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JP2003115664A - 電圧変換モジュール - Google Patents

電圧変換モジュール

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Publication number
JP2003115664A
JP2003115664A JP2001309597A JP2001309597A JP2003115664A JP 2003115664 A JP2003115664 A JP 2003115664A JP 2001309597 A JP2001309597 A JP 2001309597A JP 2001309597 A JP2001309597 A JP 2001309597A JP 2003115664 A JP2003115664 A JP 2003115664A
Authority
JP
Japan
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capacitor
rewiring
voltage conversion
layer
connection
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001309597A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Higashiya
比呂志 東谷
Masaaki Hayama
雅昭 葉山
Yuji Mido
勇治 御堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001309597A priority Critical patent/JP2003115664A/ja
Priority to PCT/JP2002/010361 priority patent/WO2003032389A1/ja
Priority to DE60229722T priority patent/DE60229722D1/de
Priority to EP02800768A priority patent/EP1357597B1/en
Priority to US10/470,552 priority patent/US6985364B2/en
Publication of JP2003115664A publication Critical patent/JP2003115664A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W90/00—
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
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    • H05K2201/1003—Non-printed inductor
    • H10W72/07251—
    • H10W72/20—

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装面積、実装高さ、実装レイアウトに制約
の少ない小型、低背の電圧変換モジュールを実現する。 【解決手段】 第１の接続層７に構成されるビア３を介
して端子面２と第１の再配線面４とを接続し、第２の再
配線面５に実装した電圧変換用ＩＣ１１及び第１と第２
のコンデンサ１６，１７以外に電圧変換用ＩＣ１１の周
辺回路１８として接続される各種のチップ部品１２を内
蔵する部品内蔵層８に構成されるビア３を介して第１の
再配線面４と第２の再配線面５とを接続し、第２の接続
層９に構成されるビア３を介して第２の再配線面５とコ
ンデンサ実装面６とを接続し、コンデンサ実装面６上部
でモジュール最上部に相当する位置にコンデンサを内蔵
するコンデンサ内蔵層１０を配置した構成からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報通信機器及び移
動体通信機器で利用される電圧変換モジュールに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電圧変換回路は図１１に示すよう
