑えられる角度であれば垂直でなくともかま
わない。
【0033】次に、第二のマイクロレンズアレイ基板に
ついて説明する。ここで、図3は第二のマイクロレンズ
アレイ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は
(a)のY−Y´における断面図である。図3に示すよ
うに、第二のマイクロレンズアレイ基板B(以下におい
ては、第二レンズ基板Bという。)は、半球形状に形成
されたマイクロレンズ7の集合体であるマイクロレンズ
アレイ8が形成されているレンズエリア9と、マイクロ
レンズアレイ8が形成されているエリア以外のアライメ
ントエリア10とを有している。このような第二レンズ
基板Bは、光学用ガラスであるBK7により形成されて
いる。なお、図3においては、説明のために7×8個の
マイクロレンズ7によってマイクロレンズアレイ8を形
成したが、実際のマイクロレンズアレイ8はさらに多数
のマイクロレンズ7により構成されている。
ついて説明する。ここで、図3は第二のマイクロレンズ
アレイ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は
(a)のY−Y´における断面図である。図3に示すよ
うに、第二のマイクロレンズアレイ基板B(以下におい
ては、第二レンズ基板Bという。)は、半球形状に形成
されたマイクロレンズ7の集合体であるマイクロレンズ
アレイ8が形成されているレンズエリア9と、マイクロ
レンズアレイ8が形成されているエリア以外のアライメ
ントエリア10とを有している。このような第二レンズ
基板Bは、光学用ガラスであるBK7により形成されて
いる。なお、図3においては、説明のために7×8個の
マイクロレンズ7によってマイクロレンズアレイ8を形
成したが、実際のマイクロレンズアレイ8はさらに多数
のマイクロレンズ7により構成されている。
【0034】また、第二レンズ基板Bのアライメントエ
リア10であって第二レンズ基板Bの四隅には、アライ
メントマーク11が形成されている。このアライメント
マーク11は、第二レンズ基板Bに形成された円形状の
穴11aを有している。なお、本実施の形態の第二レン
ズ基板Bのアライメントマーク11の穴11aの直径
は、90μmとされている。この円形状の穴11aは、基
板にフォトリソグラフィーを用いて穴11aの形状のレ
ジストパターンを形成し、エッチングによりレジストパ
ターンを基板に転写することにより作成される。なお、
リフロー法やグラデーションマスクを使ってマイクロレ
ンズ7を作成する場合にはフォトリソプロセスとエッチ
ングプロセスが用いられるので、同時に穴11aの形状
のレジストパターンのパターンも形成しておけばよい。
これにより、アライメントマーク11をマイクロレンズ
7との相対位置がずれることなく形成することができ
る。
リア10であって第二レンズ基板Bの四隅には、アライ
メントマーク11が形成されている。このアライメント
マーク11は、第二レンズ基板Bに形成された円形状の
穴11aを有している。なお、本実施の形態の第二レン
ズ基板Bのアライメントマーク11の穴11aの直径
は、90μmとされている。この円形状の穴11aは、基
板にフォトリソグラフィーを用いて穴11aの形状のレ
ジストパターンを形成し、エッチングによりレジストパ
ターンを基板に転写することにより作成される。なお、
リフロー法やグラデーションマスクを使ってマイクロレ
ンズ7を作成する場合にはフォトリソプロセスとエッチ
ングプロセスが用いられるので、同時に穴11aの形状
のレジストパターンのパターンも形成しておけばよい。
これにより、アライメントマーク11をマイクロレンズ
7との相対位置がずれることなく形成することができ
る。
【0035】なお、図3においては穴11aの側壁が垂
直になっているが、必ずしも側壁が垂直である必要はな
い。第一レンズ基板Aのアライメントマーク5の突起6
と一致した状態で安定に接触する形状であれば、側壁に
傾斜がついていたり湾曲したりしていてもかまわない。
直になっているが、必ずしも側壁が垂直である必要はな
い。第一レンズ基板Aのアライメントマーク5の突起6
と一致した状態で安定に接触する形状であれば、側壁に
傾斜がついていたり湾曲したりしていてもかまわない。
【0036】次に、第一レンズ基板Aと第二レンズ基板
Bとの貼り合わせ手順について図4〜図6を参照しつつ
説明する。まず、図4に示すように、第一レンズ基板A
と第二レンズ基板Bとを、アライメントマーク5とアラ
イメントマーク11との位置が概ね一致するように重ね
合わせる。より詳細には、少なくとも第一レンズ基板A
のアライメントマーク5の突起6の頂点が第二レンズ基
板Bのアライメントマーク11の穴11aの内側に入っ
ていれば良い。なお、図4においては、第一レンズ基板
Aを下にしたが、どちらの基板が下でもかまわない。
Bとの貼り合わせ手順について図4〜図6を参照しつつ
説明する。まず、図4に示すように、第一レンズ基板A
と第二レンズ基板Bとを、アライメントマーク5とアラ
イメントマーク11との位置が概ね一致するように重ね
合わせる。より詳細には、少なくとも第一レンズ基板A
のアライメントマーク5の突起6の頂点が第二レンズ基
板Bのアライメントマーク11の穴11aの内側に入っ
ていれば良い。なお、図4においては、第一レンズ基板
Aを下にしたが、どちらの基板が下でもかまわない。
【0037】ところで、本実施の形態においては、第一
レンズ基板Aのアライメントマーク5の突起6の直径を
100μm、第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
の穴11aの直径を90μmとしているので、この時点で
の重ね合わせの精度は±45μm以内であればよい。例え
ば、第一レンズ基板Aと第二レンズ基板Bとを作製する
際に、第一レンズ基板A及び第二レンズ基板Bの各端面
から各アライメントマーク5,11までの距離が一致す
るようにダイシングソーを用いて切断し、治具を用いて
端面の位置を合わせるようにして重ね合わせれば容易に
10μm程度の精度を得ることは可能である。
レンズ基板Aのアライメントマーク5の突起6の直径を
100μm、第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
の穴11aの直径を90μmとしているので、この時点で
の重ね合わせの精度は±45μm以内であればよい。例え
ば、第一レンズ基板Aと第二レンズ基板Bとを作製する
際に、第一レンズ基板A及び第二レンズ基板Bの各端面
から各アライメントマーク5,11までの距離が一致す
るようにダイシングソーを用いて切断し、治具を用いて
端面の位置を合わせるようにして重ね合わせれば容易に
10μm程度の精度を得ることは可能である。
【0038】次に、図5に示すように、第一レンズ基板
Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのアライ
メントマーク11とを一致させる。詳細には、第一レン
ズ基板Aのアライメントマーク5の表面及び第二レンズ
基板Bのアライメントマーク11の表面が滑らかで摩擦
が少ない場合には、図4に示したように第一レンズ基板
Aと第二レンズ基板Bとを重ね合わせた段階で、各基板
A,Bの自重によって第一レンズ基板Aのアライメント
マーク5が第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
に自然に滑り込むことになり、第一レンズ基板Aのアラ
イメントマーク5と第二レンズ基板Bのアライメントマ
ーク11とが一致する。一方、第一レンズ基板Aのアラ
イメントマーク5の表面及び第二レンズ基板Bのアライ
メントマーク11の表面に摩擦が多い場合には、各基板
A,Bの自重によって第一レンズ基板Aのアライメント
マーク5が第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
に自然に滑り込むことはなく、各基板A,Bに振動を与
えるなどして各基板A,Bを動かすことで、第一レンズ
基板Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのア
