JP2003121468A

JP2003121468A - 電極プローバー

Info

Publication number: JP2003121468A
Application number: JP2001319599A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Nakamura; 賢一中村; Yoshifumi Takahashi; 良文高橋; Setsuo Kotado; 節夫古田土; Kenji Kono; 健治河野
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2001-10-17
Filing date: 2001-10-17
Publication date: 2003-04-23
Anticipated expiration: 2021-10-17
Also published as: JP3742324B2

Abstract

(57)【要約】【課題】バネ性を失わず長期に安定した電気導通特性
を維持する。【解決手段】複数の電極８が形成された試験対象のＩ
Ｃパッケージ４と、このＩＣパッケージの動作試験を行
うＩＣ試験装置のＩＣ取付面３との間に介挿され、ＩＣ
試験装置のＩＣ取付面３の各電極２とＩＣパッケージ４
の各電極８とを導通させる電極プローバー１９である。
そして、一端がＩＣ取付面３の電極２に当接し他端がＩ
Ｃパッケージ４の電極８に当接するとともに共有結合性
結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材２２
と、この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、
複数のバネ部材２２における各バネ部材の中途位置を互
いに非接触で支持する基板２０とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ試験装置に用い
られる電極プローバーに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体製造工場の品質検査ライ
ンに組込まれたＩＣ試験装置においては、この品質検査
ラインを介して順次搬入される半導体製品であるＩＣ
（集積回路）が組込まれた各ＩＣパッケージの動作試験
を順番に実施していく。ＩＣパッケージの一面には、こ
のＩＣパッケージに組込まれたＩＣに対して電源を供給
したり、ＩＣに対して信号を印加したり、このＩＣから
出力される信号を取出すための多数の電極が設けられて
いる。

【０００３】このＩＣパッケージの動作試験を実施する
ＩＣ試験装置内には、図７（ａ）に示すように、ＩＣ取
付基板１が組込まれており、このＩＣ取付基板１の上面
に、複数の電極２が設けられたＩＣ取付面３が形成され
ている。このＩＣ取付面３に試験対象のＩＣパッケージ
４が装着される。図７（ｂ）に示すように、ＩＣパッケ
ージ４の下面の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とが
十分なオーミックコンタクトを有して接触するように、
このＩＣパッケージ４の上面をパット５を介して付勢機
構７でＩＣ取付基板１方向へ付勢している。

【０００４】しかし、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩ
Ｃ取付面３の各電極２とを直接半田付けできないので、
図７（ｂ）に示すように、ＩＣパッケージ４の電極８の
高さのバラツキに起因して電極８、２相互間に隙間が生
じ、接続不良が発生する懸念がある。

【０００５】このような不都合を解消するために、ＩＣ
パッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２との
間にシート状の電極プローバーを介在させて、ＩＣパッ
ケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを導通
させるようにしている。

【０００６】図８は、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の１
つの電極２とＩＣパッケージ４の１つの電極８との間に
介挿される電極プローバー９の断面模式図である。試験
装置のＩＣ取付面３の電極２に下面が固定された図示断
面形状を有した接続導体１０内に弾性ゴム１１が封入さ
れており、可動接点１２の下端がこの弾性ゴム１１に当
接し、可動接点１２の上端がＩＣパッケージ４の電極８
に当接する。この可動接点１２は、接続導体１０に設け
られた穴内を摺動可能に設けられている。

【０００７】ＩＣパッケージ４の電極８と可動接点１２
が接触するように、ＩＣパッケージ４を上方からこの電
極プローバー９に押し当てる。このとき、可動接点１２
は接続導体１０に設けられた穴内に沿って押し込まれ、
その移動分は弾性ゴム１１の変形により吸収される。Ｉ
Ｃパッケージ４を取除けば、可動接点１２はＩＣパッケ
ージ４の電極８から受ける外力から開放され、弾性ゴム
１１が元の形に戻ろうとするため、可動接点１２も元の
位置に戻る。

【０００８】なお、図８では、1組のＩＣパッケージ４
の電極８とＩＣ取付面３の電極２に対する例を示した
が、複数電極８．２の組合せに対してもこの電極プロー
バー９を利用することができる。この場合、ＩＣパッケ
ージ４の電極８の大きさやＩＣパッケージ４の反りに起
因した電極８の高さのバラツキは可動電極１２により吸
収され、全ての電極２、８の組合せに対して電気的導通
を実現することができる。

