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JP2003188089A - 露光条件算出方法、露光条件算出プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、装置及び露光条件算出サービス提供方法 - Google Patents

露光条件算出方法、露光条件算出プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、装置及び露光条件算出サービス提供方法

Info

Publication number
JP2003188089A
JP2003188089A JP2001389186A JP2001389186A JP2003188089A JP 2003188089 A JP2003188089 A JP 2003188089A JP 2001389186 A JP2001389186 A JP 2001389186A JP 2001389186 A JP2001389186 A JP 2001389186A JP 2003188089 A JP2003188089 A JP 2003188089A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
chip
area
effective
areas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001389186A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hatayama
貴士 畑山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2001389186A priority Critical patent/JP2003188089A/ja
Publication of JP2003188089A publication Critical patent/JP2003188089A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 性能の低いチップが作成されることを未然に
防止し、コスト面での効率を上げること、或いは、多岐
に亘る露光装置のユーザーに対して、使いやすい露光条
件算出方法を提供することである。 【解決手段】 基板にチップを形成可能なチップ形成可
能領域のサイズを示す基板情報と、チップ領域のサイズ
を示すチップ情報と、露光領域のサイズを示す露光情報
と、に基づいて、チップ形成可能領域内に配列される複
数のチップ領域からなるチップ領域配列、及び/又は、
少なくとも一つのチップ領域を露光可能な露光領域から
なる露光領域配列と、を求める際に、露光領域配列を構
成する各露光領域が実際に露光すべき有効露光領域であ
るか否かを判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光条件算出方
法、露光条件算出プログラム、記録媒体、レチクルの製
造方法、構造体の製造方法、装置及び露光条件算出サー
ビス提供方法に関し、特にSiウエハなどの基板に多く
のチップを形成する際の露光工程において、チップをど
のように配置し、且つそれをどのように露光すべきかを
判断する際に用いられる、各種条件を算出するための露
光条件算出方法と、それを利用した各種方法、及び各種
装置、並びに、露光条件算出サービスを提供するビジネ
スモデルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】基板としての半導体ウエハからチップを
取り出すときには、なるべく多くのチップが取り出せる
ように、ウエハ表面における、チップを形成すべき領域
(チップ領域)の配列パターンを、選択することが望ま
しい。
【0003】一方、ステッパと呼ばれる縮小投影露光装
置を用いる場合には、その投影サイズによって決まる露
光領域を逐次移動させながらウエハを逐次露光すること
になる。
【0004】この場合、露光領域のサイズ(ショットサ
イズ)より、チップ領域のサイズ(チップサイズ)が十
分小さい場合には、複数のチップ領域を1回(1ショッ
ト)で露光することができる。すなわち、ウエハを、該
ウエハより面積が小さく且つ複数のチップ領域を一括し
て露光できる露光領域に分けて、ウエハをレチクルに対
して相対的に移動させながら逐次露光する場合には、露
光回数(ショット数)を考慮することが、露光処理のス
ループットを向上させる一因となる。
【0005】ショットサイズとチップサイズに応じて、
最大の数のチップを取り出せるようにチップ領域の配列
(チップレイアウト)を行い、その配列のチップを露光
するための回数が最小となるように露光領域の配列(シ
ョットレイアウト)を決める方法が例えば、特開平11
−274053号に記載されている。
【0006】図28は、上記公報などに記載されている
各露光領域を算出する手法を示すフローチャートであ
る。
【0007】図29,図30は、図28に示すフローチ
ャートの説明を補足するための半導体ウエハの平面図で
ある。図29,図30において、151は半導体ウエ
ハ、152は半導体ウエハ151のチップ形成可能領
域、153はチップサイズを示すチップ領域である。
【0008】図31〜図33は、図29に示す半導体ウ
エハ上の露光領域の配列の計算説明図である。図31〜
図33において、154,154’は露光サイズを示す
露光領域、156は露光領域154’の対角線相互の交
点である。
【0009】図28に示すように、従来の露光条件算出
方法では、まず半導体ウエハ151のサイズ、チップ形
成可能領域152のサイズ、チップ領域153のサイズ
などの各種情報を入力し、記憶する(ステップS1)。
【0010】そして、これらの情報に基づいて半導体ウ
エハ151上における複数種のチップ領域の配列(チッ
プレイアウト)を求める(ステップS2)。
【0011】例えば、半導体ウエハ151上において、
複数種のチップ領域153の配列を求めて、その結果、
チップ領域153の数が多い上位2つのチップレイアウ
トが図29と図30であったとする。図29に示すチッ
プレイアウトの場合には、半導体ウエハ151上にチッ
プ領域153を33個分確保できる。
【0012】一方、図30に示すチップレイアウトの場
合には、半導体ウエハ151上にチップ領域153を3
2個分確保できる。ここでは、図29の方が、図30よ
りも多くチップ領域153が確保できるので、図29に
示したチップレイアウトが選択される(ステップS
3)。
【0013】つづいて、図29に示した配列のチップ領
域153を露光できる複数種の露光領域の配列(ショッ
トレイアウト)を求め、各ショットレイアウトに必要な
ショット数を計算する(ステップS4)。
【0014】計算されたショット数を比較して、最もシ
ョット数が少ないショットレイアウトを選択する(ステ
ップS5)。
【0015】ステップS4,S5について、具体的に説
明するに、33個のチップ領域153を形成しようとす
ると、図31〜図33に示すように、いずれの場合に
も、7つの露光領域154,154’からなるショット
レイアウトが求められる。
【0016】図31〜図33のいずれのショットレイア
ウトの場合もショット数が同じであるため、このうちの
一つ或いは3つ全てが選択される。
【0017】そして、このショットレイアウトなどの最
終的な選択結果がディスプレイなどに表示される(ステ
ップS6)。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
よる算出装置の算出結果に従って露光装置を用いて露光
を行ってチップを形成すると、製造歩留まりが思うよう
に向上しないことがあった。その原因を探ってみると、
例えば図31に示すチップレイアウトとショットレイア
ウトでウエハに多数のチップを作成した場合、3つの露
光領域154’内に形成される合計5個のチップは他の
チップに比べて相対的に性能が低いことが多く、場合に
よっては動作しないものもあった。
【0019】これとは別の課題として、例えば図31の
図中右上に位置する露光領域154’で形成できるチッ
プの数はたったの1個である。このような場合を含む露
光工程は、チップの総合的な製造コストを考えると、決
して効率的なものとはいえないことが判明した。
【0020】また、上述した露光条件の算出方法は、ス
タンドアローンのコンピュータを用いて実行されていた
ため、露光装置のユーザーの負荷、例えば、算出プログ
ラムのバージョンアップなどの保守に係わる負荷が増し
ていた。また、製造する集積回路チップ、使用するウエ
ハ、使用する製造プロセス、使用する露光装置等、算出
において考慮すべき情報が多岐に亘るために、算出方法
は露光装置のユーザー任せになっており、統一された算
出基準を創り出そうという発想すらなかった。特に、ノ
ウハウのない露光装置の新規ユーザーにとってみれば、
使い勝手が大変悪いものとなっていた。
【0021】そこで、本発明の一つの目的は、性能の低
いチップが作成されることを未然に防止できる、露光条
件算出方法、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、
露光条件算出プログラム、記録媒体、装置及び露光条件
算出サービス提供方法を提供することにある。
【0022】本発明の別の目的は、コスト面での効率を
上げ、ローコストでチップを作成できる、露光条件算出
方法、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、露光条
件算出プログラム、記録媒体、装置及び露光条件算出サ
ービス提供方法を提供することにある。
【0023】本発明の更に別の目的は、多岐に亘る露光
装置のユーザーに対して、使いやすい露光条件算出方法
を提供できる露光条件算出サービス提供方法を提供する
ことにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上述
した目的を達成するための、本発明は、基板を、該基板
より面積が小さく且つチップを形成すべきチップ領域の
複数を露光できる露光領域に分けて、逐次露光する場合
の露光条件を算出するための露光条件算出方法におい
て、入力された、少なくとも前記基板に前記チップを形
成可能なチップ形成可能領域のサイズを示す基板情報
と、少なくとも前記チップ領域のサイズを示すチップ情
報と前記露光領域のサイズを示す露光情報と、に基づい
て、前記チップ形成可能領域内に配列される複数のチッ
プ領域からなるチップ領域配列、及び/又は、少なくと
も一つの前記チップ領域を露光可能な露光領域からなる
露光領域配列と、を求める際に、前記露光領域配列を構
成する各露光領域が実際に露光すべき有効露光領域であ
るか否かを判定することを特徴とする。
【0025】本発明においては、前記判定は、前記基板
情報と前記露光情報から算出された判定条件を基準にな
されるとよい。
【0026】前記判定は、前記露光領域の中心点が前記
基板の像形成可能領域内に納まるか否かを基準になされ
るとよい。
【0027】前記判定は、予め入力された判定条件を基
準になされるとよい。
【0028】前記判定は、判定すべき一つの露光領域に
よって露光可能な前記チップ形成可能領域内の前記チッ
プ領域の数を基準になされるとよい。
【0029】前記有効露光領域の数と、前記有効露光領
域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能領域内の
前記チップ領域、即ち有効チップ領域の数とを算出する
工程を更に有するとよい。
【0030】仮想上、前記チップ領域配列及び前記露光
領域配列の少なくともいずれか一方の基板上での配置位
置を変更し、それに対応した前記有効露光領域の数と該
有効露光領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可
能領域内の前記有効チップ領域の数とを算出する工程を
繰り返し行うとよい。
【0031】前記有効露光領域の全てにより露光可能な
前記チップ形成可能領域内の前記有効チップ領域の数が
最大となる前記有効露光領域からなる有効露光領域配列
及びそれに対応した有効チップ領域配列の情報を選択す
る工程を更に有するとよい。
【0032】前記有効露光領域の全てにより露光可能な
前記チップ形成可能領域内の前記有効チップ領域の数が
最大となる前記有効露光領域からなる有効露光領域配列
及びそれに対応した有効チップ領域配列の情報を選択す
るとともに、選択された情報のなかから前記有効露光領
域の数が最小となる前記有効露光領域配列配列及びそれ
に対応した有効チップ領域配列の情報を選択する工程を
