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JP2003121268A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2003121268A
JP2003121268A JP2001311594A JP2001311594A JP2003121268A JP 2003121268 A JP2003121268 A JP 2003121268A JP 2001311594 A JP2001311594 A JP 2001311594A JP 2001311594 A JP2001311594 A JP 2001311594A JP 2003121268 A JP2003121268 A JP 2003121268A
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semiconductor element
semiconductor
temperature
unit
temperature change
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JP2001311594A
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Hiromi Nanba
広美 難波
Kenichi Minobe
賢一 美濃部
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to US10/098,558 priority patent/US6717457B2/en
Priority to EP02252513A priority patent/EP1302832B1/en
Priority to DE60234135T priority patent/DE60234135D1/de
Priority to EP05013415A priority patent/EP1580636B1/en
Priority to DE60205697T priority patent/DE60205697T2/de
Priority to EP09166132A priority patent/EP2109024B1/en
Priority to CN021059705A priority patent/CN1216458C/zh
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    • H03J3/02—Details
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    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体装置の外部に外付け部品を付加する必要
があるため、半導体装置の実装面積が増加する。また基
準となる信号が変化することになるため、測定精度が低
下する。 【解決手段】 センサー部３０は、第１の半導体素子
（第１の抵抗３０ｂ，３０ｄ）と、第１の半導体素子
（第１の抵抗３０ｂ，３０ｄ）とは温度特性が異なる第
２の半導体素子（第２の抵抗３０ａ，３０ｃ）とを有
し、処理部３３に近接して配置される。温度変化検出部
３１は、センサー部３０を構成する第１の半導体素子
（第１の抵抗３０ｂ，３０ｄ）および第２の半導体素子
（第２の抵抗３０ａ，３０ｃ）に生ずる特性変化により
処理部の温度変化を検出する。較正部３２は、温度変化
検出部３１による検出結果に応じて、処理部３３の動作
を較正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置および温
度変化検出装置に関し、特に、所定の処理を実行する処
理部を有する半導体装置および被測定物の温度変化を検
出する温度変化検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成された抵抗素子等
は、温度が変化するとその素子値である抵抗値が変化す
ることが知られている。従って、例えば、半導体基板上
に形成された能動フィルタ等は、温度が変化すると、素
子値が変化し、結果としてカットオフ周波数が変化する
場合がある。
【０００３】そこで、以上のような不都合を解消するた
めに、温度変化による特性変化を補償する種々の方法が
提案されている。図１０は、このような温度変化による
特性変化を補償するための従来の方法の一例を示す図で
ある。
【０００４】この図の例は、定電流源１０、内蔵部品１
１、定電流源１２、外付け部品１３、レベル差検出回路
１４、および、被補正回路１５によって構成されてい
る。ここで、定電流源１０は、一定の電流を発生し、内
蔵部品１１に供給する。
【０００５】内蔵部品１１は、半導体装置の内部に形成
された、例えば、抵抗素子である。定電流源１２は、一
定の電流を発生し、外付け部品１３に供給する。外付け
部品１３は、半導体装置の温度変化の影響を受けないよ
うに半導体装置の外部に配置された、例えば、抵抗素子
である。
【０００６】レベル差検出回路１４は、内蔵部品１１と
外付け部品１３との電位差を検出し、その電位差に対応
するｎＢｉｔの信号を生成して被補正回路１５に出力す
る。被補正回路１５は、例えば、能動フィルタ等であ
り、補正の対象となる回路である。
【０００７】次に、以上の従来例の動作について説明す
る。半導体装置に電源が投入されると、定電流源１０か
ら一定の電流が生成されて内蔵部品１１に供給される。
また、定電流源１２からも一定の電流が生成されて外付
け１３に供給される。
【０００８】例えば、定電流源１０，１２の電流値およ
び内蔵部品１１および外付け部品１３の素子値が、室温
（２５℃）下において、内蔵部品１１と外付け部品１３
の電位差が“０”になるように設定されているとする
と、電源投入直後は室温下での動作になるので、内蔵部
品１１および外付け部品１３の電位差は“０”となり、
その結果、レベル差検出回路１４は、電位差が“０”で
あることを示すｎＢｉｔ信号を生成して被補正回路１５
に供給する。
【０００９】被補正回路１５は、レベル差検出回路１４
から供給されたｎＢｉｔ信号を参照し、電位差が“０”
であることから、回路特性の補正は実行せずに、入力信
号に対して所定の信号処理（例えば、フィルタ処理）を
実行して出力する。
【００１０】次に、半導体装置の温度が上昇した場合に
ついて考える。電源が投入されてから所定の時間が経過
し、半導体装置の温度が上昇すると、半導体装置の内部
に形成された内蔵部品１１の温度は、半導体装置の温度
上昇に従って上昇する。一方、半導体装置の外部に位置
する外付け部品１３は温度が上昇しない。
【００１１】その結果、内蔵部品１１および外付け部品
１３が正の温度特性を有する場合、即ち、温度が上昇す
ると素子値が増大する特性を有する場合には、内蔵部品
１１の素子値の方が、外付け部品１３の素子値よりも大
きくなる。このとき、定電流源１０および定電流源１２
から出力される電流が等しいとすると、内蔵部品１１に
発生する電圧の方が、外付け部品１３に発生する電圧よ
りも高くなる。
【００１２】レベル差検出回路１４は、内蔵部品１１と
外付け部品１３の電位差に対応するｎＢｉｔ信号を生成
し、被補正回路１５に出力する。例えば、内蔵部品１１
