JP2003168663A

JP2003168663A - ワックスレスマウント式研磨方法およびその装置

Info

Publication number: JP2003168663A
Application number: JP2001369098A
Authority: JP
Inventors: Kei Komatsu; 圭小松; Takeo Saito; 丈生齊藤
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2001-12-03
Filing date: 2001-12-03
Publication date: 2003-06-13

Abstract

(57)【要約】【課題】保水したバックパッドによる半導体ウェーハ
の保持力をほとんど低下せず、半導体ウェーハの外周立
ちを簡単かつ低コストで防ぐワックスレスマウント式研
磨方法および装置を提供する。【解決手段】テンプレート１４の孔部内において、バ
ックパッド１５の外周部の表面に環状の外周部分バック
パッド１６を貼着するので、このパッド１５の外周部が
中央部より厚肉化する。よって、シリコンウェーハＷの
外周部が中央部よりも研磨布１３に向かって所定高さだ
け突出される。結果、保水状態のバックパッド１５およ
び外周部分バックパッド１６によるシリコンウェーハＷ
の保持力をほとんど低下させず、このウェーハＷの外周
立ちを、簡単かつ低コストで防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はワックスレスマウ
ント式研磨方法およびその装置、詳しくはワックスレス
で保持した半導体ウェーハの表面に機械的化学的研磨を
行うワックスレスマウント式の研磨技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、シリコンウェーハの研磨方法
の一種として、ワックスレスマウント式研磨方法が知ら
れている。この方法に用いられるワックスレスマウント
式研磨装置は、図５に示すように、上面に研磨布１０５
が張設された研磨定盤１０４と、下面にウェーハ固定用
のテンプレート１０２が設けられた研磨ヘッド１０１と
を備えている。このテンプレート１０２は、保水性を有
する不織布製のバックパッド１０３を介して、研磨ヘッ
ド１０１の下面に設けられている。研磨時には、バック
パッド１０３に純水を供給し、その表面張力によって、
テンプレート１０２の孔部内に収容されたシリコンウェ
ーハＷをその裏面側から保持する。このとき、シリコン
ウェーハＷは、その研磨面の全域をテンプレート１０２
の端面から所定高さだけ下方に向かって突出させてい
る。そして、遊離砥粒を含む研磨剤を研磨布１０５の研
磨作用面に供給しながら、研磨ヘッド１０１を研磨定盤
１０４上で回転させることで、シリコンウェーハＷの研
磨面が鏡面研磨される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワックスレスマウント式の研磨では、以下の
不都合があった。すなわち、バックパッド１０３がやわ
らかい不織布からなるので、バックパッド１０３の外周
部における保形性が低下していた。具体的には、研磨時
のシリコンウェーハＷには、研磨ヘッド１０１側から面
圧力が作用する。また、自転および公転による外力も加
わる。この研磨ヘッド１０１の面圧力は、ミクロ的には
面全域において均一ではない。したがって、研磨中に
は、これらの複合力が、テンプレート１０２によって水
平移動が規制されたシリコンウェーハＷを介して、テン
プレート１０２内のバックパッド１０３の外周部に偏在
してしまう。その結果、このバックパッド１０３の外周
部が押し潰され、これによりシリコンウェーハＷは、そ
の外周部が反り上がった外周立ちの状態で仕上がるとい
う現象が起きていた。

【０００４】そこで、この現象を解消するため、バック
パッド１０３の外周部を、その中央部より高硬度化（例
えばショアＡ硬度計で３５〜５５）する従来技術が知ら
れている。しかしながら、硬いウェーハ保持板にシリコ
ンウェーハを保持して研磨する場合、基本的に研磨後の
シリコンウェーハの表面形状は、エッチ後のシリコンウ
ェーハの裏面形状によって決定される。これは、研磨後
に硬いウェーハ保持板からシリコンウェーハを剥離した
際、シリコンウェーハの裏面の形状が、研磨により平坦
化されたシリコンウェーハの表面に転写されるためであ
る。したがって、かりにエッチドウェーハの裏面の外周
部にダレが存在すれば、このバックパッド１０３の外周
部が高硬度であるほど、研磨後、例えばキャリアプレー
トにシリコンウェーハがワックス貼着されたワックス研
磨時と同様に、このシリコンウェーハの裏面の外周部の
ダレが、ウェーハ表面の外周部に転写される。その結
果、シリコンウェーハＷは、外周立ちの状態で仕上がる
ことになる。これにより、中央部に比べて外周部が厚い
シリコンウェーハＷが作製され、シリコンウェーハＷの
厚さにムラが生じていた。そのため、例えばＳＯＩウェ
ーハを作製する際、この外周立ちを原因として、活性層
用ウェーハと支持基板用ウェーハとの張り合わせ界面に
ボイドが発生しやすかった。

