JP2003115624A - 有機薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 チャネル長を短縮し、高い易動度を有する化
合物を用いることによって、応答速度を高速化すること
ができる有機薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
うに形成された第１及び第２の電極から夫々所定の距離
をもったゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成す
る。本有機薄膜トランジスタは、第１及び第２の電極間
のキャリアの移動方向が有機薄膜層の膜厚方向と一致す
る構造を有し、且つ、有機薄膜層が下記一般式［１］ で表される化合物を単独若しくは混合物として含んでい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機半導体層を有
する有機薄膜トランジスタに関し、特に、高速動作する
有機TFT(Thin Film Transistor）を得ることが可能な有
機薄膜トランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタは、液晶表示装置等の
表示用のスイッチング素子として広く用いられている。
従来、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも呼ぶ）は、
アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されてい
た。しかし、このようなシリコンを用いたＴＦＴの作製
に用いられるＣＶＤ装置は、非常に高額であり、ＴＦＴ
を用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増
加を伴うという問題点があった。また、アモルファスや
多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度
下で行われるので、基板として使用可能な材料の種類が
限られ、従って、軽量な樹脂基板等は使用できないとい
う問題があった。

【０００３】上記問題を解決するために、アモルファス
や多結晶のシリコンに代えて有機物を用いたＴＦＴが提
案されている。有機物でＴＦＴを形成する際に用いる成
膜方法として真空蒸着法や塗布法等が知られているが、
これらの成膜方法によれば、コストアップを抑えつつ素
子の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロ
セス温度を比較的低温にすることができる。このため、
有機物を用いたＴＦＴでは、基板に用いる材料の選択時
の制限が少ないといった利点が得られ、その実用化が期
待される。

【０００４】実際、近年、有機物を用いたＴＦＴは盛ん
に報告されるようになった。この報告例として、F. Ebi
sawaら，Journal of Applied Physics，５４巻，３２５
５頁，１９８３年；A. Assadiら，Applied Physics Let
ter，５３巻，１９５頁，１９８８年；G. Guillaudら，
Chemical Physics Letter，１６７巻，５０３頁，１９
９０年；X. Pengら，Applied Physics Letter，５７
巻，２０１３頁，１９９０年；G. Horowitzら, Synthet
ic Metals, ４１−４３巻，１１２７頁，１９９１年；
S. Miyauchiら，Synthetic Metals，４１−４３巻，１
９９１年； H. Fuchigamiら，Applied Physics Lette
r，６３巻，１３７２頁，１９９３年； H. Koezukaら，
Applied Physics Letter，６２巻，１７９４頁，１９９
３年； F. Garnierら，Science，２６５巻，１６８４
頁，１９９４年；A. R. Brownら，Synthetic Metals，
６８巻，６５頁，１９９４年； A. Dodabalapurら，Sci
ence，２６８巻，２７０頁，１９９５年； T. Sumimoto
ら，Synthetic Metals，８６巻，２２５９頁，１９９７
年；K. Kudoら，Thin Solid Films，３３１巻，５１
頁，１９９８年；K. Kudoら，Synthetic Metals，１０
２巻，９００頁，１９９９年；K. Kudoら，Synthetic M
etals，１１１−１１２巻，１１頁、２０００年などを
挙げることができる。

【０００５】ＴＦＴの有機化合物層に用いる有機物とし
ては、共役系ポリマーやチオフェンなどの多量体（特開
平8-228034号公報、特開平8-228035号公報、特開平9-23
2589号公報、特開平10-125924号公報、特開平10-190001
号公報等）、或いは、金属フタロシアニン化合物（特開
2000-174277等）、またペンタセンなどの縮合芳香族炭
化水素（特開平5-55568号公報、特開2001-94107号公報
等）などが、単体或いは他の化合物との混合物の状態で
用いられている。

【０００６】上記のように、有機ＴＦＴに関する研究が
盛んに行われている。ここで、従来より多用される代表
的な有機ＴＦＴの断面構造を図３に示す。この有機ＴＦ
Ｔ２０は、基板２１上に、ゲート電極（層）２４及び絶
縁体層２６をこの順に有し、絶縁体層２６上に、所定の
間隔をあけて形成されたソース電極２２及びドレイン電
極２３を有している。双方の電極２２、２３の一部表面
を含み、電極２２、２３間に露出する絶縁体層２６上に
は、有機薄膜層２５が形成されている。このような構成
を有する有機ＴＦＴ２０では、有機薄膜層２５がチャネ
ル領域を成しており、ゲート電極２４に印加される電圧
でソース電極２２とドレイン電極２３の間に流れる電流
が制御されることによってオン／オフ動作する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
有機ＴＦＴ２０では、有機薄膜層２５の面方向(図３の
矢印Ａで示す）にキャリア（自由電子又は正孔）が移動
するので、用いられている化合物の易動度（移動度）に
対してチャネル長が長すぎることになる。このため、動
作速度が遅く、より高速な動作を提供することはできな
かった。また、従来の有機ＴＦＴでは、有機薄膜の膜厚
方向にキャリアが流れるように構成しチャネル長を短く
することによって、応答速度を向上させる試みもなされ
ている。しかし、このように構成した場合にも、用いる
有機化合物の易動度が十分ではなく、このため、十分な
駆動速度を実現することができなかった。

