JP2003194851A - Contact probe structure and method of manufacturing the same - Google Patents
Contact probe structure and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定物との熱膨張係数の差による位置ずれ
の問題がなく、組み立てやすいコンタクトプローブ構造
体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 コンタクトプローブ構造体91は、被測
定物に接触させるための先端部1および電極を取出すた
めの根元部3をそれぞれ有する複数のコンタクトプロー
ブと、互いに平行な複数の溝を有する第1および第2の
保持部材21,22とを備える。第1および第2の保持
部材21,22は、上記複数のコンタクトプローブの先
端部1が一列に並んで突出するように上記複数の溝に上
記複数のコンタクトプローブの根元部3をそれぞれ挟み
込んで、互いに固定されている。
(57) [Problem] To provide a contact probe structure which is easy to assemble without a problem of displacement due to a difference in a thermal expansion coefficient from an object to be measured and a method of manufacturing the same. SOLUTION: A contact probe structure 91 has a plurality of contact probes each having a tip portion 1 for making contact with an object to be measured and a root portion 3 for taking out an electrode, and a first having a plurality of grooves parallel to each other. And second holding members 21 and 22. The first and second holding members 21 and 22 sandwich the roots 3 of the contact probes in the grooves so that the tips 1 of the contact probes project in a line, respectively. Fixed to each other.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
表示装置などの電気検査を行なうためのプローブカード
ヘッド、測定用ICソケットおよびこれらの製造方法に
関するものである。なお、プローブカードヘッド、測定
用ICソケットなどのように、コンタクトプローブを複
数組み込んで保持した構造体を、以下「コンタクトプロ
ーブ構造体」というものとする。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card head for conducting an electrical inspection of a semiconductor substrate, a liquid crystal display device, etc., a measuring IC socket, and a manufacturing method thereof. A structure in which a plurality of contact probes are incorporated and held, such as a probe card head and an IC socket for measurement, is hereinafter referred to as a “contact probe structure”.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体基板や液晶表示装置などに形成さ
れた回路の検査は、一般に、多数のコンタクトプローブ
を備えた検査装置を用いて行われている。このコンタク
トプローブの1本1本の構造としては、従来は、図20
に示すような構造のものがあった。このコンタクトプロ
ーブ9では、被測定物に接触させるための先端部1は、
スプリング部2を介して円柱形の根元部3に対して接続
されている。根元部3の上端は図20に示すように円錐
形になっている場合もある。スプリング部2は、コイル
ばねからなる。このような構造の多数のコンタクトプロ
ーブ9を検査装置に組み立てるには、図21に示すよう
な配線板23が用いられていた。配線板23は、セラミ
ックや樹脂からなる基板であり、根元部3の径に対応す
る接続孔24が多数設けられている。接続孔24は、貫
通孔である。図22に示すように、根元部3を接続孔2
4に挿入することによって、配線板23から同じ向きに
多数の先端部1が並んで突出したコンタクトプローブ構
造体を実現していた。配線板23の反対側の面からは各
コンタクトプローブ9の根元部3が並んで突出するの
で、これらの根元部3から検査装置本体への電気的接続
を行なう。2. Description of the Related Art Inspection of a circuit formed on a semiconductor substrate or a liquid crystal display device is generally performed by using an inspection device equipped with a large number of contact probes. As for the structure of each of the contact probes, the structure shown in FIG.
There was a structure as shown in. In this contact probe 9, the tip 1 for contacting the object to be measured is
It is connected to a columnar root portion 3 via a spring portion 2. The upper end of the root portion 3 may have a conical shape as shown in FIG. The spring portion 2 is composed of a coil spring. To assemble a large number of contact probes 9 having such a structure into an inspection apparatus, a wiring board 23 as shown in FIG. 21 has been used. The wiring board 23 is a substrate made of ceramic or resin, and is provided with a large number of connection holes 24 corresponding to the diameter of the root portion 3. The connection hole 24 is a through hole. As shown in FIG. 22, the root portion 3 is connected to the connection hole 2
4, the contact probe structure in which a large number of tip portions 1 are juxtaposed in the same direction from the wiring board 23 is realized. Since the root portions 3 of the contact probes 9 are juxtaposed from the surface on the opposite side of the wiring board 23, the root portions 3 are electrically connected to the inspection apparatus body.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の検査装置に用い
られるコンタクトプローブ構造体では、多数のコンタク
トプローブを保持する配線板23の材質は、セラミック
や樹脂であった。一方、被測定物は多くの場合、ICの
基材であるシリコン基板であり、配線板とシリコン基板
とでは、熱膨張係数が異なるため、温度が変化すると、
コンタクトプローブの先端部1の配列と、シリコン基板
上の測定対象の電極の配列との間にずれが生じ、正確な
測定が行なえないという問題があった。In the contact probe structure used in the conventional inspection apparatus, the material of the wiring board 23 holding a large number of contact probes is ceramic or resin. On the other hand, the object to be measured is often a silicon substrate which is a base material of the IC, and the wiring board and the silicon substrate have different coefficients of thermal expansion.
There is a problem that the arrangement of the tip portion 1 of the contact probe deviates from the arrangement of the electrodes to be measured on the silicon substrate, and accurate measurement cannot be performed.
【0004】熱膨張係数の相違をなくすためには、被測
定物と同じ材質であるシリコンによって配線板23を形
成することも一応考えられるが、シリコンでは、接続孔
24をあける加工が困難であるため、シリコンによる配
線板は実用化されていなかった。In order to eliminate the difference in the coefficient of thermal expansion, it is conceivable that the wiring board 23 is made of silicon, which is the same material as the material to be measured, but it is difficult to make the connection hole 24 with silicon. Therefore, the wiring board made of silicon has not been put to practical use.
【0005】また、従来は、配線板23へのコンタクト
プローブの接続は接続孔24によっていたため、この接
続孔24をドリルで機械加工によってあける必要があっ
た。そのため、接続孔24の位置が加工装置のステージ
精度に依存し、高精度な加工は困難であった。特に接続
孔24の位置誤差を10μm以下にすることは困難であ
った。Further, conventionally, the connection of the contact probe to the wiring board 23 was made by the connection hole 24, and therefore the connection hole 24 had to be machined with a drill. Therefore, the position of the connection hole 24 depends on the stage accuracy of the processing apparatus, and it is difficult to perform high-precision processing. In particular, it was difficult to reduce the positional error of the connection hole 24 to 10 μm or less.