【０００９】図９は、他の電極プローバー９ａの概略構
成を示す断面模式図である。この電極プローバー９ａ
は、例えばゴム材料で形成された絶縁シート１３と、こ
の絶縁シート１３のＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ試
験装置のＩＣ取付面３の電極２に対向する位置に形成さ
れた導体粒子埋込部１４とで形成されている。この導体
粒子埋込部１４は、圧縮されると、内部に埋込まれた導
体粒子どうしが接触して、導体粒子埋込部１４の上面と
下面とは導通する。

【００１０】したがって、この導体粒子埋込部１４は、
ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面
３の電極２とで挟込まれて圧力を加えられる前は、必ず
しも導体粒子どうしは接触していない。ＩＣパッケージ
４の電極８とＩＣ取付面３の電極２により挟まれて圧力
が加えられて導体粒子周辺にある支持体の絶縁シート１
３が変形すると、導体粒子どうしが電気的に接触し、Ｉ
Ｃパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との間
に電気的導通が実現する。

【００１１】導体粒子埋込部１４をＩＣパッケージ４の
電極８のパターンに従って配列すれば、ＩＣパッケージ
４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との複数の組合せに
対して電気的導通が得られる。また、絶縁シート１３自
体が弾性を有するため、導体粒子埋込部１４はＩＣパッ
ケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２で挟まれたと
きに変形することが可能であり、図８に示した電極プロ
ーバー９と同様に、この電極プローバー９ａにおいて
も、ＩＣパッケージ４の電極８の高さ方向のバラツキを
吸収することができる。

【００１２】図１０は、さらに別の電極プローバー９ｂ
の概略構成を示す模式図である。この電極プローバー９
ｂは、例えば円形断面形状を有した弾性ゴムで形成され
た絶縁棒１５と、この絶縁棒１５におけるＩＣパッケー
ジ４の電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の電極２に
対向する位置に巻装された環状導体１６とで構成されて
いる。

【００１３】そして、この環状導体１６をＩＣパッケー
ジ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２とで挟込むことに
より、ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極
２との間で電気的導通を実現する。この場合、絶縁棒１
５は弾性ゴムで形成されているため、高さの異なるＩＣ
パッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との複数
の組合せに対して、その高さを吸収してＩＣパッケージ
４の電極８とＩＣ取付面３の電極２の全組合せに対して
電気的導通を実現することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８、
図９、図１０に示す各電極プローバー９．９ａ、９ｂに
おいてもまだ解消すべき次のような課題があった。

【００１５】すなわち、図８に示した電極プローバー９
においては、ＩＣパッケージ４の電極８における数十μ
m以上の高さのバラツキを吸収できるものの、接続導体
１０の下面を半田によりＩＣ試験装置におけるＩＣ取付
基板１のＩＣ取付面３に固定されてしまうため、ＩＣ取
付基板１を単独で取替えることができないという問題が
ある。

【００１６】また、図９に示した電極プローバー９ａに
おいては、薄いゴム材料で形成された絶縁シート１３を
用いているので、絶縁シート１３が有するバネ性が小さ
いため、数十μm以上のＩＣパッケージ４の電極８の高
さのバラツキを吸収することができない。また、大きな
変形を得ようとすると塑性変形するために、繰り返しの
使用に耐えられない。よって、それ以上のバラツキを有
するＩＣパッケージ４の各電極８に導体粒子埋込部１４
を接触させることが困難である。

【００１７】また、図１０に示した電極プローバー９ｂ
においては、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツ
キを吸収する絶縁棒１５をゴム材料で構成しているため
に、その使用回数の増加と共に弾性材料の劣化が速く進
み、変形後に元の形状に戻りきらなくなってしまう。結
果として、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキ
を吸収できなくなり、ＩＣパッケージ４の電極８の中に
は、絶縁棒１５に巻装された環状導体１６に接触できな
い電極８が発生する懸念があった。

