JP2003115735A - 積層型ｌｃ部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共振用コンデンサ電極のサイズをＬＣ共振器
毎に変えることなく、ＬＣ共振器のそれぞれの共振周波
数を異ならせることができる積層型ＬＣ部品を提供す
る。 【解決手段】 積層型ＬＣフィルタ３０は、インダクタ
用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４２ａ〜４２ｄ，４３ａ
〜４３ｄ、共振用コンデンサ電極４４〜４６、結合用コ
ンデンサ電極４７，４８、シールド電極４９，５０およ
び減衰極調整用コンデンサ電極５１をそれぞれ設けた絶
縁シート３１〜３９などにて構成されている。インダク
タ用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４２ａ〜４２ｄ，４３
ａ〜４３ｄは、それぞれ絶縁シート３１〜３９の積み重
ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの柱状ビアイン
ダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成している。インダクタ用
ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４３ａ〜４３ｄの横断面積
は、インダクタ用ビアホール４２ａ〜４２ｄの横断面積
より小さい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は積層型ＬＣ部品、特
に、高周波帯域で使用される積層型ＬＣ部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の積層型ＬＣ部品として、従来よ
り、図９に示す構成のＬＣフィルタ１が知られている。
このＬＣフィルタ１は、インダクタ用ビアホール１１ａ
〜１１ｅ，１２ａ〜１２ｅ、共振用コンデンサ電極１
３，１４、結合用コンデンサ電極１５，１６、入出力引
出し電極１７，１８およびシールド電極１９，２０をそ
れぞれ設けた絶縁シート２〜９などにて構成されてい
る。

【０００３】絶縁シート２〜９は積み重ねられた後、一
体的に焼成されることにより、図１０に示す積層体２５
とされる。積層体２５には、入力端子２６、出力端子２
７およびグランド端子２８，２９が形成されている。入
力端子２６には入力引出し電極１７が接続され、出力端
子２７には出力引出し電極１８が接続されている。グラ
ンド端子２８，２９にはシールド電極１９，２０が接続
されている。

【０００４】以上のＬＣフィルタ１は、インダクタ用ビ
アホール１１ａ〜１１ｅ、１２ａ〜１２ｅがそれぞれ絶
縁シート２〜９の積み重ね方向に連接して柱状ビアイン
ダクタＬ１，Ｌ２を構成する。柱状ビアインダクタＬ
１，Ｌ２の横断面形状および長さは等しい。共振用コン
デンサ電極１３，１４は、それぞれ絶縁シート３を挟ん
でシールド電極１９に対向することにより、共振用コン
デンサＣ１，Ｃ２を形成する。柱状ビアインダクタＬ１
とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成し、柱状ビ
アインダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ２
を構成している。結合用コンデンサ電極１５，１６は、
絶縁シート４を挟んで共振用コンデンサ電極１３，１４
に対向することにより、結合用コンデンサＣｓ１を形成
する。ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２は、結合用コンデンサＣｓ
１を介して結合され、２段のバンドパスフィルタ回路を
構成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＬＣ
フィルタ１は、ビアインダクタＬ１，Ｌ２の横断面形状
および長さが等しかったため、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２の
共振周波数を異ならせる必要が生じた場合には、共振用
コンデンサＣ１，Ｃ２の共振用コンデンサ電極１３，１
４のサイズを異ならせて対応していた。しかし、共振用
コンデンサ電極１３，１４のサイズを異ならせると、共
振用コンデンサ電極１３，１４を形成している絶縁シー
ト４上に無駄な空スペースが発生し、ＬＣフィルタ１の
小型化を阻害する。また、共振用コンデンサ電極１３，
１４に対向する結合用コンデンサ電極１５，１６のサイ
ズは、小さい方のサイズの共振用コンデンサ電極１３
（又は１４）のサイズによって決定されるため、十分に
大きな結合容量を得ることができないという問題があっ
た。

【０００６】さらに、ビアインダクタＬ１，Ｌ２の長さ
や横断面形状が等しい場合、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のイ
ンピーダンス調整が難しく、最適なフィルタ特性が得ら
れないといった問題もあった。