【0006】そこで、本発明は、被測定物との熱膨張係
数の差による位置ずれの問題がなく、組み立てやすいコ
ンタクトプローブ構造体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a contact probe structure which is easy to assemble without a problem of positional deviation due to a difference in coefficient of thermal expansion from the object to be measured, and a manufacturing method thereof.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づくコンタクトプローブ構造体は、被測
定物に接触させるための先端部および電極を取出すため
の根元部をそれぞれ有する複数のコンタクトプローブ
と、互いに平行な複数の溝を有する第1および第2の保
持部材とを備え、上記第1および第2の保持部材は、上
記複数のコンタクトプローブの上記先端部が一列に並ん
で突出するように上記複数の溝に上記複数のコンタクト
プローブの上記根元部をそれぞれ挟み込んで、互いに固
定されている。この構成を採用することにより、保持部
材に対しては、従来のようなドリルなどでの孔加工を必
要とせず、溝加工を施すだけでよいので、製作が容易と
なる。また、溝加工であれば、孔加工に比べて位置精度
を高く加工しやすいので、各コンタクトプローブを高精
度で所望の配列に保持することができる。In order to achieve the above object, a contact probe structure according to the present invention has a plurality of contacts each having a tip for contacting an object to be measured and a root for extracting an electrode. The probe and the first and second holding members having a plurality of parallel grooves are provided, and the first and second holding members project the tip portions of the plurality of contact probes in a line. Thus, the root portions of the plurality of contact probes are sandwiched in the plurality of grooves and fixed to each other. By adopting this configuration, the holding member does not need to be bored by a conventional drill or the like and only needs to be grooved, which facilitates manufacturing. Further, in the case of the groove processing, the position accuracy is higher and the processing is easier than the hole processing, so that each contact probe can be held in a desired arrangement with high accuracy.
【0008】上記発明において好ましくは、上記第1お
よび第2の保持部材は、上記溝を形成した面とは異なる
側に金属薄膜で覆われた面を有する。この構成を採用す
ることにより、保持部材の内部に挟持されるコンタクト
プローブと外部環境との間が金属薄膜によってシールド
されるので、コンタクトプローブの高周波特性を向上す
ることができる。In the above invention, preferably, the first and second holding members have a surface covered with a metal thin film on a side different from the surface on which the groove is formed. By adopting this configuration, the contact probe sandwiched inside the holding member and the external environment are shielded by the metal thin film, so that the high frequency characteristics of the contact probe can be improved.
【0009】上記目的を達成するため、本発明に基づく
コンタクトプローブ構造体の他の例では、上述のコンタ
クトプローブ構造体を、上記先端部が突出する向きを揃
えて複数積層し、上記複数のコンタクトプローブの上記
各先端部が平面的に並んで突出するようにしたコンタク
トプローブ構造体である。この構成を採用することによ
り、2次元的に所望のパターンで先端部を配列すること
ができるので、被測定物の平面的領域内に2次元的に広
がって点在する電極に対して一斉に先端部を押し当てる
ことが可能となり、測定の自由度が高まる。In order to achieve the above object, in another example of the contact probe structure according to the present invention, a plurality of the above contact probe structures are laminated so that the directions in which the above-mentioned tip portions project are aligned. It is a contact probe structure in which the above-mentioned tip portions of the probe are arranged side by side in a plane and protrude. By adopting this configuration, the tips can be arranged in a desired pattern in a two-dimensional manner, so that the electrodes scattered in a two-dimensional manner within the planar region of the object to be measured can be simultaneously processed. It is possible to press the tip part, which increases the degree of freedom of measurement.
【0010】上記発明において好ましくは、上記第1お
よび第2の保持部材はシリコン基板である。この構成を
採用することにより、被測定物がシリコン基板上に形成
されたものである場合に温度変化による被測定物の膨張
・収縮に対して同じように膨張・収縮して追随すること
ができる。In the above invention, preferably, the first and second holding members are silicon substrates. By adopting this configuration, when the object to be measured is formed on a silicon substrate, it is possible to expand and contract in the same way as the expansion and contraction of the object to be measured due to temperature change. .
【0011】上記目的を達成するため、本発明に基づく
コンタクトプローブ構造体の製造方法は、第1および第
2のシリコン基板の各主表面に溝を形成する溝形成工程
と、上記溝を形成した上記第1および第2のシリコン基
板を、上記溝同士によってコンタクトプローブの根元部
を挟みこむように、上記主表面同士を貼り合せる組立工
程とを含む。この方法を採用することにより、高精度で
高密度にコンタクトプローブを配列したコンタクトプロ
ーブ構造体を容易に製造することはできる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a contact probe structure according to the present invention comprises a groove forming step of forming a groove on each main surface of the first and second silicon substrates, and forming the groove. And an assembling step of bonding the main surfaces of the first and second silicon substrates such that the root portions of the contact probes are sandwiched between the grooves. By adopting this method, it is possible to easily manufacture a contact probe structure in which contact probes are arranged with high accuracy and high density.
【0012】上記発明において好ましくは、上記溝形成
工程は、エッチングまたは研削加工によって行なう。こ
の方法を採用することにより、所望の断面形状の溝を精
度良く形成することができる。Preferably, in the above invention, the groove forming step is performed by etching or grinding. By adopting this method, it is possible to accurately form a groove having a desired cross-sectional shape.