に電圧変換用ＩＣ４３あるいは電圧変換を行う電圧変換
用ＩＣ４３の入出力とグランドとの間に接続される雑音
除去用の１μＦ以上の容量値を有する第１のコンデンサ
４１あるいは第２のコンデンサ４２が電圧変換用ＩＣ４
３に対して２次元方向に配置された構成である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電圧変換回路で
は、２次元方向の部品配置であり雑音を除去する為に１
μＦ以上の容量を有する形状の大きい第１及び第２のコ
ンデンサが必要である。２次元方向の実装においては電
圧変換用ＩＣ４３と第１及び第２のコンデンサ４１，４
２のレイアウトに制約が有り電圧変換用ＩＣの直近にコ
ンデンサを配置して雑音除去能力を最大限に発揮するこ
とに限界がある。また、従来のコンデンサは高さの高い
チップ部品を用いていることから低背化に限界があっ
た。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み、電圧変換用Ｉ
Ｃ４３及び電圧変換用ＩＣ４３に接続されるコンデンサ
を３次元方向かつ近接した配置に実装し雑音除去性能が
優れた小型低背の電圧変換モジュールを提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電圧変換モジュールは電圧変換を行う電圧
変換用ＩＣの入力端子及び出力端子とグランドとの間に
雑音除去用の第１と第２のコンデンサが接続される回路
で、モジュールを実装するための接続端子を有する端子
面を最下位面に配置し、第１の接続層に構成されるビア
を介して前記端子面と第１の再配線面とを接続し、第２
の再配線面に実装した電圧変換用ＩＣ及び前記第１と第
２のコンデンサ以外に前記電圧変換用ＩＣの周辺回路と
して接続される抵抗、コンデンサあるいはインダクタな
どのチップ部品を内蔵する部品内蔵層に構成されるビア
を介して前記第１の再配線面と前記第２の再配線面とを
接続し、第２の接続層に構成されるビアを介して前記第
２の再配線面とコンデンサ実装面とを接続し、前記コン
デンサ実装面上部でモジュール最上部に相当する位置に
コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵層を配置し樹脂コ
ンポジットを用いて多層積層したモジュールであり、前
記第１の再配線面及び前記第２の再配線面を用いて前記
接続端子と前記電圧変換用ＩＣの端子あるいは前記チッ
プ部品の接続を確立し、前記第２の再配線面及び前記コ
ンデンサ実装面を用いて前記電圧変換用ＩＣと前記コン
デンサの接続を確立し、前記第１の再配線面、第２の再
配線面及び前記コンデンサ実装面を用いて前記接続端子
と前記コンデンサの接続を確立することを特徴とする。
【０００６】この構成によれば、より雑音除去性能に優
れ、小型かつ低背の電圧変換回路を実現することが可能
となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
電圧変換を行う電圧変換用ＩＣの入力端子及び出力端子
とグランドとの間に雑音除去用の第１と第２のコンデン
サが接続される回路で、モジュールを実装するための接
続端子を有する端子面を最下位面に配置し、第１の接続
層に構成されるビアを介して前記端子面と第１の再配線
面とを接続し、第２の再配線面に実装した電圧変換用Ｉ
Ｃ及び前記第１と第２のコンデンサ以外に前記電圧変換
用ＩＣの周辺回路として接続される抵抗、コンデンサあ
るいはインダクタなどのチップ部品を内蔵する部品内蔵
層に構成されるビアを介して前記第１の再配線面と前記
第２の再配線面とを接続し、第２の接続層に構成される
ビアを介して前記第２の再配線面とコンデンサ実装面と
を接続し、前記コンデンサ実装面上部でモジュール最上
部に相当する位置にコンデンサを内蔵するコンデンサ内
蔵層を配置し樹脂コンポジットを用いて多層積層したモ
ジュールであり、前記第１の再配線面及び前記第２の再
配線面を用いて前記接続端子と前記電圧変換用ＩＣの端
子あるいは前記チップ部品の接続を確立し、前記第２の
再配線面及び前記コンデンサ実装面を用いて前記電圧変
換用ＩＣと前記コンデンサの接続を確立し、前記第１の
再配線面、第２の再配線面及び前記コンデンサ実装面を
