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JP2003194741A - X-ray diffraction apparatus, reflected X-ray measurement method, and reciprocal lattice space map creation method - Google Patents

X-ray diffraction apparatus, reflected X-ray measurement method, and reciprocal lattice space map creation method

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Publication number
JP2003194741A
JP2003194741A JP2001398503A JP2001398503A JP2003194741A JP 2003194741 A JP2003194741 A JP 2003194741A JP 2001398503 A JP2001398503 A JP 2001398503A JP 2001398503 A JP2001398503 A JP 2001398503A JP 2003194741 A JP2003194741 A JP 2003194741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
ray
stage
reflected
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001398503A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Aoyama
拓 青山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2001398503A priority Critical patent/JP2003194741A/en
Publication of JP2003194741A publication Critical patent/JP2003194741A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶性材料、特に薄膜結晶材料の結晶性評価
を迅速かつ効率的に行うこと。 【解決手段】 XRD1は、所定パターンに配列された
複数の受光素子からなる検出器51を備えるため、逆格
子空間マップを高速に作成することができる。また、検
出器51を受光素子の配列された間隔未満の距離だけ移
動させて、複数回走査することにより、走査における分
解能を高めることができる。また、検出器51とステー
ジ40との距離を変化させることにより、同時検出幅の
分解能を調整することができる。さらに、検出器51の
受光軸に対する角度を変化させることによっても、同時
検出幅の分解能を調整することができる。
(57) [Problem] To quickly and efficiently evaluate the crystallinity of a crystalline material, particularly a thin film crystalline material. An XRD includes a detector having a plurality of light receiving elements arranged in a predetermined pattern, so that a reciprocal lattice space map can be created at high speed. Further, by moving the detector 51 by a distance smaller than the interval at which the light receiving elements are arranged and performing scanning a plurality of times, the resolution in scanning can be increased. Further, by changing the distance between the detector 51 and the stage 40, the resolution of the simultaneous detection width can be adjusted. Further, the resolution of the simultaneous detection width can also be adjusted by changing the angle of the detector 51 with respect to the light receiving axis.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶材料の結晶性
評価を行うためのX線回折装置、反射X線測定方法およ
び逆格子空間マップ作成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray diffractometer, a reflection X-ray measuring method and a reciprocal lattice space map creating method for evaluating crystallinity of a crystalline material.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、結晶材料の結晶構造を評価するた
めに、X線回折を利用したXRD(X-ray diffractomet
er)が利用されている。XRDは、試料にX線を照射
し、結晶面からのBragg反射による反射X線を測定する
ことにより、結晶材料の結晶性評価を行う装置である。
以下、XRDを利用して結晶材料を評価する方法につい
て具体的に説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to evaluate the crystal structure of a crystalline material, XRD (X-ray diffractomet) utilizing X-ray diffraction has been used.
er) is used. The XRD is a device for evaluating crystallinity of a crystalline material by irradiating a sample with X-rays and measuring reflected X-rays due to Bragg reflection from a crystal plane.
Hereinafter, a method of evaluating a crystalline material using XRD will be specifically described.

【0003】結晶は、3次元的に原子が整然と配列され
た構造を有するものである。そして、この原子の配列構
造は、一定の単位構造(単位格子)の繰り返しによって
構成されている。単位格子は、格子点が作る平行6面体
であり、単位格子中の互いに平行でない3つの辺の長さ
a,b,cと、それらの辺が互いになす角α,β,γと
によって単位格子の構造が決定付けられる。そして、単
位格子の構造から結晶面(結晶面の向きあるいは間隔)
が特定される。即ち、結晶面を解析することによって、
結晶構造の評価が可能となる。
A crystal has a structure in which atoms are arranged in a three-dimensional order. The atomic array structure is formed by repeating a certain unit structure (unit lattice). The unit lattice is a parallelepiped formed by lattice points, and is defined by the lengths a, b, and c of three sides that are not parallel to each other in the unit lattice and the angles α, β, and γ formed by these sides. The structure of is determined. Then, from the structure of the unit cell, the crystal plane (direction of crystal plane or spacing)
Is specified. That is, by analyzing the crystal plane,
It is possible to evaluate the crystal structure.

【0004】図9は、単位格子の構造の一例である平行
6面体ABCD−EFGHを示す図である。図9におい
て、平行6面体ABCD−EFGHの頂点A〜Hは、格
子点であり、頂点A〜Hのうち、同一線上にない3点を
任意に選ぶことにより、所定の結晶面が特定される。即
ち、平行6面体ABCD−EFGHを単位格子とする結
晶構造には、複数の結晶面が含まれており、これらの各
結晶面が、入射X線をBragg反射するものである。
FIG. 9 is a diagram showing a parallelepiped ABCD-EFGH which is an example of the structure of a unit lattice. In FIG. 9, the vertices A to H of the parallelepiped ABCD-EFGH are lattice points, and among the vertices A to H, three points that are not on the same line are arbitrarily selected to specify a predetermined crystal plane. . That is, a crystal structure having a parallelepiped ABCD-EFGH as a unit lattice includes a plurality of crystal planes, and each of these crystal planes Bragg-reflects an incident X-ray.

【0005】したがって、XRDを利用した結晶材料の
評価においては、試料に種々の角度からX線を照射し、
Braggの反射条件を満たす反射X線を検出する。そし
て、検出した反射X線の分布特性に基づいて結晶面を特
定し、さらには評価対象である結晶材料の結晶構造を評
価する。ここで、一般に、結晶構造の評価を容易に行う
ために用いられる逆格子空間の概念を導入する。
Therefore, in the evaluation of the crystalline material using XRD, the sample is irradiated with X-rays from various angles,
The reflected X-ray that satisfies the Bragg reflection condition is detected. Then, the crystal plane is specified based on the detected distribution characteristic of the reflected X-rays, and further the crystal structure of the crystal material to be evaluated is evaluated. Here, the concept of the reciprocal lattice space, which is generally used to easily evaluate the crystal structure, is introduced.

【0006】実空間において、試料の結晶面間隔をd、
対象とする結晶面に対するX線の入射角をθ、波長をλ
とすると、入射X線がBragg反射する条件は、2dsinθ
=nλ(nは任意の整数)である。このとき、XRDに
よって検出される波数1/λに次元を合わせて上式を変
形すると、2(1/λ)sinθ=n(1/d)となる。
ここで、波数1/λ=k、1/d=qとおくと、2ksi
nθ=nqと書ける。なお、結晶面間隔とX線の波長の
スケールから、ここではn=1としてよい。即ち、q=
2ksinθなる式が導かれる。
In a real space, the crystal plane spacing of the sample is d,
The incident angle of X-rays on the target crystal plane is θ, and the wavelength is λ
Then, the condition that the incident X-ray reflects Bragg is 2dsinθ
= Nλ (n is an arbitrary integer). At this time, if the above equation is modified by matching the dimension with the wave number 1 / λ detected by XRD, 2 (1 / λ) sin θ = n (1 / d).
Here, if wave number 1 / λ = k and 1 / d = q, then 2 ksi
It can be written that nθ = nq. Note that n = 1 may be set here in view of the crystal plane spacing and the scale of the wavelength of X-rays. That is, q =
An equation of 2 ksin θ is derived.

【0007】この式は、波数の次元をもった座標系にお
けるBraggの反射条件を表す式であり、このような座標
空間は逆格子空間と呼ばれる。次に、逆格子空間におい
て、入射X線の波数ベクトル、kiおよび反射X線の波
数ベクトル、kfを2辺とする三角形OLMを想定す
る。なお、|ベクトルki|=|ベクトルkf|=kであ
る。図10は、三角形OLMを示す図である。
This expression is an expression representing the Bragg reflection condition in a coordinate system having a wave number dimension, and such a coordinate space is called a reciprocal lattice space. Next, in the reciprocal lattice space, assume that a wave number vector of incident X-rays, ki and a wave number vector of reflected X-rays, and a triangle OLM having kf as two sides. It should be noted that | vector ki | = | vector kf | = k. FIG. 10 is a diagram showing a triangle OLM.