【0013】上記発明において好ましくは、上記組立工
程においては、シリコンの陽極接合、シリコン表面のフ
ッ化物処理による直接接合または接着剤での接着のいず
れかを用いて上記主表面同士を貼り合せる。この方法を
採用することにより、保持部材同士を精度良く貼り合せ
ることができる。In the above invention, preferably, in the assembling step, the main surfaces are bonded together by any one of anodic bonding of silicon, direct bonding of silicon surfaces by fluoride treatment, and bonding with an adhesive. By adopting this method, the holding members can be bonded to each other with high accuracy.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】従来のコンタクトプローブは、主
に機械加工で製作されるものであり、図20に示したコ
ンタクトプローブ9のように円柱形のものにコイルばね
が付いたものであった。しかし、近年、LIGA(Lith
ographie Galvanoformung Abformung)法によるコンタ
クトプローブの製造方法が提案されている。LIGA法
によるコンタクトプローブの製造方法とは、たとえば、
特願2000−164407号に開示されているよう
に、基材の表面にレジスト膜を形成し、リソグラフィに
よってレジスト膜を所望のパターンに加工し、めっきを
行なうことでレジスト膜のない部分に金属層を形成し、
最終的にこの金属層の部分だけを取り出してコンタクト
プローブとするものである。このようにして製造した場
合、図1に例示するコンタクトプローブ10のように、
一定の平面的パターンに厚みを持たせた形状となる。し
たがって、このようにして製造したコンタクトプローブ
では、先端部1、根元部3においても、従来のコンタク
トプローブ9のような円柱形ではなく、基本的に四角柱
となる。そこで、発明者らは、LIGA法によって形成
されたコンタクトプローブの形状の特質を生かして、以
下に説明するような本発明をするに至った。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A conventional contact probe is mainly manufactured by machining, and is a columnar one with a coil spring attached like the contact probe 9 shown in FIG. . However, in recent years, LIGA (Lith
A method of manufacturing a contact probe by the ographie Galvanoformung Abformung method has been proposed. The contact probe manufacturing method by the LIGA method is, for example,
As disclosed in Japanese Patent Application No. 2000-164407, a resist film is formed on the surface of a substrate, the resist film is processed into a desired pattern by lithography, and plating is performed to form a metal layer on a portion where there is no resist film. To form
Finally, only the metal layer portion is taken out and used as a contact probe. When manufactured in this way, like the contact probe 10 illustrated in FIG.
The shape has a certain flat pattern and a certain thickness. Therefore, in the contact probe manufactured in this manner, the tip portion 1 and the root portion 3 are basically not a columnar shape like the conventional contact probe 9, but are square pillars. Therefore, the inventors have made the present invention as described below by taking advantage of the characteristics of the shape of the contact probe formed by the LIGA method.
【0015】(実施の形態1)
(構成)図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1
におけるコンタクトプローブ構造体91について説明す
る。このコンタクトプローブ構造体91は、図3に示す
ように互いに平行な複数の溝18を有する1対の保持部
材21,22の間に複数のコンタクトプローブ10(図
1参照)が挟まれた形となっている。このコンタクトプ
ローブ構造体91の一方の端面からは、各コンタクトプ
ローブ10の先端部1が並ぶように突出しており、他方
の端面からは、各コンタクトプローブ10の根元部3が
並ぶように突出している。各コンタクトプローブ10の
配列の位置関係は、保持部材21,22によって拘束さ
れているので、一定の配列のまま維持されている。(First Embodiment) (Structure) Referring to FIG. 2, a first embodiment according to the present invention.
The contact probe structure 91 in FIG. The contact probe structure 91 has a shape in which a plurality of contact probes 10 (see FIG. 1) are sandwiched between a pair of holding members 21 and 22 having a plurality of grooves 18 parallel to each other as shown in FIG. Has become. From one end surface of this contact probe structure 91, the tip portions 1 of the respective contact probes 10 are projected in a line, and from the other end surface, the root portions 3 of the respective contact probes 10 are projected in a line. . The positional relationship of the arrangement of the contact probes 10 is constrained by the holding members 21 and 22, and thus is maintained in a constant arrangement.
【0016】このコンタクトプローブ構造体91の断面
は、図4に示すようになる。すなわち、複数の溝18同
士に挟まれて複数の孔19がそれぞれ形成されている。
各孔19の中にコンタクトプローブ10がそれぞれ収め
られている。保持部材21,22の端面からは各コンタ
クトプローブ10の根元部3の一部と先端部1の一部と
が突出している。ここでは、根元部3は、保持部材2
1,22に挟持されることによって孔19の長手方向の
変位を拘束されている。なお、図4に見えるコンタクト
プローブ10は、実際には、図2の手前の端面に見える
根元部3からわかるように斜めに収納されているので、
スプリング部2の断面は、厳密には図4に見える形状と
は異なるが、図4ではスプリング部2の断面を単純化し
て表示している。以下、図18、図19におけるスプリ
ング部2についてもそれぞれ同様である。The cross section of the contact probe structure 91 is as shown in FIG. That is, the plurality of holes 19 are formed so as to be sandwiched between the plurality of grooves 18.
The contact probe 10 is housed in each hole 19. A part of the root part 3 and a part of the tip part 1 of each contact probe 10 protrude from the end faces of the holding members 21 and 22. Here, the root portion 3 is the holding member 2
By being sandwiched between 1 and 22, the displacement of the hole 19 in the longitudinal direction is restricted. The contact probe 10 shown in FIG. 4 is actually accommodated obliquely, as can be seen from the root portion 3 seen on the front end face of FIG.
Strictly speaking, the cross section of the spring portion 2 is different from the shape shown in FIG. 4, but in FIG. 4, the cross section of the spring portion 2 is simplified and shown. Hereinafter, the same applies to the spring portion 2 in FIGS. 18 and 19.
【0017】図4に示した例では、根元部3は保持部材
21,22に挟持されることによって固定されている
が、先端部1は、溝18の長手方向に沿って変位可能で
ある。なお、図2、図4に示す例では、根元部3の一部
を突出させたが、根元部3の端面から必要な電極の取り
出しを行なうことができるならば、根元部3の一部が突
出している必要はない。各先端部1を一斉に被測定物に
押し当てることによって、各スプリング部2は弾性変形
し、各先端部1は孔19の内部に向けて変位する。In the example shown in FIG. 4, the root portion 3 is fixed by being sandwiched by the holding members 21 and 22, but the tip portion 1 is displaceable along the longitudinal direction of the groove 18. In addition, in the example shown in FIG. 2 and FIG. 4, a part of the root part 3 is projected, but if a necessary electrode can be taken out from the end face of the root part 3, a part of the root part 3 is removed. It does not have to be protruding. By pressing each tip 1 simultaneously against the object to be measured, each spring portion 2 is elastically deformed, and each tip 1 is displaced toward the inside of the hole 19.
【0018】(作用・効果)本実施の形態におけるコン
タクトプローブ構造体においては、保持部材に対して
は、従来のようなドリルなどでの孔加工を必要とせず、
溝加工を施すだけでよいので、製作が容易である。ま
た、溝加工であれば、孔加工に比べて位置精度を高く加
工しやすいので、各コンタクトプローブを高精度で所望
の配列に保持することができる。(Operation / Effect) In the contact probe structure of the present embodiment, the holding member does not need to be formed with a conventional drill or the like,
It is easy to manufacture because it only needs to be grooved. Further, in the case of the groove processing, the position accuracy is higher and the processing is easier than the hole processing, so that each contact probe can be held in a desired arrangement with high accuracy.