【０００８】本発明は、上記に鑑み、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長を短縮し、高い易動度を有
する化合物を用いることによって、応答速度（駆動速
度）を高速化することができる有機薄膜トランジスタを
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の課
題を解決するために鋭意検討した結果、第１及び第２の
電極間のキャリアの移動方向が有機薄膜の膜厚方向と一
致する構成の場合に、有機薄膜、つまり有機化合物層が
特定の構造を有する化合物を単独若しくは混合物として
含む際に有機薄膜トランジスタの応答速度（駆動速度）
が大きく向上することを見出し、本発明を発明するに到
った。

【００１０】上記目的を達成するために、本発明に係る
第１視点の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜層と、夫
々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間
隔をあけて対向するように形成された第１及び第２の電
極と、該第１及び第２の電極から夫々所定の距離をもっ
て形成された第３の電極とを有し、該第３の電極に電圧
を印加することによって前記第１及び第２の電極間に流
れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであっ
て、前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が
前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且
つ、前記有機薄膜層が下記一般式［１］

【化１】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、
ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル
基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは
無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアル
コキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置
換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置
換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキ
シ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、
カルボキシル基を表す。またＲ¹〜Ｒ⁶は、それらのうち
の２つで環を形成していても良い。またＬ¹は置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケ
ニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換
若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置
換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル
基を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数であ
り、Ｍは（ｎ＋ｍ）価の金属イオンを表す。）で表され
る化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴と
する。

【００１１】本発明の第１視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が有
機薄膜層の膜厚方向と一致するので、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長を短縮することができる。
更に、有機薄膜層が一般式［１］で表される化合物を単
独若しくは混合物として含むので、高い易動度を得るこ
とができ、これにより、応答速度（駆動速度）を十分に
高速化することができる。

【００１２】また、本発明に係る第２視点の有機薄膜ト
ランジスタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
式の有機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２
の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚
方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一
般式［２］

【化２】 （式中、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁸は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
基、カルボキシル基を表す。またＲ⁷〜Ｒ¹⁸は、それら
のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。ま
た、Ｌ²は置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若
しくは無置換のアルケニレン基、置換若しくは無置換の
シクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン
基、置換若しくは無置換のアラルキレン基を表す。ｌ
（エル）は０又は１の値を取る数である。ｓは１〜２の
整数であり、Ｍは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。）
で表される化合物を単独若しくは混合物として含むこと
を特徴とする。

【００１３】本発明の第２視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄
膜層が一般式［２］で表される化合物を単独若しくは混
合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度
（駆動速度）が十分に高速化される。

【００１４】本発明に係る第３視点の有機薄膜トランジ
スタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面
に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形
成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極
から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを
有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記
第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有
機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２の電極
間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と
一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式
［３］

【化３】 （式中、Ｒ¹⁹〜Ｒ⁴⁰は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
基、カルボキシル基を表す。またＲ¹⁹〜Ｒ⁴⁰は、それら
のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。また
Ａｒ¹〜Ａｒ³は置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の
芳香族炭化水素を表す。ｔは０〜３の値を取る整数であ
る。）で表される化合物を単独若しくは混合物として含
むことを特徴とする。

【００１５】本発明の第３視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄
膜層が一般式［３］で表される化合物を単独若しくは混
合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度
（駆動速度）が十分に高速化される。

【００１６】本発明に係る第４視点の有機薄膜トランジ
スタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面
に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形
成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極
から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを
有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記
第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有
機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２の電極
間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と
一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式
［４］

【化４】 （式中、Ｒ⁴¹〜Ｒ⁵⁶は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
基、カルボキシル基を表す。またＲ⁴¹〜Ｒ⁵⁶は、それら
のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
特徴とする。

【００１７】本発明の第４視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄
膜層が一般式［４］で表される化合物を単独若しくは混
合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度
（駆動速度）が十分に高速化される。

【００１８】本発明に係る第５視点の有機薄膜トランジ
スタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面
に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形
成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極
から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを
有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記
第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有
機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２の電極
間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と
一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式
［５］

【化５】 （式中、Ｒ⁵⁷〜Ｒ⁶²は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
基、カルボキシル基を表す。またＲ⁵⁷〜Ｒ⁶²は、それら
のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
特徴とする。

【００１９】本発明の第５視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄
膜層が一般式［５］で表される化合物を単独若しくは混
合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度
（駆動速度）が十分に高速化される。

【００２０】本発明に係る第６視点の有機薄膜トランジ
スタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面
に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形
成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極
から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを
有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記
第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有
機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２の電極
間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と
一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が一般式
［６］

【化６】 （式中、Ｒ⁶³〜Ｒ⁸⁰は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
基、カルボキシル基を表す。またＲ⁶³〜Ｒ⁸⁰は、それら
のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
特徴とする。

【００２１】本発明の第６視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向との一致により、用いられる化合物
の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更に、有機薄
膜層が一般式［６］で表される化合物を単独若しくは混
合物として含むので、高い易動度が得られ、応答速度
（駆動速度）が十分に高速化される。