【０００７】そこで、本発明の目的は、共振用コンデン
サ電極のサイズをＬＣ共振器毎に変えることなく、ＬＣ
共振器のそれぞれの共振周波数を異ならせることがで
き、しかも、ＬＣ共振器のインピーダンス調整が容易で
ある積層型ＬＣ部品を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明に係る積層型ＬＣ部品は、ＬＣ共振
器のそれぞれのインダクタが、絶縁層の積み重ね方向に
連接されたビアホールにより構成されたビアインダクタ
を主部として有し、ビアインダクタのうちの少なくとも
一つのビアインダクタの横断面形状が、残りのビアイン
ダクタの横断面形状と異なっていることを特徴とする。
あるいは、ビアインダクタのうちの少なくとも一つのビ
アインダクタの長さが、残りのビアインダクタの長さと
異なっていることを特徴とする。

【０００９】より具体的には、ＬＣ共振器を三つ以上備
え、入力端および出力端のそれぞれのＬＣ共振器のビア
インダクタの横断面積を、残りのＬＣ共振器のビアイン
ダクタの横断面積より小さくしたり、あるいは、入力端
および出力端のそれぞれのＬＣ共振器のビアインダクタ
の長さを残りのＬＣ共振器のビアインダクタの長さより
長くしたりしている。

【００１０】また、ＬＣ共振器を二つ備え、出力端のＬ
Ｃ共振器のビアインダクタの横断面積を、入力端のＬＣ
共振器のビアインダクタの横断面積より小さくしたり、
あるいは、出力端のＬＣ共振器のビアインダクタの長さ
を入力端のＬＣ共振器のビアインダクタの長さより長く
したりしている。

【００１１】ビアインダクタの横断面積や長さをＬＣ共
振器毎に異ならせることにより、共振用コンデンサ電極
のサイズをＬＣ共振器毎に変えなくても、ＬＣ共振器の
それぞれの共振周波数を異ならせることができるように
なる。

【００１２】また、本発明に係る積層型ＬＣ部品は、共
振器間を結合するための結合用コンデンサおよび減衰極
を調整するための減衰極調整用コンデンサの少なくとも
いずれかを更に備え、ＬＣ共振器のそれぞれの共振用コ
ンデンサが共振用コンデンサ電極と該共振用コンデンサ
電極に対向するシールド電極とで構成され、結合用コン
デンサの結合用コンデンサ電極および減衰極調整用コン
デンサの減衰極調整用コンデンサ電極の少なくともいず
れか一つが、共振用コンデンサ電極と前記シールド電極
との間に配置されていることを特徴とする。

【００１３】以上の構成により、結合用コンデンサ電極
や減衰極調整用コンデンサ電極が、共振用コンデンサ電
極を間にしてビアインダクタとは反対側に配置されるこ
とになる。従って、ビアインダクタによって発生した磁
界は、結合用コンデンサ電極や減衰極調整用コンデンサ
電極にて遮られることがなくなる。このため、ビアイン
ダクタのＱが向上する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣ部
品の実施形態について添付図面を参照して説明する。

【００１５】［第１実施形態、図１〜図４］図１に積層
型ＬＣフィルタ３０の構成を示し、図３および図４にそ
れぞれＬＣフィルタ３０の外観斜視図および電気等価回
路図を示す。ＬＣフィルタ３０はＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ
２，Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタである。

【００１６】図１に示すように、積層型ＬＣフィルタ３
０は、インダクタ用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４２ａ
〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄ、共振用コンデンサ電極４４
〜４６、結合用コンデンサ電極４７，４８、シールド電
極４９，５０、減衰極調整用コンデンサ電極５１および
入出力引出し電極５２，５３をそれぞれ設けた絶縁シー
ト３１〜３９などにて構成されている。

【００１７】絶縁シート３１〜３９は、誘電体粉末や磁
性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状にし
たものである。電極４４〜５３は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、スパッタリング
法、蒸着法、フォトリソグラフィ法などの薄膜形成法、
あるいはパターン印刷法により形成される。インダクタ
用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４２ａ〜４２ｄ，４３ａ
〜４３ｄは、絶縁シート３５〜３８に金型、レーザ等で
長穴をあけ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ等の導電体材料をこの長穴に充填したり、長穴の内周
壁に付与したりすることにより形成される。