更に有するとよい。
【0033】前記チップ形成可能領域内の前記チップ領
域の数が最大となる前記チップ領域配列を選択する工
程、選択されたチップ領域配列を露光可能な前記露光領
域からなる前記露光領域配列を算出した後に前記判定を
行う工程、前記判定で有効でない露光領域が検出された
場合に、少なくとも、算出した露光領域配列における前
記有効露光領域のすべてにより露光可能な前記有効チッ
プ領域の数を算出する工程、を更に有するとよい。
【0034】前記判定で有効でない露光領域が検出され
た場合に、少なくとも、算出した露光領域配列における
前記有効露光領域のすべてにより露光可能な前記有効チ
ップ領域の数を算出する工程から、前記チップ形成可能
領域内の前記チップ領域の数が最大となる前期チップ領
域配列を選択する工程に処理を戻し、その際、算出した
有効チップ領域の数を用いて最大となる前期チップ領域
配列を選択するとよい。
【0035】前記有効露光領域の判定を行いながら有効
露光領域配列を算出し、それに対応する前記有効露光領
域の数と該有効露光領域により露光可能な前記チップ形
成可能領域内の前記有効チップ領域の数とを算出する工
程を繰り返し行い、有効チップ領域の数が最大となる前
記有効露光領域配列及びそれに対応した有効チップ領域
配列の情報を選択する工程を更に有するとよい。
【0036】クライアントコンピュータから、前記基板
情報、前記チップ情報、及び前記露光情報を入力し、前
記判定をサーバーコンピュータにおいて行うとよい。
【0037】クライアントコンピュータから、前記基板
情報、前記チップ情報、及び前記露光情報を入力し、前
記判定をサーバーコンピュータにおいて行い、算出した
情報又は選択した情報の少なくともいずれか一方をクラ
イアントコンピュータに送信し、当該情報に基づいて対
応する前記チップ領域配列パターンと前記露光領域配列
パターンとをクライアントコンピュータにおいて表示す
るとよい。
【0038】算出した情報又は選択した情報の少なくと
もいずれか一方を表示する工程を更に有するとよい。
【0039】算出した情報又は選択した情報の少なくと
もいずれか一方を表示するとともに、その表示形態が複
数種のなかから選択可能であるとよい。
【0040】前記基板情報には前記基板の形状を示す情
報が含まれるとよい。
【0041】前記基板情報にはホトレジストが被覆され
ている像形成可能領域を示す情報が含まれるとよい。
【0042】前記チップ情報には前記チップ間のスクラ
イブ幅を示す情報が含まれるとよい。
【0043】前記露光情報には投影レンズの投影サイズ
と、前記露光領域の移動量を示す情報が含まれるとよ
い。
【0044】前記露光情報には投影レンズの投影サイズ
と、前記露光領域内のチップ領域の行列とを示す情報が
含まれるとよい。
【0045】前記チップ領域のサイズと前記投影レンズ
の投影サイズに基づいて前記露光領域内のチップ領域の
行列を算出するとよい。
【0046】前記露光領域内の前記チップ領域の行列情
報が入力されるとよい。
【0047】また、本発明は、上述した露光条件算出方
法をコンピュータに実行させることを特徴とする露光条
件算出プログラムである。
【0048】本発明においては、前記露光条件算出プロ
グラムはJava(登録商標)言語プログラムであると
よい。
【0049】また、本発明は、上述した露光条件算出プ
ログラムを格納したことを特徴とする記録媒体である。
【0050】そして、本発明のレチクルの製造方法は、
上述した露光条件算出方法を利用して、算出された前記
露光領域内のチップ領域の行列情報を基に、露光装置用
のレチクルの光学パターンを製造することを特徴とする
レチクルの製造方法である。
【0051】本発明においては、支持体上の遮光膜上に
ホトレジストを形成し、算出された前記露光領域内のチ
ップ領域の行列情報を基に、前記ホトレジストに露光装
置用のレチクルの光学パターン像を露光し、露光された
ホトレジストを現像し、現像されたホトレジストをエッ
チングマスクとしてエッチングすることにより、前記支
持体上に遮光パターンを形成する工程を含むとよい。
【0052】本発明の構造体の製造方法は、上述した露
光条件算出方法を利用して得られた有効露光領域配列パ
ターンに基づいて、露光装置により前記基板表面のホト
レジストを露光し、露光されたホトレジストを現像する
ことによりレジストパターンを形成する工程を含むこと
を特徴とする構造体の製造方法である。
【0053】本発明においては、構造体の製造方法にお
いて、上述した露光条件算出方法を利用して得られた有
効露光領域配列パターンに基づいて、露光装置により前
記基板表面のホトレジストを露光し、現像することによ
りレジストパターンを形成する工程、前記レジストパタ
ーンをマスクとして用いることによって前記基板の表面
を加工する工程、を含むとよい。
【0054】また、本発明は、上述した露光条件算出方
法を実行することを特徴とする露光条件算出用の装置で
ある。
【0055】さらに、本発明は、基板を露光するための
装置において、上述した露光条件算出方法を利用して得
られた有効露光領域配列パターンに基づいて、基板をレ
チクルに対して相対的に移動させて逐次露光を行うこと
を特徴とする装置である。
【0056】本発明においては、前記装置は、各露光領
域の全域を同時に露光するとよい。
【0057】本発明においては、前記装置は、各露光領
域の全域を走査露光するとよい。
【0058】本発明は、基板を、該基板より面積が小さ
く且つチップを形成すべきチップ領域の複数を露光でき
る露光領域に分けて、逐次露光する場合の露光条件を算
出するための露光条件算出用の装置において、少なくと
も前記基板に前記チップを形成可能なチップ形成可能領
域のサイズを示す基板情報と、少なくとも前記チップ領
域のサイズを示すチップ情報と前記露光領域のサイズを
示す露光情報とを入力する入力部と、前記入力部によっ
て入力された各情報に基づいて、前記チップ形成可能領
域内に配列される複数のチップ領域からなるチップ配列
パターンと、少なくとも一つの前記チップ領域を露光可
能な露光領域からなる露光領域配列パターンと、を求め
る算出部と、を有し、前記算出部は、前記露光領域配列
パターン構成する各露光領域が実際に露光すべき有効露
光領域であるか否かを判定する判定部を、備えているこ
とを特徴とする装置である。
【0059】本発明においては、前記算出部は、有効露
光領域内に納まる有効チップ領域数を算出するととも
に、前記算出部の算出結果のなかで最も多くの有効チッ
プ領域数が得られる有効露光領域の配列条件を選択する
選択部とを備えるとよい。
【0060】本発明においては、基板を露光するための
露光用の装置において、上記装置により選択された前記
有効露光領域の配列パターンに従って、前記基板の露光
を行うとよい。
【0061】そして、本発明は、基板を、該基板より面
積が小さく且つチップを形成すべきチップ領域の複数を
露光できる露光領域に分けて、逐次露光する場合の露光
条件を算出し、その結果を提供する露光条件算出サービ
ス提供方法において、前記露光条件算出方法をコンピュ
ータに実行させる露光条件算出プログラムを格納したサ
ーバーコンピュータを用意し、ネットワークを介して接
続されるクライアントコンピュータからの要求に応じ
て、前記サーバーコンピュータに、少なくとも前記基板
に前記チップを形成可能なチップ形成可能領域のサイズ
を示す基板情報と、少なくとも前記チップ領域のサイズ
を示すチップ情報と前記露光領域のサイズを示す露光情
報を入力して前記露光条件算出方法を実行させ、得られ
た結果を前記クライアントコンピュータに送信すること
を特徴とする露光条件算出サービス提供方法である。
【0062】本発明においては、前記チップ形成可能領
域内に配列される複数のチップ領域からなるチップ領域
配列、及び/又は、少なくとも一つの前記チップ領域を
露光可能な露光領域からなる露光領域配列と、を求める
際に、前記露光領域配列を構成する各露光領域が実際に
露光すべき有効露光領域であるか否かを判定するとよ
い。
【0063】さらに、前記有効露光領域の数と、前記有
効露光領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能
領域内の前記有効チップ領域の数とを算出し、その結果
と、前記有効露光領域の配列及び前記有効チップ領域の
配列と、をWWWブラウザ上で表示するためのデータを
送信するとよい。
【0064】本発明においては、基板を、該基板より面
積が小さく且つチップを形成すべきチップ領域の複数を
露光できる露光領域に分けて、逐次露光する場合の露光
条件を算出し、その結果を提供する露光条件算出サービ
ス提供方法において、前記露光条件算出方法をコンピュ
ータに実行させる露光条件算出プログラムを格納したサ
ーバーコンピュータを用意し、ネットワークを介して接
続されるクライアントコンピュータからの要求に応じて
露光条件算出プログラム自身を前記クライアントコンピ
ュータに送信することを特徴とする露光条件算出サービ
ス提供方法である。
【0065】さらに、前記チップ形成可能領域内に配列
される複数のチップ領域からなるチップ領域配列、及び
/又は、少なくとも一つの前記チップ領域を露光可能な
露光領域からなる露光領域配列と、を求める際に、前記
露光領域配列を構成する各露光領域が実際に露光すべき
有効露光領域であるか否かを判定するとよい。
【0066】そして、前記有効露光領域の数と、前記有
効露光領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能
領域内の前記チップ領域の数である有効チップ領域数と
を算出し、その結果と、前記有効露光領域の配列及び有
効チップ領域の配列と、をWWWブラウザ上で表示させ
る前記露光条件算出プログラムを送信するとよい。
【0067】また、前記露光条件算出プログラムはJa
va(登録商標)言語プログラムであるとよい。
【0068】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
【0069】図1は、本発明の基本的な実施形態による
露光条件算出方法の処理フローチャートを示している。
【0070】本実施形態は、半導体ウエハのような基板
を、該基板より面積が小さく且つチップを形成すべきチ
ップ領域の複数を露光できる露光領域に分けて、複数回
露光する場合の露光条件を算出するための露光条件算出
方法において、以下のような処理を行う。
【0071】工程S11に示すように、少なくとも基板
に前記チップを形成可能なチップ形成可能領域のサイズ
を示す基板情報、少なくとも前記チップ領域のサイズを
示すチップ情報、及び、露光領域のサイズを示す露光情
報などの各種情報を入力し、記憶する。
【0072】つぎに、工程S12において、入力された
各種情報に基づいて、チップ形成可能領域内に配列され
る複数のチップ領域からなるチップ領域配列(チップレ
イアウト)と、少なくとも一つのチップ領域を露光可能
な露光領域からなる露光領域配列(ショットレイアウ
ト)と、を求める計算を行う。ここでは、チップレイア
ウトを先に算出してから、ショットレイアウトを算出し
てもよいし、その逆でもよく、また同時に計算してもよ
い。
【0073】この時に、工程S13において、露光領域
配列を構成する各露光領域が実際に露光すべき有効露光
領域であるか否かを判定する。
【0074】そして、工程S14において、判定結果
や、計算により求めたチップレイアウト、ショットレイ
アウトなどの情報を出力する。
【0075】本発明において算出する露光条件とは、チ
ップレイアウト、ショットレイアウト、チップ数、ショ
ット数、有効チップ数、有効ショット数などから選択さ
れる少なくとも1種である。
【0076】前述した通り、図31のようなショットレ
イアウトの場合、露光領域154’のチップ領域153
に形成されるチップの性能が相対的に悪かった。これ
は、露光装置を用いて、実際に、ウエハ上の露光領域1
54’を露光する際には、投影領域の中心(ショットの
中心)に相当する交点156を基準に焦点合わせを行う
が、交点156がウエハ151の像形成可能領域(ここ
ではチップ形成可能領域152と同じ場合とする)内に
納まらない場合には、正確な焦点合わせが行えず、像が
ボケることがあったからである。
【0077】そこで、このような不具合の可能性がある
露光領域は、チップの作成において注意を払わねばなら
ない要注意露光領域(以下、無効露光領域という)と認
定することが重要である。つまり、本実施形態では、工
程S13において少なくとも一つのチップ領域153を
露光可能な露光領域154、154’からなるショット
レイアウトを求めた場合に、そのショットレイアウトを