【００２２】本発明に係る第７視点の有機薄膜トランジ
スタは、有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面
に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形
成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２の電極
から夫々所定の距離をもって形成された第３の電極とを
有し、該第３の電極に電圧を印加することによって前記
第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型式の有
機薄膜トランジスタであって、前記第１及び第２の電極
間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と
一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が置換又は
無置換の炭素数１４〜３４の縮合芳香族炭化水素を単独
若しくは混合物として含むことを特徴とする。

【００２３】本発明の第７視点の有機薄膜トランジスタ
では、第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向と有
機薄膜層の膜厚方向とが一致する構造により、用いられ
る化合物の易動度に対するチャネル長が短縮でき、更
に、有機薄膜層が置換又は無置換の炭素数１４〜３４の
縮合芳香族炭化水素を単独若しくは混合物として含むの
で、高い易動度が得られ、応答速度（駆動速度）が十分
に高速化される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明に係
る実施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。
図１は、本発明に係る第１実施形態例の有機ＴＦＴの構
成を示す断面図である。

【００２５】第１実施形態例 本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａは、図１に示すよう
に、電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transist
or)構造を有している。有機ＴＦＴ１０Ａは、有機薄膜
層（有機化合物層）１５と、夫々が有機薄膜層１５の異
なる面１５ａ、１５ｂに接し且つ相互に所定の間隔をあ
けて対向するように形成されたソース電極（第１の電
極）１２及びドレイン電極（第２の電極）１３と、電極
１３、１４から夫々所定の距離をあけて形成されたゲー
ト電極（第３の電極）１４とを有し、ゲート電極１４に
電圧を印加することによってソース／ドレイン電極１
２、１３間に流れる電流を制御する構成を備える。

【００２６】すなわち、本有機ＴＦＴ１０Ａは、基板１
１上に、ゲート電極（層）１４及び絶縁体層１６をこの
順に有し、絶縁体層１６上に、所定の間隔をあけて形成
された一対のソース電極１２を有し、一対のソース電極
１２、１２を含む絶縁体層１６の露出面上に有機薄膜層
１５が形成され、有機薄膜層１５上にドレイン電極
（層）１３が形成される。このような構成の有機ＴＦＴ
１０Ａでは、有機薄膜層１５がチャネル領域を成してお
り、ゲート電極１４に印加される電圧でソース電極１２
とドレイン電極１３の間に流れる電流が制御されること
によってオン／オフ動作する。

【００２７】ソース電極１２、ドレイン電極１３及びゲ
ート電極１４に夫々用いることが可能な材料としては、
酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳ
Ａ）、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、
マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネ
シウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合
金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグ
ネシウム−銀合金等の金属や合金の他、導電性ポリマー
などの有機材料が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。また、ゲート絶縁層である絶縁体層１６に
用いる材料としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮｘ、アルミナ等
の無機絶縁体や絶縁性ポリマー等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。

【００２８】本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ａは、ソー
ス電極１２とドレイン電極１３の間のキャリアの移動方
向が有機薄膜層１５の膜厚方向（図１の矢印Ｂで示す）
と一致する構造を有し、且つ、有機薄膜層１５が下記一
般式で表される化合物を単独若しくは混合物として含ん
でいる。有機薄膜層１５に含まれる化合物として、下記
一般式［１］〜［６］で表される構造を有する化合物を
挙げることができる。

【００２９】

【化１】

【００３０】

【化２】

【００３１】

【化３】

【００３２】

【化４】

【００３３】

【化５】

【００３４】

【化６】

【００３５】一般式［１］〜［６］において、Ｒ¹〜Ｒ
⁸⁰は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ
ル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シア
ノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは
無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロア
ルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若
しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換
の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル
基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若し
くは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基
を表す。またＲ¹〜Ｒ⁸⁰は、それらのうちの隣り合う２
つで環を形成していても良い。ｎは１〜３の整数であ
り、ｍは０〜２で表される整数である。ｌ（エル）は０
又は１の値を取る数である。また、ｓは１〜２の整数で
ある。ｔは０〜３の値を取る整数である。Ｍは（ｎ＋
ｍ）価或いは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。

【００３６】一般式［１］〜［６］において、Ａｒ¹〜
Ａｒ³は夫々独立に、炭素数６から２０の置換若しくは
無置換の芳香族炭化水素基である。炭素数６から２０の
無置換の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、
ナフチル基、アンスリル基、フェナンスレニル基、ピレ
ニル基、ペリレニル基等が挙げられる。前記の炭素数６
〜２０の芳香族炭化水素基の有する置換基としてはハロ
ゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミ
ノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアル
キル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若し
くは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の
アルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素
基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しく
は無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ルオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基、カルボキシル基が挙げられる。

【００３７】炭素数１４〜３４の縮合芳香族炭化水素の
例としては、アントラセン、フェナンスレン、ナフタセ
ン、ペンタセン、ピレン、クリセン、ピセン、ペンタフ
ェン、ヘキサセン、ペリレン、ベンゾ［ａ］ペリレン、
ジベンゾ［ａ，ｊ］ペリレン、ジベンゾ［ａ，ｏ］ペリ
レン、テリレン、ビスアンスレン、ピランスレン、テト
ラベンゾ［ｄｅ，ｈｉ，ｏｐ，ｓｔ］ペンタセン、コロ
ネン等が挙げられる。

【００３８】これらの縮合芳香族炭化水素が有する置換
基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若し
くは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケ
ニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換
若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の
芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環
基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは
無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアル
コキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。