【0008】三角形OLMにおいて、ベクトルkiおよ
びベクトルkfは頂点Lを始点とし、それらが挟む角であ
る∠OLM=2θである。このとき、ベクトルkiの終
点(頂点O)とベクトルkfの終点(頂点M)とを結ぶ
辺の長さは、2ksinθ=qとなり、頂点Oを原点とす
ると頂点Mは、逆格子空間におけるBraggの反射条件を
充足する点(逆格子点)を示している。また、θは、先
に述べたとおり、実空間における入射X線の対象とする
結晶面に対する入射角を示している。逆格子空間内に分
布する逆格子点群のうち、特定の格子点に着目しその近
傍のエリアを拡大表示した平面図を逆格子空間マップと
呼ぶ。
In the triangle OLM, the vector ki and the vector kf start from the vertex L and the angle between them is ∠OLM = 2θ. At this time, the length of the side connecting the end point of the vector ki (vertex O) and the end point of the vector kf (vertex M) is 2ksin θ = q. When the vertex O is the origin, the vertex M is Points (reciprocal lattice points) that satisfy the reflection condition are shown. Further, θ indicates the incident angle of the incident X-ray with respect to the target crystal plane in the real space, as described above. Of the reciprocal lattice point group distributed in the reciprocal lattice space, a plan view in which a specific lattice point is focused and an area in the vicinity thereof is enlarged is called a reciprocal lattice space map.

【0009】このような逆格子空間の概念を導入するこ
とで、XRDによって結晶材料を評価する場合、X線の
入射方向を種々変化させ、Bragg反射光を測定すること
により、逆格子空間における逆格子点を検出し、その分
布特性(逆格子空間マップ)から結晶材料の結晶構造を
容易に評価することが可能となる。次に、実際の結晶材
料における逆格子点の拡がりについて述べる。これは理
想的な完全周期構造からのずれによるものである。評価
対象である結晶材料には、試料自体が有する結晶面間隔
あるいは結晶面方位のばらつきが存在する。逆格子空間
マップにおいては、結晶面間隔のばらつきによって、逆
格子空間の原点との距離方向に逆格子点の拡がりを生
じ、結晶面方向のばらつきによって、逆格子空間の原点
を中心とする回転方向に拡がりを生ずる。
By introducing such a concept of the reciprocal lattice space, when evaluating a crystal material by XRD, the incident direction of X-rays is variously changed and the Bragg reflected light is measured to obtain the reciprocal lattice space. It is possible to detect the lattice points and easily evaluate the crystal structure of the crystal material from the distribution characteristic (reciprocal lattice space map). Next, the spread of reciprocal lattice points in an actual crystal material will be described. This is due to the deviation from the ideal perfect periodic structure. The crystal material to be evaluated has variations in the crystal plane spacing or crystal plane orientation of the sample itself. In the reciprocal lattice space map, the reciprocal lattice spacing spreads in the direction of the distance from the origin of the reciprocal lattice space due to the variation of the crystal plane spacing, and the rotation direction around the origin of the reciprocal lattice space due to the variation of the crystal plane direction. Spreads over.

【0010】なお、結晶材料には、単結晶材料、多結晶
材料、あるいは基板上のエピタキシャル膜のような中間
的な結晶構造を有するもの等、種々のものがある。そし
て、多結晶材料のように結晶材料中に複数の結晶粒が一
様に混在している試料については、逆格子空間マップに
おいて、それぞれの結晶粒の逆格子点が連続して環状に
分布することとなる。この環状の逆格子点の分布をデバ
イ環と呼ぶ。一方、理想的な単結晶のように、周期構造
が整然と存在している試料については、逆格子空間マッ
プにおいて、逆格子点は、離散的な点状に分布すること
となる。
There are various crystal materials, such as single crystal materials, polycrystal materials, and materials having an intermediate crystal structure such as an epitaxial film on a substrate. Then, for a sample such as a polycrystalline material in which a plurality of crystal grains are uniformly mixed in the crystal material, the reciprocal lattice points of the respective crystal grains are continuously annularly distributed in the reciprocal lattice space map. It will be. This distribution of reciprocal lattice points in a ring is called a Debye ring. On the other hand, in a sample in which the periodic structure is orderly present, such as an ideal single crystal, the reciprocal lattice points are distributed in discrete point shapes in the reciprocal lattice space map.

【0011】ここで、結晶材料の結晶構造評価に用いら
れる従来のXRDについて説明する。図11は、従来の
XRD100の構成を示す概略図である。図11におい
て、XRD100は、本体110と、X線照射部120
を先端に備える入射X線アーム130と、試料を設置す
るステージ140と、試料に反射したX線を受光する受
光部150を先端に備える反射X線アーム160とを含
んで構成される。
Here, a conventional XRD used for evaluating the crystal structure of a crystal material will be described. FIG. 11 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional XRD 100. In FIG. 11, the XRD 100 includes a main body 110 and an X-ray irradiation unit 120.
An incident X-ray arm 130 having a tip is provided, a stage 140 for mounting a sample, and a reflection X-ray arm 160 having a light receiving section 150 for receiving the X-ray reflected by the sample at the tip.

【0012】XRD100において、入射X線アーム1
30は、本体110に回動可能に設置される。そして、
入射X線アーム130が所定平面内で回動することによ
り、ステージ140に設置された試料に対し、X線照射
部120から発射されたX線を任意の角度から照射可能
である。また、反射X線アーム160も、本体110に
回動可能に設置される。そして、反射X線アーム160
が回動し、受光部150の位置を変化させることによ
り、試料に反射したX線の種々の位置におけるBragg反
射光を測定可能である。
In the XRD 100, the incident X-ray arm 1
30 is rotatably installed on the main body 110. And
By rotating the incident X-ray arm 130 within a predetermined plane, it is possible to irradiate the sample installed on the stage 140 with X-rays emitted from the X-ray irradiator 120 from an arbitrary angle. The reflective X-ray arm 160 is also rotatably installed on the main body 110. Then, the reflection X-ray arm 160
By rotating and changing the position of the light receiving unit 150, it is possible to measure the Bragg reflected light at various positions of the X-ray reflected on the sample.

【0013】したがって、入射X線アーム130と反射
X線アーム160の位置を種々変化させて走査すること
により、試料の結晶構造を調べることができる。なお、
XRD100は、評価対象の試料の種類によって、やや
異なる構成であり、多結晶材料を評価するためのXRD
100は、入射X線アーム130のステージ140に対
する角度(試料に対するX線の入射角)をθとすると、
受光部150が試料からθの反射角で反射するX線を常
に捕らえるように反射X線アーム160も変化する。即
ち、多結晶材料を評価するためのXRD100は、逆格
子空間において、ステージ140面の法線方向に平行な
直線に沿って逆格子点の分布を測定することとなる。
Therefore, the crystal structure of the sample can be examined by scanning while changing the positions of the incident X-ray arm 130 and the reflective X-ray arm 160 in various ways. In addition,
The XRD100 has a slightly different configuration depending on the type of sample to be evaluated, and is an XRD for evaluating polycrystalline materials.
Let 100 be the angle of the incident X-ray arm 130 with respect to the stage 140 (incident angle of X-ray to the sample),
The reflection X-ray arm 160 is also changed so that the light receiving unit 150 always captures the X-ray reflected from the sample at the reflection angle of θ. That is, the XRD 100 for evaluating a polycrystalline material measures the distribution of reciprocal lattice points along a straight line parallel to the normal direction of the surface of the stage 140 in the reciprocal lattice space.

【0014】一方、基板上に形成された薄膜結晶材料の
ように配向や格子の歪みを有する試料を評価するための
XRD100は、逆格子空間における広範な逆格子点の
分布を調べる必要があることから、上述の構成に加え、
入射X線アーム130と反射X線アーム160とは、そ
れぞれ独立に位置を変えることができ、また、ステージ
140が本体110に対する姿勢を変化させることが可
能に構成される。
On the other hand, the XRD 100 for evaluating a sample having an orientation or lattice distortion such as a thin film crystal material formed on a substrate needs to examine a wide distribution of reciprocal lattice points in a reciprocal lattice space. Therefore, in addition to the above configuration,
The incident X-ray arm 130 and the reflective X-ray arm 160 can change their positions independently of each other, and the stage 140 can change its posture with respect to the main body 110.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜結
晶材料の配向や格子歪みを評価するための従来のXRD
において、受光部には、1つの受光素子が備えられるの
みであったため、逆格子空間マップを得るためには、そ
の1つの受光素子で、逆格子点近傍を逐次走査する必要
があった。即ち、逆格子空間マップを作成するために、
膨大な時間を費やすこととなっていた。
However, the conventional XRD for evaluating the orientation and the lattice distortion of the thin film crystal material is used.
In the above, since the light receiving section was provided with only one light receiving element, in order to obtain the reciprocal lattice space map, it was necessary to sequentially scan the vicinity of the reciprocal lattice point with the one light receiving element. That is, to create a reciprocal lattice space map,
It was supposed to spend a huge amount of time.