ライメントマーク11とを一致させる。
Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのアライ
メントマーク11とを一致させる。詳細には、第一レン
ズ基板Aのアライメントマーク5の表面及び第二レンズ
基板Bのアライメントマーク11の表面が滑らかで摩擦
が少ない場合には、図4に示したように第一レンズ基板
Aと第二レンズ基板Bとを重ね合わせた段階で、各基板
A,Bの自重によって第一レンズ基板Aのアライメント
マーク5が第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
に自然に滑り込むことになり、第一レンズ基板Aのアラ
イメントマーク5と第二レンズ基板Bのアライメントマ
ーク11とが一致する。一方、第一レンズ基板Aのアラ
イメントマーク5の表面及び第二レンズ基板Bのアライ
メントマーク11の表面に摩擦が多い場合には、各基板
A,Bの自重によって第一レンズ基板Aのアライメント
マーク5が第二レンズ基板Bのアライメントマーク11
に自然に滑り込むことはなく、各基板A,Bに振動を与
えるなどして各基板A,Bを動かすことで、第一レンズ
基板Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのア
ライメントマーク11とを一致させる。
【0039】なお、第一レンズ基板Aのアライメントマ
ーク5と第二レンズ基板Bのアライメントマーク11と
を正確に一致させるためには、図5に示すように、第一
レンズ基板Aと第二レンズ基板Bとの間に若干の隙間が
あることが望ましい。
ーク5と第二レンズ基板Bのアライメントマーク11と
を正確に一致させるためには、図5に示すように、第一
レンズ基板Aと第二レンズ基板Bとの間に若干の隙間が
あることが望ましい。
【0040】最後に、図6に示すように、第一レンズ基
板Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのアラ
イメントマーク11とを一致させた後、各基板A,Bの
端面に接着剤20を塗布し、第一レンズ基板Aと第二レ
ンズ基板Bとを貼り合わせる。
板Aのアライメントマーク5と第二レンズ基板Bのアラ
イメントマーク11とを一致させた後、各基板A,Bの
端面に接着剤20を塗布し、第一レンズ基板Aと第二レ
ンズ基板Bとを貼り合わせる。
【0041】上述したような第一レンズ基板Aと第二レ
ンズ基板Bとの貼り合わせを行うための貼り合わせ装置
の一例を図7に示す。図7に示す貼り合わせ装置30
は、下側の基板(例えば、第一レンズ基板A)を保持す
るための基板保持手段31と、基板保持手段31に保持
された基板(例えば、第一レンズ基板A)の端面とこの
基板(例えば、第一レンズ基板A)上に重ね合わされた
基板(例えば、第二レンズ基板B)の端面とを突き合わ
せ、大まかな位置合わせを行うための突合せ手段32
と、各基板A,Bに振動を与えるための振動発生手段3
3と、位置合わせ後に2枚の基板A,Bを移動しないよ
うに押えるための基板固定手段34と、この基板固定手
段34を上下に移動させるための移動手段35と、を備
えている。ここで、基板保持手段31は、真空吸着など
の手段により下側の基板(例えば、第一レンズ基板A)
を固定するものである。また、振動発生手段33として
は、変位量を数μm程度にする必要があるため、ピエゾ
ステージなどが利用できる。このような貼り合わせ装置
30を用いれば上述したような第一レンズ基板Aと第二
レンズ基板Bとの貼り合わせの手順を実現することがで
きる。
ンズ基板Bとの貼り合わせを行うための貼り合わせ装置
の一例を図7に示す。図7に示す貼り合わせ装置30
は、下側の基板(例えば、第一レンズ基板A)を保持す
るための基板保持手段31と、基板保持手段31に保持
された基板(例えば、第一レンズ基板A)の端面とこの
基板(例えば、第一レンズ基板A)上に重ね合わされた
基板(例えば、第二レンズ基板B)の端面とを突き合わ
せ、大まかな位置合わせを行うための突合せ手段32
と、各基板A,Bに振動を与えるための振動発生手段3
3と、位置合わせ後に2枚の基板A,Bを移動しないよ
うに押えるための基板固定手段34と、この基板固定手
段34を上下に移動させるための移動手段35と、を備
えている。ここで、基板保持手段31は、真空吸着など
の手段により下側の基板(例えば、第一レンズ基板A)
を固定するものである。また、振動発生手段33として
は、変位量を数μm程度にする必要があるため、ピエゾ
ステージなどが利用できる。このような貼り合わせ装置
30を用いれば上述したような第一レンズ基板Aと第二
レンズ基板Bとの貼り合わせの手順を実現することがで
きる。
【0042】なお、特に図示しないが、接着剤を塗布す
る接着剤塗布手段や接着剤を硬化させるための接着剤硬
化手段などをこの貼り合わせ装置30に含めてもかまわ
ない。
る接着剤塗布手段や接着剤を硬化させるための接着剤硬
化手段などをこの貼り合わせ装置30に含めてもかまわ
ない。
【0043】このような方法により、治具を使って基板
の端面を合わせるだけのような精度の低いアライメント
装置を用いた場合でも、2つの基板A,Bのアライメン
トマーク5,11を高い精度で一致させることができ
る。マイクロレンズの作製と同時にアライメントマーク
部分のフォトリソを行った場合、アライメントマーク
5,11はフォトマスクと同程度の位置精度で作成され
ている。したがって、誤差数10μm程度のアライメン
ト装置を使った場合でも、容易に誤差数μm以内の高精
度アライメントが可能になる。
の端面を合わせるだけのような精度の低いアライメント
装置を用いた場合でも、2つの基板A,Bのアライメン
トマーク5,11を高い精度で一致させることができ
る。マイクロレンズの作製と同時にアライメントマーク
部分のフォトリソを行った場合、アライメントマーク
5,11はフォトマスクと同程度の位置精度で作成され
ている。したがって、誤差数10μm程度のアライメン
ト装置を使った場合でも、容易に誤差数μm以内の高精
度アライメントが可能になる。
【0044】ここに、アライメントを行う二枚のマイク
ロレンズ基板A,Bの一方である第一の基板Aには、凸
形状の第一のアライメントマーク5が形成され、他方の
第二の基板Bには、少なくとも第一のアライメントマー
ク5の頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成された凹
形状の第二のアライメントマーク11が形成される。そ
して、凹形状の第二のアライメントマーク11の内部に
対して凸形状の第一のアライメントマーク5の頂点近傍
を侵入させることにより、第一の基板Aと第二の基板B
とが重ね合わされる。これにより、高精度のステージや
マーク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ
位置の位置合わせ精度を高精度にすることが可能にな
る。
ロレンズ基板A,Bの一方である第一の基板Aには、凸
形状の第一のアライメントマーク5が形成され、他方の
第二の基板Bには、少なくとも第一のアライメントマー
ク5の頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成された凹
形状の第二のアライメントマーク11が形成される。そ
して、凹形状の第二のアライメントマーク11の内部に
対して凸形状の第一のアライメントマーク5の頂点近傍
を侵入させることにより、第一の基板Aと第二の基板B
とが重ね合わされる。これにより、高精度のステージや
マーク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わせ
位置の位置合わせ精度を高精度にすることが可能にな
る。
【0045】なお、本実施の形態においては、マイクロ
レンズ基板Aのアライメントマーク位置にフォトリソプ
ロセスとエッチングプロセスとにより溝5aを作成する
ことにより、アライメントマーク5の突起6を作成する
ための熱可塑性樹脂Pを付着させた位置が多少ずれても