用いて前記接続端子と前記コンデンサの接続を確立する
ことを特徴とする電圧変換モジュールであり、電圧変換
用ＩＣ及び電圧変換用ＩＣに接続されるコンデンサを３
次元方向に実装することにより小型低背化及び雑音除去
性能の向上の作用を有する。
【０００８】本発明の請求項２記載の発明は、前記コン
デンサ内蔵層の第１と第２のコンデンサが高分子アルミ
あるいは高分子タンタルなどの機能性高分子から構成さ
れるコンデンサで有り、接続端子を有する形態で素子単
体あるいはパッケージ状態にてコンデンサ実装面に実装
され、樹脂コンポジットを用いて基板内に内蔵するある
いは接続端子を有するパッケージ状態にてコンデンサ実
装面に実装することを特徴とする請求項１記載の電圧変
換モジュールであり、請求項１記載の発明と同様の作用
を有する。
【０００９】本発明の請求項３記載の発明は、前記コン
デンサ内蔵層がセラミック基板から構成され、前記コン
デンサ内蔵層にコンデンサが複数個並列に配置された多
連積層セラミックコンデンサ層であり、前記各コンデン
サが端面電極を有すると共に前記端面電極を前記コンデ
ンサ実装面との接続点とする請求項１記載の電圧変換モ
ジュールであり、請求項１及び請求項２記載の発明と同
様の作用を有する。
【００１０】本発明の請求項４記載の発明は、電圧変換
を行う電圧変換用ＩＣの入力端子とグランドとの間に雑
音除去用の第１のコンデンサが接続され、出力端子と前
記電圧変換用ＩＣ出力との間に直列にインダクタ、出力
端子とグランドとの間に第２のコンデンサを接続し平滑
回路を構成する回路で、モジュールを実装するための接
続端子を有する端子面を最下位面に配置し、第１の接続
層に構成されるビアを介して前記端子面と第１の再配線
面とを接続し、第２の再配線面に実装した電圧変換用Ｉ
Ｃ及び前記第１及び第２のコンデンサ以外に前記電圧変
換用ＩＣの周辺回路として接続される抵抗、コンデンサ
あるいはインダクタなどのチップ部品を内蔵する部品内
蔵層に構成されるビアを介して前記第１の再配線面と前
記第２の再配線面とを接続し、第２の接続層に構成され
るビアを介して前記第２の再配線面とコンデンサ実装面
とを接続し、前記コンデンサ実装面上部でモジュール最
上部に相当する位置にコンデンサを内蔵するコンデンサ
内蔵層を配置し樹脂コンポジットを用いて多層積層し、
前記平滑用インダクタをコンデンサ実装面あるいは第２
の再配線面に実装し第１の接続層から第２の接続層にま
たがる層内に内蔵したモジュールであり、前記第１の再
配線面及び前記第２の再配線面を用いて前記接続端子と
前記電圧変換用ＩＣの端子あるいは前記チップ部品の接
続を確立し、前記第２の再配線面及び前記コンデンサ実
装面を用いて前記電圧変換用ＩＣと前記コンデンサ及び
前記平滑用インダクタの接続を確立し、前記第１の再配
線面、第２の再配線面及び前記コンデンサ実装面を用い
て前記接続端子と前記コンデンサ及び前記平滑用インダ
クタの接続を確立することを特徴とする電圧変換モジュ
ールであり、電力容量が高い電圧変換回路において請求
項１ないし請求項３記載の発明と同様の作用を有する。
【００１１】本発明の請求項５記載の発明は、電圧変換
を行う電圧変換用ＩＣの入力端子とグランドとの間に雑
音除去用の第１のコンデンサが接続され、出力端子と前
記電圧変換用ＩＣ出力との間に直列にインダクタ、出力
端子とグランドとの間に第２のコンデンサを接続し平滑
回路を構成する回路で、モジュールを実装するための接
続端子を有する端子面を最下位面に配置し、第１の接続
層に構成されるビアを介して前記端子面と第１の再配線
面とを接続し、第２の再配線面に実装した電圧変換用Ｉ
Ｃ及び前記入出力端子以外の端子に前記電圧変換用ＩＣ
の周辺回路として接続される抵抗、コンデンサあるいは
インダクタなどのチップ部品を内蔵する部品内蔵層に構
成されるビアを介して前記第１の再配線面と前記第２の
再配線面とを接続し、第２の接続層に構成されるビアを
介して前記第２の再配線面とコンデンサ実装面とを接続
し、前記コンデンサ実装面上部でモジュール最上部に相
当する位置にコンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵層を
配置し樹脂コンポジットを用いて多層積層し、前記平滑
用インダクタがコイルとフェライトコアから構成され、