【００１８】インダクタ用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，
４２ａ〜４２ｄ，４３ａ〜４３ｄは、それぞれ絶縁シー
ト３１〜３９の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４
の長さの柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成す
る。この柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシー
ト３１〜３９の表面に対して垂直である。ビアインダク
タＬ１〜Ｌ３によってそれぞれ発生した磁界は、シート
３１〜３９の表面に対して平行な面を周回する。ビアイ
ンダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの下端（ビアホール４１
ｄ，４２ｄ，４３ｄ）は、シールド電極５０に接続さ
れ、短絡されている。絶縁シート３７に設けたビアホー
ル４１ｃ，４３ｃにはそれぞれ、入力引出し電極５２お
よび出力引出し電極５３が接続されている。

【００１９】ここに、一般的に、ＬＣフィルタ３０のよ
うに３段のバンドパスフィルタの場合、入出力端のＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数は、残りの（中央の）Ｌ
Ｃ共振器Ｑ２の共振周波数より低く設定する必要があ
る。そこで、本第１実施形態は、インダクタ用ビアホー
ル４１ａ〜４１ｄ，４３ａ〜４３ｄの横断面積を、イン
ダクタ用ビアホール４２ａ〜４２ｄの横断面積より小さ
く設定している。つまり、図２に示すように、インダク
タ用ビアホール４１ａ〜４１ｄ，４３ａ〜４３ｄの横断
面の長さＤ１，Ｄ３を、インダクタ用ビアホール４２ａ
〜４２ｄの横断面の長さＤ２より短くしている。例え
ば、長さＤ１＝Ｄ３＝０．５ｍｍ、長さＤ２＝０．８ｍ
ｍ、幅Ｗ＝０．２ｍｍにしている。

【００２０】絶縁シート３５の表面に配設されている共
振用コンデンサ電極４４，４５，４６は、それぞれ絶縁
シート３２〜３４を挟んでシールド電極４９に対向し、
共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。共振用
コンデンサ電極４４は、インダクタＬ１の上端（ビアホ
ール４１ａ）に接続し、インダクタＬ１とコンデンサＣ
１とでＬＣ共振器Ｑ１を形成する。共振用コンデンサ電
極４５はインダクタＬ２の上端（ビアホール４２ａ）に
接続し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振
器Ｑ２を形成する。 共振用コンデンサ電極４６はイン
ダクタＬ３の上端（ビアホール４３ａ）に接続し、イン
ダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を形成
する。インダクタＬ１とＬ２との間、並びにインダクタ
Ｌ２とＬ３との間には、それぞれ相互インダクタンスＭ
が形成され、共振器Ｑ１とＱ２、並びに共振器Ｑ２とＱ
３を磁気的に結合する。

【００２１】また、共振用コンデンサ電極４４，４５
は、絶縁シート３４を挟んで結合用コンデンサ電極４７
に対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するための結
合用コンデンサＣｓ１を形成する。共振用コンデンサ電
極４５，４６は、絶縁シート３４を挟んで結合用コンデ
ンサ電極４８に対向し、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ３間を結合
するための結合用コンデンサＣｓ２を形成する。さら
に、減衰極調整用コンデンサ電極５１は、絶縁シート３
３を挟んで結合用コンデンサ電極４７，４８に対向し、
減衰極調整用コンデンサＣｓ３を形成する。

【００２２】シールド電極４９，５０は、それぞれシ−
ト３２，３９の表面に広面積に形成され、引出し部がシ
ート３２，３９の四辺に露出している。シールド電極４
９と共振用コンデンサ電極４４〜４６との間には、結合
用コンデンサ電極４７，４８および減衰極調整用コンデ
ンサ電極５１が配置されている。

【００２３】各シート３１〜３９は積み重ねられ、一体
的に焼成されることにより、図３に示す積層体５５（例
えば、長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．０ｍ
ｍ）とされる。積層体５５の左右の端面にはそれぞれ入
力端子５６、出力端子５７が形成され、手前側および奥
側の側面にはそれぞれグランド端子Ｇが形成されてい
る。入力端子５６には入力引出し電極５２が接続され、
出力端子５７には出力引出し電極５３が接続され、グラ
ンド端子Ｇにはシールド電極４９，５０が接続されてい
る。