【００３９】前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられる。前記の置換若しくは無
置換のアミノ基は−ＮＸ¹Ｘ²と表され、Ｘ¹、Ｘ²として
は夫々独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、
イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキ
シメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシ
エチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒ
ドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル
基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３
−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−ク
ロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブ
チル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロ
イソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、
１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、
１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモ
イソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジ
ブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル
基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル
基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨ
ードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３
−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチ
ル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチ
ル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−
アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，
３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブ
チル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメ
チル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２
−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、
１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ
−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニト
ロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル
基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル
基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニト
ロｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−ア
ントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１
−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェ
ナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナント
リル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９
−ナフタセニル基、４−スチリルフェニル基、１−ピレ
ニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェ
ニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイ
ル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニ
ル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−
ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イ
ル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、
ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル
基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、3-メチ
ル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４
−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニル
イル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イ
ル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル
基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジ
ニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−イ
ンドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７
−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソイン
ドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル
基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２
−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３
−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベン
ゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラ
ニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフ
ラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾ
フラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベン
ゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−
キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キ
ノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−
イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリ
ル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−
イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサ
リニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル
基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カ
ルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナ
ンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェ
ナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フ
ェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−
フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、
１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリ
ジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、
１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェ
ナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン
−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル
基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−
フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロ
リン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−
イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，
８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナン
スロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５
−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、
１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェ
ナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン
−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル
基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−
フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロ
リン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イ
ル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９
−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンス
ロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−
２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル
基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１
０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナン
スロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３
−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、
２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェ
ナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン
−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル
基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８
−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンス
ロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−
イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，
８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナン
スロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９
−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、
２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェ
ナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン
−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル
基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−
フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロ
リン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−
イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１
−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−
フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フ
ェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェ
ノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサ
ゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、
２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３
−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２
−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−
３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メ
チルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−
イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチル
ピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル
基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−
フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル
−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、
２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−イン
ドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−
ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリ
ル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられ
る。

【００４０】前記の置換若しくは無置換のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘ
プチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−
ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒ
ドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル
基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジ
ヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキ
シプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、
２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２
−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル
基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−ト
リクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチ
ル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、
１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロ
ピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−
トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエ
チル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル
基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソ
プロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，
３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミ
ノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチ
ル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイ
ソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，
２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−
シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソ
ブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシア
ノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、
１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、
１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロ
イソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジ
ニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル
基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられ
る。

【００４１】前記の置換若しくは無置換のアルケニル基
としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−
ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル
基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェ
ニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチ
ルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルア
リル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル
基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル
基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブ
テニル基、３−フェニル−１−ブテニル基、スチリル
基、２，２−ジフェニルビニル基、４−メチルフェニル
ビニル基、２，２−ジ−ｐ−トリルビニル基、シクロヘ
キシリデンメチン基等が挙げられる。

【００４２】前記の置換若しくは無置換のシクロアルキ
ル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロ
ヘキシル基等が挙げられる。前記の置換若しくは無置換
のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙとし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒ
ドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒド
ロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、
１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒド
ロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプ
ロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−
クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジ
クロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、
２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリク
ロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル
基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、
１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロ
ピル基、２，３−ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−
トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエ
チル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル
基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソ
プロピル基、２，３−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，
３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミ
ノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチ
ル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイ
ソプロピル基、２，３−ジアミノｔ−ブチル基、１，
２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−
シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソ
ブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシア
ノイソプロピル基、２，３−ジシアノｔ−ブチル基、
１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、
１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロ
イソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジ
ニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロｔ−ブチル
基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられ
る。

【００４３】前記の置換若しくは無置換の芳香族炭化水
素基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−
ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９
−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナン
トリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル
基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−
ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル
基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニル
イル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル
基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル
−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−タ
ーフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル
基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ
−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル
基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、3-メチ
ル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４
−メチル−１−アントリル基、４'−メチルビフェニル
イル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イ
ル基等が挙げられる。

【００４４】また、前記の置換若しくは無置換の芳香族
複素環基としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、
３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３
−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル
基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インド
リル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−イ
ンドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリ
ル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、
５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イ
ソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベ
ンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフ
ラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル
基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル
基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニ
ル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラ
ニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、
３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６
−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−
イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリ
ル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−
イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリ
ニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル
基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カ
ルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル
基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニ
ル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジ
ニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリ
ジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンス
リジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリ
ジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、
４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フ
ェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリ
ン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル
基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−
フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロ
リン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イ
ル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，
８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナン
スロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４
−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、
１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェ
ナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン
−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル
基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−
フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロ
リン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イ
ル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９
−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンス
ロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０
−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、
１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−
フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンス
ロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−
イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，
９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナン
スロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６
−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、
２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェ
ナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリ
ン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル
基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−
フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロ
リン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イ
ル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８
−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナン
スロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３
−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、
２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェ
ナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン
−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル
基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フ
ェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジ
ニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニ
ル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニ
ル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル
基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル
基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、
４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサ
ジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニ
ル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピ
ロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル
基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロ
ール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、
３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール
−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−
ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニル
プロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−イ
ンドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチ
ル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル
基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル
１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、
４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

