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JP2003121481A - Device and method for measuring inductance of current sensing low resistor - Google Patents

Device and method for measuring inductance of current sensing low resistor

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Publication number
JP2003121481A
JP2003121481A JP2001317076A JP2001317076A JP2003121481A JP 2003121481 A JP2003121481 A JP 2003121481A JP 2001317076 A JP2001317076 A JP 2001317076A JP 2001317076 A JP2001317076 A JP 2001317076A JP 2003121481 A JP2003121481 A JP 2003121481A
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JP
Japan
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current
resistor
inductance
voltage
measured
Prior art date
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Application number
JP2001317076A
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Japanese (ja)
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Inventor
Koichi Hirasawa
浩一 平沢
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Koa Corp
Original Assignee
Koa Corp
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Publication date
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Priority to US10/170,200 priority patent/US6798189B2/en
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Priority to US10/921,915 priority patent/US7292022B2/en
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  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inductance measuring device and its method for measuring an effective inductance in an actual usage condition of a current sensing low resistor. SOLUTION: This inductance measuring device is provided with a generation source 21 of a serrate current, a wire line 22 feeding the serrate current to a measured resistor 11, a current detector 23 connected to the wire line 22 for detecting a current, a voltage detector 12 connected to both ends of the measured resistor 11 for detecting a voltage generated by the current, and a waveform display device 26 displaying an output of the current detector 23 and an output of the voltage detector 12 with contrast between them.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
回路の電流検出回路等に用いて好適な電流検出用低抵抗
器の測定技術に関する。特に、高い周波数成分まで含有
する大電流を検出する電流検出用低抵抗器の実効的なイ
ンダクタンスを測定する装置および方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for measuring a current detection low resistor suitable for use in a current detection circuit of a switching power supply circuit. In particular, the present invention relates to an apparatus and method for measuring the effective inductance of a current detection low resistor for detecting a large current containing even high frequency components.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パソコン等の電子機器において
は、CPUチップの低電圧・高電流化に伴い、DC/D
Cコンバータ等のスイッチング電源が用いられている。
このスイッチング電源には、電流検出用低抵抗器が用い
られ、数十〜数百kHzの周波数帯域で使用され、数A
〜数十Aの鋸歯状波電流が流れ、抵抗器両端に生じる電
圧から電流値の大きさが検出される。このような用途の
電流検出用低抵抗器においては、抵抗値はなるべく低い
ことが必要であり、数mΩ以下が用いられ、抵抗器自体
の寄生インダクタンスもできるだけ低いことが望まし
い。何故ならば、抵抗器の抵抗値自体が小さく周波数が
比較的高いため、たとえ1nH程度の小さなインダクタ
ンスでも、抵抗器両端で見た合成インピーダンスが大き
くなり、電圧の検出誤差となるからである。
2. Description of the Related Art In recent years, in electronic equipment such as personal computers, DC / D
A switching power supply such as a C converter is used.
This switching power supply uses a low-current resistor for current detection, is used in a frequency band of several tens to several hundreds of kHz, and has several A
A sawtooth wave current of several tens A flows and the magnitude of the current value is detected from the voltage generated across the resistor. In the current detection low resistance for such an application, the resistance value needs to be as low as possible, several mΩ or less is used, and it is desirable that the parasitic inductance of the resistance itself is as low as possible. This is because the resistance value of the resistor itself is small and the frequency is relatively high, so that even with a small inductance of about 1 nH, the combined impedance seen at both ends of the resistor becomes large, resulting in a voltage detection error.

【0003】電流検出用低抵抗器の検出誤差を左右する
寄生インダクタンスを評価するために、従来は電流検出
用抵抗器を単品でテストフィクスチャーなどに装着して
インピーダンスを測定していた。しかしながら、このよ
うにして測定したインピーダンスから算出したインダク
タンス値は、実際に使用されるDC/DCコンバーター
などの電流検出回路の設計においてはあまり意味を為さ
ない。これは以下の理由による。
In order to evaluate the parasitic inductance which influences the detection error of the low resistance for current detection, conventionally, the current detection resistor is individually attached to a test fixture or the like to measure the impedance. However, the inductance value calculated from the impedance thus measured does not make much sense in the design of a current detection circuit such as a DC / DC converter actually used. This is for the following reason.

【0004】通常、電流検出用低抵抗器のインダクタン
スは1nH程度以下と非常に小さく、数百MHzからG
Hzオーダーの周波数を用いて測定する、インピーダン
スアナライザーなどによってのみ測定が可能である。し
かしながら、電流検出用低抵抗器が使用されるのは、実
際にはほとんど10MHz程度以下の周波数帯域であ
る。高周波になると表皮効果などが顕著に現れるため、
実使用状態とかけ離れた高周波で測定されたインダクタ
ンスは、電流検出用低抵抗器の実使用状態でのインダク
タンスとは異なり、意味のない数値となる。
Usually, the inductance of the low current detecting resistor is very small, about 1 nH or less, from several hundred MHz to G
It can be measured only by an impedance analyzer or the like, which uses a frequency on the order of Hz. However, the low resistance for current detection is actually used in the frequency band of about 10 MHz or less. When the frequency becomes high, the skin effect and so on will appear remarkably,
The inductance measured at a high frequency far from the actual use state is a meaningless value, unlike the inductance in the actual use state of the current detection low resistor.