に発生する電圧が５．２Ｖであり、外付け部品１３に発
生する電圧が５．１Ｖである場合には、レベル差検出回
路１４は、その電位差である０．１Ｖに対応するｎＢｉ
ｔ信号を生成して、被補正回路１５に出力する。
【００１３】被補正回路１５は、レベル差検出回路１４
から供給されたｎＢｉｔ信号を参照し、その信号に応じ
て被補正回路１５を補正する。例えば、レベル差が０．
１Ｖである場合には、被補正回路１５に内蔵されている
抵抗素子の抵抗値が温度変化による増加分だけ減少する
ように補正がなされる。その結果、半導体素子の温度が
上昇した場合であっても、被補正回路１５の回路特性が
変化することを防止できる。
【００１４】次に、図１１を参照して、従来における温
度変化による特性変化を補償するための他の方法につい
て説明する。この例は、被測定回路２０、減算＆積分回
路２１、判定回路２２、抵抗値制御回路２３、および、
クロックジェネレータ２４によって構成されている。
【００１５】ここで、被測定回路２０は、抵抗素子、キ
ャパシタ、および、積分回路を含むアクティブフィルタ
によって構成されている。減算＆積分回路２１は、被測
定回路２０が有する抵抗素子に印加される電圧を積分し
て出力する。なお、抵抗素子に印加される電圧が直流オ
フセットを含む場合には、オフセット分を出力信号から
減算した後、積分する。
【００１６】判定回路２２は、減算＆積分回路２１から
の出力と、基準信号とを比較し、比較結果を抵抗値制御
回路２３に供給する。抵抗値制御回路２３は、判定回路
２２の出力に応じて、被測定回路２０が有する抵抗素子
の抵抗値を制御する。
【００１７】クロックジェネレータ２４は、減算＆積分
回路２１および判定回路２２がスイッチトキャパシタに
よって構成されているので、これらを駆動するためのク
ロック信号を生成して供給する。
【００１８】次に、以上の従来例の動作について説明す
る。半導体装置に電源が投入されると、被測定回路２０
が動作を開始する。減算＆積分回路２１は、被測定回路
２０を構成する抵抗素子に印加される電圧を、クロック
ジェネレータ２４から供給されるクロック信号に応じて
積分し、判定回路２２に出力する。なお、被測定回路２
０が有する抵抗素子に印加される電圧が直流オフセット
を有する場合には、直流オフセット分を出力電圧から減
算した後、積分する。
【００１９】判定回路２２は、減算＆積分回路２１の出
力と、基準信号とを比較し、比較結果を抵抗値制御回路
２３に供給する。例えば、減算＆積分回路２１の出力
と、基準信号とが室温（２５℃）下において等しくなる
ように設定されていたとすると、電源投入直後は半導体
装置の温度は室温にほぼ等しいので、判定回路２２はこ
れらが等しい旨を抵抗値制御回路２３に通知する。
【００２０】抵抗値制御回路２３は、判定回路２２から
の出力に応じて、被測定回路２０の抵抗素子の値を制御
する。いまの例では、減算＆積分回路２１の出力と、基
準信号とが等しいことから、抵抗値制御回路２３は抵抗
値の制御を留保する。
【００２１】次に、半導体装置の温度が上昇した場合に
ついて考える。電源が投入されてから所定の時間が経過
し、半導体装置の温度が上昇すると、被測定回路２０が
有する抵抗素子の温度は、半導体装置の温度上昇に従っ
て上昇する。その結果、回路定数が変化することになる
ので、減算＆積分回路２１の出力が変化することにな
る。
【００２２】判定回路２２は、減算＆積分回路２１の出
力と基準信号とを比較して減算＆積分回路２１の出力が
変化したことを検知し、その旨を抵抗値制御回路２３に
通知する。
【００２３】抵抗値制御回路２３は、判定回路２２から
の信号により、抵抗値が変化したことを了知し、被測定
回路２０の抵抗値を変化した量に応じて変更する。例え
ば、抵抗素子が正の温度特性（温度が上昇すると抵抗値
が上昇する特性）を有する場合には、温度の上昇分に応
じて抵抗値を減少させる。このようにすることにより、
半導体素子の温度が変化した場合であっても、被測定回
路２０の特性が変化することを防止できる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示す
実施の形態では、半導体装置の外部に外付け部品１３を
付加する必要があるため、半導体装置の実装面積が増加
するという問題点があった。
【００２５】また、図１０の例では定電流源１０，１２
の出力電流が温度依存性を有することから、温度変化に
より出力される電流が変化する。また、図１１の例では
基準信号を生成する回路が同様に温度依存性を有するこ
とから、温度変化により出力される基準信号が変化す
る。その結果、基準となる信号が変化することになるた
め、測定精度が低下するという問題点があった。
【００２６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、実装面積を増大することなく、正確に温度変
化を検出することが可能な半導体装置および温度変化検
出装置を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、図１に示す半導体装置において、所定の
処理を実行する処理部３３と、第１の半導体素子（第１
の抵抗３０ｂ，３０ｄ）と、前記第１の半導体素子（第
１の抵抗３０ｂ，３０ｄ）とは温度特性が異なる第２の
半導体素子（第２の抵抗３０ａ，３０ｃ）とを有し、前
記処理部３３に近接して配置されるセンサー部３０と、
前記センサー部３０を構成する第１の半導体素子（第１
の抵抗３０ｂ，３０ｄ）および第２の半導体素子（第２
の抵抗３０ａ，３０ｃ）に生ずる特性変化により前記処
理部３３の温度変化を検出する温度変化検出部３１と、
前記温度変化検出部３１による検出結果に応じて、前記
処理部３３の動作を較正する較正部３２と、を有するこ
とを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２８】ここで、処理部３３は所定の処理を実行す
る。センサー部３０は、第１の半導体素子（第１の抵抗
３０ｂ，３０ｄ）と、第１の半導体素子（第１の抵抗３
０ｂ，３０ｄ）とは温度特性が異なる第２の半導体素子
（第２の抵抗３０ａ，３０ｃ）とを有し、処理部３３に
近接して配置される。温度変化検出部３１は、センサー
部３０を構成する第１の半導体素子（第１の抵抗３０
ｂ，３０ｄ）および第２の半導体素子（第２の抵抗３０
ａ，３０ｃ）に生ずる特性変化により処理部の温度変化
を検出する。較正部３２は、温度変化検出部３１による
検出結果に応じて、処理部３３の動作を較正する。
【００２９】また、本発明では、上記課題を解決するた
めに、所定の処理を実行する処理部と、一端が第１の定
電圧源に接続された第１の半導体素子と、一端が前記第
１の半導体素子の他端に接続され、他端が前記第１の定
電圧源よりも低い電位を有する第２の定電圧源に接続さ
れ、前記第１の半導体素子とは温度特性が異なる第２の
半導体素子と、一端が前記第１の定電圧源に接続され、
前記第２の半導体素子と温度特性が同一である第３の半
導体素子と、一端が前記第１の半導体素子の他端に接続
され、他端が前記第２の定電圧源に接続され、前記第１
の半導体素子と温度特性が同一である第４の半導体素子
から構成され、前記処理部に近接して配置されたブリッ
ジ回路と、前記第１および第２の半導体素子の接続ノー
ドと前記第３および第４の半導体素子の接続ノードとの
間の電位差の変化により前記処理部の温度変化を検出す