【００４５】また、前記の置換若しくは無置換のアラル
キル基としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、
２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、
２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル
基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル
基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソ
プロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナ
フチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−
ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、
２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル
基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジ
ル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、
ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−
クロロベンジル基、 ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロ
モベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、 ｐ−ヨードベ
ンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル
基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジ
ル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、 ｐ−アミノベンジ
ル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、
ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニ
トロベンジル基、 ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノ
ベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−
２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニ
ルイソプロピル基等が挙げられる。

【００４６】前記の置換若しくは無置換のアリールオキ
シ基は、−ＯＺと表され、Ｚとしてはフェニル基、１−
ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−
アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル
基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４
−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフ
タセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル
基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル
基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４
−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、
ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２
−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフ
ェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−
ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェ
ニル基、3-メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−
ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４'−メ
チルビフェニルイル基、4''−ｔ−ブチル−ｐ−ターフ
ェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル
基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル
基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インド
リル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−イ
ンドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル
基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５
−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソ
インドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベン
ゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラ
ニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル
基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル
基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニ
ル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラ
ニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、
３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６
−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−
イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリ
ル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−
イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリ
ニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル
基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カ
ルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリ
ジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンス
リジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナン
スリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナ
ンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フ
ェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリ
ジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、
９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−
イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，
７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナン
スロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６
−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、
１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェ
ナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリ
ン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル
基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−
フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロ
リン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イ
ル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８
−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナン
スロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３
−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、
１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェ
ナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン
−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル
基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１
０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナ
ンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン
−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル
基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−
フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロ
リン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イ
ル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９
−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンス
ロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０
−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、
２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェ
ナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン
−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル
基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−
フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロ
リン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−
イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，
７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナン
スロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６
−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、
２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェ
ナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２
−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェ
ノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノ
チアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキ
サジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサ
ジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、
５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オ
キサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル
基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル
基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロ
ール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、
３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール
−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−
メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール
−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール
−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メ
チル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル
基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１
−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２
−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−イ
ンドリル基等が挙げられる。

【００４７】前記の置換若しくは無置換のアルコキシカ
ルボニル基は−ＣＯＯＹ²と表され、Ｙ²としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブ
チル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−
ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル
基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル
基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロ
ロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモ
エチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモ
エチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−
ジブロモｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨー
ドエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨー
ドエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３
−ジヨードｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−ア
ミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジア
ミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，
３−ジアミノｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−
シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジ
シアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、
２，３−ジシアノｔ−ブチル基、１，２，３−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、
２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２
−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル
基、２，３−ジニトロｔ−ブチル基、１，２，３−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。

【００４８】Ｍで表される金属原子の例としてはアルミ
ニウム、ベリリウム、ビスマス、カドミウム、セリウ
ム、コバルト、銅、鉄、ガリウム、ゲルマニウム、水
銀、インジウム、ランタン、マグネシウム、モリブデ
ン、ニオブ、アンチモン、スカンジウム、スズ、タンタ
ル、トリウム、チタニウム、ウラン、タングステン、ジ
ルコニウム、バナジウム、亜鉛等が挙げられる。

【００４９】以下に、本発明の化合物例を挙げるが、本
発明はその要旨を越えない限りこれらに限定されるもの
ではない。これらの化合物例は、下記化学式（１）〜
（４８）（以下、化合物番号とも言う）で表される構造
を有する。