【0016】ここで、多結晶材料を評価するための従来
のXRDにおいて、受光部に、複数の受光素子を1列に
並べたセンサを備えたものが知られている。しかし、こ
のXRDは、多結晶材料の結晶化度の評価のみを想定し
たものであるため、上述のようにアームやステージの動
きが制限されており、逆格子空間における広範な逆格子
点の分布を調べることができないものであった。また、
薄膜結晶材料の配向や格子歪み分布を評価する場合、1
つの格子点近傍を拡大して、より精密な逆格子空間マッ
プを作成する必要があることから、多結晶材料の評価を
行う場合に比べ、測定精度(分解能)を適切に調整する
ことが重要となる。
Here, there is known a conventional XRD for evaluating a polycrystalline material, in which a light receiving portion is provided with a sensor in which a plurality of light receiving elements are arranged in a line. However, since this XRD assumes only the evaluation of the crystallinity of the polycrystalline material, the movement of the arm and stage is limited as described above, and the distribution of a wide range of reciprocal lattice points in the reciprocal lattice space is limited. Was something I couldn't look into. Also,
When evaluating the orientation and lattice strain distribution of thin film crystal materials, 1
Since it is necessary to expand the vicinity of one lattice point and create a more precise reciprocal lattice space map, it is important to properly adjust the measurement accuracy (resolution) compared to when evaluating polycrystalline materials. Become.

【0017】本発明の課題は、結晶性材料、特に薄膜結
晶材料特有の配向や格子歪みといった結晶性の評価を迅
速かつ効率的に行うことである。
An object of the present invention is to quickly and efficiently evaluate crystallinity such as orientation and lattice distortion peculiar to crystalline materials, especially thin film crystalline materials.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、試料を設置す
るステージ(例えば、図1のステージ40)と、所定の
照射軸方向にX線を照射可能であり、該照射軸を前記ス
テージに向けて設置された照射部(例えば、図1のX線
照射部20および入射X線アーム30)と、所定の受光
軸方向からの反射X線を受光可能であり、該受光軸を前
記ステージに向けて設置された受光部(例えば、図1の
受光部50および反射X線アーム60)とを備え、前記
照射軸の前記ステージに対する角度と、前記受光軸の前
記ステージに対する角度とを独立に調整可能なX線回折
装置であって、前記受光部は、所定パターンに配列され
た複数の受光素子からなる検出器(例えば、図1の検出
器51)を備えることを特徴としている。
The present invention is capable of irradiating an X-ray in a predetermined irradiation axis direction with a stage on which a sample is placed (for example, the stage 40 in FIG. 1), and the irradiation axis is set on the stage. The irradiation unit (for example, the X-ray irradiation unit 20 and the incident X-ray arm 30 in FIG. 1) installed toward the reception unit can receive reflected X-rays from a predetermined light-receiving axis direction, and the light-receiving axis is set on the stage. A light-receiving unit (for example, the light-receiving unit 50 and the reflection X-ray arm 60 in FIG. 1) installed to face each other, and independently adjusts the angle of the irradiation axis with respect to the stage and the angle of the light-receiving axis with respect to the stage. It is a possible X-ray diffractometer, characterized in that the light receiving unit includes a detector (for example, the detector 51 in FIG. 1) including a plurality of light receiving elements arranged in a predetermined pattern.

【0019】また、前記検出器を前記受光軸方向に連続
的に移動可能であることを特徴としている。また、前記
検出器は、前記受光軸に対する設置角度を連続的に変化
させることが可能であることを特徴としている。また、
前記複数の受光素子は、所定間隔で1列に配列されたこ
とを特徴としている。
Further, it is characterized in that the detector can be continuously moved in the light receiving axis direction. Further, the detector is characterized in that the installation angle with respect to the light receiving axis can be continuously changed. Also,
The plurality of light receiving elements are arranged in a row at a predetermined interval.

【0020】また、前記複数の受光素子は、所定間隔で
1列に配列された受光素子が複数列に配列されているこ
とを特徴としている。また、前記複数列を構成する各列
は、前記所定間隔より小さい距離だけ隣接する他の列と
ずらして配列されていることを特徴としている。前記ス
テージは、前記試料を設置する設置面の向き(あおり
角)を調整可能であることを特徴としている。
Further, the plurality of light receiving elements are characterized in that the light receiving elements arranged in one row at predetermined intervals are arranged in a plurality of rows. Further, each of the columns forming the plurality of columns is arranged so as to be offset from other adjacent columns by a distance smaller than the predetermined interval. The stage is characterized in that the orientation (tilt angle) of the installation surface on which the sample is installed can be adjusted.

【0021】前記ステージは、前記試料を設置する設置
面内における回転角度位置を調整可能であることを特徴
としている。前記照射部は、前記X線として、白色光を
照射可能であることを特徴としている。試料を設置する
ステージと、所定の照射軸方向にX線を照射可能であ
り、該照射軸を前記ステージに向けて設置された照射部
と、所定の受光軸方向からの反射X線を受光可能であ
り、該受光軸を前記ステージに向けて設置された受光部
とを備え、前記照射軸の前記ステージに対する角度と、
前記受光軸の前記ステージに対する角度とを独立に調整
可能であり、所定パターンに配列された複数の受光素子
からなる検出器を前記受光部に備えるX線回折装置を用
いて、前記複数の受光素子それぞれの検出信号に基づい
て、所定範囲の空間全体について、一回の測定処理で反
射X線の測定を行うことを特徴としている。
The stage is characterized in that the rotational angle position within the installation surface on which the sample is installed can be adjusted. The irradiating section is capable of irradiating white light as the X-ray. It is possible to irradiate X-rays in a predetermined irradiation axis direction with the stage on which the sample is installed, and it is possible to receive reflected X-rays from a predetermined light-receiving axis direction with the irradiation unit installed with the irradiation axis facing the stage Is provided with a light receiving portion installed with the light receiving axis facing the stage, the angle of the irradiation axis with respect to the stage,
The angle of the light-receiving axis with respect to the stage can be adjusted independently, and the plurality of light-receiving elements are used by using an X-ray diffractometer having a detector including a plurality of light-receiving elements arranged in a predetermined pattern in the light-receiving section. It is characterized in that the reflected X-rays are measured in a single measurement process for the entire space within a predetermined range based on the respective detection signals.

【0022】前記検出器を前記受光軸方向に移動するこ
とにより、反射X線測定における分解能を任意に調整す
ることを特徴としている。前記検出器の前記受光軸に対
する設置角度を変化させることにより、反射X線測定に
おける分解能を任意に調整することを特徴としている。
前記照射部の照射軸と、前記受光部の受光軸とがなす角
(例えば、図3の2π−2θ)を保ちつつ、前記照射軸
の前記ステージに対する角度を変化させる動作により、
所定範囲の空間全体について、一回の測定処理で反射X
線の測定を行うことを特徴としている。
The resolution in reflection X-ray measurement is arbitrarily adjusted by moving the detector in the light receiving axis direction. The resolution in reflected X-ray measurement is arbitrarily adjusted by changing the installation angle of the detector with respect to the light receiving axis.
By the operation of changing the angle of the irradiation axis with respect to the stage while maintaining the angle (for example, 2π−2θ in FIG. 3) formed by the irradiation axis of the irradiation section and the light reception axis of the light receiving section,
Reflection X in one measurement process for the entire space within a predetermined range
The feature is that the line is measured.

【0023】前記複数の受光素子は、所定間隔で配列さ
れ、前記検出器を該所定間隔より小さい移動量だけ移動
して反射X線を測定することにより、任意の分解能で反
射X線測定を行うことを特徴としている。前記X線回折
装置を用いた逆格子空間マップ作成方法である。前記X
線回折装置を用いて、試料に対し、In−Plane測定を行
うことにより、試料に含まれる結晶の面内回転角度と、
入射X線の波数ベクトルと反射X線の波数ベクトルとの
なす角とに基づく特性(例えば、図8のφ−2θ特性)
を取得することを特徴としている。
The plurality of light receiving elements are arranged at a predetermined interval, and the reflected X-ray is measured at an arbitrary resolution by measuring the reflected X-ray by moving the detector by a movement amount smaller than the predetermined interval. It is characterized by that. It is a method of creating a reciprocal lattice space map using the X-ray diffractometer. The X
Using a line diffractometer, by performing In-Plane measurement on the sample, the in-plane rotation angle of the crystal contained in the sample,
Characteristics based on the angle formed by the wave vector of the incident X-rays and the wave vector of the reflected X-rays (for example, φ-2θ characteristic in FIG. 8)
It is characterized by getting.