【0005】また、上述したように、DC/DCコンバ
ータ等のスイッチング電源の電流検出用低抵抗器には数
A〜数十Aの電流が流れる。抵抗値が低くても電流が大
きいため大きなジュール熱が発生する。この熱により抵
抗器内の抵抗率が変化し電流経路が変化するのでインダ
クタンスは通過電流の関数となる。従来のインピーダン
スアナライザーなどの測定機ではこのような大電流は扱
えない。従って従来の方法で測定されたインダクタンス
は電流検出用低抵抗器の実使用状態でのインダクタンス
とは異なってしまうという問題がある。
Further, as described above, a current of several A to several tens of A flows in the current detecting low resistor of the switching power supply such as the DC / DC converter. Even if the resistance value is low, a large current causes a large Joule heat. This heat changes the resistivity in the resistor and changes the current path, so the inductance is a function of the passing current. Conventional measuring machines such as impedance analyzers cannot handle such large currents. Therefore, there is a problem that the inductance measured by the conventional method is different from the inductance in the actual use state of the current detection low resistor.

【0006】また、一般的なテストフィクスチャーでは
端子間インピーダンスは測定できるが、このようにして
測られたインダクタンスは実使用状態でのインダクタン
スとは異なる。即ち、実使用状態でのインダクタンスは
数十〜数百kHzの周波数帯域の鋸歯状波電流に対して
電圧の変化が現れるものである。この周波数帯では表皮
効果及び寄生容量の影響が大きく現れるため、通常のイ
ンピーダンスアナライザーなどによって測定されたイン
ピーダンスとは異なる値となる。従って、これは現実の
使用状態を反映する量とは言い難い。
Further, the impedance between terminals can be measured by a general test fixture, but the inductance measured in this way is different from the inductance in the actual use state. That is, the inductance in the actual use state shows a change in voltage with respect to the sawtooth wave current in the frequency band of several tens to several hundreds kHz. In this frequency band, the skin effect and the effect of the parasitic capacitance are significant, and therefore the value is different from the impedance measured by an ordinary impedance analyzer or the like. Therefore, it is hard to say that this amount reflects the actual usage state.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上の理由により、従
来の測定方法で測定されたインダクタンス値は、単に寄
生インダクタンスが大きそうか小さそうかを見る目安と
なる程度であり、直接、DC/DCコンバータ等の電流
検出回路の設計に適用することは不可能である。
For the above reasons, the inductance value measured by the conventional measuring method is merely a reference to see whether the parasitic inductance is likely to be large or small. It cannot be applied to the design of current detection circuits such as converters.

【0008】本発明は上記事情に鑑みて為されたもの
で、電流検出用低抵抗器の実使用状態での実効的インダ
クタンスを測定することができるインダクタンス測定装
置および方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an inductance measuring apparatus and method capable of measuring the effective inductance of a current detection low resistor in an actual use state. To do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のインダクタンス
測定方法は、実使用状態に近い鋸歯状波電流を被測定抵
抗器に供給し、その電流を検出すると共に、前記被測定
抵抗器の両端に結合して前記電流によって生じる電圧を
検出し、鋸歯状波電流の変化とこれに対応した検出電圧
の変化から前記被測定抵抗器の実効的なインダクタンス
を算定することを特徴とするものである。このため、本
発明のインダクタンス測定装置は、鋸歯状波電流の発生
源と、その鋸歯状波電流を被測定抵抗器に供給する配線
と、電流を検出する電流検出器と、被測定抵抗器の両端
に生じる電圧を検出する電圧検出器と、電流検出器出力
と電圧検出器出力とを対比して表示する波形表示装置と
を備える。
According to the inductance measuring method of the present invention, a sawtooth wave current close to an actual use state is supplied to a resistor to be measured, the current is detected, and both ends of the resistor to be measured are detected. The voltage generated by the current is coupled and detected, and the effective inductance of the measured resistor is calculated from the change in the sawtooth wave current and the corresponding change in the detected voltage. Therefore, the inductance measuring device of the present invention includes a source of a sawtooth current, wiring for supplying the sawtooth current to the resistor to be measured, a current detector for detecting the current, and a resistor to be measured. A voltage detector that detects the voltage generated at both ends and a waveform display device that displays the current detector output and the voltage detector output in comparison are provided.

【0010】上述した本発明によれば、実際に電流検出
用低抵抗器が使われる状態でのインダクタンスを測定す
ることができる。従って、数mΩ以下の抵抗器の検出誤
差に大きな影響を与えるインダクタンスの正確な評価が
可能となるので、DC/DCコンバータ等のスイッチン
グ電源等に用いて、誤差電圧の発生を予測することが可
能となる。また、実使用状態での低抵抗器のインダクタ
ンスを評価することができるので、誤差電圧が殆ど発生
しない低インダクタンスの電流検出用低抵抗器を製造す
ることにも資するものである。
According to the present invention described above, it is possible to measure the inductance in a state where the low current detecting resistor is actually used. Therefore, it is possible to accurately evaluate the inductance that greatly affects the detection error of a resistor of several mΩ or less, and it is possible to predict the occurrence of an error voltage by using it in a switching power supply such as a DC / DC converter. Becomes Further, since the inductance of the low resistor in the actual use state can be evaluated, it also contributes to manufacture of a low inductance current detecting low resistor in which an error voltage hardly occurs.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
添付図面を参照しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0012】図1(a)は、電流検出用低抵抗器の被測
定電流の検出回路例を示す。電流検出用低抵抗器11の
両端部(電極)をランド13,14に固定し、抵抗器1
1に被測定電流Iを流す。そして、抵抗器両端を固定し
たランドの電圧引出部(電圧検出端子)から電位差(電
圧)を取り出すことによって、既知の抵抗値に対して電
流と電圧が比例関係にあることから、被測定電流Iの大
きさを検出する。被測定電流Iを検出する場合、理想的
には図1のA点とB点の間から取り出される電位差V
ABは、単に抵抗体の抵抗値Rと被測定電流値Iの積に
ならなければならない。しかしながら、実際には抵抗体
のもつ寄生インダクタンスLが被測定電流Iの時間変化
分に対応した電圧L×(dI/dt)を発生させるた
め、この電圧が検出誤差となる。即ち、図1(b)に示
すように、抵抗器11には図中破線で示す鋸歯状波電流
が流れるが、その電流波形頂部Dで電圧変化ΔVが発生
する。
FIG. 1A shows an example of a circuit for detecting a current to be measured of a current detection low resistor. Both ends (electrodes) of the low-current detecting resistor 11 are fixed to the lands 13 and 14, and the resistor 1
A current I to be measured is passed through 1. Then, by extracting the potential difference (voltage) from the voltage lead-out portion (voltage detection terminal) of the land with both ends of the resistor fixed, the current and the voltage are in proportion to the known resistance value. Detect the size of. When detecting the current I to be measured, ideally the potential difference V extracted from between points A and B in FIG.
AB must simply be the product of the resistance value R of the resistor and the measured current value I. However, in reality, the parasitic inductance L of the resistor generates a voltage L × (dI / dt) corresponding to the time change of the measured current I, and this voltage becomes a detection error. That is, as shown in FIG. 1B, a sawtooth wave current shown by a broken line in the drawing flows through the resistor 11, but a voltage change ΔV occurs at the top D of the current waveform.