【０００５】

【発明の目的】そこで、この発明は、保水したバックパ
ッドによる半導体ウェーハの保持力をほとんど低下せず
に、半導体ウェーハの外周立ちを簡単かつ低コストで防
止することができるワックスレスマウント式研磨方法お
よび装置を提供することを、その目的としている。ま
た、この発明は、保水したバックパッドによる半導体ウ
ェーハの保持力をほとんど低下せずに、半導体ウェーハ
の外周ダレを簡単かつ低コストで防止することができる
ワックスレスマウント式研磨方法および装置を提供する
ことを、その目的としている。さらに、この発明は、既
存の研磨装置であっても、簡単かつ低コストでこの発明
の効果を有する研磨装置に変更することができるワック
スレスマウント式研磨方法およびその装置を提供するこ
とを、その目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、環状のテンプレートの内側の孔部に半導体ウェーハ
を収容するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘッド
との間にバックパッドを介在させて半導体ウェーハを研
磨するワックスレスマウント式研磨方法において、前記
テンプレートの孔部内でバックパッドの外周部を、その
中央部より厚肉化することにより、前記半導体ウェーハ
の外周部を、その中央部より研磨布に向かって所定高さ
だけ突出した状態で保持して半導体ウェーハを研磨する
ワックスレスマウント式研磨方法である。研磨布は、研
磨定盤の露出面のうち、研磨ヘッドとの対向面に展張さ
れる。研磨布としては、硬質ウレタンパッド、ＣｅＯ₂
パッドなどが挙げられる。研磨剤としては、例えば焼成
シリカやコロイダルシリカ（研磨砥粒）、アミン（加工
促進剤）および有機高分子（ヘイズ抑制剤）などを混合
したものを採用することができる。コロイダルシリカと
は、珪酸微粒子の凝集が起こらないで１次粒子のまま水
中に分散した透明または不透明の乳白色のコロイド液で
ある。

【０００７】半導体ウェーハは、代表的なシリコンウェ
ーハ以外にも、例えばガリウム砒素ウェーハなど、各種
のウェーハを採用することができる。研磨ヘッドは、研
磨定盤との対向面に１枚の半導体ウェーハが保持される
枚葉式でもよいし、多数枚の半導体ウェーハが一括して
保持されるバッチ式でもよい。また、この研磨ヘッド
は、研磨布の表面に沿って往復運動する方式でもよい
し、往復運動しない方式でもよい。往復運動する場合に
は、半導体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部には
み出して研磨してもよいし、そうでなくてもよい。研磨
ヘッドの使用台数は限定されない。１機でもよいし、複
数機でもよい。研磨ヘッドは、通常、研磨定盤の上方に
対向配置されているが、これとは上下を反対にしてもよ
い。さらに、研磨ヘッドと研磨定盤との軸線方向をそれ
ぞれ水平方向とした縦型の研磨装置でもよい。

【０００８】テンプレートは、そのプレート内側に、半
導体ウェーハの直径より若干大径な孔部を有している。
この孔部に半導体ウェーハが収容される。このテンプレ
ートの高さは限定されない。ただし、半導体ウェーハの
厚さと略同じ高さか１〜２００μｍだけ半導体ウェーハ
が突出する高さが好ましい。このテンプレートの素材は
限定されない。例えば、ガラスエポキシ樹脂や、各種の
セラミックスなどが挙げられる。バックパッド（厚肉部
分を含む）の素材は限定されない。例えばスウェード布
などの不織布が挙げられる。また、その硬度も限定され
ない。そして、このバックパッドの一部分（例えば外周
部）だけを、その中央部よりも高硬度（例えばショアＡ
硬度計で３５〜５５）としてもよい。バックパッドの厚
さは限定されない。ただし、２ｍｍ以下が好ましい。２
ｍｍを超えると、バックパッドに硬度ムラが生じやす
い。