【００１８】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、ＩＣパッケージの電極の高さのバラツキを
吸収するバネ材料を選択することにより、半永久的な使
用に対しても塑性変形することなくバネ性を失わずに、
ＩＣパッケージの各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の
各電極との間における電気的導通を確保でき、長期に亘
って安定した接触特性を維持できる電極プローバーを提
供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の電極が
形成された試験対象のＩＣパッケージと、このＩＣパッ
ケージの動作試験を行うＩＣ試験装置のＩＣ取付面との
間に介挿され、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極とＩ
Ｃパッケージの各電極とを導通させる電極プローバーに
適用される。

【００２０】そして、上記課題を解消するために、本発
明の電極プローバーは、一端がＩＣ取付面の電極に当接
し他端がＩＣパッケージの電極に当接するとともに共有
結合性結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材
と、この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、
複数のバネ部材における各バネ部材の中途位置を互いに
非接触で支持する基板とを備えている。

【００２１】このように構成された電極プローバーにお
いては、ＩＣパッケージの各電極はそれぞれ専用のバネ
部材を介して、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面における自己
に対向する電極に電気的に導通される。

【００２２】さらに、各バネ部材は共有結合性結晶材料
で構成されている。この共有結合性結晶材料は、たと
え、大きな変位量が印加されたとしても塑性変形がしに
くく、かつ、繰返し圧縮応力に対しても、材料的に劣化
しにくい特性を有する。

【００２３】したがって、ＩＣパッケージの電極の高さ
のバラツキを十分吸収できるとともに、ＩＣパッケージ
の各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極との間に
おける電気的導通を長期に亘って安定して確保できる。

【００２４】また、別の発明は、上述した発明の電極プ
ローバーにおいて、各バネ部材は基板に穿設された貫通
孔に貫通され、この各バネ部材が各貫通孔に貫通された
状態でこの各貫通孔に接着剤が充填されている。

【００２５】さらに、別の発明は、上述した発明の電極
プローバーにおいて、各バネ部材の各電極に当接する先
端部に、各電極と一定面積以上で接触する接触部が形成
されている。このように、各バネ部材の各電極に当接す
る先端部に接触部を形成することによって、各電極との
間でより良好な接触状態を維持できる。

【００２６】さらに、別の発明は、上述した発明の電極
プローバーにおいて、各バネ部材は、一つの面内で伸縮
可能に形成されている。このような構成のバネ部材を採
用することによって、バネ部材を板状の共有結合性結晶
材料から簡単に作成することができる。

【００２７】さらに、別の発明は、上述した発明の電極
プローバーにおいて、各バネ部材は、一つの面内で互い
に平行するとともに、各電極に当接する位置で連通する
一体形成された一対の単位バネ部材で構成されている。

【００２８】このように、バネ部材を一対の単位バネ部
材で構成することにより、バネ部材の安定性が向上す
る。

【００２９】さらに、別の発明の電極プローバーにおい
ては、共有結合性結晶材料を単結晶シリコンで形成して
いる。さらに、基板の材料にポリイミドやセラミック基
板等を採用し、導電性の金属皮膜の材料に金やニッケル
等を採用している。これは、シート自体が変形する必要
がない場合は、基板材料にセラミック基板を採用しても
よいからである。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
を用いて説明する。（第１実施形態）図２（ａ）は本発明の第１実施形態に
係る電極プローバー１９の概略構成を示す斜視図であ
り、図２（ｂ）は同第１実施形態の電極プローバー１９
をＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３
の各電極２と試験対象のＩＣパッケージ４の各電極８と
の間に装着した状態を示す側断面図であり、図１は同電
極プローバー１９をＩＣ試験装置に装着した状態を示す
正面断面図である。

【００３１】この電極プローバー１９において、矩形形
状を有した試験対象のＩＣパッケージ４より一回り大き
い矩形形状を有した基板２０は絶縁性に優れた材料であ
るポリイミドで形成されている。基板２０の厚みは５０
μｍ〜１００μｍと非常に薄い。基板２０には、ＩＣ試
験装置のＩＣ取付面３の各電極２及びＩＣパッケージ４
の各電極８に対向する位置に矩形断面を有する貫通孔２
１が穿設されている。この実施形態のＩＣパッケージ４
においては、合計６個の電極８が２列に亘って形成され
ているので、基板２０の貫通孔２１も同様に６個、２列
に亘って穿設されている。この各貫通孔２１の一辺の大
きさは５０μｍ〜１００μｍである。