【0024】本発明によれば、所定パターンに配列され
た複数の受光素子からなる検出器を備えるため、逆格子
空間マップを高速に作成することができる。また、検出
器を受光素子の配列された間隔未満の距離だけ移動させ
て、複数回走査することにより、走査における分解能を
高めることができる。また、検出器とステージとの距離
を連続的に変化させる機構を持たせることにより、走査
における分解能を任意に調整することができる。さら
に、検出器の受光軸に対する設置角度を連続的に変化さ
せる機構を持たせることによっても、走査における分解
能を任意に調整することができる。
According to the present invention, the reciprocal lattice space map can be created at high speed because the detector including the plurality of light receiving elements arranged in the predetermined pattern is provided. In addition, the resolution in scanning can be improved by moving the detector by a distance smaller than the interval in which the light receiving elements are arranged and scanning a plurality of times. Further, by providing a mechanism for continuously changing the distance between the detector and the stage, the resolution in scanning can be adjusted arbitrarily. Further, by providing a mechanism for continuously changing the installation angle of the detector with respect to the light receiving axis, the resolution in scanning can be arbitrarily adjusted.

【0025】さらに、本発明によって、In−Plane測定
を高速に行うことも可能である。また、X線源として白
色光源を用いることにより、検出器の走査可能な範囲の
ロッキングカーブ測定(結晶のBragg反射光が測定され
る方位付近における反射X線強度の分布特性の測定)を
極めて短時間に行うことができる。
Further, according to the present invention, the In-Plane measurement can be performed at high speed. Further, by using a white light source as the X-ray source, the rocking curve measurement (measurement of the distribution characteristic of the reflected X-ray intensity in the vicinity of the direction in which the Bragg reflected light of the crystal is measured) of the detector is extremely short. Can be done in time.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明に係る
XRDの実施の形態を詳細に説明する。まず、構成を説
明する。図1は、本実施の形態に係るXRD1の構成を
示す概略図である。図1において、XRD1は、本体1
0と、X線照射部20を備える入射X線アーム30と、
試料を設置するステージ40と、試料に反射したX線を
受光する受光部50を備える反射X線アーム60とを含
んで構成される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of an XRD according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. First, the configuration will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an XRD 1 according to this embodiment. In FIG. 1, XRD1 is a main body 1
0, and an incident X-ray arm 30 including the X-ray irradiation unit 20,
It is configured to include a stage 40 on which a sample is placed and a reflective X-ray arm 60 including a light receiving unit 50 that receives the X-ray reflected by the sample.

【0027】図1において、本体10は、XRD1全体
を制御する制御部や、測定データを出力するインターフ
ェース等を含んで構成される。X線照射部20は、X線
を発生し、発生したX線を所定の照射軸方向に照射す
る。なお、X線照射部20は、照射軸をステージ40に
向けて入射X線アーム30に設置されており、後述のよ
うに、入射X線アーム30が回動しても、常にX線照射
部20の照射軸はステージ40を向くものである。
In FIG. 1, the main body 10 includes a control unit for controlling the entire XRD 1 and an interface for outputting measurement data. The X-ray irradiation unit 20 generates X-rays and irradiates the generated X-rays in a predetermined irradiation axis direction. The X-ray irradiator 20 is installed on the incident X-ray arm 30 with its irradiation axis facing the stage 40, and as will be described later, even if the incident X-ray arm 30 rotates, the X-ray irradiator is always provided. The irradiation axis of 20 is directed to the stage 40.

【0028】入射X線アーム30は、本体10に回動可
能に設置され、ステージ40に対する角度位置を変化さ
せることが可能である。また、入射X線アーム30は、
先端にX線照射部20を備えている。即ち、入射X線ア
ーム30を回動させることにより、X線照射部20の照
射軸のステージ40に対する入射角を調節可能である。
ステージ40は、評価対象である試料を所定の試料設置
位置に固定して設置可能であり、本体10に対する姿勢
(あおり角)を所定範囲で自在に変化させることが可能
である。即ち、ステージ40は、基準となる姿勢から、
試料を設置する面(設置面)の法線方向を図1における
上下左右に調整可能な機構を備えている。また、ステー
ジ40は、設置面内方向に回転することおよび基準とな
る姿勢における設置面の高さを調整することが可能であ
る。
The incident X-ray arm 30 is rotatably installed on the main body 10 and its angular position with respect to the stage 40 can be changed. In addition, the incident X-ray arm 30
An X-ray irradiation unit 20 is provided at the tip. That is, the incident angle of the irradiation axis of the X-ray irradiation unit 20 with respect to the stage 40 can be adjusted by rotating the incident X-ray arm 30.
The stage 40 can be installed with the sample to be evaluated fixed at a predetermined sample installation position, and the posture (tilt angle) with respect to the main body 10 can be freely changed within a predetermined range. That is, the stage 40 changes from the reference posture to
It is equipped with a mechanism capable of adjusting the normal direction of the surface on which the sample is installed (installation surface) vertically and horizontally in FIG. In addition, the stage 40 can rotate in the installation surface direction and adjust the height of the installation surface in a reference posture.

【0029】なお、ステージ40に設置する試料は、基
板面にほぼ平行に形成された薄膜結晶材料等であり、試
料表面とステージ40の設置面とがほぼ平行となるよう
に設置される。受光部50は、複数の受光素子が所定パ
ターン(例えば、1列あるいはマトリクス状等)に配列
された検出器51を備えており、所定の受光軸方向から
入射したX線が検出器51で検出される。なお、受光部
50は、X線照射部20と同様に、常に受光軸がステー
ジ40を向くものである。
The sample placed on the stage 40 is a thin film crystal material or the like formed substantially parallel to the substrate surface, and is placed so that the sample surface and the installation surface of the stage 40 are substantially parallel to each other. The light receiving section 50 includes a detector 51 in which a plurality of light receiving elements are arranged in a predetermined pattern (for example, one row or a matrix), and the detector 51 detects X-rays incident from a predetermined light receiving axis direction. To be done. The light-receiving unit 50 has a light-receiving axis that always faces the stage 40, like the X-ray irradiation unit 20.

【0030】ここで、検出器51についてさらに説明す
る。検出器51は、X線を受光することにより、検出信
号を出力可能な受光素子を複数備えている。そして、こ
れら複数の受光素子は、所定パターンで配列されてい
る。図2は、検出器51の受光素子が配列されるパター
ンの例を示す図である。図2において、検出器51の受
光素子は、例えば、(a)直線上に所定間隔で1列に配
列される場合、(b)円弧上等、曲線上に配列される場
合、あるいは、(c)複数列に配列される場合等が可能
である。
Here, the detector 51 will be further described. The detector 51 includes a plurality of light receiving elements that can output detection signals by receiving X-rays. The plurality of light receiving elements are arranged in a predetermined pattern. FIG. 2 is a diagram showing an example of a pattern in which the light receiving elements of the detector 51 are arranged. In FIG. 2, the light receiving elements of the detector 51 are, for example, (a) arranged in a line at a predetermined interval on a straight line, (b) arranged on a curved line such as an arc, or (c). ) It is possible to arrange in multiple columns.

【0031】また、これら隣り合う受光素子の間隔は、
X線検出における分解能を決定付ける要素となる。した
がって、受光素子を複数列に配列する場合、隣り合う列
について、受光素子の間隔未満の距離だけずらして配列
することで、分解能を高める効果が得られる。また、反
射X線の測定処理を行う場合、1回の測定処理の後、受
光素子の間隔未満の距離だけ検出器51をずらし、さら
に測定処理を行うことによって、分解能を高めることと
同様の効果を得ることができる。
The distance between these adjacent light receiving elements is
It is a factor that determines the resolution in X-ray detection. Therefore, when arranging the light receiving elements in a plurality of rows, by arranging the adjacent rows so as to be displaced by a distance smaller than the distance between the light receiving elements, an effect of improving the resolution can be obtained. In addition, when performing the measurement process of the reflected X-rays, after one measurement process, the detector 51 is displaced by a distance less than the distance between the light receiving elements, and the measurement process is further performed, which is the same effect as enhancing the resolution. Can be obtained.

【0032】さらに、検出器51は、受光軸に対する設
置角度を変化させることが可能であり、これによって試
料(ステージ40)から見た受光素子の密度が変化し、
分解能を高めることと同様の効果を得ることができる。
反射X線アーム60は、本体10に回動可能に設置さ
れ、ステージ40に対する角度位置を変化させることが
可能である。なお、反射X線アーム60の回動軸は、入
射X線アーム30の回動軸と共通である。
Further, the detector 51 can change the installation angle with respect to the light receiving axis, which changes the density of the light receiving elements viewed from the sample (stage 40),
The same effect as increasing the resolution can be obtained.
The reflective X-ray arm 60 is rotatably installed on the main body 10 and can change its angular position with respect to the stage 40. The rotation axis of the reflection X-ray arm 60 is the same as the rotation axis of the incident X-ray arm 30.