【０００９】テンプレートの孔部内でバックパッドの外
周部を、その中央部より厚肉化する方法は限定されな
い。例えば、テンプレートの孔部内において、バックパ
ッドの外周部を厚肉に一体形成してもよい。また、バッ
クパッドと半導体ウェーハとの間に略環状の外周部分バ
ックパッドを配置してもよい。バックパッドの厚肉部分
の素材は限定されない。例えば、バックパッドと同じ素
材でもよい。このバックパッドの厚肉部分の厚さは限定
されない。ただし、半導体ウェーハの最外周部が、半導
体ウェーハの中央部よりも１〜２００μｍ突出する厚さ
が好ましい。

【００１０】請求項２に記載の発明は、前記バックパッ
ドと半導体ウェーハの外周部との間に略環状の外周部分
バックパッドを配置して、前記半導体ウェーハの外周部
を所定高さだけ突出した請求項１に記載のワックスレス
マウント式研磨方法である。外周部分バックパッドの素
材は限定されない。例えば、バックパッドと同じ素材で
もよい。外周部分バックパッドの形状は、通常、リング
状である。また、この外周部分バックパッドは、平坦な
円板形のバックパッドをベース部分とし、その外周部だ
けを環状に厚肉化したものでもよい。

【００１１】請求項３に記載の発明は、環状のテンプレ
ートの内側の孔部に半導体ウェーハを収容するととも
に、この半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパ
ッドを介在させて半導体ウェーハを研磨するワックスレ
スマウント式研磨方法において、前記テンプレートの孔
部内でバックパッドの中央部を、その外周部より厚肉化
することにより、前記半導体ウェーハの中央部を、その
外周部より研磨布に向かって所定高さだけ突出した状態
で保持して半導体ウェーハを研磨するワックスレスマウ
ント式研磨方法である。

【００１２】テンプレートの孔部内でバックパッドの中
央部を、その外周部より厚肉化する方法は限定されな
い。例えば、テンプレートの孔部内において、バックパ
ッドの中央部を厚肉に一体形成してもよい。また、半導
体ウェーハの中央部とバックパッドとの間に略円形状の
中央部分バックパッドを別体で配置してもよい。バック
パッドの厚肉化された中央部の厚さは限定されない。た
だし、半導体ウェーハ中央部が、半導体ウェーハの最外
周部よりも１〜２００μｍ突出する厚さが好ましい。

【００１３】請求項４に記載の発明は、前記バックパッ
ドと半導体ウェーハの中央部との間に略円形状の中央部
分バックパッドを配置して、前記半導体ウェーハの中央
部を所定高さだけ突出した請求項３に記載のワックスレ
スマウント式研磨方法である。中央部分バックパッドの
素材は限定されない。例えば、バックパッドと同じ素材
でもよい。

【００１４】請求項５に記載の発明は、環状のテンプレ
ートの内側の孔部に半導体ウェーハを収容するととも
に、この半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパ
ッドを介在させたワックスレスマウント式研磨装置にお
いて、前記半導体ウェーハの外周部とバックパッドとの
間に、該バックパッドの外周部を厚肉化する外周厚肉部
を配置することで、半導体ウェーハの外周部をその中央
部より研磨布に向かって所定高さだけ突出させたワック
スレスマウント式研磨装置である。

【００１５】請求項６に記載の発明は、前記外周厚肉部
が、厚さ２００μｍ以下で、半径方向の幅が５ｍｍ以下
の略環状の外周部分バックパッドである請求項５に記載
のワックスレスマウント式研磨装置である。外周部分バ
ックパッドの厚肉部の厚さが２００μｍを超えると、半
導体ウェーハの外周部がウェーハ中央部より突出する量
が大きくなる。よって、半導体ウェーハの外周部の研磨
量が増大し、半導体ウェーハの外周部に若干ダレが生じ
るおそれがある。さらに、外周部分バックパッドの半径
方向の幅が５ｍｍを超える場合、半導体ウェーハの中央
部を磨きすぎるおそれがある。