構成している各露光領域154、154’が、実際に露
光すべき有効ショットであるか否かを判定し、その判定
結果を実際の露光装置又はそのオペレータなどに提供す
る。これにより、露光装置又はそのオペレータには、実
際の露光の際に、無効な露光領域154’を排除すべき
かどうかを選択する機会が与えられる。
【0078】上述した判定は、基板情報と露光情報から
算出された判定条件を基準になされる場合、好ましく
は、判定が、露光領域の中心点が基板の像形成可能領域
内に納まるか否かを基準になされる実施形態である。
【0079】これとは別に、以下に述べる実施形態は、
前記判定が、予め入力された判定条件を基準になされる
ものであって、好ましくは、判定が、判定すべき一つの
露光領域によって露光可能なチップ形成可能領域内のチ
ップ領域の数を基準になされるものである。
【0080】上述したように、例えば図31の図中右上
に位置する露光領域154’で形成できるチップの数は
たったの1個であるため、チップの総合的な製造コスト
を考えると、決して効率的なものとはいえない場合があ
る。そして、露光領域154’によって形成されるチッ
プであっても、必要な性能基準を満足することもあるの
で、かならずしも、露光領域154’によって形成され
るチップを排除すべきものとは限らない。
【0081】そこで、例えば、総合的なコスト削減を優
先するような場合には、1ショットにより露光できるチ
ップの数が、所定の数を下回った場合に、そのショット
を無効なショットと判定することが好ましいものであ
る。例えば、図31の場合には、チップ数比較のための
判定閾値を2とすれば、図中右上の露光領域154’
は、1チップしか露光できないので、作成コスト低減の
ために排除すべき露光領域(これも、無効露光領域と呼
ぶことにする)として判定される。こうして、判定結果
を実際の露光装置又はそのオペレータに供給することに
より、露光装置又はそのオペレータには、実際の露光の
際に、コスト削減を優先して、無効な露光領域154’
を排除すべきかどうかを選択する機会が与えられる。
【0082】更には、判定結果に基づいて、有効ショッ
トの数と、全ての有効ショットにより露光可能なチップ
形成可能領域内のチップの数(有効チップ数)とを算出
することも好ましいものである。
【0083】より好ましくは、チップレイアウト及びシ
ョットレイアウトの少なくともいずれか一方のウエハ上
での配置位置を変更して複数種のチップレイアウト及び
ショットレイアウトを求め、それらの各々に対応した有
効ショットの数と全ての有効ショットにより露光可能な
チップ形成可能領域内の有効チップ数とを算出する工程
を繰り返し行い、得られた算出結果のなかから有効チッ
プ数が最大で且つ有効ショット数が最小となるチップレ
イアウト及びショットレイアウトを選択するとよい。
【0084】例えば、半導体ウエハ151上において,
複数種のチップ領域153の配列を求めて、その結果、
チップ領域153の数が多い上位2つのチップレイアウ
トとして求められたものが図29と図30であるとす
る。また、図29のチップレイアウトにショットレイア
ウトを当てはめたものが図31〜34、図30のチップ
レイアウトにショットレイアウトを当てはめたものが図
34、であるとする。
【0085】この場合、工程S13に示す、有効露光領
域であるか否かを判定する処理が行われなければ、チッ
プ数が最大でショット数が最小のショットレイアウトと
して、図31又は図32又は図33を選択し、チップ数
は33個、ショット数は7回という露光条件を算出して
しまう。
【0086】しかしながら、工程S13に示す、有効露
光領域であるか否かを判定する処理が行われれば、実際
には、図31は有効チップ数28個で有効ショット数4
回、図32は有効チップ数30個で有効ショット数6
回、図33は有効チップ数28個で有効ショット数4
回、という露光条件が導けるばかりでなく、チップ数が
最大で且つショット数が最小となるショットレイアウト
として有効チップ数32個で有効ショット数4回となる
図34を最適な露光条件として選択することができる。
【0087】(実施形態1)より具体的な実施形態につ
いて説明する。
【0088】本実施形態は、チップ形成可能領域内のチ
ップ数が最大となるチップレイアウトを選択し、選択さ
れたチップレイアウトを露光可能な露光領域からなる複
数種のショットレイアウトを算出するが、その際、それ
ら各々のショットレイアウトに対して前述した判定を行
って有効ショットレイアウトを求め、それら有効ショッ
トレイアウトにおける有効ショット数及び有効チップ数
を算出した上で、有効チップ数が最大で且つ有効ショッ
ト数が最小となる有効ショットレイアウトを選択する露
光条件算出方法である。
【0089】図2は本発明の一実施形態による露光条件
算出方法のうち、図1の工程S12及び工程S13に相
当する処理の具体例を示している。
【0090】まず、図1の工程S11と同様に、チップ
形成可能領域のサイズ、チップ領域のサイズ、露光領域
のサイズなどの各種情報が入力され、それらを記憶す
る。
【0091】そして、これらの情報に基づいてウエハ上
への各種チップレイアウトを計算して求め、各チップレ
イアウトにおけるチップ数を計算する(図2のステップ
S21)。
【0092】チップ数を比較して、最も多くチップ領域
を形成できるようなチップレイアウトを求める(図2の
ステップS22)。
【0093】そして、つぎに、最も多くチップ領域を形
成できるようなチップレイアウトを露光できる各種ショ
ットレイアウトを計算することになるが、この時に所定
の条件を判定基準にして、そのショットレイアウトを構
成する各露光領域が有効露光領域であるか、無効露光領
域であるかを判定し、有効露光領域だけを抽出して有効
ショットレイアウトを求める(図2のステップS23と
ステップS24)。
【0094】判断基準として、前述したようなショット
の焦点位置を基準とする場合には、図31の露光領域1
54’は無効と判断し、露光領域154は有効と判断
し、有効露光領域の数、つまり有効ショットの数を計算
する。1ショットで露光できるチップ数が2個以上であ
るか否かを基準とする場合には、例えば、図31の右上
の露光領域154’は無効と判断し、それ以外の露光領
域は有効と判断する。
【0095】そして、各種有効ショットレイアウトにお
ける有効ショットの数と有効チップの数とを算出する
(図2のステップS25)。
【0096】つづいて、各種有効ショットレイアウトに
おける有効チップ数及び有効ショット数を比較して、有
効チップの数が最も多く且つ有効ショットの数が最も少
ない有効ショットレイアウトを選択する(図2のステッ
プS26)。
【0097】そして、工程S14と同様に、その判定結
果に基づく有効なショットレイアウトや有効なチップレ
イアウトなどの情報を出力し、実際の露光装置又はその
オペレータに供給する。
【0098】これにより、露光装置又はそのオペレータ
は、実際の露光の際に、有効な露光領域のみを用いて露
光ができるので、効率的なチップの製造ができる。
【0099】(実施形態2)前述した実施形態では、有
効露光領域の判定結果を考慮しているので、効率的なチ
ップの製造ができる算出方法であるが、場合によって
は、一枚の基板から得られる性能のよいチップの数を更
に増やすこともできる。換言すると、最大のチップ数を
得るための、より正確な計算を行うことができる形態が
あり、それについて説明する。
【0100】本実施形態は、チップ形成可能領域内のチ
ップ数が最大となるチップレイアウトを選択する工程、
選択されたチップレイアウトを露光可能な露光領域から
なる複数種のショットレイアウトを算出するが、その
際、それら各々のショットレイアウトに対して前述した
判定を行って有効ショットレイアウトを求める工程、そ
れら有効ショットレイアウトにおける有効ショット数及
び有効チップ数を算出する工程、有効チップの数が最大
で且つ有効ショットの数が最小となる有効ショットレイ
アウトを選択する工程、無効ショットの存在を調べ、無
効ショットを認知したならば、有効チップレイアウトの
情報をチップレイアウトの情報として置き換え、有効チ
ップ数の情報をチップ数の情報として置き換え、チップ
形成可能領域内のチップ数が最大となるチップレイアウ
トを選択する工程に処理を戻す工程、を更に有する露光
条件算出方法である。
【0101】図3は本発明の一実施形態による露光条件
算出方法のうち、図1の工程S12及び工程S13に相
当する処理の具体例を示している。
【0102】まず、図1の工程S11と同様に、チップ
形成可能領域のサイズ、チップ領域のサイズ、露光領域
のサイズなどの各種情報が入力され、それらを記憶す
る。
【0103】そして、これらの情報に基づいてウエハ上
への各種チップレイアウトを計算して求め、各チップレ
イアウトにおけるチップ数を計算する(図3のステップ
S41)。
【0104】チップ数を比較して、最も多くチップ領域
を形成できるようなチップレイアウトを選択する(図3
のステップS42)。
【0105】そして、つぎに、最も多くチップ領域を形
成できるようなチップレイアウトを露光できる各種ショ
ットレイアウトを計算することになるが、この時に所定
の条件を判定基準にして、そのショットレイアウトを構
成する各露光領域が有効露光領域であるか、無効露光領
域であるかを判定し、有効露光領域だけを抽出して有効
ショットレイアウトを求める(図3のステップS43と
ステップS44)。
【0106】判断基準は前述した実施形態と同じであ
る。
【0107】つぎに、求めた有効ショットレイアウトに
おける有効チップ数及び有効ショット数を算出する(図
3のステップS45)。
【0108】ここで、ステップS44での判定で無効シ
ョットを検出したか否かを調べる。無効ショットを検出
していたら、ステップS42で選択したチップレイアウ
トでは所望のチップ数を確保できないということを意味
するので、ステップS42に処理を戻して再びチップ数
が最大となるチップレイアウトを選びなおす。この際、
無効ショットを検出したチップレイアウトに関しては、
有効チップ数を用いて選択を行う(図3のステップS4
6とステップS47)。
【0109】無効ショットを検出していなかったら、ス
テップS42で選択したチップレイアウトで所望のチッ
プ数を確保できることになる。そこで、有効チップ数が
最大で且つ有効ショット数が最小となる有効ショットレ
イアウトを選択する(図3のステップS48)。
【0110】そして、工程S14と同様に、その判定結
果に基づく有効なショットレイアウトや有効なチップレ
イアウトなどの情報を出力し、実際の露光装置又はその
オペレータに提供する。
【0111】これにより、露光装置又はそのオペレータ
は、実際の露光の際に、有効な露光領域のみを用いて露
光ができ、より一層効率的なチップの製造ができる。ま
た、チップ数を確保しつつショット数の少ないショット
レイアウトを容易に認識しうる。
【0112】この作用効果について補足説明する。
【0113】例えば、半導体ウエハ151上においてチ
ップ領域153の配列を複数通り求めて、その結果、チ
ップ領域153の数が多い上位2つのチップレイアウト
として求められたものが図29と図30であったとす
る。図29に示す場合には、ウエハ151上にチップ領
域153を33個分確保できる。図30に示す場合に
は、ウエハ151上にチップ領域153を32個分確保
できる。ここでは、図29の方が、図30よりも多くチ
ップ領域153が確保できるので、図29に示したチッ
プレイアウトがまず、選択される(ステップS42)。
【0114】つづいて、図29に示した配列のチップ領
域153を露光できる全てのショットレイアウト(図3
1〜図33に示したショットレイアウト)を求め、各シ
ョットレイアウトを構成するショットが有効であるか否
かを判定する。ここでは、符号154’に示すようなシ
ョットを無効と判断すると、図31と図33は有効ショ
ット数が4回で有効チップ数が28個、図32は有効シ
ョット数が6回で有効チップ数が30個となる(ステッ
プS43とステップS44とステップS45)。
【0115】前述した判定を行った結果、図31〜図3
4に示される全てのショットレイアウトにおいて無効シ
ョットが検出されたことになるので、ステップS42に
戻って、再びチップ数が最大となるチップレイアウトを
選択することになる。その際、図29に示すチップレイ
アウトに関してはチップ数33個と計算されていたが、
有効チップ数として算出された30個を使用する(ステ
ップS46とステップS47)。
【0116】ステップS42において、再びチップ数が
最大となるチップレイアウトを選択すると、図29のチ
ップ数は前述した通り30個で、図30のチップ数は3
2個となるので、今度は図30のチップレイアウトが選