【0033】また、反射X線アーム60は、受光部50
を回動の半径方向の任意の位置に移動可能に備えてい
る。即ち、反射X線アーム60を回動させることによ
り、受光部50の受光軸のステージ40に対する角度
(反射角)を調節可能であると共に、受光部50を反射
X線アーム60の回動の半径方向に移動することによ
り、ステージ40と受光部50との距離を連続的に調節
可能である。このような構成の下、X線照射部20から
ステージ40に設置された試料にX線を照射し、その反
射X線を受光部50によって測定することが可能であ
る。即ち、受光部50によってBragg反射光を検出可能
である。
Further, the reflection X-ray arm 60 includes the light receiving section 50.
Is movably provided at an arbitrary position in the radial direction of rotation. That is, by rotating the reflection X-ray arm 60, the angle (reflection angle) of the light-receiving axis of the light-receiving unit 50 with respect to the stage 40 can be adjusted, and the light-receiving unit 50 can be rotated by the radius of rotation of the reflection X-ray arm 60. By moving in the direction, the distance between the stage 40 and the light receiving unit 50 can be continuously adjusted. Under such a configuration, it is possible to irradiate the sample installed on the stage 40 with X-rays from the X-ray irradiator 20 and measure the reflected X-rays by the light receiver 50. That is, the Bragg reflected light can be detected by the light receiving unit 50.

【0034】また、受光部50は、検出器51を備える
ことから、一定範囲の逆格子空間について、1回の測定
処理によってBragg反射光の検出が可能である。さら
に、入射X線アーム30と反射X線アーム60とは、独
立にステージ40に対する角度位置を調整可能であるた
め、任意の逆格子空間におけるBragg反射光の検出が可
能である。次に、XRD1を用いて逆格子空間マップを
作成する際の測定方法について説明する。
Further, since the light receiving section 50 is provided with the detector 51, it is possible to detect the Bragg reflected light by performing the measurement processing once for the reciprocal lattice space within a certain range. Furthermore, since the incident X-ray arm 30 and the reflection X-ray arm 60 can independently adjust the angular position with respect to the stage 40, it is possible to detect Bragg reflected light in an arbitrary reciprocal lattice space. Next, a measuring method when creating a reciprocal lattice space map using XRD1 will be described.

【0035】図3は、XRD1を用いて試料を評価する
原理を示す概念図である。図3において、X線照射部2
0によって照射された入射X線が、ステージ40に平行
に設置された試料面に対し入射角ωで試料に入射する。
このとき、入射X線と試料の特定の結晶面とが、Bragg
の反射条件を満たす場合、Bragg反射が起きる。そし
て、受光部50の試料に対する角度位置が、特定の結晶
面において、Braggの反射条件を満たす反射光の到達す
る角度位置である場合、受光部50がBragg反射光を検
出する。ここで、受光部50は、複数の受光素子を備え
る検出器51によって反射X線を検出する。
FIG. 3 is a conceptual diagram showing the principle of evaluating a sample using XRD1. In FIG. 3, the X-ray irradiation unit 2
The incident X-rays irradiated by 0 impinge on the sample at an incident angle ω with respect to the sample surface placed parallel to the stage 40.
At this time, the incident X-ray and the specific crystal plane of the sample are
Bragg reflection occurs when the reflection condition of is satisfied. Then, when the angular position of the light receiving unit 50 with respect to the sample is the angular position at which the reflected light that satisfies the Bragg reflection condition reaches on the specific crystal plane, the light receiving unit 50 detects the Bragg reflected light. Here, the light receiving unit 50 detects the reflected X-rays by the detector 51 including a plurality of light receiving elements.

【0036】したがって、入射X線の波数ベクトル(以
下、「入射ベクトル」と言う。)kiと反射X線の波数
ベクトル(以下、「反射ベクトル」と言う。)kfとの
挟み角(2π−2θ)と、入射X線の試料に対する入射
角ωを種々変化させて、Bragg反射光が測定される受光
部50の角度位置を調べることで、試料の結晶構造が評
価でき、この際、検出器51の各受光素子が位置する空
間について同時に測定が可能である。
Therefore, the angle between the wave vector of the incident X-ray (hereinafter referred to as "incident vector") ki and the wave vector of the reflected X-ray (hereinafter referred to as "reflection vector") kf (2π-2θ). ) And variously changing the incident angle ω of the incident X-ray with respect to the sample, and examining the angular position of the light receiving section 50 where the Bragg reflected light is measured, the crystal structure of the sample can be evaluated. It is possible to simultaneously measure the space in which each of the light receiving elements is located.

【0037】ここで、図3においては、実空間における
結晶構造評価の概念を示したが、逆格子空間において結
晶構造を評価することを考える。図4は、逆格子空間に
おける入射ベクトルkiと、反射ベクトルkfとを示す図
である。図4において、反射ベクトルkfの先端には、
検出器51の複数の受光素子が同時に反射X線を検出可
能な範囲(以下、「同時検出幅」と言う。)が示されて
いる。
Although the concept of crystal structure evaluation in the real space is shown in FIG. 3, the evaluation of the crystal structure in the reciprocal lattice space will be considered. FIG. 4 is a diagram showing an incident vector ki and a reflection vector kf in the reciprocal lattice space. In FIG. 4, at the tip of the reflection vector kf,
A range in which a plurality of light receiving elements of the detector 51 can simultaneously detect reflected X-rays (hereinafter, referred to as “simultaneous detection width”) is shown.

【0038】図4において、試料として理想的な単結晶
材料を評価する場合、逆格子点は点状となる。しかしな
がら、実際には、結晶構造のばらつきによって、各逆格
子点は、一定の拡がりを有している。以下、この一定の
拡がりを含めた逆格子点の分布(逆格子空間マップ)を
得るためにXRD1を動作させる方法を説明する。図3
に示すように、反射X線の検出位置は、試料(ステージ
40)に対するX線の入射角ωと、入射ベクトルkiと
反射ベクトルkfとの挟み角(2π−2θ)とをパラメ
ータとして特定される。
In FIG. 4, when an ideal single crystal material is evaluated as a sample, the reciprocal lattice points have a dot shape. However, in reality, each reciprocal lattice point has a certain spread due to the variation in the crystal structure. Hereinafter, a method of operating the XRD 1 in order to obtain the reciprocal lattice point distribution (reciprocal lattice space map) including the constant spread will be described. Figure 3
As shown in FIG. 6, the detection position of the reflected X-ray is specified by using the incident angle ω of the X-ray with respect to the sample (stage 40) and the angle between the incident vector ki and the reflection vector kf (2π-2θ) as parameters. .

【0039】そこで、逆格子空間において、逆格子点近
傍の反射X線分布を適切に測定すべくXRD1を動作さ
せる。まず、逆格子空間マップを高速に作成する方法
(第1の方法)のための動作について説明する。逆格子
空間マップを高速に作成するためには、検出器51の同
時検出幅を有効に利用することを考え、同時検出幅方向
に対し、より垂直な方向に検出器51を移動させる。
Therefore, in the reciprocal lattice space, the XRD 1 is operated to appropriately measure the reflected X-ray distribution near the reciprocal lattice point. First, an operation for a method (first method) for creating a reciprocal lattice space map at high speed will be described. In order to create the reciprocal lattice space map at high speed, considering the effective use of the simultaneous detection width of the detector 51, the detector 51 is moved in a direction more perpendicular to the simultaneous detection width direction.

【0040】即ち、逆格子空間において、入射ベクトル
kiと反射ベクトルkfとの挟み角を固定し、入射角ωを
δωの範囲にわたって逆格子点付近を走査する(図5参
照)。これは、実空間において、XRD1のステージ4
0を固定した状態で、入射X線アーム30と反射X線ア
ーム60との相対的な角度位置を固定しつつ、入射X線
アーム30のステージ40に対する角度位置を変化させ
る動作に該当する。
That is, in the reciprocal lattice space, the angle between the incident vector ki and the reflection vector kf is fixed, and the incident angle ω is scanned in the vicinity of the reciprocal lattice point over the range of δω (see FIG. 5). This is stage 4 of XRD1 in real space.
This corresponds to the operation of changing the angular position of the incident X-ray arm 30 with respect to the stage 40 while fixing the relative angular position of the incident X-ray arm 30 and the reflective X-ray arm 60 with 0 fixed.