【００２４】こうして得られた積層型ＬＣフィルタ３０
は、ビアインダクタＬ１，Ｌ３の横断面積をビアインダ
クタＬ２の横断面積より小さくすることにより、ＬＣ共
振器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数をＬＣ共振器Ｑ２の共振周
波数より低くしている。従って、共振用コンデンサ電極
４４〜４６のサイズをＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３毎に変えな
くてすみ、共振用コンデンサ電極４４〜４６を略同じ大
きさにすることができる。これにより、共振用コンデン
サ電極４４〜４６を形成している絶縁シート３５上に無
駄な空スペースが発生せず、ＬＣフィルタ３０を小型に
できる。

【００２５】また、共振用コンデンサ電極４４，４６の
サイズを小さくする必要がないので、共振用コンデンサ
電極４４〜４６に対向する結合用コンデンサ電極４７，
４８のサイズを大きくでき、十分に大きな結合容量を得
ることができる。また、減衰極調整用コンデンサ電極５
１のサイズも自由度が増すため、フィルタ特性の調整が
容易となる。

【００２６】さらに、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の横断
面形状を必要に応じて任意に変化させることにより、Ｌ
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ３のインピーダンス調整が容易にな
り、最適なフィルタ特性を得ることができる。

【００２７】ところで、図９に示した従来のＬＣフィル
タ１は、結合用コンデンサ電極１５，１６をビアインダ
クタＬ１，Ｌ２側に配設しているため、ビアインダクタ
Ｌ１，Ｌ２の磁界が結合用コンデンサ電極１５，１６に
て遮られてしまい、ＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２のＱが劣化
し、フィルタ特性が低下するという問題があった。ま
た、結合用コンデンサ電極のサイズを大きくしようとし
た場合、インダクタ用ビアホール１１ｂ，１２ｂが妨げ
となり、結合用コンデンサ電極を図９に示すように二つ
の電極１５，１６に分割する必要が生じる。これは結合
用コンデンサ電極の不要なインダクタンス成分の増大を
招き、結合Ｑが劣化し、フィルタ特性が低下する。

【００２８】そこで、本第１実施形態のＬＣフィルタ３
０は、結合用コンデンサ電極４７，４８や減衰極調整用
コンデンサ電極５１を、共振用コンデンサ電極４４〜４
６を間にしてビアインダクタＬ１〜Ｌ３とは反対側に配
置している。従って、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３によっ
てそれぞれ発生した磁界は、結合用コンデンサ電極４
７，４８などにて遮られることがなくなる。ＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ３のＱは向上し、優れたフィルタ特性が得られ
る。また、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３が妨げとならない
ので、結合用コンデンサ電極４７，４８を自由に幅広パ
ターンにすることができ、結合用コンデンサ電極４７，
４８の不要なインダクタンス成分を抑えることができ
る。この結果、結合Ｑが向上し、さらに、大きな結合容
量を容易に得ることができる。

【００２９】なお、結合用コンデンサ電極４７，４８や
減衰極調整用コンデンサ電極５１のうち少なくとも一つ
の電極を、シールド電極４９と共振用コンデンサ電極４
４〜４６との間に配置するものであってもよい。また、
入出力引出し電極５２，５３などの、シールド電極４９
と共振用コンデンサ電極４４〜４６との間に配置すると
フィルタ特性に与える影響が大きい電極はこの限りでな
い。

【００３０】［第２実施形態、図５］図５に示すよう
に、積層型ＬＣフィルタ６０は３段のバンドパスフィル
タであり、インダクタ用ビアホール７１ａ〜７１ｄ，７
２ａ〜７２ｄ，７３ａ〜７３ｄ、共振用コンデンサ電極
７４〜７６、結合用コンデンサ電極７７，７８、シール
ド電極８９，９０、減衰極調整用コンデンサ電極７９お
よび入出力引出し電極９１，９２をそれぞれ設けた絶縁
シート６１〜６９などにて構成されている。