択される。
【0117】以下同様に処理を進めていくと、図30の
チップレイアウトに当てはめた図34のショットレイア
ウトでは、全てのショットが有効ショットとなり、有効
チップ数が32個で有効ショット数が4回となる。
【0118】このように、チップレイアウトをショット
レイアウトよりも前の工程で行う処理フローでは、その
処理フローをチップレイアウトを行う工程まで戻らない
場合には、高性能チップの数は28個又は30個となっ
てしまうのに対して、本実施形態では、チップ数が最大
値より少なくなるチップレイアウトを基にした計算を再
び行うために、高性能チップの数は32個となる。
【0119】例えば、安定動作のために、符号154’
に示したような位置への露光を行わないように、露光装
置が設定されていた場合、その設定を知らないオペレー
タが、従来の方法を用いて計算すると、例えば図31〜
図33に示すように33枚のチップが形成できるような
条件を算出しても、実際にはそれぞれ28枚、30枚、
28枚しか所望のチップが形成できない、ショットレイ
アウトを算出してしまう。このような精度の低い算出方
法を基にして、レチクルの設計や製造をし、更にはそれ
を用いてLSIなどの構造体を製造してしまうと、不要
なコスト増となってしまう。
【0120】これに対して、本実施形態によれば、図3
0に示すチップレイアウトを選択し、32個のチップを
作成できるチップレイアウトと、それを露光できる最小
ショット数のショットレイアウトを算出し選択できるの
で、結果的に多くのチップを、低コストで作成すること
が容易になる。
【0121】(実施形態3)本実施形態は、有効ショッ
トの判定を行いながら有効ショットレイアウトを算出
し、それに対応する有効ショットの数と該有効ショット
により露光可能なチップ形成可能領域内の有効チップ数
とを算出する工程を繰り返し行い、有効チップ数が最大
となる有効ショットレイアウト及びそれに対応した有効
チップレイアウトの情報を選択する工程を更に有する露
光条件算出方法である。
【0122】図4は本発明の一実施形態による露光条件
算出方法のうち、図1の工程S12及び工程S13に相
当する処理の具体例を示している。
【0123】まず、図1の工程S11と同様に、チップ
形成可能領域のサイズ、チップ領域のサイズ、露光領域
のサイズなどの各種情報が入力され、それらを記憶す
る。
【0124】つぎに、これらの情報に基づいて、各種シ
ョットレイアウトを配列して、そのショットレイアウト
を構成する露光領域が所定の判定基準に基づいて有効で
あるか否かを判定する。例えば、露光領域の中心に相当
する露光領域の対角線相互の交点がウエハの像形成可能
領域内に納まるか否かを判定する。これにより、各種有
効ショットレイアウトを求める(図4のステップS51
とステップS52)。
【0125】そして、これらの情報に基づいて、有効シ
ョットレイアウトに対応した有効チップレイアウトを計
算して求め(図4のステップS53)、有効チップ数及
び有効ショット数を計算する(図4のステップS5
4)。
【0126】有効チップ数を比較して、最も多いチップ
領域を形成できるような有効ショットレイアウトを選択
する(図4のステップS55)。
【0127】最も多いチップ領域を形成できるような有
効ショットレイアウトが複数種ある場合には、必要に応
じて、有効ショット数が最も少なくなるレイアウトを選
択することも好ましいものである。
【0128】そして、工程S14と同様に、その判定結
果に基づく有効なショットレイアウトや有効なチップレ
イアウトなどの情報を出力し、実際の露光装置又はその
オペレータに提供する。
【0129】これにより、実施形態3と同様の作用効果
が得られる。
【0130】<露光条件算出装置の構成>ここで本発明
の露光条件算出方法を実現する装置の概略について説明
する。
【0131】図5は、本発明の一実施形態による露光条
件算出装置の構成を示す模式図である。
【0132】図5において、1は基板としての半導体ウ
エハのサイズやチップ形成可能領域(例えば半導体ウエ
ハに塗布されたホトレジストが存在する領域と同じか、
それより内側の領域)のサイズなどを示すウエハ情報,
チップ領域のサイズなどを示すチップ情報及び露光領域
のサイズなどの露光情報を入力する情報入力部、2は情
報入力部1で入力された各種情報を記憶する情報記憶
部、3は情報記憶部2によって記憶されている各種情報
に基づいてチップレイアウトやショットレイアウトを算
出し、チップ数やショット数を算出する算出部、4は算
出部3の算出結果を記憶する算出結果記憶部、5は算出
結果記憶部4によって記憶されている算出結果に基づい
て最良の露光条件を選択する最良露光条件選択部、6は
最良露光条件選択部5で選択された条件をモニタなどに
表示する露光条件表示部である。7が前述したように、
製造上非効率的或いは製造できない露光領域を除外する
ための、有効露光領域の判定を行う判定部である。
【0133】本発明における基板情報としては、ウエハ
直径などのサイズの情報、ノッチのあるウエハかオリエ
ンテーションフラットのあるウエハかなどの基板の形状
を示す情報、また、ホトレジストが被覆されている像形
成可能領域情報などである。また、ウエハ形状とサイズ
から所定の条件に基づいてチップ形成可能領域の情報を
算出してもよい。
【0134】本発明におけるチップ情報としては、チッ
プ長やチップ幅などのサイズの情報、チップ間のスクラ
イブ幅を示す情報が含まれる。
【0135】本発明における露光情報としては、露光領
域の最大幅や最大長などのフィールドサイズを示す情
報、投影レンズの直径などの投影サイズ情報、露光領域
の移動量を示す情報などであり、露光装置の型式情報を
入力することにより、予め対応付けられたそれらの情報
を選択する方法で入力してもよい。
【0136】もし、露光装置の光学マスク(レチクル)
が既に存在しており、それを用いて露光を行う場合に
は、一つの露光領域とそのなかのチップ領域の行列を示
す情報が、実質的にチップ情報と露光情報になるので、
入力される基板情報、チップ情報、露光情報は、かなら
ずしも3つの独立した情報でなくてもよい。また、この
場合には、チップレイアウトとショットレイアウトの相
対関係が既知であるので、少なくともショットレイアウ
トの情報が分かればよし、とすることもできる。
【0137】本発明における情報入力の方法としては、
キーボードなどの入力機器から各種情報を直接入力して
もよいし、マウスなどのポインティングデバイスとGU
Iを利用して、メモリに格納している情報のなかから選
択して入力することもできる。
【0138】本発明における情報記憶部としては、半導
体メモリ、磁気ディスク、光ディスクなどを用いること
ができる。
【0139】本発明における露光条件表示部としては、
コンピュータのディスプレイなどが好ましく用いられ
る。
【0140】そして、本発明の露光条件算出装置として
は、上述した露光条件算出方法を実行するプログラムを
格納した個別コンピュタシステム、クライアント・サー
バシステム、或いは露光装置でありうる。
【0141】図6は、本発明の露光条件算出装置を用い
たアプリケーションサービス提供システムの構成を示す
模式図である。
【0142】このシステムを用いた方法は、基板を、基
板より面積が小さく且つチップを形成すべきチップ領域
の複数を露光できる露光領域に分けて、逐次露光する場
合の露光条件を算出し、その結果を提供する露光条件算
出サービス提供方法において、露光条件算出方法をコン
ピュータに実行させる露光条件算出プログラムを格納し
たサーバーコンピュータ22を用意し、ネットワーク2
3を介して接続されるクライアントコンピュータ20か
らの要求に応じて、サーバーコンピュータ22に、少な
くとも基板にチップを形成可能なチップ形成可能領域の
サイズを示す基板情報と、少なくともチップ領域のサイ
ズを示すチップ情報と、露光領域のサイズを示す露光情
報を入力して露光条件算出方法を実行させ、得られた結
果をクライアントコンピュータ20に送信すること、ま
たは、サーバーコンピュータ22上にある露光条件算出
方法をコンピュータに実行させる露光条件算出プログラ
ム自身をクライアントコンピュータ20に送信するこ
と、を特徴とする。
【0143】以下詳述するに、符号20はディスプレイ
20aとキーボード20bなどの入出力デバイスを備え
たクライアントコンピュータであり、LAN、WAN、
インターネットなどの有線又は無線のネットワーク23
を介してサーバーコンピュータ22と通信可能に接続さ
れている。
【0144】サーバー22のハードディスクなどのスト
ーレージ22aには上記露光条件算出方法を実行するプ
ログラムが格納されており、クライアント20からの要
求に応じて、MPU等の演算装置22bによってDRA
M等の半導体メモリに読み込まれ、プログラムが起動さ
れる。もしくは、クライアント20からの要求に応じ
て、上記露光条件算出方法を実行するプログラムがクラ
イアント20に送信される、ようになっている。このよ
うなプログラムは、WWWブラウザ上で動作するプログ
ラム、例えばJava(登録商標)言語プログラム等で
あることが好ましいものである。
【0145】これらのシステム構成をとることによっ
て、結果的に、クライアント20側でWWWブラウザ上
で各種情報の入力を行うと、算出結果がクライアント2
0側WWWブラウザ上に表示される。
【0146】符号21は、露光装置を示している。露光
装置21では、光源21aからの光を照明光学系21b
によってレチクル24に照射し、レチクル24の光学像
が投影光学系21dによって可動ステージ21e上に載
置されたウエハWに結像される。この工程をウエハをレ
チクルに対して相対的に移動させながら繰り返し行う。
本発明に用いられる露光装置としては、各露光領域の全
域を同時に露光するステッパ、又は、各露光領域の全域
を走査露光するスキャナステッパ、などの縮小投影露光
装置が好ましく用いられる。
【0147】図6では、露光装置21は一つのクライア
ント20と、データ通信が可能に接続されており、クラ
イアント20の要求により、実行されたプログラムで得
られた露光条件結果が露光装置21に入力され、それに
応じて露光動作を制御するように構成されている。
【0148】もちろん、クライアント20と露光装置2
1とは、それぞれ独立していてもよく、その場合には、
オペレータが露光装置21に、得られた露光条件結果を
入力して露光動作を制御すればよい。
【0149】このような、クライアント・サーバ型のシ
ステム構成によれば、クライアントとなる、チップの作
成プロセスが異なるチップ製造プラントや製造ラインが
膨大な数になっても対応できるので、システムの保守が
容易であるとともに、汎用性の高いシステムを提供でき
る。よって、露光装置の製造会社又は販売会社として
は、付加価値の高いサービスを提供できる。
【0150】一方、本発明の露光条件算出方法は、それ
を実行するプログラムをスタンドアローンシステムに適
用することを妨げるものではなく、そのような場合に
は、CD−ROMなどの光ディスク、MOのような光磁
気ディスク、半導体メモリなどのリムーバブルな記憶媒
体に圧縮又は非圧縮された状態で格納されてもよい。
【0151】(実施形態4)以下に述べる本実施形態
は、前述した実施形態3を変更したものである。
【0152】図7は、本実施形態による露光条件算出装
置を説明するための模式図である。
【0153】ここで、61はウエハ情報、チップ情報及
び露光情報を入力する情報入力部、62は情報入力部6
1で入力された各種情報を記憶する情報記憶部、63は
情報記憶部62によって記憶されている各種情報に基づ
いてチップレイアウトやショットレイアウトを複数種算
出し、それぞれに対応したチップ数やショット数を算出
する露光配列算出部、64は算出部63の算出結果を記
憶する露光配列記憶部、65は記憶部64によって記憶
されている算出結果に基づいて最適露光条件を選択する
最適露光配列選択部、66は選択部65で選択された条
件をモニタなどに表示する露光条件表示部である。
【0154】そして、67が露光領域の有効性を判定す
る判定部である。基本的な構成は図5に示したものと同
じである。
【0155】図8は、図7に示した装置による露光条件
算出方法のフローチャートである。図9は、図7の判定
部67に示す有効露光領域の判定フローチャートの1例
である。
【0156】「情報入力ステップ」まず、入力部61に
よって、半導体ウエハ11の大きさやチップ形成可能領
域12のサイズなどを示すウエハ情報、チップ領域13
のサイズなどを示すチップ情報及び露光領域14のサイ
ズなどの露光情報が入力されると、これらの各種情報が
情報記憶部62によって記憶される(図8のステップS