【００３２】基板２０に形成された各貫通孔２１内にバ
ネ部材２２が貫通されている。このバネ部材２２は、図
３（ａ）に示すように長さＬ＝１００μｍ〜２００μ
ｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍを有する単結晶シリコ
ンウエハ材料２６から、図３（ｂ）に示すように、幅Ｗ
＝１００μｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍの正弦波形
状に、エッチング手法にて切出したものである。

【００３３】したがって、このバネ部材２２は、単結晶
シリコンウエハ材料２６の表面に平行する一つの面内で
図中矢印Ａ方向にのみ伸縮する。そして、このバネ部材
２２の先端部には、それぞれＩＣパッケージ４の電極８
及びＩＣ取付面３の電極２と一定面積以上で接触する接
触部２４，２５が形成されている。

【００３４】この単結晶シリコンで形成されたバネ部材
２２の表面は、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜で覆
われている。なお、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜
は、単結晶シリコンに比較して十分に伸縮性を有するの
で、たとえ、バネ部材２２が矢印Ａ方向に大きく伸縮し
たとしても、導電性金属被膜がバネ部材２２の表面から
剥げ落ちることはない。

【００３５】基板２０に形成された各貫通孔２１内に、
導電性金属被膜で覆われたバネ部材２２の長さＬ方向の
中央部を位置させた状態で、この各貫通孔２１内に熱硬
化性やＵＶ（紫外線）硬化性の接着剤２３を充填して、
各バネ部材２２を基板２０に固定する。

【００３６】次に、このように構成された第１実施形態
の電極プローバー１９の使用方法及び特徴を説明する。
図１に示すように、ＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板
１のＩＣ取付面３上に、各バネ部材２２の下側の接触部
２５がＩＣ取付面３の各電極２に当接するように装着す
る。次に、試験対象のＩＣパッケージ４の各電極８を電
極プローバー１９の各バネ部材２２の上側の接触部２４
に当接するように装着する。実際には、品質検査ライン
から順次搬入されるＩＣパッケージ４を専用の装着装置
を用いて、電極プローバー１９上に装着して、図７
（ａ）（ｂ）で説明した付勢機構７を用いてＩＣパッケ
ージ４を図中下方へ付勢する。

【００３７】ＩＣパッケージ４が下方へ付勢されると、
ＩＣパッケージ４の各電極８がバネ部材２２のバネ反発
力にうち勝って下方へ移動して、各電極８はバネ部材２
２の各接触部２４に対してほぼ一定の接触圧を有して接
触する。電極プローバー１９の各バネ部材２２の下側の
接触部２５もほぼ一定の接触圧を有してＩＣ取付面３の
各電極２に接触する。この場合、ＩＣパッケージ４の電
極８の高さのバラツキをバネ部材２２の伸縮動作で十分
吸収できる。

【００３８】また、バネ部材２２の材料として、共有結
合性結晶材料の一種である単結晶シリコンを採用してい
る。この単結晶シリコンは、たとえ、大きな変異量が印
加されたとしても塑性変形しにくく、かつ、繰返し圧縮
応力に対しても、材料的に劣化しにくい特性を有する。
したがって、前述したように、ＩＣパッケージ４の電極
８の高さのバラツキを十分吸収できるとともに、ＩＣパ
ッケージ４の各電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の
各電極２との間における電気的導通を長期に亘って安定
して確保できる。

【００３９】さらに、単結晶シリコンは、図３（ａ）
（ｂ）を用いて説明したように、加工性が優れ、かつ高
い寸法精度を確保できる。その結果、ＬＳＩのような多
数の電極８が設けられたＩＣパッケージ４の動作試験用
の電極プローバー１９をも簡単に製造できる。

【００４０】また、単結晶シリコンで形成されたバネ部
材２２を、図３（ａ）に示すように、単結晶シリコンウ
エハ材料２６からエッチング手法にて簡単にかつ大量に
製造可能であるので、電極プローバー１９を低価格でか
つ大量生産が可能となる。

【００４１】さらに、各バネ部材２２の先端には、各電
極８、２に対して一定面積以上で接触する接触部２４、
２５が形成されているので、付勢機構７を用いてＩＣパ
ッケージ４を図中下方へ付勢したとしても、各電極８、
２に大きな損傷を与えることが防止できる。ささに、各
バネ部材２２と各電極８、２との間で良好な接触状態を
維持できる。

