JP2003163169A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の稼働率を向上させることができる気相
成長装置を提供する。 【解決手段】 成長室１とフィルタ４２とを排気通路４
で接続している。排気通路４は、排気配管１１、排気配
管１２および排気配管１３からなっている。排気配管１
２の内壁には凸部７を設けている。これにより、未反応
の原料ガスによる生成物が排気配管１２で効率よく捕獲
することができる。
成長装置を提供する。 【解決手段】 成長室１とフィルタ４２とを排気通路４
で接続している。排気通路４は、排気配管１１、排気配
管１２および排気配管１３からなっている。排気配管１
２の内壁には凸部７を設けている。これにより、未反応
の原料ガスによる生成物が排気配管１２で効率よく捕獲
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、未反応の原料ガス
による生成物のフィルタリングを行う気相成長装置に関
する。
による生成物のフィルタリングを行う気相成長装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、化合物半導体の気相成長装置
としては、図４に示すように、成長室４１とフィルタ４
２とを排気配管４４で接続したものがある。
としては、図４に示すように、成長室４１とフィルタ４
２とを排気配管４４で接続したものがある。
【０００３】上記気相成長装置では、Ｇａ原料としてＴ
ＭＧ（トリメチルガリウム）、Ａｌ原料としてＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）、Ａｓ原料としてＡｓＨ３
（アルシン）などの原料ガスを、成長室４１の上部から
成長室４１内に導入する。その原料ガスがウェハ４６上
で加熱分解されることにより、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ
がウェハ４６上に成膜する。
ＭＧ（トリメチルガリウム）、Ａｌ原料としてＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）、Ａｓ原料としてＡｓＨ３
（アルシン）などの原料ガスを、成長室４１の上部から
成長室４１内に導入する。その原料ガスがウェハ４６上
で加熱分解されることにより、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ
がウェハ４６上に成膜する。
【０００４】そして、上記ウェハ４６上で成膜に寄与し
なかった未反応の原料ガスは、成長室４１の下部から成
長室４１外に排気され、排気装置４３に達する。このと
き、上記成長室４１と排気装置４３との間にフィルタ４
３を設置していることにより、未反応の原料ガスによる
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどの生成物が排気装置４３に
取り込まれない。
なかった未反応の原料ガスは、成長室４１の下部から成
長室４１外に排気され、排気装置４３に達する。このと
き、上記成長室４１と排気装置４３との間にフィルタ４
３を設置していることにより、未反応の原料ガスによる
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどの生成物が排気装置４３に
取り込まれない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の気相成長装
置では、未反応の原料ガスによる生成物をフィルタ４２
でフィルタリングすることで、その生成物が排気装置４
３に流入することを防いでいるが、フィルタ４２に生成
物が堆積することで排気能力が低下し、正常な排気がで
きなくなって成長室４１の圧力制御が困難になる。
置では、未反応の原料ガスによる生成物をフィルタ４２
でフィルタリングすることで、その生成物が排気装置４
３に流入することを防いでいるが、フィルタ４２に生成
物が堆積することで排気能力が低下し、正常な排気がで
きなくなって成長室４１の圧力制御が困難になる。
【０００６】また、上記未反応の原料ガスが、排気装置
４３に流入することにより排気装置４３の故障が発生す
る。
４３に流入することにより排気装置４３の故障が発生す
る。
【０００７】以上のことから、上記従来の気相成長装置
では、定期的なフィルタ４２の交換や排気装置４３のメ
ンテナンスが頻繁に必要になり、装置の稼働率が低下す
るとう問題がある。
では、定期的なフィルタ４２の交換や排気装置４３のメ
ンテナンスが頻繁に必要になり、装置の稼働率が低下す
るとう問題がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、装置の稼働率を
向上させることができる気相成長装置を提供することに
ある。
向上させることができる気相成長装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の気相成長装置は、成長室とフィルタとを排
気通路で接続している気相成長装置において、上記排気
通路の少なくとも一部を、未反応の原料ガスによる生成