【００１６】請求項７に記載の発明は、環状のテンプレ
ートの内側の孔部に半導体ウェーハを収容するととも
に、この半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパ
ッドを介在させたワックスレスマウント式研磨装置にお
いて、前記半導体ウェーハの中央部とバックパッドとの
間に、該バックパッドの中央部を厚肉化する中央厚肉部
を設けることで、半導体ウェーハの中央部をその外周部
より研磨布に向かって所定高さだけ突出させたワックス
レスマウント式研磨装置である。

【００１７】請求項８に記載の発明は、前記中央厚肉部
が、厚さ２００μｍ以下で、半導体ウェーハの直径より
２ｍｍ以上小径な略円形状の中央部分バックパッドであ
る請求項７に記載のワックスレスマウント式研磨装置で
ある。中央部分バックパッドの厚肉部の厚さが２００μ
ｍを超えると、半導体ウェーハの中央部がウェーハ外周
部より突出する量が大きくなる。よって、半導体ウェー
ハの中央部の研磨量が増大し、半導体ウェーハに若干外
周立ちが生じるおそれがある。さらに、中央部分バック
パッドの直径と半導体ウェーハの直径との差が２ｍｍ未
満の場合には、半導体ウェーハの外周部を磨きすぎるお
それがある。

【００１８】

【作用】請求項１および請求項５の発明によれば、研磨
に際して、あらかじめバックパッドに純水などを供給し
た後、半導体ウェーハをテンプレートに収容する。これ
により、半導体ウェーハが水の表面張力によってバック
パッドに吸着される。その際、バックパッドの外周部に
厚肉部分が存在することで、半導体ウェーハの外周部
が、その中央部よりも研磨布に向かって突出する。この
状態で、研磨布上に研磨剤を供給しながら研磨ヘッドを
回転させ、半導体ウェーハの研磨面を研磨布の研磨作用
面に押し付けて研磨する。その結果、ウェーハ外周部
は、その中央部に比べて、研磨布との単位時間当たりの
接触面積および単位面積当たりの圧力が大きくなる。よ
って、この保水状態のバックパッドによる半導体ウェー
ハの保持力をほとんど低下せず、半導体ウェーハの外周
立ちを簡単かつ低コストで防止することができる。これ
により、高平坦度な半導体ウェーハが得られる。よっ
て、例えばＳＯＩウェーハを作製する際に、この外周立
ちを原因とする活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハ
との張り合わせ界面でのボイドの発生を防ぐことができ
る。

【００１９】特に、請求項２および請求項６の発明によ
れば、テンプレートの孔部内において、バックパッドの
外周部の表側に環状の外周部分バックパッドを配置す
る。これにより、半導体ウェーハの外周部が、その中央
部よりも所定高さだけ高く研磨布に向かって突出され
る。その結果、既存の研磨装置であっても、簡単かつ低
コストで、バックパッドの外周部を厚肉化したこの発明
の効果が得られる研磨装置に変更することができる。

【００２０】また、請求項３および請求項７の発明によ
れば、テンプレートの孔部内のバックパッドに半導体ウ
ェーハを水の表面張力によって吸着し、通常の研磨を施
す。このとき、半導体ウェーハの中央部が、バックパッ
ドの厚肉部分によってその外周部より研磨布に向かって
突出しているので、研磨中、ウェーハ中央部はその外周
部に比べて、研磨布との単位時間当たりの接触面積およ
び単位時間当たりの圧力が大きくなる。これにより、保
水したバックパッドによる半導体ウェーハの保持力をほ
とんど低下せずに、半導体ウェーハの外周ダレを簡単か
つ低コストで防止することができる。その結果、高平坦
度な半導体ウェーハが得られる。よって、例えばＳＯＩ
ウェーハを作製する際に、この外周ダレを原因としたボ
イドの発生を防ぐことができる。