【0013】電圧検出端子配線16a,16bに現れた
電圧は、図1(a)に示すように電圧比較器または電圧
増幅器12へ導かれ、電圧が検出される。しかしなが
ら、抵抗体には上述したように自己インダクタンスLが
存在し、その引出パターン(電圧検出端子配線パター
ン)と、被測定電流経路を流れる電流Iが磁気的に結合
するため、実際の電位差VABは、 VAB=R×I+L×(dI/dt)−M×(dI/d
t) となる。
The voltage appearing on the voltage detection terminal wirings 16a and 16b is guided to the voltage comparator or the voltage amplifier 12 as shown in FIG. 1 (a), and the voltage is detected. However, the self-inductance L exists in the resistor as described above, and the extraction pattern (voltage detection terminal wiring pattern) and the current I flowing through the measured current path are magnetically coupled, so that the actual potential difference V AB Is V AB = R × I + L × (dI / dt) −M × (dI / d
t).

【0014】ここでMは図2の等価回路に示す相互イン
ダクタンスである。電圧比較器または電圧増幅器12へ
流れる電流は、被測定電流Iに対してほとんど無視しう
るほど小さいため、上式には加えていない。L−Mが実
際の電流検出抵抗器で誤差を与える実効的なインダクタ
ンスであり、実効的インダクタンスという意味でLeと
表すと、 Le=L−M VAB=R×I+Le×(dI/dt) と簡単になる。Le×(dI/dt)が実質上の検出誤
差電圧ΔVである。
Here, M is the mutual inductance shown in the equivalent circuit of FIG. The current flowing to the voltage comparator or the voltage amplifier 12 is almost negligible with respect to the measured current I, and thus is not added to the above equation. LM is an effective inductance that gives an error in the actual current detection resistor, and when expressed as Le in the meaning of effective inductance, Le = L- MVA B = R × I + Le × (dI / dt) It will be easy. Le × (dI / dt) is substantially the detection error voltage ΔV.

【0015】インピーダンスアナライザーなどによる測
定では、自己インダクタンスLか、または電圧検出端子
から見たインピーダンスしか測定できない。電圧検出端
子から見たインピーダンスからは、次の理由により、実
効的インダクタンスLeは算出できない。 電圧検出端子配線自体の自己インピーダンスを含んで
しまう。 電流検出用低抵抗器のインダクタンスが電流値によっ
て変化する。これは、実使用状態での通電電流が数〜数
十Aに及ぶため、抵抗体内部に高いジュール熱が発生す
ることによる。抵抗対内部が発熱すると抵抗器を構成す
る物質の抵抗温度係数に応じた抵抗値変化が起こり、電
流経路を変化させることによる。自己インダクタンス
L、相互インダクタンスMはともに形状に依存する性質
を有するので、電流の経路が変化するとそれに応じて変
化してしまう。また、物理的に電圧検出端子配線には、
抵抗体の電流と同じ大電流は流せない。 電流検出用低抵抗器は一般的に数十〜数百kHzの周
波数帯域で使用される。実効的インダクタンスLeは数
nH以下の非常に小さな値である。このような値をイン
ピーダンスアナライザーのような従来の測定機器で測定
しようとする場合、数十〜数百MHz以上の周波数の交
流電圧・電流を使わなければならないので、表皮効果等
により正確な測定が困難となる。
In measurement with an impedance analyzer or the like, only the self-inductance L or the impedance seen from the voltage detection terminal can be measured. The effective inductance Le cannot be calculated from the impedance seen from the voltage detection terminal for the following reason. This includes the self-impedance of the voltage detection terminal wiring itself. The inductance of the low current detecting resistor changes depending on the current value. This is because the energizing current in actual use reaches several to several tens of amperes, so that high Joule heat is generated inside the resistor. When the inside of the resistor pair generates heat, the resistance value changes according to the temperature coefficient of resistance of the substance forming the resistor, and the current path is changed. Since the self-inductance L and the mutual inductance M both have a shape-dependent property, if the current path changes, it changes accordingly. Also, physically, the voltage detection terminal wiring,
The same large current as the resistor current cannot flow. The current detection low resistor is generally used in a frequency band of several tens to several hundreds of kHz. The effective inductance Le has a very small value of several nH or less. When measuring such a value with a conventional measuring device such as an impedance analyzer, it is necessary to use an AC voltage / current with a frequency of several tens to several hundreds of MHz or higher, so accurate measurement is possible due to the skin effect. It will be difficult.