物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排気管によ
り構成したことを特徴としている。
め、本発明の気相成長装置は、成長室とフィルタとを排
気通路で接続している気相成長装置において、上記排気
通路の少なくとも一部を、未反応の原料ガスによる生成
物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排気管によ
り構成したことを特徴としている。
【００１０】上記構成の気相成長装置によれば、上記未
反応の原料ガスが排気通路を流れる場合、排気通路の少
なくとも一部を捕獲用排気管により構成しているから、
未反応の原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲さ
れる。その結果、上記生成物がフィルタに堆積するのが
抑制されて、フィルタの交換頻度が減少し、装置の稼動
率を向上させることができる。
反応の原料ガスが排気通路を流れる場合、排気通路の少
なくとも一部を捕獲用排気管により構成しているから、
未反応の原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲さ
れる。その結果、上記生成物がフィルタに堆積するのが
抑制されて、フィルタの交換頻度が減少し、装置の稼動
率を向上させることができる。
【００１１】また、上記未反応の原料ガスがフィルタを
経由した後、例えば排気装置に流入する場合、未反応の
原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲されるか
ら、排気装置へ流れ込む未反応の原料ガスや生成物が減
少する。これにより、上記排気装置の故障頻度が少なく
なり、排気装置のメンテナンス頻度を低減できる。
経由した後、例えば排気装置に流入する場合、未反応の
原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲されるか
ら、排気装置へ流れ込む未反応の原料ガスや生成物が減
少する。これにより、上記排気装置の故障頻度が少なく
なり、排気装置のメンテナンス頻度を低減できる。
【００１２】また、上記生成物が堆積した捕獲用排気管
は洗浄を行うことで再生可能であるから、その捕獲用排
気管の再生にかかる費用は排気装置のメンテナンスにか
かる費用に比べて安価である。
は洗浄を行うことで再生可能であるから、その捕獲用排
気管の再生にかかる費用は排気装置のメンテナンスにか
かる費用に比べて安価である。
【００１３】一実施形態の気相成長装置において、上記
排気通路は上記捕獲用排気管と他の排気管とからなり、
上記捕獲用排気管の内側の表面積は上記他の排気管の内
側の表面積より大きい。
排気通路は上記捕獲用排気管と他の排気管とからなり、
上記捕獲用排気管の内側の表面積は上記他の排気管の内
側の表面積より大きい。
【００１４】上記実施形態の気相成長装置は、上記捕獲
用排気管の内側の表面積が他の排気管の内側の表面積よ
り大きいから、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲用
排気管で効率よく捕獲することができる。
用排気管の内側の表面積が他の排気管の内側の表面積よ
り大きいから、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲用
排気管で効率よく捕獲することができる。
【００１５】一実施形態の気相成長装置において、上記
捕獲用排気管の内面の捕獲構造は、上記捕獲用排気管の
内側に突出する凸部である。
捕獲用排気管の内面の捕獲構造は、上記捕獲用排気管の
内側に突出する凸部である。
【００１６】上記実施形態の気相成長装置は、上記捕獲
用排気管の内面の捕獲構造が捕獲用排気管の内側に突出
する凸部であるから、未反応の原料ガスによる生成物を
捕獲用排気管で効率よく捕獲することができる。
用排気管の内面の捕獲構造が捕獲用排気管の内側に突出
する凸部であるから、未反応の原料ガスによる生成物を
捕獲用排気管で効率よく捕獲することができる。
【００１７】一実施形態の気相成長装置において、上記
捕獲用排気管の内面の捕獲構造は凹凸である。
捕獲用排気管の内面の捕獲構造は凹凸である。
【００１８】上記実施形態の気相成長装置は、上記捕獲
用排気管の内面の捕獲構造が凹凸であるから、未反応の
原料ガスによる生成物を捕獲用排気管で効率よく捕獲す
ることができる。
用排気管の内面の捕獲構造が凹凸であるから、未反応の
原料ガスによる生成物を捕獲用排気管で効率よく捕獲す
ることができる。
【００１９】一実施形態の気相成長装置は、上記凹凸は
サンドブラスターにより加工されている。
サンドブラスターにより加工されている。
【００２０】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の少なくとも一部を冷却する冷却手段を備える。
排気管の少なくとも一部を冷却する冷却手段を備える。
【００２１】上記実施形態の気相成長装置によれば、上
記捕獲用排気管の一部を冷却手段で冷却することによ
り、捕獲用排気管において、未反応の原料ガスによる生
成物の堆積を促進することができる。