【0019】また、溝加工であれば、孔加工と異なり、
シリコンに対しても後述のように容易に行なうことがで
きるので、保持部材をシリコンで構成することが可能と
なる。シリコンからなる保持部材によってコンタクトプ
ローブを保持することとすれば、被測定物の基板がシリ
コンである場合に、保持部材と被測定物の基板との熱膨
張係数が等しくなる。したがって、温度変化によって被
測定物が膨張・収縮しても、保持部材側も同じく膨張・
収縮することとなる。その結果、所望の電極の配列とコ
ンタクトプローブの先端部の配列とを、最初に一致させ
ておけば、その後の温度変化にかかわらず、相対的位置
関係はそのままずれることはなく、正確な測定を続行す
ることができる。被測定物がシリコン基板上に形成され
た半導体素子である場合が多いので、保持部材をシリコ
ンで構成することによる利益は大きい。In the case of groove processing, unlike hole processing,
Since it can be easily performed on silicon as described later, the holding member can be made of silicon. When the contact probe is held by the holding member made of silicon, the thermal expansion coefficient of the holding member becomes equal to that of the substrate of the measured object when the substrate of the measured object is silicon. Therefore, even if the DUT expands and contracts due to temperature changes, the holding member side also expands and contracts.
It will contract. As a result, if the desired array of electrodes and the array of the tip of the contact probe are first matched, the relative positional relationship does not change as it is, regardless of subsequent temperature changes, and accurate measurement is possible. You can continue. Since the object to be measured is often a semiconductor element formed on a silicon substrate, the advantage of forming the holding member from silicon is great.
【0020】なお、図4に示した例以外に、変形例とし
て、図5、図6に示すようなコンタクトプローブであっ
てもよい。図5に示す例では、根元部3は、保持部材2
1,22によって堅固に挟持されておらず、孔19内部
で変位可能となっている。ただし、根元部3にはストッ
パ部34が設けられているので、コンタクトプローブが
孔19から図中下方へ抜け落ちることはない。図6に示
す例では、コンタクトプローブは、根元部3(図4参
照)の代わりに固定部4および電極取出部5を備えてお
り、固定部4と電極取出部5との間はスプリングによっ
て接続されている。電極取出部5は孔19の内部で孔1
9の長手方向に沿って変位可能であり、固定部4は保持
部材21,22に挟持されることによって孔19の長手
方向の変位を拘束されている。In addition to the example shown in FIG. 4, as a modified example, a contact probe as shown in FIGS. 5 and 6 may be used. In the example shown in FIG. 5, the root portion 3 is the holding member 2
It is not firmly clamped by 1 and 22 and can be displaced inside the hole 19. However, since the base portion 3 is provided with the stopper portion 34, the contact probe does not fall out of the hole 19 downward in the drawing. In the example shown in FIG. 6, the contact probe includes a fixed part 4 and an electrode extraction part 5 instead of the root part 3 (see FIG. 4), and the fixed part 4 and the electrode extraction part 5 are connected by a spring. Has been done. The electrode lead-out portion 5 has a hole 1 inside the hole 1.
9 is displaceable along the longitudinal direction of the hole 9, and the fixed portion 4 is held by the holding members 21 and 22 to restrain the displacement of the hole 19 in the longitudinal direction.
【0021】(実施の形態2)
(構成)図7を参照して、本発明に基づく実施の形態2
におけるコンタクトプローブ構造体92について説明す
る。このコンタクトプローブ構造体92は、実施の形態
1で説明したコンタクトプローブ構造体91や、同様の
形状でコンタクトプローブの配列の異なる他のコンタク
トプローブ構造体を、先端部1が突出する向きを揃えて
複数積層し、貼り合せたものである。(Second Embodiment) (Structure) Referring to FIG. 7, a second embodiment according to the present invention.
The contact probe structure 92 in FIG. In this contact probe structure 92, the contact probe structure 91 described in the first embodiment or another contact probe structure having the same shape but a different arrangement of contact probes is arranged so that the tips 1 project in the same direction. A plurality of layers are laminated and bonded together.
【0022】(作用・効果)実施の形態1におけるコン
タクトプローブ構造体91では、コンタクトプローブの
先端部1は1列に並んで配列されるに留まっていたが、
本実施の形態におけるコンタクトプローブ構造体92で
は、コンタクトプローブの先端部1を所望の平面的領域
内に所望の配列で2次元的に配列することができる。図
7では、異なる配列のコンタクトプローブ構造体同士を
積層しているが、同じ配列パターンでそれぞれ1列に配
列されたコンタクトプローブ構造体を組合せて積層して
もよい。(Operation / Effect) In the contact probe structure 91 according to the first embodiment, the tip portions 1 of the contact probes are arranged in a line.
In contact probe structure 92 in the present embodiment, tip portions 1 of the contact probe can be two-dimensionally arranged in a desired planar area in a desired arrangement. In FIG. 7, the contact probe structures having different arrangements are laminated, but the contact probe structures arranged in one row in the same arrangement pattern may be combined and laminated.
【0023】本実施の形態におけるコンタクトプローブ
構造体92では、2次元的に所望のパターンで先端部1
を配列することができるので、被測定物の平面的領域内
に2次元的に広がって点在する電極に対して一斉に先端
部1を押し当てることが可能となり、測定の自由度が高
まる。In the contact probe structure 92 in this embodiment, the tip portion 1 is two-dimensionally formed in a desired pattern.
Since the electrodes can be arranged, the tip portions 1 can be pressed all at once to the electrodes that are two-dimensionally spread and scattered in the planar region of the object to be measured, and the degree of freedom of measurement is increased.
【0024】(実施の形態3)
(構成)図8を参照して、本発明に基づく実施の形態3
におけるコンタクトプローブ構造体93について説明す
る。このコンタクトプローブ構造体93においては、保
持部材21,22は、コンタクトプローブを収容するた
めの溝を形成した面とは異なる側に金属薄膜25で覆わ
れた面を有する。図8に示した例では、溝を形成した面
の反対側の面にそれぞれ金属薄膜25が形成されてい
る。(Third Embodiment) (Structure) Referring to FIG. 8, a third embodiment according to the present invention.
The contact probe structure 93 in FIG. In this contact probe structure 93, the holding members 21, 22 have a surface covered with the metal thin film 25 on a side different from the surface on which the groove for accommodating the contact probe is formed. In the example shown in FIG. 8, the metal thin film 25 is formed on the surface opposite to the surface on which the groove is formed.