前記コイルが第１の接続層、部品内蔵層及び第２の接続
層のいずれかにまたがる層内にビアを介して接続された
スパイラル線路で構成され前記フェライトコア内にスパ
イラル線路を巻き付けた構成とするためにモジュール上
部と下部からそれぞれ上部フェライトコアと下部フェラ
イトコアで前記スパイラル線路を前記両フェライトコア
に一定間隔を有するように絶縁層を設け挟み込んだ構成
としたモジュールであり、前記第１の再配線面及び前記
第２の再配線面を用いて前記接続端子と前記電圧変換用
ＩＣの端子あるいは前記チップ部品の接続を確立し、前
記第２の再配線面及び前記コンデンサ実装面を用いて前
記電圧変換用ＩＣと前記コンデンサの接続を確立し、前
記第１の再配線面、第２の再配線面及び前記コンデンサ
実装面を用いて前記接続端子と前記コンデンサの接続を
確立することを特徴とする電圧変換モジュールであり、
電力容量が高い電圧変換回路において請求項１ないし請
求項４記載の発明と同様の作用を有すると共にフェライ
トコアを用いることにより請求項４に比べてさらに優れ
た直流重畳特性を実現する作用を有する。
【００１２】本発明の請求項６記載の発明は、前記部品
内蔵面に内蔵された電圧変換用ＩＣの端子と逆の非端子
面が前記第１の再配線面に構成される銅箔パターンと接
続され、前記第１の接続層に構成される放熱用ビアを介
して前記端子面に構成される放熱板に接続されることを
特徴とする請求項１ないし請求項５記載の電圧変換モジ
ュールであり、請求項１ないし請求項５記載の発明に対
して内蔵層の放熱特性を向上し優れた安定特性を実現す
る作用を有する。
【００１３】本発明の請求項７記載の発明は、前記コン
デンサ内蔵層にシールド板接続用ビアと前記コンデンサ
内蔵層の上面にシールド板を有し、前記シールド板接続
用ビアにより前記コンデンサ実装面と前記シールド板と
を接続することを特徴とする請求項１ないし請求項５記
載の電圧変換モジュールであり、請求項１ないし請求項
６記載の発明に対して電圧変換回路から放射される雑音
のシールド効果を高め外部回路への悪影響を最大限に低
減する作用を有する。
【００１４】（実施の形態１）図１及び図２に本発明の
実施の形態１における電圧変換モジュールの構成断面図
と回路図を示す。図１及び図２において電圧変換を行う
電圧変換用ＩＣ１１の入力端子１４及び出力端子１５と
グランドとの間に雑音除去用の第１と第２のコンデンサ
１６，１７が接続される回路で、モジュールと外部との
信号の接続を行う接続端子１を有する端子面２を最下位
面に配置し、第１の接続層７に構成されるビア３を介し
て端子面２と第１の再配線面４とを接続し、第２の再配
線面５に実装した電圧変換用ＩＣ１１及び第１と第２の
コンデンサ１６，１７以外に電圧変換用ＩＣ１１の周辺
回路１８として接続される抵抗、コンデンサあるいはイ
ンダクタなどのチップ部品１２を内蔵する部品内蔵層８
に構成されるビア３を介して第１の再配線面４と第２の
再配線面５とを接続し、第２の接続層９に構成されるビ
ア３を介して第２の再配線面５とコンデンサ実装面６と
を接続し、コンデンサ実装面６上部でモジュール最上部
に相当する位置に第１及び第２のコンデンサ１６，１７
を内蔵するコンデンサ内蔵層１０を配置し樹脂コンポジ
ットを用いて多層積層したモジュールであり、第１の再
配線面４及び第２の再配線面５を用いて接続端子１と電
圧変換用ＩＣ１１の端子あるいはチップ部品１２の接続
を確立し、第２の再配線面５及びコンデンサ実装面６を
用いて電圧変換用ＩＣ１１と第１及び第２のコンデンサ
１６，１７の接続を確立し、第１の再配線面４、第２の
再配線面５及びコンデンサ実装面６を用いて接続端子１
と第１と第２のコンデンサ１６，１７の接続を確立する
構成である。
【００１５】図３及び図４にコンデンサ内蔵層１０の構
成断面図を示す。ここで、図３に示すコンデンサ内蔵層
１０は第１と第２のコンデンサ１６，１７を高分子アル
ミあるいは高分子タンタルなどの機能性高分子で構成し
たものであり、接続端子１を有する形態で素子単体ある
いはパッケージ状態にてコンデンサ実装面６に実装し、
樹脂コンポジットを用いて基板内に内蔵するあるいは接
続端子１を有するパッケージ状態にてコンデンサ実装面
６に実装することが可能である。また、図４に示すコン
デンサ内蔵層１０はセラミック基板より構成し、コンデ