【００４２】さらに、この電極プローバー１９は、図８
に示す従来の電極プローバー９のようにＩＣ試験装置に
おけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３に固定する必要が
ないので、ＩＣ取付基板１を単独で取替えることがで
き、ＩＣ取付基板１及び電極プローバー１９の汎用性を
向上できる。

【００４３】（第２実施形態）図４は、本発明の第２実
施形態の電極プローバー１９ａの一部を取出して示す断
面模式図である。図１に示す第１実施形態の電極プロー
バー１９と同一部分には同一符号が付してある。したが
って、重複する部分の詳細説明を省略する。

【００４４】この第２実施形態の電極プローバー１９ａ
に組込まれている、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ
取付面３の各電極２とを電気的に導通する導電性金属で
被服された各バネ部材３０は、一つの面内で互いに平行
するとともに、各電極８、２に当接する位置で連通する
一体形成された一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構
成されている。そして、各電極８、２に当接する部分
は、各電極８、２に対して一定面積以上で接触するよう
に平面に形成されている。したがって、この平面に形成
された部分が、図１、図３に示す接触部に相当する。

【００４５】また、この一対の単位バネ部材３０ａ、３
０ｂからなる各バネ部材３０が貫通する基板２０の貫通
孔２１内に、２本の単位バネ部材３０ａ、３０ｂの中途
位置が接着剤２３で固定されている。なお、この一対の
単位バネ部材３０ａ、３０ｂからなる各バネ部材３０の
製造方法は、第１実施形態の電極プローバー１９の各バ
ネ部材２２と同様に、単結晶シリコンウエハ材料２６か
らエッチング手法を用いて切出す。

【００４６】このように、各バネ部材３０を一体形成さ
れた一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構成すること
にとり、図４における紙面に平行する面内での安定性が
向上する。

【００４７】（応用例）図５は、第１実施形態の電極プ
ローバー１９の応用例を示す模式図である。この電極プ
ローバー９におけるＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ
取付面３の各電極２とを電気的に接続する各バネ部材２
２ａ、２２ｂの幅Ｗが異なる。したがって、各バネ部材
２２ａ、２２ｂの幅Ｗのみが異なる複数種類の電極プロ
ーバー９が準備されている。

【００４８】そして、ＩＣパッケージ４の２個の電極８
のうちの一方を接地し、ＩＣ取付面３の２個の電極２の
うち一方を接地するとする。図５においては、バネ部材
２２ｂ側が接地側であり、バネ部材２２ａ側が信号側で
ある。

【００４９】ＩＣパッケージ４の動作試験を実行する場
合、ＩＣパッケージ４の信号線の接地に対するインピー
ダンスＺの影響が無視できない。すなわち、インピーダ
ンスＺの値を調整して、ＩＣパッケージ４の信号端のイ
ンピーダンスＺとＩＣ試験装置の信号端のインピーダン
スＺとの間のインピーダンス整合を図って、信号の入出
力端での高周波信号の反射を極力抑制する必要がある。

【００５０】信号側のバネ部材２２ａと接地側のバネ部
材２２ｂとの間のインピーダンスＺは、バネ部材２２
ａ、２２ｂの相互間距離（隙間Ｂ）、空気の誘電率、基
板２０の誘電率、接着剤２３の誘電率等で定まる。

【００５１】そこで、各バネ部材２２ａ、２２ｂの幅Ｗ
を変更することによって、バネ部材２２ａ、２２ｂの隙
間Ｂを変化させて、インピーダンスＺを変更可能であ
る。したがって、各信号端におけるインピーダンス整合
が図れるインピーダンスＺとなる幅Ｗを有したバネ部材
２２ａ、２２ｂが組込まれた電極プローバー９を選択す
ればよい。なお、幅Ｗだけでなく、厚み方向も変化させ
てインピーダンスを調整することも可能である。

【００５２】図６に、インピーダンス整合を実施しない
状態での各信号端における信号の反射率の周波数依存特
性（点線）と、インピーダンス整合を実施した状態での
各信号端における信号の反射率の周波数依存特性（実
線）とを示す。