【0025】(作用・効果)本実施の形態におけるコン
タクトプローブ構造体93では、コンタクトプローブの
収められている部分が、金属薄膜25によって挟まれて
いるので、コンタクトプローブと外部環境との間がシー
ルドされ、コンタクトプローブの高周波特性を向上する
ことができる。(Operation / Effect) In the contact probe structure 93 of the present embodiment, the portion in which the contact probe is housed is sandwiched between the metal thin films 25, so that the space between the contact probe and the external environment is shielded. Therefore, the high frequency characteristics of the contact probe can be improved.
【0026】なお、実施の形態2と同じ考え方を適用し
て、1列分のコンタクトプローブ構造体を複数積層して
2次元的に並ぶコンタクトプローブ構造体94を構成す
る際に、図9に示すように各層の間に金属薄膜25を配
置することとしてもよい。このようにすれば、各層間の
クロストークノイズを防止することができ、コンタクト
プローブ構造体94全体の高周波特性を向上することが
できる。When the same idea as in the second embodiment is applied, a plurality of contact probe structures for one row are laminated to form a contact probe structure 94 which is two-dimensionally arranged and is shown in FIG. Thus, the metal thin film 25 may be arranged between the layers. By doing so, crosstalk noise between the layers can be prevented, and the high frequency characteristics of the contact probe structure 94 as a whole can be improved.
【0027】(実施の形態4)
(製造方法)図10〜図17を参照して、本発明に基づ
く実施の形態4におけるコンタクトプローブ構造体の製
造方法について説明する。この製造方法で製造するコン
タクトプローブ構造体は、実施の形態1で説明したコン
タクトプローブ構造体91であって、保持部材21,2
2はシリコンからなるものである。(Fourth Embodiment) (Manufacturing Method) With reference to FIGS. 10 to 17, a method of manufacturing a contact probe structure according to a fourth embodiment of the present invention will be described. The contact probe structure manufactured by this manufacturing method is the contact probe structure 91 described in the first embodiment, and includes the holding members 21 and 2.
2 is made of silicon.
【0028】このコンタクトプローブ構造体91を製造
するには、まず、溝形成工程を行なう。溝形成工程で
は、図10に示すように、シリコン基板20の主表面に
溝18を加工する。溝18は、1つの主表面の中に複数
加工され、所望の配列で互いに平行になるように加工さ
れる。図10では、ダイシングソー15を用いて溝18
を加工している。溝18は、図11に示すようにV字形
の溝である。加工する溝の形状は、V字形に限らず、必
要に応じて、他の形状であってもよい。例えば、図12
に示すように、端部が矩形のダイシングソー15kを用
いて、断面が矩形の溝としてもよい。さらに、図示はし
ないが、たとえば、従来のコンタクトプローブ9のよう
に円柱状のコンタクトプローブを収容したい場合には、
断面が半円形状の溝としてもよい。To manufacture this contact probe structure 91, first, a groove forming step is performed. In the groove forming step, as shown in FIG. 10, the groove 18 is processed on the main surface of the silicon substrate 20. The plurality of grooves 18 are processed in one main surface and are processed in parallel in a desired arrangement. In FIG. 10, the dicing saw 15 is used to form the groove 18
Is being processed. The groove 18 is a V-shaped groove as shown in FIG. The shape of the groove to be processed is not limited to the V shape, and may be another shape as required. For example, in FIG.
As shown in, a dicing saw 15k having a rectangular end may be used to form a groove having a rectangular cross section. Further, although not shown, for example, when a cylindrical contact probe like the conventional contact probe 9 is desired to be housed,
The groove may have a semicircular cross section.
【0029】溝形成工程としては、ダイシングソーを用
いる方法に代えてエッチングを用いる方法を採用しても
よい。この場合、シリコン基板20の溝を形成すべき
面、すなわち主表面と、シリコン基板自体の結晶方位と
の関係が重要となる。たとえば、V字形の溝を形成した
い場合、(100)面が主表面となるようなシリコン基
板20を用いる必要がある。As the groove forming step, a method using etching may be adopted instead of the method using a dicing saw. In this case, the relationship between the surface of the silicon substrate 20 where the groove is to be formed, that is, the main surface, and the crystal orientation of the silicon substrate itself is important. For example, when it is desired to form a V-shaped groove, it is necessary to use the silicon substrate 20 whose main surface is the (100) plane.
【0030】図13に示すように、シリコン基板20の
主表面に、Si3O4膜16を形成し、その上にレジスト
膜17を形成する。レジスト膜17に対してリソグラフ
ィを行ない、レジスト膜17のうち溝に相当する領域に
開口部を形成する。レジスト膜17をマスクとしてSi
3O4膜16に対してエッチングを行ない、図14に示す
構造を得る。図15に示すように、レジスト膜17を除
去した後に、Si3O4膜16をマスクとしてKOHによ
るエッチングを行なう。ここで、シリコン基板20は、
(100)面が主表面となっていたので、エッチングの
進行状況は結晶方位によって影響され、図16に示すよ
うにV字形の溝18が形成される。なお、仮に矩形状の
溝を形成したい場合には、(110)面が主表面となっ
たシリコン基板を用いて同様にエッチングを行なえばよ
い。これらのエッチングの技術について詳しくは、江刺
らによる「マイクロマシーニングとマイクロメカトロニ
クス」(培風館刊,1992年6月20日初版発行)の
第16〜19頁に「結晶性異方性エッチング」として開
示されている。所望の溝が形成されたら図17に示すよ
うにSi3O4膜16を除去する。As shown in FIG. 13, a Si 3 O 4 film 16 is formed on the main surface of the silicon substrate 20, and a resist film 17 is formed thereon. Lithography is performed on the resist film 17 to form an opening in a region of the resist film 17 corresponding to the groove. Si using the resist film 17 as a mask
The 3 O 4 film 16 is etched to obtain the structure shown in FIG. As shown in FIG. 15, after removing the resist film 17, etching with KOH is performed using the Si 3 O 4 film 16 as a mask. Here, the silicon substrate 20 is
Since the (100) plane was the main surface, the progress of etching was affected by the crystal orientation, and the V-shaped groove 18 was formed as shown in FIG. If it is desired to form a rectangular groove, the same etching may be performed using a silicon substrate whose main surface is the (110) plane. Details of these etching techniques are disclosed as "Crystalline anisotropic etching" on pages 16 to 19 of "Micromachining and Micromechatronics" by Esashi et al. (Baifukan, first edition issued June 20, 1992). Has been done. When the desired groove is formed, the Si 3 O 4 film 16 is removed as shown in FIG.