【0016】図3は、抵抗器両端に生じる電圧を取り出
す電圧検出端子配線の好ましい形態例を示す。電流検出
用抵抗器11の両端電極がランド13,14に固定さ
れ、電圧取出用の電圧検出端子配線16がランド13,
14から引き出されている。実効的インダクタンスLe
は電流検出用抵抗器の構造と、それが実装される電圧検
出端子配線パターンにより決まる。従って、自己インダ
クタンスから相互インダクタンスが差し引かれ、実効的
インダクタンスLeが殆どゼロとなる図3のようなパタ
ーンが好ましい。その理由を次に述べる。
FIG. 3 shows a preferred form of the voltage detection terminal wiring for extracting the voltage generated across the resistor. Both electrodes of the current detection resistor 11 are fixed to the lands 13 and 14, and the voltage detection terminal wiring 16 for voltage extraction is provided to the lands 13 and 14.
It is pulled out from 14. Effective inductance Le
Is determined by the structure of the current detection resistor and the voltage detection terminal wiring pattern on which it is mounted. Therefore, the mutual inductance is subtracted from the self-inductance, and the pattern as shown in FIG. 3 in which the effective inductance Le becomes almost zero is preferable. The reason will be described below.

【0017】電圧測定用の電圧検出端子配線16は抵抗
器11の電流に沿った水平中心軸(両ランドの中心軸)
に沿って中央に引き出され(図中B,B′で示す)、両
ランド間の中心軸(垂直中心軸)でそれぞれ直角方向に
曲げた後(図中A,A′で示す)、片方をビア15で裏
パターンに接続して折り返し、垂直中心軸に沿って基板
表裏面に平行に配置されている。即ち、電圧検出端子配
線の基板表面のみを通る配線パターンAと、ビア15を
介して裏面に引き出される配線パターンA′とは、基板
の絶縁層を挟んでその表裏面で重ねられて、図中の垂直
方向に導かれる。このように配線パターンを重ねること
で、両配線パターンからなる電圧検出端子配線16の作
るループ内に抵抗器11を流れる電流および配線パター
ンを流れる電流の磁束が鎖交しなくなるため、図2にお
ける相互インダクタンスMは引き出しパターンの長短に
よる影響を受けなくなる。そして、両電圧検出端子から
の電圧は、抵抗器及び通電パターンを流れる電流が作る
磁束による影響が十分少なくなる位置まで重ねられた状
態で引き出された後に、リッツ線(より線)等に接続さ
れて電圧検出器12により検出される。
The voltage detection terminal wiring 16 for voltage measurement is a horizontal central axis along the current of the resistor 11 (central axis of both lands).
Along the center (indicated by B and B'in the figure) and bent at right angles to the central axis (vertical central axis) between the lands (indicated by A and A'in the figure), and then one of them The vias 15 are connected to the back pattern, folded back, and arranged parallel to the front and back surfaces of the substrate along the vertical central axis. That is, the wiring pattern A passing only on the substrate front surface of the voltage detection terminal wiring and the wiring pattern A ′ drawn out to the back surface via the via 15 are overlapped on the front and back surfaces with the insulating layer of the substrate sandwiched therebetween. Is guided vertically. By overlapping the wiring patterns in this manner, the magnetic flux of the current flowing through the resistor 11 and the magnetic flux of the current flowing through the wiring pattern do not interlink in the loop formed by the voltage detection terminal wiring 16 composed of both wiring patterns, so that the mutual flux in FIG. The inductance M is not affected by the length of the extraction pattern. Then, the voltage from both voltage detection terminals is connected to a litz wire (stranded wire), etc. after being pulled out in a state of being overlapped to a position where the influence of the magnetic flux created by the current flowing through the resistor and the energization pattern is sufficiently reduced Is detected by the voltage detector 12.

【0018】電圧検出端子配線は、0.2〜0.3mm
程度のなるべく細いパターンを使用して、電圧検出端子
水平パターンB,B′は水平中心軸に極力沿う様にし、
電圧検出端子垂直パターンA,A′は垂直中心軸に中心
を合わせることが望ましい。図4(a)に示すように電
圧検出端子垂直パターンが垂直中心軸から離れると、相
互インダクタンスMが減少し、実効的インダクタンスL
eは増加する。逆に、図4(b)に示すように電圧検出
端子垂直パターンが垂直中心軸を越えて存在すると、相
互インダクタンスMが増加し、自己インダクタンスLよ
りも大きくなる場合には、実効的インダクタンスLeは
減少し、負となる。
The voltage detection terminal wiring is 0.2 to 0.3 mm
Use a pattern that is as thin as possible, and make the voltage detection terminal horizontal patterns B and B'line along the horizontal center axis as much as possible.
The voltage detection terminal vertical patterns A and A'are preferably centered on the vertical center axis. As shown in FIG. 4A, when the voltage detection terminal vertical pattern is separated from the vertical center axis, the mutual inductance M decreases and the effective inductance L decreases.
e increases. On the contrary, when the voltage detection terminal vertical pattern exists beyond the vertical center axis as shown in FIG. 4B, when the mutual inductance M increases and becomes larger than the self-inductance L, the effective inductance Le becomes It decreases and becomes negative.