記捕獲用排気管の一部を冷却手段で冷却することによ
り、捕獲用排気管において、未反応の原料ガスによる生
成物の堆積を促進することができる。
【００２２】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の両側にバルブが接続されていて、上記捕獲用排
気管が取り外し可能になっている。
排気管の両側にバルブが接続されていて、上記捕獲用排
気管が取り外し可能になっている。
【００２３】上記実施形態の気相成長装置は、上記捕獲
用排気管が取り外し可能になっているから、捕獲用排気
管のメンテナンスが容易になり、そのメンテナンスにか
かる時間を短縮できる。
用排気管が取り外し可能になっているから、捕獲用排気
管のメンテナンスが容易になり、そのメンテナンスにか
かる時間を短縮できる。
【００２４】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の上記両側のバルブをバイパスする補助配管を上
記排気通路に接続すると共に、上記補助配管の中間にバ
ルブを接続している。
排気管の上記両側のバルブをバイパスする補助配管を上
記排気通路に接続すると共に、上記補助配管の中間にバ
ルブを接続している。
【００２５】上記実施形態の気相成長装置によれば、上
記捕獲用排気管が閉塞状態となった場合、捕獲用排気管
の両側のバルブを補助配管でバイパスしているから、補
助配管を使用することにより、成長室内の圧力が上昇す
るのを阻止できる。
記捕獲用排気管が閉塞状態となった場合、捕獲用排気管
の両側のバルブを補助配管でバイパスしているから、補
助配管を使用することにより、成長室内の圧力が上昇す
るのを阻止できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１に、本発明
の実施の形態１の気相成長装置の模式図を示す。図１の
矢印は、材料ガスが流れる方向を示している。
の実施の形態１の気相成長装置の模式図を示す。図１の
矢印は、材料ガスが流れる方向を示している。
【００２７】上記気相成長装置は、図１に示すように、
成長室１とフィルタ４２とを接続する排気通路４を備え
ている。上記排気通路４は、捕獲用排気管としての排気
配管１２と、他の排気管としての排気配管１１，１３と
からなっている。上記排気配管１２は、未反応の原料ガ
スによる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に有してい
る。具体的には、上記排気配管１２の内壁に凸部７を設
けて、排気配管１２の内側の単位長さ当たりの表面積
が、排気配管１１，１３の内側の単位長さ当たりの表面
積より大きくなっている。すなわち、上記排気配管１２
の内面の捕獲構造は、排気配管１２の内側に突出する凸
部７である。
成長室１とフィルタ４２とを接続する排気通路４を備え
ている。上記排気通路４は、捕獲用排気管としての排気
配管１２と、他の排気管としての排気配管１１，１３と
からなっている。上記排気配管１２は、未反応の原料ガ
スによる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に有してい
る。具体的には、上記排気配管１２の内壁に凸部７を設
けて、排気配管１２の内側の単位長さ当たりの表面積
が、排気配管１１，１３の内側の単位長さ当たりの表面
積より大きくなっている。すなわち、上記排気配管１２
の内面の捕獲構造は、排気配管１２の内側に突出する凸
部７である。
【００２８】上記構成の気相成長装置によれば、材料ガ
スは、成長室１の上部から成長室１内に導入された後、
排気装置３により成長室１の下部から成長室１外に真空
排気される。そして、上記材料ガスは、排気配管１１，
１２，１３を順次経由した後、フィルタ２を通過して排
気装置３に達する。
スは、成長室１の上部から成長室１内に導入された後、
排気装置３により成長室１の下部から成長室１外に真空
排気される。そして、上記材料ガスは、排気配管１１，
１２，１３を順次経由した後、フィルタ２を通過して排
気装置３に達する。
【００２９】以下、上記気相成長装置によるＧａＡｓ／
ＡｌＧａＡｓ成長の一例を説明する。なお、上記ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ成長を行う場合、ウェハとしてＧａＡ
ｓウェハ６を使用する。
ＡｌＧａＡｓ成長の一例を説明する。なお、上記ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ成長を行う場合、ウェハとしてＧａＡ
ｓウェハ６を使用する。
【００３０】まず、原料ガスのＡｓＨ３，ＴＭＧおよび
ＴＭＡを、キャリアガスのＨ２と共に成長室１に導入し
て、原料ガスをＧａＡｓウェハ６上に供給する。このＧ
ａＡｓウェハ６が５００℃〜８００℃で加熱されている
ため、ＧａＡｓウェハ６上に供給された原料ガスが加熱
分解されて、ＧａＡｓウェハ６上でＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓが成長する。
ＴＭＡを、キャリアガスのＨ２と共に成長室１に導入し
て、原料ガスをＧａＡｓウェハ６上に供給する。このＧ