61)。
【0157】ここで入力される各種情報の一例を図10
〜図12に示す。
【0158】図10は、ウエハ情報の入力の様子を示し
ており、ここでは予め装置の使用者や管理者がいくつか
のウエハ情報のパターンを設定しておき、それを例えば
ウエハ名で検索できるようにして、検索結果を露光条件
算出装置に入力できるようにした様子を示している。
【0159】すなわち、ウエハ名入力部31で予め用意
しているウエハ名のメニューのなかから所要のウエハ名
を選択すると、ウエハ名と一対で記憶されているウエハ
情報がウエハ情報参照テーブル32から読み出され、情
報入力部61を通じて露光条件算出装置に入力できるよ
うにしている。
【0160】ここで、ウエハ情報とは、例えば半導体ウ
エハ11の任意のウエハ名、、ウエハ直径などのウエハ
サイズの情報、或いは結晶方位を示すノッチ又はオリエ
ンテーションフラットの有無を示すウエハ形状の情報、
オリフラ長及び半導体ウエハ11の端部からのチップを
形成できない領域を示す幅の長さなどのチップ形成可能
領域を示す情報(チップ形成不可領域)、半導体ウエハ
11の端部から半導体ウエハ11上に形成されたレジス
トの端部までの長さなどの像形成可能領域を示す情報
(サイドリンス領域)などである。
【0161】なお、一度入力したウエハ情報は、ウエハ
名入力部31のメニュー及びウエハ情報参照テーブル3
2に格納され、次回のウエハ名の選択の際に、メニュー
のなかから選択可能としておくとよい。このように検索
機能を備えると、各種ウエハ情報を入力することがなく
なり、また入力項目が少なくなるので、ウエハ情報の誤
入力が少なくなる。
【0162】図11はチップ情報の入力の様子を示して
おり、ここでは予め装置の使用者や管理者がいくつかの
チップ情報を設定しておき、それをチップ名入力部41
及びチップ情報参照テーブル42を通じて例えばチップ
名で検索できるようにして、検索結果を露光条件算出装
置に入力できるようにした様子を示している。なお、検
索の際の動作は、図10の場合と同様である。
【0163】ここで、チップ情報とは、チップを識別す
る任意のチップ名称の情報、チップ幅CXの情報、チッ
プ長CYの情報、チップのダイシングに必要なスクライ
ブ幅の情報などである。
【0164】図12は露光情報の入力の様子を示してお
り、ここでは、予め装置の使用者や管理者がいくつかの
露光装置の情報を設定しておき、それを露光装置名入力
部51及び露光情報参照テーブル52を通じて例えば露
光装置名で検索できるようにして、検索結果を露光条件
算出装置に入力できるようにした様子を示している。な
お、検索の際の動作は、図10の場合と同様である。
【0165】ここで、露光情報とは、露光装置の(任意
の)名称の情報、投影レンズの直径の情報、露光最大幅
RXの情報、露光最大長RYの情報、逐次露光における
ウエハ移動量や走査露光か非走査露光かなどの露光方法
の情報などである。
【0166】なお、本発明が適用できる露光装置は、各
露光領域14の全域を同時に露光するいわゆるステッパ
型の露光装置であっても、各露光領域14の全域を走査
露光するいわゆるスキャナー型の露光装置のいずれでも
よい。
【0167】「露光領域とチップ領域の配列計算ステッ
プ」つづいて、算出部63は、情報記憶部62によって
記憶されている各種情報のなかから、例えばチップ領域
13の大きさを示すチップ幅CX及びチップ長CYの情
報と、露光領域14内に配列されるチップ領域13の行
列を示す情報とを読み出す。
【0168】図13、15は露光領域とチップ領域の配
列、いわゆるショットレイアウトとチップレイアウトの
計算方法を説明するための模式図である。なお、図13
には、露光領域14の対角線の交点16と、露光領域1
4を配列するための基準となる座標点17とを示してい
る。
【0169】なお、詳しい説明は後述するが、本実施形
態では、露光領域14のうち、交点16が像形成可能領
域12内に納まっているものを有効露光領域と称し、そ
うでない製造上非効率的なものを無効露光領域と称す
る。図13では、有効露光領域14と無効露光領域1
4’との境界を太線で示している。
【0170】また、有効露光領域内に含まれており、且
つ像形成可能領域12より若干内側にあるチップ形成可
能領域内に納まるチップ領域13を有効チップ領域と称
し、そうでないものを無効チップ領域と称する。
【0171】図14では、ウエハのオリエンテーション
フラット付近を露光したときに像形成可能領域12内に
交点16が納まる下限境界線123と、境界線123に
直交して同様に像形成可能領域12内に交点16が納ま
るようにしたときの左限境界線124とを示している。
つまり、少なくとも、境界線123よりも上側で且つ境
界線124よりも右側の領域に、全部が含まれる露光領
域でないと、有効露光領域にはなり得ないことになる。
また、境界線23,24の交点を例えば(0,0)とし
ている。なお、図14では、図13に示した部分と同様
の部分には同一符号を付している。
【0172】そして、以下のような座標を前提に計算を
行う。最初に図14の(0,0)で示される位置に座標
点17を定義して、仮想上、図13に示すようなマトリ
クス状に露光領域14を配列する(図9のステップ7
1)。
【0173】つぎに、その配列における各露光領域の中
心点16の座標を計算する(図9のステップS72)。
【0174】そして、中心点16が像形成可能領域12
内に含まれるかどうかを判別する(図9のステップS7
3)。つまり、判定部67にて、図13の符号14にて
示すような露光領域は、ステップS74にて有効露光領
域と認定する。一方、図13の符号14’にて示すよう
な露光領域はステップS75にて無効露光領域と認定す
る。
【0175】そして、この配列における有効露光領域
数、及び、有効露光領域の配列によって一意に決定する
有効チップ領域の配列における有効チップ数、を算出す
る。算出結果は、座標点17が(0,0)を示す情報と
一体で記憶しておく。
【0176】つぎに、座標点17を任意の距離だけ移動
させて、再び、有効露光領域の配列及び有効露光領域数
及び有効チップ領域の配列及び有効チップ領域数を同様
に算出する。移動させる距離は露光装置の解像度を最小
単位とする、その整数倍が好ましく用いられる。ここで
は、例えばY軸方向に0.25RY移動させたとする
と、(0,0.25RY)の位置で座標点17が定義さ
れて、上述したように有効チップ領域数及び有効露光領
域数を算出する。算出結果は、座標点17が(0,0.
25RY)を示す情報と一体で記憶しておく。
【0177】同様に、座標点17を(RX、RY)の位
置までずらしながら、各位置で有効チップ領域数及び有
効露光領域数を算出し、算出結果を算出結果記憶部4に
記憶していく。以上が図8のステップS63の算出アル
ゴリズムである。
【0178】図15は、図7に示す算出結果記憶部64
に記憶される算出結果を説明するための模式図である。
図15では、あるショットレイアウトに関して、仮想上
の原点シフト単位量を0.2RY、0.2RXとした時、
算出結果の一例を示している。図15に示されるように
座標点17の位置を示す情報と、有効チップ領域の数を
示す情報と、有効露光領域の数を示す情報とが、互いに
関連付けされて記憶されている様子が分かる。
【0179】「最適露光条件選択ステップ」最適露光条
件選択部65では、算出結果記憶部64に記憶されてい
る算出結果のなかから、最良のものを選択する(図8の
ステップS65)。
【0180】ここでいう最良のものとは、第一に有効チ
ップ領域数が多く、第二に有効露光領域数が少ないもの
である。
【0181】例えば、図15の結果からは、有効チップ
領域数が最も多い座標点17が(0,0.2RY)とな
るような算出結果が選択され、以下説明するように、露
光条件表示部66によってモニタ等に表示される。
【0182】もし有効チップ領域数も有効露光領域数も
同じ露光条件が複数ある場合には、製造上の別の利点な
どがある方を選べばよい。
【0183】例えば、先に露光される露光領域と次に露
光される露光領域間の距離の合計が最も短い条件、すな
わち、実際の露光装置での露光時間が最も短いと予想さ
れる露光条件や、半導体ウエハ11の外周とそれに最も
隣接するチップ領域との間隔が最も遠くて半導体ウエハ
11の中心寄りにチップが配置されている露光条件など
を考慮して選択するとよい。
【0184】「選択結果表示ステップ」つぎに、露光条
件表示部66は、最良露光条件選択部65で選択された
条件をモニタ等に表示する(図8のステップS66)。
【0185】この際、モニタ等に情報記憶部62に記憶
されているウエハ情報等を併せて表示するとよい。
【0186】図16は、選択結果の表示形態の一例を示
す模式図である(この図16の露光領域やチップ領域の
配列と、図13、15に示したそれとは、異なるので注
意されたい。)。
【0187】図16には、半導体ウエハ11、露光領域
14、チップ領域13、チップ形成可能領域12が模式
的に図示され、ウエハの大きさ、形状と、チップサイ
ズ、一露光領域あたりのチップ行列数、使用する露光装
置の名称、作成できる有効チップ数、有効露光領域の数
(露光回数)、露光原点等をモニタ101に表示した様
子を示している。
【0188】ここでは、情報記憶部62に記憶されてい
る情報が、露光条件表示部66によって読み出されて、
モニタ101に、視覚的に半導体ウエハ11、露光領域
14等を表示できるように描画部66aでこれらを作図
し、さらに、露光領域14の大きさ等の数値を、数値格
納部66bによってテーブルの対応箇所に格納してい
く。こうすると、情報入力部61によって入力した種々
の情報と算出された露光条件とを視覚によりとらえられ
ることになる。
【0189】なお、モニタ101内のテーブルは、予め
表示位置を決めておいてもよいし、モニタ101内の空
白部分に表示してもよく、装置の使用者がマウスなどの
入力装置で移動できるようにしてもよい。
【0190】以上、本実施形態では、算出した有効チッ
プ領域数などの全てを、算出結果記憶部4に記憶してい
く場合を例に説明したが、特に、座標点17をずらす距
離を短くしたような場合には、記憶量が多くなるので、
例えば有効チップ領域数の多い方からいくつかだけを算
出結果記憶部4に記憶するようにしてもよい。
【0191】(実施形態5)本実施形態は、情報入力部
61から入力する情報に、露光領域14内に配列される
チップ領域13の行列の情報が含まれていない場合に特
に有効な算出部の動作について説明する。なお、本実施
形態の露光条件算出方法や装置の構成は、図7他にて説
明したものと同様である。
【0192】図17は、露光領域14内に配列されるチ
ップ領域13の行列を、露光装置情報での制約を満た
し、且つ、チップ領域の数が最大となるように算出する
手順を示すフローチャートである。
【0193】ステップS81では、情報記憶部62に記
憶されているチップ情報であるチップ領域13の大きさ
を示すチップ幅CX,チップ長CY,露光装置情報であ
る露光最大幅RX,露光最大長RY,投影レンズの直径
RRを抽出して、ステップS82に移行する。
【0194】ステップS82では、本実施形態の内部処
理で扱う変数の初期化設定を行う。変数MXは、チップ
領域の行列においてRX方向に配列できるの列数の最大
値である。変数MYは、チップ領域の行列においてRY
方向に配列できるの行数の最大値である。変数AXは最
終的に算出するチップ領域の行列の列数である。変数A
Yは最終的に算出するチップ領域の行列の行数である。
変数Sは最終的に算出するチップ領域の行列に含まれる
チップ領域の総数である。また、ステップ83以降では
チップ領域の行列の列数を1からMXまで1個づつ増加
させながら最適な解を求めていくが、その繰り返し処理
を制御する変数がNXである。なお、初期値としてAX
及びAY及びSには0が、NXには1が、与えられる。
【0195】ステップS83では、仮に、チップ領域の
行列における列数がNXだった場合、投影レンズの直径
RRの条件を満たす最大の行数(変数NYで示される)
を求める。
【0196】ステップS84とステップS85では、ス
テップS83で求めた最大の行数NYが露光最大長RY
の条件を満たすか否かを判定し、満たさなければ露光最
大長RYの条件を満たすまで、NYの値を1つずつ減ら
していく。
【0197】ステップS86では、ここまでのステップ
で求められた行数NYと列数NXからチップ領域の行列
に含まれるチップ領域の総数を求め、チップ領域の数が
最も多いチップ領域の行列となるか否かを判定する。
【0198】ここで、チップ領域の数が最も多いチップ
領域の行列であると判断した場合には、ステップS87
に進み、チップ領域の行列における行数NY及び列数N