【0031】溝形成工程は、上述のようにダイシングソ
ーを用いた方法であっても、エッチングを用いた方法で
あってもよい。あるいは、他の方法として、研削加工に
よってもよい。溝の形成された1対のシリコン基板20
は、保持部材21,22となる。溝18の配列は、後で
互いに貼り合せることを考慮して保持部材21と保持部
材22とで互いに鏡像関係になるような位置にそれぞれ
形成される。主表面に所望の溝が形成できたら、次に組
立工程を行なう。The groove forming step may be a method using a dicing saw as described above or a method using etching. Alternatively, as another method, grinding may be performed. A pair of grooved silicon substrates 20
Serve as holding members 21 and 22. The arrangement of the grooves 18 is formed in such a position that the holding member 21 and the holding member 22 are in a mirror image relationship with each other in consideration of later bonding to each other. After the desired groove is formed on the main surface, the assembly process is performed next.
【0032】組立工程では、1対の保持部材21,22
の主表面同士を溝18同士の位置が一致するように互い
に対向させ、互いに対向する溝18同士に挟まれる部分
に図1に示すコンタクトプローブ10をそれぞれ配置
し、コンタクトプローブ10の少なくとも根元部3を挟
みこむように、主表面同士を貼り合せる。In the assembly process, a pair of holding members 21, 22
Main surfaces of the contact probes 10 are opposed to each other so that the positions of the grooves 18 are aligned with each other, and the contact probes 10 shown in FIG. The main surfaces are attached to each other so as to sandwich.
【0033】主表面同士の接合方法としては、いくつか
の方法が考えられるが、まず第1の方法としては、シリ
コンの陽極接合によって行なうことができる。シリコン
の陽極接合の技術については、江刺らによる「マイクロ
マシーニングとマイクロメカトロニクス」(培風館刊,
1992年6月20日初版発行)の第47頁に「直接接
合」として開示されている。すなわち、接合すべきシリ
コン表面をきわめて平滑にし、清浄な雰囲気内で常温で
重ね合わせた後に高温で脱水縮合をさせると、Si原子
同士が接合されるというものである。Several methods are conceivable as a method of joining the main surfaces to each other, but the first method is anodic bonding of silicon. Regarding the technology of anodic bonding of silicon, "Micromachining and micromechatronics" by Esashi et al. (Published by Baifukan,
It is disclosed on page 47 of the first edition issued June 20, 1992) as "direct joining". That is, when the silicon surfaces to be bonded are made extremely smooth, they are superposed at room temperature in a clean atmosphere and then dehydrated and condensed at a high temperature, the Si atoms are bonded to each other.
【0034】第2の方法としては、シリコン表面のフッ
化物処理によって行なうことができる。この方法につい
て詳しくは、H.Nakanishiらによる"Condition optimiza
tion, reliability evaluation of SiO2-SiO2 HF bondi
ng and its application forUV detection micro flow
cell"(Sensors and Actuators 83(2000), pp.136-141)
に開示されている。すなわち、酸化膜(SiO2)で覆
われたシリコン表面をフッ酸で洗浄し、重ね合わせると
接合されるというものである。As a second method, the surface of silicon can be treated with fluoride. For more information on this method, see "Condition optimiza" by H. Nakanishi et al.
tion, reliability evaluation of SiO2-SiO2 HF bondi
ng and its application for UV detection micro flow
cell "(Sensors and Actuators 83 (2000), pp.136-141)
Is disclosed in. That is, the silicon surface covered with the oxide film (SiO 2 ) is washed with hydrofluoric acid, and the silicon surfaces are bonded together.
【0035】第3の方法としては、1対の保持部材2
1,22の主表面同士を接着剤によって接着してもよ
い。溝18をエッチングで形成し、かつ、接着剤によっ
て接着する場合は、図17に示すようにSi3O4膜16
を除去する必要はなく、図16に示すように主表面上に
Si3O4膜16を残したまま接着を行なってもよい。As a third method, a pair of holding members 2
The main surfaces of 1 and 22 may be adhered to each other with an adhesive. When the groove 18 is formed by etching and is bonded by an adhesive, as shown in FIG. 17, the Si 3 O 4 film 16 is formed.
It is not necessary to remove the above, and as shown in FIG. 16, the bonding may be performed while leaving the Si 3 O 4 film 16 on the main surface.
【0036】(作用・効果)このような製造方法をとる
ことにより、図2に示したようにコンタクトプローブが
所望の配列で1列に並んで保持されたコンタクトプロー
ブ構造体91を容易に製作することができる。保持部材
21,22がシリコンからなるので、被測定物がシリコ
ン基板上に形成されたものである場合に温度変化による
被測定物の膨張・収縮に対して同じように膨張・収縮し
て追随することのできる、コンタクトプローブ構造体9
1を得ることができる。さらに、このコンタクトプロー
ブ構造体91と、同様の形状でコンタクトプローブの配
列の異なる他のコンタクトプローブ構造体とを複数組合
せて積層し、図7に示したコンタクトプローブ構造体9
2としてもよい。(Operation / Effect) By adopting such a manufacturing method, as shown in FIG. 2, the contact probe structure 91 in which the contact probes are held in one row in a desired arrangement can be easily manufactured. be able to. Since the holding members 21 and 22 are made of silicon, when the object to be measured is formed on a silicon substrate, it expands and contracts in the same manner as the expansion and contraction of the object to be measured due to temperature changes. Possible contact probe structure 9
1 can be obtained. Further, a plurality of the contact probe structures 91 and other contact probe structures having the same shape but different contact probe arrangements are combined and laminated, and the contact probe structure 9 shown in FIG.
It may be 2.
【0037】上述の例では、コンタクトプローブ10を
備えるコンタクトプローブ構造体91を例にとって説明
したため、組立工程において、根元部3を挟みこむこと
としたが、図5、図6に示したように他のコンタクトプ
ローブを用いる場合も同様の製造方法を採用することが
できる。それらの場合は、コンタクトプローブのどの部
分を挟みこむかは、適宜選択すればよい。In the above-mentioned example, the contact probe structure 91 including the contact probe 10 has been described as an example. Therefore, in the assembly process, the root portion 3 is sandwiched, but as shown in FIGS. The same manufacturing method can also be used when the contact probe is used. In those cases, which part of the contact probe is sandwiched may be appropriately selected.