【0041】この方法によって、一定範囲の逆格子空間
マップを検出器51が有する分解能(複数の受光素子の
配列に基づく分解能)で高速に作成することが可能とな
る。次に、逆格子空間マップを精密に作製する方法(第
2の方法)のための動作について説明する。逆格子空間
マップの作成において、特に、微少な配向分布や格子歪
みを含む薄膜結晶材料を評価する場合、逆格子点近傍を
より詳細に測定することが望まれる。一方、検出器51
の受光素子の配列によって、1回の走査における分解能
は決定される。
By this method, a reciprocal lattice space map in a certain range can be created at high speed with the resolution of the detector 51 (the resolution based on the arrangement of a plurality of light receiving elements). Next, the operation for the method (second method) for accurately producing the reciprocal lattice space map will be described. When creating a reciprocal lattice space map, it is desired to measure the vicinity of the reciprocal lattice point in more detail, particularly when evaluating a thin film crystal material containing a minute orientation distribution or lattice distortion. On the other hand, the detector 51
The resolution in one scan is determined by the arrangement of the light receiving elements of.

【0042】したがって、逆格子空間において、任意の
入射角ωを基準に逆格子点近傍を走査した後、入射ベク
トルkiと反射ベクトルkfの挟み角を微小量δθ(例え
ば、複数の受光素子の間隔未満)変化させ、再度、入射
角ωを基準に、その逆格子点近傍を走査する(図6参
照)。これは、実空間において、XRD1のステージ4
0を固定した状態で、入射X線アーム30と反射X線ア
ーム60との相対的な角度位置を固定しつつ、入射X線
アーム30のステージ40に対する角度位置を特定位置
から所定量変化させ、続いて、入射X線アーム30と反
射X線アーム60との相対的な角度位置を微小量変化さ
せて、再度、入射X線アーム30のステージ40に対す
る角度位置をその特定位置から所定量変化させる動作に
該当する。
Therefore, in the reciprocal lattice space, after scanning near the reciprocal lattice point with an arbitrary incident angle ω as a reference, the angle between the incident vector ki and the reflection vector kf is set to a small amount δθ (for example, the interval between a plurality of light receiving elements) Less than) and again scan around the reciprocal lattice point with reference to the incident angle ω (see FIG. 6). This is stage 4 of XRD1 in real space.
With 0 fixed, the relative angular position between the incident X-ray arm 30 and the reflective X-ray arm 60 is fixed, and the angular position of the incident X-ray arm 30 with respect to the stage 40 is changed from a specific position by a predetermined amount. Then, the relative angular position between the incident X-ray arm 30 and the reflective X-ray arm 60 is slightly changed, and the angular position of the incident X-ray arm 30 with respect to the stage 40 is again changed by a predetermined amount from the specific position. It corresponds to the operation.

【0043】この方法によって、検出器51の受光素子
の間隔を補完し、より高分解能な走査、即ち、より精密
な逆格子空間マップの作成が可能となる。また、逆格子
点の測定における分解能を調整可能とするための、受光
部50とステージ40との距離を変化させる方法(第3
の方法)の動作について説明する。逆格子空間におい
て、同時検出幅には、検出器51に備えられた複数の受
光素子が所定パターンで離散的に配列されている。即
ち、同時検出幅における反射X線が検出される点の数は
検出器51の構成によって決定され、それにより走査に
おける分解能が決定される。
By this method, the distance between the light receiving elements of the detector 51 is complemented, and it becomes possible to perform scanning with higher resolution, that is, to create a more accurate reciprocal lattice space map. In addition, a method of changing the distance between the light receiving unit 50 and the stage 40 for adjusting the resolution in the measurement of the reciprocal lattice points (third method)
The method) will be described. In the reciprocal lattice space, a plurality of light receiving elements included in the detector 51 are discretely arranged in a predetermined pattern in the simultaneous detection width. That is, the number of points at which the reflected X-rays are detected in the simultaneous detection width is determined by the configuration of the detector 51, and thereby the resolution in scanning is determined.

【0044】そこで、逆格子空間において、同時検出幅
を変化させることにより、相対的に検出器51の分解能
を変化させることとする。逆格子空間において、同時検
出幅を縮小する動作は、実空間において、検出器51を
試料(ステージ40)から遠ざける動作に該当し、逆格
子空間において、同時検出幅を拡大する動作は、実空間
において、検出器51を試料に近づける動作に該当す
る。具体的には、XRD1において、同時検出幅を縮小
する場合、反射X線アーム60に設置された受光部50
と試料(ステージ40)との距離を遠ざける動作に該当
し、同時検出幅を拡大する場合、反射X線アーム60に
設置された受光部50と試料との距離を近づける動作に
該当する。
Therefore, in the reciprocal lattice space, the resolution of the detector 51 is relatively changed by changing the simultaneous detection width. The operation of reducing the simultaneous detection width in the reciprocal lattice space corresponds to the operation of moving the detector 51 away from the sample (stage 40) in the real space, and the operation of expanding the simultaneous detection width in the reciprocal lattice space is the real space. In, it corresponds to the operation of bringing the detector 51 close to the sample. Specifically, in the XRD 1, when reducing the simultaneous detection width, the light receiving unit 50 installed in the reflection X-ray arm 60.
Corresponds to the operation of increasing the distance between the sample and the sample (stage 40), and in the case of enlarging the simultaneous detection width, it corresponds to the operation of reducing the distance between the light receiving unit 50 installed in the reflective X-ray arm 60 and the sample.

【0045】この方法によって、同一の検出器51を用
いて、所望の分解能による走査を実現できる。なお、所
望の分解能を得るには、反射X線アーム60の長さが連
続的に変化して、受光部50と試料(ステージ40)と
の距離が任意に調整される必要がある。また、受光素子
の密度を高めることで、測定データのS/N(Signal/
Noise)比を向上させることができる。また、第3の方
法と同様に、逆格子点の測定における分解能を調整する
ための方法として、検出器51の受光軸に対する角度を
調整する方法(第4の方法)が可能であり、この方法を
行うための動作について説明する。
By this method, the same detector 51 can be used to realize scanning with a desired resolution. In order to obtain a desired resolution, the length of the reflective X-ray arm 60 needs to be continuously changed and the distance between the light receiving unit 50 and the sample (stage 40) needs to be arbitrarily adjusted. Further, by increasing the density of the light receiving elements, the S / N (Signal /
Noise) ratio can be improved. As with the third method, a method (fourth method) of adjusting the angle of the detector 51 with respect to the light receiving axis is possible as a method of adjusting the resolution in the measurement of the reciprocal lattice points. The operation for performing will be described.

【0046】実空間において、XRD1の検出器51の
受光軸に対する設置角度を任意の角度に変化させること
は、逆格子空間において、反射ベクトルkf先端に位置
する同時検出幅を変化させることに該当し、これは第3
の方法と同等の効果をもたらす。従って、この方法によ
って、走査における分解能を容易に調整することができ
る。
In the real space, changing the installation angle of the detector 51 of the XRD 1 with respect to the light receiving axis corresponds to changing the simultaneous detection width located at the tip of the reflection vector kf in the reciprocal lattice space. , This is the third
It has the same effect as the method. Therefore, the resolution in scanning can be easily adjusted by this method.

【0047】次に、XRD1を使用して結晶の面内配向
性を評価するための方法について説明する。また、本実
施の形態におけるXRD1を用いることで、In−Plane
測定を高速に行うことも可能である。In−Plane測定と
は、以下のような結晶性評価方法である。図7に示すよ
うに、試料に対し、全反射が起こる臨界角近傍の入射角
(例えば、1°未満)でX線を照射することにより、試
料表面と平行な成分のX線が発生する。そして、そのX
線成分について試料表面に対し垂直な結晶面においてBr
agg反射が起こり、その反射X線が試料表面から微小角
度の反射角で検出される。これにより、厚さ方向に結晶
面が多くは連続しない極薄膜結晶材料等、通常のX線回
折では結晶性評価が困難である試料において、試料の面
積方向の広がりを利用して(面積方向を厚さとみなし
て)、結晶性評価を行うことが可能となる。
Next, a method for evaluating the in-plane orientation of crystals using XRD1 will be described. In addition, by using XRD1 in the present embodiment, in-plane
It is also possible to perform the measurement at high speed. The in-plane measurement is the following crystallinity evaluation method. As shown in FIG. 7, by irradiating the sample with X-rays at an incident angle (eg, less than 1 °) in the vicinity of a critical angle at which total reflection occurs, X-rays having a component parallel to the sample surface are generated. And that X
Regarding the line component Br on the crystal plane perpendicular to the sample surface
Agg reflection occurs, and the reflected X-ray is detected from the surface of the sample with a small angle of reflection. As a result, in a sample for which crystallinity evaluation is difficult by ordinary X-ray diffraction, such as an ultra-thin film crystal material that does not have many continuous crystal planes in the thickness direction, the spread in the area direction of the sample is used ( It is possible to evaluate the crystallinity by considering the thickness).