【００３１】インダクタ用ビアホール７１ａ〜７１ｄ，
７２ａ〜７２ｄ，７３ａ〜７３ｄは、それぞれ絶縁シー
ト６１〜６９の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４
の長さの柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成す
る。この柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシー
ト６１〜６９の表面に対して垂直である。ビアインダク
タＬ１〜Ｌ３のそれぞれの上端（ビアホール７１ａ，７
２ａ，７３ａ）は、シールド電極８９に接続され、短絡
されている。絶縁シート６４に設けたビアホール７１
ｃ，７３ｃにはそれぞれ、入力引出し電極９１および出
力引出し電極９２が接続されている。そして、本第２実
施形態は、インダクタ用ビアホール７１ｄ，７３ｄの横
断面積を、インダクタ用ビアホール７２ｄの横断面積よ
り小さく設定している。つまり、ビアインダクタＬ１，
Ｌ３の一部分の横断面形状を円形にして面積を小さくし
ている。

【００３２】絶縁シート６６の表面に配設されている共
振用コンデンサ電極７４，７５，７６は、それぞれ絶縁
シート６６〜６８を挟んでシールド電極９０に対向し、
共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。共振用
コンデンサ電極７４は、インダクタＬ１の下端（ビアホ
ール７１ｄ）に接続し、インダクタＬ１とコンデンサＣ
１とでＬＣ共振器Ｑ１を形成する。共振用コンデンサ電
極７５はインダクタＬ２の下端（ビアホール７２ｄ）に
接続し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振
器Ｑ２を形成する。 共振用コンデンサ電極７６はイン
ダクタＬ３の下端（ビアホール７３ｄ）に接続し、イン
ダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を形成
する。インダクタＬ１とＬ２との間、並びにインダクタ
Ｌ２とＬ３との間には、それぞれ相互インダクタンスＭ
が形成され、共振器Ｑ１とＱ２、並びに共振器Ｑ２とＱ
３を磁気的に結合する。

【００３３】また、共振用コンデンサ電極７４，７５
は、絶縁シート６６を挟んで結合用コンデンサ電極７７
に対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するための結
合用コンデンサＣｓ１を形成する。共振用コンデンサ電
極７５，７６は、絶縁シート６６を挟んで結合用コンデ
ンサ電極７８に対向し、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ３間を結合
するための結合用コンデンサＣｓ２を形成する。さら
に、減衰極調整用コンデンサ電極７９は、絶縁シート６
７を挟んで結合用コンデンサ電極７７，７８に対向し、
減衰極調整用コンデンサＣｓ３を形成する。

【００３４】シールド電極８９，９０は、それぞれシ−
ト６２，６９の表面に広面積に形成され、引出し部がシ
ート６２，６９の四辺に露出している。シールド電極９
０と共振用コンデンサ電極７４〜７６との間には、結合
用コンデンサ電極７７，７８および減衰極調整用コンデ
ンサ電極７９が配置されている。

【００３５】以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ６
０は、ビアインダクタＬ１，Ｌ３の一部分の横断面形状
を円形にして横断面積を小さくしているので、ＬＣ共振
器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数がＬＣ共振器Ｑ２の共振周波
数より低くなる。従って、ＬＣフィルタ６０は、前記第
１実施形態のＬＣフィルタ３０と同様の作用効果を奏す
る。

【００３６】［第３実施形態、図６］図６に示すよう
に、積層型ＬＣフィルタ１００は３段のバンドパスフィ
ルタであり、インダクタ用ビアホール１１１ａ〜１１１
ｄ，１１２ａ〜１１２ｂ，１１３ａ〜１１３ｄ、共振用
コンデンサ電極１１４〜１１６、結合用コンデンサ電極
１１７，１１８、グランド内部電極１２０、シールド電
極１２１，１２２、減衰極調整用コンデンサ電極１１９
および入出力引出し電極１２３，１２４をそれぞれ設け
た絶縁シート１０１〜１０９などにて構成されている。

【００３７】インダクタ用ビアホール１１１ａ〜１１１
ｄ，１１２ａ〜１１２ｂ，１１３ａ〜１１３ｄは、それ
ぞれ絶縁シート１０１〜１０９の積み重ね方向に連接し
て柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成する。ビ
アインダクタＬ１，Ｌ３のそれぞれの上端（ビアホール
１１１ａ，１１３ａ）は、シールド電極１２１に接続さ
れている。柱状ビアインダクタＬ２の上端（ビアホール
１１２ａ）は、絶縁シート１０４の表面に設けたグラン
ド内部電極１２０に接続されている。そして、本第３実
施形態は、ビアインダクタＬ１，Ｌ３の軸方向の長さ
を、ビアインダクタＬ２の軸方向の長さより長くしてい
る。