【００５０】

【化７】

【００５１】

【化８】

【００５２】

【化９】

【００５３】

【化１０】

【００５４】

【化１１】

【００５５】

【化１２】

【００５６】

【化１３】

【００５７】

【化１４】

【００５８】

【化１５】

【００５９】

【化１６】

【００６０】

【化１７】

【００６１】

【化１８】

【００６２】

【化１９】

【００６３】

【化２０】

【００６４】

【化２１】

【００６５】

【化２２】

【００６６】

【化２３】

【００６７】

【化２４】

【００６８】

【化２５】

【００６９】

【化２６】

【００７０】

【化２７】

【００７１】

【化２８】

【００７２】

【化２９】

【００７３】

【化３０】

【００７４】

【化３１】

【００７５】

【化３２】

【００７６】

【化３３】

【００７７】

【化３４】

【００７８】

【化３５】

【００７９】

【化３６】

【００８０】

【化３７】

【００８１】

【化３８】

【００８２】

【化３９】

【００８３】

【化４０】

【００８４】

【化４１】

【００８５】

【化４２】

【００８６】

【化４３】

【００８７】

【化４４】

【００８８】

【化４５】

【００８９】

【化４６】

【００９０】

【化４７】

【００９１】

【化４８】

【００９２】

【化４９】

【００９３】

【化５０】

【００９４】

【化５１】

【００９５】

【化５２】

【００９６】

【化５３】

【００９７】

【化５４】

【００９８】第２実施形態例 図２は、本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ｂの構造を示す
断面図である。本有機ＴＦＴ１０Ｂは、静電誘導トラン
ジスタ(SIT:Static Induction Transistor)構造を有し
ている。有機ＴＦＴ１０Ｂは、有機薄膜層１５と、夫々
が有機薄膜層１５の異なる面１５ａ、１５ｂに接し且つ
相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソ
ース電極１２及びドレイン電極１３と、電極１３、１４
から夫々所定の距離をあけて形成されたゲート電極１４
とを有し、ゲート電極１４に電圧を印加することによっ
てソース／ドレイン電極１２、１３間に流れる電流を制
御する構成を備える。

【００９９】すなわち、本有機ＴＦＴ１０Ｂは、基板１
１上に、ソース電極１２、有機薄膜層１５及びドレイン
電極１３をこの順に有し、有機薄膜層１５内にゲート電
極１４を有している。ゲート電極１４は、紙面の手前−
奥方向に、ソース電極１２及びドレイン電極１３の双方
と平行になるように相互に平行に延在している。このよ
うな構成の有機ＴＦＴ１０Ｂも、第１実施形態例の有機
ＴＦＴ１０Ａと同様に、有機薄膜層１５がチャネル領域
を構成し、ゲート電極１４に印加される電圧でソース電
極１２とドレイン電極１３の間に流れる電流を制御す
る。

【０１００】本実施形態例の有機ＴＦＴ１０Ｂにおいて
も、ソース電極１２、ドレイン電極１３及びゲート電極
１４に夫々用いることが可能な材料、並びに、有機薄膜
層１５に含まれる化合物は、第１実施形態例と同様であ
る。

【０１０１】第１及び第２実施形態例の有機ＴＦＴ１０
Ａ、１０Ｂにおける各層の形成方法は、特に限定される
ことはなく、従来公知の真空蒸着法、スピンコーティン
グ法等、一般的な薄膜形成方法を用いることが可能であ
る。本有機ＴＦＴ１０Ａ、１０Ｂに用いる、前記一般式
［１］で示される化合物を含有する有機薄膜層１５は、
溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティ
ング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコー
ト法等の塗布法の他、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢ
Ｅ法）等の方法で形成することができる。

【０１０２】本有機ＴＦＴ１０Ａ、１０Ｂにおける有機
薄膜層１５の膜厚は、特に制限されることはない。しか
し、一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生
じやすく、逆に厚すぎるとチャネル長が長くなり、或い
は高い印加電圧が必要となってＴＦＴの性能劣化の要因
になるので、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

【０１０３】第１及び第２実施形態例で用いられる基板
１１は、有機ＴＦＴの構造を支持する役目を担うもので
あり、ガラスの他、プラスチックや金属基板なども用い
ることが可能であるが、基板以外の構成要素により有機
ＴＦＴの構造を十分に支持し得る場合には、使用しない
事も可能である。

【０１０４】

【実施例】以下、実施例をもとに本発明を詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されない。

【０１０５】実施例１ 本実施例では、第１実施形態例で説明した図１の有機Ｔ
ＦＴ１０Ａを以下の手順で作製した。まず、基板１１上
にクロミウムを真空蒸着法により100nmの膜厚で成膜し
てゲート電極１４とした。次いで、このゲート電極１４
上に、スパッタリングによってＳｉＯ₂を300nmの膜厚に
成膜し、これを絶縁体層１６とした。更に、この絶縁体
層１６上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合
金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、ソース電
極１２を形成した。

【０１０６】引き続き、真空蒸着法により、化合物
（１）を300nmの膜厚で形成し、有機薄膜層１５とし
た。更に、この有機薄膜層１５の上に、真空蒸着法によ
り、マグネシウム−銀合金を200ｎｍの膜厚で成膜して
ドレイン電極１３を形成し、有機ＴＦＴ１０Ａを得た。

【０１０７】作製した有機ＴＦＴ１０Ａのゲート電極１
４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖの矩形波電圧
を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直流電圧を夫々印加
した。この状態で、ソース−ドレイン電極間の電流のオ
ン時の応答立ち上がり時間（全変化量の１０％変化時か
ら９０％の変化時までの時間）を測定したところ、1μ
ｓ未満であった。

【０１０８】実施例２ 本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（３）の材料
を用いた点を除いて実施例１と同様であり、ソース−ド
レイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、
実施例１と同じ1μｓ未満であった。

【０１０９】実施例３ 本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（５）の材料
を用いた点を除いて実施例２と同様であり、ソース−ド
レイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間は、
実施例２と同じ1μｓ未満であった。

【０１１０】実施例４〜２９ 上記と同様の手法で測定した実施例４〜２９を表１に示
す。表１では、実施例毎に化合物番号、ソース電極及び
ドレイン電極の材料（電極材料）、及び応答時間（μ
ｓ）を夫々記載している。