正確な位置にアライメントマーク5が形成できるように
したが、熱可塑性樹脂Pを付着させるときの位置精度が
必要なアライメント精度に対して十分であれば、溝5a
を形成しなくてもかまわない。
レンズ基板Aのアライメントマーク位置にフォトリソプ
ロセスとエッチングプロセスとにより溝5aを作成する
ことにより、アライメントマーク5の突起6を作成する
ための熱可塑性樹脂Pを付着させた位置が多少ずれても
正確な位置にアライメントマーク5が形成できるように
したが、熱可塑性樹脂Pを付着させるときの位置精度が
必要なアライメント精度に対して十分であれば、溝5a
を形成しなくてもかまわない。
【0046】次に、本発明の第二の実施の形態を図8な
いし図13に基づいて説明する。前述した実施の形態の
場合と同一又は相当する部分は同一符号を用いて示し、
説明も省略する(以降の各実施の形態でも順次同様とす
る)。本実施の形態の二枚の基板は、情報記録媒体の記
録面上に光スポットを照射して情報を光学的に記録、再
生又は消去等する光ピックアップに用いられる光学素子
である対物レンズを作製するための二枚のマイクロレン
ズ基板に適用されている。
いし図13に基づいて説明する。前述した実施の形態の
場合と同一又は相当する部分は同一符号を用いて示し、
説明も省略する(以降の各実施の形態でも順次同様とす
る)。本実施の形態の二枚の基板は、情報記録媒体の記
録面上に光スポットを照射して情報を光学的に記録、再
生又は消去等する光ピックアップに用いられる光学素子
である対物レンズを作製するための二枚のマイクロレン
ズ基板に適用されている。
【0047】今日、光ディスクの大容量化(光記録密度
化)に伴い、対物レンズで集光されるスポットの大きさ
を極力小さくする必要がある。そこで、本実施の形態の
対物レンズは、複数枚のレンズで構成することにより、
対物レンズの開口数NAを大きくし、対物レンズで集光
されるスポットの大きさを極力小さくしたものである。
化)に伴い、対物レンズで集光されるスポットの大きさ
を極力小さくする必要がある。そこで、本実施の形態の
対物レンズは、複数枚のレンズで構成することにより、
対物レンズの開口数NAを大きくし、対物レンズで集光
されるスポットの大きさを極力小さくしたものである。
【0048】概略的には、図8に示すように、対物レン
ズ40は、第一のマイクロレンズ基板41(以下におい
ては、第一レンズ基板41という。)上に形成した第一
のレンズ42と、第二のマイクロレンズ基板43(以下
においては、第二レンズ基板43という。)上に形成し
た第二のレンズ44とを同一光軸上で対向するように配
置させて第一レンズ基板41と第二レンズ基板43とを
接着剤45により貼り合わせた構造のものである。
ズ40は、第一のマイクロレンズ基板41(以下におい
ては、第一レンズ基板41という。)上に形成した第一
のレンズ42と、第二のマイクロレンズ基板43(以下
においては、第二レンズ基板43という。)上に形成し
た第二のレンズ44とを同一光軸上で対向するように配
置させて第一レンズ基板41と第二レンズ基板43とを
接着剤45により貼り合わせた構造のものである。
【0049】まず、第一レンズ基板41について説明す
る。ここで、図9は第一レンズ基板41を示す平面図で
ある。図9に示すように、第一レンズ基板41は、半球
形状に形成されたマイクロレンズ42が形成されている
レンズエリア46と、マイクロレンズ42が形成されて
いるエリア以外のアライメントエリア47とを有してい
る。このような第一レンズ基板41は、光学用ガラスで
あるBK7により形成されている。
る。ここで、図9は第一レンズ基板41を示す平面図で
ある。図9に示すように、第一レンズ基板41は、半球
形状に形成されたマイクロレンズ42が形成されている
レンズエリア46と、マイクロレンズ42が形成されて
いるエリア以外のアライメントエリア47とを有してい
る。このような第一レンズ基板41は、光学用ガラスで
あるBK7により形成されている。
【0050】また、第一レンズ基板41のアライメント
エリア47であって第一レンズ基板41の四隅には、ア
ライメントマーク48が形成されている。このアライメ
ントマーク48は、第一レンズ基板41に形成されたリ
ング状の凹部である溝48aと、その溝48aに囲まれ
た部分の形成された円形状の溝48bとを有している。
また、溝48bの内部には、熱可塑性樹脂であるホット
メルト接着剤が充填され、表面張力によって半球形状に
形成された突起48cが形成されている。この突起48
cは、表面張力により熱可塑性樹脂の流動する範囲が溝
48aの内側に制限され、溝48aに囲まれた部分を底
辺とした半球状にすることができるので、溝48aの中
心と半球形状の突起48cの頂点を正確に一致させるこ
とができる。
エリア47であって第一レンズ基板41の四隅には、ア
ライメントマーク48が形成されている。このアライメ
ントマーク48は、第一レンズ基板41に形成されたリ
ング状の凹部である溝48aと、その溝48aに囲まれ
た部分の形成された円形状の溝48bとを有している。
また、溝48bの内部には、熱可塑性樹脂であるホット
メルト接着剤が充填され、表面張力によって半球形状に
形成された突起48cが形成されている。この突起48
cは、表面張力により熱可塑性樹脂の流動する範囲が溝
48aの内側に制限され、溝48aに囲まれた部分を底
辺とした半球状にすることができるので、溝48aの中
心と半球形状の突起48cの頂点を正確に一致させるこ
とができる。
【0051】なお、アライメントマーク48の作成手順
については、特に図示しないが、基板にフォトリソグラ
フィーを用いて溝48a,48bの形状のレジストパタ
ーンを形成し、エッチングによりレジストパターンを基
板に転写した後、熱可塑性樹脂であるホットメルト接着
剤を充填して基板を加熱した後、基板を冷却し熱可塑性
樹脂を硬化させることにより、アライメントマーク48
が完成する。なお、リフロー法やグラデーションマスク
を使ってマイクロレンズ42を作成する場合にはフォト
リソプロセスとエッチングプロセスが用いられるので、
同時に溝48a,48bの形状のレジストパターンのパ
ターンも形成しておけばよい。これにより、アライメン
トマーク48をマイクロレンズ42との相対位置がずれ
ることなく形成することができる。
については、特に図示しないが、基板にフォトリソグラ
フィーを用いて溝48a,48bの形状のレジストパタ
ーンを形成し、エッチングによりレジストパターンを基
板に転写した後、熱可塑性樹脂であるホットメルト接着
剤を充填して基板を加熱した後、基板を冷却し熱可塑性
樹脂を硬化させることにより、アライメントマーク48
が完成する。なお、リフロー法やグラデーションマスク
を使ってマイクロレンズ42を作成する場合にはフォト
リソプロセスとエッチングプロセスが用いられるので、
同時に溝48a,48bの形状のレジストパターンのパ
ターンも形成しておけばよい。これにより、アライメン
トマーク48をマイクロレンズ42との相対位置がずれ
ることなく形成することができる。
【0052】次に、第二レンズ基板43について説明す
る。ここで、図10は第二レンズ基板43を示す平面図
である。図10に示すように、第二レンズ基板43は、
半球形状に形成されたマイクロレンズ44が形成されて
いるレンズエリア49と、マイクロレンズ44が形成さ
れているエリア以外のアライメントエリア50とを有し
ている。このような第二レンズ基板43は、光学用ガラ
スであるBK7により形成されている。
る。ここで、図10は第二レンズ基板43を示す平面図
である。図10に示すように、第二レンズ基板43は、
半球形状に形成されたマイクロレンズ44が形成されて
いるレンズエリア49と、マイクロレンズ44が形成さ
れているエリア以外のアライメントエリア50とを有し
ている。このような第二レンズ基板43は、光学用ガラ
スであるBK7により形成されている。
【0053】また、第二レンズ基板43のアライメント
エリア50であって第二レンズ基板43の四隅には、ア
ライメントマーク51が形成されている。このアライメ
ントマーク51は、第二レンズ基板43に形成された円