X及び総数Sを記憶する。チップ領域の数が最も多いチ
ップ領域の行列ではないと判断した場合には、ステップ
S87は素通りする。
【0199】ここまでで、仮にチップ領域の行列の列数
がNXだった場合の処理がなされたことになる。そし
て、同様の計算を列数NXが1からMXとなるまで繰り
返し行っていく。つまり、仮の列数NXが列数の最大値
MXになっていない場合には、NXを一つ増加させてス
テップS83に戻り、仮の列数NXが最大列数MXと同
じ値になった場合にはステップS90に移る。
【0200】ステップS90では、算出した結果の妥当
性を確認する。もしも、チップ領域の行列の総数Sが初
期値0以外の場合には適切なチップ領域の行列が算出さ
れたと判断する。チップ領域の総数Sが初期値0のまま
の場合には、一つのチップ領域のサイズが露光範囲内に
納まらない、などの状況が考えられ、エラーとして処理
を終了する。
【0201】つぎに、図7の露光条件算出装置の使用者
がチップ領域13の行列を指定した場合に、その指定さ
れた条件下で、実際に露光が行えるかどうかチェックす
る手法について図18を参照して説明する。
【0202】図18には、チップ情報であるチップ領域
13の大きさを示すチップ幅CX,チップ長CY、露光
領域14の対角の長さCZ、露光情報である露光最大幅
RX,露光最大長RY、露光装置のレンズの直径RR、
とを示している。
【0203】まず、露光装置のレンズの直径RRと、チ
ップ幅CX,チップ長CYとを抽出する。CX,CYと
指定された行列数からチップ領域の行列における対角線
の長さCZが算出できるので、CZとRRとを比較し
て、RRの方が短いかどうかを判別する。
【0204】判別の結果、CZがRRよりも長い場合に
は、チップ領域の行列が露光装置のレンズ内に納まらな
いことになるので、警告を表示して、正しい行列数の入
力を使用者に促す。そうでなければ、RXの値とCXに
列数をかけた値とを比較し、RYの値とCYに行数をか
けた値とを比較する。
【0205】その結果、CXに列数をかけた値の方がR
Xの値よりも長い、又はCYの行数をかけた値の方がR
Yの値よりも長い場合には、同様にチップ領域の行列が
露光装置のレンズ内に納まらないことになるので、警告
を表示して、正しい行列数の入力を使用者に促す。
【0206】一方、CXに列数をかけた値の方がRXの
値よりも短く、CYに行数をかけた値の方がRYの値よ
りも短い場合には使用者の指定した行列数が妥当である
と判別し、各情報を情報記憶部62に記憶する。
【0207】情報記憶部62では、情報入力部61によ
って入力されたウエハ情報、チップ情報及び露光情報を
それぞれ記憶する。
【0208】各情報は、入力された数値等をそのまま記
憶しても、例えば単位系の統一や実数の四捨五入や座標
系のマッピングなどの加工の後に記憶してもよい。
【0209】(実施形態6)本発明の実施形態では、ウ
エハ情報記憶部において、オリエンテーションフラット
のあるウエハ、という情報が記憶されている場合に、算
出部の算出効率を向上させる手法について説明する。な
お、本実施形態の算出部以外の構成や動作は、実施形態
4や実施形態5等と同様である。
【0210】図19は、本発明の実施形態の算出部の動
作を示すフローチャートである。
【0211】図20(a)〜図20(c)は、図20に
示すフローチャートの補足説明図である。
【0212】図20(a)〜図20(c)には、境界線
23と露光領域14との間の距離と、有効チップ領域1
3の数及び有効露光領域14の数との関係を示してい
る。横軸は座標点17と境界線23(図14)との距離
である。縦軸は有効チップ領域数及び有効露光領域数で
ある。
【0213】実施形態4で前述したように、座標点17
の位置が決まると有効ショットレイアウトが一意に決定
される。そこで座標点17を移動させながら複数種の有
効ショットレイアウトを求め、そのなかから有効チップ
数が最大で且つ有効ショット数が最小となる有効ショッ
トレイアウトを選択することになる。
【0214】本実施形態では、この座標点17を最初か
ら細かく移動させていくのではなく、最初は座標点17
を粗く移動させて、そこで得られた有効チップ数及び有
効ショット数の変化状態から、有効チップ数が最大とな
る座標点17の存在範囲を絞っていき、さらに、この処
理を再帰的に行うことで、有効ショットレイアウトの算
出回数を減らすものである。
【0215】まず、座標点17の1回当たりの移動距離
を決定する(ステップS91)。
【0216】この移動距離づつ座標点17を境界線23
から遠ざけていき、複数種の有効ショットレイアウトを
算出することになる。この移動距離は、実施形態6で説
明した距離よりも長くしており、例えば、図20(a)
では、座標点17の移動範囲全体から等間隔で6点を抽
出できるような長さに設定されている。
【0217】つぎに、決定した距離で座標点17を移動
していき、各位置で有効ショットレイアウトを求め(図
19のステップS92とステップS93)、有効チップ
領域数及び有効露光領域数を算出する(ステップS9
4,図19(a))。
【0218】つづいて、ステップ94までで求めた有効
チップ数及び有効ショット数の推移状態から、次回の算
出処理における座標点17の移動範囲を決定する(図1
9のステップS95)。
【0219】図20(a)では、A点において有効チッ
プ数及び有効ショット数が最も多くなっていて、境界線
23との距離が遠くなるほど有効チップ数及び有効ショ
ット数は減少しているので、次回の座標点17の移動範
囲をA点付近に絞ることができる。ここで、有効チップ
数と有効ショット数の両方の推移状態を考慮するのは、
有効チップ数が最も多いピーク点と有効ショット数が最
も多いピーク点が異なる場合、そのどちらのピーク点付
近にも有効チップ数を最大にする座標点17が存在する
可能性があるためである。
【0220】つづいて、座標点17の移動距離を短くで
きるかどうか判別する(ステップS96)。
【0221】移動距離は、座標点17の移動範囲と露光
装置の解像度に応じて短くすることができる。
【0222】図20(a)では、座標点17の移動距離
を短くできると判別し、ステップS91に戻る。そし
て、次の座標点17の1回当たりの移動距離を決定する
ことになるが、ここでは、図20(b)に示す座標点1
7の移動範囲全体から等間隔で7点を抽出できるような
長さになっている。移動距離は、移動範囲全体を等間隔
に分割できるように設定される。
【0223】同様の手順によって、座標点17の移動範
囲を絞っていきながら、有効チップ数が最大となる座標
点17の位置を再帰的に検索していく。
【0224】こうすると、有効ショットレイアウト等の
算出回数を少なくすることが可能であり、最良の露光条
件を効率よく、速く求められるようになる。
【0225】(実施形態7)また、以下のようにして露
光領域が有効露光領域であるかどうかを識別してもよ
い。
【0226】図21は、露光領域が有効露光領域である
かどうかを識別する手順を示すフローチャートである。
【0227】図8のステップS61で示したように各種
情報をクライアントコンピュータなどに入力し、そこに
記憶させる。そして、そのデータをサーバーに送信す
る。
【0228】そして、サーバーでは、送信されてきたデ
ータに基づいて、図21のステップS101に示すよう
に、仮想上の露光領域配列を行う。
【0229】つづいて、サーバーでは、送信されてきた
データに基づいて、仮想上、露光領域内で且つチップ形
成可能領域内に納まるようにチップ領域を配列する(ス
テップS102)。
【0230】さらに、サーバーでは、チップ領域数をカ
ウントする(ステップS103)。
【0231】つぎに、サーバーでは、チップ領域数と、
クライアント側で指定された規定のしきい値(例えば3
個)とを、比較する(ステップS104)。
【0232】サーバーは、比較の結果、チップ領域数が
規定のしきい値より大きい場合には、その露光領域は有
効露光領域と認定する(ステップS105)。
【0233】一方、チップ領域数が規定のしきい値より
大きくない場合には、その露光領域は無効露光領域と認
定する(ステップS106)。
【0234】ちなみに、図21に示す手順におけるステ
ップS104で有効露光領域かどうかを決定する理由
は、チップを製造するときのトータルの製造コストを安
くするためである。例えば1回露光することでその露光
領域にチップ数が2つしか形成できない場合には、あえ
て、その露光をせずに、露光回数を1回減らした方がス
ループットが向上し、製造コストが安くなることも多
い。そして、このようなコスト上の分岐点(しきい値)
は、露光装置以外の製造プロセスにも大きく依存するの
で、絶対的な値ではなく、ユーザー、即ちクライアント
側で任意に定められるようにするとよい。
【0235】その後は、図8を用いて説明した実施形態
4と同様に、サーバーが最適露光条件を選択し、選択結
果をクライアント側に送信する。
【0236】(実施形態8)前述した各実施形態による
露光条件算出方法をJava(登録商標)言語でプログ
ラミングし、そのJava(登録商標)言語プログラム
をサーバーコンピュータの記憶装置に格納する。
【0237】露光条件算出プログラムを格納したサーバ
ーコンピュータをネットワークに接続し、ネットワーク
を介して遠隔地にあるクライアントコンピュータからア
クセスできる状態にしておく。
【0238】クライアントコンピュータからクライアン
トコンピュータにアクセスし、露光条件算出サービスを
要求する。このように、ネットワークを介して接続され
るクライアントコンピュータからの要求に応じて、上記
プログラムをクライアントコンピュータに送信する。
【0239】クライアントコンピュータでは、上記プロ
グラムが起動され、実行されて、算出結果が表示され
る。
【0240】この算出結果を基にして、露光装置の動作
条件(露光条件)を決定する。
【0241】(実施形態9)以下、本発明に用いられる
露光条件表示部の各種実施形態について説明する。
【0242】図22〜図25は、本発明の実施形態に係
る露光条件表示部によってモニタ101に露光条件を表
示している様子を示す図である。なお、図22〜図25
では、図7等に示した部分と同様の部分には同一符号を
付している。
【0243】図22には、有効チップ領域と無効チップ
領域との識別等が容易に可能となるように、着色部66
cによって各領域毎に異なる色彩を付した様子を示して
いる。色の違いにより、各領域等を判別できるようにす
ることで、さらに、実際の算出結果を視覚によりとらえ
られることになる。
【0244】特に、チップ形成可能領域12の外縁付近
のチップ領域13が有効チップ領域か無効チップ領域か
を把握しやすくなる。
【0245】図23には、チップ形成可能領域12付近
の様子が分かるように拡大した様子を示している。表示
倍率指定部124、表示範囲指定部125で表示範囲や
表示倍率を指定すると、座標変換部123では、その指
定された表示範囲を指定された表示倍率で座標変換して
拡大図を表示できるようにしている。
【0246】図23に示すように、使用者の指定した表
示範囲を指定した表示倍率で拡大できるようにすると、
チップ領域が極めて小さく、通常の表示では目視でチッ
プ領域の個々を識別できない場合に有用である。
【0247】図24には、装置の使用者が指定した露光
領域14a内のチップ領域13の数を付記した様子を示
している。ここでは、露光領域14a内に配列されるチ
ップ領域の行列に含まれるチップ領域の総数が30個
で、そのうち、チップ形成可能領域12にも納まるチッ
プ領域13の数が23個である例を図示している。
【0248】図24に示すようにすると、露光領域14
a内に配列されるチップ領域の行列に含まれるチップ領
域13の総数が極めて多い場合には、更に装置の使用者
が算出結果をとらえやすくなる。
【0249】なお、図25に示すように、ファイル作成
部142で情報記憶部2及び算出結果記憶部4から読み
出したデータに基づいてファイルを作成して、記憶媒体
143等に格納できるようにすると、次回、算出結果を
表示しようとする際に、情報入力部1に同じ情報を入力
する手間や、算出部で全く同じ算出処理を行う時間を省
くことができる。
【0250】<レチクルの製造方法>本発明のレチクル
の製造方法は、上述した露光条件算出方法を利用して、
算出された前記露光領域内のチップ領域の行列情報を基
に、露光装置用のレチクルの光学パターンを製造するこ
とを特徴とする。
【0251】特に、実施形態5により一つの露光領域に
おけるチップ領域の行列を算出し、最も適した行列を選
択することは、レチクルの設計・製造に有用である。
【0252】本発明においては、支持体上の遮光膜上に