【0019】従って、電圧検出端子垂直パターンA,
A′を垂直中心軸に重ね合わせることが実効的インダク
タンスLeを小さくし、且つ図4(b)のような過度な
結合を防ぐ上で重要になる。即ち、電圧検出端子配線
B,B′の配線長は抵抗器の自己インダクタンス分の長
さと略等しくなる。従って、電圧検出端子配線による相
互インダクタンス分を自己インダクタンス分から実質的
に差し引くことができる。抵抗器の実効的インダクタン
スLeを普遍的に測定して比較したい場合、 最小限の
条件で実効的インダクタンスLeの再現性が確保される
ような電圧検出端子パターンでなければならず、さらに
外部磁束等ノイズの影響が排除されなければならない。
上記パターンはまさにその条件を満たしている。
Therefore, the voltage detection terminal vertical pattern A,
It is important to superimpose A ′ on the vertical central axis in order to reduce the effective inductance Le and prevent excessive coupling as shown in FIG. That is, the wiring length of the voltage detection terminal wirings B and B'is substantially equal to the length of the self-inductance of the resistor. Therefore, the mutual inductance due to the voltage detection terminal wiring can be substantially subtracted from the self-inductance. If you want to universally measure and compare the effective inductance Le of the resistor, the voltage detection terminal pattern must be such that the reproducibility of the effective inductance Le is ensured under the minimum conditions. The effects of noise must be eliminated.
The above pattern exactly meets that requirement.

【0020】このような配線パターンで測定した実効的
インダクタンスLeは、他の回路による補正無しで、電
流検出用低抵抗器を如何に誤差なく電流検出に使用でき
るかを示す指標となる。また、プリント基板表裏面に重
ねられた電圧検出端子配線16が挟む絶縁層は、なるべ
く薄いことが誤差を軽減する上で望ましい。ランド1
3,14の形状は、測定すべき電流検出用低抵抗器電極
形状により異なるので、電流検出用低抵抗器の電極形状
に合わせたものを使用することが望ましい。
The effective inductance Le measured with such a wiring pattern is an index showing how the low resistance for current detection can be used for current detection without correction by other circuits. Further, it is desirable that the insulating layers sandwiched by the voltage detection terminal wirings 16 stacked on the front and back surfaces of the printed circuit board are as thin as possible in order to reduce an error. Land 1
Since the shapes of 3 and 14 differ depending on the electrode shape of the current detecting low resistance resistor to be measured, it is desirable to use a shape that matches the electrode shape of the current detecting low resistance resistor.

【0021】このような配線パターンで求めた実効的イ
ンダクタンスLeの値は、電流検出用抵抗器自体の良さ
をあらわす普遍的かつ設計上の実用的な指標となる。即
ち、低抵抗器の電流経路が直線的であり、且つ図3に示
すようにパターンB,B′が垂直中心軸迄延びて、折れ
曲がっていれば、抵抗器の持つ自己インダクタンスと相
互インダクタンスはほぼ等しくなり、実効的インダクタ
ンスLeは殆どゼロとなる。抵抗器の電流経路がトリミ
ング等により曲線状である場合には、自己インダクタン
スと相互インダクタンスが等しくならず、実効的インダ
クタンスLeは例えば1nH等の値が現れる。もちろ
ん、電流検出用抵抗器が実装されるパターンが指定され
ていれば、普遍的パターンとは異なる指定パターンを使
用することもできる。ただし、その場合は求められた値
から普遍性は失われるが、設計上に直ちに反映できる数
値となるであろう。
The value of the effective inductance Le obtained by such a wiring pattern is a universal and practical design index showing the goodness of the current detecting resistor itself. That is, if the current path of the low resistor is linear and the patterns B and B ′ extend to the vertical central axis and are bent as shown in FIG. 3, the self-inductance and mutual inductance of the resistor are almost the same. They become equal, and the effective inductance Le becomes almost zero. When the current path of the resistor is curved due to trimming or the like, the self-inductance and the mutual inductance are not equal to each other, and the effective inductance Le has a value of, for example, 1 nH. Of course, if the pattern for mounting the current detection resistor is specified, a specified pattern different from the universal pattern can be used. However, in that case, the universality will be lost from the obtained value, but it will be a value that can be immediately reflected in the design.

【0022】次に、図5および図6を参照して、上記電
圧検出端子配線パターンを用いて、実際に実効的インダ
クタンスLeを測定する測定回路の構成例について述べ
る。図5は、本発明の電流検出用低抵抗器の実効的イン
ダクタンスLeの測定装置を示す。実使用状態に合わせ
た鋸歯状波電流の発生源21より被測定抵抗器11に鋸
歯状波電流を供給する。この鋸歯状波電流発生装置21
からは、例えば2.5μSの周期で、数A〜数十Aの鋸
歯状波電流が数mΩ以下の被測定抵抗器11に供給され
る。鋸歯状波電流を被測定抵抗器11に供給する配線2
2には、その配線に結合して前記電流を検出するカレン
トプローブ等の電流検出器23を備えている。被測定抵
抗器11は、上述した電圧検出端子配線を備えた専用の
基板24に装着され、被測定抵抗器の両端に結合した電
圧検出端子配線16から鋸歯状波電流によって生じる電
圧が取り出される。基板24の電圧検出端子配線16の
端部から、より線25等を介して差動増幅器等からなる
電圧検出器12に接続され、被測定抵抗器の両端に生じ
る電圧が検出される。電流検出器23の出力と電圧検出
器12の出力とは、オシロスコープ等の波形表示装置2
6に入力され、単位を電流または電圧に合わせて対比し
て表示される。
Next, with reference to FIGS. 5 and 6, an example of the construction of a measuring circuit for actually measuring the effective inductance Le using the voltage detection terminal wiring pattern will be described. FIG. 5 shows a device for measuring the effective inductance Le of the current detecting low resistor of the present invention. A sawtooth wave current is supplied to the measured resistor 11 from a sawtooth wave current generation source 21 according to an actual use state. This sawtooth wave current generator 21
From, the sawtooth wave current of several A to several tens A is supplied to the measured resistor 11 of several mΩ or less in a cycle of 2.5 μS, for example. Wiring 2 for supplying the sawtooth current to the measured resistor 11
2 includes a current detector 23, such as a current probe, which is connected to the wiring to detect the current. The measured resistor 11 is mounted on the dedicated substrate 24 having the above-described voltage detection terminal wiring, and the voltage generated by the sawtooth wave current is taken out from the voltage detection terminal wiring 16 coupled to both ends of the measured resistance. The end of the voltage detection terminal wiring 16 of the substrate 24 is connected to the voltage detector 12 including a differential amplifier or the like via the twisted wire 25 or the like, and the voltage generated across the resistor to be measured is detected. The output of the current detector 23 and the output of the voltage detector 12 are the waveform display device 2 such as an oscilloscope.
6 is input and displayed in contrast to the unit of current or voltage.