【０１１１】

【表１】

【０１１２】表１から判るように、実施例４〜２９にお
ける何れの有機ＴＦＴ素子においても、実施例１〜３と
同様に、応答時間が１μｓ未満と非常に短かった。

【０１１３】実施例３０ 本実施例では、第２実施形態例で説明した図２の有機Ｔ
ＦＴ１０Ｂを以下の手順で作製した。まず、基板１１上
に、真空蒸着法により200nmの膜厚で金を成膜し、これ
をソース電極１２とした。次いで、このソース電極１２
上に化合物番号（１）の化合物を100nmの膜厚で成膜し
て、有機薄膜層１５の一部を形成した。更に、この有機
薄膜層１５上に、金属マスクを通してアルミニウムを真
空蒸着し、幅100μｍ、間隔200μｍ、膜厚80nmのストラ
イプ状のゲート電極１４を形成した。引き続き、ゲート
電極１４上に、化合物（１）を真空蒸着法により150nm
の膜厚で成膜して、有機薄膜層１５の全体を形成した。
更に、有機薄膜層１５上に、真空蒸着法により200nmの
膜厚で金を形成してドレイン電極１３とし、これによ
り、有機ＴＦＴ素子１０Ｂを得た。

【０１１４】このようにして作製した有機ＴＦＴ素子１
０Ｂのゲート電極１４に、周波数１ｋＨｚ、最大電圧
８．５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン電極間に１
０Ｖの直流電圧を印加し、ソース−ドレイン電極間の電
流のオン時の応答立ち上がり時間を測定したところ、1
μｓ未満であった。

【０１１５】実施例３１ 本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（３）の材料
を用い、各電極材料にＭｇＡｇを用いた点を除いて実施
例１と同様であり、ソース−ドレイン電極間の電流のオ
ン時の応答立ち上がり時間は、実施例３０と同じ１μｓ
未満であった。

【０１１６】実施例３２ 本実施例は、有機薄膜層１５に化合物番号（５）の材料
を用いた点を除いて実施例３１と同様であり、ソース−
ドレイン電極間の電流のオン時の応答立ち上がり時間
は、実施例３１と同じ１μｓ未満であった。

【０１１７】実施例３３〜５８ 上記と同様の手法で測定した実施例３３〜５８を表２に
示す。表２においても、実施例毎に化合物番号、ソース
電極及びドレイン電極の材料（電極材料）、及び応答時
間（μｓ）を夫々記載している。

【０１１８】

【表２】

【０１１９】表２から判るように、実施例３３〜５４に
おける何れの有機ＴＦＴ素子１０Ｂにおいても応答時間
が１μｓ未満と比較的に短かく、実施例５５〜５８にお
ける何れの有機ＴＦＴ素子１０Ｂにおいても応答時間が
１μｓ未満と極めて短かった。

【０１２０】実施例５９ 本実施例では、第１実施形態例で説明した図１の有機Ｔ
ＦＴ１０Ａを以下の手順で作製した。まず、基板１１上
に、真空蒸着法によりクロミウムを100nmの膜厚で成膜
し、ゲート電極１４を形成した。次いで、このゲート電
極１４上に、スパッタリングによりＳｉＯ₂を300nmの膜
厚で成膜し、絶縁体層１６とした。更に、絶縁体層１６
上に、金属マスクを通してマグネシウム−銀合金を100n
mの膜厚でストライプ状に成膜することにより、ソース
電極１２を形成した。引き続き、化合物（１）とセシウ
ムとを重量比１０：１になるように20nm形成した後、真
空蒸着法により化合物（１）を280nmの膜厚で形成し、
有機薄膜層１５を得た。次いで、有機薄膜層１５上に、
真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200ｎｍの膜
厚で成膜してドレイン電極１３を形成し、これにより、
有機ＴＦＴ素子１０Ａを得た。

【０１２１】このようにして作製した有機ＴＦＴ素子１
０Ａのゲート電極１４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．
５Ｖの矩形波電圧を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直
流電圧を夫々印加し、ソース−ドレイン電極間の電流の
オン時の応答立ち上がり時間（全変化量の１０％変化時
から９０％変化時までの時間）を測定したところ、1μ
ｓ未満であった。

【０１２２】実施例６０ 本実施例では、第２実施形態例で説明した図２の有機Ｔ
ＦＴ１０Ｂを以下の手順で作製した。まず、基板１１上
に、真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200nmの
膜厚で成膜し、ソース電極１２を形成した。次いで、こ
のソース電極１２上に、化合物（１）とセシウムを重量
比１０：１になるように20nm形成した後、化合物（１）
を80nmの膜厚で成膜した。更に、この上に、金属マスク
を通してアルミニウムを真空蒸着し、幅100μｍ、間隔2
00μｍのストライプ状に膜厚80nmで形成し、ゲート電極
１４を得た。引き続き、ゲート電極１４上に、真空蒸着
法により化合物（１）を150nmの膜厚で成膜し、有機薄
膜層１５の全体を形成した。更に、有機薄膜層１５上
に、真空蒸着法によりマグネシウム−銀合金を200nmの
膜厚で形成してドレイン電極１１３を形成し、これによ
り、有機ＴＦＴ素子１０Ｂを得た。

【０１２３】このようにして作製した有機ＴＦＴ１０Ｂ
のゲート電極１４に周波数１ｋＨｚ、最大電圧８．５Ｖ
の矩形波電圧を、ソース−ドレイン間に１０Ｖの直流電
圧を夫々印加し、ソース−ドレイン電極間の電流のオ
ン、オフ時の応答時間（全変化量の１０％変化時から９
０％変化時までの時間）を測定したところ、1μｓ未満
であった。

