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JP2003163410A - 半導体レーザの端面コーティング方法 - Google Patents

半導体レーザの端面コーティング方法

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Publication number
JP2003163410A
JP2003163410A JP2001359462A JP2001359462A JP2003163410A JP 2003163410 A JP2003163410 A JP 2003163410A JP 2001359462 A JP2001359462 A JP 2001359462A JP 2001359462 A JP2001359462 A JP 2001359462A JP 2003163410 A JP2003163410 A JP 2003163410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
spacer
laser bar
coating
face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001359462A
Other languages
English (en)
Inventor
Daigo Morioka
大悟 森岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001359462A priority Critical patent/JP2003163410A/ja
Publication of JP2003163410A publication Critical patent/JP2003163410A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、半導体レーザバーの端面に
光学薄膜をコーティング後、半導体レーザバーとスペー
サとを分離する作業において、作業性を改善するととも
に、半導体レーザバーに加わる機械的ストレスを低減し
キズやクラックを生じさせる虞のない端面コーティング
方法を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザバー1間にスペーサ101
を介挿し、発光面2a及び発光背面2bに所定の光学薄
膜を形成した後、半導体レーザバー1とスペーサ101
とを分離する半導体レーザの端面コーティング方法にお
いて、スペーサ101にスペーサ101と半導体レーザ
バー1とを密着させた状態で外部に開放された溝部10
2を設けることを特徴とした半導体レーザの端面コーテ
ィング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザバー
とスペーサとを交互に重ねて配列し、半導体レーザの端
面(発光面及び発光背面)に光学薄膜を形成する方法に
関し、特に、光学薄膜形成後の半導体レーザバーとスペ
ーサとの分離作業を容易にする半導体レーザの端面コー
ティング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザにおいては、光出射面を酸
化から保護するためや反射率制御のために端面に光学薄
膜を形成することが一般に実施される。通常、これは半
導体レーザ素子が一列に連なった半導体レーザバーの状
態で、蒸着やスパッタリング法を用いて形成されるが、
このとき半導体レーザバー同士を直接重ねて並べると、
隣接する半導体レーザバーの高さの差や、並べるときに
生じる若干の段差によって、高い方の半導体レーザバー
の陰になる低い方の半導体レーザバーの端面には均一な
光学薄膜が形成されないという問題があり、半導体レー
ザバー同士を直接重ねるのではなく、半導体レーザバー
の間に半導体レーザバーよりも高さが低いスペーサを介
挿して、すべての半導体レーザバーの端面が両側のスペ
ーサより飛び出す格好にして端面コーティングがなされ
る。また、このスペーサは、半導体レーザバーの電極面
に不所望な光学薄膜が付着することを防止する被覆材と
しての役目も兼ねており、高さは電極の所定の領域を覆
う高さでなければならない。また、材質としては、例え
ばシリコン、金属、セラミックなどが用いられる。
【0003】従来の端面コーティング方法の一例を斜視
図として示す図3を用いて説明する。半導体レーザバー
1は、相対向する発光面2a及び発光背面2bと、相対
向する2つの電極面3a,3bとを有する略直方体の半
導体レーザ素子が、これらの4つの面2a,2b,3
a,3b以外の面で一列に連なっている。例えば、半導
体レーザ素子が約40個から60個連なったもので、図
中の高さH2は約500μm、長さL1は約10mm程
度であり、非常に細長い形状を成している。
【0004】この半導体レーザバー1の発光面2a及び
発光背面2bに、それぞれ異なる反射率の光学薄膜を形
成する方法は、先ず、半導体レーザバー1とスペーサ4
とを発光面2a(または、発光背面2bでもよい)をす
べて上向きに揃えて交互に重ねて配列し、半導体レーザ
バー1の電極面3a,3bをスペーサ4の側面4aで被