る温度変化検出部と、前記温度変化検出部による検出結
果に応じて、前記処理部の動作を較正する較正部と、を
有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００３０】ここで、処理部は、所定の処理を実行す
る。ブリッジ回路は、一端が第１の定電圧源に接続され
た第１の半導体素子と、一端が第１の半導体素子の他端
に接続され、他端が第１の定電圧源よりも低い電位を有
する第２の定電圧源に接続され、第１の半導体素子とは
温度特性が異なる第２の半導体素子と、一端が第１の定
電圧源に接続され、第２の半導体素子と温度特性が同一
である第３の半導体素子と、一端が第１の半導体素子の
他端に接続され、他端が第２の定電圧源に接続され、第
１の半導体素子と温度特性が同一である第４の半導体素
子から構成され、処理部に近接して配置されている。温
度変化検出部は、第１および第２の半導体素子の接続ノ
ードと第３および第４の半導体素子の接続ノードとの間
の電位差の変化により処理部の温度変化を検出する。較
正部は、温度変化検出部による検出結果に応じて、処理
部の動作を較正する。
【００３１】また、本発明では、上記課題を解決するた
めに、抵抗素子部とキャパシタ部とを含み、前記抵抗素
子部の抵抗値と前記キャパシタ部の容量値によって決ま
るカットオフ周波数を有するフィルタ回路と、第１の半
導体素子と、前記第１の半導体素子とは温度特性が異な
る第２の半導体素子とを有し、前記フィルタ回路に近接
して配置されるセンサー部と、前記センサー部を構成す
る第１の半導体素子および第２の半導体素子に生ずる特
性変化により前記抵抗素子部の抵抗値および前記キャパ
シタ部の容量値の温度変化を検出する温度変化検出部
と、前記温度変化検出部による検出結果に応じて、前記
抵抗素子部の抵抗値および前記キャパシタ部の容量値の
少なくとも一方を変化させることにより、前記フィルタ
回路の動作を較正する較正部と、を有することを特徴と
する半導体装置が提供される。
【００３２】ここで、フィルタ回路は、抵抗素子部とキ
ャパシタ部とを含み、抵抗素子部の抵抗値とキャパシタ
部の容量値によって決まるカットオフ周波数を有する。
センサー部は、第１の半導体素子と、第１の半導体素子
とは温度特性が異なる第２の半導体素子とを有し、フィ
ルタ回路に近接して配置される。温度変化検出部は、セ
ンサー部を構成する第１の半導体素子および第２の半導
体素子に生ずる特性変化により抵抗素子部の抵抗値およ
びキャパシタ部の容量値の温度変化を検出する。較正部
は、温度変化検出部による検出結果に応じて、抵抗素子
部の抵抗値およびキャパシタ部の容量値の少なくとも一
方を変化させることにより、フィルタ回路の動作を較正
する。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の半導体装置の動
作原理を説明する原理図である。この図に示すように、
本発明の半導体装置は、第２の抵抗３０ａ，３０ｃと第
１の抵抗３０ｂ，３０ｄによって構成されるセンサー部
３０、温度変化検出部３１、較正部３２、および、処理
部３３によって構成されている。
【００３４】ここで、センサー部３０は、第１の抵抗３
０ｂ，３０ｄと、これとは温度特性が異なる第２の抵抗
３０ａ，３０ｃによってブリッジ回路が構成され、第１
の抵抗３０ｂおよび第２の抵抗３０ｃの上部端子に発生
する電圧が出力として取り出される。また、第２の抵抗
３０ａおよび第１の抵抗３０ｄの上部端子に高電位の電
源電圧が供給され、第１の抵抗３０ｂおよび第２の抵抗
３０ｃの下部端子に低電位の電源電圧が供給される。
【００３５】温度変化検出部３１は、第１の抵抗３０ｂ
および第２の抵抗３０ｃの上部端子に発生する電位差を
検出することにより、被測定物である処理部の温度変化
を検出する。
【００３６】較正部３２は、温度変化検出部３１の出力
を参照し、処理部３３の動作を較正する。処理部３３
は、較正部３２からの出力によって、例えば、内蔵され
ている抵抗素子の抵抗値を変化させることにより、温度
変化によっても特性が変化しないようにする。
【００３７】次に、以上の原理図の動作について説明す
る。図１に示す半導体装置に電源が投入されると、図示
せぬ電源回路からセンサー部３０に対して電源電圧の供
給が開始される。
【００３８】ここで、第１の抵抗３０ｂ，３０ｄおよび
第２の抵抗３０ａ，３０ｃの抵抗値が室温下では全て同
一となるように設定されているとすると、電源投入直後
には半導体装置の温度は室温とほぼ同じであり、また、
ブリッジの平衡の条件を満足していることから、センサ
ー部３０の出力は“０”となる。
【００３９】温度変化検出部３１は、第１の抵抗３０ｂ
および第２の抵抗３０ｃの上部端子に発生する電位差を
検出し、これらが等しいことから、半導体装置は室温下
で動作していると判断し、その旨を較正部３２に通知す
る。
【００４０】較正部３２は、温度変化検出部３１からの
出力を参照し、室温下で動作していることを了知する。
その結果、例えば、処理部３３の較正は必要でないこと
から、較正部３２は処理部３３の較正を留保する。
【００４１】次に、半導体装置の温度が上昇した場合に
ついて考える。仮に、第１の抵抗３０ｂ，３０ｄが正の
温度特性（温度が上昇すると抵抗値が増加する特性）を
有し、第２の抵抗３０ａ，３０ｃが負の温度特性（温度
が上昇すると抵抗値が減少する特性）を有しているとす
ると、半導体装置の温度が上昇すると第１の抵抗３０
ｂ，３０ｄに印加される電圧は増加し、第２の抵抗３０
ａ，３０ｃに印加される電圧は減少することになる。そ
の結果、第１の抵抗３０ｂの上部端子の電位の方が、第
２の抵抗３０ｃの上部端子の電位よりも高くなる。
【００４２】温度変化検出部３１は、第１の抵抗３０ｂ
の上部端子の電位と、第２の抵抗３０ｃの上部端子の電
位とを比較し、第１の抵抗３０ｂの上部端子の電位の方
が高いことから、半導体装置の温度が室温よりも上昇し
たことを検出し、センサー部３０の電位差に対応する信
号を較正部３２に出力する。
【００４３】較正部３２は、温度変化検出部３１の出力
を参照して温度が上昇したことを了知し、処理部３３の
所定の素子の素子値を変化させることにより、処理部３
３の特性が変化しないように較正を行う。具体的には、
処理部３３に内蔵されている抵抗素子が正の温度特性を
有する場合には、温度上昇によって抵抗値が増加するの
で、増加分に見合う分だけ抵抗値を減少させる。その結
果、処理部３３は、温度が上昇した場合でも特性が変化
することなく、処理を行うことができる。
【００４４】なお、外気温が低下した場合（例えば、空
調が利いた部屋に入った場合）には、半導体装置の温度
は室温である２５℃よりも低下することになるが、その
場合には第２の抵抗３０ｃの上部端子の電位の方が高く
なることから、較正部３２は処理部３３に内蔵されてい
る抵抗素子の抵抗値を減少させる方向で制御する。その
結果、温度が低下した場合であっても、処理部３３の特
性が変化することを防止することができる。
【００４５】以上に説明したように、本発明の半導体装
置では、半導体装置の内部に設けられた第１の抵抗３０
ｂ，３０ｄと、第２の抵抗３０ａ，３０ｃとにより、温
度変化を検出するようにしたので、図１０に示す従来例
に比較して、実装面積を増大することなく半導体装置の
温度を検出することが可能になる。
【００４６】また、本発明の半導体装置によれば、温度