【0038】(実施の形態5)図18を参照して、本発
明に基づく実施の形態5におけるコンタクトプローブ構
造体を使用した検査装置について説明する。この検査装
置においては、保持部材21,22に挟みこまれて孔1
9内に保持されたコンタクトプローブは、根元部3の形
状が実施の形態1で示したものと異なっている。すなわ
ち、根元部3には、つばのように張り出したストッパ部
35が設けられており、根元部3はこのストッパ部35
によって保持部材21,22の端面に掛かることによっ
て位置決めされている。根元部3の上側には、セラミッ
ク多層基板31との電気的接続を行なうための接続部3
3が設けられている。接続部33は、接続用先端部33
aと接続用スプリング部33bとを含む。このような形
状のコンタクトプローブであっても、LIGA法によれ
ば、先端部1から接続部33まで一体的に形成すること
ができるので、本発明を適用して、図18に示すような
構造に組み立てることができる。図18では、わかりや
すくするためにセラミック多層基板31を接続部33に
対して接続する前の状態を示しているが、この状態から
セラミック多層基板31を、保持部材21,22から突
出する接続部33に対して押し当てることによって、電
極32と接続用先端部33aとが接触する。接続用先端
部33aは、先端部1と一体的に導電体で形成されてい
るので、先端部1で検出した電気信号は、接続用先端部
33aを介してそれぞれ電極32に伝えられることとな
る。(Fifth Embodiment) An inspection apparatus using a contact probe structure according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this inspection device, the hole 1 is sandwiched between the holding members 21 and 22.
In the contact probe held in 9, the shape of the root portion 3 is different from that shown in the first embodiment. That is, the root portion 3 is provided with a stopper portion 35 protruding like a brim, and the root portion 3 has the stopper portion 35.
The holding members 21 and 22 are positioned by hanging on the end surfaces of the holding members 21 and 22. On the upper side of the root portion 3, a connection portion 3 for electrically connecting with the ceramic multilayer substrate 31.
3 is provided. The connection part 33 is a tip part 33 for connection.
a and a connecting spring portion 33b are included. Even the contact probe having such a shape can be integrally formed from the tip portion 1 to the connection portion 33 by the LIGA method. Therefore, the present invention is applied to the structure as shown in FIG. Can be assembled into FIG. 18 shows a state before connecting the ceramic multilayer substrate 31 to the connecting portion 33 for the sake of clarity, but from this state, the ceramic multilayer substrate 31 protrudes from the holding members 21, 22. By pressing against 33, the electrode 32 comes into contact with the connecting tip 33a. Since the connecting tip portion 33a is formed of a conductor integrally with the tip portion 1, the electric signal detected by the tip portion 1 is transmitted to the electrode 32 via the connecting tip portion 33a. .
【0039】コンタクトプローブとセラミック多層基板
31との電気的接続の形態としては、図19に示す例も
可能である。この例では、コンタクトプローブの根元部
3は、上端にストッパ部36を有している。図19で
は、わかりやすくするためにセラミック多層基板31を
コンタクトプローブに対して接続する前の状態を示して
いる。図19に示す状態から、セラミック多層基板31
は、接続すべき電極32の位置がストッパ部36の位置
とそれぞれ一致するようにして、異方性導電シート37
を介してコンタクトプローブ構造体に押し当てられる。
ストッパ部36の上部は球状に突出しているので、異方
性導電シート37のうちストッパ部36の上部と電極3
2とによって挟まれて圧迫された部分だけが電気的に接
続されることとなり、先端部1で検出した電気信号は、
それぞれ電極32に伝えられることとなる。As an electrical connection between the contact probe and the ceramic multilayer substrate 31, the example shown in FIG. 19 is also possible. In this example, the root portion 3 of the contact probe has a stopper portion 36 at the upper end. FIG. 19 shows a state before connecting the ceramic multilayer substrate 31 to the contact probe for the sake of clarity. From the state shown in FIG. 19, the ceramic multilayer substrate 31
The anisotropic conductive sheet 37 so that the positions of the electrodes 32 to be connected are aligned with the positions of the stopper portions 36, respectively.
Via the contact probe structure.
Since the upper portion of the stopper portion 36 projects in a spherical shape, the upper portion of the stopper portion 36 of the anisotropic conductive sheet 37 and the electrode 3 are formed.
Only the part that is sandwiched and compressed by 2 is electrically connected, and the electrical signal detected at the tip 1 is
Each is transmitted to the electrode 32.
【0040】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。It should be noted that the above-described embodiment disclosed this time is illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the scope of the claims, and includes meaning equivalent to the scope of the claims and all modifications within the scope.
【0041】[0041]
【発明の効果】本発明によれば、保持部材に対しては、
従来のようなドリルなどでの孔加工を必要とせず、溝加
工を施すだけでよいので、製作が容易となる。また、溝
加工であれば、孔加工に比べて位置精度を高く加工しや
すいので、各コンタクトプローブを高精度で所望の配列
に保持することができる。According to the present invention, with respect to the holding member,
Since it is not necessary to perform hole processing with a conventional drill or the like and only groove processing is required, manufacturing becomes easy. Further, in the case of the groove processing, the position accuracy is higher and the processing is easier than the hole processing, so that each contact probe can be held in a desired arrangement with high accuracy.
【図1】 LIGA法で製作されたコンタクトプローブ
の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a contact probe manufactured by a LIGA method.
【図2】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタ
クトプローブ構造体の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a contact probe structure according to the first embodiment of the present invention.
【図3】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタ
クトプローブ構造体に用いられる1対の保持部材の斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view of a pair of holding members used in the contact probe structure according to the first embodiment of the present invention.
【図4】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタ
クトプローブ構造体の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a contact probe structure according to the first embodiment of the present invention.
【図5】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタ
クトプローブ構造体の他の例の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of another example of the contact probe structure according to the first embodiment of the present invention.
【図6】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタ
クトプローブ構造体のさらに他の例の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of still another example of the contact probe structure according to the first embodiment of the present invention.
【図7】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタ
クトプローブ構造体の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a contact probe structure according to a second embodiment of the present invention.
【図8】 本発明に基づく実施の形態3における第1の
コンタクトプローブ構造体の斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a first contact probe structure according to the third embodiment of the present invention.