覆する。ここで、スペーサの高さH1(例えば約480
μm)は、電極面3a,3bの所定の領域を被覆する高
さであるとともに、半導体レーザバー1の高さH2(例
えば約500μm)よりも低く、交互に配列した状態で
各半導体レーザバー1の発光面2aはスペーサ4よりも
飛び出す格好になり完全に露呈し均一な光学薄膜の形成
ができる。また、スペーサ4の長さL1(例えば約15
mm)は、半導体レーザバー1の長さL2(例えば約1
0mm)よりも長く、十分に電極面3a,3bを被覆で
き電極面3a,3bに光学薄膜材料が付着することを防
止できる。通常、この配列作業は作業者がピンセット
(図示せず)などを用いて手作業で実施するが、半導体
レーザバー1やスペーサ4は小さくて細長いため取扱い
が困難で習熟を要し、また、キズやクラックを生じさせ
ないように極力、半導体レーザバー1にストレスを加え
ない工夫が必要な作業であった。
【0005】次に、この配列された半導体レーザバー1
とスペーサ4とを固定用治具5上に、発光面2aが上向
きになるように載置し、例えばコイルバネ6の圧縮力な
どを利用したスライド式の押え部7で押えつけて固定す
る。次に、このセットが完了した固定用治具5をスパッ
タ装置(図示せず)に入れ、スパッタリングし発光面2
aに所定の光学薄膜のコーティングを行う。コーティン
グが完了したら、固定用治具5をスパッタ装置(図示せ
ず)から取出し、スライド式の押え部7を緩め、半導体
レーザバー1とスペーサ4とを交互に重ねた状態のまま
ピンセット(図示せず)などで発光背面3b(コーティ
ング未了面)が上向きになるように固定用治具5上で反
転させる。このとき、固定用治具5側の半導体レーザバ
ー1とスペーサ4の面は不揃いとなっているため、半導
体レーザバー1の下面(コーティング完了面)及びスペ
ーサ4の下面が固定用治具5にしっかり密着するように
押えて高さを揃え直してやる。この反転作業と高さ揃え
作業とが完了したら、再びスライド式の押え部7で押え
つけて固定する。こうすることで、発光背面2b(コー
ティング未了面)はスペーサ4よりも飛び出す格好にな
り完全に露呈し均一な光学薄膜の形成ができる。次に、
このセットが完了した固定用治具5をスパッタ装置(図
示せず)に入れ、発光背面2b(コーティング未了面)
に所定の光学薄膜のコーティングを行う。コーティング
が完了したら、固定用治具5をスパッタ装置(図示せ
ず)から取出し、スライド式の押え部7を緩め、半導体
レーザバー1とスペーサ4とを交互に重ねたままの状態
で固定用治具5から離脱して、半導体レーザバー1とス
ペーサ4とを分離し端面コーティング作業が完了する。
尚、上記では発光面2aを先にコーティングし、その
後、反転させ発光背面2bをコーティングする順で説明
したが、この順は反対であってもよい。
【0006】ここで、スペーサ4の側面4aは、スパッ
タリングのときに光学薄膜材料が半導体レーザバー1と
の隙間から侵入しないように、また、接触する電極面3
a,3bに擦りキズを付けたりしないように、平面度の
高い鏡面となっている。ところが、このため半導体レー
ザバー1とスペーサ4とは互いに鏡面同士で密着するこ
とになり、また、固定用治具5上でコイルバネ6の圧力
で押付けられているため、両者間にファンデルワールス
力による密着力を生じ、固定用治具5から離脱しただけ
では容易に分離できなくなっているものがあった。この
ような場合、作業者は、ピンセット(図示せず)や粘着
シート(図示せず)を利用して、密着した一方を粘着シ
ート(図示せず)に貼付けて固定し、他方をピックアッ
プするなどの方法で両者を分離しなければならず神経を
使う繊細な作業を強いられることになっていた。また、
ピンセット(図示せず)などで取扱う作業が増えるとわ
ずかながらも、機械的ストレスを加えることになり半導
体レーザバー1にキズやクラックを生じさせる虞があっ
た。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題に
鑑みてなされたものであって、半導体レーザバーの両端
面を光学薄膜でコーティングした後、半導体レーザバー
とスペーサとを分離する作業において、作業性を改善す
るとともに、半導体レーザバーに加わる機械的ストレス
を低減しキズやクラックを生じさせる虞のない端面コー
ティング方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
端面コーティング方法は、半導体レーザバー間にスペー
サを介挿し、発光面及び発光背面に所定の光学薄膜を形
成した後、半導体レーザバーとスペーサとを分離する半
導体レーザの端面コーティング方法において、スペーサ
にスペーサと半導体レーザバーとを密着させた状態で外
部に開放された凹部を設けることを特徴とした半導体レ
ーザの端面コーティング方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の端面コーティング方法の
一例を斜視図として示す図1を用いて説明する。従来技
術と異なるところは、半導体レーザバー間に介挿するス
ペーサの形状に係る点であり、図3と同一部分には同一
符号を用いて説明を省略する。本発明の端面コーティン
グ方法に用いるスペーサ101は、スペーサ101の半