特性の異なる第１の抵抗３０ｂ，３０ｄと、第２の抵抗
３０ａ，３０ｃによりブリッジ回路を構成し、その出力
電圧によって温度変化を検知するようにしたので、図１
０および図１１に示す従来例に比較し、精度良く温度変
化を検出することができる。即ち、図１０の例におい
て、外付け部品１３の抵抗値をＲとし、定電流源１２か
ら流出する電流の温度変化による変動をΔＩとすると、
温度変化に起因する外付け部品１３に印加される電圧の
変化（誤差）は、ΔＩ×Ｒによって表される。即ち、温
度による定電流源の変化ΔＩはＲ倍されて出力される。
【００４７】一方、図１に示す回路では、ブリッジ回路
が平衡状態にある場合には、ブリッジ回路に印加される
電源電圧に拘わらず、出力は“０”となるので誤差の影
響を受けない。また、ブリッジ回路が平衡状態からずれ
を生じた場合に、電源電圧がΔＶだけずれを生じた場合
について考えると、第１の抵抗３０ｂ，３０ｄの抵抗値
をＲ１、第２の抵抗３０ａ，３０ｃの抵抗値をＲ２とす
ると、ΔＶは１／（Ｒ１＋Ｒ２）倍されて出力されるこ
とから、図１０の場合に比較して、電源電圧の変動の影
響を受けにくいことが分かる。
【００４８】次に、本発明の実施の形態について説明す
る。図２は、本発明の実施の形態の構成例を示す図であ
る。この図に示すように、本発明の実施の形態は、定電
圧源５０，５１、検出抵抗Ｂ５２、検出抵抗Ａ５３、検
出抵抗Ｂ５４、検出抵抗Ａ５５、検出抵抗Ｂ５６、Ａ／
Ｄ（Analog to Digital）変換回路５７、タイマ５８、
制御回路５９、抵抗６１〜６３、スイッチ６４〜６６、
および、キャパシタ６７によって構成されている。
【００４９】ここで、定電圧源５０，５１は、半導体装
置に供給される電源電圧から所定の電圧を生成してブリ
ッジ回路に供給する。図３は、定電圧源５０，５１の詳
細な構成例を示す図である。この図に示すように、定電
圧源５０，５１は、ＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal
Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor）７
０，７１およびＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ７２，７３に
よって構成され、高電位電源ＶＤＤおよび低電位電源Ｖ
ＳＳから所定の電圧を生成し、ブリッジ回路に供給す
る。
【００５０】検出抵抗Ａ５３，５５、および、検出抵抗
Ｂ５２，５４，５６は、それぞれ異なる温度特性を有す
る抵抗素子によって構成されており、被測定物である抵
抗６１〜６３に近接して配置されている。
【００５１】図４は、検出抵抗Ａ５３，５５の構成例を
示す図である。図４に示すように、検出抵抗Ａ５３，５
５は、シリサイド８０、ポリシリコン８１、酸化膜８
２、および、Ｐ−Ｗｅｌｌ８３によって構成されるシリ
サイド抵抗である。
【００５２】図５は、検出抵抗Ｂ５２，５４，５６の構
成例を示す図である。図５に示すように、検出抵抗Ｂ５
２，５４，５６は、ポリシリコン９０、酸化膜９１、Ｐ
−Ｗｅｌｌ９２によって構成されるポリ抵抗である。
【００５３】なお、図４および図５を比較すると、図４
に示すシリサイド抵抗では、シリサイド８０がポリシリ
コン８１上に形成されている点が異なっている。その他
の構成は、図５に示すポリ抵抗と同様である。
【００５４】図６は、検出抵抗Ａ５３，５５および検出
抵抗Ｂ５２，５４，５６の温度特性を示す図である。こ
の図では、丸が検出抵抗Ａ（シリサイド抵抗）を示し、
四角が検出抵抗Ｂ（ポリ抵抗）を示している。検出抵抗
Ａは、温度が上昇するにつれて抵抗値が直線的（線形）
に増加する特性を有しており、正の温度特性を有してい
る。検出抵抗Ｂは、温度が上昇するにつれて抵抗が曲線
的（非線形的）に減少する特性を有しており、負の温度
特性を有している。
【００５５】図２に戻って、Ａ／Ｄ変換回路５７は、ブ
リッジ回路からの出力信号であるアナログ信号を対応す
るディジタル信号に変換して出力する。タイマ５８は、
時刻または所定のタイミングからの時間を計時し、所定
のタイミング信号を制御回路５９に出力する。
【００５６】制御回路５９は、例えば、ＣＰＵ（Centra
l Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、
および、ＲＡＭ（Random Access Memory）等によって構
成され、Ａ／Ｄ変換回路５７およびタイマ５８からの出
力に応じて、スイッチ６４〜６６を制御する。
【００５７】抵抗６１〜６３は、スイッチ６４〜６６を
介してキャパシタ６７に接続され、キャパシタ６７との
間でＲＣフィルタを構成する。スイッチ６４〜６６は、
半導体スイッチによって構成され、制御回路５９の制御
に応じてＯＮまたはＯＦＦの状態にされ、抵抗６１〜６
３をキャパシタ６７に接続する。
【００５８】キャパシタ６７は、抵抗６１〜６３と接続
され、所定のカットオフ周波数のＲＣフィルタを構成す
る。次に、以上の実施の形態の動作について説明する。
【００５９】半導体装置に電源が投入されると、定電圧
源５０，５１に高電位電源ＶＤＤと低電位電源ＶＳＳが
供給され（図３参照）、その結果、ブリッジ回路に所定
の電圧が印加される。
【００６０】ここで、検出抵抗Ａ５３，５５の抵抗値を
Ｒａ、検出抵抗Ｂ５２，５４，５６の抵抗値をＲｂとす
ると、ブリッジ回路の出力Ｖｏは以下の式により表され
る。なお、Ｅはブリッジ回路に印加される電源電圧であ
る。
【００６１】
【式１】 Ｖｏ＝Ｅ・（Ｒａ−Ｒｂ）／（３・Ｒａ＋Ｒｂ） ・・・（１） 図７は、温度とブリッジ回路の出力電圧との関係を示す
図である。この図に示すように、ブリッジ回路の出力
は、温度が上昇するに従って増加する特性を有してい
る。
【００６２】仮に、室温（２５℃）における抵抗値Ｒａ
とＲｂとが等しいとすると、電源投入直後は、被測定物
である抵抗６１〜６３の温度は室温にほぼ等しいと考え
られ、式（１）の分子は“０”になることから、ブリッ
ジ回路の出力は“０”となる。
【００６３】Ａ／Ｄ変換回路５７は、ブリッジ回路の出
力である“０”をＡ／Ｄ変換し、“０”に対応するディ
ジタル信号を出力する。制御回路５９は、Ａ／Ｄ変換回
路５７から出力された“０”に対応するディジタル信号
を入力し、半導体装置の温度が室温（２５℃）であるこ
とを検知する。そして、Ａ／Ｄ変換回路５７の出力
“０”に対応するスイッチ６４をＯＮの状態にし、それ
以外はＯＦＦの状態にする。その結果、抵抗６１とキャ
パシタ６７によりＲＣフィルタが構成され、入力信号は
所定のカットオフ周波数により遮断されることになる。
【００６４】電源が投入されてから所定の時間（例えば
３分）が経過すると、制御回路５９は、タイマ５８から
の出力を参照して所定の時間が経過したことを検知し、
Ａ／Ｄ変換回路５７からの出力を入力する。
【００６５】電源が投入されてからある程度時間が経過
すると、半導体装置は発熱により温度が上昇し、抵抗６
１の抵抗値が変化するので、抵抗６１とキャパシタ６７
によって形成されるＲＣフィルタのカットオフ周波数も
変化する。例えば、抵抗６１が検出抵抗Ａ５３，５５と
同様のシリサイド抵抗によって構成されているとする
と、図６に示すように、温度が上昇した場合、抵抗値が
増加するので、カットオフ周波数が減少することにな
る。