【0023】図6は、測定回路の一例を示す。例えば、
+12Vの直流電源をスイッチング素子32,33を用
いて交互にスイッチングし、チョークコイル34とコン
デンサ35とからなる積分回路に電流を正負交互に供給
する。チョークコイルのインダクタンス値およびコンデ
ンサのキャパシタンス値、スイッチング周波数、デュー
ティーファクタ等を調整することで、被測定抵抗器11
に図1(b)に破線で示す鋸歯状波電流が供給される。
抵抗体負荷である直流負荷36には、その抵抗値を調整
することで、例えばDC1V程度で、数〜数十Aの直流
電流が供給される。
FIG. 6 shows an example of the measuring circuit. For example,
A + 12V DC power source is alternately switched by using the switching elements 32 and 33, and a positive and negative current is alternately supplied to the integrating circuit including the choke coil 34 and the capacitor 35. By adjusting the inductance value of the choke coil, the capacitance value of the capacitor, the switching frequency, the duty factor, etc., the measured resistor 11
The sawtooth current shown by the broken line in FIG.
By adjusting the resistance value of the DC load 36, which is a resistor load, a DC current of several to several tens of amperes is supplied at, for example, DC 1V.

【0024】測定回路の具備すべき条件は、上記調節が
可能なことに加え、飽和しないチョークコイルに極性の
異なる一定電圧を交互に加えた場合に、直線性の良い振
幅一定の鋸歯状波電流を発生させられることである。ま
た、電流検出用低抵抗器の電圧検出端子引出配線パター
ンの両端電圧を検出する差動増幅器の同相電圧除去比は
でき得る限り高いほうが望ましい。さらに、チョークコ
イルと被測定電流検出用低抵抗器は、チョークコイルの
漏れ磁束が被測定電流検出用低抵抗器に測定誤差範囲で
影響を与えない程度の距離を確保して配置するか、両者
間に磁気遮蔽を行い同様の効果が得られるように配置す
ることが望ましい。また、図3に示す基板の表裏面に重
ねた電圧検出端子配線パターン16は、差動増幅器12
の入力へ導かれるが、その経路は重ねたまま外部磁束の
影響を受けない点まで延長するか、線材にて延長する際
には線間に外部磁束が鎖交しないようにリッツ線(より
線)を使用することが望ましい。なお、電流波形はスイ
ッチング周波数の高調波に対しても十分な帯域幅を持つ
電流プローブ、カレントトランスなどを利用して観測す
る。
The condition that the measuring circuit should have is that, in addition to the above-mentioned adjustment, when a constant voltage having different polarities is alternately applied to a choke coil that does not saturate, a sawtooth wave current with good linearity and constant amplitude is obtained. Is to be generated. In addition, it is desirable that the common mode voltage rejection ratio of the differential amplifier that detects the voltage across the voltage detection terminal lead-out wiring pattern of the current detection low resistor is as high as possible. In addition, the choke coil and the low resistance for measuring the measured current should be arranged with a sufficient distance so that the leakage flux of the choke coil does not affect the low resistance for measuring the measured current within the measurement error range. It is desirable that magnetic shielding is provided between them so that the same effect can be obtained. In addition, the voltage detection terminal wiring pattern 16 which is overlapped on the front and back surfaces of the substrate shown in FIG.
The path is extended to the point where it is not affected by the external magnetic flux while overlapping, or the litz wire (stranded wire) is used so that the external magnetic flux does not interlink when extending with a wire rod. ) Is preferred. The current waveform is observed using a current probe, current transformer, etc. that has a sufficient bandwidth even for harmonics of the switching frequency.

【0025】次に、図7を参照して実効的インダクタン
スLeの算定手順について説明する。電流検出用低抵抗
器の実効的インダクタンスの測定は、鋸歯状波電流を被
測定抵抗器11に供給し、電流を検出すると共に、被測
定抵抗器の両端に結合して電流によって生じる電圧を検
出する。そして、前記鋸歯状波電流の変化とこれに対応
した前記電圧の変化から前記被測定抵抗器の実効的なイ
ンダクタンスを算定する。
Next, the procedure for calculating the effective inductance Le will be described with reference to FIG. To measure the effective inductance of a low-current detecting resistor, a sawtooth wave current is supplied to the measured resistor 11 to detect the current, and the voltage generated by the current is coupled to both ends of the measured resistor. To do. Then, the effective inductance of the measured resistor is calculated from the change in the sawtooth wave current and the corresponding change in the voltage.