【図9】 本発明に基づく実施の形態3における第2の
コンタクトプローブ構造体の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a second contact probe structure according to the third embodiment of the present invention.
【図10】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてダ
イシングソーを用いる場合の第1の説明図である。FIG. 10 is a first explanatory diagram when a dicing saw is used as a groove forming step in the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図11】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてダ
イシングソーを用いる場合の第2の説明図である。FIG. 11 is a second explanatory diagram in the case where a dicing saw is used as the groove forming step in the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図12】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてダ
イシングソーを用いる場合の第3の説明図である。FIG. 12 is a third explanatory diagram in the case where a dicing saw is used as the groove forming step in the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図13】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてエ
ッチングを行なう場合の第1の工程の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a first step when etching is performed as a groove forming step in the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図14】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてエ
ッチングを行なう場合の第2の工程の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of a second step when etching is performed as the groove forming step of the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図15】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてエ
ッチングを行なう場合の第3の工程の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a third step when etching is performed as the groove forming step of the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図16】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてエ
ッチングを行なう場合の第4の工程の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of a fourth step when etching is performed as the groove forming step of the method of manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図17】 本発明に基づく実施の形態4におけるコン
タクトプローブ構造体の製造方法の溝形成工程としてエ
ッチングを行なう場合の第5の工程の説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of a fifth step when etching is performed as the groove forming step of the method for manufacturing the contact probe structure according to the fourth embodiment of the present invention.
【図18】 本発明に基づく実施の形態5におけるコン
タクトプローブ構造体を使用した検査装置の第1の例の
断面図である。FIG. 18 is a sectional view of a first example of an inspection device using a contact probe structure according to a fifth embodiment of the present invention.
【図19】 本発明に基づく実施の形態5におけるコン
タクトプローブ構造体を使用した検査装置の第2の例の
断面図である。FIG. 19 is a sectional view of a second example of the inspection device using the contact probe structure according to the fifth embodiment of the present invention.
【図20】 従来のコンタクトプローブの斜視図であ
る。FIG. 20 is a perspective view of a conventional contact probe.
【図21】 従来のコンタクトプローブを保持するため
の配線板の斜視図である。FIG. 21 is a perspective view of a wiring board for holding a conventional contact probe.
【図22】 従来のコンタクトプローブを配線板に保持
した状態の断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view of a conventional contact probe held on a wiring board.
1 先端部、2 スプリング部、3 根元部、4 固定
部、5 電極取出部、9,10 コンタクトプローブ、
15,15k ダイシングソー、16 Si3O4膜、1
7 レジスト膜、18 溝、19 孔、20 シリコン
基板、21,22 保持部材、23 配線板、24 接
続孔、25 金属薄膜、31 セラミック多層基板、3
2 電極、33 接続部、33a 接続用先端部、33
b 接続用スプリング部、34,35,36 ストッパ
部、37 異方性導電シート、91,92,93,94
コンタクトプローブ構造体。1 tip part, 2 spring part, 3 root part, 4 fixing part, 5 electrode extraction part, 9, 10 contact probe,
15,15k dicing saw, 16 Si 3 O 4 film, 1
7 resist film, 18 groove, 19 hole, 20 silicon substrate, 21, 22 holding member, 23 wiring board, 24 connection hole, 25 metal thin film, 31 ceramic multilayer substrate, 3
2 electrodes, 33 connection part, 33a connection tip part, 33
b connection spring part, 34, 35, 36 stopper part, 37 anisotropic conductive sheet, 91, 92, 93, 94
Contact probe structure.
Claims (7)
び電極を取出すための根元部をそれぞれ有する複数のコ
ンタクトプローブと、 互いに平行な複数の溝を有する第1および第2の保持部
材とを備え、 前記第1および第2の保持部材は、前記複数のコンタク
トプローブの前記先端部が一列に並んで突出するように
前記複数の溝に前記複数のコンタクトプローブの前記根
元部をそれぞれ挟み込んで、互いに固定されている、コ
ンタクトプローブ構造体。1. A plurality of contact probes each having a tip for contacting an object to be measured and a root for taking out an electrode, and first and second holding members having a plurality of grooves parallel to each other. The first and second holding members respectively sandwich the root portions of the plurality of contact probes in the plurality of grooves so that the tip portions of the plurality of contact probes project in a line. A contact probe structure that is fixed to each other.
溝を形成した面とは異なる側に金属薄膜で覆われた面を
有する、請求項1または2に記載のコンタクトプローブ
構造体。2. The contact probe structure according to claim 1, wherein the first and second holding members have a surface covered with a metal thin film on a side different from a surface on which the groove is formed.
造体を、前記先端部が突出する向きを揃えて複数積層
し、前記複数のコンタクトプローブの前記各先端部が平
面的に並んで突出するようにした、コンタクトプローブ
構造体。3. The contact probe structure according to claim 1, wherein a plurality of the contact probe structures are laminated so that the directions in which the tip portions project are aligned, and the tip portions of the plurality of contact probes project side by side in a planar manner. The contact probe structure.
ン基板である、請求項1から3のいずれかに記載のコン
タクトプローブ構造体。4. The contact probe structure according to claim 1, wherein the first and second holding members are silicon substrates.
面に溝を形成する溝形成工程と、 前記溝を形成した前記第1および第2のシリコン基板
を、前記溝同士によってコンタクトプローブの根元部を
挟みこむように、前記主表面同士を貼り合せる組立工程
とを含む、コンタクトプローブ構造体の製造方法。5. A groove forming step of forming a groove on each of the main surfaces of the first and second silicon substrates; and a step of forming a groove of the contact probe between the first and second silicon substrates having the groove formed therein. And a step of assembling the main surfaces so that the root portions are sandwiched therebetween.
削加工によって行なう、請求項5に記載のコンタクトプ
ローブ構造体の製造方法。6. The method for manufacturing a contact probe structure according to claim 5, wherein the groove forming step is performed by etching or grinding.
極接合、シリコン表面のフッ化物処理による直接接合ま
たは接着剤での接着のいずれかを用いて前記主表面同士
を貼り合せる、請求項5または6に記載のコンタクトプ
ローブ構造体の製造方法。7. The main surfaces are bonded together by using either anodic bonding of silicon, direct bonding of silicon surfaces by fluoride treatment, or bonding with an adhesive in the assembling step. A method for manufacturing the contact probe structure according to 1.
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- 2001-12-27 JP JP2001396229A patent/JP2003194851A/en active Pending
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