【００６６】そこで、制御回路５９は、タイマ５８の出
力を参照し、電源が投入されてから所定の時間が経過し
ていることが検出された場合には、Ａ／Ｄ変換回路５７
の出力を参照し、温度が上昇している場合には、スイッ
チ６４〜６６を適宜制御してカットオフ周波数が変化し
ないように調節する。
【００６７】図８は、図２に示す半導体装置の温度と、
カットオフ周波数のバラツキとの関係を示す図である。
この図において、中央の直線は、抵抗６１が接続された
場合における温度とカットオフ周波数のバラツキとの関
係を示す図である。また、図の一番上の直線は、抵抗６
２が接続された場合における温度とカットオフ周波数の
バラツキとの関係を示し、図の一番下の直線は、抵抗６
３が接続された場合における温度とカットオフ周波数の
バラツキとの関係を示している。
【００６８】この実施の形態では、図８に太線で示すよ
うに、温度が１０℃以上４０℃未満の範囲は抵抗６１が
選択され、温度が４０℃以上の範囲は抵抗６２が選択さ
れ、温度が１０℃未満の範囲は抵抗６３が選択される。
【００６９】いまの例では、例えば、温度が５０℃にな
ったとすると、図７に示すように、ブリッジ回路の出力
は約１０ｍＶになるので、制御回路５９は、Ａ／Ｄ変換
回路５７の出力を参照し、出力電圧１０ｍＶに対応する
スイッチ６５をＯＮにし、それ以外は全てＯＦＦの状態
にする。なお、ブリッジ回路の出力と、ＯＮにするスイ
ッチとの対応関係は、制御回路５９が有するＲＯＭに予
めテーブルとして格納しておくことができる。
【００７０】その結果、抵抗６２がキャパシタ６７に接
続され、抵抗６２とキャパシタ６７によって形成される
ＲＣフィルタにより、入力信号がフィルタリングされて
出力されることになる。
【００７１】以上のような実施の形態によれば、図８に
示すように、温度が−２０℃から７０℃の範囲では、カ
ットオフ周波数のバラツキは±１％の範囲に収まること
になるので、温度変化によらず回路特性を一定に保つこ
とが可能になる。
【００７２】また、以上の実施の形態によれば、検出抵
抗Ａ５３，５５および検出抵抗５２，５４，５６を、被
測定物である抵抗６１〜６３の近傍に配置することが可
能になるので、被測定物の温度を正確に測定することが
可能になるとともに、外付けの部品を必要としないの
で、実装面積が増大することを防止できる。
【００７３】また、以上の実施の形態によれば、温度特
性が異なる抵抗素子によりブリッジ回路を構成し、温度
変化を検出するようにしたので、電源電圧の変動による
誤差の発生を最小限に抑えることが可能になる。
【００７４】なお、以上の実施の形態では、ブリッジ回
路の出力端子に検出抵抗Ｂ５６を接続するようにした
が、これは、非線形特性を有する検出抵抗Ｂの温度特性
が出力に与える影響を軽減するためである。即ち、検出
抵抗Ａを検出抵抗Ｂ５６の代わりに接続すると、ブリッ
ジ回路の出力は以下の式で表される。
【００７５】
【式２】 Ｖｏ＝Ｅ・（Ｒａ−Ｒｂ）／（３・Ｒｂ＋Ｒａ） ・・・（２） 式（１）と比較すると、分母の（３・Ｒａ＋Ｒｂ）が
（３・Ｒｂ＋Ｒａ）に置換されている。従って、回路全
体として考えると、図２に示す検出抵抗Ｂ５６をブリッ
ジ回路の中央に接続した場合の方が、検出抵抗Ａを接続
した回路よりも線形特性を有する検出抵抗Ａの影響が大
きいため、図７に示すように出力特性も線形特性に近い
特性となる。
【００７６】従って、線形特性を有する検出抵抗と、非
線形特性を有する検出抵抗を組み合わせてブリッジ回路
に使用する場合には、ブリッジ回路の出力端子に非線形
特性を有する検出抵抗を接続することにより、ブリッジ
回路全体の出力特性を線形特性に近づけることができる
ため、制御回路５９を含む回路の構成を簡易にすること
が可能になる。
【００７７】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図９は、本発明の第２の実施の形態の構成例
を示す図である。なお、この図において、図２と対応す
る部分には同一の符号を付してあるので、その説明は省
略する。
【００７８】図９に示す実施の形態では、図２に示す実
施の形態と比較して、電源制御回路１００、ＦＦ（Flip
Flop）１０１〜１０３が付加されている。その他の構
成は図２の場合と同様である。
【００７９】電源制御回路１００は、電源が投入された
場合と、タイマ５８により所定の時間が経過したことが
検出された場合に定電圧源５０，５１、Ａ／Ｄ変換回路
５７、および、制御回路５９に電源を供給し、それ以外
の場合には電源の供給を停止する。
【００８０】ＦＦ１０１〜１０３は、制御回路５９から
出力される制御信号をラッチし、スイッチ６４〜６６に
供給する。なお、ＦＦ１０１〜１０３には、電源が常に
供給されているので、制御回路５９への電源の供給が停
止された場合であっても、スイッチ６４〜６６の状態を
保持することができる。
【００８１】次に、本発明の第２の実施の形態の動作に
ついて説明する。半導体装置に電源が投入されると、電
源制御回路１００に対して電源の供給が開始される。そ
の結果、電源制御回路１００は、定電圧源５０，５１、
Ａ／Ｄ変換回路５７、および、制御回路５９に対する電
源の供給を開始する。
【００８２】その結果、ブリッジ回路からは被測定物で
ある抵抗６１〜６３の温度に対応する電圧が出力され、
Ａ／Ｄ変換回路５７に供給される。Ａ／Ｄ変換回路５７
は、ブリッジ回路からの出力信号を対応するディジタル
信号に変換し、制御回路５９に出力する。
【００８３】制御回路５９は、Ａ／Ｄ変換回路５７の出
力を参照し、現在の温度に対応するスイッチをＯＮする
ための信号を出力する。仮に、スイッチ６４をＯＮする
信号が出力されたとすると、ＦＦ１０１への出力信号は
“Ｈ”の状態になり、それ以外のＦＦ１０２，１０３へ
の出力信号は“Ｌ”の状態になる。
【００８４】ＦＦ１０１〜１０３は、制御回路５９の出
力信号をラッチするとともに、ラッチした信号をスイッ
チ６４〜６６に供給する。その結果、スイッチ６４がＯ
Ｎの状態になり、抵抗６１とキャパシタ６７とによりＲ
Ｃフィルタが構成され、入力信号が所定のカットオフ周
波数で遮断されることになる。
【００８５】電源が投入されてから所定の時間が経過し
た場合（または、制御回路５９から制御信号が出力され
た場合）には、電源制御回路１００は、タイマ５８の出
力を参照してこれを検知し、電源の供給を遮断する。そ
の結果、定電圧源５０，５１、Ａ／Ｄ変換回路５７、お
よび、制御回路５９に対する電源の供給が停止されるこ
とになる。
【００８６】続いて、電源の供給が停止されてから所定
の時間（例えば３分）が経過すると、電源制御回路１０
０はタイマ５８の出力を参照してこれを検知し、電源の
供給を再開する。その結果、定電圧源５０，５１、Ａ／
Ｄ変換回路５７、および、制御回路５９に対する電源の
供給が再開され、前述の場合と同様の動作により、温度
に対応したスイッチがＯＮの状態にされるので、温度が
上昇した場合でもカットオフ周波数が所定の範囲に収ま
るように制御することができる。
【００８７】また、その際、制御回路５９の出力はＦＦ
１０１〜１０３にラッチされるので、電源制御回路１０
０による電源の供給がその後に停止された場合でも、所
定のスイッチはＯＮの状態を保持することになる。
【００８８】以上の実施の形態によれば、温度を検出す
る必要が生じた場合にのみ電源を供給し、それ以外の場
合にはＦＦ１０１〜１０３にのみ電源を供給して直前の