【0026】まず、鋸歯状波電流の変化点(頂部)にお
ける電圧の変化ΔVは、被測定抵抗器の抵抗値R、デユ
ーティD、周期T、電流i1,i2、とすると、 ΔV=V1-V2=i1×R+Le(di1/dt)-i2×R-Le(di2/dt) t=D×Tにおいては、i1=i2なので、 ΔV=Le(di1/dt)-Le(di2/dt) となる。ここで、電流変化値(波高値)をVip_p とする
と、 (di1/dt)=Vip_p/(R×D×T) (di2/dt)=-Vip_p/{R×(D-1)×T} であるので、これらを代入して整理すると、
First, the voltage change ΔV at the changing point (top) of the sawtooth wave current is ΔV = V1-V2, where R is the resistance value of the measured resistor, D is the duty, T is the period, and i1 is the current. = i1 × R + Le (di1 / dt) -i2 × R-Le (di2 / dt) At t = D × T, i1 = i2, so ΔV = Le (di1 / dt) -Le (di2 / dt) Becomes Here, if the current change value (peak value) is Vip_p, (di1 / dt) = Vip_p / (R × D × T) (di2 / dt) =-Vip_p / {R × (D-1) × T} Therefore, by substituting these and organizing,

【数2】 [Equation 2]

【数3】 Vip_pおよびΔVは、波形表示装置などにより求め
られるので、これにより電流検出用低抵抗器の実効的イ
ンダクタンスを算定できる。
[Equation 3] Since Vip_p and ΔV are obtained by a waveform display device or the like, it is possible to calculate the effective inductance of the current detecting low resistor by this.

【0027】図8及び図9は、上記測定装置および配線
パターンによる低抵抗器の実効的インダクタンスLeの
実測例を示す。図8は、抵抗値2mΩの電流経路が直線
的で、且つ実装されるプリント基板上から電流経路まで
の距離が短い実効的インダクタンスを極力小さくする構
造を持った抵抗器を対象としたものである。抵抗器自体
の自己インダクタンスはあるが、電圧検出端子配線との
相互インダクタンスがそれを打ち消すため、(a)に示
すように、電流波形と電圧波形は略一致している。そし
て、(b)に示すように、10個のサンプルを測定した
結果、実効的インダクタンスLeは、殆どゼロであるこ
とが分かる。これに対して、図9は、抵抗値3mΩで電
流経路が垂直方向のトリミングカットにより曲げられた
低抵抗器の測定結果を示す。(a)に示すように、鋸歯
状波電流波形に対して、大きな誤差電圧が発生している
ことが分かる。この場合には、(b)に示すように、こ
の低抵抗器においては、実効的インダクタンスLeが
0.9nH程度存在していることが分かる。
FIG. 8 and FIG. 9 show examples of actual measurement of the effective inductance Le of the low resistor by the above measuring device and wiring pattern. FIG. 8 is intended for a resistor having a linear current path with a resistance value of 2 mΩ and a short distance from the printed circuit board to be mounted to the current path to have a structure that minimizes the effective inductance. . Although there is self-inductance of the resistor itself, the mutual inductance with the voltage detection terminal wiring cancels it out, so that the current waveform and the voltage waveform are substantially the same as shown in (a). Then, as shown in (b), as a result of measuring 10 samples, it is found that the effective inductance Le is almost zero. On the other hand, FIG. 9 shows the measurement result of a low resistance device having a resistance value of 3 mΩ and a current path bent by a vertical trimming cut. As shown in (a), it can be seen that a large error voltage is generated with respect to the sawtooth current waveform. In this case, as shown in (b), it can be seen that the effective inductance Le is about 0.9 nH in this low resistance device.

【0028】なお、本発明の電流検出用低抵抗器のイン
ダクタンス測定については、上述の図示例にのみ限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変更を加え得ることは勿論である。
It should be noted that the inductance measurement of the current detecting low resistance device of the present invention is not limited to the above illustrated example, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course.

【0029】[0029]

【発明の効果】電流検出用低抵抗器の実効的なインダク
タンスは、電流検出用低抵抗器の構造と、電流検出用低
抵抗器を実装する配線パターンの相互作用によって定ま
るため、従来のようなインピーダンスアナライザーを使
用した一般的な高周波特性の測定方法では測定し難い。
本発明により提供される測定装置および方法で測定した
低抵抗器のインダクタンスは、実際のDC/DCコンバ
ータの動作状態における低抵抗器のインダクタンスを正
しく反映したものである。これにより、DC/DCコン
バータ等のスイッチング電源回路等において、微少抵抗
値の抵抗器のインダクタンスによる誤差電圧の発生を正
しく測定評価することが可能となる。
The effective inductance of the current detecting low resistor is determined by the interaction between the structure of the current detecting low resistor and the wiring pattern for mounting the current detecting low resistor. It is difficult to measure with a general method for measuring high frequency characteristics using an impedance analyzer.
The inductance of the low resistor measured by the measuring apparatus and method provided by the present invention accurately reflects the inductance of the low resistor in the actual operating state of the DC / DC converter. As a result, in a switching power supply circuit such as a DC / DC converter, it is possible to correctly measure and evaluate the generation of an error voltage due to the inductance of a resistor having a small resistance value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は電流検出用低抵抗器の被測定電流の検
出回路例を示す図であり、(b)は電流検出用低抵抗器
を流れる鋸歯状波電流波形と、電圧検出端子配線から取
り出される電圧波形を例示的に示す図である。
FIG. 1A is a diagram showing an example of a detection circuit of a measured current of a current detection low resistor, and FIG. 1B is a sawtooth-shaped current waveform flowing through the current detection low resistor and a voltage detection terminal. It is a figure which shows the voltage waveform taken out from the wiring as an example.