形状の穴51aを有している。この円形状の穴51a
は、基板にフォトリソグラフィーを用いて穴51aの形
状のレジストパターンを形成し、エッチングによりレジ
ストパターンを基板に転写することにより作成される。
なお、リフロー法やグラデーションマスクを使ってマイ
クロレンズ44を作成する場合にはフォトリソプロセス
とエッチングプロセスが用いられるので、同時に穴51
aの形状のレジストパターンのパターンも形成しておけ
ばよい。これにより、アライメントマーク51をマイク
ロレンズ44との相対位置がずれることなく形成するこ
とができる。
エリア50であって第二レンズ基板43の四隅には、ア
ライメントマーク51が形成されている。このアライメ
ントマーク51は、第二レンズ基板43に形成された円
形状の穴51aを有している。この円形状の穴51a
は、基板にフォトリソグラフィーを用いて穴51aの形
状のレジストパターンを形成し、エッチングによりレジ
ストパターンを基板に転写することにより作成される。
なお、リフロー法やグラデーションマスクを使ってマイ
クロレンズ44を作成する場合にはフォトリソプロセス
とエッチングプロセスが用いられるので、同時に穴51
aの形状のレジストパターンのパターンも形成しておけ
ばよい。これにより、アライメントマーク51をマイク
ロレンズ44との相対位置がずれることなく形成するこ
とができる。
【0054】次に、第一レンズ基板41と第二レンズ基
板43との貼り合わせ手順について図11を参照しつつ
説明する。まず、図11(a)に示すように、第一レン
ズ基板41と第二レンズ基板43とを、アライメントマ
ーク48とアライメントマーク51との位置が概ね一致
するように重ね合わせる。より詳細には、少なくとも第
一レンズ基板41のアライメントマーク48の突起48
cの頂点が第二レンズ基板43のアライメントマーク5
1の穴51aの内側に入っていれば良い。なお、図11
においては、第一レンズ基板41を下にしたが、どちら
の基板が下でもかまわない。
板43との貼り合わせ手順について図11を参照しつつ
説明する。まず、図11(a)に示すように、第一レン
ズ基板41と第二レンズ基板43とを、アライメントマ
ーク48とアライメントマーク51との位置が概ね一致
するように重ね合わせる。より詳細には、少なくとも第
一レンズ基板41のアライメントマーク48の突起48
cの頂点が第二レンズ基板43のアライメントマーク5
1の穴51aの内側に入っていれば良い。なお、図11
においては、第一レンズ基板41を下にしたが、どちら
の基板が下でもかまわない。
【0055】なお、第一レンズ基板41のアライメント
マーク48の表面及び第二レンズ基板43のアライメン
トマーク51の表面が滑らかで摩擦が少ない場合には、
第一レンズ基板41Aと第二レンズ基板43とを重ね合
わせた段階で、各基板41,43の自重によって第一レ
ンズ基板41のアライメントマーク48が第二レンズ基
板43のアライメントマーク51に自然に滑り込むこと
になり、第一レンズ基板41のアライメントマーク48
と第二レンズ基板43のアライメントマーク51とが一
致する。一方、第一レンズ基板41のアライメントマー
ク48の表面及び第二レンズ基板43のアライメントマ
ーク51の表面に摩擦が多い場合には、各基板41,4
3の自重によって第一レンズ基板41のアライメントマ
ーク48が第二レンズ基板43のアライメントマーク5
1に自然に滑り込むことはなく、各基板41,43に振
動を与えるなどして各基板41,43を動かすことで、
第一レンズ基板41のアライメントマーク48と第二レ
ンズ基板43のアライメントマーク51とを一致させ
る。
マーク48の表面及び第二レンズ基板43のアライメン
トマーク51の表面が滑らかで摩擦が少ない場合には、
第一レンズ基板41Aと第二レンズ基板43とを重ね合
わせた段階で、各基板41,43の自重によって第一レ
ンズ基板41のアライメントマーク48が第二レンズ基
板43のアライメントマーク51に自然に滑り込むこと
になり、第一レンズ基板41のアライメントマーク48
と第二レンズ基板43のアライメントマーク51とが一
致する。一方、第一レンズ基板41のアライメントマー
ク48の表面及び第二レンズ基板43のアライメントマ
ーク51の表面に摩擦が多い場合には、各基板41,4
3の自重によって第一レンズ基板41のアライメントマ
ーク48が第二レンズ基板43のアライメントマーク5
1に自然に滑り込むことはなく、各基板41,43に振
動を与えるなどして各基板41,43を動かすことで、
第一レンズ基板41のアライメントマーク48と第二レ
ンズ基板43のアライメントマーク51とを一致させ
る。
【0056】なお、第一レンズ基板41のアライメント
マーク48と第二レンズ基板43のアライメントマーク
51とを正確に一致させるためには、図11(a)に示
すように、第一レンズ基板41と第二レンズ基板43と
の間に若干の隙間があることが望ましい。
マーク48と第二レンズ基板43のアライメントマーク
51とを正確に一致させるためには、図11(a)に示
すように、第一レンズ基板41と第二レンズ基板43と
の間に若干の隙間があることが望ましい。
【0057】次に、図11(b)に示すように、第一レ
ンズ基板41のアライメントマーク48と第二レンズ基
板43のアライメントマーク51とを一致させた後、第
一レンズ基板41のアライメントマーク48の突起48
cを変形させる。第一レンズ基板41のアライメントマ
ーク48の突起48cの変形は、加熱により突起48c
を軟化させて変形するものであっても良いし、加圧によ
り突起48cを変形させるものであっても良い。ここで
は、熱可塑性樹脂であるホットメルト接着剤により突起
48cを形成していることから、加熱により突起48c
を軟化させて変形させる。
ンズ基板41のアライメントマーク48と第二レンズ基
板43のアライメントマーク51とを一致させた後、第
一レンズ基板41のアライメントマーク48の突起48
cを変形させる。第一レンズ基板41のアライメントマ
ーク48の突起48cの変形は、加熱により突起48c
を軟化させて変形するものであっても良いし、加圧によ
り突起48cを変形させるものであっても良い。ここで
は、熱可塑性樹脂であるホットメルト接着剤により突起
48cを形成していることから、加熱により突起48c
を軟化させて変形させる。
【0058】なお、アライメントマーク48の突起48
cの変形量は、重ね合わせた基板41,43に加える圧
力、加熱温度、それらを加えている時間などで制御でき
るが、より正確に行うためには、第一レンズ基板41と
第二レンズ基板43との間隔を測定しながら変形させる
ことが望ましい。
cの変形量は、重ね合わせた基板41,43に加える圧
力、加熱温度、それらを加えている時間などで制御でき
るが、より正確に行うためには、第一レンズ基板41と
第二レンズ基板43との間隔を測定しながら変形させる
ことが望ましい。
【0059】また、すべてのアライメントマーク48の
突起48cを一度に変形させた場合は、基板41,43
が横方向にずれてしまう可能性がある。そのような場合
は、すべてのアライメントマーク48の突起48cをま
とめて変形させるのではなく、いくつかのグループに分
けてグループごとに変形させるようにすれば、位置ずれ
を低減することができる。
突起48cを一度に変形させた場合は、基板41,43
が横方向にずれてしまう可能性がある。そのような場合
は、すべてのアライメントマーク48の突起48cをま
とめて変形させるのではなく、いくつかのグループに分
けてグループごとに変形させるようにすれば、位置ずれ
を低減することができる。
【0060】最後に、図11(c)に示すように、アラ
イメントマーク48の突起48cを完全に押しつぶして
上下の基板41,43の表面を突き合わせ、突起48c
を形成する熱可塑性樹脂であるホットメルト接着剤によ
り第一レンズ基板41と第二レンズ基板43とを貼り合
わせる。
イメントマーク48の突起48cを完全に押しつぶして
上下の基板41,43の表面を突き合わせ、突起48c
を形成する熱可塑性樹脂であるホットメルト接着剤によ
り第一レンズ基板41と第二レンズ基板43とを貼り合