状態を保持するようにしたので、電力の消費を抑制する
ことが可能になる。
【００８９】なお、以上の実施の形態では、検出抵抗Ｂ
５６をブリッジ回路の出力端子に接続するようにした
が、検出抵抗Ｂの温度特性が直線的である場合には、必
ずしも接続する必要はない。
【００９０】また、ＲＣフィルタにおいて、複数の抵抗
を設ける代わりに複数のキャパシタとスイッチを並列に
設けて、Ａ／Ｄ変換回路の出力に基づいて制御回路によ
り各々のスイッチを適宜選択するようにしてもよい。
【００９１】また、ＲＣフィルタにおいて、抵抗６１〜
６３を同時に２以上選択するように構成することも可能
である。このような構成によれば、抵抗値を適宜組み合
わせることにより、少ない抵抗素子数でより多くの抵抗
値を実現することが可能になる。
【００９２】また、本実施の形態では、制御対象をＲＣ
フィルタとしたが、本発明はこのような場合に限定され
るものではなく、温度変化によって特性の変化する全て
の電子回路に適用することが可能である。
【００９３】また、本実施の形態では、ブリッジ回路の
出力によって対象となる回路を制御するようにしたが、
ブリッジ回路の出力を外部に取り出し、これを他の半導
体装置または電子回路で使用することも可能である。
【００９４】また、本実施の形態では、ブリッジ回路を
構成する素子として、抵抗素子を用いたが、本発明はこ
のような場合に限定されるものではなく、抵抗素子以外
の他の素子も利用することが可能であることはいうまで
もない。
【００９５】また、本実施の形態では、ブリッジ回路を
構成し、その出力電圧により温度変化を検出するように
したが、本発明はこのような場合に限定されるものでは
なく、例えば、温度特性が異なる複数の素子を利用し、
それらの素子に流入する電流の変化または印加される電
圧の変化の差分を用いて温度変化を検出することも可能
である。
【００９６】（付記１） 所定の処理を実行する処理部
と、第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子とは温
度特性が異なる第２の半導体素子とを有し、前記処理部
に近接して配置されるセンサー部と、前記センサー部を
構成する第１の半導体素子および第２の半導体素子に生
ずる特性変化により前記処理部の温度変化を検出する温
度変化検出部と、前記温度変化検出部による検出結果に
応じて、前記処理部の動作を較正する較正部と、を有す
ることを特徴とする半導体装置。
【００９７】（付記２） 前記第１の半導体素子は第１
の抵抗素子であり、前記第２の半導体素子は前記第１の
抵抗素子とは温度特性が異なる第２の抵抗素子であり、
前記センサー部は、前記第１の抵抗素子および前記第２
の抵抗素子によりブリッジ回路が構成されており、前記
温度変化検出部は、前記ブリッジ回路の出力電圧から前
記処理部の温度変化を検出する、ことを特徴とする付記
１記載の半導体装置。
【００９８】（付記３） 前記第１または第２の抵抗素
子の何れかは温度特性が非線形であり、前記ブリッジ回
路の出力を取り出す部分には、前記非線形特性を有する
抵抗素子が出力抵抗として付加されていることを特徴と
する付記２記載の半導体装置。
【００９９】（付記４） 前記較正部は、半導体装置に
電源が投入された場合に動作することを特徴とする付記
１記載の半導体装置。 （付記５） 前記較正部は、所定の周期で動作すること
を特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１００】（付記６） 前記温度変化検出部からの出
力を記憶する記憶回路と、前記センサー部および前記温
度変化検出部への電源の供給を制御する電源制御回路
と、を更に有し、前記電源制回路は、前記較正部が動作
する場合以外は、前記センサー部および前記温度変化検
出部への電源の供給を遮断し、前記較正部は、前記電源
供給遮断手段によって前記センサー部および前記温度変
化検出部への電源の供給が遮断されている場合には、前
記記憶回路に記憶されている情報を参照して動作する、
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１０１】（付記７） 被測定物の温度変化を検出す
る温度変化検出装置において、第１の半導体素子と、前
記第１の半導体素子とは温度特性が異なる第２の半導体
素子とを有し、前記被測定物に近接して配置されるセン
サー部と、前記センサー部を構成する第１の半導体素子
および第２の半導体素子に生ずる特性変化により前記被
測定物の温度変化を検出する温度変化検出部と、を有す
ることを特徴とする温度変化検出装置。
【０１０２】（付記８） 前記第１の半導体素子は第１
の抵抗素子であり、前記第２の半導体素子は前記第１の
抵抗素子とは温度特性が異なる第２の抵抗素子であり、
前記センサー部は、前記第１の抵抗素子および前記第２
の抵抗素子によりブリッジ回路が構成されており、前記
温度変化検出部は、前記ブリッジ回路の出力電圧から前
記被測定物の温度変化を検出する、ことを特徴とする付
記７記載の温度変化検出装置。
【０１０３】（付記９） 前記第１または第２の抵抗素
子の何れかは温度特性が非線形であり、前記ブリッジ回
路の出力を取り出す部分には、前記非線形特性を有する
抵抗素子が出力抵抗として付加されていることを特徴と
する付記８記載の温度変化検出装置。
【０１０４】（付記１０） 所定の処理を実行する処理
部と、一端が第１の定電圧源に接続された第１の半導体
素子と、一端が前記第１の半導体素子の他端に接続さ
れ、他端が前記第１の定電圧源よりも低い電位を有する
第２の定電圧源に接続され、前記第１の半導体素子とは
温度特性が異なる第２の半導体素子と、一端が前記第１
の定電圧源に接続され、前記第２の半導体素子と温度特
性が同一である第３の半導体素子と、一端が前記第１の
半導体素子の他端に接続され、他端が前記第２の定電圧
源に接続され、前記第１の半導体素子と温度特性が同一
である第４の半導体素子から構成され、前記処理部に近
接して配置されたブリッジ回路と、前記第１および第２
の半導体素子の接続ノードと前記第３および第４の半導
体素子の接続ノードとの間の電位差の変化により前記処
理部の温度変化を検出する温度変化検出部と、前記温度
変化検出部による検出結果に応じて、前記処理部の動作
を較正する較正部と、を有することを特徴とする半導体
装置。
【０１０５】（付記１１） 前記第１乃至第４の半導体
素子は、抵抗素子であることを特徴とする付記１０記載
の半導体装置。 （付記１２） 前記第１および第４の半導体素子または
前記第２および第３の半導体素子の何れか一方は温度特
性が非線形であり、前記第１および第２の半導体素子の
接続ノードと前記第３および第４の半導体素子の接続ノ
ードとの間に、前記非線形特性を有する半導体素子と同
一の温度特性を有する第５の半導体素子が接続されてい
ることを特徴とする付記１１記載の半導体装置。
【０１０６】（付記１３） 抵抗素子部とキャパシタ部
とを含み、前記抵抗素子部の抵抗値と前記キャパシタ部
の容量値によって決まるカットオフ周波数を有するフィ
ルタ回路と、第１の半導体素子と、前記第１の半導体素
子とは温度特性が異なる第２の半導体素子とを有し、前
記フィルタ回路に近接して配置されるセンサー部と、前
記センサー部を構成する第１の半導体素子および第２の
半導体素子に生ずる特性変化により前記抵抗素子部の抵