ａＡｓウェハ６が５００℃〜８００℃で加熱されている
ため、ＧａＡｓウェハ６上に供給された原料ガスが加熱
分解されて、ＧａＡｓウェハ６上でＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓが成長する。
【００３１】その後、加熱分解された原料ガスのうち、
結晶成長に寄与しなかった未反応の原料ガスは、成長室
１の下部から排気装置３により真空排気される。そし
て、その未反応の原料ガスは、排気配管１１，１２，１
３を順次通る。このとき、上記排気配管１１の内壁に凸
部７を形成されていることにより、成長室１からの未反
応の原料ガスによる生成物が効率よく排気配管１２に堆
積する。すなわち、未反応の原料ガスによる生成物が排
気配管１２で効率よく捕獲される。
結晶成長に寄与しなかった未反応の原料ガスは、成長室
１の下部から排気装置３により真空排気される。そし
て、その未反応の原料ガスは、排気配管１１，１２，１
３を順次通る。このとき、上記排気配管１１の内壁に凸
部７を形成されていることにより、成長室１からの未反
応の原料ガスによる生成物が効率よく排気配管１２に堆
積する。すなわち、未反応の原料ガスによる生成物が排
気配管１２で効率よく捕獲される。
【００３２】このように、上記未反応の原料ガスによる
生成物が排気配管１２で効率よく捕獲されるので、その
生成物がフィルタ２に堆積するのが抑制される。その結
果、上記フィルタ２の交換頻度が少なくなり、装置の稼
動率を向上させることができる。
生成物が排気配管１２で効率よく捕獲されるので、その
生成物がフィルタ２に堆積するのが抑制される。その結
果、上記フィルタ２の交換頻度が少なくなり、装置の稼
動率を向上させることができる。
【００３３】また、上記生成物が排気配管１２で効率よ
く捕獲されるから、排気装置３へ流れ込む未反応の原料
ガスや生成物が減少する。その結果、上記排気装置３の
故障頻度が減少し、排気装置３のメンテナンス頻度を低
減できる。
く捕獲されるから、排気装置３へ流れ込む未反応の原料
ガスや生成物が減少する。その結果、上記排気装置３の
故障頻度が減少し、排気装置３のメンテナンス頻度を低
減できる。
【００３４】また、上記生成物が堆積した排気配管１２
は洗浄を行うことで再生が可能であるから、その排気配
管１２の再生にかかる費用は排気装置３のメンテナンス
にかかる費用に比べて安価である。
は洗浄を行うことで再生が可能であるから、その排気配
管１２の再生にかかる費用は排気装置３のメンテナンス
にかかる費用に比べて安価である。
【００３５】上記実施の形態１では、上記排気通路４の
一部を、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲
構造を内面に有する捕獲用排気管により構成していた
が、排気通路４の全部を、未反応の原料ガスによる生成
物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排気管によ
り構成してもよい。
一部を、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲
構造を内面に有する捕獲用排気管により構成していた
が、排気通路４の全部を、未反応の原料ガスによる生成
物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排気管によ
り構成してもよい。
【００３６】要するに、上記排気通路４の少なくとも一
部を、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲構
造を内面に有する捕獲用排気管により構成すればよい。
部を、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲構
造を内面に有する捕獲用排気管により構成すればよい。
【００３７】また、上記排気配管１２の凸部７の形状
は、例えば螺旋形状や板形状であってもよい。
は、例えば螺旋形状や板形状であってもよい。
【００３８】また、例えばリング形状の凸部が内壁に設
けられた排気配管を、捕獲用排気管として用いてもよ
い。または、例えば柱形状の凸部が内壁に設けられた排
気配管を、捕獲用排気管として用いてもよい。上記リン
グ形状の凸部、柱形状の凸部の数は、単数または複数で
もよい。
けられた排気配管を、捕獲用排気管として用いてもよ
い。または、例えば柱形状の凸部が内壁に設けられた排
気配管を、捕獲用排気管として用いてもよい。上記リン
グ形状の凸部、柱形状の凸部の数は、単数または複数で
もよい。
【００３９】また、上記排気配管１２の代わりに、例え
ばサンドブラスターにより内壁が粗面化された捕獲用排
気管を用いてもよい。この場合、上記排気配管１１，１
３の内壁を、例えば電解研磨により鏡面化する。これに
より、上記捕獲用排気管の内側の単位長さ当たりの表面
積が、排気配管１１，１３の内側の単位長さ当たりの表
面積に比べて大きくなる。その結果、上記捕獲用排気管
内において、未反応の原料ガスによる生成物が効率よく
堆積して、フィルタ２の交換頻度、排気装置３の故障頻
度、および排気装置３の定期メンテナンスの頻度が減少
する。
ばサンドブラスターにより内壁が粗面化された捕獲用排