ンサを３個並列に配置した３連積層セラミックコンデン
サ層であり、図５に示すように各コンデンサが端面電極
を有し端面電極をコンデンサ実装面との接続点とする。
【００１６】ここで、電圧変換用ＩＣはベアチップある
いはパッケージ状態にて樹脂コンポジットを用いて基板
に内蔵する。
【００１７】なお、外部回路と電圧変換用ＩＣ１１の入
出力との接続を行う接続端子１はモジュールの端面に端
面電極として構成することも可能である。
【００１８】また、周辺回路１８を構成するコンデンサ
は第２の接続層９をセラミック基板あるいは高誘電率樹
脂基板を用いて並行平板コンデンサを形成し、抵抗及び
インダクタは積層基板への印刷及びエッチングにて構成
することが可能である。
【００１９】さらに、図９に示すように部品内蔵層８に
内蔵された電圧変換用ＩＣ１１の端子と逆の非端子面３
６が第１の再配線面４に構成される銅箔パターン３７と
接続され、第１の接続層７に構成される放熱用ビア３８
を介して端子面２に構成される放熱板３５に接続するこ
とで、放熱効果を向上させることが可能となる。また、
図１０に示すようにコンデンサ内蔵層１０にシールド板
接続用ビア４０とコンデンサ内蔵層１０の上面にシール
ド板３９を構成し、シールド板接続用ビア４０によりコ
ンデンサ実装面６とシールド板３９とを接続することに
よりシールド効果を向上させることも可能となる。
【００２０】（実施の形態２）図６及び図７に本発明の
実施の形態２における電圧変換モジュールの構成断面図
と回路図を示す。図６及び図７において電圧変換を行う
電圧変換用ＩＣ１１の入力端子２３とグランドとの間に
雑音除去用の第１のコンデンサ２９が接続され、出力端
子２４と電圧変換用ＩＣ１１出力との間に直列に平滑用
インダクタ２２、出力端子２４とグランドとの間に第２
のコンデンサ３０を接続し平滑回路を構成する回路で、
モジュールと外部との信号の接続を行う接続端子１を有
する端子面２を最下位面に配置し、第１の接続層７に構
成されるビア３を介して端子面２と第１の再配線面４と
を接続し、第２の再配線面５に実装した電圧変換用ＩＣ
１１及び第１及び第２のコンデンサ２９，３０以外に電
圧変換用ＩＣ１１の周辺回路２６として接続される抵
抗、コンデンサあるいはインダクタなどのチップ部品１
２を内蔵する部品内蔵層８に構成されるビア３を介して
第１の再配線面４と第２の再配線面５とを接続し、第２
の接続層９に構成されるビア３を介して第２の再配線面
５とコンデンサ実装面６とを接続し、コンデンサ実装面
上部でモジュール最上部に相当する位置に第１及び第２
のコンデンサ２９，３０を内蔵するコンデンサ内蔵層１
０を配置し樹脂コンポジットを用いて多層積層し、平滑
用インダクタ２２をコンデンサ実装面６あるいは第２の
再配線面５に実装し第１の接続層７から第２の接続層９
にまたがる層内に内蔵したモジュールであり、第１の再
配線面４及び第２の再配線面５を用いて接続端子１と電
圧変換用ＩＣ１１あるいはチップ部品１２の接続を確立
し、第２の再配線面５及びコンデンサ実装面６を用いて
電圧変換用ＩＣ１１と第１及び第２のコンデンサ２９，
３０及び平滑用インダクタ２２の接続を確立し、第１の
再配線面４、第２の再配線面５及びコンデンサ実装面６
を用いて接続端子１と第１及び第２のコンデンサ２９，
３０及び平滑用インダクタ２２の接続を確立する構成で
ある。
【００２１】実施の形態１と同様に電圧変換用ＩＣ１１
はベアチップあるいはパッケージ状態にて樹脂コンポジ
ットを用いて基板に内蔵するものであり、コンデンサ内
蔵層１０に図３及び図４に示したコンデンサを採用する
ことが可能である。さらに、周辺回路１８を構成する抵
抗、コンデンサ及びインダクタも第２の接続層９をセラ
ミック基板にて構成し内蔵することが可能である。
【００２２】さらに、図９に示すように部品内蔵層８に
内蔵された電圧変換用ＩＣ１１の端子と逆の非端子面３
６が第１の再配線面４に構成される銅箔パターン３７と
接続され、第１の接続層に構成される放熱用ビア３８を
介して端子面２に構成される放熱板３５に接続し放熱効
果を向上させることが可能となる。また、図１０に示す
ようにコンデンサ内蔵層１０にシールド板接続用ビア４
０とコンデンサ内蔵層１０の上面にシールド板３９を有
し、シールド板接続用ビア４０によりコンデンサ実装面