【００５３】この周波数依存特性でも理解できるよう
に、インピーダンス整合を実施した状態においては、各
信号端における信号の反射率を大幅に低減できることが
実証された。このように、インピーダンス整合を実施す
ることによって、試験対象のＩＣパッケージ４の動作試
験をより高い精度で実施できる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極プロ
ーバーにおいでは、ＩＣパッケージの電極の高さのバラ
ツキを吸収するバネ部材を採用し、このバネ部材の材料
として単結晶シリコンで代表される共有結合性結晶材料
を用いている。したがって、半永久的な使用に対しても
塑性変形することなくバネ性を失わずにＩＣパッケージ
の各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極との間に
おける電気的導通を確保でき、長期に亘って安定した接
触特性を維持できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係わる電極プローバー
の概略構成を示す断面図

【図２】同第１実施形態に係わる電極プローバーを示す
斜視図及び側断面図

【図３】同電極プローバーに組込まれたバネ部材の製造
方法を説明するための図

【図４】本発明の第２実施形態に係わる電極プローバー
の要部を取出して示す断面図

【図５】本発明の第１実施形態に係わる電極プローバー
の応用例を説明するための図

【図６】同応用例の効果を説明するための反射率の周波
数依存特性を示す図

【図７】ＩＣパッケージの試験方法を示す模式図

【図８】従来の電極プローバーの概略構成を示す断面図

【図９】同じく他の従来の電極プローバーの概略構成を
示す断面図

【図１０】同じくさらに別の従来の電極プローバーの概
略構成を示す断面図

【符号の説明】

１…ＩＣ取付基板２、８…電極３…ＩＣ取付面４…ＩＣパッケージ７…付勢機構９、９ａ、９ｂ、１９、１９ａ…電極プローバー２０…基板２１…貫通孔２２、２２ａ、２２ｂ、３０…バネ部材２３…接着剤２４、２５…接触部２６…単結晶シリコンウエハ材料３０ａ、３０ｂ…単位バネ部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者古田土節夫東京都港区南麻布五丁目10番27号アンリツ株式会社内 (72)発明者河野健治東京都港区南麻布五丁目10番27号アンリツ株式会社内Ｆターム(参考） 2C005 MA21 2G003 AA07 AG03 AG12 AH05 2G011 AA10 AB01 AC14 AC21 AC32 AE11 AF07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電極（８）が形成された試験対象
のＩＣパッケージ（４）と、このＩＣパッケージの動作
試験を行うＩＣ試験装置のＩＣ取付面（３）との間に介
挿され、前記ＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極（２）
と前記ＩＣパッケージの各電極（８）とを導通させる電
極プローバー（１９、１９ａ）において、一端が前記ＩＣ取付面の電極（２）に当接し他端が前記
ＩＣパッケージの電極（８）に当接するとともに共有結
合性結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材
（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）と、この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、前記複数のバネ部材における各バネ部材の中途位置を互
いに非接触で支持する基板（２０）とを備えた電極プロ
ーバー。
【請求項２】前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２
ｂ、３０）は前記基板（２０）に穿設された貫通孔（２
１）に貫通され、この各バネ部材が各貫通孔に貫通され
た状態でこの各貫通孔に接着剤（２３）が充填されてい
ることを特徴とする請求項１記載の電極プローバー。
【請求項３】前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２
ｂ、３０）の前記各電極（８、２）に当接する先端部
に、前記各電極と一定面積以上で接触する接触部（２
４、２５）が形成されていることを特徴とする請求項１
又は２記載の電極プローバー。
【請求項４】前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２
ｂ、３０）は、一つの面内で伸縮可能に形成されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の
電極プローバー。
【請求項５】前記各バネ部材（３０）は、一つの面内
で互いに平行するとともに、各電極（８，２）に当接す
る位置で連通する一体形成された一対の単位バネ部材
（３０ａ、３０ｂ）で構成されたことを特徴とする請求
項４記載の電極プローバー。
【請求項６】前記共有結合性結晶材料は単結晶シリコ
ンであることを特徴とする請求項４又は５記載の電極プ
ローバー。
【請求項７】前記基板（２０）の材料はポリイミドで
あることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記
載の電極プローバー。
【請求項８】前記導電性の金属皮膜の材料は金である
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の
電極プローバー。