気管を用いてもよい。この場合、上記排気配管１１，１
３の内壁を、例えば電解研磨により鏡面化する。これに
より、上記捕獲用排気管の内側の単位長さ当たりの表面
積が、排気配管１１，１３の内側の単位長さ当たりの表
面積に比べて大きくなる。その結果、上記捕獲用排気管
内において、未反応の原料ガスによる生成物が効率よく
堆積して、フィルタ２の交換頻度、排気装置３の故障頻
度、および排気装置３の定期メンテナンスの頻度が減少
する。
【００４０】すなわち、上記排気配管１２の内面の捕獲
構造は、サンドブラスターにより加工された凹凸であっ
てもよい。
構造は、サンドブラスターにより加工された凹凸であっ
てもよい。
【００４１】また、上記排気配管１２または捕獲用排気
管の少なくとも一部を、例えば冷却水などで冷却しても
よい。この場合、上記排気配管１２または捕獲用排気管
内において、未反応の原料ガスによる生成物の堆積を促
進することができる。
管の少なくとも一部を、例えば冷却水などで冷却しても
よい。この場合、上記排気配管１２または捕獲用排気管
内において、未反応の原料ガスによる生成物の堆積を促
進することができる。
【００４２】すなわち、本発明の気相成長装置は、未反
応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に
有する捕獲用排気管の少なくとも一部を冷却する冷却手
段を備えてもよい。
応の原料ガスによる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に
有する捕獲用排気管の少なくとも一部を冷却する冷却手
段を備えてもよい。
【００４３】（実施の形態２）図２に、本発明の実施の
形態２の気相成長装置の模式図を示す。また、図２にお
いて、図１に示した気相成長装置の構成部と同一構成部
は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を
省略する。
形態２の気相成長装置の模式図を示す。また、図２にお
いて、図１に示した気相成長装置の構成部と同一構成部
は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を
省略する。
【００４４】本実施の形態２の気相成長装置では、排気
配管１２の両側にボールバルブ８Ａ，８Ｂが接続されて
いて、排気配管が取り外し可能になっている。上記排気
配管１２と、他の排気管としての排気管２１，２３とに
より排気通路２４を構成している。
配管１２の両側にボールバルブ８Ａ，８Ｂが接続されて
いて、排気配管が取り外し可能になっている。上記排気
配管１２と、他の排気管としての排気管２１，２３とに
より排気通路２４を構成している。
【００４５】上記構成の気相成長装置は、上記排気配管
１２を取り外せるので、排気配管１２のメンテナンスが
容易になり、そのメンテナンスにかかる時間を短縮でき
る。
１２を取り外せるので、排気配管１２のメンテナンスが
容易になり、そのメンテナンスにかかる時間を短縮でき
る。
【００４６】また、本実施の形態２の気相成長装置が、
実施の形態１の気相成長装置と同様の効果を奏するのは
言うまでもない。
実施の形態１の気相成長装置と同様の効果を奏するのは
言うまでもない。
【００４７】（実施の形態３）図３に、本発明の実施の
形態３の気相成長装置の模式図を示す。また、図３にお
いて、図２に示した気相成長装置の構成部と同一構成部
は、図２における構成部と同一参照番号を付して説明を
省略する。
形態３の気相成長装置の模式図を示す。また、図３にお
いて、図２に示した気相成長装置の構成部と同一構成部
は、図２における構成部と同一参照番号を付して説明を
省略する。
【００４８】上記実施の形態３の気相成長装置では、ボ
ールバルブ８Ａ，８Ｂをバイパスする補助配管としての
補助ライン９を排気通路２４に接続している。すなわ
ち、上記排気配管１２に対して並列になるように、補助
ライン９を排気通路２４に接続している。上記補助ライ
ン９の中間にはボールバルブ８Ｃを接続している。
ールバルブ８Ａ，８Ｂをバイパスする補助配管としての
補助ライン９を排気通路２４に接続している。すなわ
ち、上記排気配管１２に対して並列になるように、補助
ライン９を排気通路２４に接続している。上記補助ライ
ン９の中間にはボールバルブ８Ｃを接続している。
【００４９】上記構成の気相成長装置によれば、結晶成
長中、排気配管１２が生成物の堆積により閉塞状態とな
った場合、補助ライン９を使用することで成長室１の圧
力制御を行うことができ、結晶成長を継続することがで
きる。
長中、排気配管１２が生成物の堆積により閉塞状態とな
った場合、補助ライン９を使用することで成長室１の圧
力制御を行うことができ、結晶成長を継続することがで
きる。
【００５０】また、上記補助ライン９を使用すること
で、排気配管１２が閉塞状態になっても、成長室１の圧
力上昇を阻止できるから、成長室１の圧力上昇に起因す
る成長膜厚の異常が発生せず、その成長膜厚の異常によ
る生産のロスを防ぐことができる。
で、排気配管１２が閉塞状態になっても、成長室１の圧
力上昇を阻止できるから、成長室１の圧力上昇に起因す
る成長膜厚の異常が発生せず、その成長膜厚の異常によ