抗値および前記キャパシタ部の容量値の温度変化を検出
する温度変化検出部と、前記温度変化検出部による検出
結果に応じて、前記抵抗素子部の抵抗値および前記キャ
パシタ部の容量値の少なくとも一方を変化させることに
より、前記フィルタ回路の動作を較正する較正部と、を
有することを特徴とする半導体装置。
【０１０７】（付記１４） 前記抵抗素子部は、前記キ
ャパシタ部に対して並列に設けられた複数の抵抗素子
と、前記複数の抵抗素子にそれぞれ対応して設けられ、
前記較正部によってオン／オフが制御される複数のスイ
ッチ回路と、を有し、前記較正部は、前記温度変化検出
部による検出結果に応じて、前記複数のスイッチ回路の
中から所定のスイッチ回路をオンさせ前記複数の抵抗素
子の中から所定の抵抗素子を選択することにより、前記
抵抗素子部の抵抗値を変化させることを特徴とする付記
１３記載の半導体装置。
【０１０８】（付記１５） 前記キャパシタ部は、前記
抵抗素子部に対して並列に設けられた複数のキャパシタ
と、前記複数のキャパシタにそれぞれ対応して設けら
れ、前記較正部によってオン／オフが制御される複数の
スイッチ回路と、を有し、前記較正部は、前記温度変化
検出部による検出結果に応じて、前記複数のスイッチ回
路の中から所定のスイッチ回路をオンさせ前記複数のキ
ャパシタの中から所定のキャパシタを選択することによ
り、前記キャパシタ部の容量値を変化させることを特徴
とする付記１３の半導体装置。
【０１０９】（付記１６） 前記第１および第２の半導
体素子の一方は正の温度特性を有し、他方は負の温度特
性を有することを特徴とする付記１，１０または１３記
載の半導体装置。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、所定の
処理を実行する処理部を有する半導体装置において、第
１の半導体素子と、第１の半導体素子とは温度特性が異
なる第２の半導体素子とを有し、処理部に近接して配置
されるセンサー部と、センサー部を構成する第１の半導
体素子および第２の半導体素子に生ずる特性変化により
処理部の温度変化を検出する温度変化検出部と、温度変
化検出部による検出結果に応じて、処理部の動作を較正
する較正部と、を設けるようにしたので、半導体装置の
実装面積を増大することなく、処理部の温度を正確に測
定し、その結果に応じて処理部の特性を較正することが
可能になる。
【０１１１】また、本発明では、所定の処理を実行する
処理部と、一端が第１の定電圧源に接続された第１の半
導体素子と、一端が第１の半導体素子の他端に接続さ
れ、他端が第１の定電圧源よりも低い電位を有する第２
の定電圧源に接続され、第１の半導体素子とは温度特性
が異なる第２の半導体素子と、一端が第１の定電圧源に
接続され、第２の半導体素子と温度特性が同一である第
３の半導体素子と、一端が第１の半導体素子の他端に接
続され、他端が第２の定電圧源に接続され、第１の半導
体素子と温度特性が同一である第４の半導体素子から構
成され、処理部に近接して配置されたブリッジ回路と、
第１および第２の半導体素子の接続ノードと第３および
第４の半導体素子の接続ノードとの間の電位差の変化に
より処理部の温度変化を検出する温度変化検出部と、温
度変化検出部による検出結果に応じて、処理部の動作を
較正する較正部と、を設けるようにしたので、電源電圧
が変動する場合であっても、温度変化を正確に検出する
ことが可能になる。
【０１１２】また、本発明によれば、抵抗素子部とキャ
パシタ部とを含み、抵抗素子部の抵抗値とキャパシタ部
の容量値によって決まるカットオフ周波数を有するフィ
ルタ回路と、第１の半導体素子と、第１の半導体素子と
は温度特性が異なる第２の半導体素子とを有し、フィル
タ回路に近接して配置されるセンサー部と、センサー部
を構成する第１の半導体素子および第２の半導体素子に
生ずる特性変化により抵抗素子部の抵抗値およびキャパ
シタ部の容量値の温度変化を検出する温度変化検出部
と、温度変化検出部による検出結果に応じて、抵抗素子
部の抵抗値およびキャパシタ部の容量値の少なくとも一
方を変化させることにより、フィルタ回路の動作を較正
する較正部と、を設けるようにしたので、温度変化によ
らず、フィルタ回路のカットオフ周波数を一定に保つこ
とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の動作原理を説明する原理図である。
【図２】本発明の実施の形態の構成例を示す図である。
【図３】図２に示す定電圧源の詳細な構成例を示す図で
ある。
【図４】図２に示す検出抵抗Ａの詳細な構成例を示す図
である。
【図５】図２に示す検出抵抗Ｂの詳細な構成例を示す図
である。
【図６】検出抵抗Ａと検出抵抗Ｂの温度特性の一例を示
す図である。
【図７】図２に示すブリッジ回路の温度と出力電圧との
関係を示す図である。
【図８】図２に示す半導体装置の温度とカットオフ周波
数のバラツキの関係を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の構成例を示す図で
ある。
【図１０】従来の半導体装置の構成例を示す図である。
【図１１】従来の半導体装置の他の構成例を示す図であ
る。
【符号の説明】
３０ センサー部 ３０ａ，３０ｃ 第２の抵抗 ３０ｂ，３０ｄ 第１の抵抗 ３１ 温度変化検出部 ３２ 較正部 ３３ 処理部 ５０，５１ 定電圧源 ５２，５４，５６ 検出抵抗Ｂ ５３，５５ 検出抵抗Ａ ５７ Ａ／Ｄ変換回路 ５８ タイマ ５９ 制御回路 ６１〜６３ 抵抗 ６４〜６６ スイッチ ６７ キャパシタ ７０，７１ ＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ ７２，７４ ＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ ８０ シリサイド ８１ ポリシリコン ８２ 酸化膜 ８３ Ｐ−Ｗｅｌｌ ９０ ポリシリコン ９１ 酸化膜 ９２ Ｐ−Ｗｅｌｌ １００ 電源制御回路 １０１〜１０３ ＦＦ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月３日（２００２．４．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示す
従来技術では、半導体装置の外部に外付け部品１３を付
加する必要があるため、半導体装置の実装面積が増加す
るという問題点があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】なお、外気温が低下した場合（例えば、空
調が利いた部屋に入った場合）には、半導体装置の温度
は室温である２５℃よりも低下することになるが、その
場合には第２の抵抗３０ｃの上部端子の電位の方が高く
なることから、較正部３２は処理部３３に内蔵されてい
る抵抗素子の抵抗値を増大させる方向で制御する。その
結果、温度が低下した場合であっても、処理部３３の特
性が変化することを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１００】（付記６） 前記温度変化検出部からの出
力を記憶する記憶回路と、前記センサー部および前記温
度変化検出部への電源の供給を制御する電源制御回路
と、を更に有し、前記電源制御回路は、前記較正部が動
作する場合以外は、前記センサー部および前記温度変化