６とシールド板３９とを接続することによりシールド効
果を向上させることも可能となる。
【００２３】（実施の形態３）図８及び図７に本発明の
実施の形態３における電圧変換モジュールの構成断面図
と回路図を示す。図８及び図７において電圧変換を行う
電圧変換用ＩＣ１１の入力端子２３とグランドとの間に
雑音除去用の第１のコンデンサ２９が接続され、出力端
子２４と電圧変換用ＩＣ１１出力との間に直列に平滑用
インダクタ２２、出力端子２４とグランドとの間に第２
のコンデンサ３０を接続し平滑回路を構成する回路で、
モジュールを実装するための接続端子１を有する端子面
２を最下位面に配置し、第１の接続層７に構成されるビ
ア３を介して端子面２と第１の再配線面４とを接続し、
第２の再配線面５に実装した電圧変換用ＩＣ１１及び第
１及び第２のコンデンサ２９，３０以外に電圧変換用Ｉ
Ｃ１１の周辺回路として接続される抵抗、コンデンサあ
るいはインダクタなどのチップ部品１２を内蔵する部品
内蔵層８に構成されるビア３を介して第１の再配線面４
と第２の再配線面５とを接続し、第２の接続層９に構成
されるビア３を介して第２の再配線面５とコンデンサ実
装面６とを接続し、コンデンサ実装面６上部でモジュー
ル最上部に相当する位置にコンデンサを内蔵するコンデ
ンサ内蔵層１０を配置し樹脂コンポジットを用いて多層
積層したモジュールであり、第１の再配線面４及び第２
の再配線面５を用いて接続端子１と電圧変換用ＩＣ１１
あるいはチップ部品１２の接続を確立し、第２の再配線
面５及びコンデンサ実装面６を用いて電圧変換用ＩＣ１
１と第１及び第２のコンデンサ２９，３０及び平滑用イ
ンダクタ２２の接続を確立し、第１の再配線面４、第２
の再配線面５及びコンデンサ実装面６を用いて接続端子
１と第１及び第２のコンデンサ２９，３０及び平滑用イ
ンダクタ２２の接続を確立する構成である。
【００２４】特に、本実施の形態では直流重畳特性及び
高インダクタ値を得るために、平滑用インダクタ２２を
コイルとフェライトコアから構成したことが特徴であ
り、図８に示すようにコイルは第１の接続層７、部品内
蔵層８及び第２の接続層９のいずれかにまたがる層内に
ビア３を介して接続された立体スパイラル線路３１と
し、フェライトコア内に立体スパイラル線路３１を巻き
付けた構成とするためにモジュール上部と下部からそれ
ぞれ上部フェライトコア３２と下部フェライトコア３３
で立体スパイラル線路３１を両フェライトコア３２，３
３に一定間隔を有するように絶縁層３４を設け挟み込ん
だ構成である。
【００２５】実施の形態１及び実施の形態２と同様に図
３及び図４に示すコンデンサ内蔵層あるいは図９に示す
放熱構造及び図１０に示したシールド構造を使用するこ
とが可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電圧変換
回路を構成する電圧変換用ＩＣ、コンデンサ及び電圧変
換用ＩＣに接続される周辺回路に使用される抵抗、コン
デンサ及びインダクタなどのチップ部品を３次元的に樹
脂コンポジットを用いて構成することで小型低背化を実
現すると共に、電圧変換用ＩＣとコンデンサの接続距離
を最短で結ぶ接続とすることが可能となり、良好な雑音
除去性能を達成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の電圧変換モジュールの
構成断面図
【図２】同電圧変換モジュールの回路図
【図３】同実施の形態におけるコンデンサ内蔵層の構成
断面図
【図４】他のコンデンサ内蔵層の構成断面図
【図５】同斜視図
【図６】本発明の実施の形態２の電圧変換モジュールの
構成断面図
【図７】本発明の実施の形態２、３の電圧変換モジュー
ルの回路図
【図８】本発明の実施の形態３の電圧変換モジュールの
構成断面図
【図９】本発明の他の電圧変換モジュールの構成断面図
【図１０】本発明の他の電圧変換モジュールの構成断面
図
【図１１】従来の電圧変換モジュールの構成断面図
【符号の説明】