【００２１】そして、請求項４および請求項８の発明に
よれば、テンプレートの孔部内において、バックパッド
の中央部の表側に略円形状の中央部分バックパッドを配
置する。これにより、半導体ウェーハの中央部が、その
外周部よりも所定高さだけ高く研磨布に向かって突出さ
れる。その結果、既存の研磨装置であっても、簡単かつ
低コストで、バックパッドの中央部を厚肉化したこの発
明の効果が得られる研磨装置に変更することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の第１の実施例を
説明する。図１は、この発明の第１の実施例に係るワッ
クスレスマウント式研磨装置の縦断面図である。図２
は、この発明の第１の実施例に係るバックパッドの斜視
図である。図１において、１０はこの発明の第１の実施
例に係るワックスレスマウント式研磨装置である。この
研磨装置１０は、研磨定盤１１と、これに対向して上方
に配設された研磨ヘッド１２とを備えている。研磨定盤
１１は、その上面に厚地のスポンジゴムを介して研磨布
１３が展張されている。研磨ヘッド１２は、その下面
に、ウェーハ固定用のテンプレート１４が設けられてい
る。

【００２３】研磨定盤１１および研磨ヘッド１２は円板
形で、対向する各面はそれぞれ平坦面である。これらの
研磨定盤１１および研磨ヘッド１２は、各回転軸を中心
にして、図示しない回転手段によってそれぞれ回転す
る。この研磨ヘッド１２は、回転軸の昇降により上下動
する。テンプレート１４は円形のリング状のガラスエポ
キシ板である。テンプレート１４は、研磨ヘッド１２の
下面に貼着されたバックパッド１５を介して、研磨ヘッ
ド１２の下面に設けられている。テンプレート１４の厚
さは、シリコンウェーハＷと略同じである。図１および
図２に示すように、バックパッド１５はスウェード製で
あり、厚さはパッド全域で均一である。研磨されるシリ
コンウェーハＷはＣＺウェーハである。

【００２４】この第１の実施例の発明の特長は、テンプ
レート１４の孔部内において、バックパッド１５の外周
部の表側に環状の外周部分バックパッド１６を配置し、
シリコンウェーハＷの外周部を、シリコンウェーハＷの
中央部よりも下方に向かって所定高さだけ突出させて研
磨する点である。外周部分バックパッド１６は、バック
パッド１５の外周部だけを厚肉化させるもので、厚さ２
００μｍ以下、半径方向の幅が５ｍｍ以下のリング形状
を有するスウェード製のパッドである。外周部分バック
パッド１６をテンプレート１４の内周に沿って、バック
パッド１５の下面に貼着すると、研磨時に前記シリコン
ウェーハＷの外周部が、テンプレート１４の外縁面から
高さｄだけ外方へ突出する。

【００２５】次に、この第１の実施例に係るワックスレ
スマウント式研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷ
のワックスレスマウント式研磨方法を説明する。図１に
示すように、シリコンウェーハＷの研磨時には、テンプ
レート１４および外周部分バックパッド１６をそれぞれ
所定位置に装着し、バックパッド１５および外周部分バ
ックパッド１６に純水などを所定量供給しておく。その
後、シリコンウェーハＷをテンプレート１４に収容す
る。これにより、シリコンウェーハＷの裏面が、水の表
面張力によりバックパッド１５に吸着・保持される。こ
の際、シリコンウェーハＷの外周部が、外周部分バック
パッド１６に吸着・保持される。これにより、シリコン
ウェーハＷの中央部の表面（研磨面）は、テンプレート
１４の下縁面と略同じ高さとなる一方、シリコンウェー
ハＷの最外周部の表面が、ウェーハ中央部よりも高さｄ
だけ下方に向かって突出する。その後、砥粒を含む研磨
剤を供給しながら、研磨ヘッド１２を研磨定盤１１上で
自転および公転させ、シリコンウェーハＷの表面を研磨
布１３により研磨する。

【００２６】このような研磨を実施するので、シリコン
ウェーハＷの外周部はその中心部に比べて、研磨布１３
との単位時間当たりの接触面積および単位面積当たりの
圧力が大きくなる。その結果、シリコンウェーハＷの外
周部の研磨量が、この中央部よりも増える。したがっ
て、研磨前のエッチドウェーハの外周部の裏面形状がダ
レていても、研磨後、シリコンウェーハＷをバックパッ
ド１５から剥離した時に、ウェーハ表面へのダレの転写
によるシリコンウェーハＷの外周立ちの分だけ、あらか
じめシリコンウェーハＷの外周部の表面が研磨される。
これにより、シリコンウェーハＷの外周立ちが防止さ
れ、シリコンウェーハＷの表面の平坦性が改善される。
その結果、例えばＳＯＩウェーハを作製する際、この外
周立ちを原因とした活性層用ウェーハと支持基板用ウェ
ーハとの張り合わせ界面でのボイドの発生を防ぐことが
できる。しかも、この第１の実施例では、テンプレート
１４の孔部内において、バックパッド１５の表側にバッ
クパッド１５とは別体である外周部分バックパッド１６
を貼着している。そのため、既存の研磨装置であって
も、簡単かつ低コストで上述した効果を有する研磨装置
に変更することができる。