【０１２４】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明に係る有機薄膜トランジスタ
は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではな
く、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施
した有機薄膜トランジスタも、本発明の範囲に含まれ
る。

【０１２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機薄膜
トランジスタによると、チャネル長を短縮し、さらに高
い移動度を有する化合物を用いることによって、応答速
度（駆動速度）を高速化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施形態例の有機ＴＦＴの構
成を示す断面図である。

【図２】本発明に係る第２実施形態例の有機ＴＦＴの構
成を示す断面図である。

【図３】従来より多用される代表的な有機ＴＦＴの構成
を示す断面図である。

【符号の説明】

１０Ａ：有機ＴＦＴ １０Ｂ：有機ＴＦＴ １１：基板 １２：ソース電極 １３：ドレイン電極 １４：ゲート電極 １５：有機薄膜層 １６：絶縁体層 ２０：有機ＴＦＴ ２１：基板 ２２：ソース電極 ２３：ドレイン電極 ２４：ゲート電極 ２５：有機薄膜層 ２６：絶縁体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 仁志 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F102 FB01 GB02 GC08 GD01 GL00 GT01 GT03 HC11 5F110 AA01 AA17 AA28 BB01 CC09 DD01 DD02 EE01 EE02 EE03 EE04 EE07 EE43 FF01 FF02 FF03 FF27 FF28 GG05 GG25 GG42 HK01 HK02 HK03 HK06 HK07 HK32

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が下記一般式［１］ 【化１】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原
   子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、
   ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル
   基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは
   無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアル
   コキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置
   換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置
   換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキ
   シ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、
   カルボキシル基を表す。またＲ¹〜Ｒ⁶は、それらのうち
   の２つで環を形成していても良い。またＬ¹は置換若し
   くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケ
   ニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換
   若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置
   換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル
   基を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数であ
   り、Ｍは（ｎ＋ｍ）価の金属イオンを表す。）で表され
   る化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴と
   する有機薄膜トランジスタ。
2. 【請求項２】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が一般式［２］ 【化２】 （式中、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁸は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
   基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
   ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
   は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
   置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
   置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
   キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
   基、カルボキシル基を表す。またＲ⁷〜Ｒ¹⁸は、それら
   のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。ま
   た、Ｌ²は置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若
   しくは無置換のアルケニレン基、置換若しくは無置換の
   シクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン
   基、置換若しくは無置換のアラルキレン基を表す。ｌ
   （エル）は０又は１の値を取る数である。ｓは１〜２の
   整数であり、Ｍは（ｓ＋１）価の金属イオンを表す。）
   で表される化合物を単独若しくは混合物として含むこと
   を特徴とする有機薄膜トランジスタ。
3. 【請求項３】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が一般式［３］ 【化３】 （式中、Ｒ¹⁹〜Ｒ⁴⁰は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
   基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
   ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
   は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
   置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
   置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
   キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
   基、カルボキシル基を表す。またＲ¹⁹〜Ｒ⁴⁰は、それら
   のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。また
   Ａｒ¹〜Ａｒ³は置換若しくは無置換の炭素数６〜２０の
   芳香族炭化水素を表す。ｔは０〜３の値を取る整数であ
   る。）で表される化合物を単独若しくは混合物として含
   むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
4. 【請求項４】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が一般式［４］ 【化４】 （式中、Ｒ⁴¹〜Ｒ⁵⁶は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
   基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
   ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
   は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
   置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
   置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
   キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
   基、カルボキシル基を表す。またＲ⁴¹〜Ｒ⁵⁶は、それら
   のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
   表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
   特徴とする有機薄膜トランジスタ。
5. 【請求項５】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が一般式［５］ 【化５】 （式中、Ｒ⁵⁷〜Ｒ⁶²は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
   基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
   ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
   は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
   置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
   置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
   キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
   基、カルボキシル基を表す。またＲ⁵⁷〜Ｒ⁶²は、それら
   のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
   表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
   特徴とする有機薄膜トランジスタ。
6. 【請求項６】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間のキャリアの移動方向が前記
   有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前
   記有機薄膜層が一般式［６］ 【化６】 （式中、Ｒ⁶³〜Ｒ⁸⁰は夫々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ
   基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキ
   ル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しく
   は無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、
   置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無
   置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオ
   キシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル
   基、カルボキシル基を表す。またＲ⁶³〜Ｒ⁸⁰は、それら
   のうちの隣り合う２つで環を形成していても良い。）で
   表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを
   特徴とする有機薄膜トランジスタ。
7. 【請求項７】 有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異
   なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するよ
   うに形成された第１及び第２の電極と、該第１及び第２
   の電極から夫々所定の距離をもって形成された第３の電
   極とを有し、該第３の電極に電圧を印加することによっ
   て前記第１及び第２の電極間に流れる電流を制御する型
   式の有機薄膜トランジスタであって、 前記第１及び第２の電極間でのキャリアの移動方向が前
   記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、
   前記有機薄膜層が置換又は無置換の炭素数１４〜３４の
   縮合芳香族炭化水素を単独若しくは混合物として含むこ
   とを特徴とする有機薄膜トランジスタ。