【0048】本発明に係るXRD1を利用したIn−Plan
e測定においては、第1〜第4の方法と同様に逆格子空
間マップを作成することができる。ただし、試料に対
し、微小な入射角ω(例えば、ω<<1°)でX線を照射
するため、ステージ40のあおり角および設置面内方向
における回転角を調整する制御を行う必要がある。具体
的には、図7において、入射X線アーム30のステージ
40に対する角度位置、ステージ40の高さおよびあお
り角を調整することにより、X線の入射角δを所定の微
小角度とする。
In-Plan using XRD1 according to the present invention
In the e measurement, the reciprocal lattice space map can be created as in the first to fourth methods. However, since the sample is irradiated with X-rays at a small incident angle ω (for example, ω << 1 °), it is necessary to control the tilt angle of the stage 40 and the rotation angle in the installation plane direction. . Specifically, in FIG. 7, by adjusting the angular position of the incident X-ray arm 30 with respect to the stage 40, the height of the stage 40, and the tilt angle, the incident angle δ of the X-ray is set to a predetermined minute angle.

【0049】そして、反射X線アーム60の角度位置
(2π−2θ)およびステージ40の設置面内方向の回
転角度φを変化させつつ反射X線を測定する。これは、
第1〜第4の方法において、X線の試料に対する入射角
ωと、入射X線アーム30と反射X線アーム60との相
対的な角度位置とを変化させつつ反射X線を測定する動
作と同様の動作である。したがって、In−Plane測定に
おいても、第1〜第4の方法と同様の動作を行うことに
より、上述の効果を奏するものである。
Then, the reflected X-rays are measured while changing the angular position (2π-2θ) of the reflective X-ray arm 60 and the rotation angle φ of the stage 40 in the in-plane direction. this is,
In the first to fourth methods, an operation of measuring reflected X-rays while changing an incident angle ω of the X-ray with respect to the sample and a relative angular position between the incident X-ray arm 30 and the reflected X-ray arm 60. It is the same operation. Therefore, also in the In-Plane measurement, the same effects as those of the first to fourth methods are performed, so that the above-described effects are obtained.

【0050】このように、In−Plane測定を行うことに
より、試料が有する基板面に対する回転方向のばらつき
(面内配向性)を評価できる。また、図8に示すよう
に、測定した面内配向性を回転角度φと、入射ベクトル
kiと反射ベクトルkfとのなす角2θとをパラメータと
してφ−2θ平面に表すことにより、試料の面内回転分
布と基板面に垂直な結晶面の間隔の分布とを分離して評
価することが可能となる。
As described above, by performing the in-plane measurement, it is possible to evaluate the variation in the rotation direction with respect to the substrate surface of the sample (in-plane orientation). Further, as shown in FIG. 8, the measured in-plane orientation is represented on the φ-2θ plane by using the rotation angle φ and the angle 2θ formed by the incident vector ki and the reflection vector kf as parameters, and It is possible to separately evaluate the rotation distribution and the distribution of the intervals of the crystal planes perpendicular to the substrate surface.

【0051】以上のように、本実施の形態に係るXRD
1は、検出器51を備えるため、逆格子空間マップを高
速に作成することができる。また、検出器51を受光素
子の配列された間隔未満の距離だけ移動させて、複数回
走査することにより、走査における分解能を高めること
ができる。また、検出器51とステージ40との距離を
変化させることにより、同時検出幅の分解能を調整する
ことができる。さらに、検出器51の受光軸に対する角
度を変化させることによっても、同時検出幅の分解能を
調整することができる。
As described above, the XRD according to the present embodiment
Since No. 1 includes the detector 51, the reciprocal lattice space map can be created at high speed. Further, by moving the detector 51 by a distance smaller than the interval in which the light receiving elements are arranged and scanning a plurality of times, the resolution in scanning can be improved. Further, the resolution of the simultaneous detection width can be adjusted by changing the distance between the detector 51 and the stage 40. Further, the resolution of the simultaneous detection width can be adjusted by changing the angle of the detector 51 with respect to the light receiving axis.

【0052】さらに、XRD1を用いて、In−Plane測
定を行うことも可能である。なお、本実施の形態におい
て、X線源として白色光源を用いることにより、検出器
51を構成する複数の受光素子のそれぞれは、等しい結
晶面間隔でありながら異なる方位をもつ面からのBragg
反射光が同時に検出されるので、ロッキングカーブ測定
(結晶のBragg反射光が測定される方位付近における反
射X線強度の分布特性の測定)を極めて短時間に行うこ
とができる。
Further, in-plane measurement can be performed using XRD1. In the present embodiment, by using a white light source as the X-ray source, each of the plurality of light receiving elements constituting the detector 51 has a Bragg plane from a plane having the same crystal plane spacing but different orientations.
Since the reflected light is detected at the same time, the rocking curve measurement (the measurement of the distribution characteristic of the reflected X-ray intensity in the vicinity of the direction in which the Bragg reflected light of the crystal is measured) can be performed in an extremely short time.

【0053】即ち、同時検出幅から決定される方位幅の
範囲内であれば、全く走査を要さずにロッキングカーブ
測定が可能である。
That is, within the range of the azimuth width determined from the simultaneous detection width, the rocking curve can be measured without any scanning.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明によれば、所定パターンに配列さ
れた複数の受光素子からなる検出器を備えるため、逆格
子空間マップを高速に作成することができる。また、検
出器を受光素子の配列された間隔未満の距離だけ移動さ
せて、複数回走査することにより、走査における分解能
を高めることができる。また、検出器とステージとの距
離を変化させることにより、走査におけるの分解能を調
整することができる。さらに、検出器の受光軸に対する
設置角度を変化させることによっても、走査における分
解能を調整することができる。
As described above, according to the present invention, the reciprocal lattice space map can be created at high speed because the detector including the plurality of light receiving elements arranged in the predetermined pattern is provided. In addition, the resolution in scanning can be improved by moving the detector by a distance smaller than the interval in which the light receiving elements are arranged and scanning a plurality of times. Further, the resolution in scanning can be adjusted by changing the distance between the detector and the stage. Further, the scanning resolution can be adjusted by changing the installation angle of the detector with respect to the light receiving axis.

【0055】さらに、本発明によって、In−Plane測定
を行うことも可能である。また、X線源として白色光源
を用いることにより、検出器の走査可能な範囲のロッキ
ングカーブ測定(結晶のBragg反射光が測定される方位
付近における反射X線強度の分布特性の測定)を極めて
短時間に行うことができる。
Further, according to the present invention, it is possible to perform In-Plane measurement. Further, by using a white light source as the X-ray source, the rocking curve measurement (measurement of the distribution characteristic of the reflected X-ray intensity in the vicinity of the direction in which the Bragg reflected light of the crystal is measured) of the detector is extremely short. Can be done in time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施の形態に係るXRD1の構成を示す概略
図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an XRD 1 according to the present embodiment.

【図2】検出器51の受光素子が配列されるパターンの
例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a pattern in which light receiving elements of a detector 51 are arranged.

【図3】XRD1を用いて試料を評価する原理を示す概
念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram showing the principle of evaluating a sample using XRD1.

【図4】逆格子空間における入射ベクトルkiと、反射
ベクトルkfとを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an incident vector ki and a reflection vector kf in a reciprocal lattice space.

【図5】入射ベクトルkiと反射ベクトルkfとの挟み角
を固定し、入射角ωをδωの範囲にわたって逆格子点付
近を走査する測定動作を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a measurement operation in which the angle between the incident vector ki and the reflection vector kf is fixed, and the incident angle ω is scanned in the vicinity of the reciprocal lattice point over the range of δω.

【図6】入射ベクトルkiと反射ベクトルkfの挟み角を
微小量δθ変化させつつ逆格子点付近を走査する測定動
作を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a measurement operation for scanning near the reciprocal lattice point while slightly changing the angle between the incident vector ki and the reflection vector kf by δθ.

【図7】In−Plane測定を示す概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram showing In-Plane measurement.