る生産のロスを防ぐことができる。
【００５１】上記実施の形態１ではＡｌＧａＡｓ系の材
料を用いた場合について示したが、本発明の気相成長装
置は他の材料を用いた場合でも装置の稼働率を向上させ
ることができる。
料を用いた場合について示したが、本発明の気相成長装
置は他の材料を用いた場合でも装置の稼働率を向上させ
ることができる。
【００５２】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の気相
成長装置は、排気通路の少なくとも一部を捕獲用排気管
により構成しているので、未反応の原料ガスによる生成
物が捕獲用排気管で捕獲されて、フィルタの交換頻度が
減少し、装置の稼動率を向上させることができる。
成長装置は、排気通路の少なくとも一部を捕獲用排気管
により構成しているので、未反応の原料ガスによる生成
物が捕獲用排気管で捕獲されて、フィルタの交換頻度が
減少し、装置の稼動率を向上させることができる。
【００５３】また、上記未反応の原料ガスがフィルタを
経由した後、例えば排気装置に流入する場合、未反応の
原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲されるか
ら、排気装置へ流れ込む未反応の原料ガスや生成物が減
少して、排気装置のメンテナンス頻度を低減できる。
経由した後、例えば排気装置に流入する場合、未反応の
原料ガスによる生成物が捕獲用排気管で捕獲されるか
ら、排気装置へ流れ込む未反応の原料ガスや生成物が減
少して、排気装置のメンテナンス頻度を低減できる。
【００５４】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の内側の表面積が他の排気管の内側の表面積より
大きいから、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲用排
気管で効率よく捕獲することができる。
排気管の内側の表面積が他の排気管の内側の表面積より
大きいから、未反応の原料ガスによる生成物を捕獲用排
気管で効率よく捕獲することができる。
【００５５】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の内面の捕獲構造が捕獲用排気管の内側に突出す
る凸部であるから、未反応の原料ガスによる生成物を捕
獲用排気管で効率よく捕獲することができる。
排気管の内面の捕獲構造が捕獲用排気管の内側に突出す
る凸部であるから、未反応の原料ガスによる生成物を捕
獲用排気管で効率よく捕獲することができる。
【００５６】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の内面の捕獲構造は凹凸であるから、未反応の原
料ガスによる生成物を捕獲用排気管で効率よく捕獲する
ことができる。
排気管の内面の捕獲構造は凹凸であるから、未反応の原
料ガスによる生成物を捕獲用排気管で効率よく捕獲する
ことができる。
【００５７】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の一部を冷却手段で冷却するので、捕獲用排気管
において、未反応の原料ガスによる生成物の堆積を促進
することができる。
排気管の一部を冷却手段で冷却するので、捕獲用排気管
において、未反応の原料ガスによる生成物の堆積を促進
することができる。
【００５８】一実施形態の気相成長装置は、上記捕獲用
排気管の両側にバルブが接続されていて、その捕獲用排
気管が取り外し可能になっているから、捕獲用排気管の
メンテナンスが容易になり、そのメンテナンスにかかる
時間を短縮できる。
排気管の両側にバルブが接続されていて、その捕獲用排
気管が取り外し可能になっているから、捕獲用排気管の
メンテナンスが容易になり、そのメンテナンスにかかる
時間を短縮できる。
【００５９】一実施形態の気相成長装置によれば、上記
捕獲用排気管が閉塞状態となった場合、捕獲用排気管の
両側のバルブを補助配管でバイパスしているから、補助
配管を使用することにより、成長室内の圧力が上昇する
のを阻止できる。
捕獲用排気管が閉塞状態となった場合、捕獲用排気管の
両側のバルブを補助配管でバイパスしているから、補助
配管を使用することにより、成長室内の圧力が上昇する
のを阻止できる。
【図１】 図１は本発明の実施の形態１の気相成長装置
の模式図である。
の模式図である。
【図２】 図２は本発明の実施の形態２の気相成長装置
の模式図である。
の模式図である。
【図３】 図３は本発明の実施の形態３の気相成長装置
の模式図である。
の模式図である。
【図４】 図４は従来の気相成長装置の模式図である。
１ 成長室
２ フィルタ
４，２４ 排気通路
１１，１２，１３，２１，２３ 排気配管
Claims (8)
- 【請求項１】 成長室とフィルタとを排気通路で接続し
ている気相成長装置において、 上記排気通路の少なくとも一部を、未反応の原料ガスに
よる生成物を捕獲する捕獲構造を内面に有する捕獲用排
気管により構成したことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の気相成長装置におい