ホトレジストを形成し、算出された前記露光領域内のチ
ップ領域の行列情報を基に、前記ホトレジストに露光装
置用のレチクルの光学パターン像を露光し、露光された
ホトレジストを現像し、現像されたホトレジストをエッ
チングマスクとしてエッチングすることにより、前記支
持体上に遮光パターンを形成する工程を含むとよい。以
下詳しく説明する。
【0253】まず、1チップ用のマスタマスクを作成す
る。
【0254】そして、レチクルとなる石英ガラスのよう
な光透過性基板の上にクロムなどの遮光性膜を成膜す
る。
【0255】この遮光膜を覆うようにホトレジストを塗
布して、このマスタマスクの光学パターン像を本発明の
算出方法による露光配列とチップ配列の算出過程で算出
された行列情報に応じて繰り返し露光しホトレジストに
転写して、光学パターン像の行列の潜像を形成する。
【0256】潜像が形成されたホトレジストを現像し、
遮光性膜をエッチングして、レチクルの遮光パターンを
形成する。
【0257】図26はこうして作成されたレチクル24
の模式的平面を示しており、25がマスタマスクのパタ
ーンが転写されて形成された1チップの回路パターンで
あり、ここでは3行3列に展開された様子を示してい
る。
【0258】このレチクルを用いれば、1ショットで9
個のチップを露光できる。
【0259】或いはマスタマスクのデータを利用して、
電子ビームにより直接遮光膜上のレジストを露光して、
現像し、遮光膜をエッチングすることによりレチクルを
作成することもできる。
【0260】<構造体の製造方法>本発明においては、
上述したレチクルの設計と製造方法により作成されたレ
チクルを用いて、半導体ウエハなどの基板を加工し、ト
ランジスタなどの構造体を製造することができる。
【0261】そこで、本発明の構造体の製造方法は、上
述した露光条件算出方法を利用して得られた有効露光領
域配列パターンに基づいて、露光装置により前記基板表
面のホトレジストを露光し、露光されたホトレジストを
現像することによりレジストパターンを形成する工程を
含むことを特徴とする。
【0262】本発明においては、上述した露光条件算出
方法を利用して得られた有効露光領域配列パターンに基
づいて、露光装置により前記基板表面のホトレジストを
露光し、現像することによりレジストパターンを形成す
る工程、前記レジストパターンをマスクとして用いるこ
とによって前記基板の表面を加工する工程、を含むとよ
い。
【0263】図27は素子の加工方法を説明するための
模式的断面図である。
【0264】図27(a)に示すように、ホトレジスト
26が形成されたシリコンウエハなどの基板Wを用意す
る。
【0265】図27(b)に示すように、上述した本発
明の露光装置を用いて、ホトレジスト26を露光し、現
像してホトレジストパターン26’を形成する。
【0266】図27(c)に示すように、ホトレジスト
パターン26’をイオン注入用マスクとして用いて、ボ
ロン、リン、砒素などのイオンを打ち込む。
【0267】図27(d)に示すようにホトレジストパ
ターンをアッシングなどにより除去すれば、表面が加工
されて、表面にドープ層27を有する構造体を製造する
ことができる。
【0268】本発明においては、ホトレジストパターン
26’を、イオン注入用マスクではなく、エッチング用
マスクとして用い、基板の表面のエッチング加工に利用
してもよい。
【0269】また、ホトレジストパターン自体を構造体
に利用する場合には、ホトレジストパターンは除去する
必要はない。
【0270】本発明は、上述した各実施形態に限定され
るものではなく、本発明の目的を達成する範囲内におい
て、各構成要件が代替物に置換されたものをも含む。
【0271】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
性能の低いチップが作成されることを未然に防止でき
る。また、コスト面での効率を上げ、ローコストでチッ
プを作成できる。さらに、誤計算の発生を防止できる。
【0272】さらに、本発明によれば、多岐に亘る露光
装置のユーザーに対して、使いやすい露光条件算出方法
を提供できる。
【0273】そして、本発明は、これらに有効な、露光
条件算出方法、レチクルの製造方法、構造体の製造方
法、露光条件算出プログラム、記録媒体、装置及び露光
条件算出サービス提供方法などを提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本的な実施形態による露光条件算出
方法のフローチャートを示す図である。
【図2】本発明の一実施形態による露光条件算出方法の
フローチャートを示す図である。
【図3】本発明の更に別の実施形態による露光条件算出
方法のフローチャートを示す図である。
【図4】本発明の他の実施形態による露光条件算出方法
のフローチャートを示す図である。
【図5】本発明の一実施形態による露光条件算出装置の
構成を示す図である。
【図6】本発明による露光条件算出装置を用いたシステ
ムの構成を示す図である。
【図7】本発明の別の実施形態による露光条件算出装置
の構成を示す図である。
【図8】図7に示した実施形態における露光条件算出方
法のフローチャートを示す図である。
【図9】図7に示した実施形態における露光条件算出方
法の一部の詳細なフローチャートを示す図である。
【図10】本発明に用いられる情報入力部の構成を説明
するための模式図である。
【図11】本発明に用いられる情報入力部の構成を説明
するための模式図である。
【図12】本発明に用いられる情報入力部の構成を説明
するための模式図である。
【図13】露光領域の配列を説明するための模式図であ
る。
【図14】露光領域の配列を求めるための計算方法を説
明するための模式図である。
【図15】露光配列記憶部に記憶される各種データを説
明するための図である。
【図16】選択結果の表示形態を示す模式図である。
【図17】露光領域内のチップ領域の行列を計算するた
めのフローチャートを示す図である。
【図18】露光領域内のチップ領域の行列計算を説明す
るための模式図である。
【図19】露光領域とチップの配列を求める算出方法の
一部のフローチャートを示す図である。
【図20】露光領域とチップの配列を求める算出方法を
説明するための模式図である。
【図21】本発明の更に他の実施形態による露光条件算
出方法のフローチャートを示す図である。
【図22】本発明に用いられる表示形態を示す模式図で
ある。
【図23】本発明に用いられる別の表示形態を示す模式
図である。
【図24】本発明に用いられる更に別の表示形態を示す
模式図である。
【図25】本発明に用いられる他の表示形態を示す模式
図である。
【図26】本発明により作成されるレチクルの模式的平
面図である。
【図27】本発明にホトレジストパターンの作成方法と
構造体の作成方法を説明するための模式図である。
【図28】従来の露光条件算出方法のフローチャートを
示す図である。
【図29】ウエハへのチップ配列(チップレイアウト)
を示す図である。
【図30】ウエハへのチップ配列(チップレイアウト)
を示す図である。
【図31】ウエハへのチップ配列と露光配列(ショット
レイアウト)を示す図である。
【図32】ウエハへのチップ配列と露光配列(ショット
レイアウト)を示す図である。
【図33】ウエハへのチップ配列と露光配列(ショット
レイアウト)を示す図である。
【図34】ウエハへのチップ配列と露光配列(ショット
レイアウト)を示す図である。
【符号の説明】
1 情報入力部 2 情報記憶部 3 算出部 4 算出結果記憶部 5 最良露光条件選択部 6 露光条件表示部 11 基板 12 チップ形成可能領域 13 チップ領域 14 露光領域 16 交点

Claims (44)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を、該基板より面積が小さく且つチ
    ップを形成すべきチップ領域の複数を露光できる露光領
    域に分けて、逐次露光する場合の露光条件を算出するた
    めの露光条件算出方法において、 入力された、少なくとも前記基板に前記チップを形成可
    能なチップ形成可能領域のサイズを示す基板情報と、少
    なくとも前記チップ領域のサイズを示すチップ情報と前
    記露光領域のサイズを示す露光情報と、に基づいて、前
    記チップ形成可能領域内に配列される複数のチップ領域
    からなるチップ領域配列、及び/又は、少なくとも一つ
    の前記チップ領域を露光可能な露光領域からなる露光領
    域配列と、を求める際に、 前記露光領域配列を構成する各露光領域が実際に露光す
    べき有効露光領域であるか否かを判定することを特徴と
    する露光条件算出方法。
  2. 【請求項2】 前記判定は、前記基板情報と前記露光情
    報から算出された判定条件を基準になされる請求項1記
    載の露光条件算出方法。
  3. 【請求項3】 前記判定は、前記露光領域の中心点が前
    記基板の像形成可能領域内に納まるか否かを基準になさ
    れる請求項1又は2記載の露光条件算出方法。
  4. 【請求項4】 前記判定は、予め入力された判定条件を
    基準になされる請求項1記載の露光条件算出方法。
  5. 【請求項5】 前記判定は、判定すべき一つの露光領域
    によって露光可能な前記チップ形成可能領域内の前記チ
    ップ領域の数を基準になされる請求項1又は4記載の露
    光条件算出方法。
  6. 【請求項6】 前記有効露光領域の数と、前記有効露光
    領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能領域内
    の前記チップ領域である有効チップ領域数とを算出する
    工程を更に有する請求項1記載の露光条件算出方法。
  7. 【請求項7】 仮想上、前記チップ領域配列及び前記露
    光領域配列の少なくともいずれか一方の、前記基板上で
    の、配置位置を変更し、それに対応した前記有効露光領
    域の数と該有効露光領域の全てにより露光可能な前記チ
    ップ形成可能領域内の前記チップ領域の数である有効チ
    ップ領域数とを算出する工程を繰り返し行う請求項1記
    載の露光条件算出方法。
  8. 【請求項8】 前記有効露光領域の全てにより露光可能
    な前記チップ形成可能領域内の前記有効チップ領域数が
    最大となる前記有効露光領域からなる有効露光領域配列
    及びそれに対応した有効チップ領域配列の情報を選択す
    る工程を更に有する請求項7記載の露光条件算出方法。
  9. 【請求項9】 前記有効露光領域の全てにより露光可能
    な前記チップ形成可能領域内の前記有効チップ領域数が
    最大となる前記有効露光領域からなる有効露光領域配列
    及びそれに対応した有効チップ領域配列の情報を選択す
    るとともに、選択された情報のなかから前記有効露光領
    域の数が最小となる前記有効露光領域配列及びそれに対
    応した有効チップ領域配列の情報を選択する工程を更に
    有する請求項7記載の露光条件算出方法。
  10. 【請求項10】 前記チップ形成可能領域内の前記チッ
    プ領域の数が最大となる前記チップ領域配列を選択する
    工程、選択されたチップ領域配列を露光可能な前記露光
    領域からなる前記露光領域配列を算出した後に前記判定
    を行う工程、前記判定で有効でない露光領域が検出され
    た場合に、少なくとも、算出した露光領域配列における
    前記有効露光領域のすべてにより露光可能な前記有効チ
    ップ領域の数である有効チップ領域数を算出する工程、
    を更に有する請求項1記載の露光条件算出方法。
  11. 【請求項11】 前記判定で有効でない露光領域が検出
    された場合に、少なくとも、算出した露光領域配列にお
    ける前記有効露光領域のすべてにより露光可能な前記有
    効チップ領域数を算出する工程から、前記チップ形成可
    能領域内の前記チップ領域の数が最大となる前記チップ
    領域配列を選択する工程に処理を戻し、その際、算出し
    た有効チップ領域の数を用いて最大となる前記チップ領
    域配列を選択する請求項10記載の露光条件算出方法。
  12. 【請求項12】 前記有効露光領域の判定を行いながら
    有効露光領域配列を算出し、それに対応する前記有効露
    光領域の数と該有効露光領域により露光可能な前記チッ
    プ形成可能領域内の前記チップ領域の数である有効チッ
    プ領域数とを算出する工程を繰り返し行い、有効チップ
    領域の数が最大となる前記有効露光領域配列及びそれに
    対応した有効チップ領域配列の情報を選択する工程を更