【図8】結晶材料の面内配向と結晶面間隔の分布を分離
してφ−2θ平面に表した図である。
FIG. 8 is a view in which the in-plane orientation of the crystal material and the distribution of the crystal plane intervals are separated and represented on the φ-2θ plane.

【図9】単位格子の構造の一例である平行6面体ABC
D−EFGHを示す図である。
FIG. 9 is a parallelepiped ABC that is an example of the structure of a unit lattice.
It is a figure which shows D-EFGH.

【図10】三角形OLMを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a triangle OLM.

【図11】従来のXRD100の構成を示す概略図であ
る。
FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional XRD 100.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,100 XRD 10,110 本体 20,120 X線照射部 30,130 入射X線アーム 40,140 ステージ 50,150 受光部 51 検出器 60,160 反射X線アーム 1,100 XRD 10,110 body 20,120 X-ray irradiation unit 30,130 Incident X-ray arm 40,140 stages 50,150 Light receiving part 51 detector 60,160 Reflective X-ray arm

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料を設置するステージと、所定の照射
軸方向にX線を照射可能であり、該照射軸を前記ステー
ジに向けて設置された照射部と、所定の受光軸方向から
の反射X線を受光可能であり、該受光軸を前記ステージ
に向けて設置された受光部とを備え、前記照射軸の前記
ステージに対する角度と、前記受光軸の前記ステージに
対する角度とを独立に調整可能なX線回折装置であっ
て、 前記受光部は、所定パターンに配列された複数の受光素
子からなる検出器を備えることを特徴とするX線回折装
置。
1. A stage on which a sample is installed, X-rays can be irradiated in a predetermined irradiation axis direction, and an irradiation unit installed with the irradiation axis facing the stage, and reflection from a predetermined light receiving axis direction. It is possible to receive X-rays, and a light receiving section is installed with the light receiving axis facing the stage, and the angle of the irradiation axis with respect to the stage and the angle of the light receiving axis with respect to the stage can be adjusted independently. The X-ray diffractometer, wherein the light receiving unit includes a detector including a plurality of light receiving elements arranged in a predetermined pattern.
【請求項2】 前記検出器を前記受光軸方向に連続的に
移動可能であることを特徴とする請求項1記載のX線回
折装置。
2. The X-ray diffraction apparatus according to claim 1, wherein the detector can be continuously moved in the light receiving axis direction.
【請求項3】 前記検出器は、前記受光軸に対する設置
角度を連続的に変化させることが可能であることを特徴
とする請求項1または2記載のX線回折装置。
3. The X-ray diffraction apparatus according to claim 1, wherein the detector is capable of continuously changing an installation angle with respect to the light receiving axis.
【請求項4】 前記複数の受光素子は、所定間隔で1列
に配列されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか
に記載のX線回折装置。
4. The X-ray diffractometer according to claim 1, wherein the plurality of light receiving elements are arranged in a row at predetermined intervals.
【請求項5】 前記複数の受光素子は、所定間隔で1列
に配列された受光素子が複数列に配列されていることを
特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のX線回折装
置。
5. The X-ray diffraction according to claim 1, wherein the plurality of light receiving elements are arranged in a plurality of rows at a predetermined interval. apparatus.
【請求項6】 前記複数列を構成する各列は、前記所定
間隔より小さい距離だけ隣接する他の列とずらして配列
されていることを特徴とする請求項5記載のX線回折装
置。
6. The X-ray diffractometer according to claim 5, wherein each of the plurality of columns is arranged so as to be offset from other columns adjacent to each other by a distance smaller than the predetermined interval.
【請求項7】 前記ステージは、前記試料を設置する設
置面の向きを調整可能であることを特徴とする請求項1
〜6のいずれかに記載のX線回折装置。
7. The stage is capable of adjusting the orientation of an installation surface on which the sample is installed.
X-ray diffraction apparatus in any one of.
【請求項8】 前記ステージは、前記試料を設置する設
置面内における回転角度位置を調整可能であることを特
徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のX線回折装
置。
8. The X-ray diffractometer according to claim 1, wherein the stage is capable of adjusting a rotational angle position within an installation surface on which the sample is installed.
【請求項9】 前記照射部は、前記X線として、白色光
を照射可能であることを特徴とする請求項1〜8のいず
れかに記載のX線回折装置。
9. The X-ray diffractometer according to claim 1, wherein the irradiation section can emit white light as the X-ray.
【請求項10】 試料を設置するステージと、所定の照
射軸方向にX線を照射可能であり、該照射軸を前記ステ
ージに向けて設置された照射部と、所定の受光軸方向か
らの反射X線を受光可能であり、該受光軸を前記ステー
ジに向けて設置された受光部とを備え、前記照射軸の前
記ステージに対する角度と、前記受光軸の前記ステージ
に対する角度とを独立に調整可能であり、所定パターン
に配列された複数の受光素子からなる検出器を前記受光
部に備えるX線回折装置を用いて、 前記複数の受光素子それぞれの検出信号に基づいて、所
定範囲の空間全体について、一回の測定処理で反射X線
の測定を行うことを特徴とする反射X線測定方法。
10. A stage on which a sample is set, X-rays can be irradiated in a predetermined irradiation axis direction, and an irradiation unit installed with the irradiation axis facing the stage, and reflection from a predetermined light receiving axis direction. It is possible to receive X-rays, and a light receiving section is installed with the light receiving axis facing the stage, and the angle of the irradiation axis with respect to the stage and the angle of the light receiving axis with respect to the stage can be adjusted independently. Is, using an X-ray diffraction device having a detector composed of a plurality of light receiving elements arranged in a predetermined pattern in the light receiving section, based on the detection signals of each of the plurality of light receiving elements, for the entire space of a predetermined range A method for measuring reflected X-rays, wherein the reflected X-rays are measured in a single measurement process.
【請求項11】 前記検出器を前記受光軸方向に移動す
ることにより、反射X線測定における分解能を任意に調
整することを特徴とする請求項10記載の反射X線測定
方法。
11. The reflected X-ray measurement method according to claim 10, wherein the resolution in the reflected X-ray measurement is arbitrarily adjusted by moving the detector in the light receiving axis direction.
【請求項12】 前記検出器の前記受光軸に対する設置
角度を変化させることにより、反射X線測定における分
解能を任意に調整することを特徴とする請求項10また
は11記載の反射X線測定方法。
12. The reflection X-ray measurement method according to claim 10, wherein the resolution in reflection X-ray measurement is arbitrarily adjusted by changing the installation angle of the detector with respect to the light receiving axis.
【請求項13】 前記照射部の照射軸と、前記受光部の
受光軸とがなす角を保ちつつ、前記照射軸の前記ステー
ジに対する角度を変化させる動作により、所定範囲の空
間全体について、一回の測定処理で反射X線の測定を行
うことを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載
の反射X線測定方法。
13. The operation of changing the angle of the irradiation axis with respect to the stage while maintaining the angle between the irradiation axis of the irradiation section and the light reception axis of the light receiving section is performed once for the entire space within a predetermined range. The reflected X-ray measurement method according to claim 10, wherein the reflected X-ray measurement is performed in the measurement process.
【請求項14】 前記複数の受光素子は、所定間隔で配
列され、前記検出器を該所定間隔より小さい移動量だけ
移動して反射X線を測定することにより、任意の分解能
で反射X線測定を行うことを特徴とする請求項10〜1
3のいずれかに記載の反射X線測定方法。
14. The reflected X-ray measurement is performed at an arbitrary resolution by arranging the plurality of light receiving elements at a predetermined interval and measuring the reflected X-ray by moving the detector by a movement amount smaller than the predetermined interval. 10. The method according to claim 10, wherein
The reflected X-ray measurement method according to any one of 3 above.
【請求項15】 請求項1〜9のいずれかに記載のX線
回折装置を用いた逆格子空間マップ作成方法。
15. A reciprocal lattice space map creating method using the X-ray diffractometer according to claim 1.
【請求項16】 請求項1〜9のいずれかに記載のX線
回折装置を用いて、試料に対し、In−Plane測定を行う
ことにより、試料に含まれる結晶の面内回転角度分布
と、入射X線の波数ベクトルと反射X線の波数ベクトル
とのなす角とに基づく特性を取得することを特徴とする
逆格子空間マップ作成方法。
16. An in-plane rotation angle distribution of crystals contained in the sample by performing In-Plane measurement on the sample using the X-ray diffraction apparatus according to claim 1. A reciprocal lattice space map creating method, characterized in that a characteristic based on an angle formed by a wave number vector of an incident X-ray and a wave number vector of a reflected X-ray is obtained.
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