【００３８】絶縁シート１０６の表面に配設されている
共振用コンデンサ電極１１４，１１５，１１６は、それ
ぞれ絶縁シート１０６〜１０８を挟んでシールド電極１
２２に対向し、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形
成する。共振用コンデンサ電極１１４は、インダクタＬ
１の下端（ビアホール１１１ｄ）に接続し、インダクタ
Ｌ１とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を形成する。
共振用コンデンサ電極１１５はインダクタＬ２の下端
（ビアホール１１２ｂ）に接続し、インダクタＬ２とコ
ンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ２を形成する。 共振用
コンデンサ電極１１６はインダクタＬ３の下端（ビアホ
ール１１３ｄ）に接続し、インダクタＬ３とコンデンサ
Ｃ３とでＬＣ共振器Ｑ３を形成する。インダクタＬ１と
Ｌ２との間、並びにインダクタＬ２とＬ３との間には、
それぞれ相互インダクタンスＭが形成され、共振器Ｑ１
とＱ２、並びに共振器Ｑ２とＱ３を磁気的に結合する。

【００３９】また、共振用コンデンサ電極１１４，１１
５は、絶縁シート１０６を挟んで結合用コンデンサ電極
１１７に対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するた
めの結合用コンデンサＣｓ１を形成する。共振用コンデ
ンサ電極１１５，１１６は、絶縁シート１０６を挟んで
結合用コンデンサ電極１１８に対向し、ＬＣ共振器Ｑ２
とＱ３間を結合するための結合用コンデンサＣｓ２を形
成する。さらに、減衰極調整用コンデンサ電極１１９
は、絶縁シート１０７を挟んで結合用コンデンサ電極１
１７，１１８に対向し、減衰極調整用コンデンサＣｓ３
を形成する。

【００４０】シールド電極１２１，１２２は、それぞれ
シ−ト１０２，１０９の表面に広面積に形成され、引出
し部がシート１０２，１０９の四辺に露出している。シ
ールド電極１２２と共振用コンデンサ電極１１４〜１１
６との間には、結合用コンデンサ電極１１７，１１８お
よび減衰極調整用コンデンサ電極１１９が配置されてい
る。

【００４１】以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ１
００は、ビアインダクタＬ１，Ｌ３の軸方向の長さを長
くしているので、入力端および出力端のそれぞれのＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数が中央のＬＣ共振器Ｑ２
の共振周波数より低くなる。従って、ＬＣフィルタ１０
０は、前記第１実施形態のＬＣフィルタ３０と同様の作
用効果を奏する。

【００４２】［第４実施形態、図７］図７に示すよう
に、積層型ＬＣフィルタ１３０は２段のバンドパスフィ
ルタであり、インダクタ用ビアホール１４１ａ〜１４１
ｄ，１４２ａ〜１４２ｄ、共振用コンデンサ電極１４
３，１４４、結合用コンデンサ電極１４５、シールド電
極１４９，１５０および入出力引出し電極１４７，１４
８をそれぞれ設けた絶縁シート１３１〜１３８などにて
構成されている。

【００４３】インダクタ用ビアホール１４１ａ〜１４１
ｄ，１４２ａ〜１４２ｄは、それぞれ絶縁シート１３１
〜１３８の積み重ね方向に連接して柱状ビアインダクタ
Ｌ１，Ｌ２を形成する。ビアインダクタＬ１，Ｌ２のそ
れぞれの下端（ビアホール１４１ｄ，１４２ｄ）は、シ
ールド電極１５０に接続され、短絡されている。絶縁シ
ート１３６に設けたビアホール１４１ｃ，１４２ｃには
それぞれ、入力引出し電極１４７および出力引出し電極
１４８が接続されている。そして、本第４実施形態は、
インダクタ用ビアホール１４２ａ〜１４２ｄの横断面積
を、インダクタ用ビアホール１４１ａ〜１４１ｄの横断
面積より小さく設定している。