    に有する請求項1記載の露光条件算出方法。
  13. 【請求項13】 クライアントコンピュータから、前記
    基板情報、前記チップ情報、及び前記露光情報を入力
    し、前記判定をサーバーコンピュータにおいて行う請求
    項1記載の露光条件算出方法。
  14. 【請求項14】 クライアントコンピュータから、前記
    基板情報、前記チップ情報、及び前記露光情報を入力
    し、 前記判定をサーバーコンピュータにおいて行い、算出し
    た情報又は選択した情報の少なくともいずれか一方をク
    ライアントコンピュータに送信し、 当該情報に基づいて対応する前記チップ領域配列パター
    ンと前記露光領域配列パターンとをクライアントコンピ
    ュータにおいて表示する、 請求項6乃至12のいずれか1項記載の露光条件算出方
    法。
  15. 【請求項15】 算出した情報又は選択した情報の少な
    くともいずれか一方を表示する工程を更に有する請求項
    6乃至13のいずれか1項記載の露光条件算出方法。
  16. 【請求項16】 算出した情報又は選択した情報の少な
    くともいずれか一方を表示するとともに、その表示形態
    が複数種のなかから選択可能である請求項6乃至13の
    いずれか1項記載の露光条件算出方法。
  17. 【請求項17】 さらに、前記基板情報には前記基板の
    形状を示す情報が含まれる請求項1記載の露光条件算出
    方法。
  18. 【請求項18】 さらに、前記基板情報にはホトレジス
    トが被覆されている像形成可能領域を示す情報が含まれ
    る請求項1記載の露光条件算出方法。
  19. 【請求項19】 さらに、前記チップ情報には前記チッ
    プ間のスクライブ幅を示す情報が含まれる請求項1記載
    の露光条件算出方法。
  20. 【請求項20】 さらに、前記露光情報には投影レンズ
    の投影サイズと、前記露光領域の移動量を示す情報が含
    まれる請求項1記載の露光条件算出方法。
  21. 【請求項21】 さらに、前記露光情報には投影レンズ
    の投影サイズと、前記露光領域内のチップ領域の行列と
    を示す情報が含まれる請求項1記載の露光条件算出方
    法。
  22. 【請求項22】 前記チップ領域のサイズと前記投影レ
    ンズの投影サイズに基づいて前記露光領域内のチップ領
    域の行列を算出する請求項1記載の露光条件算出方法。
  23. 【請求項23】 さらに、前記露光領域内の前記チップ
    領域の行列情報が入力される請求項1記載の露光条件算
    出方法。
  24. 【請求項24】 請求項1乃至23のいずれか1項記載
    の露光条件算出方法をコンピュータに実行させることを
    特徴とする露光条件算出プログラム。
  25. 【請求項25】 前記露光条件算出プログラムはJav
    a(登録商標)言語プログラムである請求項24記載の
    露光条件算出プログラム。
  26. 【請求項26】 請求項24又は25記載の前記露光条
    件算出プログラムを格納したことを特徴とする記録媒
    体。
  27. 【請求項27】 レチクルの製造方法において、 請求項22記載の露光条件算出方法を利用して、算出さ
    れた前記露光領域内のチップ領域の行列情報を基に、露
    光装置用のレチクルの光学パターンを製造することを特
    徴とするレチクルの製造方法。
  28. 【請求項28】 支持体上の遮光膜上にホトレジストを
    形成し、算出された前記露光領域内のチップ領域の行列
    情報を基に、前記ホトレジストに露光装置用のレチクル
    の光学パターン像を露光し、露光されたホトレジストを
    現像し、現像されたホトレジストをエッチングマスクと
    してエッチングすることにより、前記支持体上に遮光パ
    ターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項2
    7記載のレチクルの製造方法。
  29. 【請求項29】 構造体の製造方法において、 請求項1乃至23のいずれか1項記載の露光条件算出方
    法を利用して得られた有効露光領域配列パターンに基づ
    いて、露光装置により前記基板表面のホトレジストを露
    光し、露光されたホトレジストを現像することによりレ
    ジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする
    構造体の製造方法。
  30. 【請求項30】 構造体の製造方法において、 請求項1乃至23のいずれか1項記載の露光条件算出方
    法を利用して得られた有効露光領域配列パターンに基づ
    いて、露光装置により前記基板表面のホトレジストを露
    光し、現像することによりレジストパターンを形成する
    工程、 前記レジストパターンをマスクとして用いることによっ
    て前記基板の表面を加工する工程、 を含むことを特徴とする構造体の製造方法。
  31. 【請求項31】 請求項1乃至23のいずれか1項記載
    の露光条件算出方法を実行することを特徴とする露光条
    件算出用の装置。
  32. 【請求項32】 基板を露光するための装置において、 請求項1乃至23のいずれか1項記載の露光条件算出方
    法を利用して得られた有効露光領域配列パターンに基づ
    いて、基板をレチクルに対して相対的に移動させて逐次
    露光を行うことを特徴とする装置。
  33. 【請求項33】 前記装置は、各露光領域の全域を同時
    に露光する請求項32記載の装置。
  34. 【請求項34】 前記装置は、各露光領域の全域を走査
    露光する請求項32記載の装置。
  35. 【請求項35】 基板を、該基板より面積が小さく且つ
    チップを形成すべきチップ領域の複数を露光できる露光
    領域に分けて、逐次露光する場合の露光条件を算出する
    ための露光条件算出用の装置において、 少なくとも前記基板に前記チップを形成可能なチップ形
    成可能領域のサイズを示す基板情報と、少なくとも前記
    チップ領域のサイズを示すチップ情報と前記露光領域の
    サイズを示す露光情報とを入力する入力部と、 前記入力部によって入力された各情報に基づいて、前記
    チップ形成可能領域内に配列される複数のチップ領域か
    らなるチップ配列と、少なくとも一つの前記チップ領域
    を露光可能な露光領域からなる露光領域配列と、を求め
    る算出部と、を有し、 前記算出部は、 前記露光領域配列を構成する各露光領域が実際に露光す
    べき有効露光領域であるか否かを判定する判定部を、 備えていることを特徴とする装置。
  36. 【請求項36】 前記算出部は、有効露光領域内に納ま
    るチップ領域の数である有効チップ領域数を算出すると
    ともに、 前記算出部の算出結果のなかで最も多くの有効チップ領
    域数が得られる有効露光領域の配列条件を選択する選択
    部とを備える請求項35記載の装置。
  37. 【請求項37】 基板を露光するための露光用の装置に
    おいて、 請求項35記載の装置により選択された前記有効露光領
    域の配列パターンに従って、前記基板の露光を行うこと
    を特徴とする装置。
  38. 【請求項38】 基板を、該基板より面積が小さく且つ
    チップを形成すべきチップ領域の複数を露光できる露光
    領域に分けて、逐次露光する場合の露光条件を算出し、
    その結果を提供する露光条件算出サービス提供方法にお
    いて、 前記露光条件算出方法をコンピュータに実行させる露光
    条件算出プログラムを格納したサーバーコンピュータを
    用意し、 ネットワークを介して接続されるクライアントコンピュ
    ータからの要求に応じて、前記サーバーコンピュータ
    に、少なくとも前記基板に前記チップを形成可能なチッ
    プ形成可能領域のサイズを示す基板情報と、少なくとも
    前記チップ領域のサイズを示すチップ情報と前記露光領
    域のサイズを示す露光情報を入力して前記露光条件算出
    方法を実行させ、 得られた結果を前記クライアントコンピュータに送信す
    ることを特徴とする露光条件算出サービス提供方法。
  39. 【請求項39】 前記チップ形成可能領域内に配列され
    る複数のチップ領域からなるチップ領域配列、及び/又
    は、少なくとも一つの前記チップ領域を露光可能な露光
    領域からなる露光領域配列と、を求める際に、 前記露光領域配列を構成する各露光領域が実際に露光す
    べき有効露光領域であるか否かを判定する請求項38記
    載の露光条件算出サービス提供方法。
  40. 【請求項40】 前記有効露光領域の数と、前記有効露
    光領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能領域
    内の前記チップ領域の数である有効チップ領域数とを算
    出し、その結果と、前記有効露光領域の配列及び有効チ
    ップ領域の配列と、をWWWブラウザ上で表示するため
    のデータを送信する請求項38記載の露光条件算出サー
    ビス提供方法。
  41. 【請求項41】 基板を、該基板より面積が小さく且つ
    チップを形成すべきチップ領域の複数を露光できる露光
    領域に分けて、逐次露光する場合の露光条件を算出し、
    その結果を提供する露光条件算出サービス提供方法にお
    いて、 前記露光条件算出方法をコンピュータに実行させる露光
    条件算出プログラムを格納したサーバーコンピュータを
    用意し、 ネットワークを介して接続されるクライアントコンピュ
    ータからの要求に応じて露光条件算出プログラムを前記
    クライアントコンピュータに送信することを特徴とする
    露光条件算出サービス提供方法。
  42. 【請求項42】 前記チップ形成可能領域内に配列され
    る複数のチップ領域からなるチップ領域配列、及び/又
    は、少なくとも一つの前記チップ領域を露光可能な露光
    領域からなる露光領域配列と、を求める際に、 前記露光領域配列を構成する各露光領域が実際に露光す
    べき有効露光領域であるか否かを判定する請求項41記
    載の露光条件算出サービス提供方法。
  43. 【請求項43】 前記有効露光領域の数と、前記有効露
    光領域の全てにより露光可能な前記チップ形成可能領域
    内の前記チップ領域の数である有効チップ領域数とを算
    出し、その結果と、前記有効露光領域の配列及び有効チ
    ップ領域の配列と、をWWWブラウザ上で表示させる前
    記露光条件算出プログラムを送信する請求項42記載の
    露光条件算出サービス提供方法。
  44. 【請求項44】 前記露光条件算出プログラムはJav
    a(登録商標)言語プログラムである請求項41記載の
    露光条件算出サービス提供方法。
JP2001389186A 2001-12-21 2001-12-21 露光条件算出方法、露光条件算出プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、構造体の製造方法、装置及び露光条件算出サービス提供方法 Pending JP2003188089A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009026962A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Canon Inc 露光装置、情報処理装置及びデバイス製造方法
JP2011197023A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujitsu Semiconductor Ltd レチクルレイアウト生成方法、プログラム及びレチクルレイアウト生成装置
JP2013165091A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、テンプレート作成装置、および、テンプレート作成方法
JP2015065360A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社Screenホールディングス 露光装置用のgui装置、露光システム、露光条件設定方法およびプログラム

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