わせる。
【0061】ただし、突き合わされた基板41,43の
間にアライメントマーク48の突起48cの形成材料で
あるホットメルト接着剤が出来るだけ残らないように、
第一レンズ基板41に形成されたアライメントマーク4
8の溝48aと第二レンズ基板43に形成されたアライ
メントマーク51の穴51aに余分なホットメルト接着
剤が入り込むようにする必要がある。
間にアライメントマーク48の突起48cの形成材料で
あるホットメルト接着剤が出来るだけ残らないように、
第一レンズ基板41に形成されたアライメントマーク4
8の溝48aと第二レンズ基板43に形成されたアライ
メントマーク51の穴51aに余分なホットメルト接着
剤が入り込むようにする必要がある。
【0062】なお、図12に示すように、第二レンズ基
板43に形成されるアライメントマーク51の穴51a
の形状を矩形形状等にすることにより、穴51aの容積
を大きくすることが出来るので、アライメントマーク4
8の突起48cの形成材料であるホットメルト接着剤が
アライメントマーク51の穴51aに多く入り込むよう
にすることができる。この場合は、アライメントマーク
48の突起48cの高さや、基板を押し付ける際の圧力
や温度を細かく制御する必要がなくなる。
板43に形成されるアライメントマーク51の穴51a
の形状を矩形形状等にすることにより、穴51aの容積
を大きくすることが出来るので、アライメントマーク4
8の突起48cの形成材料であるホットメルト接着剤が
アライメントマーク51の穴51aに多く入り込むよう
にすることができる。この場合は、アライメントマーク
48の突起48cの高さや、基板を押し付ける際の圧力
や温度を細かく制御する必要がなくなる。
【0063】上述したような第一レンズ基板41と第二
レンズ基板43との貼り合わせを行うための貼り合わせ
装置の一例を図13に示す。図13に示す貼り合わせ装
置60は、下側の基板(例えば、第一レンズ基板41)
を保持するための基板保持手段31と、基板保持手段3
1に保持された基板(例えば、第一レンズ基板41)の
端面とこの基板(例えば、第一レンズ基板41)上に重
ね合わされた基板(例えば、第二レンズ基板43)の端
面とを突き合わせ、大まかな位置合わせを行うための突
合せ手段32と、各基板41,43に振動を与えるため
の振動発生手段33と、位置合わせ後に2枚の基板4
1,43を移動しないように押えるための基板固定手段
34と、この基板固定手段34を上下に移動させるため
の移動手段35と、を備えている。ここで、基板保持手
段31は、真空吸着などの手段により下側の基板(例え
ば、第一レンズ基板41)を固定するものである。ま
た、振動発生手段33としては、変位量を数μm程度に
する必要があるため、ピエゾステージなどが利用でき
る。
レンズ基板43との貼り合わせを行うための貼り合わせ
装置の一例を図13に示す。図13に示す貼り合わせ装
置60は、下側の基板(例えば、第一レンズ基板41)
を保持するための基板保持手段31と、基板保持手段3
1に保持された基板(例えば、第一レンズ基板41)の
端面とこの基板(例えば、第一レンズ基板41)上に重
ね合わされた基板(例えば、第二レンズ基板43)の端
面とを突き合わせ、大まかな位置合わせを行うための突
合せ手段32と、各基板41,43に振動を与えるため
の振動発生手段33と、位置合わせ後に2枚の基板4
1,43を移動しないように押えるための基板固定手段
34と、この基板固定手段34を上下に移動させるため
の移動手段35と、を備えている。ここで、基板保持手
段31は、真空吸着などの手段により下側の基板(例え
ば、第一レンズ基板41)を固定するものである。ま
た、振動発生手段33としては、変位量を数μm程度に
する必要があるため、ピエゾステージなどが利用でき
る。
【0064】加えて、貼り合わせ装置60は、第一レン
ズ基板41に形成されるアライメントマーク48の突起
48cを加熱するためのヒーター等である加熱手段61
と、基板41,42に垂直に圧力を加えるための加圧手
段62と、を備えている。ここで、加圧手段62は、圧
力を加えた際に基板41,43が水平方向に移動しない
ようにしておく必要がある。基板固定手段34として真
空チャックなどを用い、基板41,43を固定できるよ
うにしてもよい。なお、加圧による基板間隔の変化が測
定できるように基板固定手段34の位置の変化を測定す
るための測定手段を設けてもよい。また、加熱手段61
は、第一レンズ基板41に形成されるアライメントマー
ク48の突起48cの形成に用いる材料に合わせて、そ
の材料が軟化する程度まで過熱できる必要がある。第一
レンズ基板41に形成されるアライメントマーク48の
突起48cを形成している材料としてインジウムなどの
圧力で容易に変形する材料を用い、加圧だけで必要な面
間隔に調整できるような場合は、加熱手段61を設ける
必要はない。
ズ基板41に形成されるアライメントマーク48の突起
48cを加熱するためのヒーター等である加熱手段61
と、基板41,42に垂直に圧力を加えるための加圧手
段62と、を備えている。ここで、加圧手段62は、圧
力を加えた際に基板41,43が水平方向に移動しない
ようにしておく必要がある。基板固定手段34として真
空チャックなどを用い、基板41,43を固定できるよ
うにしてもよい。なお、加圧による基板間隔の変化が測
定できるように基板固定手段34の位置の変化を測定す
るための測定手段を設けてもよい。また、加熱手段61
は、第一レンズ基板41に形成されるアライメントマー
ク48の突起48cの形成に用いる材料に合わせて、そ
の材料が軟化する程度まで過熱できる必要がある。第一
レンズ基板41に形成されるアライメントマーク48の
突起48cを形成している材料としてインジウムなどの
圧力で容易に変形する材料を用い、加圧だけで必要な面
間隔に調整できるような場合は、加熱手段61を設ける
必要はない。
【0065】このような貼り合わせ装置60を用いれば
上述したような第一レンズ基板41と第二レンズ基板4
3との貼り合わせの手順を実現することができる。
上述したような第一レンズ基板41と第二レンズ基板4
3との貼り合わせの手順を実現することができる。
【0066】なお、特に図示しないが、接着剤を塗布す
る接着剤塗布手段や接着剤を硬化させるための接着剤硬
化手段などをこの貼り合わせ装置60に含めてもかまわ
ない。
る接着剤塗布手段や接着剤を硬化させるための接着剤硬
化手段などをこの貼り合わせ装置60に含めてもかまわ
ない。
【0067】情報記録媒体の記録面上に光スポットを照
射して情報を光学的に記録、再生又は消去等する光ピッ
クアップ用途では、解像限界に近い集光スポットを得る
ため波面収差を抑える必要があり、レンズ面の間隔も高
い精度が要求される。そこで、本実施の形態において
は、基板41,43をアライメントした後、アライメン
トマーク48部分に圧力を加えたり加熱したりすること
で変形させ、面間隔を調整するようにした。
射して情報を光学的に記録、再生又は消去等する光ピッ
クアップ用途では、解像限界に近い集光スポットを得る
ため波面収差を抑える必要があり、レンズ面の間隔も高
い精度が要求される。そこで、本実施の形態において
は、基板41,43をアライメントした後、アライメン
トマーク48部分に圧力を加えたり加熱したりすること
で変形させ、面間隔を調整するようにした。
【0068】次に、本発明の第三の実施の形態を図14
に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような
凸形状のアライメントマーク付きのマイクロレンズ基板
の別の作成方法としてフォトレジストを用いた方法を示
すものである。
に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような
凸形状のアライメントマーク付きのマイクロレンズ基板
の別の作成方法としてフォトレジストを用いた方法を示
すものである。
【0069】図14(a)に示すように、まず、ガラス
基板81に凹面82を形成し、高屈折率の樹脂83を埋
め込んでマイクロレンズを形成した後、カバーガラス8