【００２７】次に、図３および図４に基づき、この発明
の第２の実施例を説明する。図３は、この発明の第２の
実施例に係るワックスレスマウント式研磨装置の縦断面
図である。図４は、この発明の第２の実施例に係るバッ
クパッドの斜視図である。図３および図４に示すよう
に、この第２の実施例のワックスレスマウント式研磨装
置２０の特長は、第１の実施例の外周部分バックパッド
１６に代え、バックパッド１５の中央部の表側に略円形
状の中央部分バックパッド１６Ａを配置した点である。
これにより、シリコンウェーハＷの中央部の研磨量がウ
ェーハ外周部よりも大きくなる。

【００２８】中央部分バックパッド１６Ａは、バックパ
ッド１５の中央部だけを厚肉化させるもので、厚さ２０
０μｍ以下、シリコンウェーハＷの直径より２ｍｍ以上
小径な略円形状のパッドである。中央部分バックパッド
１６Ａを、バックパッド１５の中央部の下面に貼着する
ことで、研磨時にシリコンウェーハＷの中央部が、テン
プレート１４の外縁面から高さｄだけ外方へ突出する。
これにより、ウェーハ中央部はその外周部に比べて、研
磨布１３との単位時間当たりの接触面積および単位面積
当たりの圧力が大きくなる。その結果、保水したバック
パッド１５によるシリコンウェーハＷの保持力をほとん
ど低下せずに、シリコンウェーハＷの外周ダレの発生
を、簡単かつ低コストで防止することができる。その結
果、平坦度が高いシリコンウェーハＷを得ることができ
る。よって、例えばＳＯＩウェーハを作製する際に、こ
の外周ダレを原因とする活性層用ウェーハと支持基板用
ウェーハとの張り合わせ界面でのボイドの発生を防ぐこ
とができる。また、テンプレート１４の孔部内におい
て、バックパッド１５の中央部に略円形状の中央部分バ
ックパッド１６Ａを配置したので、既存の研磨装置であ
っても、簡単かつ低コストで、バックパッド１５の中央
部が厚肉なこの発明の効果が得られる研磨装置に変更す
ることができる。その他の構成、作用および効果は、第
１の実施例と略同様であるので、説明を省略する。

【００２９】

【発明の効果】この請求項１および請求項５の発明によ
れば、テンプレートの孔部内において、バックパッドの
外周部をその中央部より厚肉化して、半導体ウェーハの
外周部をその中央部より研磨布に向かって所定高さだけ
突出させたので、保水状態のバックパッドによる半導体
ウェーハの保持力をほとんど低下せず、半導体ウェーハ
の外周立ちを簡単かつ低コストで防ぐことができる。こ
れにより、高い平坦度の半導体ウェーハが得られる。そ
の結果、例えば張り合わせウェーハの製造時に、この外
周立ちを原因とした半導体ウェーハと半導体ウェーハと
の張り合わせ界面におけるボイドの発生を防止すること
ができる。

【００３０】特に、請求項２および請求項６の発明によ
れば、テンプレートの孔部内において、バックパッドの
外周部に環状の外周部分バックパッドを配置したので、
既存の研磨装置であっても、簡単かつ低コストで、バッ
クパッドの外周部が厚肉なこの発明の効果が得られる研
磨装置に変更することができる。

【００３１】また、請求項３および請求項７の発明によ
れば、テンプレートの孔部内において、バックパッドの
中央部をその外周部より厚肉化して、半導体ウェーハの
中央部をその外周部より研磨布に向かって所定高さだけ
突出させたので、保水状態のバックパッドによる半導体
ウェーハの保持力をほとんど低下せず、半導体ウェーハ
の外周ダレを簡単かつ低コストで防ぐことができる。こ
れにより、高平坦度な半導体ウェーハを作製することが
でき、例えば張り合わせウェーハの製造時に、この外周
ダレを原因とした半導体ウェーハと半導体ウェーハとの
張り合わせ界面におけるボイドの発生を防止することが
できる。