導体レーザバー1と重ねる側面101aにスペーサ10
1の長手方向に沿った両端開放の溝102を有してい
る。この溝102の短手方向の長さWはスペーサ101
の高さH1(例えば約480μm)の半分とし、深さ
は、特に限定しない。ここで、溝102の開口面積をス
ペーサが半導体レーザバーを被覆する面積の40%乃至
70%になるようにしておくとスペーサの機械的強度を
著しく劣化させることがない。スペーサ101は、側面
101aの溝102以外の部分で半導体レーザバー1と
密着し、半導体レーザバー1とスペーサ101との密着
面積及び密着強度は半減し、両者が分離しやすくなる。
このため、ピンセット(図示せず)や粘着シート(図示
せず)を用いて両者を強制的に分離しなくてもよく作業
性が改善されるとともに、半導体レーザバー1にキズや
クラックを生じさせる虞がない。また、両端が開放した
溝102であるため半導体レーザバー1と重ねた状態
で、溝102に空気を内包することがなくスパッタ装置
(図示せず)のチャンバ(図示せず)を真空にする際、
悪影響を及ぼす虞がない。
【0010】上記では、半導体レーザバー1とスペーサ
101との接触面積を減少させるために、スペーサ10
1の側面101aに両端開放の溝102を設ける構成で
説明したが、図2(a),(b)に他の構成のスペーサ
として、いずれか一端を閉塞した溝103、または、両
端を閉塞した溝104を設けた実施例を各々、斜視図と
して示す。この場合、両端開放の溝102を設ける構成
に比べてスペーサ101の機械的強度は向上する。溝1
03,104の開口の長手方向の長さL3,L4は半導
体レーザバー1の長さより長くして空気を内包しないよ
うにしておく。また、図2(c)に他の構成として、貫
通孔105を設けた実施例を斜視図として示す。この場
合も、貫通孔105の開口の長手方向の長さL5を半導
体レーザバー1の長さより長くし空気を内包しないよう
にしておく。
【0011】
【発明の効果】本発明の端面コーティング方法による
と、半導体レーザバーとスペーサとの間にファンデルワ
ールス力による密着力が生じても、スペーサに凹部を設
けるため、密着面積及び密着強度を減少させることがで
き半導体レーザバーとスペーサとを容易に分離でき作業
性が改善されるとともにピンセットなどによる強制的な
分離作業を不要とするためキズやクラックの生じる虞が
減少する。また、凹部は半導体レーザバーとスペーサと
を重ねた状態で一部が開放されているため、凹部に空気
を内包することがなくスパッタリングのときの真空度に
悪影響を及ぼす虞がない。また、凹部の面積をスペーサ
が半導体レーザバーを被覆する面積の40%乃至70%
に選択するとスペーサの機械的強度を著しく劣化させる
ことなくかつ、密着強度を低減できて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の端面コーティング方法の一例を示す
斜視図
【図2】 本発明の端面コーティング方法に使用する他
のスペーサの例を示す斜視図
【図3】 従来の端面コーティング方法の斜視図
【符号の説明】
1 半導体レーザバー 2a 発光面 2b 発光背面 101 スペーサ 102 溝

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザバー間にスペーサを介挿し、
    発光面及び発光背面に所定の光学薄膜を形成した後、半
    導体レーザバーとスペーサとを分離する半導体レーザの
    端面コーティング方法において、スペーサにスペーサと
    半導体レーザバーとを密着させた状態で外部に開放され
    た凹部を設けることを特徴とした半導体レーザの端面コ
    ーティング方法。
  2. 【請求項2】凹部の開口面積は、スペーサが半導体レー
    ザバーを被覆する面積の40%乃至70%であることを
    特徴とした請求項1に記載の半導体レーザの端面コーテ
    ィング方法。
  3. 【請求項3】凹部は、スペーサ長手方向に沿って形成さ
    れた両端開放の溝であることを特徴とした請求項1に記
    載の半導体レーザの端面コーティング方法。
  4. 【請求項4】凹部は、スペーサ長手方向に沿って形成さ
    れた両端または一端を閉塞した半導体レーザバーの長さ
    よりも長い溝であることを特徴とした請求項1に記載の
    半導体レーザの端面コーティング方法。
  5. 【請求項5】凹部は、スペーサ長手方向に沿って形成さ
    れた貫通孔であり、貫通孔の開口の長手方向の長さは半
    導体レーザバーの長さよりも長いことを特徴とした請求
    項1に記載の半導体レーザの端面コーティング方法。
JP2001359462A 2001-11-26 2001-11-26 半導体レーザの端面コーティング方法 Pending JP2003163410A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113913743A (zh) * 2021-08-18 2022-01-11 武汉云岭光电有限公司 一种半导体激光器制备方法

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