１ 接続端子 ２ 端子面 ３ ビア ４ 第１の再配線面 ５ 第２の再配線面 ６ コンデンサ実装面 ７ 第１の接続層 ８ 部品内蔵層 ９ 第２の接続層 １０ コンデンサ内蔵層 １１，２５，４３ 電圧変換用ＩＣ １２ チップ部品 １３ 配線 １４，２３ 入力端子 １５，２４ 出力端子 １６，２９，４１ 第１のコンデンサ １７，３０，４２ 第２のコンデンサ １８，２６ 周辺回路 １９ 機能性高分子コンデンサ ２０ 多連積層セラミックコンデンサ層 ２１ 端面電極 ２２ 平滑用インダクタ ２７ 出力電圧制御端子 ２８ 電圧帰還回路 ３１ 立体スパイラル線路 ３２ 上部フェライトコア ３３ 下部フェライトコア ３４ 絶縁層 ３５ 放熱板 ３６ 非端子面 ３７ 銅箔パターン ３８ 放熱用ビア ３９ シールド板 ４０ シールド板接続用ビア ４４ コンデンサ接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 御堂 勇治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA43 BB16 BB20 CC16 HH22 5H730 AA01 ZZ04 ZZ09 ZZ11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電圧変換を行う電圧変換用ＩＣの入力端
    子及び出力端子とグランドとの間に雑音除去用の第１と
    第２のコンデンサが接続される回路で、モジュールを実
    装するための接続端子を有する端子面を最下位面に配置
    し、第１の接続層に構成されるビアを介して前記端子面
    と第１の再配線面とを接続し、第２の再配線面に実装し
    た電圧変換用ＩＣ及び前記第１と第２のコンデンサ以外
    に前記電圧変換用ＩＣの周辺回路として接続される抵
    抗、コンデンサあるいはインダクタなどのチップ部品を
    内蔵する部品内蔵層に構成されるビアを介して前記第１
    の再配線面と前記第２の再配線面とを接続し、第２の接
    続層に構成されるビアを介して前記第２の再配線面とコ
    ンデンサ実装面とを接続し、前記コンデンサ実装面上部
    でモジュール最上部に相当する位置にコンデンサを内蔵
    するコンデンサ内蔵層を配置し樹脂コンポジットを用い
    て多層積層したモジュールであり、前記第１の再配線面
    及び前記第２の再配線面を用いて前記接続端子と前記電
    圧変換用ＩＣの端子あるいは前記チップ部品の接続を確
    立し、前記第２の再配線面及び前記コンデンサ実装面を
    用いて前記電圧変換用ＩＣと前記コンデンサの接続を確
    立し、前記第１の再配線面、第２の再配線面及び前記コ
    ンデンサ実装面を用いて前記接続端子と前記コンデンサ
    の接続を確立することを特徴とする電圧変換モジュー
    ル。
  2. 【請求項２】 前記コンデンサ内蔵層の第１と第２のコ
    ンデンサが高分子アルミあるいは高分子タンタルなどの
    機能性高分子から構成されるコンデンサで有り、接続端
    子を有する形態で素子単体あるいはパッケージ状態にて
    コンデンサ実装面に実装され、樹脂コンポジットを用い
    て基板内に内蔵するあるいは接続端子を有するパッケー
    ジ状態にてコンデンサ実装面に実装することを特徴とす
    る請求項１記載の電圧変換モジュール。
  3. 【請求項３】 前記コンデンサ内蔵層がセラミック基板
    から構成され、前記コンデンサ内蔵層にコンデンサが複
    数個並列に配置された多連積層セラミックコンデンサ層
    であり、前記各コンデンサが端面電極を有すると共に前
    記端面電極を前記コンデンサ実装面との接続点とする請
    求項１記載の電圧変換モジュール。
  4. 【請求項４】 電圧変換を行う電圧変換用ＩＣの入力端
    子とグランドとの間に雑音除去用の第１のコンデンサが
    接続され、出力端子と前記電圧変換用ＩＣ出力との間に
    直列にインダクタ、出力端子とグランドとの間に第２の
    コンデンサを接続し平滑回路を構成する回路で、モジュ
    ールを実装するための接続端子を有する端子面を最下位
    面に配置し、第１の接続層に構成されるビアを介して前
    記端子面と第１の再配線面とを接続し、第２の再配線面
    に実装した電圧変換用ＩＣ及び前記第１及び第２のコン
    デンサ以外に前記電圧変換用ＩＣの周辺回路として接続
    される抵抗、コンデンサあるいはインダクタなどのチッ
    プ部品を内蔵する部品内蔵層に構成されるビアを介して