【図2】被測定抵抗器と電圧検出端子配線の等価回路図
である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a resistor to be measured and voltage detection terminal wiring.

【図3】電圧検出端子配線の構成例を示すパターン図で
ある。
FIG. 3 is a pattern diagram showing a configuration example of voltage detection terminal wiring.

【図4】図3に対する比較例としての電圧検出端子配線
の他の構成例を示すパターン図である。
FIG. 4 is a pattern diagram showing another configuration example of the voltage detection terminal wiring as a comparative example with respect to FIG.

【図5】本発明の実施形態の電流検出用低抵抗器の実効
的インダクタンスの測定装置を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a device for measuring the effective inductance of the current detecting low resistor according to the embodiment of the present invention.

【図6】図5の具体的回路例を示す回路図である。6 is a circuit diagram showing a specific circuit example of FIG.

【図7】実効的インダクタンスLeの算定のための電流
及び電圧の波形図である。
FIG. 7 is a waveform diagram of current and voltage for calculating the effective inductance Le.

【図8】実効的インダクタンスが殆ど存在していない低
抵抗器における、(a)は電圧及び電流波形例を示し、
(b)は実効的インダクタンス値の測定例を示す。
FIG. 8 (a) shows an example of voltage and current waveforms in a low resistor in which an effective inductance hardly exists,
(B) shows a measurement example of the effective inductance value.

【図9】実効的インダクタンスが存在する低抵抗器にお
ける、(a)は電圧及び電流波形例を示し、(b)は実
効的インダクタンス値の測定例を示す。
9A and 9B show examples of voltage and current waveforms, and FIG. 9B shows an example of measurement of an effective inductance value in a low resistor having an effective inductance.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 被測定抵抗器 12 電圧検出器 13,14 ランド 15 ビア 16 電圧検出端子配線 21 鋸歯状波電流発生装置 22 配線 23 電流検出器 24 低抵抗器の実装基板 25 リッツ線(より線) 26 波形表示装置 31 直流電源 32,33 スイッチング素子 34 チョークコイル 35 コンデンサ 36 直流負荷 11 Resistor to be measured 12 Voltage detector 13,14 Land 15 beer 16 Voltage detection terminal wiring 21 Sawtooth current generator 22 wiring 23 Current detector 24 Low-resistor mounting board 25 Litz wire (stranded wire) 26 Waveform display device 31 DC power supply 32, 33 switching elements 34 choke coil 35 capacitor 36 DC load

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 鋸歯状波電流の発生源と、前記鋸歯状波
電流を被測定抵抗器に供給する配線と、前記配線に結合
して前記電流を検出する電流検出器と、前記被測定抵抗
器の両端に結合して前記電流によって生じる電圧を検出
する電圧検出器と、前記電流検出器出力と電圧検出器出
力とを対比して表示する波形表示装置とを備えたことを
特徴とする電流検出用低抵抗器のインダクタンス測定装
置。
1. A source of a sawtooth wave current, a wire for supplying the sawtooth wave current to a resistor to be measured, a current detector coupled to the wire for detecting the current, and the resistor to be measured. A voltage detector coupled to both ends of the detector to detect a voltage generated by the current, and a waveform display device for displaying the current detector output and the voltage detector output for comparison. Inductance measuring device for low resistance detector.
【請求項2】 鋸歯状波電流を被測定抵抗器に供給し、
前記電流を検出すると共に、前記被測定抵抗器の両端に
結合して前記電流によって生じる電圧を検出し、前記鋸
歯状波電流の変化とこれに対応した前記電圧の変化から
前記被測定抵抗器の実効的なインダクタンスを算定する
ことを特徴とする電流検出用低抵抗器のインダクタンス
測定方法。
2. A sawtooth wave current is supplied to a resistor to be measured,
Along with detecting the current, the voltage generated by the current is coupled to both ends of the measured resistor, the change in the sawtooth current and the corresponding change in the voltage of the measured resistor A method for measuring the inductance of a current detection low resistor, which is characterized by calculating an effective inductance.
【請求項3】 前記鋸歯状波電流とこれに対応した前記
電圧の変化から前記被測定抵抗器の実効的なインダクタ
ンスLeを算定することは、 【数1】 但し、 D:デューティ T:周期 R:低抵抗器の抵抗値 Vip_p:電流変化値 ΔV:電流波形頂部の電圧変化値 によることを特徴とする請求項2記載の電流検出用低抵
抗器のインダクタンス測定方法。
3. The effective inductance Le of the resistor under test is calculated from the sawtooth current and the corresponding change in the voltage by However, D: duty T: period R: resistance value of low resistor Vip_p: current change value ΔV: voltage change value at the top of the current waveform. Inductance measurement of the low resistor for current detection according to claim 2. Method.
【請求項4】 前記実効的なインダクタンスは、抵抗器
自体の自己インダクタンスからこれと磁束が鎖交する電
圧取出経路配線の相互インダクタンスを差し引いたもの
であることを特徴とする請求項3記載の電流検出用低抵
抗器のインダクタンス測定方法。
4. The current according to claim 3, wherein the effective inductance is the self-inductance of the resistor itself minus the mutual inductance of the voltage extraction path wiring with which the magnetic flux links. Measuring method of inductance of low resistance detector.
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