4を取り付ける。
基板81に凹面82を形成し、高屈折率の樹脂83を埋
め込んでマイクロレンズを形成した後、カバーガラス8
4を取り付ける。
【0070】次に、例えばCCDを接合する側の表面に
フォトレジスト85を塗布し(図14(b)参照)、アラ
メントマークの位置のフォトレジスト85が残るように
露光、現像して(図14(c))、最後に高温でベークを
行いフォトレジスト85を流動させて半球形状のアライ
メントマーク86を有するマイクロレンズ基板80が完
成する(図14(d))。
フォトレジスト85を塗布し(図14(b)参照)、アラ
メントマークの位置のフォトレジスト85が残るように
露光、現像して(図14(c))、最後に高温でベークを
行いフォトレジスト85を流動させて半球形状のアライ
メントマーク86を有するマイクロレンズ基板80が完
成する(図14(d))。
【0071】なお、CCDや液晶パネルなど半導体プロ
セスを用いて作成されている素子は、成膜工程、フォト
リソ工程、エッチング工程を何度か繰り返して作成され
ているので、凹形状のアライメントマークは容易に作成
できる。たとえば、素子の表面を保護するためのパッシ
ベーション膜に対して、電極部分を取り出すための開口
パターンを形成する際に、同時にアライメントマークの
パターンを形成しておけばよい。これにより、アライメ
ントマーク86をマイクロレンズとの相対位置がずれる
ことなく形成することができる。
セスを用いて作成されている素子は、成膜工程、フォト
リソ工程、エッチング工程を何度か繰り返して作成され
ているので、凹形状のアライメントマークは容易に作成
できる。たとえば、素子の表面を保護するためのパッシ
ベーション膜に対して、電極部分を取り出すための開口
パターンを形成する際に、同時にアライメントマークの
パターンを形成しておけばよい。これにより、アライメ
ントマーク86をマイクロレンズとの相対位置がずれる
ことなく形成することができる。
【0072】したがって、これらのCCDや液晶パネル
など半導体プロセスを用いて作成されている素子と貼り
合わせて用いるマイクロレンズ基板80側にあらかじめ
凸形状のアライメントマーク86を作成しておけば、貼
り合わせが容易になる。
など半導体プロセスを用いて作成されている素子と貼り
合わせて用いるマイクロレンズ基板80側にあらかじめ
凸形状のアライメントマーク86を作成しておけば、貼
り合わせが容易になる。
【0073】ここに、第一の基板80の第一のアライメ
ントマーク86の形状を簡単な方法で正確に略半球形状
にすることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合
わせ精度を更に高精度にすることが可能になる。
ントマーク86の形状を簡単な方法で正確に略半球形状
にすることが可能になるので、重ね合わせ位置の位置合
わせ精度を更に高精度にすることが可能になる。
【0074】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、マイクロ
レンズを少なくとも一方に有する二枚の基板の重ね合わ
せ方法であって、第一の基板に、前記マイクロレンズの
位置合わせの基準となる略半球形状であって凸形状の第
一のアライメントマークを形成する第一アライメントマ
ーク形成工程と、第二の基板に、前記マイクロレンズの
位置合わせの基準となる少なくとも前記第一のアライメ
ントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成さ
れた凹形状の第二のアライメントマークを形成する第二
アライメントマーク形成工程と、前記第一の基板の前記
第一のアライメントマークと前記第二の基板の前記第二
のアライメントマークとを対向させ、少なくとも前記第
一のアライメントマークの頂点近傍を前記第二のアライ
メントマークの内部に侵入させ、前記第一の基板と前記
第二の基板とを重ね合わせる基板重ね合わせ工程と、を
含み、アライメントを行う二枚の基板の一方である第一
の基板に、凸形状の第一のアライメントマークを形成
し、他方の第二の基板に、少なくとも第一のアライメン
トマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成され
た凹形状の第二のアライメントマークを形成する。そし
て、凹形状の第二のアライメントマークの内部に対して
凸形状の第一のアライメントマークの頂点近傍を侵入さ
せ、第一の基板と第二の基板とを重ね合わせることによ
り、高精度のステージやマーク観察用の光学系等を用い
ることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度
にすることができる。
レンズを少なくとも一方に有する二枚の基板の重ね合わ
せ方法であって、第一の基板に、前記マイクロレンズの
位置合わせの基準となる略半球形状であって凸形状の第
一のアライメントマークを形成する第一アライメントマ
ーク形成工程と、第二の基板に、前記マイクロレンズの
位置合わせの基準となる少なくとも前記第一のアライメ
ントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成さ
れた凹形状の第二のアライメントマークを形成する第二
アライメントマーク形成工程と、前記第一の基板の前記
第一のアライメントマークと前記第二の基板の前記第二
のアライメントマークとを対向させ、少なくとも前記第
一のアライメントマークの頂点近傍を前記第二のアライ
メントマークの内部に侵入させ、前記第一の基板と前記
第二の基板とを重ね合わせる基板重ね合わせ工程と、を
含み、アライメントを行う二枚の基板の一方である第一
の基板に、凸形状の第一のアライメントマークを形成
し、他方の第二の基板に、少なくとも第一のアライメン
トマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに形成され
た凹形状の第二のアライメントマークを形成する。そし
て、凹形状の第二のアライメントマークの内部に対して
凸形状の第一のアライメントマークの頂点近傍を侵入さ
せ、第一の基板と第二の基板とを重ね合わせることによ
り、高精度のステージやマーク観察用の光学系等を用い
ることなく、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を高精度
にすることができる。
【0075】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の基板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメ
ントマーク形成工程は、前記第一の基板に対してフォト
リソグラフィプロセスとエッチングプロセスとを用いて
リング状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記第一の
基板に形成された前記凹部の内側に、熱可塑性の材料を
付着させる熱可塑性材料付着工程と、前記凹部の内側に
付着された前記熱可塑性材料を加熱して溶融し、前記熱
可塑性材料を表面張力により略半球形状に形成する半球
形状形成工程と、を含むことにより、第一の基板の第一
のアライメントマークの形状を簡単な方法で正確に略半
球形状にすることができるので、重ね合わせ位置の位置
合わせ精度を更に高精度にすることができる。
載の基板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメ
ントマーク形成工程は、前記第一の基板に対してフォト
リソグラフィプロセスとエッチングプロセスとを用いて
リング状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記第一の
基板に形成された前記凹部の内側に、熱可塑性の材料を
付着させる熱可塑性材料付着工程と、前記凹部の内側に
付着された前記熱可塑性材料を加熱して溶融し、前記熱
可塑性材料を表面張力により略半球形状に形成する半球
形状形成工程と、を含むことにより、第一の基板の第一
のアライメントマークの形状を簡単な方法で正確に略半