【００３２】そして、請求項４および請求項８の発明に
よれば、テンプレートの孔部内において、バックパッド
の中央部に略円形状の中央部分バックパッドを配置した
ので、既存の研磨装置であっても、簡単かつ低コスト
で、バックパッドの中央部を厚肉化したこの発明の効果
を有する研磨装置に変更することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置の縦断面図である。

【図２】この発明の第１の実施例に係るバックパッドの
斜視図である。

【図３】この発明の第２の実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置の縦断面図である。

【図４】この発明の第２の実施例に係るバックパッドの
斜視図である。

【図５】従来手段に係るワックスレスマウント式研磨方
法が適用された研磨装置の研磨中の状態を示す縦断面図
である。

【符号の説明】

１０，２０ワックスレスマウント式研磨装置、１２研磨ヘッド、１３研磨布、１４テンプレート、１５バックパッド、１６外周部分バックパッド、１６Ａ中央部分バックパッド、Ｗシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】環状のテンプレートの内側の孔部に半導
体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと
研磨ヘッドとの間にバックパッドを介在させて半導体ウ
ェーハを研磨するワックスレスマウント式研磨方法にお
いて、前記テンプレートの孔部内でバックパッドの外周部を、
その中央部より厚肉化することにより、前記半導体ウェ
ーハの外周部を、その中央部より研磨布に向かって所定
高さだけ突出した状態で保持して半導体ウェーハを研磨
するワックスレスマウント式研磨方法。
【請求項２】前記バックパッドと半導体ウェーハの外
周部との間に略環状の外周部分バックパッドを配置し
て、前記半導体ウェーハの外周部を所定高さだけ突出し
た請求項１に記載のワックスレスマウント式研磨方法。
【請求項３】環状のテンプレートの内側の孔部に半導
体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと
研磨ヘッドとの間にバックパッドを介在させて半導体ウ
ェーハを研磨するワックスレスマウント式研磨方法にお
いて、前記テンプレートの孔部内でバックパッドの中央部を、
その外周部より厚肉化することにより、前記半導体ウェ
ーハの中央部を、その外周部より研磨布に向かって所定
高さだけ突出した状態で保持して半導体ウェーハを研磨
するワックスレスマウント式研磨方法。
【請求項４】前記バックパッドと半導体ウェーハの中
央部との間に略円形状の中央部分バックパッドを配置し
て、前記半導体ウェーハの中央部を所定高さだけ突出し
た請求項３に記載のワックスレスマウント式研磨方法。
【請求項５】環状のテンプレートの内側の孔部に半導
体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと
研磨ヘッドとの間にバックパッドを介在させたワックス
レスマウント式研磨装置において、前記半導体ウェーハの外周部とバックパッドとの間に、
該バックパッドの外周部を厚肉化する外周厚肉部を配置
することで、半導体ウェーハの外周部をその中央部より
研磨布に向かって所定高さだけ突出させたワックスレス
マウント式研磨装置。
【請求項６】前記外周厚肉部は、厚さが２００μｍ以
下で、半径方向の幅が５ｍｍ以下の略環状の外周部分バ
ックパッドである請求項５に記載のワックスレスマウン
ト式研磨装置。
【請求項７】環状のテンプレートの内側の孔部に半導
体ウェーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと
研磨ヘッドとの間にバックパッドを介在させたワックス
レスマウント式研磨装置において、前記半導体ウェーハの中央部とバックパッドとの間に、
該バックパッドの中央部を厚肉化する中央厚肉部を設け
ることで、半導体ウェーハの中央部をその外周部より研
磨布に向かって所定高さだけ突出させたワックスレスマ
ウント式研磨装置。
【請求項８】前記中央厚肉部が、厚さ２００μｍ以下
で、半導体ウェーハの直径より２ｍｍ以上小径な略円形
状の中央部分バックパッドである請求項７に記載のワッ
クスレスマウント式研磨装置。