【００４４】絶縁シート１３４の表面に配設されている
共振用コンデンサ電極１４３，１４４は、それぞれ絶縁
シート１３２，１３３を挟んでシールド電極１４９に対
向し、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２を形成する。共振用
コンデンサ電極１４３は、インダクタＬ１の上端（ビア
ホール１４１ａ）に接続し、インダクタＬ１とコンデン
サＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を形成する。共振用コンデン
サ電極１４４はインダクタＬ２の上端（ビアホール１４
２ａ）に接続し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とで
ＬＣ共振器Ｑ２を形成する。 インダクタＬ１とＬ２と
の間には、相互インダクタンスＭが形成され、共振器Ｑ
１とＱ２を磁気的に結合する。

【００４５】また、共振用コンデンサ電極１４３，１４
４は、絶縁シート１３３を挟んで結合用コンデンサ電極
１４５に対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するた
めの結合用コンデンサＣｓ１を形成する。

【００４６】以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ１
３０は、ビアインダクタＬ２の横断面形状をを小さくし
ているので、出力端のＬＣ共振器Ｑ２の共振周波数が入
力端のＬＣ共振器Ｑ１の共振周波数より低くなる。従っ
て、ＬＣフィルタ１３０は、前記第１実施形態のＬＣフ
ィルタ３０と同様の作用効果を奏する。

【００４７】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型ＬＣ部品は、前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。前記
実施形態は、２段、３段のバンドパスフィルタを例にし
て説明しているが、４段以上のバンドパスフィルタであ
ってもよいし、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタで
あってもよい。さらに、例えば、ＲＦダイオードスイッ
チ、デュプレクサ、トリプレクサ、ダイプレクサなどの
送受信デバイス、ＲＦモジュールなどの高周波複合部品
において、それらの部品の一部に本発明に係るＬＣ部品
が適用されたものも含む。また、シールド電極が積層体
の上部又は下部のいずれか一方にのみ配設されているも
のであってもよい。

【００４８】さらに、インダクタ用ビアホールの横断面
形状は任意であり、前記実施形態のような長円形の他
に、円形、楕円形、矩形などであってもよい。インダク
タは、ビアホールにて構成されたビアインダクタにて全
て構成されていなくてもよく、主たるビアインダクタ
と、従たるインダクタパターンとの組み合わせであって
もよい。また、図８に示すインダクタ用ビアホール１６
１ａ〜１６３ａのように、横断面形状の長手方向の先端
部分を幅広にして、高周波電流の縁端効果によって生じ
るインダクタ用ビアホール１６１ａ〜１６３ａの先端部
分における電流集中を緩和、分散させてもよい。これに
より、インダクタＬ１〜Ｌ３のもつ損失（抵抗分）を低
減でき、インダクタＬ１〜Ｌ３のＱを高くすることがで
きる。

【００４９】さらに、前記実施形態は、それぞれ電極や
ビアホールが形成された絶縁シートを積み重ねた後、一
体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定され
ない。絶縁シートは予め焼成されたものを用いてもよ
い。また、以下に説明する製法によってＬＣ部品を製造
してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁材料
にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペースト
状の導電性材料を塗布して電極やビアホールを形成す
る。次にペースト状の絶縁材料を上から塗布して絶縁層
とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより積層
構造を有するＬＣ部品が得られる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ビアインダクタの横断面積や長さをＬＣ共
振器毎に異ならせることにより、共振用コンデンサ電極
のサイズをＬＣ共振器毎に変えなくても、ＬＣ共振器の
それぞれの共振周波数を異ならせることができるように
なる。しかも、ＬＣ共振器のインピーダンス調整が容易
になる。

【００５１】また、結合用コンデンサ電極や減衰極調整
用コンデンサ電極を、共振用コンデンサ電極を間にして
ビアインダクタとは反対側に配置することにより、ビア
インダクタによって発生した磁界は、結合用コンデンサ
電極や減衰極調整用コンデンサ電極にて遮られることが
なくなる。このため、ビアインダクタのＱは向上し、優
れた電気特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層型ＬＣ部品の第１実施形態を
示す分解斜視図。