検出部への電源の供給を遮断し、前記較正部は、前記電
源制御回路によって前記センサー部および前記温度変化
検出部への電源の供給が遮断されている場合には、前記
記憶回路に記憶されている情報を参照して動作する、こ
とを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０４】（付記１０） 所定の処理を実行する処理
部と、一端が第１の定電圧源に接続された第１の半導体
素子と、一端が前記第１の半導体素子の他端に接続さ
れ、他端が前記第１の定電圧源よりも低い電位を有する
第２の定電圧源に接続され、前記第１の半導体素子とは
温度特性が異なる第２の半導体素子と、一端が前記第１
の定電圧源に接続され、前記第２の半導体素子と温度特
性が同一である第３の半導体素子と、一端が前記第３の
半導体素子の他端に接続され、他端が前記第２の定電圧
源に接続され、前記第１の半導体素子と温度特性が同一
である第４の半導体素子から構成され、前記処理部に近
接して配置されたブリッジ回路と、前記第１および第２
の半導体素子の接続ノードと前記第３および第４の半導
体素子の接続ノードとの間の電位差の変化により前記処
理部の温度変化を検出する温度変化検出部と、前記温度
変化検出部による検出結果に応じて、前記処理部の動作
を較正する較正部と、を有することを特徴とする半導体
装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F038 AR08 AR09 AR28 AZ03 AZ08 CA08 DF03 DF06 EZ20

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の処理を実行する処理部と、 第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子とは温度特
    性が異なる第２の半導体素子とを有し、前記処理部に近
    接して配置されるセンサー部と、 前記センサー部を構成する第１の半導体素子および第２
    の半導体素子に生ずる特性変化により前記処理部の温度
    変化を検出する温度変化検出部と、 前記温度変化検出部による検出結果に応じて、前記処理
    部の動作を較正する較正部と、 を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記第１の半導体素子は第１の抵抗素子
    であり、 前記第２の半導体素子は前記第１の抵抗素子とは温度特
    性が異なる第２の抵抗素子であり、 前記センサー部は、前記第１の抵抗素子および前記第２
    の抵抗素子によりブリッジ回路が構成されており、 前記温度変化検出部は、前記ブリッジ回路の出力電圧か
    ら前記処理部の温度変化を検出する、 ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記第１または第２の抵抗素子の何れか
    は温度特性が非線形であり、前記ブリッジ回路の出力を
    取り出す部分には、前記非線形特性を有する抵抗素子が
    出力抵抗として付加されていることを特徴とする請求項
    ２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記較正部は、半導体装置に電源が投入
    された場合に動作することを特徴とする請求項１記載の
    半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記較正部は、所定の周期で動作するこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記温度変化検出部からの出力を記憶す
    る記憶回路と、前記センサー部および前記温度変化検出
    部への電源の供給を制御する電源制御回路と、を更に有
    し、 前記電源制回路は、前記較正部が動作する場合以外は、
    前記センサー部および前記温度変化検出部への電源の供
    給を遮断し、 前記較正部は、前記電源供給遮断手段によって前記セン
    サー部および前記温度変化検出部への電源の供給が遮断
    されている場合には、前記記憶回路に記憶されている情
    報を参照して動作する、 ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 所定の処理を実行する処理部と、 一端が第１の定電圧源に接続された第１の半導体素子
    と、一端が前記第１の半導体素子の他端に接続され、他
    端が前記第１の定電圧源よりも低い電位を有する第２の
    定電圧源に接続され、前記第１の半導体素子とは温度特
    性が異なる第２の半導体素子と、一端が前記第１の定電
    圧源に接続され、前記第２の半導体素子と温度特性が同
    一である第３の半導体素子と、一端が前記第１の半導体
    素子の他端に接続され、他端が前記第２の定電圧源に接
    続され、前記第１の半導体素子と温度特性が同一である
    第４の半導体素子から構成され、前記処理部に近接して
    配置されたブリッジ回路と、 前記第１および第２の半導体素子の接続ノードと前記第
    ３および第４の半導体素子の接続ノードとの間の電位差
    の変化により前記処理部の温度変化を検出する温度変化
    検出部と、 前記温度変化検出部による検出結果に応じて、前記処理
    部の動作を較正する較正部と、 を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 前記第１乃至第４の半導体素子は、抵抗
    素子であることを特徴とする請求項７記載の半導体装
    置。
  9. 【請求項９】 前記第１および第４の半導体素子または
    前記第２および第３の半導体素子の何れか一方は温度特
    性が非線形であり、 前記第１および第２の半導体素子の接続ノードと前記第
    ３および第４の半導体素子の接続ノードとの間に、前記
    非線形特性を有する半導体素子と同一の温度特性を有す
    る第５の半導体素子が接続されていることを特徴とする
    請求項８記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 抵抗素子部とキャパシタ部とを含み、
    前記抵抗素子部の抵抗値と前記キャパシタ部の容量値に
    よって決まるカットオフ周波数を有するフィルタ回路
    と、 第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子とは温度特
    性が異なる第２の半導体素子とを有し、前記フィルタ回
    路に近接して配置されるセンサー部と、 前記センサー部を構成する第１の半導体素子および第２
    の半導体素子に生ずる特性変化により前記抵抗素子部の
    抵抗値および前記キャパシタ部の容量値の温度変化を検
    出する温度変化検出部と、 前記温度変化検出部による検出結果に応じて、前記抵抗
    素子部の抵抗値および前記キャパシタ部の容量値の少な
    くとも一方を変化させることにより、前記フィルタ回路
    の動作を較正する較正部と、 を有することを特徴とする半導体装置。
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