球形状にすることができるので、重ね合わせ位置の位置
合わせ精度を更に高精度にすることができる。
【0076】請求項3記載の発明によれば、請求項1記
載の基板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメ
ントマーク形成工程は、前記第一の基板の表面にフォト
レジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、前記第
一のアライメントマークに対応する位置以外の前記フォ
トレジストが除去されるように前記フォトレジストを露
光し、現像を行う露光・現像工程と、前記フォトレジス
トを加熱して略半球形状に形成する半球形状形成工程
と、を含むことにより、第一の基板の第一のアライメン
トマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にする
ことができるので、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を
更に高精度にすることができる。
載の基板の重ね合わせ方法において、前記第一アライメ
ントマーク形成工程は、前記第一の基板の表面にフォト
レジストを塗布するフォトレジスト塗布工程と、前記第
一のアライメントマークに対応する位置以外の前記フォ
トレジストが除去されるように前記フォトレジストを露
光し、現像を行う露光・現像工程と、前記フォトレジス
トを加熱して略半球形状に形成する半球形状形成工程
と、を含むことにより、第一の基板の第一のアライメン
トマークの形状を簡単な方法で正確に略半球形状にする
ことができるので、重ね合わせ位置の位置合わせ精度を
更に高精度にすることができる。
【0077】請求項4記載の発明によれば、請求項1な
いし3のいずれか一記載の基板の重ね合わせ方法におい
て、前記基板重ね合わせ工程の終了後、前記第一の基板
に形成された前記第一のアライメントマークを変形さ
せ、前記第一の基板と前記第二の基板との間隔を調整す
る間隔調整工程を更に含むことにより、第一の基板と第
二の基板との間隔調整を容易に行うことができる。
いし3のいずれか一記載の基板の重ね合わせ方法におい
て、前記基板重ね合わせ工程の終了後、前記第一の基板
に形成された前記第一のアライメントマークを変形さ
せ、前記第一の基板と前記第二の基板との間隔を調整す
る間隔調整工程を更に含むことにより、第一の基板と第
二の基板との間隔調整を容易に行うことができる。
【0078】請求項5記載の発明によれば、請求項4記
載の基板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程
は、前記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面
に対して垂直に加圧し、前記第一のアライメントマーク
を変形させることにより、第一の基板と第二の基板との
間隔調整を確実に行うことができる。
載の基板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程
は、前記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面
に対して垂直に加圧し、前記第一のアライメントマーク
を変形させることにより、第一の基板と第二の基板との
間隔調整を確実に行うことができる。
【0079】請求項6記載の発明によれば、請求項4記
載の基板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程
は、前記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面
に対して垂直に加圧し、かつ、前記第一のアライメント
マークを加熱して溶融し、前記第一のアライメントマー
クを変形させることにより、第一の基板と第二の基板と
の間隔調整を確実に行うことができる。
載の基板の重ね合わせ方法において、前記間隔調整工程
は、前記第一の基板と前記第二の基板とをその重なり面
に対して垂直に加圧し、かつ、前記第一のアライメント
マークを加熱して溶融し、前記第一のアライメントマー
クを変形させることにより、第一の基板と第二の基板と
の間隔調整を確実に行うことができる。
【0080】請求項7記載の発明によれば、1対のマイ
クロレンズを少なくとも1組以上有する光学素子におい
て、1対をなす一方の前記マイクロレンズとこのマイク
ロレンズの位置合わせの基準となる略半球形状であって
凸形状の第一のアライメントマークとを有する第一の基
板と、1対をなす他方の前記マイクロレンズとこのマイ
クロレンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第
一のアライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大
きさに形成された凹形状の第二のアライメントマークと
を有する第二の基板と、備え、一方の第一の基板に、凸
形状の第一のアライメントマークをマイクロレンズとと
もに形成し、他方の第二の基板に、少なくとも第一のア
ライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに
形成された凹形状の第二のアライメントマークをマイク
ロレンズとともに形成する。そして、凹形状の第二のア
ライメントマークの内部に対して凸形状の第一のアライ
メントマークの頂点近傍を侵入させ、第一の基板と第二
の基板とを重ね合わせることにより、高精度のステージ
やマーク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わ
せ位置の位置合わせ精度を高精度にすることができる。
クロレンズを少なくとも1組以上有する光学素子におい
て、1対をなす一方の前記マイクロレンズとこのマイク
ロレンズの位置合わせの基準となる略半球形状であって
凸形状の第一のアライメントマークとを有する第一の基
板と、1対をなす他方の前記マイクロレンズとこのマイ
クロレンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第
一のアライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大
きさに形成された凹形状の第二のアライメントマークと
を有する第二の基板と、備え、一方の第一の基板に、凸
形状の第一のアライメントマークをマイクロレンズとと
もに形成し、他方の第二の基板に、少なくとも第一のア
ライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに
形成された凹形状の第二のアライメントマークをマイク
ロレンズとともに形成する。そして、凹形状の第二のア
ライメントマークの内部に対して凸形状の第一のアライ
メントマークの頂点近傍を侵入させ、第一の基板と第二
の基板とを重ね合わせることにより、高精度のステージ
やマーク観察用の光学系等を用いることなく、重ね合わ
せ位置の位置合わせ精度を高精度にすることができる。
【図1】本発明の第一の実施の形態の第一のマイクロレ
ンズアレイ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は
(a)のX−X´における断面図である。
ンズアレイ基板を示し、(a)はその平面図、(b)は
(a)のX−X´における断面図である。
【図2】アライメントマーク作成のプロセスを示す説明
図である。
図である。
【図3】第二のマイクロレンズアレイ基板を示し、
(a)はその平面図、(b)は(a)のY−Y´におけ
る断面図である。
(a)はその平面図、(b)は(a)のY−Y´におけ
る断面図である。
【図4】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合わ
せ手順を示す第一の説明図である。
せ手順を示す第一の説明図である。
【図5】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合わ
せ手順を示す第二の説明図である。