    前記第１の再配線面と前記第２の再配線面とを接続し、
    第２の接続層に構成されるビアを介して前記第２の再配
    線面とコンデンサ実装面とを接続し、前記コンデンサ実
    装面上部でモジュール最上部に相当する位置にコンデン
    サを内蔵するコンデンサ内蔵層を配置し樹脂コンポジッ
    トを用いて多層積層し、前記平滑用インダクタをコンデ
    ンサ実装面あるいは第２の再配線面に実装し第１の接続
    層から第２の接続層にまたがる層内に内蔵したモジュー
    ルであり、前記第１の再配線面及び前記第２の再配線面
    を用いて前記接続端子と前記電圧変換用ＩＣの端子ある
    いは前記チップ部品の接続を確立し、前記第２の再配線
    面及び前記コンデンサ実装面を用いて前記電圧変換用Ｉ
    Ｃと前記コンデンサ及び前記平滑用インダクタの接続を
    確立し、前記第１の再配線面、第２の再配線面及び前記
    コンデンサ実装面を用いて前記接続端子と前記コンデン
    サ及び前記平滑用インダクタの接続を確立することを特
    徴とする電圧変換モジュール。
  5. 【請求項５】 電圧変換を行う電圧変換用ＩＣの入力端
    子とグランドとの間に雑音除去用の第１のコンデンサが
    接続され、出力端子と前記電圧変換用ＩＣ出力との間に
    直列にインダクタ、出力端子とグランドとの間に第２の
    コンデンサを接続し平滑回路を構成する回路で、モジュ
    ールを実装するための接続端子を有する端子面を最下位
    面に配置し、第１の接続層に構成されるビアを介して前
    記端子面と第１の再配線面とを接続し、第２の再配線面
    に実装した電圧変換用ＩＣ及び前記入出力端子以外の端
    子に前記電圧変換用ＩＣの周辺回路として接続される抵
    抗、コンデンサあるいはインダクタなどのチップ部品を
    内蔵する部品内蔵層に構成されるビアを介して前記第１
    の再配線面と前記第２の再配線面とを接続し、第２の接
    続層に構成されるビアを介して前記第２の再配線面とコ
    ンデンサ実装面とを接続し、前記コンデンサ実装面上部
    でモジュール最上部に相当する位置にコンデンサを内蔵
    するコンデンサ内蔵層を配置し樹脂コンポジットを用い
    て多層積層し、前記平滑用インダクタがコイルとフェラ
    イトコアから構成され、前記コイルが第１の接続層、部
    品内蔵層及び第２の接続層のいずれかにまたがる層内に
    ビアを介して接続されたスパイラル線路で構成され前記
    フェライトコア内にスパイラル線路を巻き付けた構成と
    するためにモジュール上部と下部からそれぞれ上部フェ
    ライトコアと下部フェライトコアで前記スパイラル線路
    を前記両フェライトコアに一定間隔を有するように絶縁
    層を設け挟み込んだ構成としたモジュールであり、前記
    第１の再配線面及び前記第２の再配線面を用いて前記接
    続端子と前記電圧変換用ＩＣの端子あるいは前記チップ
    部品の接続を確立し、前記第２の再配線面及び前記コン
    デンサ実装面を用いて前記電圧変換用ＩＣと前記コンデ
    ンサの接続を確立し、前記第１の再配線面、第２の再配
    線面及び前記コンデンサ実装面を用いて前記接続端子と
    前記コンデンサの接続を確立することを特徴とする電圧
    変換モジュール。
  6. 【請求項６】 前記部品内蔵面に内蔵された電圧変換用
    ＩＣの端子と逆の非端子面が前記第１の再配線面に構成
    される銅箔パターンと接続され、前記第１の接続層に構
    成される放熱用ビアを介して前記端子面に構成される放
    熱板に接続されることを特徴とする請求項１から請求項
    ５のいずれかに記載の電圧変換モジュール。
  7. 【請求項７】 前記コンデンサ内蔵層にシールド板接続
    用ビアと前記コンデンサ内蔵層の上面にシールド板を有
    し、前記シールド板接続用ビアにより前記コンデンサ実
    装面と前記シールド板とを接続することを特徴とする請
    求項１から請求項６のいずれかに記載の電圧変換モジュ
    ール。
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