【図２】図１に示した積層型ＬＣ部品のインダクタ用ビ
アホールの横断面図。

【図３】図１に示した積層型ＬＣ部品の外観斜視図。

【図４】図１に示した積層型ＬＣ部品の電気等価回路
図。

【図５】本発明に係る積層型ＬＣ部品の第２実施形態を
示す分解斜視図。

【図６】本発明に係る積層型ＬＣ部品の第３実施形態を
示す分解斜視図。

【図７】本発明に係る積層型ＬＣ部品の第４実施形態を
示す分解斜視図。

【図８】インダクタ用ビアホールの変形例を示す横断面
図。

【図９】従来の積層型ＬＣ部品を示す分解斜視図。

【図１０】図９に示した積層型ＬＣ部品の外観斜視図。

【符号の説明】

３０，６０，１００，１３０…積層型ＬＣフィルタ ３１〜３９，６１〜６９，１０１〜１０９，１３１〜１
３８…絶縁シート ４１ａ〜４３ｄ，７１ａ〜７３ｄ，１１１ａ〜１１３
ｄ，１４１ａ〜１４２ｄ…インダクタ用ビアホール ４４〜４６，７４〜７６，１１４〜１１６，１４３，１
４４…共振用コンデンサ電極 ４７，４８，７７，７８，１１７，１１８，１４５…結
合用コンデンサ電極 ４９，５０，８９，９０，１２１，１２２，１４９，１
５０…シールド電極 ５１，７９，１１９…減衰極調整用コンデンサ電極 Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ Ｃ１〜Ｃ３…共振用コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合用コンデンサ Ｃｓ３…減衰極調整用コンデンサ Ｑ１〜Ｑ３…ＬＣ共振器

フロントページの続き (72)発明者 増田 豊 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E070 AA05 CB03 CB13 5J024 AA01 CA04 CA06 DA04 DA29 DA32 DA33 DA35 EA01 EA02 EA03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁層を積み重ねて構成した積層体内に
   インダクタとコンデンサを形成し、該インダクタとコン
   デンサとにより複数のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣ
   部品において、 前記ＬＣ共振器のそれぞれのインダクタが、前記絶縁層
   の積み重ね方向に連接されたビアホールにより構成され
   たビアインダクタを主部として有し、 前記ビアインダクタのうちの少なくとも一つのビアイン
   ダクタの横断面形状が、残りのビアインダクタの横断面
   形状と異なっていること、 を特徴とする積層型ＬＣ部品。
2. 【請求項２】 前記ＬＣ共振器を三つ以上備え、入力端
   および出力端のそれぞれのＬＣ共振器の前記ビアインダ
   クタの横断面積が、残りのＬＣ共振器のビアインダクタ
   の横断面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載
   の積層型ＬＣ部品。
3. 【請求項３】 前記ＬＣ共振器を二つ備え、出力端のＬ
   Ｃ共振器の前記ビアインダクタの横断面積が、入力端の
   ＬＣ共振器のビアインダクタの横断面積より小さいこと
   を特徴とする請求項１に記載の積層型ＬＣ部品。
4. 【請求項４】 絶縁層を積み重ねて構成した積層体内に
   インダクタとコンデンサを形成し、該インダクタとコン
   デンサとにより複数のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣ
   部品において、 前記ＬＣ共振器のそれぞれのインダクタが、前記絶縁層
   の積み重ね方向に連接されたビアホールにより構成され
   たビアインダクタを主部として有し、 前記ビアインダクタのうちの少なくとも一つのビアイン
   ダクタの長さが、残りのビアインダクタの長さと異なっ
   ていること、 を特徴とする積層型ＬＣ部品。
5. 【請求項５】 前記共振器間を結合するための結合用コ
   ンデンサおよび減衰極を調整するための減衰極調整用コ
   ンデンサの少なくともいずれかを更に備え、 前記ＬＣ共振器のそれぞれの共振用コンデンサが共振用
   コンデンサ電極と該共振用コンデンサ電極に対向するシ
   ールド電極とで構成され、前記結合用コンデンサの結合
   用コンデンサ電極および前記減衰極調整用コンデンサの
   減衰極調整用コンデンサ電極の少なくともいずれか一つ
   が、前記共振用コンデンサ電極と前記シールド電極との
   間に配置されていること、 を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の積
   層型ＬＣ部品。