せ手順を示す第二の説明図である。
【図6】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合わ
せ手順を示す第三の説明図である。
せ手順を示す第三の説明図である。
【図7】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合わ
せを行うための貼り合わせ装置の一例を示す正面図であ
る。
せを行うための貼り合わせ装置の一例を示す正面図であ
る。
【図8】本発明の第二の実施の形態の二枚のマイクロレ
ンズ基板により構成される対物レンズを示す縦断側面図
である。
ンズ基板により構成される対物レンズを示す縦断側面図
である。
【図9】第一レンズ基板を示す平面図である。
【図10】第二レンズ基板を示す平面図である。
【図11】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合
わせ手順を示す説明図である。
わせ手順を示す説明図である。
【図12】第二レンズ基板の変形例を示す平面図であ
る。
る。
【図13】第一レンズ基板と第二レンズ基板との貼り合
わせを行うための貼り合わせ装置の一例を示す正面図で
ある。
わせを行うための貼り合わせ装置の一例を示す正面図で
ある。
【図14】本発明の第三の実施の形態の凸形状のアライ
メントマーク付きのマイクロレンズ基板の別の作成方法
を示す説明図である。
メントマーク付きのマイクロレンズ基板の別の作成方法
を示す説明図である。
1,7,42,44 マイクロレンズ
5,48,86 第一のアライメントマーク
5a,48a リング状の凹部
11,51 第二のアライメントマーク
40 光学素子
41,80,A 第一の基板
43,B 第二の基板
85 フォトレジスト
P 熱可塑性材料
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
G02F 1/1335 G02F 1/1335
(72)発明者 清澤 良行
東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式
会社リコー内
(72)発明者 三船 博庸
東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式
会社リコー内
Fターム(参考) 2H043 AE02 AE18 AE23
2H044 AA02 AA04 AA09 AA11 AA18
AA20
2H088 EA12 FA01 FA16 FA30 HA01
HA25 MA20
2H090 JA04 JA16 JA19 JC12 JD01
LA12
2H091 FA29Z FB07 FC10 FC26
FD06 FD12 FD17 GA01 LA12
MA07
Claims (7)
- 【請求項1】 マイクロレンズを少なくとも一方に有す
る二枚の基板の重ね合わせ方法であって、 第一の基板に、前記マイクロレンズの位置合わせの基準
となる略半球形状であって凸形状の第一のアライメント
マークを形成する第一アライメントマーク形成工程と、 第二の基板に、前記マイクロレンズの位置合わせの基準
となる少なくとも前記第一のアライメントマークの頂点
近傍の侵入を許容する大きさに形成された凹形状の第二
のアライメントマークを形成する第二アライメントマー
ク形成工程と、 前記第一の基板の前記第一のアライメントマークと前記
第二の基板の前記第二のアライメントマークとを対向さ
せ、少なくとも前記第一のアライメントマークの頂点近
傍を前記第二のアライメントマークの内部に侵入させ、
前記第一の基板と前記第二の基板とを重ね合わせる基板
重ね合わせ工程と、を含むことを特徴とする基板の重ね
合わせ方法。 - 【請求項2】 前記第一アライメントマーク形成工程
は、 前記第一の基板に対してフォトリソグラフィプロセスと
エッチングプロセスとを用いてリング状の凹部を形成す
る凹部形成工程と、 前記第一の基板に形成された前記凹部の内側に、熱可塑
性の材料を付着させる熱可塑性材料付着工程と、 前記凹部の内側に付着された前記熱可塑性材料を加熱し
て溶融し、前記熱可塑性材料を表面張力により略半球形
状に形成する半球形状形成工程と、を含むことを特徴と
する請求項1記載の基板の重ね合わせ方法。 - 【請求項3】 前記第一アライメントマーク形成工程
は、 前記第一の基板の表面にフォトレジストを塗布するフォ
トレジスト塗布工程と、 前記第一のアライメントマークに対応する位置以外の前
記フォトレジストが除去されるように前記フォトレジス
トを露光し、現像を行う露光・現像工程と、 前記フォトレジストを加熱して略半球形状に形成する半
球形状形成工程と、を含むことを特徴とする請求項1記
載の基板の重ね合わせ方法。 - 【請求項4】 前記基板重ね合わせ工程の終了後、前記
第一の基板に形成された前記第一のアライメントマーク
を変形させ、前記第一の基板と前記第二の基板との間隔
を調整する間隔調整工程を更に含むことを特徴とする請
求項1ないし3のいずれか一記載の基板の重ね合わせ方
法。 - 【請求項5】 前記間隔調整工程は、前記第一の基板と
前記第二の基板とをその重なり面に対して垂直に加圧
し、前記第一のアライメントマークを変形させることを
特徴とする請求項3または4記載の基板の重ね合わせ方
法。 - 【請求項6】 前記間隔調整工程は、前記第一の基板と
前記第二の基板とをその重なり面に対して垂直に加圧
し、かつ、前記第一のアライメントマークを加熱して溶
融し、前記第一のアライメントマークを変形させること
を特徴とする請求項3または4記載の基板の重ね合わせ
方法。 - 【請求項7】 1対のマイクロレンズを少なくとも1組
以上有する光学素子において、 1対をなす一方の前記マイクロレンズとこのマイクロレ
ンズの位置合わせの基準となる略半球形状であって凸形
状の第一のアライメントマークとを有する第一の基板
と、 1対をなす他方の前記マイクロレンズとこのマイクロレ
ンズの位置合わせの基準となる少なくとも前記第一のア
ライメントマークの頂点近傍の侵入を許容する大きさに
形成された凹形状の第二のアライメントマークとを有す
る第二の基板と、備えることを特徴とする光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002050874A JP2003248156A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 基板の重ね合わせ方法および光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002050874A JP2003248156A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 基板の重ね合わせ方法および光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003248156A true JP2003248156A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28662990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002050874A Pending JP2003248156A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 基板の重ね合わせ方法および光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003248156A (ja) |
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-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002050874A patent/JP2003248156A/ja active Pending
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