て、 上記排気通路は上記捕獲用排気管と他の排気管とからな
り、 上記捕獲用排気管の内側の表面積は上記他の排気管の内
側の表面積より大きいことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の気相成長装置
において、 上記捕獲用排気管の内面の捕獲構造は、上記捕獲用排気
管の内側に突出する凸部であることを特徴とする気相成
長装置。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の気相成長装置
において、 上記捕獲用排気管の内面の捕獲構造は凹凸であることを
特徴とする気相成長装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の気相成長装置におい
て、 上記凹凸はサンドブラスターにより加工されていること
を特徴とする気相成長装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
気相成長装置において、 上記捕獲用排気管の少なくとも一部を冷却する冷却手段
を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
気相成長装置において、 上記捕獲用排気管の両側にバルブが接続されていて、上
記捕獲用排気管が取り外し可能になっていることを特徴
とする気相成長装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の気相成長装置におい
て、 上記捕獲用排気管の上記両側のバルブをバイパスする補
助配管を上記排気通路に接続すると共に、上記補助配管
の中間にバルブを接続していることを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364465A JP2003163169A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364465A JP2003163169A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163169A true JP2003163169A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19174653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364465A Pending JP2003163169A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003163169A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206973A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Sharp Corp | 排気管構造及びそれを用いた排気ガスの排気方法 |
| JP2008181799A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Sharp Corp | プラズマ加工装置およびプラズマ加工方法 |
| KR101540831B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2015-07-30 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 신규 에폭시 수지 및 그의 제조방법, 그 에폭시 수지를 필수성분으로 하는 에폭시 수지 조성물 및 그 에폭시 수지를 필수성분으로 하는 경화물 |
| JP2020178084A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 住友電気工業株式会社 | 砒素除去装置および半導体の製造装置 |
| CN112289672A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和方法 |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001364465A patent/JP2003163169A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN112289672A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和方法 |
| US11244813B2 (en) | 2019-07-22 | 2022-02-08 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| CN112289672B (zh) * | 2019-07-22 | 2025-02-25 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的设备和方法 |
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